JP3435146B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波装置に関
し、特にＧＨz 帯域を含む高周波帯域において優れた通
過帯域特性を有する弾性表面波装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】弾性表面波装置は、携帯電話等の小型・
軽量かつ非常に高い周波数帯域で動作する無線通信装置
の高周波回路において、フィルタあるいは共振器として
広く使われている。 【０００３】かかる弾性表面波装置は一般に圧電単結晶
あるいは多結晶基板上に形成されるが、電気機械結合係
数ｋ2 が大きく、従って表面波の励振効率が高く、また
高周波帯域において表面波の伝搬損失が小さい基板材料
として、特にＬｉＮｂＯ₃ 単結晶の６４°回転Ｙカット
板において表面波の伝搬方向をＸ方向とした６４°Y-X
ＬｉＮｂＯ₃ 基板（K. Yamanouti and K. Shibayama,
J. Appl. Phys. vol.43, no.3, March 1972, pp.856)
あるいはＬｉＴａＯ₃ 単結晶の３６°回転Ｙカット板に
おいて表面波の伝搬方向をＸ方向として３６°Y-X Ｌｉ
ＴａＯ₃ 基板が広く使われている。 【０００４】しかし、これらのカット角は、圧電結晶基
板上に形成された電極の付加質量効果が無視できる場合
に最適となるものであり、数百ＭＨz 以下の低周波帯域
では励起される弾性表面波の波長が長いため有効であっ
ても、最近の携帯電話等で必要とされているＧＨz 帯域
近傍での動作においては、電極の厚さが励起される弾性
波波長に対して無視できなくなり、必ずしも最適とはな
らない。このような高周波帯域での動作では、電極の付
加質量の効果が顕著に現れる。 【０００５】このような非常に短波長域の動作において
は、圧電基板上の電極の厚さを増加させ、見かけ上の電
気機械結合係数を増大させることにより、弾性表面波フ
ィルタの通過帯域幅あるいは弾性表面波共振器の容量比
γを小さくすることが可能であるが、このような構成で
は電極から基板内部に向かって放射されるバルク波が増
大し、表面波の伝搬損失が増大してしまう問題が生じ
る。かかるバルク波をＳＳＢＷ（surface skimming bul
k wave) と称し、またかかるＳＳＢＷに対し表面波をＬ
ＳＡＷ（Leaky surface acoustic wave)と称する。厚い
電極膜を使った弾性表面波フィルタにおけるＬＳＡＷの
伝搬損失については、３６°Y-X ＬｉＴａＯ₃ および６
４°Y-X ＬｉＮｂＯ₃ 基板について、 Plessky他、ある
いは Edmonson 他により解析がなされている（V. S. Pl
essky and C. S. Hartmann, Proc.1993 IEEE Ultrasoni
cs Symp., pp.1239 - 1242; P. J. Edmonson and C. K.
Campbell, Proc. 1994 IEEE Ultrosonic Symp., pp75
- 79)。 【０００６】ところで、このような従来の３６°Y-X Ｌ
ｉＴａＯ₃ あるいは６４°Y-X ＬｉＮｂＯ₃ 等の、ＬＳ
ＡＷを使う従来の弾性表面波フィルタでは、電極膜厚が
薄い場合、表面波の音速値とバルク波の音速値とが接近
し、その結果フィルタの通過帯域内にバルク波によるス
プリアスピークが出現してしまう（M. Ueda et al.,Pro
c. 1994 IEEE Ultrasonic Symp., pp.143 - 146) 。 【０００７】図２０は、上記 Ueda 他の文献による表面
波フィルタにおいて、フィルタ通過帯域近傍に出現した
バルク波によるスプリアスピークＡ，Ｂを示す。フィル
タは３６°Y-X ＬｉＴａＯ₃ 基板上に構成され、励振波
長の３％に相当する０．４９μｍの厚さのＡｌ−Ｃｕ合
金よりなる櫛形電極を形成されている。 【０００８】図２０を参照するに、スプリアスピークＢ
は３３０ＭＨz 近傍に形成された通過帯域外に生じてい
るが、スプリアスピークＡは通過帯域内に生じており、
その結果通過帯域特性にリップルが生じているのがわか
る。 【０００９】弾性表面波フィルタでは、表面波の音速は
電極の付加質量、すなわち膜厚に依存するのに対し、Ｓ
ＳＢＷの音速は電極の膜厚に依存しないため、ＧＨz 帯
域のような高周波帯域での動作では、電極の膜厚が励振
表面波波長に対して増加し、表面波の音速がバルク波に
対して相対的に低下する。その結果、フィルタの通過帯
域がスプリアスピークに対してシフトし、通過帯域特性
が平坦化する。 【００１０】しかし、このように電極の膜厚が表面波波
長に対して増大すると先にも説明したようにＳＳＢＷに
よるＬＳＡＷの損失が増大し、また通過帯域の角形比が
劣化してしまう。角形比は、後ほど説明するように、フ
ィルタ特性の急峻性を表し、通過帯域の角形比が劣化す
ると、フィルタ特性がブロードになってしまう。 【００１１】また、特にＧＨz 帯のような非常に高周波
帯域で動作する弾性表面波フィルタにおいては、櫛形電
極の抵抗を減少させるためにも電極にある程度の膜厚を
確保する必要があるが、そうなると先に説明した損失の
増大および角形比の劣化の問題が避けられない。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者は上
記の問題点を解決した弾性表面波装置として、先に特願
平７−２６５４６６号を提案した。同出願に係る弾性表
面波装置は、本発明者が、ＧＨz 帯域のような短波長領
域では電極の厚さが励起される表面波の波長に対して無
視できなくなり、電極の付加質量の効果が顕著に現れ、
この付加質量の効果により最小の伝搬損失を与える単結
晶基板の回転角θが高角度側にずれることを見出したこ
とに起因する。 【００１３】そして同出願では、ＬｉＴａＯ₃ 単結晶基
板の回転角θを従来の３６°よりも高角度に設定するこ
とにより、具体的にはＬｉＴａＯ₃ 単結晶基板の回転角
θをＸ軸を中心に，Ｙ軸からＸ軸方向に３８〜４６°の
範囲の角度で回転させることにより、ＧＨz 帯域におい
て表面波の減衰が少なく、Ｑが高い弾性表面波装置を提
供している。 【００１４】また、このような高い周波数における電極
の付加質量効果に伴い、フィルタの通過帯域の位置がス
プリアスピークに対して低周波側にシフトするため、こ
のような回転角の大きいＬｉＴａＯ₃ 基板上に形成した
弾性表面波装置では、スプリアスピークをフィルタの通
