JP3617575B2 - Vacuum exhaust system - Google Patents

Vacuum exhaust system Download PDF

Info

Publication number
JP3617575B2
JP3617575B2 JP15159096A JP15159096A JP3617575B2 JP 3617575 B2 JP3617575 B2 JP 3617575B2 JP 15159096 A JP15159096 A JP 15159096A JP 15159096 A JP15159096 A JP 15159096A JP 3617575 B2 JP3617575 B2 JP 3617575B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sacrificial material
vacuum pump
reaction
vacuum
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP15159096A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH09317645A (en
Inventor
伸治 野路
恵弘 新村
宏明 小神野
博 服部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP15159096A priority Critical patent/JP3617575B2/en
Priority to US08/861,007 priority patent/US6332925B1/en
Priority to EP06015405A priority patent/EP1719551A3/en
Priority to DE69737315T priority patent/DE69737315T2/en
Priority to EP97108313A priority patent/EP0811413B1/en
Priority to KR1019970020157A priority patent/KR100504227B1/en
Publication of JPH09317645A publication Critical patent/JPH09317645A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3617575B2 publication Critical patent/JP3617575B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Compressor (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体製造用の真空チャンバを真空にするために用いる真空排気システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の真空排気システムを図8を参照して説明する。
真空チャンバ10は、例えばエッチング装置や化学気相成長装置(CVD)等の半導体製造装置のプロセスチャンバであり、この真空チャンバ10は、配管14を通じて真空ポンプ12に接続されている。真空ポンプ12は、真空チャンバ10からのプロセスガスを大気圧まで昇圧するためのもので、従来は油回転式ポンプが、現在はドライポンプが主に使用されている。
【0003】
真空チャンバ10が必要とする真空度が、ドライポンプ12の到達真空度よりも高い場合には、ドライポンプの上流側にさらにターボ分子ポンプ等の超高真空ポンプが配備されることもある。プロセスガスはプロセスの種類により毒性や爆発性があるので、真空ポンプ12の下流には排ガス処理装置22が配備されている。大気圧まで昇圧されたプロセスガスのうち、上記のような大気に放出できないものは、ここで吸着、分解、吸収等の処理を行い、無害なガスのみが放出される。なお、配管14には必要に応じて適所にバルブが設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の真空排気システムにおいては、以下のような欠点がある
▲1▼ プロセスガス又は反応副生成物のガス中に腐食性がある場合には、そのガスによって真空ポンプが腐食し、寿命が短縮されるという欠点がある。
例えば、Siをエッチングする場合に、代表的なプロセスガスであるCF とO を使用すると、プロセスチャンバからは、CF とO の残ガスとともにSiF ,F ,CO,CO の副生成物が真空ポンプにより排出される。このうち、特にF が強い腐食性があり(プロセス上の理由からFラジカルが含まれている)、真空ポンプを腐食する。
【0005】
▲2▼ また、反応副生成物の中に昇華温度の高い物質がある場合、そのガスを真空ポンプが排気するので、昇圧途上でガスが固形化し、真空ポンプ内に析出して故障の原因になる。
例えば、アルミニウムのエッチングを行うために、代表的なプロセスガスであるBCl ,Cl を使用すると、プロセスチャバからは、BCl ,Cl のプロセスガスの残ガスとAlCl の反応副生成物が真空ポンプにより排気される。このAlCl は、吸気側では分圧が低いので析出しないが、加圧排気する途中での分圧が上昇し、真空ポンプ内で析出して真空ポンプの故障の原因となる。これは、SiNの成膜を行うCVD装置から生じる(NHSiFやNHCl等の反応副生成物の場合も同様である。
