JP3479761B2 - Transparent thin film removing apparatus, transparent thin film removing method, and thin film electroluminescent device - Google Patents
Transparent thin film removing apparatus, transparent thin film removing method, and thin film electroluminescent deviceInfo
- Publication number
- JP3479761B2 JP3479761B2 JP31125896A JP31125896A JP3479761B2 JP 3479761 B2 JP3479761 B2 JP 3479761B2 JP 31125896 A JP31125896 A JP 31125896A JP 31125896 A JP31125896 A JP 31125896A JP 3479761 B2 JP3479761 B2 JP 3479761B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- transparent
- film layer
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は透明薄膜除去装置、
透明薄膜除去方法および薄膜エレクトロルミネッセント
素子にかかるもので、とくにレーザー光を用いて薄膜エ
レクトロルミネッセント（ＥＬ）素子などの透明薄膜を
加工処理する透明薄膜除去装置および透明薄膜除去方
法、さらにその薄膜エレクトロルミネッセント素子に関
するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a transparent thin film removing device,
A method for removing a transparent thin film and a thin film electroluminescent element, particularly a transparent thin film removing apparatus and a transparent thin film removing method for processing a transparent thin film such as a thin film electroluminescent (EL) element using a laser beam, and The present invention relates to the thin film electroluminescent device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的な薄膜エレクトロルミネッセント
素子１について図３および図４にもとづき概説する。図
３は、薄膜エレクトロルミネッセント素子１の断面斜視
図であって、薄膜エレクトロルミネッセント素子１は、
透明なガラス基板２と、多数の細片として並列した透明
電極３と、第１の絶縁層４と、発光層５と、第２の絶縁
層６と、透明電極３に交差するように多数の細片として
並列した背面電極７と、防湿保護層８と、を有する。透
明電極３と背面電極７との間に発光用電源９から電圧を
印加することにより、発光層５が所定波長の光を発光
し、ガラス基板２側から見る平面ディスプレイとして応
用することができる。2. Description of the Related Art A general thin film electroluminescent device 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a cross-sectional perspective view of the thin film electroluminescent element 1, in which the thin film electroluminescent element 1 is
A transparent glass substrate 2, a transparent electrode 3 arranged in parallel as a large number of strips, a first insulating layer 4, a light emitting layer 5, a second insulating layer 6, and a large number of so as to intersect the transparent electrode 3. The back electrode 7 and the moisture-proof protective layer 8 are arranged in parallel as strips. By applying a voltage from the light emitting power source 9 between the transparent electrode 3 and the back electrode 7, the light emitting layer 5 emits light of a predetermined wavelength and can be applied as a flat display viewed from the glass substrate 2 side.
【０００３】透明電極３の材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎ
2Ｏ3：Ｓｎ、インジウムスズ酸化物）が一般的である
が、このほか、ＳｎＯ2：Ｓｂ膜、Ｃｄ2ＳｎＯ4膜、Ｚ
ｎＯ膜などがある。背面電極の材料としては、アルミニ
ウムが一般的である。As a material for the transparent electrode 3, ITO (In
2 O 3 : Sn, indium tin oxide) are generally used, but in addition, SnO 2 : Sb film, Cd 2 SnO 4 film, Z
There is an nO film or the like. Aluminum is generally used as the material of the back electrode.
【０００４】第１の絶縁層４および第２の絶縁層６の材
料としては、Ｙ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、
Ｓｍ2Ｏ3、ＰｂＴｉＯ3などがある。Materials for the first insulating layer 4 and the second insulating layer 6 include Y 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 and
Examples include Sm 2 O 3 and PbTiO 3 .
【０００５】発光層５の材料としては、ＺｎＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳなどがあり、発光中心には遷移金属イオン
（主としてＭｎ2+）や希土類イオンが用いられ、それぞ
れ固有のスペクトルを持つ発光が得られる。一般的に
は、ＺｎＳ：Ｍｎ黄橙色ＥＬ、ＺｎＳ：Ｌｎ（希土類）
カラーＥＬ、アルカリ土類系カラーＥＬなどがある。The material of the light emitting layer 5 is ZnS or Ca.
S, SrS, etc. are used, and transition metal ions (mainly Mn 2+ ) and rare earth ions are used for the emission center, and light emission having a unique spectrum is obtained. Generally, ZnS: Mn yellow-orange EL, ZnS: Ln (rare earth)
There are color EL, alkaline earth color EL, and the like.
【０００６】通常、第１の絶縁層４および第２の絶縁層
６の厚さは、０．３〜０．５μｍであり、発光層５の厚
さは、０．５〜１．０μｍである。Usually, the thickness of the first insulating layer 4 and the second insulating layer 6 is 0.3 to 0.5 μm, and the thickness of the light emitting layer 5 is 0.5 to 1.0 μm. .
【０００７】図４は、コンタクト（電極）用の穴を形成
する方法（透明薄膜除去方法）を説明する要部断面図で
あって、このコンタクト用の穴にアルミニウム材料など
を蒸着して透明電極３と背面電極７とを導通させる。図
中の上方を上層部分として以下説明する。薄膜エレクト
ロルミネッセント素子１の前段階製品１Ａの第２の絶縁
層６上方にステンレス製のマスク１０をセットして、紫
外線領域の波長を有するレーザー光１１を照射し、最上
層の第２の絶縁層６にレーザー光１１のエネルギーを吸
収させ、アブレーション現象により第２の絶縁層６のこ
の部分を吹き飛ばし、絶縁層穴１２を開ける。FIG. 4 is a sectional view of an essential part for explaining a method (transparent thin film removing method) for forming a hole for a contact (electrode). An aluminum material or the like is vapor-deposited in the hole for the contact to form a transparent electrode. 3 and the back electrode 7 are electrically connected. The upper part in the drawing will be described below as an upper layer part. A stainless steel mask 10 is set above the second insulating layer 6 of the pre-stage product 1A of the thin film electroluminescent device 1, and a laser beam 11 having a wavelength in the ultraviolet region is irradiated to the second layer of the uppermost layer. The insulating layer 6 is made to absorb the energy of the laser beam 11, and this portion of the second insulating layer 6 is blown away by the ablation phenomenon, and the insulating layer hole 12 is opened.
【０００８】ついで、発光層５および第１の絶縁層４に
同様の処理を施し、透明電極３の表面に至るまで繰り返
すことにより、コンタクト用穴１３を形成する。なおコ
ンタクト用穴１３の直径は、たとえば５００μｍ、深さ
は１〜２μｍ程度であるが、図示理解の都合上、薄膜エ
レクトロルミネッセント素子１の前段階製品１Ａ部分の
縦横寸法を無視して描いてある。Then, the light emitting layer 5 and the first insulating layer 4 are subjected to the same treatment and repeated until the surface of the transparent electrode 3 is formed, thereby forming the contact hole 13. The contact hole 13 has a diameter of, for example, 500 μm and a depth of about 1 to 2 μm, but for convenience of understanding the drawing, the vertical and horizontal dimensions of the pre-stage product 1A portion of the thin film electroluminescent element 1 are neglected. There is.
【０００９】しかしながら、こうした薄膜除去方法にお
いては、レーザー光１１を照射した前段階製品１Ａにお
ける表面側の層のみが除去されるわけで、セラミックな
どは、通常は１ジュール／ｃｍ2程度のエネルギースレ
ッシュホールドを有し、これ以上のエネルギー密度で表
面を除去することになる。一回のレーザー光１１の照射
による除去量としては、深さ０．１μｍ程度であり、薄
膜エレクトロルミネッセント素子１の前段階製品１Ａの
場合には、十回程度連続してレーザー光１１を照射して
やっと透明電極３の層に到達する。したがって、除去加
工の生産性に劣るという問題があるとともに、透明電極
３の上層の第１の絶縁層４を除去加工する際に、かなり
の深さまで透明電極３を除去してしまうという問題もあ
る。However, in such a thin film removing method, only the layer on the front surface side in the pre-stage product 1A irradiated with the laser beam 11 is removed, and ceramics or the like usually has an energy threshold of about 1 joule / cm 2. It has a hold and removes the surface at an energy density higher than this. The removal amount by one irradiation of the laser light 11 is about 0.1 μm in depth, and in the case of the pre-stage product 1A of the thin film electroluminescent element 1, the laser light 11 is continuously irradiated about 10 times. After irradiation, the layer of the transparent electrode 3 is finally reached. Therefore, there is a problem that the productivity of the removing process is poor, and there is also a problem that the transparent electrode 3 is removed to a considerable depth when removing the first insulating layer 4 which is the upper layer of the transparent electrode 3. .
【００１０】また従来は、透明電極３の上層部分を機械
的に除去する方法も採用されていた。すなわち、サンド
ブラスト法として知られている除去方法を用いる場合に
は、除去する範囲だけを除いて、ゴム材によりマスキン
グを行う。このゴム材はブラスト処理により削られてゆ
くため、マスク形状が変化する前に交換する必要がある
という問題がある。また、マスクは薄膜エレクトロルミ
ネッセント素子１の表面に精度よく位置決めして装着
し、加工終了時に取り外す工程が必要であるという問題
がある。なお、サンドブラスト材としては、たとえばア
ルミナ微粒子などが必要であり、ランニングコストが高
くなるという問題がある。さらに、使用済みのブラスト
材および廃液処理が必要があるなどのという問題もあ
る。Further, conventionally, a method of mechanically removing the upper layer portion of the transparent electrode 3 has also been adopted. That is, when the removal method known as the sandblast method is used, masking is performed with a rubber material except for the removal range. Since this rubber material is scraped away by the blast treatment, there is a problem that it needs to be replaced before the mask shape changes. In addition, there is a problem that the mask needs to be accurately positioned and mounted on the surface of the thin film electroluminescent element 1 and removed at the end of processing. As the sandblast material, for example, alumina fine particles are required, which causes a problem of high running cost. Further, there is a problem that it is necessary to dispose of used blast material and waste liquid.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
諸問題にかんがみなされたもので、レーザー光により薄
膜の所定部分を簡単に除去することができる透明薄膜除
去装置および透明薄膜除去方法、さらにその薄膜エレク
トロルミネッセント素子を提供することを課題とする。The present invention has been made in view of the above problems, and a transparent thin film removing apparatus and a transparent thin film removing method capable of easily removing a predetermined portion of a thin film by laser light, Further, it is an object to provide the thin film electroluminescent element.
