JP3435501B2 - 温度補償回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、温度依存性を有するア
ナログ信号を温度補償する回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５に、半導体圧力センサに用いられて
いる従来の一般的な温度補償回路の回路構成を示す。半
導体圧力センサ１００は、たとえばＳｉダイヤフラム型
の圧力センサであって、４個のストレンゲージ１００
Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄからなるホイースト
ンブリッジ回路として構成され、ダイヤフラムに加えら
れる圧力に比例した電圧を一対のブリッジ出力端子１０
０Ｅ，１００Ｆ間に出力する。この種の圧力センサの出
力特性を決めるファクタとして、圧力が加わっていない
状態での出力電圧を表すオフセット電圧と、圧力が加わ
ったときの出力電圧の変化量を表すスパン電圧とがあ
る。圧力センサ１００の出力電圧からオフセット電圧を
差し引いたものがスパン電圧である。オフセット電圧お
よびスパン電圧のいずれも温度によってその値が変化す
るので、それぞれに対して温度補償を行う必要がある。

【０００３】圧力センサ１００からの出力電圧は、演算
増幅器１０４からなる差動増幅回路１０６で差動増幅さ
れる。圧力センサ１００と差動増幅回路１０６との間に
接続された演算増幅器１０２は、常温時のオフセット電
圧調整回路を構成する。この演算増幅器１０２の反転入
力端子に与えられる基準電圧ＶR を調整することによっ
て、常温時のオフセット電圧を調整するようにしてい
る。すなわち、可変抵抗１２２，１２３の値を適宜に選
択して常温時のオフセット電圧を調整している。また、
可変抵抗１２１の値を適宜に選択することにより、オフ
セット電圧の温度補償調整を行っている。

【０００４】演算増幅器１０４の出力端子には、上記の
ようにしてオフセット電圧について温度補償されている
センサ出力信号ＶS が得られる。この電圧信号ＶS は、
スパン電圧の温度補償を行うための演算増幅器１０８か
らなる反転増幅回路１１０に入力される。一般にスパン
電圧は、温度上昇とともに減少する負の温度係数を有し
ている。この反転増幅回路１１０では、増幅器のゲイン
を決定する帰還抵抗１１２に正の温度係数を有するもの
を選ぶことで、圧力センサ１００の負の温度依存性を補
償するようにしている。これにより、演算増幅器１０８
の出力端子にはスパン電圧についても温度補償されてい
るセンサ出力信号が得られる。この信号は、演算増幅器
１１４からなるバッファ用の反転増幅回路１１６で増幅
ののち、出力信号Ｖout として出力される。

【０００５】図６は、従来の温度補償回路の別の例を示
す。この温度補償回路は、上記したスパン電圧用の温度
補償回路（反転増幅回路）１１０において、帰還抵抗１
１２を抵抗ラダー回路１２０に置き換えたものである。
この温度補償回路では、温度センサ１２２のアナログ出
力信号をＡ／Ｄコンバータ１２４によってディジタル信
号に変換し、このディジタル信号をアドレス信号として
ＲＯＭ１２６に入力して、入力アドレスに対応したＲＯ
Ｍ１２６の読出データにしたがって抵抗ラダー回路１２
０内の各接点ｗ1,ｗ2,〜ｗn を開閉制御することで、ラ
ダー回路入出力端子間の抵抗値（帰還抵抗値）に温度依
存性を持たせている。したがって、温度センサ１２２を
入力信号Ｖin（ＶS ）の信号源（たとえば上記した圧力
センサ１００）の付近に配置し、ＲＯＭ１２６のルック
・アップ・テーブルに適当な設定値つまり帰還抵抗（抵
抗ラダー回路１２０）に所要の温度依存性を与えるため
の各温度に応じた接点開閉制御データを書き込むこと
で、信号源ないし入力信号Ｖinの温度依存性を補償する
ことが可能である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図５に示したスパン電
圧用の温度補償回路では、帰還抵抗１１２として、温度
補償のための適当な温度係数を有する抵抗を選ぶ（探
す）のが難しいという問題がある。また、圧力センサに
よってスパン電圧の温度係数にばらつきがあると、個々
の圧力センサ１００毎に帰還抵抗１１２の最適な特性値
を決定して、帰還抵抗１１２の取替えやトリミングを行
わなくてはならず、調整作業が極めて繁雑であり、生産
性の面で大きなデメリットとなっている。

【０００７】この点、図６に示した温度補償回路では、
ラダー回路網１２０の抵抗値（帰還抵抗値）に任意の温
度依存性をもたせることができるため、帰還抵抗の選別
やトリミングの必要はない。しかし、ラダー回路網１２
０に所望の温度依存性をもたせるために温度センサ１２
２、Ａ／Ｄコンバータ１２４およびＲＯＭ１２６さらに
はタイミング回路等（図示せず）を必要とし、回路規模
が非常に大きくなり、コストも大幅にアップする欠点が
ある。また、ＲＯＭ１２６のルック・アップ・テーブル
に書き込むべき設定値は原理的には各温度毎に最適な値
に選ばなければならず、設定作業が極めて繁雑になると
いう問題もある。

【０００８】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、温度依存性を有するアナログの入力信号に対し
て回路部品の交換やトリミング等が不要で、かつ回路構
成の大規模化を来すことなく、調整または設定作業を容
易に行える温度補償回路を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の温度補償回路は、温度に依存して
レベルが変化する入力信号を温度補償する温度補償回路
において、前記入力信号を入力して前記入力信号の温度
係数とは逆極性の温度係数で温度に依存する出力信号を
出力する第１の増幅回路と、前記入力信号を入力して前
記入力信号の温度係数と同極性の温度係数で温度に依存
する出力信号を出力する第２の増幅回路と、所定の分圧
比で前記第１の増幅回路の出力電圧と前記第２の増幅回
路の出力電圧とを分圧した電圧値を有する出力信号を生
成する分圧回路とを有する構成とした。

【００１０】本発明の第２の温度補償回路は、上記第１
の温度補償回路において、前記分圧回路は、分圧比の可
変調整可能な抵抗ラダー回路と、前記抵抗ラダー回路の
分圧比を設定する分圧比設定回路とからなる構成とし
た。

【００１１】本発明の第３の温度補償回路は、上記第１
の温度補償回路において、前記抵抗ラダー回路は、抵抗
値Ｒの抵抗と抵抗値２Ｒの抵抗を１ビット毎にラダー状
に連ねて接続してなるＲ−２Ｒ型抵抗ラダー回路からな
る構成とした。

【００１２】

【作用】上記の構成において、第１の増幅回路の増幅率
の温度係数を適当な値に選ぶことによって、第１の増幅
回路の出力電圧に入力信号の温度係数とは逆の極性で所
定の温度係数をもたせることができる。一方、第２の増
幅回路の出力電圧は、たとえばこの増幅回路の増幅率を
温度変化に対して実質的に一定とすれば、入力信号の温
度係数に対応した極性および大きさの温度係数をもたせ
ることができる。これにより、温度変化に対して第１お
よび第２の増幅回路の出力電圧は互いに逆極性（逆方
向）の温度特性を示す。分圧回路は、両出力電圧を所定
の分圧比（割合）で分圧することによって両出力電圧の
温度特性をキャンセルした電圧つまり温度依存性を有し
ない電圧を出力する。

【００１３】本発明によれば、温度係数の極性が異なる
一対の増幅回路の出力電圧の間の分圧比を調整すること
で、入力信号に対して温度補償を行うことができる。増
幅回路の帰還抵抗等の部品そのものを交換したりトリミ
ングしたりする必要はない。温度補償のための温度セン
サや特別なタイミング回路を設ける必要もない。

【００１４】分圧回路を、分圧比の可変調整可能な抵抗
ラダー回路と、この抵抗ラダー回路の分圧比を設定する
分圧比設定回路とから構成した場合は、小規模かつ低コ
ストの回路構成によって分圧比を最適値に決定すること
ができ、高精度な温度補償を行うことができる。

【００１５】さらに、分圧回路における抵抗ラダー回路
をＲ−２Ｒ型抵抗ラダー回路で構成した場合は、分圧比
に関係なく出力抵抗を一定にすることができ、次段の回
路とのマッチングをとりやすいという利点がある。

【００１６】

【実施例】以下、図１〜図４を参照して本発明の実施例
を説明する。

【００１７】図１は、本発明の一実施例による温度補償
回路の基本構成を示す。この温度補償回路は、一対の反
転増幅回路２０，３０と分圧回路４０とから構成され
る。入力端子１０には、温度に依存してレベルが変化す
るアナログ信号Ｖin、たとえば上記したような負の温度
係数−αを有する半導体圧力センサ１００からのスパン
電圧（ＶS ）が入力される。

