JP3434169B2 - 全光型光位相同期方法および光位相同期光源 - Google Patents
全光型光位相同期方法および光位相同期光源Info
- Publication number
- JP3434169B2 JP3434169B2 JP15403297A JP15403297A JP3434169B2 JP 3434169 B2 JP3434169 B2 JP 3434169B2 JP 15403297 A JP15403297 A JP 15403297A JP 15403297 A JP15403297 A JP 15403297A JP 3434169 B2 JP3434169 B2 JP 3434169B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- light
- light source
- input
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の光源の光位
相および光周波数を同期させる全光型光位相同期方法お
よび光位相同期光源に関する。なお、本発明は、例えば
波長多重伝送システムの複数の光源の光位相同期に用い
られる。
相および光周波数を同期させる全光型光位相同期方法お
よび光位相同期光源に関する。なお、本発明は、例えば
波長多重伝送システムの複数の光源の光位相同期に用い
られる。
【０００２】
【従来の技術】２光源の光位相および光周波数を同期さ
せるには、光位相同期ループ（0ptical phase-lock loo
p:以下「光ＰＬＬ」という）または光注入同期を用い
る。
せるには、光位相同期ループ（0ptical phase-lock loo
p:以下「光ＰＬＬ」という）または光注入同期を用い
る。
【０００３】光ＰＬＬを用いた場合は、２光源の光位相
の誤差情報をフォトダイオードにより検出し、電気回路
でレーザ光源にフィードバックする構成になっている。
実用的な光ＰＬＬを実現するには、２光源のフリーラン
ニング時の光周波数差が光ＰＬＬの周波数引き込み範囲
以内に常に収まり、位相誤差が小さくなるように、光Ｐ
ＬＬの帯域幅を広くする必要がある。
の誤差情報をフォトダイオードにより検出し、電気回路
でレーザ光源にフィードバックする構成になっている。
実用的な光ＰＬＬを実現するには、２光源のフリーラン
ニング時の光周波数差が光ＰＬＬの周波数引き込み範囲
以内に常に収まり、位相誤差が小さくなるように、光Ｐ
ＬＬの帯域幅を広くする必要がある。
【０００４】たとえば、通常の半導体レーザから出力さ
れた線幅10ＭHzの信号光を検波するホモダイン検波光コ
ヒーレント通信システムの受信器において、符号誤り率
10-9で光ＰＬＬによる受信感度劣化を３dB以内に抑える
には、最低でも 250ＭHzの光ＰＬＬ帯域幅が必要とされ
ている（コヒーレント光通信工学、108 頁、オーム社、
大越 孝敬 著、1989年）。さらに劣化を抑えるために
は、ＧHz帯の光ＰＬＬの帯域幅が望まれる。
れた線幅10ＭHzの信号光を検波するホモダイン検波光コ
ヒーレント通信システムの受信器において、符号誤り率
10-9で光ＰＬＬによる受信感度劣化を３dB以内に抑える
には、最低でも 250ＭHzの光ＰＬＬ帯域幅が必要とされ
ている（コヒーレント光通信工学、108 頁、オーム社、
大越 孝敬 著、1989年）。さらに劣化を抑えるために
は、ＧHz帯の光ＰＬＬの帯域幅が望まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、これまでに
実現されている光ＰＬＬの帯域幅は、 100ＭHz程度であ
る。これをＧHz帯にまで広げるには、ループ遅延時間を
最長でも 100ｐsec 程度で、ループ長を２ｃｍ程度にす
る必要がある。そのためには、従来の光ＰＬＬで個別の
素子を用いている光電変換部品と電気回路部品を集積化
して光ＰＬＬを構成する必要があるが、現状では困難で
ある。
実現されている光ＰＬＬの帯域幅は、 100ＭHz程度であ
る。これをＧHz帯にまで広げるには、ループ遅延時間を
最長でも 100ｐsec 程度で、ループ長を２ｃｍ程度にす
る必要がある。そのためには、従来の光ＰＬＬで個別の
素子を用いている光電変換部品と電気回路部品を集積化
して光ＰＬＬを構成する必要があるが、現状では困難で
ある。
【０００６】本発明は、電気回路部品と光学部品のハイ
ブリッド集積実装を必要としない簡便な構成により光Ｐ
ＬＬのループ遅延時間を小さくし、ＧHz以上の帯域幅を
有する光ＰＬＬを実現する全光型光位相同期方法および
光位相同期光源を提供することを目的とする。
ブリッド集積実装を必要としない簡便な構成により光Ｐ
ＬＬのループ遅延時間を小さくし、ＧHz以上の帯域幅を
有する光ＰＬＬを実現する全光型光位相同期方法および
光位相同期光源を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明の全光型
光位相同期方法の動作概念を説明する図である。本発明
の全光型光位相同期方法は、レーザ光源から出力される
レーザ光（出力光）の光位相を外部から入力される信号
光（入力光）の搬送波成分の光位相に同期させるもので
ある。入力光と出力光の光位相誤差情報は、入力光と出
力光の一部を合波することにより光強度変化として得ら
れる。入力光と出力光の一部を合波した合波光をレーザ
光源のレーザ共振器中の非線形光学媒質に帰還する。
光位相同期方法の動作概念を説明する図である。本発明
の全光型光位相同期方法は、レーザ光源から出力される
レーザ光（出力光）の光位相を外部から入力される信号
光（入力光）の搬送波成分の光位相に同期させるもので
ある。入力光と出力光の光位相誤差情報は、入力光と出
力光の一部を合波することにより光強度変化として得ら
れる。入力光と出力光の一部を合波した合波光をレーザ
光源のレーザ共振器中の非線形光学媒質に帰還する。
【０００８】ここで、光位相の同期が外れかかり、図１
(b) ののように入力光と出力光の光位相差が増大して
合波光の光強度が増大すると、非線形光学媒質の屈折率
が変化する。このとき、非線形光学媒質の屈折率が合波
光強度に応じて減少するとすれば、レーザ共振器の実効
共振器長は合波光強度に応じて短くなる。その結果、発
振光周波数が高くなり（発振波長が短くなり）、入力光
との光位相差がのように小さくなる方向で引き戻され
る。
(b) ののように入力光と出力光の光位相差が増大して
合波光の光強度が増大すると、非線形光学媒質の屈折率
が変化する。このとき、非線形光学媒質の屈折率が合波
光強度に応じて減少するとすれば、レーザ共振器の実効
共振器長は合波光強度に応じて短くなる。その結果、発
振光周波数が高くなり（発振波長が短くなり）、入力光
との光位相差がのように小さくなる方向で引き戻され
る。
【０００９】図２は、請求項２の光位相同期光源の基本
構成を示す。図において、レーザ光源１１は、レーザ共
振器中にレーザ共振モード以外の他のポートより入力さ
れた光の強度に応じて屈折率が変化する非線形光学媒質
１２および光増幅媒質１３を有する。レーザ光源１１の
出力光は、光分波器１４を介して光合波光１６に入力さ
れ、外部からの入力光と合波され、その合波光が非線形
光学媒質１２に入力される。なお、以下に示す実施形態
では、光合波器１６と非線形光学媒質１２との間に、合
波光の不要な成分を除去する光フィルタが配置される
（請求項４）。
構成を示す。図において、レーザ光源１１は、レーザ共
振器中にレーザ共振モード以外の他のポートより入力さ
れた光の強度に応じて屈折率が変化する非線形光学媒質
１２および光増幅媒質１３を有する。レーザ光源１１の
出力光は、光分波器１４を介して光合波光１６に入力さ
れ、外部からの入力光と合波され、その合波光が非線形
光学媒質１２に入力される。なお、以下に示す実施形態
では、光合波器１６と非線形光学媒質１２との間に、合
波光の不要な成分を除去する光フィルタが配置される
（請求項４）。
【００１０】以下、本光位相同期光源の動作について説
明する。入力光の電界振幅をΕ1 、光周波数をω1 と
し、出力光の電界振幅をΕ2 、光周波数をω2 とする
と、 Ｅ1 ＝｜Ｅ1｜exp｛i(ω1t＋θ1)｝ …(1) Ｅ2 ＝｜Ｅ2｜exp｛i(ω2t＋θ2−π/2)｝ …(2) と表される。ここで、ω1 とω2 が非常に接近してお
り、両者の差周波数ω1 −ω2 を近似的に位相誤差とみ
なすことができるとすると、光合波器１６から出力され
る合波光強度Ιは、 Ｉ＝｜Ｅ1＋Ｅ2｜2 ＝｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 ＋2｜Ｅ1Ｅ2｜sin((ω1−ω2)t＋(θ1−θ2)) ＝｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 ＋2｜Ｅ1Ｅ2｜sin(θ(t)) …(3) となる。ただし、θ(t) ＝（ω1−ω2)ｔ＋（θ1−θ2)
であり、入力光と出力光の間の光位相差に応じて光合波
器１６の合波光強度Ιが変化する。この合波光が、レー
ザ共振器中の非線形光学媒質１２に帰還される。
明する。入力光の電界振幅をΕ1 、光周波数をω1 と
し、出力光の電界振幅をΕ2 、光周波数をω2 とする
と、 Ｅ1 ＝｜Ｅ1｜exp｛i(ω1t＋θ1)｝ …(1) Ｅ2 ＝｜Ｅ2｜exp｛i(ω2t＋θ2−π/2)｝ …(2) と表される。ここで、ω1 とω2 が非常に接近してお
り、両者の差周波数ω1 −ω2 を近似的に位相誤差とみ
なすことができるとすると、光合波器１６から出力され
る合波光強度Ιは、 Ｉ＝｜Ｅ1＋Ｅ2｜2 ＝｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 ＋2｜Ｅ1Ｅ2｜sin((ω1−ω2)t＋(θ1−θ2)) ＝｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 ＋2｜Ｅ1Ｅ2｜sin(θ(t)) …(3) となる。ただし、θ(t) ＝（ω1−ω2)ｔ＋（θ1−θ2)
であり、入力光と出力光の間の光位相差に応じて光合波
器１６の合波光強度Ιが変化する。この合波光が、レー
ザ共振器中の非線形光学媒質１２に帰還される。
【００１１】ここで、入力光の光位相θ1 が進みθ(t)
が増大すると、合波光強度Ιが増大する。すると、非線
形光学媒質１２の屈折率が小さくなり、レーザ共振器の
実効共振器長も短くなる。その結果、発振波長が短波長
側に変位し、光周波数は高くなる。このように、非線形
光学媒質１２を有するレーザ光源１１は、従来の電気Ｐ
ＬＬ回路の電圧制御発振器（ＶＣＯ）と同様の機能を果
たす。
が増大すると、合波光強度Ιが増大する。すると、非線
形光学媒質１２の屈折率が小さくなり、レーザ共振器の
実効共振器長も短くなる。その結果、発振波長が短波長
側に変位し、光周波数は高くなる。このように、非線形
光学媒質１２を有するレーザ光源１１は、従来の電気Ｐ
ＬＬ回路の電圧制御発振器（ＶＣＯ）と同様の機能を果
たす。
【００１２】式(3) より、非線形光学媒質１２の長さを
Ｌref 、合波光強度変化ΔＩに対する非線形光学媒質１
２の屈折率変化をδｎとすると、発振波長δλは、 δλ＝２δｎＬref ／ｍ …(4) だけ変化する。なお、ｍは共振器方向のモード次数であ
る。光通信システムで用いられる光波長1.55μｍの場
合、発振周波数δνは、 δν＝−2.50×1020δｎＬref ／ｍ …(5) だけ変化する。したがって、入力光の光位相θ1 が進
み、レーザ光源の出力光の光位相θ2 との光位相差θ
(t) が増大すると、合波光強度Ｉも増大して出力光の発
振周波数が高くなる。その結果、入力光と出力光の光位
相差θ(t) が再び０になる。
Ｌref 、合波光強度変化ΔＩに対する非線形光学媒質１
２の屈折率変化をδｎとすると、発振波長δλは、 δλ＝２δｎＬref ／ｍ …(4) だけ変化する。なお、ｍは共振器方向のモード次数であ
る。光通信システムで用いられる光波長1.55μｍの場
合、発振周波数δνは、 δν＝−2.50×1020δｎＬref ／ｍ …(5) だけ変化する。したがって、入力光の光位相θ1 が進
み、レーザ光源の出力光の光位相θ2 との光位相差θ
(t) が増大すると、合波光強度Ｉも増大して出力光の発
振周波数が高くなる。その結果、入力光と出力光の光位
相差θ(t) が再び０になる。
【００１３】図３は、請求項３の光位相同期光源の基本
構成である。本構成は、図２の構成において、レーザ光
源１１の非線形光学媒質１２として、合波光強度に応じ
て屈折率が増加する非線形光学媒質１２−１と、屈折率
が減少する非線形光学媒質１２−２を直列に配置したこ
とを特徴とする。なお、光合波器１６は合波光を２方向
