JP3507994B2

JP3507994B2 - Remover of harmful components

Info

Publication number: JP3507994B2
Application number: JP14452894A
Authority: JP
Inventors: 由章杉森; 忠治渡辺; 文誉遠藤; ▲均▼ 菊池; 明彦森田
Original assignee: Taiyo Nippon Sanso Corp
Current assignee: Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority date: 1994-06-27
Filing date: 1994-06-27
Publication date: 2004-03-15
Anticipated expiration: 2019-03-15
Also published as: JPH0810563A

Description

Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、有害成分の除去剤に関
し、詳しくは、半導体製造工場等で使用される揮発性無
機水素化合物や揮発性無機ハロゲン化物，有機金属化合
物等の有害成分を含む排ガス中の前記有害成分を除去
（除害）する除去剤に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a harmful component removing agent, and more specifically, it contains a harmful component such as a volatile inorganic hydrogen compound, a volatile inorganic halide, or an organometallic compound used in a semiconductor manufacturing plant or the like. The present invention relates to a remover that removes (removes) the harmful components in exhaust gas.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程等では、ホウ素，ケイ
素，リン，ヒ素，セレン等の種々の化合物が用いられて
おり、例えば、ジボラン，シラン，ホスフイン，アルシ
ン，セレン化水素等の揮発性の無機水素化物や、これら
の水素の一部がハロゲン元素に置換した例えばジクロル
シラン等のハロゲン化物、あるいは、アルキル基等に置
換した例えばターシャリーブチルホスフィンやターシャ
リーブチルアルシン等の有機金属化合物等を含む排ガス
が排気される。これらの揮発性無機水素化物，揮発性無
機ハロゲン化物，有機金属化合物等は、毒性や可燃性を
有する危険な有害成分であるため、該有害成分を含む排
気ガスを大気中に放出する際には無害化処理を行う必要
がある。2. Description of the Related Art Various compounds such as boron, silicon, phosphorus, arsenic and selenium are used in semiconductor manufacturing processes. For example, volatile inorganic compounds such as diborane, silane, phosphine, arsine and hydrogen selenide. Exhaust gas containing a hydride, a halide such as dichlorosilane in which a part of the hydrogen is replaced with a halogen element, or an organometallic compound such as tertiary butyl phosphine or tertiary butyl arsine in which an alkyl group is replaced Is exhausted. Since these volatile inorganic hydrides, volatile inorganic halides, organometallic compounds, etc. are hazardous harmful components that are toxic and flammable, when releasing exhaust gas containing these harmful components into the atmosphere, Detoxification process is required.

【０００３】したがって、半導体工場では、上記有害成
分を無害化するための処理を行っているが、この無害化
処理は、従来のスクラバ等による湿式乃至湿潤状態の除
去剤による半湿式から、近年は、乾式による処理技術へ
と移行してきている。乾式処理剤としては、従来、銅そ
の他の金属の酸化物を主体とした除去剤が提案されてい
る。例えば、特公平３−６４１６６号公報，特公平３−
６４１６７号公報には、アルシン等のヒ素を含む排ガス
に対する除去剤として酸化銅を主体とした除去剤が記載
されている。また、シラン系排ガスに対して、特公平４
−１７０８２号公報には、酸化第二銅又はこれに酸化亜
鉛を添加した除去剤が、特公平４−１９８８６号公報に
は、多種の金属酸化物を主成分とした除去剤が、それぞ
れ提案されている。Therefore, a semiconductor factory carries out a treatment for detoxifying the above-mentioned harmful components. This detoxification treatment is carried out from a conventional wet or wet semi-wet with a removing agent in a wet state. , The process technology has changed to dry process. As a dry processing agent, conventionally, a removing agent mainly composed of oxides of copper and other metals has been proposed. For example, Japanese Patent Publication No. 3-64166 and Japanese Patent Publication No. 3-163.
Japanese Patent No. 64167 describes a remover mainly composed of copper oxide as a remover for exhaust gas containing arsenic such as arsine. In addition, special fair 4
-17082 proposes a remover containing cupric oxide or zinc oxide added thereto, and JP-B-4-19886 proposes a remover containing various metal oxides as main components. ing.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記金属酸化
物系の従来の各種除去剤は、除害対象ガス種が限定され
ており、半導体製造工程等からの排ガスに含まれている
ホウ素、ケイ素、リン、ヒ素、セレン等の種々の化合物
等、多種類の有害成分を十分に除害することができなか
った。そのため、除害対象ガス成分が限定される上記除
去剤を使用する場合、想定される除害対象ガス種に対応
して幾種類かの除去剤を使用した除去筒を設置する必要
があった。However, in the above-mentioned various conventional metal oxide-based removers, the types of gas to be removed are limited, and boron and silicon contained in the exhaust gas from the semiconductor manufacturing process and the like are limited. It was not possible to sufficiently remove many kinds of harmful components such as various compounds such as phosphorus, arsenic, and selenium. Therefore, in the case of using the above-mentioned removing agent in which the gas components to be removed are limited, it is necessary to install a removing cylinder using some types of removing agents corresponding to the supposed gas species to be removed.

【０００５】例えば、前述の酸化銅は、アルシン系の有
害成分に対しては有効であるが、シラン系の有害成分に
対する除去性能が劣り、シラン系の有害成分に対しては
別途の処理を要する。しかし、シラン系の有害成分に対
する有効な乾式除去剤の開発が遅れているのが実状であ
る。For example, the above-mentioned copper oxide is effective against harmful components of arsine type, but is inferior in removal performance against harmful components of silane type, and requires separate treatment for harmful components of silane type. . However, in reality, the development of an effective dry remover for silane-based harmful components has been delayed.

【０００６】一方、本出願人は、先に、シランをはじめ
とする前記各種の有害成分の除去に有効な除去剤とし
て、水酸化銅を主成分とする除去剤を提案した。本発明
は、この水酸化銅における有害成分の除去効果を種々検
討した結果成されたものであって、シラン系の有害成分
に対して有効であり、かつ、前記多種類の有害成分にも
広く有効な有害成分の除去剤を提供することを目的とす
るものである。On the other hand, the present applicant has previously proposed a remover containing copper hydroxide as a main component as a remover effective for removing the above-mentioned various harmful components such as silane. The present invention has been made as a result of various studies on the effect of removing harmful components in this copper hydroxide, is effective against silane-based harmful components, and is widely applicable to the various types of harmful components described above. It is intended to provide an effective remover of harmful components.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明の有害成分の除去剤は、水酸化アルミニウ
ム，水酸化スカンジウム (III) ，水酸化クロム (III) ，
水酸化マンガン（Ｍｎ（ＯＨ）ｎ（ｎ＝２，３，４，
６，７）），水酸化鉄 (III) ，水酸化コバルト (II) ，水
酸化コバルト (III) ，水酸化ニッケル (II) ，水酸化ニッ
ケル (III) ，水酸化亜鉛 (II) ，水酸化ガリウム (I) ，水
酸化ガリウム (III) ，水酸化イットリウム (III) ，水酸
化ニオブ (V) ，水酸化ロジウム (I) ，水酸化パラジウム
(II) ，水酸化パラジウム (IV) ，水酸化銀 (I) ，水酸化カ
ドミウム (II) ，水酸化インジウム (I) ，水酸化インジウ
ム (III) ，水酸化スズ (II) ，水酸化スズ (IV) ，水酸化ア
ンチモン (III) ，水酸化水素アンチモン (V) ，水酸化ラ
ンタン (III) ，水酸化セリウム (IV) ，水酸化プラセオジ
ム (III) ，水酸化ユウロピウム (III) ，水酸化ジスプロ
シウム (III) ，水酸化オスミウム (IV) ，水酸化白金 (I
I) ，水酸化金 (III) ，水酸化水銀 (II) ，水酸化タリウム
(I) ，水酸化タリウム (III) ，水酸化鉛 (II) ，水酸化ビ
スマス (III) のいずれか又は酸化水酸化クロム (VI) ，酸
化水酸化マンガン (III) ，酸化水酸化鉄 (III) ，酸化水
酸化コバルト (III) ，酸化水酸化ニッケル (III) ，酸化
水酸化モリブデン (V) ，酸化水酸化ビスマス (III) のい
ずれかを主成分とする半導体製造工場で使用される揮発
性無機水素化合物，揮発性無機ハロゲン化物，有機金属
化合物を除去するためのものであり、さらに、該除去剤
に、ベリリウム，ホウ素，マグネシウム，アルミニウ
ム，ケイ素，バナジウム，コバルト，ニッケル，銅，亜
鉛，モリブデン，アンチモン，鉛及びビスマスのいずれ
か少なくとも１種の化合物（主成分と同一のものを除
く）を分解反応を抑制する安定化剤として添加したこと
を特徴としている。In order to achieve the above-mentioned object, the harmful component removing agent of the present invention is aluminum hydroxide.
System, scandium (III) hydroxide, chromium (III) hydroxide ,
Manganese hydroxide (Mn (OH) n (n = 2, 3, 4,
6, 7)), iron (III) hydroxide, cobalt (II) hydroxide , water
Cobalt (III) oxide , nickel (II) hydroxide, nickel hydroxide
Kell (III) , zinc (II) hydroxide, gallium (I) hydroxide , water
Gallium (III) oxide , Yttrium (III) hydroxide , Hydroxide
Niobium (V) oxide, Rhodium hydroxide (I) , Palladium hydroxide
(II) , palladium (IV) hydroxide, silver (I) hydroxide, hydroxide
Domium (II) , Indium hydroxide (I) , Indium hydroxide
Aluminum (III) , tin (II) hydroxide, tin (IV) hydroxide, hydroxide
Antimony (III) , Antimony hydrogen hydroxide (V) , La hydroxide
Lanthanum (III), cerium (IV), hydroxide Puraseoji
Beam (III), europium hydroxide (III), hydroxide Jisupuro
Sium (III) , Osmium (IV) hydroxide, Platinum hydroxide (I
I) , Au (III) hydroxide, Mercury (II) hydroxide, Thallium hydroxide
(I) , thallium (III) hydroxide, lead (II) hydroxide, vinyl hydroxide
Any of smut (III) or chromium (VI) oxide hydroxide , acid
Manganese (III) hydroxide hydroxide, Iron (III) oxide hydroxide , Oxidized water
Cobalt (III) oxide, Nickel (III) oxide hydroxide , Oxidation
Molybdenum hydroxide (V), oxidized bismuth hydroxide (III) Noi
Volatilization used in semiconductor manufacturing plants whose main component is slippage
Inorganic Hydrogen Compound, Volatile Inorganic Halide, Organometallic
A compound for removing a compound , and further, at least one of beryllium, boron, magnesium, aluminum, silicon, vanadium, cobalt, nickel, copper, zinc, molybdenum, antimony, lead and bismuth as the removing agent. The compound (excluding the same as the main component) is added as a stabilizer for suppressing the decomposition reaction .

【０００８】本発明の対象となる有害成分は、前述のよ
うに、半導体製造工場等で使用される揮発性無機水素化
物，揮発性無機ハロゲン化物，有機金属化合物等であ
る。前記揮発性無機水素化物としては、ジボラン，シラ
ン，ジシラン，ゲルマン，アンモニア，ホスフィン，ア
ルシン，硫化水素，セレン化水素等を挙げることがで
き、また、揮発性無機ハロゲン化物としては、三フッ化
ホウ素，三塩化ホウ素，四フッ化ケイ素，ジクロルシラ
ン，トリクロルシラン，四塩化ケイ素，トリクロルアル
シン，六フッ化タングステン，フッ素，塩素，フッ化水
素，塩化水素，臭化水素等、ハロゲンガスも含む各種ガ
スを挙げることができる。As described above, the harmful components to which the present invention is applicable are volatile inorganic hydrides, volatile inorganic halides, organometallic compounds and the like used in semiconductor manufacturing plants and the like. Examples of the volatile inorganic hydride include diborane, silane, disilane, germane, ammonia, phosphine, arsine, hydrogen sulfide, hydrogen selenide, and the like, and volatile inorganic halides include boron trifluoride. , Boron trichloride, silicon tetrafluoride, dichlorosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride, trichloroarsine, tungsten hexafluoride, fluorine, chlorine, hydrogen fluoride, hydrogen chloride, hydrogen bromide, etc. Can be mentioned.

【０００９】さらに、有機金属化合物としては、アルキ
ル基を含むものとして、ジメチル亜鉛，ジエチル亜鉛，
トリメチルアルミニウム，トリエチルアルミニウム，ト
リメチルガリウム，トリエチルガリウム，トリメチルイ
ンジウム，トリエチルインジウム，テトラメチル錫，テ
トラエチル錫，ターシャリーブチルホスフィン，トリメ
チルアルシン，トリエチルアルシン，ターシャリーブチ
ルアルシン等を、アルコキシド基を含むものとして、ジ
メトキシ亜鉛，トリブトキシガリウム，トリメトキシボ
ロン，トリエトキシボロン，テトラメトキシシラン，テ
トラエトキシシラン，テトラメトキシゲルマン，テトラ
エトキシゲルマン，テトラターシャリーブトキシ錫，ト
リメトキシホスフィン，トリエトキシホスフィン，トリ
メトキシアルシン，トリエトキシアルシン，テトラエト
キシセレン，テトラメトキシチタン，テトラエトキシチ
タン，テトライソプロポキシチタン，テトライソプロポ
キシジルコニウム，テトラターシャリーブトキシジルコ
ニウム，ペンタメトキシタンタル，ペンタエトキシタン
タル等をそれぞれ挙げることができる。Further, as the organometallic compound, those containing an alkyl group include dimethyl zinc, diethyl zinc,
Trimethylaluminum, triethylaluminum, trimethylgallium, triethylgallium, trimethylindium, triethylindium, tetramethyltin, tetraethyltin, tert-butylphosphine, trimethylarsine, triethylarsine, tert-butylarsine, etc., containing alkoxide groups, Dimethoxyzinc, tributoxygallium, trimethoxyboron, triethoxyboron, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetramethoxygermane, tetraethoxygermane, tetratert-butoxytin, trimethoxyphosphine, triethoxyphosphine, trimethoxyarsine, tri Ethoxyarsine, tetraethoxyselenium, tetramethoxytitanium, tetraethoxytitanium, tetraiso Ropokishichitan, tetraisopropoxy zirconium, tetra-tertiary-butoxy zirconium, pentamethoxy tantalum, pentaethoxytantalum etc. can be mentioned, respectively.

【００１０】これらの有害成分を除去（無害化）する本
発明の除去剤は、前述のとおり、分子内に水酸基を有す
る金属水酸化物又は金属酸化水酸化物である。これらの
金属水酸化物や金属酸化水酸化物は、シラン等のケイ素
の水素化合物、ハロゲン化水素化合物や有機化合物等に
対して、従来の酸化物系の除去剤に比べて優れた除去作
用を有している。さらに、前記金属水酸化物や金属酸化
水酸化物は、ケイ素以外のホウ素，リン，ヒ素，セレン
等の水素化合物、ハロゲン化水素化合物や有機化合物等
にも除去作用を有している。As described above, the removing agent of the present invention for removing (detoxifying) these harmful components is a metal hydroxide or a metal oxide hydroxide having a hydroxyl group in the molecule. These metal hydroxides and metal oxide hydroxides have an excellent removing effect on silicon hydrogen compounds such as silane, hydrogen halide compounds and organic compounds, as compared with conventional oxide-based removing agents. Have Further, the metal hydroxide or metal oxide hydroxide also has a removing action on hydrogen compounds such as boron, phosphorus, arsenic, and selenium other than silicon, hydrogen halide compounds, and organic compounds.

【００１１】上記金属水酸化物としては、各種のものを
用いることができるが、具体的には、水酸化アルミニウ
ム，水酸化スカンジウム(III) ，水酸化クロム(III) ，
水酸化マンガン（Ｍｎ（ＯＨ）ｎ（ｎ＝２，３，４，
６，７）），水酸化鉄(III) ，水酸化コバルト(II)，水
酸化コバルト(III) ，水酸化ニッケル(II)，水酸化ニッ
ケル(III) ，水酸化亜鉛(II)，水酸化ガリウム(I) ，水
酸化ガリウム(III) ，水酸化イットリウム(III) ，水酸
化ニオブ(V) ，水酸化ロジウム(I) ，水酸化パラジウム
(II)，水酸化パラジウム(IV)，水酸化銀(I) ，水酸化カ
ドミウム(II)，水酸化インジウム(I) ，水酸化インジウ
ム(III) ，水酸化スズ(II)，水酸化スズ(IV)，水酸化ア
ンチモン(III) ，水酸化水素アンチモン(V) ，水酸化ラ
ンタン(III) ，水酸化セリウム(IV)，水酸化プラセオジ
ム(III) ，水酸化ユウロピウム(III) ，水酸化ジスプロ
シウム(III) ，水酸化オスミウム(IV)，水酸化白金(I
I)，水酸化金(III) ，水酸化水銀(II)，水酸化タリウム
(I) ，水酸化タリウム(III) ，水酸化鉛(II)，水酸化ビ
スマス(III) 等を挙げることができる。As the metal hydroxide, various kinds can be used, and specifically, aluminum hydroxide, scandium (III) hydroxide, chromium (III) hydroxide,
Manganese hydroxide (Mn (OH) n (n = 2, 3, 4,
6, 7)), iron (III) hydroxide, cobalt (II) hydroxide, cobalt (III) hydroxide, nickel (II) hydroxide, nickel (III) hydroxide, zinc (II) hydroxide, hydroxide Gallium (I), Gallium (III) hydroxide, Yttrium (III) hydroxide, Niobium (V) hydroxide, Rhodium (I) hydroxide, Palladium hydroxide
(II), palladium (IV) hydroxide, silver (I) hydroxide, cadmium (II) hydroxide, indium (I) hydroxide, indium (III) hydroxide, tin (II) hydroxide, tin hydroxide ( IV), antimony (III) hydroxide, antimony hydrogen (V) hydroxide, lanthanum (III) hydroxide, cerium (IV) hydroxide, praseodymium (III) hydroxide, europium (III) hydroxide, dysprosium hydroxide (IV) III), osmium hydroxide (IV), platinum hydroxide (I
I), Au (III) hydroxide, Mercury (II) hydroxide, Thallium hydroxide
(I), thallium (III) hydroxide, lead (II) hydroxide, bismuth (III) hydroxide and the like can be mentioned.

【００１２】また、金属酸化水酸化物としても各種のも
のを用いることができるが、具体的には、酸化水酸化ク
ロム(VI)，酸化水酸化マンガン(III) ，酸化水酸化鉄(I
II)，酸化水酸化コバルト(III) ，酸化水酸化ニッケル
(III) ，酸化水酸化モリブデン(V) ，酸化水酸化ビスマ
ス(III) 等を挙げることができる。Various kinds of metal oxide hydroxides can be used. Specifically, chromium oxide hydroxide (VI), manganese oxide hydroxide (III), iron oxide hydroxide (I) can be used.
II), cobalt (III) oxide hydroxide, nickel hydroxide oxide
(III), molybdenum hydroxide (V) oxide, bismuth oxide hydroxide (III), etc. may be mentioned.

【００１３】上記のような分子内に水酸基（−ＯＨ）を
有する金属水酸化物や金属酸化水酸化物は、ホウ素，ケ
イ素，リン，ヒ素，セレン等の種々の化合物、すなわ
ち、ジボラン，シラン，ホスフイン，アルシン，セレン
化水素等の揮発性の無機水素化物、それらの水素の一部
がハロゲン元素に置換した例えばジクロルシラン等のハ
ロゲン化水素化物、あるいは、アルキル基などに置換し
た例えばターシャリーブチルアルシン等の有機金属化合
物、さらには、塩素や塩化水素等のハロゲン系ガス等の
有害成分ガスを含む排ガスと接触すると、それらの有害
成分ガスを除去し、該排ガスを無害化する。The metal hydroxides and metal oxide hydroxides having a hydroxyl group (--OH) in the molecule as described above are various compounds such as boron, silicon, phosphorus, arsenic and selenium, that is, diborane, silane, Volatile inorganic hydrides such as phosphine, arsine and hydrogen selenide, halohalides such as dichlorosilane in which a part of the hydrogen is replaced with halogen elements, or tert-butylarsine such as alkyl groups When it comes into contact with an exhaust gas containing an organic metal compound such as, and further, a harmful gas such as a halogen-based gas such as chlorine or hydrogen chloride, the harmful gas is removed and the exhaust gas is rendered harmless.

【００１４】上記金属水酸化物又は金属酸化水酸化物
は、それぞれ単独に用いてもよく、これらの２種以上を
適宜混合して用いてもよい。The above metal hydroxides or metal oxide hydroxides may be used alone or in admixture of two or more.

【００１５】さらに、上記金属水酸化物や金属酸化水酸
化物は、一般に、水酸基が熱分解することがあるが、ベ
リリウム，ホウ素，マグネシウム，アルミニウム，ケイ
素，バナジウム，コバルト，ニッケル，銅，亜鉛，モリ
ブデン，アンチモン，鉛あるいはビスマスの化合物の少
なくとも１種を０．０１％以上添加することによって、
水酸基の熱分解反応を抑制することができる。Further, in the above-mentioned metal hydroxides and metal oxide hydroxides, hydroxyl groups are generally thermally decomposed, but beryllium, boron, magnesium, aluminum, silicon, vanadium, cobalt, nickel, copper, zinc, By adding at least one kind of compounds of molybdenum, antimony, lead or bismuth in an amount of 0.01% or more,
The thermal decomposition reaction of hydroxyl groups can be suppressed.

【００１６】上記化合物としては、具体的には、水酸化
ベリリウム，酸化マグネシウム，水酸化マグネシウム，
塩基性炭酸マグネシウム，硫酸マグネシウム，五酸化バ
ナジウム，三酸化モリブデン，炭酸コバルト，酸化ニッ
ケル，塩基性炭酸ニッケル，硫酸ニッケル，塩基性炭酸
銅，酸化亜鉛，酸化ホウ素，ホウ酸，活性アルミナ，非
晶質シリカ，一酸化鉛，一酸化鉛水和物，酸化アンチモ
ン，酸化ビスマス等を挙げることができる。Specific examples of the above compound include beryllium hydroxide, magnesium oxide, magnesium hydroxide,
Basic magnesium carbonate, magnesium sulfate, vanadium pentoxide, molybdenum trioxide, cobalt carbonate, nickel oxide, basic nickel carbonate, nickel sulfate, basic copper carbonate, zinc oxide, boron oxide, boric acid, activated alumina, amorphous Examples thereof include silica, lead monoxide, lead monoxide hydrate, antimony oxide, bismuth oxide and the like.

【００１７】本発明による金属水酸化物又は金属酸化水
酸化物を主成分とする有害成分の除去剤を用いてガス中
の有害成分を除去，無害化する際には、通常、前記除去
剤を充填筒に充填し、有害ガス成分を含むガスを該充填
筒に流通させて、有害成分と前記除去剤とを接触させる
ようにする。このときの除去剤の形態は、粉末状でもよ
いが、通気抵抗を小さくするためペレット状に成型した
ものを用いるようにしてもよい。さらに、該除去剤を担
体に担持させて、その実質的な表面積を大きくすること
や、ハニカム構造として通気抵抗を一層小さくするなど
の方法を適宜採用することができる。When the harmful components in the gas are removed and rendered harmless by using the harmful component remover containing the metal hydroxide or metal oxide hydroxide according to the present invention as a main component, the above-mentioned remover is usually used. It is filled in a filling cylinder, and a gas containing a harmful gas component is passed through the filling cylinder to bring the harmful component into contact with the removing agent. The form of the removing agent at this time may be powdery, but pellets may be used in order to reduce ventilation resistance. Further, it is possible to appropriately adopt a method of supporting the removing agent on a carrier to increase the substantial surface area thereof or further reducing the ventilation resistance as a honeycomb structure.

【００１８】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を説明す
る。実施例１各種金属水酸化物及び金属酸化水酸化物をそれぞれ直径
６ｍｍ，長さ３ｍｍに押出し成形してペレットとし、該
ペレットを、内径４０ｍｍのステンレス製のカラムに高
さ約２００ｍｍに充填した。このときの充填量は、それ
ぞれ約３００ｇであった。EXAMPLES Examples and comparative examples of the present invention will be described below. Example 1 Various metal hydroxides and metal oxide hydroxides were extruded to a diameter of 6 mm and a length of 3 mm to form pellets, and the pellets were packed in a stainless steel column having an inner diameter of 40 mm to a height of about 200 mm. The filling amount at this time was about 300 g each.

【００１９】上記カラムに、シランを１％含む窒素ガス
を流し、カラム出口のシラン濃度をシラン検出器（日本
酸素製ＡＤー１０）で測定した。そして、カラム出口の
シラン濃度が５ｐｐｍになったときを破過点とし、この
ときまでのシランの動的吸収量（除去剤１ｋｇ当たりの
処理ガス量［リットル］）を測定した。その結果を表１
に示す。Nitrogen gas containing 1% of silane was passed through the column, and the silane concentration at the column outlet was measured by a silane detector (AD-10 manufactured by Nippon Oxygen). Then, when the silane concentration at the column outlet became 5 ppm, the breakthrough point was taken as the breakthrough point, and the dynamic absorption amount of silane up to this point (process gas amount [liter] per 1 kg of the removing agent) was measured. The results are shown in Table 1.
Shown in.

【００２０】比較例１酸化第二銅を用いた以外は、実施例１と同様にして、酸
化第二銅におけるシランの動的吸収量を測定した。その
結果を表１に示す。Comparative Example 1 The dynamic absorption amount of silane in cupric oxide was measured in the same manner as in Example 1 except that cupric oxide was used. The results are shown in Table 1.

【００２１】[0021]

【表１】 [Table 1]

【００２２】表１に示すように、水酸基を有する本発明
の各種除去剤は、従来の酸化第二銅からなる除去剤に対
して、シランの吸収量が明らかに多いことが判る。As shown in Table 1, it is clear that the various removing agents of the present invention having a hydroxyl group have a significantly higher silane absorption amount than the conventional removing agents comprising cupric oxide.

【００２３】実施例２実施例１と同様にして各種金属水酸化物からなる除去剤
をカラムに充填するとともに、該カラムに、有害成分と
して、ジボラン，アルシン，ホスフィン，ジクロルシラ
ン，ターシャリーブチルホスフィン（ＴＢＰ）を、それ
ぞれ１％含む窒素ガスを毎分７５０ｍｌの割合で流し、
カラム出口における有害成分濃度が破過濃度に達したと
きを終点としてそれぞれの吸収量を測定した。なお、各
有害成分の破過濃度は、ジボラン０．１ｐｐｍ，アルシ
ン０．０５ｐｐｍ，ホスフィン０．３ｐｐｍ，ジクロル
シラン５．０ｐｐｍ，ＴＢＰ０．３ｐｐｍとした。その
結果を表２に示す。Example 2 In the same manner as in Example 1, the column was filled with a remover composed of various metal hydroxides, and the column was filled with harmful substances such as diborane, arsine, phosphine, dichlorosilane, and tert-butylphosphine ( Nitrogen gas containing 1% of TBP) at a rate of 750 ml / min,
Each absorption amount was measured with the end point when the harmful component concentration at the column outlet reached the breakthrough concentration. The breakthrough concentration of each harmful component was 0.1 ppm of diborane, 0.05 ppm of arsine, 0.3 ppm of phosphine, 5.0 ppm of dichlorosilane, and 0.3 ppm of TBP. The results are shown in Table 2.

【００２４】比較例２酸化第二銅を用いた以外は、実施例２と同様にして、酸
化第二銅の各種有害成分の吸収量を測定した。その結果
を表２に示す。Comparative Example 2 The absorption amount of various harmful components of cupric oxide was measured in the same manner as in Example 2 except that cupric oxide was used. The results are shown in Table 2.

【００２５】[0025]

【表２】 [Table 2]

【００２６】実施例３各種金属酸化水酸化物をそれぞれ直径１．５ｍｍ，長さ
５ｍｍに押出し成形してペレットとし、該ペレットを内
径４３ｍｍ，長さ６８５ｍｍのカラムに高さ３００ｍｍ
で充填した。このカラムに下記の各種有害成分を含むガ
スを流し、カラム出口における有害成分濃度が破過濃度
に達したときを終点としてそれぞれの吸収量を測定し
た。その結果を表３に示す。Example 3 Various metal oxide hydroxides were extruded to a diameter of 1.5 mm and a length of 5 mm to form pellets, and the pellets were placed in a column having an inner diameter of 43 mm and a length of 685 mm and a height of 300 mm.
Filled with. Gases containing various harmful components described below were passed through this column, and when the concentration of harmful components at the outlet of the column reached a breakthrough concentration, the absorption amount of each was measured. The results are shown in Table 3.

【００２７】[0027]

【表３】 [Table 3]

【００２８】実施例４表４に示すように、除去剤主成分である各種金属酸化物
又は金属酸化水酸化物１００ｇに対して各種安定化剤を
５ｇ添加し、良く混合した後、押出し成形して直径１．
５ｍｍ，長さ５ｍｍのペレットを作成した。このペレッ
トを５０℃に保持した恒温槽に６ケ月間保存し、保存後
の各除去剤におけるシランの吸収量を実施例１と同様に
して測定した。その結果を、安定化剤を添加しない場合
の保存後のシランの吸収量と共に表４に示す。Example 4 As shown in Table 4, 5 g of various stabilizers were added to 100 g of various metal oxides or metal oxide hydroxides, which are the main components of the removing agent, and they were mixed well and then extruded. Diameter 1.
A pellet having a length of 5 mm and a length of 5 mm was prepared. The pellets were stored in a constant temperature bath maintained at 50 ° C. for 6 months, and the absorption amount of silane in each removing agent after storage was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 4 together with the amount of silane absorbed after storage when the stabilizer was not added.

【００２９】[0029]

【表４】 [Table 4]

【００３０】表４から明らかなように、金属酸化物又は
金属酸化水酸化物のみのものは、５０℃，６ケ月間の保
存によってシランの吸収能力が約半分に落ちているが、
安定化剤を添加したもののシランの吸収能力は、表１に
示した初期値に比べてやや落ちているものの、実用的に
は、５０℃，６ケ月間の保存によっても殆ど低下してい
ないことが判る。As is clear from Table 4, the metal oxide or the metal oxide hydroxide alone has about half the silane absorption capacity after storage at 50 ° C. for 6 months.
Although the absorption capacity of silane with the addition of the stabilizer is slightly lower than the initial value shown in Table 1, practically, it does not substantially decrease even after storage at 50 ° C for 6 months. I understand.

【００３１】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の有害成分
の除去剤は、主成分として水酸化アルミニウム，水酸化
スカンジウム (III) ，水酸化クロム (III) ，水酸化マン
ガン（Ｍｎ（ＯＨ）ｎ（ｎ＝２，３，４，６，７）），
水酸化鉄 (III) ，水酸化コバルト (II) ，水酸化コバルト
(III) ，水酸化ニッケル (II) ，水酸化ニッケル (III) ，
水酸化亜鉛 (II) ，水酸化ガリウム (I) ，水酸化ガリウム
(III) ，水酸化イットリウム (III) ，水酸化ニオブ (V)
，水酸化ロジウム (I) ，水酸化パラジウム (II) ，水酸
化パラジウム (IV) ，水酸化銀 (I) ，水酸化カドミウム (I
I) ，水酸化インジウム (I) ，水酸化インジウム (III) ，
水酸化スズ (II) ，水酸化スズ (IV) ，水酸化アンチモン (I
II) ，水酸化水素アンチモン (V) ，水酸化ランタン (II
I) ，水酸化セリウム (IV) ，水酸化プラセオジム (III)
，水酸化ユウロピウム (III) ，水酸化ジスプロシウム
(III) ，水酸化オスミウム (IV) ，水酸化白金 (II) ，水酸
化金 (III) ，水酸化水銀 (II) ，水酸化タリウム (I) ，水
酸化タリウム (III) ，水酸化鉛 (II) ，水酸化ビスマス (I
II) ，酸化水酸化クロム (VI) ，酸化水酸化マンガン (III)
，酸化水酸化鉄 (III) ，酸化水酸化コバルト (III) ，
酸化水酸化ニッケル (III) ，酸化水酸化モリブデン (V)
，酸化水酸化ビスマス (III) のいずれかを使用している
ので、従来の金属酸化物の代表である酸化銅に比べてシ
ランの除去効果に優れており、なおかつ、半導体工程で
使われるシラン以外の各種有害成分ガスの除去効果にも
優れている。さらに、安定化剤の添加によって上記金属
水酸化物又は金属酸化水酸化物の分解を抑制することが
でき、保存安定性も良好である。As described above, the harmful component of the present invention
As a main componentAluminum hydroxide, hydroxide
scandium (III) ， Chromium hydroxide (III) ， Hydration man
Gun (Mn (OH) n (n = 2, 3, 4, 6, 7)),
Iron hydroxide (III) ， Cobalt hydroxide (II) ， Cobalt hydroxide
(III) ， Nickel hydroxide (II) ， Nickel hydroxide (III) ，
Zinc hydroxide (II) , Gallium hydroxide (I) , Gallium hydroxide
(III) ， Yttrium hydroxide (III) ， Niobium hydroxide (V)
, Rhodium hydroxide (I) ， Palladium hydroxide (II) ， Hydric acid
Palladium chloride (IV) , Silver hydroxide (I) ， Cadmium hydroxide (I
I) ， Indium hydroxide (I) ， Indium hydroxide (III) ，
Tin hydroxide (II) , Tin hydroxide (IV) ， Antimony hydroxide (I
II) , Antimony hydrogen hydroxide (V) Lanthanum hydroxide (II
I) Cerium hydroxide (IV) ， Praseodymium hydroxide (III)
, Europium hydroxide (III) , Dysprosium hydroxide
(III) , Osmium hydroxide (IV) ， Platinum hydroxide (II) ， Hydric acid
Cash (III) , Mercury hydroxide (II) ， Thallium hydroxide (I) ,water
Thallium oxide (III) ， Lead hydroxide (II) Bismuth hydroxide (I
II) ， Chromium oxide hydroxide (VI) , Manganese oxide hydroxide (III)
, Iron oxide hydroxide (III) ， Cobalt oxide hydroxide (III) ，
Nickel oxide hydroxide (III) ， Molybdenum oxide hydroxide (V)
, Bismuth oxide hydroxide (III) One ofAre using
Therefore, compared to conventional copper oxide, which is a typical metal oxide,
It has excellent run-removing effect and is used in the semiconductor process.
For removing harmful gases other than silane used
Are better. Furthermore, by adding a stabilizer, the metal
Suppressing the decomposition of hydroxide or metal oxyhydroxide
It has good storage stability.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者菊池 ▲均▼ 山梨県北巨摩郡高根町下黒沢3054−３日本酸素株式会社内 (72)発明者森田明彦山梨県北巨摩郡高根町下黒沢3054−３日本酸素株式会社内 (56)参考文献特開昭64−15135（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−80830（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−72326（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−104633（ＪＰ，Ａ) 特開平７−275645（ＪＰ，Ａ) 特開平５−329362（ＪＰ，Ａ) 特公昭48−2117（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B01D 53/34 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kikuchi ▲ Hitoshi 3054-3 Shimokurosawa Shimokurosawa, Takane-cho, Kitakomama-gun Yamanashi Nihon Oxygen Co., Ltd. Incorporated (56) Reference JP 64-15135 (JP, A) JP 63-80830 (JP, A) JP 63-72326 (JP, A) JP 55-104633 (JP, A) JP-A-7-275645 (JP, A) JP-A-5-329362 (JP, A) JP-B-48-2117 (JP, B1) (58) Fields investigated (Int.Cl. ⁷ , DB name) ) B01D 53/34

Claims

(57) [Claims]

1. Aluminum hydroxide, scandium hydroxide
Beam (III), chromium hydroxide (III), manganese hydroxide (Mn
(OH) n (n = 2,3,4,6,7)), iron hydroxide (I
II) , cobalt (II) hydroxide, cobalt (III) hydroxide , water
Nickel (II) oxide , Nickel (III) hydroxide, Zinc hydroxide
(II) , gallium (I) hydroxide, gallium (III) hydroxide , water
Yttrium (III) oxide , Niobium (V) hydroxide, Hydroxide hydroxide
Dium (I) , palladium (II) hydroxide, palladium hydroxide
(IV) , silver (I) hydroxide, cadmium (II) hydroxide, hydroxide
Indium (I) , Indium (III) hydroxide, Tin hydroxide (I
I) , tin (IV) hydroxide, antimony (III) hydroxide, hydroxide
Antimony hydrogen (V) , lanthanum (III) hydroxide, sodium hydroxide
Lithium (IV) , praseodymium hydroxide (III) , europium hydroxide
Pium (III) , dysprosium (III) hydroxide, hydroxide
Smium (IV) , platinum (II) hydroxide, gold (III) hydroxide , hydroxy
Mercury (II) iodide, thallium hydroxide (I) , thallium hydroxide (II
I), lead hydroxide (II), volatile inorganic water used in a semiconductor manufacturing factory mainly composed of any one of bismuth (III) hydroxide
Elementary compounds, volatile inorganic halides, organometallic compounds
Remover of harmful components for removal.

2. Chromium (VI) oxide hydroxide, mandioxide hydroxide
Cancer (III) , iron oxide hydroxide (III) , cobalt oxide hydroxide
(III) , nickel oxide hydroxide (III) , molybdenum hydroxide molybdenum
Volatile inorganic hydrogenation used in semiconductor manufacturing plants containing densium (V) or bismuth (III) oxide hydroxide as the main component
Compounds, volatile inorganic halides, organometallic compounds are removed
Remover of harmful ingredients to do .

3. The removing agent is beryllium, boron, magnesium, aluminum, silicon, vanadium, cobalt, nickel, copper, zinc, molybdenum, antimony,
Stable to suppress the decomposition reaction of at least one compound of lead and bismuth (excluding the same as the main component)
Remover harmful components according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises as an agent.