JP3540978B2 - Heat treatment equipment for semiconductor wafers - Google Patents
Heat treatment equipment for semiconductor wafers Download PDFInfo
- Publication number
- JP3540978B2 JP3540978B2 JP2000109482A JP2000109482A JP3540978B2 JP 3540978 B2 JP3540978 B2 JP 3540978B2 JP 2000109482 A JP2000109482 A JP 2000109482A JP 2000109482 A JP2000109482 A JP 2000109482A JP 3540978 B2 JP3540978 B2 JP 3540978B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- maintenance
- door
- heat treatment
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハの表面に酸化膜を形成したり、拡散等の処理を施したりするために使用される半導体ウェハの熱処理装置に係り、特に、装置内の保守点検作業を容易に行えるようにするための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェハの表面にシリコン酸化膜(SiO2)等を形成する場合には、たとえば図5及び図6に示すような熱処理装置が使用されている。
この熱処理装置は、ハウジング1内に半導体ウェハに対して酸化、拡散等の熱処理を施すための加熱ヒータや石英製のプロセスチューブ等を有する縦型の熱処理炉2が設けられ、この熱処理炉2の下方に半導体ウェハをウェハボート7に移載するロード室3が設けられている。また、ロード室3に隣接して半導体ウェハを収容したカセットを搬送する搬送室4が設けられており、これらロード室3と搬送室4とは隔壁5によって区画されている。
【0003】
前記ロード室3内には、半導体ウェハを保持するためのウェハボート7、このウェハボート7を熱処理炉2のプロセスチューブ内に導入するためのリフト機構8、搬送室4内の半導体ウェハをウェハボート7に移載するためのウェハ移載ロボット10、及び清浄空気をロード室3内に供給するクリーンユニット11が設けられている。また、このロード室3には、搬送室4と反対側(図中右端側)の壁端部に、ロード室メインテナンス用のドア12が設けられている。
【0004】
一方、搬送室4には、多数の半導体ウェハが収容されたカセットを搬入出時に一時的に保持しておくためのカセットステーション14、熱処理対象となる半導体ウェハを収容したカセットを保持し選択するためのターンテーブル15、及びカセットステーション14に保持されたカセットをターンテーブル15に移すための搬送ロボット16が設けられている。また、この搬送室4には、ロード室3と反対側(図中左側)の壁端部に載置されたカセットを搬入出するためのドア17が設けられている。
【0005】
前記ロード室3と搬送室4とを区画する隔壁5には、搬送室4の半導体ウェハをロード室3に移送するための開口部20、及びこの開口部20を開閉するアイソレーションドア21が設けられている。
前記ウェハ移送用の開口部20は、ロード室3側に設けられているウェハ移載ロボット10によって、ターンテーブル15上の一つのカセットに保持された半導体ウェハをロード室3内に取り込むことができる最小限の大きさに設定されている。このようにウェハ移送用の開口部20を最小限の大きさに設定するのは、アイソレーションドア21の小型化を図るとともに、ロード室3と搬送室4との圧力差が容易に得られるようにするためである。また、アイソレーションドア21は、隔壁4のロード室3の室内側に設けられており、図示しないエアシリンダの駆動によりガイドレールに沿って左右にスライドすることにより、ウェハ移送用の開口部20を開閉するように構成されている。
なお、前記ウェハ移送用の開口部20の大きさは、たとえば、幅が240mm、高さが290mm程度に設定されている。
【0006】
このような構成の熱処理装置において、半導体ウェハを熱処理するには、まず搬入出用のドア17が開かれ、多数の半導体ウェハが載置されたカセットが、搬送室4内のカセットステーション14に送られて一時的にストックされる。次に、前記カセットが搬送ロボット16によってカセットステーション14からターンテーブル15上に移され、ターンテーブル15が回転されて所定のカセットがウェハ移送用の開口部20に臨むように選択配置される。
【0007】
その後、アイソレーションドア21が開かれて、ウェハ移載ロボット10によってターンテーブル15上の一つのカセットにセットされている半導体ウェハが、ウェハ移送用の開口部20を通してロード室3内に取り込まれてウェハボート7上に移される。このようにして多数の半導体ウェハがウェハボート7に載置されると、アイソレーションドア21が閉じられ、ウェハボート7がリフト機構8によって上昇されて熱処理炉2内に導入され、熱処理炉2内にて所定の熱処理が行われる。
熱処理が終了すると、リフト機構8によってウェハボート7が下降されて熱処理炉2から取り出される。半導体ウェハが所定の温度まで低下した後は、前記とは逆の手順を経てロード室3から搬送室4を経て熱処理装置の外部に搬出される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した従来の熱処理装置は、次のような課題がある。
すなわち、搬送室4に設けられているターンテーブル15を保守点検する場合、搬送室4の搬入出用のドア17を開いても、その位置から一番奥にあるターンテーブル15までの間には、カセットステーション14や搬送ロボット16等の各種装置が設けられているために、ターンテーブル15まで作業者が手を伸ばして保守点検等の作業をすることができない。一方、ロード室3内は、搬送室4に比べて幾分広い内部空間が確保されているので、ロード室メインテナンス用のドア12とアイソレーションドア21とを共に開いて、ロード室3内側からウェハ移送用の開口部20を通して、ターンテーブル15の保守点検を行うことが可能である。
【0009】
しかし、前記ウェハ移送用の開口部20は、ターンテーブル15上にある一つのカセットにセットされている半導体ウェハをロード室3内に取り込むことができる程度の必要最小限の大きさであるので、たとえアイソレーションドア21を全開したとしても、ウェハ移送用の開口部20の開口面積が極めて小さく、ロード室3側からターンテーブル15の保守点検作業が可能であるとしても、当該作業が困難で作業能率がきわめて悪い。
なお、ハウジング1の搬送室4側の左右側壁の一部に専用の保守点検用のドアを設けることが考えられるが、このような側壁には図示しない各種部品が設置されるために、このような箇所に保守点検用のドアを設けることができない。
【0010】
また、前記構成の熱処理装置においては、アイソレーションドア21やその駆動機構を、作業スペース等の関係で隔壁5を構築した後に当該隔壁5に組み付ける必要があるので、その組み付け作業をロード室3側で行う必要がある。このため、これらアイソレーションドア21やその駆動機構は、隔壁5のロード室3の面に配設されている。したがって、アイソレーションドア21の開閉に伴って微細なパーティクルが飛散する等、ロード室3内の雰囲気を汚染するおそれがある。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、搬送室に設けられている装置に対してロード室側からの保守点検作業を容易且つ能率よく行うことができる半導体ウェハの熱処理装置を提供することを目的とする。
また本発明は、アイソレーションドアの開閉時に微細なパーティクルが発生したとしても、ロード室内が汚染されるのを抑制することができる半導体ウェハの熱処理装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するための本発明の半導体ウェハの熱処理装置は、半導体ウェハに対して熱処理を施す熱処理炉の下方に、半導体ウェハをウェハボートに移載するためのロード室が設けられ、このロード室に隣接して前記半導体ウェハを前記ロード室に搬送するための搬送室が設けられているとともに、前記ロード室と搬送室とが隔壁によって区画されている半導体ウェハの熱処理装置において、前記隔壁に、保守点検用の開口部が形成されているとともに、この開口部を開閉する保守点検用のドアがロード室側に回動可能に設けられ、この保守点検用のドアに、半導体ウェハを搬送室からロード室に移送するための開口部と、この開口部を開閉するアイソレーションドアとが設けられていることを特徴としている(請求項1)。
このような構成の半導体ウェハの熱処理装置によれば、保守点検用のドアを開くことにより、ウェハ移送用の開口部よりも十分に広い開口面積を有する保守点検用の開口部を確保することができるので、この保守点検用の開口部を通してロード室側から搬送室内に設けられている各種の装置の保守点検作業が可能となる。
【0012】
前記熱処理装置において、アイソレーションドアは、前記保守点検用のドアの搬送室側の面に取り付けられているのが好ましい(請求項2)。
この場合には、アイソレーションドアの開閉に伴って微細なパーティクルが発生しても、このパーティクルがロード室内に飛散するおそれがない。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を示してその特徴とするところをさらに詳しく説明する。
図1は本発明の実施の形態に係る半導体ウェハの熱処理装置の平面からみた概略図、図2は同装置の要部を示す概略縦断面図である。
図1及び図2において、図5及び図6に示した従来の熱処理装置に対応する部分には、同一の参照符号を付している。すなわち、参照符号1はハウジング、2は半導体ウェハに対して酸化膜形成等の所定の熱処理を施す熱処理炉、3は熱処理炉2の下方に設けられた、半導体ウェハをウェハボートに移載するためのロード室、4は半導体ウェハをロード室3側に搬送するための搬送室、5は両室3,4を区画するための隔壁である。
【0014】
また、7は半導体ウェハを保持するためのウェハボート、8はウェハボート7を熱処理炉2のプロセスチューブ内に導入するためのリフト機構、10は搬送室4の半導体ウェハをウェハボート7に移送するためのウェハ移載ロボット、11は清浄空気を吹き付けてロード室3内を浄化するためのクリーンユニット、12はロード室メインテナンス用のドアである。
さらに、14は多数の半導体ウェハが載置されたカセットを一時的に保持しておくためのカセットステーション、15は熱処理対象となる半導体ウェハを有する所要のカセットを選択するためのターンテーブル、16はカセットステーション14にあるカセットをターンテーブル15に移すための搬送ロボット、17はカセットを搬入搬出するための搬入出用のドアであり、これらの基本的な構成は図5及び図6に示した従来の装置と同様である。
【0015】
この実施の形態における熱処理装置の特徴は、ロード室3と搬送室4とを区画する隔壁5に、保守点検用の開口部22が形成され、この開口部22をロード室3側に向けて開閉する保守点検用のドア23が設けられているとともに、この保守点検用のドア23に、半導体ウェハを移送するための開口部25と、この開口部25を開閉するアイソレーションドア26とが設けられている点である。
【0016】
図3及び図4に前記の保守点検用のドア23とアイソレーションドア26の具体的な取り付け構造を示す。
前記隔壁5には、縦長の長方形を呈する保守点検用の開口部22が形成されている。この開口部22は、ウェハ移送用の開口部25よりも十分に広い開口面積を有するものである。また、この開口部22に隣接した左右縁部の内の一方側の縁部のロード室3側に面する部分には、上下一対のリフトオフヒンジ27が固定され、このリフトオフヒンジ27に、保守点検用のドア23の一方の側端部が取り付けられており、これによって保守点検用のドア23がリフトオフヒンジ27を中心にしてロード室3側に向けて開閉できるようになっている。また、この保守点検用のドア23のヒンジ取り付け側と反対側の側端部は、ねじ29によって隔壁5に対して取り外し可能に固定されている。なお、前記保守点検用のドア23の下端縁は、その開閉に際してロード室3の下部に設けられているウェハ移載ロボット10と干渉しない位置に配置されている。また、参照符号30は発泡シリコン等でできたシーリング材である。
【0017】
前記ウェハ移送用の開口部25は、矩形形状のものであり、保守点検用のドア23略中央に形成されている。この保守点検用のドア23の前記開口部25に隣接した左右の縁部の搬送室5側に面する部分には、それぞれガイドフレーム31が固定され、各ガイドフレーム31に前後一対の押さえローラ32が取り付けられている。
【0018】
一方、アイソレーションドア26は、保守点検用のドア23の搬送室4側に位置するドア面に設けられており、その左右の側端部には、それぞれガイドバー33が固定され、各ガイドバー33が前述の前後一対の押さえローラ32間に挟み込まれている。したがって、アイソレーションドア26が上下動すると、これに固定されたガイドバー33が押さえローラ32によって滑らかにガイドフレーム31に沿ってスライドすることになる。また、アイソレーションドア26の下端部は、ロッドレスシリンダ35に連結されている。これによってアイソレーションドア26が保守点検用のドア23の上下方向に沿って昇降されて、ウェハ移送用の開口部25が開閉するように構成されている。
ちなみに、この実施の形態において、保守点検用の開口部22の大きさは、高さが950mm、幅が400mmであり、また、ウェハ移送用の開口部25の大きさは、高さが285mm、幅が245mmである。
なお、前記アイソレーションドア26やその駆動機構等は、保守点検用のドア23を隔壁5に取り付ける前に、当該ドア23に対して予め取り付けておくことにより、搬送室4側に支障なく配置することができる。
【0019】
前記の構成の熱処理装置において、半導体ウェハの熱処理を行う場合には、保守点検用のドア23が閉じられた状態で、従来と同様に、アイソレーションドア26が上下にスライド駆動されることによりウェハ移送用の開口部25が開閉され、ウェハ移載ロボット10によって半導体ウェハがこのウェハ移送用の開口部25を通して出し入れされる。
【0020】
一方、ターンテーブル15の保守点検を行う場合には、ねじ29を緩め、保守点検用のドア23をロード室3側に回動させて、保守点検用の開口部22を開放し、この開口部22を通して、ロード室3側から前記ターンテーブル15の保守点検作業を行う。この際、開放された保守点検用の開口部22は、ウェハ移送用の開口部25よりも十分に広い開口面積を有するので、従来よりも保守点検作業を容易且つ能率よく行うことができる。
また、アイソレーションドア26やロッドレスシリンダ35等の保守等を行う場合には、保守点検用のドア23をリフトオフヒンジ27から取り外してロード室メインテナンス用のドア12から外部に持ち出すことにより、装置の外部で必要部品の交換や調整等を行うことができるので、作業が容易で保守作業の時間を短縮することができる。
【0021】
しかも、アイソレーションドア26は、保守点検用のドア23の搬送室4側の面に取り付けられているので、アイソレーションドア26の開閉に伴って微細なパーティクルが発生しても、このパーティクルがロード室3内に飛散するおそれがない。したがって、ロード室3が前記パーティクルで汚染されるという不都合が生じるのを防止することができる。
【0022】
【発明の効果】
以上のように請求項1記載の半導体ウェハの熱処理装置によれば、保守点検用のドアを開くことにより、ウェハ移送用の開口部よりも十分に広い開口面積を有する保守点検用の開口部を通して、搬送室内の装置の保守点検作業をロード室側から行うことができるので、従来よりも保守点検作業を容易且つ能率よく行うことができる。
【0023】
請求項2記載の半導体ウェハの熱処理装置によれば、アイソレーションドアが保守点検用のドアの搬送室側の面に取り付けられているので、アイソレーションドアの開閉に伴って微細なパーティクルが発生しても、このパーティクルがロード室内には飛散するおそれがなく、ロード室が当該パーティクルで汚染されるという不都合が生じるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る熱処理装置を示す平面から見た概略断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る熱処理装置の要部を示す縦断面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る熱処理装置において、保守点検用のドアとアイソレーションドアとの取り付け構造を搬送室側から見た状態を示す正面図である。
【図4】図3のA−A線断面図である。
【図5】従来の熱処理装置の全体を示す平面から見た平断面図である。
【図6】従来の熱処理装置の要部の縦断面図である。
【符号の説明】
1 ハウジング
2 熱処理炉
3 ロード室
4 搬送室
7 ウェハボート
15 ターンテーブル
25 ウェハ移送用の開口部
26 アイソレーションドア
22 保守点検用の開口部
23 保守点検用のドア[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor wafer heat treatment apparatus used for forming an oxide film on a surface of a semiconductor wafer or performing processing such as diffusion, and particularly, to facilitate maintenance and inspection work in the apparatus. Related to technology.
[0002]
[Prior art]
When forming a silicon oxide film (SiO 2 ) or the like on the surface of a semiconductor wafer, for example, a heat treatment apparatus as shown in FIGS. 5 and 6 is used.
This heat treatment apparatus is provided with a vertical
[0003]
In the
[0004]
On the other hand, in the
[0005]
An
The
The size of the
[0006]
In the heat treatment apparatus having such a configuration, in order to heat-treat a semiconductor wafer, first, the carry-in / out
[0007]
Thereafter, the
When the heat treatment is completed, the
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional heat treatment apparatus described above has the following problems.
That is, when performing maintenance and inspection of the
[0009]
However, the opening 20 for transferring the wafer has a minimum necessary size such that the semiconductor wafer set in one cassette on the
In addition, it is conceivable to provide dedicated maintenance and inspection doors on a part of the left and right side walls of the housing 1 on the side of the
[0010]
Further, in the heat treatment apparatus having the above configuration, the
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and a semiconductor wafer heat treatment apparatus capable of easily and efficiently performing maintenance and inspection work from a load chamber side for an apparatus provided in a transfer chamber. The purpose is to provide.
Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer heat treatment apparatus capable of suppressing contamination of a load chamber even when fine particles are generated when opening and closing an isolation door.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a semiconductor wafer heat treatment apparatus of the present invention is provided with a load chamber for transferring a semiconductor wafer to a wafer boat below a heat treatment furnace for performing heat treatment on the semiconductor wafer. A transfer chamber for transferring the semiconductor wafer to the load chamber is provided adjacent to the load chamber, and the load chamber and the transfer chamber are separated by a partition. In addition, a maintenance inspection opening is formed, and a maintenance inspection door that opens and closes this opening is rotatably provided on the load chamber side, and the semiconductor wafer is transferred to the maintenance inspection door. An opening for transferring from the chamber to the load chamber, and an isolation door for opening and closing the opening are provided (claim 1).
According to the semiconductor wafer heat treatment apparatus having such a configuration, by opening the maintenance inspection door, it is possible to secure the maintenance inspection opening having an opening area sufficiently larger than the wafer transfer opening. Therefore, maintenance and inspection of various devices provided in the transfer chamber from the load chamber through the maintenance and inspection opening can be performed.
[0012]
In the heat treatment apparatus, it is preferable that the isolation door is attached to a surface of the door for maintenance and inspection on the transfer chamber side (claim 2).
In this case, even if fine particles are generated with the opening and closing of the isolation door, there is no possibility that these particles will scatter in the load chamber.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described, and features thereof will be described in more detail.
FIG. 1 is a schematic plan view of a semiconductor wafer heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, as viewed from the top, and FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view showing a main part of the apparatus.
In FIGS. 1 and 2, parts corresponding to the conventional heat treatment apparatus shown in FIGS. 5 and 6 are denoted by the same reference numerals. That is, reference numeral 1 denotes a housing, 2 denotes a heat treatment furnace for performing a predetermined heat treatment such as formation of an oxide film on a semiconductor wafer, and 3 denotes a semiconductor wafer provided below the
[0014]
Further, 14 is a cassette station for temporarily holding a cassette on which a large number of semiconductor wafers are mounted, 15 is a turntable for selecting a required cassette having semiconductor wafers to be heat-treated, and 16 is a turntable. A
[0015]
A feature of the heat treatment apparatus in this embodiment is that a maintenance and inspection opening 22 is formed in the
[0016]
FIGS. 3 and 4 show a specific mounting structure of the
The
[0017]
The
[0018]
On the other hand, the
Incidentally, in this embodiment, the size of the
The
[0019]
In the heat treatment apparatus having the above-described configuration, when heat treatment of a semiconductor wafer is performed, the
[0020]
On the other hand, when performing the maintenance and inspection of the
When performing maintenance or the like of the
[0021]
In addition, since the
[0022]
【The invention's effect】
As described above, according to the semiconductor wafer heat treatment apparatus of the first aspect, by opening the maintenance / inspection door, the maintenance / inspection door has a sufficiently larger opening area than the wafer transfer opening. Since the maintenance and inspection work of the devices in the transfer chamber can be performed from the load chamber side, the maintenance and inspection work can be performed easily and efficiently as compared with the related art.
[0023]
According to the heat treatment apparatus for a semiconductor wafer according to the second aspect, since the isolation door is attached to the surface of the maintenance door, which faces the transfer chamber, fine particles are generated with the opening and closing of the isolation door. However, there is no possibility that the particles are scattered in the load chamber, and it is possible to prevent a problem that the load chamber is contaminated with the particles.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from a plane.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a main part of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a front view showing a state in which a mounting structure of a maintenance inspection door and an isolation door is viewed from a transfer chamber side in the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3;
FIG. 5 is a plan sectional view showing the entire conventional heat treatment apparatus as viewed from a plane.
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a main part of a conventional heat treatment apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (2)
前記隔壁に、保守点検用の開口部が形成されているとともに、この開口部を開閉する保守点検用のドアがロード室側に回動可能に設けられ、この保守点検用のドアに、半導体ウェハを搬送室からロード室に移送するための開口部と、この開口部を開閉するアイソレーションドアとが設けられていることを特徴とする半導体ウェハの熱処理装置。A load chamber for transferring a semiconductor wafer to a wafer boat is provided below a heat treatment furnace for performing a heat treatment on the semiconductor wafer. In a heat treatment apparatus for a semiconductor wafer, wherein a transfer chamber is provided, and the load chamber and the transfer chamber are partitioned by partition walls.
An opening for maintenance and inspection is formed in the partition wall, and a door for maintenance and inspection for opening and closing the opening is rotatably provided on the load chamber side. An opening for transferring the wafer from the transfer chamber to the load chamber, and an isolation door for opening and closing the opening.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000109482A JP3540978B2 (en) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | Heat treatment equipment for semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000109482A JP3540978B2 (en) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | Heat treatment equipment for semiconductor wafers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001291673A JP2001291673A (en) | 2001-10-19 |
JP3540978B2 true JP3540978B2 (en) | 2004-07-07 |
Family
ID=18622170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000109482A Expired - Lifetime JP3540978B2 (en) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | Heat treatment equipment for semiconductor wafers |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3540978B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4559427B2 (en) * | 2004-07-13 | 2010-10-06 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000109482A patent/JP3540978B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001291673A (en) | 2001-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI814621B (en) | porter room | |
KR100499324B1 (en) | Vacuum Integrated Standard Mechanical Interface System | |
US7597523B2 (en) | Variable lot size load port | |
JP4195227B2 (en) | Introducing port structure of workpiece | |
JP2003007799A (en) | Treating system | |
JP3950299B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JP3908468B2 (en) | High efficiency cooling heat treatment equipment | |
KR102267964B1 (en) | Dodecagonal transfer chamber and processing system having same | |
JP3774277B2 (en) | Substrate transport method and processing system | |
JP3540978B2 (en) | Heat treatment equipment for semiconductor wafers | |
US5201653A (en) | Substrate heat-treating apparatus | |
JP2003100620A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2005277049A (en) | System and method for heat treatment | |
JP2003130413A (en) | Clean room device | |
JP3970184B2 (en) | Processing equipment | |
JP3586615B2 (en) | Heat treatment equipment for semiconductor wafers | |
KR100717990B1 (en) | A transportation system for processing semiconductor material | |
JP2001060610A (en) | Substrate transfer device, treating unit, treating system of substrate, transfer method, housing device and housing box | |
JP4467660B2 (en) | Processing equipment | |
JP2533459Y2 (en) | Substrate entrance / exit shut-off device for substrate surface treatment chamber | |
JPH07161797A (en) | Processing device | |
KR100752934B1 (en) | Apparatus for vacuum processing | |
JPH10303277A (en) | Door opening/closing device | |
JP2000269299A (en) | Semiconductor manufactureing device | |
JPH04137526A (en) | Vertical heat-treating device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040302 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080402 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100402 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100402 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |