JP3464379B2 - Thin film magnetic head and method of manufacturing the same - Google Patents

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

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JP3464379B2
JP3464379B2 JP08230798A JP8230798A JP3464379B2 JP 3464379 B2 JP3464379 B2 JP 3464379B2 JP 08230798 A JP08230798 A JP 08230798A JP 8230798 A JP8230798 A JP 8230798A JP 3464379 B2 JP3464379 B2 JP 3464379B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head having at least an inductive magnetic conversion element for writing and a method for manufacturing the thin film magnetic head.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗(以下、MR(Magneto Resistive )と記す。)素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。MR素子としては、異方
性磁気抵抗(以下、AMR(Anisotropic Magneto Resi
stive )と記す。)効果を用いたAMR素子と、巨大磁
気抵抗(以下、GMR(Giant Magneto Resistive )と
記す。)効果を用いたGMR素子とがあり、AMR素子
を用いた再生ヘッドはAMRヘッドあるいは単にMRヘ
ッドと呼ばれ、GMR素子を用いた再生ヘッドはGMR
ヘッドと呼ばれる。AMRヘッドは、面記録密度が1ギ
ガビット/(インチ)2 を超える再生ヘッドとして利用
され、GMRヘッドは、面記録密度が3ギガビット/
(インチ)2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, as the areal recording density of hard disk devices has increased, there has been a demand for improved performance of thin film magnetic heads. The thin film magnetic head is a composite thin film having a structure in which a recording head having an inductive magnetic conversion element for writing and a reproducing head having a magnetoresistive (hereinafter referred to as MR) element for reading are laminated. Magnetic heads are widely used. An anisotropic magnetoresistive (hereinafter referred to as AMR (Anisotropic Magneto Resi
stive). ) There is an AMR element using the effect and a GMR element using the giant magnetoresistive (hereinafter referred to as GMR (Giant Magneto Resistive)) effect. A reproducing head using the AMR element is an AMR head or simply an MR head. A reproducing head using a GMR element is called a GMR
Called the head. The AMR head is used as a reproducing head whose areal recording density exceeds 1 gigabit / (inch) 2 , and the GMR head has an areal recording density of 3 gigabit / (inch) 2.
(Inch) Used as a playback head of more than 2 .

【0003】AMRヘッドは、AMR効果を有するAM
R膜を備えている。GMRヘッドは、AMR膜を、GM
R効果を有するGMR膜に置き換えたもので、構造上は
AMRヘッドと同様である。ただし、GMR膜は、AM
R膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変
化を示す。このため、GMRヘッドは、AMRヘッドよ
りも、再生出力を3〜5倍程度大きくすることができる
と言われている。
An AMR head is an AM having an AMR effect.
It has an R film. The GMR head uses an AMR film as a GM
It is replaced with a GMR film having an R effect and is structurally similar to an AMR head. However, the GMR film is AM
It exhibits a larger resistance change than the R film when the same external magnetic field is applied. Therefore, it is said that the GMR head can increase the reproduction output by about 3 to 5 times that of the AMR head.

【0004】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、MR膜を変える方法がある。一般的に、AMR膜
は、MR効果を示す磁性体を膜としたもので、単層構造
になっている。これに対して、多くのGMR膜は、複数
の膜を組み合わせた多層構造になっている。GMR効果
が発生するメカニズムにはいくつかの種類があり、その
メカニズムによってGMR膜の層構造が変わる。GMR
膜としては、超格子GMR膜、グラニュラ膜、スピンバ
ルブ膜等が提案されているが、比較的構成が単純で、弱
い磁界でも大きな抵抗変化を示し、量産を前提とするG
MR膜としては、スピンバルブ膜が有力である。このよ
うに、再生ヘッドは、例えば、MR膜をAMR膜からG
MR膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変えることで、
容易に、性能を向上するという目的を達せられる。
As a method of improving the performance of the reproducing head, there is a method of changing the MR film. Generally, the AMR film is a film made of a magnetic material having an MR effect and has a single-layer structure. On the other hand, many GMR films have a multilayer structure in which a plurality of films are combined. There are several types of mechanisms that cause the GMR effect, and the layer structure of the GMR film changes depending on the mechanism. GMR
As the film, a superlattice GMR film, a granular film, a spin valve film, etc. have been proposed, but they have a relatively simple structure and show a large resistance change even in a weak magnetic field, and are intended for mass production.
A spin valve film is effective as the MR film. In this way, the reproducing head may change the MR film from the AMR film to the G film, for example.
By changing to a material with excellent magnetoresistive sensitivity such as MR film,
The objective of improving performance can be easily achieved.

【0005】再生ヘッドの性能を決定する要因として
は、上述のような材料の選択の他に、パターン幅、特
に、MRハイトがある。MRハイトは、MR素子のエア
ベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ(高
さ)を言う。このMRハイトは、本来、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御される。
The factors that determine the performance of the reproducing head include the pattern width, especially the MR height, in addition to the selection of the material as described above. The MR height is the length (height) from the end on the air bearing surface side of the MR element to the end on the opposite side. This MR height is originally controlled by the polishing amount when processing the air bearing surface.

【0006】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけ
るトラック密度を上げる必要がある。そのために、上部
磁極を形成する磁性層に対して、半導体加工技術を利用
してサブミクロン加工を施して、狭トラック構造の記録
ヘッドを実現することが望まれていた。
On the other hand, as the performance of the reproducing head is improved, the performance of the recording head is also required to be improved. Among the performances of the recording head, in order to increase the recording density, it is necessary to increase the track density in the magnetic recording medium. Therefore, it has been desired to realize a recording head with a narrow track structure by subjecting the magnetic layer forming the upper magnetic pole to submicron processing using semiconductor processing technology.

【0007】記録ヘッドの性能を決定するその他の要因
としては、スロートハイトがある。スロートハイトは、
エアベリング面から、薄膜コイルを電気的に分離する絶
縁層のエッジまでの部分(本出願において磁極部分と言
う。)の長さ(高さ)を言う。記録ヘッドの性能向上の
ためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。こ
のスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研
磨量によって制御される。
The throat height is another factor that determines the performance of the recording head. Throat height is
It is the length (height) of the portion from the air belling surface to the edge of the insulating layer that electrically separates the thin film coil (referred to as the magnetic pole portion in the present application). To improve the performance of the recording head, it is desired to reduce the throat height. The throat height is also controlled by the polishing amount when processing the air bearing surface.

【0008】このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上
のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形
成することが重要である。
As described above, in order to improve the performance of the thin film magnetic head, it is important to form the recording head and the reproducing head in a well-balanced manner.

【0009】ここで、図14ないし図22を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。
Here, referring to FIGS. 14 to 22,
As an example of a conventional method of manufacturing a thin film magnetic head, an example of a method of manufacturing a composite thin film magnetic head will be described.

【0010】この製造方法では、まず、図14に示した
ように、例えばアルティック(Al2 3 ・TiC)よ
りなる基板101上に、例えばアルミナ(Al2 3
よりなる絶縁層102を、約5〜10μm程度の厚みで
堆積する。次に、図15に示したように、絶縁層102
上に、再生ヘッド用の下部シールド層103を形成す
る。
[0010] In this manufacturing method, first, as shown in FIG. 14, for example, on a substrate 101 made of AlTiC (Al 2 O 3 · TiC) , alumina (Al 2 O 3)
The insulating layer 102 made of is deposited with a thickness of about 5 to 10 μm. Next, as shown in FIG. 15, the insulating layer 102
A lower shield layer 103 for a reproducing head is formed on the top.

【0011】次に、図16に示したように、下部シール
ド層103上に、例えばアルミナを100〜200nm
の厚みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜104を
形成する。次に、シールドギャップ膜104上に、再生
用のMR素子を構成するためのMR膜105を、数十n
mの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望
の形状とする。次に、図17に示したように、シールド
ギャップ膜104およびMR膜105上に、シールドギ
ャップ膜106を形成し、MR膜105をシールドギャ
ップ膜104,106内に埋設する。
Next, as shown in FIG. 16, 100 to 200 nm of alumina, for example, is deposited on the lower shield layer 103.
To form a shield gap film 104. Next, on the shield gap film 104, an MR film 105 for forming an MR element for reproduction is formed by several tens of n.
It is formed to a thickness of m and is formed into a desired shape by high-precision photolithography. Next, as shown in FIG. 17, the shield gap film 106 is formed on the shield gap film 104 and the MR film 105, and the MR film 105 is embedded in the shield gap films 104 and 106.

【0012】次に、図18に示したように、シールドギ
ャップ膜106上に、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に
用いる磁気材料、例えばパーマロイ(NiFe)からな
る上部シールド兼下部磁極(以下、下部磁極と記す。)
107を形成する。
Next, as shown in FIG. 18, on the shield gap film 106, an upper shield / lower magnetic pole (hereinafter, lower magnetic pole) made of a magnetic material used for both the reproducing head and the recording head, for example, permalloy (NiFe). It is written as.)
Form 107.

