JPH10206455A - Manufacture for pressure-reduced sealed electronic part - Google Patents

Manufacture for pressure-reduced sealed electronic part

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JPH10206455A
JPH10206455A JP882297A JP882297A JPH10206455A JP H10206455 A JPH10206455 A JP H10206455A JP 882297 A JP882297 A JP 882297A JP 882297 A JP882297 A JP 882297A JP H10206455 A JPH10206455 A JP H10206455A
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JP
Japan
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substrate
cavity
getter
getter film
film
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Application number
JP882297A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuzo Hara
鉄三 原
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a pressure-reduced sealed electronic part whereby a degree of vacuum can be adjusted, by projecting laser beams to a getter film. SOLUTION: A supporting substrate 11 and a sealing substrate 12 are anodically bonded, thereby forming a cavity 14 storing a function part 10, a gutter chamber 15 where a gutter film 17 is formed and a channel 16 connecting the cavity and gutter chamber. A laser beam 18 is projected from outside of the supporting substrate 11 and sealing substrate 12 to the gutter film 17. As a result, the gutter film 17 is heated and evaporated, and at the same time reacts to be oxidized with a residual gas. The residual gas in the cavity 14 is accordingly reduced, whereby a degree of vacuum is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、機能部を減圧下
に保持しなければならない、加速度センサ、角速度セン
サ、真空圧計などの減圧封止電子部品の製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a vacuum-sealed electronic component, such as an acceleration sensor, an angular velocity sensor, and a vacuum manometer, in which a functional section must be maintained under reduced pressure.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の角速度センサなどの減圧封止電子
部品の製造方法において、その機能部の収容されている
キャビティを減圧密閉する手段として、Sensors and Ac
tuators A.43(1994)243-248)に記載されている真空封止
法について図7および図8を参照して説明する。
2. Description of the Related Art In a conventional method of manufacturing a pressure-reduced sealed electronic component such as an angular velocity sensor, Sensors and Ac
The vacuum sealing method described in tuators A. 43 (1994) 243-248) will be described with reference to FIGS.

【0003】図7において、シリコン基板21を薄く加
工し、機能部としてストレインゲージを有するダイアフ
ラム21aと真空室21bとを形成する。また、シリコ
ン基板21にガス抜き孔21cを形成する。このガス抜
き孔21cはチャネル21dを通して真空室21bにつ
ながっている。
In FIG. 7, a silicon substrate 21 is thinned to form a diaphragm 21a having a strain gauge as a functional part and a vacuum chamber 21b. Further, a gas vent hole 21c is formed in the silicon substrate 21. The gas vent hole 21c is connected to a vacuum chamber 21b through a channel 21d.

【0004】一方、22はパイレックスガラス基板で、
陽極接合によりシリコン基板21に接合される。つぎ
に、真空槽で行われる封止工程で、真空室21b内のガ
スをガス抜き孔21cから真空槽中に排出する。その
後、ガス抜き孔21cをアルミニウム23などの金属で
CVD(化学気相成長)、蒸着などにより封止し、真空
室21bを所定の真空度に密閉するというものである。
On the other hand, 22 is a Pyrex glass substrate,
Bonded to the silicon substrate 21 by anodic bonding. Next, in a sealing step performed in the vacuum chamber, the gas in the vacuum chamber 21b is discharged from the gas vent hole 21c into the vacuum chamber. Thereafter, the gas vent hole 21c is sealed with a metal such as aluminum 23 by CVD (chemical vapor deposition), vapor deposition, or the like, and the vacuum chamber 21b is sealed at a predetermined degree of vacuum.

【0005】また、図8に示す真空封止法は、図7に示
す真空封止法と同様に、シリコン基板24を薄く加工し
てダイアフラム24aと真空室24bからなる機能部を
形成し、また、この真空室24bとチャネル24dを介
して通じるゲッター室24cを形成する。そして、この
ゲッター室24cに非蒸発性の固形のゲッター材25を
封入した状態で、シリコン基板24とパイレックスガラ
ス基板26とを陽極接合する。この陽極接合の際に、接
合面から酸素ガスが発生して、その一部が真空室24c
に流入する。このゲッター材25は、陽極接合時のほぼ
400℃の温度で活性化し、真空室24bに流入したガ
スを吸着して、真空室24bを減圧密閉することにな
る。
In the vacuum sealing method shown in FIG. 8, similarly to the vacuum sealing method shown in FIG. 7, the silicon substrate 24 is thinned to form a functional portion comprising a diaphragm 24a and a vacuum chamber 24b. A getter chamber 24c is formed which communicates with the vacuum chamber 24b via the channel 24d. Then, with the non-evaporable solid getter material 25 sealed in the getter chamber 24c, the silicon substrate 24 and the Pyrex glass substrate 26 are anodically bonded. During this anodic bonding, oxygen gas is generated from the bonding surface, and a part thereof is
Flows into. The getter material 25 is activated at a temperature of about 400 ° C. during anodic bonding, adsorbs the gas flowing into the vacuum chamber 24b, and seals the vacuum chamber 24b under reduced pressure.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示す従来の減圧封止電子部品の製造方法は、シリコン基
板21に設けるガス抜き孔21cが、超音波加工、サン
ドブラストなどにより形成されるので、その内壁面の凹
凸が大きくなり、CVDまたは真空蒸着などで形成する
薄膜では完全に信頼性よく封止することができない。ま
た、従来の製造方法により製造された減圧封止電子部品
は、外部から封止する構造のガス抜き孔21cを有して
いるので、形状が大きくなるという欠点を有している。
However, according to the conventional method for manufacturing a reduced-pressure sealed electronic component shown in FIG. 7, the gas vent hole 21c provided in the silicon substrate 21 is formed by ultrasonic processing, sand blasting, or the like. The unevenness of the inner wall surface becomes large, and a thin film formed by CVD or vacuum deposition cannot be completely and reliably sealed. Further, the decompression-sealed electronic component manufactured by the conventional manufacturing method has a drawback that the shape becomes large because it has the gas vent hole 21c having a structure for sealing from the outside.

【0007】更に、図8に示す従来の減圧封止電子部品
の製造方法においては、数ミリ角の固形よりなるゲッタ
ー材を収納するゲッター室を設けるので、製造される電
子部品の寸法が大きくなる。また、ゲッター材からの発
塵で支持基板と封止基板とが接合不良を起こす懸念があ
る。
Furthermore, in the conventional method for manufacturing a vacuum sealed electronic component shown in FIG. 8, a getter chamber for accommodating a solid getter material of several mm square is provided, so that the size of the manufactured electronic component becomes large. . In addition, there is a concern that the support substrate and the sealing substrate may be bonded poorly due to dust from the getter material.

【0008】そこで、本発明は、ゲッター膜にレーザー
光線を照射することにより、真空度を調整できる減圧封
止電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a vacuum sealed electronic component capable of adjusting the degree of vacuum by irradiating a getter film with a laser beam.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、支持基板とこの支持基板を封止する封止基板とのう
ち、少なくとも一方に凹部、機能部の少なくとも一つを
形成し、前記支持基板と前記封止基板とのうち、少なく
とも一方にゲッター膜を形成し、前記支持基板と前記封
止基板とを接合して、前記凹部により、前記機能部とゲ
ッター膜とを収納するキャビティを形成し、前記支持基
板および前記封止基板のうち、少なくとも一方を透過す
るレーザー光線で前記ゲッター膜を加熱して蒸発させる
と共に残留ガスと反応させて、前記キャビティを減圧封
止するものである。
According to a first aspect of the present invention, at least one of a concave portion and a functional portion is formed in at least one of a support substrate and a sealing substrate for sealing the support substrate. A cavity for forming a getter film on at least one of the support substrate and the sealing substrate, joining the support substrate and the sealing substrate, and storing the functional unit and the getter film by the recess. And heating and evaporating the getter film with a laser beam passing through at least one of the supporting substrate and the sealing substrate, and reacting the getter film with a residual gas to seal the cavity under reduced pressure.

【0010】この発明は、キャビティーに形成されてい
る活性な金属からなるゲッター膜に外部からレーザー光
線を照射して、ゲッター膜を加熱して蒸発させる。この
蒸発の際に、ゲッター膜の原子は、残留ガスと反応して
化合物を生成し、特に酸素ガスと反応して酸化化合物を
生成する。このように、ゲッター膜は、レーザー光線の
照射により蒸発して、キャビティの残留ガスと反応して
キャビティの残留ガスを減少させる。これにより、キャ
ビティの真空度が高くなる。なお、ゲッター膜の蒸発に
伴って生成した化合部は、キャビティーの内壁あるいは
機能部に付着する。この機能部は、蒸発に伴う化合物が
付着しても、影響の少ない、例えばパッシベーション膜
などにより被覆されてショートする危惧のないストレイ
ンゲージのような素子で構成されておればよい。
According to the present invention, a getter film made of an active metal formed in a cavity is irradiated with a laser beam from the outside to heat and evaporate the getter film. During this evaporation, the atoms of the getter film react with the residual gas to generate a compound, and in particular, react with oxygen gas to generate an oxidized compound. Thus, the getter film is evaporated by the irradiation of the laser beam and reacts with the residual gas in the cavity to reduce the residual gas in the cavity. Thereby, the degree of vacuum in the cavity is increased. The compound generated by the evaporation of the getter film adheres to the inner wall of the cavity or the functional part. The functional unit may be formed of an element such as a strain gauge which is less affected even if a compound accompanying evaporation is attached, and which is not likely to be short-circuited by being covered with a passivation film or the like.

【0011】請求項2に記載の発明は、機能部の形成さ
れている支持基板と封止基板とのうち、少なくとも一方
に仕切り壁で仕切られた複数の凹部を形成すると共に、
前記凹部を繋ぐ溝を形成し、前記支持基板と前記封止基
板とのうち、少なくとも一方にゲッター膜を形成し、前
記支持基板と前記封止基板とを接合して、前記凹部によ
り、前記機能部を収納するキャビティと前記ゲッター膜
を設けたゲッター室とを形成し、前記溝により前記キャ
ビティと前記ゲッター室間を連通するチャネルを形成
し、前記支持基板および前記封止基板のうち、少なくと
も一方を透過するレーザー光線で前記ゲッター膜を加熱
して蒸発させると共に残留ガスと反応させて、前記キャ
ビティを減圧封止するものである。
According to a second aspect of the present invention, at least one of a supporting substrate and a sealing substrate on which a functional portion is formed has a plurality of concave portions partitioned by partition walls.
Forming a groove connecting the recesses, forming a getter film on at least one of the support substrate and the sealing substrate, joining the support substrate and the sealing substrate, and providing the function Forming a cavity for accommodating a portion and a getter chamber provided with the getter film, forming a channel communicating between the cavity and the getter chamber by the groove, and forming at least one of the support substrate and the sealing substrate. The getter film is heated and evaporated with a laser beam passing through the substrate, and is reacted with a residual gas to seal the cavity under reduced pressure.

【0012】この発明は、ゲッター室に形成された活性
な金属からなるゲッター膜に外部からレーザー光線を照
射して、ゲッター膜を加熱して蒸発させる。この蒸発の
際に、ゲッター膜の原子は、残留ガスと反応して化合物
を生成し、特に酸素ガスと反応して酸化化合物を生成す
る。このように、ゲッター膜は、レーザー光線の照射に
より蒸発して、キャビティの残留ガスと化合して、キャ
ビティの残留ガスを減少させる。これにより、キャビテ
ィの真空度が高くなる。なお、ゲッター膜の蒸発に伴っ
て生成した化合物はゲッター室の内壁面に付着する。キ
ャビティはゲッター室から仕切り壁により仕切られてい
るので、この蒸発による化合物の飛着は、キャビティに
は及ばない。したがって、機能部が可動部分を有してい
ても、その動作には影響しない。
According to the present invention, a getter film formed of an active metal formed in a getter chamber is irradiated with a laser beam from the outside to heat and evaporate the getter film. During this evaporation, the atoms of the getter film react with the residual gas to generate a compound, and in particular, react with oxygen gas to generate an oxidized compound. As described above, the getter film is evaporated by the irradiation of the laser beam, combines with the residual gas in the cavity, and reduces the residual gas in the cavity. Thereby, the degree of vacuum in the cavity is increased. The compound generated as the getter film evaporates adheres to the inner wall surface of the getter chamber. Since the cavity is separated from the getter chamber by a partition wall, the flying of the compound due to the evaporation does not reach the cavity. Therefore, even if the functional unit has the movable part, it does not affect the operation.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の減圧封止電子部
品の製造方法の実施例について図面を参照して説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a vacuum sealed electronic component according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0014】図1Aにおいて、12はパイレックスガラ
スよりなる封止基板で、その裏面側には、仕切り壁13
により仕切られて、2つの凹部14a、15aが形成さ
れている。仕切り壁13の一方の根元の裏面側には、凹
部14aと15aとを連通する幅および深さがそれぞれ
数μm〜数十μmの溝16aが設けられている。また、
凹部15aの天面で、溝16aから離れた部位には、チ
タン(Ti)、バリウム(Ba)などの容易に酸化する
活性な金属よりなるゲッター膜17が蒸着などにより平
面状に形成されている。
In FIG. 1A, reference numeral 12 denotes a sealing substrate made of Pyrex glass.
, Two concave portions 14a and 15a are formed. A groove 16a having a width and a depth of several μm to several tens μm, each of which communicates the recesses 14a and 15a, is provided on the back surface of one base of the partition wall 13. Also,
A getter film 17 made of an easily oxidizable active metal such as titanium (Ti) or barium (Ba) is formed in a plane shape by vapor deposition or the like on the top surface of the concave portion 15a and away from the groove 16a. .

【0015】図1Bにおいて、11はシリコンよりなる
支持基板で、その表面の片側には角速度センサ10が、
半導体微細加工技術を用いて形成されている。つぎに、
この角速度センサ10について、図4を参照して説明す
る。
In FIG. 1B, reference numeral 11 denotes a support substrate made of silicon, and an angular velocity sensor 10 is provided on one side of its surface.
It is formed using semiconductor fine processing technology. Next,
The angular velocity sensor 10 will be described with reference to FIG.

【0016】角速度センサ10はコリオリ力を検知して
角速度を検出するものである。1は長方形板状の振動体
で、その長手方向の両端部からは、直角かつ両方向に可
動柄2a、3aがそれぞれ伸びている。この可動柄2
a、3aの先端には、コ字型支持梁6a、7aの一端が
結合され、その他端は固定部6、7に結合されている。
可動柄2a、3aの外側面には、複数本の平行する可動
櫛歯電極2b、3b(点集合部分)が直角方向にそれぞ
れ形成されている。また、この可動櫛歯電極2b、3b
と対抗してコンデンサを形成する複数本の固定櫛歯電極
2c、3cと、これらの固定櫛歯電極2c、3cに直角
に結合している固定電極2d、3d(白地部分)とが、
図示しない基板に形成されている。そして、振動体1の
左側の可動櫛歯電極2bと固定櫛歯電極2c及び右側の
可動櫛歯電極3bと固定櫛歯電極3cは、それぞれ駆動
電極部2、3を構成する。
The angular velocity sensor 10 detects the Coriolis force to detect the angular velocity. Reference numeral 1 denotes a rectangular plate-shaped vibrating body, and movable handles 2a and 3a extend at right angles and in both directions from both ends in the longitudinal direction. This movable pattern 2
One ends of the U-shaped support beams 6a and 7a are connected to the tips of a and 3a, and the other ends are connected to the fixing portions 6 and 7.
On the outer surfaces of the movable handles 2a, 3a, a plurality of parallel movable comb-tooth electrodes 2b, 3b (point set portions) are formed at right angles. The movable comb electrodes 2b, 3b
A plurality of fixed comb-teeth electrodes 2c and 3c forming a capacitor in opposition to the fixed comb-teeth electrodes 2c and 3c, and fixed electrodes 2d and 3d (white background portions) coupled to these fixed comb-teeth electrodes 2c and 3c at right angles.
It is formed on a substrate (not shown). The movable comb electrode 2b and the fixed comb electrode 2c on the left side of the vibrator 1 and the movable comb electrode 3b and the fixed comb electrode 3c on the right side form the drive electrode units 2 and 3, respectively.

【0017】駆動電極部2、3の可動櫛歯電極2b、3
bと振動体1とは、半導体微細加工技術を用いて、シリ
コンにより一体に形成されているので、それらの振動変
位は同一となる。
The movable comb electrodes 2b, 3 of the drive electrode sections 2, 3
Since b and the vibrating body 1 are integrally formed of silicon using the semiconductor fine processing technology, their vibration displacements are the same.

【0018】また、振動体1の両側面からは複数本の可
動柄4a、5aがそれぞれ直角方向に伸びて、その両側
に可動櫛歯電極4b、5b(点集合部分)がそれぞれ形
成されている。また、この可動櫛歯電極4b、5bと対
抗してコンデンサを形成する固定櫛歯電極4c、5c
(白地部分)、これらに結合している固定柄4d、5
d、また、これらに結合している固定電極4e、5e、
及びこれらの引出電極4f、5fが、図示しない基板に
形成されている。
A plurality of movable handles 4a, 5a extend in a direction perpendicular to both sides of the vibrating body 1, and movable comb electrodes 4b, 5b (point set portions) are formed on both sides thereof. . In addition, fixed comb-teeth electrodes 4c, 5c forming capacitors in opposition to the movable comb-teeth electrodes 4b, 5b
(White background), fixed patterns 4d, 5 connected to these
d and the fixed electrodes 4e, 5e,
And these extraction electrodes 4f and 5f are formed on a substrate (not shown).

【0019】そして、振動体1の上側の可動櫛歯電極4
bと固定櫛歯電極4c及び下側の可動櫛歯電極5bと固
定櫛歯電極5cは、それぞれ検出電極部4、5を構成す
る。なお、点集合部分で示す振動体1、可動柄2a、3
a、4a、5a、コ字型支持梁6a、7a、可動櫛歯電
極2b、3b、4b、5bは、図示しない基板から浮い
た状態で自由振動可能になっている。
The movable comb electrode 4 on the upper side of the vibrating body 1
b and the fixed comb electrode 4c, and the lower movable comb electrode 5b and the fixed comb electrode 5c constitute detection electrode portions 4 and 5, respectively. Note that the vibrating body 1, the movable patterns 2a, 3
a, 4a, 5a, the U-shaped support beams 6a, 7a, and the movable comb electrodes 2b, 3b, 4b, 5b can freely vibrate while floating from a substrate (not shown).

【0020】つぎに、図4に示す角速度センサ10の動
作について説明する。駆動電極部2の可動櫛歯電極2b
と固定櫛歯電極2cとの間、および駆動電極部3の可動
櫛歯電極3bと固定櫛歯電極3cとの間に、例えば、ピ
ーク値が0Vと5Vの逆極性の交流電圧を印加する。す
ると、可動櫛歯電極2bと3bは、静電気力により固定
櫛歯電極2c、3cと対抗面積を拡大するように、固定
電極2dと3dの方に交互に吸引されて、振動体1をX
軸方向に振動させるようになる。
Next, the operation of the angular velocity sensor 10 shown in FIG. 4 will be described. The movable comb electrode 2b of the drive electrode unit 2
For example, between the movable comb electrode 3b and the fixed comb electrode 3c of the drive electrode section 3 and between the fixed comb electrode 3c and the fixed comb electrode 2c, an AC voltage having a peak value of 0V and a reverse polarity of 5V is applied. Then, the movable comb electrodes 2b and 3b are alternately attracted to the fixed electrodes 2d and 3d by the electrostatic force so as to increase the area of opposition to the fixed comb electrodes 2c and 3c by the electrostatic force, and the vibrating body 1 is moved by X.
Vibrates in the axial direction.

【0021】このように、振動体1がX軸方向に振動し
ているときに、この角速度センサ10が紙面に垂直な中
心軸を中心にして回転すると、Y軸方向にコリオリ力に
よる振動が現れて、振動体1はY軸方向にも振動するよ
うになる。すると、振動体1の両側の検出電極部4、5
の静電容量が、一方は増加し、他方は減少するようにな
る。この増減する静電容量を電圧変換して差動増幅する
ことにより、X軸方向の振動成分を除去し、Y軸方向の
コリオリ力による振動成分を抽出して回転角速度および
これを積分して回転角度を求めることができる。
As described above, if the angular velocity sensor 10 rotates about the center axis perpendicular to the paper surface while the vibrating body 1 is vibrating in the X-axis direction, vibration due to Coriolis force appears in the Y-axis direction. Thus, the vibrating body 1 also vibrates in the Y-axis direction. Then, the detection electrode units 4 and 5 on both sides of the vibrating body 1
On the one hand increases and the other decreases. By subjecting the increased / decreased capacitance to voltage conversion and differential amplification, the vibration component in the X-axis direction is removed, the vibration component due to the Coriolis force in the Y-axis direction is extracted, and the rotational angular velocity and its integration are integrated. The angle can be determined.

【0022】つぎに、図1〜図3を参照して、支持基板
11と封止基板12との接合について説明する。
Next, the joining of the support substrate 11 and the sealing substrate 12 will be described with reference to FIGS.

【0023】図1に示すように、支持基板11の上に形
成した角速度センサ10が封止基板12の凹部14aに
蓋被されるように、支持基板11の上に封止基板12を
重ね合わせて、真空槽の減圧雰囲気中において陽極接合
を行う。この陽極接合により、封止基板12の4辺部と
仕切り壁13の裏面の大部分は、支持基板11に接合さ
れる。
As shown in FIG. 1, the sealing substrate 12 is superimposed on the supporting substrate 11 so that the angular velocity sensor 10 formed on the supporting substrate 11 is covered by the concave portion 14a of the sealing substrate 12. Then, anodic bonding is performed in a reduced pressure atmosphere of a vacuum chamber. By this anodic bonding, most of the four sides of the sealing substrate 12 and the back surface of the partition wall 13 are bonded to the support substrate 11.

【0024】そして、図2および図3に示すように、封
止基板12に形成した凹部14aにより角速度センサ1
0を収納するキャビティ14が形成され、また、凹部1
5aによりゲッター室15が形成され、更に、仕切り壁
13に形成した溝16aによりチャネル16が形成され
る。このチャネル16は、キャビティ14とゲッター室
15との気体の出入を行わせるものである。この陽極接
合により、キャビティ14等には酸素が流入し、真空槽
の真空度よりその真空度が低下して数百〜数千Pa程度
になる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the angular velocity sensor 1 is formed by a concave portion 14a formed in the sealing substrate 12.
0 is formed, and the cavity 1 is formed.
A getter chamber 15 is formed by 5a, and a channel 16 is formed by a groove 16a formed in the partition wall 13. The channel 16 allows gas to flow into and out of the cavity 14 and the getter chamber 15. Oxygen flows into the cavity 14 and the like due to the anodic bonding, and the degree of vacuum is reduced from the degree of vacuum in the vacuum chamber to about several hundreds to several thousands Pa.

【0025】つぎに、図5を参照して、キャビティ1
4、ゲッター室15およびチャネル16(以下、キャビ
ティ14等という。)の残留ガスを減少させる方法につ
いて説明する。
Next, referring to FIG.
4. A method for reducing the residual gas in the getter chamber 15 and the channel 16 (hereinafter, referred to as the cavity 14) will be described.

【0026】以上のように、減圧雰囲気中で行われた陽
極接合によりキャビティ14等が数百〜数千Paになっ
ている減圧封止電子部品の封止基板12の外部からレー
ザー光線18をゲッター膜17に照射して、ゲッター膜
17の一部分を加熱して蒸発させる。ゲッター膜17
は、蒸発するとき、キャビティ14等の残存ガス、特
に、酸素ガスと化合して、ゲッター膜17がチタン(T
i)ならば、酸化チタン(TiO2 )となり、また、バ
リウム(Ba)ならば、酸化バリウム(BaO)となっ
て、矢印で示すように、ゲッター室15の内壁面に飛着
する。なお、蒸発の際に、酸素原子と衝突せず、ゲッタ
ー室15の壁面に飛着したゲッター膜17の原子は、そ
の後、例えば酸素原子と結び付いて酸化化合物となる。
As described above, the laser beam 18 is applied to the getter film from the outside of the sealing substrate 12 of the reduced-pressure sealed electronic component in which the cavity 14 and the like have a pressure of several hundreds to several thousands Pa by the anodic bonding performed in the reduced-pressure atmosphere. Irradiation is performed on the getter film 17 to heat and evaporate a part of the getter film 17. Getter film 17
When evaporating, the getter film 17 is combined with the residual gas in the cavity 14 and the like, in particular, oxygen gas, and
In the case of i), it becomes titanium oxide (TiO 2 ), and in the case of barium (Ba), it becomes barium oxide (BaO), which flies on the inner wall surface of the getter chamber 15 as shown by the arrow. The atoms of the getter film 17 that have not collided with the oxygen atoms during the evaporation and have landed on the wall surface of the getter chamber 15 are then combined with, for example, oxygen atoms to form an oxide compound.

【0027】このように、ゲッター膜13が蒸発して残
留ガスと化合することにより、キャビティ14等の残存
ガスは減少して、キャビティ14等の真空度を向上させ
ることができる。この真空度の調整は、ゲッター膜13
へのレーザー照射の面積を広げることにより行われる。
ゲッター膜17の蒸発は、矢印で示すように、周囲のゲ
ッター室の壁面に飛散するように行われるので、このゲ
ッター膜17の原子の飛散は、仕切り壁13により仕切
られているキャビティ14にはおよばない。
As described above, since the getter film 13 evaporates and combines with the residual gas, the residual gas in the cavity 14 and the like is reduced, and the degree of vacuum in the cavity 14 and the like can be improved. The adjustment of the degree of vacuum is performed by the getter film 13.
This is performed by enlarging the area of laser irradiation on the substrate.
The evaporation of the getter film 17 is performed such that the getter film 17 scatters on the wall surfaces of the surrounding getter chambers, as indicated by arrows, so that the scattering of the atoms of the getter film 17 is carried out in the cavity 14 partitioned by the partition wall 13. Not reachable.

【0028】本実施例に用いるレーザー装置としては、
パイレックスガラスなどよりなる封止基板12を透過す
る可視光領域のレーザー光を出すYAGレーザー装置な
どが用いられる。また、ゲッター膜17は、支持基板1
1に形成してもよい。また、角速度センサ10などの機
能部を形成する支持基板は、パイレックスガラスであっ
てもよい。この場合、パイレックスガラスの支持基板に
CVD(化学気相成長)などによりシリコン、酸化シリ
コンなどを堆積したり、また、パイレックスガラスの支
持基板にSi基板を貼り合わせるなどして、半導体微細
加工技術を用いて機能部が形成されることになる。
As the laser device used in this embodiment,
A YAG laser device that emits laser light in the visible light range that transmits through the sealing substrate 12 made of Pyrex glass or the like is used. Further, the getter film 17 is formed on the support substrate 1.
1 may be formed. Further, the support substrate forming the functional unit such as the angular velocity sensor 10 may be Pyrex glass. In this case, silicon and silicon oxide are deposited on a Pyrex glass support substrate by CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like, or a Si substrate is bonded to the Pyrex glass support substrate. The functional part is formed by using this.

【0029】なお、ゲッター室15とキャビティ14と
の間に設けた仕切り壁13は、ゲッター膜17の原子の
蒸発に伴う残留ガスとの反応を迅速に促進するために
は、無い方が望ましい。そして、仕切り壁13があった
にしても、チャネル16は前記理由により断面が大きい
方が望ましい。しかし、ゲッター膜17の原子が蒸発に
伴って被着することにより、電子部品の可動部分のショ
ート不良などの機能の低下ないし停止を防止するため、
仕切り壁13は必要となり、また適度の大きさを有する
チャネルが必要となる。
The partition wall 13 provided between the getter chamber 15 and the cavity 14 is desirably absent in order to promptly promote the reaction of the getter film 17 with the residual gas accompanying the evaporation of the atoms. Even if there is a partition wall 13, it is desirable that the channel 16 has a large cross section for the above-described reason. However, since the atoms of the getter film 17 are deposited along with the evaporation to prevent a decrease or stop of the function such as a short-circuit failure of the movable part of the electronic component,
A partition wall 13 is required, and a channel having an appropriate size is required.

【0030】したがって、チャネルを有する仕切り壁
は、ゲッター膜17の蒸発に伴う直接の飛着から可動部
を最低限保護する構造のものであればよい。そして、チ
ャネルは、ゲッター室から幾重にも屈曲していてもキャ
ビティに連絡しておればよい。上記実施例においては、
仕切り壁は機能部10の可動しない部分、例えば、固定
電極2dを拡大し、この拡大した固定電極によりゲッタ
ー室とキャビティを形成し、この固定電極の隙間をチャ
ネルとすることもできる。
Therefore, the partition wall having the channel only needs to have a structure that at least protects the movable portion from direct splash due to evaporation of the getter film 17. And even if the channel is bent several times from the getter chamber, it may be connected to the cavity. In the above embodiment,
The partition wall may enlarge a non-movable portion of the functional unit 10, for example, the fixed electrode 2d, form a getter chamber and a cavity with the expanded fixed electrode, and use the gap between the fixed electrodes as a channel.

【0031】つぎに、図6を参照して、減圧封止電子部
品の機能部に真空圧計を用いた場合について説明する。
31は単結晶シリコンよりなる支持基板で、その表面側
の中央部がエッチングにより円錐台状に削除されて、裏
面側に厚みが数10μmのダイアフラム31aが形成さ
れている。このダイアフラム31aの裏面には、抵抗ス
トレインゲージ33が形成されている。
Next, a case where a vacuum pressure gauge is used for the functional part of the vacuum sealing electronic component will be described with reference to FIG.
Reference numeral 31 denotes a support substrate made of single-crystal silicon, whose central part on the front surface side is removed by etching into a truncated cone shape, and a diaphragm 31a having a thickness of several tens μm is formed on the back surface side. A resistance strain gauge 33 is formed on the back surface of the diaphragm 31a.

【0032】32はパイレックスガラスよりなる封止基
板で、その裏面にはゲッター膜35が平面状に形成され
ている。
Reference numeral 32 denotes a sealing substrate made of Pyrex glass, and a getter film 35 is formed on the back surface thereof in a planar shape.

【0033】これらの支持基板31と封止基板32とは
陽極接合技術により接合されて、一つのキャビティ36
が形成される。
The support substrate 31 and the sealing substrate 32 are joined by an anodic joining technique to form one cavity 36.
Is formed.

【0034】つぎに、封止基板32側からレーザー光線
をゲッター膜35に照射して、その一部を加熱溶融させ
て蒸発させる。この蒸発に伴い、ゲッター膜35の蒸発
した原子は、残存ガスと化合して化合物を形成して、キ
ャビティ36の内面に付着する。このゲッター膜35の
蒸発により、キャビティー36は基準真空度を与えるこ
とになる。なお、ゲッター膜35の蒸発した原子は、ダ
イアフラム31aにも付着するが、その重量は、ダイア
フラム31aにかかる圧力に比べて極端に小さいので、
真空圧計として使用するに支障はない。
Next, the getter film 35 is irradiated with a laser beam from the sealing substrate 32 side, and a part thereof is heated and melted to evaporate. With this evaporation, the evaporated atoms of the getter film 35 combine with the remaining gas to form a compound and adhere to the inner surface of the cavity 36. By the evaporation of the getter film 35, the cavity 36 is provided with a reference vacuum degree. The atoms evaporated from the getter film 35 also adhere to the diaphragm 31a, but their weight is extremely small compared to the pressure applied to the diaphragm 31a.
There is no problem in using it as a vacuum manometer.

【0035】上記実施例においては、機能部の例示とし
て、角速度センサ、真空圧計を示したが、本発明は、こ
の他に加速度センサなど、可動部分を有する機能部を減
圧下に保持しなければならない電子部品の製造方法に適
用されるものである。
In the above embodiment, the angular velocity sensor and the vacuum manometer are shown as examples of the functional parts. However, the present invention requires that other functional parts having movable parts such as an acceleration sensor be held under reduced pressure. The present invention is applied to a method of manufacturing an electronic component that is not required.

【0036】[0036]

【発明の効果】請求項1及び請求項2に記載の発明は、
ゲッター室に形成された蒸発性のゲッター膜に外部から
レーザー光線を照射して、ゲッター膜を蒸発させる。こ
の蒸発の際に、ゲッター膜の原子が残留ガスと化学反応
して化合物、特に酸化化合物を生成する。この蒸発およ
び化学反応により、キャビティの残留ガス、特に酸素ガ
スは、減少する。そして、キャビィティの真空度が上が
ることになる。
According to the first and second aspects of the present invention,
A laser beam is applied to the evaporable getter film formed in the getter chamber from the outside to evaporate the getter film. During this evaporation, the atoms of the getter film chemically react with the residual gas to produce a compound, especially an oxidized compound. Due to this evaporation and chemical reaction, residual gas in the cavity, especially oxygen gas, is reduced. Then, the degree of vacuum in the cavity is increased.

【0037】また、ゲッター膜に対するレーザー光線の
照射面積を加減することにより、キャビティの真空度の
調整が可能となる。
The degree of vacuum of the cavity can be adjusted by adjusting the irradiation area of the laser beam to the getter film.

【0038】また、両請求項に記載の発明は、従来のよ
うに、非蒸発性の固形の嵩張るゲッター材を使用せず、
このゲッター材に対し数十倍〜数百倍薄く、任意の平面
形状に形成できる活性金属よりなるゲッター膜を使用す
るので、製造される減圧封止電子部品が小形となる。特
に、請求項1に記載の発明は、専用のゲッター室を備え
ていないので、更に小形化を図ることができる。
Further, the invention described in both claims does not use a non-evaporable solid bulky getter material as in the prior art,
Since a getter film made of an active metal that is tens to hundreds of times thinner than the getter material and can be formed into an arbitrary planar shape is used, the reduced-pressure sealed electronic component to be manufactured is small. In particular, the first aspect of the present invention does not include a dedicated getter chamber, so that the size can be further reduced.

【0039】更に、両請求項に記載の発明は、従来のよ
うに、キャビティの真空度を上げるために、ガス抜き孔
を設ける必要がないので、併せて小形な減圧封止電子部
品を製造することができる。
Further, according to the inventions described in both claims, unlike the conventional case, it is not necessary to provide a gas vent hole in order to increase the degree of vacuum in the cavity. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の減圧封止電子部品の製造方法の一実
施例を示すもので、Aは凹部およびゲッター膜を形成し
た封止基板の斜視図、Bは角速度センサを形成した支持
基板の斜視図
FIG. 1 shows an embodiment of a method of manufacturing a reduced-pressure sealed electronic component according to the present invention, in which A is a perspective view of a sealing substrate on which a concave portion and a getter film are formed, and B is a supporting substrate on which an angular velocity sensor is formed. Perspective view

【図2】 同じく、支持基板と封止基板とを陽極接合す
る工程図
FIG. 2 is also a process diagram of anodically bonding a supporting substrate and a sealing substrate.

【図3】 同じく、図2のX−X線断面図3 is a sectional view taken along line XX of FIG. 2;

【図4】 同じく、図1〜図3に示す機能部としての角
速度センサの平面図
FIG. 4 is a plan view of an angular velocity sensor as a functional unit similarly shown in FIGS.

【図5】 同じく、レーザー光線によりゲッター膜を加
熱して蒸発させ、残存ガスと酸化反応させて残存ガスを
減少させる工程図
FIG. 5 is also a process diagram in which the getter film is heated and evaporated by a laser beam, and the residual gas is reduced by an oxidation reaction with the residual gas.

【図6】 本発明の減圧封止電子部品の製造方法の他の
実施例を示すもので、ゲッター室を兼ねるキャビティを
備えた減圧封止電子部品の製造工程図
FIG. 6 is a view showing another embodiment of the method for manufacturing a reduced-pressure sealed electronic component according to the present invention, and is a manufacturing process diagram of a reduced-pressure sealed electronic component having a cavity also serving as a getter chamber.

【図7】 従来の減圧封止電子部品の製造方法を示す形
態図
FIG. 7 is a morphological view showing a conventional method for manufacturing a vacuum sealed electronic component.

【図8】 他の従来の減圧封止電子部品の製造方法を示
す形態図
FIG. 8 is a morphological view showing another conventional method for manufacturing a vacuum sealed electronic component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 振動体 2、3 駆動電極部 2a、3a、4a、5a 可動柄 2b、3b、4b、5b 可動櫛歯電極 2c、3c、4c、5c 固定櫛歯電極 2d、3d 固定電極 4、5 検出電極部 4d、5d 固定柄 4e、5e 固定電極 4f、5f 引出電極 6、7 固定部 6a、7a コ字型支持梁 10 角速度センサ 11、31 支持基板 12 封止基板 13 仕切り壁 14、36 キャビティ 15、 ゲッター室 16 チャネル 17、35 ゲッター膜 18、37 レーザー光線 31a ダイアフラム 33 ストレインゲージ 34 パッシベーション膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Oscillator 2, 3 Drive electrode part 2a, 3a, 4a, 5a Movable handle 2b, 3b, 4b, 5b Movable comb electrode 2c, 3c, 4c, 5c Fixed comb electrode 2d, 3d Fixed electrode 4, 5 Detection electrode Part 4d, 5d Fixed pattern 4e, 5e Fixed electrode 4f, 5f Extraction electrode 6, 7 Fixed part 6a, 7a U-shaped support beam 10 Angular velocity sensor 11, 31, Support substrate 12 Sealing substrate 13 Partition wall 14, 36 Cavity 15, Getter chamber 16 Channel 17, 35 Getter film 18, 37 Laser beam 31a Diaphragm 33 Strain gauge 34 Passivation film

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 支持基板とこの支持基板を封止する封止
基板とのうち、少なくとも一方に凹部、機能部の少なく
とも一つを形成し、 前記支持基板と前記封止基板とのうち、少なくとも一方
にゲッター膜を形成し、前記支持基板と前記封止基板と
を接合して、前記凹部により、前記機能部とゲッター膜
とを収納するキャビティを形成し、 前記支持基板および前記封止基板のうち、少なくとも一
方を透過するレーザー光線で前記ゲッター膜を加熱して
蒸発させると共に残留ガスと反応させて、前記キャビテ
ィを減圧封止することを特徴とする減圧封止電子部品の
製造方法。
At least one of a concave portion and a functional portion is formed in at least one of a support substrate and a sealing substrate that seals the support substrate, and at least one of the support substrate and the sealing substrate is formed. A getter film is formed on one side, and the support substrate and the sealing substrate are joined to form a cavity for accommodating the functional unit and the getter film by the concave portion. A method for manufacturing a vacuum-sealed electronic component, comprising heating and evaporating the getter film with a laser beam passing through at least one of the films and reacting the getter film with a residual gas to seal the cavity under reduced pressure.
【請求項2】 機能部の形成されている支持基板と封止
基板とのうち、少なくとも一方に仕切り壁で仕切られた
複数の凹部を形成すると共に、前記凹部を繋ぐ溝を形成
し、 前記支持基板と前記封止基板とのうち、少なくとも一方
にゲッター膜を形成し、前記支持基板と前記封止基板と
を接合して、前記凹部により、前記機能部を収納するキ
ャビティと前記ゲッター膜を設けたゲッター室とを形成
し、前記溝により前記キャビティと前記ゲッター室間を
連通するチャネルを形成し、 前記支持基板および前記封止基板のうち、少なくとも一
方を透過するレーザー光線で前記ゲッター膜を加熱して
蒸発させると共に残留ガスと反応させて、前記キャビテ
ィを減圧封止することを特徴とする減圧封止電子部品の
製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein at least one of the supporting substrate and the sealing substrate on which the functional unit is formed has a plurality of recesses partitioned by partition walls, and a groove connecting the recesses is formed. A getter film is formed on at least one of the substrate and the sealing substrate, the support substrate and the sealing substrate are joined, and the recess is provided with a cavity for accommodating the functional unit and the getter film. Forming a channel that communicates between the cavity and the getter chamber by the groove, and heating the getter film with a laser beam that transmits at least one of the support substrate and the sealing substrate. And evaporating and reacting with a residual gas to seal the cavity under reduced pressure.
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