JP3505990B2 - High molecular silicone compound, chemically amplified positive resist material and pattern forming method - Google Patents

High molecular silicone compound, chemically amplified positive resist material and pattern forming method

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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などの
製造工程における微細加工に用いられる化学増幅ポジ型
レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子シリコー
ン化合物、及び遠紫外線、KrFエキシマレーザー光
(248nm)、ArFエキシマレーザー光(193n
m)、電子線、X線などの高エネルギー線を露光光源と
して用いる際に好適な化学増幅ポジ型レジスト材料、並
びにパターン形成方法に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polymer silicone compound suitable as a base resin for a chemically amplified positive resist material used for microfabrication in the manufacturing process of semiconductor devices and the like, and deep ultraviolet rays and KrF excimer laser light (248 nm). ), ArF excimer laser light (193n
m), a chemically amplified positive resist material suitable when using a high energy ray such as an electron beam or an X-ray as an exposure light source, and a pattern forming method.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
LSIの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの
微細化が求められている中、現在汎用技術として用いら
れている光露光では、光源の波長に由来する本質的な解
像度の限界に近づきつつある。g線(436nm)もし
くはi線(365nm)を光源とする光露光では、およ
そ0.5μmのパターンルールが限界とされており、こ
れを用いて製作したLSIの集積度は、16MビットD
RAM相当までとなる。しかし、LSIの試作はすでに
この段階まできており、更なる微細化技術の開発が急務
となっている。
2. Description of the Related Art In recent years,
Along with the high integration and high speed of LSIs, the miniaturization of pattern rules is required, and in the photoexposure currently used as a general-purpose technique, the essential resolution limit derived from the wavelength of the light source is approached. It's starting. In photoexposure using a g-line (436 nm) or an i-line (365 nm) as a light source, the pattern rule of about 0.5 μm is the limit, and the integration degree of an LSI manufactured using this is 16 Mbit D
Up to RAM equivalent. However, the trial manufacture of the LSI has already reached this stage, and the development of further miniaturization technology is urgently needed.

【0003】パターンの微細化を図る手段の一つとして
は、レジストパターン形成の際に使用する露光光を短波
長化する方法があり、256Mビット(加工寸法が0.
25μm以下)DRAM(ダイナミック・ランダム・ア
クセス・メモリー)の量産プロセスには、露光光源とし
てi線(365nm)に代わって短波長のKrFエキシ
マレーザー(248nm)の利用が現在積極的に検討さ
れている。しかし、更に微細な加工技術(加工寸法が
0.2μm以下)を必要とする集積度1G以上のDRA
Mの製造には、より短波長の光源が必要とされ、特にA
rFエキシマレーザー(193nm)を用いたフォトグ
ラフィーが最近検討されてきている。
As one of the means for miniaturizing the pattern, there is a method of shortening the wavelength of the exposure light used for forming the resist pattern, which is 256 M bits (processing dimension: 0.
In the mass production process of DRAM (Dynamic Random Access Memory) (25 μm or less), the use of a short wavelength KrF excimer laser (248 nm) as an exposure light source is currently actively considered as an exposure light source. . However, a DRA with an integration degree of 1G or more that requires finer processing technology (processing dimension is 0.2 μm or less)
The manufacture of M requires shorter wavelength light sources, especially A
Photography using an rF excimer laser (193 nm) has recently been studied.

【0004】ここで、ArFエキシマレーザーに代表さ
れる220nm以下の短波長光を用いたリソグラフィー
の場合、微細パターンを形成するためにフォトレジスト
には従来の材料では満足できない新たな特性が要求され
る。そのため、イトー(Ito)らが、ポリヒドロキシ
スチレンの水酸基をtert−ブトキシカルボニルオキ
シ基(t−Boc基)で保護したPBOCSTという樹
脂にオニウム塩の酸発生剤を加えた化学増幅ポジ型レジ
スト材料を提案して以来、種々の高感度で高解像度のレ
ジスト材料が開発されている。しかし、これらの化学増
幅ポジ型レジスト材料は、いずれも高感度で高解像度の
ものではあるが、微細な高アスペクト比のパターンを形
成することは、これらから得られるパターンの機械的強
度を鑑みると困難であった。
Here, in the case of lithography using short wavelength light of 220 nm or less represented by ArF excimer laser, a photoresist is required to have new characteristics that cannot be satisfied by conventional materials in order to form a fine pattern. . Therefore, Ito et al. Have proposed a chemically amplified positive resist material in which an acid generator of an onium salt is added to a resin called PBOCST in which a hydroxyl group of polyhydroxystyrene is protected by a tert-butoxycarbonyloxy group (t-Boc group). Since the proposal, various high-sensitivity and high-resolution resist materials have been developed. However, all of these chemically amplified positive resist materials have high sensitivity and high resolution, but forming a fine pattern with a high aspect ratio is considered in view of the mechanical strength of the pattern obtained from them. It was difficult.

【0005】また、上記のようなポリヒドロキシスチレ
ンをベース樹脂として使用し、遠紫外線、電子線及びX
線に対して感度を有する化学増幅ポジ型レジスト材料
は、従来より数多く提案されている。しかし、段差基板
上に高アスペクト比のパターンを形成するには、2層レ
ジスト法が優れているのに対し、上記レジスト材料はい
ずれも単層レジスト法によるものであり、未だ基板段差
の問題、基板からの光反射の問題、高アスペクト比のパ
ターン形成が困難な問題があり、実用に供することが難
しいのが現状である。
Further, the above polyhydroxystyrene is used as a base resin, and deep ultraviolet rays, electron beams and X-rays are used.
Many chemically amplified positive resist materials having sensitivity to rays have been proposed in the past. However, in order to form a pattern with a high aspect ratio on a stepped substrate, the two-layer resist method is excellent, whereas all the above resist materials are based on the single-layer resist method, and the problem of the substrate step still remains. At present, there are problems of light reflection from the substrate and problems of forming a pattern with a high aspect ratio, which makes it difficult to put it into practical use.

【0006】一方、従来より、段差基板上に高アスペク
ト比のパターンを形成するには2層レジスト法が優れて
いることが知られており、更に、2層レジスト膜を一般
的なアルカリ現像液で現像するためには、ヒドロキシ基
やカルボキシル基等の親水基を有する高分子シリコーン
化合物であることが必要ということが知られている。し
かし、高分子シリコーン化合物に直接水酸基が結合した
シラノールの場合、酸により架橋反応が生じるため、化
学増幅ポジ型レジスト材料への適用は困難であった。
On the other hand, it has been conventionally known that a two-layer resist method is excellent for forming a pattern having a high aspect ratio on a stepped substrate. Further, a two-layer resist film is used as a general alkaline developing solution. It is known that a high molecular silicone compound having a hydrophilic group such as a hydroxy group or a carboxyl group is required for development with. However, in the case of silanol in which a hydroxyl group is directly bonded to a high molecular weight silicone compound, a cross-linking reaction is caused by an acid, so that it is difficult to apply it to a chemically amplified positive resist material.

【0007】近年、これらの問題を解決するシリコーン
系化学増幅ポジ型レジスト材料として、安定なアルカリ
可溶性シリコーンポリマーであるポリヒドロキシベンジ
ルシルセスキオキサンのフェノール性水酸基の一部をt
−Boc基で保護したものをベース樹脂として使用し、
これと酸発生剤とを組み合わせたシリコーン系化学増幅
ポジ型レジスト材料が提案されている(特開平7−11
8651号、SPIEvol.1952(1993)3
77等)。
In recent years, a part of the phenolic hydroxyl group of polyhydroxybenzylsilsesquioxane, which is a stable alkali-soluble silicone polymer, has been used as a silicone-based chemically amplified positive resist material for solving these problems.
Using a base resin protected with -Boc group,
A silicone-based chemically amplified positive resist composition in which this and an acid generator are combined has been proposed (JP-A-7-11).
8651, SPIE vol. 1952 (1993) 3
77).

【0008】しかしながら、これらのシリコーンレジス
ト材料に使用されるポリマーは芳香族環を有しており、
220nm以下の波長については芳香族環による光吸収
が極めて強く、このためこれら従来樹脂をそのまま22
0nm以下の短波長光を用いたフォトグラフィーには適
用できない(即ち、レジストも表面で大部分の露光光が
吸収され、露光が基板まで達しないため微細なレジスト
パターンを形成できない[笹子ら、“ArFエキシマレ
ーザーリソグラフィー(3)−レジスト評価−”、第3
5回応用物理学会関係連合講演会講演予稿集、1P−K
4(1989)])。
However, the polymers used in these silicone resist materials have an aromatic ring,
At wavelengths of 220 nm and below, the light absorption by the aromatic ring is extremely strong.
It cannot be applied to photography using short-wavelength light of 0 nm or less (that is, most of the exposure light is absorbed by the surface of the resist, and the exposure does not reach the substrate, so a fine resist pattern cannot be formed [Sasako et al. ArF Excimer Laser Lithography (3) -Resist Evaluation- ", 3rd
Proceedings of the 5th Joint Lecture Meeting of the Japan Society of Applied Physics, 1P-K
4 (1989)]).

【0009】シリコーン系化学増幅ポジ型レジスト材料
のベース樹脂にフェニル基を有していないものの例とし
て、特開平5−323611号公報のものが挙げられる
が、このベースポリマーは、アルカリ現像を可能にする
ために必要なカルボキシル基、ヒドロキシ基などの親水
基を全て保護しているので、露光部を現像液に溶解させ
るようにするためには多くの保護基を分解させなければ
ならない。そのために、添加する酸発生剤の添加量が多
くなったり、感度が悪くなったりする。更に加えて、多
くの保護基を分解させたときに生じる膜厚の変化や膜内
の応力あるいは気泡の発生を引き起こす可能性が高く、
高感度、かつ微細な加工に適したレジスト材料を与えな
いものであった。
An example of a silicone-based chemically amplified positive resist material having no phenyl group as the base resin is that disclosed in JP-A-5-323611. This base polymer enables alkali development. Since all the hydrophilic groups such as carboxyl group and hydroxy group necessary for this purpose are protected, many protecting groups must be decomposed in order to dissolve the exposed portion in the developing solution. Therefore, the amount of the acid generator to be added increases and the sensitivity deteriorates. In addition, there is a high possibility of causing a change in film thickness, stress in the film, or generation of bubbles, which occurs when many protective groups are decomposed,
It did not give a resist material having high sensitivity and suitable for fine processing.

【0010】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、高感度、高解像度を有し、特に高アスペクト比のパ
ターンを形成するのに適した2層レジスト法の材料とし
て好適に使用できるのみならず、耐熱性に優れたパター
ンを形成することができる化学増幅ポジ型レジスト材料
のベースポリマーとして有用な新規高分子シリコーン化
合物及び該化合物をベースポリマーとして含有する化学
増幅ポジ型レジスト材料並びにパターン形成方法を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it can be suitably used as a material for a two-layer resist method which has high sensitivity and high resolution and is particularly suitable for forming a pattern having a high aspect ratio. And a novel polymer silicone compound useful as a base polymer of a chemically amplified positive resist material capable of forming a pattern having excellent heat resistance, a chemically amplified positive resist material containing the compound as a base polymer, and pattern formation The purpose is to provide a method.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、下記一般式(1)で示される繰り返し単位からな
り、重量平均分子量1,000〜50,000の芳香環
を含まない高分子シリコーン化合物、これに酸発生剤を
添加した化学増幅ポジ型レジスト材料、特に酸発生剤に
加え、溶解制御剤を配合した化学増幅ポジ型レジスト材
料やこれらに塩基性化合物を更に配合してなる化学増幅
ポジ型レジスト材料は、レジスト溶解コントラストを高
め、特に露光後の溶解速度を増大させること、更に分子
内に≡C−COOHで示される基を有する化合物を配合
した化学増幅ポジ型レジスト材料がレジストのPED安
定性を向上させ、窒化膜基板上でのエッジラフネスを改
善させること、また、アセチレンアルコール誘導体を配
合することにより、塗布性、保存安定性を向上させ、従
って本発明に係るシリコーン系化学増幅ポジ型レジスト
材料が、透明性が高く、高解像度、露光余裕度、プロセ
ス適応性に優れ、実用性が高く、精密な微細加工に有利
な超LSI用レジスト材料として非常に有効であること
を知見し、本発明をなすに至った。
Means for Solving the Problems and Modes for Carrying Out the Invention As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the present inventors have found that they are composed of a repeating unit represented by the following general formula (1) and have a weight average. Aromatic ring-free high molecular weight silicone compound having a molecular weight of 1,000 to 50,000, a chemically amplified positive resist material in which an acid generator is added thereto, particularly a chemically amplified positive resist composition in which a dissolution control agent is added to the acid generator -Type resist materials and chemically-amplified positive-type resist materials obtained by further mixing these with a basic compound increase the resist dissolution contrast, and in particular, increase the dissolution rate after exposure, and further show ≡C-COOH in the molecule. A chemically amplified positive resist composition containing a compound having a group that improves the PED stability of the resist and the edge roughness on the nitride film substrate. , The acetylene alcohol derivative improves the coating properties and storage stability, and thus the silicone chemically amplified positive resist composition according to the present invention has high transparency, high resolution, exposure margin, and process adaptability. The present invention has been accomplished by finding that it is extremely effective, highly practical, and very effective as a resist material for VLSI, which is advantageous for precise microfabrication.

【0012】即ち、本発明は下記の高分子シリコーン化
合物及びこれを配合した化学増幅ポジ型レジスト材料並
びにパターン形成方法を提供する。
That is, the present invention provides the following polymer silicone compound, a chemically amplified positive resist composition containing the same, and a pattern forming method.

【0013】 請求項1: 下記一般式(1)で示される繰り返し単位からなり、重
量平均分子量1,000〜50,000の高分子シリコ
ーン化合物。
Claim 1: A high molecular weight silicone compound having a weight average molecular weight of 1,000 to 50,000, comprising a repeating unit represented by the following general formula (1).

【0014】[0014]

【化12】 [式中、Zは2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もし
くは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、R1
炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置
換アルキル基又はアルケニル基を示す。R2は酸不安定
基を示し、mは0又は正の整数、nは正の整数であり、
m+n≦5を満足する数である。xは正の整数である。
p1、p2は正数、qは0又は正数であり、0<p1/
(p1+p2+q)≦0.9、0<p2/(p1+p2
+q)≦0.9、0≦q/(p1+p2+q)≦0.
7、p1+p2+q=1を満足する数である。また、カ
ルボキシル基の水素原子全体の0モル%を超え90モル
%以下が、下記一般式(2a)又は(2b)で示される
C−O−C基を有する架橋基によって分子内及び/又は
分子間で架橋されていてもよい。
[Chemical 12] [In the formula, Z is a divalent to hexavalent monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having 5 to 12 carbon atoms or a bridged cyclic hydrocarbon group, R 1 is a linear group having 1 to 8 carbon atoms, A branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group is shown. R 2 represents an acid labile group, m is 0 or a positive integer, n is a positive integer,
It is a number that satisfies m + n ≦ 5. x is a positive integer.
p1 and p2 are positive numbers, q is 0 or a positive number, and 0 <p1 /
(P1 + p2 + q) ≦ 0.9, 0 <p2 / (p1 + p2
+ Q) ≦ 0.9, 0 ≦ q / (p1 + p2 + q) ≦ 0.
7, a number satisfying p1 + p2 + q = 1. Further, more than 0 mol% and not more than 90 mol% of the total hydrogen atoms of the carboxyl group are intramolecular and / or molecular by the crosslinking group having a C—O—C group represented by the following general formula (2a) or (2b). It may be cross-linked.

【0015】[0015]

【化13】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。A
は、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和
炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、
これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またそ
の炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボ
キシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されて
いてもよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は
−NHCONH−を示す。cは2〜8、c’は1〜7の
整数である。)]
[Chemical 13] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 10. A
Represents a c-valent aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group,
A hetero atom may be interposed between these groups, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B represents -CO-O-, -NHCO-O- or -NHCONH-. c is an integer of 2 to 8 and c'is an integer of 1 to 7. )]

【0016】 請求項2: 下記一般式(3)で示される繰り返し単位からなる請求
項1記載の高分子シリコーン化合物。
Claim 2: The polymeric silicone compound according to claim 1, comprising a repeating unit represented by the following general formula (3).

【0017】[0017]

【化14】 (式中、R1,R2,m,n,x,p1,p2,qはそれ
ぞれ上記と同様の意味を示す。)
[Chemical 14] (In the formula, R 1 , R 2 , m, n, x, p1, p2 and q have the same meanings as described above.)

【0018】請求項3:一般式(2a)又は(2b)で
示されるC−O−C基を有する架橋基が、下記一般式
(2a’’’)又は(2b’’’)で示される請求項1
又は2記載の高分子シリコーン化合物。
Claim 3: The bridging group having a C-O-C group represented by the general formula (2a) or (2b) is represented by the following general formula (2a "') or (2b"'). Claim 1
Alternatively, the polymer silicone compound according to item 2.

【0019】[0019]

【化15】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜5の整数である。A’
は、c’’価の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテト
ライル基、炭素数6〜30のアリーレン基を示し、これ
らの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭
素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシ
ル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されていて
もよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は−N
HCONH−を示す。c’’は2〜4、c’’’は1〜
3の整数である。)
[Chemical 15] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 5. A '.
Represents a c ″ -valent linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyltriyl group, an alkyltetrayl group, and an arylene group having 6 to 30 carbon atoms. A hetero atom may be interposed, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B is -CO-O-, -NHCO-O- or -N
HCONH- is shown. c '' is 2-4, c '''is 1-
It is an integer of 3. )

【0020】請求項4:R2が、下記一般式(4)で示
される基、下記一般式(5)で示される基、炭素数4〜
20の3級アルキル基、各アルキル基の炭素数が1〜6
のトリアルキルシリル基及び炭素数4〜20のオキソア
ルキル基より選ばれる1種又は2種以上の基である請求
項1、2又は3記載の高分子シリコーン化合物。
Claim 4: R 2 is a group represented by the following general formula (4), a group represented by the following general formula (5), and a carbon number of 4 to
20 tertiary alkyl groups, each alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
The polymer silicone compound according to claim 1, 2 or 3, which is one or more groups selected from the trialkylsilyl group and the oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms.

【0021】[0021]

【化16】 (R6、R7は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルキル基を示し、R8は炭素数1〜
18のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示
し、R6とR7、R6とR8又はR7とR8とは環を形成して
いてもよく、環を形成する場合、R6、R7、R8はそれ
ぞれ炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基
を示す。R9は炭素数4〜20の3級アルキル基、各ア
ルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリル基、炭
素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(4)
で示される基を示す。aは0〜6の整数である。)
[Chemical 16] (R 6 and R 7 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 8 represents 1 to 1 carbon atoms.
18 represents a monovalent hydrocarbon group which may have 18 heteroatoms, R 6 and R 7 , R 6 and R 8 or R 7 and R 8 may form a ring, and form a ring. In this case, R 6 , R 7 and R 8 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 18 carbon atoms. R 9 is a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms, or the above general formula (4).
Represents a group represented by. a is an integer of 0-6. )

【0022】 請求項5: 下記一般式(3a)で示される繰り返し単位からなるシ
リコーン樹脂のカルボキシル基の一部の水素原子が酸不
安定基により部分置換され、かつ残りのカルボキシル基
の一部とアルケニルエーテル化合物及び/又はハロゲン
化アルキルエーテル化合物との反応により得られるC−
O−C基を有する架橋基によって分子内及び/又は分子
間で架橋されており、上記酸不安定基と架橋基との合計
量が式(1)におけるカルボキシル基全体の平均0モル
%を超え80モル%以下の割合であることを特徴とする
高分子シリコーン化合物。
Claim 5: A part of hydrogen atoms of a carboxyl group of a silicone resin comprising a repeating unit represented by the following general formula (3a) is partially replaced by an acid labile group, and a part of the remaining carboxyl group is replaced. C-obtained by reaction with alkenyl ether compound and / or halogenated alkyl ether compound
The compound is crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly with a crosslinkable group having an O—C group, and the total amount of the acid labile group and the crosslinkable group exceeds 0 mol% on average of the entire carboxyl groups in the formula (1). A polymer silicone compound, characterized in that the proportion is 80 mol% or less.

【0023】[0023]

【化17】 (式中、R1は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状
の非置換又は置換アルキル基又はアルケニル基を示す。
xは正の整数である。pは正数であり、qは0又は正数
であり、0≦q/(p+q)≦0.6、p+q=1を満
足する数である。)
[Chemical 17] (In the formula, R 1 represents straight-chain having 1 to 8 carbon atoms, an unsubstituted or substituted alkyl or alkenyl group, branched or cyclic.
x is a positive integer. p is a positive number, q is 0 or a positive number, and is a number satisfying 0 ≦ q / (p + q) ≦ 0.6 and p + q = 1. )

【0024】 請求項6: 下記一般式(3b)で示される繰り返し単位からなるシ
リコーン樹脂のRで示されるカルボキシル基の一部とア
ルケニルエーテル化合物及び/又はハロゲン化アルキル
エーテル化合物との反応により得られるC−O−C基を
有する架橋基によって分子内及び/又は分子間で架橋さ
れており、酸不安定基と架橋基との合計量が式(3a)
におけるカルボキシル基全体の平均0モル%を超え80
モル%以下の割合である請求項5記載の高分子シリコー
ン化合物。
Claim 6: Obtained by reacting a part of the carboxyl group represented by R of a silicone resin composed of a repeating unit represented by the following general formula (3b) with an alkenyl ether compound and / or a halogenated alkyl ether compound. The compound is crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly with a crosslinking group having a C—O—C group, and the total amount of the acid labile group and the crosslinking group is represented by the formula (3a).
Average of all carboxyl groups in
The polymer silicone compound according to claim 5, which has a proportion of not more than mol%.

【0025】[0025]

【化18】 (式中、Rはカルボキシル基又はCOOR2を示すが、
Rの少なくとも1つはカルボキシル基である。R1は炭
素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置換
アルキル基又はアルケニル基、R2は酸不安定基を示
す。xは正の整数である。m’は0又は正の整数であ
り、n’は正の整数であり、m’+n’≦5を満足する
数である。p3は正数、p4は0又は正数、qは0又は
正数であり、0<p3/(p3+p4+q)≦0.8、
0≦q/(p3+p4+q)≦0.6、0.4≦(p3
+p4)/(p3+p4+q)≦1、p3+p4+q=
1を満足する数である。)
[Chemical 18] (In the formula, R represents a carboxyl group or COOR 2 ,
At least one of R is a carboxyl group. R 1 represents a linear, branched or cyclic, unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 2 represents an acid labile group. x is a positive integer. m ′ is 0 or a positive integer, n ′ is a positive integer, and is a number that satisfies m ′ + n ′ ≦ 5. p3 is a positive number, p4 is 0 or a positive number, q is 0 or a positive number, and 0 <p3 / (p3 + p4 + q) ≦ 0.8,
0 ≦ q / (p3 + p4 + q) ≦ 0.6, 0.4 ≦ (p3
+ P4) / (p3 + p4 + q) ≦ 1, p3 + p4 + q =
It is a number that satisfies 1. )

【0026】 請求項7: 下記一般式(3c)で示される繰り返し単位からなるシ
リコーン樹脂のRで示されるカルボキシル基の水素原子
が取れてその末端酸素原子が下記一般式(2a)又は
(2b)で示されるC−O−C基を有する2価以上の架
橋基により分子内及び/又は分子間で架橋されており、
酸不安定基と架橋基との合計量が式(3a)におけるカ
ルボキシル基全体の平均0モル%を超え80モル%以下
の割合である請求項6記載の高分子シリコーン化合物。
Claim 7: The hydrogen atom of the carboxyl group represented by R of the silicone resin composed of the repeating unit represented by the following general formula (3c) is removed, and the terminal oxygen atom thereof is represented by the following general formula (2a) or (2b). Is crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly by a bivalent or higher valent crosslinking group having a C—O—C group represented by
The polymeric silicone compound according to claim 6, wherein the total amount of the acid labile group and the crosslinking group is more than 0 mol% and not more than 80 mol% on average of all the carboxyl groups in the formula (3a).

【0027】[0027]

【化19】 [(式中、Rはカルボキシル基又はCOOR2を示す
が、Rの少なくとも1つはカルボキシル基である。R1
は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は
置換アルキル基又はアルケニル基を示し、R2は酸不安
定基を示す。p31は正数、p32、p4、qは0又は
正数であり、0<p31/(p31+p32+p4+
q)≦0.8、0≦p4/(p31+p32+p4+
q)≦0.8、0≦q/(p31+p32+p4+q)
≦0.6、0.4≦(p31+p32+p4)/(p3
1+p32+p4+q)≦1、p31+p32+p4+
q=1を満足する数である。xは正の整数である。m’
は0又は正の整数であり、n’は正の整数であり、m’
+n’≦5を満足する数である。)
[Chemical 19] [(In the formula, R represents a carboxyl group or COOR 2, and at least one of R is a carboxyl group. R 1
Represents a linear, branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 2 represents an acid labile group. p31 is a positive number, p32, p4 and q are 0 or a positive number, and 0 <p31 / (p31 + p32 + p4 +
q) ≦ 0.8, 0 ≦ p4 / (p31 + p32 + p4 +
q) ≦ 0.8, 0 ≦ q / (p31 + p32 + p4 + q)
≦ 0.6, 0.4 ≦ (p31 + p32 + p4) / (p3
1 + p32 + p4 + q) ≦ 1, p31 + p32 + p4 +
It is a number that satisfies q = 1. x is a positive integer. m '
Is 0 or a positive integer, n'is a positive integer, and m '
It is a number that satisfies + n ′ ≦ 5. )

【0028】[0028]

【化20】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。A
は、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和
炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、
これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またそ
の炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボ
キシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されて
いてもよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は
−NHCONH−を示す。cは2〜8、c’は1〜7の
整数である。)]
[Chemical 20] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 10. A
Represents a c-valent aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group,
A hetero atom may be interposed between these groups, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B represents -CO-O-, -NHCO-O- or -NHCONH-. c is an integer of 2 to 8 and c'is an integer of 1 to 7. )]

【0029】請求項8:一般式(2a)又は(2b)で
示されるC−O−C基を有する架橋基が、下記一般式
(2a’’’)又は(2b’’’)で示される請求項7
記載の高分子シリコーン化合物。
Claim 8: The bridging group having a C—O—C group represented by the general formula (2a) or (2b) is represented by the following general formula (2a ″ ′) or (2b ″ ′). Claim 7
The described polymeric silicone compound.

【0030】[0030]

【化21】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜5の整数である。A’
は、c’’価の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテト
ライル基、炭素数6〜30のアリーレン基を示し、これ
らの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭
素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシ
ル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されていて
もよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は−N
HCONH−を示す。c’’は2〜4、c’’’は1〜
3の整数である。)
[Chemical 21] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 5. A '.
Represents a c ″ -valent linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyltriyl group, an alkyltetrayl group, and an arylene group having 6 to 30 carbon atoms. A hetero atom may be interposed, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B is -CO-O-, -NHCO-O- or -N
HCONH- is shown. c '' is 2-4, c '''is 1-
It is an integer of 3. )

【0031】 請求項9: 酸不安定基が、下記一般式(4)で示される基、下記一
般式(5)で示される基、炭素数4〜20の3級アルキ
ル基、各アルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシ
リル基及び炭素数4〜20のオキソアルキル基より選ば
れる1種又は2種以上の基である請求項5乃至8のいず
れか1項記載の高分子シリコーン化合物。
Claim 9: The acid labile group is a group represented by the following general formula (4), a group represented by the following general formula (5), a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, or each alkyl group. The polymeric silicone compound according to any one of claims 5 to 8, which is one or more groups selected from a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms. .

【0032】[0032]

【化22】 (R6、R7は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルキル基を示し、R8は炭素数1〜
18のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示
し、R6とR7、R6とR8又はR7とR8とは環を形成して
いてもよく、環を形成する場合、R6、R7、R8はそれ
ぞれ炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基
を示す。R9は炭素数4〜20の3級アルキル基、各ア
ルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリル基、炭
素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(4)
で示される基を示す。aは0〜6の整数である。)
[Chemical formula 22] (R 6 and R 7 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 8 represents 1 to 1 carbon atoms.
18 represents a monovalent hydrocarbon group which may have 18 heteroatoms, R 6 and R 7 , R 6 and R 8 or R 7 and R 8 may form a ring, and form a ring. In this case, R 6 , R 7 and R 8 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 18 carbon atoms. R 9 is a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms, or the above general formula (4).
Represents a group represented by. a is an integer of 0-6. )

【0033】請求項10: (A)有機溶剤 (B)ベース樹脂として請求項1乃至9のいずれか1項
記載の高分子シリコーン化合物 (C)酸発生剤 を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジス
ト材料。
Claim 10: (A) an organic solvent (B) as a base resin, comprising the polymer silicone compound (C) acid generator according to any one of claims 1 to 9. Chemically amplified positive resist material.

【0034】請求項11:更に、(D)溶解制御剤を配
合したことを特徴とする請求項10記載の化学増幅ポジ
型レジスト材料。
Item 11: The chemically amplified positive type resist material according to Item 10, further comprising (D) a dissolution control agent.

