JP3435588B2 - Electric field sensor - Google Patents

Electric field sensor

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JP3435588B2
JP3435588B2 JP29318995A JP29318995A JP3435588B2 JP 3435588 B2 JP3435588 B2 JP 3435588B2 JP 29318995 A JP29318995 A JP 29318995A JP 29318995 A JP29318995 A JP 29318995A JP 3435588 B2 JP3435588 B2 JP 3435588B2
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field sensor
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light
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充和 近藤
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量久 生岩
尚 中
匡 石川
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、空間を伝搬する電
磁波を検出し、または、電磁波の電界強度を測定するた
めの電界センサに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electric field sensor for detecting an electromagnetic wave propagating in a space or measuring an electric field strength of the electromagnetic wave.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンピュータ等の情報機器や通信機器お
よびロボット等のFA機器、自動車および電車等の制御
機器などの多くの電気機器は互いに外部からの電磁ノイ
ズによって誤動作などの影響を受ける危険を常にもって
いる。このため、EMC分野においては外部の電磁環境
や影響を及ぼすようなノイズの大きさ、また、自らが発
生するノイズ等を正確に測定することが重要となってい
る。
2. Description of the Related Art Many electric devices such as information devices such as computers, communication devices, FA devices such as robots, control devices such as automobiles and trains are always at risk of being affected by malfunctions due to electromagnetic noise from the outside. I have it. For this reason, in the EMC field, it is important to accurately measure the magnitude of noise that affects the external electromagnetic environment and influence, and the noise generated by itself.

【0003】従来、前述のような電磁ノイズの測定に
は、通常のアンテナを用いて受信し、同軸ケーブルで測
定器まで導く装置(以下、(a)装置)、アンテナを用
いて受信した信号を検波して光信号に変換し光ファイバ
で測定器まで導く装置(以下、(b)装置)、印加され
る電界強度に応じて透過光の強度が変化するように構成
された光学素子を用いて電界強度変化を光強度変化に変
換し、前記光学素子と光源及び測定器に接続された光検
出器間を光ファイバで接続する装置(以下、(c)装
置)の3通りが用いられている。
Conventionally, in the above-mentioned measurement of electromagnetic noise, a device (hereinafter, referred to as device (a)) which receives an ordinary antenna and guides it to a measuring instrument by a coaxial cable, and a signal received by the antenna are used. A device that detects and converts it into an optical signal and guides it to the measuring device with an optical fiber (hereinafter referred to as (b) device), using an optical element configured to change the intensity of transmitted light according to the applied electric field intensity There are used three types of devices (hereinafter referred to as (c) device) for converting a change in electric field intensity into a change in light intensity and connecting the optical element, a light source and a photodetector connected to a measuring instrument with an optical fiber. .

【0004】このうち、(a)装置を用いた測定が最も
一般的であるが、同軸ケーブル等の電気ケーブルの存在
により電界分布が乱れてしまったりケーブル途中からの
ノイズ混入の恐れがある等の問題があるため、光ファイ
バを用いた(b)装置、及び、(c)装置の開発が望ま
れている。
Of these, the measurement using the device (a) is the most general, but the presence of an electric cable such as a coaxial cable may disturb the electric field distribution, or noise may be mixed in the middle of the cable. Because of problems, it is desired to develop a device (b) and a device (c) using an optical fiber.

【0005】ここで、(b)装置は、ダイオードで検波
した信号を増幅して発光ダイオードに加え、光信号に変
換して光ファイバで光検出器に導くものであるが、電界
センサヘッド部に電気回路やバッテリを必要とするた
め、ある大きさの金属部分が存在し、かつ形状も大きく
なってしまうという問題があり、また、応答速度が遅い
という問題がある。
Here, the device (b) is for amplifying a signal detected by a diode, adding it to a light emitting diode, converting it into an optical signal and guiding it to an optical detector by an optical fiber. Since an electric circuit and a battery are required, there is a problem that a metal part of a certain size is present and the shape becomes large, and there is a problem that the response speed is slow.

【0006】一方、(c)装置は、電界強度を透過光の
強度変化に変換する光学素子として電気光学効果を有す
る結晶を用いている。その素子構造としては、光ファイ
バの出射光をレンズで平行光として小型アンテナを取り
付けた結晶中を通過させて結晶中の電界により偏光状態
を変化させ、検光子で強度変化に変換した後、再び光フ
ァイバに結合するバルク型素子と、結晶上に設けた光導
波路により上記光学素子を構成する導波路型素子とがあ
り、通常、導波路型素子のほうがバルク型素子よりも1
0倍以上検出感度が高い。
On the other hand, the device (c) uses a crystal having an electro-optical effect as an optical element for converting an electric field intensity into a change in intensity of transmitted light. The element structure is as follows: the light emitted from the optical fiber is made into parallel light by a lens and passed through a crystal with a small antenna attached, the polarization state is changed by the electric field in the crystal, and the intensity is changed by an analyzer, then again. There are a bulk type element which is coupled to an optical fiber and a waveguide type element which constitutes the above optical element by an optical waveguide provided on a crystal. Usually, the waveguide type element is 1
Higher detection sensitivity than 0 times.

【0007】バルク型素子を用いた電界センサの例とし
て、従来、特開平4−285866に開示されているも
の(以下、引用例1)がある。
As an example of an electric field sensor using a bulk type element, there is one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-285866 (hereinafter referred to as Reference Example 1).

【0008】これは、センサロッドと光変調器の電極間
に、インピーダンス素子を挿入することにより、センサ
ロッドの共振周波数を変化させ、感度を向上させている
ものである。
This is to improve the sensitivity by changing the resonance frequency of the sensor rod by inserting an impedance element between the sensor rod and the electrode of the optical modulator.

【0009】また、導波路型素子を用いた電界センサと
しては、従来、図10に示される様なもの(以下、引用
例2)がある。ここで、図10は、従来の導波路型素子
を用いた電界センサの要部を示す一部切欠正面図であ
る。この電界センサは、電界受信用アンテナ101と、
光を放射する光源(図示せず)と、その光源に接続され
て光源の放射する光を伝達する入射光ファイバ103
と、電界受信用アンテナ101及び入射光ファイバ10
3に接続されており、入射光ファイバ103を介して入
射する光の強度が、電界受信用アンテナ101で受信し
た入力信号の電界強度に応じて変化する様に構成された
電界センサヘッド102と、電界センサヘッド102に
接続されており、電界センサヘッド102を透過してき
た透過光を伝達する出射光ファイバ104と、出射光フ
ァイバ104により伝達されてきた透過光の光強度変化
を検出する光検出器(図示せず)とを具備している。
Further, as an electric field sensor using a waveguide type element, there is a conventional one as shown in FIG. 10 (hereinafter referred to as reference example 2). Here, FIG. 10 is a partially cutaway front view showing a main part of an electric field sensor using a conventional waveguide type element. This electric field sensor includes an electric field receiving antenna 101,
A light source (not shown) that emits light, and an incident optical fiber 103 that is connected to the light source and transmits the light emitted by the light source.
And the electric field receiving antenna 101 and the incident optical fiber 10
3, an electric field sensor head 102 configured to change the intensity of light incident through the incident optical fiber 103 according to the electric field intensity of an input signal received by the electric field receiving antenna 101, An output optical fiber 104 that is connected to the electric field sensor head 102 and that transmits the transmitted light that has transmitted through the electric field sensor head 102, and a photodetector that detects a change in the light intensity of the transmitted light transmitted by the emission optical fiber 104. (Not shown).

【0010】ここで、前記電界センサヘッド102は、
基板105と、入射光ファイバ103に接続されるよう
に基板105上に形成された入射光導波路106と、電
界受信用アンテナ101で受信した入力信号の電界の強
度に応じて屈折率が変化するものであって、入射光導波
路106より分岐するように基板105上に形成された
2つの位相シフト光導波路107a及び107bと、出
射光ファイバ104に接続され2つの位相シフト光導波
路107a及び107bが合流するように基板105上
に形成された出射光導波路108と、電界受信用アンテ
ナ101に接続されるように2つの位相シフト光導波路
107a及び107bの双方の近傍に形成されている2
つの変調電極109a及び109bとからなる。
Here, the electric field sensor head 102 is
The substrate 105, the incident optical waveguide 106 formed on the substrate 105 so as to be connected to the incident optical fiber 103, and the refractive index of which changes according to the strength of the electric field of the input signal received by the electric field receiving antenna 101. In addition, the two phase shift optical waveguides 107a and 107b formed on the substrate 105 so as to be branched from the incident optical waveguide 106 and the two phase shift optical waveguides 107a and 107b connected to the emission optical fiber 104 merge. 2 is formed in the vicinity of both the output optical waveguide 108 formed on the substrate 105 and the two phase shift optical waveguides 107a and 107b so as to be connected to the electric field receiving antenna 101.
It consists of one modulation electrode 109a and 109b.

【0011】また、基板105は、結晶のc軸に垂直に
切りだしたニオブ酸リチウム単結晶板からなっており、
この基板105上にチタンを拡散して入射光導波路10
6と2つの位相シフト光導波路107a及び107b
と、出射光導波路108とが形成されている。
The substrate 105 is composed of a lithium niobate single crystal plate cut out perpendicularly to the c-axis of the crystal.
The incident optical waveguide 10 is formed by diffusing titanium on the substrate 105.
6 and two phase shift optical waveguides 107a and 107b
And the output optical waveguide 108 are formed.

【0012】この電界センサにおいて、入射光ファイバ
103を伝達されてきた入射光は入射光導波路106に
入射した後、2つの位相シフト光導波路107a及び1
07bにエネルギーが分割される。ここで、電界受信用
アンテナ101で受信した入力信号により、2つの変調
電極109a及び109bに電圧が誘起されて、2つの
位相シフト光導波路107a、107b中には深さ方
向、即ち、図における紙面に垂直な方向に、それぞれ互
いに反対向きの電界成分が生じる。この結果、2つの位
相シフト光導波路107a及び107bにおいて、電気
光学効果によりそれぞれ屈折率変化が生じ、2つの位相
シフト光導波路107a、107bを伝搬する光波同士
の間には、2つの位相シフト光導波路107a及び10
7bにそれぞれ生じた電界の大きさに応じた位相差が生
じ、それら位相差の生じた2つの光波が合流して出射光
導波路108において結合する場合に、干渉が起こり光
強度が変化する。すなわち、印加電界強度に応じて出射
光ファイバ104に出射する出射光の強度は変化するこ
とになり、その光強度変化を光検出器で測定することに
より印加電界の強度を測定できる。
In this electric field sensor, the incident light transmitted through the incident optical fiber 103 is incident on the incident optical waveguide 106, and then the two phase shift optical waveguides 107a and 107a.
The energy is divided into 07b. Here, a voltage is induced in the two modulation electrodes 109a and 109b by the input signal received by the electric field receiving antenna 101, and in the two phase shift optical waveguides 107a and 107b in the depth direction, that is, in the plane of the drawing. Electric field components opposite to each other are generated in the direction perpendicular to. As a result, in the two phase shift optical waveguides 107a and 107b, the refractive index changes due to the electro-optic effect, and the two phase shift optical waveguides are provided between the light waves propagating through the two phase shift optical waveguides 107a and 107b. 107a and 10
A phase difference corresponding to the magnitude of the electric field generated in each of 7b occurs, and when two light waves having the phase difference merge and combine in the emission optical waveguide 108, interference occurs and the light intensity changes. That is, the intensity of the outgoing light emitted to the outgoing optical fiber 104 changes according to the applied electric field intensity, and the intensity of the applied electric field can be measured by measuring the change in the optical intensity with the photodetector.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、引用例
2の導波路型素子を用いた電界センサの場合、電気ケー
ブルの存在による電界分布の乱れ、ノイズ混入は無いも
のの、最小検出可能電界強度は、(a)装置、即ち、ア
ンテナを用いて同軸ケーブルで測定器まで導く電界セン
サに比べると一桁程度劣っている。
However, in the case of the electric field sensor using the waveguide type element of the second reference example, although the electric field distribution is not disturbed by the presence of the electric cable and noise is not mixed, the minimum detectable electric field strength is (A) It is inferior to the device, that is, the electric field sensor that leads to the measuring instrument by the coaxial cable using the antenna by about one digit.

【0014】一般に、アンテナの感度を高くするために
は、アンテナのエレメント長を長くする事で、実効長h
eを大きくする方法をとるが、アンテナのエレメント長
を長くしその長さが受信電波の波長に近づくとアンテナ
の放射抵抗は大きくなる。ここで、電波の受信によく使
用されるアンテナとして、半波長ダイポールアンテナを
例にとり説明する。このアンテナの放射抵抗raは73
Ωであり、リアクタンスXaは誘導性の42Ωである。
この様なアンテナを、図3(b)に示される様に、合成
抵抗re、合成リアクタンスLe、合成容量Ceをもつ
変調電極109に接続した場合、アンテナの放射抵抗r
aと変調電極109の持つ合成抵抗reによって、電力
が消費され感度が失われてしまい、高感度化の実現が難
しい。
Generally, in order to increase the sensitivity of the antenna, the effective length h is set by increasing the element length of the antenna.
Although the method of increasing e is adopted, the radiation resistance of the antenna increases when the element length of the antenna is increased and the length approaches the wavelength of the received radio wave. Here, a half-wavelength dipole antenna will be described as an example of an antenna often used for receiving radio waves. The radiation resistance ra of this antenna is 73
Ω, and the reactance Xa is inductive 42 Ω.
When such an antenna is connected to the modulation electrode 109 having the combined resistance re, the combined reactance Le, and the combined capacitance Ce as shown in FIG. 3B, the radiation resistance r of the antenna is
Power is consumed and sensitivity is lost due to a and the combined resistance re of the modulation electrode 109, and it is difficult to realize high sensitivity.

【0015】また、1つのアンテナで電波を広い周波数
にわたって受信するためには、アンテナを広帯域化しな
ければならない。この様なアンテナとしては、ショート
ダイポールアンテナが挙げられる。このショートダイポ
ールアンテナは、受信する電波の波長よりアンテナエレ
メントを十分に短くすることにより、その特性は容量性
でかつ、放射抵抗が小さく出来、また、アンテナエレメ
ントの共振がないので、広い周波数範囲にわたり平坦な
特性すなわちアンテナの広帯域化が得られる。このアン
テナを、図3(c)に示される様に、変調電極109に
接続した場合、変調電極109の合成容量Ce及びアン
テナに生じる容量Cの比により、感度は決定される。す
なわち、アンテナの容量Cに比較し、変調電極109の
合成容量Ceを小さくすると高い感度を得ることができ
る。しかしながら、変調電極109の合成抵抗reが大
きいと、この合成抵抗reにより電力消費が生じ、感度
が低下するという問題がある。
In order to receive radio waves over a wide frequency range with one antenna, the antenna must have a wide band. An example of such an antenna is a short dipole antenna. This short dipole antenna has a characteristic that it is capacitive and its radiation resistance can be made small by making the antenna element sufficiently shorter than the wavelength of the radio wave to be received, and since there is no resonance of the antenna element, it can cover a wide frequency range. A flat characteristic, that is, a wide band of the antenna can be obtained. When this antenna is connected to the modulation electrode 109 as shown in FIG. 3C, the sensitivity is determined by the ratio of the combined capacitance Ce of the modulation electrode 109 and the capacitance C generated in the antenna. That is, if the combined capacitance Ce of the modulation electrode 109 is smaller than the capacitance C of the antenna, high sensitivity can be obtained. However, if the combined resistance re of the modulation electrode 109 is large, there is a problem that the combined resistance re consumes power and lowers the sensitivity.

【0016】これらの問題は、引用例1の電界センサに
ついても、当てはまるものである。更に、引用例1は、
センサロッドの共振周波数を変化させることにより希望
する共振周波数を得ようとしているものであり、変調電
極については考慮されていない。ところが、実際には、
変調電極もアンテナ全体の共振周波数に影響を及ぼして
おり、この変調電極の共振周波数に対する影響を考慮に
入れないと、希望する共振周波数を得ることが出来ない
という問題があった。
These problems also apply to the electric field sensor of the first reference example. Furthermore, the reference example 1
It is intended to obtain a desired resonance frequency by changing the resonance frequency of the sensor rod, and the modulation electrode is not taken into consideration. However, in reality,
The modulation electrode also affects the resonance frequency of the entire antenna, and there is a problem that the desired resonance frequency cannot be obtained unless the influence of the modulation electrode on the resonance frequency is taken into consideration.

【0017】本発明の目的は、導波路型素子を用いた電
界センサであって、アンテナ全体の共振周波数を所望す
る共振周波数とすることにより、感度を高めることがで
きる電界センサを提供することにある。
It is an object of the present invention to provide an electric field sensor using a waveguide type element, which can improve the sensitivity by setting the resonance frequency of the entire antenna to a desired resonance frequency. is there.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決するために、以下の様な電界センサを提供するもの
である。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an electric field sensor as described below.

【0019】即ち、本発明によれば、電界受信用アンテ
ナと、光を放射する光源と、該光源に接続され該光源に
より放射された光を伝達する入射光ファイバと、前記電
界受信用アンテナ及び前記入射光ファイバに接続され前
記入射光ファイバを介して入射する光の強度が該電界受
信用アンテナで受信した入力信号の電界強度に応じて変
化するように構成された電界センサヘッドと、該電界セ
ンサヘッドに接続され該電界センサヘッドを透過してき
た透過光を伝達する出射光ファイバと、前記透過光を該
出射光ファイバを介して受けて前記透過光の光強度変化
を検出する光検出器とを具備する電界センサであって、
前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
うち少なくとも一方の近傍に形成された変調電極とから
なる電界センサにおいて、前記変調電極及び前記電界受
信用アンテナが形成する共振回路に、更に、前記変調電
極と前記電界受信用アンテナとを接続する経路の少なく
とも一方に挿入して所望の共振周波数で感度を向上させ
る共振補正回路を備えることを特徴とする電界センサが
得られる。このような構成で、共振回路のQ値を2以上
とすることにより所望する共振周波数での感度を充分に
向上させることができる。
That is, according to the present invention, an electric field receiving antenna, a light source for emitting light, an incident optical fiber connected to the light source for transmitting light emitted by the light source, the electric field receiving antenna, and An electric field sensor head connected to the incident optical fiber and configured so that the intensity of light incident through the incident optical fiber changes according to the electric field intensity of an input signal received by the electric field receiving antenna; An emission optical fiber connected to a sensor head for transmitting transmitted light transmitted through the electric field sensor head, and a photodetector for receiving the transmitted light via the emission optical fiber and detecting a change in light intensity of the transmitted light. An electric field sensor comprising:
The electric field sensor head includes a substrate, an incident optical waveguide formed on the substrate so as to be connected to the incident optical fiber, and the electric field receiving head formed on the substrate so as to be branched from the incident optical waveguide. Two phase shift optical waveguides whose refractive index changes according to the electric field strength of the input signal received by the antenna, and formed on the substrate so as to join the two phase shift optical waveguides connected to the output optical fiber. In an electric field sensor including an outgoing optical waveguide and a modulation electrode formed near at least one of the two phase shift optical waveguides, a resonance circuit formed by the modulation electrode and the electric field receiving antenna further includes: The modulation voltage
Fewer paths connecting the pole and the electric field receiving antenna
And insert it on one side to improve sensitivity at the desired resonance frequency.
An electric field sensor is obtained which is provided with a resonance correction circuit . With such a configuration, the Q value of the resonance circuit is 2 or more.
To obtain sufficient sensitivity at the desired resonance frequency.
Can be improved.

【0020】また、本発明によれば、電界受信用アンテ
ナと、光を放射する光源と、該光源に接続され該光源に
より放射された光を伝達する入射光ファイバと、前記電
界受信用アンテナ及び前記入射光ファイバに接続され前
記入射光ファイバを介して入射する光の強度が該電界受
信用アンテナで受信した入力信号の電界強度に応じて変
化するように構成された電界センサヘッドと、該電界セ
ンサヘッドに接続され該電界センサヘッドを透過してき
た透過光を伝達する出射光ファイバと、前記透過光を該
出射光ファイバを介して受けて前記透過光の光強度変化
を検出する光検出器とを具備する電界センサであって、
前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
うち少なくとも一方の近傍に形成された変調電極とから
なる電界センサにおいて、前記変調電極及び前記電界受
信用アンテナは、共振回路を形成しており、前記変調電
極の膜厚は1μm以上とすることで、変調電極の抵抗を
小さくし、前記共振回路のQ値を2以上とすることによ
り、感度を向上させることを特徴とする電界センサが得
られる。
Further, according to the present invention, an electric field receiving antenna, a light source for emitting light, an incident optical fiber connected to the light source for transmitting light emitted by the light source, the electric field receiving antenna, and An electric field sensor head connected to the incident optical fiber and configured so that the intensity of light incident through the incident optical fiber changes according to the electric field intensity of an input signal received by the electric field receiving antenna; An emission optical fiber connected to a sensor head for transmitting transmitted light transmitted through the electric field sensor head, and a photodetector for receiving the transmitted light via the emission optical fiber and detecting a change in light intensity of the transmitted light. An electric field sensor comprising:
The electric field sensor head includes a substrate, an incident optical waveguide formed on the substrate so as to be connected to the incident optical fiber, and the electric field receiving head formed on the substrate so as to be branched from the incident optical waveguide. Two phase shift optical waveguides whose refractive index changes according to the electric field strength of the input signal received by the antenna, and formed on the substrate so as to join the two phase shift optical waveguides connected to the output optical fiber. In the electric field sensor including the emitting optical waveguide and the modulation electrode formed near at least one of the two phase shift optical waveguides, the modulation electrode and the electric field receiving antenna form a resonance circuit. By setting the thickness of the modulation electrode to 1 μm or more, the resistance of the modulation electrode is reduced, and the Q value of the resonant circuit is set to 2 or more to improve the sensitivity. Electric field sensor, wherein Rukoto is obtained.

【0021】また、本発明によれば、前記電界センサで
あって、前記2つの位相シフト光導波路の双方の近傍に
前記変調電極が形成されている電界センサにおいて、前
記変調電極は、光進行方向において分割され該分割され
た分割電極は、互いに容量結合されていることにより、
前記変調電極の合成容量を小さくし、前記共振回路のQ
値を上げることにより、感度を向上させることを特徴と
する電界センサが得られる。
Further, according to the present invention, in the electric field sensor, wherein the modulation electrode is formed in the vicinity of both of the two phase shift optical waveguides, the modulation electrode is a light traveling direction. And the divided electrodes that are divided by are capacitively coupled to each other,
The composite capacitance of the modulation electrode is reduced to reduce the Q of the resonance circuit.
By increasing the value, an electric field sensor characterized by improving the sensitivity can be obtained.

【0022】更に、本発明によれば、電界受信用アンテ
ナと、光を放射する光源と、該光源に接続され該光源に
より放射された光を伝達する入射光ファイバと、前記電
界受信用アンテナ及び前記入射光ファイバに接続され前
記入射光ファイバを介して入射する光の強度が該電界受
信用アンテナで受信した入力信号の電界強度に応じて変
化するように構成された電界センサヘッドと、該電界セ
ンサヘッドに接続され該電界センサヘッドを透過してき
た透過光を伝達する出射光ファイバと、前記透過光を該
出射光ファイバを介して受けて前記透過光の光強度変化
を検出する光検出器とを具備する電界センサであって、
前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
双方の近傍に形成された変調電極とからなる電界センサ
において、前記変調電極及び前記電界受信用アンテナ
は、共振回路を形成しており、前記変調電極は、光進行
方向において分割され、該分割された分割電極は、互い
に容量結合されていることにより、前記変調電極の合成
容量を小さくし、前記共振回路のQ値を上げることによ
り、感度を向上させることを特徴とする電界センサが得
られる。
Further, according to the present invention, an electric field receiving antenna, a light source for emitting light, an incident optical fiber connected to the light source for transmitting the light emitted by the light source, the electric field receiving antenna, and An electric field sensor head connected to the incident optical fiber and configured so that the intensity of light incident through the incident optical fiber changes according to the electric field intensity of an input signal received by the electric field receiving antenna; An emission optical fiber connected to a sensor head for transmitting transmitted light transmitted through the electric field sensor head, and a photodetector for receiving the transmitted light via the emission optical fiber and detecting a change in light intensity of the transmitted light. An electric field sensor comprising:
The electric field sensor head includes a substrate, an incident optical waveguide formed on the substrate so as to be connected to the incident optical fiber, and the electric field receiving head formed on the substrate so as to be branched from the incident optical waveguide. Two phase shift optical waveguides whose refractive index changes according to the electric field strength of the input signal received by the antenna, and formed on the substrate so as to join the two phase shift optical waveguides connected to the output optical fiber. In the electric field sensor including the outgoing optical waveguide and the modulation electrode formed near both of the two phase shift optical waveguides, the modulation electrode and the electric field receiving antenna form a resonance circuit, The modulation electrodes are divided in the light traveling direction, and the divided electrodes thus divided are capacitively coupled to each other to reduce the combined capacitance of the modulation electrodes. By increasing the Q value of the resonance circuit, the electric field sensor, characterized in that to improve the sensitivity obtained.

【0023】また、本発明によれば、前記いずれかの電
界センサにおいて、前記電界受信用アンテナは、低放射
抵抗アンテナとすることで、該電界受信用アンテナの放
射抵抗を低くし、前記共振回路のQ値を上げることによ
り、感度を向上させることを特徴とする電界センサが得
られる。
Further, according to the present invention, in any one of the electric field sensors, the electric field receiving antenna is a low radiation resistance antenna to reduce the radiation resistance of the electric field receiving antenna, and the resonance circuit. An electric field sensor characterized by improving the sensitivity can be obtained by increasing the Q value of.

【0024】また、本発明によれば、前記いずれかの電
界センサにおいて、該電界センサは、更に、該電界セン
サに結合された導波器および反射器の内、少なくとも一
つを有することことにより、電波の集中化を図り、感度
を向上させることを特徴とする電界センサが得られる。
According to the present invention, in any one of the above electric field sensors, the electric field sensor further comprises at least one of a director and a reflector coupled to the electric field sensor. Thus, an electric field sensor characterized by concentrating radio waves and improving sensitivity can be obtained.

【0025】[0025]

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
第1の実施の形態の電界センサについて説明する。第1
の実施の形態の電界センサは、図1に示す様に、電界受
信用アンテナ1と、光を放射する光源6と、光源6に接
続されており、光源6により放射された光を伝達する入
射光ファイバ4と、入射光ファイバ4を介して入射する
光の強度が電界受信用アンテナ1で受信した入力信号の
電界強度に応じて変化する様に構成されたものであっ
て、電界受信用アンテナ1及び入射光ファイバ4に接続
された電界センサヘッド3と、電界センサヘッド3に接
続され電界センサヘッド3を透過してきた透過光を伝達
する出射光ファイバ5と、出射光ファイバを介して伝達
されてきた透過光の光強度変化を検出する光検出器7と
を具備している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, an electric field sensor according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First
As shown in FIG. 1, the electric field sensor according to the embodiment of the present invention is connected to the electric field receiving antenna 1, a light source 6 that emits light, and the light source 6, and is an incident device that transmits the light emitted by the light source 6. The optical fiber 4 and the optical fiber 4 are configured so that the intensity of light incident through the incident optical fiber 4 changes according to the electric field intensity of the input signal received by the electric field receiving antenna 1. 1 and an incident optical fiber 4, an electric field sensor head 3, an outgoing optical fiber 5 that is connected to the electric field sensor head 3 and that transmits the transmitted light that has passed through the electric field sensor head 3, and is transmitted through the outgoing optical fiber. The light detector 7 detects a change in the light intensity of the transmitted light.

【0027】ここで、電界センサヘッド3は、図2に示
すように、基板8と、入射光ファイバ4に接続されるよ
うに基板8上に形成された入射光導波路9と、電界の強
度に応じて屈折率が変化するものであって、入射光導波
路9より分岐するように基板8上に形成された2つの位
相シフト光導波路10a及び10bと、出射光ファイバ
5に接続され2つの位相シフト光導波路10a及び10
bが合流するように基板8上に形成された出射光導波路
11と、2つの位相シフト光導波路10a及び10bの
双方の近傍に形成された2つの変調電極12a、12b
とからなる。
Here, as shown in FIG. 2, the electric field sensor head 3 includes a substrate 8, an incident optical waveguide 9 formed on the substrate 8 so as to be connected to the incident optical fiber 4, and an electric field strength. Two phase shift optical waveguides 10a and 10b formed on the substrate 8 so as to be branched from the incident optical waveguide 9 and two phase shifts connected to the outgoing optical fiber 5 Optical waveguides 10a and 10
The exiting optical waveguide 11 formed on the substrate 8 so that b merges with each other, and the two modulation electrodes 12a and 12b formed near both the two phase shift optical waveguides 10a and 10b.
Consists of.

【0028】また、変調電極12aと電界受信用アンテ
ナ1とを接続する経路に共振補正回路2が接続されてい
る。更に、電界受信用アンテナ1及び共振補正回路2
は、電極パッド13を介してそれぞれ変調電極12a、
12bに接続されている。
A resonance correction circuit 2 is connected to the path connecting the modulation electrode 12a and the electric field receiving antenna 1. Further, the electric field receiving antenna 1 and the resonance correction circuit 2
Are modulated electrodes 12a, 12a,
It is connected to 12b.

【0029】尚、共振補正回路2は、あくまでも電界受
信用アンテナ1と2つの変調電極12a、12bで構成
される共振回路の共振周波数を補正するものである。即
ち、例えば、共振補正回路2を挿入していない時の電界
受信用アンテナ1と2つの変調電極12a、12bで構
成される共振回路の共振周波数が800MHzであり、
所望する共振周波数が500MHzである様な場合に、
共振補正回路2として48nHのインダクタンスを電界
受信用アンテナ1と2つの変調電極12a、12bで構
成される共振回路に付加することにより所望の共振周波
数500MHzを得ることが出来る様なものである。従
って、電界受信用アンテナ1と2つの変調電極12a、
12bで構成される共振回路の共振周波数が受信を目的
とする電波の周波数と一致する場合には、使用する必要
はない。
The resonance correction circuit 2 corrects the resonance frequency of the resonance circuit composed of the electric field receiving antenna 1 and the two modulation electrodes 12a and 12b. That is, for example, the resonance frequency of the resonance circuit formed by the electric field receiving antenna 1 and the two modulation electrodes 12a and 12b when the resonance correction circuit 2 is not inserted is 800 MHz,
If the desired resonance frequency is 500 MHz,
By adding an inductance of 48 nH as the resonance correction circuit 2 to the resonance circuit composed of the electric field receiving antenna 1 and the two modulation electrodes 12a and 12b, a desired resonance frequency of 500 MHz can be obtained. Therefore, the electric field receiving antenna 1 and the two modulation electrodes 12a,
If the resonance frequency of the resonance circuit formed by 12b matches the frequency of the radio wave intended for reception, it is not necessary to use it.

【0030】また、共振補正回路2は、前述の様な理由
のため、2つの変調電極12a、12bと電界受信用ア
ンテナ1とを接続する経路の一方に挿入されていれば良
く、必ずしも、2つの変調電極12a、12bと電界受
信用アンテナ1とを接続する経路の双方に接続されなけ
ればならないという訳ではない。また、共振補正回路2
は、図2において、変調電極12aと電界受信用アンテ
ナ1とを接続する経路にのみ挿入されているが、変調電
極12bと電界受信用アンテナ1とを接続する経路にの
み挿入されていても、変調電極12aと電界受信用アン
テナ1とを接続する経路及び変調電極12bと電界受信
用アンテナ1とを接続する経路の双方に挿入されていて
も良い。更に、共振補正回路2は、所望の効果を備えて
いれば良く、コンデンサのみ、インダクタのみ、又はコ
ンデンサ及びインダクタの組み合わせで構成しても良
く、本実施の形態に制限されるものではない。
Further, the resonance correction circuit 2 may be inserted in one of the paths connecting the two modulation electrodes 12a and 12b and the electric field receiving antenna 1 for the above-mentioned reason, and it is not always necessary to use two. It does not have to be connected to both of the paths connecting the two modulation electrodes 12a and 12b and the electric field receiving antenna 1. In addition, the resonance correction circuit 2
2 is inserted only in the path connecting the modulation electrode 12a and the electric field receiving antenna 1 in FIG. 2, but may be inserted only in the path connecting the modulation electrode 12b and the electric field receiving antenna 1, It may be inserted in both the path connecting the modulation electrode 12a and the electric field receiving antenna 1 and the path connecting the modulation electrode 12b and the electric field receiving antenna 1. Further, the resonance correction circuit 2 may have any desired effect, and may be composed of only a capacitor, only an inductor, or a combination of a capacitor and an inductor, and is not limited to the present embodiment.

【0031】ここで、基板8は、c軸に垂直に切りだし
たニオブ酸リチウム単結晶板からなる。この基板8上に
チタンを拡散し、入射光導波路9と、2つの位相シフト
光導波路10a及び10bと、及び出射光導波路11と
が形成されている。この電界センサにおいて、入射光フ
ァイバ4により伝達されてきた入射光は、入射光導波路
9に入射した後、2つの位相シフト光導波路10a及び
10bにエネルギーが分割される。ここで、電界受信用
アンテナ1で受信した入力信号により、2つの変調電極
12a、12bに電圧が誘起されて、2つの位相シフト
光導波路10a及び10b中には、深さ方向、即ち、図
における紙面に垂直な方向に、それぞれ互いに反対向き
の電界成分が生じる。この結果、2つの位相シフト光導
波路10a及び10bにおいて、電気光学効果によりそ
れぞれ屈折率変化が生じ、2つの位相シフト光導波路1
0a及び10bを伝搬する光波同志の間には、その2つ
の位相シフト光導波路10a及び10bのそれぞれに生
じた電界の大きさに応じた位相差が生じ、それら位相差
の生じた2つの光波が合流して、出射光導波路11にお
いて結合する場合に、干渉が起こり光強度が変化する。
すなわち、印加電界強度に応じて出射光ファイバ5に出
射する出射光の強度は変化することになり、その光強度
変化を光検出器7で測定することにより印加電界の強度
を測定できる。
Here, the substrate 8 is composed of a lithium niobate single crystal plate cut out perpendicularly to the c-axis. Titanium is diffused on the substrate 8 to form an incident optical waveguide 9, two phase shift optical waveguides 10a and 10b, and an outgoing optical waveguide 11. In this electric field sensor, the incident light transmitted by the incident optical fiber 4 is incident on the incident optical waveguide 9, and thereafter, the energy is split into two phase shift optical waveguides 10a and 10b. Here, a voltage is induced in the two modulation electrodes 12a and 12b by the input signal received by the electric field receiving antenna 1, and the two phase shift optical waveguides 10a and 10b have a depth direction, that is, in the figure. Electric field components in mutually opposite directions are generated in the direction perpendicular to the paper surface. As a result, in the two phase shift optical waveguides 10a and 10b, the refractive index changes due to the electro-optical effect, and the two phase shift optical waveguides 1
Between the optical waves propagating through 0a and 10b, a phase difference corresponding to the magnitude of the electric field generated in each of the two phase shift optical waveguides 10a and 10b occurs, and the two optical waves having the phase difference occur. When they merge and are coupled in the emission optical waveguide 11, interference occurs and the light intensity changes.
That is, the intensity of the emitted light emitted to the outgoing optical fiber 5 changes according to the applied electric field intensity, and the intensity of the applied electric field can be measured by measuring the change in the optical intensity with the photodetector 7.

【0032】ここで、第1の実施の形態における電界セ
ンサは、2つの変調電極12a、12bと電界受信用ア
ンテナ1と共振補正回路2とで構成される共振回路にお
いて、2つの変調電極12a、12bのそれぞれの膜厚
を1μm以上として、2つの変調電極12a及び12b
の合成抵抗を小さくすることにより、共振回路のQ値
が、一定以上となるようにしているものである。
Here, the electric field sensor in the first embodiment has two modulation electrodes 12a, 12b in the resonance circuit composed of the two modulation electrodes 12a, 12b, the electric field receiving antenna 1, and the resonance correction circuit 2. Each film thickness of 12b is set to 1 μm or more, and two modulation electrodes 12a and 12b are provided.
The Q value of the resonance circuit is set to a certain value or more by reducing the combined resistance of the above.

【0033】この第1の実施の形態の電界センサにおけ
る共振回路の等価回路が、図3(a)に示されている。
尚、この共振回路においては、電界受信用アンテナ1の
放射インピーダンスをZa(=ra+jXa)とし、ア
ンテナの開放電圧をV(=E・he)とした。さらに、
共振補正回路2のインダクタンスをLpとし、変調電極
12(2つの変調電極12a及び12bの合成したもの
を意味する。(以下において同じ))の合成抵抗をre
とし、合成インダクタンスをLeとし、合成容量をCe
とした。ここで、Eは電界強度(V/m)、heは実効
長である。
An equivalent circuit of the resonance circuit in the electric field sensor of the first embodiment is shown in FIG. 3 (a).
In this resonance circuit, the radiation impedance of the electric field receiving antenna 1 was Za (= ra + jXa), and the open circuit voltage of the antenna was V (= E · he). further,
The inductance of the resonance correction circuit 2 is Lp, and the combined resistance of the modulation electrode 12 (means the combination of the two modulation electrodes 12a and 12b. (The same applies below)) is re.
And the combined inductance is Le and the combined capacitance is Ce.
And Here, E is the electric field strength (V / m), and he is the effective length.

【0034】本発明の第一の実施の形態における電界セ
ンサは、変調電極12にかかる電圧を増幅させるため、
変調電極12と電界受信用アンテナ1に生じるリアクタ
ンス成分とで共振回路を構成し、この共振回路のQ値を
上げることによって感度を高めたものである。
The electric field sensor according to the first embodiment of the present invention amplifies the voltage applied to the modulation electrode 12,
The resonance electrode is configured by the modulation electrode 12 and the reactance component generated in the electric field receiving antenna 1, and the sensitivity is increased by increasing the Q value of the resonance circuit.

【0035】一般に、共振回路の共振周波数fは、電界
受信用アンテナ1の放射インピーダンスZaのリアクタ
ンス成分Xaと変調電極12の合成インダクタンスLe
及び合成容量Ceで決まる。ここで、LeはCeに比較
して十分にインピーダンスは小さいので無視することが
できる。また、共振補正回路が接続されていれば、さら
に、この共振補正回路のリアクタンス成分(ここでは、
インダクタンスLp)を含めて周波数が決定される。
尚、共振回路の良さを示すQ値は、周波数f、容量成分
C(本実施の形態においては、主にCe)抵抗成分R
(本実施の形態においては、主にra+re)とすれ
ば、直列共振回路の場合、Q=1/(2πfCR)(電
気・電子の基礎 オーム社,平成4年1月発行による定
義)で表される。
In general, the resonance frequency f of the resonance circuit is determined by the reactance component Xa of the radiation impedance Za of the electric field receiving antenna 1 and the combined inductance Le of the modulation electrode 12.
And the combined capacity Ce. Here, the impedance of Le is sufficiently smaller than that of Ce and can be ignored. If the resonance correction circuit is connected, the reactance component of the resonance correction circuit (here,
The frequency is determined including the inductance Lp).
It should be noted that the Q value indicating the goodness of the resonance circuit has a frequency f, a capacitance component C (mainly Ce in this embodiment), and a resistance component R.
(In the present embodiment, if it is mainly ra + re), in the case of a series resonance circuit, it is expressed by Q = 1 / (2πfCR) (Definition by Basics of Electricity and Electronics Ohmsha Co., Ltd., January 1992) It

【0036】そこで、本発明の第1の実施の形態におい
ては、感度を高めるため、2つの変調電極12a、12
b双方の膜厚を厚くすることにより、Q値を上げること
とした。ここで、変調電極12の合成抵抗と2つの変調
電極12a、12bのそれぞれの膜厚との関係は、図4
に示される様な曲線で表される。この図4から分かる様
に、2つの変調電極12a、12bの膜厚を1μm以上
とすることにより、変調電極12の合成抵抗を小さい値
に抑えることが出来、即ち、Q値を上げることが出来、
これにより、感度を向上させることが出来る。
Therefore, in the first embodiment of the present invention, in order to enhance the sensitivity, the two modulation electrodes 12a and 12a are formed.
b) It was decided to increase the Q value by increasing the film thickness of both. Here, the relationship between the combined resistance of the modulation electrode 12 and the film thickness of each of the two modulation electrodes 12a and 12b is shown in FIG.
It is represented by a curve as shown in. As can be seen from FIG. 4, by setting the film thickness of the two modulation electrodes 12a and 12b to 1 μm or more, the combined resistance of the modulation electrodes 12 can be suppressed to a small value, that is, the Q value can be increased. ,
Thereby, the sensitivity can be improved.

【0037】(第2の実施の形態)次に、本発明の第2
の実施の形態の電界センサを図5に基いて説明する。
(Second Embodiment) Next, the second embodiment of the present invention will be described.
The electric field sensor according to the embodiment will be described with reference to FIG.

【0038】尚、第2の実施の形態の電界センサにおい
ても、基板8は、c軸に垂直に切りだしたニオブ酸リチ
ウム単結晶板からなるものを用いた。
Also in the electric field sensor of the second embodiment, the substrate 8 made of a lithium niobate single crystal plate cut out perpendicularly to the c-axis was used.

【0039】本発明の第2の実施の形態の電界センサに
おいて、変調電極12aは、位相シフト光導波路10a
における光の進行方向において、12a1、12a2、
12a3、及び12a4の4つに分割されており、同様
に変調電極12bは、12b1、12b2、12b3、
及び12b4の4つに分割されている。更に、その分割
された分割電極12a1、12a2、12a3、12a
4、12b1、12b2、12b3、12b4は、互い
に容量結合されている。また、前記電界受信用アンテナ
1は、低放射抵抗アンテナを用いた。第2の実施の形態
の電界センサは、変調電極12の合成容量Ceを小さく
し、また、電界受信用アンテナ1の放射抵抗raを低く
することにより、共振回路のQ値を上げることにより電
界センサの感度を高くするものである。
In the electric field sensor according to the second embodiment of the present invention, the modulation electrode 12a is the phase shift optical waveguide 10a.
12a1, 12a2, in the traveling direction of light at
12a3 and 12a4 are divided into four, and similarly, the modulation electrode 12b includes 12b1, 12b2, 12b3,
And 12b4. Furthermore, the divided electrodes 12a1, 12a2, 12a3, 12a that have been divided.
4, 12b1, 12b2, 12b3, 12b4 are capacitively coupled to each other. The electric field receiving antenna 1 is a low radiation resistance antenna. In the electric field sensor according to the second embodiment, the combined capacitance Ce of the modulation electrode 12 is reduced, and the radiation resistance ra of the electric field receiving antenna 1 is reduced to increase the Q value of the resonance circuit. To increase the sensitivity of.

【0040】尚、第2の実施の形態の電界センサにおい
て、2つの変調電極12a及び12bは、それぞれ4つ
に分割したが、5つや6つ等に分割しても良く、本実施
の形態に制限されるものではない。
In the electric field sensor of the second embodiment, the two modulation electrodes 12a and 12b are each divided into four, but may be divided into five, six, etc. It is not limited.

【0041】また、分割電極の容量結合の仕方は、基板
として用いた結晶の面方位により決定されるものである
ため、他の面方位により切り出した結晶を用いた場合
は、その結晶に適合した容量結合をすれば良く本実施の
形態に制限されない。
Since the method of capacitive coupling of the divided electrodes is determined by the plane orientation of the crystal used as the substrate, when a crystal cut out in another plane orientation is used, it is suitable for the crystal. There is no limitation to this embodiment as long as capacitive coupling is performed.

【0042】ここで、図5に記載されている電界受信用
アンテナ1は、低放射抵抗アンテナの一つであるジヨン
・クラウスの発明による8JKビームアンテナである。
この8JKビームアンテナは、図6に示す基本形で構成
され、L=λ/2ダイポール(半波長ダイポールアンテ
ナ)のエレメント1aを普通w=λ/8程度の狭い間隔
で平行に配列して、逆位相で励起するといった原理とな
っており、逆位相で励起しているため、エレメント1a
の間隔wを狭くしていくほど放射抵抗がどんどん低くな
っていくものである。ここでλは電波の波長である。
The electric field receiving antenna 1 shown in FIG. 5 is an 8JK beam antenna according to the invention of Jiyon Claus, which is one of low radiation resistance antennas.
This 8JK beam antenna is constructed in the basic form shown in FIG. 6, and the elements 1a of L = λ / 2 dipoles (half-wavelength dipole antennas) are normally arranged in parallel at narrow intervals of about w = λ / 8, and have opposite phases. The principle is that the element 1a is excited by the opposite phase.
The radiation resistance becomes lower and smaller as the interval w of is reduced. Where λ is the wavelength of the radio wave.

【0043】尚、本発明の電界センサは、これに八木ア
ンテナのような導波器または反射器を設けてもよく、こ
の場合には電波の集中化により電界センサの感度を高め
ることができる。
The electric field sensor of the present invention may be provided with a director or a reflector such as a Yagi antenna. In this case, the sensitivity of the electric field sensor can be increased by concentrating radio waves.

【0044】また、第1及び第2の実施の形態の電界セ
ンサにおいては、2つの変調電極12a及び12bを用
いて説明してきたが、変調電極は、必ずしも2つの位相
シフト光導波路10a及び10bの双方の近傍になけれ
ばならない訳ではなく、どちらか一方の位相シフト光導
波路の近傍にのみ設けられても良い。
Although the electric field sensors of the first and second embodiments have been described using the two modulation electrodes 12a and 12b, the modulation electrodes are not necessarily the two phase shift optical waveguides 10a and 10b. It does not have to be in the vicinity of both, and it may be provided only in the vicinity of either one of the phase shift optical waveguides.

【0045】(第3の実施の形態)本発明の第3の実施
の形態として、図7に示す様に、本発明の電界センサを
送信点と受信点が分離されたテレビ中継放送所等の送受
信間伝送システムに使用した例について説明する。この
送受信間伝送システムは、図1に示す第1の実施の形態
と同じ符号の構成要素を有している。更に、この送受信
間伝送システムは、出射光ファイバ5からの光をもとの
RF信号に復元する光電変換回路14と、光電変換回路
14から漏れた光を受ける補償回路15と、補償回路1
5を通過したRF信号を受けIF信号(中間周波信号)
に変換する変換増幅回路16とを有している。更に、変
換増幅回路16は、変換したIF信号(中間周波信号)
を放送機に送る。
(Third Embodiment) As a third embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, the electric field sensor of the present invention is used in a television relay broadcasting station or the like in which a transmission point and a reception point are separated. An example used in a transmission / reception transmission system will be described. This transmission / reception transmission system has the same components as those of the first embodiment shown in FIG. Further, this transmission / reception transmission system includes a photoelectric conversion circuit 14 that restores the light from the outgoing optical fiber 5 to the original RF signal, a compensation circuit 15 that receives light leaked from the photoelectric conversion circuit 14, and a compensation circuit 1.
Receives RF signal that passed 5 and IF signal (intermediate frequency signal)
It has a conversion amplifier circuit 16 for converting into. Furthermore, the conversion amplification circuit 16 converts the converted IF signal (intermediate frequency signal).
To the broadcaster.

【0046】このように、本発明の第3の実施の形態に
よれば、微弱なRF信号により光信号を直接変調できる
ため、受信側に電源は不要となる。
As described above, according to the third embodiment of the present invention, since the optical signal can be directly modulated by the weak RF signal, the receiving side does not need a power source.

【0047】(第4の実施の形態)本発明の第4の実施
の形態として、図8に示す様な、本発明の電界センサを
高周波および高電圧が印加されている機器の絶縁に使用
した例について説明する。
(Fourth Embodiment) As a fourth embodiment of the present invention, an electric field sensor of the present invention as shown in FIG. 8 is used for insulation of equipment to which high frequency and high voltage are applied. An example will be described.

【0048】経費節減のため、STLの受信パラボラア
ンテナ1bは、図8に示すように、100m程度の中波
空中線17に取り付けられていることが多い。また、電
界センサヘッド3は、ポールギャップ18を介して接地
されている。更に、この電界センサヘッド3とポールギ
ャップ18との接続点に中波送信機19が接続されてい
る。ここで、一般的に、中波空中線17には高周波・高
電圧が印加されており、STLの受信機との間に大型の
絶縁共用器といわれるものが用いられている。ところ
が、本発明の電界センサを用いた第4の実施の形態にお
いては、絶縁共用器を不要にすることが出来、低廉化が
可能になる。
In order to reduce the cost, the STL reception parabolic antenna 1b is often attached to the medium-wave antenna 17 of about 100 m as shown in FIG. The electric field sensor head 3 is grounded via the pole gap 18. Further, a medium wave transmitter 19 is connected to a connection point between the electric field sensor head 3 and the pole gap 18. Here, in general, a high frequency and a high voltage are applied to the medium-wave antenna 17, and a large insulation duplexer is used between the medium-wave antenna 17 and the STL receiver. However, in the fourth embodiment using the electric field sensor of the present invention, it is possible to eliminate the need for an insulation duplexer and reduce the cost.

【0049】(第5の実施の形態)本発明の第5の実施
の形態として、図9に示す様に、本発明の電界センサを
有線回線の雷害対策に用いた例を説明する。本発明の第
5の実施の形態において、電界センサヘッド3は、アレ
スタ21及び終端抵抗22を介して、外部有線回路20
と接続されている。このように、本発明による電界セン
サを用いれば、電気的に送受信間が分離できるため、雷
等による受信側機器の破壊を防止することが可能とな
る。
(Fifth Embodiment) As a fifth embodiment of the present invention, as shown in FIG. 9, an example in which the electric field sensor of the present invention is used as a countermeasure against lightning damage on a wired line will be described. In the fifth embodiment of the present invention, the electric field sensor head 3 includes an external wired circuit 20 via an arrester 21 and a terminating resistor 22.
Connected with. As described above, when the electric field sensor according to the present invention is used, the transmission and reception can be electrically separated, so that it is possible to prevent the receiving side device from being damaged by lightning or the like.

【0050】[0050]

【実施例】次に、本発明の効果を確認するための実施例
を説明する。
EXAMPLES Next, examples for confirming the effects of the present invention will be described.

【0051】本発明の実施例は、図5に示されるタイプ
の電界センサヘッド3を有する電界センサである。
The embodiment of the present invention is an electric field sensor having an electric field sensor head 3 of the type shown in FIG.

【0052】ここで、基板8は、ニオブ酸リチウム結晶
板(Z板)で形成した。この基板8上にチタンを拡散し
て、入射光導波路9と、2つの位相シフト光導波路10
a及び10bと、及び出射光導波路11とを形成した。
更に、その上に、光の吸収を防ぐためのバッファ層とし
て二酸化珪素(SiO2 )膜で全面をコートし、2つの
位相シフト光導波路10a及び10b上にあたる領域
に、一対の変調電極12a及び12bを形成した。ま
た、2つの変調電極12a及び12bはAuで形成し、
変調電極12の合成抵抗reを5Ω以下を目標とするた
め、2つの変調電極12a及び12bの膜厚をそれぞれ
1μmとした。また、2つの変調電極12a及び12b
それぞれを、2つの位相シフト光導波路10a及び10
bにおける光の進行方向に対して、4分割することによ
り、変調電極12の合成容量Ceを3pF程度となる様
にした。
Here, the substrate 8 is formed of a lithium niobate crystal plate (Z plate). Titanium is diffused on this substrate 8 to form an incident optical waveguide 9 and two phase shift optical waveguides 10.
a and 10b, and the output optical waveguide 11 were formed.
Further, the entire surface is coated with a silicon dioxide (SiO 2 ) film as a buffer layer for preventing absorption of light, and a pair of modulation electrodes 12a and 12b are formed in the regions corresponding to the two phase shift optical waveguides 10a and 10b. Was formed. The two modulation electrodes 12a and 12b are made of Au,
In order to set the combined resistance re of the modulation electrode 12 to 5Ω or less, the film thickness of each of the two modulation electrodes 12a and 12b was set to 1 μm. Also, two modulation electrodes 12a and 12b
Each of the two phase shift optical waveguides 10a and 10
The composite capacitance Ce of the modulation electrode 12 was set to be about 3 pF by dividing the light traveling direction in b into four.

【0053】変調電極12の合成抵抗re及び合成容量
Ceをネットワークアナライザにより測定したところ、
合成抵抗reは5Ω(500MHz)、合成容量Ceは
3pFであった。また、電界受信用アンテナ1として、
エレメント1aの間隔w=λ/10、エレメント1aの
長さL=λ/2の8JKビームアンテナを作成し(図6
参照)、アンテナの放射抵抗raをネットワークアナラ
イザにより測定したところ5Ωであった。
When the combined resistance re and combined capacity Ce of the modulation electrode 12 were measured by a network analyzer,
The synthetic resistance re was 5Ω (500 MHz), and the synthetic capacitance Ce was 3 pF. Also, as the electric field receiving antenna 1,
An 8JK beam antenna having a distance w = λ / 10 between the elements 1a and a length L = λ / 2 of the element 1a was prepared (see FIG.
), The radiation resistance ra of the antenna was 5Ω when measured with a network analyzer.

【0054】この電界センサヘッド3の2つの変調電極
12a及び12bに共振補正回路2及び電界受信用アン
テナ1である8JKビームアンテナを接続し、電界検出
感度を調べたところ、500MHzの電波に対して、電
界強度80dBμV/mのときの光検出器7の検出信号
出力は75dBμVであった。
The resonance correction circuit 2 and the 8JK beam antenna which is the electric field receiving antenna 1 were connected to the two modulation electrodes 12a and 12b of the electric field sensor head 3 and the electric field detection sensitivity was examined. The detection signal output of the photodetector 7 when the electric field intensity was 80 dBμV / m was 75 dBμV.

【0055】更に、本発明の電界センサと比較するため
に、従来構成の電界センサを作成した(図10参照)。
ここで、変調電極の構造が単一電極であり、膜厚が10
00×10-10 mであり、電界受信用アンテナが半波長
ダイポールであることを除いては、同様な材料及び方法
により従来構成の電界センサを作成した。
Further, in order to compare with the electric field sensor of the present invention, an electric field sensor having a conventional structure was prepared (see FIG. 10).
Here, the structure of the modulation electrode is a single electrode and the film thickness is 10
An electric field sensor having a conventional structure was prepared by using the same material and method except that the antenna was 00 × 10 −10 m and the electric field receiving antenna was a half-wavelength dipole.

【0056】そこで、この従来構成の電界センサヘッド
の変調電極の合成抵抗reおよび合成容量Ceをネット
ワークアナライザにより測定したところ、合成抵抗re
は50Ω(500MHz)、合成容量Ceは12pFで
あり、また、半波長ダイポールアンテナの放射抵抗ra
は73Ωであった。
Therefore, when the combined resistance re and the combined capacitance Ce of the modulation electrodes of the electric field sensor head of this conventional structure were measured by a network analyzer, the combined resistance re was obtained.
Is 50 Ω (500 MHz), the combined capacitance Ce is 12 pF, and the radiation resistance ra of the half-wave dipole antenna is
Was 73Ω.

【0057】この従来構成の電界センサに対し、光源6
および光検出器7等の測定条件を本発明の実施例と全く
同一とし、電界検出感度を測定したところ、500MH
zの電波に対して、電界強度80dBμV/mのときの
光検出器7の検出信号出力は55dBμVであった。
In contrast to this conventional electric field sensor, the light source 6
The measurement conditions of the photodetector 7 and the like are exactly the same as those of the embodiment of the present invention, and the electric field detection sensitivity is measured to be 500 MH.
With respect to the radio wave of z, the detection signal output of the photodetector 7 when the electric field strength was 80 dBμV / m was 55 dBμV.

【0058】以上のように本発明の実施例の電界センサ
は、従来構成の電界センサより20dB高感度であっ
た。
As described above, the electric field sensor of the embodiment of the present invention has a higher sensitivity of 20 dB than the electric field sensor of the conventional structure.

【0059】尚、本実施例により作成した電界センサを
20素子の導波器を設けた八木アンテナと組み合わせた
結果、更に10dB以上の感度上昇が見られた。
As a result of combining the electric field sensor manufactured according to this example with the Yagi antenna provided with a director of 20 elements, a further sensitivity increase of 10 dB or more was observed.

【0060】ここで、周波数調整が電界受信用アンテナ
と変調電極で可能である場合、前述した様に、共振補正
回路が必要ないことは、いうまでもないことである。
Needless to say, when the frequency can be adjusted by the electric field receiving antenna and the modulation electrode, the resonance correction circuit is not necessary as described above.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、共
振回路のQ値を上げることが出来、即ち、シフト光導波
路の近傍に形成した変調電極にかかる電圧を増幅するこ
とが出来、これにより、感度を高めることが出来る。
As described above, according to the present invention, the Q value of the resonance circuit can be increased, that is, the voltage applied to the modulation electrode formed near the shift optical waveguide can be amplified. This can increase the sensitivity.

【0062】また、本発明の電界センサヘッドと多素子
の導波器等を設けた八木アンテナとの組み合わせによ
り、更に感度を高めることが出来る。
Further, the combination of the electric field sensor head of the present invention and the Yagi antenna provided with a multi-element director can further enhance the sensitivity.

【0063】また、本発明の電界センサを送受信点間が
分離されたテレビ中継放送所の送受信間信号伝送システ
ムとして利用すれば、受信所側への電源供給は不要なた
め、電気的に完全に送受信点間を分離することが出来、
雷害防止などに大きな効果を持つ。
Further, if the electric field sensor of the present invention is used as a transmission / reception signal transmission system of a television relay broadcasting station in which transmission / reception points are separated, power supply to the receiving station side is not required, and therefore, it is possible to completely electrically complete the transmission. You can separate the sending and receiving points,
Greatly effective in preventing lightning damage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例の要部を示す正面図であ
る。
FIG. 2 is a front view showing a main part of the first embodiment of the present invention.

【図3】(a)本発明の第1の実施例における電界受信
用アンテナと電界センサヘッドを含む共振回路の等価回
路を示す回路図である。 (b)従来例において、アンテナに半波長ダイポールア
ンテナを用いた場合の共振回路の等価回路を示す回路図
である。 (c)従来例において、アンテナにショートダイポール
アンテナを用いた場合の共振回路の等価回路を示す回路
図である。
FIG. 3A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a resonance circuit including an electric field receiving antenna and an electric field sensor head in the first embodiment of the present invention. (B) In the conventional example, it is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a resonance circuit when a half-wavelength dipole antenna is used as the antenna. (C) In the conventional example, it is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a resonance circuit when a short dipole antenna is used as the antenna.

【図4】本発明の第1の実施例における変調電極の膜厚
と電界センサヘッドの抵抗との関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the film thickness of the modulation electrode and the resistance of the electric field sensor head in the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施例の要部を示す正面図であ
る。
FIG. 5 is a front view showing a main part of a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2の実施例における電界受信用アン
テナを示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing an electric field receiving antenna according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3の実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 7 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 8 is a block diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第5の実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 9 is a block diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

【図10】従来の電界センサの要部を示す正面図であ
る。
FIG. 10 is a front view showing a main part of a conventional electric field sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電界受信用アンテナ 2 共振補正回路 3 電界センサヘッド 4 入射光ファイバ 5 出射光ファイバ 6 光源 7 光検出器 8 基板 9 入射光導波路 10a 位相シフト光導波路 10b 位相シフト光導波路 11 出射光導波路 12 変調電極 12a 変調電極 12b 変調電極 12a1 分割電極 12a2 分割電極 12a3 分割電極 12a4 分割電極 12b1 分割電極 12b2 分割電極 12b3 分割電極 12b4 分割電極 13 電極パッド 1 Electric field receiving antenna 2 Resonance correction circuit 3 Electric field sensor head 4 incident optical fiber 5 Output optical fiber 6 light source 7 Photodetector 8 substrates 9 Incident optical waveguide 10a Phase shift optical waveguide 10b Phase shift optical waveguide 11 Output optical waveguide 12 Modulation electrode 12a modulation electrode 12b Modulation electrode 12a1 split electrode 12a2 split electrode 12a3 split electrode 12a4 split electrode 12b1 split electrode 12b2 split electrode 12b3 split electrode 12b4 split electrode 13 electrode pads

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 由郎 宮城県仙台市太白区郡山六丁目7番1号 株式会社トーキン内 (72)発明者 生岩 量久 東京都渋谷区神南二丁目2番1号 日本 放送協会放送センター内 (72)発明者 中 尚 東京都渋谷区神南二丁目2番1号 日本 放送協会放送センター内 (72)発明者 石川 匡 東京都渋谷区神南二丁目2番1号 日本 放送協会放送センター内 (56)参考文献 特開 平5−2043(JP,A) 特開 平1−284826(JP,A) 特開 平2−93423(JP,A) 特開 昭62−265619(JP,A) 特開 昭52−95144(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 29/08 G01R 15/00 - 17/22 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yuro Sato 6-7-1, Koriyama, Taihaku-ku, Sendai-shi, Miyagi Tokin Co., Ltd. Japan Broadcasting Corporation Broadcasting Center Broadcasting Center (72) Inventor Nakasho 2-2, Jinnan, Shibuya-ku, Tokyo Japan Broadcasting Corporation Broadcasting Center (72) Inventor Tadashi Ishikawa 2-2-1, Jinnan, Shibuya-ku, Tokyo Japan Within the Broadcasting Corporation Broadcasting Center (56) Reference JP 5-2043 (JP, A) JP 1-284826 (JP, A) JP 2-93423 (JP, A) JP 62-265619 ( JP, A) JP-A-52-95144 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G01R 29/08 G01R 15/00-17/22

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電界受信用アンテナと、光を放射する光
源と、該光源に接続され該光源により放射された光を伝
達する入射光ファイバと、前記電界受信用アンテナ及び
前記入射光ファイバに接続され前記入射光ファイバを介
して入射する光の強度が該電界受信用アンテナで受信し
た入力信号の電界強度に応じて変化するように構成され
た電界センサヘッドと、該電界センサヘッドに接続され
該電界センサヘッドを透過してきた透過光を伝達する出
射光ファイバと、前記透過光を該出射光ファイバを介し
て受けて前記透過光の光強度変化を検出する光検出器と
を具備する電界センサであって、 前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
うち少なくとも一方の近傍に形成された変調電極とから
なる電界センサにおいて、 前記変調電極及び前記電界受信用アンテナが形成する
振回路に、更に、前記変調電極と前記電界受信用アンテ
ナとを接続する経路の少なくとも一方に挿入して所望の
共振周波数で感度を向上させる共振補正回路を備える
とを特徴とする電界センサ。
1. An electric field receiving antenna, a light source for emitting light, an incident optical fiber connected to the light source for transmitting light emitted by the light source, and connected to the electric field receiving antenna and the incident optical fiber. And an electric field sensor head configured to change the intensity of light incident through the incident optical fiber according to the electric field intensity of an input signal received by the electric field receiving antenna, and connected to the electric field sensor head. An electric field sensor comprising: an outgoing optical fiber that transmits transmitted light that has passed through an electric field sensor head; and a photodetector that receives the transmitted light via the outgoing optical fiber and detects a light intensity change of the transmitted light. The electric field sensor head may include a substrate, an incident optical waveguide formed on the substrate so as to be connected to the incident optical fiber, and branched from the incident optical waveguide. Two phase shift optical waveguides formed on the substrate and having a refractive index that changes according to the electric field strength of an input signal received by the electric field receiving antenna; and two phase shift optical waveguides connected to the output optical fiber are provided. An electric field sensor comprising an emission optical waveguide formed on the substrate so as to merge and a modulation electrode formed in the vicinity of at least one of the two phase shift optical waveguides, wherein the modulation electrode and the electric field receiving member are provided. The resonance circuit formed by the antenna further includes the modulation electrode and the electric field receiving antenna.
Insert into at least one of the paths connecting
An electric field sensor comprising a resonance correction circuit for improving sensitivity at a resonance frequency .
【請求項2】 請求項1において、前記変調電極膜厚
1μm以上とすることを特徴とする電界センサ。
2. A method according to claim 1, wherein the modulating electrode has a thickness
Electric field sensor, characterized in that a least 1μm to.
【請求項3】 請求項において、前記変調電極は、
記2つの位相シフト光導波路の双方の近傍に形成され、
かつ、光進行方向において分割されており、 該分割された分割電極は、互いに容量結合されているこ
とを特徴とする電界センサ。
3. The method of claim 1, wherein the modulation electrode, before
Formed near both of the two phase shift optical waveguides,
Moreover, the divided electrodes are divided in the light traveling direction, and the divided electrodes are capacitively coupled to each other .
And an electric field sensor.
【請求項4】 請求項1乃至請求項のいずれか1項に
記載の電界センサにおいて、前記電界受信用アンテナ
は、低放射抵抗アンテナであることを特徴とする電界セ
ンサ。
Wherein any one of claims 1 to 3
In the field sensor, wherein the electric field sensor, wherein the electric field receiving antenna is a low radiation resistance antenna.
【請求項5】 請求項1乃至請求項のいずれか1項に
記載の電界センサにおいて、該電界センサは、更に、該
電界センサに結合された導波器および反射器のうち、少
なくとも一つを有することを特徴とする電界センサ。
5. to any one of claims 1 to 4
In the field sensor, wherein the electric field sensor further out of the waveguide and a reflector coupled to the electric field sensor, the electric field sensor characterized in that it comprises at least one.
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