に出力し、その一方を非線形光学媒質１２−１に入力
し、他方を非線形光学媒質１２−２に入力する。
構成である。本構成は、図２の構成において、レーザ光
源１１の非線形光学媒質１２として、合波光強度に応じ
て屈折率が増加する非線形光学媒質１２−１と、屈折率
が減少する非線形光学媒質１２−２を直列に配置したこ
とを特徴とする。なお、光合波器１６は合波光を２方向
に出力し、その一方を非線形光学媒質１２−１に入力
し、他方を非線形光学媒質１２−２に入力する。
【００１４】ここで、非線形光学媒質１２−１に入力さ
れる合波光強度Ｉ1 は、式(3) に示すものとすると、非
線形光学媒質１２−２に入力される合波光強度Ｉ2 は、 Ｉ2 ＝｜Ｅ1−Ｅ2｜2 ＝｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 −2｜Ｅ1Ｅ2｜sin((ω1−ω2)t＋(θ1−θ2)) ＝｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 −2｜Ｅ1Ｅ2｜sin(θ(t)) …(6) となる。すなわち、非線形光学媒質１２−２へは、非線
形光学媒質１２−１と比較して、位相がπずれた光位相
誤差情報が帰還される。この両者の光強度増加に対する
屈折率の変動は逆方向になる。しかし、非線形光学媒質
１２−１，１２−２の屈折率変化は逆方向に設定されて
いるので、非線形光学媒質１２−２に与える光位相誤差
情報は、非線形光学媒質１２−１と同一方向にレーザ発
振周波数を変化させる。
れる合波光強度Ｉ1 は、式(3) に示すものとすると、非
線形光学媒質１２−２に入力される合波光強度Ｉ2 は、 Ｉ2 ＝｜Ｅ1−Ｅ2｜2 ＝｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 −2｜Ｅ1Ｅ2｜sin((ω1−ω2)t＋(θ1−θ2)) ＝｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 −2｜Ｅ1Ｅ2｜sin(θ(t)) …(6) となる。すなわち、非線形光学媒質１２−２へは、非線
形光学媒質１２−１と比較して、位相がπずれた光位相
誤差情報が帰還される。この両者の光強度増加に対する
屈折率の変動は逆方向になる。しかし、非線形光学媒質
１２−１，１２−２の屈折率変化は逆方向に設定されて
いるので、非線形光学媒質１２−２に与える光位相誤差
情報は、非線形光学媒質１２−１と同一方向にレーザ発
振周波数を変化させる。
【００１５】したがって、光位相誤差情報に対するレー
ザ発振周波数変動の応答が強調される。その一方で、光
源の強度雑音によるＤＣ成分｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 の変
動の影響は２つの非線形光学媒質でそれぞれ逆方向に出
るために、これらのレーザ発振周波数変動に寄与する成
分は相殺され安定性が高まる。本構成は、バランスドレ
シーバを光位相検出器として用いたＰＬＬ（参考文献：
J.M.Kahn, et al., 1989年エレクトリックレタース、25
号、627 頁）と同等の機能を有する光ＰＬＬと言える。
ザ発振周波数変動の応答が強調される。その一方で、光
源の強度雑音によるＤＣ成分｜Ｅ1｜2 ＋｜Ｅ2｜2 の変
動の影響は２つの非線形光学媒質でそれぞれ逆方向に出
るために、これらのレーザ発振周波数変動に寄与する成
分は相殺され安定性が高まる。本構成は、バランスドレ
シーバを光位相検出器として用いたＰＬＬ（参考文献：
J.M.Kahn, et al., 1989年エレクトリックレタース、25
号、627 頁）と同等の機能を有する光ＰＬＬと言える。
【００１６】以上の全光型の構成と動作原理により、電
気ＰＬＬによる構成と同様に、外部からの入力光の光位
相と光周波数に同期したレーザ光を出力することが可能
である。
気ＰＬＬによる構成と同様に、外部からの入力光の光位
相と光周波数に同期したレーザ光を出力することが可能
である。
【００１７】なお、本発明の手法は、共振器中に光を照
射するという意味で、注入同期法による光位相同期に似
ている。注入同期法の場合は、レーザ共振モードに結合
させる光を入力させ、共振器中の振動モードの引き込み
現象を用いる。それに対して本発明は、レーザ共振モー
ドに関係なく、共振器中にある非線形光学媒質の屈折率
を光位相誤差情報を有する光で直接変調して光位相同期
を実現する方法であり、注入同期法とは異なる構成によ
り実現される。
射するという意味で、注入同期法による光位相同期に似
ている。注入同期法の場合は、レーザ共振モードに結合
させる光を入力させ、共振器中の振動モードの引き込み
現象を用いる。それに対して本発明は、レーザ共振モー
ドに関係なく、共振器中にある非線形光学媒質の屈折率
を光位相誤差情報を有する光で直接変調して光位相同期
を実現する方法であり、注入同期法とは異なる構成によ
り実現される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態…請求項１，２，４）図４は、本発明
の光位相同期光源の第１の実施形態を示す。なお、本実
施形態の構成は、図２の基本構成に対応するものであ
る。
の光位相同期光源の第１の実施形態を示す。なお、本実
施形態の構成は、図２の基本構成に対応するものであ
る。
【００１９】半導体レーザ光源２１は、非線形光学媒質
２２と半導体光増幅部２３が集積化された構成であり、
それぞれに電源２４−１，２４−２が接続される。半導
体レーザ光源２１の出力光は、光分波器２５を介してそ
の一部が帰還のために分岐される。光分波器２５で分岐
された出力光は、外部からの入力光と光合波器２６で合
波される。光合波器２６から出力される合波光は、光フ
ィルタ２７で不用なスペクトル成分が除去され、光可変
アッテネータ２８でその光強度が調整され、半導体レー
ザ光源２１の非線形光学媒質２２に入力される。なお、
非線形光学媒質２２への合波光の入力方法は、図５(a)
に示すような垂直方向からの光入力と、図５(b) に示す
ような横方向からの光入力がある。
２２と半導体光増幅部２３が集積化された構成であり、
それぞれに電源２４−１，２４−２が接続される。半導
体レーザ光源２１の出力光は、光分波器２５を介してそ
の一部が帰還のために分岐される。光分波器２５で分岐
された出力光は、外部からの入力光と光合波器２６で合