【0013】次に、図19に示したように、下部磁極1
07上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャ
ップ層108を形成し、この記録ギャップ層108上
に、フォトレジスト層109を、高精度のフォトリソグ
ラフィで所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層109上に、例えばめっき法により、例えば銅
(Cu)よりなる誘導型の記録ヘッド用の第1層目の薄
膜コイル110を形成する。
Next, as shown in FIG. 19, the lower magnetic pole 1
A recording gap layer 108 made of an insulating film, for example, an alumina film is formed on 07, and a photoresist layer 109 is formed in a predetermined pattern on the recording gap layer 108 by high-precision photolithography. Next, on the photoresist layer 109, a first-layer thin-film coil 110 for an inductive recording head made of, for example, copper (Cu) is formed by, for example, a plating method.

【0014】次に、図20に示したように、フォトレジ
スト層109およびコイル110上に、フォトレジスト
層111を、高精度のフォトリソグラフィで所定のパタ
ーンに形成する。次に、コイル110の平坦化およびコ
イル110間の絶縁化のために、例えば250°Cの温
度で熱処理する。
Next, as shown in FIG. 20, a photoresist layer 111 is formed in a predetermined pattern on the photoresist layer 109 and the coil 110 by high precision photolithography. Next, in order to flatten the coils 110 and insulate the coils 110, heat treatment is performed at a temperature of 250 ° C., for example.

【0015】次に、図21に示したように、フォトレジ
スト層111上に、例えばめっき法により、例えば銅よ
りなる第2層目の薄膜コイル112を形成する。次に、
フォトレジスト層111およびコイル112上に、フォ
トレジスト層113を、高精度のフォトリソグラフィで
所定のパターンに形成し、コイル112の平坦化および
コイル112間の絶縁化のために、例えば250°Cの
温度で熱処理する。
Next, as shown in FIG. 21, a second-layer thin-film coil 112 made of, for example, copper is formed on the photoresist layer 111 by, for example, a plating method. next,
A photoresist layer 113 is formed in a predetermined pattern on the photoresist layer 111 and the coil 112 by high-precision photolithography, and for example, at 250 ° C. for planarization of the coil 112 and insulation between the coils 112. Heat treatment at temperature.

【0016】次に、図22に示したように、コイル11
0,112よりも後方(図22における右側)の位置に
おいて、磁路形成のために、記録ギャップ層108を部
分的にエッチングする。次に、記録ギャップ層108、
フォトレジスト層109,111,113上に、記録ヘ
ッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨー
ク兼上部磁極(以下、上部磁極と記す。)114を形成
する。この上部磁極114は、コイル110,112よ
りも後方の位置において、下部磁極107と接触し、磁
気的に連結している。次に、上部磁極114をマスクと
して、イオンミリングによって、記録ギャップ層108
と下部磁極107を、約0.5μm程度エッチングした
後、上部磁極114上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層115を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラッ
ク面(エアベアリング面)120を形成して、薄膜磁気
ヘッドが完成する。
Next, as shown in FIG. 22, the coil 11
The recording gap layer 108 is partially etched at a position rearward from 0 and 112 (on the right side in FIG. 22) to form a magnetic path. Next, the recording gap layer 108,
An upper yoke / upper magnetic pole (hereinafter referred to as upper magnetic pole) 114 made of a magnetic material for a recording head, such as permalloy, is formed on the photoresist layers 109, 111, 113. The upper magnetic pole 114 contacts the lower magnetic pole 107 and is magnetically coupled to the lower magnetic pole 107 at a position behind the coils 110 and 112. Next, the write gap layer 108 is formed by ion milling using the upper magnetic pole 114 as a mask.
After the lower magnetic pole 107 is etched by about 0.5 μm, an overcoat layer 115 made of alumina, for example, is formed on the upper magnetic pole 114. Finally, the slider is machined to form the track surface (air bearing surface) 120 of the recording head and the reproducing head, and the thin film magnetic head is completed.

【0017】完成した状態の薄膜磁気ヘッドを、図23
および図24に示す。図23は、トラック面120に垂
直な薄膜磁気ヘッドの断面を示し、図24は、磁極部分
のトラック面120に平行な断面を拡大して示してい
る。図23において、THは、スロートハイトを表し、
MR−Hは、MRハイトを表している。また、図24に
おいて、P2Wは、磁極幅を表し、P2Lは、磁極の厚
さを表している。
FIG. 23 shows a thin film magnetic head in a completed state.
And shown in FIG. FIG. 23 shows a cross section of the thin film magnetic head perpendicular to the track surface 120, and FIG. 24 shows an enlarged cross section of the magnetic pole portion parallel to the track surface 120. In FIG. 23, TH represents throat height,
MR-H represents MR height. Further, in FIG. 24, P2W represents the magnetic pole width, and P2L represents the magnetic pole thickness.

【0018】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトやMRハイト等の他に、図23にお
いてθで示したようなエイペックスアングル(Apex Ang
le)がある。このエイペックスアングルは、フォトレジ
スト層109,111,113のトラック面側の側面の
角部を結ぶ直線と上部磁極114の上面とのなす角度を
いう。
As factors that determine the performance of the thin film magnetic head, in addition to the throat height, the MR height, etc., the Apex angle (Apex Ang) as shown by θ in FIG.
le). The apex angle means the angle formed by the straight line connecting the corners of the side surfaces of the photoresist layers 109, 111, 113 on the track surface side and the upper surface of the upper magnetic pole 114.

【0019】図24に示したように、上部磁極114、
記録ギャップ層108および下部磁極107の一部の各
側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム
(Trim)構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭
トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実
効トラック幅の増加を防止することができる。なお、図
24に示したように、MR膜105の側方には、リード
層121が設けられている。
As shown in FIG. 24, the upper magnetic pole 114,
The structure in which the side walls of the recording gap layer 108 and a part of the lower magnetic pole 107 are vertically formed in a self-aligned manner is called a trim structure. With this trim structure, it is possible to prevent an increase in the effective track width due to the spread of the magnetic flux generated when writing a narrow track. As shown in FIG. 24, a lead layer 121 is provided on the side of the MR film 105.

【0020】このようにして製造される複合型薄膜磁気
ヘッドでは、特に、記録ヘッドと再生ヘッドの位置関係
に多くの問題点があり、その問題点によって、複合型薄
膜磁気ヘッド全体の特性劣化や信頼性の問題が発生し、
歩留りが著しく低くなることがしばしば生じていた。
The composite thin-film magnetic head manufactured in this manner has many problems, especially in the positional relationship between the recording head and the reproducing head. Due to these problems, deterioration of the characteristics of the whole composite thin-film magnetic head and Reliability issues occur,
The yield often decreased significantly.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図23および図24に示したような
スロートハイトTH、MRハイトMR−H、エイペック
スアングルθ、磁極幅P2Wおよび磁極長P2Lを正確
に形成することが重要である。
To improve the performance of the thin film magnetic head, the throat height TH, MR height MR-H, apex angle θ, magnetic pole width P2W and magnetic pole shown in FIGS. 23 and 24 are used. It is important to form the long P2L accurately.

【0022】本出願では、特に、磁極幅P2Wの正確な
制御に関する問題点(以下、第1の問題点と言う。)
と、スロートハイトTHの正確な制御に関する問題点
(以下、第2の問題点と言う。)とを取り上げる。
In the present application, in particular, there is a problem regarding the accurate control of the magnetic pole width P2W (hereinafter referred to as the first problem).
And a problem related to accurate control of the throat height TH (hereinafter referred to as a second problem).

【0023】まず、第1の問題点について説明する。磁
極幅P2Wは、記録ヘッドのトラック幅を決定するた
め、正確な形成が要求される。特に、近年は、高面密度
記録を可能とするため、すなわち、狭トラック構造の記
録ヘッドを形成するために、1.0μm以下の寸法が要
求される。そのためには、磁極幅P2Wを決定する上部
磁極を、微細に形成することが要求される。
First, the first problem will be described. Since the magnetic pole width P2W determines the track width of the recording head, accurate formation is required. Particularly, in recent years, a dimension of 1.0 μm or less is required to enable high areal density recording, that is, to form a recording head having a narrow track structure. For that purpose, it is required to finely form the upper magnetic pole that determines the magnetic pole width P2W.

【0024】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平7−262519号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極114を形成する場合は、まず、フォトレ
ジスト層109,111,113で覆われて山状に盛り
上がったコイル部分(以下、エイペックス部と言う。)
の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜
を、例えばスパッタリングによって形成する。次に、そ
の上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィに
よりパターニングして、めっきのためのフレーム(外
枠)を形成する。そして、先に形成した電極膜をシード
層として、めっき法によって上部磁極を形成する。
As a method for forming the upper magnetic pole, for example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-262519,
A frame plating method is used. When the upper magnetic pole 114 is formed by using the frame plating method, first, a coil portion which is covered with the photoresist layers 109, 111 and 113 and rises in a mountain shape (hereinafter referred to as an apex portion).
A thin electrode film made of, for example, permalloy is formed on the entire surface by, for example, sputtering. Next, a photoresist is applied thereon and patterned by photolithography to form a frame (outer frame) for plating. Then, an upper magnetic pole is formed by a plating method using the electrode film previously formed as a seed layer.

【0025】ところで、エイペックス部では、例えば7
〜10μm以上の高低差がある。このエイペックス部上
に、フォトレジストを3〜4μmの厚みで塗布する。エ
イペックス部上のフォトレジストの膜厚が最低3μm以
上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジストは
低い方に集まることから、エイペックス部の下方では、
例えば8〜10μm以上の厚みのフォトレジスト膜が形
成される。
By the way, in the apex section, for example, 7
There is a difference in height of 10 μm or more. A photoresist is applied to the apex portion so as to have a thickness of 3 to 4 μm. Assuming that the film thickness of the photoresist on the apex portion is required to be at least 3 μm or more, since the photoresist having fluidity gathers in the lower side, below the apex portion,
For example, a photoresist film having a thickness of 8 to 10 μm or more is formed.

【0026】前述のように狭トラックを形成するために
は、フォトレジスト膜によって1.0μm程度の幅のパ
ターンを形成する必要がある。従って、8〜10μm以
上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、1.0μm
程度の幅の微細なパターンを形成する必要が生じるが、
これは、極めて難しかった。
As described above, in order to form a narrow track, it is necessary to form a pattern having a width of about 1.0 μm with a photoresist film. Therefore, with a photoresist film having a thickness of 8-10 μm or more, 1.0 μm
It is necessary to form a fine pattern with a width of about
This was extremely difficult.

【0027】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、例えばパーマロイよりなる電極膜で反射
し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、
フォトレジストパターンのくずれ等が生じる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。このように、従
来は、磁極幅を正確に制御して、狭トラック構造とする
ための上部磁極を精度よく形成することが極めて難しか
った。
Moreover, during photolithography exposure,
Light for exposure is reflected by an electrode film made of, for example, permalloy, and the reflected light also sensitizes the photoresist,
The photoresist pattern may be damaged. As a result, it becomes impossible to form the upper magnetic pole into a desired shape, for example, the side wall of the upper magnetic pole has a rounded shape. As described above, conventionally, it has been extremely difficult to accurately control the magnetic pole width to accurately form the upper magnetic pole for forming the narrow track structure.

【0028】なお、特開平9−180127号公報に
は、コア用マスクとなるフォトレジストを塗布する前に
反射防止膜を形成しておき、この反射防止膜上にフォト
レジストを塗布することで、反射光の影響を受けずに高
い寸法精度で、コア用マスクを形成できるようにした技
術が示されている。
In Japanese Patent Laid-Open No. 9-180127, an antireflection film is formed before applying a photoresist serving as a core mask, and the photoresist is applied on the antireflection film. A technique is disclosed that enables a core mask to be formed with high dimensional accuracy without being affected by reflected light.

【0029】しかしながら、この技術では、フォトレジ
ストパターンを形成した後、めっき法により上部磁極を
形成する前に、上部磁極を形成する部分における反射防
止膜を除去する必要があり、薄膜磁気ヘッドの製造にお
ける工程が増えると共に、反射防止膜を正確に除去しき
れずに、反射防止膜の残りが発生して、細部において上
部磁極を正確に形成することができなくなるおそれがあ
る。
However, according to this technique, after forming the photoresist pattern and before forming the upper magnetic pole by the plating method, it is necessary to remove the antireflection film in the portion where the upper magnetic pole is to be formed. As the number of steps increases, the antireflection film cannot be accurately removed, and the antireflection film remains, which may make it impossible to accurately form the top pole.

【0030】次に、第2の問題点(スロートハイトTH
の正確な制御に関する問題点)について説明する。従来
の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、コイル110,11
2を形成する際に、250°C程度の温度による熱処理
を行っている。この熱処理の工程で、フォトレジスト層
109,111,113のメルト現象により、フォトレ
ジスト層109,111,113の端縁の位置変動(パ
ターンシフト)およびプロファイル悪化が生じる。特
に、フォトレジスト層109,111,113は、厚く
形成されているので、位置変動が大きくなる。
Next, the second problem (throat height TH
(Problems related to accurate control of) are explained. In the conventional method of manufacturing a thin film magnetic head, the coils 110 and 11 are
When forming 2, the heat treatment is performed at a temperature of about 250 ° C. In this heat treatment process, the melt phenomenon of the photoresist layers 109, 111, 113 causes positional fluctuations (pattern shifts) and profile deterioration of the edges of the photoresist layers 109, 111, 113. In particular, since the photoresist layers 109, 111, 113 are formed thickly, the positional variation becomes large.

【0031】記録ヘッドの性能向上のためには、スロー
トハイトの縮小化が望まれており、特に、今後の高周波
用の複合型薄膜磁気ヘッドでは、1.0μm以下が要求
されている。ところが、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ス
ロートハイトは、フォトレジスト層109の磁極部分側
の端縁で規定されているため、上述のようにフォトレジ
スト層109の端縁の位置変動が生じると、スロートハ
イトを正確に制御できないという問題が発生することに
なる。
In order to improve the performance of the recording head, it is desired to reduce the throat height, and in particular, in the future high frequency composite type thin film magnetic head, 1.0 μm or less is required. However, in the conventional thin film magnetic head, the throat height is defined by the edge of the photoresist layer 109 on the magnetic pole portion side. Therefore, if the position variation of the edge of the photoresist layer 109 occurs as described above, the throat height increases. The problem is that the height cannot be controlled accurately.

【0032】更に、フォトレジスト層109,111,
113の端縁の位置変動が生じると、例えば、エアベア
リング面の加工の際にフォトレジスト層109の端縁の
位置を基準にしてMRハイトを制御する場合には、MR
ハイトを正確に制御できないという問題が発生すること
になる。
Further, the photoresist layers 109, 111,
When the position variation of the edge of 113 occurs, for example, when controlling the MR height based on the position of the edge of the photoresist layer 109 when processing the air bearing surface, MR
The problem is that the height cannot be controlled accurately.

【0033】なお、MRハイトは、MR膜105の抵抗
値をモニタしながらエアベアリング面の加工を行うこと
で、正確に制御することが可能である。MR膜105の
抵抗値をスロートハイトに換算して、スロートハイトを
制御することも可能であるが、スロートハイトを正確に
制御できるためには、MR膜105とフォトレジスト層
109との間にアライメント誤差が生じないことが必要
であり、上述のようにフォトレジスト層109,11
1,113の端縁の位置変動が生じる場合には、MR膜
105の抵抗値をスロートハイトに換算して、スロート
ハイトを正確に制御することはできない。
The MR height can be accurately controlled by processing the air bearing surface while monitoring the resistance value of the MR film 105. Although it is possible to control the throat height by converting the resistance value of the MR film 105 into the throat height, in order to accurately control the throat height, the alignment between the MR film 105 and the photoresist layer 109 is required. It is necessary that no error occurs, and as described above, the photoresist layers 109 and 11 are
When the position variation of the edges of 1, 113 occurs, the resistance value of the MR film 105 cannot be converted into the throat height and the throat height cannot be accurately controlled.

【0034】更に、フォトレジスト層109,111,
113の端縁の位置変動およびプロファイル悪化が生じ
ると、エイペックスアングルが変動して、エイペックス
アングルを正確に制御できないという問題が発生するこ
とになる。
Further, the photoresist layers 109, 111,
When the position variation of the edge of 113 and the deterioration of the profile occur, the apex angle fluctuates, which causes a problem that the apex angle cannot be accurately controlled.

【0035】また、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、めっき法によりコイル110,112を形成する際
におけるシード層のエッチングの際や、トリム構造を形
成するために記録ギャップ層108と下部磁極107を
エッチングする際に、スロートハイトを規定するフォト
レジスト層109もエッチングされてしまい、フォトレ
ジスト層109の磁極部分側の端縁の位置が1〜2μm
程度後退する現象が発生し、これによっても、スロート
ハイトの正確な制御が困難になるという問題点があた。
Further, in the conventional method of manufacturing a thin film magnetic head, the recording gap layer 108 and the lower magnetic pole 107 are formed when the seed layer is etched when the coils 110 and 112 are formed by the plating method and the trim structure is formed. The photoresist layer 109 that defines the throat height is also etched during etching, and the position of the edge of the photoresist layer 109 on the magnetic pole portion side is 1 to 2 μm.
There is a problem in that the phenomenon of receding occurs to some extent, which also makes it difficult to accurately control the throat height.

【0036】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第1の目的は、磁極幅の正確な制御を可能に
した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供すること
にある。
The present invention has been made in view of the above problems, and a first object thereof is to provide a thin film magnetic head capable of accurately controlling the magnetic pole width and a manufacturing method thereof.

【0037】本発明の第2の目的は、上記第1の目的に
加え、スロートハイトの正確な制御を可能にした薄膜磁
気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a thin film magnetic head and a method for manufacturing the same, which enables accurate control of the throat height, in addition to the above first object.

【0038】[0038]

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する第1の磁極および第2
の磁極を含み、それぞれ少なくとも1つの層からなる第
1の磁性層および第2の磁性層と、この第1の磁性層お
よび第2の磁性層の間に配設された薄膜コイルと、薄膜
コイルを囲う絶縁層と、基板とを有し、第1および第2
の磁性層、ギャップ層、薄膜コイルおよび絶縁層は基板
に積層され、且つ第1および第2の磁性層のうち、第1
の磁性層の方が基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘ
ッドであって、ギャップ層は、非磁性且つ導電性で、フ
ォトリソグラフィにおける露光用の光の反射を防止する
反射防止機能を有する層を含む1つ以上の層で形成さ
、且つ絶縁層の上に形成され、第2の磁性層はギャッ
プ層の上に形成されているものである。
A thin film magnetic head according to the present invention is a first magnetic pole and a second magnetic pole , which are magnetically coupled to each other and a part of a side facing a recording medium faces a gap layer .
Magnetic poles, each comprising at least one layer
The first magnetic layer and the second magnetic layer, and the first magnetic layer and the second magnetic layer.
And a thin film coil disposed between the second magnetic layer and the thin film
An insulating layer surrounding the coil and a substrate, the first and second
The magnetic layer, gap layer, thin-film coil and insulating layer of the substrate
Of the first and second magnetic layers laminated on the
Is a thin-film magnetic head in which the magnetic layer is closer to the substrate, and the gap layer is non-magnetic and conductive, and has an antireflection function of preventing reflection of light for exposure in photolithography. And a second magnetic layer formed on the insulating layer.
It is formed on the top layer .

【0039】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層
が、非磁性且つ導電性で、フォトリソグラフィにおける
露光用の光の反射を防止する反射防止機能を有する層を
含む1つ以上の層で形成されていることから、ギャップ
層の上に第2の磁性層を形成する際に、フォトリソグラ
フィにおける露光用の光の反射光によってフォトレジス
トパターンのくずれ等の悪影響が生じることが防止され
る。
In the thin film magnetic head of the present invention, the gap layer is formed of one or more layers including a non-magnetic and conductive layer having an antireflection function for preventing reflection of light for exposure in photolithography. Therefore, when the second magnetic layer is formed on the gap layer, adverse effects such as collapse of the photoresist pattern due to reflected light of exposure light in photolithography are prevented.

【0040】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、反射
防止機能を有する層が、チッ化チタン等の非磁性のチッ
化物よりなるようにしてもよい。
In the thin film magnetic head of the present invention, the layer having the antireflection function may be made of a non-magnetic nitride such as titanium nitride.

【0041】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、ギャ
ップ層が、反射防止機能を有する層と非磁性のギャップ
用絶縁層とを含む2つ以上の層で形成されていてもよ
い。また、ギャップ用絶縁層は、アルミナや、チッ化ア
ルミニウムよりなるようにしてもよい。
Further, in the thin film magnetic head of the present invention, the gap layer may be formed of two or more layers including a layer having an antireflection function and a nonmagnetic gap insulating layer. Further, the gap insulating layer may be made of alumina or aluminum nitride.

【0042】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、反射
防止機能を有する層の厚みが20〜200nmであるの
が好ましい。
Further, in the thin film magnetic head of the present invention, the thickness of the layer having the antireflection function is preferably 20 to 200 nm.

【0043】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、スロ
ートハイトを規定するスロートハイト規定用絶縁層を有
し、このスロートハイト規定用絶縁層が無機系絶縁膜で
形成されていてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッド
では、更に、読み出し用の磁気抵抗素子を有していても
よい。
The thin-film magnetic head of the present invention may have a throat height defining insulating layer that defines the throat height, and the throat height defining insulating layer may be formed of an inorganic insulating film. Further, the thin film magnetic head of the present invention may further have a magnetoresistive element for reading.

【0044】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギ
ャップ層を介して対向する第1の磁極および第2の磁極
とを含み、それぞれ少なくとも1つの層からなる第1の
磁性層および第2の磁性層と、この第1の磁性層および
第2の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、第1の磁極に対応す
る第1の磁性層を形成する工程と、第1の磁性層の上
に、絶縁層で囲われた薄膜コイルを形成する工程と、絶
縁層の上に、非磁性且つ導電性で、フォトリソグラフィ
における露光用の光の反射を防止する反射防止機能を有
する層を含む1つ以上の層によって、ギャップ層を形成
する工程と、ギャップ層の上に、第2の磁極に対応する
第2の磁性層を形成する工程とを含み、第2の磁性層を
形成する工程が、ギャップ層の上に、フォトリソグラフ
ィにより、第2の磁性層の形成用のフォトレジストパタ
ーンを形成する工程と、フォトレジストパターンをマス
クとして、第2の磁性層を成膜する工程とを含むもので
ある。
A method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention includes a first magnetic pole and a second magnetic pole which are magnetically coupled to each other and a part of the side facing the recording medium faces each other via a gap layer. , Manufacturing of a thin film magnetic head having a first magnetic layer and a second magnetic layer, each of which is composed of at least one layer, and a thin film coil disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer A method of forming a first magnetic layer corresponding to a first magnetic pole, forming a thin film coil surrounded by an insulating layer on the first magnetic layer, and forming a thin film coil on the insulating layer. A step of forming a gap layer by one or more layers including a non-magnetic and conductive layer having an antireflection function of preventing reflection of light for exposure in photolithography, and on the gap layer, Form a second magnetic layer corresponding to the second magnetic pole And a step of forming the second magnetic layer, the step of forming a photoresist pattern for forming the second magnetic layer on the gap layer by photolithography, and the step of masking the photoresist pattern. As a result, a step of forming a second magnetic layer is included.

【0045】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、反射防止機能を有する層が、チッ化チタン等の非
磁性のチッ化物よりなるようにしてもよい。
Further, in the method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention, the layer having the antireflection function may be made of a non-magnetic nitride such as titanium nitride.

【0046】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、ギャップ層が、反射防止機能を有する層と非磁性
のギャップ用絶縁層とを含む2つ以上の層で形成されて
もよい。また、ギャップ用絶縁層は、アルミナや、チッ
化アルミニウムよりなるようにしてもよい。
In the method of manufacturing the thin film magnetic head of the invention, the gap layer may be formed of two or more layers including a layer having an antireflection function and a nonmagnetic gap insulating layer. Further, the gap insulating layer may be made of alumina or aluminum nitride.

【0047】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、反射防止機能を有する層の厚みが20〜200n
mであるのが好ましい。
In the method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, the thickness of the layer having the antireflection function is 20 to 200 n.
It is preferably m.

【0048】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、薄膜コイルを形成する工程の前に、第1の磁性層
の上に、スロートハイトを規定するスロートハイト規定
用絶縁層を形成する工程を含み、このスロートハイト規
定用絶縁層が無機系絶縁膜で形成されるようにしてもよ
い。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、更
に、読み出し用の磁気抵抗素子を形成する工程を含んで
いてもよい。
Further, in the method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention, before the step of forming the thin film coil, the step of forming the throat height defining insulating layer for defining the throat height on the first magnetic layer. And the throat height defining insulating layer may be formed of an inorganic insulating film. Further, the method of manufacturing the thin film magnetic head of the invention may further include a step of forming a magnetoresistive element for reading.

【0049】[0049]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。まず、図1ないし図
13を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法について説明する。なお、図1ないし図12におい
て、(a)はトラック面に垂直な断面を示し、(b)は
磁極部分のトラック面に平行な断面を示している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, with reference to FIGS. 1 to 13, a method of manufacturing a composite thin film magnetic head as a method of manufacturing a thin film magnetic head according to an embodiment of the present invention will be described. 1 to 12, (a) shows a cross section perpendicular to the track surface, and (b) shows a cross section parallel to the track surface of the magnetic pole portion.

【0050】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図1に示したように、例えばアルティック(Al2 3
・TiC)からなる基板1上に、例えばアルミナ(Al
2 3 )よりなる絶縁層2を、約3〜5μm程度の厚み
で堆積する。次に、図2に示したように、絶縁層2上
に、フォトレジスト膜をマスクとして、めっき法にて、
パーマロイ(NiFe)を約3μmの厚みで選択的に形
成して、再生ヘッド用の下部シールド層3を形成する。
In the manufacturing method according to this embodiment, first,
As shown in FIG. 1, for example, AlTiC (Al 2 O 3
On the substrate 1 made of TiC, for example, alumina (Al
An insulating layer 2 made of 2 O 3 ) is deposited with a thickness of about 3 to 5 μm. Next, as shown in FIG. 2, a plating method is used on the insulating layer 2 using the photoresist film as a mask.
Permalloy (NiFe) is selectively formed with a thickness of about 3 μm to form the lower shield layer 3 for the reproducing head.

【0051】次に、図3に示したように、下部シールド
層3上に、例えばアルミナを100〜200nmの厚み
でスパッタ堆積し、シールドギャップ膜4を形成する。
次に、シールドギャップ膜4上に、再生用のMR素子を
構成するためのMR膜5を、10nm以下の厚みに形成
し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。
次に、シールドギャップ膜4およびMR膜5上に、シー
ルドギャップ膜6を形成して、MR膜5をシールドギャ
ップ膜4,6内に埋設する。
Next, as shown in FIG. 3, for example, alumina is sputter deposited to a thickness of 100 to 200 nm on the lower shield layer 3 to form a shield gap film 4.
Next, the MR film 5 for forming the MR element for reproduction is formed on the shield gap film 4 to have a thickness of 10 nm or less, and is formed into a desired shape by high-precision photolithography.
Next, the shield gap film 6 is formed on the shield gap film 4 and the MR film 5, and the MR film 5 is embedded in the shield gap films 4 and 6.

【0052】次に、図4に示したように、シールドギャ
ップ膜6上に、例えばパーマロイよりなる上部シールド
兼下部磁極(以下、下部磁極と記す。)7を、約3〜4
μmの厚みで選択的に形成する。下部磁極7は、本発明
における第1の磁極および第1の磁性層に対応する。
Next, as shown in FIG. 4, an upper shield / lower magnetic pole (hereinafter, referred to as lower magnetic pole) 7 made of, for example, permalloy, for example, about 3 to 4 is formed on the shield gap film 6.
Selectively formed with a thickness of μm. The bottom pole 7 corresponds to the first pole and the first magnetic layer in the present invention.

【0053】次に、下部磁極7上に、無機系絶縁膜、例
えばシリコン酸化膜(SiO2 )を約1〜2μmの厚み
で形成した後、テーパエッチングを施して、選択的にパ
ターニングして、エイペックスアングルとスロートハイ
トを規定するための絶縁層8を形成する。なお、絶縁層
8としては、シリコン酸化膜に限らず、アルミナ膜や、
シリコンチッ化膜(SiN)等の他の無機系絶縁膜を用
いてもよい。また、上記膜はスパッタまたはCVD(Ch
emical Vapor Deposition )法にて形成してもよい。
Next, an inorganic insulating film, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ) having a thickness of about 1 to 2 μm is formed on the lower magnetic pole 7, taper etching is performed, and selective patterning is performed. The insulating layer 8 for defining the apex angle and the throat height is formed. The insulating layer 8 is not limited to a silicon oxide film, but an alumina film,
Other inorganic insulating films such as a silicon nitride film (SiN) may be used. Further, the above film is formed by sputtering or CVD (Ch
It may be formed by the emical vapor deposition method.

【0054】次に、図5に示したように、絶縁層8上
に、例えば電解めっき法により、例えば銅(Cu)より
なる誘導型の記録ヘッド用の第1層目の薄膜コイル10
を2〜3μmの厚みで形成する。
Next, as shown in FIG. 5, the first layer thin film coil 10 for an induction type recording head made of, for example, copper (Cu) is formed on the insulating layer 8 by, for example, electrolytic plating.
Is formed with a thickness of 2 to 3 μm.

【0055】次に、図6に示したように、絶縁層8およ
びコイル10上に、フォトレジスト層11を、高精度の
フォトリソグラフィで所定のパターンに形成する。次
に、コイル10の平坦化およびコイル10間の絶縁化の
ために、例えば250°Cの温度で熱処理する。
Next, as shown in FIG. 6, a photoresist layer 11 is formed in a predetermined pattern on the insulating layer 8 and the coil 10 by high precision photolithography. Next, in order to flatten the coils 10 and insulate the coils 10, heat treatment is performed at a temperature of 250 ° C., for example.

【0056】次に、フォトレジスト層11上に、例えば
電解めっき法により、例えば銅よりなる第2層目の薄膜
コイル12を2〜3μmの厚みで形成する。次に、フォ
トレジスト層11およびコイル12上に、フォトレジス
ト層13を、高精度のフォトリソグラフィで所定のパタ
ーンに形成し、コイル12の平坦化およびコイル12間
の絶縁化のために、例えば250°Cの温度で熱処理す
る。
Next, the second-layer thin-film coil 12 made of, for example, copper is formed on the photoresist layer 11 by, for example, electrolytic plating to have a thickness of 2 to 3 μm. Next, a photoresist layer 13 is formed in a predetermined pattern on the photoresist layer 11 and the coil 12 by high-precision photolithography, and for example, 250 for flattening the coil 12 and insulating between the coils 12. Heat treatment at a temperature of ° C.

【0057】次に、図7に示したように、非磁性材料よ
りなり、導電性を有し、且つフォトリソグラフィにおけ
る露光用の光の反射を防止する反射防止機能を有する記
録ギャップ層15を、例えばスパッタリングにより、2
0〜200nmの厚みで形成する。このような非磁性材
料よりなり、導電性を有し、且つ反射防止機能を有する
膜としては、例えばチッ化チタン(TiN)膜がある。
チッ化チタン膜は、膜厚に応じて、表面の色が薄い黄色
から濃い黄色に変化し、このことから、反射防止機能を
有することが分かる。なお、本実施の形態における記録
ギャップ層15は、チッ化チタン膜に限らず、非磁性
で、導電性を有し、反射防止機能を有するものであれば
よい。このような膜としては、チッ化タンタル(Ta
N)等、いくつかの非磁性の金属チッ化物の膜がある。
また、フォトリソグラフィにおける露光用の光として
は、例えばi線(波長365nm)が用いられるが、こ
れに限らず、g線(波長436nm)、i線カットの広
帯域光、広帯域光、紫外線、エキシマレーザ等のレーザ
光、X線、電子線等でもよい。
Next, as shown in FIG. 7, a recording gap layer 15 made of a non-magnetic material, having conductivity and having an antireflection function for preventing reflection of light for exposure in photolithography, is formed. For example, by sputtering 2
It is formed with a thickness of 0 to 200 nm. As a film made of such a non-magnetic material and having conductivity and an antireflection function, there is, for example, a titanium nitride (TiN) film.
The titanium nitride film changes its surface color from light yellow to deep yellow depending on the film thickness, which indicates that it has an antireflection function. The recording gap layer 15 in the present embodiment is not limited to the titanium nitride film, and may be non-magnetic, conductive, and have an antireflection function. As such a film, tantalum nitride (Ta
There are some non-magnetic metal nitride films such as N).
As the light for exposure in photolithography, for example, i-line (wavelength 365 nm) is used, but not limited to this, g-line (wavelength 436 nm), i-line cut broadband light, broadband light, ultraviolet light, excimer laser. Other laser light, X-rays, electron beams or the like may be used.

【0058】また、記録ギャップ層15は、チッ化チタ
ン膜等の一層で形成してもよいし、アルミナ膜やチッ化
アルミニウム(AlN)膜等の非磁性材料よりなる絶縁
膜と、チッ化チタン膜とを組み合わせて形成する等、非
磁性材料よりなる2つ以上の層で形成してもよい。ただ
し、この場合には、少なくとも最上層は、導電性を有
し、且つフォトリソグラフィにおける露光用の光の反射
を防止する反射防止機能を有するものとする必要があ
る。なお、記録ギャップ層15を形成するための上記非
磁性材料よりなる絶縁膜は、本発明におけるギャップ用
絶縁層に対応する。
The recording gap layer 15 may be formed of a single layer such as a titanium nitride film, or an insulating film made of a non-magnetic material such as an alumina film or an aluminum nitride (AlN) film and a titanium nitride film. It may be formed of two or more layers made of a non-magnetic material, such as a combination with a film. However, in this case, at least the uppermost layer is required to have conductivity and have an antireflection function for preventing reflection of exposure light in photolithography. The insulating film made of the above nonmagnetic material for forming the recording gap layer 15 corresponds to the insulating layer for the gap in the present invention.

【0059】次に、図8に示したように、コイル10,
12よりも後方(図8(a)における右側)の位置にお
いて、磁路形成のために、記録ギャップ層15を部分的
にエッチングする。記録ギャップ層15上に、フォトレ
ジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパターニン
グして、フレームめっき法によって上部磁極を形成する
ためのフレーム(外枠)となるフォトレジストパターン
16を形成する。
Next, as shown in FIG.
The recording gap layer 15 is partially etched at a position behind 12 (on the right side in FIG. 8A) to form a magnetic path. A photoresist is applied on the recording gap layer 15 and patterned by photolithography to form a photoresist pattern 16 to be a frame (outer frame) for forming the upper magnetic pole by frame plating.

【0060】次に、図9に示したように、フォトレジス
トパターン16をマスクとし、導電性を有する記録ギャ
ップ層15をシード層として、電解めっき法によって、
上部ヨーク兼上部磁極(以下、上部磁極と記す。)17
を、約3〜5μmの厚みに形成する。なお、コイル1
0,12よりも後方の位置において記録ギャップ層15
がエッチングされて除去された部分では、下部磁極7が
シード層となる。上部磁極17は、本発明における第2
の磁極および第2の磁性層に対応する。この上部磁極1
7は、コイル10,12よりも後方の位置において、下
部磁極7と接触し、磁気的に連結されている。次に、図
10に示したように、フォトレジストパターン16を除
去する。
Next, as shown in FIG. 9, the photoresist pattern 16 is used as a mask, the recording gap layer 15 having conductivity is used as a seed layer, and electrolytic plating is performed.
Upper yoke and upper magnetic pole (hereinafter, referred to as upper magnetic pole) 17
Is formed to a thickness of about 3 to 5 μm. The coil 1
The recording gap layer 15 is provided at a position rearward of 0 and 12.
The lower magnetic pole 7 serves as a seed layer in a portion where is removed by etching. The upper magnetic pole 17 is the second pole in the present invention.
Corresponding to the magnetic pole and the second magnetic layer. This top pole 1
7 is in contact with the lower magnetic pole 7 at a position rearward of the coils 10 and 12 and is magnetically coupled. Next, as shown in FIG. 10, the photoresist pattern 16 is removed.

【0061】次に、図11に示したように、上部磁極1
7をマスクとして、例えばイオンミリングによって、記
録ギャップ層15と下部磁極7を、約0.5μm程度エ
ッチングして、トリム構造を形成する。
Next, as shown in FIG. 11, the upper magnetic pole 1
The recording gap layer 15 and the bottom pole 7 are etched by about 0.5 μm by ion milling using the mask 7 as a mask to form a trim structure.

【0062】次に、図12に示したように、上部磁極1
7上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層18
を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記
録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面(エアベアリン
グ面)を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
Next, as shown in FIG. 12, the upper magnetic pole 1
7 and an overcoat layer 18 made of alumina, for example.
To form. Finally, the slider is machined to form track surfaces (air bearing surfaces) of the recording head and the reproducing head, and the thin film magnetic head is completed.

【0063】図13は、本実施の形態に係る製造方法に
よって製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。な
お、この図では、オーバーコート層18を省略してい
る。また、この図は、スライダの機械加工を行う前の状
態を表している。この図において、THはスロートハイ
トを表しており、このスロートハイトTHは、絶縁層8
の磁極部分側の端縁によって規定される。
FIG. 13 is a plan view of a thin film magnetic head manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment. The overcoat layer 18 is omitted in this figure. Further, this figure shows a state before machining the slider. In this figure, TH represents the throat height, and this throat height TH is the insulating layer 8
Is defined by the edge of the magnetic pole portion side of the.

【0064】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、記録ギャップ層15を、非磁性で、導電性を有し、
反射防止機能を有するものとし、この記録ギャップ層1
5上に、上部磁極17を電解めっき法で形成する場合の
フレーム(外枠)となるフォトレジストパターン16を
形成するようにしたので、フォトリソグラフィの露光時
に、露光用の光が、電極膜で反射し、この反射光によっ
てフォトレジストパターンのくずれ等の悪影響が生じる
ことを防止することができる。その結果、上部磁極17
の側壁が丸みを帯びずに垂直に形成される等、上部磁極
17を所望の形状に正確に形成することが可能となる。
このように、本実施の形態によれば、磁極幅を正確に制
御でき、狭トラック構造とするための上部磁極17を精
度よく形成することが可能となる。また、本実施の形態
によれば、精度よく形成された上部磁極17をマスクと
して記録ギャップ層9と下部磁極7をエッチングするこ
とにより、正確に、所望の形状のトリム構造を形成でき
るので、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広が
りによる実効トラック幅の増加を防止することができ
る。
As described above, according to the present embodiment, the recording gap layer 15 is non-magnetic and conductive,
This recording gap layer 1 should have an antireflection function.
Since the photoresist pattern 16 which serves as a frame (outer frame) when the upper magnetic pole 17 is formed by the electrolytic plating method is formed on the electrode 5, the exposure light is exposed by the electrode film during photolithography exposure. It is possible to prevent the adverse effects such as the collapse of the photoresist pattern caused by the reflected light. As a result, the top pole 17
It is possible to accurately form the upper magnetic pole 17 into a desired shape such that the side wall of is formed vertically without rounding.
As described above, according to the present embodiment, the magnetic pole width can be accurately controlled, and the upper magnetic pole 17 for forming the narrow track structure can be accurately formed. Further, according to the present embodiment, the trim structure having a desired shape can be accurately formed by etching the recording gap layer 9 and the lower magnetic pole 7 using the accurately formed upper magnetic pole 17 as a mask. It is possible to prevent the effective track width from increasing due to the spread of the magnetic flux generated when writing the track.

【0065】なお、記録ギャップ層15における反射防
止機能は、それがない場合に比べて、数%程度反射率を
低減するだけでも、露光用の光の反射光による悪影響の
防止に効果を発揮する。記録ギャップ層15としてチッ
化チタン膜を用いた場合、反射率の低減率は、厚みに応
じて変化するが、10〜70%程度の反射率の低減率の
実現が可能である。特に、チッ化チタン膜では、膜厚を
50〜100nm程度にすると、表面が濃い黄色に変色
し、反射率の低減率が大きくなる。
The antireflection function of the recording gap layer 15 is effective in preventing the adverse effect of the reflected light of the exposure light even if the reflectance is reduced by about several percent as compared with the case where it is not provided. . When a titanium nitride film is used as the recording gap layer 15, the reflectance reduction rate varies depending on the thickness, but a reflectance reduction rate of about 10 to 70% can be realized. In particular, in the case of a titanium nitride film, when the film thickness is set to about 50 to 100 nm, the surface changes its color to dark yellow and the reduction rate of reflectance increases.

【0066】また、記録ギャップ層15としてチッ化チ
タン膜を用いると、フォトレジストがシャープに切れる
ので、フォトレジストパターン16におけるスカム(レ
ジスト残り)を防止でき、特に、磁極幅を正確に制御で
き、狭トラック構造とするための上部磁極17を精度よ
く形成することが可能となる。
When a titanium nitride film is used as the recording gap layer 15, the photoresist is sharply cut, so scum (resist residue) in the photoresist pattern 16 can be prevented, and in particular, the magnetic pole width can be accurately controlled. It is possible to accurately form the upper magnetic pole 17 for forming the narrow track structure.

【0067】また、本実施の形態によれば、記録ギャッ
プ層15が反射防止膜を兼ねているので、特開平9−1
80127号公報に示されるように記録ギャップ層とは
別に反射防止膜を形成する場合に比べて、反射防止膜を
形成する工程および反射防止膜を除去する工程が不要に
なり、工程を少なくすることができる。
Further, according to the present embodiment, the recording gap layer 15 also serves as an antireflection film.
As compared with the case where the antireflection film is formed separately from the recording gap layer as shown in Japanese Patent No. 80127, the step of forming the antireflection film and the step of removing the antireflection film are unnecessary, and the number of steps is reduced. You can

【0068】また、本実施の形態によれば、反射防止膜
を除去する必要がないことから、フォトレジストパター
ン間の反射防止膜の残りを防止できるので、細部におい
ても上部磁極17を正確に形成することが可能となる。
Further, according to the present embodiment, since it is not necessary to remove the antireflection film, it is possible to prevent the antireflection film from remaining between the photoresist patterns. Therefore, the top pole 17 can be accurately formed even in detail. It becomes possible to do.

【0069】また、本実施の形態によれば、チッ化チタ
ンを記録ギャップ層15に使うことができる。このチッ
化チタンによる記録ギャップ層15は、従来のアルミナ
による記録ギャップ層に比べて、膜質がよく、ピンホー
ルが少ないため、上質な記録ギャップ層となり、薄膜磁
気ヘッドの信頼性を向上させることができる。更に、同
様の理由から、記録ギャップ層15の膜厚を薄くできる
ため、記録ヘッドの特性を向上させることができる。
Further, according to the present embodiment, titanium nitride can be used for the recording gap layer 15. The recording gap layer 15 made of titanium nitride has good film quality and few pinholes as compared with the conventional recording gap layer made of alumina, so that it becomes a high quality recording gap layer and can improve the reliability of the thin film magnetic head. it can. Further, for the same reason, the thickness of the recording gap layer 15 can be reduced, so that the characteristics of the recording head can be improved.

【0070】また、本実施の形態では、スロートハイト
を規定する絶縁層8を、無機系絶縁膜で形成したので、
コイル10,12を形成する際の250°C程度の温度
による熱処理によって、絶縁層8の端縁の位置変動(パ
ターンシフト)およびプロファイル悪化が生じることが
ない。そのため、スロートハイトの正確な制御が可能に
なる。更に、MRハイトの正確な制御や、エイペックス
アングルの正確な制御も可能となる。
Further, in this embodiment, since the insulating layer 8 defining the throat height is formed of the inorganic insulating film,
Heat treatment at a temperature of about 250 ° C. when forming the coils 10 and 12 does not cause position variation (pattern shift) of the edge of the insulating layer 8 and deterioration of the profile. Therefore, the throat height can be accurately controlled. Further, it is possible to accurately control the MR height and the apex angle.

【0071】また、本実施の形態では、スロートハイト
を規定する絶縁層8を、無機系絶縁膜で形成したので、
めっき法によりコイル10,12を形成する際における
シード層のエッチングの際や、トリム構造を形成するた
めに記録ギャップ層15と下部磁極7をエッチングする
際における絶縁層8の位置変動がなく、これによって
も、スロートハイトの正確な制御が可能となる。
Further, in this embodiment, since the insulating layer 8 defining the throat height is formed of the inorganic insulating film,
There is no change in the position of the insulating layer 8 during the etching of the seed layer when forming the coils 10 and 12 by the plating method and during the etching of the write gap layer 15 and the lower magnetic pole 7 to form the trim structure. Also, the throat height can be accurately controlled.

【0072】このようにして、本実施の形態によれば、
磁極幅、スロートハイト、MRハイトおよびエイペック
スアングルが正確に制御され、且つ狭トラックの書き込
み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増
加を防止できる、高性能の狭トラック構造の薄膜磁気ヘ
ッドを製造することが可能となる。
In this way, according to the present embodiment,
A thin-film magnetic head with a high-performance narrow track structure, in which the magnetic pole width, throat height, MR height and apex angle are accurately controlled, and the increase in the effective track width due to the spread of the magnetic flux generated when writing a narrow track is prevented. It becomes possible to manufacture.

【0073】また、本実施の形態によれば、下部磁極
(上部シールド)7とコイル10,12の間に、厚い絶
縁層8を形成できるので、下部磁極(上部シールド)7
とコイル10,12との間に、大きな絶縁耐圧を得るこ
とができると共に、コイル10,12からの磁束を漏れ
を低減することができる。
Further, according to this embodiment, since the thick insulating layer 8 can be formed between the lower magnetic pole (upper shield) 7 and the coils 10 and 12, the lower magnetic pole (upper shield) 7 can be formed.
A large withstand voltage can be obtained between the coil and the coils 10 and 12, and leakage of magnetic flux from the coils 10 and 12 can be reduced.

【0074】なお、本実施の形態において、上部磁極1
7には、例えばNiFe(Ni:80%,Fe:20
%)が用いられるが、これに限らず、NiFe(Ni:
50%,Fe:50%)、チッ化鉄(FeN)、Fe−
Co−Zrのアモルファス等の高飽和磁束密度材を用い
てもよいし、これらの材料を2種類以上重ねて使用して
もよい。また、下部磁極7としても、NiFeと上記の
高飽和磁束密度材を重ねた磁性材料を用いてもよい。
In the present embodiment, the top pole 1
7 includes, for example, NiFe (Ni: 80%, Fe: 20).
%), But not limited to this, NiFe (Ni:
50%, Fe: 50%), iron nitride (FeN), Fe-
A high saturation magnetic flux density material such as Co-Zr amorphous may be used, or two or more kinds of these materials may be stacked and used. Also, as the lower magnetic pole 7, a magnetic material obtained by stacking NiFe and the above-mentioned high saturation magnetic flux density material may be used.

【0075】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れず、例えば、上記実施の形態では、複合型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法について説明したが、本発明は、書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気
ヘッドや記録・再生兼用の薄膜磁気ヘッドにも適用する
ことができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読
み出し用の素子の積層の順序を入れ換えた構造の薄膜磁
気ヘッドにも適用することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, in the above-mentioned embodiment, the manufacturing method of the composite type thin film magnetic head has been described. It can also be applied to a thin-film magnetic head for recording, which has an element, and a thin-film magnetic head for both recording and reproduction. Further, the present invention can also be applied to a thin film magnetic head having a structure in which the order of stacking the write element and the read element is exchanged.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上説明したように請求項1ないし
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項ないし
16のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、ギャップ層を、非磁性且つ導電性のチッ化物より
なり、フォトリソグラフィにおける露光用の光の反射を
防止する反射防止機能を有する層を含む1つ以上の層で
形成したので、ギャップ層の上に磁性層を形成する際
に、フォトリソグラフィにおける露光用の光の反射光に
よってフォトレジストパターンのくずれ等の悪影響が生
じることを防止でき、磁極幅の正確な制御が可能になる
という効果を奏する。更に、ギャップ層が、反射防止機
能を有しているので、ギャップ層とは別に反射防止膜を
形成する場合に比べて、反射防止膜を形成する工程およ
び反射防止膜を除去する工程が不要になり、薄膜磁気ヘ
ッドの製造における工程を少なくすることができると共
に、細部においても磁性層を正確に形成することが可能
になるという効果を奏する。
As described above, the thin film magnetic head according to any one of claims 1 to 8 or claim 9 to 9 .
According to the method of manufacturing a thin-film magnetic head described in any one of 16 above, the gap layer is made of non-magnetic and conductive nitride.
Since it is formed of one or more layers including a layer having an antireflection function for preventing the reflection of light for exposure in photolithography, it is possible to use it for exposure in photolithography when forming the magnetic layer on the gap layer. It is possible to prevent the adverse effect such as the collapse of the photoresist pattern due to the reflected light of the above-mentioned light, and it is possible to accurately control the magnetic pole width. Further, since the gap layer has the antireflection function, the step of forming the antireflection film and the step of removing the antireflection film are unnecessary as compared with the case where the antireflection film is formed separately from the gap layer. Therefore, it is possible to reduce the number of steps in manufacturing the thin-film magnetic head, and it is possible to accurately form the magnetic layer in detail.

【0077】また、請求項記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項10記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、ギャップ層を形成する反射防止機能を有する層が、
チッ化チタンよりなるようにしたので、特に、フォトレ
ジストがシャープに切れるので、フォトレジストパター
ンにおけるスカムを防止でき、磁性層を精度よく形成す
ることが可能になるという効果を奏する。
According to the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 2 or the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 10 , the layer having an antireflection function for forming the gap layer comprises:
Since it is made of titanium nitride, the photoresist is particularly sharply cut, so that scum in the photoresist pattern can be prevented and the magnetic layer can be accurately formed.

【0078】また、請求項記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項15記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、スロートハイトを規定するスロートハイト規定用絶
縁層を無機系絶縁膜で形成したので、更に、スロートハ
イト規定用絶縁層の位置変動を防止でき、スロートハイ
トの正確な制御が可能になるという効果を奏する。
Further, according to the method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 7, wherein or claim 15 thin-film magnetic head according, since the forming throat height defining insulation layer defining the throat height with inorganic insulating film, Further, it is possible to prevent the positional variation of the throat height defining insulating layer and to achieve an accurate control of the throat height.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法における一工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining one step in a method of manufacturing a thin film magnetic head according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a step following FIG.

【図3】図2に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a step following the step of FIG.

【図4】図3に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a step following the step of FIG.

【図5】図4に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step following the step of FIG.

【図6】図5に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a step following the step of FIG.

【図7】図6に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a step following the step of FIG.

【図8】図7に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a process following the process in FIG.

【図9】図8に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a step following the step of FIG.

【図10】図9に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a step following the step of FIG.

【図11】図10に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a step following FIG.

【図12】図11に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a step following FIG.

【図13】本発明の一実施の形態に係る製造方法によっ
て製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。
FIG. 13 is a plan view of a thin film magnetic head manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

【図14】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
FIG. 14 is a sectional view for explaining one step in a conventional method for manufacturing a thin film magnetic head.

【図15】図14に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a process following the process in FIG.

【図16】図15に続く工程を説明するための断面図で
ある。
16 is a cross-sectional view for explaining a step following FIG.

【図17】図16に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a step following the step of FIG.

【図18】図17に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a step following the step of FIG.

【図19】図18に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating a step following the step of FIG.

【図20】図19に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 20 is a cross-sectional view for explaining a process following the process in FIG.

【図21】図20に続く工程を説明するための断面図で
ある。
21 is a cross-sectional view for explaining a step following FIG. 20. FIG.

【図22】図21に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 22 is a cross-sectional view for explaining a step following FIG.

【図23】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるトラック面に
垂直な断面を示す断面図である。
FIG. 23 is a cross-sectional view showing a cross section perpendicular to the track surface in the conventional thin film magnetic head.

【図24】従来の薄膜磁気ヘッドにおける磁極部分のト
ラック面に平行な断面を示す断面図である。
FIG. 24 is a sectional view showing a section parallel to the track surface of the magnetic pole portion in the conventional thin film magnetic head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2…絶縁層、3…下部シールド層、4,6…
シールドギャップ膜、5…MR膜、7…下部磁極、8…
絶縁層、10,12…薄膜コイル、11,13…フォト
レジスト層、15…記録ギャップ層、16…フォトレジ
ストパターン、17…上部磁極、18…オーバーコート
層。
1 ... Substrate, 2 ... Insulating layer, 3 ... Lower shield layer, 4, 6 ...
Shield gap film, 5 ... MR film, 7 ... Lower magnetic pole, 8 ...
Insulating layer, 10, 12 ... Thin film coil, 11, 13 ... Photoresist layer, 15 ... Recording gap layer, 16 ... Photoresist pattern, 17 ... Top pole, 18 ... Overcoat layer.

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部がギャップ層を介して対向する第1の磁極
および第2の磁極を含み、それぞれ少なくとも1つの層
からなる第1の磁性層および第2の磁性層と、この第1
の磁性層および第2の磁性層の間に配設された薄膜コイ
ルと、前記薄膜コイルを囲う絶縁層と、基板とを有し、
前記第1および第2の磁性層、ギャップ層、薄膜コイル
および絶縁層は前記基板に積層され、且つ前記第1およ
び第2の磁性層のうち、第1の磁性層の方が前記基板に
近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、 前記ギャップ層は、非磁性且つ導電性のチッ化物よりな
り、フォトリソグラフィにおける露光用の光の反射を防
止する反射防止機能を有する層を含む1つ以上の層で形
成され、且つ前記絶縁層の上に形成され、 前記第2の磁性層は、前記ギャップ層の上に形成されて
いる ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
1. A first magnetic pole which is magnetically coupled and a part of which is opposed to a recording medium is opposed via a gap layer.
And a second pole, each including at least one layer
A first magnetic layer and a second magnetic layer consisting of
A thin-film coil disposed between the magnetic layer and the second magnetic layer, an insulating layer surrounding the thin-film coil, and a substrate,
The first and second magnetic layers, the gap layer, and the thin film coil
And an insulating layer is laminated on the substrate, and the first and
And the second magnetic layer, the first magnetic layer is closer to the substrate.
A thin film magnetic head arranged close to the gap layer, wherein the gap layer is made of non-magnetic and conductive nitride.
Ri, is formed with one or more layers including a layer having an antireflection function for preventing reflection of light for exposure in photolithography, are and formed on the insulating layer, the second magnetic layer, the Formed on the gap layer
The thin-film magnetic head is characterized by
【請求項2】 前記チッ化物がチッ化チタンであること
を特徴とする請求項記載の薄膜磁気ヘッド。
2. A thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the nitride is titanium nitride.
【請求項3】 前記ギャップ層が、前記反射防止機能を
有する層と非磁性のギャップ用絶縁層とを含む2つ以上
の層で形成されていることを特徴とする請求項1または
記載の薄膜磁気ヘッド。
Wherein the gap layer is, claim 1, characterized in that it is formed by two or more layers comprising a layer and the gap insulation layer of nonmagnetic having the antireflection function, or
2. The thin film magnetic head described in 2 .
【請求項4】 前記ギャップ用絶縁層が、アルミナより
なることを特徴とする請求項記載の薄膜磁気ヘッド。
4. The thin film magnetic head according to claim 3 , wherein the gap insulating layer is made of alumina.
【請求項5】 前記ギャップ用絶縁層が、チッ化アルミ
ニウムよりなることを特徴とする請求項記載の薄膜磁
気ヘッド。
5. The thin film magnetic head according to claim 3 , wherein the gap insulating layer is made of aluminum nitride.
【請求項6】 前記反射防止機能を有する層の厚みが2
0〜200nmであることを特徴とする請求項1ないし
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
6. The thickness of the layer having an antireflection function is 2
It is 0-200 nm, It is characterized by the above-mentioned 1 thru | or.
5. The thin film magnetic head according to any one of 5 above.
【請求項7】 スロートハイトを規定するスロートハイ
ト規定用絶縁層を有し、このスロートハイト規定用絶縁
層が無機系絶縁膜で形成されていることを特徴とする1
ないしのいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
7. A throat height defining insulating layer for defining a throat height, wherein the throat height defining insulating layer is formed of an inorganic insulating film.
7. The thin-film magnetic head according to any one of 1 to 6 .
【請求項8】 更に、読み出し用の磁気抵抗素子を有す
ることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッド。
8. Further, the thin film magnetic head according to any one of claims 1 to 7, characterized by having a magnetoresistive element for reading.
【請求項9】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部がギャップ層を介して対向する第1の磁極
および第2の磁極を含み、それぞれ少なくとも1つの層
からなる第1の磁性層および第2の磁性層と、この第1
の磁性層および第2の磁性層の間に配設された薄膜コイ
ルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第1の磁極に対応する第1の磁性層を形成する工程
と、 前記第1の磁性層の上に、絶縁層で囲われた薄膜コイル
を形成する工程と、 前記絶縁層の上に、非磁性且つ導電性のチッ化物よりな
り、フォトリソグラフィにおける露光用の光の反射を防
止する反射防止機能を有する層を含む1つ以上の層によ
って、ギャップ層を形成する工程と、 前記ギャップ層の上に、前記第2の磁極に対応する第2
の磁性層を形成する工程とを含み、 前記第2の磁性層を形成する工程が、 前記ギャップ層の上に、フォトリソグラフィにより、前
記第2の磁性層の形成用のフォトレジストパターンを形
成する工程と、 前記フォトレジストパターンをマスクとして、前記第2
の磁性層を成膜する工程とを含むことを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
9. A first magnetic pole, which is magnetically coupled and has a first magnetic pole and a second magnetic pole partially opposed to the recording medium and facing each other via a gap layer, the first magnetic pole including at least one layer. The magnetic layer and the second magnetic layer, and
A method of manufacturing a thin-film magnetic head having a magnetic layer and a thin-film coil disposed between the second magnetic layer, the method comprising: forming a first magnetic layer corresponding to the first magnetic pole; Forming a thin film coil surrounded by an insulating layer on the first magnetic layer; and forming a thin film coil of non-magnetic and conductive nitride on the insulating layer.
Ri, by one or more layers including a layer having an antireflection function for preventing reflection of light for exposure in photolithography, and forming a gap layer, on the gap layer, the second magnetic pole Corresponding second
And a step of forming the second magnetic layer, the step of forming the second magnetic layer forms a photoresist pattern for forming the second magnetic layer on the gap layer by photolithography. And a second step of using the photoresist pattern as a mask.
And a step of forming a magnetic layer as described above.
【請求項10】 前記チッ化物がチッ化チタンであるこ
とを特徴とする請求項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
10. The method for manufacturing a thin film magnetic head according to claim 9, wherein the nitride is titanium nitride.
【請求項11】 前記ギャップ層が、前記反射防止機能
を有する層と非磁性のギャップ用絶縁層とを含む2つ以
上の層で形成されることを特徴とする請求項9または1
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Wherein said gap layer is, according to claim 9 or 1, characterized in that it is formed by two or more layers comprising a layer and a non-magnetic gap insulating layer having the anti-reflection function
0. A method of manufacturing a thin film magnetic head according to 0 .
【請求項12】 前記ギャップ用絶縁層が、アルミナよ
りなることを特徴とする請求項11記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
12. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 11 , wherein the gap insulating layer is made of alumina.
【請求項13】 前記ギャップ用絶縁層が、チッ化アル
ミニウムよりなることを特徴とする請求項11記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
13. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 11 , wherein the insulating layer for the gap is made of aluminum nitride.
【請求項14】 前記反射防止機能を有する層の厚みが
20〜200nmであることを特徴とする請求項9ない
し13のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
14. The thickness of the layer having the anti-reflection function 9 claims, characterized in that it is 20~200nm
14. A method of manufacturing a thin film magnetic head according to any one of 13 to 13 .
【請求項15】 前記薄膜コイルを形成する工程の前
に、前記第1の磁性層の上に、スロートハイトを規定す
るスロートハイト規定用絶縁層を形成する工程を含み、
このスロートハイト規定用絶縁層が無機系絶縁膜で形成
されることを特徴とする9ないし14のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
15. Prior to the step of forming the thin film coil, a step of forming a throat height defining insulating layer that defines a throat height on the first magnetic layer,
15. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to any one of 9 to 14 , wherein the throat height defining insulating layer is formed of an inorganic insulating film.
【請求項16】 更に、読み出し用の磁気抵抗素子を形
成する工程を含むことを特徴とする請求項9ないし15
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
16. The method according to claim 9 , further comprising the step of forming a magnetoresistive element for reading.
5. A method of manufacturing a thin film magnetic head according to any one of 1.
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