過帯域から外すことが可能である。 【００１５】ところで、上記のようにＬｉＴａＯ₃ 単結
晶基板の回転角θを変化させると、これに伴い結合係
数，反射係数等の各種係数も変化する。これに伴い弾性
表面波装置としての最も適正な特性を実現するための各
種パラメータ（例えば、櫛歯電極指の対数，反射器の電
極周期等）の値も、ＬｉＴａＯ₃ 単結晶基板の回転角θ
が３６°であった従来のパラメータ値と比べて変化す
る。従って、弾性表面波装置の特性を最良のものとする
ために、ＬｉＴａＯ₃ 単結晶基板の回転角θを従来より
大きくした場合における上記各種パラメータの最適化を
図る必要がある。 【００１６】本発明は上記の課題を解決した弾性表面波
装置を提供することを目的とする。 【００１７】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、圧電基板上に、各々櫛形状とされた第１
の電極指郡と第２の電極指郡とが組み合わされた状態で
構成されると共に前記圧電基板上に弾性表面波の伝搬方
向に向け少なくとも３個列設された櫛形電極と、前記複
数の櫛形電極を挟んで配設さたれ一対の反射電極とによ
り構成される第１の弾性表面波装置要素と第２の弾性表
面波装置要素とがカスケード接続してなる構成の弾性表
面波チップと、対向配置された入力端子と出力端子とを
有し、該入力端子及び出力端子の夫々が、信号パッドと
該信号パッドを挟んで形成された一対のグランドパッド
とにより構成される構造を有したセラミックパッケージ
と、前記弾性表面波チップを前記入力端子及び出力端子
に接続するワイヤとを有し、前記第１及び第２の弾性表
面波装置要素の内の略中央に配置されており、入力側と
なる弾性表面波装置要素の信号パッドと入力端子の信号
パッドとを入力側信号ワイヤにより接続すると共に、前
記入力側となる弾性表面波装置要素の両側に配置された
弾性表面波装置要素のグランドパッドをそれぞれ、入力
側グランドワイヤによって、別々のグランドパッドに接
続し、かつ、出力側となる弾性表面波装置要素の信号パ
ッドと出力端子の信号パッドとを出力側信号ワイヤによ
り接続すると共に、出力側となる弾性表面波装置要素の
両側に配置された弾性表面波装置要素のグランドパッド
をそれぞれ、出力側グランドワイヤによって、別々のグ
ランドパッドに接続したことを特徴とするものである。 【００１８】 【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。 【００１９】図１（Ａ），（Ｂ）は、第１実施例である
弾性表面波装置を示している。図１（Ａ）を参照する
に、本実施例に係る弾性表面波装置は、いわゆる二重モ
ード型のＳＡＷフィルタであり、圧電基板（図示せず）
上に形成された一対の反射器１０Ａ，１０Ｂの間に三つ
の櫛形電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを備えている。 【００２０】本実施例は、基板としてＬｉＴａＯ₃ 単結
晶をＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４０°〜４２°の
範囲の角度で回転させた方位を有する圧電基板を用いて
いる。これにより、前述したようにＧＨz 帯域において
表面波の減衰が少なく、Ｑが高い弾性表面波装置を実現
することができる。 【００２１】また、反射器１０Ａ，１０Ｂは基板のＸ軸
方向に配列され、Ｘ軸方向に伝搬する弾性表面波の経路
を規定する。一方、各々の電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ
は、複数の一次側電極指を形成された１次側電極（１１
Ａ）1 ，（１１Ｂ）1 ，（１１Ｃ）1 と、前記１次側電
極指と対向する２次側電極指を形成された２次側電極
（１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）2 ，（１１Ｃ）2 とよりな
り、通常の櫛形電極と同様に、前記１次側電極指と２次
側電極指とは、前記Ｘ軸方向に交互に配列され、前記弾
性表面波の経路と交差する。 【００２２】図１（Ａ）の構成では、電極１１Ａおよび
１１Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 は入力
端子に接続され、また２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１
Ｃ）2 は接地される。一方、電極１１Ｂの１次側電極
（１１Ｂ）1 は接地され、２次側電極（１１Ｂ）2 は出
力端子に接続される。すなわち、図１（Ａ）のＳＡＷフ
ィルタは、いわゆる２入力１出力型のＳＡＷフィルタを
構成する。 【００２３】かかる二重モード型ＳＡＷフィルタでは、
図１（Ｂ）に示すように、前記反射器１０Ａ，１０Ｂの
間に形成された周波数がｆ1 の１次のモードと周波数が
ｆ3の３次のモードとを使い、周波数ｆ1 とｆ3 との間
に通過帯域を有する通過帯域特性を実現する。ただし、
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の構造中における弾性表面波
のエネルギ分布を示す。 【００２４】図２は、図１（Ａ）に示す弾性表面波装置
のインピーダンス−対数比特性を示している。ここで、
対数比とは櫛形電極１１Ａ〜１１Ｃの内中央部に位置す
る櫛形電極１１Ｂの電極対数（Ｎ１）と、この櫛形電極
１１Ｂに隣接する櫛形電極の電極対数（Ｎ２）との比率
（Ｎ２／Ｎ１）をいう。また図３は、図１（Ａ）に示す
弾性表面波装置の帯域幅−対数比特性を示している。 【００２５】先ず、図２を参照すると、同図において実
線で示すのは対数比を変化させた場合における入力側イ
ンピーダンスの変化であり、また破線で示すのは対数比
を変化させた場合における出力側インピーダンスの変化
である。高周波デバイスである弾性表面波素子では、入
力側インピーダンス及び出力側インピーダンスは共に５
０Ωであることが望ましく、少なくとも５９Ω以下とす
る必要がある。 【００２６】そこで、入力側インピーダンスに注目する
と、入力側インピーダンスは対数比が増大するに従い略
増大する傾向を示し、対数比が略８０％以下の場合にイ
ンピーダンスが５９Ω以下となる。また、出力側インピ
ーダンスに注目すると、出力側インピーダンスは対数比
が増大するに従い略減少する傾向を示し、対数比が略５
５％以上の場合にインピーダンスが５９Ω以下となる。 【００２７】一方、図３に示される帯域幅と対数比との
関係に注目すると、対数比が略７０％である時を最大帯
域幅として、これより対数比が増大してもまた減少して
も帯域幅は減少する特性となっている。弾性表面波装置
として必要とされる帯域幅は少なくとも３３ＭＨｚ以上
である。よって、弾性表面波装置として必要とされる帯
域幅を満足させるためには、対数比を５５％以上８０％
以下に設定する必要がある。 【００２８】そこで、本実施例に係る弾性表面波装置で
は、前記した図２及び図３の結果より、対数比を５５〜
８０％に設定したことを特徴としている。このように、
中央部に位置する櫛形電極１１Ｂの電極対数（Ｎ１）
と、この櫛形電極１１Ｂに隣接する櫛形電極の電極対数
（Ｎ２）との比率である対数比（Ｎ２／Ｎ１）を５５〜
８０％に設定することにより、帯域幅を広くすることが
できると共に、高周波デバイスである弾性表面波装置の
終端抵抗を最も特性の良好な５０Ωに近づけることがで
きる。 【００２９】特に、図３に示される特性より、対数比
（Ｎ２／Ｎ１）を６５〜７５％に設定することにより、
帯域幅を略３４ＭＨｚ以上の広い範囲に設定することが
可能となり、特に帯域幅特性の良好なＳＡＷフィルタを
実現することが可能となる。 【００３０】続いて、図４及び図５に注目する。図４は
図１（Ａ）に示す弾性表面波装置における帯域幅−電極
間距離（ＨＤ）特性をシミュレーションにより求めた結
果を示している。ここで、電極間距離（ＨＤ）とは、櫛
形電極１１Ａ〜１１Ｃの内、中央部に位置する櫛形電極
１１Ｂの両端の電極指の中央部から、この中央部に位置
する櫛形電極１１Ｂに隣接する他の櫛形電極１１Ａ，１
１Ｃの電極指の中央部までの距離をいう。 【００３１】また、各電極指の幅寸法が異なる場合であ
っても、この電極間距離（ＨＤ）の計測起点は、各電極
指のＸ方向に対する中心位置とする。また、各図におい
て、横軸である電極間距離（ＨＤ）は、基板表面を伝搬
する弾性表面波の波長（λ）の倍数表示としている。 【００３２】図４を参照すると、前記したように弾性表
面波素子は少なくとも３３ＭＨｚ以上の帯域幅を有する
必要がある。よって、これを満足させる電極間距離（Ｈ
Ｄ）は、図４より０．７５λ〜０，９０λ以上である。
従って、電極間距離（ＨＤ）を０．７５λ〜０，９０λ
に設定することにより、弾性表面波素子の帯域幅を実用
に足る帯域幅に増大することができる。よって、本実施
例に係る弾性表面波装置では、フィルタの帯域特性を向
上させる面より、電極間距離（ＨＤ）を０．７５λ〜
０，９０λに設定している。 【００３３】尚、図４はシミュレーションの結果である
ため、電極間距離（ＨＤ）が０．５λ以下の領域におい
いても帯域幅が３３ＭＨｚ以上となる範囲が存在する
が、電極間距離（ＨＤ）が０．５λ以下となった場合に
は、実際には隣接する電極指が干渉する状態となり、実
際上は電極間距離（ＨＤ）を０．５λ以下とすることは
できない。一方、図５は図１９（Ａ）に示す弾性表面波
装置における帯域内リップル−電極間距離特性を示して
いる。ここで、帯域内リップルとはフィルタ帯域に含ま
れる脈動成分をいい、この帯域内リップルは発生しない
ことが望ましい（即ち、０ｄＢであることが望まし
い）。 【００３４】しかるに、この帯域内リップルを完全に除
去するのは困難であり、実用に足る弾性表面波装置とし
ては、少なくとも帯域内リップルを２．０ｄＢ以下とす
る必要がある。尚、同図においても、横軸である電極間
距離（ＨＤ）は、基板表面を伝搬する弾性表面波の波長
（λ）の倍数表示としている。 【００３５】そこで、図５を参照すると、帯域内リップ
ルは電極間距離が０．８λ付近の時が最低値となってお
り、この最低電極間距離より電極間距離が長くなって
も、或いは短くなっても帯域内リップルの値は増加する
特性を示す。また、帯域内リップルを実用に足る２．０
ｄＢ以下とするためには、電極間距離を０．７８λ〜
０．８５λの間に設定する必要がある。このため、本実
施例に係る弾性表面波装置では、帯域内リップルのフィ
ルタ特性への影響を防止する面から電極間距離を０．７
８λ〜０．８５λに設定している。 【００３６】図６は、図１９（Ａ）に示す弾性表面波装
置の帯域幅−電極周期比特性を示している。ここで、電
極周期比とは、表面弾性は装置を構成する櫛形電極１１
Ａ〜１１Ｃの電極周期をλ_IDT とし、反射器１０Ａ，１
０Ｂの電極周期をλ_ref とした場合、この櫛形電極１１
Ａ〜１１Ｃの電極周期λ_IDT と反射器１０Ａ，１０Ｂの
電極周期λ_ref との比率（λ_IDT ／λ_ref ）をいう。 【００３７】そこで図６を参照すると、帯域幅は電極周
期比（λ_IDT ／λ_ref ）が０．９８２の時に最大値とな
り、電極周期比がこの最大電極周期比より増大してもま
た低減しても帯域幅は減少する特性を示す。前記したよ
うに、弾性表面波装置の帯域幅は少なくとも３３ＭＨｚ
以上であることが望ましい。 【００３８】よって、帯域幅を３３ＭＨｚ以上とするた
めには電極周期比（λ_IDT ／λ_ref）の値を０．９７７
〜０．９９２とする必要がある。このため、本実施例に
係る弾性表面波装置では、電極周期比（λ_IDT ／λ
_ref ）の値を０．９７７〜０．９９２に設定しており、
これにより、帯域幅を所望する値とすることができる。 【００３９】続いて、図７及び図８に注目する。図７
は、図１に示した弾性表面波装置のインピーダンス−電
極交叉幅特性を示しており、また図８は図１に示した弾
性表面波装置の帯域幅−電極交叉幅特性を示している。 【００４０】ここで、電極交叉幅（Ｗ）とは、各櫛形電
極１１Ａ〜１１Ｃの一次側電極（１１Ａ）1 〜（１１
Ｃ）1 の電極指と二次側電極（１１Ａ）2 〜（１１Ｃ）
2 の電極指が、Ｘ方向にみて重なり合う幅寸法をいう
（図１（Ａ）参照）。また、各図において、横軸である
電極交叉幅（Ｗ）は、基板表面を伝搬する弾性表面波の
波長（λ）の倍数表示としている。 【００４１】先ず図７を参照すると、インピーダンス
は、電極交叉幅（Ｗ）が増大するに従い漸次減少する傾
向を示している。前記したように、高周波デバイスであ
る弾性表面波装置は、フィルタの入出力インピーダンス
が終端抵抗と一致した場合に最も良好なフィルタ特性を
示す。また、許容インピーダンスは最適値に対して±１
０％であり、具体的には終端抵抗が５０Ωの場合、フィ
ルタの入出力インピーダンスの値が４０Ωから６０Ωの
範囲であれば良好な特性を実現することができる。従っ
て、図７より電極交叉幅（Ｗ）を４０λから８０λに設
定することにより、所望するインピーダンス特性をえる
ことができる。 一方、図８を参照すると、帯域幅は電
極交叉幅（Ｗ）が６０λである時に最大帯域幅となり、