【００１２】また本発明は、サンドブラスト法における
ような諸問題を回避することができる透明薄膜除去装置
および透明薄膜除去方法、さらにその薄膜エレクトロル
ミネッセント素子を提供することを課題とする。Another object of the present invention is to provide a transparent thin film removing apparatus and a transparent thin film removing method which can avoid various problems as in the sandblast method, and a thin film electroluminescent element thereof.
【００１３】また本発明は、薄膜エレクトロルミネッセ
ント素子などにおいて透明電極部分から上層を効率およ
び精度よく除去することができる透明薄膜除去装置およ
び透明薄膜除去方法、さらにその薄膜エレクトロルミネ
ッセント素子を提供することを課題とする。The present invention also provides a transparent thin film removing apparatus and a transparent thin film removing method capable of efficiently and accurately removing an upper layer from a transparent electrode portion in a thin film electroluminescent element, and a thin film electroluminescent element thereof. The challenge is to provide.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、下層
部分（第１の薄膜層）に配置する材料がレーザー光をあ
る程度の吸収率（たとえば数％）で吸収するとともに、
この上層部分（第２の薄膜層）に配置する材料が所定の
波長のレーザー光に対して透明であるように各層の材料
およびレーザー光を選択することが可能であること、お
よび下層部分のアブレーションにより上層部分を一緒に
吹き飛ばすことが可能であることに着目したもので、第
一の発明は、第１の薄膜層およびこの第１の薄膜層の上
層に積層した第２の薄膜層を有する透明薄膜の該第２の
薄膜層を除去する透明薄膜除去装置であって、上記第１
の薄膜層には吸収可能であるとともに上記第２の薄膜層
には透明なレーザー光を該第２の薄膜層側から照射する
レーザー光照射手段を有し、この第１の薄膜層に吸収さ
れたレーザー光のエネルギーによるアブレーションによ
って該第１の薄膜層から上層を除去することを特徴とす
る透明薄膜除去装置である。That is, according to the present invention, the material disposed in the lower layer portion (first thin film layer) absorbs laser light at a certain absorption rate (for example, several percent), and
It is possible to select the material and laser light of each layer so that the material arranged in this upper layer portion (second thin film layer) is transparent to the laser light of a predetermined wavelength, and the ablation of the lower layer portion. Focusing on the fact that it is possible to blow away the upper layer part together by means of the first invention, the first invention is a transparent film having a first thin film layer and a second thin film layer laminated on the first thin film layer. A transparent thin film removing device for removing the second thin film layer of a thin film, comprising:
Of the second thin film layer has a laser beam irradiating means for irradiating the second thin film layer with a transparent laser beam, and the second thin film layer is absorbed by the first thin film layer. The transparent thin film removing apparatus is characterized in that the upper layer is removed from the first thin film layer by ablation by the energy of the laser beam.
【００１５】上記第１の薄膜層は、透明電極を有すると
ともに、上記第２の薄膜層は、発光層および絶縁層を有
することができる。すなわち、薄膜エレクトロルミネッ
セント素子におけるコンタクト用の穴の形成に適用する
ことができる。もちろん、第２の薄膜層部分が単層か各
種の層の組み合わせ層であるかを問わず、薄膜エレクト
ロルミネッセント素子以外にも、任意の透明薄膜に本発
明を適用することができる。The first thin film layer may have a transparent electrode, and the second thin film layer may have a light emitting layer and an insulating layer. That is, it can be applied to the formation of a contact hole in a thin film electroluminescent element. Of course, the present invention can be applied to any transparent thin film other than the thin film electroluminescent element regardless of whether the second thin film layer portion is a single layer or a combined layer of various layers.
【００１６】上記レーザー光照射手段は、９００ｎｍ以
上の赤外線領域の波長のレーザー光を発振するとともに
そのパルス幅をサブナノ秒以下としたパルスレーザー
と、上記レーザー光の照射と上記透明薄膜の移動とを同
期させるステージと、上記レーザー光のエネルギーを検
出する光センサーと、この光センサーによる検出信号に
応じて上記レーザー光のエネルギーが一定になるように
調整するビーム減衰器と、を有することができる。The laser beam irradiating means oscillates a laser beam having a wavelength in the infrared region of 900 nm or more and has a pulse width of sub-nanosecond or less, and irradiates the laser beam and moves the transparent thin film. It is possible to have a stage for synchronization, an optical sensor for detecting the energy of the laser light, and a beam attenuator for adjusting the energy of the laser light to be constant according to a detection signal from the optical sensor.
【００１７】第二の発明は、第１の薄膜層およびこの第
１の薄膜層の上層に積層した第２の薄膜層を有する透明
薄膜の該第２の薄膜層を除去する透明薄膜除去方法であ
って、上記第１の薄膜層には吸収可能であるとともに上
記第２の薄膜層には透明なレーザー光を該第２の薄膜層
側から照射する照射工程と、上記第１の薄膜層にこのレ
ーザー光を吸収させる吸収工程と、この第１の薄膜層に
吸収されたレーザー光のエネルギーによるアブレーショ
ンによって該第１の薄膜層から上層を除去するアブレー
ション工程と、を有することを特徴とする透明薄膜除去
方法である。A second invention is a transparent thin film removing method for removing a second thin film layer of a transparent thin film having a first thin film layer and a second thin film layer laminated on the first thin film layer. An irradiation step of irradiating the second thin film layer with a laser beam that can be absorbed by the first thin film layer and that is transparent to the second thin film layer; A transparent process, comprising: an absorption step of absorbing the laser light; and an ablation step of removing the upper layer from the first thin film layer by ablation by the energy of the laser light absorbed in the first thin film layer. This is a thin film removal method.
【００１８】第三の発明は、たとえばガラス基板その他
の透明な基板と、この基板上に並列した透明電極と、こ
の透明電極に交差するように並列した背面電極と、この
背面電極および上記透明電極の間に積層する第１の絶縁
層、発光層および第２の絶縁層と、を有する薄膜エレク
トロルミネッセント素子であって、上記第１の絶縁層に
は吸収可能であるとともに上記第２の絶縁層には透明な
レーザー光を該第２の絶縁層側からレーザー光を照射
し、この第１の絶縁層に吸収されたレーザー光のエネル
ギーによるアブレーションによって該第１の絶縁層から
上層を除去し、上記透明電極に上記背面電極を接続可能
としたことを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセント
素子である。A third invention is, for example, a transparent substrate such as a glass substrate, a transparent electrode arranged in parallel on the substrate, a rear electrode arranged in parallel so as to intersect with the transparent electrode, the rear electrode and the transparent electrode. A thin film electroluminescent element having a first insulating layer, a light emitting layer, and a second insulating layer laminated between the first insulating layer, the second insulating layer being absorbable by the first insulating layer, and the second insulating layer. The insulating layer is irradiated with a transparent laser beam from the side of the second insulating layer, and the upper layer is removed from the first insulating layer by ablation by the energy of the laser beam absorbed in the first insulating layer. The thin film electroluminescent element is characterized in that the back electrode can be connected to the transparent electrode.
【００１９】本発明による透明薄膜除去装置、透明薄膜
除去方法および薄膜エレクトロルミネッセント素子にお
いては、被加工物としての薄膜の構成として、レーザー
光に対して透明な材料（第２の薄膜層）の下層に、ある
程度吸収率を有する材料（第１の薄膜層）を配置すると
ともに、下層部分（第１の薄膜層）で吸収されたレーザ
ー光のエネルギーによってアブレーション加工を行い、
上層部分（第２の薄膜層）を一度に除去するようにした
ので、レーザー光を用いて逐次各層を除去していく従来
の除去方法に比較して、加工速度が非常に早い。In the transparent thin film removing apparatus, the transparent thin film removing method, and the thin film electroluminescent element according to the present invention, a material transparent to laser light ( second thin film layer) is used as the structure of the thin film as the workpiece. In the lower layer, a material having a certain degree of absorption ( first thin film layer) is arranged, and ablation processing is performed by the energy of the laser light absorbed in the lower layer portion (first thin film layer),
Since the upper layer portion (second thin film layer) is removed at one time, the processing speed is very high as compared with the conventional removal method in which each layer is sequentially removed using laser light.
【００２０】しかも、第１の薄膜層の表面のごく一部に
おいて吸収されたレーザー光のエネルギーによるアブレ
ーション処理であるので、レーザー光を用いた従来の透
明薄膜除去方法のように、第１の薄膜層（たとえば透明
電極）の深さ方向における除去深さの精度が制御不可能
であるというような問題はない。Moreover, since the ablation process is performed by the energy of the laser light absorbed on a small part of the surface of the first thin film layer, the first thin film is removed like the conventional transparent thin film removing method using the laser light. There is no problem that the precision of the removal depth in the depth direction of the layer (for example, the transparent electrode) is uncontrollable.
【００２１】さらに、サンドブラスト法などによるもの
ではないので、マスクの摩耗がなく、後処理が簡単であ
る。もちろん、マスクを用いてレーザー光を照射する場
合にも適用することができ、この場合においてもマスク
の摩耗は非常に少ない。Further, since it is not based on the sandblast method or the like, the mask is not worn and the post-treatment is easy. Of course, it can also be applied to the case of irradiating a laser beam with a mask, and in this case also, the wear of the mask is very small.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】つぎに本発明の実施の形態による
透明薄膜除去装置２０について、透明薄膜除去方法およ
び薄膜エレクトロルミネッセント素子とともに図１およ
び図２にもとづき説明する。ただし、図３および図４と
同様の部分には同一符号を付し、その詳述はこれを省略
する。図１は、透明薄膜除去装置２０の概略図であり、
透明薄膜除去装置２０は、レーザー電源２１と、レーザ
ー２２と、ビーム整形器２３と、ビーム減衰器２４と、
ミラー２５と、光センサー２６と、モニター２７と、加
工レンズ２８と、薄膜エレクトロルミネッセント素子１
を載置するステージ２９と、トランスファー装置３０
と、コントローラー３１と、制御装置３２と、を有す
る。レーザー電源２１、レーザー２２、ビーム整形器２
３、ビーム減衰器２４、ミラー２５、加工レンズ２８お
よび制御装置３２によりレーザー光照射手段３３を構成
する。ただし、ステージ２９に載置する薄膜エレクトロ
ルミネッセント素子１としては、図４に示したものと同
様に、背面電極７を積層する前の第２の絶縁層６までの
前段階製品１Ａとする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, a transparent thin film removing apparatus 20 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 together with a transparent thin film removing method and a thin film electroluminescent element. However, the same parts as those in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals, and the detailed description thereof will be omitted. FIG. 1 is a schematic view of a transparent thin film removing apparatus 20,
The transparent thin film removing device 20 includes a laser power source 21, a laser 22, a beam shaper 23, a beam attenuator 24,
Mirror 25, optical sensor 26, monitor 27, processing lens 28, thin film electroluminescent element 1
Stage 29 on which the wafer is placed, and transfer device 30
And a controller 31 and a control device 32. Laser power source 21, laser 22, beam shaper 2
3, the beam attenuator 24, the mirror 25, the processing lens 28, and the control device 32 constitute a laser light irradiation means 33. However, as the thin film electroluminescent element 1 to be mounted on the stage 29, similar to the one shown in FIG. 4, the pre-stage product 1A up to the second insulating layer 6 before laminating the back electrode 7 is used. .
【００２３】レーザー２２としては、たとえば９００ｎ
ｍ以上の赤外線領域の波長を有するレーザー光３４を発
振するＹＡＧレーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＶＯ4レー
ザーなどがあり、パルス幅としては、サブナノ秒以下の
短パルスが望ましい。薄膜エレクトロルミネッセント素
子１の深さ方向の影響が少ないからである。すなわち、
パルス幅が長いほど、アブレーションされたのちの透明
電極３の表面に熱変性層がより多く残ってしまう可能性
がある。赤外線領域の波長を有するレーザー光３４は、
透明電極３にわずかに吸収され、第１の絶縁層４、発光
層５および第２の絶縁層６に対しては透明である。As the laser 22, for example, 900n
There are YAG lasers, YLF lasers, YVO 4 lasers, etc. that oscillate the laser light 34 having a wavelength in the infrared region of m or more, and the pulse width is preferably a short pulse of sub-nanosecond or less. This is because there is little influence in the depth direction of the thin film electroluminescent element 1. That is,
The longer the pulse width, the more heat-denatured layer may remain on the surface of the transparent electrode 3 after being ablated. The laser light 34 having a wavelength in the infrared region is
It is slightly absorbed by the transparent electrode 3 and is transparent to the first insulating layer 4, the light emitting layer 5 and the second insulating layer 6.
【００２４】ビーム整形器２３は、ビームエキスパンダ
ーなどの光学系機器である。The beam shaper 23 is an optical system device such as a beam expander.
【００２５】ビーム減衰器２４は、アテニエーターなど
の光学素子であって、レーザー光３４のビームエネルギ
ーを調整する。The beam attenuator 24 is an optical element such as an attenuator and adjusts the beam energy of the laser light 34.
【００２６】ミラー２５は、レーザー光３４をほぼ１０
０％反射するが、一部を透過して光センサー２６に入射
させるとともに、可視光を透過可能であり、モニター２
７によって薄膜エレクトロルミネッセント素子１（前段
階製品１Ａ）の加工状況をチェックすることができる。The mirror 25 transmits the laser light 34 to approximately 10
Although it reflects 0%, part of the light is incident on the light sensor 26 and visible light can be transmitted.
The processing status of the thin film electroluminescent element 1 (pre-stage product 1A) can be checked by 7.
【００２７】光センサー２６は、レーザー光３４のエネ
ルギーメーター、パワーメーター、あるいはフォトダイ
オードなどのセンサーである。The optical sensor 26 is a sensor such as an energy meter for the laser light 34, a power meter, or a photodiode.
【００２８】モニター２７は、ＣＣＤなどを採用した二
次元カメラであるが、薄膜エレクトロルミネッセント素
子１への加工位置のチェックを行う場合には一次元カメ
ラであってもよい。The monitor 27 is a two-dimensional camera that employs a CCD or the like, but it may be a one-dimensional camera when checking the processing position on the thin film electroluminescent element 1.
【００２９】加工レンズ２８は、レーザー光３４用に無
反射コートを施したものであり、単レンズであっても、
組み合わせレンズであってもよい。The processed lens 28 has a non-reflection coating for the laser light 34, and even if it is a single lens,
It may be a combination lens.
【００３０】ステージ２９は、薄膜エレクトロルミネッ
セント素子１のレーザー光３４に対する位置決め用であ
って、平面的なＸ−Ｙステージ、あるいは立体的なＸ−
Ｙ−Ｚステージを採用することができる。The stage 29 is for positioning the thin film electroluminescent element 1 with respect to the laser beam 34, and is a flat XY stage or a stereoscopic X-Y stage.
A YZ stage can be adopted.
【００３１】トランスファー装置３０は、薄膜エレクト
ロルミネッセント素子１のステージ２９への受け渡し用
である。トランスファー装置３０は、ステージ２９とと
もにコントローラー３１によりこれを制御する。The transfer device 30 is for transferring the thin film electroluminescent element 1 to the stage 29. The transfer device 30 controls this together with the stage 29 by the controller 31.
【００３２】制御装置３２は、レーザー電源２１および
コントローラー３１を制御する。The controller 32 controls the laser power source 21 and the controller 31.
【００３３】こうした構成の透明薄膜除去装置２０にお
いて、ステージ２９の移動と同期させてレーザー光３４
を薄膜エレクトロルミネッセント素子１に照射する（照
射工程）。薄膜エレクトロルミネッセント素子１におけ
る加工状況をモニター２７でとらえ、光センサー２６に
よってレーザー光３４のエネルギーを検出し、この検出
信号にもとづきビーム減衰器２４により一定の加工深さ
となるように制御する。In the transparent thin film removing apparatus 20 having such a structure, the laser light 34 is synchronized with the movement of the stage 29.
The thin film electroluminescent element 1 is irradiated with (irradiation step). The processing status of the thin-film electroluminescent element 1 is monitored by the monitor 27, the energy of the laser light 34 is detected by the optical sensor 26, and the beam attenuator 24 is controlled based on the detection signal so that the processing depth is constant.
【００３４】図２は、この加工状況の側面断面図であっ
て、薄膜エレクトロルミネッセント素子１（前段階製品
１Ａ）の上面に第２の絶縁層６側から照射されたレーザ
ー光３４は、第２の薄膜層（第２の絶縁層６、発光層５
および第１の絶縁層４）を透過して第１の薄膜層（透明
電極３）の表面３Ａ部分においてわずかに吸収される
（吸収工程）。この吸収の結果、透明電極３の表面３Ａ
のごく浅い部分においてアブレーションが起こり、同部
分が爆発的に吹き飛ばされるので、透明電極３のごくわ
ずかな表面３Ａ部分とともに上層である第１の絶縁層
４、発光層５および第２の絶縁層６が吹き飛ばされ、コ
ンタクト用穴１３が一気に形成される（アブレーション
工程）。FIG. 2 is a side sectional view of this processing state, in which the laser beam 34 radiated from the second insulating layer 6 side to the upper surface of the thin film electroluminescent element 1 (previous stage product 1A) is Second thin film layer (second insulating layer 6, light emitting layer 5)
Then, the light passes through the first insulating layer 4) and is slightly absorbed in the surface 3A portion of the first thin film layer (transparent electrode 3) (absorption step). As a result of this absorption, the surface 3A of the transparent electrode 3
Since ablation occurs in a very shallow portion of the transparent electrode 3 and the same portion is explosively blown away, the first insulating layer 4, the light emitting layer 5, and the second insulating layer 6 which are upper layers together with the very small surface 3A of the transparent electrode 3 are blown away. Are blown away, and the contact holes 13 are formed at once (ablation step).
【００３５】もちろん、図４で示したようにマスク１０
を用いてレーザー光３４を照射して加工することもでき
る。Of course, as shown in FIG. 4, the mask 10
It is also possible to irradiate and process the laser beam 34 using.
【００３６】なお本発明においては、レーザー光に対す
る透明材料の下層に、有色の吸収材料を配置したものに
可視光領域の波長を有するレーザー光を照射して加工す
ることもできる。In the present invention, it is also possible to perform processing by irradiating a laser light having a wavelength in the visible light region on a layer in which a colored absorbing material is arranged under the transparent material for the laser light.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、上層の第
２の薄膜層にはほとんど吸収されず透明であるとともに
下層の第１の薄膜層にはわずかに吸収されるレーザー光
を用いてアブレーション加工するようにしたので、一度
のレーザー光照射により第１の薄膜層からの上層部を除
去することが可能であり、加工速度および精度を向上さ
せることができる。さらに、こうして製造した薄膜エレ
クトロルミネッセント素子は、当面電極および背面電極
間の接続が確実かつ安定しており、その品質の向上とと
もに、製造コストの低減を図ることができる。As described above, according to the present invention, a laser beam that is transparent and hardly absorbed by the upper second thin film layer and slightly absorbed by the lower first thin film layer is used. Since the ablation process is performed by the laser irradiation, it is possible to remove the upper layer portion from the first thin film layer by irradiating the laser beam once, and it is possible to improve the processing speed and accuracy. Further, in the thin-film electroluminescent element thus manufactured, the connection between the immediate electrode and the back electrode is reliable and stable, and the quality thereof can be improved and the manufacturing cost can be reduced.
【図１】本発明の実施の形態による透明薄膜除去装置２
０の概略図である。FIG. 1 is a transparent thin film removing device 2 according to an embodiment of the present invention.
FIG.
【図２】同、薄膜エレクトロルミネッセント素子１（前
段階製品１Ａ）の加工状況の側面断面図である。FIG. 2 is a side cross-sectional view of the processing state of the thin film electroluminescent element 1 (previous stage product 1A).
【図３】一般的な薄膜エレクトロルミネッセント素子１
の断面斜視図である。FIG. 3 is a general thin film electroluminescent device 1.
FIG.
【図４】同、コンタクト（電極）用の穴を形成する方法
（透明薄膜除去方法）を説明する要部断面図である。FIG. 4 is a sectional view of relevant parts for explaining a method of forming a hole for a contact (electrode) (transparent thin film removing method).
１ 薄膜エレクトロルミネッセント素子（図３）
１Ａ 薄膜エレクトロルミネッセント素子１の前段階製
品（図２、図４）
２ 透明なガラス基板
３ 透明電極（第１の薄膜層、ＩＴＯなど）
３Ａ 第１の薄膜層（透明電極３）の表面（図２）
４ 第１の絶縁層（第２の薄膜層）
５ 発光層（第２の薄膜層）
６ 第２の絶縁層（第２の薄膜層）
７ 背面電極
８ 防湿保護層
９ 発光用電源
１０ ステンレス製のマスク
１１ 紫外線領域の波長を有するレーザー光
１２ 絶縁層穴
１３ コンタクト用穴
２０ 透明薄膜除去装置（図１）
２１ レーザー電源
２２ レーザー
２３ ビーム整形器
２４ ビーム減衰器
２５ ミラー
２６ 光センサー
２７ モニター
２８ 加工レンズ
２９ ステージ
３０ トランスファー装置
３１ コントローラー
３２ 制御装置
３３ レーザー光照射手段
３４ 赤外線領域の波長を有するレーザー光1 Thin-Film Electroluminescent Element (Fig. 3) 1A Preliminary Product of Thin-Film Electroluminescent Element 1 (Fig. 2, Fig. 4) 2 Transparent Glass Substrate 3 Transparent Electrode (First Thin-Film Layer, ITO, etc.) 3A Surface of thin film layer 1 (transparent electrode 3) (FIG. 2) 4 First insulating layer (second thin film layer) 5 Light emitting layer (second thin film layer) 6 Second insulating layer (second thin film layer) ) 7 Back electrode 8 Moisture-proof protective layer 9 Emission power supply 10 Stainless steel mask 11 Laser light having a wavelength in the ultraviolet region 12 Insulating layer hole 13 Contact hole 20 Transparent thin film removing device (Fig. 1) 21 Laser power supply 22 Laser 23 Beam Shaper 24 Beam attenuator 25 Mirror 26 Optical sensor 27 Monitor 28 Processing lens 29 Stage 30 Transfer device 31 Controller 32 Control device 33 Laser light irradiation means 3 Laser light having a wavelength in the infrared region
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−259686（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−123588（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−222371（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−3077（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−314592（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−100435（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 26/36 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP 62-259686 (JP, A) JP 63-123588 (JP, A) JP 8-222371 (JP, A) JP 5- 3077 (JP, A) JP-A-6-314592 (JP, A) JP-A-5-100435 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) B23K 26/36
Claims (5)
の上層に積層するとともに発光層を有する第２の薄膜層
を有する透明薄膜の該第２の薄膜層を除去する透明薄膜
除去装置であって、 前記第１の薄膜層には吸収可能であるとともに前記第２
の薄膜層には透明なレーザー光を該第２の薄膜層側から
照射するレーザー光照射手段を有し、 この第１の薄膜層の表面部分においてわずかに吸収され
た前記レーザー光のエネルギーによる該第１の薄膜層の
該表面部分のごく浅い部分におけるアブレーションによ
って該第１の薄膜層の該表面部分から上層を除去するこ
とを特徴とする透明薄膜除去装置。1. A transparent thin film removing device for removing the second thin film layer of a transparent thin film having a first thin film layer and a second thin film layer having a light emitting layer and laminated on the first thin film layer. And the second thin film layer is absorbable by the second thin film layer.
A transparent laser light to a thin film layer has a laser beam irradiation means for irradiating a thin film layer side of the second, the by slightly absorbed energy of the laser beam at the surface portion of the first thin film layer Of the first thin film layer
An apparatus for removing a transparent thin film, characterized in that an upper layer is removed from the surface portion of the first thin film layer by ablation in a very shallow portion of the surface portion .
るとともに、 前記第２の薄膜層は、前記発光層に積層する絶縁層を有
することを特徴とする請求項１記載の透明薄膜除去装
置。Wherein said first thin film layer, which has a transparent electrode, the second thin film layer is transparent thin film removal according to claim 1, characterized in that it comprises an insulating layer laminated on the light-emitting layer apparatus.
するとともにそのパルス幅をサブナノ秒以下としたパル
スレーザーと、 前記レーザー光の照射と前記透明薄膜の移動とを同期さ
せるステージと、 前記レーザー光のエネルギーを検出する光センサーと、 この光センサーによる検出信号に応じて前記レーザー光
のエネルギーが一定になるように調整するビーム減衰器
と、を有することを特徴とする請求項１記載の透明薄膜
除去装置。3. The laser light irradiating means oscillates a laser light having a wavelength in the infrared region of 900 nm or more and has a pulse width of sub-nanoseconds or less; irradiation of the laser light and movement of the transparent thin film. And a beam attenuator that adjusts the energy of the laser light to be constant according to a detection signal from the optical sensor. The transparent thin film removing apparatus according to claim 1, which is characterized in that.
の上層に積層するとともに発光層を有する第２の薄膜層
を有する透明薄膜の該第２の薄膜層を除去する透明薄膜
除去方法であって、 前記第１の薄膜層には吸収可能であるとともに前記第２
の薄膜層には透明なレーザー光を該第２の薄膜層側から
照射する照射工程と、 前記第１の薄膜層の表面部分においてこのレーザー光を
わずかに吸収させる吸収工程と、 この第１の薄膜層に吸収されたレーザー光のエネルギー
による該第１の薄膜 層の該表面部分のごく浅い部分にお
けるアブレーションによって該第１の薄膜層の該表面部
分から上層を除去するアブレーション工程と、を有する
ことを特徴とする透明薄膜除去方法。4. A transparent thin film removing method for removing a second thin film layer of a transparent thin film having a first thin film layer and a second thin film layer having a light emitting layer and being laminated on the first thin film layer. And the second thin film layer is absorbable by the second thin film layer.
In the step of irradiating the thin film layer with a transparent laser beam from the side of the second thin film layer, and the laser beam on the surface portion of the first thin film layer.
An absorption step of slightly absorbing the light and a very shallow portion of the surface portion of the first thin film layer due to the energy of the laser light absorbed in the first thin film layer.
The surface portion of the first thin film layer by ablation
Transparent thin film removal method characterized by having a ablation step of removing the upper layer from the distribution.
絶縁層、発光層および第２の絶縁層と、を有する薄膜エ
レクトロルミネッセント素子であって、 前記透明電極には吸収可能であるとともに前記第１の絶
縁層、前記発光層および前記第２の絶縁層には透明なレ
ーザー光を該第２の絶縁層側から照射し、前記透明電極の表面部分においてわずか に吸収された前
記レーザー光のエネルギーによる該透明電極の該表面部
分のごく浅い部分におけるアブレーションによって該透
明電極の該表面部分から上層を除去し、前記透明電極に
前記背面電極を接続可能としたことを特徴とする薄膜エ
レクトロルミネッセント素子。5. A transparent substrate, a transparent electrode juxtaposed on the substrate, a back electrode juxtaposed in parallel with the transparent electrode, and a first insulating layer laminated between the back electrode and the transparent electrode. layer, a thin film electroluminescent device having a light-emitting layer and the second insulating layer, wherein the first insulation together with the the transparent electrode can be absorbed
Before the edge layer, the light emitting layer, and the second insulating layer were irradiated with transparent laser light from the second insulating layer side , and slightly absorbed at the surface portion of the transparent electrode.
The surface portion of the transparent electrode by the energy of the laser light
Translucent by ablation in very shallow part of the minute
A thin film electroluminescent element, wherein an upper layer is removed from the surface portion of a bright electrode, and the back electrode can be connected to the transparent electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31125896A JP3479761B2 (en) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Transparent thin film removing apparatus, transparent thin film removing method, and thin film electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31125896A JP3479761B2 (en) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Transparent thin film removing apparatus, transparent thin film removing method, and thin film electroluminescent device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10137953A JPH10137953A (en) | 1998-05-26 |
| JP3479761B2 true JP3479761B2 (en) | 2003-12-15 |
Family
ID=18014988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31125896A Expired - Lifetime JP3479761B2 (en) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Transparent thin film removing apparatus, transparent thin film removing method, and thin film electroluminescent device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3479761B2 (en) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4006994B2 (en) | 2001-12-18 | 2007-11-14 | 株式会社リコー | Three-dimensional structure processing method, three-dimensional product manufacturing method, and three-dimensional structure |
| AU2002324368A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Gert Jan Huizinga | Method for laser working a film material and film material to be worked using that method. |
| JP2004165068A (en) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacturing method of organic electroluminescent panel |
| JP5008849B2 (en) * | 2005-09-08 | 2012-08-22 | ソニーモバイルディスプレイ株式会社 | Laser processing method and manufacturing method of display device having transparent resin layer |
| GB0518843D0 (en) | 2005-09-15 | 2005-10-26 | Plastic Logic Ltd | A method of forming interconnects using a process of lower ablation |
| JP2008036687A (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Research Foundation For Opto-Science & Technology | Surface machining method |
| WO2008023630A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| US8409672B2 (en) | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device |
| JP5477586B2 (en) * | 2010-04-19 | 2014-04-23 | 凸版印刷株式会社 | Manufacturing method of dual interface type IC card |
| WO2012067228A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | ミヤチテクノス株式会社 | Laser processing method and laser processing device |
| US20170242424A1 (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | General Electric Company | Laser power monitoring in additive manufacturing |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP31125896A patent/JP3479761B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10137953A (en) | 1998-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5466908A (en) | Method and apparatus for cutting patterns of printed wiring boards and method and apparatus for cleaning printed wiring boards | |
| US8382943B2 (en) | Method and apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation | |
| US7358169B2 (en) | Laser-assisted deposition | |
| EP0734325B1 (en) | Ablative imaging by proximity lithography | |
| JP3479761B2 (en) | Transparent thin film removing apparatus, transparent thin film removing method, and thin film electroluminescent device | |
| EP0642158A1 (en) | Method of isolating vertical shorts in an electronic array | |
| US6300594B1 (en) | Method and apparatus for machining an electrically conductive film | |
| JP3556990B2 (en) | Fine patterning method of organic electroluminescence device and device obtained therefrom | |
| JP2014007375A (en) | Circuit singulation system and method | |
| JPH05218472A (en) | Laser beam machining method of thin-film structure | |
| JPH10242617A (en) | Method and apparatus for processing ceramic green sheet | |
| JP2002540950A (en) | Apparatus and method for peeling a thin layer on a carrier material | |
| JPH01245993A (en) | Thin film working device | |
| RU2767623C2 (en) | Methods of laser ablation/laser scribing of coatings of heat-insulating glass units obtained by preliminary and subsequent assembly, and/or related methods | |
| JP2007157659A (en) | Forming method of wiring pattern of organic el element and forming device of organic el element | |
| JP4684717B2 (en) | Wafer laser processing method and laser processing apparatus | |
| JP3259156B2 (en) | Circuit board surface treatment method | |
| JP2003001458A (en) | Laser beam machining method | |
| EP1742758B1 (en) | A method of and an arrangement for laser etching a structure by first radiating areas of the structure for altering the crystallinity | |
| JP2003001457A (en) | Laser beam machining method | |
| JP2003039184A (en) | Laser beam machining method | |
| JP2003033887A (en) | Laser beam machining method | |
| KR20180066205A (en) | Rapid annealing method of a stack of thin layers containing an indium overlay | |
| JP2003025080A (en) | Laser beam machining method | |
| JP2003019583A (en) | Method for laser beam machining |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101010 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 9 |