波される。光合波器２６から出力される合波光は、光フ
ィルタ２７で不用なスペクトル成分が除去され、光可変
アッテネータ２８でその光強度が調整され、半導体レー
ザ光源２１の非線形光学媒質２２に入力される。なお、
非線形光学媒質２２への合波光の入力方法は、図５(a)
に示すような垂直方向からの光入力と、図５(b) に示す
ような横方向からの光入力がある。
【００２０】ここで、入力光は、光伝送において有利な
1.55μｍの波長に設定されており、10Ｇbit/s で強度変
調されているものとする。また、半導体レーザ光源２１
にＩnＧaＡsＰ 半導体を用いており、合波光を入力する
非線形光学媒質２２も半導体を用いる。半導体非線形媒
質２２の長さは20μｍ、半導体光増幅部２３の長さは28
0μｍ、レーザ共振器全体の長さは 300μｍとなってい
る。
1.55μｍの波長に設定されており、10Ｇbit/s で強度変
調されているものとする。また、半導体レーザ光源２１
にＩnＧaＡsＰ 半導体を用いており、合波光を入力する
非線形光学媒質２２も半導体を用いる。半導体非線形媒
質２２の長さは20μｍ、半導体光増幅部２３の長さは28
0μｍ、レーザ共振器全体の長さは 300μｍとなってい
る。
【００２１】半導体レーザ光源２１を駆動する電源２４
−１は、非線形光学媒質２２を順方向にバイアスしてお
り、電源２４−２は半導体光増幅部２３に所定のバイア
スを印加している。光合波器２６は、ハーフミラーで構
成される。光フィルタ２７の帯域幅は、10ＧHzの信号成
分を除去するために６ＧHz（0.05ｎｍ）である。
−１は、非線形光学媒質２２を順方向にバイアスしてお
り、電源２４−２は半導体光増幅部２３に所定のバイア
スを印加している。光合波器２６は、ハーフミラーで構
成される。光フィルタ２７の帯域幅は、10ＧHzの信号成
分を除去するために６ＧHz（0.05ｎｍ）である。
【００２２】半導体レーザ光源２１の出力端から非線形
光学媒質２２までのループ長は約５ｃｍで、ループ遅延
は約 250ｐsec である。すなわち、遅延により制限され
る制御可能帯域は２ＧHzである。従来の電気ＰＬＬで同
程度の帯域幅を有する光ＰＬＬを構成するには、広帯域
のＲＦ電子回路部品と光素子を集積実装する必要がある
が、本発明では遅延量の小さな光部品のみで光ＰＬＬが
構成される。
光学媒質２２までのループ長は約５ｃｍで、ループ遅延
は約 250ｐsec である。すなわち、遅延により制限され
る制御可能帯域は２ＧHzである。従来の電気ＰＬＬで同
程度の帯域幅を有する光ＰＬＬを構成するには、広帯域
のＲＦ電子回路部品と光素子を集積実装する必要がある
が、本発明では遅延量の小さな光部品のみで光ＰＬＬが
構成される。
【００２３】半導体レーザ光源２１より出力される光パ
ワーは、10ｍＷ程度である。そのうちの 100分の１にあ
たる 100μＷを光分波器２５で分岐し、光合波器２６に
導く。入力光の光強度も同程度の 100μＷ程度に調節さ
れる。両者の光が合波され、半導体レーザ光源２１の非
線形光学媒質２２に入射される。非線形光学媒質２２に
合波光を入射する際には、非線形光学媒質２２の吸収係
数も同時に変化するが、屈折率の変化と同様に微小であ
り、μＷオーダでの発振強度変化は無視できる。そのた
め、強度雑音が光ＰＬＬの系に重大な悪影響を及ぼすこ
とはない。
ワーは、10ｍＷ程度である。そのうちの 100分の１にあ
たる 100μＷを光分波器２５で分岐し、光合波器２６に
導く。入力光の光強度も同程度の 100μＷ程度に調節さ
れる。両者の光が合波され、半導体レーザ光源２１の非
線形光学媒質２２に入射される。非線形光学媒質２２に
合波光を入射する際には、非線形光学媒質２２の吸収係
数も同時に変化するが、屈折率の変化と同様に微小であ
り、μＷオーダでの発振強度変化は無視できる。そのた
め、強度雑音が光ＰＬＬの系に重大な悪影響を及ぼすこ
とはない。
【００２４】ここで、合波される出力光と入力光の位相
が 0.1rad ずれると、光強度は62μＷ変化する。これが
光フィルタ２７および光可変アッテネータ２８を通過し
て非線形光学媒質２２に帰還される。
が 0.1rad ずれると、光強度は62μＷ変化する。これが
光フィルタ２７および光可変アッテネータ２８を通過し
て非線形光学媒質２２に帰還される。
【００２５】非線形光学媒質２２は、レーザ発振モード
の光を吸収する。レーザ発振は、この吸収より大きい利
得を有する半導体光増幅部２３の寄与により実現してい
る状態である。レーザ発振モードの光を吸収している非
線形光学媒質２２中では、図６(a) に示すように、少数
キャリヤ密度が空間的な分布を有する。図６(b) に示す
ように、1.5 μｍ帯の波長で用いられる半導体レーザ材
料は、２×1018ｃｍ-3の少数キャリヤ密度で吸収係数が
０になる。非線形光学媒質２２の光増幅部側ではこの程
度の少数キャリヤ密度になっている。しかし、非線形光
学媒質２２の光吸収により光が減衰し、外側の少数キャ
リヤ密度は入力側の３／４にまで減少している。その結
果、非線形光学媒質質２２の外側部分の吸収係数はα＝
25ｃｍ-1程度である。
の光を吸収する。レーザ発振は、この吸収より大きい利
得を有する半導体光増幅部２３の寄与により実現してい
る状態である。レーザ発振モードの光を吸収している非
線形光学媒質２２中では、図６(a) に示すように、少数
キャリヤ密度が空間的な分布を有する。図６(b) に示す
ように、1.5 μｍ帯の波長で用いられる半導体レーザ材
料は、２×1018ｃｍ-3の少数キャリヤ密度で吸収係数が
０になる。非線形光学媒質２２の光増幅部側ではこの程
度の少数キャリヤ密度になっている。しかし、非線形光
学媒質２２の光吸収により光が減衰し、外側の少数キャ
リヤ密度は入力側の３／４にまで減少している。その結
果、非線形光学媒質質２２の外側部分の吸収係数はα＝
25ｃｍ-1程度である。
【００２６】この非線形光学媒質２２の外側10μｍの領
域に、合波光をレーザ共振器から見て側面より照射す
る。ここで、合波光強度がΔＩ変化したとすると、その
領域の少数キャリヤ密度の変化分ΔＮ(I) は、
域に、合波光をレーザ共振器から見て側面より照射す
る。ここで、合波光強度がΔＩ変化したとすると、その
領域の少数キャリヤ密度の変化分ΔＮ(I) は、
【００２７】
【数１】
【００２８】である。ただし、Ｌはレーザ共振器の共振
