JP3596415B2 - Inductive load drive circuit - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、モータやソレノイド等の誘導性負荷に電流を供給することで誘導性負荷を駆動するための誘導性負荷駆動回路であり、特に、過電流を検出する機能を備えた誘導性負荷駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、高精度の電流制御や電流検出を行い、負荷に電力供給することで負荷を駆動する負荷駆動回路が知られている。
そして、こうした負荷駆動回路には、負荷に通電する電流の過電流を検出する機能を備えたものがあり、例えば、負荷への通電経路を通電・遮断するパワーMOSFET等からなる第1スイッチング手段と、この第1スイッチング手段よりも小さい電流を通電するパワーMOSFET等からなる第2スイッチング手段とにより構成されるカレントミラー回路を用いて過電流を検出するものが挙げられる。なお、第1スイッチング手段および第2スイッチング手段は同一の駆動指令信号によって制御されており、第2スイッチング手段は、第1スイッチング手段に比例した電流(例えば、第1スイッチング手段:第2スイッチング手段=1000:1)を通電するよう構成されている。
【0003】
このように構成された過電流検出機能を有する負荷駆動回路では、例えば、負荷においてグランドショート(接地短絡)などの異常が発生して、第1スイッチング手段に過電流が流れた場合、第2スイッチング手段の電流は、第1スイッチング手段の過電流の例えば1000分の1(1/1000)となり、その電流を抵抗等に流して異常を検出する。
【0004】
他方、こうした負荷駆動回路には、例えば、モータやソレノイドなどの誘導性負荷を駆動制御(PWM(Pulse Width Modulation)制御など)するための誘導性負荷駆動回路がある。
そして、誘導性負荷は、通電される電流が急峻に変動すると、その両端にフライバック電圧(逆起電力)が瞬時的に発生するという特性がある。つまり、誘導性負荷のインダクタンス(例えば、数10[mH]程度)をLとすると、誘導性負荷の両端には、単位時間あたりの電流の変化割合に比例した電圧V(=−L(di/dt))が発生するのである。
【0005】
このため、駆動指令信号に基づき第1スイッチング手段がターンオフして誘導性負荷への通電を停止する際に、通電停止によって瞬時的に誘導性負荷の両端にフライバック電圧が発生して、第1電位V1がグランド電位(0[v])よりも低下することがある。このとき、第2スイッチング手段についても、駆動指令信号に基づきオフ状態となるが、第2電位V2はグランド電位よりも低下しないことから、第1電位V1が第2電位V2よりも低い状態となり、検出抵抗に大電流が流れ、誤って過電流を検出することになる。
【0006】
こうした問題に対して、過電流の検出を一定時間遅延させるフィルタを設けることで、過電流の誤検出を防ぐよう構成された誘導性負荷駆動回路があり、図2に概略構成を示す。図2に示す誘導性負荷駆動回路1aは、nチャネル型パワーMOSFETからなる第1トランジスタ51に流れる第1規定値より大きい過電流を検出するものである。
【0007】
そして、第1トランジスタ51は、ゲート駆動回路55から出力される駆動指令信号Sbに基づいて、図示しない直流電源からの出力(電源電圧)Vcが供給された電源ラインLVからの電流を誘導性負荷LLに供給するための第1通電経路を通電・遮断する。なお、ゲート駆動回路55は、制御ロジック57が出力する制御指令信号Saに応じて駆動指令信号Sbを出力しており、また、制御ロジック57は、誘導性負荷LLの電流制御を行うために、制御指令信号Saを出力している。
【0008】
そして、第1トランジスタ51の電流出力端の第1電位V1が、nチャネル型パワーMOSFETからなる第2トランジスタ53の電流出力端の第2電位V2よりも低下すると、第1コンパレータ61の出力信号がハイレベルとなりnpn型トランジスタからなる第3トランジスタ63が駆動される。これにより、第2トランジスタ53,第3トランジスタ63および抵抗65からなる第2通電経路に電流が流れ、この電流によって抵抗65の両端に生じる電位差が、過電流判定のために設定された定電圧電源69の出力電圧を上回ると、第2コンパレータ67の出力信号がハイレベルとなる。そして、第2コンパレータ67の出力信号はフィルタ71を介してゲート駆動回路55に入力されており、ゲート駆動回路55は、ハイレベルの信号が入力されると駆動指令信号Sbの出力を停止する。これにより、第1通電経路における通電が停止されて、第1トランジスタ51が過電流から保護される。
【0009】
このとき、フィルタ71は、第2コンパレータ67の出力信号が入力されてから一定期間(例えば、数μ秒〜10数μ秒)が経過すると、ゲート駆動回路55に対して出力信号を出力するように構成されている。
つまり、図2に示す過電流検出機能を備えた誘導性負荷駆動回路は、フィルタ71を設けて過電流の検出時期を遅延することで、瞬時的に発生する電圧変動では過電流と判定しないように構成されている。このため、誘導性負荷のフライバック電圧により発生する瞬時的な電圧変動が原因となって、誤って過電流と判定するのを防ぐことができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図2に示すような従来の誘導性負荷駆動回路では、第2コンパレータ67の出力信号がフィルタ71により遅延される遅延期間においては、通電経路に過電流が流れることになり、この過電流によって第1トランジスタ(第1スイッチング手段)51が破損する虞がある。
【0011】
ここで、第1スイッチング手段として用いられる半導体素子(パワーMOSFET等)は、通電可能な電流の容量が大きいものほど高価になるため、コスト的に優れた負荷駆動回路を実現するには、第1スイッチング手段として容量が小さい半導体素子を用いることが望ましい。このため、実際の誘導性負荷駆動回路においては、スイッチング手段として、負荷の定格電流よりも僅かに大きい容量の半導体素子を用いることが多い。
【0012】
そして、このように定格電流に対して余裕の少ないスイッチング手段を用いた誘導性負荷駆動回路において過電流検出を行うにあたり、信号出力の遅延処理を行うようにすると、遅延期間中に流れる過電流によってスイッチング手段が破損する可能性が高くなってしまう。
【0013】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、モータやソレノイド等の誘導性負荷に供給する電流の過電流を検出する際に、フライバック電圧による誤検出を抑えて正確に過電流を検出することができ、また、過電流によるスイッチング手段の破損が発生し難い誘導性負荷駆動回路を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明(請求項1)の誘導性負荷駆動回路によれば、誘導性負荷への通電停止により発生するフライバック電圧によって、誤って過電流と判定することが無くなり、正確に過電流を検出することができる。また、過電流検出時の対応処理を迅速に実施でき、第1スイッチング手段を過電流から保護できるため、過電流による第1スイッチング手段の破損が発生し難くなる。
【0015】
なお、制御指令信号が出力されない時には、第1スイッチング手段はオフ状態となり電流が流れないことから、第1通電経路に過電流が流れることはないため、過電流検出を停止することによる問題は無い。
ここで、上述の誘導性負荷駆動回路におけるスイッチング手段としては、例えば、バイポーラトランジスタや電解効果トランジスタ(FET)などを用いることができるが、請求項2に記載のように、nチャネル型MOSFETからなる第1スイッチング手段と、第1スイッチング手段が流す電流よりも小さい電流を流すnチャネル型MOSFETからなる第2スイッチング手段とを用いるとよい。
【0016】
つまり、MOSFETは、バイポーラトランジスタに比べて通電経路における抵抗が小さく、高速スイッチングが可能であることから、大電流のスイッチング特性に優れており、直流電源から負荷への通電経路の通電・遮断を行うのに適している。また、MOSFETは、キャリアの種類(正孔または電子)によりnチャネル型とpチャネル型とに分かれるが、nチャネル型はpチャネル型に比べて安価であるため、nチャネル型MOSFETを用いた負荷駆動回路は低コストで実現できる。
【0017】
また、1つの指令信号(駆動指令信号)により、第1スイッチング手段および第2スイッチング手段をそれぞれ同時に駆動制御することができるため、第1電位と第2電位との比較により過電流の検出が可能となる。また、第1通電経路に流れる電流に比例した電流を、第2通電経路に流すことが可能となり、さらに、このとき第2通電経路に流れる電流は小さいことから、過電流検出を行うに際しての電力消費量が小さくなる。
【0018】
次に、上述の誘導性負荷駆動回路は、請求項3の記載によれば、第2スイッチング手段に流れる電流は、第1スイッチング手段に流れる電流に比例することから、第2通電経路には、第1通電経路に比例した電流が流れる。そして、第1通電経路に第1規定値を超える過電流が流れる際には、第2通電経路に流れる電流は、第1規定値に応じて設定された第2規定値を超えることになり、第2通電経路に流れる電流に基づいて第1通電経路における過電流を検出することができる。
【0019】
このように、第1電位と第2電位との比較に加えて、第2通電経路に流れる電流に基づき第1通電経路における電流値を判定して過電流を検出することで、第1電位と第2電位との比較のみによる過電流検出に比べて、より正確に過電流を検出することができる。
【0020】
よって、本発明(請求項3)によれば、第1通電経路における過電流をより正確に検出することができるため、第1スイッチング手段をより確実に保護することが可能となる。
また、本発明(請求項4)の誘導性負荷駆動回路によれば、過電流検出手段を新規に開発すること無く、過電流検出停止手段を追設することで、フライバック電圧による影響を抑えることができることから、過電流の誤検出を抑えられる誘導性負荷駆動回路を低コストで実現できる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図面と共に説明する。
図1は、誘導性負荷の駆動制御を行うための誘導性負荷駆動回路の概略構成図であり、本誘導性負荷駆動回路は、過電流検出機能を備えている。
【0022】
図1に示すように、本実施例の誘導性負荷駆動回路は、図示しない直流電源からの出力(例えば、電源電圧12[v])Vcが供給された電源ラインLVからの電流を誘導性負荷LLに供給するための第1通電経路を通電・遮断するnチャネル型パワーMOSFETからなる第1トランジスタ11と、電源ラインLVからの電流を抵抗25に供給する第2通電経路を通電・遮断するnチャネル型パワーMOSFETからなる第2トランジスタ13と、第1トランジスタ11および第2トランジスタ13を駆動するための駆動指令信号Sbを出力するゲート駆動回路15と、誘導性負荷LLを駆動制御するための制御指令信号Saを出力する制御ロジック17と、を備えている。
【0023】
そして、制御ロジック17は、CMOSトランジスタを用いたプロセスを使用したマイコンで構成され、図示しない電源装置(例えば、出力電圧5[v])からの電力供給により動作しており、複雑な制御処理を実施して誘導性負荷LLを制御するための制御指令信号Saを出力している。
【0024】
また、ゲート駆動回路15は、チャージポンプを備えており、制御ロジック17から出力される制御指令信号Saに応じて、第1トランジスタ11および第2トランジスタ13を駆動可能な駆動指令信号Sbを出力する。つまり、ゲート駆動回路15は、低電位の信号(制御指令信号Sa)を高電位の信号(駆動指令信号Sb)に変換する回路であり、制御指令信号Saに応じて、制御指令信号Saよりも高電位の駆動指令信号Sbを出力する。
【0025】
さらに、第1トランジスタ11は、ゲートがゲート駆動回路15における駆動指令信号Sbの出力端子に接続され、ドレインが電源ラインLVに接続され、ソースが誘導性負荷LLに接続されている。そして、駆動指令信号Sbがハイレベルとなると、第1トランジスタ11はオン状態となり、電源ラインLVから誘導性負荷LLへの第1通電経路に電流が流れる。
【0026】
よって、本誘導性負荷駆動回路1では、制御ロジック17が制御指令信号Saをハイレベルとすると、ゲート駆動回路15が駆動指令信号Sbをハイレベルとし、これにより、第1トランジスタ11がオン状態となることで、第1通電経路を通じて電源ラインLVから誘導性負荷LLへの電力供給が行われる。
【0027】
また、第2トランジスタ13は、ゲートがゲート駆動回路15における駆動指令信号Sbの出力端子に接続され、ドレインが電源ラインLVに接続されており、駆動指令信号Sbがハイレベルとなるとオン状態となり、また、第1トランジスタ11に比例した小さい電流を流すよう構成されている。
【0028】
そして、本誘導性負荷駆動回路1は、上記構成に加えて、第1トランジスタ11のソースに反転入力端子(−)が接続され、第2トランジスタ13のソースに非反転入力端子(+)が接続された第1比較器(以下、第1コンパレータという)21と、第2トランジスタ13のソースにコレクタが接続されるとともに、第1コンパレータ21の出力端子にベースが接続されたnpn型トランジスタからなる第3トランジスタ23と、第3トランジスタ23のエミッタに一端が接続され、他端が接地された抵抗25と、第3トランジスタ23のエミッタと抵抗25との接続点に非反転入力端子(+)が接続され、ゲート駆動回路15に出力端子が接続された第2比較器(以下、第2コンパレータという)27と、第2コンパレータ27の反転入力端子(−)に正極が接続され、負極が接地された定電圧電源29と、を備えている。
【0029】
そして、第1トランジスタ11のソースの電位(以下、第1電位という)V1が、第2トランジスタ13のソースの電位(以下、第2電位という)V2よりも低下すると、第1コンパレータ21が出力する出力信号Scがハイレベルとなり、第3トランジスタ23がオン状態となる。すると、電源ラインLVから第2トランジスタ13、第3トランジスタ23、抵抗25を介してグランド(接地)に通じる第2通電経路に電流が流れる。
【0030】
ここで、例えば、誘導性負荷LLにおいてグランドショート(接地短絡)などの異常が発生すると、第1トランジスタ11に過電流が流れるとともに、第1電位V1はグランド電位(0[v])となるため、第1電位V1が第2電位V2よりも低下する。このため、第1コンパレータ21は、第1電位V1と第2電位V2とを比較することで、第1通電経路における過電流を検出している。
【0031】
そして、第1通電経路に過電流が流れると、第1コンパレータ21が第3トランジスタ23を駆動することにより、第2通電経路に電流が流れることになり、このとき第2通電経路に流れる電流は、第1通電経路に流れる電流に比例した大きさとなる。また、抵抗25の両端には、第2通電経路に流れる電流に比例する電位差が発生するため、抵抗25の両端電圧は、第1通電経路に流れる電流に比例した大きさになる。
【0032】
このとき、定電圧電源29は、抵抗25の抵抗値と、第2通電経路における電流の第2規定値との乗算により得られる電圧値と等しい電圧を出力する定電圧電源にて構成されている。なお、第2規定値は、第1通電経路にて第1規定値と等しい電流が流れる際に第2通電経路に流れる電流値である。また、第1規定値は、第1トランジスタ11に流れる電流における過電流の指標であり、第1規定値よりも大きい電流が過電流である。
【0033】
そして、第2コンパレータ27は、抵抗25の両端電圧が定電圧電源29の出力電圧より大きくなると、ハイレベルの信号をゲート駆動回路15に対して出力する。つまり、第2コンパレータ27は、第2通電経路を流れる電流に基づき第1通電経路に流れる電流を検出し、第1通電経路に流れる電流が第1規定値よりも大きくなることで、過電流を検出したことをゲート駆動回路15に通知するのである。
【0034】
よって、本誘導性負荷駆動回路1は、第1コンパレータ21が、第1電位V1と第2電位V2とを比較すると共に、さらに、第2コンパレータ27が第2通電経路に流れる電流に基づき第1通電経路に流れる電流を検出することで、第1トランジスタ11に流れる過電流を検出している。
【0035】
このように、各トランジスタの電流出力端における電位の比較だけではなく、第1通電経路に流れる電流を検出して過電流を判定することにより、より精度良く過電流を検出することが可能となる。また、第1コンパレータ21が第3トランジスタ23を駆動するときのみ第2通電経路に電流を流すことから、常に第2通電経路に電流を流す場合に比べて、過電流検出に必要な電力消費量を抑えることができる。
【0036】
そして、第2コンパレータ27からの信号が入力されたゲート駆動回路15は、制御指令信号Saの状態に拘わらず、駆動指令信号Sbの出力を停止してローレベルとし、第1トランジスタ11をオフ状態にする。これにより、第1通電経路における通電が停止されて、第1トランジスタ11は過電流から保護される。
【0037】
さらに、本誘導性負荷駆動回路1は、制御指令信号Saに基づき過電流検出を停止させる過電流検出停止回路31が備えられている。そして、この過電流検出停止回路31は、信号レベルを反転させるインバータ回路33と、抵抗35と、npn型トランジスタからなる検出停止用トランジスタ37とを備えている。
【0038】
まず、インバータ回路33は、入力端子へ入力される入力信号がハイレベル(例えば、電位5[v])の場合にはローレベル(例えば、グランド電位0[v])の信号を出力し、入力信号がローレベルの場合には、ハイレベルの信号を出力するよう構成されている。そして、インバータ回路33は、入力端子が、制御ロジック17における制御指令信号Saの出力端子に接続されている。
【0039】
また、検出停止用トランジスタ37は、ベースが抵抗35を介してインバータ回路33の出力端子と接続され、コレクタが第3トランジスタ23のベースに接続され、エミッタが接地されている。
このため、過電流検出停止回路31では、制御指令信号Saがローレベルの場合には、インバータ回路33の出力信号がハイレベルとなり、検出停止用トランジスタ37がオン状態となる。これにより、第3トランジスタ23のベース電位はローレベルに維持されることになり、第1コンパレータ21の動作に拘わらず、第3トランジスタ23は強制的にオフ状態に維持される。このため、第2通電経路に電流が流れることが無くなり、第2コンパレータ27がハイレベルの信号を出力することはない。
【0040】
また、制御指令信号Saがハイレベルの場合には、インバータ回路33の出力信号がローレベルとなり、検出停止用トランジスタ37がオフ状態となる。これにより、第3トランジスタ23のベース電位は第1コンパレータ21により決定されることになり、第1コンパレータ21が過電流を検出すると第3トランジスタ23はオン状態となり第2通電経路に電流が流れる。
【0041】
よって、過電流検出停止回路31は、制御指令信号Saがローレベルとなる時には、第3トランジスタ23を強制的にオフ状態にすることで、第2コンパレータ27による過電流の検出を停止させる。
したがって、本誘導性負荷駆動回路1においては、誘導性負荷LLの駆動制御において通電を停止した際に発生するフライバック電圧(逆起電力)によって第1電位V1が第2電位V2よりも低電位となり、第1コンパレータ21が過電流を検出しても、過電流検出停止回路31の動作により第2コンパレータ27が過電流を検出することが無くなるため、フライバック電圧による過電流の誤検出を防ぐことができる。
【0042】
なお、本実施例においては、制御ロジック17が特許請求の範囲における制御手段に相当し、ゲート駆動回路15が駆動手段に相当し、第1トランジスタ11が第1スイッチング手段に相当し、第1トランジスタ11のゲートが第1スイッチング手段の制御端子に相当し、第2トランジスタ13が第2スイッチング手段に相当し、第2トランジスタ13のゲートが第2スイッチング手段の制御端子に相当し、第1コンパレータ21が過電流検出手段に相当し、第2コンパレータ27および定電圧電源29が保護手段に相当し、過電流検出停止回路31が過電流検出停止手段に相当し、第3トランジスタ23が第3スイッチング手段に相当し、抵抗25が第2電流検出手段に相当し、第1コンパレータ21の出力信号Scが過電流検出信号に相当する。
【0043】
以上説明したように、本実施例の誘導性負荷駆動回路1によれば、制御指令信号Saが出力されないときには過電流検出を行わないことから、誘導性負荷LLへの通電停止により発生するフライバック電圧によって、誤って過電流と判定することが無くなり、正確に過電流を検出することができる。また、過電流検出時における第1通電経路の通電停止処理を迅速に実行でき、第1トランジスタを過電流から保護できるため、過電流による第1トランジスタの破損が発生し難くなる。
【0044】
なお、制御指令信号Saが出力されない時には、第1トランジスタ11はオフ状態となり電流が流れないことから、第1通電経路に過電流が流れることはないため、過電流検出を停止しても問題はない。また、誘導性負荷LLへの通電開始時に発生するフライバック電圧については、ゲート駆動回路15がチャージポンプを用いて駆動指令信号Sbを生成することから、駆動指令信号Sbの立ち上がり速度が比較的遅いため、フライバック電圧は小さくなり過電流検出に対する影響はない。
【0045】
また、本実施例の誘導性負荷駆動回路によれば、駆動指令信号Sbによって第1トランジスタ11および第2トランジスタ13をそれぞれ同時に駆動制御することができるため、第1電位V1と第2電位V2との比較により過電流の検出が可能となる。また、第2通電経路に流れる電流が小さい電流であることから、過電流検出を行うに際しての電力消費量を抑えることができる。
【0046】
さらに、第1電位V1と第2電位V2との比較に加えて、第2通電経路に流れる電流に基づき第1通電経路における電流値を判定して過電流を検出するため、第1電位と第2電位との比較のみによる過電流検出に比べて、より正確に過電流を検出することができる。
【0047】
また、本実施例の誘導性負荷駆動回路は、従来から使用されている第1コンパレータ21をそのまま用いることができ、また、従来の誘導性負荷駆動回路に過電流検出停止回路31を追設することで容易に実現することができるため、過電流の誤検出を抑えられる誘導性負荷駆動回路を低コストで実現できる。
【0048】
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の態様を採ることができる。
例えば、制御ロジック17へ電力供給する電源装置の出力電圧は、5[v]に限ることはなく、制御ロジック17を駆動可能な電圧値であればよい。また、電源ラインLVに供給される電源電圧も、12[v]に限ることはなく、誘導性負荷LLに応じた電圧値であればよい。
【0049】
そして、過電流検出の停止方法については、例えば、第1コンパレータ21と第3トランジスタ23とを接続する信号経路を開放・短絡する信号遮断用スイッチング手段を設けて、過電流検出停止回路31が、信号遮断用スイッチング手段のオン・オフ状態を制御するように構成してもよい。
【0050】
さらに、上記実施例では、第1トランジスタおよび第2トランジスタとしてnチャネル型MOSFETを用いた負荷駆動回路について説明したが、これらのトランジスタは、pチャネル型MOSFETを用いて構成しても良く、また、バイポーラトランジスタを用いても良い。さらに、上記実施例では、第1トランジスタおよび第2トランジスタが、通電経路において負荷よりも高電位側に設けられたハイサイドスイッチとして備えられているが、これらトランジスタがローサイドスイッチとして備えられた負荷駆動回路に本発明を適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の誘導性負荷駆動回路の概略構成図である。
【図2】従来の誘導性負荷駆動回路の概略構成図である。
【符号の説明】
1…誘導性負荷駆動回路、11…第1トランジスタ、13…第2トランジスタ、15…ゲート駆動回路、17…制御ロジック、21…第1コンパレータ、23…第3トランジスタ、25…抵抗、27…第2コンパレータ、29…定電圧電源、31…過電流検出停止回路、33…インバータ回路、35…抵抗、37…検出停止用トランジスタ、LL…誘導性負荷、LV…電源ライン。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an inductive load driving circuit for driving an inductive load by supplying a current to an inductive load such as a motor or a solenoid, and particularly to an inductive load driving circuit having a function of detecting an overcurrent. Circuit.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art A load driving circuit that drives a load by performing current control and current detection with high accuracy and supplying power to the load has been known.
Some of such load drive circuits have a function of detecting an overcurrent of a current flowing through the load. For example, the load driving circuit includes a first switching unit including a power MOSFET or the like that conducts / cuts off a current path to the load. One that detects an overcurrent by using a current mirror circuit constituted by a second switching means composed of a power MOSFET or the like that supplies a smaller current than the first switching means. The first switching means and the second switching means are controlled by the same drive command signal, and the second switching means has a current proportional to the first switching means (for example, the first switching means: the second switching means = 1000: 1).
[0003]
In the load drive circuit having the overcurrent detection function configured as described above, for example, when an abnormality such as a ground short (ground short) occurs in the load and an overcurrent flows through the first switching means, the second switching is performed. The current of the means becomes, for example, 1/1000 (1/1000) of the overcurrent of the first switching means, and the abnormality is detected by flowing the current through a resistor or the like.
[0004]
On the other hand, such a load drive circuit includes, for example, an inductive load drive circuit for drive-controlling (such as PWM (Pulse Width Modulation) control) an inductive load such as a motor or a solenoid.
Then, the inductive load has a characteristic that when a current to be supplied fluctuates sharply, a flyback voltage (back electromotive force) is instantaneously generated at both ends thereof. That is, assuming that the inductance of the inductive load (for example, about several tens [mH]) is L, a voltage V (= −L (di / di / dt)) occurs.
[0005]
For this reason, when the first switching means is turned off based on the drive command signal to stop energizing the inductive load, a flyback voltage is instantaneously generated at both ends of the inductive load due to the stop of energizing, and the first switching means is turned off. The potential V1 may be lower than the ground potential (0 [v]). At this time, the second switching means is also turned off based on the drive command signal, but since the second potential V2 does not drop below the ground potential, the first potential V1 is lower than the second potential V2, A large current flows through the detection resistor, and an overcurrent is erroneously detected.
[0006]
To solve such a problem, there is an inductive load drive circuit configured to prevent an erroneous detection of an overcurrent by providing a filter that delays the detection of the overcurrent for a predetermined time. FIG. The inductive load driving circuit 1a shown in FIG. 2 detects an overcurrent that flows through a first transistor 51 composed of an n-channel power MOSFET and is larger than a first specified value.
[0007]
Then, based on the drive command signal Sb output from the gate drive circuit 55, the first transistor 51 transfers the current from the power supply line LV to which the output (power supply voltage) Vc from the DC power supply (not shown) is supplied to the inductive load. The first energizing path for supplying to the LL is energized and cut off. Note that the gate drive circuit 55 outputs a drive command signal Sb in accordance with the control command signal Sa output by the control logic 57, and the control logic 57 performs current control of the inductive load LL. The control command signal Sa is output.
[0008]
When the first potential V1 at the current output terminal of the first transistor 51 becomes lower than the second potential V2 at the current output terminal of the second transistor 53 composed of an n-channel type power MOSFET, the output signal of the first comparator 61 changes. It becomes high level, and the third transistor 63 composed of an npn-type transistor is driven. As a result, a current flows through the second conduction path including the second transistor 53, the third transistor 63, and the resistor 65, and a potential difference generated between both ends of the resistor 65 due to the current is a constant voltage power supply set for overcurrent determination. When the output voltage of the second comparator 67 is exceeded, the output signal of the second comparator 67 becomes high level. The output signal of the second comparator 67 is input to the gate drive circuit 55 via the filter 71. When the high-level signal is input, the gate drive circuit 55 stops outputting the drive command signal Sb. Thereby, the energization in the first energization path is stopped, and the first transistor 51 is protected from overcurrent.
[0009]
At this time, the filter 71 outputs an output signal to the gate drive circuit 55 when a certain period (for example, several μsec to several tens μsec) has elapsed since the output signal of the second comparator 67 was input. Is configured.
In other words, the inductive load drive circuit having the overcurrent detection function shown in FIG. 2 is provided with the filter 71 to delay the detection time of the overcurrent so that the instantaneous voltage fluctuation does not determine the overcurrent. Is configured. For this reason, it is possible to prevent an erroneous determination of an overcurrent due to an instantaneous voltage fluctuation generated by the flyback voltage of the inductive load.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional inductive load drive circuit as shown in FIG. 2, during a delay period in which the output signal of the second comparator 67 is delayed by the filter 71, an overcurrent flows through the conduction path. As a result, the first transistor (first switching means) 51 may be damaged.
[0011]
Here, the semiconductor device (such as a power MOSFET) used as the first switching means becomes more expensive as the current carrying capacity is larger. It is desirable to use a semiconductor element having a small capacity as the switching means. For this reason, in an actual inductive load drive circuit, a semiconductor element having a capacity slightly larger than the rated current of the load is often used as the switching means.
[0012]
When detecting an overcurrent in an inductive load drive circuit using a switching means having a small margin with respect to the rated current as described above, if a delay process of signal output is performed, an overcurrent flowing during the delay period causes The possibility that the switching means is damaged increases.
[0013]
The present invention has been made in view of such a problem, and when detecting an overcurrent of a current supplied to an inductive load such as a motor or a solenoid, suppresses erroneous detection due to a flyback voltage and accurately detects the overcurrent. It is another object of the present invention to provide an inductive load driving circuit that can prevent the switching means from being damaged by an overcurrent.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
According to the inductive load driving circuit of the present invention (claim 1), it is not possible to erroneously determine an overcurrent due to a flyback voltage generated by stopping the supply of current to the inductive load, and the overcurrent is accurately detected. be able to. In addition, the processing for detecting the overcurrent can be performed quickly, and the first switching means can be protected from the overcurrent, so that the first switching means is less likely to be damaged by the overcurrent.
[0015]
When the control command signal is not output, the first switching means is turned off and no current flows, so that no overcurrent flows in the first energizing path. Therefore, there is no problem caused by stopping the overcurrent detection. .
Here, as the switching means in the above-described inductive load driving circuit, for example, a bipolar transistor or a field effect transistor (FET) can be used. It is preferable to use a first switching means and a second switching means composed of an n-channel MOSFET for flowing a current smaller than the current flowing by the first switching means.
[0016]
That is, since the MOSFET has a smaller resistance in the current path than the bipolar transistor and can perform high-speed switching, the MOSFET has excellent switching characteristics of a large current, and conducts and cuts off the current path from the DC power supply to the load. Suitable for MOSFETs are classified into an n-channel type and a p-channel type depending on the type of carriers (holes or electrons). Since the n-channel type is less expensive than the p-channel type, the load using the n-channel type MOSFET is low. The drive circuit can be realized at low cost.
[0017]
In addition, since the first switching means and the second switching means can be simultaneously driven and controlled by one command signal (drive command signal), overcurrent can be detected by comparing the first potential with the second potential. It becomes. In addition, a current proportional to the current flowing in the first current path can flow in the second current path, and the current flowing in the second current path is small at this time. The consumption is reduced.
[0018]
Next, according to the third aspect of the present invention, since the current flowing through the second switching means is proportional to the current flowing through the first switching means, the inductive load driving circuit includes: A current proportional to the first current path flows. Then, when an overcurrent exceeding the first specified value flows through the first current path, the current flowing through the second current path exceeds the second specified value set according to the first specified value, An overcurrent in the first current path can be detected based on the current flowing in the second current path.
[0019]
As described above, in addition to the comparison between the first potential and the second potential, the current value in the first current path is determined based on the current flowing in the second current path to detect an overcurrent, so that the first potential and the second potential are detected. The overcurrent can be detected more accurately as compared with the overcurrent detection based only on the comparison with the second potential.
[0020]
Therefore, according to the present invention (claim 3), the overcurrent in the first energization path can be detected more accurately, so that the first switching means can be more reliably protected.
Further, according to the inductive load drive circuit of the present invention (claim 4), the influence of the flyback voltage is suppressed by adding the overcurrent detection stop means without newly developing the overcurrent detection means. Therefore, an inductive load drive circuit that can suppress erroneous detection of overcurrent can be realized at low cost.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an inductive load drive circuit for performing drive control of an inductive load. The inductive load drive circuit has an overcurrent detection function.
[0022]
As shown in FIG. 1, the inductive load driving circuit according to the present embodiment converts the current from the power supply line LV supplied with the output (for example, power supply voltage 12 [v]) Vc from a DC power supply (not shown) into an inductive load. A first transistor 11 composed of an n-channel type power MOSFET for energizing / disconnecting a first energizing path for supplying to the LL, and an n for energizing / disabling a second energizing path for supplying current from the power supply line LV to the resistor 25 A second transistor 13 composed of a channel type power MOSFET, a gate drive circuit 15 for outputting a drive command signal Sb for driving the first transistor 11 and the second transistor 13, and a control for driving and controlling the inductive load LL And a control logic 17 for outputting the command signal Sa.
[0023]
The control logic 17 is configured by a microcomputer using a process using a CMOS transistor, and operates by power supply from a power supply device (for example, an output voltage of 5 [v]) (not shown), and performs complicated control processing. A control command signal Sa for controlling the inductive load LL is output.
[0024]
Further, the gate drive circuit 15 includes a charge pump, and outputs a drive command signal Sb capable of driving the first transistor 11 and the second transistor 13 according to a control command signal Sa output from the control logic 17. . That is, the gate drive circuit 15 is a circuit that converts a low-potential signal (control command signal Sa) into a high-potential signal (drive command signal Sb), and in accordance with the control command signal Sa, A high-potential drive command signal Sb is output.
[0025]
Further, the first transistor 11 has a gate connected to the output terminal of the drive command signal Sb in the gate drive circuit 15, a drain connected to the power supply line LV, and a source connected to the inductive load LL. Then, when the drive command signal Sb goes to a high level, the first transistor 11 is turned on, and a current flows through the first current path from the power supply line LV to the inductive load LL.
[0026]
Therefore, in the inductive load drive circuit 1, when the control logic 17 sets the control command signal Sa to the high level, the gate drive circuit 15 sets the drive command signal Sb to the high level, whereby the first transistor 11 is turned on. As a result, power is supplied from the power supply line LV to the inductive load LL through the first power supply path.
[0027]
The second transistor 13 has a gate connected to the output terminal of the drive command signal Sb in the gate drive circuit 15, a drain connected to the power supply line LV, and is turned on when the drive command signal Sb goes to a high level. Further, a small current proportional to the first transistor 11 flows.
[0028]
In addition to the above configuration, the inductive load driving circuit 1 has an inverting input terminal (-) connected to the source of the first transistor 11 and a non-inverting input terminal (+) connected to the source of the second transistor 13. A first comparator (hereinafter, referred to as a first comparator) 21 and an npn-type transistor having a collector connected to the source of the second transistor 13 and a base connected to the output terminal of the first comparator 21. A non-inverting input terminal (+) is connected to the third transistor 23, a resistor 25 having one end connected to the emitter of the third transistor 23 and the other end grounded, and a connection point between the emitter of the third transistor 23 and the resistor 25. A second comparator (hereinafter, referred to as a second comparator) 27 having an output terminal connected to the gate drive circuit 15, and an inverting input of the second comparator 27. Child (-) cathode is connected to, and a constant voltage power source 29 for the negative electrode is grounded and.
[0029]
When the potential of the source of the first transistor 11 (hereinafter, referred to as a first potential) V1 becomes lower than the potential of the source of the second transistor 13 (hereinafter, referred to as a second potential) V2, the first comparator 21 outputs. The output signal Sc becomes high level, and the third transistor 23 is turned on. Then, a current flows from the power supply line LV to the second conduction path leading to the ground (ground) via the second transistor 13, the third transistor 23, and the resistor 25.
[0030]
Here, for example, when an abnormality such as a ground short (ground short) occurs in the inductive load LL, an overcurrent flows through the first transistor 11 and the first potential V1 becomes the ground potential (0 [v]). , The first potential V1 becomes lower than the second potential V2. Therefore, the first comparator 21 detects an overcurrent in the first conduction path by comparing the first potential V1 with the second potential V2.
[0031]
When an overcurrent flows in the first current path, the first comparator 21 drives the third transistor 23 to cause a current to flow in the second current path. At this time, the current flowing in the second current path is , The magnitude is proportional to the current flowing through the first current path. In addition, since a potential difference proportional to the current flowing through the second current path occurs at both ends of the resistor 25, the voltage across the resistor 25 has a magnitude proportional to the current flowing through the first current path.
[0032]
At this time, the constant voltage power supply 29 is configured by a constant voltage power supply that outputs a voltage equal to the voltage value obtained by multiplying the resistance value of the resistor 25 by the second specified value of the current in the second current path. . The second specified value is a value of a current flowing through the second current path when a current equal to the first specified value flows through the first current path. The first specified value is an index of an overcurrent in the current flowing through the first transistor 11, and a current larger than the first specified value is an overcurrent.
[0033]
Then, the second comparator 27 outputs a high-level signal to the gate drive circuit 15 when the voltage across the resistor 25 becomes higher than the output voltage of the constant voltage power supply 29. That is, the second comparator 27 detects the current flowing in the first current path based on the current flowing in the second current path, and detects the overcurrent by making the current flowing in the first current path larger than the first specified value. The detection is notified to the gate drive circuit 15.
[0034]
Therefore, in the inductive load driving circuit 1, the first comparator 21 compares the first potential V1 with the second potential V2, and furthermore, the second comparator 27 performs the first based on the current flowing through the second current path. By detecting the current flowing in the current path, an overcurrent flowing in the first transistor 11 is detected.
[0035]
As described above, not only the comparison of the potentials at the current output terminals of the transistors, but also the detection of the overcurrent by detecting the current flowing through the first energizing path enables the overcurrent to be detected with higher accuracy. . Further, since the current flows through the second conduction path only when the first comparator 21 drives the third transistor 23, the power consumption required for detecting the overcurrent is smaller than when the current always flows through the second conduction path. Can be suppressed.
[0036]
Then, the gate drive circuit 15 to which the signal from the second comparator 27 has been input stops the output of the drive command signal Sb to a low level regardless of the state of the control command signal Sa, and turns off the first transistor 11. To Thereby, the energization in the first energization path is stopped, and the first transistor 11 is protected from overcurrent.
[0037]
Further, the inductive load drive circuit 1 includes an overcurrent detection stop circuit 31 that stops overcurrent detection based on the control command signal Sa. The overcurrent detection stop circuit 31 includes an inverter circuit 33 for inverting a signal level, a resistor 35, and a detection stop transistor 37 formed of an npn transistor.
[0038]
First, when the input signal input to the input terminal is at a high level (for example, a potential of 5 [v]), the inverter circuit 33 outputs a signal of a low level (for example, a ground potential of 0 [v]). When the signal is at a low level, a high-level signal is output. The input terminal of the inverter circuit 33 is connected to the output terminal of the control command signal Sa in the control logic 17.
[0039]
The detection stop transistor 37 has a base connected to the output terminal of the inverter circuit 33 via the resistor 35, a collector connected to the base of the third transistor 23, and an emitter grounded.
Therefore, in the overcurrent detection stop circuit 31, when the control command signal Sa is at a low level, the output signal of the inverter circuit 33 is at a high level, and the detection stop transistor 37 is turned on. As a result, the base potential of the third transistor 23 is maintained at the low level, and the third transistor 23 is forcibly maintained in the off state regardless of the operation of the first comparator 21. Therefore, current does not flow through the second conduction path, and the second comparator 27 does not output a high-level signal.
[0040]
When the control command signal Sa is at a high level, the output signal of the inverter circuit 33 is at a low level, and the detection stop transistor 37 is turned off. As a result, the base potential of the third transistor 23 is determined by the first comparator 21, and when the first comparator 21 detects an overcurrent, the third transistor 23 is turned on and a current flows through the second current path.
[0041]
Therefore, the overcurrent detection stop circuit 31 stops the detection of the overcurrent by the second comparator 27 by forcibly turning off the third transistor 23 when the control command signal Sa becomes low level.
Therefore, in the present inductive load drive circuit 1, the first potential V1 is lower than the second potential V2 due to the flyback voltage (back electromotive force) generated when the power supply is stopped in the drive control of the inductive load LL. Even if the first comparator 21 detects an overcurrent, the operation of the overcurrent detection stop circuit 31 prevents the second comparator 27 from detecting the overcurrent, thereby preventing erroneous detection of the overcurrent due to the flyback voltage. be able to.
[0042]
In this embodiment, the control logic 17 corresponds to the control means in the claims, the gate drive circuit 15 corresponds to the drive means, the first transistor 11 corresponds to the first switching means, and the first transistor 11 corresponds to a control terminal of the first switching means, the second transistor 13 corresponds to the second switching means, and the gate of the second transistor 13 corresponds to the control terminal of the second switching means. Corresponds to overcurrent detection means, the second comparator 27 and the constant voltage power supply 29 correspond to protection means, the overcurrent detection stop circuit 31 corresponds to overcurrent detection stop means, and the third transistor 23 corresponds to third switching means. , The resistor 25 corresponds to the second current detection means, and the output signal Sc of the first comparator 21 corresponds to the overcurrent detection signal. To.
[0043]
As described above, according to the inductive load drive circuit 1 of the present embodiment, the overcurrent detection is not performed when the control command signal Sa is not output, so that the flyback generated by stopping the power supply to the inductive load LL. The voltage does not cause erroneous determination of an overcurrent, and the overcurrent can be accurately detected. In addition, the power supply stop processing of the first power supply path at the time of overcurrent detection can be executed quickly, and the first transistor can be protected from overcurrent, so that the first transistor is less likely to be damaged by the overcurrent.
[0044]
When the control command signal Sa is not output, the first transistor 11 is turned off and no current flows. Therefore, no overcurrent flows in the first current path. Absent. As for the flyback voltage generated at the start of energization to the inductive load LL, the rising speed of the drive command signal Sb is relatively slow because the gate drive circuit 15 generates the drive command signal Sb using the charge pump. Therefore, the flyback voltage is reduced, and there is no effect on overcurrent detection.
[0045]
Further, according to the inductive load drive circuit of the present embodiment, the first transistor 11 and the second transistor 13 can be simultaneously driven and controlled by the drive command signal Sb, so that the first potential V1 and the second potential V2 are , The overcurrent can be detected. Further, since the current flowing through the second current path is a small current, it is possible to suppress power consumption when performing overcurrent detection.
[0046]
Further, in addition to comparing the first potential V1 and the second potential V2, the current value in the first current path is determined based on the current flowing in the second current path to detect an overcurrent. The overcurrent can be detected more accurately as compared with the overcurrent detection based only on the comparison with the two potentials.
[0047]
Further, the inductive load drive circuit of the present embodiment can use the first comparator 21 conventionally used as it is, and additionally includes an overcurrent detection stop circuit 31 in the conventional inductive load drive circuit. Therefore, an inductive load driving circuit capable of suppressing erroneous detection of overcurrent can be realized at low cost.
[0048]
As mentioned above, although one Example of this invention was described, this invention is not limited to the said Example, A various aspect can be employ | adopted.
For example, the output voltage of the power supply device that supplies power to the control logic 17 is not limited to 5 [v], but may be any voltage value that can drive the control logic 17. The power supply voltage supplied to the power supply line LV is not limited to 12 [v], but may be any voltage value according to the inductive load LL.
[0049]
As a method of stopping the overcurrent detection, for example, a signal cutoff switching unit that opens and shorts a signal path connecting the first comparator 21 and the third transistor 23 is provided. The on / off state of the signal cutoff switching means may be controlled.
[0050]
Further, in the above embodiment, the load drive circuit using the n-channel MOSFET as the first transistor and the second transistor has been described. However, these transistors may be configured using the p-channel MOSFET. Bipolar transistors may be used. Further, in the above embodiment, the first transistor and the second transistor are provided as high-side switches provided on the higher potential side than the load in the conduction path. The present invention can be applied to a circuit.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an inductive load driving circuit according to an embodiment.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional inductive load driving circuit.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Inductive load drive circuit, 11 ... 1st transistor, 13 ... 2nd transistor, 15 ... Gate drive circuit, 17 ... Control logic, 21 ... 1st comparator, 23 ... 3rd transistor, 25 ... Resistance, 27 ... 2 Comparator, 29 constant-voltage power supply, 31 overcurrent detection stop circuit, 33 inverter circuit, 35 resistor, 37 detection stop transistor, LL inductive load, LV power supply line.

Claims (4)

直流電源から誘導性負荷への第1通電経路に設けられ、制御端子に入力される駆動指令信号に基づき該第1通電経路を通電・遮断する第1スイッチング手段と、
前記誘導性負荷を駆動制御するための制御指令信号を出力する制御手段と、
該制御手段からの前記制御指令信号に応じて、前記第1スイッチング手段を駆動するための駆動指令信号を出力する駆動手段と、
前記直流電源からの電流を所定の負荷に供給する第2通電経路に設けられ、制御端子が前記第1スイッチング手段の制御端子に接続されて、第1スイッチング手段に比例した電流を流す第2スイッチング手段と、
前記第1スイッチング手段の電流出力端の第1電位と、前記第2スイッチング手段の電流出力端の第2電位とを比較し、該第1電位が該第2電位よりも低電位となると、前記第1スイッチング手段に流れる第1規定値より大きい過電流を検出する過電流検出手段と、
前記第1スイッチング手段に流れる過電流が検出されると、前記駆動手段による前記駆動指令信号の出力を停止させることにより、第1通電経路における通電を停止して前記第1スイッチング手段を保護する保護手段と、
を備えて、前記誘導性負荷を駆動するとともに過電流検出を行う誘導性負荷駆動回路であって、
前記制御手段から前記制御指令信号が出力されないときには、前記過電流検出手段による過電流の検出を停止させる過電流検出停止手段、を備えたことを特徴とする誘導性負荷駆動回路。
First switching means provided on a first current path from the DC power supply to the inductive load, for energizing / disconnecting the first current path based on a drive command signal input to a control terminal;
Control means for outputting a control command signal for driving and controlling the inductive load,
Driving means for outputting a drive command signal for driving the first switching means in response to the control command signal from the control means;
A second switching path is provided in a second current path for supplying a current from the DC power supply to a predetermined load, and a control terminal is connected to a control terminal of the first switching means to flow a current proportional to the first switching means. Means,
A first potential at a current output terminal of the first switching means is compared with a second potential at a current output terminal of the second switching means, and when the first potential is lower than the second potential, Overcurrent detection means for detecting an overcurrent larger than a first prescribed value flowing through the first switching means;
When an overcurrent flowing through the first switching means is detected, the output of the drive command signal by the driving means is stopped, thereby stopping the energization in the first energization path to protect the first switching means. Means,
Comprising an inductive load drive circuit that drives the inductive load and detects overcurrent.
An inductive load drive circuit comprising: an overcurrent detection stop means for stopping detection of overcurrent by the overcurrent detection means when the control command signal is not output from the control means.
前記第1スイッチング手段は、nチャネル型MOSFETからなり、
前記第2スイッチング手段は、前記第1スイッチング手段が流す電流よりも小さい電流を流すnチャネル型MOSFETからなること、
を特徴とする請求項1に記載の誘導性負荷駆動回路。
The first switching means comprises an n-channel MOSFET,
The second switching means is composed of an n-channel MOSFET that allows a current smaller than that of the first switching means to flow;
The inductive load drive circuit according to claim 1, wherein:
前記第2通電経路における前記第2スイッチング手段よりも下流側に設けられて、前記過電流検出手段により過電流が検出されると前記第2通電経路の通電を行う第3スイッチング手段と、
前記第2通電経路に流れる電流を検出する第2電流検出手段と、が備えられ、前記保護手段は、該第2電流検出手段により検出される電流が前記第1規定値に応じて設定された第2規定値を超えると、前記駆動手段による前記駆動指令信号の出力を停止させること、
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の誘導性負荷駆動回路。
A third switching unit that is provided downstream of the second switching unit in the second energization path and energizes the second energization path when an overcurrent is detected by the overcurrent detection unit;
Second current detecting means for detecting a current flowing through the second current path, wherein the protection means sets a current detected by the second current detecting means in accordance with the first specified value. Stopping the output of the drive command signal by the drive unit when exceeding a second specified value;
The inductive load drive circuit according to claim 1 or 2, wherein:
前記過電流検出手段は、前記第1スイッチング手段に流れる過電流を検出すると、過電流検出信号を出力するよう構成され、
前記過電流検出停止手段は、前記過電流検出手段よりも優先して前記過電流検出信号を制御することで、過電流の検出を停止すること、
を特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の誘導性負荷駆動回路。
The overcurrent detection means is configured to output an overcurrent detection signal when detecting an overcurrent flowing through the first switching means,
The overcurrent detection stop unit stops the detection of the overcurrent by controlling the overcurrent detection signal in preference to the overcurrent detection unit,
4. The inductive load drive circuit according to claim 1, wherein:
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