JP3477214B2 - Optical unit for magneto-optical - Google Patents

Optical unit for magneto-optical

Info

Publication number
JP3477214B2
JP3477214B2 JP28618892A JP28618892A JP3477214B2 JP 3477214 B2 JP3477214 B2 JP 3477214B2 JP 28618892 A JP28618892 A JP 28618892A JP 28618892 A JP28618892 A JP 28618892A JP 3477214 B2 JP3477214 B2 JP 3477214B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
magneto
light
semiconductor substrate
crystal plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP28618892A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH06139642A (en
Inventor
国雄 山宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP28618892A priority Critical patent/JP3477214B2/en
Publication of JPH06139642A publication Critical patent/JPH06139642A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3477214B2 publication Critical patent/JP3477214B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気用光学ユニット
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical unit.

【0002】[0002]

【従来の技術】光磁気ピックアップ装置として、その小
型軽量化を狙った技術については、種々の提案がなされ
ている。
2. Description of the Related Art As a magneto-optical pickup device, various proposals have been made for technologies aiming at reduction in size and weight.

【0003】例えば特開平4-74333 号公報 (文献1)
は、次のような構成の装置を開示する。 同公報第2 図
に示すように、装置は、光磁気記録媒体からの反射光を
半導体レーザからの出射光と分離するためのビームスプ
リッタをキャップ内部に配し、これは、半導体レーザか
ら上方に出射する出射光が発散光として入射する位置に
設置されている。ビームスプリッタで反射されて半導体
レーザからの出射光と分離された光磁気記録媒体からの
反射光は、更に1/2 波長板を透過し、偏光ビームスプリ
ッタに入射して二つの偏光成分に分けられる。その偏光
ビームスプリッタを透過した光は直接に、また反射され
た光は更に全反射面で反射されたのちに、夫々光検出器
で受光される。
For example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-74333 (Reference 1)
Discloses a device having the following configuration. As shown in FIG. 2 of the publication, the device has a beam splitter for separating the reflected light from the magneto-optical recording medium and the emitted light from the semiconductor laser inside the cap, which is located above the semiconductor laser. It is installed at a position where the emitted light is emitted as divergent light. The reflected light from the magneto-optical recording medium, which is reflected by the beam splitter and separated from the light emitted from the semiconductor laser, further passes through the half-wave plate and is incident on the polarization beam splitter to be split into two polarization components. . The light transmitted through the polarization beam splitter is directly received, the reflected light is further reflected by the total reflection surface, and then received by the photodetector.

【0004】光検出器は、偏光ビームスプリッタの透過
光の収束位置より前方で、かつ反射光の収束位置より後
方になるように、台上に設置されている。ビームスプリ
ッタ及び1/2 波長板は接着により一体化されており、偏
光ビームスプリッタは光検出器上に接着されている。半
導体レーザ、及び上記光検出器は夫々台を介し同一のス
テム上に実装され、ビームスプリッタ、1/2 波長板、及
び偏光ビームスプリッタとともにキャップで気密封止さ
れている。
The photodetector is installed on the table so as to be in front of the converging position of the transmitted light of the polarization beam splitter and behind the converging position of the reflected light. The beam splitter and half-wave plate are bonded together and the polarizing beam splitter is bonded onto the photodetector. The semiconductor laser and the photodetector are mounted on the same stem via the respective stands, and are hermetically sealed with a cap together with the beam splitter, the half-wave plate, and the polarization beam splitter.

【0005】特開平4-38628 号公報 (文献2)に示される
技術も既知である。このものは、多数の光学系を用いる
場合の組立精度などの難点を解消しつつ、簡易な装置構
成を実現しようとして、光磁気検出用の光学部材に一軸
性複屈折板を使用することを開示する。
The technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-38628 (Reference 2) is also known. This one discloses the use of a uniaxial birefringent plate as an optical member for magneto-optical detection in an attempt to realize a simple device configuration while solving difficulties such as assembly accuracy when using a large number of optical systems. To do.

【0006】即ち、装置は、半導体基板に常光と異常光
用の各光検出器を配設し、その上に所要の厚さの一軸性
複屈折板ウェハを接着剤で接合して、更にその上面にハ
ーフミラー膜を形成する。半導体レーザは、一軸性複屈
折板上に積層したサブマウントの窓部に臨んで配設し、
上記ハーフミラー膜に対し斜め上方からレーザ光を出射
し、該ハーフミラー膜で反射させて光磁気記録媒体へ照
射させるようにしている。
That is, in the device, photodetectors for ordinary light and extraordinary light are arranged on a semiconductor substrate, and a uniaxial birefringent plate wafer having a required thickness is bonded thereon by an adhesive, and A half mirror film is formed on the upper surface. The semiconductor laser is arranged facing the window portion of the submount laminated on the uniaxial birefringent plate,
Laser light is emitted obliquely from above the half mirror film, reflected by the half mirror film, and irradiated onto the magneto-optical recording medium.

【0007】そして、光磁気記録媒体からの戻り光につ
いては、上記ハーフミラー膜を透過して一軸性複屈折板
で常光と異常光に分離されて、常光用、異常光用光検出
器 (フォトディテクター) で受光される。これにより、
フォーカス、トラッキング制御信号の検出の用に供する
と共に、差信号により情報信号を検出できるようにす
る。
The return light from the magneto-optical recording medium is transmitted through the half mirror film and is separated into ordinary light and extraordinary light by a uniaxial birefringent plate, and a photodetector for ordinary light and extraordinary light (photo It is received by the detector). This allows
It is used for detection of focus and tracking control signals, and an information signal can be detected by a difference signal.

【0008】このものでは、上述のような構成とするこ
とで、同公報 (文献2)第 2図に示される如き集積型のピ
ックアップ装置、即ち、戻り光を2つの検出部に振り分
けるために半導体基板上に反射率調整用の薄膜 (ハーフ
ミラー) を形成したり、その上に接合するプリズム (台
形プリズム) の上面に全反射膜を形成したりする欠点を
解決しようとしている。
In this device, by adopting the above-mentioned structure, an integrated pickup device as shown in FIG. 2 of the same publication (reference 2), that is, a semiconductor for distributing return light to two detecting portions, is used. We are trying to solve the drawbacks of forming a thin film (half mirror) for adjusting the reflectance on the substrate and forming a total reflection film on the upper surface of a prism (trapezoidal prism) to be bonded onto it.

【0009】特開昭64-46243号公報 (文献3)では、同公
報第1図の構成のように、半導体レーザが配置された半
導体基板上に検出用プリズム(39)と一対の光検出器(3
5,36)がある。ホログラム素子の位置は透明基板(ガラ
ス板)の裏面に配置されている。
In Japanese Laid-Open Patent Publication No. 64-46243 (Reference 3), a detection prism (39) and a pair of photodetectors are provided on a semiconductor substrate on which a semiconductor laser is arranged, as shown in FIG. 1 of the publication. (3
5,36) The position of the hologram element is arranged on the back surface of the transparent substrate (glass plate).

【0010】また、特開平3-212828号公報 (文献4)は、
次のような構造を開示している。パッケージ底面部と平
行にレーザ光を出射する半導体レーザは、所定高さを有
するサブマウント (ヒートシンク) 上に配置する。一
方、光検出器を配置した半導体基板上に、複屈折性の台
形プリズムを設けてその上面にハーフミラー膜を形成
し、または光学ガラスや透明プラスチック等の複屈折性
のない材料で構成した台形プリズムを用いその上面に複
屈折性をもつ平板を設けてそれにハーフミラー膜を形成
して、上記のサブマウント上の半導体レーザに対して該
ハーフミラー膜を所定角度で対向させる (同公報第5,7
図) 。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 3-212828 (Reference 4) discloses
The following structure is disclosed. A semiconductor laser that emits laser light parallel to the bottom surface of the package is placed on a submount (heat sink) having a predetermined height. On the other hand, a trapezoid formed by forming a birefringent trapezoidal prism on a semiconductor substrate on which a photodetector is arranged and forming a half mirror film on the upper surface of the prism, or by using a non-birefringent material such as optical glass or transparent plastic. A prism is used and a flat plate having birefringence is provided on the upper surface of the prism, and a half mirror film is formed on the flat plate, and the half mirror film is opposed to the semiconductor laser on the submount at a predetermined angle. , 7
(Figure).