【００１８】第１の反転増幅回路２０は、演算増幅器２
２と、この演算増幅器２２の反転入力端子（−）に接続
された入力抵抗２４と、演算増幅器２２の出力端子と反
転入力端子（−）との間に接続された帰還抵抗２６とか
ら構成され、演算増幅器２２の非反転入力端子（＋）に
は基準電圧ＶP が入力される。入力抵抗２４は、入力信
号の温度係数−αと比較して実質的に無視できるほどの
温度係数を有する抵抗つまり普通の固定抵抗からなる。
しかし、帰還抵抗２６は、入力信号Ｖinの温度係数−α
とは極性が逆（正）の温度係数βを有する抵抗たとえば
ＰＴＣサーミスタからなる。この帰還抵抗２６により、
第１の反転増幅回路２０の増幅率μa は正の温度係数β
で温度に依存して変化するようになっている。

【００１９】第２の反転増幅回路３０は、演算増幅器３
２と、この演算増幅器３２の反転入力端子（−）に接続
された入力抵抗３４と、演算増幅器３２の出力端子と反
転入力端子（−）との間に接続された帰還抵抗３６とか
ら構成され、演算増幅器３２の非反転入力端子（＋）に
は基準電圧ＶP が入力される。この第２の反転増幅回路
３０では、入力抵抗３４および帰還抵抗３６のいずれ
も、上記第１の反転増幅回路２０における入力抵抗２４
と同様の普通の固定抵抗からなる。したがって、この第
２の反転増幅回路３０の増幅率μb は、温度変化に対し
て実質的に一定値を保つようになっている。

【００２０】分圧回路４０は、分圧比Ｄが実質的に（入
力信号Ｖinの温度依存性と比較して）温度依存性をもた
ない抵抗回路から構成される。分圧回路４０の分圧比Ｄ
は、後述するように第１および第２の反転増幅回路２
０，３０の出力電圧Ｖa ，Ｖbの温度特性に応じて決め
られる。

【００２１】図２につき、分圧回路４０における分圧比
の選定方法を説明する。図２は、半導体センサに加える
圧力を一定にしたまま周囲温度を使用温度範囲たとえば
−４０゜Ｃ〜＋８５゜で変化させた場合の両反転増幅回
路２０，３０の出力電圧Ｖa,Ｖb の温度特性を示す。

【００２２】第１および第２の反転増幅回路２０，３０
の出力電圧Ｖa ，Ｖb は、理論的には次のような式で表
される。 Ｖa ＝Ｖin・μa0｛１＋β（ｔ−ｔ0 ）｝ ………（１） Ｖb ＝Ｖin・μb ………（２）

【００２３】ここで、μa0は基準温度ｔ0 （たとえば常
温の２５゜Ｃ）における第１の反転増幅回路２０の増幅
率である。一方、入力信号Ｖin（センサ出力信号ＶS ）
は、近似的に次の式で表される。 Ｖin＝Ｖin0 ／｛１＋α（ｔ−ｔ0 ）｝ ………（３）

【００２４】ここで、Ｖin0 は基準温度ｔ0 （２５゜
Ｃ）における入力信号（センサ出力信号）Ｖinの値（レ
ベル）である。

【００２５】上式（３）を代入すると、上式（１），
（２）は次のようになる。 Ｖa ＝Ｖin0 ・μa0｛１＋β（ｔ−ｔ0 ）｝／｛１＋α（ｔ−ｔ0 ）｝ ………（４） Ｖb ＝Ｖin0 ・μb ｛１＋α（ｔ−ｔ0 ）｝ ………（５）

【００２６】図２におけるＶa ，Ｖb の温度特性は、理
論的には上式（４），（５）で表される。図示のよう
に、Ｖa に正の温度係数をもたせるには、第１の反転増
幅回路２０の増幅率μa の温度係数βの絶対値が入力信
号Ｖinの温度係数−αの絶対値よりも大きくなるよう
に、帰還抵抗（ＰＴＣサーミスタ）２６を選べばよい。
また、基準温度ｔ0 で両特性曲線Ｖa ，Ｖb を交差させ
るためには（Ｖa ＝Ｖb とするには）、μa0＝μb （＝
μc ）となるようにμa0，μb を合わせればよい。この
ように、基準温度ｔ0 でＶa ＝Ｖb （＝μc Ｖin）に設
定すると、分圧回路４０における分圧出力Ｖout も基準
温度ｔ0 では分圧比に関係なくＶa ，Ｖb と同じ値（μ
c Ｖin）になる。

【００２７】本実施例によれば、基準温度ｔ0 と異なる
任意の温度ｔでも、分圧回路４０において分圧出力Ｖou
t が基準温度ｔ0 のときと同じ値（μc Ｖin）になるよ
うに分圧比Ｄを選べばよい。分圧出力Ｖout は、理論的
には次の式で表される。 Ｖout ＝Ｖa −Ｄ（Ｖa −Ｖb ） ………（６）

【００２８】上式（４），（５），（６）より、分圧出
力Ｖout が温度ｔの値に関係なく基準温度ｔ0 のときと
同じ値（μc Ｖin）を保つための条件は、Ｄβ＝αであ
る。

【００２９】このように、理論的には、分圧回路４０に
おける分圧比Ｄをα／βに選ぶことによって、分圧出力
Ｖout が温度変化に対して一定の出力信号（μc Ｖin）
となり、入力信号Ｖinが温度補償されることになる。

【００３０】もっとも、個々の入力信号Ｖinまたは入力
信号源（半導体圧力センサ）および第１の反転増幅回路
２０における帰還抵抗２６等のばらつきを吸収して精度
の高い温度補償を行うには、分圧回路４０の分圧比Ｄを
可変調整できるように構成すればよい。この場合、第１
および第２の反転増幅回路２０の出力電圧Ｖa ，Ｖbが
等しくなるときの温度ｔs を基準温度とし、この基準温
度ｔs とは異なる任意の温度ｔf で分圧比Ｄを調整して
分圧出力Ｖout が基準温度のときと等しくなるようにＤ
の値を合わせればよい。

【００３１】このように、分圧回路４０を分圧比可変型
の分圧回路に構成した場合は、分圧比（電圧比）を調整
する簡単な作業によって熟練を要さずに高精度な温度補
償回路にセッティングすることが可能であり、手間のか
かる回路部品の交換やトリミング等は不要である。

【００３２】図３は、分圧回路４０を分圧比可変型に構
成する場合の具体例を示す。この構成例における分圧回
路４０は、Ｒ−２Ｒ型抵抗ラダー回路４２と、書き換え
可能型メモリたとえばＥＥＰＲＯＭ４４とからなる。

【００３３】抵抗ラダー回路４２は、一般のラダー抵抗
型Ｄ／Ａコンバータに用いられるものと同様に、抵抗値
Ｒの抵抗４２Ａと抵抗値２Ｒの抵抗４２Ｂを１ビット毎
にラダー状に連ねて接続してなる回路網であり、１ビッ
ト毎に横木部の抵抗４２Ｂの接点Ｑi （ｉ＝１〜ｎ）を
切換制御できるようになっている。各接点Ｑi はたとえ
ばＭＯＳスイッチで構成されてよい。

【００３４】この抵抗ラダー回路４２において、最も左
側の横木部の抵抗４２Ｂは第１の反転増幅回路２０の出
力端子に固定接続されている。したがって、図示のよう
に接点Ｑ1 〜Ｑn の全てが第２の反転増幅回路３０の出
力端子側に切り換わっている状態では、出力端子５０に
は第２の反転増幅回路３０の出力電圧Ｖb に一番近い電
圧が現れる。

【００３５】図示の状態から最も左側位置（最下位桁）
の接点Ｑ1 だけが第１の反転増幅回路２０の出力端子側
に切り換わると出力端子５０にはＶb に２番目に近い電
圧が現れ、左側から２番目位置の接点Ｑ2 だけが第１の
反転増幅回路２０の出力端子側に切り換わると出力端子
５０にはＶb に３番目に近い電圧が現れ、最下位２桁の
接点Ｑ1 ，Ｑ2 だけが第１の反転増幅回路２０の出力端
子側に切り換わると出力端子５０にはＶb に４番目に近
い電圧が現れる。そして、接点Ｑ1 〜Ｑn の全てが第１
の反転増幅回路２０の出力端子側に切り換わると、出力
端子５０には第１の反転増幅回路３０の出力電圧Ｖa が
そのまま現れるようになっている。

【００３６】このように、この抵抗ラダー回路４２の出
力端子５０には、接点Ｑ1 〜Ｑn を切換位置に応じた分
圧比で入力電圧Ｖa とＶb とを分圧した電圧が得られ
る。分圧比の段階数は、接点Ｑ1 〜Ｑn のビット数をｎ
とすると、２ⁿ で表される。

【００３７】ＥＥＰＲＯＭ４４は、ｎビット並列出力の
シフトレジスタとして構成され、各出力端子Ｙ1 〜Ｙn
が抵抗ラダー回路４２内の各接点Ｑ1 〜Ｑn に１対１の
関係で接続されている。ＥＥＰＲＯＭ４４には、直接的
には抵抗ラダー回路４２内の各接点Ｑ1 〜Ｑn を開閉制
御し、間接的には抵抗ラダー回路４２の分圧比Ｄを制御
するためのｎビットのディジタル値Ｃ1 〜Ｃn が任意の
タイミングで入力される。各ビット値Ｃi が“１”のと
き各接点Ｑi がＶb 側に切り換わり、各ビット値Ｃi が
“０”のとき各接点Ｑi がＶa 側に切り換わるとする
と、抵抗ラダー回路４２の出力端子５０に得られる分圧
出力電圧Ｖout は次の式で表される。 Ｖout ＝Ｖa −（Ｖa −Ｖb ）｛（Ｃ1 ／２）＋（Ｃ2 ／２² ）… ＋（Ｃn ／２ⁿ ）｝ ……（７）

【００３８】上式（７）で右辺第２項の係数｛（Ｃ1 ／
２）＋（Ｃ2 ／２² ）…＋（Ｃn ／２ⁿ ）｝が分圧回路
４０における分圧比Ｄに相当するものである。

【００３９】かかる構成の分圧回路４０においては、Ｅ
ＥＰＲＯＭ４４に格納するｎビットのディジタル値Ｃ1
〜Ｃn を書き換えることで、２ⁿ ビットの分解能で抵抗
ラダー回路４２の分圧比Ｄを可変調整することができ
る。したがって、上記と同様にして、先ず第１および第
２の反転増幅回路２０の出力電圧Ｖa ，Ｖb が等しくな
るときの温度ｔs を基準温度とし、この基準温度ｔs と
は異なる任意の温度ｔfで分圧比Ｄを調整して（ＥＥＰ
ＲＯＭ４４に格納するディジタル値Ｃ1 〜Ｃn をいろい
ろ変えてみて）、分圧出力Ｖout が基準温度のときの値
と等しくなるＤの値（つまりディジタル値Ｃ1 〜Ｃn の
値）に決定（固定）すればよい。ＥＥＰＲＯＭ４４は、
書き換えを行わない限り、現在格納しているデータＣ1
〜Ｃn を保持し続けるので、抵抗ラダー回路４２の分圧
比Ｄが固定される。

【００４０】このように、この実施例の分圧回路４０に
よれば、第１および第２の反転増幅回路２０，３０の出
力電圧Ｖa ，Ｖb の温度特性に誤差があっても、つまり
個々の入力信号Ｖinまたは入力信号源あるいは第１の反
転増幅回路２０における帰還抵抗２６等にばらつきがあ
っても、ＥＥＰＲＯＭ４４を通じて分圧回路４０の分圧
比Ｄをディジタル的に可変調整して、そのようなばらつ
きや誤差をキャンセルし、精度の高い温度補償を行うこ
とができる。また、この温度補償回路では、温度補償の
調整誤差が分圧回路４０における分圧分解能２ⁿ によっ
て理論的に決まるので、使用温度範囲や入力信号Ｖinや
増幅回路２０，３０側のばらつき等に応じて抵抗ラダー
回路４２のビット数ｎを最適値に選んで、効率的な回路
設計と低コスト化をはかることができる。

【００４１】この実施例では、分圧比可変型の分圧回路
４０がＲ−２Ｒ型抵抗ラダー回路４２と書き換え可能型
メモリとからなり、温度センサ、Ａ／Ｄコンバータやメ
モリタイミング回路等を必要としないので、回路構成が
小規模で済み、コスト面でも有利である。また、抵抗ラ
ダー回路４２がＲ−２Ｒ型抵抗ラダー回路からなるた
め、回路内の接点Ｑ1 〜Ｑn の切換位置つまり分圧比Ｄ
に関係なく出力抵抗値が常に一定（Ｒ）であり、次段の
回路とのインピーダンス・マッチングがとりやすいとい
う利点がある。

【００４２】なお、書き換え可能型メモリ４４は、ＥＥ
ＰＲＯＭに限らず、ＥＰＲＯＭや不揮発性ＲＡＭ等の他
の書き換え可能型メモリでも可能である。また、メモリ
４４を揮発性のメモリまたはレジスタで構成し、上記の
ようなディジタル式の分圧比調整を行った後は、抵抗ラ
ダー回路４２内の各接点Ｑ1 〜Ｑn の切換位置を適当な
方法で固定し、メモリ４４を使わないようにすることも
可能である。また、図４に示すように、抵抗ラダー回路
４２を１ビット毎に順に抵抗値が２進数で累乗的にステ
ップアップまたはダウンするような重み付け型抵抗ラダ
ー回路で構成することも可能である。

【００４３】また、第１および第２の反転増幅回路２
０，３０を非反転増幅回路に置き換えることも可能であ
り、入力信号Ｖinが正の温度係数をもつ場合には第１の
増幅回路２０における帰還抵抗２６を負の温度係数を有
する抵抗たとえばＮＴＣサーミスタで構成すればよい。

【００４４】入力信号Ｖinは上記したような半導体圧力
センサの出力信号（スパン電圧）に限るものではなく、
温度変化に対して所定の温度係数でレベルが変化する任
意のアナログ信号に対して本発明の温度補償回路は適用
可能である。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の温度補償
回路によれば、温度依存性を有するアナログの入力信号
に対して一対の増幅回路の出力電圧に互いに逆極性の温
度特性をもたせ、両出力電圧を所定の分圧比（割合）で
分圧することによって、温度補償された出力信号を得る
ことができ、回路部品の交換やトリミング等が不要で、
小規模な回路構成であり、調整または設定作業が容易に
行えるという大なる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による温度補償回路の基本構
成を示すブロック図である。

【図２】実施例の温度補償回路において分圧回路の分圧
比の選定方法を説明するための図である。

【図３】実施例の温度補償回路において分圧回路を分圧
比可変型とした場合の具体的構成例を示す回路図であ
る。

【図４】実施例において分圧比可変型分圧回路の一変形
例を示す回路図である。

【図５】半導体圧力センサに用いられている従来の一般
的な温度補償回路の回路構成を示す回路図である。

【図６】従来の温度補償回路の別の例を示す回路図であ
る。

【符号の説明】

１０ 入力端子 ２０ 第１の反転増幅回路 ２２ 演算増幅器 ２６ 帰還抵抗 ３０ 第２の反転増幅回路 ３２ 演算増幅器 ４０ 分圧回路 ４２ 抵抗ラダー回路 ４４ 書き換え可能メモリ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−87586（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−122923（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−51733（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−164375（ＪＰ，Ｕ) 特表 平５−500716（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01K 7/25 G01D 3/028 G01L 1/00 G01L 19/04

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 温度に依存してレベルが変化する入力信
   号を温度補償する温度補償回路において、 前記入力信号を入力して前記入力信号の温度係数とは逆
   極性の温度係数で温度に依存する出力信号を出力する第
   １の増幅回路と、 前記入力信号を入力して前記入力信号の温度係数と同極
   性の温度係数で温度に依存する出力信号を出力する第２
   の増幅回路と、 所定の分圧比で前記第１の増幅回路の出力電圧と前記第
   ２の増幅回路の出力電圧とを分圧した電圧値を有する出
   力信号を生成する分圧回路と、を有することを特徴とす
   る温度補償回路。
2. 【請求項２】 前記分圧回路は、分圧比の可変調整可能
   な抵抗ラダー回路と、前記抵抗ラダー回路の分圧比を設
   定する分圧比設定回路とからなることを特徴とする請求
   項１に記載の温度補償回路。
3. 【請求項３】 前記抵抗ラダー回路は、抵抗値Ｒの抵抗
   と抵抗値２Ｒの抵抗を１ビット毎にラダー状に連ねて接
   続してなるＲ−２Ｒ型抵抗ラダー回路からなることを特
   徴とする請求項２に記載の温度補償回路。