器幅（合波光の入射面から見た媒質の奥行き）でＬ＝２
μｍ、Ｓは合波光入射面積でＳ＝10×0.05〔μｍ2〕(非
線形光学媒質２２の膜厚を0.05μｍと仮定）、ξは合波
光のうち非線形光学媒質２２に入射される光パワーの割
合でξ＝0.05、ｈはプランク定数でｈ＝6.626 ×10-34
〔Ｊ・ｓ〕、ｃは光速でｃ＝３×108 〔ｍ／ｓ〕、ｎは
非線形光学媒質２２の線形屈折率でInGaAsP の場合はｎ
＝３、λは合波光波長でλ＝1.55〔μｍ〕、τnはInGaA
sP の室温での電子寿命でτn ≒１〔ｎｓ〕である。
器幅（合波光の入射面から見た媒質の奥行き）でＬ＝２
μｍ、Ｓは合波光入射面積でＳ＝10×0.05〔μｍ2〕(非
線形光学媒質２２の膜厚を0.05μｍと仮定）、ξは合波
光のうち非線形光学媒質２２に入射される光パワーの割
合でξ＝0.05、ｈはプランク定数でｈ＝6.626 ×10-34
〔Ｊ・ｓ〕、ｃは光速でｃ＝３×108 〔ｍ／ｓ〕、ｎは
非線形光学媒質２２の線形屈折率でInGaAsP の場合はｎ
＝３、λは合波光波長でλ＝1.55〔μｍ〕、τnはInGaA
sP の室温での電子寿命でτn ≒１〔ｎｓ〕である。
【００２９】ここで、合波光の光強度が62μＷ変化した
とすると、式(7) よりΔＮ＝2.40×1016〔ｃｍ-3〕だけ
非線形光学媒質２２中の少数キャリヤ密度が増加する。
少数キャリヤ密度が増加すると、電子−正孔プラズマ効
果により半導体の屈折率が小さくなる。これを定式化す
ると、屈折率変化量δｎは、 δｎ＝（Δｎ／ΔＮ)semiΔＮ(I) …(8) となる。ただし、（Δｎ／ΔＮ)semi は屈折率と半導体
の少数キャリヤ密度の比で、通常は（Δｎ／ΔＮ)semi
＝−10-20〔ｃｍ3 〕である。ΔＮ(I) は半導体が反転
分布状態でない限り、合波光強度Ｉに対して増加関数で
ある。その結果、屈折率は、δｎ＝（Δｎ／ΔＮ)semi
ΔＮ(I)＝2.40×10-4だけ減少する。
とすると、式(7) よりΔＮ＝2.40×1016〔ｃｍ-3〕だけ
非線形光学媒質２２中の少数キャリヤ密度が増加する。
少数キャリヤ密度が増加すると、電子−正孔プラズマ効
果により半導体の屈折率が小さくなる。これを定式化す
ると、屈折率変化量δｎは、 δｎ＝（Δｎ／ΔＮ)semiΔＮ(I) …(8) となる。ただし、（Δｎ／ΔＮ)semi は屈折率と半導体
の少数キャリヤ密度の比で、通常は（Δｎ／ΔＮ)semi
＝−10-20〔ｃｍ3 〕である。ΔＮ(I) は半導体が反転
分布状態でない限り、合波光強度Ｉに対して増加関数で
ある。その結果、屈折率は、δｎ＝（Δｎ／ΔＮ)semi
ΔＮ(I)＝2.40×10-4だけ減少する。
【００３０】そのため、半導体レーザ光源２１の実効共
振器長が短くなり、レーザ発振光周波数δνは、レーザ
発振の縦モード次数ｍを1200とすると、 δν＝−2.50×1020δｎＬref ／ｍ ＝−2.50×1020×(2.40×10-4)×10-5／1200 ＝−５×108 〔Hz〕 だけ瞬時に変化する。すなわち、発振光周波数が高くな
ることにより入力光の光位相に追随し、最終的に入力光
の光位相に同期する。
振器長が短くなり、レーザ発振光周波数δνは、レーザ
発振の縦モード次数ｍを1200とすると、 δν＝−2.50×1020δｎＬref ／ｍ ＝−2.50×1020×(2.40×10-4)×10-5／1200 ＝−５×108 〔Hz〕 だけ瞬時に変化する。すなわち、発振光周波数が高くな
ることにより入力光の光位相に追随し、最終的に入力光
の光位相に同期する。
【００３１】また、図７に示すように、光ＰＬＬの光回
路をＰＬＣ基板３１上に構成し、かつ非線形光学媒質２
２を集積化した半導体レーザ光源２１もＰＬＣ基板３１
上のマウントすると、ループ長を１ｃｍ以下にできる。
これにより、光ＰＬＬの動作帯域幅をさらに広帯域化す
ることができる。
路をＰＬＣ基板３１上に構成し、かつ非線形光学媒質２
２を集積化した半導体レーザ光源２１もＰＬＣ基板３１
上のマウントすると、ループ長を１ｃｍ以下にできる。
これにより、光ＰＬＬの動作帯域幅をさらに広帯域化す
ることができる。
【００３２】（第２の実施形態…請求項１，２，４）図
８は、本発明の光位相同期光源の第２の実施形態を示
す。なお、本実施形態の構成は、図２の基本構成に対応
するものである。
８は、本発明の光位相同期光源の第２の実施形態を示
す。なお、本実施形態の構成は、図２の基本構成に対応
するものである。
【００３３】本実施形態の特徴は、第１の実施形態にお
いて集積化されていた非線形光学媒質２２と半導体光増
幅部２３を分離し、外部共振器構造の半導体レーザ光源
４１を構成するところにある。この半導体レーザ光源４
１は、非線形光学媒質２２、半導体光増幅部２３、反射
ミラー４２および光アイソレータ４３を用いてリング共
振器を構成する。
いて集積化されていた非線形光学媒質２２と半導体光増
幅部２３を分離し、外部共振器構造の半導体レーザ光源
４１を構成するところにある。この半導体レーザ光源４
１は、非線形光学媒質２２、半導体光増幅部２３、反射
ミラー４２および光アイソレータ４３を用いてリング共
振器を構成する。
【００３４】半導体光増幅部２３の長さは600 μｍ、非
線形光学媒質２２の長さは100 μｍ、リング共振器長は
10ｃｍである。レーザ光源の共振器長が長いために、発
振光の光周波数の安定性に優れ、発振線幅は数十ｋHzに
まで狭窄化されている。しかし、第１の実施形態と比較
して合波光の光強度変化に対する半導体レーザ光源４１
の発振光周波数変化は小さくなる。
線形光学媒質２２の長さは100 μｍ、リング共振器長は
10ｃｍである。レーザ光源の共振器長が長いために、発
振光の光周波数の安定性に優れ、発振線幅は数十ｋHzに
まで狭窄化されている。しかし、第１の実施形態と比較
して合波光の光強度変化に対する半導体レーザ光源４１
の発振光周波数変化は小さくなる。
【００３５】第１の実施形態と同様に、100 μＷ程度の
入力光と同程度の出力光を合波させ、両者の光位相が
0.1rad ずれると光強度は62μＷ変化する。これを面積
Ｓ＝２×0.05μｍ2 、奥行き100 μｍの領域に入射す
る。ここで、５％の合波光が非線形光学媒質２２に入力
されるとする。その場合は、非線形光学媒質２２の屈折
率は第１の実施形態と同様に、δｎ＝（Δｎ／ΔＮ)
semiΔＮ(I)＝2.4 ×10-5だけ減少する。したがって、
