JP3498682B2 - Piezoelectric resonator and piezoelectric filter using the same - Google Patents
Piezoelectric resonator and piezoelectric filter using the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は圧電共振子および
それを用いた圧電フィルタに関し、特にたとえば、厚み
縦振動または厚みすべり振動を用いた圧電共振子と、そ
れを複数個組合せて構成した圧電フィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric resonator and a piezoelectric filter using the same, and in particular, for example, a piezoelectric resonator using thickness longitudinal vibration or thickness shear vibration and a piezoelectric filter formed by combining a plurality of piezoelectric resonators. Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】厚み縦振動基本波を用いた圧電共振子と
して、たとえば図１３（ａ）（ｂ）に示すような圧電共
振子が報告されている（K.NAKAMURA, H.SASAKI, H.SHIM
IZU :Faculty of Engineering, Tohoku University "Zn
O/SiO2-DIAPHRAGM COMPOSITERESONATOR ON A SILICON W
AFER", ELECTRONICS LETTERS 9th July 1981 vol.17No.
14 ）。この圧電共振子１は、誘電体層２として厚さ
２．５μｍのＳｉＯ2 層を使用し、圧電体層３として厚
さ４．５μｍのＺｎＯ層が使用されている。そして、圧
電体層３の両面に、対向する１対の電極層４ａ，４ｂが
形成される。電極層４ａ，４ｂの対向する部分の平面形
状は、３５０μｍ×１４０μｍの長方形である。2. Description of the Related Art As a piezoelectric resonator using a thickness longitudinal vibration fundamental wave, for example, a piezoelectric resonator as shown in FIGS. 13A and 13B has been reported (K. NAKAMURA, H. SASAKI, H. SHIM
IZU: Faculty of Engineering, Tohoku University "Zn
O / SiO 2 -DIAPHRAGM COMPOSITE RESONATOR ON A SILICON W
AFER ", ELECTRONICS LETTERS 9th July 1981 vol.17No.
14 ). In this piezoelectric resonator 1, a 2.5 μm thick SiO 2 layer is used as the dielectric layer 2, and a 4.5 μm thick ZnO layer is used as the piezoelectric layer 3. Then, a pair of opposing electrode layers 4a and 4b are formed on both surfaces of the piezoelectric layer 3. The planar shape of the opposing portions of the electrode layers 4a and 4b is a rectangle of 350 μm × 140 μm.
【０００３】このような圧電共振子１の共振特性が、図
１４に示されている。図１４において、最も大きいレス
ポンスが厚み縦振動基本波のＳ0 モードと呼ばれる共振
であり、所望する共振（主振動）である。このような主
振動より高周波側に、小さいレスポンスがあり、主振動
に近い順に、Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ・・・モードと呼ばれて
いる。これらのモードは、特性上ないほうが好ましい共
振（スプリアス振動）である。これらのスプリアス振動
は、電極径によりその状態が変わり、電極径が大きくな
るほどレスポンスが大きくなり、また主振動に接近して
くるという性質をもっている。そのため、従来において
は、スプリアス振動の影響を避けるため、電極径を十分
小さくし、スプリアス振動を主振動から隔離するととも
に、そのレスポンスも小さくするという対策が採られて
いた。The resonance characteristics of such a piezoelectric resonator 1 are shown in FIG. In FIG. 14, the largest response is the resonance called the S 0 mode of the thickness longitudinal vibration fundamental wave, which is the desired resonance (main vibration). There is a small response on the high frequency side of such a main vibration, and the modes are called S 1 , S 2 , S 3 ... Modes in the order closer to the main vibration. These modes are resonances (spurious vibrations) that are preferably not present in the characteristics. These spurious vibrations have the property that the state changes depending on the electrode diameter, the response increases as the electrode diameter increases, and approaches the main vibration. Therefore, conventionally, in order to avoid the influence of spurious vibration, measures have been taken to make the electrode diameter sufficiently small to isolate the spurious vibration from the main vibration and to reduce the response.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極径
は、スプリアス振動だけでなく、主振動にも影響を及ぼ
す。電極径が小さくなると、電極面積が減少するため、
共振子のインピーダンスが増加し、主振動のレスポンス
が小さくなる。このように、共振子のスプリアス振動と
インピーダンスとはトレードオフの関係にあり、一方を
改善すると他方が悪化するという問題を抱えていた。However, the electrode diameter affects not only the spurious vibration but also the main vibration. Since the electrode area decreases as the electrode diameter decreases,
The resonator impedance increases and the response of the main vibration decreases. As described above, there is a trade-off relationship between the spurious vibration of the resonator and the impedance, and there is a problem that improving one of them deteriorates the other.
【０００５】たとえば、この共振子を発振子に利用する
ため、スプリアス振動が十分小さくなるまで電極径を小
さくすると、スプリアス振動がなくなり、発振周波数が
何らかの原因でスプリアス振動のほうに移動する心配は
なくなるが、共振子のインピーダンスの増加により発振
しなくなる。逆に、発振可能なインピーダンスになるま
で電極径を大きくすると、スプリアス振動が主振動に接
近し、そのレスポンスも大きくなるため、何らかの原因
でスプリアス振動のほうで発振することがあり、発振周
波数が不安定になるという問題があった。For example, since this resonator is used as an oscillator, if the electrode diameter is reduced until the spurious vibration becomes sufficiently small, the spurious vibration disappears and there is no concern that the oscillation frequency will move to the spurious vibration for some reason. However, it does not oscillate due to the increase of the impedance of the resonator. Conversely, if the electrode diameter is increased until the impedance becomes oscillating, the spurious vibration approaches the main vibration and the response also increases, so the spurious vibration may oscillate for some reason, and the oscillation frequency There was a problem of becoming stable.
【０００６】また、このような圧電共振子を組合せたラ
ダー型フィルタでは、インピーダンスとスプリアス振動
とのトレードオフの関係から、スプリアス振動を抑える
ために電極径を小さくすると、共振子のインピーダンス
を十分に下げることができず、また主振動のレスポンス
を大きくすることができないことから、ラダー型フィル
タの特性上、挿入損失が大きくなり、帯域を広くするこ
とができないという問題があった。逆に、電極径を大き
くすると、スプリアス振動が主振動に接近、干渉し、こ
れを組合せたラダー型フィルタでは、通過帯域中に大き
いリップルが生じるという問題があった。Further, in the ladder type filter in which such a piezoelectric resonator is combined, due to the trade-off relationship between impedance and spurious vibration, if the electrode diameter is reduced to suppress spurious vibration, the impedance of the resonator will be sufficient. Since it cannot be lowered and the response of the main vibration cannot be increased, there is a problem that the insertion loss becomes large and the band cannot be widened due to the characteristics of the ladder type filter. On the contrary, when the electrode diameter is increased, the spurious vibration approaches and interferes with the main vibration, and the ladder type filter in which the spurious vibrations are combined has a problem that a large ripple is generated in the pass band.
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、イ
ンピーダンスが小さく、スプリアス振動の影響の少ない
圧電共振子を提供することである。また、この発明の目
的は、圧電共振子のスプリアス振動の影響によって生じ
る通過帯域中のリップルが小さく、広い通過帯域を有す
る圧電フィルタを提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a piezoelectric resonator having a low impedance and a small influence of spurious vibration. Another object of the present invention is to provide a piezoelectric filter having a small ripple in the pass band caused by the influence of spurious vibration of the piezoelectric resonator and having a wide pass band.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明は、少なくとも
１層以上の圧電体、もしくは圧電体と誘電体の多層構造
からなる振動部と、振動部に形成される少なくとも１対
の対向する電極を含む厚み縦振動または厚みすべり振動
のｎ次モードを利用した圧電共振子において、電極対向
部の平面形状が円形または円形を内包する任意の形状で
あって、円形の半径をｒ、電極の対向部における振動部
の厚みをｔとしたとき、半径ｒが、ｒ≧４０ｔ／ｎの範
囲にあり、かつ、機械的品質係数Ｑｍが１０００以上で
あることを特徴とする、圧電共振子である。また、この
発明は、少なくとも１層以上の圧電体、もしくは圧電体
と誘電体の多層構造からなる振動部と、振動部に形成さ
れる少なくとも１対の対向する電極を含む厚み縦振動ま
たは厚みすべり振動のｎ次モードを利用した圧電共振子
において、電極対向部の平面形状が円形または円形を内
包する任意の形状であって、円形の半径をｒ、電極の対
向部における振動部の厚みをｔとしたとき、半径ｒが、
ｒ≧２０ｔ／ｎの範囲にあり、かつ、機械的品質係数Ｑ
ｍが１０００より小さいことを特徴とする、圧電共振子
である。これらの圧電共振子において、振動部が圧電体
および誘電体の多層構造からなる圧電共振子の場合、圧
電体および誘電体の少なくとも１つの弾性定数の温度係
数が、他の圧電体および誘電体の弾性定数の温度係数と
逆符号であることが好ましい。また、振動部が複数の圧
電体の多層構造からなる圧電共振子の場合、圧電体の少
なくとも１つの弾性定数の温度係数が、他の圧電体の弾
性定数の温度係数と逆符号であることが好ましい。さら
に、この発明は、複数の圧電共振子を組合せた圧電フィ
ルタであって、上述のいずれかの圧電共振子を少なくと
も１つ含む、圧電フィルタである。According to the present invention, there is provided a vibrating portion composed of at least one layer of a piezoelectric body or a multilayer structure of a piezoelectric body and a dielectric body, and at least a pair of opposing electrodes formed in the vibrating section. In a piezoelectric resonator utilizing the nth mode of thickness longitudinal vibration or thickness shear vibration, the planar shape of the electrode facing portion is circular or any shape including a circle, the radius of the circle is r, and the facing portion of the electrode is When the thickness of the vibrating part at is t, the radius r is in the range of r ≧ 40t / n.
And the mechanical quality factor Qm is 1000 or more.
It is a piezoelectric resonator characterized in that Also this
The invention is a piezoelectric body having at least one layer, or a piezoelectric body.
And a vibrating part consisting of a dielectric multilayer structure, and formed on the vibrating part.
Thickness longitudinal vibration including at least one pair of opposing electrodes
Piezoelectric resonator using nth mode of thickness or thickness shear vibration
, The planar shape of the electrode facing part is circular or
Any shape to enclose, the radius of the circle is r, and the pair of electrodes
When the thickness of the vibrating portion in the facing portion is t, the radius r is
r ≧ 20t / n, and mechanical quality factor Q
Piezoelectric resonator characterized in that m is less than 1000
Is. In these piezoelectric resonators, when the vibrating portion is a piezoelectric resonator having a multilayer structure of a piezoelectric body and a dielectric body, the temperature coefficient of at least one elastic constant of the piezoelectric body and the dielectric body is different from that of the other piezoelectric body and the dielectric body. It is preferable that the temperature coefficient of the elastic constant has the opposite sign. Further, in the case of a piezoelectric resonator in which the vibrating portion has a multilayer structure of a plurality of piezoelectric bodies, the temperature coefficient of at least one elastic constant of the piezoelectric body may have the opposite sign to the temperature coefficient of the elastic constants of other piezoelectric bodies. preferable. Furthermore, the present invention is a piezoelectric filter in which a plurality of piezoelectric resonators are combined, and the piezoelectric filter includes at least one of the piezoelectric resonators described above.
【０００９】圧電体に対向電極を形成した共振子では、
インピーダンスの周波数特性において、円形の電極の半
径をｒ、電極対向部の厚みをｔとしたとき、ｒ／ｔが小
さくなるほど主振動とスプリアス振動とが離れていき、
ｒ／ｔが大きくなるほどスプリアス振動が主振動に接近
することがわかっている。従来は、電極径を小さくする
ことにより、主振動からスプリアス振動を離すようにし
ていたが、この発明では、電極径を十分に大きくするこ
とにより、主振動の近傍にスプリアス振動を集中させる
ことにより、主振動の周波数において確実に共振させよ
うとするものである。電極径を大きくすることにより、
インピーダンスを小さくすることができ、しかも、主振
動の近傍にスプリアス振動が集中するため、主振動の周
波数において確実に共振させることができる。このよう
な効果を得ることができる電極の半径ｒは、電極の対向
部の厚みをｔとし、ｎ次モードの振動を用いる場合、ｒ
≧２０ｔ／ｎの範囲にあることが必要である。なお、電
極径ｒの範囲については、特に圧電共振子の機械的品質
係数Ｑｍが１０００以上の場合には、ｒ≧４０ｔ／ｎで
あり、機械的品質係数Ｑｍが１０００より小さい場合に
は、ｒ≧２０ｔ／ｎである。振動部が圧電体と誘電体の
多層構造または複数の圧電体の多層構造である場合、そ
れらの層の少なくとも１つと他の層との関係において、
弾性定数の温度係数が逆符号であれば、適当な組合せに
より、全体として温度変化による周波数変化をほぼ０に
することができる。したがって、温度変化に対して安定
した共振周波数を有し、かつスプリアス振動による影響
の少ない圧電共振子を得ることができる。複数の圧電共
振子を組合せて圧電フィルタとする場合、この発明の圧
電共振子を用いることにより、スプリアス振動によって
生じる圧電フィルタの通過帯域中のリップルを小さく抑
えることができる。また、圧電共振子のスプリアス振動
を主振動の近傍に集中させることにより、これらが干渉
して、主振動単独の場合より共振周波数と反共振周波数
の差Δｆが大きくなり、通過帯域の広い圧電フィルタを
得ることができる。In the resonator in which the counter electrode is formed on the piezoelectric body,
In the frequency characteristics of impedance, when the radius of the circular electrode is r and the thickness of the electrode facing portion is t, the main vibration and the spurious vibration become more distant as r / t becomes smaller.
It is known that the spurious vibration approaches the main vibration as the r / t increases. Conventionally, the spurious vibration is separated from the main vibration by reducing the electrode diameter.However, in the present invention, the spurious vibration is concentrated near the main vibration by increasing the electrode diameter sufficiently. It is intended to surely resonate at the frequency of the main vibration. By increasing the electrode diameter,
Since the impedance can be reduced and the spurious vibrations are concentrated near the main vibration, it is possible to reliably resonate at the frequency of the main vibration. The radius r of the electrode that can obtain such an effect is r when the thickness of the facing portion of the electrode is t and the vibration of the nth mode is used.
It is necessary to be in the range of ≧ 20 t / n. Regarding the range of the electrode diameter r, r ≧ 40 t / n particularly when the mechanical quality factor Qm of the piezoelectric resonator is 1000 or more, and when the mechanical quality factor Qm is less than 1000, r ≧ 20t / n. When the vibrating part has a multilayer structure of a piezoelectric body and a dielectric body or a multilayer structure of a plurality of piezoelectric bodies, in relation to at least one of those layers and another layer,
If the temperature coefficient of the elastic constant has the opposite sign, the frequency change due to the temperature change can be made almost zero as a whole by an appropriate combination. Therefore, it is possible to obtain a piezoelectric resonator that has a stable resonance frequency with respect to temperature changes and is less affected by spurious vibrations. When a plurality of piezoelectric resonators are combined to form a piezoelectric filter, by using the piezoelectric resonator of the present invention, ripples in the pass band of the piezoelectric filter caused by spurious vibration can be suppressed small. Further, by concentrating the spurious vibrations of the piezoelectric resonator in the vicinity of the main vibration, they interfere with each other and the difference Δf between the resonance frequency and the anti-resonance frequency becomes larger than in the case of the main vibration alone, and the piezoelectric filter having a wide pass band is obtained. Can be obtained.
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施の形態
の詳細な説明から一層明らかとなろう。The above-mentioned object, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description of the following embodiments with reference to the drawings.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１はこの発明の圧電共振子の一
例を示す平面図であり、図２はその断面図解図である。
この圧電共振子１０は、たとえば共振周波数が１００Ｍ
Ｈｚ以上の厚み縦振動の基本波（ｎ＝１）を利用したも
のである。圧電共振子１０は、基板１２を含む。基板１
２は、たとえばＳｉ、パイレックス（登録商標）ガラ
ス、石英などで形成される。基板１２上には、誘電体薄
膜１４と、電極薄膜１６を両面に有する圧電体薄膜１８
の多層構造からなる振動部２０が形成される。ここで、
誘電体薄膜１４としては、たとえばＳｉＯ2 などが用い
られるが、その他にも、ＳｉＮ，Ａｌ2Ｏ3 などを用い
ることができる。また、電極薄膜１６としては、たとえ
ばＡｌなどが用いられるが、その他にも、Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕなどを用いることができる。さらに、圧電体薄膜１
８としては、たとえばＺｎＯなどが用いられるが、その
他にも、ＡｌＮ，ＰＺＴなどを用いることができる。な
お、対向する電極薄膜１８が形成された振動部２０に対
応する部分においては、エッチング、レーザー加工、サ
ンドブラストなどの方法によって、基板１２が除去さ
れ、振動部２０が振動できるようにしてある。1 is a plan view showing an example of a piezoelectric resonator according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional schematic view thereof.
The piezoelectric resonator 10 has a resonance frequency of 100M, for example.
The fundamental wave (n = 1) of the thickness longitudinal vibration of Hz or higher is used. The piezoelectric resonator 10 includes a substrate 12. Board 1
2 is formed of, for example, Si, Pyrex (registered trademark) glass, quartz, or the like. On the substrate 12, a piezoelectric thin film 18 having a dielectric thin film 14 and an electrode thin film 16 on both sides is formed.
The vibrating portion 20 having a multi-layer structure is formed. here,
As the dielectric thin film 14, for example, SiO 2 or the like is used, but SiN, Al 2 O 3 or the like can also be used. Further, as the electrode thin film 16, for example, Al or the like is used, but other than that, Au, Ag,
Cu or the like can be used. Furthermore, the piezoelectric thin film 1
For example, ZnO or the like is used as 8, but AlN, PZT, or the like can be used instead. The substrate 12 is removed by a method such as etching, laser processing, or sandblasting at a portion corresponding to the vibrating portion 20 on which the opposing electrode thin film 18 is formed so that the vibrating portion 20 can vibrate.
【００１２】電極薄膜１６対向部の形状としては、たと
えば円形となるように形成される。ここでは、振動部２
０の厚みが約２μｍとなるように形成され、電極薄膜１
６の半径が２００μｍとなるように形成される。このよ
うに、振動部２０の厚みをｔ、電極薄膜１６の半径をｒ
としたとき、ｒ≧２０ｔ／ｎの条件を満たすように形成
される。特に、圧電共振子１０の機械的品質係数Ｑｍが
１０００以上である場合、電極薄膜１６の半径ｒは、ｒ
≧４０ｔ／ｎの範囲になることが好ましい。なお、電極
薄膜１６の形状としては、円形に限らず、図３に示すよ
うな円形を内包する四角形、図４に示すような円形を内
包する六角形、図５に示すような円形を内包する八角形
など、上述の条件を満たす円形を内包する多角形にする
ことができる。対向する２つの電極薄膜１６は、振動部
２０の対向する端部に引き出される。The facing portion of the electrode thin film 16 is formed, for example, in a circular shape. Here, the vibration unit 2
0 is formed to have a thickness of about 2 μm, and the electrode thin film 1
The radius of 6 is 200 μm. Thus, the thickness of the vibrating portion 20 is t and the radius of the electrode thin film 16 is r.
Then, it is formed so as to satisfy the condition of r ≧ 20 t / n. In particular, when the mechanical quality factor Qm of the piezoelectric resonator 10 is 1000 or more, the radius r of the electrode thin film 16 is r
It is preferable that the range is ≧ 40 t / n. The shape of the electrode thin film 16 is not limited to a circle, but a quadrangle including a circle as shown in FIG. 3, a hexagon including a circle as shown in FIG. 4, and a circle as shown in FIG. It may be a polygon including a circle satisfying the above conditions such as an octagon. The two electrode thin films 16 facing each other are drawn out to the opposite ends of the vibrating portion 20.
【００１３】このような圧電共振子１０の共振特性が、
図６に示されている。図６からわかるように、この発明
の圧電共振子１０では、主振動の後方のスプリアス振動
がない共振特性を得ることができる。この圧電共振子１
０の特性を説明するために、主振動（Ｓ0 モード）とス
プリアス振動（Ｓ1 モード〜Ｓ9 モード）の関係を図７
に示した。図７において、横軸は共振周波数を示し、縦
軸は電極薄膜１６の半径ｒと振動部２０の厚みｔとの比
ｒ／ｔを示している。図７において、ある電極半径から
横軸に平行な線を引き、各モードの曲線との交点から横
軸に向けて垂線を下ろしたとき、横軸との交点の値が各
モードの共振周波数を示す。The resonance characteristic of such a piezoelectric resonator 10 is
It is shown in FIG. As can be seen from FIG. 6, the piezoelectric resonator 10 of the present invention can obtain resonance characteristics without spurious vibrations behind the main vibration. This piezoelectric resonator 1
In order to explain the characteristics of 0, the relationship between the main vibration (S 0 mode) and the spurious vibration (S 1 mode to S 9 mode) is shown in FIG.
It was shown to. In FIG. 7, the horizontal axis represents the resonance frequency, and the vertical axis represents the ratio r / t between the radius r of the electrode thin film 16 and the thickness t of the vibrating portion 20. In FIG. 7, when a line parallel to the horizontal axis is drawn from a certain electrode radius and a perpendicular is drawn from the intersection with the curve of each mode toward the horizontal axis, the value at the intersection with the horizontal axis indicates the resonance frequency of each mode. Show.
【００１４】図７から、電極半径ｒを小さくしていく
と、つまり縦軸から引いた直線を下方に移動すると、ス
プリアス振動が主振動から離れていき、電極半径が十分
に小さくなると、各スプリアス振動を示す曲線との交点
をもたなくなる、すなわち、スプリアス振動が発生しな
くなることがわかる。従来は、この性質を利用して、電
極半径を小さくすることで、スプリアス振動を隔離もし
くは抑制していた。From FIG. 7, when the electrode radius r is reduced, that is, when the straight line drawn from the vertical axis is moved downward, the spurious vibrations move away from the main vibration, and when the electrode radius becomes sufficiently small, the spurious vibrations are reduced. It can be seen that there is no intersection with the curve indicating vibration, that is, spurious vibration does not occur. Conventionally, this property has been utilized to reduce the radius of the electrode to isolate or suppress spurious vibrations.
【００１５】一方、電極半径ｒを大きくしていくと、つ
まり縦軸から引いた直線を上方に移動すると、スプリア
ス振動が主振動に接近してくる。この性質を利用して、
電極半径ｒを十分に大きくし、主振動近傍にスプリアス
振動を集中させたものが、この発明の圧電共振子１０で
ある。この場合、電極半径ｒの大きさが不十分である
と、従来の圧電共振子と同様に、主振動後方にスプリア
ス振動が発生、あるいは主振動にスプリアス振動が重な
り歪んだ共振特性となる。有限要素法解析および実験に
より、ｒ／ｔは２０／ｎ以上で主振動近傍にスプリアス
振動が集中し、図６に示すような良好な特性が得られる
ことがわかった。特に、共振子の機械的品質係数Ｑｍが
１０００以上の場合、ｒ／ｔは４０／ｎ以上であるとき
に、良好な特性が得られることがわかった。良好な特性
を得るためには、ｒ／ｔはより大きいほうが好ましい。
また、電極径が大きいほど圧電共振子１０のインピーダ
ンスを下げることができるため、この発明の圧電共振子
では、インピーダンスの低下とスプリアス振動の影響低
減を両立することができる。On the other hand, when the electrode radius r is increased, that is, when the straight line drawn from the vertical axis is moved upward, the spurious vibration approaches the main vibration. Utilizing this property,
The piezoelectric resonator 10 of the present invention is one in which the electrode radius r is sufficiently large and spurious vibrations are concentrated near the main vibration. In this case, if the size of the electrode radius r is insufficient, spurious vibration occurs behind the main vibration, or spurious vibration is superimposed on the main vibration, resulting in a distorted resonance characteristic, as in the conventional piezoelectric resonator. From the finite element method analysis and experiment, it was found that spurious vibrations were concentrated near the main vibration at r / t of 20 / n or more, and good characteristics as shown in FIG. 6 were obtained. In particular, it has been found that when the mechanical quality factor Qm of the resonator is 1000 or more and when r / t is 40 / n or more, good characteristics are obtained. In order to obtain good characteristics, a larger r / t is preferable.
Moreover, since the impedance of the piezoelectric resonator 10 can be reduced as the electrode diameter is larger, the piezoelectric resonator of the present invention can achieve both reduction of impedance and reduction of influence of spurious vibration.
【００１６】また、主振動近傍にスプリアス振動を集中
させることにより、これらが干渉し、図８に示すよう
に、主振動単独の場合よりも、共振周波数と反共振周波
数との差Δｆが大きくなるという効果もある。このよう
な性質により、電極半径の小さい主振動単独で振動して
いる圧電共振子を用いてラダー型フィルタを構成する場
合に比べて、この発明の圧電共振子１０を用いた場合の
ほうが、通過帯域の広いフィルタを構成することができ
るという特徴がある。Further, by concentrating the spurious vibrations near the main vibration, they interfere with each other, and as shown in FIG. 8, the difference Δf between the resonance frequency and the antiresonance frequency becomes larger than that in the case of the main vibration alone. There is also the effect. Due to such a property, the case where the piezoelectric resonator 10 of the present invention is used passes more than the case where the ladder type filter is configured using the piezoelectric resonator vibrating by the main vibration alone having a small electrode radius. It is characterized in that a filter with a wide band can be constructed.
【００１７】図１および図２に示す構造と同じ圧電共振
子１０について、機械的品質係数Ｑｍを５００とし、電
極半径ｒを１１５μｍに変えて測定した共振特性が、図
９に示されている。なお、圧電共振子１０のＱｍ値は、
振動部２０を構成する薄膜の材料や構成比率を変えるこ
とにより、コントロールすることができる。この圧電共
振子１０では、Ｑｍ値が１０００以上の圧電共振子に比
べて、電極半径ｒが小さくても、スプリアス振動の影響
を小さくすることができる。FIG. 9 shows resonance characteristics of the piezoelectric resonator 10 having the same structure as shown in FIGS. 1 and 2, measured with the mechanical quality factor Qm set to 500 and the electrode radius r changed to 115 μm. The Qm value of the piezoelectric resonator 10 is
It can be controlled by changing the material and the composition ratio of the thin film forming the vibrating section 20. In this piezoelectric resonator 10, the influence of spurious vibration can be reduced as compared with a piezoelectric resonator having a Qm value of 1000 or more, even if the electrode radius r is small.
【００１８】電極半径ｒを小さくしていくと、スプリア
ス振動は主振動から離れていく傾向にある。したがっ
て、電極半径が小さくなると、共振部と反共振部との間
にリップルが生じやすくなる。一方、共振子のＱｍ値が
小さくなると、機械的振動における損失が大きくなり、
レスポンスとしては小さくなっていく。そこで、共振子
のＱｍ値を小さくし、スプリアス振動のレスポンスを小
さくすることで、リップルの影響を低減することがで
き、小さい電極半径でスプリアス振動の影響を小さくで
きるという効果を得ることができる。有限要素法解析お
よび実験により、Ｑｍ値が１０００より小さい場合、ｒ
／ｔは２０／ｎ以上で主振動近傍にスプリアス振動が集
中し、図９に示すように、良好な特性が得られることが
わかった。したがって、Ｑｍ値を低くすることは、特に
小型の圧電共振子が要求される場合に有用である。As the electrode radius r is reduced, the spurious vibration tends to move away from the main vibration. Therefore, when the electrode radius is small, ripples are likely to occur between the resonance part and the anti-resonance part. On the other hand, when the Qm value of the resonator decreases, the loss due to mechanical vibration increases,
The response becomes smaller. Therefore, by reducing the Qm value of the resonator and reducing the response of spurious vibrations, the effect of ripples can be reduced, and the effect of reducing the effect of spurious vibrations with a small electrode radius can be obtained. By the finite element method analysis and experiment, when the Qm value is less than 1000, r
It was found that / t was 20 / n or more and spurious vibrations were concentrated near the main vibration, and good characteristics were obtained as shown in FIG. Therefore, lowering the Qm value is useful especially when a small piezoelectric resonator is required.
【００１９】また、図１および図２に示す圧電共振子に
おいて、振動部２０の構成を圧電体ＺｎＯと誘電体Ｓｉ
Ｏ2 をそれぞれ１層とし、計２層の構造として、振動部
２０全体の厚みを約２μｍ、膜厚比（ＳｉＯ2 膜厚／Ｚ
ｎＯ膜厚）を０．５３とすると、共振子の共振周波数温
度係数（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequen
cy）が０の共振子を得ることができる。つまり、温度変
化に対して、共振周波数が変化しない圧電共振子を得る
ことができる。Further, in the piezoelectric resonator shown in FIGS. 1 and 2, the vibrating portion 20 is composed of piezoelectric ZnO and dielectric Si.
O 2 was used as a single layer, the structure of a total of two layers, about 2μm thickness of the whole vibration unit 20, the thickness ratio (SiO 2 film thickness / Z
When the nO film thickness) is 0.53, the resonance frequency temperature coefficient (TCF) of the resonator is shown.
A resonator with cy) of 0 can be obtained. That is, it is possible to obtain a piezoelectric resonator in which the resonance frequency does not change with temperature change.
【００２０】図１０は、ＺｎＯとＳｉＯ2 の２層からな
る厚み縦振動共振子の基本波、２倍波について、その膜
厚比とＴＣＦの関係を示したものである。ＺｎＯの弾性
定数の温度係数がマイナスであるのに対して、ＳｉＯ2
の弾性定数の温度係数はプラスである。したがって、両
者を適当な比率で組合せることにより、図１０に示すよ
うに、ＴＣＦが０である圧電共振子を得ることができ
る。FIG. 10 shows the relationship between the film thickness ratio and the TCF of the fundamental wave and the second harmonic wave of the thickness extensional vibration resonator having two layers of ZnO and SiO 2 . ZnO has a negative temperature coefficient of elastic constant, whereas SiO 2 has a negative temperature coefficient.
The temperature coefficient of the elastic constant of is positive. Therefore, by combining the two in an appropriate ratio, a piezoelectric resonator having a TCF of 0 can be obtained as shown in FIG.
【００２１】さらに、図１１に示すように、この発明の
圧電共振子１０を用いて、ラダー型フィルタ３０を形成
することができる。この場合、電極半径が１５０μｍの
素子と、２００μｍの素子が準備され、直列側に１５０
μｍの圧電共振子１０ａが用いられ、並列側に２００μ
ｍの圧電共振子１０ｂが用いられる。このとき、直列側
共振子１０ａの共振周波数と並列側共振子１０ｂの反共
振周波数とが一致するように、各共振子の厚み構成が微
調整される。この回路はバンドパスフィルタとなり、図
１２に示すような通過特性を得ることができる。Further, as shown in FIG. 11, the piezoelectric resonator 10 of the present invention can be used to form a ladder type filter 30. In this case, an element having an electrode radius of 150 μm and an element having an electrode radius of 200 μm are prepared, and an element having an electrode radius of 150 μm
The piezoelectric resonator 10a of μm is used, and the parallel side is 200 μm.
The m piezoelectric resonator 10b is used. At this time, the thickness configuration of each resonator is finely adjusted so that the resonance frequency of the series resonator 10a and the anti-resonance frequency of the parallel resonator 10b match. This circuit serves as a bandpass filter, and the pass characteristic shown in FIG. 12 can be obtained.
【００２２】このようなバンドパスフィルタ３０におい
て、従来の圧電共振子を用いた場合、並列側共振子の主
振動より高周波側に発生するスプリアス振動により、フ
ィルタの通過帯域中に大きいリップルが生じる。それに
対して、この発明の圧電共振子１０を用いることによ
り、通過帯域中のリップルを小さく抑えることができ
る。また、共振子のΔｆが従来の圧電共振子より広がる
ため、通過帯域幅の広いフィルタを得ることができる。When a conventional piezoelectric resonator is used in such a bandpass filter 30, a large ripple is generated in the pass band of the filter due to spurious vibration generated on the higher frequency side than the main vibration of the parallel side resonator. On the other hand, by using the piezoelectric resonator 10 of the present invention, the ripple in the pass band can be suppressed to a small level. Further, since Δf of the resonator is wider than that of the conventional piezoelectric resonator, a filter having a wide pass band can be obtained.
【００２３】[0023]
【発明の効果】この発明によれば、インピーダンスが小
さく、スプリアス振動の影響の少ない圧電共振子を得る
ことができる。また、共振子のＱｍ値を下げることによ
り、より小さい電極半径でスプリアス抑制効果を有する
圧電共振子を得ることができ、小型で低スプリアスの圧
電共振子を得ることができる。さらに、振動部を構成す
る圧電体と誘電体の弾性定数の温度係数を互いに逆符号
とし、適切な膜厚比で組合せることにより、ＴＣＦを０
にすることが可能となる。そのため、温度変化に対して
安定した共振周波数を有し、かつスプリアス振動の低減
された圧電共振子を得ることができる。また、この発明
の圧電共振子を用いることにより、圧電共振子のスプリ
アス振動の影響により通過帯域内に生じるリップルが小
さく、しかも、共振子のΔｆが大きいことにより、より
広い通過帯域を有するバンドパスフィルタを得ることが
できる。According to the present invention, it is possible to obtain a piezoelectric resonator having a low impedance and a small influence of spurious vibration. Further, by reducing the Qm value of the resonator, it is possible to obtain a piezoelectric resonator having a spurious suppressing effect with a smaller electrode radius, and it is possible to obtain a piezoelectric resonator having a small size and low spurious. Further, the temperature coefficient of the elastic constants of the piezoelectric body and the dielectric material forming the vibrating section have opposite signs to each other, and by combining them at an appropriate film thickness ratio, the TCF is reduced to 0.
It becomes possible to Therefore, it is possible to obtain a piezoelectric resonator having a stable resonance frequency with respect to temperature changes and having reduced spurious vibrations. Further, by using the piezoelectric resonator of the present invention, the ripple generated in the pass band due to the influence of the spurious vibration of the piezoelectric resonator is small, and the Δf of the resonator is large, so that the band pass having a wider pass band is obtained. You can get a filter.
【図１】この発明の圧電共振子の一例を示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view showing an example of a piezoelectric resonator of the present invention.
【図２】図１に示す圧電共振子の断面図解図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the piezoelectric resonator shown in FIG.
【図３】この発明の圧電共振子の他の例を示す平面図で
ある。FIG. 3 is a plan view showing another example of the piezoelectric resonator of the present invention.
【図４】この発明の圧電共振子のさらに他の例を示す平
面図である。FIG. 4 is a plan view showing still another example of the piezoelectric resonator of the present invention.
【図５】この発明の圧電共振子の別の例を示す平面図で
ある。FIG. 5 is a plan view showing another example of the piezoelectric resonator of the present invention.
【図６】図１に示す圧電共振子の共振特性を示す特性図
である。6 is a characteristic diagram showing resonance characteristics of the piezoelectric resonator shown in FIG.
【図７】圧電共振子の主振動とスプリアス振動との関係
を示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing a relationship between main vibration and spurious vibration of a piezoelectric resonator.
【図８】この発明の圧電共振子の共振特性と主振動単独
を用いた圧電共振子の共振特性を示す特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing the resonance characteristics of the piezoelectric resonator of the present invention and the resonance characteristics of the piezoelectric resonator using only the main vibration.
【図９】機械的品質係数Ｑｍを５００にしたときの圧電
共振子の共振特性を示す特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing resonance characteristics of a piezoelectric resonator when a mechanical quality coefficient Qm is set to 500.
【図１０】ＺｎＯとＳｉＯ2 の２層からなる圧電共振子
の基本波および２倍波について、膜厚比とＴＣＦとの関
係を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a relationship between a film thickness ratio and TCF for a fundamental wave and a second harmonic wave of a piezoelectric resonator including two layers of ZnO and SiO 2 .
【図１１】この発明の圧電共振子を組合せたラダー型フ
ィルタを示す等価回路図である。FIG. 11 is an equivalent circuit diagram showing a ladder type filter in which the piezoelectric resonator of the present invention is combined.
【図１２】図１１に示すラダー型フィルタの通過特性を
示す特性図である。12 is a characteristic diagram showing pass characteristics of the ladder filter shown in FIG.
【図１３】（ａ）（ｂ）は従来の圧電共振子の一例を示
す図解図である。13A and 13B are schematic diagrams showing an example of a conventional piezoelectric resonator.
【図１４】図１３に示す従来の圧電共振子の共振特性を
示す特性図である。FIG. 14 is a characteristic diagram showing resonance characteristics of the conventional piezoelectric resonator shown in FIG.
１０ 圧電共振子 １２ 基板 １４ 誘電体薄膜 １６ 電極薄膜 １８ 圧電体薄膜 ２０ 振動部 ３０ ラダー型フィルタ 10 Piezoelectric resonator 12 substrates 14 Dielectric thin film 16 electrode thin film 18 Piezoelectric thin film 20 Vibration part 30 ladder type filter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 欧州特許出願公開680142（ＥＰ，Ａ １) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/17 H03H 9/58 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References European patent application publication 680142 (EP, A 1) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H03H 9/17 H03H 9/58
Claims (5)
圧電体と誘電体の多層構造からなる振動部、および前記
振動部に形成される少なくとも１対の対向する電極を含
む厚み縦振動または厚みすべり振動のｎ次モードを利用
した圧電共振子において、 前記電極対向部の平面形状が円形または円形を内包する
任意の形状であって、前記円形の半径をｒ、前記電極の
対向部における前記振動部の厚みをｔとしたとき、前記
半径ｒが、ｒ≧４０ｔ／ｎの範囲にあり、かつ、機械的
品質係数Ｑｍが１０００以上であることを特徴とする、
圧電共振子。1. A thickness longitudinal vibration or a thickness slip including a vibrating portion having at least one or more layers of a piezoelectric body or a multilayer structure of a piezoelectric body and a dielectric, and at least one pair of opposing electrodes formed in the vibrating portion. In a piezoelectric resonator using an n-th mode of vibration, a planar shape of the electrode facing portion is a circle or an arbitrary shape including a circle, the radius of the circle is r, and the vibrating portion in the facing portion of the electrode is The radius r is within the range of r ≧ 40t / n, and
The quality factor Qm is 1000 or more,
Piezoelectric resonator.
圧電体と誘電体の多層構造からなる振動部、および前記
振動部に形成される少なくとも１対の対向する電極を含
む厚み縦振動または厚みすべり振動のｎ次モードを利用
した圧電共振子において、 前記電極対向部の平面形状が円形または円形を内包する
任意の形状であって、前記円形の半径をｒ、前記電極の
対向部における前記振動部の厚みをｔとしたとき、前記
半径ｒが、ｒ≧２０ｔ／ｎの範囲にあり、かつ、機械的
品質係数Ｑｍが１０００より小さいことを特徴とする、
圧電共振子。2. A piezoelectric body having at least one layer, or
A vibrating section having a multilayer structure of a piezoelectric body and a dielectric body, and
It includes at least one pair of opposing electrodes formed on the vibrating portion.
Uses nth mode of thickness longitudinal vibration or thickness sliding vibration
In the piezoelectric resonator, the planar shape of the electrode facing portion is circular or includes a circle.
An arbitrary shape, where r is the radius of the circle,
When the thickness of the vibrating portion in the facing portion is t,
Radius r is in the range of r ≧ 20t / n and mechanical
Characterized in that the quality factor Qm is less than 1000,
Piezoelectric resonator.
構造からなる圧電共振子であって、前記圧電体および前
記誘電体の少なくとも１つの弾性定数の温度係数が、他
の圧電体および誘電体の弾性定数の温度係数と逆符号で
あることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載
の圧電共振子。3. The vibrating section is a piezoelectric resonator having a multilayer structure of a piezoelectric body and a dielectric body, wherein the temperature coefficient of at least one elastic constant of the piezoelectric body and the dielectric body is different from that of the other piezoelectric body and the dielectric body. The piezoelectric resonator according to claim 1 or 2 , wherein the temperature coefficient of the elastic constant of the body has the opposite sign.
らなる圧電共振子であって、前記圧電体の少なくとも１
つの弾性定数の温度係数が、他の圧電体の弾性定数の温
度係数と逆符号であることを特徴とする、請求項１また
は請求項２に記載の圧電共振子。4. The vibrating section is a piezoelectric resonator having a multilayer structure of a plurality of piezoelectric bodies, and at least one of the piezoelectric bodies is provided.
Temperature coefficient of One elastic constant, characterized in that it is a temperature coefficient opposite sign of the elastic constants of the other piezoelectric element, also claim 1
Is the piezoelectric resonator according to claim 2 .
タであって、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の圧電共振子を少なくとも１つ含む、圧電フィルタ。5. A piezoelectric filter comprising a combination of a plurality of piezoelectric resonators, the piezoelectric filter including at least one piezoelectric resonator according to any one of claims 1 to 4 .
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- 2000-06-23 JP JP2000189125A patent/JP3498682B2/en not_active Expired - Lifetime
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