電極交叉幅がこの最大電極交叉幅より増大してもまた減
少しても帯域幅は減少する特性を示す。前記したよう
に、弾性表面波装置として実用に足る帯域波幅は、少な
くとも３３ＭＨｚ以上である。よって、電極交叉幅を４
０λ〜７０λに設定した場合に良好な帯域幅をえること
ができる。 【００４２】即ち、図７及び図８の特性より、電極交叉
幅（Ｗ）を４０λ〜７０λに設定することにより、イン
ピーダンス特性及び帯域幅を弾性表面波装置として適正
な値とすることができる。そこで、本実施例に係る弾性
表面波装置では、電極交叉幅（Ｗ）を４０λ〜７０λに
設定している。 【００４３】次に、第２実施例を図９を参照しながら説
明する。但し、図９において、先に説明した部分に対応
する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。 【００４４】図９を参照するに、本実施例による弾性表
面波装置（ＳＡＷフィルタ）は、前記第１実施例と同様
なＬｉＴａＯ₃ 単結晶をＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向
に４０°〜４２°の範囲の角度で回転させた方位を有す
る圧電基板（図示せず）上に構成されている。 【００４５】そして、この圧電基板上には、前記図１に
示したのと同様な、Ｘ軸方向に整列した反射器１０Ａ，
１０Ｂ、および反射器１０Ａ，１０Ｂ間に順次配列され
た櫛形電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃよりなる第１の弾性
表面波素子要素（以下、ＳＡＷフィルタ１１という）
と、同じ圧電基板上に構成され、Ｘ軸方向に整列した反
射器２０Ａ，２０Ｂ、および反射器２０Ａ，２０Ｂ間に
順次配列された櫛形電極２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃよりな
る第２の弾性表面波装置要素（以下、ＳＡＷフィルタ２
１という）とを含み、ＳＡＷフィルタ１１とＳＡＷフィ
ルタ２１とは、櫛形電極１１Ｂを構成する２次側電極
（１１Ｂ）2 を櫛形電極２１Ｂを構成する１次側電極
（２１Ｂ）1 に接続することにより、カスケード接続さ
れた構成とされている。 【００４６】図９の実施例では、櫛形電極１１Ａ，１１
Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 が共通に接
地され、また櫛型電極１１Ａ，１１Ｃの２次側電極（１
１Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 は櫛型電極２１Ａ，２１Ｃの１
次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 に接続されてい
る。また、櫛型電極２１Ａ，２１Ｃの２次側電極（１１
Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 は共通に接地された構成とされて
いる。更に、櫛形電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1
は入力電極パッドに接続されると共に、櫛形電極２１Ｂ
の２次側電極（２１Ｂ）2 は出力電極パッドに接続され
た構成とされている。 【００４７】図９の実施例では、ＳＡＷフィルタ１１の
電極交差幅がＷ1 であるのに対し、ＳＡＷフィルタ２１
の電極交差幅がＷ2 （≠Ｗ1 ）とされ、その結果、弾性
表面波装置（ＳＡＷフィルタ）全体の入力インピーダン
スと出力インピーダンスとが異なった値に設定されてい
る。即ち、弾性表面波装置全体の入力インピーダンス
は、電極交差幅がＷ1 のＳＡＷフィルタ１１の入力イン
ピーダンスで決定されるのに対し、全体の出力インピー
ダンスは、電極交差幅がＷ2 のＳＡＷフィルタ２１の出
力インピーダンスで決定される。 【００４８】また、ＳＡＷフィルタの入出力インピーダ
ンスは電極対数と電極交差幅に反比例することが知られ
ているが、電極対数はフィルタの通過帯域特性を決定す
るため、自在に選択することはできない。これに対し、
電極交差幅は、フィルタの通過帯域特性とは比較的無関
係に設定できるため、図９の実施例では、電極交差幅Ｗ
1 と電極交差幅Ｗ2 とを独立に設定することにより、Ｓ
ＡＷフィルタ１の入力インピーダンスとＳＡＷフィルタ
２の出力インピーダンスとを、独立かつ自在に変化させ
て終端インピーダンスと合わせることができる。本手法
は、入力側の終端インピーダンスと出力側の終端インピ
ーダンスが異なる場合に効果がある。 【００４９】具体的には、本実施例では入力側となるＳ
ＡＷフィルタ１１の電極交叉幅（Ｗ１）を弾性表面波の
波長λに対して４０λ〜６０λに設定し、また出力側と
なるＳＡＷフィルタ２１の電極交叉幅（Ｗ２）を弾性表
面波の波長λに対して２０λ〜６０λ（但し、Ｗ１，Ｗ
２が共に６０λとなる場合を除く）に設定している。ま
た、図９に示す弾性表面波装置の特性を決定する他のパ
ラメータは、ＳＡＷフィルタ１１及びＳＡＷフィルタ２
１共に図１（Ａ）に示した弾性表面波装置と同じ値に設
定している。即ち、ＳＡＷフィルタ１１及びＳＡＷフィ
ルタ２１共に、電極対比（Ｎ２／Ｎ１）は５５〜８０％
となるよう設定されており、電極間距離（ＨＤ）ハ弾性
表面波の波長λに対して０．７５λ〜０．９０λに設定
されており、電極周期比（λ_IDT ／λ_ref ）は０．９７
７〜０．９９２に設定されている。特に、上記した各パ
ラメータの内、電極対比（Ｎ２／Ｎ１）を６５〜７５％
に設定することにより、更に帯域幅の広い弾性表面波装
置を実現することができる。 【００５０】図１９に上記した図９に示した弾性表面波
装置（ＳＡＷフィルタ）の出力側終端インピーダンスと
バンド幅との関係の一実施例を示す。同図においては、
ＳＡＷフィルタの入力側手段インピーダンスは５０Ωで
固定しており、出力側終端インピーダンス（ＲＬ）を変
化させた場合におけるバンド幅の変化を示している。図
１９を参照すると、Ｗ２／Ｗ１＝１の場合においては、
出力側終端インピーダンス（ＲＬ）が１００Ω以上でバ
ンド幅が減少する特性を有している。これに対し、Ｗ２
／Ｗ１＝０．６，及びＷ２／Ｗ１＝０．４の場合（即
ち、電極交叉幅Ｗ１，Ｗ２を異ならせた場合）において
は、出力側終端インピーダンス（ＲＬ）が７５Ω〜２０
０Ωの範囲において良好な結果を得ることができる。 【００５１】一方、終端インピーダンスが５０Ωである
場合、ＳＡＷフィルタの電極交叉幅は４０λから６０λ
で良好な特性が得られるが、終端インピーダンス（Ｒ
Ｌ）が７５Ωから２００Ωでは、電極交叉幅は２０λ〜
６０λで良好な特性が得られる。よって、入出力で異な
る終端インピーダンスを有する弾性表面波装置（ＳＡＷ
フィルタ）の場合には、上記の組み合わせが必要とな
る。 【００５２】続いて、第３実施例である弾性表面波装置
について説明する。図１２は第３実施例である弾性表面
波装置を示しており、図１０及び図１１は第３実施例の
比較例である弾性表面波装置を示している。先ず、図１
０及び図１１を用いて第３実施例の比較例である弾性表
面波装置について説明する。 図１０乃至図１２は、第
２実施例による弾性表面波装置のパッケージを含む構成
を示している。但し、先に説明した部分には同一の参照
符号を付し、説明を省略する。 【００５３】先ず、図１０に示される弾性表面波装置に
ついて説明する。同図に示す弾性表面波装置は、図９に
示した構成の弾性表面波装置を担持する圧電基板１がセ
ラミックパッケージ基板１００上に担持され、前記パッ
ケージ基板１００上には入力端子と出力端子が対向する
よう配設されている。 【００５４】入力端子は一対の接地電極１０１，１０３
が、入力電極１０２を両側から挟持するように形成され
ている。また、出力端子は接地電極１０４および１０６
が、出力電極１０５を両側から挟持するように形成され
ている。 【００５５】図１０の構成では、圧電基板１上のＳＡＷ
フィルタ１１のうち、櫛形電極１１Ａの接地電極（図９
の電極（１１Ａ）1 ）はパッケージ１００上の入力側接
地電極１０３にＡｌワイヤ１０７で接続され、櫛形電極
１１Ｃの接地電極（図９の電極（１１Ｃ）1 ）は、パッ
ケージ１００上の出力側接地電極１０６にＡｌワイヤ１
０８で接続される。 【００５６】また、櫛形電極１１Ｂの入力電極（図９の
電極（１１Ｂ）1 ）は、前記入力電極１０２にＡｌワイ
ヤ１０９により接続され、櫛形電極１１Ｂの接地電極
（図９の電極（１１Ｂ）2 ）は、入力側接地電極１０１
にＡｌワイヤ１１０により接続されている。 【００５７】これに対し、圧電基板１上のＳＡＷフィル
タ２１のうち、櫛形電極２１Ａの接地電極（図９の電極
（２１Ａ）2 ）はパッケージ１００上の入力側接地電極
１０１にＡｌワイヤ１１１で接続され、櫛形電極２１Ｃ
の接地電極（図９の電極（２１Ｃ）2 ）は、パッケージ
１００上の出力側接地電極１０４にＡｌワイヤ１１２で
接続されている。 【００５８】また、櫛形電極２１Ｂの接地電極（図９の
電極（２１Ｂ）1 ）は、出力側接地電極１０６にＡｌワ
イヤ１１３により接続される。更に、櫛形電極２１Ｂの
出力電極（図９の電極（２１Ｂ）2 ）は、出力電極１０
５にＡｌワイヤ１１４により接続されている。また、Ｓ
ＡＷフィルタ１１とＳＡＷフィルタ２１とは、櫛形電極
１１Ａ，１１Ｃの２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）
2 を櫛形電極２１Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１Ａ）1
，（２１Ｃ）1 に接続することにより、カスケード接
続された構成とされている。 【００５９】次に、図１１に示される弾性表面波装置に
ついて説明する。尚、図１０に示した構成と同一構成部
分については同一符号を付してその説明を省略する。 【００６０】図１１に示す弾性表面波装置は、前記した
図１０に示した弾性表面波装置の構成に加えＡｌワイヤ
１１４，１１５を追加した構成とされている。具体的に
は、櫛形電極１１Ｃの接地電極（図９の電極（１１Ｃ）
1 ）は、パッケージ１００上の入力側接地電極１０１に
もＡｌワイヤ１１４で接続されており、更に櫛形電極２
１Ａの接地電極（図９の電極（２１Ａ）2 ）は、パッケ
ージ１００上の出力側接地電極１０６にもＡｌワイヤ１
１５により接続された構成とされている。 【００６１】続いて、第３実施例である弾性表面波装置
について図１２を参照して説明する。尚、図１２におい
ても図１０及び図１１に示した構成と同一構成部分につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。 【００６２】図１２の構成では、圧電基板１上のＳＡＷ
フィルタ１１のうち、櫛形電極１１Ａの接地電極（図９
の電極（１１Ａ）1 ）はパッケージ１００上の入力側接
地電極１０３にＡｌワイヤ１０７で接続され、櫛形電極
１１Ｃの接地電極（図９の電極（１１Ｃ）1 ）は、パッ
ケージ１００上の入力側接地電極１０１（グランドパッ
ド）にＡｌワイヤ１１４（入力側グランドワイヤ）で接
続される。 【００６３】また、櫛形電極１１Ｂの入力電極（図９の
電極（１１Ｂ）1 ）は、前記入力電極１０２（信号パッ
ド）にＡｌワイヤ１０９（入力側信号ワイヤ）により接
続され、櫛形電極１１Ｂの接地電極（図９の電極（１１
Ｂ）2 ）は、入力側接地電極１０１（グランドパッド）
にＡｌワイヤ１１０（入力側グランドワイヤ）により接
続されている。 【００６４】これに対し、圧電基板１上のＳＡＷフィル
タ２１のうち、櫛形電極２１Ａの接地電極（図９の電極
（２１Ａ）2 ）はパッケージ１００上の出力側接地電極
１０６（グランドパッド）にＡｌワイヤ１１５（出力側
グランドワイヤ）で接続され、櫛形電極２１Ｃの接地電
極（図９の電極（２１Ｃ）2 ）は、パッケージ１００上
の出力側接地電極１０４（グランドパッド）にＡｌワイ
ヤ１１２（出力側グランドワイヤ）で接続されている。 【００６５】また、櫛形電極２１Ｂの接地電極（図９の
電極（２１Ｂ）1 ）は、出力側接地電極１０６（グラン
ドパッド）にＡｌワイヤ１１３（出力側グランドワイ
ヤ）により接続される。更に、櫛形電極２１Ｂの出力電
極（図９の電極（２１Ｂ）2 ）は、出力電極１０５（信
号パッド）にＡｌワイヤ１１４（出力側信号ワイヤ）に
より接続されている。 【００６６】即ち、図１２に示される構成の弾性表面波
装置は、図１１に示した構成に対し櫛形電極１１Ｃの接
地電極（図９の電極（１１Ｃ）1 ）と出力側接地電極１
０６とを接続するＡｌワイヤ１０８と、櫛形電極２１Ａ
の接地電極（図９の電極（２１Ａ）2 ）と入力側接地電
極１０１とを接続するＡｌワイヤ１１１とを取り除いた
構成とされている。 【００６７】この構成とすることにより、入力側のＳＡ
Ｗフィルタ１１に接続される各Ａｌワイヤ１０７，１０
９，１１０，１１４は全て入力側の電極１０１〜１０３
に接続された構成となり、かつ出力側のＳＡＷフィルタ
２１に接続される各Ａｌワイヤ１１２〜１１５は全て出
力側の電極１０４〜１０６に接続された構成となる。
尚、ＳＡＷフィルタ１１とＳＡＷフィルタ２１とは、櫛
形電極１１Ａ，１１Ｃの２次側電極（１１Ａ）2 ，（１
１Ｃ）2 を櫛形電極２１Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１
Ａ）1 ，（２１Ｃ）1 に接続することによりカスケード
接続された構成とされていることは、図１０及び図１１
に示した弾性表面波装置と同じである。図１３は、図１
０乃至図１２に示した弾性表面波装置の減衰量−周波数
特性を示している。同図において、矢印Ａで示すのは図
１０に示した比較例である弾性表面波装置の特性であ
り、矢印Ｂで示すのは図１１に示した比較例である弾性
表面波装置の特性であり、更に矢印Ｃで示すのは図１２
に示した第３実施例である弾性表面波装置の特性であ
る。 【００６８】図１３を参照すると、矢印Ａ，Ｂで示す比
較例に係る弾性表面波装置の減衰量が比較的低い特性を
示すのに対し、本実施例である矢印Ｃで示す弾性表面波
装置の減衰量は減衰度が大きく良好な特性となっている
ことが判る。従って、ワイヤ接続を図１２に示す接続方
法とすることにより、ＳＡＷフィルタとして良好な特性
を得ることができる。 【００６９】このような特性を示す理由は明確ではない
が、入力側と出力側でのバランスが均衡している点、及
び入力側と出力側が配線的に完全に分離されているため
干渉が発生しない点等が上記特性を示す理由の一つとな
っているものと思われる。 【００７０】次に、第４実施例である弾性表面波装置に
ついて説明する。図１４は第４実施例に係る弾性表面波
装置を示している。但し、同図において、先に説明した
部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。 【００７１】図１４に示す弾性表面波装置は、図９に示
した構成の弾性表面波装置を担持する圧電基板１がセラ
ミックパッケージ基板１００上に担持された構成とされ
ており、また不平衡型ＳＡＷフィルタ１１と平衡型ＳＡ
Ｗフィルタ２１とを具備した構成とされている。前記パ
ッケージ基板１００上には不平衡側端子と平衡側端子が
対向するよう配設されている。 【００７２】不平衡側端子は一対の接地電極２０１，２
０３が、信号電極２０２を両側から挟持するように形成
されている。また、平衡側端子は一対の信号電極２０
４，２０６が、接地電極２０５を両側から挟持するよう
に形成されている。 【００７３】図１４の構成では、圧電基板１上の不平衡
型ＳＡＷフィルタ１１のうち、櫛形電極１１Ａの接地電
極（図９の電極（１１Ａ）1 ）はパッケージ１００上の
不平衡側接地電極２０３（グランドパッド）にＡｌワイ
ヤ２０７で接続され、櫛形電極１１Ｃの接地電極（図９
の電極（１１Ｃ）1 ）は、パッケージ１００上の平衡側
接地電極２０６（グランドパッド）にＡｌワイヤ２０８
で接続される。 【００７４】また、櫛形電極１１Ｂの入力電極（図９の
電極（１１Ｂ）1 ）は、不平衡側信号電極２０２（信号
パッド）にＡｌワイヤ２０８により接続され、櫛形電極
１１Ｂの接地電極（図９の電極（１１Ｂ）2 ）は、平衡
側接地電極２０５（グランドパッド）にＡｌワイヤ２０
９により接続されている。 【００７５】これに対し、圧電基板１上の平衡型ＳＡＷ
フィルタ２１のうち、櫛形電極２１Ａの接地電極（図９
の電極（２１Ａ）2 ）はパッケージ１００上の不平衡側
接地電極２０１（グランドパッド）にＡｌワイヤ２１０
で接続され、櫛形電極２１Ｃの接地電極（図９の電極
（２１Ｃ）2 ）は、パッケージ１００上の平衡側接地電
極２０５（グランドパッド）にＡｌワイヤ２１１で接続
されている。 【００７６】また、櫛形電極２１Ｂの一方の信号電極
（図９の電極（２１Ｂ）1 ）は、平衡側信号電極２０６
（信号パッド）にＡｌワイヤ２２２により接続され、更
に櫛形電極２１Ｂの他方の信号電極（図９の電極（２１
Ｂ）2 ）は、平衡側信号電極２０４（信号パッド）にＡ
ｌワイヤ２２３により接続されている。 【００７７】また、不平衡型ＳＡＷフィルタ１１と平衡
型ＳＡＷフィルタ２１とは、櫛形電極１１Ａ，１１Ｃの
２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 を櫛形電極２１
Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１Ａ）1 ，（２１Ｃ）1 に
接続することにより、カスケード接続された構成とされ
ている。 【００７８】本実施例では、櫛形電極２１Ｃの接地電極
（図９の電極（２１Ｃ）2 ）と平衡側接地電極２０５と
の間にＡｌワイヤ２１１を配設したことを特徴とするも
のである。ここで図１５に、櫛形電極２１Ｃの接地電極
と平衡側接地電極２０５との間にＡｌワイヤ２１１を配
設した構成の弾性表面波装置の減衰量−周波数特性（図
中、矢印Ｄで示す）と、櫛形電極２１Ｃの接地電極と平
衡側接地電極２０５との間にＡｌワイヤ２１１を設けな
い構成の弾性表面波装置の減衰量−周波数特性（図中、
矢印Ｅ示す）とを合わせて示す。 【００７９】同図に示されるように、矢印Ｅで示す櫛形
電極２１Ｃの接地電極と平衡側接地電極２０５との間に
Ａｌワイヤ２１１を設けない構成では、減衰量は比較的
低い値となっておりＳＡＷフィルタとしての特性は良好
ではない。これに対し、同図に矢印Ｄで示される櫛形電
極２１Ｃの接地電極と平衡側接地電極２０５との間にＡ
ｌワイヤ２１１を配設した構成では、減衰度が大きくな
っておりＳＡＷフィルタとして良好な特性となっている
ことが判る。従って、櫛形電極２１Ｃの接地電極と平衡
側接地電極２０５との間にＡｌワイヤ２１１を配設する
ことにより、ＳＡＷフィルタとして良好な特性を得るこ
とができる。 【００８０】続いて、第５実施例について説明する。図
１６は第５実施例である弾性表面波装置を示している。
本実施例に係る弾性表面波装置は、基板としてＬｉＴａ
Ｏ₃単結晶をＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４０°〜
４２°の範囲の角度で回転させた方位を有する圧電基板
上に、異なる帯域周波数特性を有する二つの弾性表面波
装置要素を形成した、いわゆるデュアルタイプの弾性表
面波装置（以下、デュアル弾性表面波装置という）であ
る。 【００８１】上記の二つの弾性表面波装置要素の内、帯
域周波数が低い弾性表面波装置要素は、弾性表面波の伝
搬方向に沿って複数の櫛形電極が配設された構成を有し
ており、具体的には図１或いは図９に示した多重モード
フィルタ構造の弾性表面波装置と同一構成とされてい
る。尚、図１６に示す例では、図９に示した多重モード
フィルタ構造の弾性表面波装置（以下、多重モード形弾
性表面波装置要素という）を適用した例を示している。 【００８２】これに対し、帯域周波数が高い弾性表面波
装置要素は、弾性表面波型共振器をラダー接続したラダ
ー形弾性表面波装置要素とされている。尚、図１６にお
いても、前記した各実施例と同一構成部分については同
一符号を付してその説明を省略する。 【００８３】ラダー型弾性表面波装置要素は、前記した
圧電基板１上に櫛形電極３１Ａ〜３１Ｅ及び反射器３２
Ａ〜３６Ａ，３２Ｂ〜３６Ｂを含む構成とされている。
入力端子は櫛形電極３１Ａ，３１Ｂの一次側電極（３１
Ａ）1 , （３１Ｂ）1 に接続されている。また櫛形電極
３１Ａの二次側電極（３１Ａ）2 は接地させると共に、
櫛形電極３１Ｂの二次側電極（３１Ｂ）2 は櫛形電極３
１Ｃ，３１Ｄの一次側電極（３１Ｃ）1 , （３１Ｄ）1
に接続されている。 【００８４】また、櫛形電極３１Ｃの二次側電極（３１
Ｃ）2 は接地させると共に、櫛形電極３１Ｄの二次側電
極（３１Ｄ）2 は櫛形電極３１Ｅの一次側電極（３１
Ｅ）1及び出力端子に接続されている。更に、櫛形電極
３１Ｅの二次側電極（３１Ｅ）2 は接地された構成とさ
れている。 【００８５】一方、反射器３２Ａ，３２Ｂは櫛形電極３
１Ａを挟むように配設されており、同様に反射器３３
Ａ，３３Ｂは櫛形電極３１Ｂを、反射器３４Ａ，３４Ｂ
は櫛形電極３１Ｃを、反射器３５Ａ，３５Ｂは櫛形電極
３１Ｄを、反射器３６Ａ，３６Ｂは櫛形電極３１Ｅを挟
むように夫々配設されている。 【００８６】ここで、上記構成とされたデュアル弾性表
面波装置において、多重モード形弾性表面波装置要素を
構成する電極の膜厚と、ラダー型弾性表面波装置要素を
構成する電極の膜厚に注目して説明する。多重モード形
弾性表面波装置要素の場合には、通過帯域にリップルが
入り込まないため、電極の膜厚を薄くすることが可能で
ある。これに対し、ラダー型弾性表面波装置要素の場
合、電極の膜厚を薄くすると通過帯域にリップルが入り
込みフィルタ特性が劣化するため、電極の膜厚を薄くす
ることは困難である。 【００８７】一方、弾性表面波装置が配設される携帯電
話等の電子機器では、高い周波数帯域（例えば１．７〜
１．９ＧＨｚ帯）のフィルタと低い周波数帯域（例えば
８００〜９００ＭＨｚ）のフィルタが共に要求される場
合がある。これを夫々独立した弾性表面波装置により実
現すると、部品点数が増大すると共に電子機器に要求さ
れている小型化に相反する結果となる。よって、上記の
要求を満たすためには、同一のデバイス内に高周波数帯
域フィルタと低周波数帯域フィルタとを共に形成するこ
とが考えられる。 【００８８】そこで、先ず２個の多重モード形弾性表面
波装置要素を同一の基板上に形成することを想定する。
前記したように、多重モード形弾性表面波装置要素の場
合には、通過帯域にリップルが入り込まないためラタン
型フィルタより電極の膜厚を薄くすることが可能であ
る。ところが、一般に弾性表面波装置の電極の膜厚は、
設定される帯域周波数の値に反比例することが知られて
おり、従って高周波数帯域フィルタを多重モード形弾性
表面波装置要素により実現しようとした場合には電極の
膜厚は薄くなり、逆に低周波数帯域フィルタを多重モー
ド形弾性表面波装置要素により実現しようとした場合に
は電極の膜厚は厚くなる。 【００８９】即ち、同一基板に共に多重モード形弾性表
面波装置要素よりなる高周波数帯域フィルタと低周波数
帯域フィルタとを形成しようとした場合には、各フィル
タの膜厚が異なることとなる。従って、高周波数帯域フ
ィルタと低周波数帯域フィルタを共に多重モード形弾性
表面波装置要素により構成したデュアル弾性表面波装置
を製造するには、電極膜厚の相違により高周波数帯域フ
ィルタの電極形成と低周波数帯域フィルタの電極形成と
を異なるプロセスで形成する必要が生じ、デュアル弾性
表面波装置の製造効率が極めて悪くなる。 【００９０】一方、２個のラダー型弾性表面波装置要素
を同一の基板上に形成することを想定すると、前記した
ようにラダー型弾性表面波装置要素の場合には、通過帯
域にリップルが入り込む可能性があるため電極の膜厚を
薄くすることができない。具体的には、弾性表面波λの
１０％程度の膜厚が必要となる。 【００９１】従って、高周波数帯域フィルタをラダー型
弾性表面波装置要素により実現しようとした場合には、
弾性表面波λは短くなりこれに伴い膜厚も薄くなる。ま
た、前記したようにラダー型弾性表面波装置要素では膜
厚を０．１λ以下とするとリップルが入り込むおそれも
ある。逆に、低周波数帯域フィルタをラダー型弾性表面
波装置要素により実現しようとした場合には、弾性表面
波λは長くなりこれに伴い膜厚も厚くなる。 【００９２】よって、高周波数帯域フィルタと低周波数
帯域フィルタとを共にラダー型弾性表面波装置要素によ
り構成するデュアル弾性表面波装置を製造する場合にお
いても、電極膜厚の相違により高周波数帯域フィルタの
電極形成と低周波数帯域フィルタの電極形成とを異なる
プロセスで形成する必要が生じ、デュアル弾性表面波装
置の製造効率が極めて悪くなってしまう。 【００９３】しかるに、本実施例のように多重モード形
弾性表面波装置要素とラダー型弾性表面波装置要素とを
同一の基板上に形成することにより、上記の問題点を解
決したデュアル弾性表面波装置を実現することができ
る。以下、これについて説明する。 【００９４】図１８は、１．９ＧＨＺを中心周波数とす
る高周波ＳＡＷフィルタをラダー型弾性表面波装置によ
り実現した場合における損失−周波数特性を示してい
る。同図に示されるように、ラダー型弾性表面波装置は
良好な周波数特性を示し、またリップルの混入も見られ
ない。この時のラダー型弾性表面波装置の電極（Ａｌ電
極）の膜厚は２００ｎｍであった。 【００９５】一方、図１７は低周波ＳＡＷフィルタを多
重モード形弾性表面波装置により実現した場合における
損失−周波数特性を示している。特に、図１７では、多
重モード形弾性表面波装置を構成する電極（Ａｌ電極）
の膜厚を２００ｎｍ，２４０ｎｍ，２８０ｎｍに設定し
た場合における特性を同一の図面に合わせて示してい
る。同図に示されるように、電極の膜厚を変化させた場
合にはフィルタ特性は変化するが、膜厚を先に図１８に
示したラダー型弾性表面波装置の膜厚と等しい２００ｎ
ｍとした場合にも、良好なフィルタ特性を示している。 【００９６】従って、図１７及び図１８より、多重モー
ド形弾性表面波装置要素とラダー型弾性表面波装置要素
