JP3544801B2 - Processing solution supply method and apparatus - Google Patents
Processing solution supply method and apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP3544801B2 JP3544801B2 JP28973496A JP28973496A JP3544801B2 JP 3544801 B2 JP3544801 B2 JP 3544801B2 JP 28973496 A JP28973496 A JP 28973496A JP 28973496 A JP28973496 A JP 28973496A JP 3544801 B2 JP3544801 B2 JP 3544801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply
- time
- substrate
- processing liquid
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板等の基板にフォトレジスト液や現像液などの処理液を供給する処理液供給方法およびその装置に係り、特に供給開始命令を含む複数個の命令からなり、予め記憶された一連の処理を規定する処理プログラムに基づいて、供給開始命令を実行することにより基板に処理液を供給する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の装置として、例えば、処理液であるフォトレジスト液を基板表面に供給するフォトレジスト液供給装置が挙げられる。この装置は、複数個の命令からなり、予め記憶されている一連の処理を規定する処理プログラム(スピンコートプログラムとも呼ばれ、フォトレジスト液の種類や、塗布時の回転数やその時間などを規定している)に基づいて、例えば、制御部が回転開始命令を実行することによって回転支持手段により支持されている基板を所定の回転速度で駆動し、制御部が供給開始命令を実行することにより処理液供給ノズルを介してフォトレジスト液の供給を開始するようになっている。その供給開始命令の実行時点から特定時間後に、フォトレジスト液の供給を停止したり、基板を高速に回転駆動することにより、基板表面の全体に所定膜厚のフォトレジスト被膜を形成するようになっている。
【0003】
なお、フォトレジスト液は、制御部が供給開始命令を実行した際に、クリーンルーム内に設けられているユーティリティの1つである加圧空気源からの加圧空気を送り込まれることにより伸長動作されるエアシリンダと、このエアシリンダの動作に連動するベローズポンプによりノズル先端部から吐出されるようになっている。また、このエアシリンダには、その加圧空気を導入/排出する際の速度を調整するための速度調整弁が設けられている。
【0004】
また、処理液供給ノズルには、上記構成の他に、フォトレジスト液の供給を停止した際に、主としてノズル先端部付近の内部に残っているフォトレジスト液が滴下される不具合(いわゆるぼた落ち)を防止するために、ノズル内部に残っているフォトレジスト液を吸引して僅かに引き戻すように作用するサックバックバルブが配設されており、フォトレジスト液を供給する際には、エアシリンダを動作させるのとほぼ同時にサックバックバルブの動作を解除するようにしている。このように動作するサックバックバルブも、上記の処理液供給ノズルと同様に、ユーティリティの1つである加圧空気源からの加圧空気の導入/排出により動作されるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような装置では、制御部により供給開始命令が実行されても、すぐにはフォトレジスト液が吐出されず、処理液供給ノズルの先端部からフォトレジスト液が吐出されるには遅れ時間が存在することになる。したがって、実際には、供給開始命令が制御部により実行された時点から、少なくともその遅れ時間(以下、この遅れ時間を開始遅れ時間と称する)だけは遅れてフォトレジスト液がノズルから吐出されることになる。したがって、作成したスピンコートプログラムでは、所望する処理を正確に行うことができないという問題点がある。
【0006】
そこで、このような不都合を解消するために、従来装置においては、スピンコートプログラムを作成する際に、予め上記開始遅れ時間を勘案して、所望する時点でフォトレジスト液がノズルから吐出されるように、上記開始遅れ時間だけ供給開始命令が実行される時点を早めるようにしている(以下、これを手動による遅れ時間補正と称する)。具体的には、例えば、回転開始命令を実行した後、充分に基板の回転数が目的とする回転数に到達してその回転が安定する時点(これをTS とする)に、フォトレジスト液をノズルから吐出させたい場合には、上記の開始遅れ時間をTDSとすると、処理プログラムであるスピンコートプログラムを作成する際に、供給開始命令が時間TS −TDSの時点で実行されるように予めプログラムを作成する。
【0007】
しかしながら、このような手動による遅れ時間補正によると、次のような不都合が生じる。
上述したように、フォトレジスト液の供給に係わるエアシリンダおよびサックバックバルブを作動させるのは、クリーンルーム内に設けられているユーティリティの1つである加圧空気源である。この加圧空気源は、通常、クリーンルーム内の他の装置でも利用されており、それらの利用状況によりその圧力は時間的(時間変動)にあるいは日毎(日間変動)に微妙に変動するものである。したがって、このように変動するユーティリティを利用してフォトレジスト液の供給開始を制御しているので、その変動に伴って上記の開始遅れ時間が大きくも小さくもなり、その結果、上述したような手動による遅れ時間補正では、上記の不都合を充分に解消することができない。つまり、ある時間(ある日)には、上記の処理プログラムで正確に処理を行なうことができても、他の時間帯(他の日)には上記の処理プログラムでは正確に処理を行なうことができないといったことが生じ、その結果、同じ処理プログラムを用いて処理を施した異なるロット間において、あるいは、同じロット間において、処理結果に差異が生じることがある。すなわち、同じ処理プログラムにより処理を行っても、処理を均一に施すことができないことがあるという問題点がある。
【0008】
また、フォトレジスト液の供給に係わるエアシリンダおよびサックバックバルブは、各々の動作速度を調整することができるようになっており、その速度を調整し直した場合などには開始遅れ時間も変動するので、上述したような手動による遅れ時間補正では、やはり上記の不都合を充分に解消することができない。
【0009】
特に、最近の半導体製造業界においては、プロセスの微細化技術が進むとともに、基板の大口径化に伴って、処理に精度が求められており、スピンコートプログラムなどの処理プログラムは非常に微妙かつ精密なものとなってきている。したがって、従来装置で行なわれている手動による処理液の供給に係る遅れ時間補正では、そのプログラミング作業が煩雑となるか、あるいは全くプログラミングができないという事態になっている。
【0010】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液が吐出されたことに基づいて、それ以降の命令を実行することにより、基板に均一な処理を施すことができる処理液供給方法およびその装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明方法は、供給開始命令を含む複数個の命令からなり、予め記憶されている一連の処理を規定する処理プログラムに基づき基板の中心付近に処理液を供給する処理液供給方法において、供給開始命令が実行された後、処理液供給手段から処理液が吐出され始めた時点を検出し、この検出時点に基づいて、それ以後の処理プログラムの命令を実行することを特徴とするものである。
【0012】
また、請求項2に記載の発明方法は、請求項1に記載の処理液供給方法において、前記基板の中心付近に供給する処理液を、前記基板が回転している状態で供給開始するとともに、その状態で供給完了するようにしたことを特徴とするものである。
【0013】
また、請求項3に記載の発明方法は、請求項1に記載の処理液供給方法において、前記基板の中心付近に供給する処理液を、前記基板が静止した状態で供給開始するとともに、その状態で供給完了するようにしたことを特徴とするものである。
【0014】
また、請求項4に記載の発明方法は、請求項1に記載の処理液供給方法において、前記基板の中心付近に供給する処理液を、前記基板が静止した状態で供給開始するとともに、前記基板が回転を開始した後に供給完了するようにしたことを特徴とするものである。
【0015】
また、請求項5に記載の発明装置は、供給開始命令を含む複数個の命令からなり、予め記憶されている一連の処理を規定する処理プログラムに基づいて、制御手段が前記供給開始命令を実行することにより処理液供給手段を介して基板に処理液を供給する処理液供給装置において、前記処理液供給手段から処理液が吐出され始めた時点を検出する吐出検出手段を備えるとともに、前記制御手段は、前記処理プログラムに含まれている各命令を順次に実行してゆく際に、供給開始命令の実行によって前記処理液供給手段を介して基板に処理液の供給を開始し、前記吐出検出手段が処理液の吐出を検出し、この検出時点に基づいて、それ以後の命令の実行を開始することを特徴とするものである。
【0016】
【作用】
請求項1に記載の発明方法の作用は次のとおりである。
予め記憶されている一連の処理を規定する処理プログラムに含まれている命令のうち、処理液の供給を開始するための供給開始命令を実行することにより、理想的には即座に処理液が吐出されるが、実際には、ある程度の遅れ時間(開始遅れ時間)の経過後に処理液が吐出される。この開始遅れ時間は、時間変動や日間変動により微妙に変動するものである。したがって、その供給開始命令が実行されてから特定時間後に処理液の供給を停止する供給停止命令を実行すると、意図する時間(特定時間)よりも短い時間しか処理液の供給が行われないことになる。すなわち、供給開始命令が実行されてから、特定時間(例えば、5秒)後に供給停止命令を実行するように処理プログラムを作成している場合には、処理プログラム上での意図する処理液の供給時間は上記特定時間であるが、実際には、上記特定時間よりも上記開始遅れ時間だけ短いものとなり、さらに、その開始遅れ時間は変動するものであるので、上記供給時間も変動することになる。そこで、供給開始命令が実行されたのち、処理液が吐出され吐出され始めた時点を検出し、この検出時点に基づいて、それ以後の命令を実行することにより、次の命令への移行を処理液が吐出され始めた時点に依存させることができる。したがって、上記開始遅れ時間およびその変動分を吸収することができて、上記供給時間を一定化することができる。
【0017】
また、請求項2に記載の発明方法によれば、基板が回転している状態で処理液の供給を開始し、その回転が保たれた状態で処理液の供給を完了する(以下、ダイナミック法と称する)。すなわち、基板を一定速度で回転駆動させつつ処理液を供給開始し、その一定時間後に処理液の供給を完了するが、上記の開始遅れ時間によって供給時間が変動する。そこで処理液が吐出されたことに基づき供給開始命令以降の命令を実行することにより、ダイナミック法による処理液供給方法であっても上記の供給時間を一定化することができる。
【0018】
また、請求項3に記載の発明方法によれば、基板が静止した状態で処理液の供給を開始し、静止した状態のままで処理液の供給を完了する(以下、スタティック法と称する)。すなわち、基板を回転させる前に処理液の供給を開始して、一定時間後にその供給を完了するが、上記の開始遅れ時間によって供給時間が変動する。そこで処理液が吐出されたことに基づき供給開始命令以降の命令を実行することにより、スタティック法による処理液供給方法であっても上記の供給時間を一定化することができる。
【0019】
また、請求項4に記載の発明方法によれば、基板が静止した状態で処理液の供給を開始し、その基板が回転を開始した後に処理液の供給を完了する。つまり、上記のダイナミック法とスタティック法とを組み合わせたような処理液の供給方法である(以下、これをスタミック法と称する)。このスタミック法であっても、上記の開始遅れ時間によって供給時間が変動するが、処理液が吐出されたことに基づき供給開始命令以降の命令を実行することによって、上記の供給時間を一定化することができる。
【0020】
また、請求項5に記載の発明装置の作用は次のとおりである。
制御手段が供給開始命令を実行すると、理想的には処理液供給手段を介して即座に処理液が吐出される。しかし、実際には、供給開始命令の実行時点からある程度の遅れ時間(開始遅れ時間であり、時間変動および日間変動を生じる)の経過後に、処理液が吐出される。制御手段は、供給開始命令の実行後、吐出検出手段によって処理液が吐出され始めた時点を検出し、この検出時点に基づいて、それ以後の命令の実行を行うので、供給開始命令よりあとの命令への移行を処理液が吐出された時点に依存させることができる。したがって、上記開始遅れ時間およびその変動分を吸収することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は、本発明に係る処理液供給装置の一例である回転式基板塗布装置(スピンコータとも呼ばれる)の概略構成を示すブロック図である。
【0022】
図中、符号1は、吸引式スピンチャックであり、基板Wをほぼ水平姿勢で吸着保持するものである。この吸引式スピンチャック1は、回転軸2を介して電動モータ3によって回転駆動され、この回転により吸引式スピンチャック1に吸着保持された基板Wは、ほぼ水平姿勢で回転中心P周りに回転される。なお、電動モータ3の回転駆動は、後述する制御部20により行われる。
【0023】
吸引式スピンチャック1の周囲には、処理液の一例であるフォトレジスト液や基板Wの裏面を洗浄する洗浄液などの飛散を防止するための飛散防止カップ4aが配設されている。また、この飛散防止カップ4aの上部開口には、ダウンフローを取り込むための複数個の開口を上部に形成された上部蓋部材4bが、この装置のフレームに固定されて位置固定の状態で配設されている。また、図示しない搬送機構が未処理の基板Wを吸引式スピンチャック1に載置、または、吸引式スピンチャック1から処理済みの基板Wを受け取る際には、図示しない昇降機構が飛散防止カップ4aのみを下降させることによって、飛散防止カップ4aと上部蓋部材4bとを分離し、吸引式スピンチャック1を飛散防止カップ4aの上部開口から上方に突出させる。なお、飛散防止カップ4aを位置固定とし、図示しない昇降機構により、上部蓋部材4bと回転軸2とを飛散防止カップ4aに対して上昇させるような構成としてもよい。
【0024】
飛散防止カップ4aの外側には、搬入された基板W上の回転中心Pの上方に相当する供給位置と基板W上から周囲に離れた待機位置との間で移動可能に構成された処理液供給ノズル5が設けられている。この処理液供給ノズル5の、下方に向けられた先端部分には、吐出検出センサ6が取り付けられている。吐出検出センサ6は、図2に示すように、処理液供給ノズル5の先端部分に取り付け部材6aを介して取り付けられた投光器6bと受光器6cとによって構成されている。それぞれの投光部および受光部は処理液供給ノズル5を中心に対向して設けられており、投光器6bから照射された赤外波長領域の照射光は赤外波長領域付近に感度を有する受光素子を内蔵した受光器6cに入射される。この例では、吐出検出センサ6の検出信号は入光時オンとなるように設定されているので、処理液供給ノズル5の吐出孔5aからフォトレジスト液が吐出された時点において、その検出信号がオフとなり、処理液供給ノズル5の吐出孔5aからのフォトレジスト液の吐出が停止された状態において、その検出信号がオンとなる。なお、この吐出検出センサ6は、本発明における吐出検出手段に相当するものである。
【0025】
処理液供給ノズル5は、ノズル移動機構10によって、上記の供給位置と待機位置とにわたって移動されるが、その供給位置は、図2に示した処理液供給ノズル5の吐出孔5aが、基板Wの表面から距離Lだけ離れた位置である。この距離Lは、例えば4mm程度であり、フォトレジスト液の粘度や基板Wのサイズ、その表面状態により基板W表面に滴下されたフォトレジスト液がその表面全体にわたって拡げられる際にムラが発生しないような距離に調整されていることが好ましい。
【0026】
また、飛散防止カップ4a内であって、基板Wの下方の回転中心P側には、フォトレジスト液が飛散して霧状のミストとなって基板W裏面に付着したり、基板W表面の周縁部から裏面に回り込んだ不要なフォトレジスト液を除去するために、洗浄液を裏面に向けて噴出させるバックリンスノズル11が設けられている。このバックリンスノズル11からの洗浄液の噴出は、後述する制御部20により制御されるようになっている。
【0027】
処理液供給ノズル5には供給管12が接続されており、この供給管12と、サックバックバルブ13と、ベローズポンプ14と、逆止弁15とを介してフォトレジスト液を貯留している処理液タンク16に連通接続されている。サックバックバルブ13は、クリーンルーム内に導入されているユーティリティの1つである加圧空気源により加圧空気を送り込まれることにより動作され、この動作により処理液供給ノズル5の先端内部に貯留しているフォトレジスト液を僅かに引き戻して、いわゆる「ぼた落ち」を防止したり、吐出孔5aから露出しているフォトレジスト液の固化を防止するものである。サックバックバルブ13は、送り込まれた加圧空気を排出されることにより非動作、つまり、処理液供給ノズル5内のフォトレジスト液の引き戻しを解除する。このサックバックバルブ13の動作/非動作は、制御部20からの電気信号により行われるようになっている。なお、サックバックバルブ13の動作/非動作は、その引き戻し圧力などが調整可能になっている。したがって、その調整度合いや圧縮空気源の圧力により、電気信号を入力されてからフォトレジスト液の引き戻し動作や解除動作となるまでの動作速度が変動するものである。
【0028】
ベローズポンプ14は、複動式エアシリンダ17に連動して動作し、処理液タンク16内のフォトレジスト液を供給管12に送り込む。この送り込み動作により生じるフォトレジスト液の処理液タンク16内への逆流を防止するのが、逆止弁15である。複動式エアシリンダ17は、速度制御弁18を介して加圧空気源によって動作するものであり、ピストン17aにより仕切られた2つの空間に速度制御弁18a,18bを介してそれぞれ加圧空気が送り込まれたり排出されたりすることによって動作する。速度制御弁18は、手動による調整によって、加圧空気源からの加圧空気導入速度や複動式エアシリンダ17からの加圧空気排出速度が調整されるようになっており、この調整度合いや加圧空気源の圧力により、複動式エアシリンダ17の動作速度が調整され、その結果、ベローズポンプ14の動作、すなわち、処理液供給ノズル5からフォトレジスト液が供給/停止されるまでの速度が調整される。なお、処理液供給ノズル5と、供給管12と、ベローズポンプ14と、逆止弁15と、処理液タンク16と、複動式エアシリンダ17と、速度制御弁18とは、本発明における処理液供給手段に相当するものである。
【0029】
速度制御弁18は、制御部20からの電気信号により加圧空気源からの加圧空気を複動式エアシリンダ17に送り込む動作状態とされ、同様に複動式エアシリンダ17から加圧空気を排出する非動作状態とされる。制御部20は、図示しないクロックやタイマ、RAMを内蔵している。RAMには予め作成された処理プログラムなどが記憶されており、この処理プログラムはクロックやタイマを基準にして実行されるようになっている。但し、詳細は後述するが、処理プログラムに含まれている、処理液供給ノズル5からフォトレジスト液を吐出させる供給開始命令が実行された以降は、上記の吐出検出センサ6から『吐出検出信号』が出力されてから、次の命令の実行を行うようになっている。なお、制御部20は、本発明における制御手段に相当する。
【0030】
上部蓋部材4bの上部内周面には、その左側にCCDカメラ30が、その右側にストロボ40が配設されている。CCDカメラ30は、固体撮像素子であるCCDと、電子シャッターと、レンズとから構成されており、その撮影視野を、処理液供給ノズル5の吐出孔5aと基板W表面との間隙を含む基板Wの回転中心付近、すなわち、フォトレジスト液が処理液供給ノズル5から吐出されて基板Wに到達する位置を含む領域に設定されている。なお、図1では、処理液供給ノズル5の水平方向に伸びた部分によって、基板Wの回転中心付近が遮られているように見えるが、CCDカメラ30と処理液供給ノズル5とは平面視で横方向にずらした状態で配設されているので、上記間隙を含む回転中心付近を撮影できるようになっている。また、ストロボ40は、フォトレジスト液が感光しないように装置自体が暗室内に設置されているので、基板Wを撮影する際の照明として用いるためのものである。ストロボ40は、例えば、キセノンランプと、500nm以上の波長を透過するバンドパスフィルタBPFとを組み合わせて構成されている。これらのCCDカメラ30およびストロボ40は、吐出確認部50に接続されている。また、ストロボ40としては、キセノンランプに代えて、赤外光付近に分光感度を有する高輝度赤外発光ダイオードまたは赤外発光ダイオードアレイを採用してもよい。この場合には、バンドパスフィルタBPFは不要となる。また、ストロボ40としては、供給するフォトレジスト液の分光感度に応じて適宜に選択すればよい。
【0031】
図3を参照して吐出確認部50について説明する。
ストロボ40は、ストロボ電源51から所要の電力を供給されて連続的に点灯されている。CCDカメラ30は、その動作制御、例えば、撮影タイミングを決定する電子シャッターの動作制御がカメラ制御部52によって制御される。カメラ制御部52への撮影開始指示は、制御部20からI/O制御部53へトリガ信号が入力されることによって行われる。トリガ信号が入力された場合には、その時点でCCDカメラ30を介して基板表面の撮影を行う。CCDカメラ30を介して撮影された、トリガ信号に基づく基板表面の画像信号は、カメラ制御部52およびI/O制御部53を介して画像処理部54に伝送され、静止画像として画像メモリ55に格納される。なお、上記ストロボ電源51は、連続的にストロボ40に対して電力供給を行う必要はなく、CCDカメラ30による基板表面の撮影時を含む適宜の範囲においてのみ電源を供給してストロボ40を間欠的に点灯させるようにしてもよい。なお、上述したCCDカメラ30の撮影視野を、上記の画像処理に係る処理速度を勘案して設定することが好ましい。
【0032】
そして、画像処理部54は、画像メモリ55内の静止画像をI/O制御部53を介してモニタ59に出力する。このモニタ59に表示された静止画像を見て、オペレータは吐出検出が正常になされたか否かを判断する。もしその静止画像が適切でない場合には、各部の動作タイミングがずれているので装置の動作をオペレータが手動で停止させればよい。これにより適切でない処理が以後の全ての基板に対して連続して施されることを未然に防止することができる。
【0033】
次に、図4のタイムチャートおよび図5,図6のフローチャートを参照して、上述したように構成された装置による基板Wへのフォトレジスト液の塗布処理の一例について説明する。なお、図4は塗布処理を施す処理プログラムのタイムチャートであり、図5は制御部20の動作を示すフローチャートであり、図6は吐出確認部50の動作を示すフローチャートである。また、以下の説明においては、処理の対象である基板Wは、図示しない基板搬送機構により吸引式スピンチャック1に既に吸着保持されているものとする。さらに、処理液供給ノズル5は、ノズル移動機構10によって既に供給位置(図1に実線で示す状態)に移動されて、その吐出孔5aが基板Wのほぼ回転中心Pの上方に距離Lをおいて位置しているものとする。
【0034】
なお、フォトレジスト液の供給方法としては、基板が回転している状態で供給を開始し、その状態で供給を完了する『ダイナミック法』と、基板が静止した状態で供給開始し、その状態で供給を完了する『スタティック法』と、上記のダイナミック法とスタティック法とを組み合わせたような『スタミック法』とがあるが、まず、ダイナミック法を採用した処理プログラムによる塗布処理について説明する。
【0035】
<ダイナミック法>(請求項2に記載の発明方法)
この処理プログラム(スピンコートプログラム)による塗布処理の基本的な流れは次のとおりである。
まず、回転開始命令により、時間t1 において基板Wが回転数R1(例えば、1,000rpm)に達するような加速度により回転駆動され、時間TS において供給開始命令が実行されてフォトレジスト液が一定流量で吐出開始され、フォトレジスト液が処理液供給ノズル5の吐出孔5aから吐出された時点t2 にて、この時点t2 からの経過時間を計数するタイマスタート命令が実行され、その時間が供給時間TSUとなった時点(時間TE )において供給停止命令が実行されてフォトレジスト液の吐出が停止され、時間t4 において回転上昇命令が実行されることにより、時間t6 の時点で基板Wが回転数R2(例えば、3,000rpm)となるように加速され、時間t8 において回転停止命令が実行されて時間t9 には塗布処理が終了するように作成されている。なお、上記の処理中においては、基板Wの周縁部からフォトレジスト液が飛散して霧状のミストとなって基板W裏面に付着したり、基板Wの周縁部からその裏面に回り込んで付着したフォトレジスト液を除去するために、図1に示したバックリンスノズル11から洗浄液を噴出させるように命令を付加しておくことが好ましい。
【0036】
さらに、上記の処理プログラムは、『吐出検出信号』が出力された時点t2 から所定の時間間隔をおいて、I/O制御部53に対して上記の撮影視野の撮影をするように指示するためのトリガ信号を出力するトリガ信号出力命令を実行するようにされている。
【0037】
ステップS1(供給開始命令?):
制御部20は、処理プログラムに含まれている複数個の命令を逐次に実行する際に、その命令が、フォトレジスト液が処理液供給ノズル5から吐出される供給開始命令であるか否かを判断して処理を分岐する。
【0038】
ステップS2(命令の実行):
まず実行される命令は、図4のタイムチャートに示すように、基板Wの回転駆動を開始する回転開始命令であるので、その命令を時間原点の時点において実行する。そして、再びステップS1の判断処理を実行する。
【0039】
ステップS3(供給開始命令の実行):
その次の命令は、図4のタイムチャートに示すように、処理液供給ノズル5からフォトレジスト液を吐出開始させる供給開始命令であるので、ステップS1からこのステップS3に処理を分岐して、時間TS において、処理液供給ノズル5を介してフォトレジスト液の吐出を開始させる供給開始命令を実行する。
【0040】
時間TS において供給開始命令が実行されると次のようにしてフォトレジスト液が処理液供給ノズル5を介して吐出され始める。
まず、サックバックバルブ13が非動作状態とされて処理液供給ノズル5内の吸引が解除されるとともに、速度制御弁18の一方18aが非動作状態とされ、他方18bが動作状態とされる。これにより複動式エアシリンダ17が動作状態とされ、これに連動してベローズポンプ14が動作して、処理液タンク16内からある一定量のフォトレジスト液が供給管12に送り込まれる。この一連の動作により、処理液供給ノズル5の吐出孔5aからフォトレジスト液が吐出され始め、速度制御弁18の一方18aおよび他方18bの状態(非動作/動作)を1回毎交互に切り換えて行うことにより、エアシリンダ17のピストン17aが上昇/下降してベローズポンプ14を1回毎駆動し、所定量のフォトレジスト液が処理液供給ノズル5から吐出される。このように供給開始命令が実行されてから順次に各部を動作させることによって、フォトレジスト液が吐出されるようになっているので、供給開始命令が実行された時点TS において、即座に処理液供給ノズル5の吐出孔5aからフォトレジスト液が吐出されるのではなく、実際にはある遅れ時間(開始遅れ時間)だけ遅れて吐出孔5aから吐出されることになる。この開始遅れ時間は加圧空気源の利用状況により変動するものであるが、ここでは上記開始遅れ時間がTDS1 であるとして説明する。
【0041】
ステップS4(吐出検出?):
ステップS3においてフォトレジスト液を吐出させる供給開始命令を実行した後は、吐出検出センサ6から制御部20に対して『吐出検出信号』が出力されるまでの間、このステップS4を繰り返し実行する。すなわち、吐出孔5aからフォトレジスト液が吐出されるまでは、次の命令の実行を停止している。上述したように供給開始命令が実行された時点TS から開始遅れ時間TDS1 だけ遅れて、吐出孔5aからフォトレジスト液が吐出されるので、その間はこのステップS4を繰り返し実行する。
【0042】
そして、吐出検出センサ6から制御部20に対して『吐出検出信号』が出力されると、ステップS4の繰り返し実行を停止して次のステップS5に処理が移行する。
【0043】
ステップS5(タイマスタート命令の実行):
制御部20は、『吐出検出信号』に基づきタイマスタート命令をt2 時点において実行する。このタイマスタート命令は、制御部20の図示しない内蔵タイマのリセットとともにカウントをスタートさせ、予め処理プログラム中に設定した供給時間TSUをカウントする命令である。
【0044】
ステップS6(トリガ信号出力命令の実行):
タイマスタート命令をt2 時点において実行した後、所定の時間間隔をおいて、トリガ信号出力命令を実行する。このトリガ信号出力命令は、制御部20がトリガ信号を出力して、吐出確認部50のI/O制御部53を介して基板Wの表面を撮影させるものである。なお、このトリガ信号を入力された吐出確認部50の動作については後述する。
【0045】
ステップS7(命令の実行):
上記の各種命令が実行された後は、それ以後の命令が逐次に実行される。
図4に示すタイムチャートでは、まず、図示しない内蔵タイマによるカウントが上記供給時間TSUとなった時点TE において供給停止命令が実行され、その後にt4 の時点において回転上昇命令が実行され、t8 の時点において回転停止命令が実行される。
【0046】
上記供給停止命令がTE の時点において実行されると、次のようにしてフォトレジスト液の吐出が停止される。
まず、上述したような2つの速度制御弁18a,18bの動作/非動作状態を切り換えて交互に繰り返し行う動作を停止することにより、複動式エアシリンダ17が非動作状態となってベローズポンプ14によるフォトレジスト液の供給が停止されるとともに、サックバックバルブ13を動作状態にして処理液供給ノズル5内部のフォトレジスト液を僅かに先端部から引き戻す。この動作により、処理液タンク16から供給管12および処理液供給ノズル5を通るフォトレジスト液の供給は停止される。なお、上述したようにフォトレジスト液の吐出時には、供給開始命令の実行時点TS から開始遅れ時間TDS1 が生じるが、供給停止命令の場合には上記2つの速度制御弁18a,18bを非動作状態とした時点において、フォトレジスト液の吐出がほぼ完全に遮断されるので、このときの遅延(停止遅れ時間)は上記開始遅れ時間TDS1 に比較して非常に短くほぼ無視することができる。
【0047】
上述したようにしてフォトレジスト液が吐出されたことに基づいて、供給開始命令の次の命令であるタイマスタート命令を実行することにより、供給開始命令以降の命令の実行タイミングをフォトレジスト液が吐出された時点に依存させることができる。したがって、供給開始命令が実行されてから実際に処理液供給ノズル5を介してフォトレジスト液が吐出されるまでの開始遅れ時間TDS1 を吸収することができ、フォトレジスト液の供給時間TSUを一定化することができる。
【0048】
次に、上記ステップS6においてトリガ信号出力命令が実行された時点における吐出確認部50の動作について図6のフローチャートを参照して説明する。
【0049】
ステップT1(基板表面の撮影):
トリガ信号を入力された吐出確認部50のI/O制御部53は、カメラ制御部52を介してCCDカメラ30を制御して、上述した撮影視野の撮影を行う。すなわち、処理液供給ノズル5の吐出孔5aと基板W表面の間隙を含む基板W表面を撮影する。この撮影された画像信号は、I/O制御部53を介して画像処理部54に伝送される。
【0050】
ステップT2(静止画像として格納):
画像信号を静止画像として画像メモリ55内に格納する。
この画像メモリ55に格納される静止画像は、上記のようにしてトリガ信号に基づく画像のみであるので、画像メモリ55の記憶容量としては少なくとも上記画像を記憶できるだけあればよい。
【0051】
ステップT3(静止画像をモニタに出力):
画像処理部54は、画像メモリ55の静止画像を取り出してI/O制御部53を介してモニタ59に出力する。
【0052】
このようにして『吐出検出信号』に基づいて基板表面を撮影し、この静止画像をモニタ59に出力し、その静止画像を装置のオペレータが確認することにより、吐出検出と判断されたタイミングが適切か否かを判断することができる。例えば、受光器6cの受光部に付着したミストやフォトレジスト液に起因して、フォトレジスト液が吐出孔5aから吐出されていないにも係わらず『吐出検出信号』が出力されるなどの不具合の発見を容易にすることができる。このような不具合を発見した場合には、オペレータが手動で装置を停止させることにより、順次に処理される基板に不適切な処理が施されるのを未然に防止することができる。
【0053】
次に、上記の基板Wの処理が完了し、新たな基板Wの処理を行う場合について説明する。なお、先の基板Wの処理時には、供給開始命令を実行した時点TS から開始遅れ時間TDS1 だけ遅れてフォトレジスト液が吐出されたが、新たな基板Wの処理時には、例えば、他の装置において加圧空気源の利用度が高まって、その圧力が変動(低下)したことに起因して、開始遅れ時間が上記開始遅れ時間TDS1 よりも大きくなって開始遅れ時間TDS2 (図4を参照)となったとして説明する。また、以下に説明する新たな基板Wの処理時における命令の実行タイミングが先の基板処理時と異なる部分は、図4中において括弧書き及び点線矢印で示すことにする。
【0054】
このような場合には、供給開始命令の実行時点TS は先の基板処理時と同一であるが、開始遅れ時間が大きくなっているので(TDS2 >TDS1 )、『吐出検出信号』が制御部20に入力されるタイミングも、開始遅れ時間TDS2 だけ遅れて(t3 )の時点になる。これに伴ってタイマスタート命令も遅れるので、供給停止命令の実行時点(TE )も遅れることになる。その結果、『吐出検出信号』が入力された時点(t3 )から供給停止命令が実行される時点(TE )までの時間間隔を、先の基板処理時と同じ供給時間(TSU)とすることができる。すなわち、フォトレジスト液は一定流量で処理液供給ノズル5から基板Wに対して吐出されるが、その供給時間TSUが一定化されているので、各基板に対して供給されるフォトレジスト液の量を同一にすることができる。その結果、複数枚の基板を順次に処理してゆく間に、加圧空気源の圧力変動に起因して開始遅れ時間が変動したとしても、その変動を吸収することができて供給時間TSUを一定化することができる。また、例えば、速度制御弁18の動作速度を調整したような場合であっても、それに起因する開始遅れ時間の変動分をも吸収することができる。
【0055】
また、上記のように供給停止命令の実行時点(TE )が遅れることに伴って、それ以降に実行される各命令も遅れることになる。具体的には、回転上昇命令の実行がt4 から(t5 )に遅れるとともに、回転停止命令もt8 から(t9 )に遅れることになる。その結果、フォトレジスト液の供給が停止されて、回転が上昇されるまでの時間を同一とすることができて、回転数R1で供給されたフォトレジスト液を基板Wの全面に拡げる処理を同一時間施すことができ、さらに、回転数R2に回転数を上昇されて停止されるまでの時間を同一とすることができて、基板Wの全面に拡げられたフォトレジスト液の余剰分を振り切る処理を同一時間施すことができる。その結果、各基板に形成されるフォトレジスト被膜の膜厚を均一にすることができる。また、各ロット間や各ロット内における処理を全て均一に施すことができ、長期間にわたって安定して処理を施すことができる。
【0056】
なお、上記の説明においては、処理液供給ノズル5の吐出孔5aと基板Wの表面との距離Lに起因する遅れに関しては何ら考慮していないが、これは上記吐出に係る機構に起因する開始遅れ時間に比較してその遅れの影響が無視できるほど小さいからである。
【0057】
なお、上記装置では、吐出検出手段を光センサにより構成したが、CCDカメラを処理液供給ノズル5の吐出孔5a付近に配設して、これにより吐出検出を行うようにしてもよい。
【0058】
<スタティック法>(請求項3に記載の発明方法)
次に、図7のタイムチャートを参照し、上述した吐出検出センサ6によりフォトレジスト液の吐出検出を行う方式で、かつ、基板Wが静止した状態でフォトレジスト液の供給を開始し、その状態でフォトレジスト液の供給を完了するスタティック法を採用した処理プログラムによる塗布処理について説明する。なお、図7のタイムチャート中に記載のトリガ信号出力命令による動作や、括弧書き、点線矢印などの意味は上述した通りである。
【0059】
このスタティック法では、基板Wの回転数が『0』回転、つまり、基板Wが静止している状態で供給開始命令を実行してフォトレジスト液の供給を開始し(時点TS )、その基板Wが回転開始命令により回転を開始する時点TE で供給停止命令を実行することによりその供給が完了するようになっている。
【0060】
このようなスタティック法による塗布処理であっても、上述した<ダイナミック法>と同様に、フォトレジスト液が吐出孔5aから吐出されたことに基づいて、供給開始命令の次の命令であるタイマースタート命令を実行することによって、供給開始命令以降の命令の実行タイミングをフォトレジスト液が吐出された時点に依存させることができる。したがって、フォトレジスト液の供給開始命令が実行されてから実際にフォトレジスト液が吐出孔5aから吐出されるまでの開始遅れ時間TDS1 を吸収することができて、フォトレジスト液の供給時間TSUを一定化することができる。
【0061】
また、開始遅れ時間がTDS1 からTDS2 (>TDS1 )に変動した場合には、『吐出検出信号』が制御部20に入力されるタイミングも供給開始命令の実行時点TS から開始遅れ時間TDS2 だけ遅れて(t2 )の時点となる。よってタイマースタート命令の実行も遅れるので、供給停止命令の実行時点(TE )も遅れることになり、『吐出検出信号』が入力された時点(t2 )から供給停止命令が実行される時点(TE )までの時間間隔を、上記供給時間TSUと同じ供給時間(TSU)にすることができる。したがって、開始遅れ時間が変動したとしても、この変動を吸収することができてフォトレジスト液の供給時間を一定化することができる。また、供給停止命令とともに回転開始命令以降の各命令の実行タイミングも遅れる。具体的には、回転上昇命令の実行時点がt5 から〔開始遅れ時間TDS1 とTDS2 との差分だけ遅れて〕(t6 )になるとともに、回転停止命令もt9 から(t10)に遅れる。その結果、静止状態で基板Wの中心付近に供給されたフォトレジスト液が回転数R1で基板Wの全面に拡げられる処理を同一時間施すことができる。さらに、回転数R2へと回転数を上昇されて停止されるまでの時間を同一とすることができて、基板Wの全面に拡げられたフォトレジスト液の余剰分を振り切る処理を同一時間施すことができる。その結果、このようなスタティック法による塗布処理であっても上述した<ダイナミック法>と同様の効果を得ることができる。
【0062】
なお、上記の説明では、供給停止命令とともに回転開始命令を実行するようにしたが、供給停止命令の実行時点は、供給開始命令が実行された時点から基板Wを回転させるまでの間であればどの時点で実行されるようにしてもよい。
【0063】
<スタミック法>(請求項4に記載の発明方法)
次に、図8のタイムチャートを参照して、上述した吐出検出センサ6によりフォトレジスト液の吐出検出を行う方式で、かつ、基板Wが静止した状態でフォトレジスト液を供給開始し、基板Wが回転を開始した後にフォトレジスト液の供給を完了するスタミック法を採用した処理プログラムによる塗布処理について説明する。
【0064】
このスタミック法では、基板Wの回転数が『0』回転、つまり、基板Wが静止している状態で供給開始命令を実行してフォトレジスト液の供給を開始し(時点TS )、その基板Wが回転開始命令により回転を開始(時点t3 )した後、時点TE において供給停止命令を実行してその供給を完了するようになっている。
【0065】
このようなスタミック法であっても、上述した<ダイナミック法>および<スタティック法>と同様に、フォトレジスト液が吐出孔5aから吐出されたことに基づいて、供給開始命令よりも後のタイマースタート命令を実行することによって、供給開始命令以降の命令(タイマースタート命令,回転開始命令,………)の実行タイミングを実際にフォトレジスト液が吐出された時点に依存させることができる。したがって、上述した例と同様に、開始遅れ時間TDS1 を吸収できて、フォトレジスト液の供給時間TSUを一定化することができる。
【0066】
また、上記同様、開始遅れ時間がTDS1 からTDS2 に変動した場合には、供給開始命令の実行時点TS から開始遅れ時間TDS2 だけ遅れて(t2 )時点において『吐出検出信号』が制御部20に入力される。したがって、タイマースタート命令の実行も遅れるので、供給停止命令の実行時点(TE )も遅れ、常に供給時間をTSUに維持することができる。また、このスタミック法では、タイマースタート命令が遅れるとともに、回転開始命令の実行時点もt3 から(t4 )に遅れる。したがって、静止状態で基板Wの中心付近に供給されたフォトレジスト液が回転数R1で基板Wの表面全体に拡げられる処理を同一時間だけ施すことができる。さらに、回転数R2へと回転数を上昇されて停止されるまでの時間を同一にすることができて、基板Wの表面全体に拡げられたフォトレジスト液の余剰分を振り切る処理を同一時間施すことができる。その結果、上述した<ダイナミック法>と<スタティック法>とを組み合わせたようなスタミック法であっても、上述した各方法と同様の効果を得ることができる。
【0067】
なお、上記の説明では、回転開始命令を実行して基板Wの回転数がR1に到達した時点t5 よりも後に、供給停止命令が実行されるように供給時間TSUを設定しているが、基板Wが回転を始めた後であれば任意の時点で供給停止命令を実行するようにしてもよい。例えば、基板Wの回転数が上昇されて回転数R1へ到達する途中(時点t3 とt5 との間)において供給停止命令を実行するようにしてもよく、また、回転上昇命令が実行される時点t7 までに供給停止命令を実行するようにしてもよい。
【0068】
また、上記の<スタティック法>、<スタミック法>による塗布処理において、フォトレジスト液が吐出されたことを検出するために、CCDカメラを処理液供給ノズル5の吐出孔5a付近に配設し、吐出検出センサ6に代えてこれによって吐出検出を行うようにしても同様の効果を得られることは言うまでもない。
【0069】
<好適な塗布方法>
次に、上述したように基板に対して均一な処理を施すことができる装置を用いることにより好適に実施することができるフォトレジスト液の塗布方法の一例について説明する。
【0070】
まず、上述した図4のタイムチャートに示す処理プログラム(ダイナミック法)により、フォトレジスト液の塗布処理を行った場合には、図9の模式図に示すようなフォトレジスト液Rの挙動によって基板Wの表面にフォトレジスト被膜が形成される。なお、この図では、簡略的に基板Wを円で示し、フォトレジスト液Rをハッチングした領域で示し、各図における基板Wの回転数を矢印の大きさで模式的に示している。
【0071】
まず、基板Wを回転数R1で低速回転させつつ基板Wの表面にフォトレジスト液Rを供給し始めた直後の状態では、フォトレジスト液Rは平面視で円形状の塊Ra (以下、これをコアRa と称する)となって基板Wの回転中心付近にある。さらにフォトレジスト液Rを供給し続けると、このコアRa の径は回転に伴う遠心力が作用してほぼ円形状を保ったまま基板Wの周縁に向かって同心円状に拡がってゆく。
【0072】
コアRa は暫くの間(数秒間)は円形状を保っているが、その後に大きく形を変えてゆく。具体的には、この円形状のコアRa の円周部から基板Wの周縁部に向かって多数の細長いフォトレジスト液Rb の流れ(以下、これをヒゲRb と称する)が放射状に伸び始める(図9(a))。この多数のヒゲRb は、遠心力によってコアRa の径の拡大とともに基板Wの周縁部に向かって伸び続けるが、ヒゲRb はコアRa に比べてその回転半径が大きく、そのために遠心力が大きく加わるので、コアRa の径の拡大よりも早く基板Wの周縁部に向かって伸びることになる(図9(b))。
【0073】
さらに基板Wの回転を回転数R1で続けると、多数のヒゲRb の先端部は、基板Wの周縁部に到達し(図9(c))、フォトレジスト液RはコアRa からヒゲRb を通って基板Wの周縁部に達して飛散(飛散フォトレジスト液Rc )する。さらにコアRa の径が大きくなるとともにヒゲRb の幅が拡がる(図9(c)中の二点鎖線と図9(d))ことによって、フォトレジスト液Rで覆われていないヒゲRb 間の領域が次第に少なくなって基板Wの全面がフォトレジスト液R(コアRa ,ヒゲRb )によって覆われる(図9(e))。なお、この時点で処理液供給ノズル5からのフォトレジスト液Rの供給を停止する(図4中の符号TE )。
【0074】
以上のように、フォトレジスト液Rで基板Wの表面全体を覆った後に、基板Wの回転数を、現在の回転数R1よりも高い回転数R2として、基板Wの表面を覆っているフォトレジスト液Rの余剰分(余剰フォトレジスト液Rd )を振り切ることによって、基板Wの表面に所望の膜厚のフォトレジスト被膜R’を形成する(図9(f))。
【0075】
ところが、図9(c)に示すように、多数のヒゲRb が基板Wの周縁部に到達すると、これ以降供給されるフォトレジスト液Rの大部分は、コアRa からヒゲRb を通って基板Wの周囲に放出されて飛散する(飛散フォトレジスト液Rc )ことになる。したがって、基板Wの表面全体がフォトレジスト液Rによって覆われるまでに大量のフォトレジスト液Rを供給する必要があり、フォトレジスト液の使用量が極めて多くなる。つまり、所望膜厚のフォトレジスト膜を得る際のフォトレジスト液Rの利用効率が極めて低くなる。
【0076】
そこで、図10のタイムチャートに示すように、フォトレジスト液Rの供給開始命令を実行した時点TS から開始遅れ時間TDS1 が経過した後、すなわち、実際にフォトレジスト液Rが処理液供給ノズル5の吐出孔5aから吐出された時点t2 からTa 時間が経過した時点に、所定の加速度(時間Tb 内に高速回転に切り換える)をもって基板Wの回転数を低い回転数R3から高い回転数R4に切り換えることにより、以下のような挙動がフォトレジスト液Rに生じる。なお、上記の回転数の一例は、回転数R3が約1,500rpmであり、回転数R4が3,000rpmとしている。また、回転数R3から回転数R4に回転数を切り換える際には、約0.07secで完了するように制御する。
【0077】
図11を参照する。回転数を低い回転数R3から高い回転数R4に上げることにより、基板Wの周縁部に向かって直線的に伸びていくはずのヒゲRb (図中の実線および二点鎖線)に、回転数上昇過程における加速度によって慣性力が作用するとともに回転による遠心力が作用し、ヒゲRb の伸びる方向がその合力によって周方向に曲げられるようにしてその幅が拡大する(図中の点線)。さらにコアRa の径も拡大する。この作用により各ヒゲRb の隙間が急激に狭められて、基板Wの表面全体がフォトレジスト液Rによって覆われる時間を短縮することができる。その結果、図9(c)に示す状態でヒゲRb を通って周囲に飛散するフォトレジストRc の量を少なくすることができる。
【0078】
このように回転数をフォトレジスト液の供給中に所定の加速度をもって上昇させるのであるが、その上昇させるタイミングは、コアRa からヒゲRb が発生し始める時点(図9(a)の状態)よりも後であって、かつ、ヒゲRb が基板Wの周縁に達する前(図9(c)の前の状態)であることが好ましい。また、実験によると、8インチサイズの基板Wを約2,000rpmで回転させつつフォトレジスト液を供給した場合には、フォトレジスト液を吐出開始してから約0.6sec以内(以下、到達時間と称する)でヒゲRb が基板Wの周縁部に到達することが判明している。したがって、図10に示す処理プログラムのタイムチャートにおいて、時間Ta (フォトレジスト液が吐出された時点t2 から回転数を上昇させるまでの時間)を正確に、到達時間内に収めるようにしなければならない。従来装置においては、フォトレジスト液の供給開始命令から開始遅れ時間だけ遅れが生じ、かつ、その時間も変動するので、図10中の時点t2 が変動することになり、時間Ta を正確にすることができず、その遅れの変動によって加速度を加えられる時点の、基板W表面上のフォトレジスト液Rの形状がまちまちとなる恐れがある。これにより各基板Wにおいて塗布状態が不均一となる不都合が生じる。
【0079】
一方、本発明装置によれば、上述したように、フォトレジスト液が実際に吐出される時点t2 が変動しても、『吐出検出信号』が出力されたことに基づいて次の命令が実行されるので、この場合には『吐出検出信号』が出力された時点t2 から時間Ta のカウントが開始されて、その時間経過後に回転上昇命令が実行される。したがって、加速度を加えられる時点における、基板W表面上のフォトレジスト液の形状を同じ状態とすることができるので、各基板Wにおいて塗布状態を均一にすることが可能となる。したがって、所望膜厚の塗布被膜を得るために供給するフォトレジスト液の量を極めて少なくすることができる。
【0080】
また、上記のような塗布方法では、図10の回転上昇命令の実行時点(『吐出検出信号』からTa 時間経過後)にトリガ信号を制御部20からI/O制御部53に出力して、CCDカメラ30によりその時点の基板Wの静止画像をモニタ59に表示させることにより、上記ヒゲRb の伸び具合や曲がり具合を確認することによって、タイミングにずれが生じていないかを確認することができる。もし、その伸び具合や曲がり具合に異常があれば、タイミングにずれが生じているので、オペレータが手動により装置を停止すればよい。
【0081】
なお、トリガ信号のタイミングとしては、図10に示すように、基板Wの回転数を回転数R3から回転数R4に上昇完了した時点としてもよい。これによっても上記のようにタイミングのずれを判断することができる。また、上記のトリガ信号とこのトリガ信号とを両方出力して、2枚の静止画像を得るようにしてもよい。このようにする場合には、上述した画像メモリ55の記憶容量を、少なくともこれら2つの静止画像が記憶可能な容量とすればよい。
【0082】
また、上記の図10のタイムチャートに示した処理プログラムでは、回転数R3から回転数R4に上昇完了した後にフォトレジスト液の供給を停止(TE )したが、図中に点線矢印および括弧(TE )で示すように、フォトレジスト液の供給を停止した後に回転数R4に加速してもよく、また、回転数R4への加速途中にフォトレジスト液の供給を停止するようにしてもよい。すなわち、ヒゲRb が周方向に曲げられるような加速度を加えることができればよく、種々の処理プログラムにより実現可能である。このような場合には、上記トリガ信号は、フォトレジスト液の供給停止時点や、加速開始時点や、加速中の適宜の時点や、加速完了後の時点に設定すればよい。
【0083】
上述したような本発明装置によると、上記処理プログラムのように各命令の実行タイミングが非常に重要な場合であっても、正確に処理を実施することができる。
【0084】
なお、上述した<ダイナミック法>による塗布処理において、上述したようなタイミングで加速を行うことにより周囲に飛散するフォトレジスト液の量を少なくすることができたが、この手法は<スタティック法>および<スタミック法>であっても同様に実施可能である。但し、上記の<ダイナミック法>では、フォトレジスト液が吐出されてからヒゲRb が基板Wの周縁部に到達するまでの時間を到達時間とし、この到達時間内に時間Ta を収める必要があったが、<スタティック法>および<スタミック法>の場合には吐出されたフォトレジスト液が基板Wの表面に到達した時点では回転が加わっていないためヒゲRb が発生していない。したがって、ヒゲRb が発生する、基板Wの回転駆動が開始された時点(TE 又はt2 )から回転数を上昇するまでの時間Ta ’ を、回転時に基板W表面にあるコアRa の径などを勘案して上記の到達時間に基づく時間内に収めるようにすればよい。
【0085】
具体的には、<スタティック法>が図12に示すタイムチャートのようになり、<スタミック法>が図13に示すタイムチャートのようになる。これらの場合であっても、上述したように『吐出検出信号』が出力されたことに基づいて次の命令が実行されるので、<スタティック法>の場合には『吐出検出信号』が出力された時点t1 から供給時間TSUのカウントが開始され、その時間経過後(TE )に供給停止命令および回転開始命令が実行される。また、<スタミック法>の場合には『吐出検出信号』が出力された時点t1 から回転開始命令の実行時点t2 までの時間および供給時間TSUのカウントが開始され、回転開始命令の時間t2 になった時点で回転開始命令が実行される。そして、それぞれ時間Ta ’が経過した時点t3 において回転上昇命令が実行されることになる。したがって、加速度を加えられる時点における、基板W表面のフォトレジスト液の形状を同じ状態とすることができるので、各基板Wにおいて塗布状態を均一にすることができること、フォトレジスト液の量を極めて少なくすることができることは上述した<ダイナミック法>の場合と同様である。
【0086】
なお、これらの場合であっても、<ダイナミック法>において説明したように、回転上昇命令の実行時点t3 にトリガ信号を制御部20からI/O制御部53に出力して、CCDカメラ30によりその時点の静止画像をモニタ59に表示させて、タイミングにずれが生じていないか否かを確認することが好ましい。また、トリガ信号の出力タイミングについても上記と同様である。
【0087】
また、処理液として、フォトレジスト液を例に採って説明したが、処理液として現像液やリンス液を供給する現像処理装置にも適用可能である。さらに、基板の表面周縁部に塗布形成されたフォトレジスト被膜を所定の除去幅をもって溶解除去する、いわゆるエッジリンス処理を行なう際にも本発明を適用することが可能である。この場合には、上記実施例にならえば、吐出検出センサ6をエッジリンスノズルの先端部付近に配設しておき、このセンサにより溶解液の吐出を検出すればよい。
【0088】
また、処理液としては、表面保護や絶縁のために利用されるSOG(Spin On Glass) 液や、ポリイミド樹脂などにも適用可能である。
【0089】
以上の説明から明らかなように、請求項1に記載の発明方法によれば、供給開始命令が実行されたのち、処理液が吐出され始めた時点を検出し、この検出時点に基づいて、それ以後の命令を実行することにより、次の命令への移行を処理液が吐出された時点に依存させることができる。したがって、処理液の吐出に係る遅れ時間およびその変動分を吸収することができて、処理液の供給時間を一定化することができる。その結果、各ロット間や各ロット内における処理を全て均一に施すことができ、長期間にわたって安定して処理を施すことができる。
【0090】
また、請求項2に記載の発明方法によれば、基板が回転している状態で処理液の供給を開始し、その状態で供給を完了するダイナミック法による処理液供給方法であっても請求項1に記載の効果を得ることができる。
【0091】
また、請求項3に記載の発明方法によれば、基板が静止した状態で処理液の供給を完了するスタティック法による処理液供給方法であっても請求項1と同じ効果を得ることができる。
【0092】
また、請求項4に記載の発明方法によれば、基板が静止した状態で処理液の供給を開始して基板が回転を開始した後にその供給を完了する、上記のダイナミック法とスタティック法とを組み合わせたような処理液供給方法(スタミック法)であっても請求項1と同様の効果を得ることができる。
【0093】
また、請求項5に記載の発明装置によれば、請求項1ないし請求項4に記載の発明方法を好適に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る処理液供給装置の一例である回転式基板塗布装置の概略構成を示すブロック図である。
【図2】吐出検出センサを示す図である。
【図3】吐出確認部を示すブロック図である。
【図4】ダイナミック法による塗布処理を示すタイムチャートである。
【図5】制御部の動作を示すフローチャートである。
【図6】吐出確認部の動作を示すフローチャートである。
【図7】スタティック法による塗布処理を示すタイムチャートである。
【図8】スタミック法による塗布処理を示すタイムチャートである。
【図9】フォトレジスト液の挙動を示す模式図である。
【図10】本発明装置によって実施するのに好適な塗布処理プログラムを、ダイナミック法によって実施した一例を示すタイムチャートである。
【図11】好適な塗布処理プログラムにおけるフォトレジスト液の挙動を示す模式図である。
【図12】本発明装置によって実施するのに好適な塗布処理プログラムを、スタティック法によって実施した一例を示すタイムチャートである。
【図13】本発明装置によって実施するのに好適な塗布処理プログラムを、スタミック法によって実施した一例を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
W … 基板
1 … 吸引式スピンチャック
5 … 処理液供給ノズル(処理液供給手段)
5a … 吐出孔
6 … 吐出検出センサ(吐出検出手段)
6a … 取り付け部材
6b … 投光器
6c … 受光器
14 … ベローズポンプ(処理液供給手段)
17 … シリンダ(処理液供給手段)
18 … 速度制御弁(処理液供給手段)
20 … 制御部(制御手段)
30 … CCDカメラ
40 … ストロボ
50 … 吐出確認部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and apparatus for supplying a processing liquid such as a photoresist liquid or a developing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a substrate for an optical disk. More particularly, the present invention relates to a technique for supplying a processing liquid to a substrate by executing a supply start instruction based on a processing program that prescribes a series of processes and includes a plurality of instructions including a supply start instruction.
[0002]
[Prior art]
As a conventional apparatus of this type, for example, there is a photoresist liquid supply apparatus for supplying a photoresist liquid as a processing liquid to a substrate surface. This apparatus is composed of a plurality of instructions and defines a processing program (also referred to as a spin coating program) that defines a series of processing stored in advance and defines the type of photoresist liquid, the number of rotations during coating, the time thereof, and the like. Based on the above, for example, the control unit executes the rotation start command to drive the substrate supported by the rotation support means at a predetermined rotation speed, and the control unit executes the supply start command. The supply of the photoresist liquid is started via the processing liquid supply nozzle. After a specified time from the execution of the supply start command, the supply of the photoresist solution is stopped or the substrate is rotated at a high speed to form a photoresist film of a predetermined thickness on the entire surface of the substrate. ing.
[0003]
When the control unit executes the supply start command, the photoresist liquid is expanded by being supplied with pressurized air from a pressurized air source, which is one of utilities provided in the clean room. Air is discharged from the nozzle tip by an air cylinder and a bellows pump interlocked with the operation of the air cylinder. Further, the air cylinder is provided with a speed adjusting valve for adjusting the speed at which the pressurized air is introduced / discharged.
[0004]
In addition, in addition to the above-described configuration, the processing liquid supply nozzle may have a problem that when the supply of the photoresist liquid is stopped, the photoresist liquid remaining mainly in the vicinity of the nozzle tip is dropped (so-called dripping). ) Is provided with a suck-back valve that acts to suck the photoresist liquid remaining inside the nozzle and pull it back slightly. The operation of the suck back valve is released almost simultaneously with the operation. The suck-back valve that operates in this manner is also operated by introducing / discharging pressurized air from a pressurized air source, which is one of utilities, similarly to the above-described processing liquid supply nozzle.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the apparatus as described above, even when the supply start command is executed by the control unit, the photoresist liquid is not immediately discharged, and the delay time is required for the photoresist liquid to be discharged from the tip of the processing liquid supply nozzle. Will exist. Therefore, in practice, the photoresist liquid is discharged from the nozzles at least by a delay time (hereinafter, this delay time is referred to as a start delay time) from the time when the supply start command is executed by the control unit. become. Therefore, the created spin coat program has a problem that desired processing cannot be performed accurately.
[0006]
Therefore, in order to solve such inconvenience, in the conventional apparatus, when creating the spin coat program, the photoresist liquid is discharged from the nozzle at a desired time in consideration of the start delay time in advance. Further, the point at which the supply start command is executed is advanced by the start delay time (hereinafter, this is referred to as manual delay time correction). Specifically, for example, after the rotation start command is executed, the time when the rotation speed of the substrate sufficiently reaches the target rotation speed and the rotation is stabilized (this is referred to as T S To discharge the photoresist liquid from the nozzle, the start delay time is set to T DS Then, when creating a spin coat program as a processing program, the supply start instruction S -T DS A program is created in advance so as to be executed at the point of time.
[0007]
However, such manual delay time correction has the following disadvantages.
As described above, the air cylinder and suckback valve related to the supply of the photoresist liquid are operated by the pressurized air source, which is one of utilities provided in the clean room. This pressurized air source is usually used also in other devices in a clean room, and its pressure fluctuates delicately over time (time variation) or daily (day variation) depending on the state of use. . Therefore, since the start of the supply of the photoresist liquid is controlled using the utility that fluctuates in this manner, the start delay time becomes longer or shorter in accordance with the fluctuation, and as a result, the manual delay as described above occurs. However, the above-described inconvenience cannot be sufficiently solved by the delay time correction by the above method. In other words, the above-mentioned processing program can accurately perform the processing at a certain time (a certain day), but can perform the processing correctly with the above-mentioned processing program at another time (another day). As a result, the processing results may differ between different lots that have been processed using the same processing program, or between the same lots. In other words, there is a problem that even if the processing is performed by the same processing program, the processing may not be performed uniformly.
[0008]
In addition, the air cylinder and suck-back valve related to the supply of the photoresist liquid can adjust their operation speeds, and when the speeds are readjusted, the start delay time also fluctuates. Therefore, the above-described inconvenience cannot be sufficiently solved by the manual delay time correction as described above.
[0009]
In particular, in the recent semiconductor manufacturing industry, with the progress of process miniaturization technology and the increase in substrate diameter, precision is required for processing, and processing programs such as spin coating programs are very delicate and precise. It is becoming something. Therefore, in the delay time correction related to the manual supply of the processing liquid performed in the conventional apparatus, the programming work is complicated or the programming cannot be performed at all.
[0010]
The present invention has been made in view of such circumstances, and a process capable of performing a uniform process on a substrate by executing subsequent commands based on ejection of a processing liquid. It is an object of the present invention to provide a liquid supply method and a liquid supply device.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration to achieve such an object.
In other words, the method according to the first aspect of the present invention comprises a plurality of instructions including a supply start instruction, and is based on a processing program that defines a series of processing stored in advance. Base In the processing liquid supply method for supplying the processing liquid near the center of the plate, after the supply start command is executed, From processing liquid supply means Processing liquid is discharged Detect the time when it started And executing instructions of the subsequent processing program based on the command.
[0012]
According to a second aspect of the present invention, in the method for supplying a processing liquid according to the first aspect, the supply of the processing liquid to be supplied near the center of the substrate is started while the substrate is rotating. In this state, the supply is completed.
[0013]
According to a third aspect of the present invention, in the method for supplying a processing liquid according to the first aspect, the supply of the processing liquid to be supplied to the vicinity of the center of the substrate is started while the substrate is stationary. In which the supply is completed.
[0014]
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of the first aspect, the processing liquid supplied near the center of the substrate is started to be supplied while the substrate is stationary, and Is characterized in that the supply is completed after the start of rotation.
[0015]
According to a fifth aspect of the present invention, the control unit executes the supply start command based on a processing program that prescribes a series of processes and includes a plurality of commands including a supply start command. In the processing liquid supply device for supplying the processing liquid to the substrate via the processing liquid supply means, the processing liquid is discharged from the processing liquid supply means. When we started In addition to having a discharge detection means for detecting, the control means, when sequentially executing each command included in the processing program, to the substrate via the processing liquid supply means by execution of a supply start instruction The supply of the processing liquid is started, and the discharge detecting means detects the discharge of the processing liquid. At the time of this detection , The execution of the subsequent instruction is started.
[0016]
[Action]
Contract The operation of the method according to
By executing a supply start instruction for starting supply of the processing liquid among the instructions included in the processing program that defines a series of processing stored in advance, ideally, the processing liquid is discharged immediately. However, in practice, the processing liquid is discharged after a certain delay time (start delay time) has elapsed. The start delay time slightly fluctuates due to time fluctuation or daily fluctuation. Therefore, when the supply stop instruction for stopping the supply of the processing liquid is executed after a specific time after the supply start instruction is executed, the processing liquid is supplied only for a shorter time than the intended time (specific time). Become. That is, if a processing program is created so as to execute a supply stop instruction after a specified time (for example, 5 seconds) after the supply start instruction is executed, the supply of the intended processing liquid on the processing program is performed. Although the time is the specific time, in fact, the start time is shorter than the specific time by the start delay time, and further, the start delay time fluctuates, so that the supply time also fluctuates. . Therefore, after the supply start command is executed, the processing liquid is discharged and discharged. Detect the time when it started Based on the execution of the subsequent instructions, the processing liquid shifts to the next instruction. start Can depend on the point in time. Therefore, the start delay time and the variation thereof can be absorbed, and the supply time can be kept constant.
[0017]
According to the second aspect of the present invention, the supply of the processing liquid is started while the substrate is rotating, and the supply of the processing liquid is completed while the rotation is maintained (hereinafter referred to as a dynamic method). ). That is, the supply of the processing liquid is started while the substrate is driven to rotate at a constant speed, and the supply of the processing liquid is completed after a predetermined time, but the supply time varies depending on the start delay time. Therefore, by executing a command after the supply start command based on the discharge of the processing liquid, the above-described supply time can be kept constant even in the processing liquid supply method by the dynamic method.
[0018]
Further, according to the method of the present invention, the supply of the processing liquid is started with the substrate stationary, and the supply of the processing liquid is completed while the substrate is stationary (hereinafter, referred to as a static method). That is, the supply of the processing liquid is started before the substrate is rotated, and the supply is completed after a predetermined time, but the supply time varies depending on the start delay time. Therefore, by executing the instruction after the supply start instruction based on the discharge of the processing liquid, the above-mentioned supply time can be made constant even in the processing liquid supply method by the static method.
[0019]
According to the method of the present invention, the supply of the processing liquid is started while the substrate is stationary, and the supply of the processing liquid is completed after the substrate starts rotating. That is, it is a method of supplying the processing liquid as a combination of the above-described dynamic method and static method (hereinafter, this method is referred to as a static method). Even in this stamic method, the supply time fluctuates due to the start delay time described above, but the supply time is made constant by executing a command after the supply start command based on the discharge of the processing liquid. be able to.
[0020]
The operation of the device according to the fifth aspect of the present invention is as follows.
When the control means executes the supply start command, ideally, the processing liquid is discharged immediately via the processing liquid supply means. However, in practice, the processing liquid is discharged after a lapse of a certain delay time (a start delay time, which causes a time variation and a daily variation) from the execution time of the supply start command. After executing the supply start command, the control unit discharges the processing liquid by the discharge detection unit. Detect the time when it started , The execution of the subsequent instruction is performed, so that the transition to the instruction after the supply start instruction can be made dependent on the time when the processing liquid is discharged. Therefore, the start delay time and its fluctuation can be absorbed.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a rotary substrate coating apparatus (also called a spin coater) which is an example of a processing liquid supply apparatus according to the present invention.
[0022]
In the drawing,
[0023]
Around the suction-
[0024]
On the outside of the scattering prevention cup 4a, a processing liquid supply configured to be movable between a supply position corresponding to a position above the rotation center P on the loaded substrate W and a standby position away from the substrate W to the periphery. A
[0025]
The treatment
[0026]
Further, in the scattering prevention cup 4a, on the rotation center P side below the substrate W, the photoresist liquid is scattered and adheres to the back surface of the substrate W as a mist, or the peripheral edge of the surface of the substrate W In order to remove unnecessary photoresist liquid that has flowed from the part to the back surface, a back rinse nozzle 11 that jets a cleaning liquid toward the back surface is provided. The ejection of the cleaning liquid from the back rinse nozzle 11 is controlled by a
[0027]
A
[0028]
The bellows pump 14 operates in conjunction with the double-acting
[0029]
The
[0030]
On the upper inner peripheral surface of the
[0031]
The
The
[0032]
Then, the
[0033]
Next, an example of a process of applying a photoresist liquid to the substrate W by the apparatus configured as described above will be described with reference to the time chart of FIG. 4 and the flowcharts of FIGS. 4 is a time chart of a processing program for performing the coating processing, FIG. 5 is a flowchart showing an operation of the
[0034]
As a method of supplying the photoresist solution, the supply is started in a state where the substrate is rotating, and the supply is started in that state. There are a "static method" in which the supply is completed and a "stamic method" in which the above-mentioned dynamic method and the static method are combined. First, the coating processing by a processing program employing the dynamic method will be described.
[0035]
<Dynamic method> (Invention method according to claim 2)
The basic flow of the coating process by this processing program (spin coat program) is as follows.
First, according to the rotation start command, the time t 1 The substrate W is driven to rotate at an acceleration such that the rotation speed reaches R1 (for example, 1,000 rpm) at time T S At time t, when the supply start command is executed, the photoresist liquid is started to be discharged at a constant flow rate, and the photoresist liquid is discharged from the
[0036]
Further, the above processing program is executed at the time t when the “ejection detection signal” is output. 2 At a predetermined time interval from, a trigger signal output command for outputting a trigger signal for instructing the I / O control unit 53 to perform imaging in the imaging field of view is executed.
[0037]
Step S1 (supply start command?):
When sequentially executing a plurality of instructions included in the processing program, the
[0038]
Step S2 (execution of instruction):
First, as shown in the time chart of FIG. 4, the command to be executed is a rotation start command for starting the rotation drive of the substrate W, and therefore the command is executed at the time origin. Then, the determination processing of step S1 is executed again.
[0039]
Step S3 (execution of supply start command):
Since the next instruction is a supply start instruction to start discharging the photoresist liquid from the processing
[0040]
Time T S When the supply start command is executed in the above, the photoresist liquid starts to be discharged through the processing
First, the suck-
[0041]
Step S4 (discharge detection?):
After executing the supply start command for discharging the photoresist liquid in step S3, this step S4 is repeatedly performed until the “discharge detection signal” is output from the
[0042]
Then, when the “ejection detection signal” is output from the
[0043]
Step S5 (execution of timer start instruction):
The
[0044]
Step S6 (execution of a trigger signal output instruction):
Timer start instruction is t 2 After the execution at the time, the trigger signal output command is executed at a predetermined time interval. The trigger signal output command causes the
[0045]
Step S7 (execution of instruction):
After the above various instructions have been executed, the subsequent instructions are sequentially executed.
In the time chart shown in FIG. 4, first, a count by a built-in timer (not shown) is determined by the supply time T. SU Time T when E A supply stop command is executed at t 4 Is executed at time t, and t 8 The rotation stop command is executed at the point of time.
[0046]
When the supply stop instruction is T E The discharge of the photoresist liquid is stopped in the following manner.
First, by switching the operation / non-operation state of the two
[0047]
By executing the timer start command, which is the command following the supply start command, based on the discharge of the photoresist liquid as described above, the execution timing of the command after the supply start command causes the photoresist liquid to be discharged. It can depend on the point in time. Therefore, the start delay time T from when the supply start command is executed to when the photoresist liquid is actually discharged through the processing
[0048]
Next, the operation of the
[0049]
Step T1 (photograph of substrate surface):
The I / O control unit 53 of the
[0050]
Step T2 (stored as a still image):
The image signal is stored in the
Since the still image stored in the
[0051]
Step T3 (output a still image to a monitor):
The
[0052]
In this way, the substrate surface is photographed based on the “ejection detection signal”, and the still image is output to the monitor 59, and the operator of the apparatus confirms the still image. Can be determined. For example, there is a problem that a "discharge detection signal" is output even though the photoresist liquid is not discharged from the discharge holes 5a due to mist or photoresist liquid attached to the light receiving portion of the
[0053]
Next, a case where the processing of the substrate W is completed and a new substrate W is processed will be described. At the time of processing the substrate W, the time T at which the supply start S From start delay time T DS1 The photoresist liquid was ejected only after a delay, but when processing a new substrate W, for example, due to the increased use of the pressurized air source in another apparatus and the pressure fluctuated (decreased) , The start delay time T is the start delay time T DS1 Start delay time T DS2 (See FIG. 4). In FIG. 4, parentheses and dotted arrows indicate portions where the execution timing of an instruction during processing of a new substrate W, which will be described below, is different from that during the previous substrate processing.
[0054]
In such a case, the execution time T of the supply start instruction S Is the same as in the previous substrate processing, but (T DS2 > T DS1 ), The timing at which the “discharge detection signal” is input to the
[0055]
Further, as described above, the execution stop time (T E ) Is delayed, each instruction executed thereafter is also delayed. Specifically, the execution of the rotation increase instruction is t 4 From (t 5 ) And the rotation stop command is also t 8 From (t 9 ). As a result, the time until the supply of the photoresist liquid is stopped and the rotation is increased can be made the same, and the process of spreading the photoresist liquid supplied at the rotation speed R1 over the entire surface of the substrate W can be performed in the same manner. The process can be performed for a longer time, and the time from when the rotation speed is increased to the rotation speed R2 to when the rotation is stopped can be made the same, and the surplus photoresist liquid spread over the entire surface of the substrate W is shaken off. For the same time. As a result, the thickness of the photoresist film formed on each substrate can be made uniform. In addition, processing can be performed uniformly between lots or within each lot, and processing can be performed stably over a long period of time.
[0056]
In the above description, the delay caused by the distance L between the
[0057]
In the above-described apparatus, the ejection detection means is constituted by an optical sensor. However, a CCD camera may be provided near the
[0058]
<Static method> (Invention method according to claim 3)
Next, referring to the time chart of FIG. 7, the photoresist liquid is started to be supplied by the method of detecting the photoresist liquid by the above-described
[0059]
In this static method, the supply of the photoresist liquid is started by executing the supply start command while the rotation number of the substrate W is “0”, that is, while the substrate W is stationary (at time T). S ), Time T at which the substrate W starts rotating according to the rotation start command E The supply is completed by executing the supply stop command in the step (1).
[0060]
Even in such a coating process by the static method, similarly to the above <Dynamic method>, based on the fact that the photoresist liquid is discharged from the
[0061]
In addition, the start delay time is T DS1 To T DS2 (> T DS1 ), The timing at which the “ejection detection signal” is input to the
[0062]
In the above description, the rotation start instruction is executed together with the supply stop instruction. However, the execution time of the supply stop instruction is between the time when the supply start instruction is executed and the time when the substrate W is rotated. It may be executed at any time.
[0063]
<Stamic method> (Inventive method according to claim 4)
Next, referring to the time chart of FIG. 8, the photoresist liquid is started to be supplied by the method of detecting the discharge of the photoresist liquid by the above-described
[0064]
In this static method, the supply of the photoresist liquid is started by executing the supply start command while the rotation number of the substrate W is “0”, that is, in a state where the substrate W is stationary (at time T). S ), The substrate W starts rotating according to the rotation start command (time t) 3 ), Then at time T E Executes the supply stop command to complete the supply.
[0065]
Even in such a static method, similarly to the above-mentioned <Dynamic method> and <Static method>, based on the fact that the photoresist liquid is discharged from the
[0066]
Also, as described above, the start delay time T DS1 To T DS2 The supply start instruction execution time T S From start delay time T DS2 Only late (t 2 At a point in time), the “discharge detection signal” is input to the
[0067]
In the above description, the rotation start command is executed and the time t when the rotation speed of the substrate W reaches R1 is reached. 5 Later than the supply time T so that the supply stop command is executed. SU However, the supply stop command may be executed at any time after the substrate W starts rotating. For example, the rotation speed of the substrate W is increased and reaches the rotation speed R1 (at time t1). 3 And t 5 At the time t) at which the rotation stop command is executed. 7 By the time, the supply stop command may be executed.
[0068]
In addition, in the coating process by the <static method> or <stamic method>, a CCD camera is disposed near the
[0069]
<Preferred coating method>
Next, an example of a method for applying a photoresist liquid, which can be suitably performed by using an apparatus capable of uniformly processing a substrate as described above, will be described.
[0070]
First, when a photoresist solution is applied by the processing program (dynamic method) shown in the time chart of FIG. 4 described above, the behavior of the photoresist solution R as shown in the schematic diagram of FIG. A photoresist film is formed on the surface of the substrate. In this figure, the substrate W is simply indicated by a circle, the photoresist liquid R is indicated by a hatched area, and the rotation speed of the substrate W in each figure is schematically indicated by the size of an arrow.
[0071]
First, in a state immediately after the supply of the photoresist liquid R to the surface of the substrate W while the substrate W is being rotated at a low speed at the rotation speed R1, the photoresist liquid R has a circular mass R in plan view. a (Hereafter, this is referred to as Core R a ) In the vicinity of the rotation center of the substrate W. When the photoresist liquid R is further supplied, the core R a Is concentrically expanded toward the periphery of the substrate W while maintaining a substantially circular shape due to the centrifugal force caused by the rotation.
[0072]
Core R a For a while (several seconds), it keeps a circular shape, but then changes shape greatly. Specifically, this circular core R a From the circumference of the substrate W toward the periphery of the substrate W b Flow (hereinafter referred to as mustache R b ) Begins to expand radially (FIG. 9A). This many mustache R b Is the core R a Continue to extend toward the peripheral edge of the substrate W as the diameter of b Is the core R a Since the radius of rotation is larger than that of a 9B, and extends toward the peripheral edge of the substrate W faster than the diameter of the substrate W increases (FIG. 9B).
[0073]
Further, when the rotation of the substrate W is continued at the rotation speed R1, a large number of whiskers R b Reaches the periphery of the substrate W (FIG. 9C), and the photoresist liquid R a From mustache R b And reaches the peripheral portion of the substrate W and scatters (scattered photoresist liquid R c ). Further core R a And the beard R b (FIG. 9 (c) and the two-dot chain line in FIG. 9 (c) and FIG. 9 (d)), the beard R not covered with the photoresist liquid R b The area between the substrates W is gradually reduced, and the entire surface of the substrate W is exposed to the photoresist liquid R (core R). a , Beard R b ) (FIG. 9E). At this point, the supply of the photoresist liquid R from the processing
[0074]
As described above, after covering the entire surface of the substrate W with the photoresist liquid R, the rotation speed of the substrate W is set to a rotation speed R2 higher than the current rotation speed R1, and the photoresist covering the surface of the substrate W Excess of liquid R (excess photoresist liquid R d ) To form a photoresist film R ′ having a desired thickness on the surface of the substrate W (FIG. 9F).
[0075]
However, as shown in FIG. b Reaches the peripheral portion of the substrate W, most of the photoresist liquid R supplied thereafter becomes the core R a From mustache R b Is discharged to the periphery of the substrate W and scattered (scattered photoresist liquid R c ) Therefore, it is necessary to supply a large amount of the photoresist solution R before the entire surface of the substrate W is covered with the photoresist solution R, and the usage amount of the photoresist solution becomes extremely large. That is, the utilization efficiency of the photoresist liquid R when obtaining a photoresist film having a desired film thickness is extremely low.
[0076]
Therefore, as shown in the time chart of FIG. S From start delay time T DS1 Has elapsed, that is, the point in time t when the photoresist liquid R is actually discharged from the
[0077]
Please refer to FIG. By increasing the number of revolutions from the low number of revolutions R3 to the high number of revolutions R4, the mustache R that should extend linearly toward the periphery of the substrate W b (A solid line and a two-dot chain line in the figure), an inertia force acts due to the acceleration in the rotation speed increasing process, and a centrifugal force due to the rotation acts on the whisker R. b Is expanded in the circumferential direction by the resultant force (dotted line in the figure). Further core R a Also increase in diameter. By this action, each beard R b Is sharply narrowed, and the time required for the entire surface of the substrate W to be covered with the photoresist liquid R can be reduced. As a result, in the state shown in FIG. b R that scatters around through c Can be reduced.
[0078]
As described above, the rotation speed is increased with a predetermined acceleration during the supply of the photoresist liquid. a From mustache R b Is later than the time point when the occurrence of b Before reaching the periphery of the substrate W (the state before FIG. 9C). Also, according to an experiment, when the photoresist liquid is supplied while rotating the 8-inch size substrate W at about 2,000 rpm, the discharge of the photoresist liquid is started within about 0.6 sec (hereinafter, arrival time). Beard R b Has reached the periphery of the substrate W. Therefore, in the time chart of the processing program shown in FIG. a (Time t at which the photoresist liquid was discharged 2 From the time until the number of revolutions is increased) must be precisely within the arrival time. In the conventional apparatus, a delay is caused by the start delay time from the photoresist liquid supply start command, and the time fluctuates, so that the time t in FIG. 2 Fluctuates, and the time T a May not be accurate, and there is a possibility that the shape of the photoresist liquid R on the surface of the substrate W at the time when the acceleration is applied due to the fluctuation of the delay may vary. As a result, there arises a problem that the coating state of each substrate W becomes uneven.
[0079]
On the other hand, according to the apparatus of the present invention, as described above, the time t when the photoresist liquid is actually discharged is t. 2 Does not change, the next command is executed based on the output of the "ejection detection signal". In this case, the time t when the "ejection detection signal" is output 2 From time T a Is started, and after that time elapses, the rotation increase command is executed. Therefore, the shape of the photoresist liquid on the surface of the substrate W at the time when the acceleration is applied can be made the same, so that the application state can be made uniform on each substrate W. Therefore, the amount of the photoresist solution supplied to obtain a coating film having a desired film thickness can be extremely reduced.
[0080]
Further, in the above-described coating method, the time point of the execution of the rotation rise command shown in FIG. a After a lapse of time), a trigger signal is output from the
[0081]
As shown in FIG. 10, the timing of the trigger signal may be a point in time when the rotation speed of the substrate W is completely increased from the rotation speed R3 to the rotation speed R4. This also allows the timing shift to be determined as described above. Alternatively, both the trigger signal and the trigger signal may be output to obtain two still images. In such a case, the storage capacity of the
[0082]
Further, in the processing program shown in the time chart of FIG. 10, the supply of the photoresist liquid is stopped after the completion of the increase from the rotation speed R3 to the rotation speed R4 (T E ), But a dotted arrow and parentheses (T E As shown in ()), the supply of the photoresist liquid may be stopped and then accelerated to the rotation speed R4, or the supply of the photoresist liquid may be stopped during the acceleration to the rotation speed R4. That is, mustache R b It is sufficient that an acceleration that can bend in the circumferential direction can be applied, and can be realized by various processing programs. In such a case, the trigger signal may be set to a time point at which the supply of the photoresist solution is stopped, a time point at which acceleration is started, an appropriate time point during acceleration, or a time point after completion of acceleration.
[0083]
According to the apparatus of the present invention as described above, even when the execution timing of each instruction is very important as in the above-described processing program, the processing can be performed accurately.
[0084]
In the coating process using the <dynamic method> described above, the amount of the photoresist solution scattered around can be reduced by performing acceleration at the timing described above. The <Stamic method> can be similarly implemented. However, in the above <Dynamic method>, after the photoresist liquid is discharged, the beard R b Is the time it takes to reach the periphery of the substrate W, and the time T a However, in the case of the <static method> and the <stamic method>, the rotation is not applied when the discharged photoresist liquid reaches the surface of the substrate W, so that the beard R is not applied. b Has not occurred. Therefore, mustache R b Occurs when the rotational drive of the substrate W is started (T E Or t 2 ) To increase the number of revolutions T a 'To the core R on the surface of the substrate W during rotation. a It is sufficient to keep the time within the time based on the above-mentioned arrival time in consideration of the diameter or the like.
[0085]
Specifically, the <static method> is as shown in a time chart shown in FIG. 12, and the <static method> is as a time chart shown in FIG. Even in these cases, as described above, the next command is executed based on the output of the “ejection detection signal”, and therefore, in the case of the <static method>, the “ejection detection signal” is output. Time t 1 From supply time T SU Counting is started, and after that time has elapsed (T E ), A supply stop command and a rotation start command are executed. Further, in the case of the <Stamic method>, the time t when the “ejection detection signal” is output 1 From the execution time t of the rotation start command 2 Time and supply time T SU Is started, and the rotation start command time t 2 At this point, a rotation start command is executed. And each time T a 'T 3 , The rotation increase command is executed. Therefore, the shape of the photoresist liquid on the surface of the substrate W at the time when the acceleration is applied can be made the same, so that the coating state can be made uniform on each substrate W and the amount of the photoresist liquid can be extremely small. What can be done is the same as in the case of the <dynamic method> described above.
[0086]
Even in these cases, as described in <Dynamic method>, the execution time t 3 A trigger signal is output from the
[0087]
Further, although the description has been made by taking a photoresist liquid as an example of the processing liquid, the present invention is also applicable to a developing processing apparatus that supplies a developing liquid or a rinsing liquid as the processing liquid. Further, the present invention can be applied to a so-called edge rinsing process for dissolving and removing a photoresist film applied on the peripheral edge of a substrate with a predetermined removal width. In this case, according to the above-described embodiment, the
[0088]
Further, as the treatment liquid, SOG (Spin On Glass) liquid used for surface protection and insulation, and polyimide resin can be applied.
[0089]
As is apparent from the above description, according to the method of the first aspect, after the supply start command is executed, the processing liquid is discharged. Detect the time when it started By executing the subsequent command based on the above, the transition to the next command can be made dependent on the time when the processing liquid is discharged. Therefore, the delay time related to the discharge of the processing liquid and the fluctuation thereof can be absorbed, and the supply time of the processing liquid can be made constant. As a result, processing can be performed uniformly between lots or within each lot, and processing can be performed stably over a long period of time.
[0090]
According to the second aspect of the present invention, there is provided a processing liquid supply method by a dynamic method, in which the supply of the processing liquid is started while the substrate is rotating and the supply is completed in that state. The effect described in 1 can be obtained.
[0091]
According to the third aspect of the present invention, the same effect as in the first aspect can be obtained even in a processing liquid supply method by a static method in which the supply of the processing liquid is completed while the substrate is stationary.
[0092]
Further, according to the method of the present invention described in
[0093]
Further, according to the invention apparatus described in
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a rotary substrate coating apparatus which is an example of a processing liquid supply apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing an ejection detection sensor.
FIG. 3 is a block diagram illustrating an ejection confirmation unit.
FIG. 4 is a time chart showing a coating process by a dynamic method.
FIG. 5 is a flowchart illustrating an operation of a control unit.
FIG. 6 is a flowchart illustrating an operation of an ejection confirmation unit.
FIG. 7 is a time chart showing a coating process by a static method.
FIG. 8 is a time chart showing a coating process by a stamic method.
FIG. 9 is a schematic diagram showing the behavior of a photoresist solution.
FIG. 10 is a time chart showing an example in which a coating processing program suitable for being executed by the apparatus of the present invention is executed by a dynamic method.
FIG. 11 is a schematic diagram showing a behavior of a photoresist solution in a preferable application processing program.
FIG. 12 is a time chart showing an example in which a coating program suitable for being executed by the apparatus of the present invention is executed by a static method.
FIG. 13 is a time chart showing an example in which a coating processing program suitable for being executed by the apparatus of the present invention is executed by a stamic method.
[Explanation of symbols]
W… Substrate
1… suction spin chuck
5. Processing liquid supply nozzle (processing liquid supply means)
5a ... discharge hole
6. Discharge detection sensor (discharge detection means)
6a: Mounting member
6b… Floodlight
6c… Receiver
14… Bellows pump (treatment liquid supply means)
17 ... cylinder (processing liquid supply means)
18 Speed control valve (processing liquid supply means)
20 ... control unit (control means)
30… CCD camera
40… Strobe
50: Discharge confirmation section
Claims (5)
供給開始命令が実行された後、処理液供給手段から処理液が吐出され始めた時点を検出し、この検出時点に基づいて、それ以後の処理プログラムの命令を実行することを特徴とする処理液供給方法。Consists plurality of instructions includes a supply start instruction, the process liquid supply method for supplying process liquid in the vicinity of the center of the based-out board to the processing program that defines a series of processes is stored in advance,
After the supply start command is executed, a time point at which the processing liquid is started to be discharged from the processing liquid supply means is detected, and based on the detected time point , a subsequent processing program instruction is executed. Supply method.
前記処理液供給手段から処理液が吐出され始めた時点を検出する吐出検出手段を備えるとともに、
前記制御手段は、前記処理プログラムに含まれている各命令を順次に実行してゆく際に、供給開始命令の実行によって前記処理液供給手段を介して基板に処理液の供給を開始し、前記吐出検出手段が処理液の吐出を検出し、この検出時点に基づいて、それ以後の命令の実行を開始することを特徴とする処理液供給装置。The control means executes the supply start instruction based on a processing program that defines a series of processing stored in advance and includes a plurality of instructions including a supply start instruction. In a processing liquid supply device for supplying a processing liquid,
Equipped with ejection detection means for detecting the time when the treatment liquid is started to be ejected from the treatment liquid supply means,
The control means, when sequentially executing each of the instructions included in the processing program, starts supply of the processing liquid to the substrate via the processing liquid supply means by executing a supply start instruction, A processing liquid supply device, wherein the discharge detecting means detects the discharge of the processing liquid, and starts execution of a subsequent command based on the detection time .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28973496A JP3544801B2 (en) | 1996-01-29 | 1996-10-31 | Processing solution supply method and apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3556596 | 1996-01-29 | ||
JP8-35565 | 1996-01-29 | ||
JP28973496A JP3544801B2 (en) | 1996-01-29 | 1996-10-31 | Processing solution supply method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09267067A JPH09267067A (en) | 1997-10-14 |
JP3544801B2 true JP3544801B2 (en) | 2004-07-21 |
Family
ID=26374558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28973496A Expired - Fee Related JP3544801B2 (en) | 1996-01-29 | 1996-10-31 | Processing solution supply method and apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3544801B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005177555A (en) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Rotation coater |
JP2007258658A (en) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | Method and device for detecting discharge of coating liquid, and program for detecting discharge of coating liquid |
JP4611961B2 (en) * | 2006-11-15 | 2011-01-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Application method |
JP5399191B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-01-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus, inspection apparatus for substrate processing apparatus, computer program for inspection, and recording medium recording the same |
JP7361130B2 (en) * | 2019-11-07 | 2023-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
-
1996
- 1996-10-31 JP JP28973496A patent/JP3544801B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09267067A (en) | 1997-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3578577B2 (en) | Processing solution supply method and apparatus | |
KR100199463B1 (en) | Method for applying coating solution | |
US7775729B2 (en) | Developing apparatus, developing processing method, developing processing program, and computer readable recording medium recording the program | |
KR101015659B1 (en) | Substrate cleaning method and developing apparatus | |
JPH115056A (en) | Treating liquid feeder | |
JP3544801B2 (en) | Processing solution supply method and apparatus | |
TW201622019A (en) | Protective film coating method and protective film coating device | |
JPH1116810A (en) | Method and device for applying liquid coat | |
JP3504089B2 (en) | Processing solution supply method and apparatus | |
JP3568360B2 (en) | Processing liquid supply device | |
JPH11329936A (en) | Substrate processing system | |
JPH10135100A (en) | Processing liquid supply device | |
JP2009231617A (en) | Development apparatus and development method | |
JP2009231618A (en) | Development apparatus and development method | |
JP2009231619A (en) | Development apparatus and development method | |
JPH09153453A (en) | Treating liquid feeder | |
JP2000082646A (en) | Method and device for applying coating solution | |
JP2001126975A (en) | Substrate applicator | |
JP2000070834A (en) | Abnormality detection and substrate coating apparatus using the same | |
KR100687156B1 (en) | Resist applying apparatus and method for controlling resist applying process | |
US20120162618A1 (en) | Substrate processing device and method | |
JPH11354419A (en) | Coating device | |
JP2003154301A (en) | Applicator and application method | |
US7404681B1 (en) | Coating methods and apparatus for coating | |
JP7240944B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |