JP3486892B2 - Excessive voltage input protection circuit for RTD input - Google Patents
Excessive voltage input protection circuit for RTD inputInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、測温抵抗体をセン
サとする温度伝送器の入力に過大電圧が加えられた場合
の保護回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の測温抵抗体入力回路の例を図３、
図４に示す。図３において、１は一端がグランドに他端
が抵抗Ｒ３の一端に接続された測温抵抗体（以下ＲＴＤ
という）であり、この抵抗Ｒ３の他端はＭＯＳトランジ
スタＱ１のソースＳに接続されるとともにアノード側が
グランドに接続されたツエナダイオードＤ１のカソード
側に接続されている。
【０００３】ＭＯＳトランジスタＱ１のソース側は抵抗
Ｒ１を介して電源ＶＲＥＦに接続され、ゲートＧは抵抗
Ｒ２を介してスイッチ制御回路２に接続されている。抵
抗Ｒ１とＭＯＳトランジスタＱ１のソースＳの接続点に
は端子Ｔ１が接続されている。
【０００４】図４は他の従来例を示すもので、この例で
は図３に示す抵抗Ｒ３の代わりにダイオードＤ２が用い
られ、カソード側がＲＴＤ１の一端に接続され、アノー
ド側がＭＯＳトランジスタＱ１のドレインＤに接続され
ている。また、ここではＭＯＳトランジスタＱ１のドレ
インＤ側にツエナダイオードＤ３のアノードが接続さ
れ、カソード側がゲートＧに接続されている。
【０００５】上記の従来例において、図３，図４どちら
の回路も抵抗Ｒ１の電圧降下を電源ＶＲＥＦと端子Ｔ１
の間で測定することによってＲＴＤ１に流れている電流
を求め、これとＲＴＤ１の端子間電圧からＲＴＤ１の抵
抗値を求めることができる。ＭＯＳトランジスタＱ１は
ＲＴＤ１に流れる電流のスイッチとして機能し、制御回
路２（ＣＮＴ）によって必要な期間だけＯＮになる。
【０００６】図３の回路ではＭＯＳトランジスタＱ１に
加わる電圧をツェナダイオードＤ１によって制限し、こ
のツェナダイオードＤ１に流れる電流を抵抗Ｒ３で制限
している。このような回路においては、最大許容電圧は
概ねＲ３の許容電力損失できまる。
【０００７】図４の回路ではＭＯＳトランジスタＱ１の
ソースＳに正の電圧が加わったときはダイオードＤ２が
逆バイアスになって電流の流入を防ぎ、負の電圧が加わ
ったときはＭＯＳトランジスタＱ１がＯＮになるので、
回路内の電流をＲ１、Ｒ２で制限する。ツェナダイオー
ドＤ３はＱ１のゲート・ソース間電圧を制限する。Ｒ２
は比較的高抵抗なので最大許容電圧はダイオードＤ２の
耐電圧とＲ１の許容電力損失できまる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、温度伝送器
では消費電流の制限等から基準電圧ＶＲＥＦを高くとる
ことができず、図３の抵抗Ｒ３の電圧降下および図４の
ダイオードＤ２の順電圧降下が無視できない。
【０００９】また、図３の回路ではＲ３の抵抗値が十分
に大きくないと防爆規格上の制限からサイズの大きな抵
抗器を採用しなければならず、図４の回路ではツェナダ
イオードＤ３の漏れ電流が比較的大きく測定上の誤差に
なる可能性がある。
【００１０】温度伝送器では基板実装面積およびコスト
の点から、より部品点数の多い複雑な保護回路を採用す
るのは困難である．本発明は、上記従来技術の問題点を
解決するためになされたもので、ＲＴＤ１を接続する入
力端子に誤って電源等を接続した場合など過電圧が加わ
ったとき、電流スイッチとして機能するＭＯＳトランジ
スタＱ１、および他の内部回路を損傷しないような過大
電圧入力保護回路を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明では、ＭＯＳトランジスタを用いて測温
抵抗体の測温電流をオンオフする温度伝送器の入力部分
において、一端がグランドまたは回路内の安定電位部に
他端がＭＯＳトランジスタ（Ｑ１）のドレイン端子に接
続された測温抵抗体（ＲＴＤ）と、前記ＭＯＳトランジ
スタのドレイン端子にエミッタ端子が接続され、コレク
タ端子が前記ＭＯＳトランジスタのゲートに接続される
とともにベース端子が抵抗（Ｒ３）を介してグランドま
たは回路内の安定電位部に接続されたバイポーラトラン
ジスタ（Ｑ２）と、からなり、前記ＭＯＳトランジスタ
のソース端子は抵抗（Ｒ１）を介して電源に接続され、
ゲート端子は抵抗（Ｒ２）を介して制御回路に接続され
たことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図１は本発明の実施の形態の一例を示す保護
回路を含む測温抵抗体入力回路の構成図である。
【００１３】なお、図３と同一要素には同一符号を付し
て重複する説明は省略する。本発明ではＭＯＳトランジ
スタＱ１のゲートＧと抵抗Ｒ２の接続点にバイポーラト
ランジスタＱ２のコレクタＣを接続し、エミッタＥをＭ
ＯＳトランジスタＱ１のドレインＤに接続し、ベースＢ
を抵抗Ｒ３を介してグランドまたは回路内の安定電位部
に接続している。また、図３におけるツエナダイオード
Ｄ１はここでは除去する。
【００１４】図１において、通常動作時はＲＴＤ１の測
定電流は、抵抗Ｒ１を通ってＭＯＳトランジスタＱ１に
よってＯＮ/ＯＦＦされ、ＲＴＤ１に流れる。電流値は
抵抗Ｒ１の両端電圧を測定することによって知ることが
でき、この電流値とＲＴＤ１の両端電圧からＲＴＤ１の
抵抗値を求めることができる。
【００１５】このとき、保護回路のバイポーラトランジ
スタＱ２のエミッタ・ベース間は逆バイアスになってい
てＱ２はＯＦＦになっているのでＱ２は回路動作に影響
をあたえない。バイポーラトランジスタＱ２のエミッタ
Ｅの電圧は高々１Ｖ程度なのでエミッタ接合のリーク電
流はわずかである。
【００１６】入力にマイナスの過大電圧が加えられる
と、バイポーラトランジスタＱ２のエミッタがマイナス
電圧になり、抵抗Ｒ３を通してベース電流が流れＱ２は
ONになる。したがって、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲー
ト電圧はほぼソース電圧に等しくなり、Ｑ１はＯＦＦに
なる。
【００１７】入力電圧はＭＯＳトランジスタＱ１が負担
することになるから、抵抗Ｒ２およびＲ３が十分に高い
抵抗値であれば（たとえば１００ＫΩ）入力の過大電圧
はＭＯＳトランジスタＱ１のソース−ドレイン耐圧から
ＶＲＥＦを差し引いた電圧まで耐えることができる。
【００１８】入力にプラスの過大電圧が加えられたとき
はＭＯＳトランジスタＱ１の寄生ダイオードが導通する
から、入力電圧のほとんどは抵抗Ｒ１が負担することに
なる．Ｒ１の抵抗値はたとえば１０ＫΩ程度にしておけ
ば４０Ｖ程度の入力電圧に耐えることができ、温度伝送
器の仕様としては十分である。
【００１９】このときにはまた、バイポーラトランジス
タＱ２のエミッタにプラスの過大電圧が加わるので、Ｑ
２のエミッタ−ベース間は逆バイアスになる．シリコン
トランジスタのエミッタ接合は通常８〜９Ｖ程度でブレ
ークダウンし、ツェナダイオードと等価になるから、ベ
ース電圧はプラスになり、ベース・コレクタ間は順バイ
アスになるので、等価的には図２の回路のようになり、
ＭＯＳトランジスタＱ１のソース−ゲート間電圧は高々
１０Ｖ程度に抑えられ、ゲート酸化膜の破壊から保護さ
れる。
【００２０】なお、本発明の以上の説明は、説明および
例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎな
い。したがって本発明はその本質から逸脱せずに多くの
変更、変形をなし得ることは当業者に明らかである。特
許請求の範囲の欄の記載により定義される本発明の範囲
は、その範囲内の変更、変形を包含するものとする。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｍ
ＯＳトランジスタを用いて測温抵抗体の測温電流をオン
オフする温度伝送器の入力部分において、一端がグラン
ドまたは回路内の安定電位部に他端がＭＯＳトランジス
タ（Ｑ１）のドレイン端子に接続された測温抵抗体（Ｒ
ＴＤ）と、前記ＭＯＳトランジスタのドレイン端子にエ
ミッタ端子が接続され、コレクタ端子が前記ＭＯＳトラ
ンジスタのゲートに接続されるとともにベース端子が抵
抗（Ｒ３）を介してグランドまたは回路内の安定電位部
に接続されたバイポーラトランジスタ（Ｑ２）と、から
なり、前記ＭＯＳトランジスタのソース端子は抵抗（Ｒ
１）を介して電源に接続され、ゲート端子は抵抗（Ｒ
２）を介して制御回路に接続されるように構成した。そ
の結果、
（１）電流スイッチと測温抵抗体の間に抵抗器やダイオ
ードが入らないので電圧降下がない。
（２）部品点数が少ない。トランジスタ１個と抵抗器１
個である。
（３）使用部品が比較的低コストである。
等の効果がある。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protection circuit when an excessive voltage is applied to an input of a temperature transmitter using a resistance temperature sensor as a sensor. 2. Description of the Related Art FIG. 3 shows an example of a conventional resistance thermometer input circuit.
As shown in FIG. In FIG. 3, reference numeral 1 denotes a resistance thermometer (hereinafter referred to as RTD) having one end connected to ground and the other end connected to one end of a resistor R3.
The other end of the resistor R3 is connected to the source S of the MOS transistor Q1 and is connected to the cathode of a zener diode D1 whose anode is connected to the ground. The source side of the MOS transistor Q1 is connected to a power supply VREF via a resistor R1, and the gate G is connected to a switch control circuit 2 via a resistor R2. A terminal T1 is connected to a connection point between the resistor R1 and the source S of the MOS transistor Q1. FIG. 4 shows another conventional example. In this example, a diode D2 is used instead of the resistor R3 shown in FIG. 3, the cathode is connected to one end of the RTD1, and the anode is the drain D of the MOS transistor Q1. It is connected to the. Here, the anode of the Zener diode D3 is connected to the drain D side of the MOS transistor Q1, and the cathode side is connected to the gate G. [0005] In the above-mentioned conventional example, in both the circuits shown in FIGS. 3 and 4, the voltage drop of the resistor R 1 is controlled by the power supply VREF and the terminal T 1.
The current flowing through the RTD1 is determined by measuring the current between the two, and the resistance value of the RTD1 can be determined from this and the voltage between the terminals of the RTD1. The MOS transistor Q1 functions as a switch for the current flowing through the RTD1, and is turned on only for a necessary period by the control circuit 2 (CNT). In the circuit of FIG. 3, the voltage applied to the MOS transistor Q1 is limited by a Zener diode D1, and the current flowing through the Zener diode D1 is limited by a resistor R3. In such a circuit, the maximum allowable voltage is approximately determined by the allowable power loss of R3. In the circuit shown in FIG. 4, when a positive voltage is applied to the source S of the MOS transistor Q1, the diode D2 is reverse-biased to prevent the inflow of current, and when a negative voltage is applied, the MOS transistor Q1 is turned on. So
The current in the circuit is limited by R1 and R2. Zener diode D3 limits the gate-source voltage of Q1. R2
Is relatively high resistance, the maximum allowable voltage is determined by the withstand voltage of the diode D2 and the allowable power loss of R1. However, in the temperature transmitter, the reference voltage VREF cannot be set high due to the limitation of current consumption, etc., and the voltage drop of the resistor R3 in FIG. 3 and the voltage drop of the diode D2 in FIG. The forward voltage drop cannot be ignored. In the circuit of FIG. 3, if the resistance value of R3 is not sufficiently large, a resistor having a large size must be adopted due to the restriction on the explosion-proof standard. In the circuit of FIG. May be relatively large and result in measurement errors. In a temperature transmitter, it is difficult to employ a complicated protection circuit having a larger number of components in terms of a board mounting area and cost. The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems of the prior art. When an overvoltage is applied, for example, when a power supply or the like is erroneously connected to an input terminal connecting the RTD1, a MOS transistor Q1 functioning as a current switch is provided. And an overvoltage input protection circuit which does not damage other internal circuits. [0011] According to an aspect of the present invention to achieve the above object, in the input portion of the temperature transmitter for turning on and off the temperature measuring current RTD using MOS transistors, one end To ground or a stable potential section in the circuit
The other end is connected to the drain terminal of the MOS transistor (Q1)
The connected RTD and the MOS transistor
The emitter terminal is connected to the drain terminal of the
Data terminal is connected to the gate of the MOS transistor.
At the same time, the base terminal is connected to ground via a resistor (R3).
Or a bipolar transistor connected to a stable potential
A MOS transistor, comprising: a transistor (Q2);
Is connected to a power supply via a resistor (R1),
The gate terminal is connected to the control circuit via the resistor (R2)
It is characterized in that the. The present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a resistance thermometer input circuit including a protection circuit according to an embodiment of the present invention. The same elements as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. In the present invention, the collector C of the bipolar transistor Q2 is connected to the connection point between the gate G of the MOS transistor Q1 and the resistor R2, and the emitter E is connected to M
Connected to the drain D of the OS transistor Q1, the base B
Is connected to ground or a stable potential portion in the circuit via a resistor R3. The zener diode D1 in FIG. 3 is removed here. In FIG. 1, during normal operation, the measured current of the RTD1 is turned on / off by the MOS transistor Q1 through the resistor R1 and flows to the RTD1. The current value can be known by measuring the voltage across the resistor R1, and the resistance value of the RTD1 can be obtained from this current value and the voltage across the RTD1. At this time, since the emitter-base of the bipolar transistor Q2 of the protection circuit is reverse-biased and Q2 is OFF, Q2 does not affect the circuit operation. Since the voltage at the emitter E of the bipolar transistor Q2 is at most about 1 V, the leakage current at the emitter junction is small. When a negative excessive voltage is applied to the input, the emitter of the bipolar transistor Q2 becomes a negative voltage, a base current flows through the resistor R3, and Q2
Turns on. Therefore, the gate voltage of the MOS transistor Q1 becomes substantially equal to the source voltage, and Q1 is turned off. Since the input voltage is borne by the MOS transistor Q1, if the resistors R2 and R3 have sufficiently high resistance values (for example, 100 KΩ), an excessive input voltage will cause VREF to be reduced from the source-drain breakdown voltage of the MOS transistor Q1. It can withstand the deducted voltage. When a positive excessive voltage is applied to the input, the parasitic diode of the MOS transistor Q1 conducts, so that most of the input voltage is borne by the resistor R1. If the resistance value of R1 is, for example, about 10 KΩ, it can withstand an input voltage of about 40 V, which is sufficient for the specification of the temperature transmitter. At this time, a positive excessive voltage is applied to the emitter of bipolar transistor Q2.
Reverse bias is applied between the emitter and base of No. 2. Since the emitter junction of a silicon transistor normally breaks down at about 8 to 9 V and becomes equivalent to a zener diode, the base voltage becomes positive and the base-collector becomes forward-biased. Like
The voltage between the source and the gate of the MOS transistor Q1 is suppressed to at most about 10 V, and is protected from the destruction of the gate oxide film. It is to be noted that the above description of the present invention has been presented by way of illustration and example only, and of particular preferred embodiments. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that the present invention may be modified or modified in many ways without departing from its essentials. The scope of the present invention defined by the description of the claims is intended to cover alterations and modifications within the scope. As described above, according to the present invention, M
One end of the input terminal of the temperature transmitter that turns on and off the temperature measurement current of the resistance temperature detector using the OS transistor is grounded.
The other end is a MOS transistor at the stable potential portion in the circuit or circuit.
Resistance (R) connected to the drain terminal of the
TD) and the drain terminal of the MOS transistor
The emitter terminal is connected and the collector terminal is connected to the MOS transistor.
Connected to the transistor gate and the base terminal
Ground via a resistor (R3) or stable potential part in the circuit
And a bipolar transistor (Q2) connected to
And the source terminal of the MOS transistor is a resistor (R
1), and the gate terminal is connected to a resistor (R
It was configured to be connected to the control circuit via 2) . As a result, (1) there is no voltage drop because no resistor or diode is inserted between the current switch and the resistance bulb. (2) The number of parts is small. One transistor and one resistor
Individual. (3) The parts used are relatively inexpensive. And so on.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る測温抵抗体入力の過大電圧入力保
護回路の実施の形態の一例を示す構成図である。
【図２】図１に示すバイポーラトランジスタＱ２のベー
ス・コレクタ間の等価回路図である。
【図３】従来の測温抵抗体入力の過大電圧入力保護回路
の一例を示す構成図である。
【図４】従来の測温抵抗体入力の過大電圧入力保護回路
の他の例を示す構成図である。
【符号の説明】
１ 測温抵抗体（ＲＴＤ）
２ 制御回路（ＣＮＴ）
Ｄ１，Ｄ３ ツエナダイオード
Ｄ２ ダイオード
Ｑ１ ＭＯＳトランジスタ
Ｑ２ バイポーラトランジスタ
Ｒ１〜Ｒ３ 抵抗.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of an embodiment of an excessive voltage input protection circuit for temperature measuring resistor input according to the present invention. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram between a base and a collector of the bipolar transistor Q2 shown in FIG. FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of a conventional excessive voltage input protection circuit for resistance temperature detector input. FIG. 4 is a configuration diagram showing another example of a conventional excessive voltage input protection circuit for resistance bulb input. [Explanation of Signs] 1 RTD 2 Control circuit (CNT) D1, D3 Zener diode D2 Diode Q1 MOS transistor Q2 Bipolar transistor R1 to R3 Resistance.
Claims (1)
測温電流をオンオフする温度伝送器の入力部分におい
て、一端がグランドまたは回路内の安定電位部に他端が
ＭＯＳトランジスタ（Ｑ１）のドレイン端子に接続され
た測温抵抗体（ＲＴＤ）と、前記ＭＯＳトランジスタの
ドレイン端子にエミッタ端子が接続され、コレクタ端子
が前記ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されるととも
にベース端子が抵抗（Ｒ３）を介してグランドまたは回
路内の安定電位部に接続されたバイポーラトランジスタ
（Ｑ２）と、からなり、前記ＭＯＳトランジスタのソー
ス端子は抵抗（Ｒ１）を介して電源に接続され、ゲート
端子は抵抗（Ｒ２）を介して制御回路に接続されたこと
を特徴とする測温抵抗体入力の過大電圧入力保護回路。(57) [Claim 1] In an input part of a temperature transmitter for turning on / off a temperature measuring current of a temperature measuring resistor using a MOS transistor, one end is connected to a ground or a stable potential portion in a circuit. End
Connected to the drain terminal of the MOS transistor (Q1)
Resistance temperature detector (RTD) and the MOS transistor
The emitter terminal is connected to the drain terminal, and the collector terminal
Is connected to the gate of the MOS transistor.
When the base terminal is grounded or turned via a resistor (R3)
Bipolar transistor connected to a stable potential section in the path
(Q2), the source of the MOS transistor
Terminal is connected to a power supply via a resistor (R1),
An excessive voltage input protection circuit for temperature measuring resistor input, wherein a terminal is connected to a control circuit via a resistor (R2) .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29655498A JP3486892B2 (en) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | Excessive voltage input protection circuit for RTD input |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29655498A JP3486892B2 (en) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | Excessive voltage input protection circuit for RTD input |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000121450A JP2000121450A (en) | 2000-04-28 |
| JP3486892B2 true JP3486892B2 (en) | 2004-01-13 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007198946A (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Omron Corp | Input circuit and measurement apparatus |
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1998
- 1998-10-19 JP JP29655498A patent/JP3486892B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2000121450A (en) | 2000-04-28 |
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