JP3556112B2 - Solar cell and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、太陽電池の電極及び製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、太陽電池では、太陽光が照射されることにより生じる電流を取り出すために、図6に示すように、表面(受光面)側にPN接合21が形成された半導体基板であるシリコンウエハ等のウエハ1の表面に表面電極2が設けられ、裏面側には、アルミニウム等の金属ペーストを塗布及び焼成して形成されるP+層とアルミ電極とよりなるアルミペースト焼成部7と、裏面の一部に銀ペーストを塗布し焼成することにより形成される銀電極8とからなる裏面電極3が設けられている(例えば、特開平6ー209115号公報、特開平9ー172196号公報参照)。
【0003】
表面電極2は、図7に示すように、ウエハ1の表面側のグリッド電極9が、グリッド電極9から流れ込む電流を収集する2本のコレクター電極10に対し直角に配置した形状になっていた。
【0004】
一般に太陽電池はこの後、全面にフラックスを塗布し、半田槽に浸漬され表面電極2と銀電極8の表面に半田が被覆され、その後、図9に示すように、表面においてインターコネクタ12が半田を介してコレクター電極10に接着されて使用される。また、太陽電池の裏面においては、図10のようにインターコネクター12が銀電極8に接着される。この接着部分のみに矩形状の銀電極8が形成されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図7に示す従来の表面電極2では、コレクター電極10の端部に充分な量の半田が付着していないため、インターコネクタ12を充分な接着強度で接着できなかった。そこで、図8に示すようにコレクター電極10の端部11の面積を増加させ、半田の付着量の増加を図ったが、図7の表面電極2に比較し改善されたとはいえ、満足できる付着量は得られなかった。
そのため、図9に示すように、太陽電池の表面にインターコネクター12を接着したとき、接着強度が弱くインターコネクター12が剥がれる原因となっていた。
【0006】
また、太陽電池の裏面においても、図10に示す矩形の銀電極8では、半田槽への浸漬時にアルミペースト焼成部7と、銀電極8との界面13(図中斜線で表示)にフラックスが入り込み銀電極8に充分な量の半田が付着せず、銀電極8にインターコネクター12を接着しても充分な接着強度が得られず、そのためインターコネクター12が剥がれるという不具合が発生していた。
【0007】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、充分な接着強度でインターコネクタを接着することのできる太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【発明が解決するための手段】
前記目的を解決するために本発明の1つの観点によれば、受光面となる表面側にPN接合を有する半導体基板と、前記半導体基板の表面側に形成された表面電極と、前記半導体基板の裏面側に形成された裏面電極とを備えた太陽電池において、インターコネクタを接続するための半田たまり部が形成され、前記表面電極は少なくともコレクター電極よりなり、前記半田たまり部は、前記コレクター電極の端部に設けられた表面側切欠部によって形成されていることを特徴とする太陽電池が提供される。
【0009】
また、前記表面側切欠部は、前記コレクター電極の端部に形成された電極くびれ部の両サイドからなっていることを特徴とする。
【0010】
また、前記表面側切欠部は、前記半田たまり部の両外周部と前記コレクター電極の両サイドとを2本の線状電極で繋ぐことにより設けられていることを特徴とする。
【0011】
また本発明は、前記半田たまり部が円形であることを特徴とする。
【0012】
また、前記コレクター電極に複数の膨らみ部分が形成されていることを特徴とする。
【0013】
また、前記裏面電極は少なくとも銀電極よりなり、前記銀電極の一部に裏面側切欠部が設けられていることを特徴とする。
【0014】
また、前記銀電極は側部が矢羽根形状に形成されていることを特徴とする。
【0015】
また本発明は、インターコネクタが半田によって接続された太陽電池において、前記銀電極とインターコネクタが半田によって接続されており、前記銀電極と前記インターコネクタは少なくとも前記裏面側切欠部において接続されていることを特徴とする。
【0016】
また、前記裏面電極は少なくとも銀電極よりなり、前記銀電極が矢羽根形状に形成されており、前記コレクター電極の前記半田たまり部が設けられた端部の方向と前記矢羽根形状の鋭角部の方向が逆方向であることを特徴とする。
【0017】
前記目的を解決するために本発明の別の観点によれば、本発明の1つの観点による太陽電池を半田槽へ浸漬する太陽電池の製造方法において、半田槽への浸漬及び半田槽からの引き上げを行う際に、前記コレクター電極の前記半田たまり部が設けられた端部を上にした方向で半田槽への浸漬及び半田槽からの引き上げを行うことを特徴とする太陽電池の製造方法が提供される。
【0018】
本発明の1つの観点による太陽電池、及び本発明の別の観点による太陽電池の製造方法によれば、充分な接着強度でインターコネクタを接着することが可能になる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図について説明する。
【0020】
図1は、本発明にに係る太陽電池の構成を示す図である。断面図は従来例で示した図6を用いて説明する。この太陽電池は、半導体基板として多結晶シリコンウエハを用い、このウエハ1の表面に表面電極2を形成し、ウエハ1の裏面に裏面電極3を形成して構成される。
【0021】
ウエハ1は、P型シリコンが固化されてなり、その表面にn+層4が形成されてPN接合21が形成される。n+層4の表面には、太陽光の吸収を促進させるための凸凹であるテクスチャー面5が形成され、更に、テクスチャー面5の表面には太陽光の反射を防止するための反射防止膜6が形成される。また、ウエハ1の裏面にはp+層及びアルミニウム電極よりなるアルミペースト焼成部7と銀電極8が形成され裏面電極3となる。以下、この太陽電池の製造工程について説明する。
【0022】
ウエハ1は、電磁キャスト法やリボン法等によって作製される。電磁キャスト法は、シリコンの融液をるつぼ中で冷却して固化する方法であり、これによって作製されたインゴットを薄くスライスすることによりウエハ1が作製される。一方、リボン法は、シリコンの融液が入ったるつぼ内に立てられたキャピラリダイを通して結晶シリコンが引き上げられ、レーザー等で適当な大きさに切断してウエハ1を作製する方法である。
【0023】
凸凹であるテクスチャー面5は、ウエハ1に対して三フッ化塩素ガス(ClF3)等の塩素性ガスを用いてドライエッチンッグを行なう事により形成される。あるいは、水酸化ナトリウム水溶液(NaOH)等のアルカリ水溶液を用いてウエットエッチングを行なう事により形成される。この後、熱拡散法を用い、リン等の不純物をドーピングする事によりn+層4を形成し、PN接合21が形成される。
【0024】
次に、シランとアンモニアとの混合ガスを原料としてプラズマCVD法で、窒化シリコン膜よりなる反射防止膜6を形成する。あるいはチタン酸アルコキシドを原料として常圧CVD法で形成される酸化チタン膜等からなる反射防止膜6を形成する。
【0025】
次に、反射防止膜6上に図1の表面電極2の形状に銀ペーストを塗布し、焼成して表面電極2を形成する。焼成により表面電極2は、反射防止膜6を突き抜けテクスチャ面5に到達する。表面電極2は、端部に半田たまり部14を設けた形状のコレクター電極10及びグリツド電極9より構成されている。この後、裏面に、アルミニウム金属ペーストを印刷し、約700℃で焼成してP+層とアルミ電極とよりなるアルミペースト焼成部7を形成したのち、裏面の一部に図3に示すように、矢羽根形状17で、一部に銀ペーストの存在しない切欠部16が設けられた形状に銀ペーストを塗布し焼成して、銀電極8を形成する。図4に示すように、この矢羽根形状17の鋭角部の方向は、表面のコレクター電極10の半田たまり部14がある端部の方向と逆方向になるよう銀ペーストを塗布しておく。
【0026】
次に、全面にフラックスが塗布された後、図5に示すように融解した半田が満たされている半田槽18に太陽電池を浸漬し、表面電極2及び裏面の銀電極8に半田を付け引き上げる。この時、コレクター電極10の半田たまり部14が設けられた端部を上にした方向19で浸漬及び引き上げを行なう。このように、半田たまり部14に半田がたまるため半田の付着量が増す。さらに、半田たまり部14を上にして浸漬することで、半田たまり部14の半田槽18への浸漬時間が短くなり半田の付着量が増す。これは、銀電極8の銀の成分が融解した半田中へ溶け出す量が少なくて済むためと思われる。
【0027】
また、裏面においても、アルミニウム電極と銀電極8の界面となる部分を矢羽根形状17とすることにより半田槽浸積時のフラックスのぬけが良くなり、充分な量の半田を銀電極8に付着させることができる。さらに、半田槽から引き上げる際、コレクター電極10の半田たまり部14を上にした方向にすると矢羽根形状17の鋭角部は下方となり、銀電極8の矢羽根形状17の鋭角部の方向に半田が流れ、切欠部16によりその流れが止められることにより、切欠部16上部に半田が充分にたまる。
【0028】
次に、図9のように、銅箔に半田メッキされたインターコネクター12をコレクター電極10に接触させ、加熱及び加圧を行って半田により接着する。この時、コレクター電極10の半田たまり部14には接着するのに充分な量の半田が付着しているので、強い接着強度が得られ、インターコネクター12の剥がれ等の不具合を軽減できる。裏面にインターコネクター12を接続する場合、銀電極8の切欠部16において接続する。この切欠部16上には多くの量の半田が付着しているので強い接着強度が得られる。
【0029】
また、図1に示すように、コレクター電極10と半田たまり部14の間をコレクター電極くびれ部15によって細い線状に接続することにより電気的接続を保ったままで、半田槽からの引き上げ時半田の流れを止める事ができ、いっそう半田の付着量が増す。すなわち、コレクター電極くびれ部15は、コレクター電極の両サイドに切欠部を設けたものである。
【0030】
この形状によると、半田たまり部14にインターコネクター12を接続しただけでコネクター電極10と電気的な接続されたことになるため電気的な断線が起こりにくくなる。また、半田たまり部14を円状にすることにより表面張力によって半田の付着量がさらに増す。なお、コレクター電極くびれ部15に代えて、半田たまり部14の両外周部とコレクター電極10の両サイドとを2本の細い電極で繋ぐことによって、半田たまり部14、コレクター電極10及び2本の細い電極で切欠部を形成しても良い。
【0031】
また、図2に示すコレクター電極10の複数の部分に膨らみ部分20が形成されている構造のコネクター電極10を用いてもよい。前述の理由で、この複数の膨らみ部分20は円形だとなお良い。このコネクター電極10は半田槽18への浸漬時、円形に形成された多くの点で半田の付着量を増し、従ってインターコネクター12を接続する際、多くの点で強い接着強度で接着されるためインターコネクター12が剥がれるという不具合がさらに減少する。
【0032】
なお、太陽電池において、インターコネクタの接続部に半田たまり部を設けることにより、表裏の何れであってもインターコネクタの接続強度が強くなる。
【0033】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、太陽電池にインターコネクタが十分な強度で接着される。また、太陽電池の表面にインターコネクタを半田により接着する場合、コレクター電極に充分な量の半田が付着しているので、充分な強度でインターコネクタが接着される。
【0034】
太陽電池の裏面にインターコネクタを半田により接着する場合、フラックスの抜けが良くこと又は半田のたまりが多くなることにより、銀電極への半田の付着量が増し、従って充分な強度でインターコネクタが接着される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す太陽電池表面側の平面図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す太陽電池表面側の平面図である。
【図3】本発明の実施例を示す太陽電池裏面側の平面図である。
【図4】本発明の実施例の表裏パターンの位置関係を示す太陽電池裏面側の平面透視図である。
【図5】本発明の太陽電池の製造法の一例を示す説明図である。
【図6】一般的な太陽電池の断面図である。
【図7】従来の実施例を示す太陽電池受光面側の平面図である。
【図8】従来の他の実施例を示す太陽電池受光面側の平面図である。
【図9】一般的な太陽電池にインターコネクターを半田溶接した状態を示す平面図である。
【図10】従来の太陽電池にインターコネクターを半田溶接した状態を示す太陽電池裏面側の平面図である。
【符号の説明】
1 ウエハ
2 表面電極
3 裏面電極
7 アルミペースト焼成部
8 銀電極
10 コレクター電極
12 インターコネクタ
13 アルミペースト焼成部/銀電極海面
14 半田たまり部
15 電極くびれ部
16 切欠部
17 矢羽根形状
19 半田槽への浸漬及び引き上げ方向
20 膨らみ部分
21 PN接合[0001]
[Industrial applications]
The present invention relates to a solar cell electrode and a manufacturing method.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in a solar cell, a silicon wafer or the like, which is a semiconductor substrate having a
[0003]
As shown in FIG. 7, the
[0004]
In general, the solar cell is thereafter coated with a flux over the entire surface, immersed in a solder bath to coat the surface of the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the
For this reason, as shown in FIG. 9, when the
[0006]
Also, on the back surface of the solar cell, in the
[0007]
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a solar cell to which an interconnector can be bonded with sufficient bonding strength, and a method for manufacturing the same.
[0008]
Means for Solving the Invention
According to one aspect of the present invention, there is provided a semiconductor substrate having a PN junction on a surface side serving as a light receiving surface, a surface electrode formed on a surface side of the semiconductor substrate, In a solar cell including a back electrode formed on the back side, a solder pool portion for connecting an interconnector is formed, the front surface electrode is at least a collector electrode, and the solder pool portion is formed of the collector electrode. solar cell characterized by being formed by the surface-side notch portion provided at an end portion is provided.
[0009]
The front-side cutouts are formed on both sides of an electrode constriction formed at an end of the collector electrode.
[0010]
Further, the front side cutout portion is provided by connecting both outer peripheral portions of the solder pool portion and both sides of the collector electrode with two linear electrodes.
[0011]
Further, the invention is characterized in that the solder pool is circular .
[0012]
Further, a plurality of bulging portions are formed on the collector electrode.
[0013]
Further, the back electrode is made of at least a silver electrode, and a back side cutout is provided in a part of the silver electrode.
[0014]
Further , the silver electrode is characterized in that a side portion is formed in an arrow blade shape .
[0015]
Further, according to the present invention, in the solar cell in which the interconnector is connected by solder, the silver electrode and the interconnector are connected by solder, and the silver electrode and the interconnector are connected at least at the back side cutout. It is characterized by the following.
[0016]
Further , the back electrode is formed of at least a silver electrode, the silver electrode is formed in an arrow blade shape, and the direction of the end of the collector electrode where the solder pool portion is provided and the acute angle portion of the arrow blade shape. It is characterized in that the direction is reverse .
[0017]
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell in which a solar cell according to one aspect of the present invention is immersed in a solder tank. When performing, a method for manufacturing a solar cell is provided, wherein the collector electrode is immersed in a solder bath and pulled up from the solder bath in a direction in which an end provided with the solder pool is provided upward. Is done .
[0018]
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the solar cell by one aspect of this invention, and the manufacturing method of the solar cell by another aspect of this invention, it becomes possible to adhere | attach an interconnector with sufficient adhesive strength.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0020]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a solar cell according to the present invention. The cross-sectional view will be described with reference to FIG. This solar cell uses a polycrystalline silicon wafer as a semiconductor substrate, forms a
[0021]
The wafer 1 is formed by solidifying P-type silicon, the n + layer 4 is formed on the surface thereof, and the
[0022]
The wafer 1 is manufactured by an electromagnetic casting method, a ribbon method, or the like. The electromagnetic casting method is a method in which a silicon melt is cooled and solidified in a crucible. The wafer 1 is manufactured by thinly slicing an ingot manufactured thereby. On the other hand, the ribbon method is a method in which crystalline silicon is pulled up through a capillary die set in a crucible containing a melt of silicon and cut into an appropriate size with a laser or the like to produce a wafer 1.
[0023]
The
[0024]
Next, an antireflection film 6 made of a silicon nitride film is formed by a plasma CVD method using a mixed gas of silane and ammonia as a raw material. Alternatively, an antireflection film 6 made of a titanium oxide film or the like formed by a normal pressure CVD method using a titanium alkoxide as a raw material is formed.
[0025]
Next, a silver paste is applied on the antireflection film 6 in the shape of the
[0026]
Next, after the flux is applied to the entire surface, the solar cell is immersed in a
[0027]
Also, on the back surface, by forming an interface between the aluminum electrode and the
[0028]
Next, as shown in FIG. 9, the
[0029]
Also, as shown in FIG. 1, the
[0030]
According to this shape, the electrical connection to the
[0031]
Further, a
[0032]
In the solar cell, by providing a solder pool portion at the connection portion of the interconnector, the connection strength of the interconnector is increased both on the front and back sides.
[0033]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the interconnector is bonded to the solar cell with sufficient strength. Further, when the interconnector is bonded to the surface of the solar cell by soldering, the interconnector is bonded with sufficient strength because a sufficient amount of solder is attached to the collector electrode.
[0034]
When the interconnector is bonded to the back surface of the solar cell by soldering, the amount of solder attached to the silver electrode increases due to good flux removal or increased puddle of solder, and therefore the interconnector is bonded with sufficient strength. Is done.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a solar cell surface side showing an example of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a solar cell surface side according to another embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view of a back surface of a solar cell showing an example of the present invention.
FIG. 4 is a perspective plan view of a back surface of a solar cell showing a positional relationship between front and back patterns according to the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an explanatory view showing one example of a method for manufacturing a solar cell of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a general solar cell.
FIG. 7 is a plan view of a solar cell light receiving surface side showing a conventional example.
FIG. 8 is a plan view showing a solar cell light receiving surface side according to another conventional example.
FIG. 9 is a plan view showing a state where an interconnector is solder-welded to a general solar cell.
FIG. 10 is a plan view of the back surface side of a solar cell showing a state in which an interconnector is solder-welded to a conventional solar cell.
[Explanation of symbols]
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