JP3605302B2

JP3605302B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP3605302B2
Application number: JP30440698A
Authority: JP
Inventors: 雅視澤村; 敦史澤田
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-10-26
Filing date: 1998-10-26
Publication date: 2004-12-22
Anticipated expiration: 2018-10-26
Also published as: JP2000133627A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）用ガラス基板などの各種の被処理基板に対して、処理を施すための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハやガラス基板などの基板に対して、処理液や処理ガスのような処理流体を用いた処理を施すための基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置は、たとえば、処理対象の基板を収容することのできる処理室と、この処理室内に収容された基板に向けて処理流体を供給するためのノズルとを備えており、処理対象の基板は、処理室内でノズルから供給される処理流体による処理を受けるようになっている。
【０００３】
処理室には、処理室内の雰囲気を排気するための排気口と、処理室の外部の清浄な空間からクリーンエアを取り込むための吸気口とが形成されている。排気口からは処理室内の雰囲気が常に排気されており、この排気口からの排気によって、処理室内には吸気口を介してクリーンエアが常に取り込まれている。これにより、基板処理時には、処理流体成分を含む雰囲気を排気口から排気して、処理室内をクリーンエアで置換することができ、処理流体成分を含む雰囲気が処理室の外部に漏洩するのを防止することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記の従来装置では、排気口からの排気能力が低下したり、排気口からの排気が停止したりするなど、処理室内からの排気がスムーズに行われない場合に、処理室内の処理流体成分を含む雰囲気が、吸気口を介して外部に漏洩して、作業者や他の装置などに悪影響を与えるおそれがある。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板処理室内の処理流体成分を含む雰囲気が外部に漏洩するのを確実に防止できる基板処理装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板に対して処理流体を供給して処理を施すための基板処理室と、この基板処理室内の雰囲気を排気するために、該基板処理室と負圧源とを接続する排気経路と、上記基板処理室内にクリーンエアを導入するために、該基板処理室とクリーンエア空間とを接続する吸気経路と、上記排気経路のいずれかの位置に設けられ、上記排気経路における排気状態を検出する排気状態検出手段と、上記吸気経路における気体の流通を禁止／許容する流通禁止／許容手段と、上記排気状態検出手段で検出された排気状態が所定の状態よりも低下したときに、上記吸気経路における気体の流通を禁止するように上記流通禁止／許容手段の動作を制御する制御部とを含み、上記吸気経路は、上記吸気経路のクリーンエア空間側の先端部において開口する吸気口を有し、上記流通禁止／許容手段は、上記吸気口を開閉する開閉手段であることを特徴とする基板処理装置である。
【０００７】
この発明によれば、基板処理室からの排気が流通する排気経路内の排気状態が所定の状態よりも低下すると、基板処理室とクリーンエア空間とを連通する吸気経路における気体の流通が禁止される。
これにより、基板処理室からの排気がスムーズに行われない場合に、基板処理室内の処理流体成分を含む雰囲気が、吸気経路を介してクリーンエア空間に漏洩するのを防止できる。ゆえに、処理流体成分を含む雰囲気によって、クリーンエア空間に配置された装置が腐食されたり、クリーンエア空間内の作業者が悪影響を受けたりするといった不都合を防止できる。
【０００８】
ここで、排気経路における排気状態とは、排気経路における排気圧、排気流量、又は排気流速等のいずれであってもよく、これらの排気状態は互いに密接に関係している。具体的には、排気圧が大きくなると排気流量及び排気流速も大きくなり、排気圧が小さくなると排気流量又は排気流速も小さくなる。したがって、排気状態検出手段は、排気圧検出手段、排気流量検出手段、及び排気流速検出手段等のいずれであってもよい。なお、ここでいう排気圧とは、排気経路内の所定の位置における静圧、動圧、又は静圧と動圧の和である全圧のいずれであってもよい。
【０００９】
また、「排気状態が所定の状態よりも低下する」とは、具体的には、「排気圧が所定の圧力値よりも小さくなる」、「排気流量が所定の流量値よりも小さくなる」、又は「排気流速が所定の流速値よりも小さくなる」ことである。このうち、「排気圧が所定の圧力値よりも小さくなる」は、さらに厳密に言うと、「負圧である排気圧の絶対値が、所定の圧力値の絶対値よりも小さくなること」であり、たとえば具体的には、所定の圧力値が−１０ｍｍＨ_２Ｏである場合に、排気圧が０〜−１０ｍｍＨ_２Ｏの範囲内の圧力値に低下することである。なお、排気流路における排気圧の圧力値は、任意の空間（たとえば、大気空間等）に対する排気流路の相対圧力値であってもよいし、絶対圧力値（＝絶対真空に対する排気流路の相対圧力値）であってもよい。
【００１０】
なお、上記排気経路のいずれかの位置とは、排気経路の途中部であってもよいし、排気経路の端部であってもよい。
【００１１】
請求項２記載の発明は、基板に対して処理流体を供給して処理を施すための基板処理室と、この基板処理室内の雰囲気を排気するために、該基板処理室と負圧源とを接続する排気経路と、上記基板処理室内にクリーンエアを導入するために、該基板処理室とクリーンエア空間とを接続する吸気経路と、上記排気経路のいずれかの位置に設けられ、上記排気経路における排気状態を検出する排気状態検出手段と、上記吸気経路における気体の流通を禁止／許容する流通禁止／許容手段と、上記排気状態検出手段で検出された排気状態が所定の状態よりも低下したときに、上記吸気経路における気体の流通を禁止するように上記流通禁止／許容手段の動作を制御する制御部とを含み、上記吸気経路は、上記吸気経路の基板処理室側の先端部において開口する取込口を有し、上記流通禁止／許容手段は、上記取込口を開閉する開閉手段であることを特徴とする基板処理装置である。
このような構成によっても、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体の構成を簡略化して示す平面図である。この基板処理装置１０は、ＣＭＰ処理された後のウエハの表面に付着している汚染物質（パーティクル、研磨剤および余分な薄膜などの異物）を除去するための装置であり、未処理のウエハを収容したカセット２１がセットされる水中ローダ２０と、洗浄処理済みのウエハが収容されるカセット３１が載置されるアンローダ３０とを備えている。
【００１３】
この装置によって処理されるウエハは、水中ローダ２０からアンローダ３０に至る平面視においてＵ字状の経路４０を通って搬送され、その過程で、洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。これらの処理を実現するために、この基板処理装置１０には、経路４０に沿って、水中ローダ２０側から順に、両面ブラシ洗浄部５０、表面ブラシ洗浄部６０、水洗・乾燥処理部７０が配置されている。さらに、経路４０上には、水中ローダ２０と両面ブラシ洗浄部５０との間に、搬送ロボットＲＢを備えた第１搬送室４１が配置され、両面ブラシ洗浄部５０と表面ブラシ洗浄部６０との間に、搬送ロボットＲＢを備えた第２搬送室４２が配置され、表面ブラシ洗浄部６０と水洗・乾燥処理部７０との間に、搬送ロボットＲＢを備えた第３搬送室４３が配置され、水洗・乾燥処理部７０とアンローダ３０との間に、アンローダ搬送ロボット４５を備えた第４搬送室４４が配置されている。
【００１４】
水中ローダ２０は、ウエハをカセット２１に収容した状態で純水中に浸漬しておくための水槽２２と、カセット２１が載置されるステージ２３と、このステージ２３を昇降するための昇降機構２４とを有している。これにより、洗浄処理のためにウエハを取り出すときにのみ、ステージ２３を必要な高さまで上昇させ、処理対象のウエハを水面上に浮上させることができる。
【００１５】
水中ローダ２０に隣接して配置された第１搬送室４１には、水中ローダ２０において水面上に浮上させられた１枚のウエハを受け取り、両面ブラシ洗浄部５０に受け渡すための搬送ロボットＲＢと、この搬送ロボットＲＢによる搬送中のウエハの表面および裏面の乾燥を防ぐために、ウエハ表面に向けて純水をスプレーするためのスプレーノズルＳＮとが配設されている。搬送ロボットＲＢは、水平面に沿って回動自在な下アームＬＡと、この下アームＬＡの先端において水平面に沿う回動が自在であるように設けられた上アームＵＡとを有する伸縮式ロボットであり、水中ローダ２０から受け取ったウエハの下面を真空吸着して保持し、そのウエハを両面ブラシ洗浄部５０に向けて直線搬送することができる。
【００１６】
両面ブラシ洗浄部５０は、搬送ロボットＲＢによって搬入されたウエハを水平に保持し、かつ、水平面内で回転させるための複数本（この実施例では６本）の保持ローラ５１を含み、互いに接近／離間する方向に進退可能な一対の保持ハンド５２と、この保持ハンド５２によって水平に保持されたウエハを上下から挟むように設けられた一対のディスクブラシ５３とを備えている。上下のディスクブラシ５３は、それぞれウエハの上方および下方で鉛直軸線まわりに回転駆動される回転軸５４に取り付けられている。回転軸５４は、いずれも中空の軸で構成されており、その内部には、ディスクブラシ５３の表面の近傍にまで至る薬液供給管５５が挿通している。両面ブラシ洗浄部５０は、保持ローラ５１によってウエハを回転させる一方で、薬液供給管５５からウエハの表面および裏面に薬液を供給しつつ、ディスクブラシ５３をウエハの表面および裏面に接触させた状態で回転させることにより、ウエハの表面および裏面をスクラブ洗浄する。
【００１７】
なお、薬液供給管５４からウエハに供給される薬液としては、たとえば、フッ酸、塩酸、硫酸、燐酸、硝酸、酢酸、アンモニア、およびこれらの過酸化水素水溶液などを例示することができる。
両面ブラシ洗浄部５０で両面がスクラブ洗浄されたウエハは、第２搬送室４２に配設された搬送ロボットＲＢにより、両面ブラシ洗浄部５０から搬出されて表面ブラシ洗浄部６０に搬入される。この第２搬送室４２にも、搬送ロボットＲＢによる搬送中のウエハに純水をスプレーするためのスプレーノズルＳＮが配設されており、搬送中にウエハが乾燥することを防止できるようになっている。
【００１８】
表面ブラシ洗浄部６０は、ウエハを水平に保持しつつ回転するスピンチャック６１と、スピンチャック６１に保持されたウエハの表面に薬液を供給するためのノズルと、スピンチャック６１に保持されたウエハの表面をスクラブ洗浄するためのスキャンブラシ装置６２とを備えている。スキャンブラシ装置６２は、ウエハの表面に対してほぼ垂直な方向に沿う回転軸まわりに回転駆動されるディスク型ブラシ６３と、このディスク型ブラシ６３を先端において下方に向けて支持する揺動腕６４とを有している。表面ブラシ洗浄部６０は、スピンチャック６１によってウエハを回転させる一方で、ノズルからウエハの表面に薬液を供給しつつ、ディスク型ブラシ６３をウエハの表面に接触させて回転させながら揺動腕６４を揺動させることにより、ウエハの表面をスクラブ洗浄する。
【００１９】
なお、ウエハに供給される薬液としては、たとえば、フッ酸、塩酸、硫酸、燐酸、硝酸、酢酸、アンモニア、およびこれらの過酸化水素水溶液などを例示することができる。
表面ブラシ洗浄部６０で洗浄されたウエハは、第３搬送室４３に配設された搬送ロボットＲＢにより、表面ブラシ洗浄部６０から搬出されて水洗・乾燥処理部７０に搬入される。この第３搬送室４３にも、搬送ロボットＲＢによる搬送中のウエハに純水をスプレーするためのスプレーノズルＳＮが配設されており、搬送中にウエハが乾燥することを防止できるようになっている。
【００２０】
水洗・乾燥処理部７０は、ウエハを水平に保持しつつ回転するスピンチャック７１と、スピンチャック７１に保持されたウエハの表面に加熱された不活性ガスを供給するための不活性ガス供給機構７２と、スピンチャック７１に保持されたウエハの表面および裏面に純水を供給するための純水ノズルとを備えている。不活性ガス供給機構７２は、スピンチャック７１に保持されたウエハに対して近接／離間可能な遮蔽円板７３と、この遮蔽円板７３の中央付近に設けられた不活性ガス供給ノズル７４とを有している。
【００２１】
水洗・乾燥処理部７０に搬入されたウエハは、まず、スピンチャック７１に保持されて回転されつつ、その表面に純水ノズルから純水が供給されることにより、表面に付着している薬液が除去される。次いで、薬液が除去されたウエハは、スピンチャック７１によって高速回転される一方で、その表面に遮蔽円板７３が接近されて、不活性ガス供給ノズル７４から加熱された窒素ガスが供給されることにより、表面および裏面が速やかに乾燥させられる。
【００２２】
水洗・乾燥処理部７０での処理が終了したウエハは、第４搬送室４４に備えられたアンローダ搬送ロボット４５によって、水洗・乾燥処理部７０から搬出されてアンローダ３０に向けて搬送される。アンローダ搬送ロボット４５は、上下一対のアーム４６，４７で構成された伸縮式ロボットと、この伸縮式ロボットを経路４０に沿って往復直線移動させるための直線搬送機構（図示せず）と、さらに、スカラー式ロボットを昇降させるための昇降機構（図示せず）とを組み合わせて構成されている。アンローダ搬送ロボット４５は、水洗・乾燥処理部７０からけ取ったウエハの下面を真空吸着して保持し、そのウエハをアンローダ３０に載置されたカセット３１に向かって搬送し、このカセット３１内にウエハを収容する。
【００２３】
カセット３１内には、上下方向に複数段のウエハ収容棚が配列されており、アンローダ３０には、カセット３１内の各ウエハ収容棚におけるウエハの有無を検知するための光学式のセンサ３２が備えられている。アンローダ搬送ロボット４５は、センサ３２の出力に基づいてウエハを収容すべきウエハ収容棚を決定し、そのウエハ収容棚にウエハを収容する。
【００２４】
上記したように、この基板処理装置１０では、水中ローダ２０から搬出されたウエハは、両面ブラシ洗浄部５０から水洗・乾燥処理部７０に至る経路４０上で薬液を用いた洗浄処理および乾燥処理を受け、この洗浄処理および乾燥処理を受けたウエハは、第４搬送室４４を通過してアンローダ３０に搬送されるようになっている。そのため、水洗・乾燥処理部７０、第４搬送室４４およびアンローダ３０を含むクリーンエア空間ＣＬには、図示しない浄化フィルタを通過した後のクリーンエアがダウンフローとなって供給されるようになっており、洗浄処理および乾燥処理を受けた後のウエハの汚染が防止されている。
【００２５】
また、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３は、各室内の雰囲気を排気することによりクリーンエア空間ＣＬのクリーンエアを取り入れて、室内の薬液成分を含む雰囲気をクリーンエアに置換できるように構成されている。
具体的に説明すると、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３には、それぞれ排気口８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄが形成されている。排気口８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄには、それぞれ排気ダクト８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄの一端が接続されている。排気ダクト８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄの他端は、工場に設けられる排気用ユーティリティ配管（負圧源に相当）に接続されている。また、各排気ダクト８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄの途中部には、排気ダクト８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ内の排気圧をそれぞれ検出するための圧力センサ８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄが配設されている。ここで、排気圧とは、たとえば、クリーンエア空間ＣＬに対する排気ダクト８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ内の空間の相対圧力値（静圧）とする。
【００２６】
両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３内にクリーンエアを取り込むための構成は、図２に示されている。両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３には、クリーンエアを取り込むための取込口８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄが形成されている。これらの取込口８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄには、それぞれ吸気ダクト８５ａ，８５ｂ，８５ｃ，８５ｄの一端が接続されている。吸気ダクト８５ａ，８５ｂ，８５ｃ，８５ｄの他端は、それぞれ第４搬送室４４の側壁４４Ａに形成された吸気口８６ａ，８６ｂ，８６ｃ，８６ｄに接続されており、これにより、クリーンエア空間ＣＬ（第４搬送室４４）と両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３とが連通されている。また、吸気口８６ａ，８６ｂ，８６ｃ，８６ｄ（以下、総称するときは「吸気口８６」という）に関連して、この吸気口８６を開閉するためのシャッタ機構９０が設けられている。
【００２７】
図３は、シャッタ機構９０の構成を示す断面図である。シャッタ機構９０は、第４搬送室４４の外部で、側壁４４Ａに平行な水平方向に沿って配置された回動軸９１まわりに回動自在なシャッタ部材９２を備えている。シャッタ部材９２は、側壁４４Ａに直交する鉛直面に沿って切断した時の断面が略コ字状となるように形成されており、吸気口８６を閉塞可能なシャッタ板９３と、このシャッタ板９３を回動軸９１まわりに回動自在に支持するための支持部９４と、シャッタ板９３の上端部に連結された操作部９５とを有している。支持部９４は、シャッタ板９３で吸気口８６が閉塞された状態（図３に実線で示す状態）において、シャッタ板９３の下端部から側壁４４Ａに形成された開口９６を介して第４搬送室４４の外部に延びており、その先端部が回動軸９１に回動可能に連結されている。また、操作部９５は、シャッタ板９３の上端部から側壁４４Ａに形成された開口９７を介して第４搬送室４４の外部に延びている。
【００２８】
第４搬送室４４の外部には、シャッタ部材９２を開閉駆動するためのシリンダ９８が配設されている。シリンダ９８は、ロッド９８ａが側壁４４Ａに直交する水平方向に進退するように配置されており、ロッド９８ａの先端には、側壁４４Ａに平行な水平方向に延びた連結ピン９９ａを有する連結部９９が固定されている。操作部９５の連結ピン９９ａに対応する部分には、連結ピン９９ａが挿通される長穴９５ａが紙面の上下方向に長く形成されており、ロッド９８ａが紙面左右方向に進退した場合に、回動軸９１まわりに回動する操作部９５に対して、連結ピン９９ａが長穴９５ａの長手方向に沿って摺動できるようになっている。
【００２９】
以上の構成により、ロッド９８ａが進退することで、シャッタ部材９２全体を回動軸９１まわりに回動させ、吸気口８６を開閉することができる。詳細に説明すると、シャッタ板９３によって吸気口８６が閉塞された状態では、ロッド９８ａはシリンダ９８内に引き込まれている。この状態から、ロッド９８ａを伸長させると、操作部９５を介してシャッタ板９３の上端部が押され、シャッタ板９３は、回動軸９１を中心として時計回りに回転して、図３に二点鎖線で示す状態まで変位される。これにより、シャッタ板９３が吸気口８６から離れて、吸気口８６が開放される。逆に、吸気口８６が開放された状態から、ロッド９８ａを図２に実線で示す状態まで収縮させると、シャッタ板９３の上端部が操作部９５を介して側壁４４Ａ側に引き寄せられ、その結果、シャッタ板９３は回動軸９１を中心として反時計回りに回転して、吸気口８６がシャッタ板９３によって閉塞される。
【００３０】
図４は、シャッタ機構９０の開閉を制御するための構成を示すブロック図である。シャッタ機構９０の開閉は、たとえばマイクロコンピュータで構成される制御部１００によって、排気ダクト８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ内にそれぞれ配設された圧力センサ８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄの出力に基づいて制御される。
【００３１】
すなわち、制御部１００には、圧力センサ８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄの出力が与えられており、制御部１００は、すべての圧力センサ８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄによって検出される排気圧が所定の圧力値（たとえば−１０ｍｍＨ_２Ｏ）以上の間は、シリンダ９８のロッド９８ａを伸長させて吸気口８６を開放している。これにより、クリーンエア空間ＣＬ内のクリーンエアが、吸気口８６から吸気ダクト８５ａ，８５ｂ，８５ｃ，８５ｄに取り込まれ、さらに取込口８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄを介して、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３内に流入する。その結果、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３内の薬液成分を含む雰囲気がクリーンエアに置換される。
【００３２】
一方、圧力センサ８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄのいずれかによって検出される排気圧が所定の圧力値以下になると、制御部１００は、シリンダ９８のロッド９８ａを収縮させて、シャッタ機構９０（シャッタ板９３）によって吸気口８６を閉塞する。これにより、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３とクリーンエア空間ＣＬとが隔絶され、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３とクリーンエア空間ＣＬとの間で気体の流通が阻止される。
【００３３】
こうして吸気口８６を閉塞させると、制御部１００は、この基板処理装置の動作を停止させて、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０または第３搬送室４３からの排気がスムーズに行われていない旨の警報を出力する。これにより、排気がスムーズに行われていない旨を、この基板処理装置の操作者に認知させることができる。なお、この基板処理装置の動作を再開させる場合には、操作パネルに配置されたリセットボタンを押して、吸気口８６を閉塞しているシャッタ機構９０を開成すればよい。
【００３４】
以上のようにこの実施形態によれば、クリーンエア空間ＣＬに臨んで形成された吸気口８６に関連してシャッタ機構９０が設けられており、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０または第３搬送室４３からの排気圧が所定の圧力値よりも低下すると、シャッタ機構９０によって吸気口８６が閉塞される。
【００３５】
これにより、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０または第３搬送室４３からの排気がスムーズに行われない場合であっても、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０または第３搬送室４３内の薬液成分を含む雰囲気が、取込口８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ、吸気ダクト８５ａ，８５ｂ，８５ｃ，８５ｄおよび吸気口８６を介してクリーンエア空間ＣＬに漏洩するのが防止される。ゆえに、薬液成分を含む雰囲気によってクリーンエア空間ＣＬが汚染されたり、クリーンエア空間ＣＬ内を搬送されるウエハに悪影響を与えたりするおそれをなくすことができる。
【００３６】
また、薬液成分を含む雰囲気がクリーンエア空間ＣＬに漏洩するおそれがないので、クリーンエア空間ＣＬから薬液成分を含む雰囲気が装置外部に漏洩して、作業者や他の装置などに悪影響を与えるおそれをなくすことができる。
なお、この実施形態では、吸気口８６がクリーンエア空間ＣＬのうちの第４搬送室４４に臨んで形成されているが、吸気口８６は、クリーンエアが常に供給されている空間に臨んで形成されていればよく、たとえば、アンローダ３０に臨んで形成されてもよい。また、この基板処理装置が、クリーンエアがダウンフローとなって供給されているクリーンルームに配置されている場合には、吸気口８６は、装置外部のクリーンルームに臨んで形成されてもよい。
【００３７】
また、吸気口８６に関連してシャッタ機構９０が設けられているとしたが、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３にそれぞれ形成された取込口８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄに関連して、各取込口８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄを開閉するためのシャッタ機構が設けられてもよい。この構成によっても、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０または第３搬送室４３内の薬液成分を含む雰囲気が、クリーンエア空間ＣＬに漏洩するのを防止できる。
【００３８】
図５は、この発明の他の実施形態について説明するための図解図である。
上述の第１の実施形態では、吸気口８６に関連してシャッタ機構９０が設けられており、このシャッタ機構９０で吸気口８６を開閉することによって、両面ブラシ洗浄部５０、第２搬送室４２、表面ブラシ洗浄部６０および第３搬送室４３のような処理室と第４搬送室４４のようなクリーンエア空間ＣＬとの間での気体の流通を禁止／許容している。これに対し、この第２の実施形態に係る構成では、上記シャッタ機構９０に代えて、基板処理室１１０とクリーンエア空間ＣＬとを連通する吸気ダクト１１２の途中部にバルブ１１３を介装し、このバルブ１１３を開閉することにより、基板処理室１１０とクリーンエア空間ＣＬとの間での気体の流通を禁止／許容するようになっている。
【００３９】
具体的に説明すると、基板処理室１１０には、クリーンエアを取り込むための取込口１１４が形成されている。この取込口１１４には、それぞれ吸気ダクト１１２の一端が接続されている。吸気ダクト１１２の他端は、クリーンエア空間ＣＬに臨んで形成された吸気口１１５に接続されており、これにより、基板処理室１１０とクリーンエア空間ＣＬとが吸気ダクト１１２を介して連通されている。また、吸気ダクト１１２の途中部には、吸気ダクト１１２内の気体の流通を禁止／許可するために開閉するバルブ１１３が介装されている。
【００４０】
さらに、基板処理室１１０には、基板処理室１１０内の雰囲気を排気するための排気口１１６が形成されており、この排気口１１６には、一端が工場の排気用ユーティリティ配管に接続された排気ダクト１１７の他端が接続されている。この排気ダクト１１７の途中部には、排気ダクト１１７内の排気圧をそれぞれ検出するための圧力センサ１１８が配設されている。
【００４１】
圧力センサ１１８の出力は、たとえばマイクロコンピュータで構成される制御部１１９に与えられており、この制御部１１９は、圧力センサ１１８の出力に基づいてバルブ１１３の開閉を制御する。すなわち、制御部１１９は、圧力センサ１１８によって検出される排気圧が所定の圧力値以上の間は、バルブ１１３を開成させている。これにより、クリーンエア空間ＣＬ内のクリーンエアを、吸気口１１５、吸気ダクト１１２および取込口１１４を介して基板処理室１１０内に取り込むことができ、基板処理室１１０内の雰囲気をクリーンエアと置換することができる。
【００４２】
一方、圧力センサ１１８によって検出される排気圧が所定の圧力値以下になると、制御部１１９は、バルブ１１３を閉成する。これにより、基板処理室１１０とクリーンエア空間ＣＬとの間での気体の流通が阻止され、基板処理室１１０内の雰囲気がクリーンエア空間ＣＬに漏洩するのが防止される。ゆえに、上述した第１の実施形態と同様な効果を奏することができる。
【００４３】
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することができる。たとえば、上述の各実施形態では、基板処理室からの排気圧が所定の圧力値以下になった場合に、基板処理室とクリーンエア空間との間での気体の流通を禁止するようにしているが、排気経路中に基板処理室からの排気流量や排気流速を検出する手段を設け、排気流量が所定の流量値以下、又は排気流速が所定の流速値以下になった場合に、基板処理室とクリーンエア空間との間での気体の流通を禁止するようにしてもよい。
【００４４】
また、上述の実施形態では、ウエハに対して薬液を供給して処理する装置を例に挙げたが、たとえば、ウエハに対してＨＭＤＳのような処理ガスを供給して処理する装置に、この発明を適用することもできる。
さらに、上述の実施形態では、ウエハに対する処理を行う基板処理装置を例にとって説明したが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板やＰＤＰ用ガラス基板など、他の種類の基板を処理する装置にも適用可能である。
【００４５】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で、種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体の構成を簡略化して示す平面図である。
【図２】両面ブラシ洗浄部、第２搬送室、表面ブラシ洗浄部および第３搬送室内にクリーンエアを取り込むための構成を示す平面図である。
【図３】シャッタ機構の構成を示す断面図である。
【図４】シャッタ機構の開閉を制御するための構成を示すブロック図である。
【図５】この発明の他の実施形態について説明するための図解図である。
【符号の説明】
１０基板処理装置
３０アンローダ
４２第２搬送室（基板処理室）
４３第３搬送室（基板処理室）
４４第４搬送室
５０両面ブラシ洗浄部（基板処理室）
６０表面ブラシ洗浄部（基板処理室）
７０水洗・乾燥処理部
８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄ，１１６排気口（排気経路）
８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ，１１７排気ダクト（排気経路）
８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄ，１１８圧力センサ（排気圧検出手段）
８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ，１１４取込口（吸気経路）
８５ａ，８５ｂ，８５ｃ，８５ｄ，１１２吸気ダクト（吸気経路）
８６ａ，８６ｂ，８６ｃ，８６ｄ，１１５吸気口（吸気経路）
９０シャッタ機構（開閉手段、流通禁止／許容手段））
１００，１１９制御部
１１０基板処理室
１１３バルブ（流通禁止／許容手段）
ＣＬクリーンエア空間[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing on various substrates to be processed such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a glass substrate for a PDP (plasma display panel).
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, and the like, a substrate processing apparatus for performing processing using a processing fluid such as a processing liquid or a processing gas on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate may be used. is there. This type of substrate processing apparatus includes, for example, a processing chamber capable of accommodating a substrate to be processed, and a nozzle for supplying a processing fluid toward the substrate accommodated in the processing chamber. The target substrate is to be processed by the processing fluid supplied from the nozzle in the processing chamber.
