JP3474320B2 - Wiring inspection method for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Wiring inspection method for semiconductor integrated circuit

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JP3474320B2
JP3474320B2 JP16909895A JP16909895A JP3474320B2 JP 3474320 B2 JP3474320 B2 JP 3474320B2 JP 16909895 A JP16909895 A JP 16909895A JP 16909895 A JP16909895 A JP 16909895A JP 3474320 B2 JP3474320 B2 JP 3474320B2
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layout data
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ASIC(Applic
ation Specific IC )に関し、特に、スタンダードセル
及びゲートアレイの特長をともに備えたマクロ埋め込み
型セルアレイの配線検査方法の改良に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ASIC (Applic
ation Specific IC), and more particularly, to improvement of a wiring inspection method for a macro-embedded cell array having both the features of a standard cell and a gate array.

【0002】ASICは、ゲートやセル等の基本回路を
予め備えることにより、回路設計の第一段階を省略し、
開発時間を短縮するものである。これまでASICの分
野では、チップサイズを縮小するためのスタンダードセ
ル、開発期間を短期するためのゲートアレイが、それぞ
れが有する長所ゆえに発展してきた。しかし、近年、回
路規模の増大によるチップサイズの大型化、開発期間の
長期化が問題となったため、両者の特徴を合わせ持つマ
クロ埋め込み型セルアレイが開発され、その需要が増加
しつつある。
The ASIC is provided with basic circuits such as gates and cells in advance, so that the first stage of circuit design can be omitted.
It shortens the development time. In the field of ASIC, standard cells for reducing the chip size and gate arrays for shortening the development period have been developed due to their advantages. However, in recent years, the increase in the circuit scale has made the chip size larger and the development period longer, so macro-embedded cell arrays having both features have been developed, and the demand for them is increasing.

【0003】[0003]

【従来の技術】マクロ埋め込み型セルアレイ等のLSI
を開発プロセスについて述べる。まず、LSIの仕様が
定められる。次いで、動作を規定する回路設計、シリコ
ンウェハに設けるパターンの設計がされた後に、試作プ
ロセスに入る。
2. Description of the Related Art LSI such as a macro-embedded cell array
Describes the development process. First, the specifications of the LSI are defined. Next, a circuit designing the operation and a pattern to be provided on the silicon wafer are designed, and then a trial process is started.

【0004】試作プロセスにおいて、バルク工程は、で
きあがったパターンレイアウトデータに従って、シリコ
ン基板上にトランジスタや抵抗を作り込んでいく工程で
ある。配線工程は、シリコン基板上に設計図通りのメタ
ルのパターンを成形し、バルク工程により作り込まれた
トランジスタや抵抗を結線していく工程である。組立・
試験工程は、できあがったシリコン基板をパッケージ化
して良否判定の後に出荷する工程である。
In the trial manufacturing process, the bulk process is a process of forming transistors and resistors on the silicon substrate according to the completed pattern layout data. The wiring process is a process of forming a metal pattern as a design drawing on a silicon substrate and connecting transistors and resistors formed by a bulk process. assembly·
The test process is a process of packaging the finished silicon substrate and shipping it after the pass / fail judgment.

【0005】ここで、マクロ埋め込み型セルアレイは、
1つのバルクパターンに対して複数の配線パターンを適
用出来ることを特徴としているため、バルク工程で作り
込まれたトランジスタや抵抗等のレイアウトデータ(レ
イアウト用バルクデータ)と、配線工程により作成され
る配線パターン情報(レイアウト用配線データ)との間
に整合がとれていないと、できあがったICの動作は保
障されない。そこで、配線層のデータがバルク層のデー
タと完全に一致しているか否か(両者におけるバルク層
の整合性)を検証する配線検査を実施することが重要で
ある。
Here, the macro-embedded cell array is
Since a plurality of wiring patterns can be applied to one bulk pattern, layout data (layout bulk data) such as transistors and resistors created in the bulk process, and wiring created in the wiring process If the pattern information (layout wiring data) does not match, the operation of the completed IC cannot be guaranteed. Therefore, it is important to perform a wiring inspection to verify whether the data of the wiring layer completely matches the data of the bulk layer (consistency of the bulk layers in both).

【0006】図6に、従来の配線検査方法の流れ図を示
す。従来の配線検査において、バルクレイアウト工程
(ステップS80)で生成したレイアウトデータ(ステ
ップS81)と配線レイアウト工程(ステップS85)
で生成したレイアウトデータ(ステップS86)とは、
それぞれ同一もしくは別々のマスク製造業者に供給され
る(ステップS82、S87)。供給された各データに
基づいて、各マスク製造業者によりマスクデータの作成
が行われる(ステップS83、S88)。
FIG. 6 shows a flow chart of a conventional wiring inspection method. In the conventional wiring inspection, the layout data (step S81) generated in the bulk layout step (step S80) and the wiring layout step (step S85)
The layout data (step S86) generated in
The masks are supplied to the same or different mask manufacturers (steps S82 and S87). Mask data is created by each mask manufacturer based on the supplied data (steps S83 and S88).

【0007】整合性の検証は、マスク製造業者から納入
されたマスクデータ(ステップS84、S89)同士を
比較することにより行われる(ステップS90)。整合
性がとれていない場合(ステップS90:NO)には配
線レイアウトをやり直す(ステップS85)。整合性が
とれた場合(ステップS90:YES)、ICの製造の
ための入図が行われる(ステップS91、S92)。
The verification of the consistency is performed by comparing the mask data (steps S84 and S89) delivered from the mask manufacturer (step S90). When the consistency is not obtained (step S90: NO), the wiring layout is redone (step S85). When the consistency is obtained (step S90: YES), the drawing for manufacturing the IC is performed (steps S91 and S92).