とを同一の基板上に形成し、多重モード形弾性表面波装
置要素を帯域周波数が略８００〜９００ＭＨｚ帯の低周
波数帯域フィルタとして用い、またラダー型弾性表面波
装置要素を帯域周波数が略１．７〜２．０ＧＨｚ帯の高
周波数帯域フィルタとして用いる構成とすることによ
り、多重モード形弾性表面波装置要素及びラダー型弾性
表面波装置要素の各電極の膜厚を約２００ｎｍと等しく
することができ、よって同一の製造プロセスで成膜する
ことができる。 【００９７】これにより、市場において要求されている
高い周波数帯域（例えば１．７〜１．９ＧＨｚ帯）のフ
ィルタと低い周波数帯域（例えば８００〜９００ＭＨｚ
帯）のフィルタを同一デバイス（基板）内に形成するこ
とが可能となり、かつその製造プロセスは各弾性表面波
装置要素の電極膜厚が等しいため極めて効率的となり、
安価に上記のデュアル弾性表面波装置を提供することが
可能となる。 【００９８】 【発明の効果】本発明によれば、減衰度を大きくするこ
とができるため、良好な特性を有した弾性表面波装置を
実現することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】第１実施例である弾性表面波装置の構成図であ
る。 【図２】第１実施例に係る弾性表面波装置のインピーダ
ンス−対数比特性を示す図である。 【図３】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−対
数比特性を示す図である。 【図４】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−駆
動電極間距離特性を示す図である。 【図５】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−駆
動電極間距離特性を示す図である。 【図６】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−電
極周期特性を示す図である。 【図７】第１実施例に係る弾性表面波装置のインピーダ
ンス−開口長特性を示す図である。 【図８】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−開
口長特性を示す図である。 【図９】第２実施例である弾性表面波装置の構成図であ
る。 【図１０】第３実施例である弾性表面波装置の比較例を
示す構成図である。 【図１１】第３実施例である弾性表面波装置の比較例を
示す構成図である。 【図１２】第３実施例である弾性表面波装置の構成図で
ある。 【図１３】第３実施例である弾性表面波装置の損失−周
波数特性を比較例と共に示す図である。 【図１４】第４実施例である弾性表面波装置の構成図で
ある。 【図１５】第４実施例である弾性表面波装置の損失−周
波数特性を比較例と共に示す図である。 【図１６】デュアル弾性表面波装置の構成図である。 【図１７】デュアル弾性表面波装置の一実施例の内、多
重モード形弾性表面波装置要素の損失−周波数特性を比
較例と共に示す図である。 【図１８】デュアル弾性表面波装置の一実施例の内、ラ
ダー形弾性表面波装置要素の損失−周波数特性を比較例
と共に示す図である。 【図１９】図９に示す弾性表面波装置のバンド幅−イン
ピーダンス特性を示す図である。 【図２０】従来の一例である弾性表面波装置の通過帯域
特性を示す図である。 【符号の説明】 １０Ａ，１０Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ，３２Ａ〜３６Ａ，３
２Ｂ〜３６Ｂ 反射器 １１Ａ〜１１Ｃ，２１Ａ〜２１Ｃ ３１Ａ〜３１Ｅ 櫛
形電極 （１１Ａ）1 〜（１１Ｃ）1,（２１Ａ）1 〜（２１Ｃ）
1 一次側電極 （１１Ａ）2 〜（１１Ｃ）2,（２１Ａ）2 〜（２１Ｃ）
2 二次側電極 １０１〜１０４，１０６ 接地電極 １０２ 入力電極 １０５ 出力電極 １０７〜１１５，２０７〜２２３ Ａｌワイヤ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 嘉朗 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−93381（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−19415（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−152313（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−263509（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 9/64 H03H 9/145

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 圧電基板上に、各々櫛形状とされた第１
   の電極指郡と第２の電極指郡とが組み合わされた状態で
   構成されると共に前記圧電基板上に弾性表面波の伝搬方
   向に向け少なくとも３個列設された櫛形電極と、前記複
   数の櫛形電極を挟んで配設さたれ一対の反射電極とによ
   り構成される第１の弾性表面波装置要素と第２の弾性表
   面波装置要素とがカスケード接続してなる構成の弾性表
   面波チップと、 対向配置された入力端子と出力端子とを有し、該入力端
   子及び出力端子の夫々が、信号パッドと該信号パッドを
   挟んで形成された一対のグランドパッドとにより構成さ
   れる構造を有したセラミックパッケージと、 前記弾性表面波チップを前記入力端子及び出力端子に接
   続するワイヤとを有し、 前記第１及び第２の弾性表面波装置要素の内の略中央に
   配置されており、入力側となる弾性表面波装置要素の信
   号パッドと入力端子の信号パッドとを入力側信号ワイヤ
   により接続すると共に、前記入力側となる弾性表面波装
   置要素の両側に配置された弾性表面波装置要素のグラン
   ドパッドをそれぞれ、入力側グランドワイヤによって、
   別々のグランドパッドに接続し、 かつ、出力側となる弾性表面波装置要素の信号パッドと
   出力端子の信号パッドとを出力側信号ワイヤにより接続
   すると共に、出力側となる弾性表面波装置要素の両側に
   配置された弾性表面波装置要素のグランドパッドをそれ
   ぞれ、出力側グランドワイヤによって、別々のグランド
   パッドに接続したことを特徴とする弾性表面波装置。