[0003]
The processing chamber has an exhaust port for exhausting the atmosphere in the processing chamber and an intake port for taking in clean air from a clean space outside the processing chamber. The atmosphere in the processing chamber is constantly exhausted from the exhaust port, and clean air is always taken into the processing chamber via the intake port by the exhaust from the exhaust port. In this way, during substrate processing, the atmosphere containing the processing fluid component can be exhausted from the exhaust port to replace the processing chamber with clean air, thereby preventing the atmosphere containing the processing fluid component from leaking outside the processing chamber. can do.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional apparatus, when the exhaust from the processing chamber is not performed smoothly, such as when the exhaust capability from the exhaust port is reduced or the exhaust from the exhaust port is stopped, the processing fluid in the processing chamber is The atmosphere containing the components may leak to the outside through the air inlet, which may adversely affect workers and other devices.
[0005]
Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described technical problem and to provide a substrate processing apparatus capable of reliably preventing an atmosphere containing a processing fluid component in a substrate processing chamber from leaking to the outside.
[0006]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing chamber for supplying a processing fluid to a substrate to perform processing, and the substrate processing chamber for exhausting an atmosphere in the substrate processing chamber. One of an exhaust path connecting the processing chamber and the negative pressure source, an intake path connecting the substrate processing chamber and the clean air space for introducing clean air into the substrate processing chamber, Exhaust state detecting means provided at a position, for detecting an exhaust state in the exhaust path.,UpA flow prohibition / permission means for prohibiting / permitting the flow of gas in the intake path; and prohibiting the flow of gas in the intake path when the exhaust state detected by the exhaust state detection means is lower than a predetermined state. And a control unit for controlling the operation of the flow prohibition / permission means.In addition, the intake path has an intake port that opens at the tip of the intake path on the side of the clean air space, and the flow prohibition / permission means is an opening / closing means that opens and closes the intake port.A substrate processing apparatus characterized in that:
[0007]
According to the present invention, when the exhaust state in the exhaust path through which the exhaust from the substrate processing chamber flows becomes lower than a predetermined state, the flow of the gas in the intake path connecting the substrate processing chamber and the clean air space is prohibited. You.
Accordingly, when the exhaust from the substrate processing chamber is not performed smoothly, it is possible to prevent the atmosphere including the processing fluid component in the substrate processing chamber from leaking into the clean air space via the intake path. Therefore, it is possible to prevent inconveniences such as the apparatus disposed in the clean air space being corroded by the atmosphere containing the processing fluid component and the worker in the clean air space being adversely affected.
[0008]
Here, the exhaust state in the exhaust path may be any of an exhaust pressure, an exhaust flow rate, an exhaust flow rate, and the like in the exhaust path, and these exhaust states are closely related to each other. Specifically, as the exhaust pressure increases, the exhaust flow rate and the exhaust flow rate also increase, and as the exhaust pressure decreases, the exhaust flow rate or the exhaust flow rate decreases. Therefore, the exhaust state detecting means may be any of an exhaust pressure detecting means, an exhaust flow rate detecting means, an exhaust flow velocity detecting means and the like. Note that the exhaust pressure here may be any of a static pressure, a dynamic pressure, or a total pressure that is a sum of the static pressure and the dynamic pressure at a predetermined position in the exhaust path.
[0009]
Further, "the exhaust state is lower than the predetermined state" specifically means "the exhaust pressure becomes smaller than the predetermined pressure value", "the exhaust flow becomes smaller than the predetermined flow value", Or "the exhaust flow velocity becomes smaller than a predetermined flow velocity value". Of these, "exhaust pressure becomes smaller than a predetermined pressure value" means, more strictly, that "the absolute value of the exhaust pressure, which is a negative pressure, becomes smaller than the absolute value of the predetermined pressure value." For example, specifically, when the predetermined pressure value is −10 mmH₂When O, the exhaust pressure is 0-10 mmH₂O is to drop to a pressure value in the range of O. In addition, the pressure value of the exhaust pressure in the exhaust passage may be a relative pressure value of the exhaust passage with respect to an arbitrary space (for example, an atmospheric space) or an absolute pressure value (= the absolute pressure value of the exhaust passage with respect to the absolute vacuum). (Relative pressure value).
[0010]
In addition, any position of the exhaust path may be a middle part of the exhaust path or an end of the exhaust path.No.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing chamber for supplying a processing fluid to a substrate to perform processing, and the substrate processing chamber and a negative pressure source for exhausting an atmosphere in the substrate processing chamber. An exhaust path connecting the substrate processing chamber and a clean air space for introducing clean air into the substrate processing chamber; and an exhaust path provided at any position of the exhaust path. , An exhaust state detecting means for detecting an exhaust state, a flow prohibition / permitting means for prohibiting / permitting gas flow in the intake path, and an exhaust state detected by the exhaust state detecting means is lower than a predetermined state. A control unit for controlling the operation of the flow prohibition / permission means so as to prohibit gas flow in the intake path, wherein the intake path is located at a front end of the intake path on the substrate processing chamber side. Has an opening for inlet, the distribution prohibiting / permitting means is a substrate processing apparatus, characterized in that the closing means for opening and closing the inlet.
With such a configuration, the same effect as the effect described in relation to claim 1 can be obtained.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view schematically showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 10 is an apparatus for removing contaminants (particles, abrasives, extraneous substances such as extra thin films, etc.) attached to the surface of a wafer after the CMP processing, and removes an unprocessed wafer. The apparatus includes an underwater loader 20 on which the accommodated cassette 21 is set, and an unloader 30 on which a cassette 31 accommodating a cleaned wafer is placed.
[0013]
The wafer processed by this apparatus is conveyed through a U-shaped path 40 in plan view from the underwater loader 20 to the unloader 30, and in the process, a cleaning process and a drying process are performed. In order to realize these processes, the substrate processing apparatus 10 includes a double-sided brush cleaning unit 50, a surface brush cleaning unit 60, and a water cleaning / drying processing unit 70 arranged along the path 40 in this order from the underwater loader 20 side. Have been. Further, on the path 40, a first transfer chamber 41 provided with a transfer robot RB is disposed between the underwater loader 20 and the double-sided brush cleaning unit 50. A second transfer chamber 42 having a transfer robot RB is disposed therebetween, and a third transfer chamber 43 having a transfer robot RB is disposed between the surface brush cleaning unit 60 and the water washing / drying processing unit 70, A fourth transfer chamber 44 having an unloader transfer robot 45 is disposed between the washing / drying processing unit 70 and the unloader 30.
[0014]
The underwater loader 20 includes a water tank 22 for immersing the wafers in pure water with the wafers accommodated in the cassette 21, a stage 23 on which the cassette 21 is mounted, and an elevating mechanism 24 for elevating the stage 23. And Thus, only when the wafer is taken out for the cleaning process, the stage 23 can be raised to a required height and the wafer to be processed can be floated on the water surface.
[0015]
The first transfer chamber 41 arranged adjacent to the underwater loader 20 has a transfer robot RB for receiving one wafer floated on the water surface in the underwater loader 20 and transferring it to the double-sided brush cleaning unit 50. In order to prevent drying of the front and back surfaces of the wafer being transferred by the transfer robot RB, a spray nozzle SN for spraying pure water toward the wafer surface is provided. The transfer robot RB is a telescoping robot having a lower arm LA rotatable along a horizontal plane, and an upper arm UA provided at the tip of the lower arm LA so as to be rotatable along the horizontal plane. The lower surface of the wafer received from the underwater loader 20 is held by vacuum suction, and the wafer can be transported straight to the double-sided brush cleaning unit 50.
[0016]
The double-sided brush cleaning unit 50 includes a plurality of (six in this embodiment) holding rollers 51 for horizontally holding a wafer carried by the transfer robot RB and rotating the wafer in a horizontal plane. It has a pair of holding hands 52 that can move forward and backward in the direction of separation, and a pair of disk brushes 53 provided so as to sandwich the wafer held horizontally by the holding hands 52 from above and below. The upper and lower disk brushes 53 are attached to a rotating shaft 54 that is driven to rotate around a vertical axis above and below the wafer, respectively. Each of the rotary shafts 54 is formed of a hollow shaft, and a chemical solution supply pipe 55 reaching near the surface of the disk brush 53 is inserted therein. The double-sided brush cleaning unit 50 rotates the wafer by the holding roller 51, while supplying the chemical solution from the chemical solution supply pipe 55 to the front and back surfaces of the wafer, while keeping the disk brush 53 in contact with the front and back surfaces of the wafer. By rotating the wafer, the front and back surfaces of the wafer are scrub-cleaned.
[0017]
The chemical supplied to the wafer from the chemical supply pipe 54 includes, for example, hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, ammonia, and an aqueous solution of hydrogen peroxide thereof.
The wafer whose both surfaces have been scrub-cleaned by the double-sided brush cleaning unit 50 is carried out of the double-sided brush cleaning unit 50 and carried into the front brush cleaning unit 60 by the transfer robot RB disposed in the second transfer chamber 42. The second transfer chamber 42 is also provided with a spray nozzle SN for spraying pure water onto the wafer being transferred by the transfer robot RB, so that the wafer can be prevented from drying during the transfer. I have.
[0018]
The surface brush cleaning unit 60 includes a spin chuck 61 that rotates while holding the wafer horizontally, a nozzle for supplying a chemical solution to the surface of the wafer held by the spin chuck 61, and a wafer that is held by the spin chuck 61. A scan brush device 62 for scrubbing the surface. The scan brush device 62 includes a disk type brush 63 that is driven to rotate around a rotation axis along a direction substantially perpendicular to the surface of the wafer, and a swing arm 64 that supports the disk type brush 63 downward at its tip. And The surface brush cleaning unit 60 rotates the wafer by the spin chuck 61, while supplying the chemical solution from the nozzle to the surface of the wafer, and rotates the swing arm 64 while rotating the disk-type brush 63 by contacting the surface of the wafer with the nozzle. By swinging, the surface of the wafer is scrub-cleaned.
[0019]
The chemical supplied to the wafer includes, for example, hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, ammonia, and an aqueous solution of hydrogen peroxide thereof.
The wafer cleaned by the front brush cleaning unit 60 is carried out of the front brush cleaning unit 60 by the transfer robot RB disposed in the third transfer chamber 43 and is carried into the water washing / drying processing unit 70. The third transfer chamber 43 is also provided with a spray nozzle SN for spraying pure water onto the wafer being transferred by the transfer robot RB, so that the wafer can be prevented from drying during the transfer. I have.
[0020]
The washing / drying processing unit 70 includes a spin chuck 71 that rotates while holding the wafer horizontally, and an inert gas supply mechanism 72 that supplies a heated inert gas to the surface of the wafer held by the spin chuck 71. And a pure water nozzle for supplying pure water to the front and back surfaces of the wafer held by the spin chuck 71. The inert gas supply mechanism 72 includes a shielding disk 73 that can approach / separate from the wafer held by the spin chuck 71 and an inert gas supply nozzle 74 provided near the center of the shielding disk 73. Have.
[0021]
The wafer carried into the rinsing / drying processing unit 70 is firstly rotated while being held by the spin chuck 71, and is supplied with pure water from the pure water nozzle to the surface thereof, so that the chemical liquid adhering to the surface is removed. Removed. Next, the wafer from which the chemical solution has been removed is rotated at a high speed by the spin chuck 71, while the shielding disk 73 approaches the surface thereof, and the heated nitrogen gas is supplied from the inert gas supply nozzle 74. Thereby, the front and back surfaces are quickly dried.
[0022]
The wafer that has been processed in the rinsing / drying processing unit 70 is unloaded from the rinsing / drying processing unit 70 by the unloader transfer robot 45 provided in the fourth transfer chamber 44 and transferred to the unloader 30. The unloader transfer robot 45 includes a telescopic robot constituted by a pair of upper and lower arms 46 and 47, a linear transfer mechanism (not shown) for reciprocating the telescopic robot linearly along the path 40, and It is configured in combination with an elevating mechanism (not shown) for elevating the scalar robot. The unloader transfer robot 45 holds the lower surface of the wafer removed from the washing / drying processing unit 70 by vacuum suction, transfers the wafer toward the cassette 31 placed on the unloader 30, and puts the wafer into the cassette 31. Accommodates a wafer.
[0023]
A plurality of stages of wafer storage shelves are arranged in the cassette 31 in the vertical direction. The unloader 30 includes an optical sensor 32 for detecting the presence or absence of a wafer in each wafer storage shelf in the cassette 31. Have been. The unloader transfer robot 45 determines a wafer storage shelf to store the wafer based on the output of the sensor 32, and stores the wafer in the wafer storage shelf.
[0024]
As described above, in the substrate processing apparatus 10, the wafer carried out from the underwater loader 20 undergoes the cleaning process and the drying process using a chemical on the path 40 from the double-sided brush cleaning unit 50 to the water washing / drying unit 70. The wafer subjected to the cleaning process and the drying process passes through the fourth transfer chamber 44 and is transferred to the unloader 30. Therefore, clean air after passing through a purification filter (not shown) is supplied to the clean air space CL including the washing / drying processing section 70, the fourth transfer chamber 44, and the unloader 30 as a down flow. Thus, contamination of the wafer after being subjected to the cleaning process and the drying process is prevented.
[0025]
Further, the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning unit 60, and the third transfer chamber 43 take in the clean air in the clean air space CL by exhausting the atmosphere in each room, so that the chemical solution in the room is removed. It is configured so that the atmosphere containing the components can be replaced with clean air.
More specifically, exhaust ports 81a, 81b, 81c, 81d are formed in the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning unit 60, and the third transfer chamber 43, respectively. One ends of exhaust ducts 82a, 82b, 82c, 82d are connected to the exhaust ports 81a, 81b, 81c, 81d, respectively. The other ends of the exhaust ducts 82a, 82b, 82c, 82d are connected to an exhaust utility pipe (corresponding to a negative pressure source) provided in a factory. Further, pressure sensors 83a, 83b, 83c, 83d for detecting the exhaust pressure in the exhaust ducts 82a, 82b, 82c, 82d are respectively provided in the middle of the exhaust ducts 82a, 82b, 82c, 82d. ing. Here, the exhaust pressure is, for example, a relative pressure value (static pressure) of a space in the exhaust ducts 82a, 82b, 82c, 82d with respect to the clean air space CL.
[0026]
The configuration for taking clean air into the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning unit 60, and the third transfer chamber 43 is shown in FIG. The double-sided brush cleaning section 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning section 60, and the third transfer chamber 43 are formed with intake ports 84a, 84b, 84c, 84d for taking in clean air. One end of each of intake ducts 85a, 85b, 85c, 85d is connected to these intake ports 84a, 84b, 84c, 84d. The other ends of the intake ducts 85a, 85b, 85c, and 85d are connected to intake ports 86a, 86b, 86c, and 86d formed in the side wall 44A of the fourth transfer chamber 44, respectively, whereby the clean air space CL ( The fourth transfer chamber 44) communicates with the double-sided brush cleaning section 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning section 60, and the third transfer chamber 43. A shutter mechanism 90 for opening and closing the intake port 86 is provided in connection with the intake ports 86a, 86b, 86c, and 86d (hereinafter, collectively referred to as "the intake port 86").
[0027]
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the configuration of the shutter mechanism 90. The shutter mechanism 90 includes a shutter member 92 that is rotatable around a rotation shaft 91 that is arranged in a horizontal direction parallel to the side wall 44A outside the fourth transfer chamber 44. The shutter member 92 has a substantially U-shaped cross section when cut along a vertical plane perpendicular to the side wall 44A, and includes a shutter plate 93 capable of closing the intake port 86, and a shutter plate 93. Of the shutter plate 93 and an operation unit 95 connected to the upper end of the shutter plate 93. In a state where the intake port 86 is closed by the shutter plate 93 (a state indicated by a solid line in FIG. 3), the support portion 94 extends from the lower end of the shutter plate 93 to the fourth transfer chamber through an opening 96 formed in the side wall 44A. It extends outside 44 and its tip is rotatably connected to a rotating shaft 91. The operation section 95 extends from the upper end of the shutter plate 93 to the outside of the fourth transfer chamber 44 via an opening 97 formed in the side wall 44A.
[0028]
A cylinder 98 for opening and closing the shutter member 92 is provided outside the fourth transfer chamber 44. The cylinder 98 is arranged such that the rod 98a advances and retreats in a horizontal direction perpendicular to the side wall 44A. At a tip of the rod 98a, a connecting portion 99 having a connecting pin 99a extending in a horizontal direction parallel to the side wall 44A is provided. Fixed. An elongated hole 95a, through which the connecting pin 99a is inserted, is formed in a portion corresponding to the connecting pin 99a of the operation unit 95 so as to be long in the up-down direction of the drawing. The connecting pin 99a can slide along the longitudinal direction of the elongated hole 95a with respect to the operating portion 95 that rotates around the shaft 91.
[0029]
With the above configuration, the rod 98a moves forward and backward, so that the entire shutter member 92 is rotated around the rotation shaft 91, and the intake port 86 can be opened and closed. More specifically, when the intake port 86 is closed by the shutter plate 93, the rod 98a is drawn into the cylinder 98. In this state, when the rod 98a is extended, the upper end of the shutter plate 93 is pushed through the operation unit 95, and the shutter plate 93 rotates clockwise around the rotation shaft 91, and the second position in FIG. It is displaced to the state shown by the dotted line. As a result, the shutter plate 93 is separated from the intake port 86, and the intake port 86 is opened. Conversely, when the rod 98a is contracted from the state in which the intake port 86 is opened to the state shown by the solid line in FIG. 2, the upper end of the shutter plate 93 is drawn toward the side wall 44A via the operation portion 95, and as a result, The shutter plate 93 rotates counterclockwise about the rotation shaft 91, and the intake port 86 is closed by the shutter plate 93.
[0030]
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration for controlling the opening and closing of the shutter mechanism 90. The opening and closing of the shutter mechanism 90 is controlled by a control unit 100 including, for example, a microcomputer based on the outputs of pressure sensors 83a, 83b, 83c, and 83d disposed in the exhaust ducts 82a, 82b, 82c, and 82d, respectively. Is done.
[0031]
That is, the outputs of the pressure sensors 83a, 83b, 83c, 83d are given to the control unit 100, and the control unit 100 determines that the exhaust pressure detected by all the pressure sensors 83a, 83b, 83c, 83d is a predetermined value. Pressure value (for example, -10 mmH₂O) During the period above, the rod 98a of the cylinder 98 is extended to open the air inlet 86. As a result, the clean air in the clean air space CL is taken into the intake ducts 85a, 85b, 85c, and 85d from the intake port 86, and further, through the intake ports 84a, 84b, 84c, and 84d, the double-sided brush cleaning unit 50. , Into the second transfer chamber 42, the surface brush cleaning unit 60, and the third transfer chamber 43. As a result, the atmosphere containing the chemical component in the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning unit 60, and the third transfer chamber 43 is replaced with clean air.
[0032]
On the other hand, when the exhaust pressure detected by any of the pressure sensors 83a, 83b, 83c, and 83d becomes equal to or less than a predetermined pressure value, the control unit 100 contracts the rod 98a of the cylinder 98 to cause the shutter mechanism 90 (the shutter plate 90) to contract. The inlet 86 is closed by 93). As a result, the double-sided brush cleaning section 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning section 60, and the third transfer chamber 43 are isolated from the clean air space CL. The flow of gas between the cleaning unit 60 and the third transfer chamber 43 and the clean air space CL is blocked.
[0033]
When the intake port 86 is closed in this way, the control unit 100 stops the operation of the substrate processing apparatus and stops the operation of the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning unit 60 or the third transfer chamber 43. It outputs a warning that the exhaust is not being performed smoothly. This allows the operator of the substrate processing apparatus to recognize that the exhaust is not performed smoothly. When the operation of the substrate processing apparatus is restarted, the shutter mechanism 90 closing the intake port 86 may be opened by pressing a reset button arranged on the operation panel.
[0034]
As described above, according to this embodiment, the shutter mechanism 90 is provided in relation to the intake port 86 formed facing the clean air space CL, and the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, and the surface When the exhaust pressure from the brush cleaning unit 60 or the third transfer chamber 43 becomes lower than a predetermined pressure value, the shutter mechanism 90 closes the intake port 86.
[0035]
Thereby, even if the exhaust from the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning unit 60, or the third transfer chamber 43 is not performed smoothly, the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer The atmosphere containing the chemical component in the chamber 42, the surface brush cleaning unit 60, or the third transfer chamber 43 passes through the intake ports 84a, 84b, 84c, 84d, the intake ducts 85a, 85b, 85c, 85d, and the intake port 86. Leakage to the clean air space CL is prevented. Therefore, it is possible to eliminate the risk that the clean air space CL is contaminated by the atmosphere containing the chemical solution component and that the wafer carried in the clean air space CL is adversely affected.
[0036]
Further, since there is no possibility that the atmosphere containing the chemical component leaks into the clean air space CL, the atmosphere containing the chemical component leaks from the clean air space CL to the outside of the apparatus, which may adversely affect workers and other devices. Can be eliminated.
In this embodiment, the intake port 86 is formed facing the fourth transfer chamber 44 of the clean air space CL, but the intake port 86 is formed facing the space where the clean air is constantly supplied. For example, it may be formed facing the unloader 30. When the substrate processing apparatus is disposed in a clean room in which clean air is supplied in a down flow, the air inlet 86 may be formed facing a clean room outside the apparatus.
[0037]
Although the shutter mechanism 90 is provided in relation to the intake port 86, the shutter mechanism 90 is provided in the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning unit 60, and the third transfer chamber 43. A shutter mechanism for opening and closing the intakes 84a, 84b, 84c, 84d may be provided in connection with the intakes 84a, 84b, 84c, 84d. With this configuration also, it is possible to prevent the atmosphere containing the chemical component in the double-sided brush cleaning unit 50, the second transfer chamber 42, the front brush cleaning unit 60, or the third transfer chamber 43 from leaking into the clean air space CL.
[0038]
FIG. 5 is an illustrative view for explaining another embodiment of the present invention.
In the above-described first embodiment, the shutter mechanism 90 is provided in association with the suction port 86, and the double-sided brush cleaning unit 50 and the second transfer chamber 42 are opened and closed by the shutter mechanism 90. The flow of gas between the processing chamber such as the front brush cleaning unit 60 and the third transfer chamber 43 and the clean air space CL such as the fourth transfer chamber 44 is prohibited / permitted. On the other hand, in the configuration according to the second embodiment, instead of the shutter mechanism 90, a valve 113 is interposed in the middle of an intake duct 112 that connects the substrate processing chamber 110 and the clean air space CL, By opening and closing the valve 113, gas flow between the substrate processing chamber 110 and the clean air space CL is prohibited / permitted.
[0039]
More specifically, the substrate processing chamber 110 has an intake port 114 for taking in clean air. One end of the intake duct 112 is connected to each of the intake ports 114. The other end of the intake duct 112 is connected to an intake port 115 formed facing the clean air space CL, whereby the substrate processing chamber 110 and the clean air space CL are communicated via the intake duct 112. I have. Further, a valve 113 that opens and closes to prohibit / permit the flow of gas in the intake duct 112 is provided at an intermediate portion of the intake duct 112.
[0040]
Further, an exhaust port 116 for exhausting the atmosphere in the substrate processing chamber 110 is formed in the substrate processing chamber 110. The exhaust port 116 has an exhaust port having one end connected to a utility exhaust pipe of a factory. The other end of the duct 117 is connected. A pressure sensor 118 for detecting the exhaust pressure in the exhaust duct 117 is provided in the middle of the exhaust duct 117.
[0041]
The output of the pressure sensor 118 is given to a control unit 119 composed of, for example, a microcomputer. The control unit 119 controls opening and closing of the valve 113 based on the output of the pressure sensor 118. That is, the control unit 119 opens the valve 113 while the exhaust pressure detected by the pressure sensor 118 is equal to or higher than the predetermined pressure value. Thereby, the clean air in the clean air space CL can be taken into the substrate processing chamber 110 through the intake port 115, the intake duct 112, and the intake port 114, and the atmosphere in the substrate processing chamber 110 is defined as the clean air. Can be replaced.
[0042]
On the other hand, when the exhaust pressure detected by the pressure sensor 118 becomes equal to or less than the predetermined pressure value, the control unit 119 closes the valve 113. Thereby, the flow of gas between the substrate processing chamber 110 and the clean air space CL is prevented, and the atmosphere in the substrate processing chamber 110 is prevented from leaking to the clean air space CL. Therefore, an effect similar to that of the above-described first embodiment can be obtained.
[0043]
The two embodiments of the present invention have been described above, but the present invention can be embodied in other forms. For example, in each of the embodiments described above, when the exhaust pressure from the substrate processing chamber becomes equal to or less than a predetermined pressure value, the flow of gas between the substrate processing chamber and the clean air space is prohibited. However, a means for detecting an exhaust flow rate and an exhaust flow rate from the substrate processing chamber is provided in the exhaust path, and when the exhaust flow rate is equal to or less than a predetermined flow rate value or the exhaust flow rate is equal to or less than the predetermined flow rate value, the substrate processing chamber The gas flow between the air and the clean air space may be prohibited.
[0044]
In the above-described embodiment, an apparatus for supplying a chemical solution to a wafer for processing is described as an example. However, for example, an apparatus for supplying a processing gas such as HMDS to a wafer for processing may be used. Can also be applied.
Furthermore, in the above-described embodiment, the substrate processing apparatus that performs processing on a wafer has been described as an example. However, the present invention is applicable to an apparatus that processes another type of substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device or a glass substrate for a PDP. Is also applicable.
[0045]
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a simplified plan view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a configuration for taking clean air into a double-sided brush cleaning unit, a second transport chamber, a front brush cleaning unit, and a third transport chamber.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a shutter mechanism.
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration for controlling opening and closing of a shutter mechanism.
FIG. 5 is an illustrative view for explaining another embodiment of the present invention;
[Explanation of symbols]
10 Substrate processing equipment
30 unloader
42 Second transfer chamber (substrate processing chamber)
43 Third transfer chamber (substrate processing chamber)
44 4th transfer room
50 Double-sided brush cleaning unit (substrate processing room)
60 Surface brush cleaning unit (substrate processing room)
70 Washing / drying section
81a, 81b, 81c, 81d, 116 Exhaust port (exhaust path)
82a, 82b, 82c, 82d, 117 Exhaust duct (exhaust path)
83a, 83b, 83c, 83d, 118 Pressure sensor (exhaust pressure detecting means)
84a, 84b, 84c, 84d, 114 intake (intake path)
85a, 85b, 85c, 85d, 112 Intake duct (intake path)
86a, 86b, 86c, 86d, 115 Intake port (intake path)
90 Shutter mechanism (opening / closing means, distribution prohibition / permission means)
100, 119 control unit
110 substrate processing room
113 valve (distribution prohibition / permission means)
CL Clean air space

Claims

A substrate processing chamber for supplying a processing fluid to the substrate and performing processing;
An exhaust path connecting the substrate processing chamber and a negative pressure source to exhaust the atmosphere in the substrate processing chamber;
In order to introduce clean air into the substrate processing chamber, an intake path connecting the substrate processing chamber and a clean air space,
Exhaust state detection means provided at any position of the exhaust path, for detecting an exhaust state in the exhaust path;
And Distribution Prohibited / Allowable means for prohibiting / permitting the flow of gas in the upper Symbol intake path,
A control unit for controlling the operation of the flow prohibition / permission means so as to prohibit the flow of gas in the intake path when the exhaust state detected by the exhaust state detection means falls below a predetermined state. See
The intake path has an intake port that opens at a tip of the intake path on the clean air space side,
The substrate processing apparatus, wherein the circulation prohibition / permission means is an opening / closing means for opening and closing the intake port .

  A substrate processing chamber for supplying a processing fluid to the substrate and performing processing;
  An exhaust path connecting the substrate processing chamber and a negative pressure source to exhaust the atmosphere in the substrate processing chamber;
  In order to introduce clean air into the substrate processing chamber, an intake path connecting the substrate processing chamber and a clean air space,
  Exhaust state detection means provided at any position of the exhaust path, for detecting an exhaust state in the exhaust path;
  Flow prohibition / permission means for prohibiting / permitting gas flow in the intake path;
  A control unit for controlling the operation of the flow prohibition / permission means so as to prohibit the flow of gas in the intake path when the exhaust state detected by the exhaust state detection means falls below a predetermined state. ,
  The intake path has an intake opening at a tip portion of the intake path on the substrate processing chamber side,
  The substrate processing apparatus, wherein the circulation prohibition / permission means is an opening / closing means for opening / closing the intake port.