JP3473306B2 - Thin film display element and method of manufacturing the same - Google Patents

Thin film display element and method of manufacturing the same

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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、真空中において
導電層と導電薄膜とに電圧を印加し、絶縁薄膜から発生
する電子を導電薄膜を貫通させて導電薄膜の反絶縁薄膜
側に配された蛍光板に照射するための薄膜表示素子およ
びその製造方法に関する。この薄膜表示素子は、現在ノ
ート型コンピュータや薄型テレビジョンなどの電子表示
装置用に開発されているものであって、薄膜表示素子か
ら発生する電子によって蛍光板を発光させ、蛍光板の上
に文字や図形を表示することができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention has a structure in which a voltage is applied to a conductive layer and a conductive thin film in a vacuum so that electrons generated from the insulating thin film penetrate the conductive thin film and are arranged on the side opposite to the insulating thin film. The present invention relates to a thin film display device for irradiating a fluorescent plate and a method for manufacturing the same. This thin film display element is currently being developed for electronic display devices such as notebook computers and thin-screen televisions. The electrons generated from the thin film display element cause the fluorescent plate to emit light, and characters and figures are displayed on the fluorescent plate. Can be displayed.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子表示装置に用いられる表示素子とし
ては、液晶表示素子やエレクトロルミネッセンス素子
(EL素子)などが一般的である。しかし、液晶表示素
子は自己発光形でないためにバックライトが必要であ
り、電源容量が大きいという問題点を有している。ま
た、EL素子は駆動電圧が数百ボルト必要であり、駆動
電圧が高いという欠点かある。最近になって、プラズマ
を応用した電界放出型の表示素子が提案されたが、この
表示素子も駆動電圧が数百ボルトから1kVと高くなっ
ている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display elements and electroluminescent elements (EL elements) are generally used as display elements used in electronic display devices. However, since the liquid crystal display element is not a self-luminous type, it requires a backlight, and has a problem that the power source capacity is large. Further, the EL element requires a driving voltage of several hundreds of volts, which is a drawback that the driving voltage is high. Recently, a field emission type display device using plasma has been proposed, but the drive voltage of this display device is also as high as several hundred volts to 1 kV.

【0003】自己発光形であり、かつ、駆動電圧の低い
(10ボルト程度)表示素子として、導電層の表面に絶
縁薄膜を介して導電薄膜が形成された薄膜表示素子の開
発がなされている。真空中において導電層と導電薄膜と
に電圧を印加すると、絶縁薄膜から発生した電子がトン
ネル効果によって導電薄膜を貫通して薄膜表示素子の外
部に出て来る。この発生電子を蛍光板で受けることによ
り、蛍光板を発光させ文字や図形を表示することができ
る。
As a self-luminous display device having a low driving voltage (about 10 V), a thin film display device in which a conductive thin film is formed on the surface of a conductive layer via an insulating thin film has been developed. When a voltage is applied to the conductive layer and the conductive thin film in vacuum, electrons generated from the insulating thin film penetrate the conductive thin film due to the tunnel effect and come out of the thin film display element. By receiving the generated electrons by the fluorescent plate, the fluorescent plate can be caused to emit light to display characters and figures.

【0004】図6は、従来の薄膜表示素子の構成を示す
断面図である。セラミックなどの絶縁基板16の上にア
ルミニウム製の導電層17が配され、この導電層17の
上面にアルミニウムの酸化によって出来たアルミナの絶
縁薄膜18が形成され、この絶縁薄膜18の上に金蒸着
で出来た導電薄膜19が形成されている。絶縁基板16
から導電薄膜19までの積層体が薄膜表示素子20であ
る。薄膜表示素子20は真空中に収められ、その上部に
蛍光板15(点線で示す)が置かれることによって電子
表示装置に用いられる。
FIG. 6 is a sectional view showing the structure of a conventional thin film display element. A conductive layer 17 made of aluminum is disposed on an insulating substrate 16 such as ceramic, and an insulating thin film 18 of alumina formed by oxidation of aluminum is formed on the upper surface of the conductive layer 17, and gold is vapor-deposited on the insulating thin film 18. The conductive thin film 19 made of is formed. Insulating substrate 16
To the conductive thin film 19 is a thin film display element 20. The thin film display element 20 is housed in a vacuum, and a fluorescent plate 15 (shown by a dotted line) is placed on top of it to be used for an electronic display device.

