JP3532046B2 - Non-cyanated silver plating bath - Google Patents

Non-cyanated silver plating bath

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JP3532046B2
JP3532046B2 JP30094696A JP30094696A JP3532046B2 JP 3532046 B2 JP3532046 B2 JP 3532046B2 JP 30094696 A JP30094696 A JP 30094696A JP 30094696 A JP30094696 A JP 30094696A JP 3532046 B2 JP3532046 B2 JP 3532046B2
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孝夫 武内
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征史 正木
和博 青木
秀美 縄舟
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Ishihara Chemical Co Ltd
Daiwa Fine Chemicals Co Ltd
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Ishihara Chemical Co Ltd
Daiwa Fine Chemicals Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、めっき技術に関
し、特に、錫−銀系のろう材に対するはんだ付け性、特
にその経時特性の良好な錫−銀複層皮膜を形成するため
の非シアンの置換銀めっき浴に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating technique, and more particularly, to a non-cyan type non-cyan layer for forming a tin-silver multi-layered film having good solderability to tin-silver brazing filler metal, particularly good aging characteristics. Regarding displacement silver plating bath.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子工業において錫−鉛を基本組成とす
るはんだ( ろう材) による接合は不可欠の技術として広
く行われている。はんだ付けを迅速かつ確実に行うため
に、はんだ付けしようとする部品に予めはんだ付け性の
良好な皮膜を施しておくことが行われるが、このはんだ
付け性皮膜として錫−鉛合金めっき皮膜が一般に利用さ
れている。
2. Description of the Related Art Joining with a solder (brazing material) having a basic composition of tin-lead is widely used as an indispensable technique in the electronic industry. In order to perform soldering quickly and reliably, it is necessary to apply a film with good solderability to the parts to be soldered in advance.As this solderability film, a tin-lead alloy plating film is generally used. It's being used.

【0003】しかしながら、近年、鉛の健康・環境への
影響が懸念され、有害な鉛を含む錫−鉛はんだを規制し
ようとする考えが急速に広まりつつある。工業的な生産
条件並びに使用条件という観点から勘案すると、錫−鉛
はんだに代替できる特性を有するような鉛を含まないは
んだはいまのところなく、日欧米を中心として研究開発
が行われているところである。錫−鉛はんだの代替とし
ては第一元素としては錫が利用されると考えられるが、
第二元素としては銀、ビスマス、銅、インジウム、アン
チモン、亜鉛などが候補として挙げられており、それら
の二元合金あるいはさらに第三元素を添加した多元合金
が候補として挙げられている。その中で錫−銀系合金
は、最も有力な代替合金候補の一つである。
However, in recent years, there is concern about the effects of lead on health and the environment, and the idea of controlling tin-lead solder containing harmful lead is rapidly spreading. Considering industrial production conditions and usage conditions, there is no lead-free solder that has the property of being able to replace tin-lead solder, and research and development is being conducted mainly in Japan, Europe and the United States. is there. Although tin is considered to be used as the first element as an alternative to tin-lead solder,
As the second element, silver, bismuth, copper, indium, antimony, zinc, and the like are listed as candidates, and binary alloys thereof or multicomponent alloys to which a third element is further added are listed as candidates. Among them, the tin-silver alloy is one of the most promising alternative alloy candidates.

【0004】代替はんだに対応して、はんだ付け用のめ
っき皮膜(はんだ付け性皮膜)もまた鉛を含まないもの
に変更していく必要がある。錫−鉛合金めっき皮膜以外
のはんだ付け性皮膜として、単金属皮膜としては、錫、
金、銀、パラジウムが検討対象となり、錫の合金皮膜を
利用する場合には組成がろう材に近いものが望ましいの
で、錫−銀系ろう材を用いる場合には、錫−銀合金めっ
き皮膜が検討対象として考えられているが、未だ実用に
は至っていない。
Corresponding to the alternative solder, it is necessary to change the plating film for soldering (solderability film) to one that does not contain lead. As a solderable film other than the tin-lead alloy plating film, as the single metal film, tin,
Gold, silver, and palladium are the targets of study. When using a tin alloy film, it is desirable that the composition is close to that of a brazing filler metal. Therefore, when using a tin-silver brazing filler metal, a tin-silver alloy plating film is used. Although it is considered as a subject for consideration, it has not yet been put to practical use.

【0005】これら検討対象のうち、錫単独皮膜にはウ
ィスカーが発生し易いという問題があり、金、銀、パラ
ジウムなどの貴金属めっきは、十分な耐食性を付与する
に足る厚さにめっきすることはコストの観点から問題が
ある。
Among these objects to be studied, tin alone has a problem that whiskers are apt to be generated, and noble metal plating of gold, silver, palladium or the like cannot be plated to a thickness sufficient to provide sufficient corrosion resistance. There is a problem in terms of cost.

【0006】一方、錫−銀合金めっき皮膜は、錫−銀系
はんだに対して良好なはんだ付け性を示すところから、
本発明者らも錫−銀合金めっき浴について鋭意検討を加
え、特許(例えば、特開平8−143481号)を出願
しているが、めっき皮膜中の合金組成の制御が困難であ
るという合金めっきにおいては避けがたい問題もある。
皮膜組成の制御を容易にする方法として、発明者らはま
た、錫めっき上に電気めっき若しくは無電解めっきによ
って銀皮膜を形成して、ウィスカーの発生を抑制し、錫
単独皮膜よりもはんだ付け性に優れた、特にその経時特
性に優れた皮膜となることを見出している。
On the other hand, since the tin-silver alloy plating film exhibits good solderability to tin-silver solder,
The inventors of the present invention have made diligent studies on the tin-silver alloy plating bath and applied for a patent (for example, JP-A-8-143481), but it is difficult to control the alloy composition in the plating film. There are some problems that cannot be avoided.
As a method for facilitating control of the film composition, the inventors have also formed a silver film on the tin plating by electroplating or electroless plating to suppress the generation of whiskers and have a solderability better than that of the tin-only film. It has been found that the resulting film is excellent in, especially, its aging characteristics.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】錫めっき皮膜上に銀め
っき皮膜を施す方法として、上記の電気めっき或いは無
電解めっき以外に、イオン化傾向の差を利用して、錫金
属と銀イオンの置換反応による置換めっきを施す方法が
考えられる。通電の必要な電気めっき或いは還元剤の供
給が必要な無電解めっきに比べて、置換めっきでは、め
っき対象となる錫皮膜そのものが銀の還元剤となるた
め、工程或いはその管理が容易である。
As a method of applying a silver plating film on a tin plating film, in addition to the above electroplating or electroless plating, by utilizing the difference in ionization tendency, a substitution reaction of tin metal and silver ion is carried out. A method of performing displacement plating by In substitutional plating, the tin film itself to be plated serves as a silver reducing agent in electroplating which requires energization or electroless plating which requires the supply of a reducing agent, so the process or its management is easier.

【0008】金属錫上への銀の置換析出は容易に生じ得
る反応であって、例えばシアン浴を用いる場合には、特
別の添加剤等を必要とせずに良好な置換皮膜を得ること
ができる。しかしながら、シアン浴を用いることは、環
境・公害問題上望ましいことではない。一方、非シアン
浴から錫上に緻密で均一な銀を適切な速度で置換析出さ
せることは、主として浴中の銀イオン及び溶出した錫イ
オンの安定度の問題から容易なことではなく、報告は見
当たらない。
Substitution precipitation of silver on metallic tin is a reaction that can easily occur, and when a cyan bath is used, a good substitution film can be obtained without requiring special additives. . However, it is not desirable to use a cyan bath because of environmental and pollution problems. On the other hand, it is not easy to deposit dense and uniform silver on tin from a non-cyan bath at an appropriate rate, mainly because of the problem of stability of silver ions and eluted tin ions in the bath. I can't find it.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の発明者は、1価
の銀イオンを用い、該銀イオンの濃度を適切に選定する
とともに、該銀イオンを安定に保つための酸根及び/又
は錯化剤を適切に選定し添加することによって、非シア
ン浴から緻密で均一な銀皮膜を錫めっき皮膜上に析出さ
せることができることを見出し、さらに、錫−銀系はん
だではんだ付けされる際に、該皮膜が錫単独の皮膜より
も優れたはんだ付け性を示し、特にその経時特性が優れ
ていることを見いだした。
Means for Solving the Problems The inventor of the present invention uses monovalent silver ions, appropriately selects the concentration of the silver ions, and at the same time provides acid radicals and / or complexes for keeping the silver ions stable. It was found that a dense and uniform silver film can be deposited on a tin plating film from a non-cyan bath by appropriately selecting and adding an agent, and further, when soldering with tin-silver solder It has been found that the film exhibits superior solderability as compared with a film containing tin alone, and in particular, its time-dependent characteristics are excellent.

【0010】さらに、置換溶出した錫が沈殿することを
防止するための錯化剤を適切に添加することによって、
置換析出銀皮膜に水酸化錫等の不純物粒子が混入するこ
とが抑制でき、浴の寿命を長期化できることを見出し
た。
Further, by appropriately adding a complexing agent for preventing the substitutionally eluted tin from precipitating,
It has been found that it is possible to prevent impurities particles such as tin hydroxide from being mixed into the substitutionally deposited silver film, and to prolong the life of the bath.

【0011】さらに、pH緩衝剤を適切に添加すること
によって緻密で均一な銀皮膜の析出を制御できること、
並びに、錫の酸化防止剤を添加することによって、置換
溶出した錫が自然酸化され4価の錫となって沈殿するこ
とを抑制し、めっき浴の寿命を延長できることを見出し
た。
Furthermore, it is possible to control the deposition of a dense and uniform silver film by appropriately adding a pH buffer.
In addition, they have found that the addition of a tin antioxidant can prevent the substitutionally eluted tin from being naturally oxidized and precipitating as tetravalent tin and prolonging the life of the plating bath.

【0012】このようにして得られた銀置換皮膜と下層
錫皮膜を組み合わせることによって、得られた皮膜を電
気・電子回路部品に適用することによって、錫−銀系は
んだと錫−銀系めっき皮膜を組み合わせて利用すること
を可能にし、よって環境・衛生・公害上問題のある錫−
鉛はんだを代替することを可能とし、代替はんだ問題を
解決するに至った。
By combining the silver-substituted film and the lower tin film thus obtained, the resulting film is applied to electric / electronic circuit parts to obtain a tin-silver solder and a tin-silver plating film. It is possible to use tin in combination, and thus tin-which has problems in terms of environment, hygiene and pollution-
It has made it possible to replace lead solder and has solved the alternative solder problem.

【0013】発明の概要 本発明は、1価の銀イオンと、該銀イオンを浴中で安定
化し、平滑で緻密な銀の置換析出皮膜を得るための下記
(A)〜(J)から選ばれ銀の錯化剤の1種又は2種
以上と、置換溶出した錫が沈殿することを防止するため
の下記(a)〜(j)から選ばれた錫の錯化剤の1種又
は2種以上と、下記(1)、(3)、(5)〜(13)
から選ばれた銀の置換析出抑制剤の1種又は2種以上と
含むことを特徴とする錫又は錫合金の上に銀の置換皮
膜を析出させるための非シアン置換銀めっき浴を提供す
るものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is selected from monovalent silver ions and the following (A) to (J) for stabilizing the silver ions in a bath to obtain a smooth and dense substitutional deposition film of silver. and one or more complexing agents of silver which, in order to prevent the tin substituted eluted precipitates
One of tin complexing agents selected from the following (a) to (j)
Is two or more, and the following (1), (3), (5) to (13)
One or more silver substitution precipitation inhibitors selected from
And it provides a non-cyanide substitution silver plating bath for depositing a substitution film of silver on the tin or tin alloy characterized in that it comprises a.

【0014】(A)下記の無機酸イオン:硝酸イオン、
亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオン、重亜硫酸イ
オン、メタ重亜硫酸イオン、塩素イオン、塩素酸イオ
ン、過塩素酸イオン、臭素イオン、臭素酸イオン、ヨウ
素イオン、ヨウ素酸イオン、ホウフッ酸イオン、ケイフ
ッ酸イオン、スルファミン酸イオン、チオ硫酸イオン、
チオシアン酸イオン。
(A) The following inorganic acid ions: nitrate ions,
Nitrite ion, sulfate ion, sulfite ion, bisulfite ion, metabisulfite ion, chlorine ion, chlorate ion, perchlorate ion, bromine ion, bromate ion, iodine ion, iodate ion, borofluoride ion, keifu Acid ion, sulfamate ion, thiosulfate ion,
Thiocyanate ion.

【0015】(B)アンモニウムイオン、過硫酸アンモ
ニウムイオン。
(B) Ammonium ion, ammonium persulfate ion.

【0016】(C)酢酸イオン。(C) Acetate ion.

【0017】(D)下記の一般式(i)、(ii)及び/
又は (iii)で表されるスルホン酸のイオン。
(D) The following general formulas (i), (ii) and /
Alternatively, a sulfonic acid ion represented by (iii).

【0018】(i)一般式(I) General formula

【化23】 [ここで、RはC1 〜C12のアルキル基又はC1 〜C3
アルケニル基を表し、該Rの水素は、0〜3個の範囲
で、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基又はスルホン酸基で置換されてい
てよく、そして該Rの任意の位置にあってよい。]で表
わされる脂肪族スルホン酸。
[Chemical formula 23] [Where R is a C 1 -C 12 alkyl group or C 1 -C 3
Represents an alkenyl group, and hydrogen of R may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a carboxyl group or a sulfonic acid group in the range of 0 to 3, and Can be in position. ] Aliphatic sulfonic acid represented by these.

【0019】(ii)一般式(Ii) General formula

【化24】 [ここで、RはC1 〜C3 のアルキル基を表す。Xは塩
素及び/又はフッ素のハロゲンを表し、該Rの任意の位
置にあってよく、該Rの水素と置換された該ハロゲンの
置換数n1は1から該Rに配位したすべての水素が飽和
置換されたものまでを表し、置換されたハロゲン種は1
種又は2種類である。水酸基は該Rの任意の位置にあっ
てよく、該Rの水素と置換された該水酸基の置換数n2
は0又は1である。Yはスルホン酸基を表し、該Rの任
意の位置にあってよく、Yで表されるスルホン酸基の置
換数n3は0から2の範囲にある。]で表わされるハロ
ゲン化アルカンスルホン酸又はハロゲン化アルカノール
スルホン酸。
[Chemical formula 24] [Wherein, R represents an alkyl group of C 1 -C 3. X represents chlorine and / or fluorine halogen, which may be present at any position of the R, and the substitution number n1 of the halogen substituted with the hydrogen of the R is from 1 to all the hydrogens coordinated to the R. Represents up to saturated and substituted halogen species of 1
There are two types. The hydroxyl group may be located at any position of the R, and the number of substitutions n2 of the hydroxyl group substituted with the hydrogen of the R is n2.
Is 0 or 1. Y represents a sulfonic acid group, which may be present at any position of the R, and the substitution number n3 of the sulfonic acid group represented by Y is in the range of 0 to 2. ] The halogenated alkane sulfonic acid or halogenated alkanol sulfonic acid represented by these.

【0020】(iii)一般式(Iii) General formula

【化25】 [ここで、Xは水酸基、アルキル基、アリール基、アル
キルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニト
ロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは2個のXはベンゼン環と一緒になってナフタ
リン環を形成でき、該基の置換数nは0〜3の整数であ
る。]で表される芳香族スルホン酸。
[Chemical 25] [Where X represents a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, an aldehyde group, a carboxyl group, a nitro group, a mercapto group, a sulfonic acid group or an amino group, or two Xs together with a benzene ring Can form a naphthalene ring, and the substitution number n of the group is an integer of 0 to 3. ] The aromatic sulfonic acid represented by these.

【0021】(E)一般式(E) General formula

【化26】 [ここで、Xは酸素又は硫黄を表し、Ra、Rbはそれ
ぞれ独立に水素、アミノ基又はC1 〜C5 のアルキルを
表す。Rc及びRdはそれぞれ独立に水素又はC1 〜C
5 のアルキル、アルケニル又はフェニルを表し、該アル
キル、アルケニル及び/又はフェニルの水素は水酸基又
はアミノ基、モノメチル若しくはジメチルアミノ基で置
換されていてよく、RcとRdは結合して環を形成して
よい。]で示される尿素又はチオ尿素又はチオアセトア
ミド又はそれらの誘導体。
[Chemical formula 26] [Here, X represents oxygen or sulfur, and Ra and Rb each independently represent hydrogen, an amino group, or C 1 to C 5 alkyl. Rc and Rd are each independently hydrogen or C 1 to C
5 represents alkyl, alkenyl or phenyl, and hydrogen of the alkyl, alkenyl and / or phenyl may be substituted with a hydroxyl group or an amino group, monomethyl or dimethylamino group, and Rc and Rd are combined to form a ring. Good. ] The urea shown by these, or thiourea, or thioacetamide, or those derivatives.

【0022】(F)一般式(F) General formula

【化27】 [ただし、Ra、Rb、Rc、Rdは水素、アルキル
(C1 〜C5 )基を表し、該アルキル基の水素は水酸基
で置換されていてよい。]で表されるヒダントイン化合
物。
[Chemical 27] [However, Ra, Rb, Rc, Rd is hydrogen, alkyl (C 1 ~C 5) groups, the hydrogen of the alkyl group may be substituted with a hydroxyl group. ] The hydantoin compound represented by these.

【0023】(G)一般式(G) General formula

【化28】 [ただし、Ra、Rb、Rc、Rdは、それぞれ独立
に、水素又はC1 〜C5 のアルキル基又はアルコキシ基
を表す。]で示されるコハク酸イミド( スクシンイミ
ド) 又はマレイン酸イミド及びそれらの誘導体。
[Chemical 28] [However, Ra, Rb, Rc, and Rd each independently represent hydrogen or a C 1 to C 5 alkyl group or alkoxy group. ] Succinimide (succinimide) or maleic imide and its derivative shown by these.

【0024】(H)一般式(H) General formula

【化29】 [ただし、Ra、Rb、Rcは、それぞれ独立に、水
素、水酸基又はC1 〜C5アルキルを表し、該アルキル
基の水素は、水酸基、アミノ基、塩素で置換されていて
よく、また該アルキル基どうしが結合して環を形成して
もよい。]で示されるアミン及びそれらの塩。
[Chemical 29] [However, Ra, Rb, and Rc each independently represent hydrogen, a hydroxyl group, or C 1 to C 5 alkyl, and the hydrogen of the alkyl group may be substituted with a hydroxyl group, an amino group, or chlorine. The groups may be bonded to each other to form a ring. ] The amine shown by these, and those salts.

【0025】(I)一般式(I) General formula

【化30】 [ここで、Rはアルキレン基(C1 〜C5 )を表し、該
アルキレン基の水素はアミノ基で置換されていてよく、
また該アミノ基を介してアセチル基と結合していてもよ
い。]で表されるチオカルボン酸又はチオスルホン酸。
[Chemical 30] [Wherein R represents an alkylene group (C 1 to C 5 ), and hydrogen of the alkylene group may be substituted with an amino group,
Further, it may be bonded to an acetyl group via the amino group. ] The thiocarboxylic acid or thiosulfonic acid represented by these.

【0026】(J)一般式(J) General formula

【化31】 [ここで、Xは酸素、窒素又は硫黄を表し、Yは炭素又
は窒素を表す。ZはXが窒素のときに水素であり、酸素
又は硫黄のときには存在しない。Aは水素又はチオール
を表し、Yが窒素のときには存在しない。ベンゼン環の
水素はメトキシ基又はエトキシで置換されていてよ
い。]で表されるベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾー
ル、ベンゾイミダゾール又はベンゾオキサゾール及びそ
れらの誘導体。
[Chemical 31] [Here, X represents oxygen, nitrogen or sulfur, and Y represents carbon or nitrogen. Z is hydrogen when X is nitrogen and is absent when oxygen or sulfur. A represents hydrogen or thiol and is absent when Y is nitrogen. Hydrogen on the benzene ring may be substituted with a methoxy group or ethoxy. ] The benzotriazole represented by these, benzothiazole, benzimidazole, or benzoxazole, and those derivatives.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】本発明の錫皮膜上への非シアン系
銀置換めっき浴においては、1価の銀イオンの供給源と
なる化合物としては、公知のものがいずれも使用でき、
例えば、酸化銀、硝酸銀、硫酸銀、塩化銀、臭化銀、ヨ
ウ化銀、安息香酸銀、スルファミン酸銀、クエン酸銀、
乳酸銀、メルカプトコハク酸銀、リン酸銀、トリフルオ
ロ酢酸銀、ピロリン酸銀、1−ヒドロキシエタン−1,
1−ビスホスホン酸銀、又は下記一般式(i)及び(i
i)で表される脂肪族スルホン酸の銀塩、例えばメタン
スルホン酸銀、スルホコハク酸銀、トリフルオロメタン
スルホン酸銀、或いは下記一般式 (iii)で表される芳香
族スルホン酸の銀塩、例えばp−トルエンスルホン酸
銀、スルホ安息香酸銀などを単独又は適宜混合して使用
できる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the non-cyan type silver displacement plating bath on the tin film of the present invention, any known compound can be used as a source of monovalent silver ions.
For example, silver oxide, silver nitrate, silver sulfate, silver chloride, silver bromide, silver iodide, silver benzoate, silver sulfamate, silver citrate,
Silver lactate, silver mercaptosuccinate, silver phosphate, silver trifluoroacetate, silver pyrophosphate, 1-hydroxyethane-1,
1-bisphosphonate silver, or the following general formulas (i) and (i
i) a silver salt of an aliphatic sulfonic acid represented by, for example, silver methanesulfonate, silver sulfosuccinate, silver trifluoromethanesulfonate, or a silver salt of an aromatic sulfonic acid represented by the following general formula (iii), for example: Silver p-toluenesulfonate, silver sulfobenzoate and the like can be used alone or in an appropriate mixture.

【0028】(i)一般式(I) General formula

【化32】 [ここで、RはC1 〜C12のアルキル基又はC1 〜C3
アルケニル基を表し、該Rの水素は、0〜3個の範囲
で、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基又はスルホン酸基で置換されてい
てよく、そして該Rの任意の位置にあってよい。]で表
される脂肪族スルホン酸。
[Chemical 32] [Where R is a C 1 -C 12 alkyl group or C 1 -C 3
Represents an alkenyl group, and hydrogen of R may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a carboxyl group or a sulfonic acid group in the range of 0 to 3, and Can be in position. ] The aliphatic sulfonic acid represented by these.

【0029】(ii)一般式(Ii) General formula

【化33】 [ここで、RはC1 〜C3 のアルキル基を表す。Xは塩
素及び/又はフッ素のハロゲンを表し、該Rの任意の位
置にあってよく、該Rの水素と置換された該ハロゲンの
置換数n1は1から該Rに配位したすべての水素が飽和
置換されたものまでを表し、置換されたハロゲン種は1
種又は2種類である。水酸基は該Rの任意の位置にあっ
てよく、該Rの水素と置換された該水酸基の置換数n2
は0又は1である。Yはスルホン酸基を表し、該Rの任
意の位置にあってよく、Yで表されるスルホン酸基の置
換数n3は0から2の範囲にある。]で表されるハロゲ
ン化アルカンスルホン酸又はハロゲン化アルカノールス
ルホン酸。
[Chemical 33] [Wherein, R represents an alkyl group of C 1 -C 3. X represents chlorine and / or fluorine halogen, which may be present at any position of the R, and the substitution number n1 of the halogen substituted with the hydrogen of the R is from 1 to all the hydrogens coordinated to the R. Represents up to saturated and substituted halogen species of 1
There are two types. The hydroxyl group may be located at any position of the R, and the number of substitutions n2 of the hydroxyl group substituted with the hydrogen of the R is n2.
Is 0 or 1. Y represents a sulfonic acid group, which may be present at any position of the R, and the substitution number n3 of the sulfonic acid group represented by Y is in the range of 0 to 2. ] The halogenated alkane sulfonic acid or halogenated alkanol sulfonic acid represented by these.

【0030】(iii) 一般式(Iii) general formula

【化34】 [ここで、Xは水酸基、アルキル基、アリール基、アル
キルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニト
ロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは2個のXはベンゼン環と一緒になってナフタ
リン環を形成でき、該基の置換数nは0〜3の整数であ
る。]で表される芳香族スルホン酸。
[Chemical 34] [Where X represents a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, an aldehyde group, a carboxyl group, a nitro group, a mercapto group, a sulfonic acid group or an amino group, or two Xs together with a benzene ring Can form a naphthalene ring, and the substitution number n of the group is an integer of 0 to 3. ] The aromatic sulfonic acid represented by these.

【0031】銀化合物の使用量は、1価の銀分として
0.01〜50g/l程度が適当であり、好ましくは
0.05〜10g/l程度とする。使用量の不足は工業
的操業に必要な析出速度を得ることが困難となり、使用
量の過剰は目的とする均質、平滑で緻密な置換銀皮膜を
得るという所期の目的を達成しない。
The amount of the silver compound used is suitably about 0.01 to 50 g / l, preferably about 0.05 to 10 g / l, as the monovalent silver content. If the amount used is insufficient, it will be difficult to obtain the deposition rate required for industrial operation, and if the amount used is excessive, the intended purpose of obtaining a desired homogeneous, smooth and dense substituted silver film will not be achieved.

【0032】本置換めっき浴には、1価の銀イオンを浴
中で安定化し、平滑で緻密な銀の置換析出皮膜を得るた
めに、下記(A)〜(J)から選ばれた化合物或いはイ
オンなどを単独又は適宜混合して使用できる。
In the present displacement plating bath, a compound selected from the following (A) to (J) or a compound selected from the following (A) to (J) in order to stabilize monovalent silver ions in the bath and obtain a smooth and dense substitutional deposition film of silver. Ions and the like can be used alone or in an appropriate mixture.

【0033】(A)下記の無機酸イオン:硝酸イオン、
亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオン、重亜硫酸イ
オン、メタ重亜硫酸イオン、塩素イオン、塩素酸イオ
ン、過塩素酸イオン、臭素イオン、臭素酸イオン、ヨウ
素イオン、ヨウ素酸イオン、ホウフッ酸イオン、 ケイフ
ッ酸イオン、スルファミン酸イオン、チオ硫酸イオン、
チオシアン酸イオン。
(A) The following inorganic acid ions: nitrate ions,
Nitrite ion, sulfate ion, sulfite ion, bisulfite ion, metabisulfite ion, chlorine ion, chlorate ion, perchlorate ion, bromine ion, bromate ion, iodine ion, iodate ion, borofluoride ion, keifu Acid ion, sulfamate ion, thiosulfate ion,
Thiocyanate ion.

【0034】(B)アンモニウムイオン、過硫酸アンモ
ニウムイオン。
(B) Ammonium ion, ammonium persulfate ion.

【0035】(C)酢酸イオン。(C) Acetate ion.

【0036】(D)下記の一般式(i)、(ii)及び/
又は (iii)で表されるスルホン酸のイオン。
(D) The following general formulas (i), (ii) and /
Alternatively, a sulfonic acid ion represented by (iii).

【0037】(i)一般式(I) General formula

【化35】 [ここで、RはC1 〜C12のアルキル基又はC1 〜C3
アルケニル基を表し、該Rの水素は、0〜3個の範囲
で、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基又はスルホン酸基で置換されてい
てよく、そして該Rの任意の位置にあってよい。]で表
される脂肪族スルホン酸。
[Chemical 35] [Where R is a C 1 -C 12 alkyl group or C 1 -C 3
Represents an alkenyl group, and hydrogen of R may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a carboxyl group or a sulfonic acid group in the range of 0 to 3, and Can be in position. ] The aliphatic sulfonic acid represented by these.

【0038】(ii)一般式(Ii) General formula

【化36】 [ここで、RはC1 〜C3 のアルキル基を表す。Xは塩
素及び/又はフッ素のハロゲンを表し、該Rの任意の位
置にあってよく、該Rの水素と置換された該ハロゲンの
置換数n1は1から該Rに配位したすべての水素が飽和
置換されたものまでを表し、置換されたハロゲン種は1
種又は2種類である。水酸基は該Rの任意の位置にあっ
てよく、該Rの水素と置換された該水酸基の置換数n2
は0又は1である。Yはスルホン酸基を表し、該Rの任
意の位置にあってよく、Yで表されるスルホン酸基の置
換数n3は0から2の範囲にある。]で表されるハロゲ
ン化アルカンスルホン酸又はハロゲン化アルカノールス
ルホン酸。
[Chemical 36] [Wherein, R represents an alkyl group of C 1 -C 3. X represents chlorine and / or fluorine halogen, which may be present at any position of the R, and the substitution number n1 of the halogen substituted with the hydrogen of the R is from 1 to all the hydrogens coordinated to the R. Represents up to saturated and substituted halogen species of 1
There are two types. The hydroxyl group may be located at any position of the R, and the number of substitutions n2 of the hydroxyl group substituted with the hydrogen of the R is n2.
Is 0 or 1. Y represents a sulfonic acid group, which may be present at any position of the R, and the substitution number n3 of the sulfonic acid group represented by Y is in the range of 0 to 2. ] The halogenated alkane sulfonic acid or halogenated alkanol sulfonic acid represented by these.

【0039】(iii) 一般式(Iii) general formula

【化37】 [ここで、Xは水酸基、アルキル基、アリール基、アル
キルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニト
ロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは2個のXはベンゼン環と一緒になってナフタ
リン環を形成でき、該基の置換数nは0〜3の整数であ
る。]で表される芳香族スルホン酸。
[Chemical 37] [Where X represents a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, an aldehyde group, a carboxyl group, a nitro group, a mercapto group, a sulfonic acid group or an amino group, or two Xs together with a benzene ring Can form a naphthalene ring, and the substitution number n of the group is an integer of 0 to 3. ] The aromatic sulfonic acid represented by these.

【0040】(E)一般式(E) General formula

【化38】 [ここで、Xは酸素又は硫黄を表し、Ra,Rbはそれ
ぞれ独立に水素、 アミノ基又はC1 〜C5 のアルキルを
表す。Rc及びRdはそれぞれ独立に水素又はC 1 〜C
5 のアルキル、 アルケニル又はフェニルを表し、 該アル
キル、 アルケニル及び/ 又はフェニルの水素は水酸基又
はアミノ基、 モノメチル若しくはジメチルアミノ基で置
換されていてよく、 RcとRdは結合して環を形成して
よい。]で示される尿素又はチオ尿素又はチオアセトア
ミド又はそれらの誘導体。
[Chemical 38] [Where X represents oxygen or sulfur, and Ra and Rb are
Independently hydrogen, amino group or C1 ~ CFive The alkyl
Represent Rc and Rd are each independently hydrogen or C 1 ~ C
Five Of alkyl, alkenyl or phenyl,
The hydrogen of the alkyl, alkenyl and / or phenyl is a hydroxyl group or
Is an amino group, monomethyl or dimethylamino group
Rc and Rd may be combined to form a ring.
Good. ] Or urea or thiourea or thioacetoa
Mido or their derivatives.

【0041】(F)一般式(F) General formula

【化39】 [ただし、Ra、Rb、Rc、Rdは水素、アルキル
(C1 〜C5 )基を表し、該アルキル基の水素は水酸基
で置換されていてよい。]で表されるヒダントイン化合
物。
[Chemical Formula 39] [However, Ra, Rb, Rc, Rd is hydrogen, alkyl (C 1 ~C 5) groups, the hydrogen of the alkyl group may be substituted with a hydroxyl group. ] The hydantoin compound represented by these.

【0042】(G)一般式(G) General formula

【化40】 [ただし、 Ra,Rb,Rc,Rdは、それぞれ独立
に、水素又はC1 〜C5 のアルキル基又はアルコキシ基
を表す。]で示されるコハク酸イミド( スクシンイミ
ド) 又はマレイン酸イミド及びそれらの誘導体。
[Chemical 40] [However, Ra, Rb, Rc, and Rd each independently represent hydrogen or a C 1 to C 5 alkyl group or alkoxy group. ] Succinimide (succinimide) or maleic imide and its derivative shown by these.

【0043】(H)一般式(H) General formula

【化41】 [ただし、Ra,Rb,Rcは、それぞれ独立に、水
素、水酸基又はC1 〜C5アルキルを表し、該アルキル
基の水素は、水酸基、アミノ基、塩素で置換されていて
よく、また該アルキル基どうしが結合して環を形成して
もよい。]で示されるアミン及びそれらの塩。
[Chemical 41] [However, Ra, Rb, and Rc each independently represent hydrogen, a hydroxyl group, or C 1 -C 5 alkyl, and the hydrogen of the alkyl group may be substituted with a hydroxyl group, an amino group, or chlorine. The groups may be bonded to each other to form a ring. ] The amine shown by these, and those salts.

【0044】(I)一般式(I) General formula

【化42】 [ここで、Rはアルキレン基(C1 〜C5 )を表し、該
アルキレン基の水素はアミノ基で置換されていてよく、
また該アミノ基を介してアセチル基と結合していてもよ
い。]で表されるチオカルボン酸又はチオスルホン酸。
[Chemical 42] [Wherein R represents an alkylene group (C 1 to C 5 ), and hydrogen of the alkylene group may be substituted with an amino group,
Further, it may be bonded to an acetyl group via the amino group. ] The thiocarboxylic acid or thiosulfonic acid represented by these.

【0045】(J)一般式(J) General formula

【化43】 [ここで、Xは酸素、窒素又は硫黄を表し、Yは炭素又
は窒素を表す。ZはXが窒素のときに水素であり、酸素
又は硫黄のときには存在しない。Aは水素又はチオール
を表し、Yが窒素のときには存在しない。ベンゼン環の
水素はメトキシ基又はエトキシで置換されていてよ
い。]で表されるベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾー
ル、ベンゾイミダゾール又はベンゾオキサゾール及びそ
れらの誘導体。
[Chemical 43] [Here, X represents oxygen, nitrogen or sulfur, and Y represents carbon or nitrogen. Z is hydrogen when X is nitrogen and is absent when oxygen or sulfur. A represents hydrogen or thiol and is absent when Y is nitrogen. Hydrogen on the benzene ring may be substituted with a methoxy group or ethoxy. ] The benzotriazole represented by these, benzothiazole, benzimidazole, or benzoxazole, and those derivatives.

【0046】一般式で表したもののなかで好適なものの
例を挙げると下記の通りである。
The preferred examples among those represented by the general formula are as follows.

【0047】一般式(D)の(i)及び(ii)で表され
る例としては、メタンスルホン酸、スルホコハク酸、ト
リフルオロメタンスルホン酸等が挙げられる。
Examples of general formula (D) represented by (i) and (ii) include methanesulfonic acid, sulfosuccinic acid and trifluoromethanesulfonic acid.

【0048】一般式(D) (iii)で表される例として
は、p−トルエンスルホン酸、スルホ安息香酸等が挙げ
られる。
Examples of the general formula (D) (iii) include p-toluenesulfonic acid and sulfobenzoic acid.

【0049】一般式(E)で表される例としては、イミ
ダゾリジノン、2−イミダゾリジンチオン、チオ尿素、
トリメチルチオ尿素、N,N’−ジ−n−ブチルチオ尿
素、テトラメチルチオ尿素、1−アリル2−チオ尿素、
N,N’ジエチルチオ尿素、1,3−ビス(ジメチルア
ミノプロピル)−2−チオ尿素、N,Nジメチルチオ尿
素、N,N−ジメチロール尿素、チオセミカルバジド、
4−フェニル−3−チオセミカルバジド、2−チオバル
ビツル酸、チオアセトアミド等が挙げられる。
Examples of the general formula (E) include imidazolidinone, 2-imidazolidinethione, thiourea,
Trimethylthiourea, N, N'-di-n-butylthiourea, tetramethylthiourea, 1-allyl-2-thiourea,
N, N'diethylthiourea, 1,3-bis (dimethylaminopropyl) -2-thiourea, N, N dimethylthiourea, N, N-dimethylolurea, thiosemicarbazide,
4-phenyl-3-thiosemicarbazide, 2-thiobarbituric acid, thioacetamide and the like can be mentioned.

【0050】一般式(F)で表される例としては、ヒダ
ントイン、5−n−プロピルヒダントイン、5,5−ジ
メチルヒダントイン等が挙げられる。
Examples of the general formula (F) include hydantoin, 5-n-propylhydantoin, 5,5-dimethylhydantoin and the like.

【0051】一般式(G)で表される例としては、2,
2−ジメチルこはく酸イミド、2−メチル−2−エチル
こはく酸イミド、2−メチルこはく酸イミド、2−エチ
ルこはく酸イミド、1,1,2,2−テトラメチルこは
く酸イミド、1,1,2−トリメチルこはく酸イミド、
2−ブチルこはく酸イミド、2−エチルマレイン酸イミ
ド、1−メチル−2−エチルマレイン酸イミド、2−ブ
チルマレイン酸イミド等が挙げられる。
As an example represented by the general formula (G), 2,
2-dimethyl succinimide, 2-methyl-2-ethyl succinimide, 2-methyl succinimide, 2-ethyl succinimide, 1,1,2,2-tetramethyl succinimide, 1,1, 2-trimethylsuccinimide,
Examples thereof include 2-butyl succinimide, 2-ethyl maleic imide, 1-methyl-2-ethyl maleic imide, and 2-butyl maleic imide.

【0052】一般式(H)で表される例としては、エチ
レンジアミン、エチルアミンイソプロピルアミン、n−
ブチルアミン、イソブチルアミン、ジプロピルアミン、
ジブチルアミン、ジエチルアミン、モノエタノールアミ
ン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンN−メ
チルエタノールアミン、2−アミノ−2−(ヒドロキシ
メチル)−1,3−プロパンジオール、2−クロロエチ
ルアンモニウムクロライド等が挙げられる。
Examples of the general formula (H) include ethylenediamine, ethylamine isopropylamine, n-
Butylamine, isobutylamine, dipropylamine,
Examples thereof include dibutylamine, diethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine N-methylethanolamine, 2-amino-2- (hydroxymethyl) -1,3-propanediol, 2-chloroethylammonium chloride and the like.

【0053】一般式(I)で表される例としては、メル
カプトコハク酸、3−メルカプトプロピオン酸、メルカ
プト酢酸、2−メルカプトプロピオン酸、ペニシラアミ
ン、3−メルカプトプロパンスルホン酸、アセチルシス
ティン、システィン等が挙げられる。
Examples of the general formula (I) include mercaptosuccinic acid, 3-mercaptopropionic acid, mercaptoacetic acid, 2-mercaptopropionic acid, penicillamine, 3-mercaptopropanesulfonic acid, acetylcystine and cystine. Can be mentioned.

【0054】一般式(J)で表される例としては、ベン
ゾトリアゾール、 2−メルカプトベンゾチアゾール、 6
−エトキシ−2−メルカプトベンゾチアゾール、 2−メ
ルカプトベンゾイミダゾール、 2−メルカプトベンゾオ
キサゾール等が挙げられる。
Examples of the general formula (J) include benzotriazole, 2-mercaptobenzothiazole, 6
-Ethoxy-2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzoxazole and the like can be mentioned.

【0055】それらの使用量は、酸根或いは錯化剤の種
類に応じて適宜選択されるが、浴中の銀分1モルに対し
て1〜20モル程度が適当であり、好ましくは2〜15
モル程度である。使用量の不足は、該銀イオンを浴中に
安定に存在させるという所期の目的を達成せず、使用量
の過剰は錫皮膜の溶解を促進し過ぎて、均一、平滑で緻
密な銀置換皮膜を得るという所期の目的を達成しない可
能性がある。
The amount used is appropriately selected according to the kind of the acid radical or the complexing agent, but is appropriately about 1 to 20 mol, preferably 2 to 15 mol, per 1 mol of silver in the bath.
It is about molar. A lack of the amount used does not achieve the intended purpose of allowing the silver ions to exist stably in the bath, and an excess of the amount excessively accelerates the dissolution of the tin film, resulting in uniform, smooth and dense silver substitution. It may not achieve its intended purpose of obtaining a film.

【0056】本発明に用いるめっき浴には、上述の溶液
に、さらに、置換溶出した錫が沈殿することを防止する
ために、下記(a)〜(j)の中から選ばれた錫の錯化
剤を単独又は適宜混合して使用できる。
In the plating bath used in the present invention, a tin complex selected from the following (a) to (j) is added to the above-mentioned solution in order to prevent precipitation of the eluted tin. The agents may be used alone or in an appropriate mixture.

【0057】(a)アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪
族ジカルボン酸。
(A) An aliphatic dicarboxylic acid having an alkyl group having 0 to 3 carbon atoms.

【0058】(b)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪
族ヒドロキシモノカルボン酸。
(B) An aliphatic hydroxymonocarboxylic acid having an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms.

【0059】(c)アルキル基の炭素数が1〜3の脂肪
族ヒドロキシポリカルボン酸。
(C) An aliphatic hydroxypolycarboxylic acid having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

【0060】(d)単糖類及びその一部が酸化されたポ
リヒドロキシカルボン酸並びにそれらの環状エステル化
合物。
(D) Monosaccharides, polyhydroxycarboxylic acids having a part thereof oxidized, and cyclic ester compounds thereof.

【0061】(e)アルキル基の炭素数が1〜4の脂肪
族モノ−又はジ−アミノ、モノ−又はジ−カルボン酸。
(E) Aliphatic mono- or di-amino, mono- or di-carboxylic acid having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

【0062】(f)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪
族モノメルカプトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカ
プトジカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノ
モノカルボン酸。
(F) Aliphatic monomercaptomonocarboxylic acid having 2 to 3 carbon atoms in the alkyl group, aliphatic monomercaptodicarboxylic acid and aliphatic monomercaptomonoaminomonocarboxylic acid.

【0063】(g)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪
族モノスルホモノカルボン酸及び脂肪族モノスルホジカ
ルボン酸。
(G) Aliphatic monosulfomonocarboxylic acid and aliphatic monosulfodicarboxylic acid having an alkyl group having 2 to 3 carbon atoms.

【0064】(h)下記のアミンカルボン酸:エチレン
ジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢
酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、トリエチレンテ
トラミンヘキサ酢酸、エチレンジオキシビス(エチルア
ミン)−N,N,N’,N’−テトラ酢酸、グリコール
エチレンジアミンテトラ酢酸、N−ヒドロキシエチルエ
チレンジアミンテトラ酢酸。
(H) The following aminecarboxylic acids: ethylenediaminetetraacetic acid, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, ethylenedioxybis (ethylamine) -N, N, N ', N'- Tetraacetic acid, glycol ethylenediaminetetraacetic acid, N-hydroxyethylethylenediaminetetraacetic acid.

【0065】(i)縮合リン酸。(I) Condensed phosphoric acid.

【0066】(j)アルカンの炭素数が1〜3のヒドロ
キシアルカンビスホスホン酸。
(J) A hydroxyalkane bisphosphonic acid in which the alkane has 1 to 3 carbon atoms.

【0067】置換溶出した錫イオンを浴中に安定に保つ
ための錯化剤(a)〜(j)のそれぞれの中で好適なも
のを例示すれば、下記のものが挙げられる。
Preferred examples of the complexing agents (a) to (j) for keeping the tin ions eluted by substitution stable in the bath include the following.

【0068】(a)脂肪族ジカルボン酸としては、蓚
酸、マロン酸、コハク酸等が挙げられる。
Examples of the aliphatic dicarboxylic acid (a) include oxalic acid, malonic acid and succinic acid.

【0069】(b)脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸と
しては、グリコール酸等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydroxymonocarboxylic acid (b) include glycolic acid and the like.

【0070】(c)脂肪族ヒドロキシポリカルボン酸と
しては、酒石酸、クエン酸等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydroxypolycarboxylic acid (c) include tartaric acid and citric acid.

【0071】(d)単糖類及びその一部が酸化されたポ
リヒドロキシカルボン酸並びにそれらの環状エステル化
合物としては、アスコルビン酸、グルコン酸、グルコヘ
プトン酸、δ−グルコノラクトン等が挙げられる。
Examples of (d) monosaccharides, polyhydroxycarboxylic acids partially oxidized and cyclic ester compounds thereof include ascorbic acid, gluconic acid, glucoheptonic acid, and δ-gluconolactone.

【0072】(e)脂肪族アミノカルボン酸としては、
グリシン等が挙げられる。
(E) As the aliphatic aminocarboxylic acid,
Glycine and the like can be mentioned.

【0073】(f)脂肪族メルカプトカルボン酸として
は、メルカプトコハク酸等が挙げられる。
Examples of the (f) aliphatic mercaptocarboxylic acid include mercaptosuccinic acid.

【0074】(g)脂肪族スルホカルボン酸の例として
は、スルホコハク酸等が挙げられる。
Examples of (g) aliphatic sulfocarboxylic acid include sulfosuccinic acid.

【0075】(h)アミノカルボン酸としては、エチレ
ンジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢
酸等が挙げられる。
Examples of the (h) aminocarboxylic acid include ethylenediaminetetraacetic acid, iminodiacetic acid and nitrilotriacetic acid.

【0076】(i)縮合リン酸としては、ピロリン酸、
トリポリリン酸等が挙げられる。
(I) As the condensed phosphoric acid, pyrophosphoric acid,
Tripolyphosphoric acid etc. are mentioned.

【0077】(j)ヒドロキシアルカンビスホスホン酸
としては、1−ヒドロキシエタン−1,1−ビスホスホ
ン酸等が挙げられる。
Examples of the hydroxyalkane bisphosphonic acid (j) include 1-hydroxyethane-1,1-bisphosphonic acid.

【0078】それらの使用量は、 錯化剤の種類めっき浴
中に溶出した錫の濃度及びpHに応じて適宜選択され、
上下限ともに特に限定さるべきものではないが、 錫に対
する錯化剤比率の低下とともに沈殿が生成し易くなり、
浴が不安定となるため、 概ね錫に等しいモル数は必要で
あり、 錯化剤濃度が極端に高い場合には、 浴の粘度が高
くなるなどの現象が現れるために、 概ね錫に対して50
倍モル程度に抑えるべきである。従って、 銀の錯化剤の
使用量は、 モル比率で、 錫イオンに対して1〜50倍量
を添加し、 好ましくは2〜30倍量を添加する。
The amount of those used is appropriately selected depending on the type of complexing agent and the concentration and pH of tin eluted in the plating bath,
The upper and lower limits are not particularly limited, but as the ratio of the complexing agent to tin decreases, precipitates tend to form,
Since the bath becomes unstable, it is necessary to have a number of moles that is approximately equal to that of tin. When the concentration of the complexing agent is extremely high, phenomena such as an increase in the viscosity of the bath appear. Fifty
It should be kept to about twice the molar amount. Therefore, the amount of the silver complexing agent used is 1 to 50 times, and preferably 2 to 30 times, the molar amount of tin ion.

【0079】さらに、本発明においては、銀の置換析出
を抑制し、一層平滑で緻密な置換銀皮膜を得るために、
該めっき浴にさらに、銀の置換抑制剤として、下記一般
式(1)〜(13)の中から選ばれた界面活性剤を単独
又は適宜混合して使用できる。
Further, in the present invention, in order to suppress substitutional precipitation of silver and obtain a smoother and denser substituted silver film,
Further, a surfactant selected from the following general formulas (1) to (13) can be used alone or in admixture as a silver substitution inhibitor in the plating bath.

【0080】(1)一般式(1) General formula

【化44】 [ここで、Rはアルキル基(C1 〜C25)を表し、Aは
酸素又は単結合を表す。Mは水素又はアルカリ金属を表
す。]で表されるナフタレンスルホン酸系界面活性剤。
[Chemical 44] [Here, R represents an alkyl group (C 1 -C 25 ), and A represents oxygen or a single bond. M represents hydrogen or an alkali metal. ] The naphthalene sulfonic acid type surfactant represented by these.

【0081】[0081]

【0082】(3)一般式(3) General formula

【化21】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは0〜40の整数を表す。ただし、
m及びnの和は1から40の範囲内にある。Rは炭素数
1〜25の脂肪酸でエステル化したソルビタンを表す。
Dは、−O−又は−COO−を表す。]で表されるポリ
オキシアルキレンソルビタンエーテル(又はエステル)
系界面活性剤。
[Chemical 21] [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —CH
2 -C (CH 3) H- O- and represent, their existing position is not limited, m and n represent an integer of 0 to 40. However,
The sum of m and n is in the range 1-40. R represents a sorbitan esterified with fatty acids having a carbon number of 1-25.
D represents -O- or -COO-. ] Polyoxyalkylene sorbitan ether (or ester) represented by
System surfactant.

【0083】[0083]

【0084】(5)一般式(5) General formula

【化48】 [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
2 −C(CH3 )H−O−を表し、それらの存在位置
は限定されず、m及びnは0〜40の整数を表す。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Rは水
素又はアルキル基(C1 〜C25)を表す。]で表される
ポリオキシアルキレンナフチル(又はアルキルナフチ
ル)エーテル系界面活性剤。
[Chemical 48] [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —C
H 2 —C (CH 3 ) H—O— is represented, and the position where they are present is not limited, and m and n represent an integer of 0-40. However, the sum of m and n is in the range of 1 to 40. R represents hydrogen or an alkyl group (C 1 ~C 25). ] The polyoxyalkylene naphthyl (or alkyl naphthyl) ether type surfactant represented by these.

【0085】(6)一般式(6) General formula

【化49】 [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
2 −C(CH3 )H−O−を表し、それらの存在位置
は限定されず、m及びnは0〜40の整数を表す。ただ
し、m及びnの和は1から40の範囲内にある。Ra、
Rb、Rcは、それぞれ独立に、水素、フェニル基、ア
ルキル基(C1 〜C4 )又は−CH(CH3 )−φ(φ
はフェニル基である。)を表わす。ただし、少なくとも
1つはフェニル基又は−CH(CH3 )−φであるもの
とする。]で表されるポリオキシアルキレンスチレン化
フェニルエーテル系界面活性剤。
[Chemical 49] [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —C
H 2 —C (CH 3 ) H—O— is represented, and the position where they are present is not limited, and m and n represent an integer of 0-40. However, the sum of m and n is in the range of 1 to 40. Ra,
Rb and Rc are each independently hydrogen, a phenyl group, an alkyl group (C 1 to C 4 ), or —CH (CH 3 ) —φ (φ
Is a phenyl group. ) Is represented. Provided that at least one is assumed to be a phenyl group or a -CH (CH 3) -φ. ] A polyoxyalkylene styrenated phenyl ether type surfactant represented by the following.

【0086】(7)一般式(7) General formula

【化50】 [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
2 −C(CH3 )H−O−を表し、それらの存在位置
は限定されない。Rc1、Rc2は、それぞれ独立に、水
素、フェニル基又はアルキル基(C1 〜C4 )を表し、
Rd、Reは、それぞれ独立に、水素又は−CH3 を表
し、m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40
の整数を表す。ただし、m1及びn1、さらにm2及び
n2の和は1から40の範囲内にある。]で表されるポ
リオキシアルキレンスチレン化フェニルエーテルのフェ
ニル基にさらにポリオキシアルキレン鎖を付加した系界
面活性剤。
[Chemical 50] [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —C
H 2 —C (CH 3 ) H—O— is represented, and their positions are not limited. R c1 and R c2 each independently represent hydrogen, a phenyl group or an alkyl group (C 1 to C 4 ),
Rd and Re each independently represent hydrogen or —CH 3 , and m1, m2, n1 and n2 are each independently 0 to 40.
Represents the integer. However, the sum of m1 and n1, and further m2 and n2 is within the range of 1 to 40. ] The polyoxyalkylene styrenated phenyl ether represented by these, and the surface active agent which added the polyoxyalkylene chain to the phenyl group.

【0087】(8)一般式(8) General formula

【化51】 [ここで、Ra及びRbは水素又はアルキル基(C1
25)を表し、同一又は異なってもよい。A及びBは−
CH2 −CH2 −O−又は−CH2 −C(CH3)H−
O−を表し、それらの存在位置は限定されない。m1、
m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を表
す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から40の範囲内にある。Mは水素又はアルカリ金属
を示す。]で表されるリン酸エステル系界面活性剤。
[Chemical 51] [Here, Ra and Rb are hydrogen or an alkyl group (C 1-
C 25 ) and may be the same or different. A and B are-
CH 2 -CH 2 -O- or -CH 2 -C (CH 3) H-
Represents O-, and their existence position is not limited. m1,
m2, n1 and n2 each independently represent an integer of 0-40. However, the sum of m1 and n1, and further m2 and n2 is within the range of 1 to 40. M represents hydrogen or an alkali metal. ] The phosphate ester type surfactant represented by these.

【0088】(9)一般式(9) General formula

【化22】 [ここで、Rはアシル基(C1〜C30)を表し、A及び
Bは−CH2−CH2−O−又は−CH2−C(CH3)H
−O−を表し、それらの存在位置は限定されない。m
1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜6の整数を
表す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和
は1から6の範囲内にある。−CH2−CH(CH3)−
Oの付加モル数が−CH2−CH2−Oの付加モル数より
多いことはない。]で表されるポリオキシアルキレンア
ミド系界面活性剤。
[Chemical formula 22] [Wherein, R represents an A sill group (C 1 ~C 30), A and B are -CH 2 -CH 2 -O- or -CH 2 -C (CH 3) H
It represents —O—, and the position where they are present is not limited. m
1, m2, n1 and n2 each independently represent an integer of 0 to 6. However, the sum of m1 and n1, and the sum of m2 and n2 is within the range of 1 to 6. -CH 2 -CH (CH 3) -
O in molar number of addition is never greater than mole number of added -CH 2 -CH 2 -O. ] Polyoxyalkylene
Mid -surfactant.

【0089】(10)一般式(10) General formula

【化53】 [ここで、A及びBは−CH2 −CH2 −O−又は−C
2 −C(CH3 )H−O−を表し、それらの存在位置
は限定されない。m1、m2、m3、m4、n1、n
2、n3、n4は整数で、 m1+m2+m3+m4=
5〜70、n1+n2+n3+n4=5〜70である。
m1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜6の整数
を表す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の
和は1から6の範囲内にある。xは2又は3の整数を表
す。Rはアルキル基(C1 〜C30)又はアルケニル基
(C1 〜C30)を表す。]で表されるアルキレンジアミ
ンのアルキレンオキシド付加物系界面活性剤。
[Chemical 53] [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —C
H 2 —C (CH 3 ) H—O— is represented, and their positions are not limited. m1, m2, m3, m4, n1, n
2, n3 and n4 are integers, and m1 + m2 + m3 + m4 =
5 to 70, n1 + n2 + n3 + n4 = 5 to 70.
m1, m2, n1, and n2 each independently represent an integer of 0 to 6. However, the sum of m1 and n1, and the sum of m2 and n2 is within the range of 1 to 6. x represents an integer of 2 or 3. R represents an alkyl group (C 1 ~C 30) or alkenyl group (C 1 ~C 30). ] An alkylene oxide adduct-based surfactant of alkylenediamine represented by the following.

【0090】(11)一般式(11) General formula

【化54】 [ここで、Raはアルキル基(C1 〜C20)を表し、R
bは(CH2m OH又は(CH2m OCH2 COO
- を表し、Rcはアルキル基(C1 〜C4 )、(CH
2n COO- 、(CH2n SO- 、CH(OH)C
2 SO3 -を表し、m及びnは1〜4の整数を表す。M
はアルカリ金属を表し、Xはハロゲン、水酸基又はアル
カンスルホン酸基(C1 〜C5 )を表す。Rcがアルキ
ル基の場合には、Mは存在せず、Rcがアルキル基以外
の場合には、Mは存在してもしなくてもよく、Mが存在
しないときにはXも存在しない。]で表されるアルキル
イミダゾリニウムベタイン系界面活性剤。
[Chemical 54] [Here, Ra represents an alkyl group (C 1 to C 20 ), R
b is (CH 2 ) m OH or (CH 2 ) m OCH 2 COO
- represents, Rc is an alkyl group (C 1 ~C 4), ( CH
2 ) n COO , (CH 2 ) n SO , CH (OH) C
H 2 SO 3 , m and n each represent an integer of 1 to 4. M
Represents an alkali metal, and X represents a halogen, a hydroxyl group, or an alkanesulfonic acid group (C 1 to C 5 ). When Rc is an alkyl group, M is absent. When Rc is other than an alkyl group, M may or may not be present, and when M is absent, X is also absent. ] Alkyl imidazolinium betaine-type surfactant represented by these.

【0091】(12)一般式(12) General formula

【化55】 [ここで、Raは水素又はメチル基を表し、又は結合が
なくてもよい。Rbは水素又はメチル基若しくはエチル
基を表し、該アルキル基の水素の一つがエーテル結合を
介してアシルオキシ基と結合していてもよい。Rcはア
ルキル基(C5 〜C20)を表す。カルボキシル基は水素
又はアルカリ金属とイオン結合していてもよい。mは1
〜4の整数を、nは0〜4の整数を表す。]で表される
アルキル(又はアミド)ベタイン系界面活性剤。
[Chemical 55] [Here, Ra represents hydrogen or a methyl group, or may have no bond. Rb represents hydrogen or a methyl group or an ethyl group, and one hydrogen atom of the alkyl group may be bonded to an acyloxy group through an ether bond. Rc represents an alkyl group (C 5 ~C 20). The carboxyl group may be ionically bonded to hydrogen or an alkali metal. m is 1
Is an integer of 4 and n is an integer of 0 to 4. ] An alkyl (or amido) betaine-based surfactant represented by:

【0092】(13)一般式(13) General formula

【化56】 [ここで、Xはハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
酸基(C1 〜C5 )を表し、Raは、アルキル基(C1
〜C20)を表し、Rb及びRcはアルキル基(C 1 〜C
4 )又はアルコキシル基(C1 〜C10)を表し、Rd
は、アルキル基(C1 〜C10)、ベンジル基又は脂肪酸
(CH2n COOHを表し、ここで、nは1〜18の
整数を表す。Reはアルキル基(C8 〜C20)を表し、
Rfは水素又はアルキル基(C1 〜C4 )を表す。]で
表されるアンモニウム又はピリジニウム4級塩系界面活
性剤。
[Chemical 56] [Where X is halogen, hydroxyl group or alkane sulfone
Acid group (C1 ~ CFive ), Ra is an alkyl group (C1 
~ C20), And Rb and Rc are alkyl groups (C 1 ~ C
Four ) Or an alkoxyl group (C1 ~ CTen), And Rd
Is an alkyl group (C1 ~ CTen), Benzyl group or fatty acid
(CH2 )n COOH, where n is 1-18
Represents an integer. Re is an alkyl group (C8 ~ C20),
Rf is hydrogen or an alkyl group (C1 ~ CFour ) Represents. ]so
Ammonium or pyridinium quaternary salt-based surface active represented
Sex agent.

【0093】さらにそれらの中で好適なもので市販品と
して容易に入手できるものを具体的に挙げれば下記のと
おりである。
Further, specific examples of the suitable ones, which are easily available as a commercial product, are as follows.

【0094】前記式(1)で表されるものとして、ペレ
ックスNB−L、デモールN(花王(株)社製)等が挙
げられる。
Examples of the compound represented by the above formula (1) include Perex NB-L and DEMOL N (manufactured by Kao Corporation).

【0095】[0095]

【0096】前記式(3)で表されるものとして、ブラ
ウノンEL−1303、ブラウノンEL−1509、ブ
ラウノンCH−310(青木油脂工業(株)社製)、ニ
ューコール1110(日本乳化剤(株)社製)、ニッコ
ールBL、ニッコールMYL−10(日光ケミカルズ
(株)社製)、ノイゲンET−170(第一工業製薬
(株)社製)等が挙げられる。
As those represented by the above formula (3), Braunon EL-1303, Braunon EL-1509, Braunon CH-310 (manufactured by Aoki Yushi Kogyo Co., Ltd.), Newcol 1110 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) Manufactured by Nikkol BL, Nikkor MYL-10 (manufactured by Nikko Chemicals Co., Ltd.), Neugen ET-170 (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) and the like.

【0097】[0097]

【0098】前記式(5)で表されるものとして、ブラ
ウノンBN−18(青木油脂工業(株)社製)、アデカ
トールPC−10(旭電化工業(株)社製)、ノイゲン
EN−10(第一工業製薬(株)社製)等が挙げられ
る。
As those represented by the above formula (5), Braunon BN-18 (manufactured by Aoki Yushi Kogyo Co., Ltd.), Adekatol PC-10 (manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.), Neugen EN-10 ( Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) and the like.

【0099】前記式(6)で表されるものとして、ニュ
ーコール2607(日本乳化剤(株)社製)、ブラウノ
ンDSP−9(青木油脂工業(株)社製)等が挙げられ
る。
Examples of the compound represented by the above formula (6) include Newcol 2607 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) and Blaunon DSP-9 (manufactured by Aoki Yushi-Seiyaku Co., Ltd.).

【0100】前記式(7)で表されるものとして、リポ
ノックスNC−100(ライオン)等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the above formula (7) include Liponox NC-100 (Lion).

【0101】前記式(8)で表されるものとして、アデ
カコールPS−440E、アデカコールCS−141
E、アデカコールTS−230E(旭電化工業(株)社
製)等が挙げられる。
As those represented by the above formula (8), ADEKA COL PS-440E and ADEKA COL CS-141
E, ADEKA COL TS-230E (manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.) and the like.

【0102】前記式(9)で表されるものとして、ナイ
ミーンL207、ナイミーンT2−210、ナイミーン
S−215(日本油脂(株)社製)、ニューコール42
0(日本乳化剤(株)社製)、ブラウノンO−205
(青木油脂工業(株)社製)等が挙げられる。
As those represented by the above formula (9), Nymeen L207, Nymeen T2-210, Nymeen S-215 (manufactured by NOF Corporation), Newcol 42
0 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), Braunon O-205
(Aoki Yushi Kogyo Co., Ltd.) and the like.

【0103】前記式(10)で表されるものとして、テ
トロニックTR−701、テトロニックTR−702
(旭電化工業(株)社製)等が挙げられる。
As those represented by the above formula (10), there are Tetronic TR-701 and Tetronic TR-702.
(Manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) and the like.

【0104】前記式(11)で表されるものとして、ソ
フタゾリンCH、ソフタゾリンNS(川研ファインケミ
カル(株)社製)、ニッサンアノンGLM−R(日本油
脂(株)社製)、レボン101−H(三洋化成工業
(株)社製)、ニッコールAM−103EX(日本乳化
剤(株)社製)等が挙げられる。前記式(12)で表さ
れるものとして、アセタミン24(花王(株)社製)等
が挙げられる。
As those represented by the above formula (11), softazoline CH, softazoline NS (manufactured by Kawaken Fine Chemicals Co., Ltd.), Nissan Anon GLM-R (manufactured by NOF Corporation), Levon 101-H (Manufactured by Sanyo Chemical Industry Co., Ltd.), Nikkor AM-103EX (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) and the like. Examples of the compound represented by the formula (12) include acetamine 24 (manufactured by Kao Corporation).

【0105】前記式(13)で表されるものとして、ニ
ッコールCA2150、、ニッコールCA101(日光
ケミカルズ(株)社製)、テクスノールR−5(日本乳
化剤(株)社製)等が挙げられる。
Examples of those represented by the above formula (13) include Nikkor CA2150, Nikkor CA101 (manufactured by Nikko Chemicals Co., Ltd.), and Texnor R-5 (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.).

【0106】これら界面活性剤のめっき浴における濃度
は、 0.01〜50g/lで、好適には0.01〜30
g/lが使用される。使用量の不足は銀の置換析出を抑
制し、一層平滑で緻密な置換銀皮膜を得るという前述の
効果が期待できず、過剰の添加は、置換析出を抑制し過
ぎて析出速度が極端に低下したり、 析出を生じないとい
う悪影響を及ぼす可能性がある。
The concentration of these surfactants in the plating bath is 0.01 to 50 g / l, preferably 0.01 to 30.
g / l is used. Insufficient usage suppresses substitutional precipitation of silver, and the above-mentioned effect of obtaining a smoother and denser substitutional silver film cannot be expected.Excessive addition suppresses substitutional precipitation excessively and the deposition rate decreases extremely. And may have the adverse effect of not causing precipitation.

【0107】本発明の置換銀めっき浴のpH範囲は、強
酸性〜pH13、好ましくは強酸性〜11であるので、
中性領域で使用する場合には、浴のpH変動を少なくす
るために、pH緩衝剤を添加することができる。
The pH range of the displacement silver plating bath of the present invention is strongly acidic to pH 13, preferably strongly acidic to 11.
When used in the neutral range, a pH buffering agent can be added to reduce pH fluctuation of the bath.

【0108】pH緩衝剤には、公知のものが使用でき、
例えば、リン酸、酢酸、硼酸、酒石酸のそれぞれナトリ
ウム、カリウム及びアンモニウムの塩、さらには多塩基
酸の場合には、水素イオンを含む酸性塩などを単独又は
適宜混合して使用できる。pH緩衝剤の使用量は、5〜
50g/l程度が適当であり、好ましくは10〜20g
/l程度添加される。
Known pH buffers can be used,
For example, sodium, potassium and ammonium salts of phosphoric acid, acetic acid, boric acid and tartaric acid, respectively, and in the case of polybasic acid, an acid salt containing hydrogen ion and the like can be used alone or in an appropriate mixture. The amount of pH buffer used is 5
About 50 g / l is suitable, preferably 10-20 g
/ L is added.

【0109】本発明に用いる錫上の置換銀めっき浴で
は、液中に置換溶出して蓄積した2価の錫イオンの自然
酸化を抑制するために、錫めっき浴或いは錫合金めっき
浴においてしばしば利用されるように、酸化防止剤を添
加することができる。
The substitution silver plating bath on tin used in the present invention is often used in a tin plating bath or a tin alloy plating bath in order to suppress natural oxidation of divalent tin ions accumulated by displacement elution in the liquid. Antioxidants can be added as described.

【0110】酸化防止剤には、公知のものが使用でき、
例えば、レゾルシノール、ピロカテコール、ハイドロキ
ノン、フロログリシノール、ピロガロール、ヒドラジ
ン、アスコルビン酸などを単独又は適宜混合して使用で
きる。酸化防止剤の使用量は、0.05〜50g/l程
度が適当であり、好ましくは0.1〜10g/l添加さ
れる。
As the antioxidant, known ones can be used,
For example, resorcinol, pyrocatechol, hydroquinone, phlorogricinol, pyrogallol, hydrazine, ascorbic acid and the like can be used alone or in an appropriate mixture. The amount of the antioxidant used is appropriately about 0.05 to 50 g / l, and preferably 0.1 to 10 g / l is added.

【0111】また、本発明では、電気・電子回路部品に
錫めっきや錫−鉛めっきを施すに先立って下地めっきが
利用されるように、該錫−銀置換複層めっきの下地めっ
きとして、電気めっき及び/又は無電解めっきによって
銅又はニッケル及びそれらの合金めっきを下地めっきと
して施すことができる。
Further, in the present invention, as the undercoating of the tin-silver substitution multi-layer plating is carried out so that the undercoating is utilized before the tinning or the tin-lead plating is applied to the electric / electronic circuit parts. Copper or nickel and their alloys can be plated as an undercoat by plating and / or electroless plating.

【0112】本発明のめっき浴の各成分濃度は、バレル
めっき、ラックめっき、連続めっき等に対応して、前記
の範囲内にて任意に選択することができる。
The concentration of each component of the plating bath of the present invention can be arbitrarily selected within the above range corresponding to barrel plating, rack plating, continuous plating and the like.

【0113】[0113]

【実施例】次に実施例によって、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれら数例によって限定されるも
のではなく、前述した目的に沿って、置換めっき浴の組
成及びめっき条件は適宜、任意に変更することができ
る。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples, and the composition of the displacement plating bath and plating conditions are It can be arbitrarily changed as appropriate.

【0114】バフ研磨した銅板を素地として用いた。
0.3×25×25mmに切断後、定法に従って予備処
理として、ベンジン脱脂、電解脱脂、水洗の後、下地と
しての錫めっきを施した。錫めっきには、硫酸浴あるい
はメタンスルホン酸浴を用い、2A/dm2 で光沢から
半光沢の2〜20μの電気錫めっき皮膜を得た。
A buff-polished copper plate was used as a substrate.
After cutting to 0.3 × 25 × 25 mm, benzine degreasing, electrolytic degreasing, and water washing were performed as a pretreatment according to a standard method, and then tin plating was applied as a base. A sulfuric acid bath or a methanesulfonic acid bath was used for tin plating to obtain a bright to semi-bright 2 to 20 μ electrotin plating film at 2 A / dm 2 .

【0115】錫めっき皮膜の下層にニッケルめっきを施
す場合には、通常の無光沢電気めっき浴を、また無電解
皮膜を施す場合には、通常の次亜リン酸塩を還元剤とす
る無電解ニッケル−リン合金めっき浴を用いた。
When nickel plating is applied to the lower layer of the tin plating film, an ordinary matte electroplating bath is used, and when an electroless film is applied, an electroless electrolysis method using an ordinary hypophosphite as a reducing agent. A nickel-phosphorus alloy plating bath was used.

【0116】得られた錫めっき皮膜を水洗の後、下記の
比較例又は/及び実施例の中に記載しためっき浴及びめ
っき条件にしたがって、置換銀めっきを施した。
After washing the obtained tin-plated film with water, displacement silver plating was performed according to the plating bath and plating conditions described in the following Comparative Examples and / or Examples.

【0117】メニスコグラフ法によってはんだ付け性試
験を行い、ゼロクロスタイムとはんだ付け性試験後の外
観状態から、得られた皮膜を評価した。メニスコグラフ
法の測定条件は、錫−銀はんだ(錫96.5%−銀3.
5%)、ロジンフラックス、250℃、浸漬時間5秒で
ある。
A solderability test was carried out by the meniscograph method, and the obtained film was evaluated from the zero cross time and the appearance state after the solderability test. The measurement conditions of the meniscograph method are tin-silver solder (tin 96.5% -silver 3.
5%), rosin flux, 250 ° C., immersion time 5 seconds.

【0118】比較例1 銅板試料を上述に従って予備処理し、乾燥直後にはんだ
付け性試験を行った。はんだ付け性は良好でなかった。
Comparative Example 1 A copper plate sample was pretreated as described above and a solderability test was performed immediately after drying. Solderability was not good.

【0119】比較例2 下記のめっき浴から20μの半光沢錫めっきを施し、大
気中で150℃−16時間の熱処理を施した後に、はん
だ付け性試験を行った。 硫酸第一錫(錫として) 30 g/l 硫酸 50 g/l ポリエチレンラウリルアミン 10 g/l 2−メルカプトベンズイミダゾール 0.05 g/l 陰極電流密度 2 A/dm2 比較例1よりも良好なはんだ付け性を示したが、満足す
べき性能ではなかった。
Comparative Example 2 A 20 μm semi-bright tin plating was applied from the following plating bath, a heat treatment was carried out at 150 ° C. for 16 hours in the atmosphere, and then a solderability test was conducted. Stannous sulfate (as tin) 30 g / l Sulfuric acid 50 g / l Polyethylene laurylamine 10 g / l 2-Mercaptobenzimidazole 0.05 g / l Cathode current density 2 A / dm 2 Better than Comparative Example 1 Although it showed solderability, the performance was not satisfactory.

【0120】比較例3 下記のめっき浴から2μの光沢錫めっきを施し、大気中
で150℃−16時間の熱処理を施した後に、はんだ付
け性試験を行った。 メタンスルホン酸錫(錫として) 20 g/l メタンスルホン酸 100 g/l ポリエチレングリコールノニル 10 g/l フェニルエーテル 37%ホルムアルデヒド 10 ml/l ベンズアルデヒド 0.08 g/l 陰極電流密度 2 A/dm2 比較例1よりも良好なはんだ付け性を示したが、満足す
べき性能ではなかった。
Comparative Example 3 A 2 μm bright tin plating was applied from the following plating bath, a heat treatment was carried out at 150 ° C. for 16 hours in the atmosphere, and then a solderability test was conducted. Tin methanesulfonate (as tin) 20 g / l Methanesulfonic acid 100 g / l Polyethylene glycol nonyl 10 g / l Phenyl ether 37% Formaldehyde 10 ml / l Benzaldehyde 0.08 g / l Cathode current density 2 A / dm 2 The solderability was better than that of Comparative Example 1, but the performance was not satisfactory.

【0121】比較例4 比較例2と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から3
0分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16
時間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行っ
た。 シアン化銀(銀として) 6.5 g/l シアン化ナトリウム 9.5 g/l pH 強アルカリ 温度 28 ℃ 得られた錫−銀2層皮膜は、比較例2,3の錫単独の皮
膜よりも良好なはんだ付け性を示した。
Comparative Example 4 After tin plating was performed in the same manner as in Comparative Example 2, the following bath 3 was used.
After performing displacement silver plating for 0 minutes, 150 ℃ -16 in the atmosphere
After heat treatment for a time, a solderability test was conducted. Silver cyanide (as silver) 6.5 g / l Sodium cyanide 9.5 g / l pH Strong alkali temperature 28 ° C. The obtained tin-silver two-layer film was obtained from the tin-only films of Comparative Examples 2 and 3. Also showed good solderability.

【0122】[0122]

【0123】[0123]

【0124】[0124]

【0125】実施例 比較例2と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から1
0分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16
時間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行っ
た。
Example 1 After tin-plating in the same manner as in Comparative Example 2, one of the following baths was used.
After performing displacement silver plating for 0 minutes, 150 ℃ -16 in the atmosphere
After heat treatment for a time, a solderability test was conducted.

【0126】実施例 比較例2と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から1
0分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16
時間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行っ
た。
Example 2 After tin plating was performed in the same manner as in Comparative Example 2, the following bath 1 was used.
After performing displacement silver plating for 0 minutes, 150 ℃ -16 in the atmosphere
After heat treatment for a time, a solderability test was conducted.

【0127】実施例 比較例2と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から1
0分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16
時間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行っ
た。
Example 3 After tin-plating in the same manner as in Comparative Example 2, the following bath 1 was used.
After performing displacement silver plating for 0 minutes, 150 ℃ -16 in the atmosphere
After heat treatment for a time, a solderability test was conducted.

【0128】実施例 比較例3と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から5
分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16時
間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行った。
Example 4 After tin plating was conducted in the same manner as in Comparative Example 3, the following bath 5 was used.
After performing displacement silver plating for one minute and heat-treating at 150 ° C. for 16 hours in the atmosphere, a solderability test was performed.

【0129】実施例 比較例3と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から3
0分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16
時間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行っ
た。
Example 5 After tin plating was conducted in the same manner as in Comparative Example 3, the following bath 3 was used.
After performing displacement silver plating for 0 minutes, 150 ℃ -16 in the atmosphere
After heat treatment for a time, a solderability test was conducted.

【0130】実施例 比較例3と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から3
0分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16
時間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行っ
た。
Example 6 After tin plating was performed in the same manner as in Comparative Example 3, the following bath 3 was used.
After performing displacement silver plating for 0 minutes, 150 ℃ -16 in the atmosphere
After heat treatment for a time, a solderability test was conducted.

【0131】実施例 比較例2と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から1
分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16時
間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行った。
Example 7 After tin plating was conducted in the same manner as in Comparative Example 2, the following bath 1 was used.
After performing displacement silver plating for one minute and heat-treating at 150 ° C. for 16 hours in the atmosphere, a solderability test was performed.

【0132】実施例 比較例2と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から2
0分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16
時間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行っ
た。
Example 8 After tin plating was carried out in the same manner as in Comparative Example 2, the following bath 2 was used.
After performing displacement silver plating for 0 minutes, 150 ℃ -16 in the atmosphere
After heat treatment for a time, a solderability test was conducted.

【0133】実施例 比較例2と同様に錫めっきを施した後、下記の浴から2
0分間の置換銀めっきを施し、大気中で150℃−16
時間の熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を行っ
た。
Example 9 After tin plating was performed in the same manner as in Comparative Example 2, the following bath 2 was used.
After performing displacement silver plating for 0 minutes, 150 ℃ -16 in the atmosphere
After heat treatment for a time, a solderability test was conducted.

【0134】実施例10 比較例3と同様の条件で2μの錫めっきを施した後、実
施例4の浴から2分間の置換銀めっきを施すという操作
を5回繰り返し、錫−銀の多層皮膜を形成した後、大気
中で150℃−16時間の熱処理を施した後に、はんだ
付け性試験を行った。
Example 10 The same procedure as in Comparative Example 3 was followed by tin plating of 2 μm, and then the displacement silver plating for 2 minutes from the bath of Example 4 was repeated 5 times to obtain a tin-silver multilayer film. After forming, a heat treatment was performed at 150 ° C. for 16 hours in the atmosphere, and then a solderability test was performed.

【0135】実施例1〜10において非シアン浴を用い
て得られた錫−銀2層皮膜及び錫−銀多層皮膜は、全て
比較例2、3の錫単独の皮膜よりも良好で、比較例4の
シアン浴を用いて得られた錫−銀二層皮膜と同等のはん
だ付け性を示した。上記比較例及び実施例におけるめっ
き皮膜のはんだ付け性の結果を表1にまとめて示した。
The tin-silver bilayer coating and the tin-silver multilayer coating obtained in Examples 1 to 10 using the non-cyan bath were all better than the tin-only coatings of Comparative Examples 2 and 3, and It exhibited solderability equivalent to that of the tin-silver bilayer coating obtained by using the cyan bath of No. 4. The results of the solderability of the plated coatings in the above Comparative Examples and Examples are summarized in Table 1.

【0136】実施例1〜10で得られた錫上の置換銀皮
膜を利用した複層皮膜のはんだ付け性はいずれも比較例
の銅板や錫単独皮膜よりも経時特性に優れていることを
示した。
The solderability of the multi-layer coatings using the substitutional silver coating on tin obtained in Examples 1 to 10 is superior to the copper plate of the comparative example and the tin single coating in the aging characteristics. It was

【0137】[0137]

【表1】 [Table 1]

【0138】[0138]

【発明の効果】本発明に係る錫皮膜上の非シアン銀置換
めっき浴は、錫単独皮膜よりもはんだ付け性特にその経
時特性に優れ、シアン浴に匹敵する特性を有している。
本浴の発明によって、健康・環境に影響のある錫−鉛系
はんだに代わって錫−銀系はんだを使用する際のはんだ
付け性皮膜を、シアン浴を利用することなく得ることが
可能となり、よって錫−鉛系はんだから錫−銀系はんだ
への転換を容易ならしめるものである。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The non-cyan silver displacement plating bath on a tin film according to the present invention has a solderability superior to that of a tin alone film, in particular, its time-dependent characteristics, and has characteristics comparable to a cyan bath.
By the invention of this bath, it is possible to obtain a solderable film when using tin-silver solder instead of tin-lead solder, which affects health and environment, without using a cyan bath. Therefore, the conversion from tin-lead solder to tin-silver solder can be facilitated.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 正木 征史 兵庫県明石市二見町南二見21−8株式会 社大和化成研究所内 (72)発明者 青木 和博 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町5番26号石 原薬品株式会社内 (72)発明者 縄舟 秀美 大阪府高槻市真上町5丁目38−34 (56)参考文献 特開 平8−232072(JP,A) 特開 平9−302476(JP,A) 特開 昭60−100679(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 18/16 - 18/54 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masashi Masaki 21-8 Minami Futami, Futami-cho, Akashi-shi, Hyogo Daiwa Kasei Research Institute Ltd. (72) Inventor, Kazuhiro Aoki 5-26 Nishiyanagihara-cho, Hyogo-ku, Kobe-shi, Hyogo Ishihara Pharmaceutical Co., Ltd. (72) Inventor Hidemi Nabune 5-38-34, Makamicho, Takatsuki-shi, Osaka (56) Reference JP-A-8-232072 (JP, A) JP-A-9-302476 (JP, A) JP-A-60-100679 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C23C 18 / 16-18 / 54

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 0.01〜50g/lの1価の銀イオン
と、該銀イオンを浴中で安定化し、平滑で緻密な銀の置
換析出皮膜を得るための下記(A)〜(J)から選ばれ
た銀の錯化剤の1種又は2種以上と、置換溶出した錫が
沈殿することを防止するための下記(a)〜(j)から
選ばれた錫の錯化剤の1種又は2種以上と、下記
(1)、(3)、(5)〜(13)から選ばれた銀の置
換析出抑制剤の1種又は2種以上とを含むことを特徴と
する、錫又は錫合金の上に銀の置換皮膜を析出させるた
めの非シアン置換銀めっき浴: (A)下記の無機酸イオン: 硝酸イオン、亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオ
ン、重亜硫酸イオン、メタ重亜硫酸イオン、塩素イオ
ン、塩素酸イオン、過塩素酸イオン、臭素イオン、臭素
酸イオン、ヨウ素イオン、ヨウ素酸イオン、ホウフッ酸
イオン、ケイフッ酸イオン、スルファミン酸イオン、チ
オ硫酸イオン、チオシアン酸イオン、 (B)アンモニウムイオン、 (C)酢酸イオン、 (D)下記の一般式(i)、(ii)又は(iii)で表され
るスルホン酸のイオン: (i)一般式 【化1】 [ここで、RはC1〜C12のアルキル基又はC2〜C3
ルケニル基を表し、該Rの水素は、0〜3個の範囲で、
水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリール
基、カルボキシル基又はスルホン酸基で置換されていて
よく、そして該Rの任意の位置にあってよい。]で表さ
れる脂肪族スルホン酸、 (ii)一般式 【化2】 [ここで、RはC1〜C3のアルキル基を表す。Xは塩素
及び/又はフッ素のハロゲンを表し、該Rの任意の位置
にあってよく、該Rの水素と置換された該ハロゲンの置
換数n1は1から該Rに配位したすべての水素が飽和置
換されたものまでを表し、置換されたハロゲン種は1種
又は2種類である。水酸基は該Rの任意の位置にあって
よく、該Rの水素と置換された該水酸基の置換数n2は
0又は1である。Yはスルホン酸基を表し、該Rの任意
の位置にあってよく、Yで表されるスルホン酸基の置換
数n3は0から2の範囲にある。]で表されるハロゲン
化アルカンスルホン酸又はハロゲン化アルカノールスル
ホン酸、 (iii)一般式 【化3】 [ここで、Xは水酸基、アルキル基、アリール基、アル
キルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニト
ロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは2個のXはベンゼン環と一緒になってナフタ
リン環を形成でき、該基の置換数nは0〜3の整数であ
る。]で表される芳香族スルホン酸、 (E)一般式 【化4】 [ここで、Xは酸素又は硫黄を表し、Ra、Rbはそれ
ぞれ独立に水素、アミノ基又はC1〜C5のアルキルを表
す。Rc及びRdはそれぞれ独立に水素又はC1〜C5
アルキル、アルケニル又はフェニルを表し、該アルキ
ル、アルケニル及び/又はフェニルの水素は水酸基又は
アミノ基、モノメチル若しくはジメチルアミノ基で置換
されていてよく、RcとRdは結合して環を形成してよ
い。]で示される尿素又はチオ尿素又はチオアセトアミ
ド又はそれらの誘導体、 (F)一般式 【化5】 [ただし、Ra、Rb、Rc、Rdは水素、アルキル
(C1〜C5)基を表し、該アルキル基の水素は水酸基で
置換されていてよい。]で表されるヒダントイン化合
物、 (G)一般式 【化6】 [ただし、Ra、Rb、Rc、Rdは、それぞれ独立
に、水素又はC1〜C5のアルキル基またはアルコキシ基
を表す。]で示されるコハク酸イミド(スクシンイミド)
又はマレイン酸イミド及びそれらの誘導体、 (H)一般式 【化7】 [ただし、Ra、Rb、Rcは、それぞれ独立に、水
素、水酸基又はC1〜C5アルキルを表し、該アルキル基
の水素は、水酸基、アミノ基、塩素で置換されていてよ
く、また該アルキル基同士が結合して環を形成してもよ
い。]で示されるアミン及びそれらの塩、 (I)一般式 【化8】 [ここで、Rはアルキレン基(C1〜C5)を表し、該ア
ルキレン基の水素はアミノ基で置換されていてよく、ま
た該アミノ基を介してアセチル基と結合していてもよ
い。]で表されるチオカルボン酸又はチオスルホン酸、 (J)一般式 【化9】 [ここで、Xは酸素、窒素又は硫黄を表し、Yは炭素又
は窒素を表す。ZはXが窒素のときに水素であり、酸素
又は硫黄のときには存在しない。Aは水素又はチオール
を表し、Yが窒素のときには存在しない。ベンゼン環の
水素はメトキシ基又はエトキシで置換されていてよ
い。]で表されるベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾー
ル、ベンゾイミダゾール又はベンゾオキサゾール及びそ
れらの誘導体、 (a) アルキル基の炭素数が0〜3の脂肪族ジカルボン
酸、 (b)アルキル基の炭素数が1〜2の脂肪族ヒドロキシ
モノカルボン酸、 (c)アルキル基の炭素数が1〜3の脂肪族ヒドロキシ
ポリカルボン酸 (d)単糖類及びその一部が酸化されたポリヒドロキシ
カルボン酸並びにそれらの環状エステル化合物、 (e)アルキル基の炭素数が1〜4の脂肪族モノ−又は
ジ−アミノ、モノ−又はジ−カルボン酸、 (f)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪族モノメルカ
プトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトジカルボ
ン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノモノカルボン
酸、 (g)アルキル基の炭素数が2〜3の脂肪族モノスルホ
モノカルボン酸及び脂肪族モノスルホジカルボン酸、 (h)下記のアミンカルボン酸: エチレンジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロ
トリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、トリエチ
レンテトラミンヘキサ酢酸、エチレンジオキシビス(エ
チルアミン)−N,N,N’,N’−テトラ酢酸、グリ
コールエチレンジアミンテトラ酢酸、N−ヒドロキシエ
チルエチレンジアミンテトラ酢酸、 (i)縮合リン酸、 (j)アルカンの炭素数が1〜3のヒドロキシアルカン
ビスホスホン酸、 (1) 一般式 【化10】 [ここで、Rはアルキル基(C1〜C25)を表し、Aは
酸素又は単結合を表す。Mは水素又はアルカリ金属を表
す。]で表されるナフタレンスルホン酸系界面活性剤、(3) 一般式 【化11】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは0〜40の整数を表す。ただし、
m及びnの和は1から40の範囲内にある。Rは炭素数
1〜25の脂肪酸でエステル化したソルビタンを表す。
Dは−O−又は−COO−を表す。]で表されるポリオ
キシアルキレンソルビタンエーテル(又はエステル)系
界面活性剤、(5) 一般式 【化12】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは0〜40の整数を表す。ただし、
m及びnの和は1から40の範囲内にある。Rは水素又
はアルキル基(C1〜C25)を表す。]で表されるポリ
オキシアルキレンナフチル(又はアルキルナフチル)エ
ーテル系界面活性剤、 (6)一般式 【化13】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されず、m及びnは0〜40の整数を表す。ただし、
m及びnの和は1から40の範囲内にある。Ra、R
b、Rcは、それぞれ独立に、水素、フェニル基、アル
キル基(C1〜C4)又は−CH(CH3)−φ(φはフ
ェニル基である。)を表わす。ただし、少なくとも1つ
はフェニル基又は−CH(CH3)−φであるものとす
る。]で表されるポリオキシアルキレンスチレン化フェ
ニルエーテル系界面活性剤、 (7)一般式 【化14】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されない。Rc1、Rc2は、それぞれ独立に、水素、フ
ェニル基又はアルキル基(C1〜C4)を表し、Rd、Re
は、それぞれ独立に、水素又は−CH3 を表し、m1、
m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を表
す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から40の範囲内にある。]で表されるポリオキシア
ルキレンスチレン化フェニルエーテルのフェニル基にさ
らにポリオキシアルキレン鎖を付加した系界面活性剤、 (8)一般式 【化15】 [ここで、Ra及びRbは水素又はアルキル基(C1
25)を表し、同一又は異なってもよい。A及びBは−
CH2−CH2−O−又は−CH2−C(CH3)H−O−
を表し、それらの存在位置は限定されない。m1、m
2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜40の整数を表
す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から40の範囲内にある。Mは水素又はアルカリ金属
を示す。]で表されるリン酸エステル系界面活性剤、 (9)一般式 【化16】 [ここで、Rはアシル基(C1〜C30)を表し、A及び
Bは−CH2−CH2−O−又は−CH2−C(CH3)H
−O−を表し、それらの存在位置は限定されない。m
1、m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜6の整数を
表す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和
は1から6の範囲内にある。−CH2−CH(CH3)−
Oの付加モル数が−CH2−CH2−Oの付加モル数より
多いことはない。]で表されるポリオキシアルキレンア
ミド系界面活性剤、 (10)一般式 【化17】 [ここで、A及びBは−CH2−CH2−O−又は−CH
2−C(CH3)H−O−を表し、それらの存在位置は限
定されない。m1、m2、m3、m4、n1、n2、n
3、n4は整数で、m1+m2+m3+m4=5〜7
0、n1+n2+n3+n4=5〜70である。m1、
m2、n1、n2はそれぞれ独立に0〜6の整数を表
す。ただし、m1及びn1、さらにm2及びn2の和は
1から6の範囲内にある。xは2又は3の整数を表す。
Rはアルキル基(C1〜C30)又はアルケニル基(C1
30)を表す。]で表されるアルキレンジアミンのアル
キレンオキシド付加物系界面活性剤、 (11)一般式 【化18】 [ここで、Raはアルキル基(C1〜C20)を表し、R
bは(CH2mOH又は(CH2mOCH2COO-を表
し、Rcはアルキル基(C1〜C4)、(CH2nCOO
-、(CH2nSO3 -、CH(OH)CH2SO3 -を表
し、m及びnは1〜4の整数を表す。Mはアルカリ金属
を表し、Xはハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン酸
基(C1〜C5)を表す。Rcがアルキル基の場合には、
Mは存在せず、Rcがアルキル基以外の場合には、Mは
存在してもしなくてもよく、Mが存在しないときにはX
も存在しない。]で表されるアルキルイミダゾリニウム
ベタイン系界面活性剤、 (12)一般式 【化19】 [ここで、Raは水素又はメチル基を表し、又は結合が
なくてもよい。Rbは水素又はメチル基若しくはエチル
基を表し、該アルキル基の水素の一つがエーテル結合を
介してアシルオキシ基と結合していてもよい。Rcはア
ルキル基(C5〜C20)を表す。カルボキシル基は水素
又はアルカリ金属とイオン結合していてもよい。mは1
〜4の整数を、nは0〜4の整数を表す。]で表される
アルキル(又はアミド)ベタイン系界面活性剤、 (13)一般式 【化20】 [ここで、Xはハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
酸基(C1〜C5)を表し、Raはアルキル基(C1〜C
20)を表し、Rb及びRcはアルキル基(C1〜C4)又
はアルコキシル基(C1〜C10)を表し、Rdはアルキ
ル基(C1 〜C10)、ベンジル基又は脂肪酸(CH2n
COOHを表し、ここで、nは1〜18の整数を表す。
Reはアルキル基(C8〜C20)を表し、Rfは水素又
はアルキル基(C1〜C4)を表す。]で表されるアンモ
ニウム又はピリジニウム4級塩系界面活性剤。
1. A monovalent silver ion of 0.01 to 50 g / l.
And (A) to (J) below for stabilizing the silver ions in a bath to obtain a smooth and dense substitutional deposition film of silver.
One or two or more of the silver complexing agents and the tin eluted by substitution
From the following (a) to (j) to prevent precipitation
One or more selected tin complexing agents and
Silver placement selected from (1), (3), (5) to (13)
A non-cyan substitutional silver plating bath for depositing a substitutional silver film on tin or a tin alloy, characterized by containing one or more substitutional precipitation inhibitors : (A) the following inorganic acid Ions: nitrate ion, nitrite ion, sulfate ion, sulfite ion, bisulfite ion, metabisulfite ion, chlorine ion, chlorate ion, perchlorate ion, bromine ion, bromate ion, iodine ion, iodate ion, Borofluoric acid ion, silicofluoric acid ion, sulfamate ion, thiosulfate ion, thiocyanate ion, (B) ammonium ion, (C) acetate ion, (D) the following general formula (i), (ii) or (iii) Sulfonic acid ion represented by: (i) General formula: [Here, R represents a C 1 to C 12 alkyl group or a C 2 to C 3 alkenyl group, and the hydrogen of the R is in the range of 0 to 3,
It may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a carboxyl group or a sulfonic acid group, and may be at any position of the R. ] Aliphatic sulfonic acid represented by: (ii) General formula: [Wherein, R represents an alkyl group of C 1 -C 3. X represents chlorine and / or fluorine halogen, which may be present at any position of the R, and the substitution number n1 of the halogen substituted with the hydrogen of the R is from 1 to all the hydrogens coordinated to the R. Saturated and substituted ones are shown, and the number of substituted halogen species is one or two. The hydroxyl group may be located at any position of the R, and the substitution number n2 of the hydroxyl group substituted with hydrogen of the R is 0 or 1. Y represents a sulfonic acid group, which may be present at any position of the R, and the substitution number n3 of the sulfonic acid group represented by Y is in the range of 0 to 2. ] A halogenated alkane sulfonic acid or halogenated alkanol sulfonic acid represented by the following formula: (iii) General formula [Where X represents a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, an aldehyde group, a carboxyl group, a nitro group, a mercapto group, a sulfonic acid group or an amino group, or two Xs together with a benzene ring Can form a naphthalene ring, and the substitution number n of the group is an integer of 0 to 3. ] An aromatic sulfonic acid represented by the formula (E): [Here, X represents oxygen or sulfur, and Ra and Rb each independently represent hydrogen, an amino group, or C 1 to C 5 alkyl. Rc and Rd each independently represent hydrogen or C 1 -C 5 alkyl, alkenyl or phenyl, and the hydrogen of the alkyl, alkenyl and / or phenyl may be substituted with a hydroxyl group or an amino group, monomethyl or dimethylamino group. , Rc and Rd may combine to form a ring. ] Or urea or thiourea or thioacetamide or a derivative thereof represented by the following formula (F): [However, Ra, Rb, Rc, Rd is hydrogen, alkyl (C 1 ~C 5) groups, the hydrogen of the alkyl group may be substituted with a hydroxyl group. ] A hydantoin compound represented by the following formula (G): [However, Ra, Rb, Rc, and Rd each independently represent hydrogen or a C 1 to C 5 alkyl group or alkoxy group. ] Succinimide (succinimide)
Or maleic imide and derivatives thereof, (H) general formula: [However, Ra, Rb, and Rc each independently represent hydrogen, a hydroxyl group, or C 1 to C 5 alkyl, and the hydrogen of the alkyl group may be substituted with a hydroxyl group, an amino group, or chlorine. The groups may combine with each other to form a ring. ] The amine shown by these and its salt, (I) General formula [Here, R represents an alkylene group (C 1 to C 5 ), and hydrogen of the alkylene group may be substituted with an amino group, or may be bonded to an acetyl group via the amino group. ] Or a thiocarboxylic acid or thiosulfonic acid represented by the formula (J). [Here, X represents oxygen, nitrogen or sulfur, and Y represents carbon or nitrogen. Z is hydrogen when X is nitrogen and is absent when oxygen or sulfur. A represents hydrogen or thiol and is absent when Y is nitrogen. Hydrogen on the benzene ring may be substituted with a methoxy group or ethoxy. Benzotriazole represented by, benzothiazole, benzimidazole or benzoxazole and induction of their carbon number of (a) aliphatic dicarboxylic acids of carbon atoms in the alkyl group is 0 to 3, (b) an alkyl group 1 ~ 2 aliphatic hydroxymonocarboxylic acid, (c) aliphatic hydroxypolycarboxylic acid having 1 to 3 carbon atoms in the alkyl group (d) monosaccharide and partially oxidized polyhydroxycarboxylic acid, and cyclics thereof Ester compound, (e) Aliphatic mono- or di-amino, mono- or di-carboxylic acid having 1 to 4 carbon atoms in the alkyl group, (f) Aliphatic monomercapto having 2 to 3 carbon atoms in the alkyl group Monocarboxylic acid and aliphatic monomercaptodicarboxylic acid and aliphatic monomercaptomonoaminomonocarboxylic acid, and (g) the carbon number of the alkyl group is 2 to 3 Aliphatic monosulfomonocarboxylic acid and aliphatic monosulfodicarboxylic acid, (h) the following aminecarboxylic acids: ethylenediaminetetraacetic acid, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, ethylenedioxybis (ethylamine ) -N, N, N ', N'-tetraacetic acid, glycol ethylenediaminetetraacetic acid, N-hydroxyethylethylenediaminetetraacetic acid, (i) condensed phosphoric acid, (j) hydroxyalkane bisphosphone having 1 to 3 carbon atoms of alkane Acid, (1) general formula: [Here, R represents an alkyl group (C 1 -C 25 ), and A represents oxygen or a single bond. M represents hydrogen or an alkali metal. ] A naphthalene sulfonic acid-based surfactant represented by the formula (3) : [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —CH
2 -C (CH 3) H- O- and represent, their existing position is not limited, m and n represent an integer of 0 to 40. However,
The sum of m and n is in the range 1-40. R represents a sorbitan esterified with fatty acids having a carbon number of 1-25.
D represents -O- or -COO-. ] A polyoxyalkylene sorbitan ether (or ester) -based surfactant represented by: (5) General formula: [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —CH
2 -C (CH 3) H- O- and represent, their existing position is not limited, m and n represent an integer of 0 to 40. However,
The sum of m and n is in the range 1-40. R represents hydrogen or an alkyl group (C 1 ~C 25). ] A polyoxyalkylene naphthyl (or alkyl naphthyl) ether-based surfactant represented by the formula (6): [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —CH
2 -C (CH 3) H- O- and represent, their existing position is not limited, m and n represent an integer of 0 to 40. However,
The sum of m and n is in the range 1-40. Ra, R
b and Rc each independently represent hydrogen, a phenyl group, an alkyl group (C 1 to C 4 ), or —CH (CH 3 ) -φ (φ is a phenyl group). Provided that at least one is assumed to be a phenyl group or a -CH (CH 3) -φ. ] A polyoxyalkylene styrenated phenyl ether-based surfactant represented by the formula (7): [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —CH
2 -C (CH 3) H- O- and represent, their existing position is not limited. R c1 and R c2 each independently represent hydrogen, a phenyl group or an alkyl group (C 1 to C 4 ), and R d and R e
Each independently represent hydrogen or —CH 3 , m1,
m2, n1 and n2 each independently represent an integer of 0-40. However, the sum of m1 and n1, and further m2 and n2 is within the range of 1 to 40. ] A polyoxyalkylene styrenated phenyl ether represented by the following formula, wherein a polyoxyalkylene chain is further added to the phenyl group, (8) General formula [Here, Ra and Rb are hydrogen or an alkyl group (C 1-
C 25 ) and may be the same or different. A and B are-
CH 2 -CH 2 -O- or -CH 2 -C (CH 3) H -O-
And their location is not limited. m1, m
2, n1 and n2 each independently represent an integer of 0-40. However, the sum of m1 and n1, and further m2 and n2 is within the range of 1 to 40. M represents hydrogen or an alkali metal. ] A phosphoric acid ester-based surfactant represented by the formula (9): [Wherein, R represents an A sill group (C 1 ~C 30), A and B are -CH 2 -CH 2 -O- or -CH 2 -C (CH 3) H
It represents —O—, and the position where they are present is not limited. m
1, m2, n1 and n2 each independently represent an integer of 0 to 6. However, the sum of m1 and n1, and the sum of m2 and n2 is within the range of 1 to 6. -CH 2 -CH (CH 3) -
O in molar number of addition is never greater than mole number of added -CH 2 -CH 2 -O. ] Polyoxyalkylene
Mido-based surfactant, (10) general formula: [Where A and B are —CH 2 —CH 2 —O— or —CH
2 -C (CH 3) H- O- and represent, their existing position is not limited. m1, m2, m3, m4, n1, n2, n
3 and n4 are integers, and m1 + m2 + m3 + m4 = 5 to 7
0, n1 + n2 + n3 + n4 = 5 to 70. m1,
m2, n1 and n2 each independently represent an integer of 0 to 6. However, the sum of m1 and n1, and the sum of m2 and n2 is within the range of 1 to 6. x represents an integer of 2 or 3.
R is an alkyl group (C 1 to C 30 ) or an alkenyl group (C 1 to C 30 ).
C30 ). ] An alkylene oxide adduct-based surfactant of alkylenediamine represented by: (11) General formula: [Here, Ra represents an alkyl group (C 1 to C 20 ), R
b is (CH 2) m OH or (CH 2) m OCH 2 COO - represents, Rc is an alkyl group (C 1 ~C 4), ( CH 2) n COO
-, (CH 2) n SO 3 -, CH (OH) CH 2 SO 3 - represents, m and n represent an integer of 1 to 4. M represents an alkali metal, and X represents a halogen, a hydroxyl group or an alkanesulfonic acid group (C 1 to C 5 ). When Rc is an alkyl group,
When M is absent and Rc is other than an alkyl group, M may or may not be present, and when M is absent, X is present.
Does not exist either. ] An alkyl imidazolinium betaine-based surfactant represented by the formula (12): [Here, Ra represents hydrogen or a methyl group, or may have no bond. Rb represents hydrogen or a methyl group or an ethyl group, and one hydrogen atom of the alkyl group may be bonded to an acyloxy group through an ether bond. Rc represents an alkyl group (C 5 ~C 20). The carboxyl group may be ionically bonded to hydrogen or an alkali metal. m is 1
Is an integer of 4 and n is an integer of 0 to 4. ] An alkyl (or amido) betaine-based surfactant represented by: (13) a general formula: [Here, X represents a halogen, a hydroxyl group, or an alkanesulfonic acid group (C 1 to C 5 ), and Ra represents an alkyl group (C 1 to C 5 ).
Represents 20), Rb and Rc represents an alkyl group (C 1 ~C 4) or an alkoxyl group (C 1 ~C 10), Rd represents an alkyl group (C 1 ~C 10), a benzyl group or a fatty acid (CH 2 ) N
Represents COOH, where n represents an integer of 1-18.
Re represents an alkyl group (C 8 ~C 20), Rf represents a hydrogen or an alkyl group (C 1 ~C 4). ] The ammonium or pyridinium quaternary salt type surfactant represented by these.
【請求項2】 さらに、浴のpHを保つためのpH緩衝
剤及び/又は置換溶出した錫が自然酸化され4価の錫と
なって沈殿することを防止するための錫の酸化防止剤を
含むことを特徴とする請求項記載の非シアン置換銀め
っき浴。
2. Further, a pH buffering agent for maintaining the pH of the bath and / or a tin antioxidant for preventing substitutional elution of tin to form tetravalent tin and to precipitate is included. The non-cyan-substituted silver plating bath according to claim 1, wherein
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