JP3620302B2 - Manufacturing method of electronic parts - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、減圧下に保持しなければならない振動部、回転部などの機能素子を収納する電子部品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の電子部品の製造方法として、特開平7−113708号公報に開示されている発明がある。この発明は、図7に示すように、シリコン基板よりなる蓋親基板11にダイヤフラム12を有する複数個のキャビティ13とダイシングラインを兼ねる溝15とを設ける。そして、この蓋親基板11とガラス基板よりなる支持親基板21とを真空中で陽極接合する。この陽極接合の際に発生する酸素ガスは溝15を通して親基板11、21の周辺から放出される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の電子部品の製造方法は、蓋親基板11にその外部周辺まで通じる溝15を形成するので、蓋親基板11の中心部から周辺までの溝15の距離が長くなって、溝15を流れる排気ガスの流出抵抗が増し、排気効率が低下していた。このため、均一な内部圧力のキャビティ13を有する複数個の電子部品を蓋親基板11と支持親基板21で作製する場合には、排気ガスの流出抵抗を減少させるために、溝15の幅を広くしたり、また溝15の深さを大きくしなければならなかった。それに、従来の電子部品の製造方法においては、陽極接合の祭に、シリコン基板よりなる蓋親基板11とガラス基板よりなる支持親基板21とが、熱膨脹係数の相違から歪みが生じて内部応力を残留させて、キャビティ13に収納しているセンサなどの動作特性に悪影響を及ぼしていた。
【0004】
そこで、本発明は、密閉凹部の真空度を均一かつ高く維持し、更に接合時の基板歪を緩和した電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、支持親基板と蓋親基板とを接合してマトリックス状に形成した複数個の密閉凹部にそれぞれ機能素子を減圧密封してなる電子部品の製造方法において、前記支持親基板と蓋親基板とが、シリコン基板とガラス基板との組み合わせよりなり、これらの親基板が陽極接合されるとともに、前記密閉凹部の間に支持親基板または蓋親基板のうち少なくとも一方を加工して連続または断続する溝を形成し、この溝を外部に通気する通気孔を支持親基板または蓋親基板のうち少なくとも一方に形成したものである。この発明において、例えば、陽極接合により支持親基板と蓋親基板との接合を行うと、静電引力が最も強い部分から順次に接合していく。そして、この接合により接合面から酸素ガスが発生する。溝と通気孔の配置関係は、支持親基板および蓋親基板の中央部および周辺部において等しくなっているので、発生酸素ガスの排出経路の長さはどこでも等しくなり、また排出ガスの流出抵抗もどこでも等しくなっている。したがって、支持親基板と蓋親基板とが順次に部分的に接合していくか、同時に接合するかに関わりなく、発生した酸素ガスは溝および最寄りの通気孔を介して真空槽中に排出されるので、複数個の密閉凹部の真空度(減圧度)がばらつかず、均一になって接合される。そして、密閉凹部の真空度を高く維持することができる。
【0006】
また、前記支持親基板と蓋親基板とが、シリコン基板とガラス基板との組み合わせよりなり、これらの親基板が陽極接合されることを特徴とするものである。
【0007】
この発明において、支持親基板と蓋親基板のうち、一方がシリコン基板で、他方がガラス基板よりなるので、これらの親基板は陽極接合により結合される。この陽極接合により発生するガスは溝と通気孔を通して外部に排気される。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の電子部品の製造方法の実施例について図面を参照して説明する。
【0009】
図1、図2および図4において、1はシリコン基板よりなる支持親基板で、この支持親基板1には複数個の機能素子2がマトリックス状に形成される。この機能素子2は、リソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体微細加工技術を用いて支持親基板1を加工し、または支持親基板1に堆積した材料、例えばSOI基板を加工して形成される。そして、機能素子2の形成されている領域2aの周囲には、数μm〜数十μmの深さを有する横方向の溝3aと縦方向の溝3bが形成される。
【0010】
なお、機能素子2は、例えば減圧雰囲気で動作させると感度が向上する振動部を有する角速度センサ、加速度センサ、圧力センサなどの外力検知センサ、また可動部を有するマイクロモータ、マイクロアクチュエータなどの小型機構部品などよりなる。
【0011】
一方、図1、図2および図3において、4はパイレックスガラス基板よりなる蓋親基板で、この蓋親基板4の裏面側には複数個の凹部5がフォトエッチング技術を用いてマトリックス状に形成される。また、蓋親基板4の表裏を貫通する複数個の通気孔6が、フォトエッチング技術を用いてマトリックス状に形成される。
【0012】
蓋親基板4の前記凹部5は、支持親基板1と蓋親基板4とが接合されたとき、機能素子2を蓋被する対応位置に形成される。また、蓋親基板4の前記通気孔6は、支持親基板1と蓋親基板4とが接合されたとき、横方向の溝3aと縦方向の溝3bとの交差する部位の対応する位置に形成される。
【0013】
図1および図2において、これらの支持親基板1と蓋親基板4とは、上記対応関係を維持して重ねられて、図示しない真空槽中において陽極接合される。これにより、機能素子2は密閉凹部5の中に減圧密封される。なお、図1に示す枠状の塗り潰し部分が支持親基板1と蓋親基板4の接合面7となる。
【0014】
この陽極接合においては、支持親基板1と蓋親基板4との接合面7より酸素ガスが発生するが、この発生ガスは溝3a、3bおよび最寄りの通気孔6を通して真空槽中に排出される。したがって、支持親基板1および蓋親基板4の中央部および周辺部において、いづれの接合面7からの発生酸素ガスの排出経路の長さは最寄りの通気孔6までなので、その長さはどこでも等しくなり、排出ガスの流出抵抗も等しくなって、マトリックス状に形成された複数個の密閉凹部5の真空度(減圧度)を均一化して高く維持することができる。
【0015】
図1および図2に示すように、接合された支持親基板1と蓋親基板4とは、横方向溝3aと縦方向溝3bとをダイシングラインにして切断され、個別の電子部品に分離される。
【0016】
図1、図2および図4に示す溝3a、3bは、支持親基板1および蓋親基板4の外部周辺まで連続して通じる形状のものを示したが、図5に示すように、断続する横方向の溝3cおよび縦方向の溝3dのように閉鎖状に形状にしてもよい。このように、溝3a、3bが断続して閉鎖していても、各溝3a、3bの交差する部位には、通気孔6が形成されるので、陽極接合により発生した酸素ガスは各溝3a、3bから各通気孔6を通して外部に排出される。
【0017】
また、上記実施例においては、溝3a、3bはストレート形状のものを示したが、図6に示すように、溝の側壁に凹凸を設けた溝3e、3fの形状とすることができる。これにより、支持親基板1aと蓋親基板4との陽極接合時に発生する歪を吸収して緩和することができる。なお、横方向の溝3aと縦方向の溝3bとは、どちらか一方だけでもよい。
【0018】
また、上記実施例においては、溝3a、3bは支持親基板1に設けたが、蓋親基板4に設けてもよい。また、通気孔6は蓋親基板4に設けたが、支持親基板1に設けてもよい。
【0019】
また、蓋親基板4はパイレックスガラス基板を用いたが、シリコン基板を用いてもよい。この場合、支持親基板1が同じくシリコン基板よりなるので、支持親基板と蓋親基板との接合は直接接合となる。
【0020】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明は、溝と通気孔とが親基板の全領域にわたって均等に形成されているので、陽極接合などにより発生した酸素ガスは、最寄りの溝と通気孔を通して外部に排気される。これにより、従来に比べて、排気溝の長さが短くなってガスの流通抵抗が低くなり、親基板に複数個形成される電子部品の内部の真空度(減圧度)が均一化して、収納されている機能素子の動作特性が一定し安定したものとなる。
【0021】
また、支持親基板と蓋親基板とをシリコン基板とガラス基板との組み合わせにより形成するので、陽極接合を用いてこれらの基板を接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例における電子部品の平面図
【図2】図1のX−X線断面形態図
【図3】図1の電子部品の蓋親基板の平面図
【図4】図1の電子部品の支持親基板の平面図
【図5】本発明の第2実施例における電子部品の支持親基板の平面図
【図6】本発明の第3実施例における電子部品の支持親基板の平面図
【図7】従来の電子部品における支持親基板と蓋親基板との接合基板の断面形態図
【符号の説明】
1、1a 支持親基板
2 機能素子
2a 領域
3a、3c 横方向の溝
3b、3d 縦方向の溝
4 蓋親基板
5 凹部
6 通気孔[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component that houses functional elements such as a vibrating part and a rotating part that must be held under reduced pressure.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a method for manufacturing this type of electronic component, there is an invention disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-113708. In the present invention, as shown in FIG. 7, a plurality of
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, since the conventional electronic component manufacturing method forms the
[0004]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic component that maintains a uniform and high degree of vacuum in a sealed recess and further reduces substrate distortion during bonding.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The invention of
[0006]
The supporting parent substrate and the lid parent substrate are a combination of a silicon substrate and a glass substrate, and these parent substrates are anodically bonded.
[0007]
In the present invention, since one of the supporting parent substrate and the lid parent substrate is a silicon substrate and the other is a glass substrate, these parent substrates are bonded by anodic bonding. The gas generated by the anodic bonding is exhausted to the outside through the groove and the vent hole.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of an electronic component manufacturing method according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0009]
1, 2 and 4, 1 is a silicon substrate by Li Cheng supporting mother substrate, a plurality of
[0010]
Note that the
[0011]
On the other hand, in FIGS. 1, 2 and 3, reference numeral 4 denotes a lid parent substrate made of a Pyrex glass substrate, and a plurality of
[0012]
The
[0013]
In FIG. 1 and FIG. 2, the supporting
[0014]
In this anodic bonding, oxygen gas is generated from the
[0015]
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the bonded
[0016]
The
[0017]
Moreover, in the said Example, although the groove |
[0018]
In the above embodiment, the
[0019]
The lid parent substrate 4 is a Pyrex glass substrate, but may be a silicon substrate. In this case, since the
[0020]
【The invention's effect】
In the first aspect of the invention, since the grooves and the vent holes are formed uniformly over the entire area of the parent substrate, oxygen gas generated by anodic bonding or the like is exhausted to the outside through the nearest grooves and vent holes. The As a result, the length of the exhaust groove is shortened and the gas flow resistance is reduced compared to the conventional case, and the degree of vacuum (decompression degree) inside the electronic components formed on the parent substrate is made uniform and stored. The operational characteristics of the functional elements are constant and stable.
[0021]
Moreover , since the supporting parent substrate and the lid parent substrate are formed by a combination of a silicon substrate and a glass substrate, these substrates can be bonded using anodic bonding.
[Brief description of the drawings]
1 is a plan view of an electronic component according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG. 1. FIG. 3 is a plan view of a lid parent substrate of the electronic component of FIG. FIG. 5 is a plan view of a support parent substrate for an electronic component according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a plan view of an electronic component according to a third embodiment of the present invention. Plan view of parent substrate [FIG. 7] Cross-sectional view of a bonding substrate between a supporting parent substrate and a lid parent substrate in a conventional electronic component [Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24941698A JP3620302B2 (en) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Manufacturing method of electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24941698A JP3620302B2 (en) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Manufacturing method of electronic parts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000077552A JP2000077552A (en) | 2000-03-14 |
JP3620302B2 true JP3620302B2 (en) | 2005-02-16 |
Family
ID=17192661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24941698A Expired - Fee Related JP3620302B2 (en) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Manufacturing method of electronic parts |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3620302B2 (en) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003007645A (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Japan Radio Co Ltd | Method of manufacturing electronic device package and wafer associated therewith |
JP4840771B2 (en) * | 2006-08-29 | 2011-12-21 | セイコーインスツル株式会社 | Method for manufacturing mechanical quantity sensor |
JPWO2010061470A1 (en) * | 2008-11-28 | 2012-04-19 | セイコーインスツル株式会社 | Manufacturing method of wafer and package product |
CN102257612A (en) | 2008-12-18 | 2011-11-23 | 精工电子有限公司 | Wafer and method for manufacturing package product |
JP2010186956A (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Seiko Instruments Inc | Method of manufacturing glass-sealed package, manufacturing apparatus for glass-sealed package, and oscillator |
TWI513668B (en) | 2009-02-23 | 2015-12-21 | Seiko Instr Inc | Manufacturing method of glass-sealed package, and glass substrate |
JPWO2010097901A1 (en) * | 2009-02-25 | 2012-08-30 | セイコーインスツル株式会社 | Anodic bonding method, package manufacturing method, piezoelectric vibrator manufacturing method, oscillator, electronic device, and radio timepiece |
JP5375300B2 (en) * | 2009-04-16 | 2013-12-25 | 大日本印刷株式会社 | SEALED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
CN101997269B (en) * | 2010-09-15 | 2012-02-08 | 山东华光光电子有限公司 | Method for manufacturing semiconductor laser bar |
JP2012186532A (en) | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Seiko Instruments Inc | Wafer, package manufacturing method, and piezoelectric vibrator |
JP5791322B2 (en) * | 2011-03-28 | 2015-10-07 | セイコーインスツル株式会社 | Package manufacturing method |
JP2013197199A (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Seiko Instruments Inc | Electronic component package and method of manufacturing electronic component package |
JP6180902B2 (en) * | 2013-11-25 | 2017-08-16 | 新日本無線株式会社 | Manufacturing method of sensor device |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP24941698A patent/JP3620302B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000077552A (en) | 2000-03-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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