【0008】以上のように、従来のバルク層の整合性検
証では、配線工程の出力である配線入図用のマスクデー
タとバルク工程で入力したマスクデータとの間で比較を
行っていた。すなわち、ウェハに実際に配線を作り込む
直前の段階のデータを参照し、バルク層のトランジスタ
や抵抗等の全ての物理情報に対して、配線情報との比較
を行って、整合性の検証を行っていた。
As described above, in the conventional verification of the consistency of the bulk layer, the mask data for the wiring drawing which is the output of the wiring process and the mask data input in the bulk process are compared. That is, referring to the data at the stage immediately before actually forming wiring on the wafer, all physical information such as transistors and resistors in the bulk layer is compared with the wiring information to verify the consistency. Was there.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところが、マスクデー
タの作成には相当の時間が必要となるため、データの不
一致等の問題が発生した場合には、再度、配線のレイア
ウトを行う時間が重複し、開発時間が非常に長くなる、
という不都合が生じていた。特に、最近では、搭載する
マクロセルの規模やゲート数の増大に伴ってバルク層の
物理情報量が増大しているため、配線不良が生じた場合
に必要となる計算機の使用時間及びコスト等の工数が飛
躍的に増大している。
However, since it takes a considerable amount of time to create mask data, if a problem such as data inconsistency occurs, the wiring layout time will be duplicated again. , The development time will be very long,
There was an inconvenience. In particular, recently, since the physical information amount of the bulk layer is increasing with the increase in the size of the macro cell to be mounted and the number of gates, the number of man-hours such as the use time and cost of the computer required when a wiring failure occurs Is dramatically increasing.

【0010】そこで、上記問題に鑑み、本願発明は、マ
クロ埋め込み型セルアレイに代表されるように、回路素
子のレイアウトと配線レイアウトとを個別に作成する半
導体集積回路の開発時間の短縮を課題とする。
In view of the above problems, the present invention has an object to reduce the development time of a semiconductor integrated circuit in which a layout of circuit elements and a wiring layout are individually created as represented by a macro-embedded cell array. .

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、回路素子の配置を定める回路レイアウトデータと回
路素子の配線を定める配線レイアウトデータとに基づく
半導体集積回路のための配線検査方法であって、半導体
集積回路における回路素子の配置を定める回路レイアウ
トデータを入力し、入力された回路レイアウトデータに
基づいて、回路素子についての配線を定める配線レイア
ウトデータを作成する配線レイアウト工程と、作成が終
了した配線レイアウトデータと配線レイアウトデータの
作成が終了した段階で入力されている回路レイアウトデ
ータとを比較し、回路レイアウトデータと配線レイアウ
トデータとが整合していない場合に、配線レイアウト工
程により新たな回路レイアウトデータに基づく配線レイ
アウトデータを作成し、回路レイアウトデータと配線レ
イアウトデータとが整合している場合に、半導体集積回
路の製造に移行する整合性検証工程と、を備えて構成さ
れる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit, which is based on circuit layout data that defines a layout of circuit elements and wiring layout data that defines wiring of the circuit elements. Therefore, the wiring layout process for inputting the circuit layout data that defines the layout of the circuit elements in the semiconductor integrated circuit and creating the wiring layout data that defines the wiring for the circuit elements based on the input circuit layout data The completed wiring layout data is compared with the circuit layout data input at the stage when the wiring layout data has been created, and if the circuit layout data and the wiring layout data do not match, a new wiring layout process is performed. Create wiring layout data based on circuit layout data , If the circuit layout data and wiring layout data is consistent, configured with a consistency verification process proceeds to the fabrication of semiconductor integrated circuit.

【0012】請求項2に記載の発明は、回路素子の配置
を定める回路レイアウトデータと回路素子の配線を定め
る配線レイアウトデータとに基づく半導体集積回路のた
めの配線検査方法であって、半導体集積回路のパターン
を定めるパターンレイアウトデータに基づいて、半導体
集積回路における回路素子の配置を定める回路レイアウ
トデータを作成する回路レイアウト工程と、パターンレ
イアウトデータに基づいて、回路素子についての配線を
定める配線レイアウトデータを作成する配線レイアウト
工程と、回路レイアウト工程により作成された回路レイ
アウトデータと配線レイアウト工程により作成された配
線レイアウトデータとを比較し、回路レイアウトデータ
と配線レイアウトデータとが整合していない場合に、配
線レイアウト工程により新たなパターンレイアウトデー
タに基づく配線レイアウトデータを作成し、回路レイア
ウトデータと配線レイアウトデータとが整合している場
合に、半導体集積回路の製造に移行する整合性検証工程
と、を備えて構成される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit, which is based on circuit layout data that defines a layout of circuit elements and wiring layout data that defines wiring of the circuit elements. The circuit layout process for creating the circuit layout data that determines the layout of the circuit elements in the semiconductor integrated circuit based on the pattern layout data that defines the pattern, and the wiring layout data that defines the wiring for the circuit element based on the pattern layout data. The wiring layout process to be created is compared with the circuit layout data created in the circuit layout process and the wiring layout data created in the wiring layout process. If the circuit layout data and the wiring layout data do not match, Layout process Wiring layout data based on newer pattern layout data is created, and when the circuit layout data and the wiring layout data are matched, a consistency verification step of shifting to manufacturing of a semiconductor integrated circuit is provided. It

【0013】請求項3に記載の発明は、請求項1又は請
求項2に記載の半導体集積回路の配線検査方法におい
て、整合性検証工程は、全ての回路レイアウトデータの
うち、結線情報に関する所定のデータのみを検証用デー
タとして抽出して比較する。
According to a third aspect of the present invention, in the wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit according to the first or second aspect, the consistency verification step includes a predetermined wiring connection information out of all circuit layout data. Only data is extracted as verification data and compared.

【0014】請求項4に記載の発明は、請求項1又は請
求項3に記載の半導体集積回路の配線検査方法におい
て、整合性検証工程は、全ての配線レイアウトデータの
うち、結線情報に関する所定のデータのみを検証用デー
タとして抽出して比較する。
According to a fourth aspect of the present invention, in the wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit according to the first or third aspect, the consistency verification step includes a predetermined wiring connection data out of all wiring layout data. Only data is extracted as verification data and compared.

【0015】[0015]

【作用】請求項1に記載の発明によれば、入力された回
路レイアウトデータに基づいて、回路素子についての配
線を定める配線レイアウトデータが作成されるので、基
本的に回路素子のレイアウトと配線レイアウトとの間は
整合性がよい。
According to the invention described in claim 1, since the wiring layout data for defining the wiring for the circuit element is created based on the input circuit layout data, the layout of the circuit element and the wiring layout are basically provided. Is consistent with.

【0016】さらに、万一、回路レイアウトデータと配
線レイアウトデータとが整合していない場合であって
も、半導体集積回路の製造に移行する直前に、整合性検
証工程がこの整合性の有無を検証するので、配線レイア
ウト工程による新たな回路レイアウトデータに基づい
て、配線レイアウトデータの作成をやり直すことができ
る。
Further, even if the circuit layout data and the wiring layout data do not match, the consistency verification step verifies the existence of this consistency immediately before the shift to the manufacturing of the semiconductor integrated circuit. Therefore, it is possible to recreate the wiring layout data based on the new circuit layout data in the wiring layout process.

【0017】請求項2に記載の発明によれば、回路レイ
アウト工程は回路レイアウトデータを作成し、これと並
行して配線レイアウト工程は配線レイアウトデータを作
成する。整合性検証工程は、回路レイアウトデータと配
線レイアウトデータとを比較し、両データが整合してい
ない場合に、配線レイアウト工程により新たなパターン
レイアウトデータに基づく配線レイアウトデータを作成
し直す。また、両データが整合している場合には、半導
体集積回路の製造に移行する。
According to the second aspect of the invention, the circuit layout process creates circuit layout data, and in parallel with this, the wiring layout process creates wiring layout data. In the consistency verification process, the circuit layout data and the wiring layout data are compared with each other, and if the two data do not match, the wiring layout process recreates the wiring layout data based on the new pattern layout data. If the two data match, the process moves to the manufacturing of a semiconductor integrated circuit.

【0018】請求項3又は請求項4に記載の発明によれ
ば、整合性検証工程で比較するデータを、全てのレイア
ウトデータから抽出した情報(例えば位置情報)に制限
するので、整合性の検証が短時間に行われる。
According to the third or fourth aspect of the present invention, the data to be compared in the consistency verification process is limited to the information (for example, the position information) extracted from all the layout data. Is done in a short time.

【0019】[0019]

【実施例】本発明の装置に係る好適な実施例を図面を参
照して説明する。 (I)第1実施例 本第1実施例は請求項1の発明を適用したものであり、
配線レイアウトの設計をバルクデータに基づいて行う。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. ( I) First Embodiment This first embodiment is an application of the invention of claim 1,
Design the wiring layout based on bulk data.

【0020】図1に、LSI製造の全体の流れを示すフ
ローチャートを示す。ステップA及びBの段階は、LS
Iの物理的仕様と入出力条件を定める工程である。ステ
ップCでは、実際にシリコン基板に搭載する回路を設計
する。ステップDでは、ステップCで作成された回路を
シリコン基板上に作るためのパターンレイアウトが作成
される。この部分では、人間の手作業が多数入るため、
人為的なミスが最も発生し易い。ステップC’は、バル
クレイアウト(ステップD)後に生ずる追加配線や修正
を行う工程である。
FIG. 1 is a flowchart showing the overall flow of LSI manufacturing. The steps A and B are LS
This is a process of defining the physical specifications of I and the input / output conditions. In step C, the circuit actually mounted on the silicon substrate is designed. In step D, a pattern layout for creating the circuit created in step C on the silicon substrate is created. In this part, a lot of human manual work is involved,
Human error is most likely to occur. Step C'is a step of performing additional wiring or modification that occurs after the bulk layout (step D).

【0021】ステップDはバルクレイアウト工程であ
り、実際のマクロセルを構成するトランジスタや抵抗等
の回路素子の単位でレイアウト用バルクデータを作成す
る。ステップEは、マスクデータ作成工程であり、バル
クデータのためのマスクデータを作成する。
Step D is a bulk layout process, in which bulk data for layout is created in units of circuit elements such as transistors and resistors that form an actual macro cell. Step E is a mask data creation process, which creates mask data for bulk data.

【0022】ステップFは配線レイアウト工程であり、
シリコン基板上に設計図通りのメタルのパターンを形成
するためのレイアウト用配線データを作成する。ステッ
プE’は配線用マスクデータ作成工程であり、配線デー
タのためのマスクデータを作成する。
Step F is a wiring layout process,
Layout wiring data for forming a metal pattern as designed on a silicon substrate is created. Step E'is a wiring mask data generation process, in which mask data for wiring data is generated.

【0023】ステップGは、本発明に係り、ステップE
及びステップE’で生成したバルクデータ及び配線デー
タの整合性の検証を行う。ステップH及びH’は、整合
性が試験されたバルクデータ及び配線データに基づい
て、シリコン基板の各層について、パターンの有無に対
応したマスク(ホトマスク)を作成する。マスクの作成
は、専門のマスク製造業者が行うことが多い。
Step G relates to the present invention, and Step E
And verifying the consistency of the bulk data and wiring data generated in step E ′. In steps H and H ′, a mask (photomask) corresponding to the presence or absence of a pattern is created for each layer of the silicon substrate based on the bulk data and the wiring data for which the consistency is tested. A mask is often manufactured by a specialized mask manufacturer.

【0024】以上の各工程により作成されたホトマスク
に基づいて、シリコンウェーハを露光し、実際のパター
ンの形成が行われる。さて、前記したように、レイアウ
ト設計は手作業が多く入るため、設計の初期段階では、
特に頻繁にパターンが変更される。マスクパターンの誤
りは、ウェーハプロセスに要する膨大な時間と労力とを
無駄にする。したがって、マスクの作成(ステップH)
の前に、レイアウトデータの完成度を上げておく必要が
ある。
The silicon wafer is exposed to light to form an actual pattern based on the photomask formed by the above steps. As mentioned above, layout design involves a lot of manual work, so at the initial design stage,
The pattern changes especially frequently. A wrong mask pattern wastes a huge amount of time and labor required for the wafer process. Therefore, mask creation (step H)
It is necessary to improve the completeness of the layout data before.

【0025】このため、本実施例では、マスク製造業者
等にマスクの作成を依頼するレイアウトデータの段階
で、整合性の検証を行う。具体的には、バルク工程(図
1のステップE)により作成されたレイアウト用バルク
データに基づいて、配線工程(図1のステップF)にお
いて、整合性の検証をしながら配線レイアウトを作成す
るものである。
Therefore, in this embodiment, the consistency is verified at the stage of layout data for which a mask manufacturer or the like is requested to create a mask. Specifically, in the wiring process (step F in FIG. 1), the wiring layout is created while verifying the consistency based on the layout bulk data created in the bulk process (step E in FIG. 1). Is.

【0026】次に、図1のステップE〜Gで行うべき本
第1実施例の配線検査について、図2のフローチャート
を参照しながら説明する。バルク工程(ステップS1
(図1のステップE))においてトランジスタや抵抗等
の回路素子のレイアウトが決定され、当該レイアウト情
報であるバルクデータがリリースされる(ステップS
2)。このバルクデータは同じメーカ内で配線工程部門
に供給されるものでも、他のメーカから供給されるもの
でもよい。
Next, the wiring inspection of the first embodiment to be performed in steps E to G of FIG. 1 will be described with reference to the flowchart of FIG. Bulk process (step S1
(Step E in FIG. 1), the layout of circuit elements such as transistors and resistors is determined, and bulk data, which is the layout information, is released (step S).
2). This bulk data may be supplied to the wiring process department within the same manufacturer or may be supplied from another manufacturer.

【0027】配線工程(図1のステップF)において、
リリースされたバルクデータからレイアウト用バルクデ
ータが呼び出され、回路素子同士の結線をするための配
線レイアウトが作成される(ステップS5)。このと
き、パターン形状等の情報及び配線レイアウト用論理情
報が参照される(ステップS4)。
In the wiring process (step F in FIG. 1),
The layout bulk data is called from the released bulk data, and the wiring layout for connecting the circuit elements is created (step S5). At this time, the information such as the pattern shape and the logic information for wiring layout are referred to (step S4).

【0028】配線レイアウトは、レイアウト用配線デー
タとして出力される(ステップS6)。レイアウト用バ
ルクデータは、実際に作成されたレイアウト用配線デー
タと整合しているか否かが検証される(ステップS
7)。
The wiring layout is output as layout wiring data (step S6). It is verified whether the layout bulk data matches the layout wiring data actually created (step S).
7).

【0029】レイアウト用配線データと、現在リリース
されているレイアウト用バルクデータとが整合している
場合は(OK)、両データは共に同一又は異なるマスク
製造業者にリリースされ、マスクの作成が別個行われる
(ステップS8)。
If the layout wiring data and the currently released bulk data for layout are matched (OK), both data are released to the same or different mask manufacturers, and mask production is performed separately. (Step S8).

【0030】両データが整合していない場合は(ステッ
プS7:NG)、最新のバルクデータを用いて、もう一
度配線レイアウトが作成される(ステップS5)。この
ように、リリース直前で整合性の検証を行うのは、ある
バージョンのバルクデータに基づいて配線データを作成
した場合、この配線レイアウト作業が終了する頃にはバ
ルクデータの方が変更されてしまうというケースが考え
られるからである。
If both data do not match (step S7: NG), the wiring layout is created again using the latest bulk data (step S5). In this way, integrity verification is performed immediately before release when bulk data is changed by the time the wiring layout work is completed when wiring data is created based on a certain version of bulk data. This is the case.

【0031】上記のように、第1実施例によれば、ま
ず、回路素子のレイアウトを規定するバルクデータに基
づいて配線レイアウトを作成し、リリース直前に整合性
の検証を行う。このため、マスクデータが作成された後
にデータの不整合が発覚し、配線レイアウトからやり直
す従来の手順に比べ、確実にデータの不整合が生ずる危
険性を低減できる。(II)第2実施例 本第2実施例は請求項2乃至請求項4の発明を適用した
ものである。バルク工程と配線工程とを並行させる点は
従来と同じだが、マスク作成に先だって整合性の検証を
行う。また、抽出したデータのみにより整合性の検証を
行う。
As described above, according to the first embodiment, first, the wiring layout is created based on the bulk data that defines the layout of the circuit elements, and the consistency is verified just before the release. For this reason, it is possible to reduce the risk that the data inconsistency is surely generated after the data inconsistency is discovered after the mask data is created, and the data inconsistency is surely generated as compared with the conventional procedure of starting over from the wiring layout. (II) Second Embodiment The second embodiment is an application of the inventions of claims 2 to 4. The point that the bulk process and the wiring process are performed in parallel is the same as the conventional method, but the consistency is verified before the mask is made. Also, the consistency is verified only by the extracted data.

【0032】本実施例は、図1に示したLSI製造のフ
ローチャートのうち、パターン設計(ステップD)以
降、バルク工程(ステップE)と配線工程(ステップ
F)とを並行して処理し、最後に整合性試験(ステップ
F)を行う。
In this embodiment, in the flow chart of the LSI manufacturing shown in FIG. 1, after the pattern design (step D), the bulk process (step E) and the wiring process (step F) are processed in parallel, and the final process is performed. A consistency test (step F) is performed.

【0033】第2実施例の配線検査方法を、図3のフロ
ーチャートを参照して説明する。ステップS10〜S1
3のバルクレイアウト設計の流れは、ステップS14〜
S17の配線レイアウト設計の流れと並行して処理され
る。
The wiring inspection method of the second embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG. Steps S10 to S1
The flow of the bulk layout design of step 3 is step S14-
It is processed in parallel with the flow of the wiring layout design of S17.

【0034】バルク工程では、まず、パターン設計工程
(図1のステップD)により作成されたパターンレイア
ウトのうち、回路素子に関するレイアウトデータのみを
作成し(ステップS10)、これをレイアウト用バルク
データとする(ステップS11)。
In the bulk process, first, of the pattern layout created in the pattern design process (step D in FIG. 1), only layout data relating to circuit elements is created (step S10), and this is used as bulk data for layout. (Step S11).

【0035】ステップS12では、レイアウト用バルク
データのうち、配線レイアウトとの整合性検証に必要な
データだけを抽出する。例えば、レイアウト用のデータ
は、マスターの種類、マスターの版数、マクロセルの種
類、マクロセルの版数、マクロセルの位置情報、マクロ
セルの回転・反転コード等を含む。このなかで、上記整
合性の検証用データ(ステップS13)として、例えば
マクロセルの位置情報が抽出されることになる。
In step S12, only the data necessary for verifying the consistency with the wiring layout is extracted from the layout bulk data. For example, the layout data includes a master type, a master version number, a macrocell type, a macrocell version number, macrocell position information, a macrocell rotation / reversal code, and the like. In this, for example, the position information of the macro cell is extracted as the data for verifying the consistency (step S13).

【0036】一方、配線工程では、パターン設計工程
(図1のステップD)により作成されたパターンレイア
ウトのうち、配線パターンに関するレイアウトのみを作
成し(ステップS14)、これをレイアウト用配線デー
タとする(ステップS15)。
On the other hand, in the wiring process, of the pattern layouts created in the pattern design process (step D in FIG. 1), only the layout relating to the wiring pattern is created (step S14) and used as the layout wiring data (step S14). Step S15).

【0037】ステップS16では、ステップS12と同
様の考え方により、レイアウト用配線データのうち、整
合性検証に必要となる位置情報のみを抽出する。ステッ
プS18において、バルク工程から抽出された検証用デ
ータ(ステップS13)と配線工程から抽出された検証
用データ(ステップS17)とを相互に比較し、一致不
一致を検証する。
In step S16, based on the same idea as in step S12, only the positional information required for the consistency verification is extracted from the layout wiring data. In step S18, the verification data extracted from the bulk process (step S13) and the verification data extracted from the wiring process (step S17) are compared with each other to verify matching.

【0038】ここで、両検証用データの整合性がとれな
い場合(ステップS17:NG)は、レイアウトデータ
の作成中に仕様の小変更等があったものと判断し、新し
いパターン設計データに基づいて、配線レイアウトの設
計を行う(ステップS14)。
Here, if the two verification data cannot be matched (step S17: NG), it is determined that the specification has been slightly changed during the creation of the layout data, and based on the new pattern design data. Then, the wiring layout is designed (step S14).

【0039】両検証用データの整合性が確認できると
(ステップS17:OK)、マスク製造業者へレイアウ
トデータがリリースされる(ステップS19)。上記の
如く、本第2実施例によれば、バルクデータと配線デー
タのうち必要な情報のみを用いて整合性の検証をするの
で、第1実施例の効果に加えて、検証に必要となる時間
を削減できる。また、バルクデータと配線データとが並
行して、異なるメーカによって作成される場合にも、マ
スク作成のやり直しを防止できる。 (III)第3実施例 本第3実施例は、第1実施例の処理と第2実施例の処理
を併せて行うものである。
When the consistency of both verification data can be confirmed (step S17: OK), the layout data is released to the mask manufacturer (step S19). As described above, according to the second embodiment, the consistency is verified by using only necessary information out of the bulk data and the wiring data, which is necessary for the verification in addition to the effect of the first embodiment. You can save time. Further, even when the bulk data and the wiring data are created in parallel by different manufacturers, it is possible to prevent the mask from being redone. (III) Third Embodiment In the third embodiment, the processing of the first embodiment and the processing of the second embodiment are performed together.

【0040】すなわち、図4に示すように、基本的には
第2実施例に示したようにバルク工程(ステップS20
〜S23)と配線工程(ステップS24〜S28)とを
並行する。このとき、配線工程の配線レイアウト(ステ
ップS25)では、パターン設計工程からのパターンレ
イアウトによって設計を行うのではなく、バルク工程に
おいて作成されたレイアウト用バルクデータに基づいて
配線レイアウトを行う(ステップS25)。
That is, as shown in FIG. 4, basically, the bulk process (step S20) as shown in the second embodiment is performed.
To S23) and the wiring process (steps S24 to S28) are performed in parallel. At this time, in the wiring layout of the wiring process (step S25), the wiring layout is not based on the pattern layout from the pattern design process, but based on the layout bulk data created in the bulk process (step S25). .

【0041】また、バルク工程におけるレイアウト用バ
ルクデータと、配線工程におけるレイアウト用配線デー
タとの整合性の検証は、第2実施例と同様に、検証用デ
ータを抽出し(ステップS22、S27)、抽出された
検証用データ(ステップS23、S28)とを比較して
行う(ステップS29)。
The verification of the consistency between the layout bulk data in the bulk process and the layout wiring data in the wiring process is performed by extracting the verification data (steps S22 and S27) as in the second embodiment. The verification data thus extracted (steps S23 and S28) is compared (step S29).

【0042】両検証用データの整合がとれない場合(ス
テップS29:NG)、配線レイアウト(ステップS2
5)をやり直すことになる。上記のように、本第3実施
例によれば、第1実施例と同様にバルクデータに基づい
て配線を行うため、根本的な使用すべきデータの入力ミ
スが回避できる。しかも、マスク作成の直前で最新のバ
ルクデータと配線データとの整合性を検証するので、リ
リースデータの不整合が生ずる危険性を低減できる。 (IV)第4実施例 本第4実施例は、異なるメーカ間でデータの作成を分業
する場合の一例を示す。
If the verification data cannot be matched (step S29: NG), the wiring layout (step S2).
5) will have to be redone. As described above, according to the third embodiment, since wiring is performed based on bulk data as in the first embodiment, it is possible to avoid a fundamental input error of data to be used. Moreover, since the consistency between the latest bulk data and the wiring data is verified just before the mask is created, the risk of release data inconsistency can be reduced. (IV) Fourth Embodiment The fourth embodiment shows an example of a case where data creation is divided among different manufacturers.

【0043】図5に示すように、メーカAは、ユーザ等
から供給された基準パターンレイアウトからバルクデー
タを作成する。すなわち、メーカAは、基準となるパタ
ーンレイアウトに基づいてバルクレイアウトを行い(ス
テップS40)、レイアウト用バルクデータを作成する
(ステップS41)。このレイアウト用バルクデータ
は、メーカBに供給される。
As shown in FIG. 5, Maker A creates bulk data from a reference pattern layout supplied by a user or the like. That is, the maker A performs bulk layout based on the reference pattern layout (step S40) and creates layout bulk data (step S41). The bulk data for layout is supplied to the maker B.

【0044】また、ステップS42で検証用データの抽
出が行われる。抽出された検証用データ(ステップS4
3)はメーカBに供給される。さらに、レイアウト用バ
ルクデータを用いてマスク製造業者Cに渡すためのリリ
ースデータの作成が行われる(ステップS44)。作成
されたリリースコマンドによるレイアウトデータがリリ
ースされ(ステップS46)、マスク製造業者Cに供給
される。
In step S42, the verification data is extracted. The extracted verification data (step S4
3) is supplied to maker B. Further, release data to be delivered to the mask manufacturer C is created using the layout bulk data (step S44). The layout data by the created release command is released (step S46) and supplied to the mask manufacturer C.

【0045】なお、マスク製造業者にリリースするバル
クデータは、バルクデータの全てでもよいが、マスク作
成に必要最小限のデータ、例えば、整合性の検証に用い
る検証用データのみでもよい。
The bulk data released to the mask manufacturer may be all of the bulk data, but may be the minimum data necessary for mask production, for example, only the verification data used for verifying the consistency.

【0046】一方、メーカBは、メーカAから供給され
るレイアウト用バルクデータに基づいて、配線レイアウ
ト設計を行う(ステップS47)。このとき、必要に応
じてモジュールレイアウトデータ(ステップS56)、
配線レイアウト用論理情報(ステップS57)、EC前
のレイアウトデータ(ステップS58)等を参照する。
On the other hand, the maker B designs the wiring layout based on the layout bulk data supplied from the maker A (step S47). At this time, if necessary, module layout data (step S56),
The wiring layout logic information (step S57), the layout data before EC (step S58), etc. are referred to.

【0047】整合性の検証にあたり、作成されたレイア
ウト用配線データ(ステップS48)から検証用データ
が抽出され(ステップS49)、抽出された検証用デー
タ(ステップS50)がメーカAから供給されたバルク
データに関する検証用データと比較される(ステップS
51)。
In verifying the consistency, the verification data is extracted from the created layout wiring data (step S48) (step S49), and the extracted verification data (step S50) is supplied from the manufacturer A in bulk. The data is compared with the verification data (step S).
51).

【0048】両検証用データの整合がとれない場合(ス
テップS51:NG)、最新のレイアウト用バルクデー
タ(ステップS41)を再度メーカAに依頼し、配線レ
イアウトからやり直す(ステップS47)。
If the verification data cannot be matched (step S51: NG), the latest layout bulk data (step S41) is requested to the manufacturer A again, and the wiring layout is restarted (step S47).

【0049】両検証用データの整合がとれた場合(ステ
ップS51:OK)、レイアウト用配線データ(ステッ
プS48)を用いて、リリースデータの作成が行われる
(ステップS52)。すなわち、マスク製造業者用のリ
リースコマンドを用いたリリースデータが作成され(ス
テップS53)、マスク製造業者Cにリリースされる
(ステップS54)。
When both verification data are matched (step S51: OK), the release data is created using the layout wiring data (step S48) (step S52). That is, release data is created using the release command for the mask manufacturer (step S53) and released to the mask manufacturer C (step S54).

【0050】マスク製造業者Cは、メーカAから供給さ
れたバルクデータに関するリリースデータに基づいてバ
ルク層のホトマスクを製造する。また、メーカBから供
給された配線に関するリリースデータに基づいて配線パ
ターンのホトマスクを製造する(ステップS55)。さ
らにマスク製造業者Cは、半導体製造メーカにマスクデ
ータを提供し、半導体集積回路の製造が行われる。
The mask manufacturer C manufactures a photomask for the bulk layer based on the release data relating to the bulk data supplied from the manufacturer A. In addition, a photomask having a wiring pattern is manufactured based on the release data regarding the wiring supplied from the maker B (step S55). Further, the mask manufacturer C provides the mask data to the semiconductor manufacturer, and the semiconductor integrated circuit is manufactured.

【0051】上記のように、本第4実施例によれば、メ
ーカ毎に異なる工程を担当しても、最終的な整合性の検
証が行われ、マスク作成のやり直しによる経済的又は工
数の増大を防止できる。また、万一、レイアウト用のデ
ータの整合がとれない場合でも、一つのメーカにおける
レイアウト作成工程をやり直すだけで済む。(V)その他の変形例 本発明の上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
As described above, according to the fourth embodiment, the final consistency verification is performed even if each manufacturer is in charge of different processes, and the cost or man-hour is increased by re-creating the mask. Can be prevented. Further, even if the layout data cannot be matched, it is only necessary to repeat the layout creating process by one manufacturer. (V) Other Modifications Various modifications are possible without being limited to the above embodiment of the present invention.

【0052】上記各実施例では、配線レイアウト工程の
最後に整合性の検証が行われていたが、整合性の検証は
他の場所で行ってもよい。例えば、マスク製造業者がマ
スクデータの製造に先立って別途供給されてきたバルク
データと配線データとを比べ、万一整合がない場合に、
配線レイアウトを行うメーカに連絡するものでもよい。
In each of the above-mentioned embodiments, the verification of the consistency is carried out at the end of the wiring layout process, but the verification of the consistency may be carried out at another place. For example, if the mask manufacturer compares the bulk data and the wiring data, which have been separately supplied before the mask data is manufactured, if there is no match,
You may contact the manufacturer who does the wiring layout.

【0053】[0053]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、回路レ
イアウトデータに基づいて配線レイアウトデータが作成
されるので、両レイアウトデータの整合性がよい。さら
に、半導体集積回路の製造に移行する直前で両レイアウ
トデータの整合を検証するので、マスク作成のやり直し
は従来膨大な時間の損失を防止でき、時間的・経済的損
失を大幅に減少できる。
According to the first aspect of the present invention, since the wiring layout data is created based on the circuit layout data, the two layout data have good consistency. Furthermore, since the matching of both layout data is verified immediately before the shift to the manufacturing of semiconductor integrated circuits, it is possible to prevent an enormous amount of time from being re-created in the conventional mask making, and it is possible to greatly reduce the time and economic loss.

【0054】従来、ユーザは、半導体製造業者(マスク
製造業者)に半導体集積回路の製作を依頼した場合、マ
スクデータが供給された後でしか整合性の検証が行えな
かった。しかし、本発明によれば、顧客のレベル、デザ
インセンターの中で整合性の確認が行える。これによ
り、マクロ埋め込み型セルアレイに本発明を適用すれ
ば、短開発期間及び欠陥の低減可能という当該半導体集
積回路の特長を最大限に引き出せる。
Conventionally, when a user requests a semiconductor manufacturer (mask manufacturer) to manufacture a semiconductor integrated circuit, the consistency can be verified only after the mask data is supplied. However, according to the present invention, the consistency can be confirmed at the customer's level and in the design center. As a result, if the present invention is applied to the macro-embedded cell array, the features of the semiconductor integrated circuit, such as short development period and reduction of defects, can be brought out to the maximum.

【0055】請求項2に記載の発明によれば、回路レイ
アウトデータの作成と配線レイアウトデータの作成が並
行して行われる場合でも、半導体集積回路の製造に移行
する直前で両レイアウトデータの整合性の検証が可能な
ので、マスク作成のやり直しに起因する開発時間の増大
を防止できる。
According to the second aspect of the present invention, even when the circuit layout data and the wiring layout data are created in parallel, the consistency of both layout data immediately before the shift to the manufacturing of the semiconductor integrated circuit is performed. Since it is possible to verify the above, it is possible to prevent the development time from increasing due to the re-making of the mask.

【0056】請求項3又は請求項4に記載の発明によれ
ば、請求項1又は請求項2の効果に加えて、抽出した検
証用データに基づいて整合性の検証が行われるので、整
合性の検証に必要な時間を短縮でき、さらに、開発時間
の短縮ができる。
According to the invention of claim 3 or claim 4, in addition to the effect of claim 1 or claim 2, the consistency is verified on the basis of the extracted verification data. The time required for verification can be shortened, and the development time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】LSI製造のフローチャートである。FIG. 1 is a flow chart of LSI manufacturing.

【図2】第1実施例の配線検査方法を説明するフローチ
ャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a wiring inspection method according to the first embodiment.

【図3】第2実施例の配線検査方法を説明するフローチ
ャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a wiring inspection method according to a second embodiment.

【図4】第3実施例の配線検査方法を説明するフローチ
ャートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating a wiring inspection method according to a third embodiment.

【図5】第4実施例の配線検査方法を説明するフローチ
ャートである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating a wiring inspection method according to a fourth embodiment.

【図6】従来の配線検査方法を説明するフローチャート
である。
FIG. 6 is a flowchart illustrating a conventional wiring inspection method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

ステップA〜H…LSIの開発プロセスにおける各処理 ステップS1〜S55…具体的処理 Steps A to H ... Each process in the LSI development process Steps S1 to S55 ... Concrete processing

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/82 H01L 21/822 H01L 27/04 G06F 17/50 H01L 21/66 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/82 H01L 21/822 H01L 27/04 G06F 17/50 H01L 21/66

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 回路素子の配置を定める回路レイアウト
データと前記回路素子の配線を定める配線レイアウトデ
ータとに基づく半導体集積回路のための配線検査方法で
あって、 当該半導体集積回路における前記回路素子の配置を定め
る回路レイアウトデータを入力し、入力された当該回路
レイアウトデータに基づいて、前記回路素子についての
配線を定める配線レイアウトデータを作成する配線レイ
アウト工程と、 作成が終了した前記配線レイアウトデータと当該配線レ
イアウトデータの作成が終了した段階で入力されている
回路レイアウトデータとを比較し、当該回路レイアウト
データと当該配線レイアウトデータとが整合していない
場合に、前記配線レイアウト工程により新たな回路レイ
アウトデータに基づく配線レイアウトデータを作成し、
当該回路レイアウトデータと当該配線レイアウトデータ
とが整合している場合に、当該半導体集積回路の製造に
移行する整合性検証工程と、 を備えたことを特徴とする半導体集積回路のための配線
検査方法。
1. A wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit based on circuit layout data that defines the layout of circuit elements and wiring layout data that defines the wiring of the circuit elements. A wiring layout step of inputting circuit layout data that defines an arrangement and creating wiring layout data that defines wiring for the circuit element based on the input circuit layout data, and the wiring layout data that has been created and the wiring layout data. The circuit layout data input at the stage when the wiring layout data has been created is compared, and if the circuit layout data and the wiring layout data do not match, new wiring layout data is created by the wiring layout process. Create wiring layout data based on And,
A wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit, comprising: a consistency verification step of shifting to manufacturing of the semiconductor integrated circuit when the circuit layout data and the wiring layout data match. .
【請求項2】 回路素子の配置を定める回路レイアウト
データと前記回路素子の配線を定める配線レイアウトデ
ータとに基づく半導体集積回路のための配線検査方法で
あって、 当該半導体集積回路のパターンを定めるパターンレイア
ウトデータに基づいて、当該半導体集積回路における前
記回路素子の配置を定める回路レイアウトデータを作成
する回路レイアウト工程と、 前記パターンレイアウトデータに基づいて、前記回路素
子についての配線を定める配線レイアウトデータを作成
する配線レイアウト工程と、 前記回路レイアウト工程により作成された前記回路レイ
アウトデータと前記配線レイアウト工程により作成され
た前記配線レイアウトデータとを比較し、当該回路レイ
アウトデータと当該配線レイアウトデータとが整合して
いない場合に、前記配線レイアウト工程により新たなパ
ターンレイアウトデータに基づく配線レイアウトデータ
を作成し、当該回路レイアウトデータと当該配線レイア
ウトデータとが整合している場合に、当該半導体集積回
路の製造に移行する整合性検証工程と、を備えたことを
特徴とする半導体集積回路のための配線検査方法。
2. A wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit based on circuit layout data defining a layout of circuit elements and wiring layout data defining wiring of the circuit element, the pattern defining a pattern of the semiconductor integrated circuit. A circuit layout step of creating circuit layout data that defines the layout of the circuit elements in the semiconductor integrated circuit based on the layout data; and creating wiring layout data that defines wiring of the circuit elements based on the pattern layout data And the wiring layout data created in the circuit layout step and the wiring layout data created in the wiring layout step are compared, and the circuit layout data and the wiring layout data match each other. Absent In this case, in the wiring layout process, wiring layout data based on new pattern layout data is created, and if the circuit layout data and the wiring layout data match, the process shifts to the manufacturing of the semiconductor integrated circuit. A wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit, comprising:
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の半導体集
積回路の配線検査方法において、 前記整合性検証工程は、全ての前記回路レイアウトデー
タのうち、結線情報に関する所定のデータのみを検証用
データとして抽出して比較することを特徴とする半導体
集積回路のための配線検査方法。
3. The wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the matching verifying step is for verifying only predetermined data regarding connection information out of all the circuit layout data. A wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit, which comprises extracting as data and comparing the data.
【請求項4】 請求項1又は請求項3に記載の半導体集
積回路の配線検査方法において、 前記整合性検証工程は、全ての前記配線レイアウトデー
タのうち、結線情報に関する所定のデータのみを検証用
データとして抽出して比較することを特徴とする半導体
集積回路のための配線検査方法。
4. The wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the matching verification step verifies only predetermined data relating to connection information out of all the wiring layout data. A wiring inspection method for a semiconductor integrated circuit, which comprises extracting as data and comparing the data.
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