半導体レーザ光源４１の発振周波数は、レーザ発振の縦
モード次数ｍを147,000 とすると、 δν＝−2.50×1020δｎＬref ／ｍ ＝−4.08×106 〔Hz〕 変化する。その結果、入力光の光位相に追随し光位相同
期が達成される。ただし、外部共振器構造で共振器長が
長いため、発振周波数の変化は第１の実施形態に比べて
小さい。そのため、合波光の入力パワーを大きくして光
位相同期を実現する必要がある。なお、合波光は共振器
中に入射されるが、レーザ発振モードと逆方向であるた
め、レーザ共振器中の注入同期で光位相同期が実現され
ることはない。また、レーザ発振方向は、共振器中に挿
入された光アイソレータ４３で決定されている。
入力光と同程度の出力光を合波させ、両者の光位相が
0.1rad ずれると光強度は62μＷ変化する。これを面積
Ｓ＝２×0.05μｍ2 、奥行き100 μｍの領域に入射す
る。ここで、５％の合波光が非線形光学媒質２２に入力
されるとする。その場合は、非線形光学媒質２２の屈折
率は第１の実施形態と同様に、δｎ＝（Δｎ／ΔＮ)
semiΔＮ(I)＝2.4 ×10-5だけ減少する。したがって、
半導体レーザ光源４１の発振周波数は、レーザ発振の縦
モード次数ｍを147,000 とすると、 δν＝−2.50×1020δｎＬref ／ｍ ＝−4.08×106 〔Hz〕 変化する。その結果、入力光の光位相に追随し光位相同
期が達成される。ただし、外部共振器構造で共振器長が
長いため、発振周波数の変化は第１の実施形態に比べて
小さい。そのため、合波光の入力パワーを大きくして光
位相同期を実現する必要がある。なお、合波光は共振器
中に入射されるが、レーザ発振モードと逆方向であるた
め、レーザ共振器中の注入同期で光位相同期が実現され
ることはない。また、レーザ発振方向は、共振器中に挿
入された光アイソレータ４３で決定されている。
【００３６】（第３の実施形態…請求項１，２，４）図
９は、本発明の光位相同期光源の第３の実施形態を示
す。なお、本実施形態の構成は、図２の基本構成に対応
するものである。
９は、本発明の光位相同期光源の第３の実施形態を示
す。なお、本実施形態の構成は、図２の基本構成に対応
するものである。
【００３７】本実施形態の特徴は、第２の実施形態にお
ける半導体光増幅部２３の代わりに、希土類添加ガラス
４４を用いるところにある。半導体励起光源４５−１，
４５−２から出力される励起光は、希土類添加ガラス４
４を介して光終端器４６で終端される。
ける半導体光増幅部２３の代わりに、希土類添加ガラス
４４を用いるところにある。半導体励起光源４５−１，
４５−２から出力される励起光は、希土類添加ガラス４
４を介して光終端器４６で終端される。
【００３８】希土類添加ガラス４４は10ｃｍ、光屈折部
長は50μｍ、共振器長は15ｃｍである。半導体励起光源
４５単体の出力は 200ｍＷ程度で、これが２個用いられ
ている。本光源は、高出力、高コヒーレンス光源である
ことを特徴とし、平均出力10ｍＷ、数十ｋHz程度の発振
線幅を実現する。ただし、共振器長が20ｃｍと長いため
に、合波光に対する発振光周波数の変調度は第１の実施
形態の場合ほど大きくない。
長は50μｍ、共振器長は15ｃｍである。半導体励起光源
４５単体の出力は 200ｍＷ程度で、これが２個用いられ
ている。本光源は、高出力、高コヒーレンス光源である
ことを特徴とし、平均出力10ｍＷ、数十ｋHz程度の発振
線幅を実現する。ただし、共振器長が20ｃｍと長いため
に、合波光に対する発振光周波数の変調度は第１の実施
形態の場合ほど大きくない。
【００３９】（第４の実施形態…請求項１，３，４）図
１０は、本発明の光位相同期光源の第４の実施形態を示
す。なお、本実施形態の構成は、図３の基本構成に対応
するものである。
１０は、本発明の光位相同期光源の第４の実施形態を示
す。なお、本実施形態の構成は、図３の基本構成に対応
するものである。
【００４０】本実施形態の特徴は、第１の実施形態にお
ける非線形光学媒質２２を２つの領域に分割したところ
にある。非線形光学媒質２２−１，２２−２に印加する
バイアス電圧を変化させて、非線形光学媒質２２−１で
は合波光強度に応じて屈折率が減少し、非線形光学媒質
２２−２では合波光強度に応じて屈折率が同じ割合で増
加するように設定する。
ける非線形光学媒質２２を２つの領域に分割したところ
にある。非線形光学媒質２２−１，２２−２に印加する
バイアス電圧を変化させて、非線形光学媒質２２−１で
は合波光強度に応じて屈折率が減少し、非線形光学媒質
２２−２では合波光強度に応じて屈折率が同じ割合で増
加するように設定する。
【００４１】非線形光学媒質２２−２において、合波光
強度の増大に応じて非線形光学媒質中の屈折率を増大さ
せるには、バイアス電圧を順方向に印加して非線形光学
媒質中に反転分布状態を生成する。その場合、合波光強
度が増大すると、誘導放出により励起電子数が減少す
る。これにより、合波光強度の増大に応じて非線形光学
媒質中の屈折率を増大させることができる。
強度の増大に応じて非線形光学媒質中の屈折率を増大さ
せるには、バイアス電圧を順方向に印加して非線形光学
媒質中に反転分布状態を生成する。その場合、合波光強
度が増大すると、誘導放出により励起電子数が減少す
る。これにより、合波光強度の増大に応じて非線形光学
媒質中の屈折率を増大させることができる。
【００４２】ここで、入力光は、光伝送において有利な
1.55μｍの波長に設定されており、10Ｇbit/s で強度変
調されているものとする。また、非線形光学媒質２２−
１，２２−２の長さはそれぞれ20μｍであり、半導体光
増幅部２３の長さは260 μｍ、レーザ共振器全体の長さ
は300 μｍである。
1.55μｍの波長に設定されており、10Ｇbit/s で強度変
調されているものとする。また、非線形光学媒質２２−
１，２２−２の長さはそれぞれ20μｍであり、半導体光
増幅部２３の長さは260 μｍ、レーザ共振器全体の長さ
は300 μｍである。
【００４３】半導体レーザ光源４１を駆動する電源２４
−２，２４−３は、非線形光学媒質２２−２と半導体光
増幅部２３を順方向にバイアスして利得を有するように
し、電源２３−１は非線形光学媒質２２−１が吸収とな
るようにしている。光フィルタ２７−１，２７−２の帯
域幅は、10ＧHzの信号成分を除去するために６ＧHz（0.
05ｎｍ）である。
−２，２４−３は、非線形光学媒質２２−２と半導体光
増幅部２３を順方向にバイアスして利得を有するように
し、電源２３−１は非線形光学媒質２２−１が吸収とな
るようにしている。光フィルタ２７−１，２７−２の帯
域幅は、10ＧHzの信号成分を除去するために６ＧHz（0.
05ｎｍ）である。
【００４４】半導体レーザ光源４１の出力端から非線形
光学媒質２２−１，２２−２までのループ長は約５ｃｍ
で、ループ遅延は約 250ｐsec である。すなわち、遅延
により制限される制御可能帯域は２ＧHzである。
光学媒質２２−１，２２−２までのループ長は約５ｃｍ
で、ループ遅延は約 250ｐsec である。すなわち、遅延
により制限される制御可能帯域は２ＧHzである。
【００４５】半導体レーザ光源４１より出力される光パ
ワーは、10ｍＷ程度である。そのうちの 100分の１にあ
たる 100μＷを光分波器２５で分岐し、光合波器２６に
導く。入力光の光強度も同程度の 100μＷ程度に調節さ
れる。両者の光が合波され、半導体レーザ光源４１の非
線形光学媒質２２−１，２２−２に入射される。非線形
光学媒質２２−１では、合波光強度Ｉの増大に伴い屈折
率が減少し、非線形光学媒質２２−２ではそれの逆の動
作が実現されている。
ワーは、10ｍＷ程度である。そのうちの 100分の１にあ
たる 100μＷを光分波器２５で分岐し、光合波器２６に
導く。入力光の光強度も同程度の 100μＷ程度に調節さ
れる。両者の光が合波され、半導体レーザ光源４１の非
線形光学媒質２２−１，２２−２に入射される。非線形
光学媒質２２−１では、合波光強度Ｉの増大に伴い屈折
率が減少し、非線形光学媒質２２−２ではそれの逆の動
作が実現されている。
【００４６】第１の実施形態の場合と同様に、レーザ共
振器の外側に各非線形光学媒質中の共振器方向10μｍ、
厚さ0.5 μｍの領域に合波光を照射し、その領域の少数
キャリヤ密度、ひいては屈折率を変化させる。このと
き、共振器長が同じ 300μｍで、レーザ発振周波数を変
化させる領域全体の長さがちょうど２倍のＬref ＝20
（μｍ）になるので、発振光周波数も同じ合波光強度に
対して倍変化する。
振器の外側に各非線形光学媒質中の共振器方向10μｍ、
厚さ0.5 μｍの領域に合波光を照射し、その領域の少数
キャリヤ密度、ひいては屈折率を変化させる。このと
き、共振器長が同じ 300μｍで、レーザ発振周波数を変
化させる領域全体の長さがちょうど２倍のＬref ＝20
（μｍ）になるので、発振光周波数も同じ合波光強度に
対して倍変化する。
【００４７】ここで、合波される出力光と入力光の位相
が 0.1rad ずれると、光強度は62μＷ変化する。これが
光フィルタ２７−１，２７−２および光可変アッテネー
タ２８−１，２８−２を通過し、合波光全体の内５％が
非線形光学媒質２２−１，２２−２に帰還されると、レ
ーザ発振光周波数δνは、レーザ発振の縦モード次数ｍ
を1200とすると、 δν＝−2.50×1020δｎＬref ／ｍ ＝−2.50×1020×(2.40×10-4)×２×10-5／1200 ＝−109 〔Hz〕 だけ瞬時に高くなり、入力光位相に追随する。
が 0.1rad ずれると、光強度は62μＷ変化する。これが
光フィルタ２７−１，２７−２および光可変アッテネー
タ２８−１，２８−２を通過し、合波光全体の内５％が
非線形光学媒質２２−１，２２−２に帰還されると、レ
ーザ発振光周波数δνは、レーザ発振の縦モード次数ｍ
を1200とすると、 δν＝−2.50×1020δｎＬref ／ｍ ＝−2.50×1020×(2.40×10-4)×２×10-5／1200 ＝−109 〔Hz〕 だけ瞬時に高くなり、入力光位相に追随する。
【００４８】このように、本実施形態では、合波光強度
に応じて、屈折率が正負に変化する非線形光学媒質を半
導体レーザ光源中に有しており、合波光強度の強度雑音
によるレーザ発振周波数変動を抑圧できる構成になって
いる。そのため、第１の実施形態と比較しより安定な光
位相同期を実現することができる。
に応じて、屈折率が正負に変化する非線形光学媒質を半
導体レーザ光源中に有しており、合波光強度の強度雑音
によるレーザ発振周波数変動を抑圧できる構成になって
いる。そのため、第１の実施形態と比較しより安定な光
位相同期を実現することができる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の全光型光
位相同期方法および光位相同期光源は、外部からの入力
光の光位相と光周波数に同期するレーザ光を出力する光
源を全光型光ＰＬＬにより実現することができる。その
結果、ＰＬＬ長の短尺化が容易になり、光ＰＬＬの引き
込み幅の広帯域化を図ることができる。
位相同期方法および光位相同期光源は、外部からの入力
光の光位相と光周波数に同期するレーザ光を出力する光
源を全光型光ＰＬＬにより実現することができる。その
結果、ＰＬＬ長の短尺化が容易になり、光ＰＬＬの引き
込み幅の広帯域化を図ることができる。
【図１】本発明の全光型光位相同期方法の動作概念を説
明する図。
明する図。
【図２】請求項２の光位相同期光源の基本構成を示すブ
ロック図。
ロック図。
【図３】請求項３の光位相同期光源の基本構成を示すブ
ロック図。
ロック図。
【図４】本発明の光位相同期光源の第１の実施形態を示
すブロック図。
すブロック図。
【図５】合波光の入射位置を示す図。
【図６】非線形光学媒質および半導体光増幅部の機能を
説明する図。
説明する図。
【図７】本発明の光位相同期光源の第１の実施形態の変
形例を示すブロック図。
形例を示すブロック図。
【図８】本発明の光位相同期光源の第２の実施形態を示
すブロック図。
すブロック図。
【図９】本発明の光位相同期光源の第３の実施形態を示
すブロック図。
すブロック図。
【図１０】本発明の光位相同期光源の第４の実施形態を
示すブロック図。
示すブロック図。
１１ レーザ光源
１２ 非線形光学媒質
１３ 光増幅媒質
１４ 光分波器
１６ 光合波器
２１，４１ 半導体レーザ光源
２２ 非線形光学媒質
２３ 半導体光増幅部
２４ 電源
２５ 光分波器
２６ 光合波器
２７ 光フィルタ
２８ 光可変アッテネータ
３１ ＰＬＣ基板
４２ 反射ミラー
４３ 光アイソレータ
４４ 希土類添加ガラス
４５ 半導体励起光源
４６ 光終端器
Claims (4)
- 【請求項１】 外部から入力される信号光（以下「入力
光」という）の搬送波成分の光位相に同期したレーザ光
（以下「出力光」という）を出力する光位相同期方法に
おいて、 前記出力光を発生するレーザ光源として、レーザ共振器
中に非線形光学媒質を配置したレーザ光源を用い、 前記入力光と前記出力光を合波し、前記入力光と前記出
力光の光位相誤差情報をその合波光の光強度に変換し、 前記合波光を前記レーザ光源の非線形光学媒質に帰還
し、非線形光学媒質の屈折率を変化させてレーザ光源の
実効共振器長を変化させ、さらに発振光周波数を変化さ
せて前記出力光の光位相を前記入力光の光位相に同期さ
せることを特徴とする全光型光位相同期方法。 - 【請求項２】 レーザ共振器中に、レーザ共振モード以
外の他のポートより入力された光の強度に応じて屈折率
が変化する非線形光学媒質を有するレーザ光源と、 入力光と出力光を合波する光合波器と、 前記光合波器から出力される合波光を前記レーザ光源の
非線形光学媒質に入力する光回路とを備えたことを特徴
とする光位相同期光源。 - 【請求項３】 レーザ共振器中に、レーザ共振モード以
外の他のポートより入力された光の強度に応じて屈折率
が増加する第１の非線形光学媒質および屈折率が減少す
る第２の非線形光学媒質を有するレーザ光源と、 入力光と出力光を合波する光合波器と、 前記光合波器から出力される合波光を前記第１の非線形
光学媒質に入力し、その合波光に対して位相がπずれた
光位相誤差情報を有する合波光を前記第２の非線形光学
媒質に入力する光回路とを備えたことを特徴とする光位
相同期光源。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載の光位相
同期光源において、 合波光から、入力光と出力光の合波によって発生した不
要な光スペクトル成分を除去する光フィルタを備えたこ
とを特徴とする光位相同期光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15403297A JP3434169B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 全光型光位相同期方法および光位相同期光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15403297A JP3434169B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 全光型光位相同期方法および光位相同期光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH112846A JPH112846A (ja) | 1999-01-06 |
| JP3434169B2 true JP3434169B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=15575426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15403297A Expired - Fee Related JP3434169B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 全光型光位相同期方法および光位相同期光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3434169B2 (ja) |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP15403297A patent/JP3434169B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH112846A (ja) | 1999-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5777778A (en) | Multi-Loop opto-electronic microwave oscillator with a wide tuning range | |
| Yao et al. | Coupled optoelectronic oscillators for generating both RF signal and optical pulses | |
| JP4163630B2 (ja) | 光−電子発振器に基づく原子時計 | |
| US6873631B2 (en) | Integrated opto-electronic oscillators having optical resonators | |
| US9088369B2 (en) | Self injection locked phase locked looped optoelectronic oscillator | |
| US5929430A (en) | Coupled opto-electronic oscillator | |
| JP3443534B2 (ja) | 原子周波数標準レーザパルス発振器 | |
| US20050018724A1 (en) | Optical frequency synthesizer | |
| JP4951762B2 (ja) | パルスレーザ光源 | |
| JP3772650B2 (ja) | モード同期半導体レーザの駆動方法及び装置 | |
| US5751193A (en) | Rubidium atomic oscillator with laser diode wavelength adjustment | |
| US7026594B2 (en) | Method and device for producing radio frequency waves | |
| JP3089253B2 (ja) | ファブリペローフィルターを用いた再生モード同期レーザ | |
| JP3434169B2 (ja) | 全光型光位相同期方法および光位相同期光源 | |
| CA2228384C (en) | Novel opto-electronic oscillators | |
| JP3573334B2 (ja) | 光発生方法及び光源 | |
| JP3571539B2 (ja) | 光パルス発生装置 | |
| US7324256B1 (en) | Photonic oscillator | |
| JP3803748B2 (ja) | 光学的ミリ波あるいはサブミリ波の発生装置 | |
| JP4956749B2 (ja) | 超高精度光位相同期システム | |
| Li et al. | Optically generated dynamically tunable, low noise millimeter wave signals using microchip solid state lasers | |
| Seeds | Photonic techniques for microwave frequency synthesis | |
| US11336377B1 (en) | Millimeter-wave frequency synthesizer based on microcomb photomixing, and associated methods | |
| Zhai et al. | Optical Frequency Comb Generation Based on Optoelectronic Oscillator and Fabry-Perot Phase Modulator | |
| Yao et al. | Opto-electronic oscillators having optical resonators |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100530 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100530 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |