JP3485692B2 - Optical pickup - Google Patents
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- Polarising Elements (AREA)
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク、光カ
ード、或いは光磁気ディスクなどの情報記録媒体に記録
される情報の再生又は再生と記録を行う光ピックアップ
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup which reproduces or reproduces and records information recorded on an information recording medium such as an optical disk, an optical card, or a magneto-optical disk.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えばコンパクトディスクと、デジタル
ビデオディスクとでは、ディスクを構成する透明基板の
表面から記録層までの距離が、前者は1.2mm、後者
は0.6mmというように互いに異なっている。一方、
このように規格の異なる2種のディスクを単一の光ピッ
クアップで再生する互換性の要求がある。2. Description of the Related Art For example, a compact disc and a digital video disc differ from each other in the distance from the surface of a transparent substrate constituting the disc to the recording layer such that the former is 1.2 mm and the latter is 0.6 mm. . on the other hand,
Thus, there is a demand for compatibility of reproducing two types of discs having different standards with a single optical pickup.
【0003】従来のこの種の互換性のある光ピックアッ
プとして、二焦点光ヘッドが提案されている(1994
年9月応用物理学会学術講演会:19p−S−4:19
p−S−5参照)。この二焦点光ヘッドは、格子レンズ
により、一つの光源からの光ビーム(635nm〜65
0nm)を0次回折光と1次回折光とに分離し、二つの
焦点を同時に発生させる構成になっている。具体的に
は、図6に示すように、前記格子レンズ101には、光
源105から出射されハーフミラー106にて反射され
た光ビームをそのまま透過させる領域と、光ビームを広
げる方向に回折させる領域が形成されており、前記0.
6mmのディスク102に対してはそのまま透過させた
光ビーム(0次回折光)を用い、前記1.2mmのディ
スク103に対しては広がる方向に回折された光ビーム
(1次回折光)を用いることで、対物レンズ104を経
た光ビームの合焦点位置が異なるようになっている。ま
た、格子レンズ101の開口を制限し、1次回折光の対
物レンズ位置でのビーム径が対物レンズ104の有効径
よりも小さくなるようになっている。従って、1.2m
mのディスク103に対しては、焦点位置が遠ざかるこ
ととビーム径が小さくなることで実効的NAが小さくな
り、ディスク厚増加による球面収差の発生を防止でき
る。なお、光ディスクにて反射された光は、ハーフミラ
ー106を透過して受光素子107に入射される。A bifocal optical head has been proposed as a conventional compatible optical pickup of this type (1994).
Of Applied Physics, September 2013: 19p-S-4: 19
p-S-5). This bifocal optical head uses a grating lens to provide a light beam (635 nm to 65 nm) from one light source.
(0 nm) is split into 0th-order diffracted light and 1st-order diffracted light, and two focal points are generated at the same time. Specifically, as shown in FIG. 6, the grating lens 101 has a region through which the light beam emitted from the light source 105 and reflected by the half mirror 106 is directly transmitted, and a region through which the light beam is diffracted in a spreading direction. Are formed, and the above-mentioned 0.
By using the light beam (0th-order diffracted light) that has been transmitted as it is for the 6 mm disc 102 and using the light beam diffracted in the spreading direction (1st-order diffracted light) for the 1.2 mm disc 103. The focal point positions of the light beam that has passed through the objective lens 104 are different. Further, the aperture of the grating lens 101 is limited so that the beam diameter of the first-order diffracted light at the objective lens position becomes smaller than the effective diameter of the objective lens 104. Therefore, 1.2m
With respect to the disk 103 of m, the effective NA is reduced due to the distance of the focal position and the reduction of the beam diameter, and it is possible to prevent the occurrence of spherical aberration due to the increase of the disk thickness. The light reflected by the optical disk passes through the half mirror 106 and enters the light receiving element 107.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光ピックアップでは、前記0.6mmのディスク1
02に対しては広がる方向に回折された光ビームは用い
られず、また、前記1.2mmのディスク103に対し
てはそのまま透過させた光ビームは用いられないことに
なるため、光ビームの利用効率が悪い。従って、再生だ
けでも高出力の光源(半導体レーザ)が必要になるとい
う欠点がある。更に、635〜650nm等の短波長帯
で発振する半導体レーザは寿命が短く、特に高出力にす
るとより短くなるため、1.2mmのディスク103の
再生時にも当該半導体レーザを使うことになる従来の光
ピックアップでは、十分な信頼性が確保できないという
欠点を有していた。However, in the above conventional optical pickup, the 0.6 mm disc 1 is used.
02, the light beam diffracted in the spreading direction is not used, and the light beam directly transmitted to the 1.2 mm disk 103 is not used. ineffective. Therefore, there is a drawback that a high-output light source (semiconductor laser) is required only for reproduction. Further, since a semiconductor laser which oscillates in a short wavelength band such as 635 to 650 nm has a short life and becomes shorter particularly when the output is high, the semiconductor laser used in reproducing the 1.2 mm disc 103 is used. The optical pickup has a drawback that sufficient reliability cannot be ensured.
【0005】また、前記1.2mmのディスク103が
コンパクトディスクである場合、635nm帯で発振す
る半導体レーザを用いて再生すると、コンパクトディス
クは波長780nmのレーザ光に対して最も収差が少な
くなるように規格化されているので、波長が短い分だけ
透明基板の屈折率が変化し、球面収差が発生しやすくな
り、RF信号(ピット信号)のS/Nやサーボの信頼性
を低下させる問題点も有している。Further, when the 1.2 mm disc 103 is a compact disc, when the reproduction is performed by using a semiconductor laser that oscillates in the 635 nm band, the compact disc has the smallest aberration with respect to the laser beam having the wavelength of 780 nm. Since it is standardized, the refractive index of the transparent substrate changes due to the shorter wavelength, spherical aberration is more likely to occur, and the S / N of RF signals (pit signals) and the reliability of servo also deteriorate. Have
【0006】本発明は、上記の事情に鑑み、光ビームの
利用効率が高く、且つ信頼性の高い光ピックアップを提
供することを目的とする。In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide an optical pickup which has high utilization efficiency of a light beam and high reliability.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
は、第1の偏波方向の光ビームを出射する第1の光源
と、第2の偏波方向の光ビームを出射する第2の光源
と、一方の偏波方向の光ビームに対してのみレンズ機能
を呈する偏波依存格子レンズと、前記偏波依存格子レン
ズを経た光ビームを情報記録媒体上に集光させる集光手
段と、第1の光源と第2の光源のどちからを選択的に駆
動する駆動選択手段とを備えたことを特徴とするAn optical pickup according to the present invention is a first light source that emits a light beam in a first polarization direction.
And a second light source for emitting a light beam in the second polarization direction
And lens function only for the light beam in one polarization direction
And a polarization-dependent grating lens that exhibits
Focusing hand that focuses the light beam that has passed through the beam on the information recording medium
Selectively driving the stage, the first light source or the second light source.
And a driving selection unit that moves.
【0008】これにより、例えば、0.6mmの光ディ
スクで要求される光ビームの合焦点位置、及び1.2m
mの光ディスクで要求される光ビームの合焦点位置を選
択的に形成できるので互換性が実現される。この機能
は、両光ビームが同一波長であっても得られる。また、
光源位置自体を異ならせる場合に生じる問題、即ち、一
方の光源が他方の光源からの光ビームの一部を遮ってし
まうといったことが回避される。As a result, for example, the focus position of the light beam required for an optical disc of 0.6 mm and 1.2 m
Compatibility can be realized because the focal point position of the light beam required by the m optical disc can be selectively formed. This function is obtained even when both light beams have the same wavelength. Also,
Problems that occur when the light source positions themselves are different, that is, that one light source blocks a part of the light beam from the other light source, are avoided.
【0009】[0009]
【0010】第1の光源と第2の光源を同時に駆動する
必要がなく、一方の光源が駆動状態のときには、他方の
光源は停止状態となる。ここで、第1の光源を寿命の短
い短波長発振の半導体レーザとし、第2の光源を長波長
発振の半導体レーザとすることができる。そして、1.
2mmの光ディスクが使用されるときには、第2の光源
である長波長発振の半導体レーザを用い、前記短波長発
振の半導体レーザを停止状態とすることができる。これ
により、前記短波長発振の半導体レーザの相対的な駆動
時間が少なくなる分だけ光ピックアップの寿命を相対的
に長くすることができる。また、一方の偏波方向の光ビ
ームについては偏波依存格子レンズによって回折しない
ので勿論のこと、他方の偏波方向の光ビームについても
偏波依存格子レンズの格子断面形状は望ましい方向にの
み光を回折するようにブレ−ズ化されており、且つ偏波
依存格子レンズに入射するほぼ全ての光が回折するよう
に十分な格子深さを有するようにできるため、光源から
出射され対物レンズに入射された光ビームのほぼ全てを
利用し得る、即ち、光ビームの利用効率が高いので光源
として低出力のものの使用が可能になり、一層の長寿命
化および低コスト化が図れる。It is not necessary to drive the first light source and the second light source at the same time, and when one light source is in a driving state, the other light source is in a stopped state. Here, the first light source may be a short-wavelength oscillation semiconductor laser having a short life, and the second light source may be a long-wavelength oscillation semiconductor laser. And 1.
When a 2 mm optical disk is used, a long wavelength oscillation semiconductor laser, which is the second light source, can be used to stop the short wavelength oscillation semiconductor laser. As a result, the life of the optical pickup can be relatively lengthened by the relative driving time of the short wavelength oscillation semiconductor laser. Further, the light beam in one polarization direction is not diffracted by the polarization dependent grating lens, and of course, the light beam in the other polarization direction has a grating cross-sectional shape of the polarization dependent grating lens only in the desired direction. Since it can be made to have a sufficient grating depth so that almost all the light incident on the polarization dependent grating lens is diffracted, the light is emitted from the light source to the objective lens. Almost all of the incident light beam can be utilized, that is, the utilization efficiency of the light beam is high, so that a light source with a low output can be used, and the life and cost can be further reduced.
【0011】また、上記のように、二つの光源の光ビー
ムの偏波方向とともに波長を相互に相違させ、例えば、
1.2mmの光ディスクの再生時には長波長発振の半導
体レーザを用い、前記偏波依存格子レンズが長波長の光
ビームに対してのみレンズ機能を呈するようにしてお
き、また、当該偏波依存格子レンズの格子パターンを有
する部分の面積を制限し対物レンズ位置での長波長回折
光のビーム径を対物レンズ有効径よりも小さくすること
により集光手段の実効的な開口数(NA)を小さくで
き、ディスク厚増加による球面収差の発生を防止してR
F信号(ピット信号)のS/Nやサーボの信頼性を向上
させることができる。さらに、前記1.2mmの光ディ
スクがコンパクトディスクである場合、規格通りの波長
のレーザ光(780nm)を用いることができるので、
波長が異なることによる球面収差の増大を抑えることが
でき、RF信号(ピット信号)のS/Nやサーボの信頼
性を向上させることができる。Further, as described above, the wavelengths of the light beams of the two light sources are made different from each other along with the polarization directions, and, for example,
When reproducing a 1.2 mm optical disc, a long-wavelength oscillation semiconductor laser is used, and the polarization-dependent grating lens is designed to exhibit a lens function only for a long-wavelength light beam. The effective numerical aperture (NA) of the condensing means can be reduced by limiting the area of the portion having the grating pattern and making the beam diameter of the long-wavelength diffracted light at the objective lens position smaller than the objective lens effective diameter. Prevents spherical aberration due to increased disc thickness
The S / N of the F signal (pit signal) and the reliability of the servo can be improved. Further, when the 1.2 mm optical disc is a compact disc, laser light (780 nm) having a wavelength according to the standard can be used,
It is possible to suppress an increase in spherical aberration due to different wavelengths, and it is possible to improve the S / N ratio of the RF signal (pit signal) and the reliability of the servo.
【0012】なお、使用する情報記録媒体の種類を使用
者が予め知り、所定の操作を行って前記駆動手段により
第1の光源と第2の光源のどちらかを選択的に駆動させ
るようにしてもよいし、或いは、前記駆動選択手段が、
当該光ピックアップが設けられるプレーヤーに情報記録
媒体が装填された当初は第1の光源と第2の光源の両者
を駆動し、装填された情報記録媒体の種類が判別できた
後にその種類に応じて第1の光源と第2の光源のどちら
かを選択的に駆動するように構成されるものであっても
よい。The user knows in advance the type of information recording medium to be used, and performs a predetermined operation to selectively drive either the first light source or the second light source by the driving means. Alternatively, or the drive selection means,
Initially when the information recording medium is loaded into the player provided with the optical pickup, both the first light source and the second light source are driven, and after the type of the loaded information recording medium can be discriminated, according to the type. It may be configured to selectively drive either the first light source or the second light source.
【0013】また、第1の光源と第2の光源が同一平面
上に配置されている構造であれば、各光源への配線など
が簡単に行える。If the first light source and the second light source are arranged on the same plane, wiring to each light source can be easily performed.
【0014】また、TEモードの光ビームを出射する第
1の光源と、TMモードの光ビームを出射する第2の光
源と、一方の光ビームに対してのみレンズ機能を呈する
偏波依存格子レンズとを備えた場合も、TEモードの光
ビームとTMモードの光ビームは互いに偏波方向が異な
るので、上述と同様、両光ビームの互いの合焦点位置を
異ならせることができる。Further, a first light source for emitting a TE mode light beam, a second light source for emitting a TM mode light beam, and a polarization dependent grating lens exhibiting a lens function for only one light beam. Also in the case of including, since the TE mode light beam and the TM mode light beam have different polarization directions from each other, the focal points of the two light beams can be different from each other, as described above.
【0015】そして、上記の偏波依存格子レンズは、プ
ロトン交換法を用いることにより、容易に製造すること
ができる。The above polarization dependent grating lens can be easily manufactured by using the proton exchange method.
【0016】また、本発明の光ピックアップは、前記第
1の光源がAlGaAs系半導体レーザであることを特
徴とする。また、本発明の光ピックアップは、前記第2
の光源が井戸層に引っ張り歪みをもつ量子井戸構造を有
する活性層を備えるAlGaInP系半導体レーザであ
ることを特徴とする。また、本発明の光ピックアップ
は、前記第1の光源から出射された光ビームと、前記第
2の光源から出射された光ビームとを用いて、2種の光
ビームを用いて再生又は再生と記録を行うことを特徴と
する。この場合、互いに記録層までの距離が異なる2種
の情報記録媒体に限らず、互いに記録層までの距離が同
じでも互いにピットの大きさが異なる2種の情報記録媒
体のうち、例えばピット径の小さいものに対して、上記
の少なくとも井戸層に引っ張り歪みをもつ量子井戸構造
を有する活性層を備えるAlGaInP系半導体レーザ
を用い、ピット径の大きいものに例えばAlGaAs系
の半導体レ−ザ(活性層がGaAsの場合も含む)を用
いることができる。なお、この場合は2種の情報記録媒
体に対して焦点位置は同じであるので実効的開口数の切
換えが必要なければ、偏波依存格子レンズは不要であ
る。Further , the optical pickup of the present invention is the above-mentioned
The light source of No. 1 is an AlGaAs semiconductor laser.
To collect . The optical pickup of the present invention is the second
Has a quantum well structure with tensile strain in the well layer.
An AlGaInP-based semiconductor laser having an active layer
It is characterized by Further, the optical pickup of the present invention
Is a light beam emitted from the first light source,
Two kinds of light are used by using the light beam emitted from the two light sources.
Characterized by reproducing or reproducing and recording using a beam
To do . In this case, not only the two types of information recording media having different distances to the recording layers, but also the two types of information recording media having the same distances to the recording layers but different pit sizes, for example, the pit diameter For smaller ones, an AlGaInP-based semiconductor laser having an active layer having a quantum well structure having tensile strain in at least the well layer is used, and for large ones, for example, an AlGaAs-based semiconductor laser (active layer is (Including the case of GaAs) can be used. In this case, since the focal positions are the same for the two types of information recording media, the polarization dependent grating lens is not necessary unless the effective numerical aperture needs to be switched.
【0017】[0017]
【0018】また、偏光素子と、TEモードの光を発振
する半導体レーザと、TMモードの光を発振する半導体
レーザとを備える光ピックアップでは、偏光素子によ
り、特定の偏波方向の光に所定の光学的操作を行わせる
ことができる。例えば、特定モードの光について例えば
仮想光源位置を変化させたり、レンズ光学系の実質的開
口数を変化させるなどの光学的操作を与えることができ
る。従って、特定モードの光(特定モードの光が特定の
波長を有する場合もある)で特定の情報記録媒体の情報
の再生や記録を行うとき、当該特定の情報記録媒体に合
致させた仮想光源位置や実質的開口数を得て、情報の再
生や記録を最適に行うことが可能となる。即ち、一つの
光ピックアップで複数種の情報記録媒体のそれぞれの特
性に合わせた最適な情報の再生や記録等を行うことが可
能となる。勿論、前記TEモード光を発振する半導体レ
ーザとTMモードの光を発振する半導体レーザの二つの
光源を備えたことで、これら二つの光源を択一的に用い
て光ピックアップ全体としての寿命を長くし、また、各
光ビームが用いられるときにそのほぼ全てを活用するよ
うにして光ビームの利用効率を高めることもできる。Further , the polarization element and the TE mode light are oscillated.
Semiconductor laser and semiconductor that oscillates TM mode light
In an optical pickup including a laser, a polarization element can cause light in a specific polarization direction to perform a predetermined optical operation. For example, an optical operation such as changing the virtual light source position or changing the substantial numerical aperture of the lens optical system can be given to the light of the specific mode. Therefore, when the information of the specific information recording medium is reproduced or recorded by the light of the specific mode (the light of the specific mode may have a specific wavelength), the virtual light source position matched with the specific information recording medium By obtaining a substantial numerical aperture, it becomes possible to optimally reproduce and record information. That is, it is possible to perform the optimum reproduction and recording of information according to the characteristics of a plurality of types of information recording media with one optical pickup. Of course, by providing two light sources of the semiconductor laser that oscillates the TE mode light and the semiconductor laser that oscillates the TM mode light, the life of the optical pickup as a whole can be lengthened by selectively using these two light sources. However, it is also possible to enhance the utilization efficiency of the light beams by utilizing almost all of the respective light beams when they are used.
【0019】[0019]
【0020】また、偏光素子と、少なくとも井戸層に引
っ張り歪みをもつ量子井戸構造を有する活性層を備える
AlGaInP系半導体レーザと、AlGaAs系半導
体レーザとを備える光ピックアップでは、偏光素子によ
り、特定の偏波方向の光に所定の光学的操作を行わせる
ことができる。例えば、特定モードの光について例えば
仮想光源位置を変化させたり、レンズ光学系の実質的開
口数を変化させるなどの光学的操作を与えることができ
る。そして、少なくとも井戸層に引っ張り歪みを持つ量
子井戸構造を有する活性層を備えるAlGaInP系半
導体レーザは、TMモードで比較的短波長の光を発振す
る半導体レーザであり、AlGaAs系半導体レーザ
は、TEモードで比較的長波長の光を発振する半導体レ
ーザである。従って、特定モードで且つ特定波長の光で
特定の情報記録媒体の情報の再生や記録を行うとき、当
該特定の情報記録媒体に合致させた仮想光源位置や実質
的開口数を得て、情報の再生や記録を最適に行うことが
可能となる。即ち、一つの光ピックアップで複数種の情
報記録媒体のそれぞれの特性に合わせた最適な情報の再
生や記録等を行うことが可能となる。勿論、前記二つの
半導体レーザを備えたことで、これら二つの半導体レー
ザを択一的に用いて光ピックアップ全体としての寿命を
長くし、また、各光ビームが用いられるときにほぼ全て
を活用するようにして光ビームの利用効率を高めること
もできる。Further , the polarizing element and at least the well layer are drawn.
Providing an active layer with a quantum well structure with tensile strain
AlGaInP semiconductor laser and AlGaAs semiconductor
In the optical pickup including the body laser, the polarization element can cause light in a specific polarization direction to perform a predetermined optical operation. For example, an optical operation such as changing the virtual light source position or changing the substantial numerical aperture of the lens optical system can be given to the light of the specific mode. An AlGaInP-based semiconductor laser including an active layer having a quantum well structure having a tensile strain in at least a well layer is a semiconductor laser that oscillates light having a relatively short wavelength in a TM mode, and an AlGaAs-based semiconductor laser is a TE mode. Is a semiconductor laser that oscillates light having a relatively long wavelength. Therefore, when reproducing or recording information on a specific information recording medium in a specific mode and with light of a specific wavelength, a virtual light source position or a substantial numerical aperture matched to the specific information recording medium is obtained to obtain the information It becomes possible to perform reproduction and recording optimally. That is, it is possible to perform the optimum reproduction and recording of information according to the characteristics of a plurality of types of information recording media with one optical pickup. Of course, since the two semiconductor lasers are provided, these two semiconductor lasers are selectively used to prolong the life of the optical pickup as a whole, and when the respective light beams are used, almost all of them are utilized. In this way, the light beam utilization efficiency can be improved.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0022】図1(a)(b)は、本発明の光ピックア
ップの概略断面図であり、同図(a)はディスク表面か
ら記録層15aまでの距離が0.6mmである光ディス
ク15が用いられる場合を示し、同図(b)はディスク
表面から記録層16aまでの距離が1.2mmである光
ディスク16が用いられる場合を示している。1A and 1B are schematic sectional views of the optical pickup of the present invention. In FIG. 1A, an optical disk 15 in which the distance from the disk surface to the recording layer 15a is 0.6 mm is used. FIG. 2B shows a case where the optical disc 16 having a distance from the disc surface to the recording layer 16a of 1.2 mm is used.
【0023】光ピックアップは、第1の光源11と第2
の光源12の二つの光源を備えている。第1の光源11
には635nm帯で発振する半導体レーザが用いられ、
第2の光源12には780nmで発振する半導体レーザ
が用いられている。そして、前記第1の光源11である
635nm帯で発振する半導体レーザは、この実施の形
態では、TMモード(例えば、少なくとも井戸層に引っ
張り歪みをもつ量子井戸構造を有する活性層を備えるA
lGaInP系半導体レーザが挙げられる)で発振し、
第2の光源12である780nm帯で発振する半導体レ
ーザは、TEモード(例えば、AlGaAs系の半導体
レーザが挙げられる)で発振するため、両光ビームの偏
波方向は互いに異なる。また、これら両光源11,12
は、図示しない駆動選択手段によってどちらかが選択的
に駆動されるようになっている。更に、両光源11,1
2は、この実施の形態では、光ビームの光軸に平行な同
一平面上に配置し、各光源への配線などが簡単に行える
ようにしている。The optical pickup comprises a first light source 11 and a second light source.
The light source 12 includes two light sources. First light source 11
Is a semiconductor laser that oscillates in the 635 nm band,
A semiconductor laser that oscillates at 780 nm is used as the second light source 12. In this embodiment, the semiconductor laser that oscillates in the 635 nm band, which is the first light source 11, has a TM mode (for example, an active layer having a quantum well structure having a tensile strain in at least the well layer A).
1GaInP-based semiconductor laser).
Since the semiconductor laser that oscillates in the 780 nm band that is the second light source 12 oscillates in the TE mode (for example, an AlGaAs semiconductor laser can be cited), the polarization directions of both light beams are different from each other. In addition, both of these light sources 11, 12
Is selectively driven by a drive selecting means (not shown). Furthermore, both light sources 11, 1
In this embodiment, 2 are arranged on the same plane parallel to the optical axis of the light beam so that wiring to each light source can be easily performed.
【0024】図1中、X、YおよびZは偏波依存格子レ
ンズ13のXカットLiNbO3 基板の結晶軸を示して
いる。基板主面に垂直な方向(光軸方向)がX軸であ
り、図の紙面に対して垂直な方向をY軸、上記X(軸)
方向及びY(軸)方向に垂直な方向をZ軸としている。
ここで、前記TMモードの第1の光源11は、その光ビ
ームの偏波方向がY方向に一致するように配置され、前
記TEモードの第2の光源12は、その光ビームの偏波
方向がZ方向に一致するように配置される。In FIG. 1, X, Y and Z indicate crystal axes of the X-cut LiNbO 3 substrate of the polarization dependent grating lens 13. The direction perpendicular to the main surface of the substrate (optical axis direction) is the X axis, and the direction perpendicular to the plane of the drawing is the Y axis, and the X (axis) above.
The direction perpendicular to the direction and the Y (axis) direction is the Z axis.
Here, the TM mode first light source 11 is arranged so that the polarization direction of the light beam thereof coincides with the Y direction, and the TE mode second light source 12 is arranged in the polarization direction of the light beam. Are arranged so as to coincide with the Z direction.
【0025】各光源11,12から出射された光ビーム
は、トラッキング制御用の3ビームを生じさせる3ビー
ム用の回折格子17、フォーカス制御用の非点収差光を
生じさせるホログラム素子18、或る偏波方向の光ビー
ムに対してのみレンズ機能を呈する偏波依存格子レンズ
(偏光素子)13、及び光ビームを集光させる対物レン
ズ(集光手段)14を透過して光ディスク15或いは光
ディスク16の記録層15a,16aに集光される。そ
して、光ディスク15或いは光ディスク16の記録層1
5a,16aにて反射された反射光は、前記の対物レン
ズ14、偏波依存格子レンズ13を逆方向にたどり、前
記のホログラム素子18に至る。そして、このホログラ
ム素子18により、635nmの光ビームは回折されて
第1受光素子20に導かれ、780nmの光ビームはよ
り大きく回折されて第2受光素子21に導かれる。The light beams emitted from the respective light sources 11 and 12 include a diffraction grating 17 for three beams for producing three beams for tracking control, a hologram element 18 for producing astigmatic light for focus control, and After passing through a polarization dependent grating lens (polarizing element) 13 that exhibits a lens function only for a light beam in the polarization direction, and an objective lens (light condensing means) 14 that condenses the light beam, an optical disk 15 or an optical disk 16 is transmitted. The light is focused on the recording layers 15a and 16a. Then, the recording layer 1 of the optical disk 15 or the optical disk 16
The reflected light reflected by 5a and 16a follows the objective lens 14 and the polarization dependent grating lens 13 in the opposite directions, and reaches the hologram element 18. Then, the hologram element 18 diffracts the 635 nm light beam and guides it to the first light receiving element 20, and the 780 nm light beam is further diffracted and guides it to the second light receiving element 21.
【0026】前記の偏波依存格子レンズ13は、前記第
1の光源11又は第2の光源12から出射された光ビー
ムを入射し、偏波方向がY方向であるTMモードの第1
の光源11の光ビームに対しては単なる透明板としての
機能を呈し、偏波方向がZ方向であるTEモードの第2
の光源12の光ビームに対しては凹レンズ機能を呈する
ようになっている。The polarization dependent grating lens 13 receives the light beam emitted from the first light source 11 or the second light source 12, and the first TM mode mode in which the polarization direction is the Y direction.
The second mode of the TE mode in which the polarization direction is the Z direction, which functions simply as a transparent plate for the light beam of the light source 11 of
The light beam of the light source 12 has a concave lens function.
【0027】ここで、図2に示すように、例えば、Li
NbO3 結晶基板は、プロトン交換によって、プロトン
交換前の屈折率分布に対して、ne (図において、ne
はZ軸方向の屈折率であり、no はZ軸に直交する方向
の屈折率)のみが増加する。また、光はその偏波した方
向の屈折率に従う。Here, as shown in FIG. 2, for example, Li
The NbO 3 crystal substrate, due to the proton exchange, has a refractive index distribution n e (n e
Is the refractive index in the Z-axis direction, and n o increases only in the direction orthogonal to the Z-axis). Also, light follows the refractive index in the direction of its polarization.
【0028】前記の偏波依存格子レンズ13は、前述の
ごとくXカットのLiNbO3 結晶基板から成る。そし
て、図3(a)(b)にも示すように、上記のプロトン
交換法によって前記Z方向にのみ屈折率変化(増加)が
生起された第1領域13aと、プロトン交換が施されて
いない第2領域13bとを有する。前記第1領域13a
は、凹レンズ機能を呈する格子パターンを有する。光ビ
ームが偏波依存格子レンズ13を通るとき、Z軸に直交
する方向に偏波した光ビーム(即ち、前記TMモードの
635nm光ビーム)は、第1領域(プロトン交換領
域)13aの存在を感じないため、偏波依存格子レンズ
13を単に透過する。なお、プロトン交換法による第1
領域13aの生成方法については後述する。The polarization dependent grating lens 13 is composed of an X-cut LiNbO 3 crystal substrate as described above. Then, as also shown in FIGS. 3A and 3B, the proton exchange is not performed with the first region 13a in which the refractive index change (increase) is caused only in the Z direction by the above proton exchange method. And a second region 13b. The first area 13a
Have a lattice pattern that exhibits a concave lens function. When the light beam passes through the polarization dependent grating lens 13, the light beam polarized in the direction orthogonal to the Z axis (that is, the TM mode 635 nm light beam) causes the existence of the first region (proton exchange region) 13a. Since it does not feel, it simply passes through the polarization dependent grating lens 13. The first by the proton exchange method
A method of generating the area 13a will be described later.
【0029】上記の構成であれば、図1(a)に示した
ごとく、635nmのTMモードの光ビームは、前記の
偏波依存格子レンズ13を単に透過し、0.6mmの光
ディスク15の記録層15a上に合焦されるのに対し、
同図(b)に示したごとく、780nmのTEモードの
光ビームは、前記の偏波依存格子レンズ13によって広
がる方向に回折され、この回折によって、当該光ビーム
の仮想的な出射位置が対物レンズ14の側に近くなり、
対物レンズ14による当該光ビームの焦点位置は、対物
レンズ14から遠くに方に変移し、1.2mmの光ディ
スク16の記録層16a上に合焦され得ることになる。
よって、これら2種類の光ディスク15,16に対して
互換性のある光ピックアップが実現される。そして、光
源位置自体を異ならせる場合に生じる問題、即ち、一方
の光源が他方の光源からの光ビームの一部を遮ってしま
うといったことが回避される。With the above arrangement, as shown in FIG. 1A, the 635 nm TM mode light beam simply passes through the polarization dependent grating lens 13 and is recorded on the optical disk 15 of 0.6 mm. While focused on layer 15a,
As shown in FIG. 7B, the TE-mode light beam of 780 nm is diffracted by the polarization dependent grating lens 13 in the direction in which it spreads, and the virtual exit position of the light beam is the objective lens by this diffraction. It ’s closer to 14 ’s side,
The focal position of the light beam by the objective lens 14 shifts away from the objective lens 14 and can be focused on the recording layer 16a of the 1.2 mm optical disc 16.
Therefore, an optical pickup compatible with these two types of optical disks 15 and 16 is realized. Then, it is possible to avoid a problem that occurs when the light source positions themselves are different, that is, one light source blocks a part of the light beam from the other light source.
【0030】また、第1の光源11と第2の光源12
は、図示しない駆動選択手段によってどちらかが選択的
に駆動され、一方の光源が駆動状態のときには、他方の
光源は停止状態となる。従って、前記1.2mmのディ
スク16が使用されるときには、寿命の短い短波長の第
1の光源11を停止状態とすることができるので、当該
第1の光源11の駆動時間が相対的に少なくなる分だけ
光ピックアップの寿命は相対的に長くなる。また、光源
11の光ビームについては偏波依存格子レンズ13によ
って回折しないので勿論のこと、光源12の光ビームに
ついても偏波依存格子レンズ13の格子断面形状は光軸
を中心とした径方向外側にのみ回折するようにブレ−ズ
化されており、且つ偏波依存格子レンズ13の前記第1
領域13aに入射するほぼ全ての光が回折するように十
分な格子深さを有しているため、光源11,12から出
射され対物レンズに入射された光ビームのほぼ全てが利
用され得る、即ち、光ビームの利用効率が高いので光源
11,12として低出力のものの使用が可能になり、一
層の長寿命化および低コスト化が図れる。Further, the first light source 11 and the second light source 12
Is selectively driven by a drive selection means (not shown), and when one light source is in a driving state, the other light source is in a stopped state. Therefore, when the 1.2 mm disk 16 is used, the short-wavelength first light source 11 having a short life can be stopped, so that the driving time of the first light source 11 is relatively short. The life of the optical pickup becomes relatively longer accordingly. Further, the light beam of the light source 11 is not diffracted by the polarization dependent grating lens 13, and of course, the light beam of the light source 12 has a grating cross-sectional shape of the polarization dependent grating lens 13 outside in the radial direction about the optical axis. The polarization-dependent grating lens 13 is blazed so that only the first
Since the grating depth is sufficient so that almost all the light incident on the region 13a is diffracted, almost all the light beams emitted from the light sources 11 and 12 and incident on the objective lens can be used, that is, Since the utilization efficiency of the light beam is high, it is possible to use low-power light sources 11 and 12, and it is possible to further prolong the life and reduce the cost.
【0031】また、この実施の形態のように、二つの光
源11,12の光ビームの偏波方向および波長を相互に
相違させ、例えば、1.2mmの光ディスク16の再生
時には780nm発振の第2の光源12を用い、前記偏
波依存格子レンズ13が780nmの光ビームに対して
のみレンズ機能を呈するようにしておき、また、当該偏
波依存格子レンズ13の前記第1領域13aの面積を制
限し対物レンズ14位置での780nm回折光のビーム
径を対物レンズ14有効径よりも小さくすることによ
り、当該780nmの光ビームについて対物レンズ14
の実効的な開口数(NA)を小さくでき、ディスク厚増
加による球面収差の発生を防止してRF信号(ピット信
号)のS/Nやサーボの信頼性を向上させることができ
る。さらに、前記1.2mmの光ディスク16がコンパ
クトディスクである場合、規格通りの波長のレーザ光
(780nm)を用いることができるので、波長が異な
ることによる球面収差の増大を抑えることができ、RF
信号(ピット信号)のS/Nやサーボの信頼性を向上さ
せることができる。なお、偏波依存格子レンズ13のL
iNbO3 基板はYカットのものでもよく、その場合
は、X軸を前記Y方向と一致するように偏波依存格子レ
ンズ13を配置すればよい。Further, as in this embodiment, the polarization directions and wavelengths of the light beams of the two light sources 11 and 12 are made different from each other, and for example, when reproducing the 1.2 mm optical disk 16, the second 780 nm oscillation is generated. Of the light source 12 is used so that the polarization dependent grating lens 13 exhibits a lens function only for a light beam of 780 nm, and the area of the first region 13a of the polarization dependent grating lens 13 is limited. Then, by making the beam diameter of the 780 nm diffracted light at the position of the objective lens 14 smaller than the effective diameter of the objective lens 14, the objective lens 14 with respect to the light beam of 780 nm concerned.
The effective numerical aperture (NA) can be reduced, spherical aberration can be prevented from occurring due to an increase in disk thickness, and the S / N of the RF signal (pit signal) and the reliability of the servo can be improved. Further, when the 1.2 mm optical disc 16 is a compact disc, since the laser light (780 nm) having the standard wavelength can be used, it is possible to suppress the increase of the spherical aberration due to the different wavelength, and the RF
The signal / pit signal S / N and servo reliability can be improved. The L of the polarization dependent grating lens 13
The iNbO 3 substrate may be Y-cut, and in that case, the polarization dependent grating lens 13 may be arranged so that the X axis coincides with the Y direction.
【0032】次に、前記偏波依存格子レンズ13の製造
方法を図4及び図5に基づいて説明する。図4ではTa
(タンタル)マスクの作製方法を示し、図5ではTaマ
スクの作製後に行うプロトン交換を示している。また、
これら図4及び図5は、例えば図3(b)のA矢示部分
に対応させた拡大図である。Next, a method of manufacturing the polarization dependent grating lens 13 will be described with reference to FIGS. In FIG. 4, Ta
A method for producing a (tantalum) mask is shown, and FIG. 5 shows the proton exchange performed after the Ta mask is produced. Also,
4 and 5 are enlarged views corresponding to, for example, a portion indicated by an arrow A in FIG.
【0033】まず、図4(a)に示すように、Xカット
(又はYカット)のLiNbO3 結晶基板31上に、T
a膜32を300〜1000Åの厚みで蒸着した後、T
a膜32上にフォトレジスト33をスピンコートする。
次に、同図(b)に示すように、一般的なフォトリソグ
ラフィの手法により、フォトレジスト33のパターニン
グを行い、フォトレジスト33に開口部33aを形成
し、当該部分のTa膜32を露出させる。なお、このパ
ターニングは、図3(a)に示した同心円状に形成され
る第1領域13aに対応して同心円状に形成される。ま
た、第1段階目のTaマスクにおいては、前記開口部3
3aは、図3(b)の第1領域13aのA矢示部分にお
ける幅よりも狭い幅であって、且つ、後述するように略
半円状に広がるプロトン交換領域31aの半径分に対応
する距離だけ同心円の中心側にずれた位置に形成され
る。次に、同図(c)に示すように、フッ素系ガスを用
いて上記の露出されたTa膜32の部分をドライエッチ
ングにて除去することにより、開口部32aを形成し、
当該部分のLiNbO3 結晶基板31の表面を露出させ
る。その後、同図(d)に示すように、フォトレジスト
33を除去する。First, as shown in FIG. 4 (a), T is placed on an X-cut (or Y-cut) LiNbO 3 crystal substrate 31.
After depositing the a film 32 with a thickness of 300 to 1000 Å,
A photoresist 33 is spin-coated on the a film 32.
Next, as shown in FIG. 3B, the photoresist 33 is patterned by a general photolithography technique, an opening 33a is formed in the photoresist 33, and the Ta film 32 in that portion is exposed. . It should be noted that this patterning is formed concentrically corresponding to the concentric first regions 13a shown in FIG. In the Ta mask of the first stage, the opening 3
3a has a width narrower than the width of the first region 13a shown in FIG. 3B at the portion indicated by the arrow A, and corresponds to the radius of the proton exchange region 31a that spreads in a substantially semicircular shape as described later. It is formed at a position shifted toward the center of the concentric circle by the distance. Next, as shown in FIG. 3C, the exposed portion of the Ta film 32 is removed by dry etching using a fluorine-based gas to form an opening 32a,
The surface of the LiNbO 3 crystal substrate 31 in that portion is exposed. After that, the photoresist 33 is removed as shown in FIG.
【0034】次に、図5(a)に示すように、開口部3
2aを有するTa膜32上にピロリン酸膜34を塗布し
た後、200〜300℃で長時間(例えば、90分)を
かけてプロトン交換を行う。これにより、前記開口部3
2aを中心に略半円状に広がるプロトン交換領域31a
が形成される。なお、プロトン交換にはピロリン酸の他
に安息香酸などを用いることもできる。Next, as shown in FIG. 5A, the opening 3
After the pyrophosphate film 34 is applied on the Ta film 32 having 2a, proton exchange is performed at 200 to 300 ° C. for a long time (for example, 90 minutes). Thereby, the opening 3
Proton exchange region 31a extending in a substantially semicircular shape around 2a
Is formed. In addition to pyrophosphoric acid, benzoic acid or the like can be used for the proton exchange.
【0035】そして、同図(a)に示されているTa膜
32をフッ酸系水溶液にて除去し、前記の図4(a)乃
至(d)で示した手順を繰り返し、再びLiNbO3 結
晶基板31上に開口部32aを有するTa膜32を形成
する。なお、このときの開口部32aは、前回の開口部
32aよりも前記同心円の中心側にずれて形成され、且
つ幾分広い幅で形成される。そして、図5(b)に示す
ように、再びプロトン交換を行う。なお、このときのプ
ロトン交換領域31aの深さは前回のプロトン交換領域
31aよりも浅く(即ち、プロトン交換時間を前回より
短く)している。同様に、再度Taマスクを形成すると
ともに、図5(c)に示すように、ピロリン酸膜34を
塗布し、再びプロトン交換を行う。このときのプロトン
交換領域31aの深さは前回のプロトン交換領域31a
よりも浅くする。Then, the Ta film 32 shown in FIG. 4A is removed with a hydrofluoric acid-based aqueous solution, and the procedure shown in FIGS. 4A to 4D is repeated, and the LiNbO 3 crystal is again formed. A Ta film 32 having an opening 32a is formed on the substrate 31. The opening 32a at this time is formed to be displaced toward the center side of the concentric circle from the opening 32a of the previous time, and is formed to have a somewhat wider width. Then, as shown in FIG. 5B, the proton exchange is performed again. The depth of the proton exchange region 31a at this time is shallower than that of the previous proton exchange region 31a (that is, the proton exchange time is shorter than the previous time). Similarly, the Ta mask is formed again, and the pyrophosphate film 34 is applied as shown in FIG. 5C, and the proton exchange is performed again. The depth of the proton exchange region 31a at this time is the same as the previous proton exchange region 31a.
Shallower than.
【0036】このように、この実施の形態では、3段階
のプロトン交換を行っている。そして、図5(d)に示
すように、Ta膜32を除去し、300〜400℃で所
定時間アニールすることにより、プロトン交換領域31
の分布を滑らかにする。As described above, in this embodiment, the three-step proton exchange is performed. Then, as shown in FIG. 5D, the Ta film 32 is removed and annealed at 300 to 400 ° C. for a predetermined time, whereby the proton exchange region 31 is removed.
Smooth the distribution of.
【0037】なお、偏波依存格子レンズ13の断面構造
は、光ビームが中心から径方向外側にのみ回折するよう
にブレ−ズ化した形状、即ち、図3(b)に示した形状
を有するのが理想的である。上記プロトン交換の段階数
を増やすことで上記理想形状に近づけることができる
が、段階数を増やすとコストの増加を招く。従って、コ
ストと偏波依存格子レンズ13の性能とを比較考量して
段階数が決定される。The sectional structure of the polarization dependent grating lens 13 has a blazed shape so that the light beam is diffracted only from the center to the outer side in the radial direction, that is, the shape shown in FIG. 3B. Is ideal. The ideal shape can be approximated by increasing the number of steps of the proton exchange, but increasing the number of steps causes an increase in cost. Therefore, the number of steps is determined by weighing the cost and the performance of the polarization dependent grating lens 13.
【0038】また、この実施の形態では、偏波依存格子
レンズ13としてLiNbO3 結晶基板を用いたが、こ
れに限らず、例えば、LiTaO3 結晶板などを用いる
ことができる。Further, in this embodiment, the LiNbO 3 crystal substrate is used as the polarization dependent grating lens 13, but the present invention is not limited to this, and for example, a LiTaO 3 crystal plate or the like can be used.
【0039】また、図1に示した光学系では、光軸を一
直線としたが、例えば、光源11、12と3ビーム用回
折格子17の間、あるいは、3ビーム用回折格子17と
ホログラム素子18の間に反射ミラーを設け、光源の光
軸を異なる方向に偏向する光学系としてもよい。特に、
偏向角をほぼ90°とした場合、光源である半導体レー
ザチップと受光素子が平行な面上に配置でき、配線のた
めのワイヤボンディングが容易になる。In the optical system shown in FIG. 1, the optical axis is a straight line. However, for example, between the light sources 11 and 12 and the three-beam diffraction grating 17, or between the three-beam diffraction grating 17 and the hologram element 18. It is also possible to provide a reflection mirror between the two and form an optical system that deflects the optical axis of the light source in different directions. In particular,
When the deflection angle is set to about 90 °, the semiconductor laser chip, which is the light source, and the light receiving element can be arranged on a parallel surface, and wire bonding for wiring becomes easy.
【0040】[0040]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、偏波方
向が互いに異なる二つの光源と偏波依存格子レンズとを
設けたことにより、偏波方向の相違を利用して記録層ま
での距離が異なる情報記録媒体に対応可能であり、更
に、光ビームの利用効率を高くし、信頼性を高めること
ができる等の優れた諸効果を奏する。As described above, according to the present invention, by providing two light sources having different polarization directions and a polarization dependent grating lens, it is possible to utilize the difference in polarization direction to the recording layer. Can be applied to information recording media having different distances, and further, excellent effects such as high utilization efficiency of a light beam and high reliability can be obtained.
【図1】本発明の実施の形態に係る光ピックアップの概
略の断面図であって、同図(a)は0.6mm光ディス
クが用いられる場合を、同図(b)は1.2mm光ディ
スクが用いられる場合をそれぞれ示している。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical pickup according to an embodiment of the present invention, where FIG. 1A shows a case where a 0.6 mm optical disc is used, and FIG. 1B shows a 1.2 mm optical disc. The cases where they are used are shown.
【図2】本発明の実施の形態にかかるLiNbO3 結晶
のプロトン交換前とプロトン交換後の屈折率分布を示す
模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a refractive index distribution of a LiNbO 3 crystal according to an embodiment of the present invention before and after proton exchange.
【図3】同図(a)は本発明の実施の形態にかかる偏波
依存格子レンズの平面図、同図(b)は同縦断側面図で
ある。FIG. 3A is a plan view of a polarization dependent grating lens according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a longitudinal side view of the same.
【図4】本発明の実施の形態にかかるTa膜の作製手順
を示す工程図である。FIG. 4 is a process drawing showing the procedure for producing a Ta film according to the embodiment of the present invention.
【図5】本発明の実施の形態にかかるプロトン交換領域
作製手順を示す工程図である。FIG. 5 is a process chart showing a procedure for producing a proton exchange region according to the embodiment of the present invention.
【図6】従来の光ピックアップの概略の断面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view of a conventional optical pickup.
11 第1の光源 12 第2の光源 13 偏波依存格子レンズ 14 対物レンズ(集光手段) 15 光ディスク 16 光ディスク 17 3ビーム用回折格子 18 ホログラム素子 11 First light source 12 Second light source 13 Polarization dependent grating lens 14 Objective lens (condensing means) 15 Optical disc 16 optical disks 17 3 beam diffraction grating 18 Hologram element
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茨木 晃 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 (72)発明者 吉年 慶一 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−189504(JP,A) 特開 昭62−219341(JP,A) 特開 平7−235718(JP,A) 特開 平8−55363(JP,A) 特開 昭59−14146(JP,A) 特開 昭56−163531(JP,A) 実開 昭59−78532(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/12 - 7/22 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akira Ibaraki 2-5-5 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Prefecture Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Keiichi Yoshinari 2-5 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Prefecture No. 5 within Sanyo Electric Co., Ltd. (56) Reference JP-A-61-189504 (JP, A) JP-A-62-219341 (JP, A) JP-A-7-235718 (JP, A) JP-A-8 -55363 (JP, A) JP 59-14146 (JP, A) JP 56-163531 (JP, A) Actual development 59-78532 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl . 7 , DB name) G11B 7/ 12-7/22
Claims (8)
1の光源と、第2の偏波方向の光ビームを出射する第2
の光源と、一方の偏波方向の光ビームに対してのみレン
ズ機能を呈する偏波依存格子レンズと、前記偏波依存格
子レンズを経た光ビームを情報記録媒体上に集光させる
集光手段と、第1の光源と第2の光源のどちからを選択
的に駆動する駆動選択手段とを備えたことを特徴とする
光ピックアップ。1. A first beam for emitting a light beam in a first polarization direction
1 light source and 2nd which emits the light beam of the 2nd polarization direction
Light source and only one light beam in one polarization direction.
Polarization-dependent grating lens exhibiting a zoom function and the polarization-dependent grating
Focus the light beam that passed through the child lens on the information recording medium
Select from light collecting means, first light source or second light source
An optical pickup comprising: a drive selection unit that is driven dynamically.
配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光ピ
ックアップ。2. The first light source and the second light source are on the same plane.
The optical pickup according to claim 1, wherein the optical pickup is arranged .
光源と、TMモードの光ビームを出射する第2の光源
と、一方の光ビームに対してのみレンズ機能を呈する偏
波依存格子レンズとを備えたことを特徴とする光ピック
アップ。3. A first mode for emitting a TE-mode light beam
Light source and second light source for emitting TM mode light beam
And a polarized light functioning as a lens for only one light beam.
An optical pickup having a wave-dependent grating lens .
交換により製造されたものであることを特徴とする請求
項1乃至請求項3のいずれかに記載の光ピックアップ。 4. The polarization dependent grating lens is a proton
Claims characterized by being manufactured by replacement
The optical pickup according to any one of claims 1 to 3 .
ームは互いに波長も異なっていることを特徴とする請求
項1乃至請求項4のいずれかに記載の光ピックアップ。 5. Two optical beams having different polarization directions from each other.
Claims in which the wavelengths of the lasers are different from each other
The optical pickup according to any one of claims 1 to 4 .
レーザであることを特徴とする請求項1乃至請求項5の
いずれかに記載の光ピックアップ。 6. The AlGaAs semiconductor as the first light source.
6. A laser according to claim 1, which is a laser.
The optical pickup described in either one .
をもつ量子井戸構造を有する活性層を備えるAlGaI
nP系半導体レーザであることを特徴とする請求項1乃
至請求項6のいずれかに記載の光ピックアップ。7. The second light source has tensile strain in a well layer.
With an active layer having a quantum well structure with
2. An nP semiconductor laser, wherein the semiconductor laser is an nP semiconductor laser.
The optical pickup according to claim 6 .
と、前記第2の光源から出射された光ビームとを用い
て、2種の光ビームを用いて再生又は再生と記録を行う
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記
載の光ピックアップ。 8. A light beam emitted from the first light source.
And a light beam emitted from the second light source
Play or play and record using two types of light beams
The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that
The optical pickup shown.
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