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】特開平4-74333 号公報
(文献1) によるものでは、対物レンズを除く全てはキ
ャップにより気密封止され、偏光ビームスプリッタと光
検出器と半導体レーザはステムの上部に配されている
が、ビームスプリッタと偏光プリズムに接合された1/2
波長板を用いる構成であり、1/2 波長板及び多層膜コー
ティングの偏光プリズムによって製作コストがかさみ、
しかもそれらは高価な光学部品である。
[Problems to be Solved by the Invention] JP-A-4-74333
According to (Reference 1), everything except the objective lens is hermetically sealed by a cap, and the polarization beam splitter, photodetector, and semiconductor laser are arranged on the upper part of the stem, but they are bonded to the beam splitter and polarization prism. 1/2
The configuration uses a wave plate, and the half wave plate and the polarizing prism with a multilayer coating increase the manufacturing cost.
Moreover, they are expensive optical components.

【0012】特開平4-38628 号公報 (文献2)のものは、
一軸性複屈折板を用いるものの、半導体基板に配設した
各光検出器の上に一軸性複屈折板ウェハを、単に、上方
から接着剤で接合するに留まり、また、その上面に形成
したハーフミラー膜に対し、サブマウントに配設した半
導体レーザを斜め上方から対向させる構成であって、一
軸性複屈折板を位置決めする格別の手段も講じておら
ず、構成も複雑で、位置調整や組立にも工数が要求され
る。
The one disclosed in JP-A-4-38628 (reference 2) is
Although the uniaxial birefringent plate is used, the uniaxial birefringent plate wafer is simply bonded on the photodetector arranged on the semiconductor substrate with an adhesive from above, and the half The structure is such that the semiconductor laser mounted on the submount faces the mirror film from diagonally above, and no special means for positioning the uniaxial birefringent plate is taken. Also requires man-hours.

【0013】特開昭64-46243号公報 (文献3)では、半導
体基板の各光検出器の上に横長の台形プリズムを接着す
る構成のものが示されているが、このものも、単に上方
から接合する構成であって位置決めする格別の手段もな
く、しかも、半導体基板上に、光を1/2 透過させ1/2 反
射させるような反射率調整用の薄膜を形成したり、台形
プリズムの上面には全反射膜を形成したりするなどの必
要もあり、更には実際には光磁気信号をとりだすため1/
2 波長板、あるいは光を分離するビームスプリッタが必
要で、製作もそれだけ工数を要し、コストもかかる。
Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-46243 (Reference 3) discloses a structure in which a horizontally long trapezoidal prism is adhered on each photodetector on a semiconductor substrate. There is no special means for positioning and there is no need for positioning, and on the semiconductor substrate, a thin film for reflectance adjustment that allows 1/2 transmission and 1/2 reflection of light is formed, or a trapezoidal prism is used. It is also necessary to form a total reflection film on the top surface, and in addition, in order to actually extract the magneto-optical signal, 1 /
A two-wave plate or a beam splitter that separates light is required, and the number of man-hours required for manufacturing is high and the cost is high.

【0014】更に、特開昭64-46243号公報 (文献3)と特
開平3-212828号公報 (文献4)との組み合わせにおいて
は、マウントを使う構造のものであり、半導体レーザ側
と複屈折性光学部材側とでそれらの位置合わせをし、サ
ブマウント上の半導体レーザから傾斜したハーフミラー
膜に対しレーザ光を出射させるようにし、サブマウント
と複屈折性光学部材の光軸調整の合わせも要求される。
例えば、特開平3-212828号公報第7図 (a)のように、光
学ガラスや透明プラスチック等の複屈折性のない材料の
台形プリズムとハーフミラー膜の間に複屈折性をもつ平
板を設ける場合には、半導体基板上に台形プリズムを介
して反射面をもつ光学部材が接合されているために反射
面の位置が高く、半導体レーザ側にヒートシンク( サブ
マウント) の上面が必要となり、この台と光検出器を配
置した半導体基板の位置調整が必要な構造であり、かつ
また、そのために組立て工数もかかるものである。
Further, in the combination of Japanese Patent Laid-Open No. 64-46243 (Reference 3) and Japanese Patent Laid-Open No. 3-212828 (Reference 4), a structure using a mount is used, and the birefringence is different from that on the semiconductor laser side. The optical axis of the submount and the birefringent optical member are adjusted by aligning them with the side of the birefringent optical member so that the laser beam is emitted from the semiconductor laser on the submount to the inclined half mirror film. Required.
For example, as shown in FIG. 7 (a) of JP-A-3-212828, a flat plate having birefringence is provided between a trapezoidal prism made of a material having no birefringence such as optical glass or transparent plastic and a half mirror film. In this case, the position of the reflection surface is high because the optical member with the reflection surface is bonded on the semiconductor substrate via the trapezoidal prism, and the upper surface of the heat sink (submount) is required on the semiconductor laser side. This is a structure in which the position of the semiconductor substrate on which the photodetector and the photodetector are arranged needs to be adjusted, and therefore, the number of assembling steps is also increased.

【0015】本発明は、上述のような点に鑑みてなされ
たもので、製作が容易で安価に構成できると共に、位置
調整などの組立も簡単で小型化を図ることのできる光磁
気用光学ユニットを提供することを目的とするものであ
る。
The present invention has been made in view of the above points, and is easy to manufacture and can be constructed at a low cost, and the assembly such as position adjustment is easy and the optical unit for magneto-optical can be miniaturized. It is intended to provide.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に配置された半導体レーザおよび検光子と、前記半導体
基板に形成された第1及び第2の光検出器と、前記半導
体基板上に設けられて、前記半導体レーザに所定の角度
をもって対向する反射面部と、前記半導体基板から離れ
た位置に配されるパッケージと結合された透明基板に設
けられたビームスプリッタとを有し、前記半導体レーザ
から発せられ前記反射面部より反射された光ビームを光
磁気記録媒体に導くと共に、該光磁気記録媒体からの戻
り光を前記反射面部からの光ビームとは異なる光路を通
じて、前記検光子と前記第1及び第2の光検出器とに導
く光磁気用光学ユニットであって、前記反射面部と前記
検光子とが異なる光学材料からなり、かつ両者はその反
射面部の背面で接合されていることを特徴とする。ま
た、前記反射面部の反射面の光学材料はガラスまたは半
導体基板からなり、前記検光子の光学材料は結晶からな
ることを特徴とする。また、前記検光子は、前記ビーム
スプリッタで偏向された戻り光が入射する面に偏光性ホ
ログラムが形成されていることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a semiconductor substrate.
A semiconductor laser and an analyzer arranged in the
A first photodetector and a second photodetector formed on a substrate;
Provided on the body substrate, the semiconductor laser has a predetermined angle
Away from the semiconductor substrate
Installed on the transparent substrate combined with the package
Beam splitter, and the semiconductor laser
The light beam emitted from the
Guide to the magnetic recording medium and return from the magneto-optical recording medium
Light through a different optical path from the light beam from the reflecting surface.
The analyzer and the first and second photodetectors.
A magneto-optical optical unit, comprising:
The analyzer is made of a different optical material, and
It is characterized in that it is joined at the back surface of the shooting surface portion. Well
Also, the optical material of the reflective surface of the reflective surface portion is glass or semi-finished.
It consists of a conductor substrate, and the optical material of the analyzer is not a crystal.
It is characterized by Further, the analyzer is the beam
On the surface where the return light deflected by the splitter is incident, the polarization
It is characterized in that a program is formed.

【0017】[0017]

【作用】本発明では、上述の構成によって半導体レーザ
を半導体基板上のサブマウントに載せることなく、ま
た、ビームスプリッタ機能をもつホログラム素子を透明
基板の表面(コリメータレンズ側)に形成し、位置決め
が簡単、組立も容易で、小形化を実現し得、また、半導
体基板上で反射面部を効果的に利用し、その反射面部に
より光磁気検出用の光学部材を背面接合できることによ
り上記効果も著しい。更に、多層膜コーティングの偏光
プリズム、1/2 波長板などの光学部品を用いる必要もな
く、製作が容易で、安価な構成とすることを可能ならし
める。
According to the present invention, the semiconductor laser having the above-described structure is not mounted on the submount on the semiconductor substrate, and the hologram element having the beam splitter function is formed on the surface (collimator lens side) of the transparent substrate for positioning. The above-mentioned effect is remarkable because the size is simple and easy to assemble, the miniaturization can be realized, and the reflecting surface portion can be effectively used to join the optical member for magneto-optical detection to the back surface by the reflecting surface portion. Furthermore, there is no need to use optical components such as a polarizing prism coated with a multilayer film and a half-wave plate, and it is possible to make the structure easy and inexpensive.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に
説明する。図1は、本発明の一実施例 (第1実施例) の
光磁気ピックアップ装置の構成を示す。図中、1は半導
体基板を示し、その半導体基板1の表面に半導体レーザ
2が配置され、また、光検出器3 が半導体基板1の表面
内に形成されて配置されている。光検出器3は、第1の
光検出器3aと第 2の光検出器3bとからなる。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the configuration of a magneto-optical pickup device according to an embodiment (first embodiment) of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a semiconductor substrate, a semiconductor laser 2 is arranged on the surface of the semiconductor substrate 1, and a photodetector 3 is formed and arranged on the surface of the semiconductor substrate 1. The photodetector 3 comprises a first photodetector 3a and a second photodetector 3b.

【0019】半導体基板1はまた、半導体レーザ2に所
定の角度をもって対向する反射面部4を半導体基板1上
に有し、かつその反射面部4の背後 (反射面部4の反射
面4aと対向する半導体レーザ2とは反対側の位置) にお
ける上記光検出器3の受光面上の位置で、一軸性結晶板
5が当該反射面部4に対し図示の如くの背面接合により
半導体基板1上に接着されている。
The semiconductor substrate 1 also has a reflecting surface portion 4 facing the semiconductor laser 2 at a predetermined angle on the semiconductor substrate 1 and behind the reflecting surface portion 4 (a semiconductor facing the reflecting surface 4a of the reflecting surface portion 4). At a position on the light receiving surface of the photodetector 3 at a position (opposite to the laser 2), the uniaxial crystal plate 5 is bonded to the reflecting surface portion 4 on the semiconductor substrate 1 by back bonding as shown in the figure. There is.

【0020】反射面部4は、本実施例では、半導体基板
自体 (例えば、Siウェハ) で形成されており、エッチン
グ加工により、所定の角度を有する反射面4aと、一軸性
結晶板5の接合背面となる垂直面4bとを得て構成され、
反射面4aは多層膜コーティングされている。
In this embodiment, the reflecting surface portion 4 is formed of the semiconductor substrate itself (for example, a Si wafer), and the reflecting surface 4a having a predetermined angle and the bonding back surface of the uniaxial crystal plate 5 are formed by etching. And the vertical surface 4b which becomes
The reflecting surface 4a is coated with a multilayer film.

【0021】半導体基板内のこのような反射面部4とは
別体の一軸性結晶板5は、後述の光磁気記録媒体からの
戻り光の光路面となる上面5aと、光検出器3 の受光面上
へ載置される下面5bと、これら上下面と直交する各側面
5c,5d とを有する形状のものとしてTiO2 (ルチル) 等の
材質から作成して用意され、反射面部4 の背面 (垂直
面)4b による直角部に、その結晶板5 の下面5bと図中左
側側面5cとによる直角の角部を合わせるよう、半導体基
板1によるその反射面部部分自体を位置決めの基準にし
て、夫々の面4b,5c を接着剤6で接合して設けてある。
なお、反射面部4 の背面、及び半導体基板面に対する接
着の詳細は、更に後述する。
The uniaxial crystal plate 5 which is separate from the reflecting surface portion 4 in the semiconductor substrate has an upper surface 5a which serves as an optical path surface for returning light from a magneto-optical recording medium, which will be described later, and a photodetector 3 which receives light. Lower surface 5b placed on the surface and side surfaces orthogonal to these upper and lower surfaces
5c and 5d are prepared by preparing from a material such as TiO 2 (rutile), and at the right angle part of the back surface (vertical surface) 4b of the reflection surface part 4 and the lower surface 5b of the crystal plate 5 and in the figure. The surfaces 4b and 5c of the semiconductor substrate 1 are bonded to each other with an adhesive 6 so that the right-angled corners of the left side surface 5c are aligned with each other using the reflection surface portion itself of the semiconductor substrate 1 as a positioning reference.
The details of bonding the back surface of the reflecting surface portion 4 and the surface of the semiconductor substrate will be described later.

【0022】半導体レーザ2及び一軸性結晶板5、並び
に反射面部4( 本例では、半導体基板自体の一部) の各
部分は、いずれも、図示のように、半導体基板1の同じ
面上にあり、まとまって配置され、反射面部4に対する
上述の背面接合により、一軸性結晶板5も最大限、半導
体レーザ2に寄った位置にある。
The semiconductor laser 2, the uniaxial crystal plate 5, and the reflecting surface portion 4 (in this example, a part of the semiconductor substrate itself) are all formed on the same surface of the semiconductor substrate 1 as shown in the figure. The uniaxial crystal plate 5 is located as close to the semiconductor laser 2 as possible due to the above-described rear surface bonding to the reflecting surface portion 4.

【0023】半導体基板1のその表面上にはまた、半導
体レーザ2の後面に臨んでモニター用光検出器7が配置
されている。モニター用光検出器7は、半導体レーザ2
の後面から出射した光ビームを受光し、半導体レーザ2
の出力をモニターするために用いられるが、これを含ん
でも、上記半導体レーザ2、これと対向する反射面部
4、及びその背後に背面接合した一軸性結晶板5は、半
導体基板1にコンパクトに配設され、半導体基板1自体
の使用横幅サイズ (図中の左右方向の寸法) も小さく、
このような構成部分が、パッケージ8の底部に装置して
ある。
On the surface of the semiconductor substrate 1, a photodetector 7 for monitoring is arranged so as to face the rear surface of the semiconductor laser 2. The photodetector 7 for monitor is the semiconductor laser 2
The semiconductor laser 2 receives the light beam emitted from the rear surface of
The semiconductor laser 2, the reflecting surface portion 4 facing the semiconductor laser 2, and the uniaxial crystal plate 5 back-bonded behind the semiconductor laser 2 are compactly arranged on the semiconductor substrate 1 even if they are included. The width of the semiconductor substrate 1 itself used (the size in the left-right direction in the figure) is also small,
Such a component is mounted on the bottom of the package 8.

【0024】一方、パッケージ上面部にはガラス基板9
を取り付け、そのガラス基板面上にホログラム素子10に
より形成されたビームスプリッタが設けられている。こ
れは、前記半導体基板内の反射面部4の上部に位置して
いる。半導体基板1上の半導体レーザ2、一軸性結晶板
5 などは、パッケージ8により気密封止されている。こ
れらにより光磁気用光学ユニットを構成できる。
On the other hand, the glass substrate 9 is provided on the upper surface of the package.
And a beam splitter formed by the hologram element 10 is provided on the surface of the glass substrate. This is located above the reflective surface portion 4 in the semiconductor substrate. Semiconductor laser 2 on semiconductor substrate 1, uniaxial crystal plate
5 and the like are hermetically sealed by the package 8. With these components, a magneto-optical unit can be constructed.

【0025】パッケージ8外には、ガラス基板9上にホ
ログラム素子10と光磁気記録媒体11との間の光路に、コ
リメータレンズ12と対物レンズ13が設けられ、半導体レ
ーザ2から発せられ反射面部4より反射された光ビーム
がホログラム素子10を透過し、順次、コリメータレンズ
12、対物レンズ13を透過して光磁気記録媒体11上に焦束
するよう導かれるようになっていると共に、光磁気記録
媒体11により反射された戻り光が順次、対物レンズ13、
コリメータレンズ12を透過し、ホログラム素子10を透過
するとき、所定の回折角で偏向されて反射面部4 と背面
接合された一軸性結晶板5 に入射するようになってい
る。これらコリメータレンズ等を含んで、光磁気ピック
アップ装置を構成できる。
Outside the package 8, a collimator lens 12 and an objective lens 13 are provided in the optical path between the hologram element 10 and the magneto-optical recording medium 11 on the glass substrate 9, and the reflecting surface portion 4 emitted from the semiconductor laser 2 is provided. The more reflected light beam passes through the hologram element 10 and is sequentially collimated by a collimator lens.
12, the objective lens 13 is guided so as to be focused on the magneto-optical recording medium 11, and the return light reflected by the magneto-optical recording medium 11 is sequentially transferred to the objective lens 13,
When passing through the collimator lens 12 and the hologram element 10, the light is deflected at a predetermined diffraction angle and is incident on the uniaxial crystal plate 5 back-bonded to the reflecting surface section 4. A magneto-optical pickup device can be configured by including these collimator lenses and the like.

【0026】次に、本実施例装置による光磁気記録媒体
からの信号読み取りについて説明する。図1において、
半導体基板1上に配置された半導体レーザ2から半導体
基板表面に沿って (水平に) 発せられた光ビームは、半
導体基板1による作りつけの反射面部4の全反射面4aで
反射し、該反射面部4の上部において半導体基板1から
離れた位置に配されたガラス基板9面上のホログラム素
子10へ向かう。
Next, the signal reading from the magneto-optical recording medium by the apparatus of this embodiment will be described. In FIG.
A light beam emitted from the semiconductor laser 2 disposed on the semiconductor substrate 1 along the surface of the semiconductor substrate (horizontally) is reflected by the total reflection surface 4a of the reflection surface portion 4 built in by the semiconductor substrate 1, and the reflection is performed. It goes toward the hologram element 10 on the surface of the glass substrate 9 arranged at a position apart from the semiconductor substrate 1 at the upper portion of the surface portion 4.

【0027】反射面部4に背面接合された一軸性結晶板
5は図示のような形状に製作されたものであるが、反射
面部4からのホログラム素子10への上記入射光はその一
軸性結晶板5の上部に当たることがないように設定され
ている。ホログラム素子10を透過してパッケージ8外に
出射した光は、コリメータレンズ12で平行光となり、対
物レンズ13で集光されて、光磁気記録媒体11上に焦束す
る。
The uniaxial crystal plate 5 back-bonded to the reflecting surface portion 4 is manufactured in a shape as shown in the figure, but the incident light from the reflecting surface portion 4 to the hologram element 10 is the uniaxial crystal plate. It is set so that it does not hit the upper part of 5. The light transmitted through the hologram element 10 and emitted to the outside of the package 8 becomes parallel light by the collimator lens 12, is condensed by the objective lens 13, and is focused on the magneto-optical recording medium 11.

【0028】光磁気記録媒体11上で反射された光は、対
物レンズ13及びコリメータレンズ12を透過して再び焦束
され、ホログラム素子10で所定の角度をもって図示のよ
うに偏向されてパッケージ8内へと入射する。このよう
にして、光磁気記録媒体11からの戻り光は、反射面部4
からの光ビームとは異なる光路を通じて、光磁気検出用
の光学部材としての一軸性結晶板5 に入射するが、この
場合のホログラム素子10での回折角は、反射面部4 と背
面接合した一軸性結晶板5 の半導体基板1上の位置に合
わせて小さなものとなっている。
The light reflected on the magneto-optical recording medium 11 passes through the objective lens 13 and the collimator lens 12, is focused again, and is deflected by the hologram element 10 at a predetermined angle as shown in the drawing to be focused inside the package 8. Incident on. In this way, the return light from the magneto-optical recording medium 11 is reflected
Incident on the uniaxial crystal plate 5 as an optical member for magneto-optical detection through an optical path different from that of the light beam from, but the diffraction angle at the hologram element 10 in this case is uniaxially bonded to the reflecting surface section 4 at the back surface. The size is small according to the position of the crystal plate 5 on the semiconductor substrate 1.

【0029】偏向された光は、一軸性結晶板5に入射す
ると、常光と異常光との屈折率の違いにより、常光と異
常光に分離されて、図示のように光検出器3の受光面に
達し第1の光検出器3a、第2の光検出器3bで夫々受光さ
れる。光磁気記録媒体11からの戻り光は、光ビーム照射
位置の磁化方向に応じてカー回転により偏光方向が回転
し、従ってカー回転成分を持つ。そして、上述の戻り光
学系を戻るとき、一軸性結晶板5 に入射した戻り光は結
晶光軸方向に対して異常光と常光により決まる光量に分
解され、カー回転角によって夫々変化する。従って、第
1, 第2の光検出器3a,3b の受光される光量の差動信号
により光磁気記録媒体11上の情報信号を読み取ることが
できる。
When the deflected light is incident on the uniaxial crystal plate 5, it is separated into ordinary light and extraordinary light due to the difference in refractive index between ordinary light and extraordinary light, and the light receiving surface of the photodetector 3 is shown in the figure. And is received by the first photodetector 3a and the second photodetector 3b, respectively. The return light from the magneto-optical recording medium 11 has its polarization direction rotated by Kerr rotation according to the magnetization direction of the irradiation position of the light beam, and thus has a Kerr rotation component. Then, when returning to the above-mentioned return optical system, the return light incident on the uniaxial crystal plate 5 is decomposed into light amounts determined by the extraordinary light and the ordinary light with respect to the crystal optical axis direction, and changes depending on the Kerr rotation angle. Therefore, the information signal on the magneto-optical recording medium 11 can be read by the differential signal of the amount of light received by the first and second photodetectors 3a and 3b.

【0030】本実施例によれば、上述のようにして信号
の検出を行うことができ、光磁気信号をとりだすのにあ
たり、検光子に多層膜コーティングの偏光プリズム、及
び1/2 波長板などの高価な光学部品を用いる必要もな
く、製作が容易で、安価な構成の小型化された光磁気ピ
ックアップ装置が実現される。
According to this embodiment, it is possible to detect a signal as described above, and in extracting a magneto-optical signal, a polarizer such as a polarizing prism coated with a multilayer film and a 1/2 wavelength plate is used as an analyzer. It is possible to realize a miniaturized magneto-optical pickup device which is easy to manufacture and does not require the use of expensive optical parts and has an inexpensive structure.

【0031】図4は、本発明に従って小型化等を実現す
るための原理説明に供する図である。図において、シリ
コン基板 (半導体基板) 上に直接設置された半導体レー
ザLDは、その発光面 (活性層) を下側にして配置した場
合のものが例として示されている。半導体レーザの前面
と対向させる反射面部分は、シリコン基板の一部をエッ
チングすることにより形成されていて、これによる反射
光が半導体レーザの角に当たらない程度で反射をさせる
ようにしてある。図中、x1は半導体レーザ前端面と反射
面部間の距離であり、また、Z1は半導体レーザの高さ
(例えば120 μ) 、Z2はその発光面までの距離を夫々示
す。また、t1は一軸性結晶板の厚さ (後述のように、例
えば2mm) を表す。
FIG. 4 is a diagram for explaining the principle for realizing miniaturization and the like according to the present invention. In the figure, the semiconductor laser LD directly installed on the silicon substrate (semiconductor substrate) is shown as an example in which the light emitting surface (active layer) is arranged on the lower side. The reflection surface portion facing the front surface of the semiconductor laser is formed by etching a part of the silicon substrate, and the reflected light is reflected to the extent that it does not hit the corners of the semiconductor laser. In the figure, x 1 is the distance between the front facet of the laser diode and the reflection surface, and Z 1 is the height of the laser diode.
(For example, 120 μ), Z 2 indicates the distance to the light emitting surface. Further, t1 represents the thickness of the uniaxial crystal plate (for example, 2 mm as described later).

【0032】ここで、図中の斜線部は、上記のような基
板上に一軸性結晶板を貼り付けたときにどうなるかとい
う観点から図示したもので、本装置構成によると、この
部分が不要であることを意味する。仮に、反射面部分も
一軸性複屈折板自体で形成する台形形状の光磁気検出用
の光学部材 (台形プリズム) を基板に接着するとするな
ら、その場合の結晶の光軸に対して90°方向にカットす
る必要があり、従って、斜線部分も含んでその光学部材
は大きな形状のものがもともと必要となるが、本構成で
は、そのようなことがなく、斜線部分は不要で除去で
き、除去できる分だけ、使用する一軸性結晶板自体も小
さくて済む。
Here, the hatched portion in the figure is shown from the viewpoint of what happens when the uniaxial crystal plate is attached onto the substrate as described above, and according to the present apparatus configuration, this portion is unnecessary. Means that. If the trapezoidal optical member for detecting magneto-optical field (trapezoidal prism), whose reflective surface is also formed by the uniaxial birefringent plate itself, is bonded to the substrate, the direction of 90 ° with respect to the optical axis of the crystal in that case. Therefore, the optical member originally needs to have a large shape including the shaded portion, but in this configuration, there is no such a case, and the shaded portion can be removed and can be removed. Therefore, the uniaxial crystal plate itself can be made small.

【0033】更に、具体的にいえば、斜線部分に一軸性
結晶板部をつける必要はなく、従って、図中A0点をA1
移すこともできる。即ち、図中の斜線部分をもたない一
軸性結晶板( つまり、図中A0を通ってシリコン基板面と
直交する側面 (なお、かかる側面は、光路面として用い
ないことから、光路として使用する場合のような研磨も
不要である) を有する形状の一軸性結晶板) を用い、厚
さt1の当該一軸性結晶板がシリコン基板の反射面からの
反射光にかからない程度の位置 (図中A1) へまで、x2
寸法分だけ、一軸性結晶板を半導体レーザ側へ近づけら
れることになる(図1も参照) 。
Further, specifically, it is not necessary to attach the uniaxial crystal plate portion to the shaded portion, and therefore the point A 0 in the figure can be moved to A 1 . That is, a uniaxial crystal plate having no hatched portion in the figure (that is, a side surface that passes through A 0 in the figure and is orthogonal to the silicon substrate surface (note that such a side surface is not used as an optical path surface and is therefore used as an optical path) (A uniaxial crystal plate having a shape that does not require polishing as in the case of) is used, and the uniaxial crystal plate having a thickness t 1 is located at a position where the reflected light from the reflecting surface of the silicon substrate does not interfere (Fig. The uniaxial crystal plate can be brought closer to the semiconductor laser side by the dimension of x 2 up to the middle A 1 ) (see also Fig. 1).

【0034】このようにして、使用する一軸性結晶板が
小さくて済み、それ自体を小型にでき、従って、全体の
横方向の大きさが小さくなるし、かつ、ベース部分、即
ち半導体レーザ、一軸性結晶板を配置するシリコン基板
自体も、それに応じて小さくすることができ、パッケー
ジ8の横幅寸法も小さなものとなる (図1) 。
In this way, the uniaxial crystal plate used can be small, and the size of the uniaxial crystal plate itself can be reduced, so that the overall lateral size can be reduced and the base portion, that is, the semiconductor laser, and the uniaxial crystal plate can be reduced. The silicon substrate itself on which the crystalline film is arranged can be made smaller accordingly, and the lateral dimension of the package 8 is also made smaller (FIG. 1).

【0035】また、もし、使用する一軸性結晶板を小さ
くするために (即ち、小型のものにするようにと) 、そ
の厚さを薄くすると、異常光と常光の分離幅が狭くなっ
てしまい、ホログラムを通してパッケージ内に入射する
光磁気記録媒体からの戻り光がその一軸性結晶板で第1
及び第2の光検出器へ導かれるとき、夫々の光ビームが
分離されない問題が生ずる。これに対し、本構成の場合
は、そのような問題を生じさせることもなく、上述のよ
うにして一軸性結晶板の小型化が達成できる結果、所要
の分離幅を確保できるような厚さt1 (例えば2mm)でよ
く、厚さを薄くするという方向で小形化を行わないで済
む。図1の一軸性結晶板5は、必要な分離幅をとれる厚
さであって、第1, 第2の光検出器3a,3b 上で常光と異
常光が良好に分離できる。
If the thickness of the uniaxial crystal plate used is made small (that is, to make it small), the width of separation of extraordinary light and ordinary light becomes narrow. , The return light from the magneto-optical recording medium that enters the package through the hologram is first reflected by the uniaxial crystal plate.
And when directed to the second photodetector the problem arises that the respective light beams are not separated. On the other hand, in the case of this configuration, without causing such a problem, as a result of being able to achieve miniaturization of the uniaxial crystal plate as described above, a thickness t that can secure a required separation width. 1 (for example, 2 mm) is sufficient, and it is not necessary to reduce the size in the direction of reducing the thickness. The uniaxial crystal plate 5 in FIG. 1 has a thickness that allows a necessary separation width, and ordinary light and extraordinary light can be well separated on the first and second photodetectors 3a and 3b.

【0036】また、既述のように結晶の光軸方向に対し
90°方向にカットする必要がある場合において、上記の
光学部品の結晶の光軸に対して90°にカットすること自
体も、製作上、困難を要するものである。即ち、結晶の
光軸に対して或る所望の方向にカットされ、そのカット
された面から結晶の光軸に対して90°になるように研磨
する必要があることから、加工も複雑となり、その分、
工数もかかるが、本構成では、製作は容易であり、図1
の形状の一軸性結晶板5の研磨面は上下の2面5a,5b で
足り、反射面部4と背面接合する面5cは位置決め用に供
するので、それ用の角度を出せばよく、全体的に加工工
数も少なく、低コストで簡単に得ることができる。
Further, as described above, with respect to the optical axis direction of the crystal,
When it is necessary to cut in the 90 ° direction, cutting itself at 90 ° with respect to the optical axis of the crystal of the above optical component is also difficult to manufacture. That is, it is cut in a certain desired direction with respect to the optical axis of the crystal, since it is necessary to polish the cut surface to be 90 ° with respect to the optical axis of the crystal, the processing becomes complicated, That much
Although it takes a lot of man-hours, this configuration is easy to manufacture.
The upper and lower surfaces 5a and 5b of the uniaxial crystal plate 5 are sufficient for polishing, and the surface 5c that joins the reflecting surface 4 and the back surface is used for positioning. It can be easily obtained at low cost with few processing steps.

【0037】しかも、かかる一軸性結晶板5による場合
は、例えば前記文献3の横長の台形プリズムによるもの
のように、光を1/2 透過させ1/2 反射させるような膜
(ハーフミラー) や、上面側の前反射膜を使用しプリズ
ム上下面間で反射させるような構成等も必要としないこ
とから、この点でも製作は容易で、かつ安価なものとす
ることができる。
Moreover, in the case of using the uniaxial crystal plate 5, a film that transmits 1/2 of light and reflects 1/2 of light, as in the case of the horizontally long trapezoidal prism of the above-mentioned document 3, for example.
(Half mirror) and the structure of using the front reflection film on the upper surface side and reflecting between the upper and lower surfaces of the prism are not required. Therefore, also in this respect, the manufacturing can be made easy and inexpensive. .

【0038】また、半導体基板1上の反射面部4に対
し、その背面部を巧みに利用して一軸性結晶板5を背面
接合することができるので、簡単に位置決めが可能で組
み立て時に、一軸性結晶板5の面5c (垂直面) を、単に
反射面部4の後ろ側の角部においてその背面 (垂直面)4
b へ押しつけるよう両背面を接合して接着すれば、同一
半導体基板面上に半導体レーザ2と一軸性結晶板5を位
置させることができる。従って、例えば前記文献4( 特
開平3-212828号公報) のもののようなサブマウントを使
う場合における面倒な位置合わせなどがないのは勿論、
かかる背面接合の構造は、上記の位置決め機能に加え
て、一軸性結晶板5 を所要の厚さ寸法 (t1)のままで、
更に、半導体レーザ2寄りに位置させることも可能にす
る。反射面部4は、本実施例では、エッチング加工で形
成するが、一軸性結晶板5の基板上の設置面を半導体レ
ーザ載置面と同じになるように、エッチング時、反射面
部の背面を形成すると、厚さt1 (図4)の一軸性結晶板の
厚さを薄くしないでも、その背面に接着すべき一軸性結
晶板を半導体レーザ側により近づられ (図4の一点鎖
線参照) 、従って小形化でき、かつ所要の分離幅も得ら
れる。
Further, since the uniaxial crystal plate 5 can be back-joined to the reflecting surface portion 4 on the semiconductor substrate 1 by skillfully utilizing the back surface portion thereof, the positioning can be easily performed and the uniaxial crystal plate 5 can be positioned at the time of assembly. The surface 5c (vertical surface) of the crystal plate 5 is simply replaced by the rear surface (vertical surface) 4 at the rear corner of the reflecting surface portion 4.
By bonding and adhering both back surfaces so that they are pressed against b, the semiconductor laser 2 and the uniaxial crystal plate 5 can be positioned on the same semiconductor substrate surface. Therefore, of course, there is no troublesome alignment when using a submount like the one of the above-mentioned document 4 (JP-A-3-212828).
In addition to the above-mentioned positioning function, such a structure of backside bonding has a uniaxial crystal plate 5 with a required thickness dimension (t 1 ),
Furthermore, it is possible to position the semiconductor laser 2 closer to it. In the present embodiment, the reflecting surface portion 4 is formed by etching, but the back surface of the reflecting surface portion is formed during etching so that the installation surface of the uniaxial crystal plate 5 on the substrate becomes the same as the semiconductor laser mounting surface. then, without reducing the thickness of the uniaxial crystal plate having a thickness of t 1 (FIG. 4), closer only be a semiconductor laser side uniaxial crystal plate to be bonded to the back (see the one-dot chain lines in FIG. 4) Therefore, the size can be reduced, and the required separation width can be obtained.

【0039】上述のようにして、本実施例によれば、多
層膜コーティングの偏光プリズム、及び1/2 波長板など
の高価な光学部品を用いる必要もなく、製作が容易で、
安価に構成し得ると共に、図4も参照して説明したよう
に、反射面部4を半導体基板1自体で形成し、これに一
軸性結晶板5を背面接合し、小形化を実現したものであ
り、反射面部4は、結晶板とは異なる別体の材質にする
ことにより、結晶の光軸方向に対して90°方向にカット
する必要もないし、かつ、結晶板の厚さを薄くすること
もなく、第1,第2の光検出器3a,3b で良好に、即ち必
要な分離幅を維持して、常光と異常光の検出もでき、し
かも簡単にして確実に一軸性結晶板5の位置出しがで
き、組立も容易である。
As described above, according to the present embodiment, it is not necessary to use expensive optical parts such as a multi-layer coating polarizing prism and a half-wave plate, and the manufacture is easy.
The structure is inexpensive, and as described with reference to FIG. 4, the reflecting surface portion 4 is formed by the semiconductor substrate 1 itself, and the uniaxial crystal plate 5 is back-bonded to the reflecting surface portion 4 to realize miniaturization. The reflecting surface portion 4 does not need to be cut in the direction of 90 ° with respect to the optical axis direction of the crystal by using a separate material different from the crystal plate, and the thickness of the crystal plate can be reduced. Instead, the first and second photodetectors 3a, 3b can detect the ordinary light and the extraordinary light satisfactorily, that is, while maintaining the necessary separation width, and also the position of the uniaxial crystal plate 5 can be simply and surely maintained. It can be taken out and is easy to assemble.

【0040】次に、一軸性結晶板5の背面接合時の接着
の態様、更にはその場合の好適例について述べておく。
基本的には、反射面部4の背面垂直面4bと一軸性結晶板
5の面5cとを接着剤6によって、また、一軸性結晶板5
の下面5bとそれに対する半導体基板1面とを接着剤6に
よって、接着する。このとき、光検出器3と対面する部
分はマスキングしてもよい。更に、確実に固定させるよ
う、補強するために結晶板5の右端下部を全域または部
分的に接着をするようにしてもよい (なお、この点は、
後記の各実施例でも同様でよい) 。
Next, a description will be given of the mode of adhesion when the back surface of the uniaxial crystal plate 5 is joined, and a preferred example in that case.
Basically, the back surface 4b of the reflecting surface portion 4 and the surface 5c of the uniaxial crystal plate 5 are bonded by the adhesive 6, and the uniaxial crystal plate 5 is also used.
The lower surface 5b of the above and the surface of the semiconductor substrate 1 corresponding thereto are bonded by the adhesive 6. At this time, the portion facing the photodetector 3 may be masked. Further, the lower right end of the crystal plate 5 may be bonded entirely or partially for reinforcement so as to securely fix it (note that this point is
The same applies to each of the examples described later).

【0041】また、本実施例の場合は、既述のように、
反射面部4は、エッチング加工で設けるので、反射面部
4の背面垂直面4bの直角部分に不所望なRがつくおそれ
があることから、その直角部に図示のように曲状の溝14
を設け、かかるRに一軸性結晶板5の直角な角 (図中の
左端下部の角部) が乗ることによる一軸性結晶板5の傾
きの発生を防止するようにしてある。かかる溝14は、ま
た、接着剤の逃げとしての機能をも兼ねることができ
る。即ち、半導体基板1の反射面部4の背面部に結晶板
5を接合するとき、接着剤6による盛り上がりを少なく
するためにも、かかる直角部に設けた曲状の溝14は役立
ち、その溝内に余分の接着剤6が入るようにすることが
でき、これが原因で生ずる一軸性結晶板5の傾きもでき
るだけ少なくすることができる。また、溝14に代えまた
はこれとともに、接合すべき一軸性結晶板5の方の角に
面取りをしてもよい( この点も、後記の各実施例の場合
も同様でよい) 。
Further, in the case of this embodiment, as described above,
Since the reflecting surface portion 4 is provided by etching, there is a possibility that an undesired radius R may be formed on the right-angled portion of the rear vertical surface 4b of the reflecting surface portion 4, so that the right-angled portion has a curved groove 14 as shown in the figure.
Is provided to prevent the tilt of the uniaxial crystal plate 5 from being caused by a right angle of the uniaxial crystal plate 5 (a corner portion at the lower left end in the figure) on R. The groove 14 can also have a function as an escape of the adhesive. That is, when the crystal plate 5 is bonded to the back surface of the reflection surface 4 of the semiconductor substrate 1, the curved groove 14 provided at the right angle portion is useful in order to reduce the swelling due to the adhesive 6. It is possible to allow an extra adhesive 6 to enter, and the tilt of the uniaxial crystal plate 5 caused by this can be minimized. Further, instead of or together with the groove 14, a corner of the uniaxial crystal plate 5 to be joined may be chamfered (this point may be the same in each of the examples described later).

【0042】また、本発明に従う装置は、後記の各実施
例を含めて、3ビーム方式の光磁気ピックアップ装置に
適用することもできる。3ビーム方式の光磁気ピックア
ップ装置に適用する場合は、例えば前掲特開昭64-46243
号公報記載の技術と同様のグレイディングを用いること
ができる。即ち、反射面部4 にグレイディングを形成さ
せ、半導体レーザ2から発せられる光ビームを3本の光
ビームにし、光磁気記録媒体11の記録トラック面に導く
ことにより達成される。この場合において、光磁気記録
媒体11からの戻り光は、半導体基板1上に設けられる光
検出器3として同公報第13図と同形状の配置構成のもの
を使用し、これに導かれて検出が行われることとなる。
The apparatus according to the present invention can be applied to a three-beam type magneto-optical pickup apparatus including each of the embodiments described later. When applied to a three-beam type magneto-optical pickup device, for example, the above-mentioned JP-A-64-46243.
Grading similar to the technique described in the publication can be used. That is, this is achieved by forming a grading on the reflection surface portion 4 and converting the light beam emitted from the semiconductor laser 2 into three light beams and guiding them to the recording track surface of the magneto-optical recording medium 11. In this case, the return light from the magneto-optical recording medium 11 is detected by being guided by the photodetector 3 provided on the semiconductor substrate 1 having the same configuration as that of FIG. 13 of the publication. Will be performed.

【0043】図2は、本発明の他の実施例 (第2実施
例) を示す。本実施例は、同様に、反射面部と光磁気検
出用の光学部材 (結晶板) は別々な光学材料とし、これ
らを背面接合するものであるが、図2に示すように、半
導体基板として平坦なものを使用し、その平坦な半導体
基板1上に材質の異なる、例えばBK7 のガラス材質等の
反射面部部材を反射面部4として設け、かかる反射面部
4と一軸性結晶板5を背面で接合するよう構成してい
る。なお、半導体基板1と一軸性結晶板5及び上記別体
の反射面部4(プリズム) の接着については、第1実施例
で既に述べた点は基本的には同様であるが、別体の反射
面部4については平坦な半導体基板1上にその底面 (プ
リズム底面) に接着をする。
FIG. 2 shows another embodiment (second embodiment) of the present invention. In this embodiment, similarly, the reflecting surface portion and the optical member (crystal plate) for magneto-optical detection are made of different optical materials, and these are back-bonded to each other, but as shown in FIG. A reflective surface member of different material, for example, BK7 glass material, is provided as the reflective surface portion 4 on the flat semiconductor substrate 1, and the reflective surface portion 4 and the uniaxial crystal plate 5 are bonded at the back surface. Is configured as follows. Regarding the adhesion of the semiconductor substrate 1, the uniaxial crystal plate 5 and the separate reflection surface section 4 (prism), the points already described in the first embodiment are basically the same, but the separate reflection The surface portion 4 is adhered to the bottom surface (prism bottom surface) of the flat semiconductor substrate 1.

【0044】また、本実施例では、パッケージ8上面の
ガラス基板10に取り付けたホログラム素子10と一軸性結
晶板5の入射面との間に、更に、偏光依存性のホログラ
ム素子を設ける構成としてある。即ち、一軸性結晶板5
に面5eを形成して、これを入射面とし、該入射面上に偏
光依存性のホログラム素子21を設けるように構成する。
その他の部分は、図1の第1実施例と同じであってよ
い。
In this embodiment, a polarization-dependent hologram element is further provided between the hologram element 10 attached to the glass substrate 10 on the upper surface of the package 8 and the incident surface of the uniaxial crystal plate 5. . That is, the uniaxial crystal plate 5
A surface 5e is formed on the surface of the optical element, and this is used as an incident surface, and the polarization-dependent hologram element 21 is provided on the incident surface.
Other parts may be the same as in the first embodiment of FIG.

【0045】本実施例では、前記第1実施例と同様の効
果が得られる他、別体の反射面部部材を反射面部4に用
いる構成であり、このようにすることで、第1実施例に
おける半導体基板のエッチング加工が省略できる。即
ち、そのような加工処理も必要がなく、平らな半導体基
板が使える。従ってまた、第1実施例に比べれば、接着
時の接着剤6等による結晶板5の傾きの発生もよく防止
できる。更にまた、光磁気記録媒体からの戻り光学系
に、即ちパッケージ8上面に取り付けたホログラム素子
10と一軸性結晶板5の入射面との間に、偏光依存性のホ
ログラム素子21を備える。これは、カー回転角増大作用
をもち、例えば光磁気記録媒体 (ディスク) へ入射させ
る直線偏光の成分のうち、60%を透過させ40%を回折さ
せる。一方、カー回転成分の偏光は100 %透過させる。
このようにして見掛け上カー回転角を増加させるように
するいわゆるカー回転増大機能を発揮し、上記偏光依存
性のホログラム素子21は、かかる機能を有している。従
って、このように、戻り光学系に、カー回転角増大する
偏光依存性のホログラム素子21があるため、光磁気信号
をとりだす際、光磁気信号のSN比を向上させることがで
きる。
In this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and in addition, a separate reflecting surface member is used for the reflecting surface part 4. By doing so, in the first embodiment The etching process of the semiconductor substrate can be omitted. That is, a flat semiconductor substrate can be used without such processing. Therefore, as compared with the first embodiment, the inclination of the crystal plate 5 due to the adhesive 6 or the like at the time of bonding can be well prevented. Furthermore, the hologram element mounted on the return optical system from the magneto-optical recording medium, that is, on the upper surface of the package 8.
A polarization-dependent hologram element 21 is provided between 10 and the incident surface of the uniaxial crystal plate 5. This has the effect of increasing the Kerr rotation angle, and for example, of the linearly polarized light component incident on the magneto-optical recording medium (disk), 60% is transmitted and 40% is diffracted. On the other hand, 100% of the Kerr rotation component polarized light is transmitted.
Thus, the so-called Kerr rotation increasing function for apparently increasing the Kerr rotation angle is exhibited, and the polarization-dependent hologram element 21 has such a function. Accordingly, since the return optical system has the polarization-dependent hologram element 21 that increases the Kerr rotation angle, the SN ratio of the magneto-optical signal can be improved when the magneto-optical signal is taken out.

【0046】次に、本発明の更に他の実施例(第3実施
例) を図3に示す。本実施例は、前記第2実施例と同
様、平坦な半導体基板1上に別体の反射面部部材を反射
面部4として設けると共に、背面接合させるべき光磁気
検出用の光学部材として図3に示すようにウォラストン
プリズム31を用い、かつ、パッケージ8上面に取り付け
たホログラム素子10とそのウォラストンプリズム31の入
射面との間に、偏光依存性のホログラム素子21、即ち前
記で述べたカー回転角増大作用をもつ偏光依存性のホロ
グラム素子21を設けるようにしたものである。その他の
部分は、図1の第1実施例、または図2の第2実施例と
同じであってよい。
Next, still another embodiment (third embodiment) of the present invention is shown in FIG. Similar to the second embodiment, this embodiment provides a separate reflection surface member as the reflection surface portion 4 on the flat semiconductor substrate 1 and shows an optical member for magneto-optical detection to be back-bonded in FIG. The Wollaston prism 31 is used as described above, and between the hologram element 10 mounted on the upper surface of the package 8 and the incident surface of the Wollaston prism 31, the polarization-dependent hologram element 21, that is, the Kerr rotation angle described above. A polarization-dependent hologram element 21 having an increasing effect is provided. Other parts may be the same as the first embodiment of FIG. 1 or the second embodiment of FIG.

【0047】本実施例においては、ウォラストンプリズ
ム31と光検出器3を次のような構成として、光磁気信号
検出とサーボ信号検出を行う。即ち、光磁気記録媒体か
らの戻り光が反射面部4からの光ビームとは異なる光路
で分離され、ウォラストンプリズム31へ向かう。分離さ
れた光を用いて光磁気記録媒体に記録された情報の再
生、及びフォーカスエラー信号、トラックエラー信号の
検出を行う戻り光検出光学系中において、前記偏光依存
性のホログラム素子21を有するウォラストンプリズム31
は、分離された光が収束光として入射する位置に設けら
れており、その収束光を直交する二つの偏光成分に分離
する。光検出器3は、該ウォラストンプリズム31を透過
したその二つの偏光成分の光軸を含む面内における、一
方の偏光成分の集光点より前方で他方の偏光成分の集光
点より後方の位置に設けられており、その二つの偏光成
分の両方を受光するための複数の受光素子から構成され
る光検出器3a,3b を有し、該光検出器の各受光素子から
の出力により、光磁気記録媒体に記録された情報を再生
すると共に、上記光検出器上に形成される光スポットの
大きさの違いによりスポットサイズ検出法を用いてフォ
ーカスエラー信号を検出する。
In the present embodiment, the Wollaston prism 31 and the photodetector 3 are configured as follows to perform magneto-optical signal detection and servo signal detection. That is, the return light from the magneto-optical recording medium is separated by an optical path different from that of the light beam from the reflecting surface portion 4, and goes to the Wollaston prism 31. In a return light detection optical system that reproduces information recorded on a magneto-optical recording medium by using separated light and detects a focus error signal and a track error signal, a wallace having the polarization-dependent hologram element 21. Ton Prism 31
Is provided at a position where the separated light enters as convergent light, and separates the converged light into two orthogonal polarization components. The photodetector 3 is located in front of the condensing point of one polarization component and behind the condensing point of the other polarization component in the plane including the optical axes of the two polarization components transmitted through the Wollaston prism 31. It has a photodetector 3a, 3b that is provided at a position and is composed of a plurality of light receiving elements for receiving both of the two polarization components, and by the output from each light receiving element of the photodetector, The information recorded on the magneto-optical recording medium is reproduced, and the focus error signal is detected by the spot size detection method based on the difference in the size of the light spot formed on the photodetector.

【0048】本実施例によれば、前記第1実施例及び第
2実施例の効果、即ち背面接合による位置合わせ、カー
回転角増大機能による光磁気信号のSN比の向上など同様
の効果が得られるのに加え、ウォラストンプリズム31の
場合は、一軸性結晶板に比べ分散角が大きくとれること
により反射面部4に背面接合する光磁気検出用の光学部
材としての結晶板の厚さを薄くすることができる。使用
する光磁気検出用の光学部材の高さ方向の寸法も小さく
でき、従って、前記第1実施例で既に述べた如くにパッ
ケージ8の横幅方向の寸法を小さくできるのみならず、
パッケージ8の光軸方向の寸方を小さくすることができ
るのである。このようにして、結晶板としてウォラスト
ンプリズム31を用い、図3のように、偏光依存性を有す
るホログラムと結晶板、及び光検出器を一体化すること
により、装置は更に小型化となり、その分、より一層の
小型化が図れる。更にまた、ウォラストンプリズム31
は、量産性に優れ、従ってより製作が容易で、安価に構
成できるなど、極めて実用的である。
According to the present embodiment, the same effects as the effects of the first and second embodiments, that is, the positioning by the back bonding and the improvement of the SN ratio of the magneto-optical signal by the Kerr rotation angle increasing function can be obtained. In addition, in the case of the Wollaston prism 31, the thickness of the crystal plate as an optical member for magneto-optical detection that is back-bonded to the reflecting surface portion 4 is reduced because the dispersion angle can be made larger than that of the uniaxial crystal plate. be able to. The size in the height direction of the optical member for magneto-optical detection to be used can be reduced, and therefore, the size in the width direction of the package 8 can be reduced as already described in the first embodiment.
The dimension of the package 8 in the optical axis direction can be reduced. In this way, by using the Wollaston prism 31 as the crystal plate and integrating the hologram having polarization dependence, the crystal plate, and the photodetector as shown in FIG. Therefore, the size can be further reduced. Furthermore, Wollaston prism 31
Is excellent in mass productivity, and therefore is very practical because it can be easily manufactured and can be constructed at low cost.

【0049】また、互いに異なる屈折率異方性を持つ2
種類の複屈折材料を用いた三角プリズムの組合せよる台
形プリズム形状にすると、より大きな分散角を得ること
ができ、従って、この場合は、更に小型化が達成され
る。
Further, 2 having different refractive index anisotropies from each other
A larger trapezoidal prism shape can be obtained by combining triangular prisms using different types of birefringent materials, and thus a smaller size can be achieved in this case.

【0050】なお、本発明は上述した実施例、変形例に
限定されるものではない。例えば、第1実施例による半
導体基板による反射面部と、第3実施例によるウォラス
トンプリズムによるものとの組合せで実施する態様でも
勿論よい。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments and modifications. For example, it is of course possible to adopt a mode in which the reflecting surface portion of the semiconductor substrate according to the first embodiment and the Wollaston prism according to the third embodiment are combined.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明では、半導体基板上に反射部(例
えばミラー)と、前記反射部とは異なる光学材料(例え
ば結晶)で、該光磁気記録媒体からの戻り光は前記反射
部を介さずに異なる光路を通じて、是検光子に入射する
位置に接合し、かつその反射部の背面で接合できること
により、位置決めが簡単、組み立てが容易で小型、軽量
化が図ることができる。更に多層膜コーティングの偏光
プリズム、1/2 波長板などの光学部品を用いる必要もな
く、製作が容易で、安価な構成とすることを可能ならし
める。
According to the present invention, the reflection part (example
For example, a mirror) and an optical material different from the reflection part (for example,
(For example, crystals), the return light from the magneto-optical recording medium reflects
Incident on the photodetector through a different optical path without going through the lens
Can be joined in place and can be joined on the back side of the reflective part
Allows easy positioning, easy assembly, small size and light weight
Can be realized. Furthermore, there is no need to use optical components such as a polarizing prism with a multi-layer coating and a half-wave plate, and it is possible to make the structure easy and inexpensive.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の光磁気用光学ユニットに係る光磁気
ピックアップ装置の一実施例の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of a magneto-optical pickup device relating to a magneto-optical unit of the present invention.

【図2】 本発明の他の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の更に他の実施例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing still another embodiment of the present invention.

【図4】 本発明に従う構成の原理説明に供する説明図
である。
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the principle of the configuration according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体基板 2 半導体レーザ 3 光検出器 3a 第1の光検出器 3b 第 2の光検出器 4 反射面部 5 一軸性結晶板 6 接着剤 7 モニター用光検出器 8 パッケージ 9 ガラス基板 10 ホログラム素子 11 光磁気記録媒体 12 コリメータレンズ 13 対物レンズ 14 溝 21 偏依存性のホログラム素子 31 ウォラストンプリズム1 semiconductor substrate 2 semiconductor laser 3 photodetector 3a first photodetector 3b second photodetector 4 reflecting surface 5 uniaxial crystal plate 6 adhesive 7 monitor photodetector 8 package 9 glass substrate 10 hologram element 11 magneto-optical recording medium 12 collimator lens 13 objective lens 14 groove 21 polarization dependence of the hologram element 31 Wollaston prism

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体基板上に配置された半導体レーザ1. A semiconductor laser arranged on a semiconductor substrate.
および検光子と、前記半導体基板に形成された第1及びAnd an analyzer, and first and second electrodes formed on the semiconductor substrate.
第2の光検出器と、前記半導体基板上に設けられて、前A second photodetector and a semiconductor device provided on the semiconductor substrate,
記半導体レーザに所定の角度をもって対向する反射面部Reflective surface part facing the semiconductor laser at a predetermined angle
と、前記半導体基板から離れた位置に配されるパッケーAnd a package arranged at a position away from the semiconductor substrate.
ジと結合された透明基板に設けられたビームスプリッタBeam splitter on a transparent substrate combined with
とを有し、前記半導体レーザから発せられ前記反射面部And the reflection surface portion emitted from the semiconductor laser.
より反射された光ビームを光磁気記録媒体に導くと共When the more reflected light beam is guided to the magneto-optical recording medium,
に、該光磁気記録媒体からの戻り光を前記反射面部からThe return light from the magneto-optical recording medium from the reflecting surface portion
の光ビームとは異なる光路を通じて、前記検光子と前記Through the optical path different from the light beam of
第1及び第2の光検出器とに導く光磁気用光学ユニットMagneto-optical unit for guiding to first and second photodetectors
であって、And 前記反射面部と前記検光子とが異なる光学材料からなThe reflecting surface section and the analyzer are made of different optical materials.
り、かつ両者はその反射面部の背面で接合されているこAnd both are joined at the back of its reflective surface.
とを特徴とする光磁気用光学ユニット。And an optical unit for magneto-optical characteristics.
【請求項2】 前記反射面部の反射面の光学材料はガラ2. The optical material of the reflecting surface of the reflecting surface portion is glass.
スまたは半導体基板からなり、前記検光子の光学材料はThe optical material of the analyzer is
結晶からなることを特徴とする請求項1に記載の光磁気The magneto-optical device according to claim 1, which is made of a crystal.
用光学ユニット。Optical unit.
【請求項3】 前記検光子は、前記ビームスプリッタで3. The analyzer comprises the beam splitter.
偏向された戻り光が入射する面に偏光性ホログラムが形A polarizing hologram is formed on the surface on which the deflected return light is incident.
成されていることを特徴とする請求項2に記載の光磁気The magneto-optical device according to claim 2, characterized in that
用光学ユニット。Optical unit.
JP28618892A 1992-10-23 1992-10-23 Optical unit for magneto-optical Expired - Fee Related JP3477214B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28618892A JP3477214B2 (en) 1992-10-23 1992-10-23 Optical unit for magneto-optical

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28618892A JP3477214B2 (en) 1992-10-23 1992-10-23 Optical unit for magneto-optical

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06139642A JPH06139642A (en) 1994-05-20
JP3477214B2 true JP3477214B2 (en) 2003-12-10

Family

ID=17701093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28618892A Expired - Fee Related JP3477214B2 (en) 1992-10-23 1992-10-23 Optical unit for magneto-optical

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3477214B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06139642A (en) 1994-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0840305B1 (en) Optical apparatus
US5570333A (en) Head device for magneto-optical disk
EP0718833B1 (en) Optical pickup device
EP0537787B1 (en) Optical pickup apparatus
US20030169668A1 (en) Magneto-optical pickup
JPS63317938A (en) Two-laser optical head
US5579291A (en) Compact-size magneto-optical head apparatus
US20030076766A1 (en) Optical element, method of manufacturing the optical element and optical head using the optical element
JP3439903B2 (en) Optical head for optical disk device
JP3477214B2 (en) Optical unit for magneto-optical
KR100449612B1 (en) Optical pickup and opto-magnetic signal reproducing apparatus
JPH10241199A (en) Optical pickup
JP2869318B2 (en) Optical pickup device
JP3355607B2 (en) Polarizing optical system for magneto-optical recording
JP2888280B2 (en) Optical head device
JPH0973656A (en) Optical head
JP4072776B2 (en) Optical pick-up module and magneto-optical signal recording / reproducing apparatus
JP3669531B2 (en) Optical pickup and magneto-optical signal recording / reproducing apparatus
JPH05334760A (en) Optical head
JPS62293543A (en) Optical system for reproducing magneto-optical recording information
JPH05258386A (en) Optical head
JPH1166600A (en) Light receiving and emitting device and optical pickup apparatus
JPH11250472A (en) Optical head
JPH04362553A (en) Light separation element and light-receiving optical device using same
JPH09180284A (en) Optical head

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030826

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees