JP3561144B2 - 送信装置用高電圧パルス発生回路 - Google Patents

送信装置用高電圧パルス発生回路 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明はパルスレーダ装置等の送信装置に使用される送信装置用高電圧パルス発生回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図3は従来の送信装置の高電圧パルスを発生させる送信装置用高電圧パルス発生回路を示すものであり、図において、6はパルストランスであり、これの一次側には高圧電源1、チャージングチョーク2、ダイオード3、スイッチ4、PFN(Pulse Forming Network)5aおよびスイッチ4を駆動する制御回路12が接続されている。また二次側には、マグネトロン8、ヒータ回路7および抵抗11が接続されている。
【0003】
また図4はPFN5aの回路構成を示すもので、直列接続されたインダクタンス9と並列接続されたコンデンサ10からなるLC回路が複数直列接続されてなる。また、図5の(a)はマグネトロンに印加されるパルス電圧波形である。
【0004】
次に動作について説明する。まずスイッチ4が閉じPFN5aからの放電が完了すると、スイッチ4を開き、高圧電源1からチャージングチョーク2を通ってPFN5aを約2倍の電圧に共振充電する。この状態でスイッチ4が閉じるとPFN5aの電荷はスイッチ4を通って放電されパルストランス6を経てマグネトロン8に供給される。
【0005】
この際マグネトロン8に印加されるパルス電圧波形をできるだけ忠実に伝送するためマグネトロンのインピーダンスにPFN5aのインピーダンス(図4で示されるPFNのインダクタンス9の総和をL、コンデンサ10の総和をCとするとPFN5aのインピーダンスは√(L/C)となる)を合わせ整合をとっているが、マグネトロン8のインピーダンスは印加される電圧によってダイナミックに変動し、印加電圧が低い時はインピーダンスは高く、印加電圧が高くなるにつれ急速に低インピーダンスになる。このことはマグネトロン8への印加電圧に立ち上がりが速く、立ち下がりが遅くなる方向へ作用する。
【0006】
マグネトロン8の発振周波数は一般的に印加電圧が低いと正常な発振周波数に比べ低くなるため、印加電圧の立ち下がりがなだらかであると正常な発振周波数よりも低い周波数での発振は長く続くことになり、発振信号の周波数スペクトラムの低域側でエネルギーが増大し、マグネトロンの占有帯域幅を広げる方向に作用してしまう。
【0007】
そのため従来の送信装置用高電圧パルス発生回路ではマグネトロンの印加電圧に依存して変化するインピーダンス変化を軽減させるためマグネトロンに並列に抵抗11を付加していた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従来の送信装置用高電圧パルス発生回路は以上のように構成されているので、マグネトロンに並列に付加した抵抗に常時電力を供給するため、高圧電源の容量を大きくしなければならず、また抵抗の放熱の問題や絶縁距離確保など装置が大型化してしまうという問題があった。
【0009】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、従来よりも狭い占有帯域幅でマグネトロンを発振させることができかつ小型の送信装置用高電圧パルス発生回路を得ることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的に鑑み、この発明は、二次側にマグネトロンが接続されたパルストランスの一次側に高圧電源と共に接続された、直列接続されたインダクタンスと並列接続されたコンデンサからなるLC回路を複数直列接続したPFNの出力開放端となる最終段のLC回路のインピーダンスを、マグネトロンへ印加するパルス電圧の立下り特性を急峻にして低周波発振する期間を短縮し発振信号の周波数スペクトラムの広がりを抑えるように、他のLC回路より小さくしたことを特徴とする送信装置用高電圧パルス発生回路にある。
【0011】
またこの発明では、特に上記最終段のLC回路のコンデンサの容量を他のコンデンサに比べ10〜30%大きいものとした。
【0012】
またこの発明では、特に上記最終段のLC回路のインダクタンスを他のインダクタンスに比べ10〜30%小さいものとした。
【0013】
すなわちこの発明は、PFNにおいてパルス電圧の立ち下がり部分に当たるLC回路のインピーダンスをマグネトロンのインピーダンスと不整合になるようにしたものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明の一実施の形態による送信装置用高電圧パルス発生回路を示すものであり、図において、6はパルストランスであり、これの一次側には高圧電源1、チャージングチョーク2、ダイオード3、スイッチ4、PFN(Pulse Forming Network)5およびスイッチ4を駆動する制御回路12が接続されている。また二次側には、マグネトロン8およびヒータ回路7が接続されている。PFN5はパルス電圧の立ち下がり部分に当たるLC回路のインピーダンスがマグネトロン8のインピーダンスと不整合になるようにされたものである。
【0015】
また図2はこの発明のPFN5の回路構成を示すもので、直列接続されたインダクタンス9と並列接続されたコンデンサ10からなるLC回路が複数直列接続されてなる。PFNの出力開放端(パルス電圧の立ち下がり部分に当たる部分)となる最終段のLC回路はインダクタンス9aとコンデンサ10aで示されている。また、図5の(b)は図1に示すこの発明の回路においてマグネトロンに印加されるパルス電圧波形である。
【0016】
次に動作について説明する。マグネトロン8への電力供給は従来技術の動作と同様のためここでは省略する。図2中のPFN5最終段のインダクタンス9aとコンデンサ10aのLC回路において、コンデンサ10aの容量を他のコンデンサ10に比べ10%〜30%増やすか、またはインダクタンス9aを他のインダクタンス9に比べ10%〜30%下げることにより図5の(b)のようにパルス電圧の立ち下がり部分を急峻にできる。
【0017】
この結果、正常な発振周波数よりも低い周波数での発振期間が短くなり、発振信号の周波数スペクトルの低域側でのエネルギーが減少し、マグネトロン8の占有帯域幅を狭める方向に作用する。
【0018】
なお、上記実施の形態では、ラインタイプパルサーについて示したが、PFNを使用した磁気パルサーに上記PFN5を使用してもよい。
【0019】
【発明の効果】
以上のように、この発明による送信装置用高電圧パルス発生回路によれば、マグネトロン印加電圧の立ち下がりを急峻にしたことにより、マグネトロンの低周波での発振期間が短くなり、スペクトラムの広がりを抑えられ占有帯域幅を狭くできるとともにマグネトロンに並列に抵抗を付加する必要性がないため装置が小型化にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態による送信装置用高電圧パルス発生回路の構成を示す図である。
【図2】図1のPFNの回路構成の一例を示す図である。
【図3】従来の送信装置用高電圧パルス発生回路の構成を示す図である。
【図4】図3のPFNの回路構成の一例を示す図である。
【図5】従来ならびにこの発明による送信装置用高電圧パルス発生回路におけるマグネトロン印加電圧の波形を示す図である。
【符号の説明】
1 高圧電源、2 チャージングチョーク、3 ダイオード、4 スイッチ、5 PFN、6 パルストランス、7 ヒータ回路、8 マグネトロン、9,9a インダクタンス、10,10a コンデンサ、12 制御回路。

Claims (3)

  1. 二次側にマグネトロンが接続されたパルストランスの一次側に高圧電源と共に接続された、直列接続されたインダクタンスと並列接続されたコンデンサからなるLC回路を複数直列接続したPFNの出力開放端となる最終段のLC回路のインピーダンスを、マグネトロンへ印加するパルス電圧の立下り特性を急峻にして低周波発振する期間を短縮し発振信号の周波数スペクトラムの広がりを抑えるように、他のLC回路より小さくしたことを特徴とする送信装置用高電圧パルス発生回路。
  2. 上記最終段のLC回路のコンデンサの容量を他のコンデンサに比べ10〜30%大きいものとしたことを特徴とする請求項1に記載の送信装置用高電圧パルス発生回路。
  3. 上記最終段のLC回路のインダクタンスを他のインダクタンスに比べ10〜30%小さいものとしたことを特徴とする請求項1に記載の送信装置用高電圧パルス発生回路。
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