JP3517153B2 - プラズマイオン金属被着装置 - Google Patents
プラズマイオン金属被着装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型電子顕微鏡を
利用する際の試料の前処理に関し，具体的には走査電子
顕微鏡における電気の不良導体試料の表面に導電性被膜
を形成させ，走査電子顕微鏡像観察に際して発生する帯
電現象を除去するとともに２次電子の発生効率を助長す
る金属被着のための前処理装置と方法に関する
利用する際の試料の前処理に関し，具体的には走査電子
顕微鏡における電気の不良導体試料の表面に導電性被膜
を形成させ，走査電子顕微鏡像観察に際して発生する帯
電現象を除去するとともに２次電子の発生効率を助長す
る金属被着のための前処理装置と方法に関する
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の観察には試
料の表面は電気の良導体であることが条件となる。この
ため生物試料や無機化合物の如き電気の不良導体試料は
表面に数十ｎｍの薄い金属膜，あるいは炭素膜を形成さ
せてから観察を行う。
料の表面は電気の良導体であることが条件となる。この
ため生物試料や無機化合物の如き電気の不良導体試料は
表面に数十ｎｍの薄い金属膜，あるいは炭素膜を形成さ
せてから観察を行う。
【０００３】ＳＥＭ試料における導体膜被着には真空蒸
着装置，あるいはイオンスパッタリング金属被着装置を
利用して金，白金，あるいはこれらの合金を被着させて
観察する。被着する金属粒子は連続膜とする必要からあ
る程度の厚さを必要とするため試料表面の微細構造は隠
蔽され，また被着金属は結晶化して粗大粒子となり試料
表面の構造と混同して正確な判断を阻害している
着装置，あるいはイオンスパッタリング金属被着装置を
利用して金，白金，あるいはこれらの合金を被着させて
観察する。被着する金属粒子は連続膜とする必要からあ
る程度の厚さを必要とするため試料表面の微細構造は隠
蔽され，また被着金属は結晶化して粗大粒子となり試料
表面の構造と混同して正確な判断を阻害している
【０００４】帯電防止に炭素の蒸着も利用されるが炭素
は２次電子の発生効率が悪くＸ線分析を主とする場合に
のみ用いられる。時には金属の導電性不足を補填するた
めの補助手段として利用されるが複雑な形状の試料に対
しては１０ｎｍ以上の厚さが必要で蒸着膜全体が厚くな
り微細構造は埋没して観察できない
は２次電子の発生効率が悪くＸ線分析を主とする場合に
のみ用いられる。時には金属の導電性不足を補填するた
めの補助手段として利用されるが複雑な形状の試料に対
しては１０ｎｍ以上の厚さが必要で蒸着膜全体が厚くな
り微細構造は埋没して観察できない
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】この問題の解決に
は試料表面の微細構造を失わない程度の薄い導電性被膜
を形成させることと，この薄い膜が走査電子顕微鏡の像
形成に十分な２次電子放出効率を有することである。
は試料表面の微細構造を失わない程度の薄い導電性被膜
を形成させることと，この薄い膜が走査電子顕微鏡の像
形成に十分な２次電子放出効率を有することである。
【０００６】イオンスパッタリングによって厚さ１ｎｍ
程度に被着したｐｔ，またはｐｔ−Ｐｄの粒子は粒子自
身も１ｎｍ以下で２次電子放出能力もあり，試料表面の
微細構造の観察に十分な可能性を持っているが，複雑な
形状の試料に対しては連続膜を形成させることが不可能
で帯電防止には不十分である
程度に被着したｐｔ，またはｐｔ−Ｐｄの粒子は粒子自
身も１ｎｍ以下で２次電子放出能力もあり，試料表面の
微細構造の観察に十分な可能性を持っているが，複雑な
形状の試料に対しては連続膜を形成させることが不可能
で帯電防止には不十分である
【０００７】走査電子顕微鏡用試料の導電性皮膜形成方
法に４酸化オスミウムガスをプラズマイオン重合により
金属オスミウム（Ｏｓ）として被着させる方法がある。
プラズマ重合Ｏｓ膜は１ｎｍ以下の薄い膜でも連続膜を
形成し，複雑な形状の試料表面に対しても帯電防止効果
を発揮する。しかし１ｎｍ程度の薄いＯｓ膜は２次電子
の放出能力が不足し鮮明な走査電子顕微鏡像が得られな
い
法に４酸化オスミウムガスをプラズマイオン重合により
金属オスミウム（Ｏｓ）として被着させる方法がある。
プラズマ重合Ｏｓ膜は１ｎｍ以下の薄い膜でも連続膜を
形成し，複雑な形状の試料表面に対しても帯電防止効果
を発揮する。しかし１ｎｍ程度の薄いＯｓ膜は２次電子
の放出能力が不足し鮮明な走査電子顕微鏡像が得られな
い
【０００８】両者の特徴を利用するには試料表面に薄い
ｐｔ膜とＯｓ膜を被着させればよく理想的にはこの金属
膜被着処理を単一の装置で単一工程で行えれることが理
想的である
ｐｔ膜とＯｓ膜を被着させればよく理想的にはこの金属
膜被着処理を単一の装置で単一工程で行えれることが理
想的である
【０００９】従来の対向電極放電によるｐｔのイオンス
パッタは平面のカソード電極表面をイオン衝撃によるス
パッタ率の良い金属，例えばｐｔとし，対向するアノー
ド電極側に試料を置いて放電させる。この場合のスパッ
タ電圧は約２０００Ｖを必要とする。このような高い電
圧では反射イオンにより生物試料などは損傷を受ける
パッタは平面のカソード電極表面をイオン衝撃によるス
パッタ率の良い金属，例えばｐｔとし，対向するアノー
ド電極側に試料を置いて放電させる。この場合のスパッ
タ電圧は約２０００Ｖを必要とする。このような高い電
圧では反射イオンにより生物試料などは損傷を受ける
【００１０】その対策としてカソードを円筒電極型（ホ
ローカソード）にし円筒内面をｐｔで作り試料は円筒内
に電気的に絶縁して設置することによりｐｔがターゲッ
ト金属となってイオンスパッタ金属被着ができる。ホロ
ーカソードの放電電圧は平面電極の場合の２分の１以下
にできるから試料のイオン損傷は４分の１以下に軽減で
きる
ローカソード）にし円筒内面をｐｔで作り試料は円筒内
に電気的に絶縁して設置することによりｐｔがターゲッ
ト金属となってイオンスパッタ金属被着ができる。ホロ
ーカソードの放電電圧は平面電極の場合の２分の１以下
にできるから試料のイオン損傷は４分の１以下に軽減で
きる
【００１１】プラズマイオン重合によるＯｓの被着にお
いて，カソード電極上に試料を置き，４酸化オスミウム
ガス５〜６Ｐａの雰囲気圧力に於て放電させる平面カソ
ードの場合，その放電電圧は約１０００〜１５００Ｖで
ある。このような高電圧では試料は重いオスミウムイオ
ンの衝撃で損傷を受ける
いて，カソード電極上に試料を置き，４酸化オスミウム
ガス５〜６Ｐａの雰囲気圧力に於て放電させる平面カソ
ードの場合，その放電電圧は約１０００〜１５００Ｖで
ある。このような高電圧では試料は重いオスミウムイオ
ンの衝撃で損傷を受ける
【００１２】その対策としてカソードをホローカソード
にし試料はカソード内に絶縁して設置するとオスミウム
ガス雰囲気での放電電圧は平面電極の２分の１以下にな
るので試料に対するイオンの衝撃力は４分の１以下にな
り試料損傷は軽減できる。更にオスミウムガスに空気，
あるいは窒素，Ａｒを加えて圧力を１０〜３０Ｐａにす
ると放電電圧は３分の１以下となり試料のイオン損傷は
なくなる。この場合のＯｓ膜被着速度は４酸化オスミウ
ムガスの含有率に比例する
にし試料はカソード内に絶縁して設置するとオスミウム
ガス雰囲気での放電電圧は平面電極の２分の１以下にな
るので試料に対するイオンの衝撃力は４分の１以下にな
り試料損傷は軽減できる。更にオスミウムガスに空気，
あるいは窒素，Ａｒを加えて圧力を１０〜３０Ｐａにす
ると放電電圧は３分の１以下となり試料のイオン損傷は
なくなる。この場合のＯｓ膜被着速度は４酸化オスミウ
ムガスの含有率に比例する
【００１３】発明はプラズマイオンスパッタとプラズマ
重合の放電電圧を７００Ｖ以下に低下させる電極構造と
方法の採用にある
重合の放電電圧を７００Ｖ以下に低下させる電極構造と
方法の採用にある
【００１４】プラズマ重合Ｏｓ膜被着の場合は４酸化オ
スミウムガスに空気，あるいは窒素，Ａｒなどを混合し
て１０〜３０Ｐａの圧力にすると放電電圧を５００Ｖ以
下に低下させてＯｓ膜の被着ができる。試料はホローカ
ソード内の底面に電気的に絶縁して設置することでＯｓ
イオンの直撃を回避できる
スミウムガスに空気，あるいは窒素，Ａｒなどを混合し
て１０〜３０Ｐａの圧力にすると放電電圧を５００Ｖ以
下に低下させてＯｓ膜の被着ができる。試料はホローカ
ソード内の底面に電気的に絶縁して設置することでＯｓ
イオンの直撃を回避できる
【００１５】金属のイオンスパッタはホローカソードの
円筒電極内壁面をターゲット金属，例えばＰｔやＰｔを
主体とする合金で作る。試料はホローカソード内の底面
に電気的に絶縁して設置すればイオン衝撃を回避してス
パッタ金属を被着できる。この時の雰囲気ガスはＡｒ，
窒素，空気を主体とする。
円筒電極内壁面をターゲット金属，例えばＰｔやＰｔを
主体とする合金で作る。試料はホローカソード内の底面
に電気的に絶縁して設置すればイオン衝撃を回避してス
パッタ金属を被着できる。この時の雰囲気ガスはＡｒ，
窒素，空気を主体とする。
【００１６】ＰｔとＯｓの同時被着を行う場合は内壁面
がＰｔであるホローカソード電極を用い，Ａｒ，または
窒素，空気を主体とし，これに４酸化オスミウムガスを
１０〜５０％混合してプラズマ放電を行えば試料表面に
ＰｔとＯｓの混合した膜が被着できる。ＰｔとＯｓの混
合被着膜は結晶粒子の成長がなく超高分解能走査電子顕
微鏡観察に適している
がＰｔであるホローカソード電極を用い，Ａｒ，または
窒素，空気を主体とし，これに４酸化オスミウムガスを
１０〜５０％混合してプラズマ放電を行えば試料表面に
ＰｔとＯｓの混合した膜が被着できる。ＰｔとＯｓの混
合被着膜は結晶粒子の成長がなく超高分解能走査電子顕
微鏡観察に適している
【００１７】実施の一例を第１図にしめす。ホローカソ
ード電極（２）は直径約６０ｍｍ，側壁の高さを直径の
約２分の１とし，円筒内面はＰｔ，又はＰｔ−Ｐｄ，Ａ
ｕ−Ｐｄで被覆してターゲット（３）とする。カソード
電極内底部に電極と絶縁して試料設置台（５）がある。
ガス供給装置は４酸化オスミウム（１１），及び空気，
または窒素，Ａｒなどの単独，又は複数系統（１２）か
らなっている。４酸化オスミウムガス（１１）はホロー
カソード内に直接注入できるように構成する。真空排気
装置（７）はオスミウムガスに犯されないフッ素系の真
空油を使用し，ポンプの排出側に活性炭，又はゼオライ
トなどの活性ガス吸収装置（１４）を設置する
ード電極（２）は直径約６０ｍｍ，側壁の高さを直径の
約２分の１とし，円筒内面はＰｔ，又はＰｔ−Ｐｄ，Ａ
ｕ−Ｐｄで被覆してターゲット（３）とする。カソード
電極内底部に電極と絶縁して試料設置台（５）がある。
ガス供給装置は４酸化オスミウム（１１），及び空気，
または窒素，Ａｒなどの単独，又は複数系統（１２）か
らなっている。４酸化オスミウムガス（１１）はホロー
カソード内に直接注入できるように構成する。真空排気
装置（７）はオスミウムガスに犯されないフッ素系の真
空油を使用し，ポンプの排出側に活性炭，又はゼオライ
トなどの活性ガス吸収装置（１４）を設置する
【００１８】以上の構成に於て試料処理手順を説明す
る。試料（Ｓ）は規定の手順に従って処理し乾燥状態に
あるものを走査電子顕微鏡用試料保持台（スタブ）に固
定した物で，これを試料台（５）の上に置き真空排気装
置（７）により２Ｐａ程度の圧力まで排気する。ゲート
バルブ（８）を閉じバイパス（９）の流量調節バルブ
（１０）を調節して真空を保持する程度とし，ガス供給
装置（１１）のストップバルブ（１３）を開いて４酸化
オスミウムのガスを注入し２〜６Ｐａにしてストップバ
ルブ（１３）を閉じる。次に空気，あるいはＡｒ（１
２）のストップバルブ（１３’）を開いて雰囲気圧力を
１０〜３０Ｐａに調節する。高電圧を印加して放電電流
を５ｍＡないし１０ｍＡに調節する。この時の電圧は４
００Ｖないし６００Ｖで，従来の平面電極に比べ２分の
１以下である。希望の被着厚さに相当する時間，放電を
持続した後装置を停止し，試料を取り出す。即ち，一つ
の処理工程でＰｔとオスミウムが同時に被着できる。Ｐ
ｔとＯｓの被着比率は雰囲気ガスの中の４酸化オスミウ
ムガスの混合比率で調節できる
る。試料（Ｓ）は規定の手順に従って処理し乾燥状態に
あるものを走査電子顕微鏡用試料保持台（スタブ）に固
定した物で，これを試料台（５）の上に置き真空排気装
置（７）により２Ｐａ程度の圧力まで排気する。ゲート
バルブ（８）を閉じバイパス（９）の流量調節バルブ
（１０）を調節して真空を保持する程度とし，ガス供給
装置（１１）のストップバルブ（１３）を開いて４酸化
オスミウムのガスを注入し２〜６Ｐａにしてストップバ
ルブ（１３）を閉じる。次に空気，あるいはＡｒ（１
２）のストップバルブ（１３’）を開いて雰囲気圧力を
１０〜３０Ｐａに調節する。高電圧を印加して放電電流
を５ｍＡないし１０ｍＡに調節する。この時の電圧は４
００Ｖないし６００Ｖで，従来の平面電極に比べ２分の
１以下である。希望の被着厚さに相当する時間，放電を
持続した後装置を停止し，試料を取り出す。即ち，一つ
の処理工程でＰｔとオスミウムが同時に被着できる。Ｐ
ｔとＯｓの被着比率は雰囲気ガスの中の４酸化オスミウ
ムガスの混合比率で調節できる
【００１９】プラズマイオン金属被着の原理は，雰囲気
ガス分子を放電のエネルギーで陽イオンと電子に分離し
たプラズマ状態を作り，この陽イオンの衝撃力でカソー
ド表面のターゲット金属をスパッタさせればアノード上
に置いた試料表面にスパッタした金属が被着される。雰
囲気ガスが４酸化オスミウムの場合は電離してＯｓイオ
ンが発生しカソード上に置いた試料表面に金属Ｏｓとな
って析出する。これを従来の平板電極で行う場合はプラ
ズマ電圧の極性を変換するか試料を置き替える必要があ
る。これを発明のホローカソードターゲットで行えばプ
ラズマ放電の極性はそのまま雰囲気ガスの混合比を変え
ることで希望の金属被着が行える
ガス分子を放電のエネルギーで陽イオンと電子に分離し
たプラズマ状態を作り，この陽イオンの衝撃力でカソー
ド表面のターゲット金属をスパッタさせればアノード上
に置いた試料表面にスパッタした金属が被着される。雰
囲気ガスが４酸化オスミウムの場合は電離してＯｓイオ
ンが発生しカソード上に置いた試料表面に金属Ｏｓとな
って析出する。これを従来の平板電極で行う場合はプラ
ズマ電圧の極性を変換するか試料を置き替える必要があ
る。これを発明のホローカソードターゲットで行えばプ
ラズマ放電の極性はそのまま雰囲気ガスの混合比を変え
ることで希望の金属被着が行える
【００２０】プラズマイオンの衝撃力はイオンの速度＝
放電電圧の二乗に比例するから放電電圧は低いほど試料
損傷が少ない。発明のホローカソード方式は同一の雰囲
気圧力で比較すると放電電圧は平板電極の２分の１以下
であるから試料の受ける衝撃力は４分の１以下となり，
機械的強度が弱く繊細な構造を持つ生物試料などでも破
壊されるこがなく成膜が進行する。
放電電圧の二乗に比例するから放電電圧は低いほど試料
損傷が少ない。発明のホローカソード方式は同一の雰囲
気圧力で比較すると放電電圧は平板電極の２分の１以下
であるから試料の受ける衝撃力は４分の１以下となり，
機械的強度が弱く繊細な構造を持つ生物試料などでも破
壊されるこがなく成膜が進行する。
【００２１】試料表面の被着膜の生成速度は試料を取り
巻くプラズマの密度に比例する。ホローカソード形電極
の場合はカップ状の電極内にプラズマが閉じ込められる
ためプラズマ電子が未解離のガスのイオン化を助けプラ
ズマ密度を上昇させる。試料は高密度のプラズマの中に
浸漬された状態にあるのでＯｓ被着速度は促進される
巻くプラズマの密度に比例する。ホローカソード形電極
の場合はカップ状の電極内にプラズマが閉じ込められる
ためプラズマ電子が未解離のガスのイオン化を助けプラ
ズマ密度を上昇させる。試料は高密度のプラズマの中に
浸漬された状態にあるのでＯｓ被着速度は促進される
【００２２】以上説明する如くホローカソード形電極内
に試料を置くプラズマイオン金属被着装置は放電電圧を
下げることで試料のイオン損傷を軽減してＰｔ膜被着が
可能であり，合わせて試料周辺のプラズマ密度を上げる
ことにより低電圧放電プラズマ重合によるＯｓ膜の被着
が可能になるので生物試料の如く繊細な試料の導電膜形
成に効果がある
に試料を置くプラズマイオン金属被着装置は放電電圧を
下げることで試料のイオン損傷を軽減してＰｔ膜被着が
可能であり，合わせて試料周辺のプラズマ密度を上げる
ことにより低電圧放電プラズマ重合によるＯｓ膜の被着
が可能になるので生物試料の如く繊細な試料の導電膜形
成に効果がある
【図１】図１は発明の実施例をしめす装置構成の概略断
面図である。
面図である。
１ 真空槽 １０ 排気速度
調節バルブ．２ ホローカソード電極． １
１ オスミウムガス供給装置．３ ターゲット金属
１２ Ａｒガス等供給装置 ４ 静電シールド． １３，１３’ス
トップバルブ．５ 試料台．
１４ オスミウムガス吸収装置 Ｓ 試料． １５ 真空ゲー
ジ．６ アノード電極 １６ 直流
電源装置．７ 真空排気装置 １７
絶縁体．８ ゲートバルブ． ｍＡ
電流計 ９ バイパス排気管 Ｖ 電圧計
調節バルブ．２ ホローカソード電極． １
１ オスミウムガス供給装置．３ ターゲット金属
１２ Ａｒガス等供給装置 ４ 静電シールド． １３，１３’ス
トップバルブ．５ 試料台．
１４ オスミウムガス吸収装置 Ｓ 試料． １５ 真空ゲー
ジ．６ アノード電極 １６ 直流
電源装置．７ 真空排気装置 １７
絶縁体．８ ゲートバルブ． ｍＡ
電流計 ９ バイパス排気管 Ｖ 電圧計
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(56)参考文献 特開 平４−191369（ＪＰ，Ａ)
特開2000−65702（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−111461（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−354867（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−65633（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−268623（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−275547（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−239432（ＪＰ，Ａ)
特公 平８−14021（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平７−15900（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平７−6059（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平５−85017（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平６−27339（ＪＰ，Ｂ２)
実公 昭56−43728（ＪＰ，Ｙ２)
実公 昭63−4997（ＪＰ，Ｙ２)
特許2697753（ＪＰ，Ｂ２)
特許2748213（ＪＰ，Ｂ２)
赤堀宏、吉田寿治、埜中征哉、石井弘
子，“イオンスパッタコーティングにお
けるターゲット冷却の効果”，医生物走
査電顕，日本，医学生物学走査電顕研究
会，1989年12月 １日，第18巻，ｐ．33
−35
田中昭，“グロー放電によるプラズマ
重合膜レプリカ法”，電子顕微鏡学会
誌，日本，1991年，第26巻、第２号,
ｐ．141−150
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 1/00 - 1/44
C23C 14/00 - 14/58
H05H 1/00 - 1/54
C23C 16/00 - 16/56
H01J 37/20
H01J 37/30 - 37/36
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 希薄気体状態に維持される真空槽（１）
内にカソードと、このカソードに対向してアノード電極
（６）を設けたダイオード放電プラズマイオン金属被着
装置に於て，カソードを円筒型であるホローカソード
（２）とし，このホローカソード（２）の円筒内壁をス
パッタ率良好なターゲット金属（３）で形成すると共
に，表面に金属を被着する試料（Ｓ）をホローカソード
（２）の円筒内に置くプラズマイオン金属被着装置 - 【請求項２】請求項１のプラズマイオン金属被着装置に
於て希薄気体としてアルゴン，窒素，空気等の複数のガ
ス供給装置（１２）と，４酸化オスミウムガスの供給装
置（１１）を備えてなるプラズマイオン金属被着装置 - 【請求項３】請求項１のプラズマイオン金属被着装置に
於て４酸化オスミウムガスをホローカソード底部より直
接電極内に注入するように構成したプラズマイオン金属
被着装置 - 【請求項４】 請求項１のプラズマイオン金属被着装置
に於て，希薄気体としての雰囲気ガスをアルゴン，窒
素，あるいは空気と，これに任意比率に４酸化オスミウ
ムガスを混合することにより金属のイオンスパッタ被着
とプラズマイオン重合による金属オスミウムの被着を同
時，又は個別に行うプラズマイオン金属被着装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11532799A JP3517153B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | プラズマイオン金属被着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11532799A JP3517153B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | プラズマイオン金属被着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000266653A JP2000266653A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3517153B2 true JP3517153B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=14659831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11532799A Expired - Fee Related JP3517153B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | プラズマイオン金属被着装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3517153B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8679307B2 (en) * | 2002-08-02 | 2014-03-25 | E.A. Fischione Instruments, Inc. | Method and apparatus for preparing specimens for microscopy |
| JP5419723B2 (ja) * | 2010-01-14 | 2014-02-19 | フィルジェン株式会社 | 導電性薄膜のプラズマ成膜方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2697753B2 (ja) | 1993-05-24 | 1998-01-14 | 昭 田中 | 直流グロー放電による金属被膜の堆積法 |
| JP2748213B2 (ja) | 1993-05-24 | 1998-05-06 | 日本レーザ電子株式会社 | プラズマ製膜装置 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP11532799A patent/JP3517153B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2697753B2 (ja) | 1993-05-24 | 1998-01-14 | 昭 田中 | 直流グロー放電による金属被膜の堆積法 |
| JP2748213B2 (ja) | 1993-05-24 | 1998-05-06 | 日本レーザ電子株式会社 | プラズマ製膜装置 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 田中昭，"グロー放電によるプラズマ重合膜レプリカ法"，電子顕微鏡学会誌，日本，１９９１年，第２６巻、第２号，ｐ．１４１−１５０ |
| 赤堀宏、吉田寿治、埜中征哉、石井弘子，"イオンスパッタコーティングにおけるターゲット冷却の効果"，医生物走査電顕，日本，医学生物学走査電顕研究会，１９８９年１２月 １日，第１８巻，ｐ．３３−３５ |
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| JP2000266653A (ja) | 2000-09-29 |
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