【0006】
▲3▼ さらに、反応副生成物の中に、高温で反応性のあるガスが含まれている場合に、そのガスが真空ポンプ内で反応して、真空ポンプの故障の原因になる。
例えば、タングステンの成膜を行うプラズマCVD装置において、代表的なプロセスガスであるWF ,SiH を用いると、プロセスチャンバからは、WF ,SiH の残ガスとHF,H の生成副産物が排出される。真空ポンプの中において圧力と温度が上昇するに伴い、WF とSiH が反応してWが析出し、真空ポンプの故障の原因となる。
【0007】
▲4▼ トラップされたプロセスガスが、再利用されずに捨てられるのでランニングコストが高い。特に、SiH のようなガスは高価であり、再利用するのが望ましいが、前記従来の方法では、トラップ中に複数種類のガスが混在するので、分離する作業に多くの手間を要する。
【0008】
▲5▼ すべてのガスを排ガス処理装置に導入して処理を行なうので、処理装置の規模が大きくなり、膨大な設備コストが必要となるとともに、処理工程も複雑になり、ランニングコストも高くなる。
【0009】
これらのうち、▲1▼については耐腐食性の真空ポンプの開発、▲2▼については、真空ポンプの温度を上げる、或いはポンプ内に不活性気体を注入し分圧を下げて析出しないようにする等の対策が施されているが、これらの改善策は、真空ポンプ側のみの改良であり、真空排気システム全体として捉えていないので、充分な効果を奏していない。また▲4▼、▲5▼については全く考慮すらされていない。
【0010】
本発明は以上の欠点に鑑みてなされたものであり、真空ポンプの長寿命化、排ガス処理装置の小容量化によって、運転の信頼性の向上、設備や運転コストの低減を図ることができる真空排気システムを提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
発明は、プロセスチャンバと該チャンバを排気するための真空ポンプとを連通する排気配管に、該プロセスチャンバからの排ガスの所定の活性成分と反応してこれを不活性化する犠牲材料を配した反応トラップが設けられていることを特徴とする真空排気システムである。
これにより、排ガス中に存在する活性成分が真空ポンプに流入する前に犠牲材料と反応し、より不活性な物質に変換されるので、この成分が真空ポンプを腐食させたり、真空ポンプ中で他の成分と反応して詰まりを生じるなどの事態が防止される。
【0012】
そして、前記犠牲材料が通気性を有して形成され、該通気性を持つ犠牲材料が上記排気配管の流路を塞ぐように配されていることを特徴とするものである。この場合、犠牲材料は真空ポンプの上流側に配置されており、気体の流速が大きいので、通気性をある程度大きくする必要がある。
【0013】
そして、前記犠牲材料と真空ポンプの間に、上記所定の活性成分と犠牲材料の反応による生成物を排ガス中から除去する除去機構を設けたことを特徴とするものである。これにより、犠牲材料との反応による生成物が真空ポンプに到達する前に除去されるので、真空ポンプが清浄な状態で維持される。
また、この真空排気システムは、前記除去機構が低温トラップであることを特徴とするものである。これにより、凝固点が比較的高い反応生成物が凝結してトラップされ、除去される。
【0014】
また、前記真空ポンプは排気経路に潤滑油を用いないドライポンプであることが好ましい。このような真空ポンプは、構成部材が潤滑油で覆われておらず、露出しているので、排ガスに含まれる腐食性成分の影響を受けやすいので、本発明が特に有用である。
【0015】
また、前記反応トラップが前記排気配管中に着脱自在に取り付けられていることが好ましい。これにより、反応トラップの交換が容易であり、また、犠牲材料の補給作業を反応トラップを排気配管から外した状態で行なうことができる。
【0016】
また、前記反応トラップが前記排気配管中に2系統並列にかつ選択的に導通可能に接続されていることが好ましく、これを切り換えて用いることにより、犠牲材料の補給や交換の作業を排気ラインを停止させることなく行なうことができる。
【0017】
また、前記反応トラップの前後の差圧を測定するセンサが設けられていることが好ましく、このセンサの指示によって、反応トラップ中の犠牲材料の減少度合いや、あるいは詰まりの状態などを判断することができる。
【0018】
また、前記犠牲材料がC,Si,Sからなるグループの少なくとも1つを含むものであることが好ましく、前記犠牲材料が金属であることが好ましい
【0019】
【実施例】
以下、図面を用いて本発明の実施例について説明する。
図1は本発明に関連する基本的な実施例であって、真空チャンバ10と真空ポンプ12を繋ぐ排気配管14に反応トラップ16がバルブ18,20を介して設けられている。真空ポンプ12の下流側には、排ガス処理装置22が設けられている。
【0020】
反応トラップ16は、図2に示すように、筒状構造のケーシング24の内側に、犠牲材料26を収容する容器28が設けられて構成されており、天板30に流入口32が、ケーシング24外面に流出口34が設けられている。この容器28は、図3(a)に示すように、通気性を有するようにメッシュ状素材から構成された2つの筒36,38と、これらの間の空間の上面を覆う天板40と、容器の下側全面を覆う底板42からなっている。
【0021】
犠牲材料26は、やはり、通気性を有するように、粒状、粉体状、針状、不定形の塊状、繊維状、あるいは焼結体として形成されている。犠牲材料の素材は、排ガス中の処理したい成分と反応性が高く、しかも安定で加工が容易であるような素材を選択する。半導体製造工程において問題となるのは処理対象のガスがフッ素を含む場合が多いが、この場合は、C,Si,Sあるいはこれらの混合物が挙げられる。また、真空ポンプを構成する素材と同一又は類似の金属は、犠牲材料として有用である。
【0022】
流入口32と流出口34には、それぞれ排気配管接続用のフランジ44,46が設けられており、容器28の内側空間には流入口32が連通し、これはバルブ18を介して真空チャンバ10に接続されている。また、容器28の外側空間、つまりケーシング24の内側空間は上記の流出口34に連通しており、これはバルブ20を介して真空ポンプ12に接続されている。また、ケーシング24の天板30は取り外し可能になっており、これにより犠牲材料26の補給や交換、又はケーシング24内部の洗浄等が容易になっている。
【0023】
図3(b)及び(c)は、犠牲材料26を収容する容器の他の例を示すもので、(b)は内側の筒38を短くして底部48,50もメッシュで構成している。従って、容器28を通気する面積が大きいの、反応効率も高く、圧力損失も少ない。図3(c)は、外側の筒36の上側部分を通気性の無い筒板52で形成して、下方側のみガスを流通させるようにしている。これにより、犠牲材料26が排ガスとの反応によって容器から失われてしまう場合に、容器28の上部の犠牲材料が降下して順次下部に供給され、反応が続行される。
【0024】
図4は、他の実施例であって、ケーシング24の下部に下側が細いテーパ部54が設けられている。これは、犠牲材料26と排ガスとの反応で固体の生成物ができる場合に、これをテーパ部54に落として適宜下部の排出口56より排出するものである。この場合、生成物の捕捉率を向上させるためには、ガスの下降流れを利用することが好ましく、従って、図3(c)の形式の犠牲材料容器28と組み合わせることが有利である。
【0025】
図5(a)は、さらに他の実施例を示すもので、筒状のケーシング60の内部に、通気性を有するように板状に成形した犠牲材料62を取り付けたものである。この板状犠牲材料62は、メッシュ状のものを一層あるいは複数層重ねたもの、粒状、粉体状、針又は棒状の部材を焼結等させたもの、板状部材に穴を形成したもの等が、状況に応じて適宜選択可能である。また、図5(b)は、板状の犠牲材料62を間にガス流路となる隙間64を形成して層状に配置したものである。これは、上記のような加工が難しい場合に好適に用いられる。
【0026】
図6は、この発明の基本的な実施例であり、図1の実施例の下流に低温トラップ70,72を設けたものである。これにより、排ガス中の成分が犠牲材料と反応してできた生成物及び/又は犠牲材料と反応せずに残存する成分を真空ポンプ12の前に除去するものである。この例では、温度の異なる2つのトラップ70,72を設けているので、凝固点の異なる元素を分離してトラップすることができ、これを再生して用いる場合には便利である。
【0027】
図7は、他の実施例であり、それぞれバルブ18,20を有する反応トラップ16を2系統設けることにより、反応トラップ16の交換や犠牲材料の補給を、排気ラインを止めることなく行なうことができるようにしたものである。また、この例では反応トラップ16の前後に差圧センサ4を設け、このセンサ74の指示によって、反応トラップ中の犠牲材料の減少度合いや、あるいは詰まりの状態などを判断することができるようになっている。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、排ガス中に存在する活性成分を、これが真空ポンプに流入する前に犠牲材料と反応させ、より不活性な物質に変換するので、この成分が真空ポンプを腐食させたり、真空ポンプ中で他の成分と反応して詰まりを生じるなどの事態が防止される。従って、真空ポンプの長寿命化、排ガス処理装置の省容量化によって、運転の信頼性の向上、設備や運転コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に関連する一実施例の真空排気システムの全体構成を示す図である。
【図2】この発明の要部である反応トラップの具体的構成を示す図である。
【図3】犠牲材料容器の構成例を示す図である。
【図4】反応トラップの他の実施例を示す図である。
【図5】反応トラップのさらに他の実施例を示す図である。
【図6】この発明の真空排気システムの基本的な実施例を示す図である。
【図7】空排気システムのさらに他の実施例を示す図である。
【図8】従来の真空排気システムの全体構成を示す図である。
【符号の説明】
10 プロセス(真空)チャンバ
12 真空ポンプ
14 排気配管
16 反応トラップ
26,62 犠牲材料
74 差圧センサ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an evacuation system used to evacuate a vacuum chamber for semiconductor manufacturing, for example.
[0002]
[Prior art]
A conventional evacuation system will be described with reference to FIG.
The vacuum chamber 10 is a process chamber of a semiconductor manufacturing apparatus such as an etching apparatus or a chemical vapor deposition apparatus (CVD), for example, and the vacuum chamber 10 is connected to a vacuum pump 12 through a pipe 14. The vacuum pump 12 is used for increasing the pressure of the process gas from the vacuum chamber 10 to atmospheric pressure. Conventionally, an oil rotary pump and a dry pump are mainly used.
[0003]
When the degree of vacuum required by the vacuum chamber 10 is higher than the ultimate degree of vacuum of the dry pump 12, an ultra-high vacuum pump such as a turbo molecular pump may be further provided upstream of the dry pump. Since the process gas is toxic or explosive depending on the type of process, an exhaust gas treatment device 22 is disposed downstream of the vacuum pump 12. Among the process gases whose pressure has been increased to the atmospheric pressure, those which cannot be released into the atmosphere as described above are subjected to treatments such as adsorption, decomposition and absorption, and only harmless gases are released. The pipe 14 is provided with a valve at an appropriate position as necessary.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The conventional vacuum exhaust system as described above has the following disadvantages: (1) If the process gas or reaction by-product gas is corrosive, the gas will corrode the vacuum pump, There is a disadvantage that the lifetime is shortened.
For example, in the case of etching Si, when CF 4 and O 2 which are typical process gases are used, SiF 4 , F 2 , CO, and CO 2 together with the residual gas of CF 4 and O 2 from the process chamber. By-products are discharged by a vacuum pump. Of these, F 2 is particularly corrosive (contains F radicals for process reasons) and corrodes the vacuum pump.
[0005]
(2) Also, if there is a substance with a high sublimation temperature in the reaction by-product, the gas is exhausted by the vacuum pump, so the gas solidifies during the pressurization and precipitates in the vacuum pump, causing a failure. Become.
For example, when BCl 3 and Cl 2 , which are typical process gases, are used to etch aluminum, the process gas from the process chamber is a residual gas of BCl 3 and Cl 2 and a reaction byproduct of AlCl 3 . Is evacuated by a vacuum pump. This AlCl 3 does not precipitate because the partial pressure is low on the intake side, but the partial pressure increases during pressurized exhaust, and precipitates in the vacuum pump, causing a failure of the vacuum pump. The same applies to reaction by-products such as (NH 4 ) 2 SiF 6 and NH 4 Cl produced from a CVD apparatus for forming a SiN film.
[0006]
{Circle around (3)} Further, when a reactive gas is contained in the reaction by-product at a high temperature, the gas reacts in the vacuum pump, causing a failure of the vacuum pump.
For example, when a typical process gas WF 6 or SiH 4 is used in a plasma CVD apparatus for forming a tungsten film, a residual gas of WF 6 or SiH 4 and a by-product of HF and H 2 are generated from the process chamber. Is discharged. As pressure and temperature rise in the vacuum pump, WF 6 and SiH 4 react to precipitate W, which causes a failure of the vacuum pump.
[0007]
(4) Since the trapped process gas is discarded without being reused, the running cost is high. In particular, a gas such as SiH 4 is expensive and desirably reused. However, in the conventional method, since a plurality of kinds of gases are mixed in the trap, a lot of labor is required for the separation work.
[0008]
(5) Since all gases are introduced into the exhaust gas treatment apparatus for treatment, the scale of the treatment apparatus becomes large, enormous equipment costs are required, the treatment process becomes complicated, and the running cost increases.
[0009]
Of these, (1) is the development of a corrosion-resistant vacuum pump, and (2) is not deposited by raising the temperature of the vacuum pump or injecting an inert gas into the pump to lower the partial pressure. Although such measures are taken, these improvement measures are improvements only on the side of the vacuum pump, and are not considered as the entire vacuum exhaust system, and thus are not sufficiently effective. Further, (4) and (5) are not even considered at all.
[0010]
The present invention has been made in view of the above drawbacks, and a vacuum capable of improving operational reliability and reducing equipment and operating costs by extending the life of a vacuum pump and reducing the capacity of an exhaust gas treatment device. It aims to provide an exhaust system.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, a sacrificial material that reacts with a predetermined active component of the exhaust gas from the process chamber and inactivates it is disposed in an exhaust pipe that communicates the process chamber with a vacuum pump for exhausting the chamber. An evacuation system characterized in that a reaction trap is provided.
As a result, the active component present in the exhaust gas reacts with the sacrificial material before flowing into the vacuum pump and is converted into a more inert substance, so that this component corrodes the vacuum pump or other components in the vacuum pump. This prevents the occurrence of clogging by reacting with other ingredients.
[0012]
Then, the sacrificial material is formed with a breathable, the sacrificial material having a vent temper is characterized in that it is arranged so as to close the flow path of the exhaust pipe. In this case, since the sacrificial material is disposed on the upstream side of the vacuum pump and the gas flow rate is large, it is necessary to increase the air permeability to some extent.
[0013]
Then, between the sacrificial material and the vacuum pump, in which a product by the reaction of the predetermined active ingredient and the sacrificial material, characterized in that a removing mechanism for removing from the flue gas. Thereby, the product due to the reaction with the sacrificial material is removed before reaching the vacuum pump, so that the vacuum pump is kept clean.
Further, the vacuum exhaust system, the removal mechanism is characterized in that a cold trap. Thereby, the reaction product having a relatively high freezing point is condensed and trapped and removed.
[0014]
Further, the vacuum pump is preferably the exhaust path is a dry pump using no lubricant. In such a vacuum pump, since the constituent members are not covered with the lubricating oil and exposed, the present invention is particularly useful because it is easily affected by the corrosive components contained in the exhaust gas.
[0015]
Moreover , it is preferable that the reaction trap is detachably attached to the exhaust pipe . This makes it easy to replace the reaction trap, and the sacrificial material can be replenished with the reaction trap removed from the exhaust pipe.
[0016]
Further, it is preferable that the reaction trap is connected in a conducting the two systems in parallel and selectively to the exhaust pipe, by using switching this, the exhaust line work replenishment or replacement of the sacrificial material This can be done without stopping.
[0017]
In addition , a sensor for measuring the differential pressure before and after the reaction trap is preferably provided, and by the instruction of this sensor, it is possible to determine the degree of reduction of the sacrificial material in the reaction trap or the state of clogging. it can.
[0018]
Further, the sacrificial material is C, Si, is preferably one containing at least one of the group consisting of S, it is preferred that the sacrificial material is a metal.
[0019]
【Example】
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a basic embodiment related to the present invention , and a reaction trap 16 is provided via valves 18 and 20 in an exhaust pipe 14 connecting a vacuum chamber 10 and a vacuum pump 12. An exhaust gas treatment device 22 is provided on the downstream side of the vacuum pump 12.
[0020]
As shown in FIG. 2, the reaction trap 16 is configured such that a container 28 for storing a sacrificial material 26 is provided inside a cylindrical casing 24, and an inlet 32 is provided in a top plate 30. An outlet 34 is provided on the outer surface. As shown in FIG. 3 (a), the container 28 includes two tubes 36 and 38 made of a mesh-like material so as to have air permeability, and a top plate 40 that covers the upper surface of the space between them. The bottom plate 42 covers the entire lower side of the container.
[0021]
The sacrificial material 26 is also formed in the form of particles, powders, needles, irregular lumps, fibers, or sintered bodies so as to have air permeability. The material of the sacrificial material is selected so that it is highly reactive with the component to be treated in the exhaust gas and is stable and easy to process. A problem in the semiconductor manufacturing process is that the gas to be treated often contains fluorine. In this case, C, Si, S, or a mixture thereof may be used. A metal that is the same as or similar to the material constituting the vacuum pump is useful as a sacrificial material.
[0022]
The inlet 32 and the outlet 34 are respectively provided with flanges 44 and 46 for connecting exhaust pipes. The inlet 32 communicates with the inner space of the container 28, which is connected to the vacuum chamber 10 via the valve 18. It is connected to the. Further, the outer space of the container 28, that is, the inner space of the casing 24, communicates with the outflow port 34, which is connected to the vacuum pump 12 via the valve 20. In addition, the top plate 30 of the casing 24 can be removed, thereby facilitating replenishment and replacement of the sacrificial material 26 or cleaning the inside of the casing 24.
[0023]
FIGS. 3B and 3C show another example of a container for storing the sacrificial material 26. FIG. 3B shows that the inner cylinder 38 is shortened and the bottom portions 48 and 50 are also made of mesh. . Therefore, the area of venting the container 28 is large, the reaction efficiency is high, even small pressure loss. In FIG. 3 (c), the upper part of the outer cylinder 36 is formed by a non-breathable cylinder plate 52 so that the gas flows only on the lower side. Thereby, when the sacrificial material 26 is lost from the container due to the reaction with the exhaust gas, the sacrificial material in the upper part of the container 28 is lowered and sequentially supplied to the lower part, and the reaction is continued.
[0024]
FIG. 4 shows another embodiment in which a taper portion 54 having a narrow lower side is provided at the lower portion of the casing 24. In the case where a solid product is produced by the reaction between the sacrificial material 26 and the exhaust gas, the product is dropped on the tapered portion 54 and appropriately discharged from the lower discharge port 56. In this case, in order to improve the product capture rate, it is preferable to use a downward flow of gas, and therefore it is advantageous to combine with a sacrificial material container 28 of the type of FIG.
[0025]
FIG. 5A shows still another embodiment, in which a sacrificial material 62 formed in a plate shape so as to have air permeability is attached to the inside of a cylindrical casing 60. This plate-shaped sacrificial material 62 is a layered or layered mesh-shaped material, a material obtained by sintering a granular, powdered, needle or rod-shaped member, a material in which a hole is formed in the plate-shaped member, etc. However, it can be appropriately selected depending on the situation. FIG. 5B shows a plate-like sacrificial material 62 arranged in a layered manner with a gap 64 serving as a gas flow path formed therebetween. This is suitably used when the above processing is difficult.
[0026]
Figure 6 is a basic embodiment of the invention, is provided with a cold trap 70, 72 downstream of the embodiment of FIG. As a result, products formed by the reaction of the components in the exhaust gas with the sacrificial material and / or components remaining without reacting with the sacrificial material are removed before the vacuum pump 12. In this example, since two traps 70 and 72 having different temperatures are provided, elements having different freezing points can be separated and trapped, which is convenient when used by regenerating.
[0027]
FIG. 7 shows another embodiment. By providing two reaction traps 16 each having valves 18 and 20, the reaction trap 16 can be replaced and the sacrificial material can be replenished without stopping the exhaust line. It is what I did. Further, a differential pressure sensor 7 4 before and after the reaction trap 16 in this example is provided by an instruction of the sensor 74, decreases the degree and sacrificial material in the reaction trap, or the like so as to be able to determine the clogging state It has become.
[0028]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the active component present in the exhaust gas reacts with the sacrificial material before it flows into the vacuum pump and is converted into a more inert substance. Can be prevented from clogging or clogging by reacting with other components in the vacuum pump. Therefore, by extending the life of the vacuum pump and saving the capacity of the exhaust gas treatment device, it is possible to improve operation reliability and reduce equipment and operating costs.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an evacuation system according to an embodiment related to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration of a reaction trap which is a main part of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a sacrificial material container.
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of a reaction trap.
FIG. 5 is a view showing still another embodiment of a reaction trap.
6 is a diagram showing a basic embodiment of the evacuation system of the present invention.
7 is a diagram showing still another embodiment of the vacuum exhaust system.
FIG. 8 is a diagram showing an overall configuration of a conventional evacuation system.
[Explanation of symbols]
10 Process (vacuum) chamber 12 Vacuum pump 14 Exhaust piping
16 reaction trap 26,6 2 sacrificial牲材charge 74 differential pressure sensor

Claims (8)

プロセスチャンバ(10)と該チャンバを排気するための真空ポンプ(12)とを連通する排気配管(14)に、該プロセスチャンバからの排ガスの所定の活性成分と反応してこれを不活性化する犠牲材料(26,62)を配し、前記犠牲材料が通気性を有し、前記排気配管の途中に配された反応トラップ(16)に収容され、前記犠牲材料と真空ポンプの間に、前記所定の活性成分と犠牲材料の反応による生成物を排ガス中から低温により凝結して除去する低温トラップ(70,72)を設けたことを特徴とする真空排気システム。An exhaust pipe (14) communicating the process chamber (10) and a vacuum pump (12) for exhausting the chamber reacts with a predetermined active component of the exhaust gas from the process chamber and deactivates it. A sacrificial material (26, 62) is disposed, the sacrificial material has air permeability, and is accommodated in a reaction trap (16) disposed in the middle of the exhaust pipe, and between the sacrificial material and the vacuum pump, A vacuum exhaust system comprising a low temperature trap (70, 72) for condensing and removing a product resulting from a reaction between a predetermined active ingredient and a sacrificial material from exhaust gas at a low temperature. 前記真空ポンプは排気経路に潤滑油を用いないドライポンプであることを特徴とする請求項1に記載の真空排気システム。The vacuum exhaust system according to claim 1, wherein the vacuum pump is a dry pump that does not use lubricating oil in an exhaust path. 前記反応トラップが前記排気配管中に着脱自在に取り付けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の真空排気システム。The vacuum exhaust system according to claim 1 or 2, wherein the reaction trap is detachably attached to the exhaust pipe. 前記反応トラップが前記排気配管中に2系統並列にかつ選択的に導通可能に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の真空排気システム。3. The vacuum exhaust system according to claim 1, wherein the reaction trap is connected to the exhaust pipe so as to be selectively conductive in parallel with two systems. 4. 前記反応トラップには、犠牲材料の残存量を示すセンサが設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の真空排気システム。The evacuation system according to claim 1, wherein the reaction trap is provided with a sensor that indicates a remaining amount of the sacrificial material. 前記反応トラップの前後の差圧を検出するセンサ(74)が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の真空排気システム。The vacuum exhaust system according to claim 1 or 2, wherein a sensor (74) for detecting a differential pressure before and after the reaction trap is provided. 前記犠牲材料は、C,Si,Sからなるグループの少なくとも1つを含むものであることを特徴とする請求項1に記載の真空排気システム。The evacuation system according to claim 1, wherein the sacrificial material includes at least one of a group consisting of C, Si, and S. 前記犠牲材料は、金属であることを特徴とする請求項1または2に記載の真空排気システム。The evacuation system according to claim 1, wherein the sacrificial material is a metal.
JP15159096A 1996-05-23 1996-05-23 Vacuum exhaust system Expired - Fee Related JP3617575B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15159096A JP3617575B2 (en) 1996-05-23 1996-05-23 Vacuum exhaust system
US08/861,007 US6332925B1 (en) 1996-05-23 1997-05-21 Evacuation system
EP06015405A EP1719551A3 (en) 1996-05-23 1997-05-22 Evacuation system
DE69737315T DE69737315T2 (en) 1996-05-23 1997-05-22 exhaust system
EP97108313A EP0811413B1 (en) 1996-05-23 1997-05-22 Evacuation system
KR1019970020157A KR100504227B1 (en) 1996-05-23 1997-05-23 Exhaust system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15159096A JP3617575B2 (en) 1996-05-23 1996-05-23 Vacuum exhaust system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09317645A JPH09317645A (en) 1997-12-09
JP3617575B2 true JP3617575B2 (en) 2005-02-09

Family

ID=15521849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15159096A Expired - Fee Related JP3617575B2 (en) 1996-05-23 1996-05-23 Vacuum exhaust system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3617575B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6099649A (en) * 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP5133923B2 (en) * 2009-03-12 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 Trap device
JP6876479B2 (en) * 2017-03-23 2021-05-26 キオクシア株式会社 Manufacturing method of semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09317645A (en) 1997-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6332925B1 (en) Evacuation system
US20050161158A1 (en) Exhaust conditioning system for semiconductor reactor
US11802562B2 (en) Device and method for evacuating a chamber and purifying the gas extracted from said chamber
JPS60198394A (en) Gas discharging device in vacuum disposer
JP3539446B2 (en) By-product trap device and cleaning method thereof
JP3020948B1 (en) Adsorption type gas scrubber for treating gas generated during semiconductor manufacturing
JP3617575B2 (en) Vacuum exhaust system
JP2006314869A5 (en)
JPH10252651A (en) Evacuation system
JPS6013071A (en) Evacuating system of device for vapor phase method
KR100311145B1 (en) Powder trap device of semiconductor equipment
US7943095B2 (en) Purifier
US6464466B1 (en) Trap apparatus
KR100432895B1 (en) Powder trap device of a semiconductor manufacture equipment
JP3433998B2 (en) Filtration apparatus and vacuum pump system protection method using the same
JP3874524B2 (en) Trap device and trap method
JPH04107917A (en) Reduced pressure treatment apparatus for semiconductor substrate
TW202212580A (en) Method for recovering platinum group metal, method for manufacturing film containing platinum group metal, and film-forming apparatus
JP2000153128A (en) Exhaust apparatus
JPH11182425A (en) Trap device
JP2802679B2 (en) Oil changer
JPH10176270A (en) Harmful matter removing device
KR100790282B1 (en) Ventilation System For Semiconductor Manufacturing Equipment And Liquid TEOS Exhausting Method In Trap Employed Therein
JP3020535B2 (en) Organic matter removal equipment
JP2005264851A (en) Trap device and its regenerating method

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040601

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040722

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040727

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041102

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041102

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees