JP3526189B2 - Reference voltage generation circuit and reference current generation circuit - Google Patents

Reference voltage generation circuit and reference current generation circuit

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JP3526189B2
JP3526189B2 JP29664697A JP29664697A JP3526189B2 JP 3526189 B2 JP3526189 B2 JP 3526189B2 JP 29664697 A JP29664697 A JP 29664697A JP 29664697 A JP29664697 A JP 29664697A JP 3526189 B2 JP3526189 B2 JP 3526189B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電子機器や電子
回路に使用する基準電圧発生回路および基準電流発生回
路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reference voltage generating circuit and a reference current generating circuit used in electronic equipment and electronic circuits.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子機器や電子回路に使用する基
準電圧発生回路については特開平6−309051号公
報に開示されている。図3は従来の基準電圧発生回路の
構成図である。図3において、Q1、Q2はトランジス
タ、R1、R2は抵抗であり、これらにより基準電流を
発生する。M2、M3は電流源を構成するMOSトラン
ジスタである。トランジスタQ1、Q2と抵抗R1がウ
ィドラーカレントミラーを構成し、トランジスタQ1の
ベース、エミッタ間とトランジスタQ2のベース、エミ
ッタ間との電圧差を抵抗R1で電流に変換する。その電
流をMOSトランジスタM2、M3で折り返して抵抗R
2で電圧に変換する。トランジスタQ1のベース、エミ
ッタ間の電圧と抵抗R2で発生した電圧の和がバンドギ
ャップ電圧として出力端子VBGに発生する。
2. Description of the Related Art Conventionally, a reference voltage generating circuit used in electronic devices and electronic circuits is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-309051. FIG. 3 is a block diagram of a conventional reference voltage generating circuit. In FIG. 3, Q1 and Q2 are transistors and R1 and R2 are resistors, which generate a reference current. M2 and M3 are MOS transistors forming a current source. The transistors Q1 and Q2 and the resistor R1 form a Widler current mirror, and the resistor R1 converts a voltage difference between the base and emitter of the transistor Q1 and between the base and emitter of the transistor Q2 into a current. The current is folded back by the MOS transistors M2 and M3 and the resistance R
Convert to voltage at 2. The sum of the voltage between the base and emitter of the transistor Q1 and the voltage generated by the resistor R2 is generated as a bandgap voltage at the output terminal VBG.

【0003】さらに、従来、電子機器、電子回路に使用
する基準電圧発生回路については特開平5−17365
9号公報に開示されている。図4は従来の基準電圧発生
回路の構成図である。図4において、D1、D2はダイ
オード、R3は抵抗であり、これらにより基準電圧を発
生する。R4、R5は基準電圧を増幅する抵抗である。
OPは基準電圧を比較し、抵抗R4、R5の接合点に帰
還する演算増幅器である。ダイオードD1に発生する電
圧とダイオードD2と抵抗R3とにより発生する電圧を
演算増幅器OPで比較し、その出力結果を抵抗R4、R
5の接合点に帰還する構成にしている。これによりバン
ドギャップ電圧が演算増幅器OPの出力端子VBGに発
生する。
Further, a conventional reference voltage generating circuit used in electronic equipment and electronic circuits is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-17365.
No. 9 publication. FIG. 4 is a block diagram of a conventional reference voltage generating circuit. In FIG. 4, D1 and D2 are diodes and R3 is a resistor, which generate a reference voltage. R4 and R5 are resistors that amplify the reference voltage.
OP is an operational amplifier that compares reference voltages and feeds back to the junction point of the resistors R4 and R5. The voltage generated by the diode D1 and the voltage generated by the diode D2 and the resistor R3 are compared by the operational amplifier OP, and the output result is compared with the resistors R4 and R4.
It is configured to return to the junction point of 5. As a result, a bandgap voltage is generated at the output terminal VBG of the operational amplifier OP.

【0004】さらに、従来、電子機器や電子回路に使用
する基準電圧発生回路については特開平3−12320
9号公報に開示されている。図5は従来の基準電圧発生
回路の構成図である。図5において、Q3、Q4はトラ
ンジスタ、R6は抵抗であり、これらにより基準電流を
発生する。R7、R8は基準電圧を増幅する抵抗であ
る。OPは抵抗R7、R8でそれぞれ発生した電圧を比
較し、トランジスタQ3、Q4のベースの接合点に帰還
する演算増幅器である。トランジスタQ3の発生するエ
ミッタ電流を抵抗R8で受け電圧に変換する。トランジ
スタQ4と抵抗R6とにより発生する電流を抵抗R7で
受け電圧に変換する。それぞれ抵抗R7、R8で発生し
た電圧を演算増幅器OPで比較し、その出力結果をトラ
ンジスタQ3、Q4のベースの接合点に帰還する構成に
している。これによりバンドギャップ電圧が演算増幅器
OPの出力端子VBGに発生する。
Further, a conventional reference voltage generating circuit used in electronic equipment and electronic circuits is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 12320/1993.
No. 9 publication. FIG. 5 is a block diagram of a conventional reference voltage generating circuit. In FIG. 5, Q3 and Q4 are transistors and R6 is a resistor, which generate a reference current. R7 and R8 are resistors that amplify the reference voltage. OP is an operational amplifier that compares the voltages generated in the resistors R7 and R8 and feeds back to the junction point of the bases of the transistors Q3 and Q4. The resistor R8 converts the emitter current generated by the transistor Q3 into a received voltage. A current generated by the transistor Q4 and the resistor R6 is received by the resistor R7 and converted into a voltage. The voltages generated by the resistors R7 and R8 are compared by the operational amplifier OP, and the output result is fed back to the junction point of the bases of the transistors Q3 and Q4. As a result, a bandgap voltage is generated at the output terminal VBG of the operational amplifier OP.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来、電子機器や電子
回路に使用する基準電圧発生回路において、基準電圧を
発生する場合に、簡単な構成で安定な動作が課題であっ
た。たとえば、特開平6−309051号公報に開示さ
れている従来例(図3)では帰還利得がせいぜい10倍
程度であり、カレントミラーM2、M3で生じる電流差
を吸収しきれない。
Conventionally, in a reference voltage generating circuit used in an electronic device or an electronic circuit, when the reference voltage is generated, stable operation with a simple structure has been a problem. For example, in the conventional example (FIG. 3) disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-309051, the feedback gain is about 10 times at most, and the current difference generated in the current mirrors M2 and M3 cannot be absorbed.

【0006】また、特開平5−173659号公報に開
示されている従来例(図4)や特開平3−123209
号公報に開示されている従来例(図5)では、演算増幅
器OPを用いることにより帰還利得を大きく設定するこ
とはできるが、演算増幅器OPを用いることが避けられ
ず回路規模が大きくなるという欠点を持っている。例え
ば、簡単な演算増幅器の具体的な回路を図6に示す。図
6において、M5〜M13はMOSトランジスタ、C1
はコンデンサ、VDDは電源電圧、GNDは接地、−は
反転入力端子、+は非反転入力端子、OUTは出力端子
である。
A conventional example (FIG. 4) disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-173659 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-123209.
In the conventional example (FIG. 5) disclosed in the publication, the feedback gain can be set large by using the operational amplifier OP, but the use of the operational amplifier OP is unavoidable and the circuit scale becomes large. have. For example, a concrete circuit of a simple operational amplifier is shown in FIG. In FIG. 6, M5 to M13 are MOS transistors, C1
Is a capacitor, VDD is a power supply voltage, GND is ground, − is an inverting input terminal, + is a non-inverting input terminal, and OUT is an output terminal.

【0007】この発明は、上記従来の課題を解決するも
のであり、簡単な構成で安定に動作することができる基
準電圧発生回路および基準電流発生回路を提供すること
を目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a reference voltage generating circuit and a reference current generating circuit which can operate stably with a simple structure.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の基準電圧
発生回路は、ベースとコレクタを接続した第1のトラン
ジスタと、前記第1のトランジスタのベースにベースを
接続した第2のトランジスタと、前記第1のトランジス
タのエミッタと前記第2のトランジスタのエミッタの間
に接続した第 1 の抵抗と、前記第1のトランジスタのベ
ースとコレクタに一端を接続した第2の抵抗と、前記第
2の抵抗の他端にソースを接続し、前記第2のトランジ
スタのコレクタにゲートを接続した第1の MOS トランジ
スタと、前記第1の MOS トランジスタのドレインにドレ
インおよびゲートを接続した第2の MOS トランジスタ
と、前記第2の MOS トランジスタの前記ゲートおよび前
記ドレインにゲートを、前記第2のトランジスタの前記
コレクタにドレインを接続した第3の MOS トランジスタ
とを備え、前記第2の MOS トランジスタおよび前記第3
MOS トランジスタのソースと、前記第2のトランジス
タの前記エミッタとの間に電源を接続し、前記第1の M
OS トランジスタのソース側を出力端に接続したものであ
る。
A reference voltage generating circuit according to claim 1 is a first transformer having a base and a collector connected to each other.
The base to the transistor and the base of the first transistor
The connected second transistor and the first transistor
Between the emitter of the second transistor and the emitter of the second transistor
The first resistor connected to the
A second resistor having one end connected to the source and the collector;
The source is connected to the other end of the second resistor, and the second transistor
The first MOS transistor with the gate connected to the collector of the star
And the drain of the first MOS transistor.
Second MOS transistor with in and gate connected
And the gate and the front of the second MOS transistor
The drain to the gate, the second transistor of the
Third MOS transistor with drain connected to collector
And the second MOS transistor and the third MOS transistor.
And the source of the MOS transistor, said second transistor
Connect the power between said emitter of data, the first M
The source side of the OS transistor is connected to the output terminal .

【0009】請求項1記載の基準電圧発生回路によれ
ば、バンドギャップ電圧を発生するカレントミラーとそ
の基準電流を反転するカレントミラーとそれぞれの出力
を接続した出力電圧をMOSトランジスタを介してバン
ドギャプ電圧に帰還するという簡単な構成で安定な動作
をする基準電圧を得ることができる。請求項2記載の基
準電流発生回路は、請求項1の記載の基準電圧発生回路
と、ソースに接続した抵抗により電流値を設定できるソ
ースフォロアを構成するMOSトランジスタとを備え、
前記MOSトランジスタのゲートを、前記基準電圧発生
回路の第1の MOS トランジスタのゲートに接続し、前記
MOSトランジスタのドレインを出力側としたものであ
る。
According to the reference voltage generating circuit of the first aspect, the output voltage obtained by connecting the output of each of the current mirror for generating the bandgap voltage and the current mirror for inverting the reference current to the bandgap voltage via the MOS transistor is used. It is possible to obtain a reference voltage that operates stably with a simple configuration of returning to. The reference current generating circuit according to claim 2 is the reference voltage generating circuit according to claim 1.
And a resistor that can set the current value with a resistor connected to the source.
And a MOS transistor forming a follower,
The gate of the MOS transistor is used to generate the reference voltage.
Connected to the gate of the first MOS transistor of the circuit,
The drain of the MOS transistor is on the output side .

【0010】請求項2記載の基準電流発生回路によれ
ば、請求項1と同様な効果のほか、バンドギャップ電圧
に応じた安定した基準電流を得ることができる。
According to the reference current generating circuit of the second aspect, in addition to the same effect as the first aspect, a stable reference current corresponding to the bandgap voltage can be obtained.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下この発明の第1の実施の形態
について、図1により説明する。図1は第1の実施の形
態における基準電圧発生回路の回路構成例を示すもので
ある。図1において、Q1とQ2はカレントミラーを構
成するもので、それそれのベース、エミッタ間の電圧差
を発生するトランジスタ対であり、エミッタの一方すな
わちトランジスタQ1のエミッタがグランドに接続さ
れ、エミッタの他方すなわちトランジスタQ2のエミッ
タがそれに直列に接続された抵抗R1を介してグランド
に接続されている。R1はトランジスタQ1、Q2で発
生した電圧差を電流に変換する抵抗である。R2はコレ
クタの一方すなわちトランジスタQ2のコレクタに直列
に接続されてトランジスタQ2に流れる電流を電圧に変
換する抵抗であり、コレクタ接続側と反対側に出力端子
VBGが接続されている。M2とM3はカレントミラー
を構成するもので、トランジスタQ1、Q2と抵抗R
1、R2で発生した電流を反転するMOSトランジスタ
対であり、MOSトランジスタM2、M3のソースが電
源VDDに接続され、MOSトランジスタM2のドレイ
ンがMOSトランジスタM1を介して抵抗R2の出力端
子VBG側に接続され、MOSトランジスタM3のドレ
インがトランジスタQ1のコレクタ側に接続されてい
る。MOSトランジスタM1はMOSトランジスタM2
のドレインと抵抗R2との間に介挿され、ゲートがMO
SトランジスタM3ドレインとトランジスタQ1のコ
レクタの接続点に接続されて、ソースの電圧を抵抗R2
に帰還している。すなわち、それぞれのカレントミラー
の出力を接続し、その接続点からMOSトランジスタM
1を介してバンドギャップ電圧の発生点(抵抗R2)へ
電圧を帰還する構成としている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 shows an example of the circuit configuration of the reference voltage generating circuit in the first embodiment. In FIG. 1, Q1 and Q2 compose a current mirror, which is a transistor pair that generates a voltage difference between its base and emitter. One of the emitters, that is, the emitter of the transistor Q1 is connected to the ground, On the other hand, the emitter of the transistor Q2 is connected to the ground via the resistor R1 connected in series to it. R1 is a resistor that converts the voltage difference generated in the transistors Q1 and Q2 into a current. R2 is a resistor that is connected in series to one of the collectors, that is, the collector of the transistor Q2 to convert the current flowing in the transistor Q2 into a voltage, and the output terminal VBG is connected to the side opposite to the collector connection side. M2 and M3 form a current mirror, and include transistors Q1 and Q2 and a resistor R.
1 and R2 is a MOS transistor pair that inverts the current generated in R2. The drain of the MOS transistor M3 is connected to the collector side of the transistor Q1. The MOS transistor M1 is the MOS transistor M2
Is inserted between the drain and the resistor R2, and the gate is MO
It is connected to the connection point of the drain of the S-transistor M3 and the collector of the transistor Q1, and the voltage of the source is connected to the resistor R2.
Have returned to. That is, the output of each current mirror is connected, and the MOS transistor M is connected from the connection point.
The voltage is fed back to the point where the bandgap voltage is generated (resistor R2) via 1.

【0012】以上のように構成された実施の形態の基準
電圧発生回路について以下、その動作を説明する。トラ
ンジスタQ1、Q2の設計サイズ、または電流値に差を
付けることでトランジスタQ1、Q2の各ベース、エミ
ッタ間の電圧に電圧差が生じる。この電圧差を抵抗R1
で電流に変換する。この変換した電流を抵抗R2で増幅
し、トランジスタQ2および抵抗R1、R2に発生する
電圧の和をとると、バンドギャップ電圧として知られる
電圧、約1.2Vが発生する。図1においては、出力端
子VBGにバンドギャップ電圧として発生する。これら
トランジスタQ2および抵抗R1、R2に流れる電流は
カレントミラーとしてトランジスタQ1に反映される。
また、MOSトランジスタM1を介して、カレントミラ
ーを構成するMOSトランジスタM2、M3にも反映さ
れる。それぞれのカレントミラーの出力点を接続すると
電流差が0となる電圧でその接続点は安定する。その電
圧をMOSトランジスタM1を介して、バンドギャップ
電圧の出力端子VBGに帰還すると抵抗R1、R2、ト
ランジスタQ2に流れる電流値を帰還ループで自動調整
され、安定した動作が可能である。MOSトランジスタ
M3のゲートを入力として考察すると、カレントソース
負荷のインバータとして動作するので100倍(40d
B)程度を簡単に得ることができる。
The operation of the reference voltage generating circuit of the embodiment configured as described above will be described below. By making a difference in the design size or current value of the transistors Q1 and Q2, a voltage difference occurs between the base and emitter voltages of the transistors Q1 and Q2. This voltage difference is applied to the resistor R1.
Is converted into electric current. When this converted current is amplified by the resistor R2 and the sum of the voltages generated in the transistor Q2 and the resistors R1 and R2 is calculated, a voltage known as a band gap voltage, about 1.2 V, is generated. In FIG. 1, a bandgap voltage is generated at the output terminal VBG. The current flowing through the transistor Q2 and the resistors R1 and R2 is reflected in the transistor Q1 as a current mirror.
Further, it is also reflected in the MOS transistors M2 and M3 forming the current mirror via the MOS transistor M1. When the output points of the respective current mirrors are connected, the connection point becomes stable at a voltage at which the current difference becomes zero. When the voltage is fed back to the bandgap voltage output terminal VBG via the MOS transistor M1, the current value flowing through the resistors R1 and R2 and the transistor Q2 is automatically adjusted by the feedback loop, and stable operation is possible. Considering the gate of the MOS transistor M3 as an input, since it operates as a current source load inverter, it is 100 times (40d
B) degree can be easily obtained.

【0013】第1の実施の形態によれば、バンドギャッ
プ電圧を発生するカレントミラーとその基準電流を反転
するカレントミラーとそれぞれの出力を接続した出力電
圧をMOSトランジスタを介してバンドギャプ電圧に帰
還するという構成を備えることより、簡単な構成で安定
な動作をする基準電圧を得ることができる。なお、この
実施の形態ではバンドギャップ電圧を発生するカレント
ミラーをトランジスタ対としたが、このトランジスタ対
はMOSトランジスタ対でもよい。
According to the first embodiment, an output voltage obtained by connecting a current mirror for generating a bandgap voltage, a current mirror for inverting its reference current, and respective outputs is fed back to a bandgap voltage via a MOS transistor. With such a configuration, it is possible to obtain a reference voltage that operates stably with a simple configuration. In this embodiment, the current mirror that generates the bandgap voltage is a transistor pair, but this transistor pair may be a MOS transistor pair.

【0014】この発明の第2の実施の形態を図2に示
す。この基準電流発生回路は、第1の実施の形態におい
て、ソースフォロアを構成するMOSトランジスタM4
と、ソースに発生した電圧を電流に変換する抵抗R9を
追加している。すなわち、トランジスタQ1のコレクタ
とMOSトランジスタM3のドレインの接続点にMOS
トランジスタM4のゲートを接続し、MOSトランジス
タM4のソースを抵抗R9を介してグランドに接続し、
ドレインに出力端子IOUTを接続している。その他の
構成は第1の実施の形態と同様である。
A second embodiment of the present invention is shown in FIG. This reference current generating circuit is the same as the MOS transistor M4 constituting the source follower in the first embodiment.
And a resistor R9 for converting the voltage generated at the source into a current is added. That is, at the connection point between the collector of the transistor Q1 and the drain of the MOS transistor M3, the MOS
The gate of the transistor M4 is connected, the source of the MOS transistor M4 is connected to the ground via the resistor R9,
The output terminal IOUT is connected to the drain. Other configurations are similar to those of the first embodiment.

【0015】このように、トランジスタQ1のコレクタ
とMOSトランジスタM3のドレインの接合点の電圧を
MOSトランジスタM4でソースフォロアとして出力す
ると、MOSトランジスタM4のソースすなわち端子V
BGOにバンドギャップと等しい電圧が現れる。この電
圧を用いて、抵抗R9で電流に変換すれば、バンドギャ
ップ電圧と抵抗の特性により決定される安定な基準電流
をMOSトランジスタM4のドレインに得ることができ
る。
Thus, when the voltage at the junction between the collector of the transistor Q1 and the drain of the MOS transistor M3 is output as the source follower by the MOS transistor M4, the source of the MOS transistor M4, that is, the terminal V
A voltage equal to the band gap appears in BGO. If this voltage is used and converted into a current by the resistor R9, a stable reference current determined by the bandgap voltage and the characteristic of the resistor can be obtained at the drain of the MOS transistor M4.

【0016】第2の実施の形態によれば、第1の実施の
形態にソースフォロアを備えることで安定な基準電流を
得ることができる。その他、第1の実施の形態と同様な
効果がある。
According to the second embodiment, a stable reference current can be obtained by providing the source follower in the first embodiment. In addition, the same effect as the first embodiment is obtained.

【0017】[0017]

【発明の効果】請求項1記載の基準電圧発生回路によれ
ば、バンドギャップ電圧を発生するカレントミラーとそ
の基準電流を反転するカレントミラーとそれぞれの出力
を接続した出力電圧をMOSトランジスタを介してバン
ドギャプ電圧に帰還するという簡単な構成で安定な動作
をする基準電圧を得ることができる。
According to the reference voltage generating circuit of the first aspect of the present invention, the output voltage connecting the output of each of the current mirror for generating the bandgap voltage and the current mirror for inverting the reference current to each output is passed through the MOS transistor. It is possible to obtain a reference voltage that operates stably with a simple configuration of returning to the band gap voltage.

【0018】請求項2記載の基準電流発生回路によれ
ば、請求項1と同様な効果のほか、バンドギャップ電圧
に応じた安定した基準電流を得ることができる。
According to the reference current generating circuit of the second aspect, in addition to the effect similar to that of the first aspect, a stable reference current corresponding to the bandgap voltage can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態における基準電圧
発生回路図である。
FIG. 1 is a reference voltage generation circuit diagram in a first embodiment of the present invention.

【図2】第2の実施の形態における基準電流発生回路図
である。
FIG. 2 is a reference current generation circuit diagram according to a second embodiment.

【図3】従来例の基準電圧発生回路図である。FIG. 3 is a reference voltage generation circuit diagram of a conventional example.

【図4】他の従来例の基準電圧発生回路図である。FIG. 4 is a reference voltage generating circuit diagram of another conventional example.

【図5】さらに他の従来例の基準電圧発生回路図であ
る。
FIG. 5 is a reference voltage generation circuit diagram of still another conventional example.

【図6】オペアンプ回路の具体回路図である。FIG. 6 is a specific circuit diagram of an operational amplifier circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q1〜Q4 トランジスタ R1〜R8 抵抗 D1、D2 ダイオード M1〜M13 MOSトランジスタ C1 コンデンサ OP 演算増幅器 Q1-Q4 transistors R1 to R8 resistance D1, D2 diode M1 to M13 MOS transistors C1 capacitor OP operational amplifier

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ベースとコレクタを接続した第1のトラ
ンジスタと、前記第1のトランジスタのベースにベース
を接続した第2のトランジスタと、前記第1のトランジ
スタのエミッタと前記第2のトランジスタのエミッタの
間に接続した第 1 の抵抗と、前記第1のトランジスタの
ベースとコレクタに一端を接続した第2の抵抗と、前記
第2の抵抗の他端にソースを接続し、前記第2のトラン
ジスタのコレクタにゲートを接続した第1の MOS トラン
ジスタと、前記第1の MOS トランジスタのドレインにド
レインおよびゲートを接続した第2の MOS トランジスタ
と、前記第2の MOS トランジスタの前記ゲートおよび前
記ドレインにゲートを、前記第2のトランジスタの前記
コレクタにドレインを接続した第3の MOS トランジスタ
とを備え、 前記第2の MOS トランジスタおよび前記第3の MOS トラ
ンジスタのソースと、前記第2のトランジスタの前記エ
ミッタとの間に電源を接続し、前記第1の MOS トランジ
スタのソース側を出力端に接続した 基準電圧発生回路。
1. A first tiger connecting a base and a collector.
Transistor and the base of the first transistor
A second transistor connected to the first transistor and the first transistor
Of the emitter of the second transistor and the emitter of the second transistor
A first resistor connected between the first resistor and the first resistor
A second resistor having one end connected to the base and the collector;
The source is connected to the other end of the second resistor, and the second transformer is connected.
First MOS Tran was a gate connected to the collector of the register
Transistor and the drain of the first MOS transistor.
Second MOS transistor with rain and gate connected
And the gate and the front of the second MOS transistor
The drain to the gate, the second transistor of the
Third MOS transistor with drain connected to collector
With the door, said second MOS transistor and the third MOS tiger
The source of the transistor and the source of the second transistor.
Connect the power supply to the Mitter, and connect the first MOS transistor.
Reference voltage generation circuit that connects the source side of the star to the output terminal .
【請求項2】請求項1の記載の基準電圧発生回路と、ソ
ースに接続した抵抗により電流値を設定できるソースフ
ォロアを構成するMOSトランジスタとを備え、前記M
OSトランジスタのゲートを、前記基準電圧発生回路の
第1の MOS トランジスタのゲートに接続し、前記MOS
トランジスタのドレインを出力側とした基準電流発生回
路。
2. A reference voltage generating circuit according to claim 1;
A source source whose current value can be set by a resistor connected to the source
A MOS transistor forming a follower,
The gate of the OS transistor is connected to the gate of the reference voltage generating circuit.
Is connected to the gate of the first MOS transistor,
Reference current generation circuit with the drain of the transistor as the output side .
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