JP3573197B2 - Chemical mechanical polishing station with completion point observation device - Google Patents
Chemical mechanical polishing station with completion point observation device Download PDFInfo
- Publication number
- JP3573197B2 JP3573197B2 JP19511999A JP19511999A JP3573197B2 JP 3573197 B2 JP3573197 B2 JP 3573197B2 JP 19511999 A JP19511999 A JP 19511999A JP 19511999 A JP19511999 A JP 19511999A JP 3573197 B2 JP3573197 B2 JP 3573197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slurry
- chemical mechanical
- wafer
- mechanical polishing
- polishing station
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学機械研磨(CMP)ステーションに関するものである。より詳細には、本発明は、ウェハの研磨操作の進み具合を観測して研磨の完了点の決定を容易とするためのデバイスを備えた、化学機械研磨ステーションに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造は、さらに進んだサブミクロンステージへと到達している。進んだサブミクロンステージにおいては、特徴的なサイズおよびフォトリソグラフィー設備の焦点深度が減少し、複数レベル金属相互連結層の数が増大する。したがって、ウェハ表面の平坦度を高精度にいかにして維持するかが、調査の主要課題となる。
【0003】
半導体製造の進んだサブミクロンステージの前までは、スピンオングラスが、シリコンウェハの平坦化の基本的方法であった。しかしながら、この方法では、ウェハ表面の局所領域においてしか、適度の平坦度を得ることができない。ウェハ表面を全体的に平坦化しないことには、露光後の品質が悪くなってしまい、エッチングの完了点の見極めが困難となる、よって、ウェハの歩留まりが悪くなってしまう。
【0004】
化学機械研磨は、現在では、シリコンウェハを全体的に平坦化するための基本的手段である。特に、0.18μmよりも小さな特徴的サイズを有した進んだサブミクロン回路の形成プロセスにおいては、基本的手段である。加えて、いわゆるダマシンプロセスにおいてウェハ内に導電ラインを形成するための材料として、アルミニウムに代えて、しだいに銅が使用されるようになってきた。通常のエッチング剤では銅を除去しにくいことにより、その代わりに、化学機械研磨操作を使用しなければならない。
【0005】
図1は、ウェハを研磨するための従来の化学機械研磨ステーションの構成を示す図である。図1に示すように、ウェハ18は、研磨ヘッド16の保持リング16a内に堅固に保持されている。研磨ヘッド16は、研磨のために必要な回転をもたらすものであって、研磨パッド10を有した研磨テーブル上へとウェハ18を降下させるための手段をなしている。ここで、研磨パッド10は、研磨ヘッド16の回転方向とは、反対方向に回転する。また、スラリー供給器12が、研磨パッド10の上方に設けられており、研磨作用をもたらすためのスラリー14を供給するようになっている。スラリー14は、ある種の研磨剤を含有している。研磨剤としては、ウェハ18の研磨のために必要な研磨作用をもたらすような金属酸化物粒子がある。ウェハ18を過度に研磨してしまうことを防止するために、所定時間後には、研磨ヘッド16は、研磨パッド10から持ち上げられる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スラリー内の成分のうちの粗野な成分のために、研磨パッド10の状態のために、ウェハ表面の予測不可能性のために、適切なパラメータ設定を、予め決めることが困難である。したがって、ダマシンプロセスにおいて、誘電体層上の金属が、過度にまたは過小に除去されてしまうこととなる。過度の金属が除去されたときには、金属パターンの凹みや腐食が起こり、電気的特性が悪くなってしまう。ウェハ表面上において過小の金属が除去されたときには、金属のブリッジ効果が起こり、ウェハの歩留まりが悪くなってしまう。