【0005】絶縁薄膜18の厚さは2ないし3nm、導
電薄膜19の厚さは数十nmないし数百nmである。導
電層17と導電薄膜19との間に10ボルト程度の直流
電圧を印加することにより、絶縁薄膜18から励起され
た電子がトンネル効果によって導電薄膜19を貫通す
る。この電子は、矢印19Aのように進み、上部の蛍光
板15に到達する。電子によって照射された蛍光板15
は発光するので、多数個の薄膜表示素子20を平面的に
並べることによって、文字や図形を表示することができ
る。
The insulating thin film 18 has a thickness of 2 to 3 nm, and the conductive thin film 19 has a thickness of tens to hundreds of nm. By applying a direct current voltage of about 10 V between the conductive layer 17 and the conductive thin film 19, the electrons excited from the insulating thin film 18 penetrate the conductive thin film 19 by the tunnel effect. This electron travels as shown by arrow 19A and reaches the upper fluorescent plate 15. Fluorescent plate 15 illuminated by electrons
Emits light, so that characters and figures can be displayed by arranging a large number of thin film display elements 20 on a plane.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の薄膜表示素子は、製造時に絶縁薄膜に亀
裂が入り易いという問題があった。すなわち、絶縁薄膜
の厚さは数nmと非常に薄くする必要があるために、絶
縁薄膜の強度が小さく、導電層の酸化後に亀裂が入り易
かった。そのために、電子の発生が安定せず、時間とと
もに亀裂も増えるので、その寿命も短かった。
However, the conventional thin film display device as described above has a problem that the insulating thin film is easily cracked during manufacturing. That is, since the thickness of the insulating thin film needs to be very thin, such as several nm, the strength of the insulating thin film is low and cracks are likely to occur after the conductive layer is oxidized. Therefore, the generation of electrons is not stable and cracks increase with time, so that the life is short.

【0007】また、成膜に金やアルミウムなど複数の金
属を必要とし、環境対策から素子を廃棄するときにも分
離処理が必要であるという厄介さがあった。この発明の
目的は、単一原子で構成するとともに、亀裂が入らない
薄膜表示素子を提供することにある。
Further, a plurality of metals such as gold and aluminum are required for the film formation, and there is a trouble that the separation treatment is required when the element is discarded as an environmental measure. An object of the present invention is to provide a thin film display element which is composed of a single atom and which is free from cracks.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明によれば、導電層の表面に絶縁薄膜が形成
され、この絶縁薄膜の反導電層側の表面に導電薄膜が形
成されてなる薄膜表示素子において、導電層、絶縁薄膜
および導電薄膜がすべて炭素原子で構成されてなるもの
とするとよい。それによって、薄膜表示素子を炭素とい
う単一原子で構成することができ、廃棄するときの分離
処理が不要である。
In order to achieve the above object, according to the present invention, an insulating thin film is formed on the surface of a conductive layer, and the conductive thin film is formed on the surface of the insulating thin film on the side opposite to the conductive layer. In the thin film display element formed as described above, it is preferable that the conductive layer, the insulating thin film and the conductive thin film are all composed of carbon atoms. As a result, the thin film display element can be composed of a single atom of carbon, and a separation process when discarding is unnecessary.

【0009】また、かかる構成において、導電層がグラ
ファイト構造の炭素よりなり、絶縁薄膜がダイヤモンド
構造の炭素よりなり、導電薄膜が擬一次元構造の炭素よ
りなるものとしてもよい。それによって、絶縁薄膜の強
度が非常に大きくなり、絶縁薄膜の亀裂が発生しない。
また、かかる構成の薄膜表示素子を製造する方法であっ
て、レーザ光の照射によってグラファイト材から発生す
る炭素蒸気を導電層に堆積させて絶縁薄膜を形成し、こ
の絶縁薄膜にグラファイト製電極対の間で発生するピン
チプラズマを照射することによって導電薄膜を形成する
こととするとよい。
Further, in such a structure, the conductive layer may be made of carbon having a graphite structure, the insulating thin film may be made of carbon having a diamond structure, and the conductive thin film may be made of carbon having a pseudo one-dimensional structure. As a result, the strength of the insulating thin film becomes very large, and the insulating thin film does not crack.
Further, in a method of manufacturing a thin film display element having such a structure, carbon vapor generated from a graphite material by laser light irradiation is deposited on a conductive layer to form an insulating thin film, and the insulating thin film is coated with a graphite electrode pair. The conductive thin film may be formed by irradiating a pinch plasma generated between the conductive thin films.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、この発明を実施例に基づい
て説明する。図1は、この発明の実施例にかかる薄膜表
示素子の構成を示す断面図である。グラファイト構造の
炭素よりなる導電層1の上面にダイヤモンド構造の炭素
よりなる絶縁薄膜2が形成され、この絶縁薄膜2の上面
に擬一次元構造の炭素よりなる導電薄膜3が形成されて
いる。この薄膜表示素子は真空中に収められ、その上部
に図示されていない蛍光板が置かれ電子表示装置に用い
られる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below based on embodiments. FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a thin film display element according to an embodiment of the present invention. An insulating thin film 2 made of carbon having a diamond structure is formed on the upper surface of a conductive layer 1 made of carbon having a graphite structure, and a conductive thin film 3 made of carbon having a pseudo one-dimensional structure is formed on the upper surface of the insulating thin film 2. This thin film display element is housed in a vacuum, and a fluorescent plate (not shown) is placed on top of it to be used in an electronic display device.

【0011】絶縁薄膜2の厚さは2ないし3nm、導電
薄膜3の厚さは数十nmないし数百nmである。従来の
薄膜表示素子と同様に、導電層1と導電薄膜3との間に
10ボルト程度の直流電圧を印加することにより、絶縁
薄膜2から励起された電子がトンネル効果によって導電
薄膜3を貫通し、上部の図示されていない蛍光板を照射
する。
The insulating thin film 2 has a thickness of 2 to 3 nm, and the conductive thin film 3 has a thickness of several tens nm to several hundreds nm. As in the conventional thin film display element, by applying a direct current voltage of about 10 V between the conductive layer 1 and the conductive thin film 3, electrons excited from the insulating thin film 2 penetrate the conductive thin film 3 by the tunnel effect. Irradiate a fluorescent plate (not shown) on the upper side.

【0012】次に、図1の説明で述べた炭素原子の各構
造について触れる。図3は、グラファイト構造の炭素結
合を示す斜視図である。炭素原子4が正六角形の環40
をつくり、その環40が平面上を無限につながって一つ
の層4Aをつくる。この層4Aは互いに平行に無数形成
され、互いに結合されている。炭素原子4が環40をつ
くる結合41(実線)は共有結合であり、かなり強い。
しかし、各層4Aの結合42(点線)は分子間力であ
り、比較的弱い。したがって、各層4Aが互いに層4A
と平行な方向にすべりやすいとともに、各層4Aが薄く
剥がれ易いという性質がある。
Next, each structure of the carbon atom described in FIG. 1 will be touched upon. FIG. 3 is a perspective view showing a carbon bond of a graphite structure. Ring 40 having a regular hexagonal carbon atom 4
And the ring 40 is infinitely connected on the plane to form one layer 4A. The layers 4A are formed in parallel and innumerably, and are bonded to each other. The bond 41 (solid line) that the carbon atom 4 forms the ring 40 is a covalent bond and is quite strong.
However, the bond 42 (dotted line) of each layer 4A is an intermolecular force and is relatively weak. Therefore, each layer 4A is mutually
It has a property that it is easy to slip in a direction parallel to and each layer 4A is thin and easily peeled off.

【0013】図4は、ダイヤモンド構造の炭素結合を示
す斜視図である。炭素原子4が正四面体4Bの中心と、
その四つの頂点にあるように位置関係を保ちながら、共
有結合によって無数に配列されている。どの炭素原子4
も共有結合で強固に結びついているので強度は非常に大
きい。図5は、擬一次元構造の炭素結合を示す図であ
り、(A)は要部側面図、(B)は要部平面図である。
図5の(A)では、炭素原子4が一方向につながって炭
素鎖4Cを形成している。図5の(B)では、炭素鎖4
Cが六面に垂直に整列している。炭素鎖4C同士は、と
ころどころの結合43を介して繋がっている。この構造
は、一元方向に配列した炭素原子4が束になっているの
で、擬一次元構造と呼ばれている。
FIG. 4 is a perspective view showing a carbon bond of a diamond structure. The carbon atom 4 is at the center of the tetrahedron 4B,
They are arranged innumerable by covalent bonds while maintaining the positional relationship as at the four vertices. Which carbon atom 4
Is also strongly connected by covalent bonds, so its strength is extremely high. FIG. 5 is a diagram showing a carbon bond having a quasi one-dimensional structure, (A) is a side view of a main part, and (B) is a plan view of the main part.
In FIG. 5A, carbon atoms 4 are connected in one direction to form a carbon chain 4C. In FIG. 5B, the carbon chain 4
The Cs are aligned perpendicular to the six sides. The carbon chains 4C are connected to each other via bonds 43 in places. This structure is called a quasi-one-dimensional structure because the carbon atoms 4 arranged in one direction are bundled.

【0014】上述のように、絶縁薄膜2がダイヤモンド
構造で非常に強いので、絶縁薄膜2が数nmと薄くても
亀裂が発生することがない。そのために、絶縁薄膜2か
らの電子の発生が安定し、その寿命も長くなった。しか
も、すべて炭素原子4という単一元素で構成されたの
で、素子を廃棄するときに分離する必要がない。次に、
図1の薄膜表示素子の製造方法について述べる。
As described above, since the insulating thin film 2 has a diamond structure and is very strong, cracks do not occur even if the insulating thin film 2 is as thin as several nm. Therefore, the generation of electrons from the insulating thin film 2 is stabilized and the life thereof is extended. Moreover, since all of them are composed of a single element of carbon atoms 4, there is no need to separate them when disposing of the device. next,
A method of manufacturing the thin film display element of FIG. 1 will be described.

【0015】図2は、図1の薄膜表示素子の製造装置を
示す断面図である。真空容器7の内部に平板電極6が配
されるとともに、平板電極6に対向してガス通路11を
備えた対向電極10が配されている。平板電極6と対向
電極10とは、いずれもグラファイト製である。ガス通
路11は、下部の開口部が円筒状である。一方、ガス通
路11の上部の開口部は一本に纏められ、真空容器7外
部に設けられたガス供給部9と連通している。また、真
空容器7外部にはレーザ発振器5が配されている。レー
ザ発振器5から発生するレーザ光5A(二重線)を真空
容器7の壁に気密に取り付けられた透明な光学窓12を
通過して平板電極6に照射させることが出来るようにな
っている。なお、真空容器7の内部は常時真空に保たれ
ているとともに、平板電極6と対向電極10との間に直
流電圧を印加することができるようになっている。
FIG. 2 is a sectional view showing an apparatus for manufacturing the thin film display element of FIG. A flat plate electrode 6 is arranged inside the vacuum container 7, and a counter electrode 10 having a gas passage 11 is arranged so as to face the flat plate electrode 6. Both the plate electrode 6 and the counter electrode 10 are made of graphite. The gas passage 11 has a cylindrical lower opening. On the other hand, the upper opening of the gas passage 11 is integrated into one and communicates with the gas supply unit 9 provided outside the vacuum container 7. A laser oscillator 5 is arranged outside the vacuum container 7. The laser beam 5A (double line) generated from the laser oscillator 5 can pass through the transparent optical window 12 that is hermetically attached to the wall of the vacuum container 7 to irradiate the flat plate electrode 6. The inside of the vacuum container 7 is always kept in vacuum, and a DC voltage can be applied between the flat plate electrode 6 and the counter electrode 10.

【0016】図2において、製造しようとする薄膜表示
素子の導電層1(グラファイト)を真空容器7の内部に
セットし、レーザ光5Aを平板電極6に照射する。それ
によって、平板電極6に表面でアブレーションが生じ、
炭素原子が遊離する。この遊離した炭素原子が一点鎖線
の範囲5Bを進行し、導電層1の表面に堆積して絶縁薄
膜2が形成される。次に、ガス供給部9から希ガスをガ
ス通路11に流し、対向電極10から吹き出さす。その
希ガスは、対向電極10と平板電極6との間を円筒状に
流れる。対向電極10と平板電極6との間に電圧を印加
してその電極間を絶縁破壊させると、円筒状のプラズマ
が形成される。このプラズマは自らが形成する磁界によ
って円筒の中心軸側に移動させられ、細長いピンチプラ
ズマ8が形成される。ピンチプラズマ8からは、対向電
極10および平板電極6から遊離した炭素原子が点線の
範囲8Aを進行し、絶縁薄膜2の表面に導電薄膜3が形
成される。このようにして製造された薄膜表示素子は、
グラファイト構造の炭素の導電層1の上にダイヤモンド
構造の炭素の絶縁薄膜2が形成され、さらに、絶縁薄膜
2の上に擬一次元構造の炭素の導電薄膜3が形成され
る。
In FIG. 2, the conductive layer 1 (graphite) of the thin film display element to be manufactured is set inside the vacuum container 7 and the flat plate electrode 6 is irradiated with the laser beam 5A. As a result, ablation occurs on the surface of the flat plate electrode 6,
Carbon atom is released. The liberated carbon atoms travel in the range 5B indicated by the alternate long and short dash line and are deposited on the surface of the conductive layer 1 to form the insulating thin film 2. Next, the rare gas is caused to flow from the gas supply unit 9 into the gas passage 11 and blown out from the counter electrode 10. The rare gas flows in a cylindrical shape between the counter electrode 10 and the flat plate electrode 6. When a voltage is applied between the counter electrode 10 and the plate electrode 6 to cause a dielectric breakdown between the electrodes, a cylindrical plasma is formed. This plasma is moved to the central axis side of the cylinder by the magnetic field formed by itself, and the elongated pinch plasma 8 is formed. From the pinch plasma 8, carbon atoms liberated from the counter electrode 10 and the flat plate electrode 6 proceed in the range 8A indicated by the dotted line, and the conductive thin film 3 is formed on the surface of the insulating thin film 2. The thin film display device manufactured in this manner is
An insulating carbon thin film 2 having a diamond structure is formed on a carbon conductive layer 1 having a graphite structure, and a conductive carbon thin film 3 having a pseudo one-dimensional structure is further formed on the insulating thin film 2.

【0017】[0017]

【発明の効果】この発明は前述のように、薄膜表示素子
の導電層、絶縁薄膜および導電薄膜をすべて炭素原子の
単一原子で構成することによって、廃棄するときの分離
処理が不要になり、処理が簡単になる。また、かかる構
成において、導電層がグラファイト構造の炭素よりな
り、絶縁薄膜がダイヤモンド構造の炭素よりなり、導電
薄膜が擬一次元構造の炭素よりなるものとしてもよい。
それによって、絶縁薄膜の亀裂が発生しなくなり、薄膜
表示素子の特性が安定するとともに寿命が長くなる。
As described above, according to the present invention, since the conductive layer, the insulating thin film and the conductive thin film of the thin film display element are all composed of a single atom of carbon atoms, the separation treatment at the time of disposal becomes unnecessary, Processing is easy. Further, in such a configuration, the conductive layer may be made of carbon having a graphite structure, the insulating thin film may be made of carbon having a diamond structure, and the conductive thin film may be made of carbon having a pseudo one-dimensional structure.
This prevents cracks in the insulating thin film, stabilizes the characteristics of the thin film display element, and prolongs its life.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例にかかる薄膜表示素子の構成
を示す断面図
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a thin film display element according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の薄膜表示素子の製造装置を示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing an apparatus for manufacturing the thin film display element of FIG.

【図3】グラファイト構造の炭素結合を示す斜視図FIG. 3 is a perspective view showing a carbon bond of a graphite structure.

【図4】ダイヤモンド構造の炭素結合を示す斜視図FIG. 4 is a perspective view showing a carbon bond of a diamond structure.

【図5】擬一次元構造の炭素結合を示す図であり、
(A)は要部側面図、(B)は要部平面図
FIG. 5 is a diagram showing a carbon bond having a pseudo one-dimensional structure,
(A) is a side view of the main part, (B) is a plan view of the main part

【図6】従来の薄膜表示素子の構成を示す断面図FIG. 6 is a sectional view showing the structure of a conventional thin film display element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:導電層、2:絶縁薄膜、3:導電薄膜、4:炭素原
子、5A:レーザ光、8:ピンチプラズマ
1: conductive layer, 2: insulating thin film, 3: conductive thin film, 4: carbon atom, 5A: laser light, 8: pinch plasma

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 1/312 H01J 9/02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01J 1/312 H01J 9/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】導電層の表面に絶縁薄膜が形成され、この
絶縁薄膜の反導電層側の表面に導電薄膜が形成されてな
る薄膜表示素子において、導電層、絶縁薄膜および導電
薄膜がすべて炭素原子で構成されてなることを特徴とす
る薄膜表示素子。
1. A thin film display device comprising an insulating thin film formed on the surface of a conductive layer and a conductive thin film formed on the surface of the insulating thin film on the side opposite to the conductive layer, wherein the conductive layer, the insulating thin film and the conductive thin film are all made of carbon. A thin film display element characterized by being composed of atoms.
【請求項2】請求項1に記載の薄膜表示素子において、
導電層がグラファイト構造の炭素よりなり、絶縁薄膜が
ダイヤモンド構造の炭素よりなり、導電薄膜が擬一次元
構造の炭素よりなることを特徴とする薄膜表示素子。
2. The thin film display element according to claim 1,
A thin film display element characterized in that the conductive layer is made of carbon having a graphite structure, the insulating thin film is made of carbon having a diamond structure, and the conductive thin film is made of carbon having a pseudo one-dimensional structure.
【請求項3】請求項2に記載の薄膜表示素子を製造する
方法であって、レーザ光の照射によってグラファイト材
から発生する炭素蒸気を導電層に堆積させて絶縁薄膜を
形成し、この絶縁薄膜にグラファイト製電極対の間で発
生するピンチプラズマを照射することによって導電薄膜
を形成することを特徴とする薄膜表示素子の製造方法。
3. A method of manufacturing a thin film display element according to claim 2, wherein carbon vapor generated from a graphite material by irradiation of laser light is deposited on a conductive layer to form an insulating thin film. A method for manufacturing a thin film display element, comprising forming a conductive thin film by irradiating a pinch plasma generated between a pair of graphite electrodes on the substrate.
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