JP3480567B2 - Nonvolatile semiconductor memory device - Google Patents

Nonvolatile semiconductor memory device

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JP3480567B2 JP2001028826A JP2001028826A JP3480567B2 JP 3480567 B2 JP3480567 B2 JP 3480567B2 JP 2001028826 A JP2001028826 A JP 2001028826A JP 2001028826 A JP2001028826 A JP 2001028826A JP 3480567 B2 JP3480567 B2 JP 3480567B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、テレビ、コンピュータ
など、画像または文字を表示するシステムで使われるC
RTの偏向電流の歪み補正回路に用いられる、特に、M
OS型の半導体集積回路装置して実施するのに適した関
数発生回路に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、CTEの偏向電流の歪み補正回路
としては、例えば、日本放送協会編「NHKテレビ技術
教科書(上)」P.233 〜P.234(1989) に見られるよう
に、偏向コイルとキャパシタとの共振を利用して、歪み
補正波形としての2乗波形(パラボラ波形)を得る回路
方式が知られていた。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】パソコンやワークステ
ーション等のCRTディスプレイモニタではテレビと異
なり、偏向周波数が数種類用意される場合があり、この
場合前記した従来の回路方式では、偏向周波数の変化に
伴い、歪み補正波形の振幅が変化してしまう。また、偏
向周波数を検出し、検出した出力でスイッチを切り換
え、キャパシタなどの定数を切り換えることで対応して
いるため、多くの個別部品を使用しており、集積回路化
には適していない。 【0004】一方、必要な歪み補正波形の振幅は使用さ
れるCRTの管面の形状によって決まっており、偏向周
波数の変化によらず一定の振幅が必要となる。本発明
は、集積回路化に適し、偏向周波数の変化によらず一定
振幅の歪み補正波形を発生する回路を提供する。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明は、2つのMOS
トランジスタのソース電極をオペアンプの反転入力端子
に共通に接続し、オペアンプの出力端子と、反転入力端
子とを抵抗とで接続し、一方のMOSトランジスタのド
レインに入力信号を加え、残る片方のMOSトランジス
タのドレインに入力信号の逆極性の波形を加えるいわゆ
る加算回路において、2つのMOSトランジスタのゲー
ト電圧を入力信号波形と相似形の波形として、MOSト
ランジスタのソース・ドレイン抵抗を入力に比例した変
化をさせて、入力波形の2乗波形を得る。 【0006】 【作用】本発明によれば、2乗波形即ち歪み補正波形の
振幅は、入力波形の振幅によってのみ影響され、周波数
には依存しない。 【0007】 【実施例】本発明の第1の実施例を図1及び図2を用い
て説明する。図1において、MOSトランジスタ1のド
レイン電極は正入力端子に接続され、ソース電極はオペ
アンプ4の反転入力端子に接続されている。MOSトラ
ンジスタ2のドレイン電極は負入力端子に接続され、ソ
ース電極4はオペアンプ4の反転入力端子に共通に接続
されている。ここで正入力端子に加わる入力信号Vinの
逆極性の信号−Vinが負入力端子に加えられる。オペア
ンプ4の非反転入力端子は基準電位へ、出力端子はMO
Sトランジスタ3のソース電極へ接続されている。MO
Sトランジスタ3のドレイン電極は、オペアンプ4の反
転入力端子へ接続されている。MOSトランジスタ3の
ゲート電圧は、固定電圧VG に接続されているので、M
OSトランジスタ3は定抵抗と同一の働きをする。従っ
て、MOSトランジスタ3は抵抗体で置き換えることも
できる。 【0008】入力信号Vinと相似な波形をVa とし、グ
ランド電位をVG とすると、MOSトランジスタ1のゲ
ート電極にはVG −Va の電圧が、MOSトランジスタ
2のゲート電極にはVG +Va の電圧が印加される。以
下、まず回路の入出力特性を説明する。 【0009】MOSトランジスタ1、2、3のゲート・
ソース間電圧を各々VGS1 、VGS2、VGS3 、閾値電圧
をVTH、MOSトランジスタの電圧−電流変換系数をK
とする。MOSトランジスタのドレイン−ソース間電圧
が十分小さいときには、MOSトランジスタの抵抗R1
〜R3 は一般的に、 R1=1/{K ・(VGS1- VTH) }, R2=1/{K ・(VGS2- VTH) }, R3=1/{K ・(VGS3- VTH) } …(1) で表わされる。 【0010】一方、図1の回路の入出力特性は、一般に
加算器と呼ばれるように Vin/R1 −Vin/R2 =−Vout /R3 …(2) で表わすことができる。(1)式を(2)式に代入する
と、 Vin・ K・{(VGS1- VTH)-(VGS2- VTH)}=-K・(VGS3- VTH) ・ Vout …(3) ここで、VGS1 =VG-Va , VGS2 =VG+Va , VGS3
=VG であるから代入して、 2・Vin・Va =(VG- VTH) ・Vout …(4) Va はVinの相似波形として、その比例系数をαとする
と α・Vin2 =(VG- VTH) ・Vout …(5) 即ち、出力には入力の2乗波形が得られる。 【0011】図2は、図1の回路での各部の波形を示し
たものである。ここで、Vinは時間の経過と共に直線的
に上昇するか、又は直線的に下降している。Va はVin
に比例系数αをかけたもので、VG +Va がMOSトラ
ンジスタ2のゲート・ソース間へ、VG −Va がMOS
トランジスタ1のゲート・ソース間へ加えられている。
出力電圧Vout は入力Vinの上昇区間と、下降区間の各
々に応じて2乗波形となっている。ここで、出力の振幅
は(5) 式から明らかなように入力電圧にのみ依存し、周
波数や傾きには無関係である。 【0012】本発明の第2の実施例を図3、図4を用い
て説明する。図3の回路で、MOSトランジスタ1、
2、3、オペアンプ4からなる部分は図1の回路と同一
である。前段の部分は抵抗5、6、7、8、9、10、
11、12から構成される分圧回路と、オペアンプ2
7、28、抵抗13、14、15、16、17、18、
19、20からなるシングルエンド差動変換回路と、ス
イッチ21、22、23、24、25、26からなる信
号切換回路の3つの部分から構成されている。 【0013】以下、入力側から順を追って回路動作を説
明する。前記信号切換回路のスイッチ21〜26は各々
切換制御信号Sa 〜Sf で制御される。Sa は入力信号
の奇数番目の立上り区間でスイッチ21をオンする。S
c は入力信号の奇数番目の立下り区間と、偶数番目の立
上り区間でスイッチ23をオンする。Se は偶数番目の
立下り区間でスイッチ25をオンする。残るSb , Sd
, Sf はSa , Sc ,Se に1周期遅れた動作をする。
即ちSb は入力信号の偶数番目の立上り区間でスイッチ
22をオンする。Sd は入力信号の偶数番目の立下り区
間と、奇数番目の立上り区間でスイッチ24をオンす
る。Sf は奇数番目の立下り区間でスイッチ26をオン
する。したがって前記信号切換回路の出力Va は入力信
号の奇数番目の立上り区間では入力信号と同一に、奇数
番目の立下り区間と、偶数番目の立上り区間ではVB と
同一電圧に、偶数番目の立下り区間ではVBNと同一電圧
になる。同様に前記信号切換回路の出力Vb は、入力信
号の偶数番目の立上り区間では入力信号と同一に、偶数
番目の立下り区間と奇数番目の立上り区間ではVB と同
一電圧に、奇数番目の立下り区間ではVBNと同一電圧に
なる。 【0014】次にシングルエンド差動変換回路では、V
a とVb の減算を行っている。一般的にこの回路の入出
力特性は、出力をVc , Vd として抵抗13〜20が全
て等しいとすると、Vc =(Vb −Va ),Vd =−
(Vb −Va )で表わすことができる。Vc とVd はV
b に対して極性の反転した信号となる。 【0015】次の分圧回路では、シングルエンド差動変
換回路の出力を分圧する。分圧する理由はMOSトラン
ジスタ1、2の線形動作範囲が狭いためである。同時に
この分圧回路では、MOSトランジスタ1、2のゲート
電圧を作り出す。ゲート電圧は前述したごとく、VG の
電位を中心とする、入力信号と相似形の信号になってい
る必要がある。 【0016】MOSトランジスタ1のドレイン電圧Vin
+ とMOSトランジスタ2のドレイン電圧Vin- は、抵
抗7、8、11、12の抵抗値を各々R7 、R8 、R1
1、R12として、 Vin+ =Vc ・R8 /(R7 +R8 ) …(6) Vin- =Vd ・R12/(R11+R12) …(7) MOSトランジスタ1のゲート電圧Vf とMOSトラン
ジスタ2のゲート電圧Ve は抵抗5、6、9、10の抵
抗値を各々R5 、R6 、R9 、R10とすると、 Ve =Vdd・R6 /(R5 +R6)+VC ・R5 /(R5 +R6) …(8) Vf =Vdd・R10/(R9 +R10) +Vd ・R9 /(R9 +R10) …(9) R5 =R9 、R6 =R10とすると、(8)式と(9)式
から分かるように、Ve 、Vf は一定電圧Vdd・R6 /
(R5 +R6)=VG を中心として、各々Vc 、Vd を分
圧した信号が出力される。 【0017】(5) 式のαは、入力信号も(6)式、
(7)式で分圧されていることも考慮すると、R7 =R
11, R8 =R12のとき α=R9 ・R12/(R9 +R10) ・(R11+R12) …(10) (5) 式のVinは入力の立上りの区間についてのみ Vin・R8 /(R7 +R8 )=Vin+ Vin- …(11) となり、(5) 式から出力には入力の2乗波形が得られ
る。入力の立下り区間についてはVc , Vd , Ve , V
f は、前述したスイッチ21〜26によってピーク値に
クランプされているので、出力値もピーク値にクランプ
されている。 【0018】図3の回路は以上述べたごとく、入力の立
上り区間についてのみ2乗波形を出力し、時間の短い入
力の立下り区間については、出力は一定値となり2乗波
形を出さない。テレビ等のCRTの歪み補正波形発生回
路においては、立下り区間は帰線区間と呼ばれる画面に
画像が見えない区間であるため、2乗波形は元来不要で
あり、また立下り区間に2乗波形が出力されている場合
には、その影響が立上り区間の2乗波形に及ばないよう
に後段に接続される増幅回路の周波数特性を比較的高い
周波数まで増幅するようにする必要がある。 【0019】図3の回路をCRTの歪み補正波形発生回
路に適用すれば、後段に接続される増幅回路の周波数特
性は比較的低い周波数を増幅するものでよい。 【0020】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によればM
OSトランジスタを用いてCRTの歪み補正波形発生回
路が実現できる。さらにスイッチもMOSトランジスタ
で容易に実現可変な為、MOS形集積回路に適用した場
合には、外付けでキャパシタの切換機能等を付加するこ
となく、CRTの歪み補正波形発生回路が構成できると
いう効果がある。 【0021】さらに、帰線区間の出力を一定値にクラン
プすることができ、不要な高周波の波形を出力しない
為、後段に接続される回路の周波数特性を緩和できる効
果がある。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a C / C used in a system for displaying images or characters, such as a television or a computer.
For use in a distortion correction circuit for deflection current of RT, in particular, M
The present invention relates to a function generation circuit suitable for being implemented as an OS type semiconductor integrated circuit device. 2. Description of the Related Art Conventionally, a circuit for correcting distortion of a deflection current of a CTE can be found, for example, in the NHK Television Technical Textbook (above), edited by the Japan Broadcasting Corporation, pages 233 to 234 (1989). In addition, there has been known a circuit method for obtaining a square waveform (parabolic waveform) as a distortion correction waveform using resonance between a deflection coil and a capacitor. [0003] Unlike a television, a CRT display monitor such as a personal computer or a work station may have several types of deflection frequencies prepared. In this case, the conventional circuit system described above uses the deflection frequency. With the change, the amplitude of the distortion correction waveform changes. Further, since the deflection frequency is detected, a switch is switched by the detected output, and a constant such as a capacitor is switched, a large number of individual components are used, which is not suitable for integration into an integrated circuit. On the other hand, the required amplitude of the distortion correction waveform is determined by the shape of the tube surface of the CRT used, and a constant amplitude is required regardless of the change in the deflection frequency. The present invention provides a circuit suitable for integration into a circuit, which generates a distortion correction waveform having a constant amplitude regardless of a change in deflection frequency. [0005] The present invention provides two MOS transistors.
The source electrode of the transistor is commonly connected to the inverting input terminal of the operational amplifier, the output terminal of the operational amplifier and the inverting input terminal are connected by a resistor, and an input signal is applied to the drain of one MOS transistor. In a so-called adder circuit for applying a waveform of the opposite polarity of the input signal to the drain of the MOS transistor, the gate voltage of the two MOS transistors is made similar to the waveform of the input signal, and the source / drain resistance of the MOS transistor is changed in proportion to the input. To obtain a squared waveform of the input waveform. According to the present invention, the amplitude of the squared waveform, that is, the distortion correction waveform is affected only by the amplitude of the input waveform, and does not depend on the frequency. A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, the drain electrode of the MOS transistor 1 is connected to the positive input terminal, and the source electrode is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 4. The drain electrode of the MOS transistor 2 is connected to the negative input terminal, and the source electrode 4 is commonly connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 4. Here, a signal -Vin having a polarity opposite to that of the input signal Vin applied to the positive input terminal is applied to the negative input terminal. The non-inverting input terminal of the operational amplifier 4 is at the reference potential, and the output terminal is MO.
Connected to the source electrode of S transistor 3. MO
The drain electrode of the S transistor 3 is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 4. Since the gate voltage of the MOS transistor 3 is connected to the fixed voltage VG, M
The OS transistor 3 has the same function as a constant resistance. Therefore, the MOS transistor 3 can be replaced with a resistor. Assuming that a waveform similar to the input signal Vin is Va and the ground potential is VG, a voltage of VG−Va is applied to the gate electrode of the MOS transistor 1 and a voltage of VG + Va is applied to the gate electrode of the MOS transistor 2. Is done. Hereinafter, the input / output characteristics of the circuit will be described first. The gates of the MOS transistors 1, 2, and 3
The source-to-source voltages are VGS1, VGS2, and VGS3, the threshold voltage is VTH, and the voltage-current conversion factor of the MOS transistor is K.
And When the drain-source voltage of the MOS transistor is sufficiently small, the resistance R1 of the MOS transistor
In general, R1 = 1 / {K ・ (VGS1-VTH)}, R2 = 1 / {K ・ (VGS2-VTH)}, R3 = 1 / {K ・ (VGS3-VTH)}… ( It is expressed by 1). On the other hand, the input / output characteristics of the circuit shown in FIG. 1 can be represented by Vin / R1−Vin / R2 = −Vout / R3 (2) as generally called an adder. By substituting equation (1) into equation (2), Vin ・ K {{(VGS1-VTH)-(VGS2-VTH)} =-K ・ (VGS3-VTH) ・ Vout (3) where VGS1 = VG-Va, VGS2 = VG + Va, VGS3
= VG, substituting 2 · Vin · Va = (VG−VTH) · Vout (4) Where Va is a similar waveform of Vin and its proportional coefficient is α, α · Vin2 = (VG−VTH) Vout (5) That is, a square waveform of the input is obtained at the output. FIG. 2 shows waveforms at various points in the circuit of FIG. Here, Vin rises linearly over time or falls linearly. Va is Vin
Multiplied by the proportional coefficient α, VG + Va is applied between the gate and source of the MOS transistor 2, and VG−Va is applied to the MOS transistor 2.
It is added between the gate and the source of the transistor 1.
The output voltage Vout has a square waveform corresponding to each of a rising section and a falling section of the input Vin. Here, the output amplitude depends only on the input voltage, as is apparent from the equation (5), and has no relation to the frequency or the slope. A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the circuit of FIG.
The portion composed of the operational amplifiers 2 and 3 and the operational amplifier 4 is the same as the circuit of FIG. The former part has resistors 5, 6, 7, 8, 9, 10,
A voltage dividing circuit composed of 11 and 12 and an operational amplifier 2
7, 28, resistors 13, 14, 15, 16, 17, 18,
It comprises three parts: a single-ended differential conversion circuit composed of 19 and 20, and a signal switching circuit composed of switches 21, 22, 23, 24, 25 and 26. Hereinafter, the circuit operation will be described in order from the input side. The switches 21 to 26 of the signal switching circuit are controlled by switching control signals Sa to Sf, respectively. Sa turns on the switch 21 in the odd-numbered rising section of the input signal. S
c turns on the switch 23 in the odd-numbered falling section and the even-numbered rising section of the input signal. Se turns on the switch 25 in the even-numbered falling section. Remaining Sb and Sd
, Sf operate one cycle behind Sa, Sc, Se.
That is, Sb turns on the switch 22 in the even-numbered rising section of the input signal. Sd turns on the switch 24 in the even-numbered falling section and the odd-numbered rising section of the input signal. Sf turns on the switch 26 in the odd-numbered falling section. Therefore, the output Va of the signal switching circuit is the same as the input signal in the odd-numbered rising section of the input signal, the same voltage as VB in the odd-numbered falling section and the even-numbered rising section, and the even-numbered falling section. Then, the voltage becomes the same as VBN. Similarly, the output Vb of the signal switching circuit is the same as the input signal in the even-numbered rising section of the input signal, the same voltage as VB in the even-numbered falling section and the odd-numbered rising section, and the odd-numbered falling section. In the section, the voltage is the same as VBN. Next, in the single-ended differential conversion circuit, V
a and Vb are subtracted. Generally, assuming that the outputs are Vc and Vd and the resistances 13 to 20 are all equal, Vc = (Vb−Va) and Vd = −
(Vb-Va). Vc and Vd are V
It becomes a signal whose polarity is inverted with respect to b. In the next voltage divider, the output of the single-ended differential converter is divided. The reason for the voltage division is that the linear operation range of the MOS transistors 1 and 2 is narrow. At the same time, in this voltage dividing circuit, the gate voltages of the MOS transistors 1 and 2 are generated. As described above, the gate voltage needs to be a signal similar to the input signal centered on the potential of VG. The drain voltage Vin of the MOS transistor 1
+ And the drain voltage Vin- of the MOS transistor 2 are obtained by changing the resistance values of the resistors 7, 8, 11 and 12 to R7, R8 and R1 respectively.
1, R12: Vin + = Vc R8 / (R7 + R8) (6) Vin- = Vd R12 / (R11 + R12) (7) The gate voltage Vf of the MOS transistor 1 and the gate voltage Ve of the MOS transistor 2 are resistors. Assuming that the resistance values of 5, 6, 9 and 10 are R5, R6, R9 and R10, respectively, Ve = Vdd · R6 / (R5 + R6) + VC · R5 / (R5 + R6) (8) Vf = Vdd · R10 / (R9 + R10) + Vd.R9 / (R9 + R10) (9) Assuming that R5 = R9 and R6 = R10, Ve and Vf are constant voltages Vdd.R6 /, as can be seen from equations (8) and (9).
Signals obtained by dividing Vc and Vd around (R5 + R6) = VG are output. In equation (5), α is given by the following equation (6) for the input signal:
Considering that the pressure is divided by the equation (7), R7 = R
11, when R8 = R12 α = R99R12 / (R9 + R10) ・ (R11 + R12) (10) (5) Vin in the equation (5) is only for the rising section of the input Vin R8 / (R7 + R8) = Vin + Vin -... (11), and the square waveform of the input is obtained at the output from the equation (5). Vc, Vd, Ve, V
Since f is clamped to the peak value by the switches 21 to 26, the output value is also clamped to the peak value. As described above, the circuit shown in FIG. 3 outputs a square waveform only during the rising section of the input, and outputs a constant value during the falling section of the input having a short time, and does not output a square waveform. In a distortion correction waveform generation circuit of a CRT such as a television, a falling section is a section called a retrace section in which an image is not visible on a screen. When a waveform is output, it is necessary to amplify the frequency characteristics of the amplifier circuit connected to the subsequent stage to a relatively high frequency so that the influence does not affect the squared waveform in the rising section. If the circuit shown in FIG. 3 is applied to a distortion correction waveform generating circuit of a CRT, the frequency characteristics of an amplifier circuit connected at the subsequent stage may amplify a relatively low frequency. As described above, according to the present invention, M
Using the OS transistor, a CRT distortion correction waveform generation circuit can be realized. Furthermore, since the switch can be easily realized and changed with a MOS transistor, when applied to a MOS type integrated circuit, a distortion correction waveform generation circuit of a CRT can be configured without adding a function of switching a capacitor externally. There is. Further, since the output in the retrace interval can be clamped to a constant value and unnecessary high-frequency waveforms are not output, there is an effect that the frequency characteristics of the circuit connected to the subsequent stage can be reduced.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の第1の実施例を示す。 【図2】図1の回路の各部の動作波形を示す。 【図3】本発明の第2の実施例を示す。 【図4】図3の回路の各部の動作波形を示す。 【符号の説明】 1、2、3 MOSトランジスタ 4 オペアンプ 5〜20 抵抗器 21〜26 スイッチ[Brief description of the drawings] FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. FIG. 2 shows operation waveforms of various parts of the circuit of FIG. FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. FIG. 4 shows operation waveforms of various parts of the circuit of FIG. [Explanation of symbols] 1,2,3 MOS transistor 4 Operational amplifier 5-20 resistor 21-26 switch

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項のこぎり信号を入力する第1の入力端
子、第1の基準電圧を入力する第2の入力端子、第2の
基準電圧を入力する第3の入力端子及び、第3の基準電
圧を入力する第4の入力端子と、前記入力端子群に入力
された信号を順次切り換える第1、第2、第3、第4、
第5、第6のスイッチと、前記スイッチによって選択さ
れた信号を入力する、第1、第2の差動増幅器と、前記
第1、第2の差動増幅器の出力をそれぞれ入力する、第
1、第2の抵抗群からなる2つの分圧器に第1、第2及
び第3、第4の出力端子をつけ、前記第2の出力端子に
ドレインを接続した第1のMOSトランジスタと、前記
第4の出力端子にドレインを接続した第2のMOSトラ
ンジスタと、前記第1のMOSトランジスタのソースと
前記第2のMOSトランジスタのソースを共通にして反
転入力端子を接続し、第4の基準電圧を非反転入力端子
に接続した演算増幅器と、前記反転入力端子に第1の端
子を接続し、前記演算増幅器の出力端子に第2の端子を
接続した抵抗要素とで構成され、前記第1のMOSトラ
ンジスタのゲートが前記第3の出力端子に接続され、前
記第2のMOSトランジスタのゲートが前記第1の出力
端子に接続されることを特徴とする関数発生回路。
(57) a first input terminal for inputting the Patent Claims 1. A sawtooth signal, a second input terminal for receiving a first reference voltage, a third for inputting the second reference voltage An input terminal, a fourth input terminal for inputting a third reference voltage, and first, second, third, fourth, and fourth signals for sequentially switching signals input to the input terminal group.
Fifth and sixth switches, first and second differential amplifiers for inputting signals selected by the switches, and first and second differential amplifiers for inputting the first and second differential amplifiers, respectively. A first MOS transistor having first, second, third, and fourth output terminals attached to two voltage dividers comprising a second resistor group, and a drain connected to the second output terminal; A second MOS transistor having a drain connected to the output terminal of the second MOS transistor, a source of the first MOS transistor and a source of the second MOS transistor connected in common, and an inverting input terminal connected thereto; An operational amplifier connected to a non-inverting input terminal, and a resistance element having a first terminal connected to the inverting input terminal and a second terminal connected to an output terminal of the operational amplifier; Transistor gate The third is connected to the output terminal, the function generator having a gate and being connected to said first output terminal of said second MOS transistor.
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