JP3518497B2 - 露光用フォトマスク - Google Patents
露光用フォトマスクInfo
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- JP3518497B2 JP3518497B2 JP2000286716A JP2000286716A JP3518497B2 JP 3518497 B2 JP3518497 B2 JP 3518497B2 JP 2000286716 A JP2000286716 A JP 2000286716A JP 2000286716 A JP2000286716 A JP 2000286716A JP 3518497 B2 JP3518497 B2 JP 3518497B2
- Authority
- JP
- Japan
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- light
- exposure
- photomask
- photosensitive resin
- shielding portion
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外光を用いて微
細加工を行う際の露光方法、特に感光性樹脂の膜厚を複
数作成する露光用フォトマスクに関する。
細加工を行う際の露光方法、特に感光性樹脂の膜厚を複
数作成する露光用フォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトリソグラフィー、エッチン
グ工程は感光性樹脂の下地の残すべき領域には感光性樹
脂をパターニングして形成し、その後のエッチング工程
で下地がエッチングされるのを防ぎ、それ以外の感光性
樹脂のない下地はエッチングされ、下地をパターニング
していた。そして下地が変わるたびに、このようなフォ
トリソグラフィー、エッチング工程を繰り返していた。
そのために高価な露光装置を多く要するとともに、工程
数が多くなり製造価格を押し上げる要因となっていた。
グ工程は感光性樹脂の下地の残すべき領域には感光性樹
脂をパターニングして形成し、その後のエッチング工程
で下地がエッチングされるのを防ぎ、それ以外の感光性
樹脂のない下地はエッチングされ、下地をパターニング
していた。そして下地が変わるたびに、このようなフォ
トリソグラフィー、エッチング工程を繰り返していた。
そのために高価な露光装置を多く要するとともに、工程
数が多くなり製造価格を押し上げる要因となっていた。
【０００３】このように従来のフォトリソグラフィー工
程では感光性樹脂があるか、ないかのどちらかであった
が最近、下地層を複数一括して作成するとともにグレー
トーン露光と呼ばれる方法で感光性樹脂の膜厚を複数
（通常の膜厚以外に膜厚の薄いもの）作成し、その後の
エッチング工程で感光性樹脂の膜厚に応じて複数の下地
層のエッチング領域を変える方法が提案されている。
程では感光性樹脂があるか、ないかのどちらかであった
が最近、下地層を複数一括して作成するとともにグレー
トーン露光と呼ばれる方法で感光性樹脂の膜厚を複数
（通常の膜厚以外に膜厚の薄いもの）作成し、その後の
エッチング工程で感光性樹脂の膜厚に応じて複数の下地
層のエッチング領域を変える方法が提案されている。
【０００４】図８（ａ）にある様に、基板に下地層１、
下地層２を連続的に成膜し、下地層の上に感光性樹脂の
膜厚の異なるものを作成する（図８（ｂ））。その後、
エッチングを行い感光性樹脂の厚い部分は下地層２ま
で、感光性樹脂の薄い部分は下地層１まで残し（図８
（ｃ））、感光性樹脂のない部分は下地層を除去するこ
とを１回のフォトリソグラフィー工程で行っている。
下地層２を連続的に成膜し、下地層の上に感光性樹脂の
膜厚の異なるものを作成する（図８（ｂ））。その後、
エッチングを行い感光性樹脂の厚い部分は下地層２ま
で、感光性樹脂の薄い部分は下地層１まで残し（図８
（ｃ））、感光性樹脂のない部分は下地層を除去するこ
とを１回のフォトリソグラフィー工程で行っている。
【０００５】なお、このグレートーン露光で用いられる
露光用フォトマスクは通常、図９に示すように感光性樹
脂をパターニングする露光機の解像度以下の微細パター
ンの組み合わせにより作成されている。解像度以下の遮
光部と非遮光部が混在する微細パターンにより回折光が
遮光部にも回り込み、微細パターン部は解像度以上の大
きさの非遮光部に比べ、全体として少量の平均化された
光量となり感光性樹脂の膜厚が薄くなる。なお、フォト
マスクの光量を制御するには、遮光物質（通常はクロ
ム）の厚さを変えればよいが、フォトマスク作成のため
の成膜回数が増えるため、従来と同様に作成できる前記
した微細パターンによる方法を採っている。
露光用フォトマスクは通常、図９に示すように感光性樹
脂をパターニングする露光機の解像度以下の微細パター
ンの組み合わせにより作成されている。解像度以下の遮
光部と非遮光部が混在する微細パターンにより回折光が
遮光部にも回り込み、微細パターン部は解像度以上の大
きさの非遮光部に比べ、全体として少量の平均化された
光量となり感光性樹脂の膜厚が薄くなる。なお、フォト
マスクの光量を制御するには、遮光物質（通常はクロ
ム）の厚さを変えればよいが、フォトマスク作成のため
の成膜回数が増えるため、従来と同様に作成できる前記
した微細パターンによる方法を採っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、次工程の
エッチングを考えると、グレートーン露光で作成する感
光性樹脂の膜厚を制御すること、ならびに感光性樹脂の
平坦度が重要である。しかしながら、このグレートーン
露光では複数作成する感光性樹脂の膜厚を容易に制御で
きないという問題があった。つまり、どのような微細パ
ターンを作れば感光性樹脂の膜厚はどれ位になるか不明
であった。
エッチングを考えると、グレートーン露光で作成する感
光性樹脂の膜厚を制御すること、ならびに感光性樹脂の
平坦度が重要である。しかしながら、このグレートーン
露光では複数作成する感光性樹脂の膜厚を容易に制御で
きないという問題があった。つまり、どのような微細パ
ターンを作れば感光性樹脂の膜厚はどれ位になるか不明
であった。
【０００７】そこで遮光部、非遮光部の様々なパターン
のフォトマスクを作り、予め決められた露光量で露光
し、グレートーン露光部の膜厚を計測し、必要なパター
ンを決定しなければいけなかった。また、グレートーン
露光部の膜厚は微細パターンによる光量分布により決ま
るため、膜厚の平坦性をとることが難しいという問題が
あった。そこで、本発明では上記の問題点に鑑み、グレ
ートーン露光部の膜厚予測用のフォトマスクが不要とな
り、平坦性の優れた感光性樹脂膜を作成する露光用フォ
トマスクを提供することを目的とする。
のフォトマスクを作り、予め決められた露光量で露光
し、グレートーン露光部の膜厚を計測し、必要なパター
ンを決定しなければいけなかった。また、グレートーン
露光部の膜厚は微細パターンによる光量分布により決ま
るため、膜厚の平坦性をとることが難しいという問題が
あった。そこで、本発明では上記の問題点に鑑み、グレ
ートーン露光部の膜厚予測用のフォトマスクが不要とな
り、平坦性の優れた感光性樹脂膜を作成する露光用フォ
トマスクを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記のグレートーン露光
部の感光性樹脂膜厚を制御する目的を達成するために、
遮光部と非遮光部の面積割合は、前記面積割合に基づき
求められる単位面積当たりの平均露光量と、前記感光性
樹脂の膜厚と露光量の関係において露光量に前記平均露
光量の値を入力して得られる膜厚と、により決定される
露光用フォトマスクとすることであり、平坦性の優れた
感光性樹脂を作成する目的を達成するためには、第一に
開口数ＮＡの投影露光機で露光波長λで露光した際の解
像寸法を与えるｄ（ｄ＝λ／ＮＡ）のｄ／５より小さな
寸法で遮光部及び非遮光部を作成すること、第二にフォ
トマスクと基板に塗布された感光性樹脂の距離がｇの密
着露光機で露光波長λで露光した際の解像寸法を与える
ｄ（ｄ＝（２λｇ）0.5）のｄ／５より小さな寸法で遮
光部及び非遮光部を作成すること、第三に端部までより
均一な膜厚を得るためには、上下左右に隣接する遮光部
が、この遮光部の大きさ以内でずらして配置されたパタ
ーンを有する露光用フォトマスクとすることである。
部の感光性樹脂膜厚を制御する目的を達成するために、
遮光部と非遮光部の面積割合は、前記面積割合に基づき
求められる単位面積当たりの平均露光量と、前記感光性
樹脂の膜厚と露光量の関係において露光量に前記平均露
光量の値を入力して得られる膜厚と、により決定される
露光用フォトマスクとすることであり、平坦性の優れた
感光性樹脂を作成する目的を達成するためには、第一に
開口数ＮＡの投影露光機で露光波長λで露光した際の解
像寸法を与えるｄ（ｄ＝λ／ＮＡ）のｄ／５より小さな
寸法で遮光部及び非遮光部を作成すること、第二にフォ
トマスクと基板に塗布された感光性樹脂の距離がｇの密
着露光機で露光波長λで露光した際の解像寸法を与える
ｄ（ｄ＝（２λｇ）0.5）のｄ／５より小さな寸法で遮
光部及び非遮光部を作成すること、第三に端部までより
均一な膜厚を得るためには、上下左右に隣接する遮光部
が、この遮光部の大きさ以内でずらして配置されたパタ
ーンを有する露光用フォトマスクとすることである。
【０００９】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）次に本発明の実
施例を図面を用いて説明する。図１（ａ）、（ｂ）は本
発明の実施例で遮光部１と非遮光部２を繰り返して作成
したグレートーン露光用フォトマスクである。図１
（ａ）では遮光部１の大きさは０．３μｍ×０．３μｍ
で０．３μｍの非遮光部２の間隔をおいて同じ大きさの
遮光部１が繰り返されている。図１（ｂ）では遮光部１
の大きさは０．５μｍ×０．５μｍで０．１５μｍの非
遮光部２の間隔をおいて同じ大きさの遮光部１が繰り返
されている。なお遮光部１は通常のフォトマスクと同じ
くクロムを蒸着させて作成している。遮光部、非遮光部
が混在している部分の単位面積当たりの非遮光部の面積
割合は、図１（ａ）では、（０．６×０．６−０．３×
０．３）／（０．６×０．６）＝０．７５となり、また
図１（ｂ）では、（０．６５×０．６５−０．５×０．
５）／（０．６５×０．６５）＝０．４１となる。
施例を図面を用いて説明する。図１（ａ）、（ｂ）は本
発明の実施例で遮光部１と非遮光部２を繰り返して作成
したグレートーン露光用フォトマスクである。図１
（ａ）では遮光部１の大きさは０．３μｍ×０．３μｍ
で０．３μｍの非遮光部２の間隔をおいて同じ大きさの
遮光部１が繰り返されている。図１（ｂ）では遮光部１
の大きさは０．５μｍ×０．５μｍで０．１５μｍの非
遮光部２の間隔をおいて同じ大きさの遮光部１が繰り返
されている。なお遮光部１は通常のフォトマスクと同じ
くクロムを蒸着させて作成している。遮光部、非遮光部
が混在している部分の単位面積当たりの非遮光部の面積
割合は、図１（ａ）では、（０．６×０．６−０．３×
０．３）／（０．６×０．６）＝０．７５となり、また
図１（ｂ）では、（０．６５×０．６５−０．５×０．
５）／（０．６５×０．６５）＝０．４１となる。
【００１０】このグレートーン露光用フォトマスクでは
非遮光部の面積割合が、０．４１〜０．７５となる遮光
部、非遮光部の組み合わせを作った。平均露光量は露光
量に非遮光部の面積割合を乗じて算出した。例えば露光
量２００ｍＪ／ｃｍ2のときの図１（ａ）の平均露光量
は、２００×０．７５＝１５０（ｍＪ／ｃｍ2）とな
る。
非遮光部の面積割合が、０．４１〜０．７５となる遮光
部、非遮光部の組み合わせを作った。平均露光量は露光
量に非遮光部の面積割合を乗じて算出した。例えば露光
量２００ｍＪ／ｃｍ2のときの図１（ａ）の平均露光量
は、２００×０．７５＝１５０（ｍＪ／ｃｍ2）とな
る。
【００１１】次に感光性樹脂の膜厚と露光量の関係を求
めた。これは感光性樹脂の塗布膜厚によりそれぞれ作成
する必要がある。ここでは感光性樹脂の塗布膜厚が２．
１４μｍの時で、作成条件のみを記述する（従来からの
手法のため図示せず）。
めた。これは感光性樹脂の塗布膜厚によりそれぞれ作成
する必要がある。ここでは感光性樹脂の塗布膜厚が２．
１４μｍの時で、作成条件のみを記述する（従来からの
手法のため図示せず）。
【００１２】ガラス基板に感光性樹脂（ポジ型、粘度１
９ｃＰ）を２０００ｒｐｍで塗布後、ホットプレートで
９０℃、１分のプリベークを行い、適当なフォトマスク
を用いて露光量を０〜２００ｍＪ／ｃｍ2まで変えた試
料をそれぞれ作成した。その後、ホットプレートで１１
０℃、１分の露光後ベーキングを行い、１分の静止現像
後１３０℃、１分のポストベークを行った。このように
して作成した露光量毎試料の感光性樹脂の膜厚を段差計
で計測した。この結果が図２の露光量−膜厚特性曲線で
ある。露光不足にならないためには、１７０ｍＪ／ｃｍ
2以上の露光量が必要であるが、過大な露光量であると
ポジ型ではパターンの細りが見られる。パターン寸法の
点から２００ｍＪ／ｃｍ2が適正露光量であった。
９ｃＰ）を２０００ｒｐｍで塗布後、ホットプレートで
９０℃、１分のプリベークを行い、適当なフォトマスク
を用いて露光量を０〜２００ｍＪ／ｃｍ2まで変えた試
料をそれぞれ作成した。その後、ホットプレートで１１
０℃、１分の露光後ベーキングを行い、１分の静止現像
後１３０℃、１分のポストベークを行った。このように
して作成した露光量毎試料の感光性樹脂の膜厚を段差計
で計測した。この結果が図２の露光量−膜厚特性曲線で
ある。露光不足にならないためには、１７０ｍＪ／ｃｍ
2以上の露光量が必要であるが、過大な露光量であると
ポジ型ではパターンの細りが見られる。パターン寸法の
点から２００ｍＪ／ｃｍ2が適正露光量であった。
【００１３】また別のガラス基板に露光時の露光量は２
００ｍＪ／ｃｍ2で図１のフォトマスクを使用した以外
は全く同様の条件で試料を作成した。図１のフォトマス
クの遮光部、非遮光部が混在している部分の露光量は上
述した平均露光量で計算し、それぞれの平均露光量に対
応する領域の感光性樹脂の膜厚を段差計で計測した。こ
の結果が図２の遮光・非遮光部面積割合に基づく平均露
光量―膜厚である。
００ｍＪ／ｃｍ2で図１のフォトマスクを使用した以外
は全く同様の条件で試料を作成した。図１のフォトマス
クの遮光部、非遮光部が混在している部分の露光量は上
述した平均露光量で計算し、それぞれの平均露光量に対
応する領域の感光性樹脂の膜厚を段差計で計測した。こ
の結果が図２の遮光・非遮光部面積割合に基づく平均露
光量―膜厚である。
【００１４】図２からわかるように、露光量−膜厚特性
曲線と遮光・非遮光部面積割合に基づく平均露光量―膜
厚曲線はほぼ一致している。グレートーン露光で必要な
感光性樹脂膜厚が決まれば、露光量−膜厚特性曲線より
露光量が決定され、その露光量と同じ値の平均露光量を
与える遮光、非遮光部の面積割合が求められる。
曲線と遮光・非遮光部面積割合に基づく平均露光量―膜
厚曲線はほぼ一致している。グレートーン露光で必要な
感光性樹脂膜厚が決まれば、露光量−膜厚特性曲線より
露光量が決定され、その露光量と同じ値の平均露光量を
与える遮光、非遮光部の面積割合が求められる。
【００１５】露光機として投影露光機（開口数ＮＡ＝
０．１６）を使用し、露光波長λとしてλ＝４０５ｎｍ
が中心のもので露光した。感光性樹脂の膜厚、ベークの
作成条件は上述の条件と全く同じである。フォトマスク
として図１（ｂ）と非遮光部の大きさは０．１５μｍで
遮光部の大きさが０．８、１．０、１．２、１．５μｍ
としたものを用意し、２００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露
光した。そして、各条件での感光性樹脂膜厚を段差計で
１５０μｍ幅測定し、その範囲での平均膜厚と３σ値を
算出した。
０．１６）を使用し、露光波長λとしてλ＝４０５ｎｍ
が中心のもので露光した。感光性樹脂の膜厚、ベークの
作成条件は上述の条件と全く同じである。フォトマスク
として図１（ｂ）と非遮光部の大きさは０．１５μｍで
遮光部の大きさが０．８、１．０、１．２、１．５μｍ
としたものを用意し、２００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露
光した。そして、各条件での感光性樹脂膜厚を段差計で
１５０μｍ幅測定し、その範囲での平均膜厚と３σ値を
算出した。
【００１６】図３は遮光部大きさと３σ／平均膜厚の関
係を示したものである。感光性樹脂の膜厚平坦性は±３
％以内必要であるから、遮光部大きさは０．５μｍ以内
にする必要がある。
係を示したものである。感光性樹脂の膜厚平坦性は±３
％以内必要であるから、遮光部大きさは０．５μｍ以内
にする必要がある。
【００１７】同様に非遮光部の大きさの影響をみるため
に、フォトマスクとして図１（ｂ）と遮光部大きさは
０．５μｍで非遮光部の大きさが０．５、０．８、１．
０μｍにして３σ／平均膜厚と非遮光部の大きさとの関
係を示したものが図４である。やはり０．５μｍ以内に
する必要がある。
に、フォトマスクとして図１（ｂ）と遮光部大きさは
０．５μｍで非遮光部の大きさが０．５、０．８、１．
０μｍにして３σ／平均膜厚と非遮光部の大きさとの関
係を示したものが図４である。やはり０．５μｍ以内に
する必要がある。
【００１８】投影露光機の解像寸法ｄは、開口数ＮＡ、
露光波長λのとき、ｄ＝λ／ＮＡとなるので、この場合
はｄ＝０．４０５／０．１６＝２．５（μｍ）となる。
従って、０．５（ｕｍ）＝ｄ／５となる。
露光波長λのとき、ｄ＝λ／ＮＡとなるので、この場合
はｄ＝０．４０５／０．１６＝２．５（μｍ）となる。
従って、０．５（ｕｍ）＝ｄ／５となる。
【００１９】露光機として密着露光機（フォトマスクと
基板間距離ｇ＝８μｍ）を使用し、露光波長λとしてλ
＝４０５ｎｍが中心のもので露光した。その他は上述の
条件と全く同じである。図５は遮光部大きさと３σ／平
均膜厚、図６は非遮光部大きさと３σ／平均膜厚の関係
を示したものである。遮光部、非遮光部ともその大きさ
は０．５μｍ以内にする必要がある。
基板間距離ｇ＝８μｍ）を使用し、露光波長λとしてλ
＝４０５ｎｍが中心のもので露光した。その他は上述の
条件と全く同じである。図５は遮光部大きさと３σ／平
均膜厚、図６は非遮光部大きさと３σ／平均膜厚の関係
を示したものである。遮光部、非遮光部ともその大きさ
は０．５μｍ以内にする必要がある。
【００２０】密着露光機の解像寸法ｄは、ｄ＝（２λ
ｇ）0.5となるので、この場合はｄ＝（２×０．４０５
×８）0.5＝２．５（μｍ）であるから、０．５ｕｍ
は、同様に、０．５（ｕｍ）＝ｄ／５となる。
ｇ）0.5となるので、この場合はｄ＝（２×０．４０５
×８）0.5＝２．５（μｍ）であるから、０．５ｕｍ
は、同様に、０．５（ｕｍ）＝ｄ／５となる。
【００２１】（実施の形態２）図７は本発明の露光用フ
ォトマスクの他の実施例である。上下左右に隣接する遮
光部を、遮光部の大きさ以内でずらしたパターンとして
いる。ずらすことにより、端面の露光量分布の均一性が
とれ、端面までより膜厚が均一となった。
ォトマスクの他の実施例である。上下左右に隣接する遮
光部を、遮光部の大きさ以内でずらしたパターンとして
いる。ずらすことにより、端面の露光量分布の均一性が
とれ、端面までより膜厚が均一となった。
【００２２】なお、実施の形態では全てポジ型の感光性
樹脂を例に説明したが、ネガ型感光性樹脂を使用した場
合のフォトマスクはポジ型の遮光部と非遮光部が逆にな
るだけである。
樹脂を例に説明したが、ネガ型感光性樹脂を使用した場
合のフォトマスクはポジ型の遮光部と非遮光部が逆にな
るだけである。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、感光性樹
脂膜厚の平坦性も十分となり、グレートーン露光の信頼
性が向上し、工業上極めて大きな効果を有する。
脂膜厚の平坦性も十分となり、グレートーン露光の信頼
性が向上し、工業上極めて大きな効果を有する。
【図１】本発明の実施の形態の露光用フォトマスクを示
す図
す図
【図２】露光量と感光性樹脂膜厚の関係を示す図
【図３】投影露光機での遮光部大きさと膜厚平坦性の関
係を示す図
係を示す図
【図４】投影露光機での非遮光部大きさと膜厚平坦性の
関係を示す図
関係を示す図
【図５】密着露光機での遮光部大きさと膜厚平坦性の関
係を示す図
係を示す図
【図６】密着露光機での非遮光部大きさと膜厚平坦性の
関係を示す図
関係を示す図
【図７】本発明の他の実施の形態の露光用フォトマスク
を示す図
を示す図
【図８】従来のパターニング工程のフロー図
【図９】グレートーン露光の原理を説明する図
１ 遮光部
２ 非遮光部
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−250446（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−268556（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−166666（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−49411（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−253675（ＪＰ，Ａ)
実開 昭61−38601（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭58−185850（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/00 - 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】紫外光により感光性樹脂を複数の膜厚を有
するようパターニングする際に用いられ、前記感光性樹
脂のパターニングを行う露光機の解像度以下の寸法で形
成された遮光部と非遮光部とを繰り返して形成した露光
用フォトマスクであって、上下左右に隣接する前記遮光
部が、この遮光部の大きさ以内でずらして配置されたパ
ターンを有する露光用フォトマスク。 - 【請求項２】前記遮光部が、露光機の解像寸法を与える
ｄの１／５より小さな寸法で形成された請求項１記載の
露光用フォトマスク。 - 【請求項３】前記遮光部が、開口数ＮＡの投影露光機を
用いて露光波長λで露光した際の解像寸法を与えるｄ
（ｄ＝λ／ＮＡ）の１／５より小さな寸法で形成された
請求項１記載の露光用フォトマスク。 - 【請求項４】前記遮光部が、フォトマスクと基板に塗布
された感光性樹脂の距離がｇの密着露光機で露光波長λ
で露光した際の解像寸法を与えるｄ（ｄ＝（２λｇ）
0.5 ）の１／５より小さな寸法で形成された請求項１記
載の露光用フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000286716A JP3518497B2 (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 露光用フォトマスク |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000286716A JP3518497B2 (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 露光用フォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002099070A JP2002099070A (ja) | 2002-04-05 |
| JP3518497B2 true JP3518497B2 (ja) | 2004-04-12 |
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ID=18770595
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3518497B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP4296943B2 (ja) | 2003-01-28 | 2009-07-15 | ソニー株式会社 | 露光用マスクの製造方法および露光方法ならびに３次元形状の製造方法 |
| JP2005258387A (ja) | 2003-07-29 | 2005-09-22 | Sony Corp | 露光用マスクおよびマスクパターンの製造方法 |
| US7914971B2 (en) | 2005-08-12 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| JP5228390B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2013-07-03 | 大日本印刷株式会社 | 階調マスク |
-
2000
- 2000-09-21 JP JP2000286716A patent/JP3518497B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002099070A (ja) | 2002-04-05 |
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