JP3526400B2 - Multi-beam light source device - Google Patents

Multi-beam light source device

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JP3526400B2 JP10659998A JP10659998A JP3526400B2 JP 3526400 B2 JP3526400 B2 JP 3526400B2 JP 10659998 A JP10659998 A JP 10659998A JP 10659998 A JP10659998 A JP 10659998A JP 3526400 B2 JP3526400 B2 JP 3526400B2
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    • B41J2/47Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light
    • B41J2/471Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror
    • B41J2/473Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror using multiple light beams, wavelengths or colours

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  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル複写機、
レーザプリンタ、レーザファクシミリ等の記録装置の書
込系に用いられる光走査装置に係り、特に複数の光ビー
ムにより感光体等の被走査面上を同時に走査して記録速
度を著しく向上させたマルチビーム光走査装置において
光源として用いられるマルチビーム光源装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital copying machine,
The present invention relates to an optical scanning device used in a writing system of a recording device such as a laser printer or a laser facsimile, and in particular, a multi-beam in which a plurality of light beams simultaneously scan a surface to be scanned such as a photoconductor to significantly improve a recording speed. The present invention relates to a multi-beam light source device used as a light source in an optical scanning device.

【0002】[0002]

【従来の技術】デジタル複写機やレーザプリンタ、レー
ザファクシミリ等の記録装置の書込系に用いられる光走
査装置において記録速度を向上させる手段として、偏向
手段としての回転多面鏡(ポリゴンミラー)の回転速度
を上げる方法がある。しかし、この方法ではモータの耐
久性や騒音、振動、及び半導体レーザの変調スピード等
が問題となり記録速度に限界がある。そこで、一度に複
数の光ビームを走査して複数ラインを同時に記録するこ
とにより記録速度を向上したマルチビーム光走査装置が
提案されている。その一例として複数個の半導体レーザ
光源からの光束をビームスプリッタを用いて合成する方
法や、特開昭56−42248号公報に開示されている
ように複数の発光源がアレイ状に配列された半導体レー
ザアレイを用いた方法がある。
2. Description of the Related Art In an optical scanning device used in a writing system of a recording device such as a digital copying machine, a laser printer, a laser facsimile, etc., as a means for improving a recording speed, a rotary polygon mirror as a deflecting means is rotated. There is a way to increase speed. However, in this method, the durability of the motor, noise, vibration, the modulation speed of the semiconductor laser, etc. become problems, and the recording speed is limited. Therefore, a multi-beam optical scanning device has been proposed in which a plurality of light beams are scanned at a time to record a plurality of lines at the same time to improve the recording speed. As one example thereof, a method of combining light fluxes from a plurality of semiconductor laser light sources using a beam splitter, or a semiconductor in which a plurality of light emitting sources are arranged in an array as disclosed in JP-A-56-42248 There is a method using a laser array.

【0003】上記の半導体レーザアレイは、光源は複数
であるものの出力を検出するセンサは共通であるため、
通常の半導体レーザのように実時間での光出力のフィー
ドバックができないにもかかわらず、光源が近接してい
ることによりそのクロストークで光出力が変動しやすく
高精度な光量制御ができない。また、その特殊性から高
価であるという欠点をもつ。これらは光源数が多くなる
に従い不利となる。これに対し複数個の汎用の半導体レ
ーザを用い、該複数個の半導体レーザからの光ビームを
合成する方法は、上記した問題はないが環境安定性と組
み立て性の向上が必要である。
The above-mentioned semiconductor laser array has a plurality of light sources, but has a common sensor for detecting an output.
Although the light output cannot be fed back in real time as in a normal semiconductor laser, the light output is likely to fluctuate due to the crosstalk due to the proximity of the light source, and highly accurate light amount control cannot be performed. Also, it has the drawback of being expensive due to its peculiarity. These are disadvantageous as the number of light sources increases. On the other hand, the method of using a plurality of general-purpose semiconductor lasers and combining the light beams from the plurality of semiconductor lasers does not have the above-mentioned problems, but it is necessary to improve environmental stability and assemblability.

【0004】そこで本出願人は先に、これらの問題点を
解決し、複数ビームを射出する新規のマルチビーム光源
装置の基本型を提案した(特願平9−178479
号)。この先願のマルチビーム光源装置の一例として
は、複数の半導体レーザと、該半導体レーザと対で設け
られ各々の光ビームを平行光束にする複数のコリメート
レンズと、上記複数の半導体レーザとコリメートレンズ
とを主走査方向に配列してこれらを一体的に支持する支
持部材とを有する第1の光源部と、この第1の光源部と
同様に構成した第2の光源部と、上記第1、第2の光源
部の光ビームを近接させて射出するビーム合成手段とを
備えた構成となっている。
Therefore, the present applicant previously proposed a basic type of a new multi-beam light source device for solving these problems and emitting a plurality of beams (Japanese Patent Application No. 9-178479).
issue). As an example of the multi-beam light source device of this prior application, a plurality of semiconductor lasers, a plurality of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor lasers to make respective light beams into parallel light fluxes, the plurality of semiconductor lasers and a collimator lens A first light source section having a supporting member for arranging the elements in the main scanning direction to integrally support them, a second light source section configured in the same manner as the first light source section, and the first and the first And a beam combining means for emitting the light beams of the two light source units in close proximity to each other.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前述したように、半導
体レーザアレイは制御面での制約があり汎用の半導体レ
ーザと同様に扱うことができず、高精度な出力制御には
不向きである上、光源が複数であるにも係わらずコリメ
ートレンズは共通であるため、光源間の波長の差や発光
点位置の差が残り、結像位置がずれたり、コリメートレ
ンズから射出されるビームが各々離反する方向へ発散し
てしまう等、取り扱いが厄介である。一方、汎用の半導
体レーザ(LD)を2つ以上用いてビームスプリッタ
(BS)やプリズムを用いてビーム合成する場合、代表
的な例として図12(a)に示すように、複数段にビー
ムスプリッタやプリズムを重ねて複数の半導体レーザL
D−1〜LD−4からの光ビームを1ビームずつ合成し
ていく方法があるが、構造が複雑化する上、図12
(b)に示すように各半導体レーザに位置ずれが生じ易
く、各半導体レーザについて個別に射出方向を併せるた
めの作業が必要であり、経時的なずれが大きくビームス
ポット間隔を維持することが非常に困難であるという欠
点がある。また、ビームスプリッタ面(BS面)を通過
する毎に光量が1/2となってしまうので、第1の半導
体レーザLD−1の射出光量に対して、第2の半導体レ
ーザLD−2ではBS面を1つ多く通過するので1/2
の射出光量となり、第3の半導体レーザLD−3及び第
4の半導体レーザLD−4ではBS面を2つ多く通過す
るので1/4の射出光量となり、ビーム数が増えるに従
って光量ロスが大きくなり、光の利用効率が悪く、高い
出力の半導体レーザを用いなければならない。
As described above, the semiconductor laser array cannot be handled in the same way as a general-purpose semiconductor laser due to restrictions on the control surface, and is not suitable for highly accurate output control. Since the collimator lens is common despite having a plurality of light sources, differences in wavelength and light emitting point position between light sources remain, the image forming position shifts, and the beams emitted from the collimator lens separate from each other. It is difficult to handle, such as diverging in the direction. On the other hand, when two or more general-purpose semiconductor lasers (LD) are used for beam combining using a beam splitter (BS) or a prism, as a typical example, as shown in FIG. And multiple prisms with multiple semiconductor lasers L
There is a method of combining the light beams from D-1 to LD-4 one by one, but the structure becomes complicated and the structure shown in FIG.
As shown in (b), each semiconductor laser is likely to be misaligned, and it is necessary to work the emission directions of the respective semiconductor lasers individually, and it is very difficult to maintain the beam spot interval because of the large misalignment over time. It has the drawback of being difficult. Further, since the amount of light becomes 1/2 each time it passes through the beam splitter surface (BS surface), the amount of light emitted from the first semiconductor laser LD-1 is BS in the second semiconductor laser LD-2. Since it passes one more surface, it is 1/2
Since the second semiconductor laser LD-3 and the fourth semiconductor laser LD-4 pass through the BS surface by two more, the emitted light amount becomes ¼, and the light amount loss increases as the number of beams increases. However, it is necessary to use a semiconductor laser that has a low light utilization efficiency and a high output.

【0006】これに対して、前述した先願のマルチビー
ム光源装置では、複数の半導体レーザを主走査方向に配
列することで1つのビーム合成手段(例えばビームスプ
リッタ)での合成が可能となり、構成が簡単で、かつ経
時的なずれが少なく安定性に優れるマルチビーム光源ユ
ニットを実現することができる。また、光量の損失がな
く半導体レーザの出力は最低限ですむためコストも安
く、露光量に応じて幅広い用途に展開できる。
On the other hand, in the above-mentioned multi-beam light source device of the prior application, by arranging a plurality of semiconductor lasers in the main scanning direction, it becomes possible to combine them by one beam combining means (eg, beam splitter). It is possible to realize a multi-beam light source unit that is simple, has little deviation with time, and is excellent in stability. Also, since there is no light loss and the output of the semiconductor laser is minimal, the cost is low and it can be applied to a wide range of applications depending on the exposure amount.

【0007】しかしながら、組み付けにおいてビームス
プリッタで合成したビームスポット間隔の位置合わせを
行うには、その前段階の光源部の光軸のアライメント調
整精度やプリズムのビームスプリッタ面、反射面の角度
精度に依るしかなく、量産性の面での改善が必要であっ
た。
However, the alignment of the beam spot distances synthesized by the beam splitter in the assembling depends on the alignment accuracy of the optical axis of the light source section and the angle accuracy of the beam splitter surface and the reflecting surface of the prism in the preceding stage. Therefore, it was necessary to improve the productivity.

【0008】本発明は上記事情に鑑みなされたものであ
って、請求項1,2,3,6の発明においては、先願に
開示されるマルチビーム光源装置を生産する上で、ビー
ムスポット間隔の調整(特に副走査方向の走査線間隔
(ビームピッチ)の設定)を単純作業で容易に行うこと
ができ、かつ確実な位置合わせが行えるようにすること
で、組み立て効率を向上させると共に、高品位な画像記
録を行うことができるマルチビーム光源装置を実現する
ことを目的とする。また、請求項4,5の発明では、い
かなる環境下においても副走査方向の走査線間隔を維持
し、経時においても安定した画像形成を行うことができ
るマルチビーム光源装置を実現することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and in the inventions of claims 1, 2, 3 and 6, in producing the multi-beam light source device disclosed in the prior application, the beam spot spacing is Adjustment (especially, setting of the scanning line interval (beam pitch) in the sub-scanning direction) can be easily performed by simple work, and reliable alignment can be performed to improve assembly efficiency and increase It is an object of the present invention to realize a multi-beam light source device capable of performing high quality image recording. It is another object of the inventions of claims 4 and 5 to realize a multi-beam light source device capable of maintaining a scanning line interval in the sub-scanning direction under any environment and performing stable image formation over time. To do.

【0009】さらに、請求項7〜11の発明では、複数
個の汎用の半導体レーザを用い、いかなる環境下におい
ても、被走査面上での副走査の走査線間隔が等間隔に維
持され、経時においても安定した画像形成が行えるよう
にし、高品位な画像記録を行うことができるマルチビー
ム光源装置を実現することを目的とする。
Further, in the inventions of claims 7 to 11, a plurality of general-purpose semiconductor lasers are used, and the scanning line intervals of the sub-scanning on the surface to be scanned are maintained at equal intervals under any environment, and the time elapses. It is an object of the present invention to realize a multi-beam light source device capable of performing stable image formation and performing high-quality image recording.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に係る発明は、光源からの光ビームを走査
光学手段で被走査面上に集光してビームスポットを形成
し主走査方向に走査する光走査装置において上記光源と
して用いられ複数の光ビームを射出するマルチビーム光
源装置であって、偶数個の半導体レーザと該半導体レー
ザと対で設けられ半導体レーザからの光ビームを平行光
束にする偶数個のコリメートレンズと上記偶数個の半導
体レーザとコリメートレンズとを主走査方向に射出軸に
対称に配列しこれらを一体的に支持する支持部材とを有
する第1の光源部と、上記第1の光源部と同様に構成し
た第2の光源部と、上記第1、第2の光源部の光ビーム
を副走査方向に近接させて射出するビーム合成手段とか
らなるマルチビーム光源装置において、上記第1の光源
部の射出軸と第2の光源部の射出軸とが主走査方向に所
定角度隔たるように配備したことを特徴とするものであ
る。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 contemplates that a light beam from a light source is focused on a surface to be scanned by a scanning optical means to form a beam spot and main scanning is performed. A multi-beam light source device for emitting a plurality of light beams, which is used as the above-mentioned light source in an optical scanning device for scanning in a direction, wherein an even number of semiconductor lasers and a pair of the semiconductor lasers are provided to parallelize the light beams from the semiconductor lasers. A first light source section having an even number of collimator lenses for converting light flux, a support member for arranging the even number of semiconductor lasers and the collimator lenses symmetrically with respect to the emission axis in the main scanning direction and integrally supporting these; A multi-beam composed of a second light source part configured similarly to the first light source part, and a beam combining means for emitting the light beams of the first and second light source parts close to each other in the sub-scanning direction. In the source device, it is characterized in that it has deployed as spaced a predetermined angle in the main scanning direction and the injection shaft is injection shaft and the second light source section of the first light source.

【0011】請求項2に係る発明は、光源からの光ビー
ムを走査光学手段で被走査面上に集光してビームスポッ
トを形成し主走査方向に走査する光走査装置において上
記光源として用いられ複数の光ビームを射出するマルチ
ビーム光源装置であって、奇数個の半導体レーザと該半
導体レーザと対で設けられ半導体レーザからの光ビーム
を平行光束にする奇数個のコリメートレンズと上記奇数
個の半導体レーザとコリメートレンズとを主走査方向に
配列しその中央に位置する半導体レーザを射出軸上に配
置してこれらを一体的に支持する支持部材とを有する第
1の光源部と、偶数個の半導体レーザと該半導体レーザ
と対で設けられ半導体レーザからの光ビームを平行光束
にする偶数個のコリメートレンズと上記偶数個の半導体
レーザとコリメートレンズとを主走査方向に射出軸に対
称に配列しこれらを一体的に支持する支持部材とを有す
る第2の光源部と、上記第1、第2の光源部の光ビーム
を副走査方向に近接させて射出するビーム合成手段とか
らなるマルチビーム光源装置において、上記第1の光源
部の射出軸と第2の光源部の射出軸とが主走査方向に所
定角度隔たるように配備したことを特徴とするものであ
る。
The invention according to claim 2 is used as the light source in an optical scanning device for converging a light beam from a light source on a surface to be scanned by a scanning optical means to form a beam spot and scanning in the main scanning direction. A multi-beam light source device for emitting a plurality of light beams, comprising an odd number of semiconductor lasers, an odd number of collimator lenses that form a parallel light beam from the semiconductor lasers, and the odd number of semiconductor lasers. A first light source unit having a semiconductor laser and a collimator lens arranged in the main scanning direction, a semiconductor laser located at the center of the semiconductor laser arranged on an emission axis, and a supporting member integrally supporting these, and an even number of light sources. A semiconductor laser and an even number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor laser and convert a light beam from the semiconductor laser into a parallel light beam, and the even number of semiconductor lasers and collimator. A second light source section having a lens and a support member that is arranged symmetrically with respect to the emission axis in the main scanning direction and integrally supports these, and the light beams of the first and second light source sections in the sub scanning direction. In a multi-beam light source device including a beam synthesizing means for emitting light in close proximity to each other, the multi-beam light source device is arranged such that the emission axis of the first light source section and the emission axis of the second light source section are separated by a predetermined angle in the main scanning direction. It is characterized by.

【0012】請求項3に係る発明は、請求項1または2
に記載のマルチビーム光源装置において、上記第1、第
2の光源部、及びビーム合成手段を、実質一体的にモジ
ュール化して保持する保持部材を設け、該保持部材を
(マルチビーム光源装置からの複数の光ビームを被走査
面上に集光してビームスポットを形成し主走査方向に走
査する)走査光学手段に対して該走査光学手段の光軸
(回転基準)Cを回転中心として回動可能に支持してな
ると共に、上記第1の光源部の射出軸と第2の光源部の
射出軸とが上記光軸Cに対して主走査方向に対称となる
ように配備したことを特徴とするものである。
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2.
In the multi-beam light source device described in (1), a holding member that holds the first and second light source units and the beam synthesizing means in a substantially integrated module is provided. A plurality of light beams are converged on the surface to be scanned to form a beam spot and scanned in the main scanning direction.) The optical axis (rotational reference) C of the scanning optical means is rotated with respect to the scanning optical means. It is supported so that it is arranged such that the emission axis of the first light source section and the emission axis of the second light source section are symmetrical with respect to the optical axis C in the main scanning direction. To do.

【0013】請求項4に係る発明は、請求項3に記載の
マルチビーム光源装置において、上記第1、第2の光源
部の支持部材の材質と、該支持部材が固定される上記保
持部材のベース部材の材質とを同一としたことを特徴と
するものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the multi-beam light source device according to the third aspect, the materials of the supporting members of the first and second light source parts and the holding member to which the supporting members are fixed are The material of the base member is the same.

【0014】請求項5に係る発明は、請求項3に記載の
マルチビーム光源装置において、被走査面上での上記第
1、第2の光源部の射出軸間隔を各光源部からのビーム
スポットの隣接する間隔の1/4以下に設定したことを
特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the multi-beam light source device according to the third aspect, the emission axis intervals of the first and second light source portions on the surface to be scanned are set to the beam spots from the respective light source portions. It is characterized in that it is set to be ¼ or less of the adjacent intervals.

【0015】請求項6に係る発明は、請求項3に記載の
マルチビーム光源装置において、上記保持部材を、上記
光軸(回転基準)Cを回転中心として回動可能とする位
置決め手段と、第1、第2の光源部について上記保持部
材に対し射出軸を回転中心として回動可能とする位置決
め手段とを具備したことを特徴とするものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the multi-beam light source device according to the third aspect, there is provided a positioning means for rotating the holding member about the optical axis (rotation reference) C as a center of rotation. The first and second light source units are provided with a positioning unit that is rotatable with respect to the holding member about the injection shaft.

【0016】請求項7に係る発明は、光源からの光ビー
ムを走査光学手段で被走査面上に集光してビームスポッ
トを形成し主走査方向に走査する光走査装置において上
記光源として用いられ複数の光ビームを射出するマルチ
ビーム光源装置であって、偶数個の半導体レーザと該半
導体レーザと対で設けられ半導体レーザからの光ビーム
を平行光束にする偶数個のコリメートレンズと上記偶数
個の半導体レーザとコリメートレンズとを主走査方向に
射出軸に対称に配列しこれらを一体的に支持する支持部
材とを有する第1の光源部と、上記第1の光源部と同様
に構成した第2の光源部と、上記第1、第2の光源部の
光ビームを副走査方向に近接させて射出するビーム合成
手段とからなるマルチビーム光源装置において、上記第
1、第2の光源部の射出軸に対して対称な位置にある半
導体レーザとコリメートレンズの対について、半導体レ
ーザのコリメートレンズ光軸からのシフト量が同量であ
ることを特徴とするものである。
The invention according to claim 7 is used as the light source in an optical scanning device for converging a light beam from a light source on a surface to be scanned by a scanning optical means to form a beam spot and scanning in the main scanning direction. A multi-beam light source device for emitting a plurality of light beams, comprising an even number of semiconductor lasers, an even number of collimating lenses which are provided in pairs with the semiconductor lasers, and convert the light beams from the semiconductor lasers into parallel light beams, A first light source unit having a semiconductor laser and a collimator lens symmetrically arranged in the main scanning direction with respect to an emission axis and integrally supporting these members, and a second light source unit configured similarly to the first light source unit. And a beam combining means for emitting the light beams of the first and second light source parts in close proximity to each other in the sub-scanning direction, the first and second light source parts. The pair of semiconductor laser and a collimator lens in the symmetrical positions with respect to the exit axis, the shift amount from the collimating lens optical axis of the semiconductor laser is characterized in that it is the same amount.

【0017】請求項8に係る発明は、光源からの光ビー
ムを走査光学手段で被走査面上に集光してビームスポッ
トを形成し主走査方向に走査する光走査装置において上
記光源として用いられ複数の光ビームを射出するマルチ
ビーム光源装置であって、奇数個の半導体レーザと該半
導体レーザと対で設けられ半導体レーザからの光ビーム
を平行光束にする奇数個のコリメートレンズと上記奇数
個の半導体レーザとコリメートレンズとを主走査方向に
配列しその中央に位置する半導体レーザを射出軸上に配
置してこれらを一体的に支持する支持部材とを有する第
1の光源部と、偶数個の半導体レーザと該半導体レーザ
と対で設けられ半導体レーザからの光ビームを平行光束
にする偶数個のコリメートレンズと上記偶数個の半導体
レーザとコリメートレンズとを主走査方向に射出軸に対
称に配列しこれらを一体的に支持する支持部材とを有す
る第2の光源部と、上記第1、第2の光源部の光ビーム
を副走査方向に近接させて射出するビーム合成手段とか
らなるマルチビーム光源装置において、上記第1、第2
の光源部の射出軸に対して対称な位置にある半導体レー
ザとコリメートレンズの対について、半導体レーザのコ
リメートレンズ光軸からのシフト量が同量であることを
特徴とするものである。
The invention according to claim 8 is used as the light source in an optical scanning device for converging a light beam from a light source on a surface to be scanned by a scanning optical means to form a beam spot and scanning in the main scanning direction. A multi-beam light source device for emitting a plurality of light beams, comprising an odd number of semiconductor lasers, an odd number of collimator lenses that form a parallel light beam from the semiconductor lasers, and the odd number of semiconductor lasers. A first light source unit having a semiconductor laser and a collimator lens arranged in the main scanning direction, a semiconductor laser located at the center of the semiconductor laser arranged on an emission axis, and a supporting member integrally supporting these, and an even number of light sources. A semiconductor laser and an even number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor laser and convert a light beam from the semiconductor laser into a parallel light beam, and the even number of semiconductor lasers and collimator. A second light source section having a lens and a support member that is arranged symmetrically with respect to the emission axis in the main scanning direction and integrally supports these, and the light beams of the first and second light source sections in the sub scanning direction. A multi-beam light source device comprising beam combining means for emitting light in close proximity to each other,
With respect to the pair of the semiconductor laser and the collimator lens that are symmetrical with respect to the emission axis of the light source section, the amount of shift from the optical axis of the collimator lens of the semiconductor laser is the same.

【0018】請求項9に係る発明は、請求項7または8
に記載のマルチビーム光源装置において、半導体レーザ
のコリメートレンズ光軸からのシフトが、第1の光源部
に支持された複数の半導体レーザから射出された主光線
が、光走査装置の回転多面鏡近傍で第1の光源部の射出
軸と主走査方向で交差し、第2の光源部に支持された複
数の半導体レーザから射出された主光線が、光走査装置
の回転多面鏡近傍で第2の光源部の射出軸と主走査方向
で交差するように設定されていることを特徴とするもの
である。
The invention according to claim 9 is the invention according to claim 7 or 8.
In the multi-beam light source device according to the item (1), a shift of the semiconductor laser from the optical axis of the collimating lens is such that the principal rays emitted from the plurality of semiconductor lasers supported by the first light source unit are in the vicinity of the rotating polygon mirror of the optical scanning device. In the main scanning direction, the chief rays emitted from the plurality of semiconductor lasers supported by the second light source section intersect with the emission axis of the first light source section in the main scanning direction, and the main rays are emitted in the vicinity of the rotary polygon mirror of the optical scanning device. It is characterized in that it is set so as to intersect the emission axis of the light source section in the main scanning direction.

【0019】請求項10に係る発明は、請求項7,8ま
たは9に記載のマルチビーム光源装置において、上記第
1の光源部の射出軸と第2の光源部の射出軸とが主走査
方向に隔たるように配備したことを特徴とするものであ
る。
According to a tenth aspect of the present invention, in the multi-beam light source device according to the seventh, eighth or ninth aspect, the emission axis of the first light source section and the emission axis of the second light source section are in the main scanning direction. It is characterized by being deployed so as to be separated from each other.

【0020】請求項11に係る発明は、請求項7,8,
9または10に記載のマルチビーム光源装置において、
上記第1、第2の光源部、及びビーム合成手段を実質一
体的にモジュール化して保持する保持部材を設け、該保
持部材を(マルチビーム光源装置からの複数の光ビーム
を被走査面上に集光してビームスポットを形成し主走査
方向に走査する)走査光学手段に対して該走査光学手段
の光軸(回転基準)Cを回転中心として回動可能に支持
してなると共に、上記第1の光源部と第2の光源部は上
記保持部材に対して各々の射出軸を回転中心として独立
に回動可能であることを特徴とするものである。
The invention of claim 11 relates to claims 7, 8 and
In the multi-beam light source device according to 9 or 10,
A holding member for holding the first and second light source units and the beam synthesizing means in a substantially integrated module is provided, and the holding member is provided (a plurality of light beams from the multi-beam light source device are placed on the surface to be scanned). The light is condensed to form a beam spot and scanned in the main scanning direction. The scanning optical means is rotatably supported about the optical axis (rotational reference) C of the scanning optical means, The first light source unit and the second light source unit are independently rotatable with respect to the holding member with each emission axis as a rotation center.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図示
の実施例に基づいて詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the illustrated embodiments.

【0022】(実施例1)まず請求項1〜6の実施例に
ついて説明する。図1は本発明の一実施例を示す図であ
って、マルチビーム光源装置の概略構成を分解した状態
で示す斜視図であり、汎用の半導体レーザを合計4個用
いた4ビーム光源ユニットの構成例を示している。ま
た、図2は上記4ビーム光源ユニットの第1の光源部の
断面の様子と、4つの半導体レーザの配置位置を併せて
示す図であり、図3は上記4ビーム光源ユニットを搭載
した光走査装置の概要を示す図である。
(Embodiment 1) First, embodiments of claims 1 to 6 will be described. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, and is a perspective view showing a schematic configuration of a multi-beam light source device in an exploded state, and is a configuration of a 4-beam light source unit using a total of four general-purpose semiconductor lasers. An example is shown. Further, FIG. 2 is a view showing a state of a cross section of the first light source section of the 4-beam light source unit and the arrangement positions of the four semiconductor lasers together, and FIG. 3 is an optical scanning device equipped with the 4-beam light source unit. It is a figure which shows the outline | summary of an apparatus.

【0023】図1において、半導体レーザ101,10
2はアルミダイキャスト製の支持部材103の裏側に主
走査方向に8mm間隔で並列して形成された(図示しな
い)嵌合穴に各々圧入され支持される。また、コリメー
トレンズ104,105は各々の半導体レーザ101,
102の発散光束が平行光束となるようにX方向の位置
を合わせ、また所定のビーム射出方向となるようにY,
Z方向の位置を合わせて半導体レーザ101,102の
嵌合穴と対に形成したU字状の支持部103−1,10
3−2の隙間に接着剤(例えば紫外線(UV)硬化接着
剤)を充填し固定され、第1の光源部LD1を構成す
る。また、第2の光源部LD2も半導体レーザ111,
112、コリメートレンズ114,115、支持部材1
13からなり、第1の光源部LD1と同様の構成となっ
ている。
In FIG. 1, semiconductor lasers 101 and 10 are provided.
2 are press-fitted into and supported by fitting holes (not shown) formed in parallel on the back side of the aluminum die-cast support member 103 at intervals of 8 mm in the main scanning direction. Further, the collimator lenses 104 and 105 are provided for the respective semiconductor lasers 101 and
The divergent light flux of 102 is aligned in the X direction so that it becomes a parallel light flux, and Y, so that it is in a predetermined beam emission direction.
U-shaped support parts 103-1 and 10 formed in pairs with the fitting holes of the semiconductor lasers 101 and 102 by aligning the positions in the Z direction.
An adhesive (for example, an ultraviolet (UV) curing adhesive) is filled and fixed in the gap 3-2 to form the first light source unit LD1. Further, the second light source unit LD2 also includes the semiconductor laser 111,
112, collimating lenses 114 and 115, support member 1
13 and has the same configuration as the first light source unit LD1.

【0024】ここで図2(a)は上記第1の光源部LD
1、第2の光源部LD2、及びビーム合成プリズム20
2を、ベース部材201とホルダー203からなる保持
部材に組み込んで実質一体的にモジュール化したマルチ
ビーム光源ユニットの第1の光源部LD1部分のX,Y
方向に平行な断面の様子を示しており、図2(b)は第
1、第2の光源部の半導体レーザをX方向裏面側から見
た配置位置を示している。図2に示すように、第1の光
源部LD1の半導体レーザ101,102とコリメート
レンズ104,105とは、第1の光源部LD1の射出
軸a1(2つの半導体レーザ101,102の中点Oか
らビーム射出方向に延びる軸を射出軸と言う)に対して
対称に配置し、半導体レーザ101,102の間隔Dに
対しコリメートレンズ104,105の間隔dを小さく
設定する(つまり、コリメートレンズ104,105の
光軸をY方向に射出軸a1側に偏心させて配置する)。
これにより各半導体レーザ101,102からのレーザ
ビームは、コリメートレンズ104,105により各々
交差する方向に所定の角度を有して射出される。第2の
光源部LD2についても同様に構成され、半導体レーザ
111,112とコリメートレンズ114,115と
は、第2の光源部LD2の射出軸a2(図2(a)には
射出軸a2のみ破線で示してある)に対して対称に配置
され、半導体レーザ111,112の間隔に対しコリメ
ートレンズ114,115の間隔が小さく設定されてお
り、各半導体レーザ111,112からのレーザビーム
は、コリメートレンズ114,115により射出軸a2
に対して対称に各々交差する方向に所定の角度を有して
射出される。いずれの光源部もこの交差位置は図3に示
す光走査装置のポリゴンミラー(回転多面鏡)反射面近
傍となるようにビーム射出方向を設定している。
Here, FIG. 2A shows the first light source unit LD.
1, second light source unit LD2, and beam combining prism 20
2 is incorporated into a holding member composed of a base member 201 and a holder 203 to form a substantially integrated module, and X, Y of a first light source unit LD1 portion of a multi-beam light source unit.
2B shows a state of a cross section parallel to the direction, and FIG. 2B shows an arrangement position when the semiconductor lasers of the first and second light source sections are viewed from the back side in the X direction. As shown in FIG. 2, the semiconductor lasers 101 and 102 of the first light source unit LD1 and the collimator lenses 104 and 105 are the emission axis a1 of the first light source unit LD1 (the middle point O of the two semiconductor lasers 101 and 102). The axis extending in the beam emission direction from is called as the emission axis) is arranged symmetrically, and the distance d between the collimator lenses 104 and 105 is set smaller than the distance D between the semiconductor lasers 101 and 102 (that is, the collimator lens 104, The optical axis of 105 is arranged so as to be eccentric to the emission axis a1 side in the Y direction).
As a result, the laser beams from the semiconductor lasers 101 and 102 are emitted by the collimator lenses 104 and 105 at predetermined angles in the intersecting directions. The second light source unit LD2 is similarly configured, and the semiconductor lasers 111 and 112 and the collimator lenses 114 and 115 have the emission axis a2 of the second light source unit LD2 (only the emission axis a2 is a broken line in FIG. 2A). Are arranged symmetrically with respect to each other, and the distance between the collimator lenses 114 and 115 is set smaller than the distance between the semiconductor lasers 111 and 112. The laser beams from the respective semiconductor lasers 111 and 112 are collimated lenses. Injection axis a2 by 114 and 115
It is injected with a predetermined angle in a direction intersecting with each other symmetrically. The beam emission direction is set so that the intersection position of any of the light source units is near the polygon mirror (rotating polygon mirror) reflecting surface of the optical scanning device shown in FIG.