【0007】
【課題を解決するための手段】
したがって、本発明の目的は、化学機械研磨操作の進展を観測することができ、そのため、誘電体層上の金属層の除去程度を評価することができるようなデバイスを提供することである。これにより、研磨操作を停止するための完了点を、決定することができる。
【0008】
上記利点および他の利点を得るために、また、本発明の目的を達成するために、以下説明するように、本発明は、ウェハを研磨するための化学機械研磨ステーションを提供する。研磨ステーションは、スラリーを供給するためのスラリー供給器と、スラリーを受けるための研磨パッドと、ウェハを回転することができ、および、研磨操作時にはウェハをスラリーおよび研磨パッドに対して接触させるようウェハを降下させることができる研磨ヘッドと、を具備している。研磨ヘッドは、さらに、ウェハを位置決めするための保持リングを備えている。保持リングは、また、光ビームをスラリー上へと照射するための発光デバイスとスラリーから反射されて戻ってきた光ビームを受光するための光センサとを収容するためのグルーブを備えている。本発明による化学機械研磨ステーションは、さらに、モニタとスペクトルアナライザとを具備している。モニタとスペクトルアナライザとの双方は、光センサに対して接続されている。スペクトルアナライザは、スラリー内の色の変化を解析するために使用され、モニタは、操作者に対して、スラリー内の色変化に関するデータを表示するために使用される。
【0009】
上記一般的な特徴点および以下の詳細な説明は、例示に過ぎないものであって、請求範囲によって規定された本発明を説明することを意図したものであることを、理解されたい。
【0010】
【発明の実施の形態】
添付図面は、本発明の理解を補助するために設けられており、明細書中に組み込まれて明細書の一部を形成している。添付図面は、本発明の実施形態を示していて、説明と協働して、本発明の原理を説明するために機能している。
【0011】
図1は、ウェハを研磨するための従来の化学機械研磨ステーションの構成を示す図である。
図2は、本発明の実施形態による化学機械研磨ステーションの構成を示す図である。
図3は、図2における研磨ヘッドを概略的に示す底面図である。
図4は、ダマシンプロセスにおける金属層研磨操作の開始時において、シリコンウェハを概略的に示す断面図である。
図5は、ダマシンプロセスにおける金属層研磨操作の終了間際において、シリコンウェハを概略的に示す断面図である。
図6は、本発明の研磨完了点モニタの動作シーケンスを示すフローチャートである。
【0012】
以下、添付図面に図示されているような本発明の好ましい実施形態について、詳細に説明する。可能であれば、複数の図面の説明にわたって、同一の部材または同様の部材に対しては、同じ参照符号を使用する。
【0013】
図2は、本発明の実施形態による化学機械研磨ステーションにおいて使用される各構成要素を示す図である。図3は、図2における研磨ヘッドを概略的に示す底面図である。
【0014】
図2および図3に示すように、ウェハ38は、研磨ヘッド36の保持リング39内に堅固に保持されている。保持リング39は、リムの部分にグルーブ42を有している。研磨ヘッド36は、ウェハ38を回転させるための手段と、ウェハ38を研磨パッド30上へと降下させるための手段と、をなしている。研磨パッド30は、研磨ヘッド36の回転方向とは、反対方向に回転する。研磨操作時には、研磨テーブルの上方に設けられたスラリー供給器32を通して、研磨パッド30の表面に対して、スラリー34が供給されるようになっている。発光デバイス40および光センサ41が、保持リング39のグルーブ42内に設けられている。
【0015】
図4は、ダマシンプロセスにおける金属層研磨操作の開始時点において、シリコンウェハを概略的に示す断面図である。図5は、ダマシンプロセスにおける金属層研磨操作の終了間際において、シリコンウェハを概略的に示す断面図である。図4に示すように、研磨材のホストを含有したスラリー26が、化学機械研磨操作の開始時点において、金属層24を形成している、たいていの場合には銅であるような金属を研磨する。これにより、金属粒子が生成される。金属粒子は、スラリー26によって持ち去られる。これら金属小粒子は、また、スラリー内の研磨剤と反応を起こして、副産物28を形成する。形成された副産物は、スラリー26の色が変化する。この色の変化は、明確な変化であるので、裸眼によっても光センサデバイスによっても観測することができる。
【0016】
金属層24内の金属のほとんどが除去された時には、その次に、直下に位置した誘電体層22をなす材料が研磨されることとなる。誘電体層から研磨された粒子は、スラリー26の成分と反応し、他の種類の副産物29が形成される。スラリー26内のこの副産物29は、スラリー26において、さらなる他の色変化を起こす。副産物29を含有した混合物は、副産物28を含有した混合物とは違った色を呈する。この場合にも、色の変化を、裸眼によっても光センサデバイスによっても観測することができる。
【0017】
図6は、本発明の研磨完了点モニタの動作シーケンスを示すフローチャートである。保持リング39内の発光デバイス40は、スラリー34に対して、光ビーム35aを発することができる。光ビーム35aは、スラリー上に照射され、光センサ41上へと戻る反射ビーム35bを形成する。発光デバイス40と光センサ41とが保持リング39のグルーブ42内に設けられていることにより、研磨パッド30上におけるスラリー34による研磨操作の影響を受けることなくこの研磨操作から保護されている。
【0018】
光センサ41は、さらに、スペクトルアナライザ43およびモニタ44に接続することができる。スペクトルアナライザ43により、スラリー34からの反射ビーム35bを、解析することができる。そして、その解析データを、モニタ44に対して送信することができる。
【0019】
ウェハが研磨ステーションによって連続的に研磨されたときには、副産物28に対しての副産物29の比率が次第に増加する。このことは、金属層24が徐々に消失することと、その下に位置した誘電体層22が徐々に露出されるようになってくること、とに起因している。スラリー内の副産物29が、副産物28を含有したスラリー混合物とは異なった色を有していることにより、スラリー34の色が次第に変化する。よって、スラリーから反射されて戻ってきてスペクトルアナライザ43により解析される光の波長は、時間とともに次第に変化する。
【0020】
反射光の解析によってもたらされたデータは、モニタ44へと送信される。モニタ44上で色変化を観測することにより、操作者は、研磨操作の進み具合を知ることができ、最適の表面状態が得られるような研磨操作の完了時点を決定することができる。
【0021】
要約すれば、スラリー成分、研磨に際しての回転速度、および、ウェハの初期状態といったような要因は、各研磨操作ごとに相違するけれども、設定を個々に最適化する必要がない。スラリー内の色変化がスペクトルアナライザによって常に解析されてモニタへとフィードバックされることにより、正確な研磨完了点を、極めて容易に決定することができる。したがって、ウェハの過度の研磨や過小の研磨を、全体的に回避することができる。
【0022】
本発明の範囲および精神を逸脱することなく、本発明の構成に対して様々な変更や改良を加え得ることは、当業者には明瞭であろう。よって、本発明は、請求範囲および均等物に属する本発明の様々な変更点や改良点をもカバーすることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図1】ウェハを研磨するための従来の化学機械研磨ステーションの構成を示す図である。
【図2】本発明の実施形態による化学機械研磨ステーションの構成を示す図である。
【図3】図2における研磨ヘッドを概略的に示す底面図である。
【図4】ダマシンプロセスにおける金属層研磨操作の開始時において、シリコンウェハを概略的に示す断面図である。
【図5】ダマシンプロセスにおける金属層研磨操作の終了間際において、シリコンウェハを概略的に示す断面図である。
【図6】本発明の研磨完了点モニタの動作シーケンスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
26 スラリー
30 研磨パッド
32 スラリー供給器
34 スラリー
35a 光ビーム
35b 反射ビーム
36 研磨ヘッド
38 ウェハ
39 保持リング
40 発光デバイス
41 光センサ
42 グルーブ
43 スペクトルアナライザ
44 モニタ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a chemical mechanical polishing (CMP) station. More particularly, the present invention relates to a chemical mechanical polishing station including a device for monitoring the progress of a wafer polishing operation to facilitate determination of a polishing completion point.
[0002]
[Prior art]
Semiconductor manufacturing has reached the advanced submicron stage. In advanced sub-micron stages, the feature size and depth of focus of photolithographic equipment decrease, and the number of multi-level metal interconnect layers increases. Therefore, how to maintain the flatness of the wafer surface with high precision is a major issue for the investigation.
[0003]
Prior to the submicron stage of semiconductor manufacturing, spin-on-glass was the basic method of planarizing silicon wafers. However, according to this method, an appropriate flatness can be obtained only in a local region of the wafer surface. If the entire surface of the wafer is not flattened, the quality after exposure deteriorates, and it becomes difficult to determine the completion point of the etching, and thus the yield of the wafer deteriorates.
[0004]
Chemical mechanical polishing is now the basic means for globally planarizing silicon wafers. In particular, it is a fundamental measure in the process of forming advanced submicron circuits having feature sizes smaller than 0.18 μm. In addition, copper has been increasingly used instead of aluminum as a material for forming conductive lines in a wafer in a so-called damascene process. Due to the difficulty in removing copper with conventional etchants, a chemical mechanical polishing operation must be used instead.
[0005]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a conventional chemical mechanical polishing station for polishing a wafer. As shown in FIG. 1, the
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, it is difficult to determine appropriate parameter settings in advance because of the rough components of the slurry, the condition of the
[0007]
[Means for Solving the Problems]
Accordingly, it is an object of the present invention to provide such a device that allows the progress of a chemical mechanical polishing operation to be monitored and thus the extent of removal of the metal layer on the dielectric layer to be evaluated. Thereby, the completion point for stopping the polishing operation can be determined.
[0008]
To achieve the above and other advantages, and to achieve the objects of the present invention, the present invention provides a chemical mechanical polishing station for polishing a wafer, as described below. The polishing station includes a slurry supply for supplying the slurry, a polishing pad for receiving the slurry, a wafer that can rotate, and a wafer for contacting the wafer with the slurry and the polishing pad during a polishing operation. And a polishing head capable of lowering the pressure. The polishing head further includes a retaining ring for positioning the wafer. The retaining ring also includes a groove for housing a light emitting device for irradiating the light beam onto the slurry and an optical sensor for receiving the light beam reflected back from the slurry. The chemical mechanical polishing station according to the present invention further comprises a monitor and a spectrum analyzer. Both the monitor and the spectrum analyzer are connected to the optical sensor. A spectrum analyzer is used to analyze color changes in the slurry, and a monitor is used to display to the operator data about the color changes in the slurry.
[0009]
It is to be understood that the above general features and the following detailed description are exemplary only, and are intended to describe the invention as defined by the claims.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The accompanying drawings are provided to aid the understanding of the present invention, and are incorporated in and constitute a part of the specification. The accompanying drawings illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.
[0011]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a conventional chemical mechanical polishing station for polishing a wafer.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a chemical mechanical polishing station according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a bottom view schematically showing the polishing head in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a silicon wafer at the start of a metal layer polishing operation in a damascene process.
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the silicon wafer just before the end of the metal layer polishing operation in the damascene process.
FIG. 6 is a flowchart showing an operation sequence of the polishing completion point monitor of the present invention.
[0012]
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention as illustrated in the accompanying drawings will be described in detail. Wherever possible, the same reference numbers will be used for the same or similar parts throughout the description of the figures.
[0013]
FIG. 2 is a diagram illustrating components used in a chemical mechanical polishing station according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a bottom view schematically showing the polishing head in FIG.
[0014]
As shown in FIGS. 2 and 3, the
[0015]
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a silicon wafer at the start of a metal layer polishing operation in a damascene process. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the silicon wafer just before the end of the metal layer polishing operation in the damascene process. As shown in FIG. 4, a
[0016]
When most of the metal in the
[0017]
FIG. 6 is a flowchart showing an operation sequence of the polishing completion point monitor of the present invention. The
[0018]
The
[0019]
As the wafer is continuously polished by the polishing station, the ratio of by-
[0020]
Data resulting from the analysis of the reflected light is transmitted to the
[0021]
In summary, although factors such as the slurry composition, the rotational speed during polishing, and the initial state of the wafer are different for each polishing operation, there is no need to individually optimize the settings. Since the color change in the slurry is always analyzed by the spectrum analyzer and fed back to the monitor, an accurate polishing completion point can be determined very easily. Therefore, excessive polishing or underpolishing of the wafer can be entirely avoided.
[0022]
It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made to the structure of the present invention without departing from the scope and spirit of the invention. Thus, it is intended that the present invention cover the modifications and variations of this invention that fall within the scope of the appended claims and their equivalents.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a configuration of a conventional chemical mechanical polishing station for polishing a wafer.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a chemical mechanical polishing station according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a bottom view schematically showing the polishing head in FIG. 2;
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating a silicon wafer at the start of a metal layer polishing operation in a damascene process.
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a silicon wafer immediately before the end of a metal layer polishing operation in a damascene process.
FIG. 6 is a flowchart showing an operation sequence of the polishing completion point monitor of the present invention.
[Explanation of symbols]
26
Claims (10)
スラリーを供給するためのスラリー供給器と;
スラリーを受けるための研磨パッドと;
ウェハを保持し回転させるための、および、研磨操作時にはウェハをスラリーおよび前記研磨パッドに対して接触させるようウェハを降下させるための研磨ヘッドであるとともに、ウェハを位置決めするための保持リングを備えた研磨ヘッドと;
光ビームをスラリー上へと照射し得るようにして前記保持リング内に搭載された発光デバイスと;
スラリーから反射されて戻ってきた光ビームを受領し得るようにして前記保持リング内に搭載された光センサと;
スラリー内の色の変化を解析するためのものであって、前記光センサに対して接続されたスペクトルアナライザと;
を具備することを特徴とする化学機械研磨ステーション。A chemical mechanical polishing station for polishing a wafer in a damascene process,
A slurry supply for supplying the slurry;
A polishing pad for receiving the slurry;
A polishing head for holding and rotating the wafer, and for lowering the wafer so that the wafer comes into contact with the slurry and the polishing pad during a polishing operation, and a holding ring for positioning the wafer. A polishing head;
A light emitting device mounted within the retaining ring such that a light beam can be directed onto the slurry;
An optical sensor mounted within the retaining ring to receive the light beam reflected back from the slurry;
A spectrum analyzer for analyzing a color change in the slurry, the spectrum analyzer being connected to the optical sensor;
A chemical mechanical polishing station comprising:
ダマシンプロセスにおいて、ウェハ内における埋込銅ラインを研磨することを特徴とする化学機械研磨ステーション。The chemical mechanical polishing station according to claim 1,
A chemical mechanical polishing station for polishing a buried copper line in a wafer in a damascene process.
前記保持リングは、リムの部分に、前記発光デバイスと前記光センサとを収容するためのグルーブを有していることを特徴とする化学機械研磨ステーション。The chemical mechanical polishing station according to claim 1,
The chemical mechanical polishing station according to claim 1, wherein the retaining ring has a groove on a rim for receiving the light emitting device and the optical sensor.
さらに、スラリー内の色変化を観測するためのものであって、前記光センサに対して接続されたモニタを具備していることを特徴とする化学機械研磨ステーション。The chemical mechanical polishing station according to claim 1,
A chemical mechanical polishing station for monitoring a color change in the slurry, the monitor including a monitor connected to the optical sensor.
スラリーを供給するためのスラリー供給器と;
スラリーを受けるための研磨パッドと;
ウェハを保持し回転させるための、および、研磨操作時にはウェハをスラリーおよび前記研磨パッドに対して接触させるようウェハを降下させるための研磨ヘッドであるとともに、ウェハを位置決めするための保持リングでありかつグルーブを有した保持リングを備えた研磨ヘッドと;
光ビームをスラリー上へと照射するためのものであって前記グルーブ内に搭載された発光デバイスと;
スラリーから反射されて戻ってきた光ビームを受光するためのものであって前記グルーブ内に搭載された光センサと;
スラリー内の色の変化を解析するためのものであって、前記光センサに対して接続されたスペクトルアナライザと;
スラリー内の色変化を観測するためのものであって、前記スペクトルアナライザに対して接続されたモニタと;
を具備することを特徴とする化学機械研磨ステーション。In a damascene process, a chemical mechanical polishing station for planarizing a wafer having an embedded copper line,
A slurry supply for supplying the slurry;
A polishing pad for receiving the slurry;
A polishing head for holding and rotating the wafer, and for lowering the wafer during the polishing operation to bring the wafer into contact with the slurry and the polishing pad, and a holding ring for positioning the wafer; and A polishing head with a retaining ring having a groove;
A light emitting device for irradiating a light beam onto the slurry and mounted in the groove;
An optical sensor for receiving a light beam reflected back from the slurry and mounted in the groove;
A spectrum analyzer for analyzing a color change in the slurry, the spectrum analyzer being connected to the optical sensor;
A monitor for observing a color change in the slurry, the monitor being connected to the spectrum analyzer;
A chemical mechanical polishing station comprising:
スラリーを供給するためのスラリー供給器と;
ウェハを位置決めするための保持リングと;
光ビームをスラリー上へと照射するためのものであって前記保持リング内に搭載された発光デバイスと;
スラリーから反射されて戻ってきた光ビームを受光するためのものであって前記保持リング内に搭載された光センサと;
スラリー内の色の変化を解析するためのものであって、前記光センサに対して接続されたスペクトルアナライザと;
を具備することを特徴とする化学機械研磨ステーション。A chemical mechanical polishing station for polishing a wafer in a damascene process,
A slurry supply for supplying the slurry;
A retaining ring for positioning the wafer;
A light emitting device for irradiating a light beam onto the slurry and mounted in the retaining ring;
An optical sensor for receiving the light beam reflected back from the slurry and mounted in the retaining ring;
A spectrum analyzer for analyzing a color change in the slurry, the spectrum analyzer being connected to the optical sensor;
A chemical mechanical polishing station comprising:
ダマシンプロセスにおいて、ウェハ内における埋込銅ラインを研磨することを特徴とする化学機械研磨ステーション。The chemical mechanical polishing station according to claim 6,
A chemical mechanical polishing station for polishing a buried copper line in a wafer in a damascene process.
前記保持リングは、リムの部分に、前記発光デバイスと前記光センサとを収容するためのグルーブを有していることを特徴とする化学機械研磨ステーション。The chemical mechanical polishing station according to claim 6,
The chemical mechanical polishing station according to claim 1, wherein the retaining ring has a groove on a rim for receiving the light emitting device and the optical sensor.
さらに、スラリー内の色変化を観測するためのものであって、前記光センサに対して接続されたモニタを具備していることを特徴とする化学機械研磨ステーション。The chemical mechanical polishing station according to claim 6,
A chemical mechanical polishing station for monitoring a color change in the slurry, the monitor including a monitor connected to the optical sensor.
スラリーを供給するためのスラリー供給器と;
ウェハを位置決めするためのものであって、リムの部分にグルーブを有した保持リングと;
光ビームをスラリー上へと照射するためのものであって前記グルーブ内に搭載された発光デバイスと;
スラリーから反射されて戻ってきた光ビームを受光するためのものであって前記グルーブ内に搭載された光センサと;
スラリー内の色の変化を解析するためのものであって、前記光センサに対して接続されたスペクトルアナライザと;
スラリー内の色変化を観測するためのものであって、前記スペクトルアナライザに対して接続されたモニタと;
を具備することを特徴とする化学機械研磨ステーション。In a damascene process, a chemical mechanical polishing station for planarizing a wafer having an embedded copper line,
A slurry supply for supplying the slurry;
A retaining ring for positioning the wafer, the groove having a groove on a portion of the rim;
A light emitting device for irradiating a light beam onto the slurry and mounted in the groove;
An optical sensor for receiving a light beam reflected back from the slurry and mounted in the groove;
A spectrum analyzer for analyzing a color change in the slurry, the spectrum analyzer being connected to the optical sensor;
A monitor for observing a color change in the slurry, the monitor being connected to the spectrum analyzer;
A chemical mechanical polishing station comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19511999A JP3573197B2 (en) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | Chemical mechanical polishing station with completion point observation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19511999A JP3573197B2 (en) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | Chemical mechanical polishing station with completion point observation device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001035822A JP2001035822A (en) | 2001-02-09 |
JP3573197B2 true JP3573197B2 (en) | 2004-10-06 |
Family
ID=16335817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19511999A Expired - Fee Related JP3573197B2 (en) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | Chemical mechanical polishing station with completion point observation device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3573197B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9067295B2 (en) | 2012-07-25 | 2015-06-30 | Applied Materials, Inc. | Monitoring retaining ring thickness and pressure control |
KR101387980B1 (en) * | 2012-11-22 | 2014-04-22 | 주식회사 케이씨텍 | Device of measuring wafer metal layer thickness in chemical mechanical polishing apparatus and method thereof |
SG11201901352XA (en) * | 2016-09-15 | 2019-04-29 | Applied Materials Inc | Chemical mechanical polishing smart ring |
-
1999
- 1999-07-08 JP JP19511999A patent/JP3573197B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001035822A (en) | 2001-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6287879B1 (en) | Endpoint stabilization for polishing process | |
US5265378A (en) | Detecting the endpoint of chem-mech polishing and resulting semiconductor device | |
KR100465929B1 (en) | Method and apparatus for monitoring polishing state, polishing device, process wafer, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device | |
EP1116552B1 (en) | Polishing apparatus with thickness measuring means | |
US6613675B2 (en) | Methods, apparatuses, and substrate assembly structures for fabricating microelectronic components using mechanical and chemical-mechanical planarization processes | |
JP5583137B2 (en) | Using optical metrology for feedback and feedforward process control | |
US20070077671A1 (en) | In-situ substrate imaging | |
US6077147A (en) | Chemical-mechanical polishing station with end-point monitoring device | |
KR20010078154A (en) | Endpoint monitoring with polishing rate change | |
US20050173259A1 (en) | Endpoint system for electro-chemical mechanical polishing | |
JP2006500768A (en) | System and method for metal residue detection and mapping within a multi-step procedure | |
US20060113036A1 (en) | Computer integrated manufacturing control system for oxide chemical mechanical polishing | |
US6432823B1 (en) | Off-concentric polishing system design | |
US7988529B2 (en) | Methods and tools for controlling the removal of material from microfeature workpieces | |
JP3573197B2 (en) | Chemical mechanical polishing station with completion point observation device | |
KR20020025005A (en) | Dry type chemical-mechanical polishing method | |
US6335286B1 (en) | Feedback control of polish buff time as a function of scratch count | |
CN112476228A (en) | Method for operating chemical mechanical planarization tool | |
JP2001274126A (en) | Polishing apparatus | |
JP2004119850A (en) | Polishing system | |
US6796879B2 (en) | Dual wafer-loss sensor and water-resistant sensor holder | |
US20080138988A1 (en) | Detection of clearance of polysilicon residue | |
US6450859B1 (en) | Method and apparatus for abrading a substrate | |
JP2002334858A (en) | Apparatus for polishing semiconductor wafer | |
WO2002018100A2 (en) | Method and apparatus for measuring a polishing condition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040525 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040622 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |