JP3533566B2 - Optical transceiver module - Google Patents

Optical transceiver module

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JP3533566B2
JP3533566B2 JP2000218222A JP2000218222A JP3533566B2 JP 3533566 B2 JP3533566 B2 JP 3533566B2 JP 2000218222 A JP2000218222 A JP 2000218222A JP 2000218222 A JP2000218222 A JP 2000218222A JP 3533566 B2 JP3533566 B2 JP 3533566B2
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light
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substrate
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光雄 請地
健 斎藤
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Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光送受信モジュ
ールに関し、特に、2波長による同時双方向通信用の光
送受信モジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical transceiver module, and more particularly to an optical transceiver module for two-way simultaneous two-way communication.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8および図9を参照して光送受信モジ
ュールの従来例を説明する。光通信技術分野において
は、波長1. 31μmの信号光による双方向デジタル通
信と、波長1. 55μmの信号光によるアナログ映像放
送とを1本の光ファイバにより実施する計画が立てられ
ている。この場合、信号光をアクセスする端末において
は、波長1. 31μmの信号光と波長1. 55μmの信
号光の2波長光をフィルタにより分離し、波長1. 31
μmの信号光はレーザダイオード9およびフォトダイオ
ード10の双方にアクセスすると共に、波長1. 55μ
mの信号光は映像受信機に導入することができる双方向
通信モジュールが必要となる。
2. Description of the Related Art A conventional example of an optical transceiver module will be described with reference to FIGS. In the field of optical communication technology, it is planned to carry out bidirectional digital communication using signal light having a wavelength of 1.31 μm and analog video broadcasting using signal light having a wavelength of 1.55 μm using one optical fiber. In this case, in the terminal that accesses the signal light, the signal light of wavelength 1.31 μm and the signal light of wavelength 1.55 μm are separated by the filter and the wavelength of 1.31 μm is used.
The signal light of μm accesses both the laser diode 9 and the photodiode 10 and has a wavelength of 1.55 μm.
The signal light of m requires a bidirectional communication module that can be introduced into the video receiver.

【0003】ここで、図8(a)を参照するに、光導波
路基板1には光導波路2が形成されるクラッド3が接合
固定されている。従来例の光導波路2は波長1. 31μ
mの信号光および波長1. 55μmの信号光を伝送する
直線光導波路21と波長1. 31μmの信号光を伝送す
るY分岐光導波路22より成る。そして、直線光導波路
21とY分岐光導波路22の結合端面はクラッド3の端
面に露出し、この露出した結合端面に波長1. 55μm
の信号光は透過するが、波長1. 31μmの信号光は反
射する誘電体多層膜フィルタ14を形成する。Y分岐光
導波路22の結合端面が露出したクラッド3の端面は直
線光導波路21に対して直角ではなく、誘電体多層膜フ
ィルタ14における反射光がY分岐光導波路22に導入
される角度に構成されている。光導波路2は光導波路基
板1に形成される一方、断面V字溝6は断面V字溝基板
5の表面に形成されていて、両基板が別体であるので光
導波路2の端面に誘電体多層膜フィルタ14を形成する
上において好都合であり、その形成を容易にしている。
Here, referring to FIG. 8A, a clad 3 on which an optical waveguide 2 is formed is bonded and fixed to an optical waveguide substrate 1. The wavelength of the conventional optical waveguide 2 is 1.31μ.
A straight optical waveguide 21 for transmitting a signal light of m and a signal light of wavelength 1.55 μm and a Y-branch optical waveguide 22 for transmitting a signal light of wavelength 1.31 μm. The coupling end faces of the linear optical waveguide 21 and the Y-branching optical waveguide 22 are exposed at the end face of the clad 3, and the exposed coupling end face has a wavelength of 1.55 μm.
The dielectric multilayer filter 14 is formed to transmit the signal light of, but reflect the signal light of the wavelength of 1.31 μm. The end face of the clad 3 where the coupling end face of the Y-branch optical waveguide 22 is exposed is not at right angles to the linear optical waveguide 21, and is formed at an angle at which the reflected light from the dielectric multilayer filter 14 is introduced into the Y-branch optical waveguide 22. ing. The optical waveguide 2 is formed on the optical waveguide substrate 1, while the V-shaped groove 6 is formed on the surface of the V-shaped groove substrate 5, and since both substrates are separate bodies, a dielectric material is formed on the end surface of the optical waveguide 2. This is convenient for forming the multilayer filter 14 and facilitates its formation.

【0004】図8(b)を参照するに、断面V字溝基板
5には光ファイバ8が嵌合接合固定される断面V字溝6
が形成されると共に表面にはレーザダイオード9に接続
する電極11’およびフォトダイオード10に接続する
電極11’が形成される。ダイシング溝7は光導波路基
板1に対応して角度が付されている。そして、レーザダ
イオード9およびフォトダイオード10をそれぞれの電
極11’に接続固定する。
Referring to FIG. 8 (b), a V-shaped groove 6 in which an optical fiber 8 is fitted and joined and fixed to a V-shaped groove substrate 5 in cross section.
And an electrode 11 'connected to the laser diode 9 and an electrode 11' connected to the photodiode 10 are formed on the surface. The dicing groove 7 is angled corresponding to the optical waveguide substrate 1. Then, the laser diode 9 and the photodiode 10 are connected and fixed to the respective electrodes 11 '.

【0005】この従来例の光送受信モジュールの組み立
ての仕方を説明する。図8(a)において説明された通
りに構成された光導波路基板1を上下を逆に反転して、
図8(b)において説明された通りに構成された断面V
字溝基板5に対して、位置合わせマーク4、4’を参照
して相互位置合わせをし、光導波路基板1と断面V字溝
基板5の間を接合一体化する。更に、断面V字溝6の双
方に光ファイバ8を嵌合接合固定して組み立ては終了す
る。
A method of assembling the conventional optical transceiver module will be described. The optical waveguide substrate 1 configured as described in FIG. 8A is inverted upside down,
Section V constructed as described in FIG. 8 (b)
The groove substrate 5 is aligned with each other with reference to the alignment marks 4 and 4 ', and the optical waveguide substrate 1 and the V-shaped groove substrate 5 are joined and integrated. Further, the optical fibers 8 are fitted, joined and fixed to both of the V-shaped grooves 6 in section, and the assembly is completed.

【0006】光導波路基板1に形成される位置合わせマ
ーク4と断面V字溝6が形成される断面V字溝基板5に
形成される位置合わせマーク4’相互を認識して位置合
わせするには、対向させた夫々の基板の間にカメラを挿
入し、両位置合わせマークのパターンを同時に観察して
位置合わせを実施する。或いは、赤外線、X線の如き透
過性の強い光を使用して基板の位置合わせマークを照射
し、透過光を観察して位置合わせを実施する。光導波路
基板1および断面V字溝基板5は実際の厚さは小さいの
で、赤外線、X線は容易に透過して位置合わせマークを
透視することができる。組み立ての終了した光送受信モ
ジュールにおいて、光ファイバ8はそれぞれその中心軸
を直線光導波路21の端面中心に対向した状態にあり、
レーザダイオード9およびフォトダイオード10はY分
岐光導波路22のそれぞれの分岐端面に対向している。
To recognize and align the alignment marks 4'formed on the optical waveguide substrate 1 and the alignment marks 4'formed on the V-shaped cross-section substrate 5 having the V-shaped cross section 6 A camera is inserted between the substrates facing each other, and the patterns of both alignment marks are simultaneously observed to perform alignment. Alternatively, a highly transmissive light such as infrared rays or X-rays is used to illuminate the alignment mark on the substrate, and the transmitted light is observed to perform the alignment. Since the optical waveguide substrate 1 and the V-shaped groove substrate 5 in cross section have a small actual thickness, infrared rays and X-rays can easily be transmitted and the alignment mark can be seen through. In the assembled optical transmission / reception module, the optical fibers 8 are in a state where their central axes face the end faces of the linear optical waveguides 21, respectively.
The laser diode 9 and the photodiode 10 face the respective branch end faces of the Y-branch optical waveguide 22.

【0007】ここで、一方の光ファイバ8を介して入射
した波長1. 55μmの信号光は、直線光導波路21に
送り込まれ、誘電体多層膜フィルタ14を透過して他方
の光ファイバ8に出力される。これに対して、一方の光
ファイバ8を介して入射した波長1. 31μmの信号光
は、直線光導波路21に送り込まれ、誘電体多層膜フィ
ルタ14において反射してY分岐光導波路22に導入さ
れ、その分岐端面に対向設置されているフォトダイオー
ド10に受光されるに到る。そして、レーザダイオード
9から送信される波長1. 31μmの信号光は、レーザ
ダイオード9に対向する分岐端面を介してY分岐光導波
路22に導入され、誘電体多層膜フィルタ14において
反射して直線光導波路21に送り込まれ、直線光導波路
21に対向する一方の光ファイバ8に出力される。以上
の通りにして、波長1. 31μmの信号光による双方向
通信と、波長1. 55μmの信号光による通信を1本の
光ファイバにより実施することができる(詳細は、参考
文献 特開平6−250017号公報 参照)。
Here, the signal light having a wavelength of 1.55 μm incident through one optical fiber 8 is sent to the linear optical waveguide 21, passes through the dielectric multilayer film filter 14 and is output to the other optical fiber 8. To be done. On the other hand, the signal light having a wavelength of 1.31 μm incident through one optical fiber 8 is sent to the linear optical waveguide 21, is reflected by the dielectric multilayer filter 14, and is introduced to the Y branch optical waveguide 22. Then, the light is received by the photodiode 10 installed opposite to the branch end face. Then, the signal light having a wavelength of 1.31 μm transmitted from the laser diode 9 is introduced into the Y-branch optical waveguide 22 via the branch end face facing the laser diode 9, and is reflected by the dielectric multilayer film filter 14 to be linearly guided. It is sent to the waveguide 21, and is output to the one optical fiber 8 facing the linear optical waveguide 21. As described above, the bidirectional communication using the signal light having the wavelength of 1.31 .mu.m and the communication using the signal light having the wavelength of 1.55 .mu.m can be carried out by one optical fiber (for details, see Reference 6- No. 250017).

【0008】以上の従来例においては、先の誘電体多層
膜フィルタ14により波長1. 55μmの信号光を透過
し、波長1. 31μmの信号光を反射しているが、図8
の従来例においては、光導波路基板1の直線光導波路2
1とY分岐光導波路22の交差領域に対応してスリット
71を形成し、このスリット71にフィルム状の誘電体
多層膜フィルタ14を挿入して波長1. 55μmの信号
光を透過し、波長1. 31μmの信号光を反射してい
る。
In the above-mentioned conventional example, the signal light having a wavelength of 1.55 μm is transmitted and the signal light having a wavelength of 1.31 μm is reflected by the dielectric multilayer filter 14 described above.
In the conventional example, the linear optical waveguide 2 of the optical waveguide substrate 1 is used.
A slit 71 is formed corresponding to the intersecting region of the 1 and Y branch optical waveguides 22, and a film-shaped dielectric multilayer filter 14 is inserted into this slit 71 to transmit a signal light having a wavelength of 1.55 μm. It reflects signal light of 31 μm.

【0009】図11の従来例は、レーザダイオード9と
フォトダイオード10を共通の光導波路基板1に搭載し
ている。
In the conventional example shown in FIG. 11, a laser diode 9 and a photodiode 10 are mounted on a common optical waveguide substrate 1.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】以上の従来例におい
て、レーザダイオード9とフォトダイオード10の間の
相互位置関係についてみるに、図8および図9の従来例
はY分岐光導波路22の分岐端面に対向して共通の光導
波路基板1に搭載されており、両者はY分岐光導波路2
2の分岐端面間の極く僅かの間隔に接近して位置決めさ
れている。これにより、レーザダイオード9からフォト
ダイオード10に光が入射するクロストークが問題とな
る場合がある。
In the conventional example described above, the mutual positional relationship between the laser diode 9 and the photodiode 10 is examined. In the conventional example shown in FIGS. 8 and 9, the branch end face of the Y-branch optical waveguide 22 is shown. They are mounted on a common optical waveguide substrate 1 so as to face each other.
The two branched end faces are positioned close to each other with a very small distance therebetween. As a result, crosstalk in which light enters the photodiode 10 from the laser diode 9 may become a problem.

【0011】図10および図11の従来例は、何れも、
直線光導波路21の端面に対向してフォトダイオード1
0を位置決めすると共に、Y分岐光導波路22の一方の
分岐端面に対向してレーザダイオード9を位置決めし、
レーザダイオード9とフォトダイオード10との間のク
ロストークの問題を緩和している。
In both of the conventional examples shown in FIGS. 10 and 11,
The photodiode 1 faces the end surface of the linear optical waveguide 21.
0 is positioned, and the laser diode 9 is positioned so as to face one branching end face of the Y branch optical waveguide 22.
The problem of crosstalk between the laser diode 9 and the photodiode 10 is alleviated.

【0012】ところが、光導波路基板1にスリット71
を形成し、このスリット71にフィルム状の誘電体多層
膜フィルタ14を挿入する従来例は種々の問題を内包し
ている。即ち、誘電体多層膜フィルタ14を光導波路基
板1に形成されるスリット71に挿入する工程は容易で
はない。スリット71に対する誘電体多層膜フィルタ1
4の挿入位置決めは、光送受信モジュールの光伝送特性
に大きく影響する。誘電体多層膜フィルタ14の厚さは
15μm程度の極く薄いものであり、これをスリット7
1に挿入するには、当然、スリット71の幅が誘電体多
層膜フィルタ14の厚さより大でなくてはならず、スリ
ット71の幅は20μm程度に形成される。従って、誘
電体多層膜フィルタ14はスリット71内で遊びがあ
り、その位置は設計位置に厳密には決められない。位置
決め精度を向上するにはスリット71の幅を狭く設計形
成しなければならないが、幅を狭くする程誘電体多層膜
フィルタ14の挿入は困難になる。
However, the slit 71 is formed in the optical waveguide substrate 1.
The conventional example in which the film-shaped dielectric multilayer filter 14 is inserted into the slit 71 has various problems. That is, the step of inserting the dielectric multilayer filter 14 into the slit 71 formed in the optical waveguide substrate 1 is not easy. Dielectric multilayer filter 1 for slit 71
The insertion positioning of 4 has a great influence on the optical transmission characteristics of the optical transceiver module. The thickness of the dielectric multilayer filter 14 is extremely thin, about 15 μm.
In order to insert the slit into the No. 1, the width of the slit 71 must be larger than the thickness of the dielectric multilayer filter 14, and the width of the slit 71 is about 20 μm. Therefore, the dielectric multilayer filter 14 has a play in the slit 71, and its position cannot be strictly determined at the design position. In order to improve the positioning accuracy, it is necessary to design and form the width of the slit 71, but the narrower the width, the more difficult the insertion of the dielectric multilayer filter 14 becomes.

【0013】そして、1枚の誘電体多層膜フィルタ14
で光の反射特性および透過特性の双方を満足するのも本
来困難である。レーザダイオード9とフォトダイオード
10が対向しているので、同時双方向通信しようとする
と、光送受信モジュール内で上述した通りレーザダイオ
ード9からフォトダイオード10に光が入射する。これ
を阻止するには、誘電体多層膜フィルタ14のアイソレ
ーションは60dB程度である必要がある。この要請を
満足するには、誘電体多層膜フィルタ14の膜厚、即
ち、誘電体多層膜の層数を多くするのであるあが、これ
は、反射特性とは背反する。反射特性は誘電体多層膜の
膜厚が薄い方が良好である。フィルタを反射用フィルタ
とアイソレーション用フィルタの2枚に分け、使用する
ことにより光送受信モジュールの反射特性および透過特
性の双方を満足することができるのであるが、この実施
は更に困難である。図10および図11の従来例は、そ
もそも、直線光導波路21およびY分岐光導波路22の
端面に対向してレーザダイオード9およびフォトダイオ
ード10を合わせて1μm程度の高精度に位置決め搭載
しなければならない。
Then, one dielectric multilayer filter 14 is used.
It is inherently difficult to satisfy both the light reflection property and the light transmission property. Since the laser diode 9 and the photodiode 10 are opposed to each other, when simultaneous bidirectional communication is attempted, light is incident on the photodiode 10 from the laser diode 9 in the optical transceiver module as described above. To prevent this, the isolation of the dielectric multilayer filter 14 needs to be about 60 dB. In order to satisfy this requirement, the film thickness of the dielectric multilayer filter 14, that is, the number of layers of the dielectric multilayer film is increased, but this is contrary to the reflection characteristic. The reflection characteristics are better when the thickness of the dielectric multilayer film is smaller. By dividing the filter into two filters, a reflection filter and an isolation filter, and using them, both the reflection characteristics and the transmission characteristics of the optical transceiver module can be satisfied, but this implementation is more difficult. In the conventional example shown in FIGS. 10 and 11, the laser diode 9 and the photodiode 10 must be positioned and mounted together with high accuracy of about 1 μm so as to face the end faces of the linear optical waveguide 21 and the Y branch optical waveguide 22. .

【0014】この発明は、上述の問題を解消した2波長
による同時双方向通信用の光送受信モジュールを提供す
るものである。
The present invention provides an optical transceiver module for simultaneous two-way communication with two wavelengths, which solves the above-mentioned problems.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1:送信用レーザ
ダイオード9と受信用フォトダイオード10が対向する
位置に配置され、相異なる2波長光による同時双方向通
信を行う光送受信モジュールにおいて、V型光導波路2
3を形成すると共に送信光波長を反射すると共に受信光
波長を透過する誘電体多層膜フィルタ14を端面に形成
した光導波路基板1を具備し、送信用レーザダイオード
9が取り付けられ、マルチモード直線光導波路21’を
形成すると共に送信光波長を遮断する光遮断誘電体多層
膜フィルタ14’を端面全面に形成したマルチモード直
線光導波路基板51を具備し、受信用フォトダイオード
10を側面に取付けたサブマウント52を具備し、V型
光導波路23の分岐端面をマルチモード直線光導波路2
1’の一方の端面に対向して光導波路基板1をマルチモ
ード直線光導波路基板51に取付け固定し、マルチモー
ド直線光導波路21’の光軸の延長線上にフォトダイオ
ード10の受光面を位置決めしサブマウント52を設置
した光送受信モジュールを構成した。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical transmission / reception module in which a transmitting laser diode 9 and a receiving photodiode 10 are arranged at opposite positions to perform simultaneous two-way communication using two different wavelength lights. Type optical waveguide 2
3 is provided with an optical waveguide substrate 1 on the end face of which a dielectric multilayer filter 14 that reflects the transmitted light wavelength and transmits the received light wavelength is formed. A sub-mode having a multi-mode linear optical waveguide substrate 51 on which a light blocking dielectric multilayer filter 14 'for blocking a transmission light wavelength and forming a waveguide 21' is formed on the entire end surface and a receiving photodiode 10 is mounted on a side surface. The mount 52 is provided, and the branch end face of the V-shaped optical waveguide 23 is provided with the multimode linear optical waveguide 2.
The optical waveguide substrate 1 is attached and fixed to the multimode linear optical waveguide substrate 51 so as to face one end face of 1 ', and the light receiving surface of the photodiode 10 is positioned on the extension line of the optical axis of the multimode linear optical waveguide 21'. An optical transmission / reception module having the submount 52 was constructed.

【0016】そして、請求項2:請求項1に記載される
光送受信モジュールにおいて、マルチモード直線光導波
路基板51の内の光導波路基板1固定側の端部に延伸部
511を形成し、この延伸部511に断面V字溝6を形
成し、レーザダイオード9を取り付けると共にレーザダ
イオード9に接続する電極を形成した光送受信モジュー
ルを構成した。
According to a second aspect of the present invention, in the optical transceiver module according to the first aspect, an extension portion 511 is formed at an end of the multimode linear optical waveguide substrate 51 on the side where the optical waveguide substrate 1 is fixed, and the extension portion 511 is formed. A V-shaped groove 6 in cross section was formed in the portion 511, and a laser diode 9 was attached and an electrode for connecting to the laser diode 9 was formed.

【0017】また、請求項3:請求項1および請求項2
の内の何れかに記載される光送受信モジュールにおい
て、マルチモード直線光導波路基板51の端面および光
導波路基板1の端面に形成される誘電体多層膜フィルタ
および光遮断誘電体多層膜フィルタは何れか一方或いは
双方が端面へ直接成膜形成したものである光送受信モジ
ュールを構成した。
Claim 3: Claims 1 and 2
In the optical transceiver module described in any of the above, any one of the dielectric multilayer filter and the light blocking dielectric multilayer filter formed on the end face of the multimode linear optical waveguide substrate 51 and the end face of the optical waveguide substrate 1 is used. An optical transmission / reception module was constructed in which one or both were directly formed on the end face by film formation.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図1およ
び図2の実施例を参照して説明する。シリコン基板を準
備してこの表面にエッチング技術および薄膜成膜技術を
適用し、クラッド3に埋設される光導波路2と位置合わ
せマーク4を形成した光導波路基板1を構成する仕方
は、先の参考文献に詳細に図示説明されている。この実
施例はこの仕方を参照して、光導波路基板1、クラッド
3、V型光導波路23、位置合わせマーク4を、半田膜
15を含めて同様に構成する。V型光導波路23の分岐
端面はクラッド3の端面に露出している。V型光導波路
23の露出する分岐端面に対して周知慣用される誘電体
多層膜の成膜技術を適用し、1. 31μm光反射/1.
55μm光透過する誘電体多層膜フィルタ14を直接に
成膜形成している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described with reference to the examples of FIGS. For preparing a silicon substrate and applying an etching technique and a thin film forming technique to the surface of the silicon substrate to construct the optical waveguide substrate 1 in which the optical waveguide 2 embedded in the clad 3 and the alignment mark 4 are formed, refer to the above reference. It is illustrated and described in detail in the literature. In this embodiment, with reference to this method, the optical waveguide substrate 1, the clad 3, the V-shaped optical waveguide 23, and the alignment mark 4 are similarly configured including the solder film 15. The branched end face of the V-type optical waveguide 23 is exposed at the end face of the cladding 3. A well-known technique for forming a dielectric multilayer film is applied to the exposed branch end surface of the V-shaped optical waveguide 23, and 1.31 μm light reflection / 1.
The dielectric multilayer filter 14 that transmits light of 55 μm is directly formed.

【0019】マルチモード直線光導波路基板51として
シリコン基板を準備し、この基板表面の一方の1/2の
領域の中央部にシリコン異方性エッチング技術を適用し
て凹み12を形成する。そして、シリコン基板の他方の
1/2の領域にエッチング技術および薄膜成膜技術を適
用してオーバークラッド33に埋設されるマルチモード
直線光導波路21’を形成する。ここで、マルチモード
直線光導波路21’はマルチモード直線光導波路基板5
1の長さ方向に延伸形成され、その内外側両端面はオー
バークラッド33端面に露出している。また、位置合わ
せマーク4および半田膜15’を基板表面の一方の1/
2の領域の両側部に形成する。ここで、マルチモード直
線光導波路21’の両端面はオーバークラッド33端面
に露出している。マルチモード直線光導波路21’外側
端面が露出するオーバークラッド33の端面に誘電体多
層膜の成膜技術を適用して、1. 31μm光遮断誘電体
多層膜フィルタ14’を直接に成膜形成している。
A silicon substrate is prepared as the multimode linear optical waveguide substrate 51, and a silicon anisotropic etching technique is applied to form a recess 12 in the center of one half of the substrate surface. Then, the multimode linear optical waveguide 21 ′ embedded in the overclad 33 is formed by applying the etching technique and the thin film forming technique to the other half region of the silicon substrate. Here, the multimode linear optical waveguide 21 'is the multimode linear optical waveguide substrate 5
1 is extended in the length direction, and both inner and outer end surfaces thereof are exposed at the end surface of the overclad 33. In addition, the alignment mark 4 and the solder film 15 'are provided on one side of the substrate surface 1 /.
It is formed on both sides of the region 2. Here, both end surfaces of the multimode linear optical waveguide 21 'are exposed at the end surface of the overclad 33. By applying a dielectric multilayer film forming technique to the end face of the overclad 33 where the outer end face of the multimode linear optical waveguide 21 'is exposed, a 1.31 μm optical blocking dielectric multilayer filter 14' is directly formed. ing.

【0020】ここで、V型光導波路23が形成される光
導波路基板1をマルチモード直線光導波路基板51に対
して接合一体化する。この接合一体化に際して、光導波
路基板1のV型光導波路23が含まれるクラッド3の部
分をマルチモード直線光導波路基板51に形成される凹
み12に嵌合し、光導波路基板1およびマルチモード直
線光導波路基板51の双方をその位置合わせマーク4を
参照して相互位置決めし、半田膜15と半田膜15’を
介して接合一体化する。光導波路基板1とマルチモード
直線光導波路基板51とが接合一体化したところで、V
型光導波路23の分岐端面とマルチモード直線光導波路
21’の内側端面は1. 31μm光遮断誘電体多層膜フ
ィルタ14’を介して対向する。この場合、マルチモー
ド直線光導波路基板51に対する光導波路基板1の位置
決め精度はかなり尤度が大きい。というのは、1. 55
μmの受信光はシングルモードのV型光導波路23から
マルチモードの直線光導波路21’に入力するので、横
方向の位置精度はおよそマルチモードのV型光導波路2
3のコア寸法程度に形成しておけばこれで差し支えな
く、そして、両光導波路間に10数μmの隙間が生じて
も光学特性に劣化は発生しない。ここで、V型光導波路
23およびマルチモード直線光導波路21’の何れか一
方或いは双方はポリマ導波路とすることができる。
Here, the optical waveguide substrate 1 on which the V-shaped optical waveguide 23 is formed is joined and integrated with the multimode linear optical waveguide substrate 51. At the time of this joining and integration, the portion of the clad 3 including the V-type optical waveguide 23 of the optical waveguide substrate 1 is fitted into the recess 12 formed in the multimode linear optical waveguide substrate 51, and the optical waveguide substrate 1 and the multimode linear Both of the optical waveguide substrates 51 are positioned relative to each other with reference to the alignment mark 4, and are joined and integrated through the solder film 15 and the solder film 15 ′. When the optical waveguide substrate 1 and the multimode linear optical waveguide substrate 51 are joined and integrated, V
The branched end face of the mold optical waveguide 23 and the inner end face of the multimode linear optical waveguide 21 'face each other with a 1.31 μm optical blocking dielectric multilayer filter 14 ′. In this case, the positioning accuracy of the optical waveguide substrate 1 with respect to the multimode linear optical waveguide substrate 51 is quite likely. Because 1.55
Since the received light of μm is input from the single-mode V-shaped optical waveguide 23 to the multi-mode linear optical waveguide 21 ′, the lateral positional accuracy is approximately multi-mode V-shaped optical waveguide 2.
If it is formed to have a core size of about 3, there is no problem, and even if a gap of 10 and several μm occurs between both optical waveguides, the optical characteristics do not deteriorate. Here, either one or both of the V-shaped optical waveguide 23 and the multimode linear optical waveguide 21 'can be a polymer waveguide.

【0021】52はサブマウントであり、1. 55μm
光を受信するフォトダイオード10をその側面に取り付
け固定している。サブマウント52は、マルチモード直
線光導波路51のマルチモード直線光導波路21’の光
軸の延長線にフォトダイオード10の受光面を位置決め
して設置される。他の実施例を図3および図4を参照し
て説明する。この実施例は、図1および図2の実施例に
おいて、マルチモード直線光導波路基板51の内の光導
波路基板1接合側の端部Eを延伸して延伸部511を形
成し、この表面に断面V字溝6を形成し、この表面にレ
ーザダイオード9を取り付けると共にこのレーザダイオ
ード9に接続する電極11’を形成したものに相当す
る。これら以外の構成は図1および図2の実施例と同等
である。マルチモード直線光導波路21’はポリマ導波
路とする。
52 is a submount, 1.55 μm
A photodiode 10 for receiving light is attached and fixed to its side surface. The submount 52 is installed by positioning the light receiving surface of the photodiode 10 on an extension line of the optical axis of the multimode linear optical waveguide 21 ′ of the multimode linear optical waveguide 51. Another embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4. In this embodiment, in the embodiment of FIGS. 1 and 2, the end portion E of the multimode linear optical waveguide substrate 51 on the side where the optical waveguide substrate 1 is joined is extended to form an extended portion 511, and a cross section is formed on this surface. This corresponds to the one in which the V-shaped groove 6 is formed, the laser diode 9 is attached to this surface, and the electrode 11 ′ connected to this laser diode 9 is formed. The other configuration is the same as that of the embodiment shown in FIGS. The multimode linear optical waveguide 21 'is a polymer waveguide.

【0022】ここで、図5を参照するに、これは以上の
実施例における光導波路基板1のV型光導波路23の近
傍を切り出して示した図である。このV型光導波路23
はシングルモードの伝播特性の光導波路に形成しなくて
はならないので、図示される通りの埋込み型とする必要
がある。この形成の仕方は先の参考文献に説明される通
りである。V型光導波路23をポリマ導波路とすること
ができる。図6を参照するに、これはマルチモード直線
光導波路21’を説明する図である。この直線光導波路
21’はV型光導波路23を伝播してきた1. 55μm
受信光をフォトダイオード10に導光する光導波路であ
るので、マルチモード光導波路により構成して差し支え
ない。このマルチモード直線光導波路21’を構成する
には、マルチモード直線光導波路基板51としてシリコ
ン基板を準備し、その表面にクラッド3として2酸化シ
リコンを成膜し、クラッド3の表面にクラッド3および
空気と比較して屈折率の大なる透光性材料を直線光導波
路形成層30として膜厚20μm程度に成膜する。次い
で、膜厚20μmの表面層にエッチング処理を施して2
0μm程度の幅のマルチモード直線光導波路21’のみ
を残存形成する。
Here, referring to FIG. 5, this is a view showing the vicinity of the V-shaped optical waveguide 23 of the optical waveguide substrate 1 in the above-mentioned embodiment, which is cut out and shown. This V type optical waveguide 23
Must be formed in an optical waveguide having a single-mode propagation characteristic, so that it must be an embedded type as shown. The manner of formation is as described in the above references. The V-shaped optical waveguide 23 can be a polymer waveguide. Referring to FIG. 6, this is a diagram illustrating a multimode linear optical waveguide 21 '. This linear optical waveguide 21 'has propagated through the V-shaped optical waveguide 23 1.55 μm
Since it is an optical waveguide that guides the received light to the photodiode 10, it may be configured by a multimode optical waveguide. In order to configure this multi-mode linear optical waveguide 21 ', a silicon substrate is prepared as the multi-mode linear optical waveguide substrate 51, silicon dioxide is deposited as the cladding 3 on the surface thereof, and the cladding 3 and the cladding 3 are formed on the surface of the cladding 3. A transparent material having a larger refractive index than that of air is formed as the linear optical waveguide forming layer 30 to a film thickness of about 20 μm. Then, the surface layer with a film thickness of 20 μm is subjected to etching treatment
Only the multimode linear optical waveguide 21 ′ having a width of about 0 μm is left and formed.

【0023】図7を参照するに、これはマルチモード直
線光導波路21’の他の実施例を説明する図である。図
6の場合と同様、マルチモード直線光導波路基板51と
してシリコン基板を準備し、その表面にクラッド3とし
て2酸化シリコンを成膜し、クラッド3の表面に2酸化
シリコンより成るクラッド3および空気と比較して屈折
率の大なる透光性材料を直線光導波路形成層30として
膜厚20μm程度に成膜する。次いで、直線光導波路形
成層30に対してダイシング切削加工をマルチモード直
線光導波路基板51表面に到るまで施して切削溝34を
形成し、20μm程度の幅のマルチモード直線光導波路
21’を分離形成する。
Referring to FIG. 7, this is a view for explaining another embodiment of the multimode linear optical waveguide 21 '. As in the case of FIG. 6, a silicon substrate is prepared as the multimode linear optical waveguide substrate 51, silicon dioxide is formed as the cladding 3 on the surface thereof, and the cladding 3 made of silicon dioxide and the air are formed on the surface of the cladding 3. By comparison, a transparent material having a large refractive index is formed as the linear optical waveguide forming layer 30 to a film thickness of about 20 μm. Then, the linear optical waveguide forming layer 30 is subjected to a dicing cutting process to reach the surface of the multimode linear optical waveguide substrate 51 to form a cutting groove 34, and the multimode linear optical waveguide 21 'having a width of about 20 μm is separated. Form.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、直線
光導波路をマルチモード光導波路により構成して差し支
えないことに着目して光導波路を2分割し、V型光導波
路の端面に誘電体多層膜フィルタが形成された光導波路
基板と、マルチモード直線光導波路の端面に光遮断多層
膜フィルタが形成されたマルチモード直線光導波路基板
とにより構成した。これにより、従来例と比較して、光
導波路の形成および組み立てが容易となり、出来上がり
の光送受信モジュールの光学的特性も安定した。
As described above, according to the present invention, the optical waveguide is divided into two parts by focusing on the fact that the linear optical waveguide may be constituted by the multimode optical waveguide, and the end surface of the V-shaped optical waveguide is dielectrically divided. The optical waveguide substrate on which the body multilayer filter is formed, and the multimode linear optical waveguide substrate on which the light blocking multilayer filter is formed on the end face of the multimode linear optical waveguide. As a result, compared to the conventional example, the formation and assembly of the optical waveguide became easier, and the optical characteristics of the finished optical transceiver module were stabilized.

【0025】即ち、この発明は、誘電体多層膜フィルタ
がV型光導波路の端面に成膜、貼り付け形成された光導
波路基板と、光遮断多層膜フィルタが直線光導波路の端
面に成膜、貼り付け形成されたマルチモード直線光導波
路基板を組み合わせて光送受信モジュールを構成するの
で、従来例の如くスリットにフィルム状の誘電体多層膜
フィルタを挿入する煩雑困難な工程は不要であり、これ
らフィルタと光導波路端面の位置関係は一定である。
That is, according to the present invention, an optical waveguide substrate having a dielectric multi-layer film filter formed and adhered on the end face of a V-shaped optical waveguide, and a light blocking multi-layer filter formed on the end face of a linear optical waveguide, Since the optical transmission / reception module is configured by combining the pasted and formed multimode linear optical waveguide substrates, the complicated and difficult process of inserting the film-shaped dielectric multilayer filter into the slit as in the conventional example is unnecessary. The positional relationship between and the end face of the optical waveguide is constant.

【0026】そして、直線光導波路はマルチモード光導
波路により構成して差し支えないところから、マルチモ
ード直線光導波路の製造は図6および図7を参照して説
明した通り、これを容易に実施することができる。ここ
で、マルチモード直線光導波路の断面寸法をシングルモ
ード光導波路の7×7μm□程度の断面寸法と比較して
遥かに大きい20×20μm□程度に設計することがで
きる。従って、シングルモード光導波路であるV型光導
波路の端面をマルチモード直線光導波路の端面に対向位
置決めする際の尤度は大きく、位置合わせは極く容易と
なる。
Since the linear optical waveguide may be constituted by the multi-mode optical waveguide, the multi-mode linear optical waveguide can be easily manufactured as described with reference to FIGS. 6 and 7. You can Here, the cross-sectional dimension of the multi-mode linear optical waveguide can be designed to be about 20 × 20 μm □, which is much larger than the cross-sectional dimension of the single-mode optical waveguide of about 7 × 7 μm □. Therefore, the likelihood of positioning the end face of the V-type optical waveguide, which is a single-mode optical waveguide, opposite to the end face of the multi-mode linear optical waveguide is large, and the alignment becomes extremely easy.

【0027】また、光導波路基板の端面に誘電体多層膜
フィルタを形成し、マルチモード直線光導波路基板の端
面全面に光遮断多層膜フィルタを形成して、V型光導波
路の誘電体多層膜フィルタを反射特性を重視した設計と
すると共に、直線光導波路の光遮断多層膜フィルタを透
過特性を重視した設計とする役割分担させることによ
り、背反する光反射/透過特性を共に満足する光送受信
モジュールを構成することができる。
Further, a dielectric multi-layered film filter is formed on the end face of the optical waveguide substrate, and a light blocking multi-layered film filter is formed on the entire end face of the multimode linear optical waveguide substrate. The optical transmission / reception module that satisfies both contradictory light reflection / transmission characteristics by assigning the role of designing the optical blocking multilayer film filter of the linear optical waveguide to the design of transmission characteristics Can be configured.

【0028】更に、マルチモード直線光導波路基板とサ
ブマウントとは互いに分離した別体であり、そして、マ
ルチモード直線光導波路基板の端面全面に光遮断多層膜
フィルタを形成したことにより、マルチモード直線光導
波路基板の端面とサブマウントのフォトダイオード取り
付け端面の間に光遮断多層膜フィルタが介在することと
なる。ここで、マルチモード直線光導波路基板に取り付
けられた送信用レーザダイオードから出射した光は、マ
ルチモード直線光導波路基板に回り込んでこれからサブ
マウントのフォトダイオードに漏洩しようとしても、こ
の光遮断多層膜フィルタにより遮断され、発明が解決し
ようとする課題の項において議論されたクロストークの
問題は改善される。
Further, the multi-mode linear optical waveguide substrate and the submount are separate bodies, and the multi-mode linear optical waveguide substrate is formed with the light-blocking multilayer film filter on the entire end face thereof, so that the multi-mode linear optical waveguide substrate is formed. The light blocking multilayer filter is interposed between the end surface of the optical waveguide substrate and the photodiode mounting end surface of the submount. Here, the light emitted from the transmitting laser diode mounted on the multi-mode linear optical waveguide substrate wraps around to the multi-mode linear optical waveguide substrate, and even if it tries to leak to the photodiode of the submount, the light blocking multilayer film Filtered out, the crosstalk problem discussed in the Problems to be Solved by the Invention is ameliorated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例の分解斜視図。FIG. 1 is an exploded perspective view of an embodiment.

【図2】図1を上から視た図。FIG. 2 is a diagram of FIG. 1 viewed from above.

【図3】他の実施例の分解斜視図。FIG. 3 is an exploded perspective view of another embodiment.

【図4】図3を上から視た図。FIG. 4 is a diagram of FIG. 3 viewed from above.

【図5】V型光導波路チップを説明する図。FIG. 5 is a diagram illustrating a V-type optical waveguide chip.

【図6】直線光導波路の実施例を説明する図。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a linear optical waveguide.

【図7】直線光導波路の他の実施例を説明する図。FIG. 7 is a diagram for explaining another embodiment of the linear optical waveguide.

【図8】従来例を説明する図。FIG. 8 is a diagram illustrating a conventional example.

【図9】図8の従来例の斜視図。9 is a perspective view of the conventional example of FIG.

【図10】他の従来例を説明する図。FIG. 10 is a diagram illustrating another conventional example.

【図11】更なる他の従来例の斜視図。FIG. 11 is a perspective view of still another conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光導波路基板 10 フォトダイオー
ド 11’電極 12 凹み 14 誘電体多層膜フィルタ 14’1. 31μm光遮断誘電体多層膜フィルタ 15 半田膜 15’半田膜 2 光導波路 21 直線光導波路 21’マルチモード直線光導波路 22 Y分岐光導波
路 23 V型光導波路 3 クラッド 30 直線光導波路形成層 33 オーバークラ
ッド 4 位置合わせマーク 4’位置合わせマー
ク 5 断面V字溝基板 51 マルチモード直
線光導波路基板 511 延伸部 52 サブマウン
ト 6 断面V字溝 7 ダイシング溝 71 スリット 8 光ファイバ 9 レーザダイオード
1 Optical Waveguide Substrate 10 Photodiode 11 'Electrode 12 Recess 14 Dielectric Multilayer Filter 14' 1.31 μm Light Blocking Dielectric Multilayer Filter 15 Solder Film 15 'Solder Film 2 Optical Waveguide 21 Linear Optical Waveguide 21' Multimode Linear Optical Waveguide 22 Y-branch optical waveguide 23 V-type optical waveguide 3 Clad 30 Linear optical waveguide forming layer 33 Overclad 4 Alignment mark 4'Alignment mark 5 Cross-section V-groove substrate 51 Multimode linear optical waveguide substrate 511 Extending portion 52 Submount 6 Cross-section V-shaped groove 7 Dicing groove 71 Slit 8 Optical fiber 9 Laser diode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 進一 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三菱電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平11−109151(JP,A) 特開 平11−305054(JP,A) 特開 平7−168038(JP,A) 特開2000−98157(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/42 G02B 6/122 H01L 31/0232 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shinichi Kaneko 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Mitsubishi Electric Corporation (56) Reference JP-A-11-109151 (JP, A) JP-A-11 -305054 (JP, A) JP 7-168038 (JP, A) JP 2000-98157 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G02B 6/42 G02B 6 / 122 H01L 31/0232

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 送信用レーザダイオードと受信用フォト
ダイオードが対向する位置に配置され、相異なる2波長
光による同時双方向通信を行う光送受信モジュールにお
いて、 V型光導波路を形成すると共に送信光波長を反射すると
共に受信光波長を透過する誘電体多層膜フィルタを端面
に形成した光導波路基板を具備し、 送信用レーザダイオードが取り付けられ、マルチモード
直線光導波路を形成すると共に送信光波長を遮断する光
遮断誘電体多層膜フィルタを端面全面に形成したマルチ
モード直線光導波路基板を具備し、 受信用フォトダイオードを側面に取り付けたサブマウン
トを具備し、 V型光導波路の分岐端面をマルチモード直線光導波路の
一方の端面に対向して光導波路基板をマルチモード直線
光導波路基板に取り付け固定し、 マルチモード直線光導波路の光軸の延長線上にフォトダ
イオードの受光面を位置決めしてサブマウントを設置し
たことを特徴とする光送受信モジュール。
1. An optical transmission / reception module in which a transmission laser diode and a reception photodiode are arranged at opposite positions to perform simultaneous two-way communication with light of two different wavelengths, a V-shaped optical waveguide is formed, and a transmission light wavelength is formed. It is equipped with an optical waveguide substrate that has a dielectric multilayer filter that reflects the light and transmits the wavelength of the received light on the end face, and is equipped with a laser diode for transmission, forms a multimode linear optical waveguide and blocks the wavelength of the transmitted light. It is equipped with a multimode linear optical waveguide substrate with a light-blocking dielectric multilayer filter formed on the entire end surface and a submount with a receiving photodiode attached to the side surface. Attach the optical waveguide substrate to the multimode linear optical waveguide substrate so as to face one end face of the waveguide, and fix it. Optical transceiver module, characterized in that installed the submount to position the light-receiving surface of the photodiode on the extension of the optical axis of Chimodo straight waveguide.
【請求項2】 請求項1に記載される光送受信モジュー
ルにおいて、 マルチモード直線光導波路基板の内の光導波路基板固定
側の端部に延伸部を形成し、この延伸部に断面V字溝を
形成し、レーザダイオードを取り付けると共にレーザダ
イオードに接続する電極を形成したことを特徴とする光
送受信モジュール。
2. The optical transmitter-receiver module according to claim 1, wherein an extending portion is formed at an end portion of the multimode linear optical waveguide substrate on the side where the optical waveguide substrate is fixed, and a V-shaped cross-section groove is formed in the extending portion. An optical transmission / reception module, characterized in that an electrode for forming a laser diode and attaching the laser diode is formed.
【請求項3】 請求項1および請求項2の内の何れかに
記載される光送受信モジュールにおいて、 マルチモード直線光導波路基板の端面および光導波路基
板の端面に形成される誘電体多層膜フィルタおよび光遮
断誘電体多層膜フィルタは何れか一方或いは双方が端面
へ直接成膜形成したものであることを特徴とする光送受
信モジュール。
3. The optical transceiver module according to claim 1, wherein the multi-mode linear optical waveguide substrate has an end face and a dielectric multilayer film filter formed on the end face of the optical waveguide substrate. An optical transceiver module, wherein one or both of the light blocking dielectric multilayer filters are directly formed on the end face.
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