【0025】上記第1の光源部LD1、第2の光源部L
D2は、ベース部材201の嵌合穴201−1,201
−2にそれぞれ支持部材103,113の円筒部103
−3,113−3を嵌合し、ベース部材201の前面よ
り貫通したネジによりベース部材201の裏側に固定さ
れる。そして、ビーム合成プリズム202をベース部材
201の前面に接着固定した後、ビーム合成プリズム2
02をホルダー203の凹部に嵌め込んでベース部材2
01とホルダー203とを固定する。尚、環境温度変化
に伴い支持部材103,113の膨張率とベース部材2
01の膨張率とに差があると、いずれか膨張率が大きい
方が歪んで(撓んで)光ビームの射出方向(角度)が変
化し、後述するビームピッチの変動が増幅されてしまう
ので、第1、第2の光源部の支持部材103,113の
材質とベース部材201の材質は同一としている。
The first light source unit LD1 and the second light source unit L
D2 is the fitting holes 201-1 and 201 of the base member 201.
-2 to the cylindrical portions 103 of the supporting members 103 and 113, respectively.
-3 and 113-3 are fitted together and fixed to the back side of the base member 201 with a screw penetrating from the front surface of the base member 201. Then, after the beam synthesizing prism 202 is bonded and fixed to the front surface of the base member 201, the beam synthesizing prism 2
02 is fitted into the concave portion of the holder 203 and the base member 2
01 and the holder 203 are fixed. It should be noted that the expansion rates of the support members 103 and 113 and the base member 2 due to changes in the environmental temperature.
If there is a difference with the expansion coefficient of 01, the larger expansion coefficient is distorted (flexed), the emission direction (angle) of the light beam is changed, and the fluctuation of the beam pitch described later is amplified. The materials of the support members 103 and 113 of the first and second light source parts and the material of the base member 201 are the same.

【0026】ビーム合成プリズム202は内部に偏光ビ
ームスプリッタ面202−3を備え、第2の光源部LD
2からの光ビームの入射面には1/2波長板(λ/2
板)202−1が設けられ、かつ第2の光源部LD2か
らの光ビームを反射する反射面202−2が設けられて
いる。そして、第1の光源部LD1からの光ビームはそ
のまま偏光ビームスプリッタ面202−3を透過して射
出するようになっており、また、第2の光源部LD2か
らの光ビームは、1/2波長板112により偏光方向を
90度回転されて斜面202−2で上方に反射し、さら
に偏光ビームスプリッタ面202−3で反射されて射出
されるようになっている。これにより、光量ロスを少な
くして、第1、第2の光源部からの光ビームを容易に合
成することができる。
The beam synthesizing prism 202 has a polarization beam splitter surface 202-3 inside and a second light source unit LD.
The half-wave plate (λ / 2
A plate) 202-1 is provided, and a reflecting surface 202-2 that reflects the light beam from the second light source unit LD2 is provided. The light beam from the first light source unit LD1 is transmitted through the polarization beam splitter surface 202-3 as it is and emitted, and the light beam from the second light source unit LD2 is ½. The polarization direction is rotated by 90 degrees by the wave plate 112, reflected upward by the inclined surface 202-2, and further reflected by the polarization beam splitter surface 202-3 and emitted. This makes it possible to reduce the light amount loss and easily combine the light beams from the first and second light source units.

【0027】図2のように、第1の光源部LD1と第2
の光源部LD2は、ベース部材201上では副走査方向
にRの間隔を隔てて配置されているが、上記のようにビ
ーム合成プリズム202により第2の光源部LD2から
の光ビームを第1の光源部LD1からの光ビームに合成
し、副走査方向に近接させて射出する。この際、各光源
部は射出軸a1,a2を主走査方向に一致させず所定の
間隔m(例えば1mm)隔たるように配列され、かつ各
射出軸a1,a2は平行ではなく、後述するホルダー2
03の回転基準C(図3に示す走査光学系の光軸が回転
基準となる)に対して対称になるように設定されると共
に各々交差する方向に所定の角度βを有しており(つま
り、第1の光源部LD1の射出軸a1と第2の光源部L
D2の射出軸a2とが主走査方向に所定角度β隔たるよ
うに配備している)、被走査面上においても所定間隔隔
たるようにしている。尚、後述する実施例の走査光学系
(図3)では、被走査面上での射出軸a1,a2の間隔
Mが例えば約1mmとなるようにしている(但し、走査
光学系によりこの倍率は異なる)。
As shown in FIG. 2, the first light source unit LD1 and the second light source unit LD1
The light source unit LD2 of the first light source unit LD2 is arranged on the base member 201 at an interval of R in the sub-scanning direction, but as described above, the light beam from the second light source unit LD2 is generated by the beam combining prism 202. The light beam from the light source unit LD1 is combined with the light beam, and the light beams are emitted close to each other in the sub-scanning direction. At this time, the light source units are arranged such that the emission axes a1 and a2 do not coincide with each other in the main scanning direction and are separated by a predetermined distance m (for example, 1 mm). Two
No. 03 rotation reference C (the optical axis of the scanning optical system shown in FIG. 3 serves as a rotation reference) and has a predetermined angle β in each intersecting direction (that is, , The emission axis a1 of the first light source unit LD1 and the second light source unit L
It is arranged so that the ejection axis a2 of D2 is separated by a predetermined angle β in the main scanning direction) and is also separated by a predetermined distance on the surface to be scanned. In the scanning optical system (FIG. 3) of the embodiment described later, the distance M between the emission axes a1 and a2 on the surface to be scanned is set to, for example, about 1 mm (however, the magnification is determined by the scanning optical system. different).

【0028】被走査面上における副走査方向のピッチの
調整は、各光源部LD1,LD2毎にベース部材201
に固定する際に、ベース部材201の嵌合穴201−
1,201−2を基準として(すなわち、図2(b)に
示すように射出軸a1,a2をそれぞれ基準として)第
1の光源部LD1の半導体レーザ101,102相互の
傾きθ1、及び第2の光源部LD2の半導体レーザ11
1,112相互の傾きθ2を各々調整することで行う
が、図5(a)に示すように、射出軸a1,a2の被走
査面上での到達点であるO,O’(第1の光源部LD1
における2つのビームスポットLD1−L、LD1−R
の中点がO、第2の光源部LD2における2つのビーム
スポットLD2−L、LD2−Rの中点がO’)はビー
ム合成プリズム等の部品精度により副走査方向に僅かの
ずれを生じるため一致せず、各光源部からのビームスポ
ット位置は副走査方向にΔZシフトした形となってい
る。そこで、図2、図5(a)に示す回転基準C(走査
光学系の光軸)を中心に保持部材(ホルダー203及び
ベース部材201)をα方向に回転することにより、図
5(b)に示すように被走査面上の射出軸到達点Oと
O’とを副走査(水平)方向に一致させた後に、O,
O’をそれぞれ回転中心として、第1の光源部LD1
と、第2の光源部LD2のθ1,θ2を調整して副走査
ピッチを合わせ、各光源部をベース部材201に固定す
る。
The adjustment of the pitch in the sub-scanning direction on the surface to be scanned is performed by the base member 201 for each of the light source sections LD1 and LD2.
When the base member 201 is fixed to the fitting hole 201-
1, 021-2 as a reference (that is, the emission axes a1 and a2 as shown in FIG. 2B, respectively), the inclination θ1 between the semiconductor lasers 101 and 102 of the first light source unit LD1 and the second Semiconductor laser 11 of the light source unit LD2 of
This is done by adjusting the mutual inclination θ2 of 1, 112, respectively, but as shown in FIG. 5A, the arrival points of the injection axes a1, a2 on the surface to be scanned O, O '(first Light source part LD1
Beam spots LD1-L and LD1-R in
The center point is O, and the two beam spots LD2-L and LD2-R in the second light source unit LD2 are O ') because a slight deviation occurs in the sub-scanning direction due to the precision of parts such as the beam combining prism. The positions of the beam spots from the respective light sources do not coincide with each other and are shifted by ΔZ in the sub-scanning direction. Therefore, by rotating the holding member (the holder 203 and the base member 201) around the rotation reference C (optical axis of the scanning optical system) shown in FIGS. 2 and 5A in the α direction, FIG. As shown in FIG. 3, after the exit axis arrival points O and O ′ on the surface to be scanned are aligned in the sub-scanning (horizontal) direction,
The first light source unit LD1 with O ′ as the center of rotation
Then, θ1 and θ2 of the second light source unit LD2 are adjusted to adjust the sub-scanning pitch, and each light source unit is fixed to the base member 201.

【0029】ベース部材201は図3に示す走査光学系
が収納される光学ハウジング(図示せず)へはホルダー
203を介して保持される。ホルダー203には前記し
た回転基準Cとなる円筒部203−1が設けられ、該円
筒部203−1の回転基準Cと走査光学系の光軸とを一
致させて円筒部203−1を図示しない光学ハウジング
の穴部に係合して位置決めを行い、光源ユニット301
として取り付けるわけであるが、走査光学系毎に例えば
トロイダルレンズ等の平行性の誤差があるため、実際の
走査線と光源ユニット301の水平線とは一致せず、図
5におけるビームスポットLD2−RとLD1−Rのピ
ッチP1、LD1−LとLD2−LのピッチP3は得ら
れるが、LD1−RとLD1−LのピッチP2が得られ
ないことがある。このときΔθ(=θ2−θ1)は所定
値を保っているので、実施例ではホルダー203を光学
ハウジングに対して円筒部203−1で回転可能に設け
ると共にホルダー203の側面にレバー203−2を設
け、該レバー203−2をモータ等により上下に動かす
ことにより、光学ハウジングに取り付けた状態で上記回
転基準Cを中心としてホルダー203を回転して傾きを
調節し、P2を補正するようにしている。
The base member 201 is held by a holder 203 in an optical housing (not shown) in which the scanning optical system shown in FIG. 3 is housed. The holder 203 is provided with the cylindrical portion 203-1 that serves as the rotation reference C, and the rotation reference C of the cylindrical portion 203-1 and the optical axis of the scanning optical system are aligned so that the cylindrical portion 203-1 is not shown. The light source unit 301 is positioned by engaging with the hole of the optical housing for positioning.
However, the actual scanning line and the horizontal line of the light source unit 301 do not coincide with each other because there is a parallelism error of, for example, a toroidal lens in each scanning optical system, and the beam spot LD2-R in FIG. The pitch P1 of LD1-R and the pitch P3 of LD1-L and LD2-L can be obtained, but the pitch P2 of LD1-R and LD1-L cannot be obtained. At this time, Δθ (= θ2−θ1) maintains a predetermined value, so in the embodiment, the holder 203 is rotatably provided in the cylindrical portion 203-1 with respect to the optical housing, and the lever 203-2 is provided on the side surface of the holder 203. By providing the lever 203-2 up and down by a motor or the like, the holder 203 is rotated around the rotation reference C while being attached to the optical housing to adjust the tilt and correct P2. .

【0030】但し、第1の光源部LD1のビームスポッ
ト間隔Lに対して、光源部間の射出軸到達点O,O’の
間隔Mが大きいと、副走査方向のビームスポットのピッ
チP2の補正に伴ってP1,P3も変化してしまうた
め、この変化を画像品質に影響を与えない程度に収める
必要がある。一般的には副走査方向のピッチの変化はピ
ッチPの1/4程度であれば許容できるとされることか
ら、被走査面における射出軸到達点O,O’の間隔M
は、各光源部からのビームスポットの間隔Lの1/4以
下に設定することが望ましい。尚、本実施例では、各光
源部のビームスポット間隔Lを8mmとし、被走査面上
における射出軸到達点O,O’の間隔Mを1mmとし
て、副走査方向のピッチの変化を1/8としている。
However, if the distance M between the emission axis arrival points O and O'between the light source portions is larger than the beam spot distance L of the first light source portion LD1, the pitch P2 of the beam spot in the sub-scanning direction is corrected. As a result, P1 and P3 also change, so it is necessary to contain this change to the extent that the image quality is not affected. Generally, it is considered that the pitch change in the sub-scanning direction can be allowed if it is about ¼ of the pitch P. Therefore, the distance M between the exit axis reaching points O and O ′ on the surface to be scanned is M.
Is preferably set to 1/4 or less of the distance L between the beam spots from each light source unit. In the present embodiment, the beam spot distance L of each light source unit is 8 mm, the distance M between the exit axis arrival points O and O ′ on the surface to be scanned is 1 mm, and the pitch change in the sub-scanning direction is 1/8. I am trying.

【0031】次に図3によりマルチビーム光走査装置の
実施例について説明する。図3において、図示しない光
学ハウジングに保持された光源ユニット301から射出
された4つの光ビームは、シリンダレンズ302を介し
て偏向手段としてのポリゴンミラー303の反射位置近
傍で交差した後、ポリゴンミラー303で偏向走査さ
れ、2枚構成のfθレンズ304を通過後、折り返しミ
ラー307で感光体309に向けて反射され、トロイダ
ルレンズ308により感光体309の被走査面309a
上に結像され、図5に示すように4つのビームスポット
により、副走査方向に所定のピッチPで隣接した4ライ
ンが同時に主走査方向Sに走査され、画像記録が行われ
る。また、折り返しミラー307の画像領域外には同期
検知用のミラー305が配置されており、該ミラー30
5により反射された光ビームが同期検知センサー306
により検出される。同期検知センサー306は2個のセ
ンサー部、すなわち主走査方向Sに対して垂直に配置し
た第1のセンサー部306−1と約45度傾けた第2の
センサー部306−2とで構成されており、第1のセン
サー部306−1では順次到来する光ビームを時系列に
分離し、各々の光ビームの同期検知信号を発生し、第2
のセンサー部306−2では、いずれか2つの光ビーム
について副走査方向のビームピッチを第1のセンサー部
306−1からの時間間隔の差から検出する。そして、
ピッチ演算部311では同期検知センサー306で検出
したビームピッチからピッチ補正量を演算してモータ制
御部312に送り、モータ制御部312ではそのピッチ
補正量を基にホルダー203のレバー203−2に係合
したパルスモータ310を制御して、パルスモータ31
0でレバー203−2をZ方向に動かしてホルダー20
3を回転基準Cを中心に回転して傾きを調整することに
より、上述した取り付け時のビームスポット間隔、及び
環境変化等に伴うずれを自動的に補正し、常に所定のピ
ッチが維持されるようにしている。尚、本実施例では、
各光源部からのビームスポットが図5に示すような配置
の場合、第2の光源部LD2からの2つのビームLD2
−R,LD2−Lを同期検知センサー306で検出し、
その副走査方向のピッチが3Pとなるように補正を行っ
ている。これは計測ピッチが大きい方が誤差が少なくて
すむからである。
Next, an embodiment of the multi-beam optical scanning device will be described with reference to FIG. In FIG. 3, four light beams emitted from a light source unit 301 held in an optical housing (not shown) intersect through a cylinder lens 302 in the vicinity of a reflection position of a polygon mirror 303 serving as a deflecting means, and then the polygon mirror 303. After being deflected and scanned by, the light is passed through the fθ lens 304 having a two-sheet structure, reflected by the folding mirror 307 toward the photoconductor 309, and scanned by the toroidal lens 308.
An image is recorded on the image by scanning four lines adjacent to each other at a predetermined pitch P in the sub-scanning direction at the same time in the main scanning direction S with the four beam spots formed on the image. A mirror 305 for synchronization detection is arranged outside the image area of the folding mirror 307.
The light beam reflected by 5 is the synchronization detection sensor 306.
Detected by. The synchronization detection sensor 306 is composed of two sensor units, that is, a first sensor unit 306-1 arranged perpendicularly to the main scanning direction S and a second sensor unit 306-2 inclined at about 45 degrees. In the first sensor unit 306-1, the light beams that sequentially arrive are separated in time series, and a synchronization detection signal for each light beam is generated.
The sensor unit 306-2 detects the beam pitch in the sub-scanning direction for any two light beams from the difference between the time intervals from the first sensor unit 306-1. And
The pitch calculation unit 311 calculates a pitch correction amount from the beam pitch detected by the synchronization detection sensor 306 and sends it to the motor control unit 312, and the motor control unit 312 controls the lever 203-2 of the holder 203 based on the pitch correction amount. The combined pulse motor 310 is controlled to control the pulse motor 31.
0 to move the lever 203-2 in the Z direction and the holder 20
By rotating 3 around the rotation reference C to adjust the inclination, the above-mentioned deviations due to the beam spot interval at the time of mounting and environmental changes are automatically corrected, and a predetermined pitch is always maintained. I have to. In this example,
When the beam spots from the respective light source units are arranged as shown in FIG. 5, the two beams LD2 from the second light source unit LD2 are emitted.
-R, LD2-L is detected by the synchronization detection sensor 306,
The correction is performed so that the pitch in the sub-scanning direction becomes 3P. This is because the larger the measurement pitch, the smaller the error.

【0032】以上、半導体レーザを4個用いた4ビーム
光源ユニットと、その光源ユニットを搭載した光走査装
置の実施例について説明したが、次に本発明の別の実施
例として、図4に示す3ビーム光源ユニットについて説
明する。図4に示す3ビーム光源ユニットは、図1と比
較すると明らかなように、4ビーム光源ユニットとの違
いは第1の光源部LD1の構成が異なるだけであり、そ
の他の構成は同様である。図4に示す第1の光源部LD
1では、半導体レーザ121及びコリメートレンズ12
2は1組であり、前述のa1に相当する射出軸上に半導
体レーザ121及びコリメートレンズ122が配置され
同様に支持部材123に支持されている。すなわち、図
2で言えば、第1の光源部LD1の射出軸a1上に1組
の半導体レーザ121及びコリメートレンズ122を配
置した構成に相当する。
The embodiment of the four-beam light source unit using four semiconductor lasers and the optical scanning device equipped with the light source unit has been described above. Next, another embodiment of the present invention is shown in FIG. The 3-beam light source unit will be described. As is apparent from comparison with FIG. 1, the 3-beam light source unit shown in FIG. 4 is different from the 4-beam light source unit only in the configuration of the first light source unit LD1, and the other configurations are the same. First light source unit LD shown in FIG.
1, the semiconductor laser 121 and the collimator lens 12
2 is one set, and the semiconductor laser 121 and the collimator lens 122 are arranged on the emission axis corresponding to the above-mentioned a1 and are similarly supported by the support member 123. That is, in FIG. 2, it corresponds to a configuration in which one set of the semiconductor laser 121 and the collimator lens 122 is arranged on the emission axis a1 of the first light source unit LD1.

【0033】図6は被走査面上における各ビームスポッ
トの配列を示す図であるが、被走査面上の第1の光源部
LD1による射出軸到達点Oと第2の光源部LD2によ
る射出軸到達点O’とは4ビームの場合と同様に主走査
方向に一致させず間隔M(例えば1mm)隔たるように
配列され、回転基準C(走査光学系の光軸)に対して対
称に各々交差する方向に所定の角度(図2のβに相当)
を有しているので、第1の光源部LD1からのビームス
ポットは射出軸上、つまり回転基準Cから0.5mm離
間した射出軸到達点Oに位置されることになる。
FIG. 6 is a diagram showing the arrangement of the beam spots on the surface to be scanned. The arrival point O of the emission axis of the first light source section LD1 and the emission axis of the second light source section LD2 on the surface to be scanned. As in the case of four beams, the arrival points O ′ are arranged so as not to coincide with each other in the main scanning direction and apart from each other by a distance M (for example, 1 mm), and symmetrically with respect to the rotation reference C (optical axis of the scanning optical system). Predetermined angle in the crossing direction (corresponding to β in Fig. 2)
Therefore, the beam spot from the first light source unit LD1 is positioned on the emission axis, that is, at the emission axis arrival point O separated by 0.5 mm from the rotation reference C.

【0034】副走査方向のビームピッチPの調整は、回
転基準Cを中心としてホルダー203を回転することに
より第2の光源部LD2の射出軸到達点O’を副走査方
向で第1の光源部LD1の射出軸到達点Oに合わせた
後、そのビームスポットLD2−R,LD2−Lの副走
査方向の間隔が2Pとなるように支持部材113の傾き
(すなわち2つのビームスポットLD2−R,LD2−
L間の傾き)θを合わせてベース部材201に固定すれ
ばよく、第1の光源部LD1を固定する際には調整が不
要である。
The beam pitch P in the sub-scanning direction is adjusted by rotating the holder 203 about the rotation reference C so that the emission axis reaching point O'of the second light source unit LD2 is moved to the first light source unit in the sub-scanning direction. After aligning with the exit axis arrival point O of LD1, the inclination of the support member 113 (that is, the two beam spots LD2-R and LD2 is set so that the distance between the beam spots LD2-R and LD2-L in the sub-scanning direction is 2P). −
It suffices to fix the first light source unit LD1 to the base member 201 by adjusting the inclination (θ between L) θ, and no adjustment is necessary when fixing the first light source unit LD1.

【0035】当然、3ビーム光源ユニットを前述の図
1,2に示した4ビーム光源ユニットと同じ構成で、一
方の光源部について片側の半導体レーザとコリメートレ
ンズを除いた形態としても良いが、この場合は1ビーム
構成にした光源部の半導体レーザとコリメートレンズが
射出軸上にないので、4ビーム光源ユニットと同様にい
ずれの光源部もベース部材に固定する際の調整が必要で
ある。
Of course, the three-beam light source unit may have the same structure as the four-beam light source unit shown in FIGS. 1 and 2, but the semiconductor laser and the collimating lens on one side may be removed from one of the light source sections. In this case, since the semiconductor laser and the collimator lens of the light source unit having the one-beam configuration are not on the emission axis, adjustment is required when fixing any light source unit to the base member as in the four-beam light source unit.

【0036】尚、各光源部について半導体レーザ及びコ
リメーレンズの数を増やし、3つ以上の半導体レーザ及
びコリメートレンズを配列して保持することも可能であ
り、その数が奇数個の場合には上記3ビーム光源ユニッ
トにおける第1の光源部と同様に、奇数個の半導体レー
ザとコリメートレンズとを主走査方向に配列しその中央
に位置する半導体レーザとコリメートレンズを射出軸上
に配置してこれらを支持部材で一体的に支持すればよい
し、偶数個であれば第2の光源部と同様に、偶数個の半
導体レーザとコリメートレンズとを主走査方向に射出軸
に対称に配列してこれらを支持部材で一体的に支持すれ
ばよい。また、各光源部について3つ以上の半導体レー
ザ及びコリメートレンズを配列して保持する場合にも、
第1の光源部の射出軸と第2の光源部の射出軸とが主走
査方向に所定角度隔たるように配備し、さらに、回転基
準Cを回転中心として回動可能とする位置決め手段と、
第1、第2の光源部についてベース部材に対して射出軸
を回転中心として回転可能とする位置決め手段とを具備
した構成として副走査方向のピッチ調整を行うことも前
記実施例と同様に実施することができる。
It is also possible to increase the number of semiconductor lasers and collimator lenses for each light source section and arrange and hold three or more semiconductor lasers and collimator lenses. Similar to the first light source unit in the beam light source unit, an odd number of semiconductor lasers and collimator lenses are arranged in the main scanning direction, and the semiconductor lasers and collimator lenses located at the center are arranged on the emission axis to support them. It may be integrally supported by a member, or if it is an even number, similarly to the second light source unit, an even number of semiconductor lasers and collimator lenses are arranged symmetrically with respect to the emission axis in the main scanning direction to support them. The members may be integrally supported. In addition, when arraying and holding three or more semiconductor lasers and collimating lenses for each light source unit,
Positioning means that is arranged such that the emission axis of the first light source section and the emission axis of the second light source section are separated by a predetermined angle in the main scanning direction, and that is rotatable about the rotation reference C as a rotation center.
The pitch adjustment in the sub-scanning direction is also performed in the same manner as in the above-described embodiment, in which the first and second light source units are provided with a positioning unit that is rotatable with respect to the base member about the emission axis as a rotation center. be able to.

【0037】(実施例2)次に請求項7〜11の実施例
について説明する。本実施例に係るマルチビーム光源装
置の基本的な構成は、図1に示すような汎用の半導体レ
ーザを合計4個用いた4ビーム光源ユニット、あるいは
図4に示すような汎用の半導体レーザを合計3個用いた
3ビーム光源ユニットと同様の構成である。また、本実
施例に係る光走査装置の構成も、図3に示した光走査装
置と同様の構成である。
(Embodiment 2) Next, embodiments of claims 7 to 11 will be described. The basic configuration of the multi-beam light source device according to this embodiment is a 4-beam light source unit using a total of four general-purpose semiconductor lasers as shown in FIG. 1, or a general-purpose semiconductor laser as shown in FIG. It has the same configuration as the three-beam light source unit using three. The configuration of the optical scanning device according to this embodiment is also the same as that of the optical scanning device shown in FIG.

【0038】まず、図1に示す4ビーム光源ユニットを
例に挙げて説明する。既に実施例1で説明したように、
図1に示す構成の4ビーム光源ユニットにおいては、半
導体レーザ101,102はアルミダイキャスト製の支
持部材103の裏側に主走査方向に8mm間隔で並列し
て形成された(図示しない)嵌合穴に各々圧入され支持
される。また、コリメートレンズ104,105は各々
の半導体レーザ101,102の発散光束が平行光束と
なるようにX方向の位置を合わせ、また所定のビーム射
出方向となるようにY,Z方向の位置を合わせて半導体
レーザ101,102の嵌合穴と対に形成したU字状の
支持部103−1,103−2の隙間に接着剤(例えば
紫外線(UV)硬化接着剤)を充填し固定され、第1の
光源部LD1を構成する。また、第2の光源部LD2も
半導体レーザ111,112、コリメートレンズ11
4,115、支持部材113からなり、第1の光源部L
D1と同様の構成となっている。
First, the four-beam light source unit shown in FIG. 1 will be described as an example. As already described in Example 1,
In the 4-beam light source unit having the configuration shown in FIG. 1, the semiconductor lasers 101 and 102 are formed on the back side of the aluminum die-cast support member 103 in parallel with each other at intervals of 8 mm in the main scanning direction (not shown). Are press-fitted into and supported by. Further, the collimator lenses 104 and 105 are aligned in the X direction so that the divergent light beams of the respective semiconductor lasers 101 and 102 are parallel light beams, and are also aligned in the Y and Z directions so as to have a predetermined beam emission direction. Then, an adhesive (for example, ultraviolet (UV) curing adhesive) is filled and fixed in the gap between the U-shaped support portions 103-1 and 103-2 formed in a pair with the fitting holes of the semiconductor lasers 101 and 102. 1 light source unit LD1. In addition, the second light source unit LD2 also includes the semiconductor lasers 111 and 112 and the collimator lens 11.
4, 115 and the support member 113, and the first light source unit L
It has the same configuration as D1.

【0039】ここで図7(a)は上記第1の光源部LD
1、第2の光源部LD2、及びビーム合成プリズム20
2を、ベース部材201とホルダー203からなる保持
部材に組み込んで実質一体的にモジュール化したマルチ
ビーム光源ユニットの第1の光源部LD1部分のX,Y
方向に平行な断面の様子を示しており、図7(b)は第
1、第2の光源部の半導体レーザをX方向裏面側から見
た配置位置を示している。図7に示すように、第1の光
源部LD1の半導体レーザ101,102とコリメート
レンズ104,105とは、第1の光源部LD1の射出
軸a1(2つの半導体レーザ101,102の中点Oか
らビーム射出方向に延びる軸を射出軸と言う)に対して
対称に配置される。また、第2の光源部LD2について
も同様に構成され、半導体レーザ111,112とコリ
メートレンズ114,115とは、第2の光源部LD2
の射出軸a2に対して対称に配置される。
Here, FIG. 7A shows the first light source unit LD.
1, second light source unit LD2, and beam combining prism 20
2 is incorporated into a holding member composed of a base member 201 and a holder 203 to form a substantially integrated module, and X, Y of a first light source unit LD1 portion of a multi-beam light source unit.
7B shows a state of a cross section parallel to the direction, and FIG. 7B shows an arrangement position when the semiconductor lasers of the first and second light source sections are viewed from the back side in the X direction. As shown in FIG. 7, the semiconductor lasers 101 and 102 of the first light source unit LD1 and the collimator lenses 104 and 105 are the emission axis a1 of the first light source unit LD1 (the middle point O of the two semiconductor lasers 101 and 102). The axis extending in the beam emission direction from is called the emission axis). Further, the second light source unit LD2 is similarly configured, and the semiconductor lasers 111 and 112 and the collimator lenses 114 and 115 are the same as the second light source unit LD2.
Are arranged symmetrically with respect to the injection axis a2.

【0040】上記第1の光源部LD1、第2の光源部L
D2は、ベース部材201の嵌合穴201−1,201
−2にそれぞれ支持部材103,113の円筒部103
−3,113−3を嵌合し、ベース部材201の前面よ
り貫通したネジによりベース部材201の裏側に固定さ
れる。そして、ビーム合成プリズム202をベース部材
201の前面に接着固定した後、ビーム合成プリズム2
02をホルダー203の凹部に嵌め込んでベース部材2
01とホルダー203とを固定する。尚、環境温度変化
に伴い支持部材103,113の膨張率とベース部材2
01の膨張率とに差があると、いずれか膨張率が大きい
方が歪んで(撓んで)光ビームの射出方向(角度)が変
化し、後述するビームピッチの変動が増幅されてしまう
ので、第1、第2の光源部の支持部材103,113の
材質とベース部材201の材質は同一としている。
The first light source unit LD1 and the second light source unit L
D2 is the fitting holes 201-1 and 201 of the base member 201.
-2 to the cylindrical portions 103 of the supporting members 103 and 113, respectively.
-3 and 113-3 are fitted together and fixed to the back side of the base member 201 with a screw penetrating from the front surface of the base member 201. Then, after the beam synthesizing prism 202 is bonded and fixed to the front surface of the base member 201, the beam synthesizing prism 2
02 is fitted into the concave portion of the holder 203 and the base member 2
01 and the holder 203 are fixed. It should be noted that the expansion rates of the support members 103 and 113 and the base member 2 due to changes in the environmental temperature.
If there is a difference with the expansion coefficient of 01, the larger expansion coefficient is distorted (flexed), the emission direction (angle) of the light beam is changed, and the fluctuation of the beam pitch described later is amplified. The materials of the support members 103 and 113 of the first and second light source parts and the material of the base member 201 are the same.

【0041】ビーム合成プリズム202は内部に偏光ビ
ームスプリッタ面202−3を備え、第2の光源部LD
2からの光ビームの入射面には1/2波長板(λ/2
板)202−1が設けられ、かつ第2の光源部LD2か
らの光ビームを反射する反射面202−2が設けられて
いる。そして、第1の光源部LD1からの光ビームはそ
のまま偏光ビームスプリッタ面202−3を透過して射
出するようになっており、また、第2の光源部LD2か
らの光ビームは、1/2波長板112により偏光方向を
90度回転されて斜面202−2で上方に反射し、さら
に偏光ビームスプリッタ面202−3で反射されて射出
されるようになっている。これにより、光量ロスを少な
くして、第1、第2の光源部からの光ビームを容易に合
成することができる。
The beam synthesizing prism 202 has a polarization beam splitter surface 202-3 inside and a second light source unit LD.
The half-wave plate (λ / 2
A plate) 202-1 is provided, and a reflecting surface 202-2 that reflects the light beam from the second light source unit LD2 is provided. The light beam from the first light source unit LD1 is transmitted through the polarization beam splitter surface 202-3 as it is and emitted, and the light beam from the second light source unit LD2 is ½. The polarization direction is rotated by 90 degrees by the wave plate 112, reflected upward by the inclined surface 202-2, and further reflected by the polarization beam splitter surface 202-3 and emitted. This makes it possible to reduce the light amount loss and easily combine the light beams from the first and second light source units.

【0042】図7のように、第1の光源部LD1と第2
の光源部LD2は、ベース部材201上では副走査方向
にRの間隔を隔てて配置されているが、上記のようにビ
ーム合成プリズム202により第2の光源部LD2から
の光ビームを第1の光源部LD1からの光ビームに合成
し、副走査方向に近接させて射出する。この際、各光源
部は射出軸a1,a2を主走査方向に一致させず所定の
間隔m(例えば1mm)隔たるように配列されている。
As shown in FIG. 7, the first light source unit LD1 and the second light source unit LD1
The light source unit LD2 of the first light source unit LD2 is arranged on the base member 201 at an interval of R in the sub-scanning direction, but as described above, the light beam from the second light source unit LD2 is generated by the beam combining prism 202. The light beam from the light source unit LD1 is combined with the light beam, and the light beams are emitted close to each other in the sub-scanning direction. At this time, the light source units are arranged so that the emission axes a1 and a2 do not coincide with each other in the main scanning direction and are separated by a predetermined distance m (for example, 1 mm).

【0043】上記構成のマルチビーム光源装置を図3に
示す構成の光走査装置に搭載した場合、被走査面上にお
ける副走査方向のピッチの調整は、各光源部LD1,L
D2毎に支持部材103,113をベース部材201に
固定する際に、ベース部材201の嵌合穴201−1,
201−2を基準として(すなわち、図7(b)に示す
ように射出軸a1,a2をそれぞれ基準として)支持部
材103,113を回転させ、第1の光源部LD1の半
導体レーザ101,102相互の傾きθ1、及び第2の
光源部LD2の半導体レーザ111,112相互の傾き
θ2を各々調整することで行う。
When the multi-beam light source device having the above structure is mounted on the optical scanning device having the structure shown in FIG. 3, the pitch in the sub-scanning direction on the surface to be scanned is adjusted by each light source unit LD1, L.
When fixing the support members 103 and 113 to the base member 201 for each D2, the fitting holes 201-1 of the base member 201,
The support members 103 and 113 are rotated with 201-2 as a reference (that is, with reference to the emission axes a1 and a2 as shown in FIG. 7B), and the semiconductor lasers 101 and 102 of the first light source unit LD1 are mutually rotated. Of the semiconductor lasers 111 and 112 of the second light source unit LD2 and the inclination θ2 of the semiconductor lasers 111 and 112 are adjusted.

【0044】ところで図7に示すように、第1の光源部
LD1の半導体レーザ101,102とコリメートレン
ズ104,105は、第1の光源部LD1の射出軸a1
に対して対称に配置され、半導体レーザ101,102
の間隔Dに対しコリメートレンズ104,105の間隔
dを小さく設定している(言い替えると、コリメートレ
ンズ光軸に対して半導体レーザを主走査方向にシフトし
て配置している)。これにより各半導体レーザ101,
102からの光ビームは、コリメートレンズ104,1
05により各々交差する方向に所定の角度を有して射出
される。第2の光源部LD2についても同様に構成さ
れ、半導体レーザ111,112とコリメートレンズ1
14,115とは、第2の光源部LD2の射出軸a2に
対して対称に配置され、半導体レーザ111,112の
間隔に対しコリメートレンズ114,115の間隔が小
さく設定されており、各半導体レーザ111,112か
らの光ビームは、コリメートレンズ114,115によ
り射出軸a2に対して対称に各々交差する方向に所定の
角度を有して射出される。いずれの光源部もこの交差位
置は図3に示す光走査装置のポリゴンミラー(回転多面
鏡)の反射面近傍となるようにビーム射出方向を設定し
ている。
By the way, as shown in FIG. 7, the semiconductor lasers 101 and 102 and the collimating lenses 104 and 105 of the first light source unit LD1 are connected to the emission axis a1 of the first light source unit LD1.
Are arranged symmetrically with respect to the semiconductor lasers 101 and 102.
The distance d between the collimator lenses 104 and 105 is set to be smaller than the distance D (in other words, the semiconductor laser is arranged in the main scanning direction with respect to the optical axis of the collimator lens). As a result, each semiconductor laser 101,
The light beam from 102 collimates lenses 104, 1
Injected by 05 at a predetermined angle in the respective intersecting directions. The second light source unit LD2 is similarly configured, and the semiconductor lasers 111 and 112 and the collimator lens 1 are arranged.
14 and 115 are arranged symmetrically with respect to the emission axis a2 of the second light source unit LD2, and the distance between the collimator lenses 114 and 115 is set smaller than the distance between the semiconductor lasers 111 and 112. The light beams from 111 and 112 are emitted by the collimator lenses 114 and 115 at a predetermined angle in directions that intersect symmetrically with the emission axis a2. The beam emitting direction is set so that the intersection position of any of the light source units is near the reflecting surface of the polygon mirror (rotating polygon mirror) of the optical scanning device shown in FIG.

【0045】すなわち、各々の半導体レーザを、それと
対になっているコリメートレンズの光軸からのシフト量
(図7に示すように、各半導体レーザ101,102,
111,112のシフト量をδ101,δ102,δ111,δ
112とし、また、シフト量の副走査方向成分をε101,ε
102,ε111,ε112とする)を個別に調整することで、
全ての半導体レーザから射出される光ビームをポリゴン
ミラー反射面近傍に主走査方向について交差させること
が可能である。また、このように調整することにより、
被走査面上で各光源部LD1,LD2からの光ビームに
よるビームスポットの中心点O,O’を光軸Cに一致さ
せることも可能となる。しかし、このように調整する
と、2つの光源部LD1,LD2の射出軸a1,a2に
対して対称な位置に支持された半導体レーザのコリメー
トレンズ光軸からのシフト量は異なることになる。
That is, the amount of shift of each semiconductor laser from the optical axis of the collimator lens paired with it (as shown in FIG. 7, the respective semiconductor lasers 101, 102,
The shift amounts of 111, 112 are δ 101 , δ 102 , δ 111 , δ
112, and the sub-scanning direction component of the shift amount is ε 101 , ε
102 , ε 111 , ε 112 ) are individually adjusted,
It is possible to cause the light beams emitted from all the semiconductor lasers to intersect in the main scanning direction in the vicinity of the reflecting surface of the polygon mirror. Also, by adjusting in this way,
It is also possible to make the center points O and O ′ of the beam spots of the light beams from the light source units LD1 and LD2 coincide with the optical axis C on the surface to be scanned. However, with such an adjustment, the shift amount from the optical axis of the collimator lens of the semiconductor lasers supported at symmetrical positions with respect to the emission axes a1 and a2 of the two light source sections LD1 and LD2 is different.

【0046】具体的に図10を用いて説明すると、各コ
リメートレンズ104,105,114,115の光軸
から各半導体レーザ101,102,111,112を
シフトさせることで、ポリゴンミラー反射面近傍で主走
査方向について光軸Cと交差するように、シフト量を設
定することができるが、このとき第1の光源部LD1に
支持されている半導体レーザ101のシフト量δ
101と、この半導体レーザ101と射出軸a1について
対称な位置に支持された半導体レーザ102のシフト量
δ102は、射出軸a1と光軸Cが主走査方向に0.5m
mだけずれを生じているために、 δ101:δ102=(4+0.5):(4−0.5)=1.
3:1 のようにシフト量に差異が生じる。この現象は第2の光
源部LD2についての半導体レーザ111,112(こ
れらは射出軸a2について対称である)についても同様
である(シフト量の比はδ111:δ112=1:1.3であ
る)。
More specifically, referring to FIG. 10, by shifting the semiconductor lasers 101, 102, 111, 112 from the optical axes of the collimating lenses 104, 105, 114, 115, near the polygon mirror reflecting surface. The shift amount can be set so as to intersect the optical axis C in the main scanning direction. At this time, the shift amount δ of the semiconductor laser 101 supported by the first light source unit LD1.
And 101, a shift amount [delta] 102 of the semiconductor laser 102 supported at symmetrical positions about the injection shaft a1 and the semiconductor laser 101, the exit axis a1 and the optical axis C is 0.5m in the main scanning direction
Since there is a shift of m, δ 101 : δ 102 = (4 + 0.5) :( 4-0.5) = 1.
There is a difference in shift amount such as 3: 1. This phenomenon is the same for the semiconductor lasers 111 and 112 (these are symmetrical with respect to the emission axis a2) for the second light source unit LD2 (shift ratio is δ 111 : δ 112 = 1: 1.3). is there).

【0047】上記のシフト量の調整後は、被走査面上に
所望のピッチを得るために、2つの光源部LD1,LD
2の支持部材103,113をベース部材201の嵌合
穴201−1,201−2を基準として回転させること
により、図8に示すようにLD1−RとLD1−LでP
2を出し、LD2−RとLD2−LでピッチP1+P2
+P3を出す。しかしここで問題となるのは、P1とP
3は所望のピッチとはならず、非対称となることであ
る。なぜなら、光源側での各半導体レーザのシフト量が
異なるために、各光源部LD1,LD2の回転によって
生じるシフト量の副走査方向成分が異なり(すなわち、
図7でε101≠ε102及びε111≠ε112)、P2及びP1
+P2+P3というピッチは得られているものの、LD
1−RとLD1−Lの中心O、及びLD2−RとLD2
−Lの中心O’が図8(a)に示すように副走査方向に
ずれているからである。このずれ量を図8(b)のよう
に主・副走査方向で0にし、光軸CにO,O’を一致さ
せればP1=P2=P3となるが、光源側の回転調整だ
けでは、ずれ量を0とすることはできない。
After adjusting the above shift amount, in order to obtain a desired pitch on the surface to be scanned, the two light source units LD1 and LD1 are connected.
By rotating the second support members 103 and 113 with the fitting holes 201-1 and 201-2 of the base member 201 as a reference, as shown in FIG.
Put out 2 and pitch P1 + P2 with LD2-R and LD2-L
Issue + P3. But the problem here is P1 and P
3 is not a desired pitch, but is asymmetric. This is because the shift amount of each semiconductor laser on the light source side is different, and thus the sub-scanning direction component of the shift amount generated by the rotation of each light source unit LD1, LD2 is different (that is,
In FIG. 7, ε 101 ≠ ε 102 and ε 111 ≠ ε 112 ), P2 and P1
Although the pitch of + P2 + P3 has been obtained, LD
Center O of 1-R and LD1-L, and LD2-R and LD2
This is because the center O ′ of −L is displaced in the sub-scanning direction as shown in FIG. If this displacement amount is set to 0 in the main / sub scanning direction as shown in FIG. 8B and O and O ′ coincide with the optical axis C, then P1 = P2 = P3, but only with the rotation adjustment on the light source side. , The amount of deviation cannot be zero.

【0048】この被走査面上におけるピッチの非対称
は、光源側でのシフト量が、δ101≠δ102及びδ111
δ112のように異なっていることにより生じている。そ
こで、δ101=δ102及びδ111=δ112のようにすること
でこの問題を改善することができる。このようにシフト
量を設定すると、ポリゴンミラー反射面近傍で全ての光
ビームを主走査方向に交差させることはできなくなる
が、少なくとも第1の光源部LD1に支持された半導体
レーザ101,102とコリメートレンズ104,10
5の対についてはδ101=δ102という関係を保ちつつa
1と交差させることができるし、第2の光源部LD2に
支持された半導体レーザ111,112とコリメートレ
ンズ114,115の対についてはδ111=δ112という
関係を保ちつつa2と交差させることができる。このよ
うにすることで、ポリゴンミラー反射面に入射する光ビ
ームの主走査方向のばらつきを最小限に抑えながら副走
査ビームピッチの非対称の問題を改善することができ、
ポリゴンミラーの内径を小さくすることができる。
The asymmetry of the pitch on the surface to be scanned means that the shift amount on the light source side is δ 101 ≠ δ 102 and δ 111 ≠.
It is caused by the difference such as δ 112 . Therefore, this problem can be solved by setting δ 101 = δ 102 and δ 111 = δ 112 . When the shift amount is set in this way, it becomes impossible to intersect all the light beams in the main scanning direction in the vicinity of the reflecting surface of the polygon mirror, but at least the semiconductor lasers 101 and 102 supported by the first light source unit LD1 are collimated. Lens 104,10
For the pair of 5, while maintaining the relationship of δ 101 = δ 102, a
1 and the pair of the semiconductor lasers 111 and 112 and the collimating lenses 114 and 115 supported by the second light source unit LD2 can be crossed with a2 while maintaining the relationship of δ 111 = δ 112. it can. By doing so, the problem of asymmetry of the sub-scanning beam pitch can be improved while minimizing the variation in the main scanning direction of the light beam incident on the reflecting surface of the polygon mirror.
The inner diameter of the polygon mirror can be reduced.

【0049】以上の説明は、先に各半導体レーザを主走
査方向にシフトさせて、各光源部LD1、LD2の回転
により被走査面上でピッチP1,P2,P3を得る場合
であったが、例えば第1、第2の光源部LD1、LD2
の支持部材103,113の回転量θ1,θ2を何らか
の事情により小さく抑えたい、または回転させないなど
の理由により、先に主走査方向だけでなく、副走査方向
にもシフトさせて被走査面上でピッチを得る場合も同様
に適用される。また、この調整方法は、第1の光源部L
D1、第2の光源部LD2ともに2以上の偶数個の半導
体レーザ及びコリメートレンズを配列して保持するマル
チビーム光源装置の場合に有効である。
In the above description, the semiconductor lasers are first shifted in the main scanning direction, and the pitches P1, P2 and P3 are obtained on the surface to be scanned by rotating the light source sections LD1 and LD2. For example, the first and second light source units LD1 and LD2
For some reason, the rotation amounts θ1 and θ2 of the support members 103 and 113 are to be kept small for some reason, or are not rotated. For this reason, they are first shifted not only in the main scanning direction but also in the sub-scanning direction and then on the surface to be scanned. The same applies when obtaining the pitch. Further, this adjustment method is performed by the first light source unit L
This is effective in the case of a multi-beam light source device in which both D1 and the second light source unit LD2 have an even number of two or more semiconductor lasers and collimating lenses arranged and held.

【0050】すなわち、図11に示すように、第1の光
源部に支持され、射出軸a1について対称に配置された
半導体レーザのシフト量をδ11=δ12、δ13=δ14、δ
15=δ16、・・・・・・、第2の光源部に支持され、射出軸a
1について対称に配置された半導体レーザのシフト量を
δ21=δ22、δ23=δ24、δ25=δ26、・・・・・・、となる
ようにしておけば、主走査方向については、ポリゴンミ
ラー反射面近傍で第1の光源部に支持された半導体レー
ザから射出される光ビームが射出軸a1と交差するよう
に、また第2の光源部に支持された半導体レーザから射
出される光ビームが射出軸a2と交差するようにするこ
とができ、かつ、副走査方向については被走査面上で所
望のピッチで等間隔の走査線を得ることが可能となる。
That is, as shown in FIG. 11, the shift amounts of the semiconductor lasers supported by the first light source section and arranged symmetrically with respect to the emission axis a1 are δ 11 = δ 12 , δ 13 = δ 14 , δ.
15 = δ 16 , ..., Is supported by the second light source unit and has an emission axis a.
If the shift amounts of the semiconductor lasers arranged symmetrically with respect to 1 are set as δ 21 = δ 22 , δ 23 = δ 24 , δ 25 = δ 26 , ... Is emitted from the semiconductor laser supported by the second light source section so that the light beam emitted from the semiconductor laser supported by the first light source section near the reflection surface of the polygon mirror intersects the emission axis a1. The light beam can be made to intersect the emission axis a2, and in the sub-scanning direction, it becomes possible to obtain scanning lines at equal intervals at a desired pitch on the surface to be scanned.

【0051】なぜなら、第1の光源部についてみると、
各半導体レーザとコリメートレンズは射出軸a1につい
て対称に、第2の光源部についてみると、各半導体レー
ザとコリメートレンズは射出軸a2について対称に配列
されているので、各射出軸a1,a2に関して対称な位
置にある半導体レーザのコリメートレンズ光軸からのシ
フト量のY方向成分(主走査方向成分)が同量であれば
(すなわち、ζ11=ζ12、ζ13=ζ14、ζ15=ζ16、・・
・・・・、ζ21=ζ22、ζ23=ζ24、ζ25=ζ26、・・・・
・)、ポリゴンミラー反射面近傍で、第1の光源部に支
持された各半導体レーザの光ビームが射出軸a1と、第
2の光源部に支持された各半導体レーザの光ビームが射
出軸a2と交差する。
This is because, regarding the first light source section,
The respective semiconductor lasers and the collimator lens are arranged symmetrically with respect to the emission axis a1, and the second light source section is arranged so that the respective semiconductor lasers and the collimator lens are arranged symmetrically with respect to the emission axis a2. If the Y direction component (main scanning direction component) of the shift amount from the optical axis of the collimator lens of the semiconductor laser at the appropriate position is the same amount (that is, ζ 11 = ζ 12 , ζ 13 = ζ 14 , ζ 15 = ζ 16 , ...
..., ζ 21 = ζ 22 , ζ 23 = ζ 24 , ζ 25 = ζ 26 , ...
.), Near the reflecting surface of the polygon mirror, the light beams of the respective semiconductor lasers supported by the first light source unit are emitted from the emission axis a1, and the light beams of the respective semiconductor lasers supported by the second light source unit are emitted from the emission axis a2. Intersect with.

【0052】このとき、半導体レーザのコリメートレン
ズ光軸からのシフト量のδ11=δ12、δ13=δ14、δ15
=δ16、・・・・・・、δ21=δ22、δ23=δ24、δ25
δ26、・・・・・・と、シフト量の主走査方向成分のζ11=ζ
12、ζ13=ζ14、ζ15=ζ16、・・・・・・、ζ21=ζ22、ζ
23=ζ24、ζ25=ζ26、・・・・・が成立しているので、お
のずとシフト量のZ方向成分(副走査方向成分)におい
てもε11=ε12、ε13=ε14、ε15=ε16、・・・・・・、ε
21=ε22、ε23=ε24、ε25=ε26、・・・・・が成立す
る。従って、シフト量のZ方向成分(副走査方向成分)
が各射出軸a1,a2に関して対称に位置する半導体レ
ーザとコリメートレンズの対について同量となり、被走
査面上で所望のピッチが非対称になることを防ぐことが
できる。尚、この関係はこの状態でさらに各光源部に回
転を与えても崩れることがない。
At this time, δ 11 = δ 12 , δ 13 = δ 14 , δ 15 of the shift amount from the optical axis of the collimator lens of the semiconductor laser.
= Δ 16 , ..., δ 21 = δ 22 , δ 23 = δ 24 , δ 25 =
δ 26 , ... And ζ 11 = ζ of the main scanning direction component of the shift amount
12 , ζ 13 = ζ 14 , ζ 15 = ζ 16 , ..., ζ 21 = ζ 22 , ζ
Since 23 = ζ 24 , ζ 25 = ζ 26 , and so on, ε 11 = ε 12 , ε 13 = ε 14 , naturally in the Z direction component (sub-scanning direction component) of the shift amount. ε 15 = ε 16 , ・ ・ ・, ε
21 = ε 22 , ε 23 = ε 24 , ε 25 = ε 26 ,. Therefore, the Z-direction component of the shift amount (sub-scanning direction component)
Becomes the same amount for the pair of the semiconductor laser and the collimator lens which are symmetrically positioned with respect to the emission axes a1 and a2, and it is possible to prevent the desired pitch from becoming asymmetric on the surface to be scanned. It should be noted that this relationship does not collapse even if each light source unit is further rotated in this state.

【0053】次に、図4に示すような3ビーム光源ユニ
ットの場合、図4で判るように4ビーム光源ユニットと
の違いは第1の光源部の構成が異なることだけである。
第1の光源部LD1では射出軸上に半導体レーザ12
1、コリメートレンズ122が配置され支持部材123
に支持される。また、第2の光源部LD2は射出軸に対
称に2つの半導体レーザ111,112と2つのコリメ
ートレンズ114,115が配置され支持部材113に
支持される。
Next, in the case of the three-beam light source unit as shown in FIG. 4, the difference from the four-beam light source unit is that the configuration of the first light source section is different, as can be seen in FIG.
In the first light source unit LD1, the semiconductor laser 12 is placed on the emission axis.
1, a collimating lens 122 is arranged and a supporting member 123
Supported by. Further, the second light source unit LD2 is provided with two semiconductor lasers 111 and 112 and two collimator lenses 114 and 115 arranged symmetrically with respect to the emission axis and supported by the support member 113.

【0054】図9は上記3ビーム光源ユニットを図3に
示す構成の光走査装置に搭載した場合の被走査面上にお
ける各ビームスポットの配列を示している。副走査ビー
ムピッチPの調整は、第2の光源部LD2からの光ビー
ムによるLD2−RとLD2−Lのビームスポット間隔
が2Pとなるように第2の光源部LD2の支持部材11
3の傾きを合わせてベース部材201に固定すればよ
く、第1の光源部LD1を固定する際には調整が不要で
ある。尚、この例の場合も当然ながら、第2の光源部L
D2の各半導体レーザ111,112のコリメートレン
ズ光軸に対するシフト量δ111,δ112は同量(δ111
δ112)に調整されている。
FIG. 9 shows the arrangement of the beam spots on the surface to be scanned when the above three-beam light source unit is mounted on the optical scanning device having the configuration shown in FIG. The adjustment of the sub-scanning beam pitch P is performed by the support member 11 of the second light source unit LD2 so that the beam spot distance between the LD2-R and LD2-L by the light beam from the second light source unit LD2 becomes 2P.
It suffices to fix the first light source unit LD1 to the base member 201 with the inclinations of 3 aligned, and no adjustment is necessary when fixing the first light source unit LD1. In the case of this example as well, the second light source unit L
The shift amounts δ 111 and δ 112 of the semiconductor lasers 111 and 112 of D2 with respect to the optical axis of the collimator lens are the same (δ 111 =
δ 112 ) has been adjusted.

【0055】尚、各光源部について半導体レーザ及びコ
リメーレンズの数を増やし、3つ以上の半導体レーザ及
びコリメートレンズを配列して保持することも可能であ
り、その数が奇数個の場合には上記3ビーム光源ユニッ
トにおける第1の光源部と同様に、奇数個の半導体レー
ザとコリメートレンズとを主走査方向に配列しその中央
に位置する半導体レーザとコリメートレンズを射出軸上
に配置してこれらを支持部材で一体的に支持すればよい
し、偶数個であれば第2の光源部と同様に、偶数個の半
導体レーザとコリメートレンズとを主走査方向に射出軸
に対称に配列してこれらを支持部材で一体的に支持すれ
ばよい。また、各光源部について3つ以上の半導体レー
ザ及びコリメートレンズを配列して保持する場合にも、
射出軸に対して対称な位置にある半導体レーザとコリメ
ートレンズの対については、半導体レーザのコリメート
レンズ光軸からのシフト量が同量となるように調整する
とよい。
It is also possible to increase the number of semiconductor lasers and collimator lenses for each light source section and arrange and hold three or more semiconductor lasers and collimator lenses. Similar to the first light source unit in the beam light source unit, an odd number of semiconductor lasers and collimator lenses are arranged in the main scanning direction, and the semiconductor lasers and collimator lenses located at the center are arranged on the emission axis to support them. It may be integrally supported by a member, or if it is an even number, similarly to the second light source unit, an even number of semiconductor lasers and collimator lenses are arranged symmetrically with respect to the emission axis in the main scanning direction to support them. The members may be integrally supported. In addition, when arraying and holding three or more semiconductor lasers and collimating lenses for each light source unit,
For the pair of the semiconductor laser and the collimator lens that are symmetric with respect to the emission axis, it is advisable to adjust the shift amounts of the semiconductor laser from the optical axis of the collimator lens to be the same.

【0056】さて、以上に示したマルチビーム光源装置
は図3に示す構成のマルチビーム光走査装置の光源とし
て搭載されるが、マルチビーム光走査装置の構成、動
作、及び副走査方向のビームピッチの検出、補正方法等
に関しては既に実施例1で説明しているので、ここでは
説明を省略する。
The multi-beam light source device described above is mounted as a light source of the multi-beam optical scanning device having the configuration shown in FIG. 3, but the configuration, operation, and beam pitch in the sub-scanning direction of the multi-beam optical scanning device are mounted. Since the detection and correction methods of 1 have already been described in the first embodiment, the description thereof will be omitted here.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る発
明では、偶数個の半導体レーザと該半導体レーザと対で
設けられ半導体レーザからの光ビームを平行光束にする
偶数個のコリメートレンズと上記偶数個の半導体レーザ
とコリメートレンズとを主走査方向に射出軸に対称に配
列しこれらを一体的に支持する支持部材とを有する第1
の光源部と、上記第1の光源部と同様に構成した第2の
光源部と、上記第1、第2の光源部の光ビームを副走査
方向に近接させて射出するビーム合成手段とからなるマ
ルチビーム光源装置において、上記第1の光源部の射出
軸と第2の光源部の射出軸とが主走査方向に所定角度隔
たるように配備したことにより、光源部間の配置精度や
ビーム合成プリズムの角度誤差等によるビーム合成後の
射出軸のずれを調整により吸収できるので、部品精度や
コリメートレンズを固定する際の調整精度が緩和でき、
生産性のよいマルチビーム光源ユニットを提供すること
ができる。
As described above, in the invention according to the first aspect, an even number of semiconductor lasers and an even number of collimating lenses that are provided in pairs with the semiconductor lasers and that convert the light beams from the semiconductor lasers into parallel light beams are provided. A first member having a support member for arranging the even number of semiconductor lasers and the collimator lens symmetrically with respect to the emission axis in the main scanning direction and integrally supporting them.
Light source section, a second light source section configured in the same manner as the first light source section, and a beam combining means for emitting the light beams of the first and second light source sections in the sub-scanning direction in close proximity to each other. In the multi-beam light source device, the emission axis of the first light source unit and the emission axis of the second light source unit are arranged so as to be separated from each other by a predetermined angle in the main scanning direction. Since the deviation of the exit axis after beam combining due to the angle error of the combining prism etc. can be absorbed by adjustment, the component accuracy and the adjustment accuracy when fixing the collimator lens can be eased,
A multi-beam light source unit with good productivity can be provided.

【0058】請求項2に係る発明では、奇数個の半導体
レーザと該半導体レーザと対で設けられ半導体レーザか
らの光ビームを平行光束にする奇数個のコリメートレン
ズと上記奇数個の半導体レーザとコリメートレンズとを
主走査方向に配列しその中央に位置する半導体レーザを
射出軸上に配置してこれらを一体的に支持する支持部材
とを有する第1の光源部と、偶数個の半導体レーザと該
半導体レーザと対で設けられ半導体レーザからの光ビー
ムを平行光束にする偶数個のコリメートレンズと上記偶
数個の半導体レーザとコリメートレンズとを主走査方向
に射出軸に対称に配列しこれらを一体的に支持する支持
部材とを有する第2の光源部と、上記第1、第2の光源
部の光ビームを副走査方向に近接させて射出するビーム
合成手段とからなるマルチビーム光源装置において、上
記第1の光源部の射出軸と第2の光源部の射出軸とが主
走査方向に所定角度隔たるように配備したことにより、
光源部間の配置精度やビーム合成プリズムの角度誤差等
によるビーム合成後の射出軸のずれを調整により吸収で
きるので、部品精度やコリメートレンズを固定する際の
調整精度が緩和でき、生産性のよいマルチビーム光源ユ
ニットを提供することができる。
According to the second aspect of the present invention, an odd number of semiconductor lasers, an odd number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor lasers, and collimate the light beam from the semiconductor lasers into a parallel light flux, and the odd number of semiconductor lasers and the collimator. A first light source unit having a lens arranged in the main scanning direction and a semiconductor laser located at the center thereof arranged on the emission axis to integrally support them; an even number of semiconductor lasers; An even number of collimator lenses, which are provided in pairs with the semiconductor laser and convert the light beam from the semiconductor laser into a parallel light flux, and the even number of semiconductor lasers and the collimator lens are arranged symmetrically with respect to the emission axis in the main scanning direction, and these are integrated. A second light source section having a supporting member for supporting the first and second light source sections, and a beam combining means for emitting the light beams of the first and second light source sections in the sub-scanning direction in close proximity to each other. In multi-beam light source apparatus, by which deployed as spaced a predetermined angle in the main scanning direction and the injection axis of the injection axis and the second light source section of the first light source,
Since the deviation of the exit axis after beam combining due to the positional accuracy between the light source parts and the angle error of the beam combining prism, etc. can be absorbed by adjustment, the accuracy of parts and the adjustment accuracy when fixing the collimator lens can be eased, resulting in good productivity. A multi-beam light source unit can be provided.

【0059】請求項3に係る発明では、請求項1または
2に記載のマルチビーム光源装置において、上記第1、
第2の光源部、及びビーム合成手段を、実質一体的にモ
ジュール化して保持する保持部材を設け、該保持部材を
(マルチビーム光源装置からの複数の光ビームを被走査
面上に集光してビームスポットを形成し主走査方向に走
査する)走査光学手段に対して該走査光学手段の光軸
(回転基準)Cを回転中心として回動可能に支持してな
ると共に、上記第1の光源部の射出軸と第2の光源部の
射出軸とが上記光軸Cに対して主走査方向に対称となる
ように配備したことにより、光源ユニットを組み付けた
後に光走査装置の光学ユニットに取り付けても、所定の
ビームピッチに補正できるので、組み立て効率が向上
し、光源ユニットのみでの交換が可能となり、修理コス
トを低減することができる。
In the invention according to claim 3, in the multi-beam light source device according to claim 1 or 2,
A holding member for holding the second light source section and the beam combining means in a substantially integrated module is provided, and the holding member is used to collect a plurality of light beams from the multi-beam light source device on the surface to be scanned. A beam spot to form a beam spot to scan in the main scanning direction) and is rotatably supported by an optical axis (rotational reference) C of the scanning optical means with respect to the scanning optical means. Since the emission axis of the light source unit and the emission axis of the second light source unit are arranged symmetrically with respect to the optical axis C in the main scanning direction, the light source unit is assembled and then attached to the optical unit of the optical scanning device. However, since the beam pitch can be corrected to a predetermined beam pitch, the assembling efficiency is improved, the replacement can be performed only with the light source unit, and the repair cost can be reduced.

【0060】上記の構成のマルチビーム光源装置におい
ては、環境温度変化に伴い支持部材の膨張率とベース部
材の膨張率とに差があると、いずれか膨張率が大きい方
が歪んで(撓んで)ビームの射出方向(角度)が変化し
ビームピッチの変動が増幅されてしまうことがあるが、
請求項4に係る発明では、第1、第2の光源部の支持部
材の材質と、該支持部材が固定される保持部材のベース
部材の材質とを同一としたことにより、環境温度変化に
よる膨張率が同じで歪み(撓み)が生じないので、比較
的ビームピッチへの影響が小さい平行移動分のみです
み、経時においても安定した画像形成を行うことができ
る。
In the multi-beam light source device having the above-described structure, if there is a difference between the expansion coefficient of the support member and the expansion coefficient of the base member due to the change in environmental temperature, the one with the higher expansion coefficient is distorted (flexed). ) The emission direction (angle) of the beam may change and the fluctuation of the beam pitch may be amplified.
In the invention according to claim 4, since the material of the supporting member of the first and second light source portions and the material of the base member of the holding member to which the supporting member is fixed are made the same, expansion due to environmental temperature change Since the rate is the same and no distortion (deflection) occurs, only a parallel movement that has a relatively small effect on the beam pitch is required, and stable image formation can be performed over time.

【0061】請求項5に係る発明では、請求項3に記載
のマルチビーム光源装置において、被走査面上での第
1、第2の光源部の射出軸間隔を各光源部からのビーム
スポットの隣接する間隔の1/4以下に設定したことに
より、走査光学手段での例えばトロイダルレンズの配置
誤差や環境温度変動等に伴う走査線の傾きがあっても、
光源ユニットの水平方向をそれに合わせて所定のビーム
ピッチに補正できるので、組み立て効率が向上し、経時
においても安定した画像形成を行うことができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the multi-beam light source device according to the third aspect, the distance between the emission axes of the first and second light source sections on the surface to be scanned is set to the beam spot from each light source section. By setting the distance to be ¼ or less of the adjacent intervals, even if there is an inclination of the scanning line due to an arrangement error of the toroidal lens in the scanning optical means, environmental temperature fluctuation, or the like,
Since the horizontal direction of the light source unit can be corrected to a predetermined beam pitch accordingly, the assembly efficiency is improved, and stable image formation can be performed over time.

【0062】請求項6に係る発明では、請求項3に記載
のマルチビーム光源装置において、保持部材を、光軸
(回転基準)Cを回転中心として回動可能とする位置決
め手段と、第1、第2の光源部について上記保持部材に
対し射出軸を回転中心として回動可能とする位置決め手
段とを具備したことにより、上記した3軸の回転調整の
みで副走査方向のビームピッチが設定できるので、作業
が簡素化でき組み立て効率を向上することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the multi-beam light source device according to the third aspect, the holding member is provided with a positioning means that is rotatable about an optical axis (rotational reference) C as a center of rotation. Since the second light source unit is provided with the positioning means that is rotatable about the emission member with respect to the holding member, the beam pitch in the sub-scanning direction can be set only by adjusting the rotation of the three axes. The work can be simplified and the assembly efficiency can be improved.

【0063】請求項7に係る発明では、偶数個の半導体
レーザと、該半導体レーザと対で設けられ半導体レーザ
からの光ビームを平行光束にする偶数個のコリメートレ
ンズと、上記偶数個の半導体レーザとコリメートレンズ
とを主走査方向に射出軸に対称に配列しこれらを一体的
に支持する支持部材とを有する第1の光源部と、上記第
1の光源部と同様に構成した第2の光源部と、上記第
1、第2の光源部の光ビームを副走査方向に近接させて
射出するビーム合成手段とからなるマルチビーム光源装
置において、上記第1、第2の光源部の射出軸に対して
対称な位置にある半導体レーザとコリメートレンズの対
について、半導体レーザのコリメートレンズ光軸からの
シフト量が同量であることにより、副走査ビームピッチ
の非対称が軽減された走査線を得ることができるので、
被走査面上での副走査の走査線間隔が等間隔に維持さ
れ、経時においても安定した画像形成が行えるようにし
た、高品位な画像記録を行うことができるマルチビーム
光源装置を提供することができる。
In the invention according to claim 7, an even number of semiconductor lasers, an even number of collimating lenses which are provided in pairs with the semiconductor lasers and collimate a light beam from the semiconductor lasers into a parallel luminous flux, and the even number of semiconductor lasers. And a collimator lens symmetrically arranged in the main scanning direction with respect to the emission axis, and a support member integrally supporting them, and a second light source configured in the same manner as the first light source unit. And a beam synthesizing means for emitting the light beams of the first and second light source parts in close proximity to each other in the sub-scanning direction, the multi-beam light source device comprising: an emission axis of the first and second light source parts. With respect to the pair of the semiconductor laser and the collimator lens which are symmetrical with respect to each other, the shift amount from the optical axis of the collimator lens of the semiconductor laser is the same amount, so that the asymmetry of the sub-scanning beam pitch is reduced. It is possible to obtain a scan line,
To provide a multi-beam light source device capable of performing high-quality image recording, in which sub-scanning scanning line intervals on a surface to be scanned are maintained at equal intervals and stable image formation can be performed even over time. You can

【0064】請求項8に係る発明では、奇数個の半導体
レーザと、該半導体レーザと対で設けられ半導体レーザ
からの光ビームを平行光束にする奇数個のコリメートレ
ンズと、上記奇数個の半導体レーザとコリメートレンズ
とを主走査方向に配列しその中央に位置する半導体レー
ザを射出軸上に配置してこれらを一体的に支持する支持
部材とを有する第1の光源部と、偶数個の半導体レーザ
と、該半導体レーザと対で設けられ半導体レーザからの
光ビームを平行光束にする偶数個のコリメートレンズ
と、上記偶数個の半導体レーザとコリメートレンズとを
主走査方向に射出軸に対称に配列しこれらを一体的に支
持する支持部材とを有する第2の光源部と、上記第1、
第2の光源部の光ビームを副走査方向に近接させて射出
するビーム合成手段とからなるマルチビーム光源装置に
おいて、上記第1、第2の光源部の射出軸に対して対称
な位置にある半導体レーザとコリメートレンズの対につ
いて、半導体レーザのコリメートレンズ光軸からのシフ
ト量が同量であることにより、副走査ビームピッチの非
対称が軽減された走査線を得ることができるので、被走
査面上での副走査の走査線間隔が等間隔に維持され、経
時においても安定した画像形成が行えるようにした、高
品位な画像記録を行うことができるマルチビーム光源装
置を提供することができる。
In the invention according to claim 8, an odd number of semiconductor lasers, an odd number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor lasers and convert a light beam from the semiconductor lasers into a parallel luminous flux, and the odd number of semiconductor lasers. And a collimator lens are arranged in the main scanning direction, a semiconductor laser located at the center thereof is arranged on the emission axis, and a supporting member integrally supporting them is provided, and an even number of semiconductor lasers are provided. And an even number of collimator lenses that are provided as a pair with the semiconductor laser and convert the light beam from the semiconductor laser into a parallel light flux, and the even number of semiconductor lasers and the collimator lenses are arranged symmetrically with respect to the emission axis in the main scanning direction. A second light source unit having a support member that integrally supports these;
In a multi-beam light source device including a beam synthesizing means for emitting the light beams of the second light source unit in close proximity to each other in the sub-scanning direction, the multi-beam light source device is located symmetrically with respect to the emission axes of the first and second light source units. For the pair of the semiconductor laser and the collimator lens, since the shift amount from the optical axis of the collimator lens of the semiconductor laser is the same amount, it is possible to obtain the scanning line in which the asymmetry of the sub-scanning beam pitch is reduced. It is possible to provide a multi-beam light source device capable of performing high-quality image recording in which the above-described sub-scanning scanning line intervals are maintained at equal intervals and stable image formation can be performed over time.

【0065】請求項9に係る発明では、請求項7または
8に記載のマルチビーム光源装置において、半導体レー
ザのコリメートレンズ光軸からのシフトが、第1の光源
部に支持された複数の半導体レーザから射出された主光
線が、光走査装置の回転多面鏡近傍で第1の光源部の射
出軸と主走査方向で交差し、第2の光源部に支持された
複数の半導体レーザから射出された主光線が、光走査装
置の回転多面鏡近傍で第2の光源部の射出軸と主走査方
向で交差するように設定されていることにより、回転多
面鏡の反射面に入射する光ビームの主走査方向のばらつ
きを最小限に抑えながら副走査ビームピッチの非対称の
問題を改善することができ、回転多面鏡の内径を最小に
抑えることができる。
According to a ninth aspect of the invention, in the multi-beam light source device according to the seventh or eighth aspect, the shift of the semiconductor laser from the optical axis of the collimating lens is a plurality of semiconductor lasers supported by the first light source section. The main light beam emitted from the laser beam crosses the emission axis of the first light source unit in the main scanning direction in the vicinity of the rotary polygon mirror of the optical scanning device, and is emitted from the plurality of semiconductor lasers supported by the second light source unit. Since the chief ray is set so as to intersect the emission axis of the second light source unit in the main scanning direction in the vicinity of the rotary polygon mirror of the optical scanning device, the main beam of the light beam incident on the reflecting surface of the rotary polygon mirror is set. The problem of asymmetry of the sub-scanning beam pitch can be improved while minimizing the variation in the scanning direction, and the inner diameter of the rotary polygon mirror can be minimized.

【0066】請求項10に係る発明では、請求項7,8
または9に記載のマルチビーム光源装置において、上記
第1の光源部の射出軸と第2の光源部の射出軸とが主走
査方向に隔たるように配備したことにより、光源部間の
配置精度やプリズムの角度誤差等によるビーム合成後の
射出軸のずれを調整により吸収し、部品精度やコリメー
トレンズを固定する際の調整精度が緩和でき、生産性の
良い光源ユニットを提供できる。
In the invention according to claim 10, claims 7 and 8 are provided.
Alternatively, in the multi-beam light source device according to the ninth aspect, since the emission axis of the first light source section and the emission axis of the second light source section are arranged so as to be separated from each other in the main scanning direction, arrangement accuracy between the light source sections is improved. It is possible to provide a light source unit with high productivity by absorbing the deviation of the emission axis after beam combining due to the angle error of the prism and the prism by adjustment, and relaxing the component accuracy and the adjustment accuracy when fixing the collimator lens.

【0067】請求項11に係る発明では、請求項7,
8,9または10に記載のマルチビーム光源装置におい
て、上記第1、第2の光源部、及びビーム合成手段を実
質一体的にモジュール化して保持する保持部材を設け、
(マルチビーム光源装置からの複数の光ビームを被走査
面上に集光してビームスポットを形成し主走査方向に走
査する)走査光学手段に対して該走査光学手段の光軸
(回転基準)Cを回転中心として回動可能に支持してな
ると共に、上記第1の光源部と第2の光源部は上記保持
部材に対して各々の射出軸を回転中心として独立に回動
可能であることにより、回転調整のみで副走査ビームピ
ッチの調整ができるので、作業が簡素化でき組み立て効
率を向上することができる。
According to the invention of claim 11, claim 7,
8. The multi-beam light source device according to 8, 9, or 10, wherein a holding member that holds the first and second light source units and the beam synthesizing means as a module by substantially integrating them is provided.
(A plurality of light beams from the multi-beam light source device are condensed on the surface to be scanned to form a beam spot and scanning is performed in the main scanning direction) Optical axis of the scanning optical means (rotation reference) with respect to the scanning optical means The first light source section and the second light source section are independently rotatable with respect to the holding member, while being rotatably supported about C as a rotation center. Thus, the sub-scanning beam pitch can be adjusted only by adjusting the rotation, so that the work can be simplified and the assembling efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す図であって、4ビーム
のマルチビーム光源装置の概略構成を分解した状態で示
す斜視図である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention and is a perspective view showing a schematic configuration of a 4-beam multi-beam light source device in an exploded state.

【図2】図1に示す4ビームのマルチビーム光源装置の
要部構成の説明図であって、(a)はマルチビーム光源
装置の第1の光源部のX,Y方向に平行な断面の様子を
示す図、(b)はマルチビーム光源装置の4つの半導体
レーザをX方向裏面側から見たときの配置位置を示す図
である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a main part configuration of the 4-beam multi-beam light source device shown in FIG. 1, in which FIG. FIG. 3B is a diagram showing a state in which four semiconductor lasers of the multi-beam light source device are arranged when viewed from the back side in the X direction.

【図3】図1に示すマルチビーム光源装置を光源ユニッ
トとして搭載した光走査装置の概要を示す構成説明図で
ある。
FIG. 3 is a structural explanatory view showing an outline of an optical scanning device equipped with the multi-beam light source device shown in FIG. 1 as a light source unit.

【図4】本発明の別の実施例を示す図であって、3ビー
ムのマルチビーム光源装置の概略構成を分解した状態で
示す斜視図である。
FIG. 4 is a view showing another embodiment of the present invention and is a perspective view showing a schematic configuration of a three-beam multi-beam light source device in an exploded state.

【図5】図1,2に示す4ビームのマルチビーム光源装
置を用いた場合の被走査面上のビームスポットの配列例
と、副走査方向のビームピッチ調整方法の一例を示す図
である。
5 is a diagram showing an example of an array of beam spots on a surface to be scanned and an example of a beam pitch adjusting method in the sub-scanning direction when the multi-beam light source device for four beams shown in FIGS.

【図6】図4に示す3ビームのマルチビーム光源装置を
用いた場合の被走査面上のビームスポットの配列例と、
副走査方向のビームピッチ調整方法の一例を示す図であ
る。
6 is an example of an array of beam spots on a surface to be scanned when the 3-beam multi-beam light source device shown in FIG. 4 is used,
It is a figure which shows an example of the beam pitch adjustment method of a subscanning direction.

【図7】図1に示す4ビームのマルチビーム光源装置の
要部構成の別の説明図であって、(a)はマルチビーム
光源装置の第1の光源部のX,Y方向に平行な断面の様
子を示す図、(b)はマルチビーム光源装置の4つの半
導体レーザをX方向裏面側から見たときの配置位置を示
す図である。
FIG. 7 is another explanatory diagram of the main part configuration of the 4-beam multi-beam light source device shown in FIG. 1, in which (a) is parallel to the X and Y directions of the first light source part of the multi-beam light source device. FIG. 6B is a diagram showing a cross-sectional state, and FIG. 6B is a diagram showing arrangement positions when four semiconductor lasers of the multi-beam light source device are viewed from the back side in the X direction.

【図8】図1,7に示す4ビームのマルチビーム光源装
置を用いた場合の被走査面上のビームスポットの配列例
と、副走査方向のビームピッチ調整方法の一例を示す図
である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of an array of beam spots on a surface to be scanned and an example of a beam pitch adjusting method in the sub-scanning direction when the multi-beam light source device of four beams shown in FIGS.

【図9】図4に示す3ビームのマルチビーム光源装置を
用いた場合の被走査面上のビームスポットの配列例と、
副走査方向のビームピッチ調整方法の別の例を示す図で
ある。
9 is an arrangement example of beam spots on a surface to be scanned when the 3-beam multi-beam light source device shown in FIG. 4 is used,
It is a figure which shows another example of the beam pitch adjustment method of a subscanning direction.

【図10】4ビームのマルチビーム光源装置における第
1、第2の光源部の各半導体レーザのコリメートレンズ
光軸からのシフト量の説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of a shift amount of each semiconductor laser of the first and second light source units in the 4-beam multi-beam light source device from the optical axis of the collimator lens.

【図11】第1、第2の光源部ともに2以上の偶数個の
半導体レーザ及びコリメートレンズを配列して保持する
マルチビーム光源装置における第1、第2の光源部の各
半導体レーザのコリメートレンズ光軸からのシフト量の
説明図である。
FIG. 11 is a collimator lens of each semiconductor laser of the first and second light source units in the multi-beam light source device in which the first and second light source units both have an even number of two or more semiconductor lasers and collimator lenses arranged and held. It is explanatory drawing of the shift amount from an optical axis.

【図12】従来のビーム合成手段の一例を示す図であ
る。
FIG. 12 is a diagram showing an example of conventional beam combining means.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,102,111,112,121:半導体レー
ザ 103,113,123:支持部材 104,105,114,115,122:コリメート
レンズ 201:ベース部材(保持部材) 202:ビーム合成プリズム(ビーム合成手段) 203:ホルダー(保持部材) 301:マルチビーム光源ユニット 302:シリンダレンズ 303:ポリゴンミラー 304:fθレンズ 305:同期検知用ミラー 306:同期検知センサー 307:折り返しミラー 308:トロイダルレンズ 309:感光体 309a:被走査面 310:パルスモータ 311:ピッチ演算部 312:モータ制御部 LD1:第1の光源部 LD2:第2の光源部
101, 102, 111, 112, 121: Semiconductor lasers 103, 113, 123: Support members 104, 105, 114, 115, 122: Collimating lens 201: Base member (holding member) 202: Beam combining prism (beam combining means) 203: Holder (holding member) 301: Multi-beam light source unit 302: Cylinder lens 303: Polygon mirror 304: fθ lens 305: Synchronization detection mirror 306: Synchronization detection sensor 307: Folding mirror 308: Toroidal lens 309: Photoconductor 309a: Surface to be scanned 310: Pulse motor 311: Pitch calculator 312: Motor controller LD1: First light source unit LD2: Second light source unit

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光源からの光ビームを走査光学手段で被走
査面上に集光してビームスポットを形成し主走査方向に
走査する光走査装置において上記光源として用いられ複
数の光ビームを射出するマルチビーム光源装置であっ
て、 偶数個の半導体レーザと、該半導体レーザと対で設けら
れ半導体レーザからの光ビームを平行光束にする偶数個
のコリメートレンズと、上記偶数個の半導体レーザとコ
リメートレンズとを主走査方向に射出軸に対称に配列し
これらを一体的に支持する支持部材とを有する第1の光
源部と、上記第1の光源部と同様に構成した第2の光源
部と、上記第1、第2の光源部の光ビームを副走査方向
に近接させて射出するビーム合成手段とからなるマルチ
ビーム光源装置において、 上記第1の光源部の射出軸と第2の光源部の射出軸とが
主走査方向に所定角度隔たるように配備したことを特徴
とするマルチビーム光源装置。
1. A plurality of light beams used as the above-mentioned light source in an optical scanning device for converging a light beam from a light source on a surface to be scanned by a scanning optical means to form a beam spot and scanning in the main scanning direction. Which is an even number of semiconductor lasers, an even number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor lasers to collimate a light beam from the semiconductor lasers into a parallel light flux, and the even number of semiconductor lasers and collimator A first light source unit having a lens and a supporting member that symmetrically arranges the lenses in the main scanning direction with respect to the emission axis and integrally supports the lenses; and a second light source unit configured similarly to the first light source unit. A multi-beam light source device comprising a beam combining means for emitting the light beams of the first and second light source parts in close proximity to each other in the sub-scanning direction, the emission axis of the first light source part and the second light source part. Multi-beam light source apparatus characterized by the injection shaft is deployed as spaced a predetermined angle in the main scanning direction.
【請求項2】光源からの光ビームを走査光学手段で被走
査面上に集光してビームスポットを形成し主走査方向に
走査する光走査装置において上記光源として用いられ複
数の光ビームを射出するマルチビーム光源装置であっ
て、 奇数個の半導体レーザと、該半導体レーザと対で設けら
れ半導体レーザからの光ビームを平行光束にする奇数個
のコリメートレンズと、上記奇数個の半導体レーザとコ
リメートレンズとを主走査方向に配列しその中央に位置
する半導体レーザを射出軸上に配置してこれらを一体的
に支持する支持部材とを有する第1の光源部と、偶数個
の半導体レーザと、該半導体レーザと対で設けられ半導
体レーザからの光ビームを平行光束にする偶数個のコリ
メートレンズと、上記偶数個の半導体レーザとコリメー
トレンズとを主走査方向に射出軸に対称に配列しこれら
を一体的に支持する支持部材とを有する第2の光源部
と、上記第1、第2の光源部の光ビームを副走査方向に
近接させて射出するビーム合成手段とからなるマルチビ
ーム光源装置において、 上記第1の光源部の射出軸と第2の光源部の射出軸とが
主走査方向に所定角度隔たるように配備したことを特徴
とするマルチビーム光源装置。
2. A plurality of light beams used as the light source in an optical scanning device for converging a light beam from a light source on a surface to be scanned by a scanning optical means to form a beam spot and scanning in the main scanning direction. A multi-beam light source device, wherein an odd number of semiconductor lasers, an odd number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor lasers and convert the light beam from the semiconductor lasers into a parallel light beam, and the odd number of semiconductor lasers and collimator A first light source unit having a lens and a support member that integrally arranges the semiconductor lasers arranged at the center thereof in the main scanning direction on the emission axis and integrally supports them; and an even number of semiconductor lasers, Mainly includes an even number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor laser and convert the light beam from the semiconductor laser into a parallel light flux, and the even number of semiconductor lasers and collimator lenses. A second light source section having a support member that is arranged symmetrically with respect to the emission axis in the scanning direction and integrally supports them, and the light beams of the first and second light source sections are emitted close to each other in the sub-scanning direction. In the multi-beam light source device including the beam synthesizing means, the emission axis of the first light source section and the emission axis of the second light source section are arranged so as to be separated by a predetermined angle in the main scanning direction. Multi-beam light source device.
【請求項3】請求項1または2に記載のマルチビーム光
源装置において、上記第1、第2の光源部、及びビーム
合成手段を、実質一体的にモジュール化して保持する保
持部材を設け、該保持部材を(マルチビーム光源装置か
らの複数の光ビームを被走査面上に集光してビームスポ
ットを形成し主走査方向に走査する)走査光学手段に対
して該走査光学手段の光軸(回転基準)Cを回転中心と
して回動可能に支持してなると共に、上記第1の光源部
の射出軸と第2の光源部の射出軸とが上記光軸Cに対し
て主走査方向に対称となるように配備したことを特徴と
するマルチビーム光源装置。
3. The multi-beam light source device according to claim 1, further comprising a holding member for holding the first and second light source units and the beam synthesizing means in a substantially integrated module. An optical axis of the holding optical member of the scanning optical means (for scanning a plurality of light beams from the multi-beam light source device on the surface to be scanned to form a beam spot and scanning in the main scanning direction) It is rotatably supported with a rotation reference C as the center of rotation, and the emission axis of the first light source section and the emission axis of the second light source section are symmetrical with respect to the optical axis C in the main scanning direction. The multi-beam light source device is characterized by being installed so that
【請求項4】請求項3に記載のマルチビーム光源装置に
おいて、上記第1、第2の光源部の支持部材の材質と、
該支持部材が固定される上記保持部材のベース部材の材
質とを同一としたことを特徴とするマルチビーム光源装
置。
4. The multi-beam light source device according to claim 3, wherein the materials of the supporting members of the first and second light source parts are:
A multi-beam light source device, wherein the material of the base member of the holding member to which the support member is fixed is the same.
【請求項5】請求項3に記載のマルチビーム光源装置に
おいて、被走査面上での上記第1、第2の光源部の射出
軸間隔を各光源部からのビームスポットの隣接する間隔
の1/4以下に設定したことを特徴とするマルチビーム
光源装置。
5. The multi-beam light source device according to claim 3, wherein the emission axis intervals of the first and second light source sections on the surface to be scanned are set to 1 times the intervals between adjacent beam spots from each light source section. A multi-beam light source device characterized by being set to / 4 or less.
【請求項6】請求項3に記載のマルチビーム光源装置に
おいて、上記保持部材を、上記光軸(回転基準)Cを回
転中心として回動可能とする位置決め手段と、第1、第
2の光源部について上記保持部材に対し射出軸を回転中
心として回動可能とする位置決め手段とを具備したこと
を特徴とするマルチビーム光源装置。
6. The multi-beam light source device according to claim 3, wherein the holding member is rotatable about the optical axis (rotational reference) C as a rotation center, and first and second light sources. A multi-beam light source device, characterized in that it has a positioning means that is rotatable with respect to the holding member with respect to the holding member about an emission axis.
【請求項7】光源からの光ビームを走査光学手段で被走
査面上に集光してビームスポットを形成し主走査方向に
走査する光走査装置において上記光源として用いられ複
数の光ビームを射出するマルチビーム光源装置であっ
て、 偶数個の半導体レーザと、該半導体レーザと対で設けら
れ半導体レーザからの光ビームを平行光束にする偶数個
のコリメートレンズと、上記偶数個の半導体レーザとコ
リメートレンズとを主走査方向に射出軸に対称に配列し
これらを一体的に支持する支持部材とを有する第1の光
源部と、上記第1の光源部と同様に構成した第2の光源
部と、上記第1、第2の光源部の光ビームを副走査方向
に近接させて射出するビーム合成手段とからなるマルチ
ビーム光源装置において、 上記第1、第2の光源部の射出軸に対して対称な位置に
ある半導体レーザとコリメートレンズの対について、半
導体レーザのコリメートレンズ光軸からのシフト量が同
量であることを特徴とするマルチビーム光源装置。
7. A plurality of light beams are used as the light source in an optical scanning device for converging a light beam from a light source on a surface to be scanned by a scanning optical means to form a beam spot and scanning in the main scanning direction. Which is an even number of semiconductor lasers, an even number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor lasers to collimate a light beam from the semiconductor lasers into a parallel light flux, and the even number of semiconductor lasers and collimator A first light source unit having a lens and a supporting member that symmetrically arranges the lenses in the main scanning direction with respect to the emission axis and integrally supports the lenses; and a second light source unit configured similarly to the first light source unit. A multi-beam light source device comprising the beam combining means for emitting the light beams of the first and second light source parts in the sub-scanning direction in close proximity to each other, with respect to the emission axes of the first and second light source parts. The pair of semiconductor laser and a collimator lens in the referred position, the multi-beam light source and wherein the shift amount from the collimating lens optical axis of the semiconductor laser is the same amount.
【請求項8】光源からの光ビームを走査光学手段で被走
査面上に集光してビームスポットを形成し主走査方向に
走査する光走査装置において上記光源として用いられ複
数の光ビームを射出するマルチビーム光源装置であっ
て、 奇数個の半導体レーザと、該半導体レーザと対で設けら
れ半導体レーザからの光ビームを平行光束にする奇数個
のコリメートレンズと、上記奇数個の半導体レーザとコ
リメートレンズとを主走査方向に配列しその中央に位置
する半導体レーザを射出軸上に配置してこれらを一体的
に支持する支持部材とを有する第1の光源部と、偶数個
の半導体レーザと、該半導体レーザと対で設けられ半導
体レーザからの光ビームを平行光束にする偶数個のコリ
メートレンズと、上記偶数個の半導体レーザとコリメー
トレンズとを主走査方向に射出軸に対称に配列しこれら
を一体的に支持する支持部材とを有する第2の光源部
と、上記第1、第2の光源部の光ビームを副走査方向に
近接させて射出するビーム合成手段とからなるマルチビ
ーム光源装置において、 上記第1、第2の光源部の射出軸に対して対称な位置に
ある半導体レーザとコリメートレンズの対について、半
導体レーザのコリメートレンズ光軸からのシフト量が同
量であることを特徴とするマルチビーム光源装置。
8. A plurality of light beams used as the light source in an optical scanning device for converging a light beam from a light source on a surface to be scanned by a scanning optical means to form a beam spot and scanning in the main scanning direction. A multi-beam light source device, comprising: an odd number of semiconductor lasers; an odd number of collimator lenses provided in pairs with the semiconductor lasers to collimate a light beam from the semiconductor lasers into a parallel light beam; A first light source unit having a lens and a support member that integrally arranges the semiconductor lasers arranged at the center thereof in the main scanning direction on the emission axis and integrally supports them; and an even number of semiconductor lasers, Mainly includes an even number of collimator lenses which are provided in pairs with the semiconductor laser and convert the light beam from the semiconductor laser into a parallel light flux, and the even number of semiconductor lasers and collimator lenses. A second light source unit having a support member that is arranged symmetrically with respect to the emission axis in the scanning direction and integrally supports them, and emits the light beams of the first and second light source units close to each other in the sub-scanning direction. In the multi-beam light source device including the beam combining means, the pair of the semiconductor laser and the collimator lens at positions symmetrical with respect to the emission axes of the first and second light source sections are arranged from the optical axis of the collimator lens of the semiconductor laser. A multi-beam light source device having the same shift amount.
【請求項9】請求項7または8に記載のマルチビーム光
源装置において、半導体レーザのコリメートレンズ光軸
からのシフトが、第1の光源部に支持された複数の半導
体レーザから射出された主光線が、光走査装置の回転多
面鏡近傍で第1の光源部の射出軸と主走査方向で交差
し、第2の光源部に支持された複数の半導体レーザから
射出された主光線が、光走査装置の回転多面鏡近傍で第
2の光源部の射出軸と主走査方向で交差するように設定
されていることを特徴とするマルチビーム光源装置。
9. The multi-beam light source device according to claim 7, wherein the shift of the semiconductor laser from the optical axis of the collimating lens is a principal ray emitted from a plurality of semiconductor lasers supported by the first light source section. Is a main beam emitted from a plurality of semiconductor lasers supported by the second light source unit, which crosses the emission axis of the first light source unit in the main scanning direction in the vicinity of the rotary polygon mirror of the optical scanning device. A multi-beam light source device, characterized in that the multi-beam light source device is set so as to intersect the emission axis of the second light source part in the main scanning direction in the vicinity of the rotary polygon mirror of the device.
【請求項10】請求項7,8または9に記載のマルチビ
ーム光源装置において、上記第1の光源部の射出軸と第
2の光源部の射出軸とが主走査方向に隔たるように配備
したことを特徴とするマルチビーム光源装置。
10. The multi-beam light source device according to claim 7, 8 or 9, wherein the emission axis of the first light source section and the emission axis of the second light source section are arranged so as to be separated from each other in the main scanning direction. A multi-beam light source device characterized by the above.
【請求項11】請求項7,8,9または10に記載のマ
ルチビーム光源装置において、上記第1、第2の光源
部、及びビーム合成手段を実質一体的にモジュール化し
て保持する保持部材を設け、該保持部材を(マルチビー
ム光源装置からの複数の光ビームを被走査面上に集光し
てビームスポットを形成し主走査方向に走査する)走査
光学手段に対して該走査光学手段の光軸(回転基準)C
を回転中心として回動可能に支持してなると共に、上記
第1の光源部と第2の光源部は上記保持部材に対して各
々の射出軸を回転中心として独立に回動可能であること
を特徴とするマルチビーム光源装置。
11. The multi-beam light source device according to claim 7, 8, 9 or 10, further comprising a holding member for substantially integrally modularizing and holding the first and second light source sections and the beam combining means. The holding member is provided with respect to the scanning optical means (scanning in the main scanning direction by converging a plurality of light beams from the multi-beam light source device on the surface to be scanned to form a beam spot). Optical axis (rotation standard) C
Is rotatably supported with respect to the holding member, and the first light source unit and the second light source unit are independently rotatable with respect to the holding member about their respective emission axes. Characteristic multi-beam light source device.
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