JP3618395B2 - 単結晶引上装置用ヒーター - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、単結晶引上装置に使用するヒーターに関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン等の単結晶は、通常、チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法による単結晶引上装置によって製造される。
この単結晶引上装置においては、例えば、図２に示すように、減圧状態の容器２１内の中央部にルツボ２２を置いてここにシリコン等の原料を収容し、このルツボの周囲にヒーター２３を配してこのルツボを加熱し、このヒーター２３の周囲に断熱材２４を配して外部への熱の拡散を防止し、全体を減圧状態に保ちつつ、ルツボ内で加熱熔融されたシリコン等の上方から、吊下する種結晶を浸漬してこれを回転させながら引き上げて単結晶を取得する方法が採られている。
【０００３】
上記のヒーターは、通常、耐熱性の高い黒鉛材で構成されているが、図３に示すように、このヒーター２３は発熱する本体部１３と本体部に給電するためのターミナル部１１とを有するものであり、従来は、これらを黒鉛材料から一体加工することにより製造されていた。
【０００４】
しかしながら、図３に示すように、このヒーターのターミナル部１１は、容器あるいは給電部材に堅固に固定するために本体部１３から突出して形成されており、一体加工により製造する場合には、加工後に残る部分の数倍の量にものぼる多量の黒鉛材料を捨てる必要があった。このため、貴重な黒鉛材を廃棄することに伴いコストが高くなるとともに、産業廃棄物の増大、加工粉塵の処理装置の必要性等の問題点が生じていた。
【０００５】
そこで、図４に示すように、本体部１３とターミナル部１１とを別々に加工成形し、これらを接合する方法が採られた。これにより、上記のコスト高等の諸問題を解決することができた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、動作時の単結晶引上装置の内部においては、ルツボにおいて加熱熔融したシリコン等の蒸気が飛散し、これらの一部は、ヒーターの本体部に付着する。ヒーターの本体部に付着したシリコン等は、繰り返し使用をすることにより蓄積し、下部へ垂れ、接合部にも達することとなり、ヒーターの本体部１３とターミナル部１１との接合部に浸入する。
【０００７】
シリコン等は冷却により体積膨張する性質を有しており、繰り返し使用により接合部に浸入したシリコン等が膨張することにより、接合が緩んでヒーターの本体部の固定状態を悪化させたり、浸入したシリコン等により本体部１３とターミナル部１１との接合部の電気抵抗値が高くなる原因となっていた。
【０００８】
上記に鑑み、本発明の目的は、ヒーターの本体部とターミナル部との接合部にシリコン等が侵入することを防止することができる単結晶引上装置用ヒーターを提供しようとするところにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の構成は、単結晶引上装置に使用される単結晶引上装置用ヒーターにおいて、前記ヒーターは、発熱する本体部と、前記本体部に給電するためのターミナル部とが接合されたものであり、前記接合部の上部にあたる前記本体部に回流部を設けたことをその特徴とするものである。
【００１０】
【作用】
本発明によれば、ヒーターの本体部に付着したシリコン等が、単結晶引上装置の繰り返し使用によりその量が増えて垂れを生じ、ヒーターのターミナル部に伝い下がることがあったとしても、上記接合部の上部にあたる本体部に回流部を設けているので、上記回流部がひさしの役割を果し、この部分においてシリコン等の伝い下がりは止まり、本体部とターミナル部との接合部にシリコン等が侵入することを防止することができる。
【００１１】
また、仮に上記回流部で止まったシリコン等の量が増えてきたとしても、溜まったシリコン等は、上記回流部の先端から真下に落下するので、シリコン等が上記接合部に侵入することがない。
これにより、接合部が侵入するシリコン等の膨張により破損することを未然に防止することができる。
【００１２】
【実施例】
以下に実施例を図面を参照しながら本発明を説明する。
図１は、本発明の単結晶引上装置用ヒーターの断面図である。図１においてヒーターのターミナル部１１は、ボルト１２を介して、ヒーターの本体部１３と接合されている。本体部１３の接合部上部には、回流部１４が設けられている。図１における回流部はフィン状を有している。
飛散したシリコン等がヒーターの本体部１３を伝い下がり、回流部１４に達したとしても、本体部１３とターミナル部１１との接合部１５に達することはない。また、回流部１４に止まったシリコン等が溜まったとしても、回流部１４の先端部から真下方向に滴下するので、接合部１５に侵入することはない。
【００１３】
上記において、回流部はフィン状をしていることが好ましいが、接合部にシリコン等が侵入することを防止することができればこれに限定されず、下方向に広がる傘状であってもよく、上方向に広がる傘状であってもよく、またその両方が混合した形を有していてもよい。
【００１４】
更に、回流部１４は本体部１３から突起している必要はなく、シリコン等が落下して接合部１５に達することを防ぐことができれば、溝のように凹んだ状態であってもよい。
【００１５】
【発明の効果】
本発明の構成は上記の通りであるので、ターミナル部と本体部との接合部が緩むことがなく、ヒーターの本体部の固定状態の悪化や接合部の電気抵抗値の変動を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の単結晶引上装置用ヒーターの部分断面図。
【図２】単結晶引上装置全体の断面図。
【図３】単結晶引上装置のヒーターを示す図。
【図４】ヒーターの本体部とターミナル部との接合部の断面を示す図。
【符号の説明】
１１ ヒーターのターミナル部
１２ ボルト
１３ ヒーターの本体部
１４ 回流部
１５ 接合部
Claims (2)
- 単結晶引上装置に使用される単結晶引上装置用ヒーターにおいて、
前記ヒーターは、発熱する本体部と、前記本体部に給電するためのターミナル部とが接合されたものであり、
前記接合部の上部にあたる前記本体部に回流部を設けた
ことを特徴とする単結晶引上装置用ヒーター。 - 前記回流部は、フィン又は溝である請求項１記載の単結晶引上装置用ヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09444195A JP3618395B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 単結晶引上装置用ヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09444195A JP3618395B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 単結晶引上装置用ヒーター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08259378A JPH08259378A (ja) | 1996-10-08 |
| JP3618395B2 true JP3618395B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=14110355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09444195A Expired - Lifetime JP3618395B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 単結晶引上装置用ヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3618395B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001064976A1 (fr) * | 2000-03-03 | 2001-09-07 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Godet de recuperation de fuites de bain fondu pour appareil de tirage vertical de monocristaux |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP09444195A patent/JP3618395B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08259378A (ja) | 1996-10-08 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041019 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041109 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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