【0035】請求項12:更に、(E)塩基性化合物を
配合したことを特徴とする請求項10又は11記載の化
学増幅ポジ型レジスト材料。
Item 12: The chemically amplified positive type resist material according to Item 10 or 11, further comprising (E) a basic compound.

【0036】請求項13:更に、(F):分子内に≡C
−COOHで示される基を有する化合物を配合したこと
を特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項記載の
化学増幅ポジ型レジスト材料。
Claim 13: Further, (F): ≡C in the molecule
13. The chemically amplified positive resist composition according to claim 10, wherein a compound having a group represented by —COOH is blended.

【0037】請求項14:更に、(G):アセチレンア
ルコール誘導体を配合したことを特徴とする請求項10
乃至13のいずれか1項記載の化学増幅ポジ型レジスト
材料。
Claim 14: The invention further comprises (G): an acetylene alcohol derivative.
14. The chemically amplified positive resist material according to any one of items 1 to 13.

【0038】請求項15: (i)請求項10乃至14のいずれか1項記載の化学増
幅ポジ型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、(i
i)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長30
0nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する
工程と、(iii)必要に応じて加熱処理した後、現像
液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパタ
ーン形成方法。
Claim 15: (i) a step of applying the chemically amplified positive resist composition according to any one of claims 10 to 14 onto a substrate;
i) Then, after heat treatment, a wavelength of 30 is obtained through a photomask.
A pattern forming method comprising: a step of exposing with a high energy ray or an electron beam of 0 nm or less; and (iii) a step of performing a heat treatment as needed and then developing with a developing solution.

【0039】即ち、本発明者らは、特開平6−1186
51号公報にあるようなフェニル基を有した高分子シリ
コーン化合物以外で、遠紫外領域の光に対して高透過率
を与え、かつアルカリ可溶性基の全てを酸不安定基で保
護せず部分的に保護し、高解像度を与えるポリマーを鋭
意検討、探索した。一方、フェニル基を有しない高分子
シリコーン化合物としては、特開平5−323611号
公報にあるような、エチルカルボキシル基を有した高分
子シリコーン化合物が挙げられるが、この合成方法のよ
うに水素原子を有したポリシロキサンにメタクリル酸の
ような不飽和カルボン酸を反応させることは、専ら不飽
和カルボン酸のα位に付加反応が生じ、例示されている
ような高分子シリコーン化合物は得難い。また、高分子
化合物中へハイドロシリレーション反応を行うことは、
定量的に難しく、高分子シリコーン化合物を安定に供給
することは困難となり、更に、レジストの品質管理が難
しくなる。
That is, the inventors of the present invention disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-1186.
Other than the polymer silicone compound having a phenyl group as described in JP-A-51, it provides high transmittance for light in the far-ultraviolet region and does not protect all alkali-soluble groups with acid labile groups. We investigated and searched for a polymer that can be protected from scratches and give high resolution. On the other hand, examples of the polymer silicone compound having no phenyl group include polymer silicone compounds having an ethylcarboxyl group as described in JP-A-5-323611. By reacting the possessed polysiloxane with an unsaturated carboxylic acid such as methacrylic acid, an addition reaction occurs exclusively at the α-position of the unsaturated carboxylic acid, and it is difficult to obtain a polymer silicone compound as exemplified. In addition, performing a hydrosilylation reaction into a polymer compound is
Quantitatively difficult, stable supply of high molecular silicone compound becomes difficult, and further quality control of resist becomes difficult.

【0040】このような高分子化合物に対して、上述し
たような芳香族環を有しない高分子シリコーン化合物の
カルボキシル基の一部に酸不安定基を導入させた高分子
シリコーン化合物を用いたレジスト材料は、220nm
以下の短波長光に対しても透明性が高く、これら露光光
でパターン形成できることを知見し、本発明をなすに至
ったものである。
In contrast to such a polymer compound, a resist using a polymer silicone compound in which an acid labile group is introduced into a part of the carboxyl group of the polymer silicone compound having no aromatic ring as described above. The material is 220 nm
The inventors of the present invention have completed the present invention by discovering that they have high transparency to the following short-wavelength light and can form a pattern with these exposure lights.

【0041】また、カルボキシル基とアルケニルエーテ
ル化合物及び/又はハロゲン化アルキルエーテル化合物
の反応によって得られるC−O−C基を有する架橋基に
よって分子内及び/又は分子間で架橋させた高分子シリ
コーン化合物を用いたレジスト材料は、少量の架橋で溶
解阻止性を発揮し、かつ架橋による分子量の増大によっ
て耐熱性が向上する。しかも、露光前よりも露光後に架
橋基の脱離が生じるので、ポリマーの分子量が小さくな
ることにより、レジスト膜の溶解コントラストを高める
ことが可能で、結果的に高感度及び高解像性を有する。
また、表面難溶層や裾引き発現の問題も少ないことか
ら、パターンの寸法制御、パターンの形状のコントロー
ルを組成により任意に行うことが可能であり、プロセス
適応性にも優れた化学増幅ポジ型レジスト材料となるこ
とを知見し、本発明をなすに至ったものである。
Further, a polymeric silicone compound which is crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly with a crosslinking group having a C--O--C group obtained by the reaction of a carboxyl group with an alkenyl ether compound and / or a halogenated alkyl ether compound The resist material using is effective in inhibiting dissolution with a small amount of crosslinking, and the heat resistance is improved by increasing the molecular weight due to crosslinking. Moreover, since the cross-linking group is eliminated after the exposure than before the exposure, the molecular weight of the polymer is reduced, so that the dissolution contrast of the resist film can be increased, resulting in high sensitivity and high resolution. .
In addition, since there are few problems with the surface insoluble layer and the trailing edge development, pattern size control and pattern shape control can be arbitrarily performed by composition, and chemical amplification positive type with excellent process adaptability. The present invention has been accomplished by finding that it can be used as a resist material.

【0042】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の新規高分子シリコーン化合物は、下記一般
式(1)で表わされる繰り返し単位を有する高分子シリ
コーン化合物である。
The present invention will be described in more detail below. The novel polymeric silicone compound of the present invention is a polymeric silicone compound having a repeating unit represented by the following general formula (1).

【0043】[0043]

【化23】 (式中、Zは2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もし
くは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、R1
炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置
換アルキル基又はアルケニル基を示す。R2は酸不安定
基を示し、mは0又は正の整数、nは正の整数(1以上
の整数)であり、m+n≦5を満足する数である。xは
正の整数である。p1、p2は正数、qは0又は正数で
あり、0<p1/(p1+p2+q)≦0.9、0<p
2/(p1+p2+q)≦0.9、0≦q/(p1+p
2+q)≦0.7、p1+p2+q=1を満足する数で
ある。)
[Chemical formula 23] (In the formula, Z is a divalent to hexavalent monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having 5 to 12 carbon atoms or a bridged cyclic hydrocarbon group, R 1 is a straight chain having 1 to 8 carbon atoms, Represents a branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group, R 2 represents an acid labile group, m is 0 or a positive integer, n is a positive integer (an integer of 1 or more), and m + n ≦ 5, x is a positive integer, p1 and p2 are positive numbers, q is 0 or a positive number, and 0 <p1 / (p1 + p2 + q) ≦ 0.9, 0 <p
2 / (p1 + p2 + q) ≦ 0.9, 0 ≦ q / (p1 + p
2 + q) ≦ 0.7 and p1 + p2 + q = 1. )

【0044】ここで、Zは2価〜6価の炭素数5〜12
の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水
素基として具体的に次の炭化水素基が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。即ち、この炭化水素基
として、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイ
ル基、シクロヘプタンジイル基、シクロペンタントリイ
ル基、シクロヘキサントリイル基、シクロヘプタントリ
イル基、シクロヘキサンテトライル基、シクロヘキサン
ペンタイル基、シクロヘキサンヘキサイル基、シクロオ
クタンジイル基、シクロナノンジイル基、シクロデカン
ジイル基、シクロオクタントリイル基、シクロナノント
リイル基、シクロデカントリイル基、ノルボルナンジイ
ル基、イソボルナンジイル基、ノルボルナントリイル
基、イソボルナントリイル基、アダマンタンジイル基、
トリシクロ[5,2,1,02,6]デカンジイル基、ア
ダマンタントリイル基、トリシクロ[5,2,1,0
2,6]デカントリイル基、トリシクロ[5,2,1,0
2,6]デカンメチレンジイル基、トリシクロ[5,2,
1,02,6]デカンメチレントリイル基等が挙げられ
る。
Here, Z is a divalent to hexavalent carbon number 5 to 12
Specific examples of the monocyclic or polycyclic hydrocarbon group or the bridged cyclic hydrocarbon group include the following hydrocarbon groups, but are not limited thereto. That is, as the hydrocarbon group, cyclopentanediyl group, cyclohexanediyl group, cycloheptanediyl group, cyclopentanetriyl group, cyclohexanetriyl group, cycloheptanetriyl group, cyclohexanetetrayl group, cyclohexanepentyl group, cyclohexane Hexayl, cyclooctanediyl, cyclonanonediyl, cyclodecanediyl, cyclooctanetriyl, cyclonanonetriyl, cyclodecanetriyl, norbornanediyl, isobornanediyl, norbornanetriyl , An isobornanetriyl group, an adamantanediyl group,
Tricyclo [5,2,1,0 2,6 ] decanediyl group, adamantanetriyl group, tricyclo [5,2,1,0
2,6 ] decanetriyl group, tricyclo [5,2,1,0
2,6 ] decane methylenediyl group, tricyclo [5,2,2]
1,0 2,6 ] decane methylenetriyl group and the like.

【0045】好適には、下記一般式(3)で示される繰
り返し単位を有する高分子シリコーン化合物を挙げるこ
とができる。
A preferred example is a polymeric silicone compound having a repeating unit represented by the following general formula (3).

【0046】[0046]

【化24】 (式中、R1,R2,m,n,x,p1,p2,qはそれ
ぞれ上記と同様の意味を示す。)
[Chemical formula 24] (In the formula, R 1 , R 2 , m, n, x, p1, p2 and q have the same meanings as described above.)

【0047】ここで、R1の炭素数1〜8の直鎖状、分
岐状又は環状の非置換アルキル基又はアルケニル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ビニル基、
アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、
シクロヘキセニル基等を例示できる。置換アルキル基又
はアルケニル基としては、これら非置換のアルキル基又
はアルケニル基の水素原子の一部又は全部が例えばシア
ノ基、ニトロ基、炭素数1〜5のアルコキシ基等で置換
されたものを挙げることができる。また、xは整数であ
り、1〜3、特に1〜2が好ましい。上記式(1)おい
て、p1、p2は正数、qは0又は正数であり、p1+
p2+q=1を満足する数である。即ちp1、p2、q
は、本発明の化合物のp1の繰り返し単位、p2の繰り
返し単位、qの繰り返し単位の比率を示すものである
が、0≦q/(p1+p2+q)≦0.7、特に0≦q
/(p1+p2+q)≦0.6であり、0.7を超える
とアルカリ不溶性となるので、レジスト用のベースポリ
マーとしては不適当である。また、q/(p1+p2+
q)が低すぎると耐熱性が低下する場合がある。また、
0<p1/(p1+p2+q)≦0.9、より好ましく
は0.3<p1/(p1+p2+q)≦0.8、0<p
2/(p1+p2+q)≦0.9、より好ましくは0.
2<p2/(p1+p2+q)≦0.7である。p1が
0になると、アルカリ溶解速度のコントラストが小さく
なり、解像度が悪くなる。一方、0.9を超えるとアル
カリに対して溶解性がなくなったり、アルカリ現像の際
に膜厚変化や膜内応力又は気泡の発生を引き起こした
り、親水基が少なくなるために基板との密着性が劣る場
合がある。
Here, the linear, branched or cyclic unsubstituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms represented by R 1 is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group or an n-butyl group. , Isobutyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, vinyl group,
Allyl group, propenyl group, butenyl group, hexenyl group,
A cyclohexenyl group etc. can be illustrated. Examples of the substituted alkyl group or alkenyl group include those in which some or all of the hydrogen atoms of these unsubstituted alkyl group or alkenyl group are substituted with, for example, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or the like. be able to. In addition, x is an integer, and is preferably 1 to 3, particularly preferably 1 or 2. In the above formula (1), p1 and p2 are positive numbers, q is 0 or a positive number, and p1 +
It is a number that satisfies p2 + q = 1. That is, p1, p2, q
Represents the ratio of the p1 repeating unit, the p2 repeating unit, and the q repeating unit of the compound of the present invention, and 0 ≦ q / (p1 + p2 + q) ≦ 0.7, particularly 0 ≦ q
/(P1+p2+q)≦0.6, and when it exceeds 0.7, it becomes insoluble in alkali and is not suitable as a base polymer for resist. Also, q / (p1 + p2 +
If q) is too low, the heat resistance may decrease. Also,
0 <p1 / (p1 + p2 + q) ≦ 0.9, more preferably 0.3 <p1 / (p1 + p2 + q) ≦ 0.8, 0 <p
2 / (p1 + p2 + q) ≦ 0.9, more preferably 0.
2 <p2 / (p1 + p2 + q) ≦ 0.7. When p1 is 0, the contrast of the alkali dissolution rate becomes small and the resolution becomes poor. On the other hand, when it exceeds 0.9, the solubility in alkali is lost, the film thickness is changed during the alkali development, the stress in the film or the generation of bubbles is caused, and the hydrophilic group is decreased, so that the adhesiveness to the substrate is reduced. May be inferior.

【0048】R2の酸不安定基としては、種々選定され
るが、特に下記一般式(4)で示される基、下記一般式
(5)で示される基、炭素数4〜20の3級アルキル
基、各アルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリ
ル基及び炭素数4〜20のオキソアルキル基より選ばれ
る1種又は2種以上の基であることが好ましい。
The acid labile group for R 2 is selected variously, but in particular, a group represented by the following general formula (4), a group represented by the following general formula (5), and a tertiary group having 4 to 20 carbon atoms. An alkyl group, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms are preferably one kind or two or more kinds.

【0049】[0049]

【化25】 [Chemical 25]

【0050】式中、R6、R7は水素原子又は炭素数1〜
8、好ましくは1〜6、更に好ましくは1〜5の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R8は炭素数
1〜18、好ましくは1〜10、更に好ましくは1〜8
の酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭
化水素基を示し、R6とR7、R6とR8、R7とR8とは環
を形成してもよく、環を形成する場合にはR6、R7、R
8はそれぞれ炭素数1〜18、好ましくは1〜10、更
に好ましくは1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基
を示す。R9は炭素数4〜20、好ましくは4〜15、
更に好ましくは4〜10の3級アルキル基、各アルキル
基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭
素数4〜20、好ましくは4〜15、更に好ましくは4
〜10のオキソアルキル基又は上記一般式(4)で示さ
れる基を示す。また、aは0〜6の整数である。
In the formula, R 6 and R 7 are hydrogen atoms or have 1 to 1 carbon atoms.
8, preferably 1 to 6, and more preferably 1 to 5, a linear, branched or cyclic alkyl group, wherein R 8 has 1 to 18 carbon atoms, preferably 1 to 10 and more preferably 1 to 8
Represents a monovalent hydrocarbon group which may have a hetero atom such as an oxygen atom, R 6 and R 7 , R 6 and R 8 , and R 7 and R 8 may form a ring, When forming a ring, R 6 , R 7 , R
8 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 18 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 8 carbon atoms. R 9 has 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 to 15 carbon atoms,
More preferably, a tertiary alkyl group having 4 to 10 carbon atoms, a trialkylsilyl group in which each alkyl group has 1 to 6 carbon atoms, 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 to 15 carbon atoms, and more preferably 4 carbon atoms.
10 represents an oxoalkyl group or a group represented by the above general formula (4). Moreover, a is an integer of 0-6.

【0051】R6、R7の炭素数1〜8の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基としては、R1で説明したものと
同様の基が挙げられる。
Examples of the linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms represented by R 6 and R 7 include the same groups as those described for R 1 .

【0052】R8としては、直鎖状、分岐状又は環状の
アルキル基、フェニル基、p−メチルフェニル基、p−
エチルフェニル基、p−メトキシフェニル基等のアルコ
キシ置換フェニル基等の非置換又は置換アリール基、ベ
ンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等や、これら
の基に酸素原子を有する、或いは炭素原子に結合する水
素原子が水酸基に置換されたり、2個の水素原子が酸素
原子で置換されてカルボニル基を形成する下記式で示さ
れるようなアルキル基等の基を挙げることができる。
R 8 is a linear, branched or cyclic alkyl group, phenyl group, p-methylphenyl group, p-
Unsubstituted or substituted aryl groups such as ethyl-phenyl groups and alkoxy-substituted phenyl groups such as p-methoxyphenyl groups, aralkyl groups such as benzyl groups and phenethyl groups, etc., and oxygen atoms in these groups, or bonded to carbon atoms Examples thereof include a group such as an alkyl group represented by the following formula in which a hydrogen atom is substituted with a hydroxyl group or two hydrogen atoms are substituted with oxygen atoms to form a carbonyl group.

【0053】[0053]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0054】また、R9の炭素数4〜20の3級アルキ
ル基としては、tert−ブチル基、1−メチルシクロ
ヘキシル基、2−(2−メチル)アダマンチル基、te
rt−アミル基等を挙げることができる。
As the tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms for R 9 , tert-butyl group, 1-methylcyclohexyl group, 2- (2-methyl) adamantyl group, te
An rt-amyl group etc. can be mentioned.

【0055】各アルキル基の炭素数が1〜6のトリアル
キルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、ジメチル−tert−ブチル基等が挙げら
れ、炭素数4〜20のオキソアルキル基としては、3−
オキソシクロヘキシル基、下記式で示される基等が挙げ
られる。
Examples of the trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, dimethyl-tert-butyl group, and the like, and as the oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms. , 3-
Examples thereof include an oxocyclohexyl group and a group represented by the following formula.

【0056】[0056]

【化27】 [Chemical 27]

【0057】上記式(4)で示される酸不安定基とし
て、具体的には、例えば1−メトキシエチル基、1−エ
トキシエチル基、1−n−プロポキシエチル基、1−イ
ソプロポキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1
−イソブトキシエチル基、1−sec−ブトキシエチル
基、1−tert−ブトキシエチル基、1−tert−
アミロキシエチル基、1−エトキシ−n−プロピル基、
1−シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル
基、エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−
エチル基、1−エトキシ−1−メチル−エチル基等の直
鎖状もしくは分岐状アセタール基、テトラヒドロフラニ
ル基、テトラヒドロピラニル基等の環状アセタール基等
が挙げられ、好ましくはエトキシエチル基、ブトキシエ
チル基、エトキシプロピル基が挙げられる。一方、上記
式(5)の酸不安定基として、例えばtert−ブトキ
シカルボニル基、tert−ブトキシカルボニルメチル
基、tert−アミロキシカルボニル基、tert−ア
ミロキシカルボニルメチル基、1−エトキシエトキシカ
ルボニルメチル基、2−テトラヒドロピラニルオキシカ
ルボニルメチル基、2−テトラヒドロフラニルオキシカ
ルボニルメチル基等が挙げられる。
Specific examples of the acid labile group represented by the above formula (4) include 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-isopropoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1
-Isobutoxyethyl group, 1-sec-butoxyethyl group, 1-tert-butoxyethyl group, 1-tert-
Amyloxyethyl group, 1-ethoxy-n-propyl group,
1-cyclohexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, 1-methoxy-1-methyl-
Ethyl group, linear or branched acetal group such as 1-ethoxy-1-methyl-ethyl group, tetrahydrofuranyl group, cyclic acetal group such as tetrahydropyranyl group, and the like, preferably ethoxyethyl group, butoxyethyl group Group, an ethoxypropyl group. On the other hand, as the acid labile group of the above formula (5), for example, tert-butoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonylmethyl group, tert-amyloxycarbonyl group, tert-amyloxycarbonylmethyl group, 1-ethoxyethoxycarbonylmethyl group. , 2-tetrahydropyranyloxycarbonylmethyl group, 2-tetrahydrofuranyloxycarbonylmethyl group and the like.

【0058】また、上記一般式(1)において、そのカ
ルボキシル基の水素原子全体の0モル%を超え90モル
%以下、好ましくは0モル%を超え80モル%以下、更
に好ましくは1〜60モル%が一般式(2a)又は(2
b)で示されるC−O−C基を有する架橋基によって分
子内及び/又は分子間で架橋されていてもよい。
In the above general formula (1), more than 0 mol% and not more than 90 mol%, preferably more than 0 mol% and not more than 80 mol%, more preferably 1 to 60 mol of the total hydrogen atoms of the carboxyl group. % Is the general formula (2a) or (2
It may be crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly by a crosslinking group having a C—O—C group shown in b).

【0059】 この架橋基を有する高分子化合物につい
て更に詳述すると、この高分子シリコーン化合物として
は、下記一般式(3a)で示される繰り返し単位を有す
るシリコーン樹脂のカルボキシル基の一部の水素原子が
酸不安定基により部分置換され、かつ残りのカルボキシ
ル基の一部とアルケニルエーテル化合物及び/又はハロ
ゲン化アルキルエーテル化合物との反応により得られる
C−O−C基を有する架橋基によって分子内及び/又は
分子間で架橋されており、上記酸不安定基と架橋基との
合計量が式(1)におけるカルボキシル基全体の平均0
モル%を超え80モル%以下の割合である高分子シリコ
ーン化合物とすることができる。
The polymer compound having the crosslinking group will be described in more detail. As the polymer silicone compound, a part of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the silicone resin having the repeating unit represented by the following general formula (3a) is used. Intramolecular and / or by a bridging group partially substituted with an acid labile group and having a C—O—C group obtained by reacting a part of the remaining carboxyl group with an alkenyl ether compound and / or a halogenated alkyl ether compound. Or, it is crosslinked between molecules, and the total amount of the acid labile group and the crosslinkable group is 0 on average for all the carboxyl groups in the formula (1).
A polymer silicone compound having a ratio of more than mol% and not more than 80 mol% can be used.

【0060】[0060]

【化28】 (式中、R1は上記した通り炭素数1〜8の直鎖状、分
岐状又は環状の非置換又は置換アルキル基又はアルケニ
ル基を示す。xは正の整数である。p、qは正数であ
り、0≦q/(p+q)≦0.6、p+q=1を満足す
る数である。)
[Chemical 28] (In the formula, R 1 represents a linear, branched, or cyclic unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms as described above. X is a positive integer. P and q are positive. It is a number and satisfies 0 ≦ q / (p + q) ≦ 0.6 and p + q = 1.)

【0061】上記式(3a)において、p、qは正数で
あり、p+q=1を満足する数である。即ち、p、q
は、本発明の化合物のpの繰り返し単位、qの繰り返し
単位の比率を示すものであるが、0≦q/(p+q)≦
0.6、特に、0≦q/(p+q)≦0.5であること
が好ましい。この場合q/(p+q)≦0.6を超える
とアルカリ不溶性になるので、レジスト用のベースポリ
マーとしては不適当である。また、q/(p+q)が低
すぎると耐熱性が低下する場合があるので、より好まし
くはq/(p+q)は0.2以上であることが有効であ
る。なお、p、qはその値を上記範囲内で適宜選定する
ことによりパターンの寸法制御、パターン形状コントロ
ールを任意に行うことができる。
In the above formula (3a), p and q are positive numbers and are numbers satisfying p + q = 1. That is, p, q
Represents the ratio of the repeating unit of p and the repeating unit of q of the compound of the present invention, and 0 ≦ q / (p + q) ≦
It is preferable that 0.6, particularly 0 ≦ q / (p + q) ≦ 0.5. In this case, if q / (p + q) ≦ 0.6 is exceeded, it becomes insoluble in alkali and is not suitable as a base polymer for resist. Further, if q / (p + q) is too low, the heat resistance may decrease, so it is more effective that q / (p + q) is 0.2 or more. By appropriately selecting the values of p and q within the above range, pattern size control and pattern shape control can be arbitrarily performed.

【0062】このような高分子シリコーン化合物として
具体的には、下記一般式(3b)で示される繰り返し単
位を有するシリコーン樹脂のRで示されるカルボキシル
基の一部とアルケニルエーテル化合物及び/又はハロゲ
ン化アルキルエーテル化合物との反応により得られるC
−O−C基を有する架橋基によって分子内及び/又は分
子間で架橋されており、酸不安定基と架橋基との合計量
が式(1)におけるカルボキシル基全体の平均0モル%
を超え80モル%以下の割合である高分子シリコーン化
合物とすることができる。
Specific examples of such a polymeric silicone compound include a part of the carboxyl group represented by R of a silicone resin having a repeating unit represented by the following general formula (3b), an alkenyl ether compound and / or a halogenated compound. C obtained by reaction with an alkyl ether compound
The compound is crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly with a crosslinkable group having a —O—C group, and the total amount of the acid labile group and the crosslinkable group is 0 mol% on average of the entire carboxyl groups in the formula (1).
It is possible to obtain a high molecular silicone compound having a ratio of over 80 mol%.

【0063】[0063]

【化29】 (式中、Rはカルボキシル基又はCOOR2を示すが、
Rの少なくとも1つはカルボキシル基である。R1は炭
素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置換
アルキル基又はアルケニル基、R2は酸不安定基を示
す。xは正の整数である。m’は0又は正の整数であ
り、n’は正の整数であり、m’+n’≦5を満足する
数である。p3は正数、p4は0又は正数、qは0又は
正数であり、0<p3/(p3+p4+q)≦0.8、
0≦q/(p3+p4+q)≦0.6、0.4≦(p3
+p4)/(p3+p4+q)≦1、p3+p4+q=
1を満足する数である。なお、p3+p4=pであり、
pは上記の通りである。) また、C−O−C基を有する架橋基としては、下記一般
式(2a)又は(2b)で示されるものを挙げることが
できる。
[Chemical 29] (In the formula, R represents a carboxyl group or COOR 2 ,
At least one of R is a carboxyl group. R 1 represents a linear, branched or cyclic, unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 2 represents an acid labile group. x is a positive integer. m ′ is 0 or a positive integer, n ′ is a positive integer, and is a number that satisfies m ′ + n ′ ≦ 5. p3 is a positive number, p4 is 0 or a positive number, q is 0 or a positive number, and 0 <p3 / (p3 + p4 + q) ≦ 0.8,
0 ≦ q / (p3 + p4 + q) ≦ 0.6, 0.4 ≦ (p3
+ P4) / (p3 + p4 + q) ≦ 1, p3 + p4 + q =
It is a number that satisfies 1. Note that p3 + p4 = p,
p is as described above. Further, examples of the cross-linking group having a C—O—C group include those represented by the following general formula (2a) or (2b).

【0064】[0064]

【化30】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。A
は、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和
炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基(好まし
くは炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキレン
基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、又は
炭素数6〜30のアリーレン基)を示し、これらの基は
ヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に
結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、ア
シル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。
Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は−NHCON
H−を示す。cは2〜8、c’は1〜7の整数であ
る。)
[Chemical 30] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 10. A
Is a c-valent aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group (preferably a linear or branched alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, An alkyltriyl group, an alkyltetrayl group, or an arylene group having 6 to 30 carbon atoms), these groups may have a heteroatom interposed, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom is It may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom.
B is -CO-O-, -NHCO-O- or -NHCON
H-indicates. c is an integer of 2 to 8 and c'is an integer of 1 to 7. )

【0065】ここで、炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基としては上述したものと同様のもの
を例示することができる。なお、Aの具体例は後述す
る。この架橋基(2a)、(2b)は、後述するアルケ
ニルエーテル化合物、ハロゲン化アルキルエーテル化合
物に由来する。
Here, as the linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, the same ones as described above can be exemplified. A specific example of A will be described later. The crosslinking groups (2a) and (2b) are derived from the alkenyl ether compound and halogenated alkyl ether compound described later.

【0066】架橋基は、上記式(2a)、(2b)の
c’の値から明らかなように、2価に限られず、3価〜
8価の基でもよい。例えば、2価の架橋基としては、下
記式(2a’)、(2b’)、3価の架橋基としては、
下記式(2a’’)、(2b’’)で示されるものが挙
げられる。
The bridging group is not limited to divalent, as is apparent from the value of c'in the above formulas (2a) and (2b), but is not limited to trivalent to trivalent.
It may be an octavalent group. For example, as the divalent bridging group, the following formulas (2a ′) and (2b ′) can be given as the trivalent bridging group.
Examples include those represented by the following formulas (2a ″) and (2b ″).

【0067】[0067]

【化31】 なお、好ましい架橋基は下記一般式(2a’’’)又は
(2b’’’)である。
[Chemical 31] The preferred crosslinking group is represented by the following general formula (2a ′ ″) or (2b ′ ″).

【0068】[0068]

【化32】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜5の整数である。A’
は、c’’価の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテト
ライル基、炭素数6〜30のアリーレン基を示し、これ
らの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭
素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシ
ル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されていて
もよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は−N
HCONH−を示す。c’’は2〜4、c’’’は1〜
3の整数である。)
[Chemical 32] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 5. A '.
Represents a c ″ -valent linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyltriyl group, an alkyltetrayl group, and an arylene group having 6 to 30 carbon atoms. A hetero atom may be interposed, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B is -CO-O-, -NHCO-O- or -N
HCONH- is shown. c '' is 2-4, c '''is 1-
It is an integer of 3. )

【0069】本発明の上記式(3a)の高分子シリコー
ン化合物としては、具体的な例として、下記一般式(3
c)で示される繰り返し単位を有するシリコーン樹脂の
Rで示されるカルボキシル基の水素原子が取れてその末
端酸素原子が下記一般式(2a)又は(2b)で示され
るC−O−C基を有する2価以上の架橋基により分子内
及び/又は分子間で架橋されており、酸不安定基と架橋
基との合計量が式(3a)におけるカルボキシル基全体
の平均0モル%を超え80モル%以下の割合である高分
子シリコーン化合物を挙げることができる。
Specific examples of the polymeric silicone compound of the above formula (3a) of the present invention include the following general formula (3
The hydrogen atom of the carboxyl group represented by R of the silicone resin having the repeating unit represented by c) is removed and the terminal oxygen atom thereof has a C—O—C group represented by the following general formula (2a) or (2b). The compound is crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly with a divalent or higher valent crosslinking group, and the total amount of the acid labile group and the crosslinking group exceeds 80 mol% of the average of all carboxyl groups in the formula (3a). Polymeric silicone compounds having the following ratios can be mentioned.

【0070】[0070]

【化33】 (式中、Rはカルボキシル基又はCOOR2を示すが、
Rの少なくとも1つはカルボキシル基である。R1は炭
素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置換
アルキル基又はアルケニル基を示し、R2は上述した通
りの酸不安定基を示す。p31は正数、p32、p4、
qは0又は正数であり、0<p31/(p31+p32
+p4+q)≦0.8、0≦p4/(p31+p32+
p4+q)≦0.8、0≦q/(p31+p32+p4
+q)≦0.6、0.4≦(p31+p32+p4)/
(p31+p32+p4+q)≦1、p31+p32+
p4+q=1を満足する数である。xは正の整数であ
る。m’は0又は正の整数であり、n’は正の整数であ
り、m’+n’≦5を満足する数である。なお、p31
+p32=p3であり、p3は上記の通りである。)
[Chemical 33] (In the formula, R represents a carboxyl group or COOR 2 ,
At least one of R is a carboxyl group. R 1 represents a linear, branched or cyclic, unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 2 represents an acid labile group as described above. p31 is a positive number, p32, p4,
q is 0 or a positive number, and 0 <p31 / (p31 + p32
+ P4 + q) ≦ 0.8, 0 ≦ p4 / (p31 + p32 +
p4 + q) ≦ 0.8, 0 ≦ q / (p31 + p32 + p4
+ Q) ≦ 0.6, 0.4 ≦ (p31 + p32 + p4) /
(P31 + p32 + p4 + q) ≦ 1, p31 + p32 +
It is a number that satisfies p4 + q = 1. x is a positive integer. m ′ is 0 or a positive integer, n ′ is a positive integer, and is a number that satisfies m ′ + n ′ ≦ 5. Note that p31
+ P32 = p3, and p3 is as described above. )

【0071】p31、p32、p4、qは上述した数を
示すが、より好ましくは、p31、p32、p4、qの
値は下記の通りである。
Although p31, p32, p4 and q represent the above-mentioned numbers, more preferably, the values of p31, p32, p4 and q are as follows.

【0072】[0072]

【数式1】 [Formula 1]

【0073】この高分子化合物の例としては、下記式
(3’−1)、(3’−2)で示されるものを挙げるこ
とができる。
Examples of this polymer compound include those represented by the following formulas (3'-1) and (3'-2).

【0074】[0074]

【化34】 [Chemical 34]

【0075】[0075]

【化35】 [Chemical 35]

【0076】なお、上記式中、p41、p42はそれぞ
れ0又は正数であるが、p41とp42は同時に0とな
ることはない。p41+p42=p4である。式(3’
−1)は分子間結合、式(3’−2)は分子内結合をし
ている状態を示し、これらはそれぞれ単独で又は混在し
ていてもよい。ここで、p41/(p41+p42)は
好ましくは0.1〜1、より好ましくは0.5〜1、更
に好ましくは0.7〜1である。
In the above formula, p41 and p42 are each 0 or a positive number, but p41 and p42 are never 0 at the same time. p41 + p42 = p4. Expression (3 '
-1) represents an intermolecular bond, and Formula (3'-2) represents an intramolecular bond, which may be used alone or in combination. Here, p41 / (p41 + p42) is preferably 0.1 to 1, more preferably 0.5 to 1, and still more preferably 0.7 to 1.

【0077】QはC−O−C基を有する架橋基、典型的
には上記式(2a)又は(2b)で示される架橋基、特
に式(2a’)、(2b’)や(2a’’)、(2
b’’)、好ましくは(2a’’’)、(2b’’’)
で示される架橋基である。この場合、架橋基が3価以上
の場合、上記式(3a)において、下記の単位の3個以
上にQが結合したものとなる。
Q is a bridging group having a C—O—C group, typically a bridging group represented by the above formula (2a) or (2b), and in particular, a formula (2a ′), (2b ′) or (2a ′). '), (2
b ″), preferably (2a ′ ″), (2b ″ ′)
Is a cross-linking group. In this case, when the bridging group has a valence of 3 or more, in the above formula (3a), Q is bonded to 3 or more of the following units.

【0078】[0078]

【化36】 [Chemical 36]

【0079】本発明の上記式(3a)の高分子シリコー
ン化合物は、そのカルボキシル基の一部の水素原子が酸
不安定基及び上記C−O−C基を有する架橋基で置換さ
れているものであるが、より好ましくは、酸不安定基と
架橋基との合計が式(3a)におけるカルボキシル基の
全体に対して平均0モル%を超え80モル%以下、特に
2〜40モル%であることが好ましい。
The polymeric silicone compound of the above formula (3a) of the present invention is one in which some hydrogen atoms of the carboxyl group are substituted with an acid labile group and a crosslinking group having the above C--O--C group. However, more preferably, the total of the acid labile group and the crosslinkable group is more than 0 mol% and not more than 80 mol% on average, particularly 2 to 40 mol% with respect to the entire carboxyl group in the formula (3a). It is preferable.

【0080】この場合、式(3a)におけるカルボキシ
ル基の全体に対するC−O−C基を有する架橋基の割合
は平均0モル%を超え80モル%以下、特に1〜20モ
ル%が好ましい。0モル%となると、アルカリ溶解速度
のコントラストが小さくなり、架橋基の長所を引き出す
ことができなくなり、解像度が悪くなる。一方、80モ
ル%を超えると、架橋しすぎてゲル化し、アルカリに対
して溶解性がなくなったり、アルカリ現像の際に膜厚変
化や膜内応力又は気泡の発生を引き起こしたり、親水基
が少なくなるために基板との密着性に劣る場合がある。
In this case, the proportion of the crosslinking group having a C--O--C group with respect to the entire carboxyl group in the formula (3a) is more than 0 mol% and not more than 80 mol% on average, and preferably 1 to 20 mol%. When it is 0 mol%, the contrast of the alkali dissolution rate becomes small, the advantages of the crosslinking group cannot be taken out, and the resolution becomes poor. On the other hand, if it exceeds 80 mol%, gelation occurs due to excessive cross-linking, solubility in alkali is lost, film thickness change or film stress or bubbles are generated during alkali development, and there are few hydrophilic groups. Therefore, the adhesion to the substrate may be poor.

【0081】式(3a)におけるカルボキシル基の全体
に対する酸不安定基の割合は、平均0モル%を超え80
モル%以下、特に10〜40モル%が好ましい。0モル
%になるとアルカリ溶解速度のコントラストが小さくな
り、解像度が悪くなる。一方、80モル%を超えるとア
ルカリに対する溶解性がなくなったり、アルカリ現像の
際に現像液との親和性が低くなり、解像性が劣る場合が
ある。
The ratio of the acid labile group to the entire carboxyl group in the formula (3a) exceeds 0 mol% on average and 80
It is preferably not more than mol%, particularly preferably 10 to 40 mol%. When it is 0 mol%, the contrast of the alkali dissolution rate becomes small and the resolution becomes poor. On the other hand, if it exceeds 80 mol%, the solubility in alkali may be lost, or the affinity with the developing solution may decrease during alkali development, resulting in poor resolution.

【0082】なお、C−O−C基を有する架橋基及び酸
不安定基はその値を上記範囲内で適宜選定することによ
りパターンの寸法制御、パターンの形状コントロールを
任意に行うことができる。本発明の高分子シリコーン化
合物において、C−O−C基を有する架橋基及び酸不安
定基の含有量は、レジスト膜の溶解速度のコントラスト
に影響し、パターン寸法制御、パターン形状等のレジス
ト材料の特性にかかわるものである。
The cross-linking group having a C—O—C group and the acid labile group can be arbitrarily controlled in pattern size and pattern shape by appropriately selecting the values within the above range. In the polymeric silicone compound of the present invention, the content of the cross-linking group having a C—O—C group and the acid labile group affects the contrast of the dissolution rate of the resist film, and the resist material such as pattern size control and pattern shape Related to the characteristics of.

【0083】ここで、上記高分子シリコーン化合物は分
子内に2種以上の酸不安定基を持つものでもよく、異な
る酸不安定基を持つ2種以上のポリマー同士をブレンド
してもよい。
Here, the above-mentioned polymer silicone compound may have two or more kinds of acid labile groups in the molecule, or may blend two or more kinds of polymers having different acid labile groups.

【0084】本発明の高分子シリコーン化合物は、重量
平均分子量が1,000〜50,000、好ましくは
1,500〜30,000である。重量平均分子量が
1,000に満たないとレジスト材料が耐熱性に劣るも
のとなり、50,000を超えるとレジスト材料をスピ
ンコートするとき均一に塗布することができなくなる。
The polymer silicone compound of the present invention has a weight average molecular weight of 1,000 to 50,000, preferably 1,500 to 30,000. If the weight average molecular weight is less than 1,000, the resist material is inferior in heat resistance, and if it exceeds 50,000, the resist material cannot be applied uniformly during spin coating.

【0085】次に、本発明の上記式(1)の高分子シリ
コーン化合物の製造方法について説明すると、この高分
子シリコーン化合物はカルボン酸アルキルエステル基が
結合した2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もしくは
多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基を有するトリ
クロロシラン化合物及び必要に応じて直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基のトリクロロシラン化合物を加水分
解し、加水分解縮合物を更に熱縮合した後、アルキルエ
ステル基を一般的な方法によって加水分解(KOH、N
aOH等)して下記式(1’)の高分子シリコーン化合
物を得ることができる。なお、保存安定性を考慮して主
鎖末端のシラノール基を保護するためにトリメチルシリ
ル化することが好ましい。得られた高分子シリコーン化
合物のカルボキシル基に酸不安定基を導入し、目的とす
る高分子シリコーン化合物を得ることができる。
Next, the method for producing the polymeric silicone compound of the above formula (1) of the present invention will be described. This polymeric silicone compound has a divalent to hexavalent carbon number of 5 to 6 and a carboxylic acid alkyl ester group bonded thereto. By hydrolyzing a trichlorosilane compound having 12 monocyclic or polycyclic hydrocarbon groups or a bridged cyclic hydrocarbon group and optionally a linear, branched or cyclic alkyl group trichlorosilane compound, After further thermally condensing the hydrolysis condensate, the alkyl ester group is hydrolyzed (KOH, N
aOH etc.) to obtain a polymer silicone compound represented by the following formula (1 ′). In consideration of storage stability, trimethylsilylation is preferable in order to protect the silanol group at the end of the main chain. By introducing an acid labile group into the carboxyl group of the obtained polymer silicone compound, the intended polymer silicone compound can be obtained.

【0086】[0086]

【化37】 (式中、R1、p1、p2、q、xは上記と同様の意味
を示し、この場合x=m+nを示す。)
[Chemical 37] (In the formula, R 1 , p1, p2, q, and x have the same meanings as described above, and in this case, x = m + n.)

【0087】ここで、酸不安定基の導入は公知の方法に
よって行うことができる。また、C−O−C基を有する
架橋基により架橋させる方法は、アルケニルエーテル化
合物又はハロゲン化アルキルエーテル化合物を使用する
方法を挙げることができる。
Here, the introduction of the acid labile group can be carried out by a known method. Moreover, as a method of crosslinking with a crosslinking group having a C—O—C group, a method using an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound can be mentioned.

【0088】即ち、C−O−C基を有する架橋基を持つ
本発明の高分子シリコーン化合物を製造する方法として
は、上記の重合方法により得られた高分子シリコーン化
合物(1’)のカルボキシル基に一般式(4)で示され
る酸不安定基を導入し、単離後、アルケニルエーテル化
合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合物との反
応により分子内及び/又は分子間でC−O−C基を有す
る架橋基により架橋させる方法、或いはアルケニルエー
テル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合物
との反応により分子内及び/又は分子間でC−O−Cで
示される基により架橋させ、単離後、一般式(4)で示
される酸不安定基を導入する方法、或いはアルケニルエ
ーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合
物との反応と一般式(4)で示される酸不安定基の導入
を一括に行う方法が挙げられるが、アルケニルエーテル
化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合物との
反応と一般式(4)で示される酸不安定基の導入を一括
に行う方法が好ましい。また、これによって得られた高
分子シリコーン化合物に、必要に応じて一般式(5)で
示される酸不安定基、3級アルキル基、トリアルキルシ
リル基、オキソアルキル基等の導入を行うことも可能で
ある。
That is, as a method for producing the polymeric silicone compound of the present invention having a cross-linking group having a C--O--C group, a carboxyl group of the polymeric silicone compound (1 ') obtained by the above polymerization method is used. Introduces an acid labile group represented by the general formula (4) into, and after isolation, has a C—O—C group in a molecule and / or between molecules by a reaction with an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound. A method of crosslinking with a crosslinking group, or a reaction with an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound to cause intramolecular and / or intermolecular crosslinking with a group represented by C—O—C, and after isolation, the compound represented by the general formula (4 ) The method of introducing an acid labile group, or the reaction with an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound and the general formula A method of collectively introducing the acid labile group represented by (4) can be mentioned. The reaction with the alkenyl ether compound or the halogenated alkyl ether compound and the introduction of the acid labile group represented by the general formula (4) are performed. A batch method is preferable. If necessary, an acid labile group represented by the general formula (5), a tertiary alkyl group, a trialkylsilyl group, an oxoalkyl group, or the like may be introduced into the polymer silicone compound thus obtained. It is possible.

【0089】具体的には、第1方法として、上記式
(1’)で示される繰り返し単位を有する高分子シリコ
ーン化合物と、下記一般式(I)又は(II)で示され
るアルケニルエーテル化合物と、下記一般式(4a)で
示される化合物を用いる方法、第2方法として、上記式
(1’)で示される繰り返し単位を有する高分子シリコ
ーン化合物と、下記一般式(VII)又は(VIII)
で示されるハロゲン化アルキルエーテル化合物と、下記
一般式(4b)で示される化合物を用いる方法が挙げら
れる。
Specifically, as a first method, a polymer silicone compound having a repeating unit represented by the above formula (1 '), an alkenyl ether compound represented by the following general formula (I) or (II), As a method using a compound represented by the following general formula (4a) and a second method, a polymer silicone compound having a repeating unit represented by the above formula (1 ′) and the following general formula (VII) or (VIII)
Examples of the method include using a halogenated alkyl ether compound represented by and a compound represented by the following general formula (4b).

【0090】[0090]

【化38】 [Chemical 38]

【0091】ここで、R1、Z、R4、R5、R7、R8
p1、p2、q、xは上記と同様の意味を示し、また、
3a、R6aは水素原子又は炭素数1〜7の直鎖状、分岐
状又は環状のアルキル基を示す。
Here, R 1 , Z, R 4 , R 5 , R 7 , R 8 ,
p1, p2, q and x have the same meanings as above, and
R 3a and R 6a each represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 7 carbon atoms.

【0092】更に、式(I)又は(II)で示されるビ
ニルエーテル化合物において、Aはc価(cは2〜8を
示す)の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭
化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、B
は−CO−O−、−NHCOO−又は−NHCONH−
を示し、R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のア
ルキレン基を示し、dは0又は1〜10の整数を示す。
Further, in the vinyl ether compound represented by the formula (I) or (II), A is an aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group having a C value (c is 2 to 8) and having 1 to 50 carbon atoms. , An aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group, B
Is -CO-O-, -NHCOO- or -NHCONH-
R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and d represents 0 or an integer of 1 to 10.

【0093】具体的には、Aのc価の脂肪族もしくは脂
環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基としては、好ま
しくは炭素数1〜50、特に1〜40のO、NH、N
(CH3)、S、SO2等のヘテロ原子が介在してもよい
非置換又は水酸基、カルボキシル基、アシル基又はフッ
素原子置換のアルキレン基、好ましくは炭素数6〜5
0、特に6〜40のアリーレン基、これらアルキレン基
とアリーレン基とが結合した基、上記各基の炭素原子に
結合した水素原子が脱離したc’’価(c’’は3〜8
の整数)の基が挙げられ、更にc価のヘテロ環基、この
ヘテロ環基と上記炭化水素基とが結合した基などが挙げ
られる。
Specifically, the c-valent aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group of A is preferably O, NH, N having 1 to 50 carbon atoms, particularly 1 to 40 carbon atoms.
(CH 3 ), S, SO 2, etc., which may have an intervening heteroatom, such as an unsubstituted or hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom-substituted alkylene group, preferably having 6 to 5 carbon atoms.
0, especially 6 to 40 arylene groups, groups in which these alkylene groups and arylene groups are bonded, and c '' valence (c) is 3 to 8 in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom of each of the above groups is eliminated.
An integer) and a c-valent heterocyclic group, a group in which this heterocyclic group is bonded to the above hydrocarbon group, and the like.

【0094】具体的に例示すると、Aとして下記のもの
が挙げられる。
Specific examples are as follows.

【0095】[0095]

【化39】 [Chemical Formula 39]

【0096】[0096]

【化40】 [Chemical 40]

【0097】[0097]

【化41】 [Chemical 41]

【0098】[0098]

【化42】 [Chemical 42]

【0099】一般式(I)で示される化合物は、例え
ば、Stephen.C.Lapin,Polymer
s Paint Colour Journal.17
9(4237)、321(1988)に記載されている
方法、即ち多価アルコールもしくは多価フェノールとア
セチレンとの反応、又は多価アルコールもしくは多価フ
ェノールとハロゲン化アルキルビニルエーテルとの反応
により合成することができる。
The compound represented by the general formula (I) can be prepared according to, for example, Stephen. C. Lapin, Polymer
s Paint Color Journal. 17
9 (4237), 321 (1988), that is, synthesis by reaction of polyhydric alcohol or polyhydric phenol with acetylene, or reaction of polyhydric alcohol or polyhydric phenol with halogenated alkyl vinyl ether. You can

【0100】式(I)の化合物の具体例として、エチレ
ングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコー
ルジビニルエーテル、1,2−プロパンジオールジビニ
ルエーテル、1,3−プロパンジオールジビニルエーテ
ル、1,3−ブタンジオールジビニルエーテル、1,4
−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレング
リコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジ
ビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエ
ーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘ
キサンジオールジビニルエーテル、1,4−シクロヘキ
サンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコ
ールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニル
エーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、
ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビト
ールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニル
エーテル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテ
ル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテ
ル、エチレングリコールジプロピレンビニルエーテル、
トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、ト
リメチロールプロパントリエチレンビニルエーテル、ト
リメチロールプロパンジエチレンビニルエーテル、ペン
タエリスリトールジエチレンビニルエーテル、ペンタエ
リスリトールトリエチレンビニルエーテル、ペンタエリ
スリトールテトラエチレンビニルエーテル並びに以下の
式(I−1)〜(I−31)で示される化合物を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the compound of the formula (I) include ethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, 1,2-propanediol divinyl ether, 1,3-propanediol divinyl ether and 1,3-butanediol divinyl ether. Vinyl ether, 1,4
-Butanediol divinyl ether, tetramethylene glycol divinyl ether, neopentyl glycol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, trimethylolethane trivinyl ether, hexanediol divinyl ether, 1,4-cyclohexanediol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, Pentaerythritol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether,
Pentaerythritol tetravinyl ether, sorbitol tetravinyl ether, sorbitol pentavinyl ether, ethylene glycol diethylene vinyl ether, triethylene glycol diethylene vinyl ether, ethylene glycol dipropylene vinyl ether,
Triethylene glycol diethylene vinyl ether, trimethylolpropane triethylene vinyl ether, trimethylolpropane diethylene vinyl ether, pentaerythritol diethylene vinyl ether, pentaerythritol triethylene vinyl ether, pentaerythritol tetraethylene vinyl ether and the following formulas (I-1) to (I-31) Examples of the compound include, but are not limited to.

【0101】[0101]

【化43】 [Chemical 43]

【0102】[0102]

【化44】 [Chemical 44]

【0103】[0103]

【化45】 [Chemical formula 45]

【0104】[0104]

【化46】 [Chemical formula 46]

【0105】[0105]

【化47】 [Chemical 47]

【0106】一方、Bが−CO−O−の場合の上記一般
式(II)で示される化合物は、多価カルボン酸とハロ
ゲン化アルキルビニルエーテルとの反応により製造する
ことができる。Bが−CO−O−の場合の式(II)で
示される化合物の具体例としては、テレフタル酸ジエチ
レンビニルエーテル、フタル酸ジエチレンビニルエーテ
ル、イソフタル酸ジエチレンビニルエーテル、フタル酸
ジプロピレンビニルエーテル、テレフタル酸ジプロピレ
ンビニルエーテル、イソフタル酸ジプロピレンビニルエ
ーテル、マレイン酸ジエチレンビニルエーテル、フマル
酸ジエチレンビニルエーテル、イタコン酸ジエチレンビ
ニルエーテル等を挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。
On the other hand, the compound represented by the above general formula (II) when B is —CO—O— can be produced by reacting a polyvalent carboxylic acid with a halogenated alkyl vinyl ether. Specific examples of the compound represented by the formula (II) when B is —CO—O— include terephthalic acid diethylene vinyl ether, phthalic acid diethylene vinyl ether, isophthalic acid diethylene vinyl ether, phthalic acid dipropylene vinyl ether, and terephthalic acid dipropylene vinyl ether. Examples thereof include, but are not limited to, isophthalic acid dipropylene vinyl ether, maleic acid diethylene vinyl ether, fumaric acid diethylene vinyl ether, and itaconic acid diethylene vinyl ether.

【0107】更に、本発明において好適に用いられるア
ルケニルエーテル基含有化合物としては、下記一般式
(III)、(IV)又は(V)等で示される活性水素
を有するアルケニルエーテル化合物とイソシアナート基
を有する化合物との反応により合成されるアルケニルエ
ーテル基含有化合物を挙げることができる。
Further, the alkenyl ether group-containing compound preferably used in the present invention includes an alkenyl ether compound having an active hydrogen represented by the following general formula (III), (IV) or (V) and an isocyanate group. Examples thereof include an alkenyl ether group-containing compound synthesized by reaction with a compound having the same.

【0108】[0108]

【化48】 (R3a、R4、R5は上記と同様の意味を示す。)[Chemical 48] (R 3a , R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

【0109】Bが−NHCOO−又は−NHCONH−
の場合の上記一般式(II)で示されるイソシアナート
基を有する化合物としては、例えば架橋剤ハンドブック
(大成社刊、1981年発行)に記載の化合物を用いる
ことができる。具体的には、トリフェニルメタントリイ
ソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ト
リレンジイソシアナート、2,4−トリレンジイソシア
ナートの二量体、ナフタレン−1,5−ジイソシアナー
ト、o−トリレンジイソシアナート、ポリメチレンポリ
フェニルイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナ
ート等のポリイソシアナート型、トリレンジイソシアナ
ートとトリメチロールプロパンの付加体、ヘキサメチレ
ンジイソシアナートと水との付加体、キシレンジイソシ
アナートとトリメチロールプロパンとの付加体等のポリ
イソシアナートアダクト型等を挙げることができる。上
記イソシアナート基含有化合物と活性水素含有アルケニ
ルエーテル化合物とを反応させることにより末端にアル
ケニルエーテル基を持つ種々の化合物ができる。このよ
うな化合物として以下の式(II−1)〜(II−1
1)で示されるものを挙げることができるが、これらに
限定されるものではない。
B is -NHCOO- or -NHCONH-
In this case, as the compound having an isocyanate group represented by the general formula (II), for example, the compounds described in Crosslinking Agent Handbook (Taiseisha, 1981) can be used. Specifically, triphenylmethane triisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, dimer of 2,4-tolylene diisocyanate, naphthalene-1,5-diisocyanate, o-tolylene diisocyanate. Nato, polymethylene polyphenyl isocyanate, polyisocyanate type such as hexamethylene diisocyanate, adduct of tolylene diisocyanate and trimethylolpropane, adduct of hexamethylene diisocyanate and water, xylene diisocyanate Examples thereof include polyisocyanate adduct types such as adducts with trimethylolpropane. By reacting the above-mentioned isocyanate group-containing compound with the active hydrogen-containing alkenyl ether compound, various compounds having an alkenyl ether group at the terminal can be prepared. As such compounds, the following formulas (II-1) to (II-1
Examples thereof include, but are not limited to, those shown in 1).

【0110】[0110]

【化49】 [Chemical 49]

【0111】[0111]

【化50】 [Chemical 50]

【0112】上記第1方法においては、例えば式(3
a)の高分子シリコーン化合物を得る場合、重量平均分
子量が1,000〜50,000であり、好ましくは下
記一般式(3’)で示される高分子化合物のカルボキシ
ル基の1モルに対してp31モルの一般式(I)、(I
I)で示されるアルケニルエーテル化合物及びp41+
p42モルの一般式(4a)で示される化合物を反応さ
せて、例えば下記一般式(3a’−1)、(3a’−
2)で示される高分子化合物を得ることができる。
In the first method, for example, equation (3
When the polymer silicone compound of a) is obtained, the weight average molecular weight is 1,000 to 50,000, and preferably p31 per mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by the following general formula (3 ′). Molar formulas (I), (I
I) alkenyl ether compound and p41 +
By reacting p42 mol of the compound represented by the general formula (4a), for example, the following general formulas (3a'-1) and (3a'-
A polymer compound represented by 2) can be obtained.

【0113】[0113]

【化51】 [Chemical 51]

【0114】ここで、R1、x、p31、p41、p4
2、p32、qは上記と同様の意味を示し、p31+p
41+p42+p32+q=1である。
Here, R 1 , x, p31, p41, p4
2, p32 and q have the same meanings as above, p31 + p
41 + p42 + p32 + q = 1.

【0115】[0115]

【化52】 [Chemical 52]

【0116】[0116]

【化53】 上記式においてQ、m’、n’及びその他の符号は上記
と同じである。
[Chemical 53] In the above formula, Q, m ′, n ′ and other symbols are the same as above.

【0117】第1の方法において、反応溶媒としては、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラ
ヒドロフラン、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒が
好ましく、単独でも2種以上混合して使用してもかまわ
ない。
In the first method, the reaction solvent is
Aprotic polar solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, tetrahydrofuran and ethyl acetate are preferable, and they may be used alone or in combination of two or more.

【0118】触媒の酸としては、塩酸、硫酸、トリフル
オロメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メタ
ンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、p−トルエンスルホ
ン酸ピリジニウム塩等が好ましく、その使用量は反応す
る一般式(1’)で示される高分子化合物のカルボキシ
ル基の1モルに対して0.1〜10モル%であることが
好ましい。
The catalyst acid is preferably hydrochloric acid, sulfuric acid, trifluoromethanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, trifluoroacetic acid, p-toluenesulfonic acid pyridinium salt, etc. It is preferably 0.1 to 10 mol% with respect to 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by the formula (1 ′).

【0119】反応温度としては−20〜100℃、好ま
しくは0〜60℃であり、反応時間としては0.2〜1
00時間、好ましくは0.5〜20時間である。
The reaction temperature is −20 to 100 ° C., preferably 0 to 60 ° C., and the reaction time is 0.2 to 1
It is 00 hours, preferably 0.5 to 20 hours.

【0120】上記反応を単離せずに一括して行う場合、
一般式(I)又は(II)で示されるアルケニルエーテ
ル化合物と一般式(4a)で示される化合物を添加する
順序は特に限定されないが、初めに一般式(4a)で示
される化合物を添加し、反応が十分進行した後に一般式
(I)又は(II)で示されるアルケニルエーテル化合
物を添加するのが好ましい。例えば一般式(I)又は
(II)で示されるアルケニルエーテル化合物と一般式
(4a)で示される化合物を同時に添加したり、一般式
(I)又は(II)で示されるアルケニルエーテル化合
物を先に添加した場合には、一般式(I)又は(II)
で示されるアルケニルエーテル化合物の反応点の一部が
反応系中の水分により加水分解され、生成した高分子化
合物の構造が複雑化し、物性の制御が困難となる場合が
ある。
When the above reactions are carried out collectively without isolation,
The order of adding the alkenyl ether compound represented by the general formula (I) or (II) and the compound represented by the general formula (4a) is not particularly limited, but the compound represented by the general formula (4a) is first added, It is preferable to add the alkenyl ether compound represented by the general formula (I) or (II) after the reaction has sufficiently proceeded. For example, the alkenyl ether compound represented by the general formula (I) or (II) and the compound represented by the general formula (4a) are simultaneously added, or the alkenyl ether compound represented by the general formula (I) or (II) is added first. When added, the general formula (I) or (II)
In some cases, some of the reaction points of the alkenyl ether compound represented by are hydrolyzed by water in the reaction system, the structure of the produced polymer compound becomes complicated, and it becomes difficult to control the physical properties.

【0121】[0121]

【化54】 (式中、R1、R3〜R5、R6a、R7、R8、p1、p
2、q、x、A、B、c、dはそれぞれ上記と同様の意
味を示し、Zはハロゲン原子(Cl、Br又はI)であ
る。)
[Chemical 54] (In the formula, R 1 , R 3 to R 5 , R 6a , R 7 , R 8 , p 1, p
2, q, x, A, B, c and d each have the same meaning as described above, and Z is a halogen atom (Cl, Br or I). )

【0122】なお、上記式(VI)、(VII)の化合
物や式(4b)の化合物は、上記式(I)、(II)の
化合物や式(4a)の化合物に塩化水素、臭化水素又は
ヨウ化水素を反応させることにより得ることができる。
The compounds of the above formulas (VI) and (VII) and the compounds of the formula (4b) are obtained by adding hydrogen chloride and hydrogen bromide to the compounds of the above formulas (I) and (II) and the formula (4a). Alternatively, it can be obtained by reacting hydrogen iodide.

【0123】 上記第2方法は、例えば式(3a)の高
分子シリコーン化合物を得る場合、重量平均分子量が
1,000〜50,000の上記一般式(3’)で示さ
れる繰り返し単位を有する高分子化合物のカルボキシル
基の1モルに対してp31+p41モルの一般式(V
I)又は(VII)で示されるハロゲン化アルキルエー
テル化合物及びp41モルの一般式(4b)で示される
化合物を反応させて、例えば上記式(3a’−1)、
(3a’−2)で示される高分子化合物を得ることがで
きる。
In the second method, for example, when a polymer silicone compound of the formula (3a) is obtained, a high molecular weight silicone having a repeating unit represented by the general formula (3 ′) having a weight average molecular weight of 1,000 to 50,000 is used. 1 mol of the carboxyl group of the molecular compound, p31 + p41 mol of the general formula (V
I) or (VII), and a halogenated alkyl ether compound represented by the formula (4b) are reacted with p41 mol of the compound represented by the formula (3a′-1),
The polymer compound represented by (3a′-2) can be obtained.

【0124】上記製造方法は、溶媒中において塩基の存
在下で行うことが好ましい。反応溶媒としては、アセト
ニトリル、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキ
シド等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、単独でも2
種以上混合して使用してもかまわない。
The above production method is preferably carried out in a solvent in the presence of a base. As the reaction solvent, aprotic polar solvents such as acetonitrile, acetone, dimethylformamide, dimethylacetamide, tetrahydrofuran and dimethylsulfoxide are preferable, and they are 2
You may mix and use 1 or more types.

【0125】塩基としては、トリエチルアミン、ピリジ
ン、ジイソプロピルアミン、炭酸カリウム等が好まし
く、その使用量は反応する一般式(1’)で示される高
分子化合物のカルボキシル基の1モルに対して1モル倍
以上、特に5モル倍以上であることが好ましい。
As the base, triethylamine, pyridine, diisopropylamine, potassium carbonate and the like are preferable, and the amount used is 1 mol times with respect to 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by the general formula (1 ′) which reacts. As described above, the molar ratio is preferably 5 times or more.

【0126】反応温度としては−50〜100℃、好ま
しくは0〜60℃であり、反応時間としては0.5〜1
00時間、好ましくは1〜20時間である。
The reaction temperature is −50 to 100 ° C., preferably 0 to 60 ° C., and the reaction time is 0.5 to 1
It is 00 hours, preferably 1 to 20 hours.

【0127】なお、上述したように、式(1’)又は
(3’)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物
に式(4a)又は(4b)の化合物を反応させて、得ら
れた酸不安定基を有する化合物、例えば下記式(3d)
で示される化合物を得た後、これを単離し、次いで式
(I)、(II)或いは(VI)、(VII)で示され
る化合物を用いて架橋を行うようにしてもよい。
As described above, the acid obtained by reacting the polymer compound having the repeating unit represented by the formula (1 ′) or (3 ′) with the compound represented by the formula (4a) or (4b) A compound having an unstable group, for example, the following formula (3d)
After the compound represented by the formula (1) is obtained, it may be isolated, and then the compound represented by the formula (I), (II) or (VI), (VII) may be used for crosslinking.

【0128】[0128]

【化55】 [Chemical 55]

【0129】上記第1又は第2方法により得られた例え
ば式(3a’−1)、(3a’−2)で示されるような
高分子化合物に、必要に応じて元の一般式(3’)で示
される高分子化合物のカルボキシル基の1モルに対して
p42モルの二炭酸ジアルキル化合物、アルコキシカル
ボニルアルキルハライド等を反応させて一般式(5)で
示される酸不安定基を導入したり、3級アルキルハライ
ド、トリアルキルシリルハライド、オキソアルキル化合
物等を反応させて、例えば一般式(3b’−1)、(3
b’−2)で示される高分子化合物を得ることができ
る。
The polymer compound obtained by the above-mentioned first or second method, for example, the compound represented by the formula (3a'-1) or (3a'-2) is added to the original general formula (3 ' ) Introduce the acid labile group represented by the general formula (5) by reacting p42 mol of a dialkyl dicarbonate compound, alkoxycarbonylalkyl halide or the like with 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by A tertiary alkyl halide, a trialkylsilyl halide, an oxoalkyl compound or the like is reacted to give, for example, a compound represented by the general formula (3b′-1) or (3
The polymer compound represented by b'-2) can be obtained.

【0130】[0130]

【化56】 [Chemical 56]

【0131】[0131]

【化57】 上記式においてQ、m’、n’及びその他の符号は上記
と同じである。
[Chemical 57] In the above formula, Q, m ′, n ′ and other symbols are the same as above.

【0132】上記式(5)の酸不安定基の導入方法は、
溶媒中において塩基の存在下で行うことが好ましい。
The method of introducing the acid labile group of the above formula (5) is as follows:
It is preferably carried out in the presence of a base in a solvent.

【0133】反応溶媒としては、アセトニトリル、アセ
トン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド等の非プロ
トン性極性溶媒が好ましく、単独でも2種以上混合して
使用してもかまわない。
As the reaction solvent, acetonitrile, acetone, dimethylformamide, dimethylacetamide,
An aprotic polar solvent such as tetrahydrofuran or dimethylsulfoxide is preferable, and they may be used alone or in combination of two or more.

【0134】塩基としては、トリエチルアミン、ピリジ
ン、イミダゾール、ジイソプロピルアミン、炭酸カリウ
ム等が好ましく、その使用量は元の一般式(1’)で示
される高分子化合物のカルボキシル基の1モルに対して
1モル倍以上、特に5モル倍以上であることが好まし
い。
As the base, triethylamine, pyridine, imidazole, diisopropylamine, potassium carbonate and the like are preferable, and the amount of the base used is 1 mol based on 1 mol of the carboxyl group of the original polymer represented by the general formula (1 ′). It is preferably a molar ratio or more, and particularly preferably a molar ratio of 5 or more.

【0135】反応温度としては0〜100℃、好ましく
は0〜60℃である。反応時間としては0.2〜100
時間、好ましくは1〜10時間である。
The reaction temperature is 0 to 100 ° C, preferably 0 to 60 ° C. The reaction time is 0.2 to 100
The time is preferably 1 to 10 hours.

【0136】二炭酸ジアルキル化合物としては二炭酸ジ
−tert−ブチル、二炭酸ジ−tert−アミル等が
挙げられ、アルコキシカルボニルアルキルハライドとし
てはtert−ブトキシカルボニルメチルクロライド、
tert−アミロキシカルボニルメチルクロライド、t
ert−ブトキシカルボニルメチルブロマイド、ter
t−ブトキシカルボニルエチルクロライド等が挙げら
れ、トリアルキルシリルハライドとしてはトリメチルシ
リルクロライド、トリエチルシリルクロライド、ジメチ
ル−tert−ブチルシリルクロライド等が挙げられ
る。
Examples of the dialkyl dicarbonate compound include di-tert-butyl dicarbonate and di-tert-amyl dicarbonate, and examples of the alkoxycarbonylalkyl halide include tert-butoxycarbonylmethyl chloride.
tert-amyloxycarbonylmethyl chloride, t
ert-butoxycarbonylmethyl bromide, ter
Examples thereof include t-butoxycarbonylethyl chloride, and examples of the trialkylsilyl halide include trimethylsilyl chloride, triethylsilyl chloride, dimethyl-tert-butylsilyl chloride and the like.

【0137】また、上記第1又は第2の方法により得ら
れた一般式(3a’−1)、(3a’−2)で示される
高分子化合物に、必要に応じて元の一般式(3’)で示
される高分子化合物のカルボキシル基の1モルに対して
p42モルの3級アルキル化剤、オキソアルキル化合物
を反応させて3級アルキル化又はオキソアルキル化する
ことができる。
The polymer compounds represented by the general formulas (3a'-1) and (3a'-2) obtained by the first or second method may be added to the original general formula (3 It is possible to carry out tertiary alkylation or oxoalkylation by reacting p42 moles of a tertiary alkylating agent or an oxoalkyl compound with 1 mole of the carboxyl group of the polymer compound represented by ').

【0138】上記方法は、溶媒中において酸の存在下で
行うことが好ましい。反応溶媒としては、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラ
ン、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、
単独でも2種以上混合して使用してもかまわない。
The above method is preferably carried out in the presence of an acid in a solvent. The reaction solvent is preferably an aprotic polar solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide, tetrahydrofuran, ethyl acetate,
You may use it individually or in mixture of 2 or more types.

【0139】触媒の酸としては、塩酸、硫酸、トリフル
オロメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メタ
ンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩
等が好ましく、その使用量は元の一般式(1’)で示さ
れる高分子合物のカルボキシル基の1モルに対して0.
1〜10モル%であることが好ましい。
As the acid of the catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, trifluoromethanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid pyridinium salt and the like are preferable, and the amount thereof is the same as in the general formula (1 ′). ) With respect to 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by
It is preferably 1 to 10 mol%.

【0140】反応温度としては−20〜100℃、好ま
しくは0〜60℃であり、反応時間としては0.2〜1
00時間、好ましくは0.5〜20時間である。
The reaction temperature is −20 to 100 ° C., preferably 0 to 60 ° C., and the reaction time is 0.2 to 1
It is 00 hours, preferably 0.5 to 20 hours.

【0141】3級アルキル化剤としてはイソブテン、2
−メチル−1−ブテン、2−メチル−2−ブテン等が挙
げられ、オキソアルキル化合物としてはα−アンジェリ
カラクトン、2−シクロヘキセン−1−オン、5,6−
ジヒドロ−2H−ピラン−2−オン等が挙げられる。
As the tertiary alkylating agent, isobutene, 2
-Methyl-1-butene, 2-methyl-2-butene and the like can be mentioned, and as the oxoalkyl compound, α-angelicalactone, 2-cyclohexen-1-one, 5,6-
Dihydro-2H-pyran-2-one and the like can be mentioned.

【0142】なお、一般式(3a’−1)、(3a’−
2)で示される高分子化合物を経由せずに直接下記一般
式(3c’−1)又は(3c’−2)で示される繰り返
し単位を有する高分子化合物に一般式(5)で示される
酸不安定基、3級アルキル基、トリアルキルシリル基、
オキソアルキル基等を導入後、必要に応じて一般式
(4)で示される酸不安定基を導入することもできる。
The general formulas (3a'-1) and (3a'-
The polymer compound having the repeating unit represented by the following general formula (3c′-1) or (3c′-2) is directly added to the acid compound represented by the general formula (5) without passing through the polymer compound represented by 2). Unstable group, tertiary alkyl group, trialkylsilyl group,
After introducing the oxoalkyl group and the like, the acid labile group represented by the general formula (4) can be introduced, if necessary.

【0143】[0143]

【化58】 [Chemical 58]

【0144】[0144]

【化59】 [Chemical 59]

【0145】本発明の高分子化合物において、R2の酸
不安定基としては1種に限られず、2種以上を導入する
ことができる。この場合、式(1’)の高分子化合物の
全水酸基1モルに対してp41モルの酸不安定基を上記
のようにして導入した後、これと異なる酸不安定基を上
記と同様の方法でp42モル導入することによって、か
かる酸不安定基を2種又は適宜かかる操作を繰り返して
それ以上導入した高分子化合物を得ることができる。
In the polymer compound of the present invention, the acid labile group for R 2 is not limited to one type, and two or more types can be introduced. In this case, p41 mol of the acid labile group is introduced into 1 mol of all the hydroxyl groups of the polymer compound of the formula (1 ′) as described above, and then an acid labile group different from this is introduced in the same manner as above. Introducing p42 mol of the above compound makes it possible to obtain a polymer compound in which two or more kinds of such acid labile groups are introduced or by repeating such an operation as appropriate.

【0146】本発明の高分子シリコーン化合物は、化学
増幅ポジ型レジスト材料のベースポリマーとして有効で
あり、本発明は、この高分子シリコーン化合物をベース
ポリマーとする下記成分を含有する化学増幅ポジ型レジ
スト材料を提供する。 (A)有機溶剤 (B)ベース樹脂として上記高分子シリコーン化合物 (C)酸発生剤 更に必要により (D)溶解制御剤 (E)塩基性化合物 (F)分子内に≡C−COOHで示される基を有する化
合物 (G)アセチレンアルコール誘導体
The polymer silicone compound of the present invention is effective as a base polymer of a chemically amplified positive resist material, and the present invention is a chemically amplified positive resist containing the following components using the polymer silicone compound as a base polymer. Provide the material. (A) Organic solvent (B) As a base resin, the above-mentioned polymeric silicone compound (C) Acid generator and, if necessary, (D) Dissolution control agent (E) Basic compound (F) ≡C-COOH in the molecule Group-containing compound (G) acetylene alcohol derivative

【0147】ここで、本発明で使用される(A)成分の
有機溶剤としては、酸発生剤、ベース樹脂、溶解制御剤
等が溶解可能な有機溶媒であればいずれでもよい。この
ような有機溶剤としては、例えばシクロヘキサノン、メ
チル−2−n−アミルケトン等のケトン類、3−メトキ
シブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、
1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−
プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エ
チル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、
3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチ
ル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコ
ール−モノ−tert−ブチルエーテルアセテート等の
エステル類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種
以上を混合して使用することができるが、これらに限定
されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の
中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れて
いるジエチレングリコールジメチルエーテルや1−エト
キシ−2−プロパノールの他、安全溶剤であるプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混
合溶剤が好ましく使用される。
Here, the organic solvent of the component (A) used in the present invention may be any organic solvent in which the acid generator, the base resin, the dissolution controlling agent and the like can be dissolved. Examples of such an organic solvent include ketones such as cyclohexanone and methyl-2-n-amyl ketone, 3-methoxybutanol, 3-methyl-3-methoxybutanol,
1-methoxy-2-propanol, 1-ethoxy-2-
Alcohols such as propanol, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether and other ethers, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether Acetate, ethyl lactate, ethyl pyruvate, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate,
Esters such as ethyl 3-ethoxypropionate, tert-butyl acetate, tert-butyl propionate, and propylene glycol-mono-tert-butyl ether acetate may be mentioned, and one of these may be used alone or two or more thereof may be mixed. It can be used, but is not limited to these. In the present invention, among these organic solvents, in addition to diethylene glycol dimethyl ether and 1-ethoxy-2-propanol, which have the best solubility of the acid generator in the resist component, propylene glycol monomethyl ether acetate which is a safe solvent and a mixture thereof. Solvents are preferably used.

【0148】有機溶剤の使用量は、(B)成分のベース
樹脂100部(重量部、以下同様)に対して200〜
1,000部、特に400〜800部が好適である。
(C)成分の酸発生剤としては、 下記一般式(6a−1)、(6a−2)又は(6b)
のオニウム塩、 下記一般式(7)のジアゾメタン誘導体、 下記一般式(8)のグリオキシム誘導体、 下記一般式(9)のビススルホン誘導体、 下記一般式(10)のN−ヒドロキシイミド化合物の
スルホン酸エステル、 β−ケトスルホン酸誘導体、 ジスルホン誘導体、 ニトロベンジルスルホネート誘導体、 スルホン酸エステル誘導体 等が挙げられる。
The amount of the organic solvent used is 200 to 100 parts (parts by weight, the same applies hereinafter) of the base resin of the component (B).
1,000 parts, especially 400 to 800 parts are preferred.
Examples of the acid generator as the component (C) include the following general formulas (6a-1), (6a-2) or (6b).
Onium salt, a diazomethane derivative of the following general formula (7), a glyoxime derivative of the following general formula (8), a bissulfone derivative of the following general formula (9), and a sulfonic acid ester of an N-hydroxyimide compound of the following general formula (10). , Β-ketosulfonic acid derivatives, disulfone derivatives, nitrobenzyl sulfonate derivatives, sulfonic acid ester derivatives and the like.

【0149】[0149]

【化60】 (式中、R30a、R30b、R30cはそれぞれ炭素数1〜1
2の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル
基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数
6〜20のアリール基又は炭素数7〜12のアラルキル
基又はアリールオキソアルキル基を表し、これら基の水
素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって置換さ
れていてもよい。また、R30bとR30cとは環を形成して
もよく、環を形成する場合には、R30b、R30cはそれそ
れ炭素数1〜6のアルキレン基を示し、K-は非求核性
対向イオンを表す。)
[Chemical 60] (In the formula, R 30a , R 30b , and R 30c each have 1 to 1 carbon atoms.
2 represents a linear, branched or cyclic alkyl group, alkenyl group, oxoalkyl group or oxoalkenyl group, aryl group having 6 to 20 carbon atoms or aralkyl group or aryloxoalkyl group having 7 to 12 carbon atoms, Some or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted with an alkoxy group or the like. R 30b and R 30c may form a ring, and in the case of forming a ring, R 30b and R 30c each represent an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and K is a non-nucleophilic group. Represents a counter ion. )

【0150】上記R30a、R30b、R30cは互いに同一で
あっても異なっていてもよく、具体的にはアルキル基と
して、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、シクロプロピルメチル基、4−メチルシクロヘ
キシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、
アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基として
は、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル基、
ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。オ
キソアルキル基、オキソアルケニル基としては、2−オ
キソシクロペンチル基、2−オキソシクロヘプチル基等
が挙げられ、また2−オキソプロピル基、2−シクロペ
ンチル−2−オキソエチル基、2−シクロヘキシル−2
−オキソエチル基、2−(4−メチルシクロヘキシル)
−2−オキソエチル基等の2−アルキル−2−オキソエ
チル基を挙げることができる。アリール基としては、フ
ェニル基、ナフチル基等や、p−メトキシフェニル基、
m−メトキシフェニル基、o−メトキシフェニル基、エ
トキシフェニル基、p−tert−ブトキシフェニル
基、m−tert−ブトキシフェニル基等のアルコキシ
フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニ
ル基、4−メチルフェニル基、エチルフェニル基、4−
tert−ブチルフェニル基、4−ブチルフェニル基、
ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナ
フチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、
メトキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキ
シナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル
基等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、
ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が
挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェニ
ルエチル基、フェネチル基等が挙げられる。アリールオ
キソアルキル基としては、2−(フェニル)−2−オキ
ソエチル基、2−(1−ナフチル)−2−オキソエチル
基、2−(2−ナフチル)−2−オキソエチル基等の2
−アリール−2−オキソエチル基等が挙げられる。K-
の非求核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イ
オン等のハライドイオン、トリフレート、1,1,1−
トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタン
スルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシ
レート、ベンゼンスルホネート、4−フルオロベンゼン
スルホネート、1,2,3,4,5−ペンタフルオロベ
ンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレ
ート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネートが
挙げられる。
The above R 30a , R 30b and R 30c may be the same or different from each other, and specifically, as an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopropylmethyl group, 4-methylcyclohexyl group, cyclohexylmethyl group, norbornyl group,
Examples thereof include an adamantyl group. As the alkenyl group, a vinyl group, an allyl group, a propenyl group, a butenyl group,
Examples thereof include a hexenyl group and a cyclohexenyl group. Examples of the oxoalkyl group and the oxoalkenyl group include a 2-oxocyclopentyl group and a 2-oxocycloheptyl group, and a 2-oxopropyl group, a 2-cyclopentyl-2-oxoethyl group, a 2-cyclohexyl-2 group.
-Oxoethyl group, 2- (4-methylcyclohexyl)
A 2-alkyl-2-oxoethyl group such as a 2-oxoethyl group can be mentioned. Examples of the aryl group include phenyl group, naphthyl group, p-methoxyphenyl group,
Alkoxyphenyl groups such as m-methoxyphenyl group, o-methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, p-tert-butoxyphenyl group, m-tert-butoxyphenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4 -Methylphenyl group, ethylphenyl group, 4-
tert-butylphenyl group, 4-butylphenyl group,
Alkylphenyl groups such as dimethylphenyl group, alkylnaphthyl groups such as methylnaphthyl group and ethylnaphthyl group,
Methoxynaphthyl group, alkoxynaphthyl group such as ethoxynaphthyl group, dialkylnaphthyl group such as dimethylnaphthyl group, diethylnaphthyl group, dimethoxynaphthyl group,
Examples thereof include dialkoxynaphthyl groups such as diethoxynaphthyl group. Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenylethyl group and a phenethyl group. Examples of the aryloxoalkyl group include 2- (phenyl) -2-oxoethyl group, 2- (1-naphthyl) -2-oxoethyl group, 2- (2-naphthyl) -2-oxoethyl group and the like.
-Aryl-2-oxoethyl group and the like. K -
Examples of non-nucleophilic counter ions of chloride are halide ions such as chloride ion and bromide ion, triflate, 1,1,1-
Fluoroalkyl sulfonates such as trifluoroethane sulfonate and nonafluorobutane sulfonate, tosylate, benzene sulfonate, 4-fluorobenzene sulfonate, aryl sulfonates such as 1,2,3,4,5-pentafluorobenzene sulfonate, mesylate and butane sulfonate Alkyl sulfonates of

【0151】[0151]

【化61】 (式中、R31a、R31bはそれぞれ炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基、R32は炭素数1〜1
0の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、R33a
33bはそれぞれ炭素数3〜7の2−オキソアルキル基
を示し、K-は非求核性対向イオンを表す。)
[Chemical formula 61] (In the formula, R 31a and R 31b are each a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 32 is 1 to 1 carbon atoms.
A linear, branched or cyclic alkylene group of 0, R 33a ,
R 33b each represents a 2-oxoalkyl group having 3 to 7 carbon atoms, and K represents a non-nucleophilic counter ion. )

【0152】上記R31a、R31bとして具体的には、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブ
チル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル
基、4−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチ
ル基等が挙げられる。R32としては、メチレン基、エチ
レン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へ
キシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニレン
基、1,4−シクロへキシレン基、1,2−シクロへキ
シレン基、1,3−シクロペンチレン基、1,4−シク
ロオクチレン基、1,4−シクロヘキサンジメチレン基
等が挙げられる。R33a、R33bとしては、2−オキソプ
ロピル基、2−オキソシクロペンチル基、2−オキソシ
クロヘキシル基、2−オキソシクロヘプチル基等が挙げ
られる。K-は式(6a)と同様のものを挙げることが
できる。
Specific examples of R 31a and R 31b include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group and heptyl group. , Octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclopropylmethyl group, 4-methylcyclohexyl group, cyclohexylmethyl group and the like. R 32 is a methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, nonylene group, 1,4-cyclohexylene group, 1,2-cyclohexylene. Group, 1,3-cyclopentylene group, 1,4-cyclooctylene group, 1,4-cyclohexanedimethylene group and the like. Examples of R 33a and R 33b include a 2-oxopropyl group, a 2-oxocyclopentyl group, a 2-oxocyclohexyl group, and a 2-oxocycloheptyl group. Examples of K include the same as in formula (6a).

【0153】[0153]

【化62】 (式中、R34、R35は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素
数6〜20のアリール基又はハロゲン化アリール基又は
炭素数7〜12のアラルキル基を表す。)
[Chemical formula 62] (In the formula, R 34 and R 35 are a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a halogenated alkyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a halogenated aryl group or a carbon number 7 ~ Represents an aralkyl group of 12.)

【0154】R34、R35のアルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、アミル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられ
る。ハロゲン化アルキル基としてはトリフルオロメチル
基、1,1,1−トリフルオロエチル基、1,1,1−
トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げら
れる。アリール基としてはフェニル基、p−メトキシフ
ェニル基、m−メトキシフェニル基、o−メトキシフェ
ニル基、エトキシフェニル基、p−tert−ブトキシ
フェニル基、m−tert−ブトキシフェニル基等のア
ルコキシフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチ
ルフェニル基、4−メチルフェニル基、エチルフェニル
基、4−tert−ブチルフェニル基、4−ブチルフェ
ニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が
挙げられる。ハロゲン化アリール基としてはフルオロベ
ンゼン基、クロロベンゼン基、1,2,3,4,5−ペ
ンタフルオロベンゼン基等が挙げられる。アラルキル基
としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
The alkyl groups of R 34 and R 35 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group. Group, amyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like. As the halogenated alkyl group, trifluoromethyl group, 1,1,1-trifluoroethyl group, 1,1,1-
Examples thereof include trichloroethyl group and nonafluorobutyl group. As the aryl group, a phenyl group, a p-methoxyphenyl group, an m-methoxyphenyl group, an o-methoxyphenyl group, an ethoxyphenyl group, an alkoxyphenyl group such as a p-tert-butoxyphenyl group and an m-tert-butoxyphenyl group, Examples thereof include alkylphenyl groups such as 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-butylphenyl group and dimethylphenyl group. Examples of the halogenated aryl group include a fluorobenzene group, a chlorobenzene group and a 1,2,3,4,5-pentafluorobenzene group. Examples of the aralkyl group include a benzyl group and a phenethyl group.

【0155】[0155]

【化63】 (式中、R36、R37、R38は炭素数1〜12の直鎖状、
分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル
基、炭素数6〜20のアリール基又はハロゲン化アリー
ル基又は炭素数7〜12のアラルキル基を表す。また、
37、R38は互いに結合して環状構造を形成してもよ
く、環状構造を形成する場合、R37、R38はそれぞれ炭
素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表
す。)
[Chemical formula 63] (In the formula, R 36 , R 37 , and R 38 are linear groups having 1 to 12 carbon atoms,
It represents a branched or cyclic alkyl group or halogenated alkyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a halogenated aryl group or an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms. Also,
R 37 and R 38 may combine with each other to form a cyclic structure, and when forming a cyclic structure, R 37 and R 38 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. . )

【0156】R36、R37、R38のアルキル基、ハロゲン
化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、ア
ラルキル基としては、R34、R35で説明したものと同様
の基が挙げられる。なお、R37、R38のアルキレン基と
してはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレ
ン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, halogenated aryl group and aralkyl group for R 36 , R 37 and R 38 include the same groups as those described for R 34 and R 35 . Examples of the alkylene group for R 37 and R 38 include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group and a hexylene group.

【0157】[0157]

【化64】 (式中、R30a、R30bは上記と同じである。)[Chemical 64] (In the formula, R 30a and R 30b are the same as above.)

【0158】[0158]

【化65】 (式中、R39は炭素数6〜10のアリーレン基、炭素数
1〜6のアルキレン基又は炭素数2〜6のアルケニレン
基を表し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に
炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアル
コキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基で置
換されていてもよい。R40は炭素数1〜8の直鎖状、分
岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基又はアルコキ
シアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を表し、こ
れらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素数1〜4
のアルキル基又はアルコキシ基;炭素数1〜4のアルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換さ
れていてもよいフェニル基;炭素数3〜5のヘテロ芳香
族基;又は塩素原子で置換されていてもよい。)
[Chemical 65] (In the formula, R 39 represents an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, and some or all of hydrogen atoms of these groups are further carbon atoms. It may be substituted with a linear or branched alkyl group or alkoxy group having a number of 1 to 4, a nitro group, an acetyl group, or a phenyl group, and R 40 is a linear or branched group having a carbon number of 1 to 8. Or a substituted alkyl group, an alkenyl group, an alkoxyalkyl group, a phenyl group, or a naphthyl group, and some or all of the hydrogen atoms of these groups further have 1 to 4 carbon atoms.
Alkyl group or alkoxy group; a phenyl group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a nitro group or an acetyl group; a heteroaromatic group having 3 to 5 carbon atoms; or a chlorine atom It may have been done. )

【0159】ここで、R39のアリーレン基としては、
1,2−フェニレン基、1,8−ナフチレン基等が、ア
ルキレン基としては、メチレン基、1,2−エチレン
基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基、1−
フェニル−1,2−エチレン基、ノルボルナン−2,3
−ジイル基等が、アルケニレン基としては、1,2−ビ
ニレン基、1−フェニル−1,2−ビニレン基、5−ノ
ルボルネン−2,3−ジイル基等が挙げられる。R40
アルキル基としては、R30a〜R30cと同様のものが、ア
ルケニル基としては、ビニル基、1−プロペニル基、ア
リル基、1−ブテニル基、3−ブテニル基、イソプレニ
ル基、1−ペンテニル基、3−ペンテニル基、4−ペン
テニル基、ジメチルアリル基、1−ヘキセニル基、3−
ヘキセニル基、5−ヘキセニル基、1−ヘプテニル基、
3−ヘプテニル基、6−ヘプテニル基、7−オクテニル
基等が、アルコキシアルキル基としては、メトキシメチ
ル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキ
シメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロキシメチル
基、ヘプチロキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、
ペントキシエチル基、ヘキシロキシエチル基、メトキシ
プロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル
基、ブトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシ
ブチル基、プロポキシブチル基、メトキシペンチル基、
エトキシペンチル基、メトキシヘキシル基、メトキシヘ
プチル基等が挙げられる。
Here, the arylene group for R 39 is
1,2-phenylene group, 1,8-naphthylene group and the like, and as the alkylene group, methylene group, 1,2-ethylene group, 1,3-propylene group, 1,4-butylene group, 1-
Phenyl-1,2-ethylene group, norbornane-2,3
Examples of the alkenylene group such as -diyl group include 1,2-vinylene group, 1-phenyl-1,2-vinylene group, and 5-norbornene-2,3-diyl group. Examples of the alkyl group of R 40 are the same as those of R 30a to R 30c, and examples of the alkenyl group are vinyl group, 1-propenyl group, allyl group, 1-butenyl group, 3-butenyl group, isoprenyl group, 1- Pentenyl group, 3-pentenyl group, 4-pentenyl group, dimethylallyl group, 1-hexenyl group, 3-
Hexenyl group, 5-hexenyl group, 1-heptenyl group,
A 3-heptenyl group, a 6-heptenyl group, a 7-octenyl group and the like are alkoxyalkyl groups such as a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, a butoxymethyl group, a pentoxymethyl group, a hexyloxymethyl group and a hexyloxymethyl group. Propyloxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxyethyl group, propoxyethyl group, butoxyethyl group,
Pentoxyethyl group, hexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, propoxypropyl group, butoxypropyl group, methoxybutyl group, ethoxybutyl group, propoxybutyl group, methoxypentyl group,
Examples thereof include an ethoxypentyl group, a methoxyhexyl group and a methoxyheptyl group.

【0160】なお、更に置換されていてもよい炭素数1
〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、イソブチル基、tert−ブチル基等が、アルコ
キシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、tert−ブトキシ基等が、単環の芳香族基として
は、フェニル基、ピリジル基、フリル基等が挙げられ
る。
The number of carbon atoms which may be further substituted is 1
Examples of the linear or branched alkyl group of 4 to 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and a tert-butyl group, and an alkoxy group includes a methoxy group. An ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a tert-butoxy group and the like, and examples of the monocyclic aromatic group include a phenyl group, a pyridyl group and a furyl group.

【0161】具体的には、例えばトリフルオロメタンス
ルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)フェニ
ルヨードニウム、p−トルエンスルホン酸ジフェニルヨ
ードニウム、p−トルエンスルホン酸(p−tert−
ブトキシフェニル)フェニルヨードニウム、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェ
ニル)ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸ビス(p−tert−ブトキシフェニル)フェ
ニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリ
ス(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、
p−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p
−トルエンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニ
ル)ジフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸
ビス(p−tert−ブトキシフェニル)フェニルスル
ホニウム、p−トルエンスルホン酸トリス(p−ter
t−ブトキシフェニル)スルホニウム、ノナフルオロブ
タンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスル
ホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸トリメチルスルホニウム、p−トルエンスル
ホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキ
シル)スルホニウム、p−トルエンスルホン酸シクロヘ
キシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルス
ルホニウム、p−トルエンスルホン酸ジメチルフェニル
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロ
ヘキシルフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン
酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オ
キソシクロヘキシル)スルホニウム、トリフルオロメタ
ンスルホン酸(2−ノルボニル)メチル(2−オキソシ
クロヘキシル)スルホニウム、エチレンビス[メチル
(2−オキソシクロペンチル)スルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホナート]、1,2’−ナフチルカルボニ
ルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等の
オニウム塩、ビス(ベンゼンスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(キシレンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロ
ヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロペン
チルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−ブチルスル
ホニル)ジアゾメタン、ビス(イソブチルスルホニル)
ジアゾメタン、ビス(sec−ブチルスルホニル)ジア
ゾメタン、ビス(n−プロピルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(n−アミルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソア
ミルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(sec−アミル
スルホニル)ジアゾメタン、ビス(tert−アミルス
ルホニル)ジアゾメタン、1−シクロヘキシルスルホニ
ル−1−(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタ
ン、1−シクロヘキシルスルホニル−1−(tert−
アミルスルホニル)ジアゾメタン、1−tert−アミ
ルスルホニル−1−(tert−ブチルスルホニル)ジ
アゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−o−(p−
トルエンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−o−(p−トルエンスルホニル)−α−ジフェニル
グリオキシム、ビス−o−(p−トルエンスルホニル)
−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−o−(p
−トルエンスルホニル)−2,3−ペンタンジオングリ
オキシム、ビス−o−(p−トルエンスルホニル)−2
−メチル−3,4−ペンタンジオングリオキシム、ビス
−o−(n−ブタンスルホニル)−α−ジメチルグリオ
キシム、ビス−o−(n−ブタンスルホニル)−α−ジ
フェニルグリオキシム、ビス−o−(n−ブタンスルホ
ニル)−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−o
−(n−ブタンスルホニル)−2,3−ペンタンジオン
グリオキシム、ビス−o−(n−ブタンスルホニル)−
2−メチル−3,4−ペンタンジオングリオキシム、ビ
ス−o−(メタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキ
シム、ビス−o−(トリフルオロメタンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−(1,1,1−
トリフルオロエタンスルホニル)−α−ジメチルグリオ
キシム、ビス−o−(tert−ブタンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−(パーフルオロ
オクタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−o−(シクロヘキサンスルホニル)−α−ジメチル
グリオキシム、ビス−o−(ベンゼンスルホニル)−α
−ジメチルグリオキシム、ビス−o−(p−フルオロベ
ンゼンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス
−o−(p−tert−ブチルベンゼンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−(キシレンスル
ホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−(カ
ンファースルホニル)−α−ジメチルグリオキシム等の
グリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン、
ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチル
スルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビス
プロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニ
ルメタン、ビス−p−トルエンスルホニルメタン、ビス
ベンゼンスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、2
−シクロヘキシルカルボニル−2−(p−トルエンスル
ホニル)プロパン、2−イソプロピルカルボニル−2−
(p−トルエンスルホニル)プロパン等のβ−ケトスル
ホン誘導体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシル
ジスルホン等のジスルホン誘導体、p−トルエンスルホ
ン酸2,6−ジニトロベンジル、p−トルエンスルホン
酸2,4−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホ
ネート誘導体、1,2,3−トリス(メタンスルホニル
オキシ)ベンゼン、1,2,3−トリス(トリフルオロ
メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3−トリ
ス(p−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼン等のスル
ホン酸エステル誘導体、N−ヒドロキシスクシンイミド
メチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミドトリフルオロメチルスルホン酸エステル、N−ヒド
ロキシスクシンイミドエチルスルホン酸エステル、N−
ヒドロキシスクシンイミドプロピルスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシスクシンイミドイソプロピルスルホ
ン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドペンチル
スルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドオ
クチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミド−p−トルエンスルホン酸エステル、N−ヒドロキ
シスクシンイミド−p−アニシルスルホン酸エステル、
N−ヒドロキシスクシンイミド−2−クロロエチルスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドベンゼ
ンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド
−2,4,6−トリメチルフェニルスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシスクシンイミドナフチルスルホン酸
エステル、N−ヒドロキシ−2−フェニルスクシンイミ
ドメチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシマレイミ
ドメチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシマレイミ
ドエチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ−2−フ
ェニルマレイミドメチルスルホン酸エステル、N−ヒド
ロキシグルタルイミドメチルスルホン酸エステル、N−
ヒドロキシグルタルイミドフェニルスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシフタルイミドメチルスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシフタルイミドフェニルスルホン酸
エステル、N−ヒドロキシフタルイミドトリフルオロメ
タンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシフタルイミド
−p−トルエンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ−
1,8−ナフタルイミドメチルスルホン酸エステル、N
−ヒドロキシ−1,8−ナフタルイミドフェニルスルホ
ン酸エステル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−
2,3−ジカルボキシイミドメチルスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカ
ルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカ
ルボキシイミド−p−トルエンスルホン酸エステル等の
N−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導
体等が挙げられるが、トリフルオロメタンスルホン酸ト
リフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン
酸(p−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスル
ホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス(p−
tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、p−トル
エンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p−トルエ
ンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)ジフ
ェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸トリス
(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチ
ル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸(2−ノルボニル)メチル(2
−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、1,2’−ナ
フチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフレート等のオニウム塩、ビス(ベンゼンスルホニ
ル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジ
アゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾ
メタン、ビス(n−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(イソブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(s
ec−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−プ
ロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソプロピル
スルホニル)ジアゾメタン、ビス(tert−ブチルス
ルホニル)ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス
−o−(p−トルエンスルホニル)−α−ジメチルグリ
オキシム、ビス−o−(n−ブタンスルホニル)−α−
ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナ
フチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、N−
ヒドロキシスクシンイミドメチルスルホン酸エステル、
N−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメチルスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドプロピ
ルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド
イソプロピルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスク
シンイミドペンチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキ
シスクシンイミド−p−トルエンスルホン酸エステル、
N−ヒドロキシ−1,8−ナフタルイミドメチルスルホ
ン酸エステル、N−ヒドロキシ−1,8−ナフタルイミ
ドフェニルスルホン酸エステル等のN−ヒドロキシイミ
ド化合物のスルホン酸エステル誘導体が好ましく用いら
れる。なお、上記酸発生剤は1種を単独で又は2種以上
を組み合わせて用いることができる。オニウム塩は矩形
性向上効果に優れ、ジアゾメタン誘導体及びグリオキシ
ム誘導体は定在波低減効果に優れるが、両者を組み合わ
せることにより、プロファイルの微調整を行うことが可
能である。
Specifically, for example, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, (p-tert-butoxyphenyl) phenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium p-toluenesulfonate, p-toluenesulfonic acid (p-tert-
Butoxyphenyl) phenyliodonium, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfonate (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, bis (p-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfonate tris (P-tert-butoxyphenyl) sulfonium,
Triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, p
-Toluenesulfonic acid (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, p-toluenesulfonic acid bis (p-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium, p-toluenesulfonic acid tris (p-ter)
t-butoxyphenyl) sulfonium, triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate, triphenylsulfonium butanesulfonate, trimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trimethylsulfonium p-toluenesulfonate, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) Sulfonium, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dimethylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethylphenylsulfonium p-toluenesulfonate, dicyclohexylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexylphenylsulfonium p-toluenesulfonate , Trifluoromethanesulfone Trinaphthylsulfonium, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, (2-norbornyl) methyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, ethylenebis [methyl (2-oxocyclopentyl) sulfonium trifluoromethanesulfone Nato], onium salts such as 1,2′-naphthylcarbonylmethyltetrahydrothiophenium triflate, bis (benzenesulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (xylenesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) Diazomethane, bis (cyclopentylsulfonyl) diazomethane, bis (n-butylsulfonyl) diazomethane, bis (isobutyl) Ruhoniru)
Diazomethane, bis (sec-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-amylsulfonyl) diazomethane, bis (isoamylsulfonyl) Diazomethane, bis (sec-amylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-amylsulfonyl) diazomethane, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (tert-butylsulfonyl) diazomethane, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (tert-
Diazomethane derivatives such as amylsulfonyl) diazomethane, 1-tert-amylsulfonyl-1- (tert-butylsulfonyl) diazomethane, bis-o- (p-
Toluenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (p-toluenesulfonyl) -α-diphenylglyoxime, bis-o- (p-toluenesulfonyl)
-Α-dicyclohexylglyoxime, bis-o- (p
-Toluenesulfonyl) -2,3-pentanedione glyoxime, bis-o- (p-toluenesulfonyl) -2
-Methyl-3,4-pentanedione glyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl) -α-diphenylglyoxime, bis-o- (N-butanesulfonyl) -α-dicyclohexylglyoxime, bis-o
-(N-butanesulfonyl) -2,3-pentanedione glyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl)-
2-Methyl-3,4-pentanedione glyoxime, bis-o- (methanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (trifluoromethanesulfonyl)-
α-dimethylglyoxime, bis-o- (1,1,1-
Trifluoroethanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (tert-butanesulfonyl)-
α-dimethylglyoxime, bis-o- (perfluorooctanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (cyclohexanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (benzenesulfonyl) -α
-Dimethylglyoxime, bis-o- (p-fluorobenzenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (p-tert-butylbenzenesulfonyl)-
glyoxime derivatives such as α-dimethylglyoxime, bis-o- (xylenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (camphorsulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bisnaphthylsulfonylmethane,
Bissulfone derivatives such as bistrifluoromethylsulfonylmethane, bismethylsulfonylmethane, bisethylsulfonylmethane, bispropylsulfonylmethane, bisisopropylsulfonylmethane, bis-p-toluenesulfonylmethane and bisbenzenesulfonylmethane, 2
-Cyclohexylcarbonyl-2- (p-toluenesulfonyl) propane, 2-isopropylcarbonyl-2-
Β-ketosulfone derivative such as (p-toluenesulfonyl) propane, disulfone derivative such as diphenyldisulfone and dicyclohexyldisulfone, 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate, nitro such as 2,4-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate Benzyl sulfonate derivatives, 1,2,3-tris (methanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (trifluoromethanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (p-toluenesulfonyloxy) benzene, etc. Sulfonate derivative, N-hydroxysuccinimide methyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide trifluoromethyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide ethyl sulfonate, N-
Hydroxysuccinimide propyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide isopropyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide pentyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide octyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide-p-toluene sulfonate, N-hydroxysuccinimide -P-anisyl sulfonate,
N-hydroxysuccinimide-2-chloroethyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide benzene sulfonate, N-hydroxysuccinimide-2,4,6-trimethylphenyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide naphthyl sulfonate, N- Hydroxy-2-phenylsuccinimide methylsulfonic acid ester, N-hydroxymaleimidomethylsulfonic acid ester, N-hydroxymaleimidoethylsulfonic acid ester, N-hydroxy-2-phenylmaleimidomethylsulfonic acid ester, N-hydroxyglutarimidemethylsulfonic acid ester Ester, N-
Hydroxyglutarimide phenyl sulfonate, N-hydroxyphthalimide methyl sulfonate, N-hydroxyphthalimide phenyl sulfonate, N-hydroxyphthalimide trifluoromethane sulfonate, N-hydroxyphthalimide-p-toluene sulfonate, N- Hydroxy-
1,8-naphthalimidomethyl sulfonate, N
-Hydroxy-1,8-naphthalimidophenyl sulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene-
2,3-dicarboximidomethyl sulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide trifluoromethane sulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide-p Examples thereof include sulfonic acid ester derivatives of N-hydroxyimide compounds such as toluenesulfonic acid ester, trifluoromethanesulfonic acid triphenylsulfonium, trifluoromethanesulfonic acid (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, trifluoromethanesulfonic acid. Tris (p-
tert-butoxyphenyl) sulfonium, p-toluenesulfonate triphenylsulfonium, p-toluenesulfonate (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, p-toluenesulfonate tris (p-tert-butoxyphenyl) sulfonium, trifluoromethane Trinaphthylsulfonium sulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, (2-norbornyl) methyl (2) trifluoromethanesulfonate
-Oxocyclohexyl) sulfonium, 1,2'-naphthylcarbonylmethyltetrahydrothiophenium triflate and other onium salts, bis (benzenesulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis ( n-butylsulfonyl) diazomethane,
Bis (isobutylsulfonyl) diazomethane, bis (s
ec-Butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane and other diazomethane derivatives, bis-o- (p-toluenesulfonyl) -α-dimethyl Glyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl) -α-
Glyoxime derivatives such as dimethylglyoxime, bissulfone derivatives such as bisnaphthylsulfonylmethane, N-
Hydroxysuccinimide methyl sulfonate,
N-hydroxysuccinimide trifluoromethyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide propyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide isopropyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide pentyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide p-toluene sulfonate,
Sulfonic acid ester derivatives of N-hydroxyimide compounds such as N-hydroxy-1,8-naphthalimidomethylsulfonic acid ester and N-hydroxy-1,8-naphthalimidophenylsulfonic acid ester are preferably used. In addition, the said acid generator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The onium salt is excellent in the rectangularity improving effect, and the diazomethane derivative and the glyoxime derivative are excellent in the standing wave reducing effect, but by combining the two, fine adjustment of the profile can be performed.

【0162】酸発生剤の添加量は、ベース樹脂100部
に対して好ましくは0.1〜15部、より好ましくは
0.5〜8部である。0.1部より少ないと感度が悪い
場合があり、15部より多いとアルカリ溶解速度が低下
することによってレジスト材料の解像性が低下する場合
があり、またモノマー成分が過剰となるために耐熱性が
低下する場合がある。
The amount of the acid generator added is preferably 0.1 to 15 parts, more preferably 0.5 to 8 parts, relative to 100 parts of the base resin. If it is less than 0.1 part, the sensitivity may be poor, and if it is more than 15 parts, the resolution of the resist material may be deteriorated due to the decrease of the alkali dissolution rate, and the monomer component becomes excessive, resulting in heat resistance. There is a case where the sex is deteriorated.

【0163】本発明のレジスト材料には、更に(D)成
分として溶解制御剤を添加することができる。溶解制御
剤としては、平均分子量が100〜1,000、好まし
くは150〜800で、かつ分子内にフェノール性水酸
基を2つ以上有する化合物の該フェノール性水酸基の水
素原子を酸不安定基により全体として平均0〜100モ
ル%の割合で又は分子内にカルボキシル基を有する化合
物の該カルボキシル基の水素原子を酸不安定基により全
体として平均80〜100モル%の割合で置換した化合
物を配合する。
The resist composition of the present invention may further contain a dissolution control agent as the component (D). The dissolution control agent has an average molecular weight of 100 to 1,000, preferably 150 to 800, and the hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group of a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule is entirely converted to an acid labile group. As the compound, a compound in which the hydrogen atom of the carboxyl group of the compound having a carboxyl group in the molecule is substituted with an acid labile group in the average of 80 to 100 mol% on the whole is blended.

【0164】なお、フェノール性水酸基又はカルボキシ
ル基の水素原子の酸不安定基による置換率は、平均でフ
ェノール性水酸基又はカルボキシル基全体の0モル%以
上、好ましくは30モル%以上であり、また、その上限
は100モル%、より好ましくは80モル%である。
The substitution ratio of the hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group or the carboxyl group with the acid labile group is 0 mol% or more, preferably 30 mol% or more of the whole phenolic hydroxyl group or the carboxyl group, and The upper limit is 100 mol%, more preferably 80 mol%.

【0165】この場合、かかるフェノール性水酸基を2
つ以上有する化合物又はカルボキシル基を有する化合物
としては、下記式(i)〜(xiv)で示されるものが
好ましい。
In this case, the phenolic hydroxyl group is 2
As the compound having three or more or the compound having a carboxyl group, those represented by the following formulas (i) to (xiv) are preferable.

【0166】[0166]

【化66】 [Chemical formula 66]

【0167】[0167]

【化67】 [Chemical formula 67]

【0168】[0168]

【化68】 [Chemical 68]

【0169】[0169]

【化69】 (但し、式中R15、R16はそれぞれ水素原子又は炭素数
1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル
基であり、R17は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又
は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、あるいは−
(R21h−COOHであり、R18は−(CH2i
(i=2〜10)、炭素数6〜10のアリーレン基、カ
ルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子、R
19は炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数6〜10の
アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子
又は硫黄原子、R20は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞれ水
酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基であり、R
21は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン
基、R22は水素原子又は水酸基である。また、jは0〜
5の整数であり、u、hは0又は1である。s、t、
s’、t’、s’’、t’’はそれぞれs+t=8、
s’+t’=5、s’’+t’’=4を満足し、かつ各
フェニル骨格中に少なくとも1つの水酸基を有するよう
な数である。αは式(viii)、(ix)の化合物の
分子量を100〜1,000とする数である。)
[Chemical 69] (However, in the formula, R 15 and R 16 are each a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 17 is a hydrogen atom or a linear chain having 1 to 8 carbon atoms. Linear or branched alkyl group or alkenyl group, or-
(R 21) is h -COOH, R 18 is - (CH 2) i -
(I = 2 to 10), C6 to C10 arylene group, carbonyl group, sulfonyl group, oxygen atom or sulfur atom, R
19 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, a carbonyl group, a sulfonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom, and R 20 is a hydrogen atom or a straight chain or branched chain having 1 to 8 carbon atoms. An alkyl group, an alkenyl group, a phenyl group or a naphthyl group each substituted with a hydroxyl group,
21 is a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and R 22 is a hydrogen atom or a hydroxyl group. Also, j is 0
It is an integer of 5 and u and h are 0 or 1. s, t,
s ', t', s ", and t" are s + t = 8,
It is a number that satisfies s ′ + t ′ = 5 and s ″ + t ″ = 4 and has at least one hydroxyl group in each phenyl skeleton. α is a number in which the molecular weights of the compounds of the formulas (viii) and (ix) are 100 to 1,000. )

【0170】上記式中R15、R16としては、例えば水素
原子、メチル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、エ
チニル基、シクロヘキシル基、R17としては、例えばR
15、R16と同様なもの、あるいは−COOH、−CH2
COOH、R18としては、例えばエチレン基、フェニレ
ン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子、硫黄原
子等、R19としては、例えばメチレン基、あるいはR18
と同様なもの、R20としては例えば水素原子、メチル
基、エチル基、ブチル基、プロピル基、エチニル基、シ
クロヘキシル基、それぞれ水酸基で置換されたフェニル
基、ナフチル基等が挙げられる。
In the above formula, R 15 and R 16 are, for example, hydrogen atom, methyl group, ethyl group, butyl group, propyl group, ethynyl group, cyclohexyl group, and R 17 are, for example, R
15 , the same as R 16 , or --COOH, --CH 2
COOH and R 18 are, for example, ethylene group, phenylene group, carbonyl group, sulfonyl group, oxygen atom, sulfur atom and the like, and R 19 is, for example, methylene group or R 18
Examples of R 20 similar to those described above include a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a butyl group, a propyl group, an ethynyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group substituted with a hydroxyl group, a naphthyl group and the like.

【0171】ここで、溶解制御剤の酸不安定基として
は、上記一般式(4)で示される基、上記一般式(5)
で示される基、炭素数4〜20の3級アルキル基、各ア
ルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリル基、炭
素数4〜20のオキソアルキル基等が挙げられる。
Here, as the acid labile group of the dissolution control agent, the group represented by the above general formula (4) and the above general formula (5)
And a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms, and the like.

【0172】上記溶解制御剤の配合量は、ベース樹脂1
00部に対し、0〜50部、好ましくは5〜50部、よ
り好ましくは10〜30部であり、単独又は2種以上を
混合して使用できる。配合量が5部に満たないと解像性
の向上がない場合があり、50部を超えるとパターンの
膜減りが生じ、解像度が低下する場合がある。
The amount of the above-mentioned dissolution control agent to be added is based on the base resin 1
It is 0 to 50 parts, preferably 5 to 50 parts, and more preferably 10 to 30 parts relative to 00 parts, and they can be used alone or in combination of two or more kinds. If the content is less than 5 parts, the resolution may not be improved, and if it exceeds 50 parts, the pattern film may be reduced and the resolution may be deteriorated.

【0173】なお、上記のような溶解制御剤はフェノー
ル性水酸基又はカルボキシル基を有する化合物にベース
樹脂と同様に酸不安定基を化学反応させることにより合
成することができる。
The dissolution control agent as described above can be synthesized by chemically reacting a compound having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group with an acid labile group as in the base resin.

【0174】本発明のレジスト材料は、上記溶解制御剤
の代わりに又はこれに加えて別の溶解制御剤として重量
平均分子量が1,000未満で、かつ分子内にカルボキ
シル基を有する化合物の該カルボキシル基の水素原子を
酸不安定基により全体として平均0%以上100%以下
の割合で部分置換した化合物を配合することができる。
The resist material of the present invention may be used as another dissolution control agent instead of or in addition to the above-mentioned dissolution control agent, which has a weight average molecular weight of less than 1,000 and has a carboxyl group in the molecule. A compound in which the hydrogen atom of the group is partially substituted with an acid labile group at a rate of 0% to 100% on average as a whole can be blended.

【0175】この場合、かかる酸不安定基でカルボキシ
ル基の水素原子が部分置換された化合物としては、下記
一般式(11)で示される繰り返し単位を有し、重量平
均分子量が1,000未満である化合物から選ばれる1
種又は2種以上の化合物が好ましい。
In this case, the compound in which the hydrogen atom of the carboxyl group is partially substituted with such an acid labile group has a repeating unit represented by the following general formula (11) and has a weight average molecular weight of less than 1,000. 1 selected from certain compounds
One or more compounds are preferred.

【0176】[0176]

【化70】 (式中、R1、R2、Z、n、m、x、p2、qは上記と
同様であるが、p11は0≦p1/(p1+p2+q)
≦1の範囲の0又は正数である。)
[Chemical 70] (In the formula, R 1 , R 2 , Z, n, m, x, p2, and q are the same as above, but p11 is 0 ≦ p1 / (p1 + p2 + q).
0 or a positive number in the range of ≤1. )

【0177】ここで、上記溶解制御剤の酸不安定基とし
ては、上記一般式(4)で示される基、上記一般式
(5)で示される基、炭素数4〜20の3級アルキル
基、各アルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリ
ル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基等が挙げられ
る。
Here, the acid labile group of the dissolution control agent is a group represented by the general formula (4), a group represented by the general formula (5), or a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms. Examples of the alkyl group include a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms.

【0178】上記別の溶解制御剤の配合量は、上記溶解
制御剤と合計した溶解制御剤全体としてベース樹脂10
0部に対し0〜50部、特に0〜30部、好ましくは0
〜5部となるような範囲であることが好ましい。
The amount of the other dissolution control agent to be added is such that the total amount of the dissolution control agent added to the above-mentioned dissolution control agent is the base resin 10.
0 to 50 parts, especially 0 to 30 parts, preferably 0 to 0 parts
It is preferably in the range of about 5 parts.

【0179】なお、上記のような別の溶解制御剤は、カ
ルボキシル基を有する化合物にベース樹脂と同様に酸不
安定基を化学反応させることにより合成することができ
る。
The above-mentioned another dissolution controlling agent can be synthesized by chemically reacting a compound having a carboxyl group with an acid labile group as in the base resin.

【0180】また、溶解制御剤(D)は酸素プラズマエ
ッチング耐性を損わないために、シリコーン化合物が好
ましく使用できる。シリコーン化合物の溶解制御剤とし
ては、下記一般式(12)〜(14)で示されるシリコ
ーン化合物のカルボキシル基又はヒドロキシル基をte
rt−ブチル基又はtert−ブトキシカルボニルメチ
ル基で保護したものを使用することが好ましい。
Further, since the dissolution control agent (D) does not impair oxygen plasma etching resistance, a silicone compound can be preferably used. As the dissolution control agent for the silicone compound, the carboxyl group or the hydroxyl group of the silicone compound represented by the following general formulas (12) to (14) can be used as te.
It is preferable to use those protected with an rt-butyl group or a tert-butoxycarbonylmethyl group.

【0181】[0181]

【化71】 (式中、R10はメチル基又はフェニル基を示し、R11
カルボキシエチル基又はp−ヒドロキシフェニルアルキ
ル基(但し、アルキル基は炭素数1〜8の直鎖状、分岐
状又は環状のアルキル基)を示す。Xはトリメチルシリ
ル基、トリフェニルシリル基又は−SiR10
11(R10、R11は上記と同様の意味を示す)基を示す。
γは0〜50の整数、δは1〜50の整数、εは3〜1
0の整数を示す。)
[Chemical 71] (In the formula, R 10 represents a methyl group or a phenyl group, R 11 represents a carboxyethyl group or a p-hydroxyphenylalkyl group (wherein the alkyl group is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms). X is a trimethylsilyl group, a triphenylsilyl group or -SiR 10 R
11 (R 10 and R 11 have the same meanings as described above).
γ is an integer of 0 to 50, δ is an integer of 1 to 50, and ε is 3-1.
Indicates an integer of 0. )

【0182】ここで、上記式(12)〜(14)のシリ
コーン化合物のカルボキシル基又はヒドロキシル基をア
ルカリ可溶性基(tert−ブチル基又はtert−ブ
トキシカルボニルメチル基)で保護したシリコーン化合
物としては、それぞれ下記A〜C群の化合物が例示され
る。なお、Meはメチル基、t−Buはtert−ブチ
ル基を示す。
The silicone compounds obtained by protecting the carboxyl group or hydroxyl group of the silicone compounds of the above formulas (12) to (14) with an alkali-soluble group (tert-butyl group or tert-butoxycarbonylmethyl group) are as follows: The compounds of the following A to C groups are exemplified. In addition, Me represents a methyl group and t-Bu represents a tert-butyl group.

【0183】[0183]

【化72】 [Chemical 72]

【0184】[0184]

【化73】 [Chemical formula 73]

【0185】[0185]

【化74】 [Chemical 74]

【0186】溶解制御剤の含量は、ベ−ス樹脂全体の4
0重量%以下がよく、特に10〜30重量%とすること
が好ましい。40重量%より多くては、レジスト膜の酸
素プラズマエッチング耐性が著しく低下するため、2層
レジストとして使用できなくなるおそれがある。
The content of the dissolution control agent was 4 based on the total amount of the base resin.
It is preferably 0% by weight or less, and particularly preferably 10 to 30% by weight. If it is more than 40% by weight, the oxygen plasma etching resistance of the resist film is remarkably lowered, and there is a possibility that it cannot be used as a two-layer resist.

【0187】更に、本発明のレジスト材料には、(E)
成分として塩基性化合物を配合することができる。
Further, the resist material of the present invention comprises (E)
A basic compound can be added as a component.

【0188】この(E)添加剤として配合される塩基性
化合物は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡
散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適
しており、このような塩基性化合物の配合により、レジ
スト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上
し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性
を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向
上することができる。
The basic compound to be added as the (E) additive is preferably a compound capable of suppressing the diffusion rate when the acid generated from the acid generator diffuses into the resist film. With the addition of a basic compound, the acid diffusion rate in the resist film is suppressed to improve the resolution, the sensitivity change after exposure is suppressed, and the dependency on the substrate and the environment is reduced, and the exposure margin and pattern are reduced. The profile etc. can be improved.

【0189】このような塩基性化合物としては、第1
級、第2級、第3級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニ
ル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合
物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
Examples of such a basic compound include the first
Grade, secondary, tertiary aliphatic amines, mixed amines,
Aromatic amines, heterocyclic amines, nitrogen-containing compounds having a carboxy group, nitrogen-containing compounds having a sulfonyl group,
Examples thereof include nitrogen-containing compounds having a hydroxy group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyphenyl group, alcoholic nitrogen-containing compounds, amide derivatives and imide derivatives.

【0190】具体的には、第1級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n−プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミ
ン、イソブチルアミン、sec−ブチルアミン、ter
t−ブチルアミン、ペンチルアミン、tert−アミル
アミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、
ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチル
アミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラ
エチレンペンタミン等が例示され、第2級の脂肪族アミ
ン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−n
−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブ
チルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−sec−ブチル
アミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、
ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチ
ルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシ
ルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N
−ジメチルメチレンジアミン、N,N−ジメチルエチレ
ンジアミン、N,N−ジメチルテトラエチレンペンタミ
ン等が例示され、第3級の脂肪族アミン類として、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピル
アミン、トリイソプロピルアミン、トリ−n−ブチルア
ミン、トリイソブチルアミン、トリ−sec−ブチルア
ミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、
トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニル
アミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリ
セチルアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルメチ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルテト
ラエチレンペンタミン等が例示される。
Specifically, as the primary aliphatic amines, ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, ter.
t-butylamine, pentylamine, tert-amylamine, cyclopentylamine, hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine,
Nonylamine, decylamine, dodecylamine, cetylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetraethylenepentamine, etc. are exemplified, and secondary aliphatic amines include dimethylamine, diethylamine, di-n.
-Propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, dipentylamine, dicyclopentylamine,
Dihexylamine, dicyclohexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, didodecylamine, dicetylamine, N, N
-Dimethylmethylenediamine, N, N-dimethylethylenediamine, N, N-dimethyltetraethylenepentamine, etc. are exemplified, and as tertiary aliphatic amines, trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, triisopropylamine. , Tri-n-butylamine, triisobutylamine, tri-sec-butylamine, tripentylamine, tricyclopentylamine, trihexylamine, tricyclohexylamine,
Triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, tridodecylamine, tricetylamine, N, N, N ', N'-tetramethylmethylenediamine, N, N, N', N'-tetra Examples include methylethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethyltetraethylenepentamine, and the like.

【0191】また、混成アミン類としては、例えばジメ
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類
の具体例としては、アニリン誘導体(例えばアニリン、
N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N−プロピ
ルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチルア
ニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリン、エ
チルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリ
ン、2−ニトロアニリン、3−ニトロアニリン、4−ニ
トロアニリン、2,4−ジニトロアニリン、2,6−ジ
ニトロアニリン、3,5−ジニトロアニリン、N,N−
ジメチルトルイジン等)、ジフェニル(p−トリル)ア
ミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、
フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタ
レン、ピロール誘導体(例えばピロール、2H−ピロー
ル、1−メチルピロール、2,4−ジメチルピロール、
2,5−ジメチルピロール、N−メチルピロール等)、
オキサゾール誘導体(例えばオキサゾール、イソオキサ
ゾール等)、チアゾール誘導体(例えばチアゾール、イ
ソチアゾール等)、イミダゾール誘導体(例えばイミダ
ゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フ
ェニルイミダゾール等)、ピラゾール誘導体、フラザン
誘導体、ピロリン誘導体(例えばピロリン、2−メチル
−1−ピロリン等)、ピロリジン誘導体(例えばピロリ
ジン、N−メチルピロリジン、ピロリジノン、N−メチ
ルピロリドン等)、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジ
ン誘導体、ピリジン誘導体(例えばピリジン、メチルピ
リジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピ
リジン、4−(1−ブチルペンチル)ピリジン、ジメチ
ルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジ
ン、フェニルピリジン、3−メチル−2−フェニルピリ
ジン、4−tert−ブチルピリジン、ジフェニルピリ
ジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシ
ピリジン、ジメトキシピリジン、1−メチル−2−ピリ
ドン、4−ピロリジノピリジン、1−メチル−4−フェ
ニルピリジン、2−(1−エチルプロピル)ピリジン、
アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等)、ピリダ
ジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導
体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール
誘導体、イソインドール誘導体、1H−インダゾール誘
導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体(例えばキノ
リン、3−キノリンカルボニトリル等)、イソキノリン
誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテ
リジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,1
0−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノ
シン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラ
シル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
Examples of the mixed amines include dimethylethylamine, methylethylpropylamine, benzylamine, phenethylamine and benzyldimethylamine. Specific examples of aromatic amines and heterocyclic amines include aniline derivatives (eg, aniline,
N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, ethylaniline, propylaniline, trimethylaniline, 2-nitroaniline , 3-nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5-dinitroaniline, N, N-
Dimethyltoluidine), diphenyl (p-tolyl) amine, methyldiphenylamine, triphenylamine,
Phenylenediamine, naphthylamine, diaminonaphthalene, pyrrole derivatives (eg pyrrole, 2H-pyrrole, 1-methylpyrrole, 2,4-dimethylpyrrole,
2,5-dimethylpyrrole, N-methylpyrrole, etc.),
Oxazole derivatives (such as oxazole and isoxazole), thiazole derivatives (such as thiazole and isothiazole), imidazole derivatives (such as imidazole, 4-methylimidazole and 4-methyl-2-phenylimidazole), pyrazole derivatives, furazan derivatives, Pyrroline derivative (for example, pyrroline, 2-methyl-1-pyrroline, etc.), Pyrrolidine derivative (for example, pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidinone, N-methylpyrrolidone, etc.), imidazoline derivative, imidazolidine derivative, pyridine derivative (for example, pyridine, methyl) Pyridine, ethyl pyridine, propyl pyridine, butyl pyridine, 4- (1-butylpentyl) pyridine, dimethyl pyridine, trimethyl pyridine, triethyl pyridine, phenyl pyridi , 3-methyl-2-phenylpyridine, 4-tert-butylpyridine, diphenylpyridine, benzylpyridine, methoxypyridine, butoxypyridine, dimethoxypyridine, 1-methyl-2-pyridone, 4-pyrrolidinopyridine, 1-methyl- 4-phenylpyridine, 2- (1-ethylpropyl) pyridine,
Aminopyridine, dimethylaminopyridine, etc.), pyridazine derivative, pyrimidine derivative, pyrazine derivative, pyrazoline derivative, pyrazolidine derivative, piperidine derivative, piperazine derivative, morpholine derivative, indole derivative, isoindole derivative, 1H-indazole derivative, indoline derivative, quinoline derivative (Eg, quinoline, 3-quinolinecarbonitrile, etc.), isoquinoline derivative, cinnoline derivative, quinazoline derivative, quinoxaline derivative, phthalazine derivative, purine derivative, pteridine derivative, carbazole derivative, phenanthridine derivative, acridine derivative, phenazine derivative, 1,1
Examples thereof include 0-phenanthroline derivative, adenine derivative, adenosine derivative, guanine derivative, guanosine derivative, uracil derivative and uridine derivative.

【0192】更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体(例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、3−アミノピラジン−2−カルボン酸、メトキシア
ラニン)等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化
合物として3−ピリジンスルホン酸、p−トルエンスル
ホン酸ピリジニウム等が例示され、ヒドロキシ基を有す
る含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素
化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2−ヒド
ロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4−キノリン
ジオール、3−インドールメタノールヒドレート、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジ
エチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミ
ン、2,2’−イミノジエタノール、2−アミノエタノ
−ル、3−アミノ−1−プロパノール、4−アミノ−1
−ブタノール、4−(2−ヒドロキシエチル)モルホリ
ン、2−(2−ヒドロキシエチル)ピリジン、1−(2
−ヒドロキシエチル)ピペラジン、1−[2−(2−ヒ
ドロキシエトキシ)エチル]ピペラジン、ピペリジンエ
タノール、1−(2−ヒドロキシエチル)ピロリジン、
1−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジノン、3
−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、3−ピロリ
ジノ−1,2−プロパンジオール、8−ヒドロキシユロ
リジン、3−クイヌクリジノール、3−トロパノール、
1−メチル−2−ピロリジンエタノール、1−アジリジ
ンエタノール、N−(2−ヒドロキシエチル)フタルイ
ミド、N−(2−ヒドロキシエチル)イソニコチンアミ
ド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミ
ド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズ
アミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタル
イミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
Further, examples of the nitrogen-containing compound having a carboxy group include aminobenzoic acid, indolecarboxylic acid, amino acid derivatives (eg, nicotinic acid, alanine, arginine, aspartic acid, glutamic acid, glycine,
Histidine, isoleucine, glycylleucine, leucine, methionine, phenylalanine, threonine, lysine, 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid, methoxyalanine) and the like, and 3-pyridinesulfonic acid as a nitrogen-containing compound having a sulfonyl group, Pyridinium p-toluenesulfonate and the like are exemplified, and examples of the nitrogen-containing compound having a hydroxy group, the nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, and the alcoholic nitrogen-containing compound include 2-hydroxypyridine, aminocresol, and 2,4-quinolinediol. , 3-indole methanol hydrate, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-diethylethanolamine, triisopropanolamine, 2,2'-imino Diethanol, 2-aminoethanol, 3-amino-1-propanol, 4-amino-1
-Butanol, 4- (2-hydroxyethyl) morpholine, 2- (2-hydroxyethyl) pyridine, 1- (2
-Hydroxyethyl) piperazine, 1- [2- (2-hydroxyethoxy) ethyl] piperazine, piperidine ethanol, 1- (2-hydroxyethyl) pyrrolidine,
1- (2-hydroxyethyl) -2-pyrrolidinone, 3
-Piperidino-1,2-propanediol, 3-pyrrolidino-1,2-propanediol, 8-hydroxyjulolidine, 3-cuinclidinol, 3-tropanol,
1-Methyl-2-pyrrolidine ethanol, 1-aziridine ethanol, N- (2-hydroxyethyl) phthalimide, N- (2-hydroxyethyl) isonicotinamide and the like are exemplified. Examples of the amide derivative include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N,
Examples include N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide and the like. Examples of the imide derivative include phthalimide, succinimide, and maleimide.

【0193】更に、下記一般式(15)及び(16)で
示される塩基性化合物を配合することもできる。
Further, basic compounds represented by the following general formulas (15) and (16) can be blended.

【0194】[0194]

【化75】 (式中、R41、R42、R43、R47、R48はそれぞれ独立
して直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数1〜20のアル
キレン基、R44、R45、R46、R49、R50は水素原子、
炭素数1〜20のアルキル基又はアミノ基を示し、R44
とR45、R45とR 46、R44とR46、R44とR45とR46
49とR50はそれぞれ結合して環を形成してもよい。
S、T、Uはそれぞれ0〜20の整数を示す。但し、
S、T、U=0のとき、R44、R45、R46、R49、R50
は水素原子を含まない。)
[Chemical 75] (In the formula, R41, R42, R43, R47, R48Are independent
A linear, branched or cyclic C1-C20 al
Xylene group, R44, R45, R46, R49, R50Is a hydrogen atom,
Represents an alkyl group or an amino group having 1 to 20 carbon atoms, R44
And R45, R45And R 46, R44And R46, R44And R45And R46,
R49And R50May be bonded to each other to form a ring.
S, T, and U each represent an integer of 0 to 20. However,
When S, T, U = 0, R44, R45, R46, R49, R50
Does not include a hydrogen atom. )

【0195】ここで、R41、R42、R43、R47、R48
アルキレン基としては、炭素数1〜20、好ましくは1
〜10、更に好ましくは1〜8のものであり、具体的に
は、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソ
プロピレン基、n−ブチレン基、イソブチレン基、n−
ペンチレン基、イソペンチレン基、ヘキシレン基、ノニ
レン基、デシレン基、シクロペンチレン基、シクロへキ
シレン基等が挙げられる。
Here, the alkylene group of R 41 , R 42 , R 43 , R 47 and R 48 has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 carbon atom.
10 to 10, more preferably 1 to 8, specifically, methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, n-
Examples thereof include a pentylene group, an isopentylene group, a hexylene group, a nonylene group, a decylene group, a cyclopentylene group and a cyclohexylene group.

【0196】また、R44、R45、R46、R49、R50のア
ルキル基としては、炭素数1〜20、好ましくは1〜
8、更に好ましくは1〜6のものであり、これらは直鎖
状、分岐状、環状のいずれであってもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ノ
ニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
The alkyl group represented by R 44 , R 45 , R 46 , R 49 and R 50 has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
8 and more preferably 1 to 6, which may be linear, branched or cyclic. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, hexyl group, nonyl group, decyl group, dodecyl group. Group, tridecyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.

【0197】更に、R44とR45、R45とR46、R44とR
46、R44とR45とR46、R49とR50が環を形成する場
合、その環の炭素数は1〜20、より好ましくは1〜
8、更に好ましくは1〜6であり、またこれらの環は炭
素数1〜6、特に1〜4のアルキル基が分岐していても
よい。
Further, R 44 and R 45 , R 45 and R 46 , R 44 and R
When 46 , R 44 and R 45 and R 46 , and R 49 and R 50 form a ring, the number of carbon atoms in the ring is 1 to 20, and more preferably 1 to
8 and more preferably 1 to 6, and these rings may be branched with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly 1 to 4 carbon atoms.

【0198】S、T、Uはそれぞれ0〜20の整数であ
り、より好ましくは1〜10、更に好ましくは1〜8の
整数である。
S, T, and U are each an integer of 0 to 20, more preferably 1 to 10, and still more preferably an integer of 1 to 8.

【0199】上記(15)、(16)の化合物として具
体的には、トリス{2−(メトキシメトキシ)エチル}
アミン、トリス{2−(メトキシエトキシ)エチル}ア
ミン、トリス[2−{(2−メトキシエトキシ)メトキ
シ}エチル]アミン、トリス{2−(2−メトキシエト
キシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエ
トキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシ
エトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキ
シプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{(2−
ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、4,
7,13,16,21,24−ヘキサオキサ−1,10
−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,
7,13,18−テトラオキサ−1,10−ジアザビシ
クロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13−
テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオクタデカ
ン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ−15−
クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−6等が挙げ
られる。特に第3級アミン、アニリン誘導体、ピロリジ
ン誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、アミノ酸
誘導体、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキ
シフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒
素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、トリス{2−
(メトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{(2−
(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス[2
−{(2−メトキシエトキシ)メチル}エチル]アミ
ン、1−アザ−15−クラウン−5等が好ましい。
Specific examples of the compounds (15) and (16) include tris {2- (methoxymethoxy) ethyl}.
Amine, tris {2- (methoxyethoxy) ethyl} amine, tris [2-{(2-methoxyethoxy) methoxy} ethyl] amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- ( 1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2-{(2-
Hydroxyethoxy) ethoxy} ethyl] amine, 4,
7,13,16,21,24-hexaoxa-1,10
-Diazabicyclo [8.8.8] hexacosane, 4,
7,13,18-Tetraoxa-1,10-diazabicyclo [8.5.5] eicosane, 1,4,10,13-
Tetraoxa-7,16-diazabicyclooctadecane, 1-aza-12-crown-4,1-aza-15-
Crown-5, 1-aza-18-crown-6 and the like can be mentioned. Particularly, tertiary amine, aniline derivative, pyrrolidine derivative, pyridine derivative, quinoline derivative, amino acid derivative, nitrogen-containing compound having a hydroxy group, nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, alcoholic nitrogen-containing compound, amide derivative, imide derivative, Tris {2-
(Methoxymethoxy) ethyl} amine, tris {(2-
(2-Methoxyethoxy) ethyl} amine, tris [2
-{(2-methoxyethoxy) methyl} ethyl] amine, 1-aza-15-crown-5 and the like are preferable.

【0200】上記塩基性化合物の配合量は、酸発生剤1
部に対して0.001〜10部、好ましくは0.01〜
1部である。配合量が0.001部未満であると添加剤
としての効果が十分に得られない場合があり、10部を
超えると解像度や感度が低下する場合がある。
The amount of the above-mentioned basic compound to be added is such that the acid generator 1
0.001-10 parts, preferably 0.01-
It is one copy. If the blending amount is less than 0.001 part, the effect as an additive may not be sufficiently obtained, and if it exceeds 10 parts, the resolution and sensitivity may decrease.

【0201】更に、本発明のレジスト材料には、(F)
成分として分子内に≡C−COOHで示される基を有す
る化合物を配合することができる。
Further, the resist material of the present invention comprises (F)
As a component, a compound having a group represented by ≡C—COOH in the molecule can be blended.

【0202】この(F)成分として配合される分子内に
≡C−COOHで示される基を有する化合物は、例えば
下記I群及びII群から選ばれる1種又は2種以上の化
合物を使用することができるが、これらに限定されるも
のではない。(F)成分の配合により、レジストのPE
D安定性を向上させ、窒化膜基板上でのエッジラフネス
を改善することができる。
As the compound having a group represented by ≡C-COOH in the molecule to be blended as the component (F), for example, one or more compounds selected from the following Group I and Group II should be used. However, the present invention is not limited to these. By blending component (F), PE for resist
The D stability can be improved, and the edge roughness on the nitride film substrate can be improved.

【0203】[I群]下記一般式(17)〜(26)で
示される化合物のフェノール性水酸基の水素原子の一部
又は全部を−R51 −COOH(R51 は炭素数1〜10の
直鎖状又は分岐状のアルキレン基)により置換してな
り、かつ分子中のフェノール性水酸基(C)と≡C−C
OOHで示される基(D)とのモル比率がC/(C+
D)=0.1〜1.0である化合物。 [II群]下記一般式(27)〜(31)で示される化
合物。
[Group I] In the following general formulas (17) to (26),
Part of the hydrogen atoms of the phenolic hydroxyl group of the compound shown
Or all -R51 -COOH (R51 Has 1 to 10 carbon atoms
A straight or branched alkylene group)
And a phenolic hydroxyl group (C) in the molecule and ≡C-C
The molar ratio with the group (D) represented by OOH is C / (C +
D) = Compound of 0.1 to 1.0. [Group II] Compounds represented by the following general formulas (27) to (31)
Compound

【0204】[0204]

【化76】 [Chemical 76]

【0205】[0205]

【化77】 (但し、式中R1は水素原子又はメチル基であり、
52、R53はそれぞれ水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基であり、R
54は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のア
ルキル基又はアルケニル基、或いは−(R59h−CO
OR’基(R’は水素原子又は−R59−COOH)であ
り、R55は−(CH2i−(i=2〜10)、炭素数6
〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、
酸素原子又は硫黄原子、R56は炭素数1〜10のアルキ
レン基、炭素数6〜10のアリーレン基、カルボニル
基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子、R57は水素
原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル
基、アルケニル基、それぞれ水酸基で置換されたフェニ
ル基又はナフチル基であり、R58は水素原子又は炭素数
1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル
基又は−R59−COOH基である。R59は炭素数1〜1
0の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。jは0〜
5の整数であり、u、hは0又は1である。s1、t
1、s2、t2、s3、t3、s4、t4はそれぞれs
1+t1=8、s2+t2=5、s3+t3=4、s4
+t4=6を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくと
も1つの水酸基を有するような数である。κは式(2
3)の化合物を重量平均分子量1,000〜5,000
とする数、λは式(24)の化合物を重量平均分子量
1,000〜10,000とする数である。)
[Chemical 77] (However, in the formula, R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,
R 52 and R 53 are each a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms,
54 is a hydrogen atom or a linear or branched alkyl or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, or - (R 59) h -CO
OR 'group (R' is a hydrogen atom or -R 59 -COOH) is, R 55 is - (CH 2) i - ( i = 2~10), a carbon number 6
10 arylene group, carbonyl group, sulfonyl group,
An oxygen atom or a sulfur atom, R 56 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, a carbonyl group, a sulfonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom, and R 57 is a hydrogen atom or 1 to 8 carbon atoms. Is a linear or branched alkyl group, an alkenyl group, a phenyl group or a naphthyl group each substituted with a hydroxyl group, and R 58 is a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or an alkenyl group or -R 59 -COOH group. R 59 has 1 to 1 carbon atoms
0 is a linear or branched alkylene group. j is 0
It is an integer of 5 and u and h are 0 or 1. s1, t
1, s2, t2, s3, t3, s4, and t4 are s
1 + t1 = 8, s2 + t2 = 5, s3 + t3 = 4, s4
It is a number that satisfies + t4 = 6 and has at least one hydroxyl group in each phenyl skeleton. κ is the formula (2
The compound of 3) has a weight average molecular weight of 1,000 to 5,000.
And λ is the number that gives the compound of formula (24) a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000. )

【0206】[0206]

【化78】 (R52、R53、R59は上記と同様の意味を示す。s5、
t5は、s5≧0、t5≧0で、s5+t5=5を満足
する数である。また、R60は水素原子又は水酸基、h’
は0又は1である。)
[Chemical 78] (R 52 , R 53 and R 59 have the same meanings as described above. S5,
t5 is a number that satisfies s5 ≧ 0 and t5 ≧ 0 and satisfies s5 + t5 = 5. R 60 is a hydrogen atom or a hydroxyl group, h ′
Is 0 or 1. )

【0207】上記(F)成分として、具体的には下記一
般式VIII−1〜14及びIX−1〜10で示される
化合物を挙げることができるが、これらに限定されるも
のではない。
Specific examples of the component (F) include compounds represented by the following general formulas VIII-1 to 14 and IX-1 to 10, but not limited thereto.

【0208】[0208]

【化79】 [Chemical 79]

【0209】[0209]

【化80】 [Chemical 80]

【0210】[0210]

【化81】 (但し、R”は水素原子又はCH2COOH基を示し、
各化合物においてR”の10〜100モル%はCH2
OOH基である。α、κは上記と同様の意味を示す。)
[Chemical 81] (However, R "represents a hydrogen atom or a CH 2 COOH group,
In each compound, 10 to 100 mol% of R "is CH 2 C
It is an OOH group. α and κ have the same meanings as above. )

【0211】[0211]

【化82】 [Chemical formula 82]

【0212】[0212]

【化83】 [Chemical 83]

【0213】なお、上記分子内に≡C−COOHで示さ
れる基を有する化合物は、1種を単独で又は2種以上を
組み合わせて用いることができる。
The compounds having a group represented by ≡C-COOH in the molecule may be used alone or in combination of two or more.

【0214】上記分子内に≡C−COOHで示される基
を有する化合物の添加量は、ベース樹脂100部に対し
て0〜5部、好ましくは0.1〜5部、より好ましくは
0.1〜3部、更に好ましくは0.1〜2部である。5
部より多いとレジスト材料の解像性が低下する場合があ
る。
The addition amount of the compound having a group represented by ≡C-COOH in the molecule is 0 to 5 parts, preferably 0.1 to 5 parts, and more preferably 0.1 to 100 parts of the base resin. -3 parts, more preferably 0.1-2 parts. 5
If it is larger than the area, the resolution of the resist material may decrease.

【0215】更に、本発明のレジスト材料には、(G)
成分としてアセチレンアルコール誘導体を配合すること
ができ、これにより保存安定性を向上させることができ
る。
Further, the resist material of the present invention comprises (G)
An acetylene alcohol derivative can be added as a component, which can improve the storage stability.

【0216】アセチレンアルコール誘導体としては、下
記一般式(32)、(33)で示されるものを好適に使
用することができる。
As the acetylene alcohol derivative, those represented by the following general formulas (32) and (33) can be preferably used.

【0217】[0217]

【化84】 (式中、R71、R72、R73、R74、R75はそれぞれ水素
原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のア
ルキル基であり、X、Yは0又は正数を示し、下記値を
満足する。0≦X≦30、0≦Y≦30、0≦X+Y≦
40である。)
[Chemical 84] (In the formula, R 71 , R 72 , R 73 , R 74 , and R 75 are each a hydrogen atom or a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and X and Y are 0 or Indicates a positive number and satisfies the following values: 0 ≦ X ≦ 30, 0 ≦ Y ≦ 30, 0 ≦ X + Y ≦
40. )

【0218】アセチレンアルコール誘導体として好まし
くは、サーフィノール61、サーフィノール82、サー
フィノール104、サーフィノール104E、サーフィ
ノール104H、サーフィノール104A、サーフィノ
ールTG、サーフィノールPC、サーフィノール44
0、サーフィノール465、サーフィノール485(A
ir Products and Chemicals
Inc.製)、サーフィノールE1004(日信化学
工業(株)製)等が挙げられる。
The acetylene alcohol derivative is preferably Surfynol 61, Surfynol 82, Surfynol 104, Surfynol 104E, Surfynol 104H, Surfynol 104A, Surfynol TG, Surfynol PC, Surfynol 44.
0, Surfynol 465, Surfynol 485 (A
ir Products and Chemicals
Inc. Manufactured by Nisshin Chemical Industry Co., Ltd., and the like.

【0219】上記アセチレンアルコール誘導体の添加量
は、レジスト組成物100重量%中0.01〜2重量
%、より好ましくは0.02〜1重量%である。0.0
1重量%より少ないと塗布性及び保存安定性の改善効果
が十分に得られない場合があり、2重量%より多いとレ
ジスト材料の解像性が低下する場合がある。
The amount of the acetylene alcohol derivative added is 0.01 to 2% by weight, more preferably 0.02 to 1% by weight, based on 100% by weight of the resist composition. 0.0
If it is less than 1% by weight, the effect of improving the coating property and storage stability may not be sufficiently obtained, and if it is more than 2% by weight, the resolution of the resist material may deteriorate.

【0220】本発明のレジスト材料には、上記成分以外
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤を添加することができる。なお、任意成
分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量と
することができる。
In addition to the above components, the resist composition of the present invention may contain, as an optional component, a surfactant which is commonly used for improving the coating property. In addition, the addition amount of the optional component can be a normal amount as long as the effect of the present invention is not impaired.

【0221】ここで、界面活性剤としては非イオン性の
ものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチ
レンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフル
オロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキル
EO付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物など
が挙げられる。例えばフロラード「FC−430」、
「FC−431」(いずれも住友スリーエム(株)
製)、サーフロン「S−141」、「S−145」(い
ずれも旭硝子(株)製)、ユニダイン「DS−40
1」、「DS−403」、「DS−451」(いずれも
ダイキン工業(株)製)、メガファック「F−815
1」(大日本インキ工業(株)製)、「X−70−09
2」、「X−70−093」(いずれも信越化学工業
(株)製)等を挙げることができる。好ましくは、フロ
ラード「FC−430」(住友スリーエム(株)製)、
「X−70−093」(信越化学工業(株)製)が挙げ
られる。
Here, the surfactant is preferably a nonionic one, such as perfluoroalkyl polyoxyethylene ethanol, fluorinated alkyl ester, perfluoroalkylamine oxide, perfluoroalkyl EO adduct, fluorine-containing organosiloxane system. A compound etc. are mentioned. For example, Florard "FC-430",
"FC-431" (both are Sumitomo 3M Limited)
Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., Unidyne "DS-40", Surflon "S-141", "S-145"
1 "," DS-403 "," DS-451 "(all manufactured by Daikin Industries, Ltd.), Megafac" F-815 "
1 "(manufactured by Dainippon Ink Industry Co., Ltd.)," X-70-09 "
2 "," X-70-093 "(all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like. Preferably, Florard "FC-430" (manufactured by Sumitomo 3M Limited),
"X-70-093" (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is mentioned.

【0222】本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料を使
用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー
技術を採用して行うことができ、例えばシリコンウエハ
ー等の基板上にスピンコーティング等の手法で膜厚が
0.5〜2.0μmとなるように塗布し、これをホット
プレート上で60〜150℃、1〜10分間、好ましく
は80〜120℃、1〜5分間プリベークする。次いで
目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジス
ト膜上にかざし、波長300nm以下の遠紫外線、エキ
シマレーザー、X線等の高エネルギー線もしくは電子線
を露光量1〜200mJ/cm2程度、好ましくは10
〜100mJ/cm2程度となるように照射した後、ホ
ットプレート上で60〜150℃、1〜5分間、好まし
くは80〜120℃、1〜3分間ポストエクスポージャ
ベーク(PEB)する。更に、0.1〜5%、好ましく
は2〜3%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド(TMAH)等のアルカリ水溶液の現像液を用い、
0.1〜3分間、好ましくは0.5〜2分間、浸漬(d
ip)法、パドル(puddle)法、スプレー(sp
ray)法等の常法により現像することにより基板上に
目的のパターンが形成される。なお、本発明材料は、特
に高エネルギー線の中でも254〜193nmの遠紫外
線又はエキシマレーザー、X線及び電子線による微細パ
ターンニングに最適である。また、上記範囲を上限及び
下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることがで
きない場合がある。
A pattern can be formed by using the chemically amplified positive type resist material of the present invention by employing a known lithography technique, for example, spin coating on a substrate such as a silicon wafer. It is applied so that the film thickness is 0.5 to 2.0 μm, and this is prebaked on a hot plate at 60 to 150 ° C. for 1 to 10 minutes, preferably 80 to 120 ° C. for 1 to 5 minutes. Next, a mask for forming a desired pattern is held over the resist film, and a high-energy ray such as deep ultraviolet rays having a wavelength of 300 nm or less, an excimer laser, an X-ray, or an electron beam is exposed at an exposure amount of about 1 to 200 mJ / cm 2 , Preferably 10
After irradiating so as to be about 100 mJ / cm 2 , it is post-exposure baked (PEB) on a hot plate at 60 to 150 ° C. for 1 to 5 minutes, preferably 80 to 120 ° C. for 1 to 3 minutes. Further, using a developer of an alkali aqueous solution such as 0.1 to 5%, preferably 2 to 3% tetramethylammonium hydroxide (TMAH),
Immersion (d) for 0.1 to 3 minutes, preferably 0.5 to 2 minutes
ip method, paddle method, spray (sp)
The desired pattern is formed on the substrate by developing by a conventional method such as a ray) method. The material of the present invention is particularly suitable for fine patterning by deep ultraviolet rays having a wavelength of 254 to 193 nm or excimer laser, X-rays and electron beams among high energy rays. If the above range falls outside the upper and lower limits, the desired pattern may not be obtained.

【0223】また、本発明のレジスト材料は高分子シリ
コーン化合物をベース樹脂としたことにより、酸素プラ
ズマエッチング耐性に優れているので2層レジスト材料
としても有用である。
Since the resist material of the present invention has a high molecular silicone compound as a base resin and is excellent in oxygen plasma etching resistance, it is also useful as a two-layer resist material.

【0224】即ち、常法に従い、基板上に下層レジスト
として厚い有機ポリマー層を形成後、本発明のレジスト
溶液をその上にスピン塗布する。上層の本発明のレジス
ト層は上記と同様の方法でパターン形成を行った後、エ
ッチングを行うことにより下層レジストが選択的にエッ
チングされるため、上層のレジストパターンを下層に形
成することができる。
That is, according to a conventional method, a thick organic polymer layer is formed as a lower layer resist on a substrate, and then the resist solution of the present invention is spin coated thereon. The upper resist layer of the present invention is patterned by the same method as described above, and then the lower resist is selectively etched by etching, so that the upper resist pattern can be formed in the lower layer.

【0225】なお、下層レジストには、ノボラック樹脂
系ポジ型レジストを使用することができ、基板上に塗布
した後、200℃で1時間ハードベークすることによ
り、シリコーン系レジストとのインターミキシングを防
ぐことができる。
As the lower layer resist, a novolac resin type positive type resist can be used, and after being coated on the substrate, it is hard baked at 200 ° C. for 1 hour to prevent intermixing with the silicone type resist. be able to.

【0226】[0226]

【発明の効果】本発明の高分子シリコーン化合物をベー
ス樹脂としたポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に
感応し、感度、解像性に優れているため、電子線や遠紫
外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマ
レーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収
が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパター
ンを容易に形成することができるという特徴を有する。
また、酸素プラズマエッチング耐性に優れているため、
下層レジスト膜の上に本発明のレジスト膜を塗布した2
層レジストは、微細なパターンを高アスペクト比で形成
し得るという特徴も有する。
EFFECT OF THE INVENTION Since the positive resist material using the polymer silicone compound of the present invention as a base resin is sensitive to high energy rays and is excellent in sensitivity and resolution, it is suitable for fine processing by electron beams or deep ultraviolet rays. It is useful. In particular, since the absorption at the exposure wavelength of the ArF excimer laser and the KrF excimer laser is small, it has a feature that a fine pattern can be easily formed perpendicular to the substrate.
Also, because it has excellent resistance to oxygen plasma etching,
The resist film of the present invention was coated on the lower resist film 2
The layer resist is also characterized in that a fine pattern can be formed with a high aspect ratio.

【0227】[0227]

【実施例】以下、合成例及び実施例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to synthesis examples and examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【0228】[合成例1]ポリ(3−カルボキシシクロ
ヘキシルシルセスキオキサン)の合成 3−トリクロロシリル−1−シクロヘキシルカルボン酸
メチルエステル150.0g(0.544mol)をト
ルエン150gに溶解し、水300g中へ室温で撹拌し
ながら滴下添加した。滴下終了後、反応混合物より酸性
水層を分離し、次いで水1Lで有機層を水洗し、水層が
中性になってから更に2回水洗を行った。有機層をエバ
ポレーターにより溶媒留去した。その濃縮液を200℃
で2時間加熱し、重合した。重合物にテトラヒドロフラ
ン800gを加えて溶解したものを、10%水酸化ナト
リウム溶液1,000gへ滴下し、40℃で3時間加熱
し、メチルエステル基を加水分解した。塩酸で酸性にし
てポリマーを晶出し、濾過、乾燥を行い、ポリ(3−カ
ルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサン)を収量8
3.4gで得た。得られたポリマーの重量平均分子量は
3,000であった。
Synthesis Example 1 Synthesis of poly (3-carboxycyclohexylsilsesquioxane) 150.0 g (0.544 mol) of 3-trichlorosilyl-1-cyclohexylcarboxylic acid methyl ester was dissolved in 150 g of toluene, and 300 g of water was added. It was added dropwise into it with stirring at room temperature. After completion of the dropping, the acidic aqueous layer was separated from the reaction mixture, and then the organic layer was washed with 1 L of water, and further washed twice with water after the aqueous layer became neutral. The solvent of the organic layer was distilled off by an evaporator. The concentrate is 200 ℃
It was heated for 2 hours and polymerized. A solution obtained by adding 800 g of tetrahydrofuran to the polymer and dissolving it was added dropwise to 1,000 g of a 10% sodium hydroxide solution and heated at 40 ° C. for 3 hours to hydrolyze the methyl ester group. The polymer was crystallized by acidifying with hydrochloric acid, filtered and dried to obtain poly (3-carboxycyclohexylsilsesquioxane) in a yield of 8
Obtained in 3.4 g. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 3,000.

【0229】[合成例2]ポリ[(3−カルボキシシク
ロヘキシルシルセスキオキサン)−(シクロヘキシルシ
ルセスキオキサン)]の合成 3−トリクロロシリル−1−シクロヘキシルカルボン酸
メチルエステル75.0g(0.272mol)とシク
ロヘキシルトリクロロシラン59.2g(0.272m
ol)をトルエン150gに溶解し、水300g中へ室
温で撹拌しながら滴下添加した。滴下終了後、反応混合
物より酸性水層を分離し、次いで水1Lで有機層を水洗
し、水層が中性になってから更に2回水洗を行った。有
機層をエバポレーターにより溶媒留去した。その濃縮液
を200℃で2時間加熱し、重合した。重合物にテトラ
ヒドロフラン800gを加えて溶解したものを、10%
水酸化ナトリウム溶液1,000gへ滴下し、40℃で
3時間加熱し、メチルエステル基を加水分解した。塩酸
で酸性にしてポリマーを晶出し、濾過、乾燥を行い、ポ
リ[(3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン)−(シクロヘキシルシルセスキオキサン)]を収量
82.0gで得た。得られたポリマーの重量平均分子量
は3,500であった。また、1H−NMRの分析にお
いて、3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン/シクロヘキシルシルセスキオキサンの組成比は50
/50(モル比)であった。
[Synthesis Example 2] Synthesis of poly [(3-carboxycyclohexylsilsesquioxane)-(cyclohexylsilsesquioxane)] 3-trichlorosilyl-1-cyclohexylcarboxylic acid methyl ester 75.0 g (0.272 mol) ) And cyclohexyltrichlorosilane 59.2 g (0.272 m
ol) was dissolved in 150 g of toluene and added dropwise to 300 g of water while stirring at room temperature. After completion of the dropping, the acidic aqueous layer was separated from the reaction mixture, and then the organic layer was washed with 1 L of water, and further washed twice with water after the aqueous layer became neutral. The solvent of the organic layer was distilled off by an evaporator. The concentrate was heated at 200 ° C. for 2 hours to polymerize. 10% of a polymer obtained by adding 800 g of tetrahydrofuran to a polymer and dissolving it.
It was added dropwise to 1,000 g of sodium hydroxide solution and heated at 40 ° C. for 3 hours to hydrolyze the methyl ester group. The polymer was crystallized by acidification with hydrochloric acid, filtered and dried to obtain poly [(3-carboxycyclohexylsilsesquioxane)-(cyclohexylsilsesquioxane)] in a yield of 82.0 g. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 3,500. In the 1 H-NMR analysis, the composition ratio of 3-carboxycyclohexylsilsesquioxane / cyclohexylsilsesquioxane was 50.
It was / 50 (molar ratio).

【0230】[合成例3〜8]合成例1、2と同様な方
法で表1に示すシリコーンポリマーを得た。得られたポ
リマーの重量平均分子量、組成比を表1を示す。
[Synthesis Examples 3 to 8] Silicone polymers shown in Table 1 were obtained in the same manner as in Synthesis Examples 1 and 2. Table 1 shows the weight average molecular weight and composition ratio of the obtained polymer.

【0231】[0231]

【表1】 [Table 1]

【0232】[0232]

【化85】 [Chemical 85]

【0233】[合成例9]合成例1で得られたポリマー
50gをテトラヒドロフラン180mlに溶解させ、触
媒量のp−トルエンスルホン酸を添加後、20℃で撹拌
しながらエチルビニルエーテル23.0gを添加した。
1時間反応させた後、濃アンモニア水により中和し、水
5Lに中和反応液を滴下したところ、白色固体が得られ
た。これを濾過後、アセトン100mlに溶解させ、水
5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥した。得られたポリマ
ーは、下記示性式(Polym.1)で示される構造を
有し、1H−NMRによる分析において、高分子化合物
のカルボキシル基の水素原子の80%がエトキシエチル
化されたことが確認された。
[Synthesis Example 9] 50 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 180 ml of tetrahydrofuran, and after adding a catalytic amount of p-toluenesulfonic acid, 23.0 g of ethyl vinyl ether was added with stirring at 20 ° C. .
After reacting for 1 hour, the mixture was neutralized with concentrated aqueous ammonia, and the neutralization reaction solution was added dropwise to 5 L of water to obtain a white solid. This was filtered, dissolved in 100 ml of acetone, added dropwise to 5 L of water, filtered, and vacuum dried. The obtained polymer had a structure represented by the following rational formula (Polym.1), and in the analysis by 1 H-NMR, 80% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound were ethoxyethylated. Was confirmed.

【0234】[合成例10〜19]合成例9において、
合成例1〜8のいずれかのポリマーを用い、エチルビニ
ルエーテルの代わりにPolym.2〜11に示す酸不
安定基を導入し得る化合物を用いる以外は同様な方法に
より下記示性式(Polym.2〜11)で示されるシ
リコーンポリマーを得た。
[Synthesis Examples 10 to 19] In Synthesis Example 9,
The polymer of any of Synthesis Examples 1 to 8 was used, and instead of ethyl vinyl ether, Polymer. A silicone polymer represented by the following rational formula (Polym. 2 to 11) was obtained by the same method except that the compound capable of introducing an acid labile group shown in 2 to 11 was used.

【0235】[合成例20]合成例1で得られたポリマ
ー20gをジメチルホルムアミド200mlに溶解さ
せ、炭酸カリウムを固体のまま添加し、撹拌しながらク
ロロ酢酸−tert−ブチルエステル1.0gを添加
し、60℃で6時間反応させた後、反応液から固体の炭
酸カリウムを濾別して水10Lを滴下したところ、白色
固体が得られた。これを濾過後、アセトン100mlに
溶かし、水5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリ
マーを得た。得られたポリマーは、下記示性式(Pol
ym.12)で示される構造を有し、1H−NMRによ
る分析において、高分子化合物のカルボキシル基の水素
原子の75%がエトキシエチル化され、tert−ブチ
ルカルボニル化率は5%であることが確認された。
[Synthesis Example 20] 20 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 200 ml of dimethylformamide, potassium carbonate was added as a solid, and 1.0 g of chloroacetic acid-tert-butyl ester was added with stirring. After reacting at 60 ° C. for 6 hours, solid potassium carbonate was filtered off from the reaction solution and 10 L of water was added dropwise to obtain a white solid. This was filtered, dissolved in 100 ml of acetone, added dropwise to 5 L of water, filtered, and vacuum dried to obtain a polymer. The obtained polymer has the following rational formula (Pol
ym. It has a structure shown in 12), and in 1 H-NMR analysis, it was confirmed that 75% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound were ethoxyethylated and the tert-butylcarbonylation rate was 5%. Was done.

【0236】[合成例21]合成例1で得られたポリマ
ー20gをジメチルホルムアミド200mlに溶解さ
せ、炭酸カリウムを固体のまま添加し、撹拌しながらク
ロロ酢酸−tert−ブチルエステル13.0gを添加
し、60℃で6時間反応させた後、反応液から固体の炭
酸カリウムを濾別して水10Lを滴下したところ、白色
固体が得られた。これを濾過後、アセトン100mlに
溶かし、水5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリ
マーを得た。得られたポリマーは、下記示性式(Pol
ym.13)で示される構造を有し、1H−NMRによ
る分析において、高分子化合物のカルボキシル基の水素
原子の65%がエトキシエチル化されていることが確認
された。
[Synthesis Example 21] 20 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 200 ml of dimethylformamide, potassium carbonate was added as a solid, and 13.0 g of chloroacetic acid-tert-butyl ester was added with stirring. After reacting at 60 ° C. for 6 hours, solid potassium carbonate was filtered off from the reaction solution and 10 L of water was added dropwise to obtain a white solid. This was filtered, dissolved in 100 ml of acetone, added dropwise to 5 L of water, filtered, and vacuum dried to obtain a polymer. The obtained polymer has the following rational formula (Pol
ym. It has a structure shown in 13), and 1 H-NMR analysis confirmed that 65% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound were ethoxyethylated.

【0237】[合成例22]合成例1で得られたポリマ
ー50gをテトラヒドロフラン180mlに溶解させ、
無水トリフルオロ酢酸を添加後、5℃以下で撹拌しなが
らtーブチルアルコール18.2gを添加した。2時間
反応させた後、濃アンモニア水により中和し、水5Lに
中和反応液を滴下したところ、白色固体が得られた。こ
れを濾過後、アセトン100mlに溶解させ、水5Lに
滴下し、濾過後、真空乾燥した。得られたポリマーは、
下記示性式(Polym.14)で示される構造を有
し、1H−NMRによる分析において、高分子化合物の
カルボキシル基の水素原子の80%がtert−ブチル
化されたことが確認された。
[Synthesis Example 22] 50 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 180 ml of tetrahydrofuran,
After adding trifluoroacetic anhydride, 18.2 g of t-butyl alcohol was added with stirring at 5 ° C or lower. After reacting for 2 hours, the mixture was neutralized with concentrated aqueous ammonia, and the neutralization reaction solution was added dropwise to 5 L of water to obtain a white solid. This was filtered, dissolved in 100 ml of acetone, added dropwise to 5 L of water, filtered, and vacuum dried. The polymer obtained is
It has a structure represented by the following rational formula (Polym.14), and it was confirmed by 1 H-NMR analysis that 80% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound were tert-butylated.

【0238】[合成例23]合成例5のポリマーを用い
た以外、合成例22と同様な方法で行い、下記示性式
(Polym.15)のシリコーンポリマーを得た。
[Synthesis Example 23] The same procedure as in Synthesis Example 22 was carried out except that the polymer of Synthesis Example 5 was used to obtain a silicone polymer represented by the following rational formula (Polym.15).

【0239】[0239]

【化86】 [Chemical 86]

【0240】[0240]

【化87】 [Chemical 87]

【0241】[0241]

【化88】 [Chemical 88]

【0242】[0242]

【化89】 [Chemical 89]

【0243】[0243]

【化90】 [Chemical 90]

【0244】[0244]

【化91】 [Chemical Formula 91]

【0245】[合成例24]ポリ(3−カルボキシシク
ロヘキシルシルセスキオキサン)の合成 3−トリクロロシリル−1−シクロヘキシルカルボン酸
メチルエステル150.0g(0.544mol)をト
ルエン150gに溶解し、水300g中へ室温で撹拌し
ながら滴下添加した。滴下終了後、反応混合物より酸性
水層を分離し、次いで水1Lで有機層を水洗し、水層が
中性になってから更に2回水洗を行った。有機層をエバ
ポレーターにより溶媒留去した。その濃縮液を200℃
で2時間加熱し、重合した。重合物にテトラヒドロフラ
ン800gを加えて溶解したものを、10%水酸化ナト
リウム溶液1,000gへ滴下し、40℃で3時間加熱
しメチルエステルを加水分解した。塩酸で酸性にしてポ
リマーを晶出し、濾過、乾燥を行い、ポリ(3−カルボ
キシシクロヘキシルシルセスキオキサン)を収量83.
4gで得た。得られたポリマーの重量平均分子量は3,
000であった。
[Synthesis Example 24] Synthesis of poly (3-carboxycyclohexylsilsesquioxane) 150.0 g (0.544 mol) of 3-trichlorosilyl-1-cyclohexylcarboxylic acid methyl ester was dissolved in 150 g of toluene, and 300 g of water was added. It was added dropwise into it with stirring at room temperature. After completion of the dropping, the acidic aqueous layer was separated from the reaction mixture, and then the organic layer was washed with 1 L of water, and further washed twice with water after the aqueous layer became neutral. The solvent of the organic layer was distilled off by an evaporator. The concentrate is 200 ℃
It was heated for 2 hours and polymerized. A polymer obtained by adding 800 g of tetrahydrofuran to the polymer and dissolving it was added dropwise to 1,000 g of a 10% sodium hydroxide solution, and heated at 40 ° C. for 3 hours to hydrolyze the methyl ester. The polymer was crystallized by acidification with hydrochloric acid, filtered and dried to give poly (3-carboxycyclohexylsilsesquioxane) in a yield of 83.
Obtained in 4 g. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 3,
It was 000.

【0246】[合成例25]ポリ[(3−カルボキシシ
クロヘキシルシルセスキオキサン)−(シクロヘキシル
シルセスキオキサン)]の合成 3−トリクロロシリル−1−シクロヘキシルカルボン酸
メチルエステル75.0g(0.272mol)とシク
ロヘキシルトリクロロシラン59.2g(0.272m
ol)をトルエン150gに溶解し、水300g中へ室
温で撹拌しながら滴下添加した。滴下終了後、反応混合
物より酸性水層を分離し、次いで水1Lで有機層を水洗
し、水層が中性になってから更に2回水洗を行った。有
機層をエバポレーターにより溶媒留去した。その濃縮液
を200℃で2時間加熱し、重合した。重合物にテトラ
ヒドロフラン800gを加えて溶解したものを、10%
水酸化ナトリウム溶液1,000gへ滴下し、40℃で
3時間加熱しメチルエステルを加水分解した。塩酸で酸
性にしてポリマーを晶出し、濾過、乾燥を行い、ポリ
[(3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン)−(シクロヘキシルシルセスキオキサン)]を収量
82.0gで得た。得られたポリマーの重量平均分子量
は3,500であった。また、1 H−NMRの分析にお
いて、3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン/シクロヘキシルシルセスキオキサンの組成比は50
/50(モル比)であった。
[Synthesis Example 25] Poly [(3-carboxyl
Chlohexylsilsesquioxane)-(cyclohexyl
Synthesis of silsesquioxane)] 3-trichlorosilyl-1-cyclohexylcarboxylic acid
Methyl ester 75.0 g (0.272 mol) and shiku
59.2 g of lohexyltrichlorosilane (0.272 m
ol) is dissolved in 150 g of toluene, and the solution is poured into 300 g of water.
The solution was added dropwise with stirring at temperature. After completion of dropping, reaction mixture
The acidic aqueous layer is separated from the product, then the organic layer is washed with 1 L of water.
After the water layer became neutral, it was washed twice more with water. Existence
The solvent of the organic layer was distilled off by an evaporator. That concentrate
Was heated at 200 ° C. for 2 hours to polymerize. Tetra polymer
Hydrofuran 800g dissolved and dissolved 10%
Add dropwise to 1,000 g of sodium hydroxide solution at 40 ° C.
The methyl ester was hydrolyzed by heating for 3 hours. Acid with hydrochloric acid
To crystallize the polymer, filter and dry it
[(3-carboxycyclohexylsilsesquioxa
Yield))-(cyclohexylsilsesquioxane)]
Obtained in 82.0 g. Weight average molecular weight of the obtained polymer
Was 3,500. Also,1 For H-NMR analysis
And 3-carboxycyclohexylsilsesquioxa
The composition ratio of benzene / cyclohexylsilsesquioxane is 50
It was / 50 (molar ratio).

【0247】[合成例26〜31]合成例25におい
て、シクロヘキシルトリクロロシラン化合物を表1のよ
うに代えた以外は同様な方法でシリコーンポリマーを得
た。表2に組成比、重量平均分子量を示す。
[Synthesis Examples 26 to 31] Silicone polymers were obtained in the same manner as in Synthesis Example 25 except that the cyclohexyltrichlorosilane compound was changed as shown in Table 1. Table 2 shows the composition ratio and the weight average molecular weight.

【0248】[合成例32]合成例24で得られたポリ
マー50gをテトラヒドロフラン180mlに溶解さ
せ、触媒量のp−トルエンスルホン酸を添加後、20℃
で撹拌しながらエチルビニルエーテル13.7g、4−
ブタンジオールジビニルエーテル2.5gを添加した。
1時間反応させた後、濃アンモニア水により中和し、水
5Lに中和反応液を滴下したところ、白色固体が得られ
た。これを濾過後、アセトン100mlに溶解させ、水
5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥した。得られたポリマ
ーは、下記示性式(Polym.16)で示される構造
を有し、1H−NMRによる分析において、高分子化合
物のカルボキシル基の水素原子の53%がエトキシエチ
ル化され、カルボキシル基の水素原子の5%が架橋され
たことが確認された。
[Synthesis Example 32] 50 g of the polymer obtained in Synthesis Example 24 was dissolved in 180 ml of tetrahydrofuran, a catalytic amount of p-toluenesulfonic acid was added, and the mixture was heated at 20 ° C.
With stirring at 13.7 g of ethyl vinyl ether, 4-
2.5 g of butanediol divinyl ether were added.
After reacting for 1 hour, the mixture was neutralized with concentrated aqueous ammonia, and the neutralization reaction solution was added dropwise to 5 L of water to obtain a white solid. This was filtered, dissolved in 100 ml of acetone, added dropwise to 5 L of water, filtered, and vacuum dried. The obtained polymer has a structure represented by the following rational formula (Polym.16), and in the analysis by 1 H-NMR, 53% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound were ethoxyethylated to form a carboxyl group. It was confirmed that 5% of the hydrogen atoms of the group were crosslinked.

【0249】[合成例33〜39]合成例32におい
て、エチルビニルエーテル及び4−ブタンジオールジビ
ニルエーテルの代わりにPolym.17〜23に示す
酸不安定基及び架橋基を導入し得る化合物を用いる以外
は同様な方法により下記示性式(Polym.17〜2
3)で示されるシリコーンポリマーを得た。
[Synthesis Examples 33 to 39] In Synthesis Example 32, instead of ethyl vinyl ether and 4-butanediol divinyl ether, Polym. 17 to 23 by the same method except that the compound capable of introducing an acid labile group and a cross-linking group is used.
A silicone polymer represented by 3) was obtained.

【0250】[合成例40]合成例32で得られたポリ
マー20gをジメチルホルムアミド200mlに溶解さ
せ、炭酸カリウムを固体のまま添加し、撹拌しながらク
ロロ酢酸−tert−ブチルエステル1.0gを添加
し、60℃で6時間反応させた後、反応液から固体の炭
酸カリウムを濾別して水10Lを滴下したところ、白色
固体が得られた。これを濾過後、アセトン100mlに
溶かし、水5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリ
マーを得た。得られたポリマーは、下記示性式(Pol
ym.24)で示される構造を有し、1H−NMRによ
る分析において、高分子化合物のカルボキシル基の水素
原子の53%がエトキシエチル化され、カルボキシル基
の水素原子の5%が架橋され、tert−ブチルカルボ
ニル化率は5%であることが確認された。
[Synthesis Example 40] 20 g of the polymer obtained in Synthesis Example 32 was dissolved in 200 ml of dimethylformamide, potassium carbonate was added as a solid, and 1.0 g of chloroacetic acid-tert-butyl ester was added with stirring. After reacting at 60 ° C. for 6 hours, solid potassium carbonate was filtered off from the reaction solution and 10 L of water was added dropwise to obtain a white solid. This was filtered, dissolved in 100 ml of acetone, added dropwise to 5 L of water, filtered, and vacuum dried to obtain a polymer. The obtained polymer has the following rational formula (Pol
ym. In the analysis by 1 H-NMR, 53% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound are ethoxyethylated, 5% of the hydrogen atoms of the carboxyl group are crosslinked, and tert- It was confirmed that the butyl carbonylation rate was 5%.

【0251】[合成例41〜47]ベースポリマーを合
成例25〜31に代えた以外は合成例32と同様な方法
により下記示性式(Polym.25〜31)で示され
るシリコーンポリマーを得た。
[Synthesis Examples 41 to 47] Silicone polymers represented by the following formula (Polym. 25 to 31) were obtained by the same method as in Synthesis Example 32 except that the base polymers were replaced with Synthesis Examples 25 to 31. .

【0252】得られたポリマーの構造は下記示性式の通
りであり、それぞれの置換率は表3に示す通りであっ
た。なお、下記式において、Rは下記単位を分子間又は
分子内架橋している基を示し、(R)は架橋基Rが結合
している状態を示す。
The structure of the obtained polymer was as shown in the following rational formula, and the respective substitution rates were as shown in Table 3. In the formulas below, R represents a group in which the following units are cross-linked intramolecularly or intramolecularly, and (R) represents a state in which the cross-linking group R is bonded.

【0253】[0253]

【化92】 [Chemical Formula 92]

【0254】[0254]

【表2】 [Table 2]

【0255】[0255]

【表3】 [Table 3]

【0256】[0256]

【化93】 [Chemical formula 93]

【0257】[0257]

【化94】 [Chemical 94]

【0258】[0258]

【化95】 [Chemical 95]

【0259】[0259]

【化96】 [Chemical 96]

【0260】[実施例1〜56]上記合成例で得られた
ポリマー(Polym.1〜31)をベース樹脂として
使用し、下記式(PAG.1〜7)で示される酸発生
剤、下記式(DRR.1,4)で示される溶解制御剤、
塩基性化合物、下記式(ACC.1)で示される分子内
に≡C−COOHで示される基を有する化合物を表に示
す組成でプロピレングリコールメチルエーテルアセテー
ト(PGMEA)に溶解してレジスト材料を調合し、更
に各組成物を0.2μmのテフロン製フィルターで濾過
することにより、レジスト液をそれぞれ調製した。
[Examples 1 to 56] The polymers (Polym. 1 to 31) obtained in the above synthesis examples were used as a base resin, and the acid generator represented by the following formula (PAG. 1 to 7), the following formula A dissolution control agent represented by (DRR.1,4),
A basic compound, a compound represented by the following formula (ACC.1) and having a group represented by ≡C—COOH in the molecule, is dissolved in propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA) with the composition shown in the table to prepare a resist material. Then, each composition was filtered through a 0.2 μm Teflon filter to prepare a resist solution.

【0261】実施例1〜27(Polym.1〜15使
用) 得られたレジスト液をシリコンウエハー上へスピンコー
ティングし、0.3μmの厚さに塗布した。次いで、こ
のシリコンウエハーをホットプレートを用いて100℃
で90秒間ベークした。これをArFエキシマレーザー
ステッパー(ニコン社、NA=0.55)を用いて露光
し、110℃で90秒間ベークを施し、0.12%のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を
行うと、ポジ型のパターンを得ることができた。得られ
たレジストパターンを次のように評価した。結果を表
4,5に示す。 評価方法:まず、感度(Eth)を求めた。次に0.2
0μmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光
量を最適露光量(Eop)として、この露光量における
分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レ
ジストの解像度とした。解像したレジストパターンの形
状は、走査型電子顕微鏡を用いて観察した。また、0.
18μmラインアンドスペースの凹凸(エッジラフネ
ス)を測長機能付走査型電子顕微鏡(日立製作所、S7
280)にて測定した。
Examples 1-27 (Polym. 1-15)
The resist solution thus obtained was spin-coated on a silicon wafer and applied to a thickness of 0.3 μm. Next, this silicon wafer is heated to 100 ° C. using a hot plate.
Baked for 90 seconds. This was exposed using an ArF excimer laser stepper (Nikon Co., NA = 0.55), baked at 110 ° C. for 90 seconds, and developed with a 0.12% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to give a positive image. The pattern of the mold could be obtained. The obtained resist pattern was evaluated as follows. The results are shown in Tables 4 and 5. Evaluation method: First, the sensitivity (Eth) was determined. Then 0.2
The exposure amount for resolving 0 μm line and space at 1: 1 was taken as the optimum exposure amount (Eop), and the minimum line width of the separated line and space in this exposure amount was taken as the resolution of the evaluation resist. The shape of the resolved resist pattern was observed using a scanning electron microscope. Also, 0.
Scanning electron microscope with a measuring function for unevenness (edge roughness) of 18 μm line and space (Hitachi, S7
280).

【0262】実施例28〜56(Polym.16〜3
1使用) 得られたレジスト液をシリコンウエハー上へスピンコー
ティングし、0.4μmの厚さに塗布した。次いで、こ
のシリコンウエハーをホットプレートを用いて100℃
で90秒間ベークした。これをエキシマレーザーステッ
パー(ニコン社、NSR−2005EX8A,NA=
0.5)を用いて露光し、110℃で90秒間ベークを
施し、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シドの水溶液で現像を行うと、ポジ型のパターンを得る
ことができた。得られたレジストパターンを次のように
評価した。結果を表6,7に示す。 評価方法:まず、感度(Eth)を求めた。次に0.2
4μmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光
量を最適露光量(Eop)として、この露光量における
分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レ
ジストの解像度とした。解像したレジストパターンの形
状は、走査型電子顕微鏡を用いて観察した。また、0.
25μmラインアンドスペースの凹凸(エッジラフネ
ス)を走査型電子顕微鏡(日立製作所、S7280)に
て測定した。
Examples 28 to 56 (Polym. 16 to 3)
1 use) The obtained resist solution was spin-coated on a silicon wafer and applied to a thickness of 0.4 μm. Next, this silicon wafer is heated to 100 ° C. using a hot plate.
Baked for 90 seconds. This is an excimer laser stepper (Nikon, NSR-2005EX8A, NA =
0.5), exposed at 110 ° C. for 90 seconds, and developed with an aqueous solution of 2.38% tetramethylammonium hydroxide, a positive pattern could be obtained. The obtained resist pattern was evaluated as follows. The results are shown in Tables 6 and 7. Evaluation method: First, the sensitivity (Eth) was determined. Then 0.2
The exposure amount for resolving a 4 μm line and space at a ratio of 1: 1 was taken as the optimum exposure amount (Eop), and the minimum line width of the separated line and space at this exposure amount was taken as the resolution of the evaluation resist. The shape of the resolved resist pattern was observed using a scanning electron microscope. Also, 0.
The roughness (edge roughness) of 25 μm line and space was measured with a scanning electron microscope (Hitachi, S7280).

【0263】表4〜7の結果より、本発明の化学増幅型
レジスト材料は、高い解像力と凹凸のない(エッジラフ
ネスの小さい)パターンとなることが確認された。
From the results shown in Tables 4 to 7, it was confirmed that the chemically amplified resist material of the present invention has a pattern having high resolution and no unevenness (small edge roughness).

【0264】[0264]

【化97】 [Chemical 97]

【0265】[0265]

【化98】 [Chemical 98]

【0266】[0266]

【表4】 [Table 4]

【0267】[0267]

【表5】 [Table 5]

【0268】[0268]

【表6】 [Table 6]

【0269】[0269]

【表7】 [Table 7]

【0270】[実施例57]シリコンウエハーに下層レ
ジスト材料として、OFPR 800(東京応化社製)を
2.0μmの厚さに塗布し、200℃で5分間加熱し、
硬化させた。この下層レジスト膜上に実施例1で用いた
レジスト材料を上述と同様な方法で約0.35μmの厚
さで塗布し、プリベークした。次いでKrFエキシマレ
ーザー露光、現像を行い、パターンを下層レジスト膜上
に形成した。この時、下層レジスト膜に対して垂直なパ
ターンを得ることができ、裾引きの発現を認めることは
なかった。
[Example 57] A lower layer layer was formed on a silicon wafer.
OFPR as a gist material 800 (made by Tokyo Ohka)
Apply to a thickness of 2.0 μm, heat at 200 ℃ for 5 minutes,
Cured. Used in Example 1 on this lower resist film
The resist material is applied in the same manner as above to a thickness of about 0.35 μm.
Applied and prebaked. Then KrF excimer
Laser exposure and development to form a pattern on the lower resist film.
Formed. At this time, a pattern perpendicular to the lower resist film is used.
You can get a turn and see the appearance of tailing
There wasn't.

【0271】その後、平行平板型スパッタエッチング装
置で酸素ガスをエッチャントガスとしてエッチングを行
った。下層レジスト膜のエッチング速度が150nm/
minであるのに対し、本レジスト膜は15nm/mi
n以下であった。15分間エッチングすることによって
本レジスト膜に覆われていない部分の下層レジスト膜は
完全に消失し、1μm以上の厚さの2層レジストパター
ンが形成できた。このエッチング条件を以下に示す。 ガス流量:50sccm, ガス圧:1.3Pa, rfパワー:50W, dcバイアス:450V
After that, etching was performed with a parallel plate type sputter etching apparatus using oxygen gas as an etchant gas. The etching rate of the lower resist film is 150 nm /
The resist film has a thickness of 15 nm / mi
It was n or less. By etching for 15 minutes, the lower resist film which was not covered with the present resist film completely disappeared, and a two-layer resist pattern having a thickness of 1 μm or more could be formed. The etching conditions are shown below. Gas flow rate: 50 sccm, gas pressure: 1.3 Pa, rf power: 50 W, dc bias: 450 V

【0272】[実施例58]シリコンウエハーに下層レ
ジスト材料として、OFPR800(東京応化社製)を
2.0μmの厚さに塗布し、200℃で5分間加熱し、
硬化させた。この下層レジスト膜上に実施例28で用い
たレジスト材料を上述と同様な方法で約0.35μmの
厚さで塗布し、プリベークした。次いでKrFエキシマ
レーザー露光、現像を行い、パターンを下層レジスト膜
上に形成した。この時、下層レジスト膜に対して垂直な
パターンを得ることができ、裾引きの発現を認めること
はなかった。
[Example 58] OFPR800 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) as a lower layer resist material was applied to a silicon wafer to a thickness of 2.0 µm and heated at 200 ° C for 5 minutes.
Cured. The resist material used in Example 28 was applied on the lower resist film in the same manner as described above to a thickness of about 0.35 μm and prebaked. Then, KrF excimer laser exposure and development were performed to form a pattern on the lower resist film. At this time, a pattern perpendicular to the lower resist film could be obtained, and no trailing was observed.

【0273】その後、平行平板型スパッタエッチング装
置で酸素ガスをエッチャントガスとしてエッチングを行
った。下層レジスト膜のエッチング速度が150nm/
minであるのに対し、本レジスト膜は3nm/min
以下であった。15分間エッチングすることによって本
レジスト膜に覆われていない部分の下層レジスト膜は完
全に消失し、2μm以上の厚さの2層レジストパターン
が形成できた。このエッチング条件を以下に示す。 ガス流量:50sccm, ガス圧:1.3Pa, rfパワー:50W, dcバイアス:450V
After that, etching was performed with a parallel plate type sputter etching apparatus using oxygen gas as an etchant gas. The etching rate of the lower resist film is 150 nm /
min, whereas the resist film is 3 nm / min
It was below. By etching for 15 minutes, the lower layer resist film not covered with the present resist film completely disappeared, and a two-layer resist pattern having a thickness of 2 μm or more could be formed. The etching conditions are shown below. Gas flow rate: 50 sccm, gas pressure: 1.3 Pa, rf power: 50 W, dc bias: 450 V

【0274】次に、上記実施例1、6、19、21のレ
ジスト組成物に、アセチレンアルコール誘導体として下
記構造式のサーフィノールE1004(日信化学工業
(株)製)を全体の0.05重量%となるように添加し
たレジスト組成物につき、パーティクル(異物)の増加
に関する保存安定性を観察した。結果を下記表7に示
す。この際、液中パーティクルカウンターとしてKL−
20A(リオン(株)製)を使用し、40℃保存による
加速試験での0.3μm以上のパーティクルサイズにつ
いてモニターした。
Next, to the resist compositions of Examples 1, 6, 19 and 21 above, 0.05% by weight of Surfynol E1004 (manufactured by Nisshin Chemical Industry Co., Ltd.) having the following structural formula as an acetylene alcohol derivative With respect to the resist composition added so that the amount became%, the storage stability with respect to the increase of particles (foreign matter) was observed. The results are shown in Table 7 below. At this time, KL- is used as an in-liquid particle counter.
20A (manufactured by Rion Co., Ltd.) was used, and the particle size of 0.3 μm or more in an accelerated test by storage at 40 ° C. was monitored.

【0275】[0275]

【化99】 [Chemical 99]

【0276】[0276]

【表8】 [Table 8]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 俊信 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社 合成技術研究 所内 (72)発明者 土谷 純司 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社 合成技術研究 所内 (72)発明者 畠山 潤 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社 合成技術研究 所内 (72)発明者 名倉 茂広 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−1 信越化学工業株式会社 合成技術研究 所内 (56)参考文献 特開 昭62−36662(JP,A) 特開 平4−107460(JP,A) 特開 平8−160623(JP,A) 特開 平9−274319(JP,A) 特開 平10−207066(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 77/00 - 77/62 C08L 83/00 - 83/16 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toshinobu Ishihara 28-1 Nishifukushima, Nishikofukushima, Nakakubiki-gun, Niigata Pref. 28-1 Nishi-Fukushima 28-1 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Synthetic Technology Research Institute (72) Inventor Jun Hatakeyama 28-1 Nishi-Fukushima, Nakatsuki-gun, Niigata Prefecture Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Synthetic Technology Research Institute (72) Inventor Nagura Shigehiro 28-1 Nishi-Fukushima, Kubiki-mura, Nakakubiki-gun, Niigata Prefecture Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Synthetic Technology Research Laboratory (56) References JP-A-62-36662 (JP, A) JP-A-4-107460 (JP, A) JP-A-8-160623 (JP, A) JP-A-9-274319 (JP, A) JP-A-10-207066 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C08 G 77/00-77/62 C08L 83/00-83/16

Claims (15)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 下記一般式(1)で示される繰り返し単
位からなり、重量平均分子量1,000〜50,000
の高分子シリコーン化合物。 【化1】 [式中、Zは2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もし
くは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、R1
炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置
換アルキル基又はアルケニル基を示す。R2は酸不安定
基を示し、mは0又は正の整数、nは正の整数であり、
m+n≦5を満足する数である。xは正の整数である。
p1、p2は正数、qは0又は正数であり、0<p1/
(p1+p2+q)≦0.9、0<p2/(p1+p2
+q)≦0.9、0≦q/(p1+p2+q)≦0.
7、p1+p2+q=1を満足する数である。また、カ
ルボキシル基の水素原子全体の0モル%を超え90モル
%以下が、下記一般式(2a)又は(2b)で示される
C−O−C基を有する架橋基によって分子内及び/又は
分子間で架橋されていてもよい。 【化2】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。A
は、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和
炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、
これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またそ
の炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボ
キシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されて
いてもよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は
−NHCONH−を示す。cは2〜8、c’は1〜7の
整数である。)]
1. A repeating unit represented by the following general formula (1), having a weight average molecular weight of 1,000 to 50,000.
High molecular silicone compound. [Chemical 1] [In the formula, Z is a divalent to hexavalent monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having 5 to 12 carbon atoms or a bridged cyclic hydrocarbon group, R 1 is a linear group having 1 to 8 carbon atoms, A branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group is shown. R 2 represents an acid labile group, m is 0 or a positive integer, n is a positive integer,
It is a number that satisfies m + n ≦ 5. x is a positive integer.
p1 and p2 are positive numbers, q is 0 or a positive number, and 0 <p1 /
(P1 + p2 + q) ≦ 0.9, 0 <p2 / (p1 + p2
+ Q) ≦ 0.9, 0 ≦ q / (p1 + p2 + q) ≦ 0.
7, a number satisfying p1 + p2 + q = 1. Further, more than 0 mol% and not more than 90 mol% of the total hydrogen atoms of the carboxyl group are intramolecular and / or molecular by the crosslinking group having a C—O—C group represented by the following general formula (2a) or (2b). It may be cross-linked. [Chemical 2] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 10. A
Represents a c-valent aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group,
A hetero atom may be interposed between these groups, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B represents -CO-O-, -NHCO-O- or -NHCONH-. c is an integer of 2 to 8 and c'is an integer of 1 to 7. )]
【請求項2】 下記一般式(3)で示される繰り返し単
位からなる請求項1記載の高分子シリコーン化合物。 【化3】 (式中、R1,R2,m,n,x,p1,p2,qはそれ
ぞれ上記と同様の意味を示す。)
2. The polymeric silicone compound according to claim 1, comprising a repeating unit represented by the following general formula (3). [Chemical 3] (In the formula, R 1 , R 2 , m, n, x, p1, p2 and q have the same meanings as described above.)
【請求項3】 一般式(2a)又は(2b)で示される
C−O−C基を有する架橋基が、下記一般式(2
a’’’)又は(2b’’’)で示される請求項1又は
2記載の高分子シリコーン化合物。 【化4】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜5の整数である。A’
は、c’’価の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテト
ライル基、炭素数6〜30のアリーレン基を示し、これ
らの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭
素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシ
ル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されていて
もよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は−N
HCONH−を示す。c’’は2〜4、c’’’は1〜
3の整数である。)
3. A crosslinkable group having a C—O—C group represented by the general formula (2a) or (2b) has the following general formula (2):
The polymer silicone compound according to claim 1, which is represented by a ″ ′) or (2b ′ ″). [Chemical 4] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 5. A '.
Represents a c ″ -valent linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyltriyl group, an alkyltetrayl group, and an arylene group having 6 to 30 carbon atoms. A hetero atom may be interposed, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B is -CO-O-, -NHCO-O- or -N
HCONH- is shown. c '' is 2-4, c '''is 1-
It is an integer of 3. )
【請求項4】 R2が、下記一般式(4)で示される
基、下記一般式(5)で示される基、炭素数4〜20の
3級アルキル基、各アルキル基の炭素数が1〜6のトリ
アルキルシリル基及び炭素数4〜20のオキソアルキル
基より選ばれる1種又は2種以上の基である請求項1、
2又は3記載の高分子シリコーン化合物。 【化5】 (R6、R7は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルキル基を示し、R8は炭素数1〜
18のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示
し、R6とR7、R6とR8又はR7とR8とは環を形成して
いてもよく、環を形成する場合、R6、R7、R8はそれ
ぞれ炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基
を示す。R9は炭素数4〜20の3級アルキル基、各ア
ルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリル基、炭
素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(4)
で示される基を示す。aは0〜6の整数である。)
4. R 2 is a group represented by the following general formula (4), a group represented by the following general formula (5), a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, and each alkyl group having 1 carbon atom. 1 to 2 or more groups selected from a trialkylsilyl group having 6 to 6 and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms.
The high molecular silicone compound according to 2 or 3. [Chemical 5] (R 6 and R 7 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 8 represents 1 to 1 carbon atoms.
18 represents a monovalent hydrocarbon group which may have 18 heteroatoms, R 6 and R 7 , R 6 and R 8 or R 7 and R 8 may form a ring, and form a ring. In this case, R 6 , R 7 and R 8 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 18 carbon atoms. R 9 is a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms, or the above general formula (4).
Represents a group represented by. a is an integer of 0-6. )
【請求項5】 下記一般式(3a)で示される繰り返し
単位からなるシリコーン樹脂のカルボキシル基の一部の
水素原子が酸不安定基により部分置換され、かつ残りの
カルボキシル基の一部とアルケニルエーテル化合物及び
/又はハロゲン化アルキルエーテル化合物との反応によ
り得られるC−O−C基を有する架橋基によって分子内
及び/又は分子間で架橋されており、上記酸不安定基と
架橋基との合計量が式(1)におけるカルボキシル基全
体の平均0モル%を超え80モル%以下の割合であるこ
とを特徴とする高分子シリコーン化合物。 【化6】 (式中、R1は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状
の非置換又は置換アルキル基又はアルケニル基を示す。
xは正の整数である。pは正数であり、qは0又は正数
であり、0≦q/(p+q)≦0.6、p+q=1を満
足する数である。)
5. A silicone resin comprising a repeating unit represented by the following general formula (3a) is partially substituted with an acid labile group for a part of hydrogen atoms of a carboxyl group, and the remaining carboxyl group and an alkenyl ether are partially substituted. In the molecule and / or intermolecularly cross-linked by a cross-linking group having a C-O-C group obtained by the reaction with a compound and / or a halogenated alkyl ether compound, the total of the acid labile group and the cross-linking group. A polymeric silicone compound, characterized in that the amount is in a proportion of more than 0 mol% and not more than 80 mol% on average of the entire carboxyl groups in the formula (1). [Chemical 6] (In the formula, R 1 represents straight-chain having 1 to 8 carbon atoms, an unsubstituted or substituted alkyl or alkenyl group, branched or cyclic.
x is a positive integer. p is a positive number, q is 0 or a positive number, and is a number satisfying 0 ≦ q / (p + q) ≦ 0.6 and p + q = 1. )
【請求項6】 下記一般式(3b)で示される繰り返し
単位からなるシリコーン樹脂のRで示されるカルボキシ
ル基の一部とアルケニルエーテル化合物及び/又はハロ
ゲン化アルキルエーテル化合物との反応により得られる
C−O−C基を有する架橋基によって分子内及び/又は
分子間で架橋されており、酸不安定基と架橋基との合計
量が式(3a)におけるカルボキシル基全体の平均0モ
ル%を超え80モル%以下の割合である請求項5記載の
高分子シリコーン化合物。 【化7】 (式中、Rはカルボキシル基又はCOOR2を示すが、
Rの少なくとも1つはカルボキシル基である。R1は炭
素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置換
アルキル基又はアルケニル基、R2は酸不安定基を示
す。xは正の整数である。m’は0又は正の整数であ
り、n’は正の整数であり、m’+n’≦5を満足する
数である。p3は正数、p4は0又は正数、qは0又は
正数であり、0<p3/(p3+p4+q)≦0.8、
0≦q/(p3+p4+q)≦0.6、0.4≦(p3
+p4)/(p3+p4+q)≦1、p3+p4+q=
1を満足する数である。)
6. A C-obtained by reacting a part of a carboxyl group represented by R of a silicone resin comprising a repeating unit represented by the following general formula (3b) with an alkenyl ether compound and / or a halogenated alkyl ether compound. The compound is intramolecularly and / or intermolecularly crosslinked by a crosslinking group having an O—C group, and the total amount of the acid labile group and the crosslinking group exceeds 0 mol% on average of the entire carboxyl groups in the formula (3a). The polymer silicone compound according to claim 5, which has a proportion of not more than mol%. [Chemical 7] (In the formula, R represents a carboxyl group or COOR 2 ,
At least one of R is a carboxyl group. R 1 represents a linear, branched or cyclic, unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 2 represents an acid labile group. x is a positive integer. m ′ is 0 or a positive integer, n ′ is a positive integer, and is a number that satisfies m ′ + n ′ ≦ 5. p3 is a positive number, p4 is 0 or a positive number, q is 0 or a positive number, and 0 <p3 / (p3 + p4 + q) ≦ 0.8,
0 ≦ q / (p3 + p4 + q) ≦ 0.6, 0.4 ≦ (p3
+ P4) / (p3 + p4 + q) ≦ 1, p3 + p4 + q =
It is a number that satisfies 1. )
【請求項7】 下記一般式(3c)で示される繰り返し
単位からなるシリコーン樹脂のRで示されるカルボキシ
ル基の水素原子が取れてその末端酸素原子が下記一般式
(2a)又は(2b)で示されるC−O−C基を有する
2価以上の架橋基により分子内及び/又は分子間で架橋
されており、酸不安定基と架橋基との合計量が式(3
a)におけるカルボキシル基全体の平均0モル%を超え
80モル%以下の割合である請求項6記載の高分子シリ
コーン化合物。 【化8】 [(式中、Rはカルボキシル基又はCOOR2を示す
が、Rの少なくとも1つはカルボキシル基である。R1
は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は
置換アルキル基又はアルケニル基を示し、R2は酸不安
定基を示す。p31は正数、p32、p4、qは0又は
正数であり、0<p31/(p31+p32+p4+
q)≦0.8、0≦p4/(p31+p32+p4+
q)≦0.8、0≦q/(p31+p32+p4+q)
≦0.6、0.4≦(p31+p32+p4)/(p3
1+p32+p4+q)≦1、p31+p32+p4+
q=1を満足する数である。xは正の整数である。m’
は0又は正の整数であり、n’は正の整数であり、m’
+n’≦5を満足する数である。) 【化9】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。A
は、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和
炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、
これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またそ
の炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボ
キシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されて
いてもよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は
−NHCONH−を示す。cは2〜8、c’は1〜7の
整数である。)]
7. A hydrogen atom of a carboxyl group represented by R of a silicone resin composed of a repeating unit represented by the following general formula (3c) is removed and its terminal oxygen atom is represented by the following general formula (2a) or (2b). Are crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly with a divalent or higher valent crosslinking group having a C—O—C group, and the total amount of the acid labile group and the crosslinking group is represented by the formula (3
The polymeric silicone compound according to claim 6, which has a proportion of more than 0 mol% and not more than 80 mol% on average of all the carboxyl groups in a). [Chemical 8] [(In the formula, R represents a carboxyl group or COOR 2, and at least one of R is a carboxyl group. R 1
Represents a linear, branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 2 represents an acid labile group. p31 is a positive number, p32, p4 and q are 0 or a positive number, and 0 <p31 / (p31 + p32 + p4 +
q) ≦ 0.8, 0 ≦ p4 / (p31 + p32 + p4 +
q) ≦ 0.8, 0 ≦ q / (p31 + p32 + p4 + q)
≦ 0.6, 0.4 ≦ (p31 + p32 + p4) / (p3
1 + p32 + p4 + q) ≦ 1, p31 + p32 + p4 +
It is a number that satisfies q = 1. x is a positive integer. m '
Is 0 or a positive integer, n'is a positive integer, and m '
It is a number that satisfies + n ′ ≦ 5. ) [Chemical 9] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 10. A
Represents a c-valent aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group,
A hetero atom may be interposed between these groups, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B represents -CO-O-, -NHCO-O- or -NHCONH-. c is an integer of 2 to 8 and c'is an integer of 1 to 7. )]
【請求項8】 一般式(2a)又は(2b)で示される
C−O−C基を有する架橋基が、下記一般式(2
a’’’)又は(2b’’’)で示される請求項7記載
の高分子シリコーン化合物。 【化10】 (式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R3
4とは環を形成してもよく、環を形成する場合には
3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状
のアルキレン基、dは0又は1〜5の整数である。A’
は、c’’価の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテト
ライル基、炭素数6〜30のアリーレン基を示し、これ
らの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭
素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシ
ル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されていて
もよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は−N
HCONH−を示す。c’’は2〜4、c’’’は1〜
3の整数である。)
8. A crosslinkable group having a C—O—C group represented by the general formula (2a) or (2b) has the following general formula (2):
The polymer silicone compound according to claim 7, which is represented by a ″ ′) or (2b ′ ″). [Chemical 10] (In the formula, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, When forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, d is 0 or an integer of 1 to 5. A '.
Represents a c ″ -valent linear, branched, or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyltriyl group, an alkyltetrayl group, and an arylene group having 6 to 30 carbon atoms. A hetero atom may be interposed, and a part of hydrogen atoms bonded to the carbon atom may be substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B is -CO-O-, -NHCO-O- or -N
HCONH- is shown. c '' is 2-4, c '''is 1-
It is an integer of 3. )
【請求項9】 酸不安定基が、下記一般式(4)で示さ
れる基、下記一般式(5)で示される基、炭素数4〜2
0の3級アルキル基、各アルキル基の炭素数が1〜6の
トリアルキルシリル基及び炭素数4〜20のオキソアル
キル基より選ばれる1種又は2種以上の基である請求項
5乃至8のいずれか1項記載の高分子シリコーン化合
物。 【化11】 (R6、R7は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルキル基を示し、R8は炭素数1〜
18のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示
し、R6とR7、R6とR8又はR7とR8とは環を形成して
いてもよく、環を形成する場合、R6、R7、R8はそれ
ぞれ炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基
を示す。R9は炭素数4〜20の3級アルキル基、各ア
ルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリル基、炭
素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(4)
で示される基を示す。aは0〜6の整数である。)
9. The acid labile group is a group represented by the following general formula (4), a group represented by the following general formula (5), and a carbon number of 4 to 2.
9. A tertiary alkyl group of 0, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms, or one or more kinds of groups. The polymeric silicone compound according to any one of 1. [Chemical 11] (R 6 and R 7 represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 8 represents 1 to 1 carbon atoms.
18 represents a monovalent hydrocarbon group which may have 18 heteroatoms, R 6 and R 7 , R 6 and R 8 or R 7 and R 8 may form a ring, and form a ring. In this case, R 6 , R 7 and R 8 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 18 carbon atoms. R 9 is a tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group, an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms, or the above general formula (4).
Represents a group represented by. a is an integer of 0-6. )
【請求項10】 (A)有機溶剤 (B)ベース樹脂として請求項1乃至9のいずれか1項
記載の高分子シリコーン化合物 (C)酸発生剤 を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジス
ト材料。
10. A chemical amplification comprising (A) an organic solvent (B) as a base resin, and the polymeric silicone compound (C) as an acid generator according to any one of claims 1 to 9. Positive resist material.
【請求項11】 更に、(D)溶解制御剤を配合したこ
とを特徴とする請求項10記載の化学増幅ポジ型レジス
ト材料。
11. The chemically amplified positive resist material according to claim 10, further comprising (D) a dissolution control agent.
【請求項12】 更に、(E)塩基性化合物を配合した
ことを特徴とする請求項10又は11記載の化学増幅ポ
ジ型レジスト材料。
12. The chemically amplified positive resist composition according to claim 10, further comprising (E) a basic compound.
【請求項13】 更に、(F):分子内に≡C−COO
Hで示される基を有する化合物を配合したことを特徴と
する請求項10乃至12のいずれか1項記載の化学増幅
ポジ型レジスト材料。
13. (F): ≡C—COO in the molecule
13. The chemically amplified positive type resist material according to claim 10, wherein a compound having a group represented by H is mixed.
【請求項14】 更に、(G):アセチレンアルコール
誘導体を配合したことを特徴とする請求項10乃至13
のいずれか1項記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
14. The composition according to claim 10, further comprising (G): an acetylene alcohol derivative.
The chemically amplified positive resist material as described in any one of 1.
【請求項15】 (i)請求項10乃至14のいずれか
1項記載の化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に塗布
する工程と、 (ii)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長
300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光
する工程と、 (iii)必要に応じて加熱処理した後、現像液を用い
て現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成
方法。
15. (i) a step of applying the chemically amplified positive resist composition according to claim 10 on a substrate, and (ii) a heat treatment followed by a wavelength of 300 nm through a photomask. A pattern forming method comprising: a step of exposing with a high energy beam or an electron beam below; and (iii) a step of performing a heat treatment as needed and then developing with a developing solution.
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