JP3433004B2 - 直流ガス絶縁母線 - Google Patents
直流ガス絶縁母線Info
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- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
- H02G5/063—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings filled with oil or gas
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- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、直流高電圧導体
を内側に配置した金属製円筒容器内に存在する金属異物
を捕獲する直流ガス絶縁母線に関するものである。
を内側に配置した金属製円筒容器内に存在する金属異物
を捕獲する直流ガス絶縁母線に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガス絶縁母線は絶縁の信頼性が高いが、
万一金属異物が内部に混入、あるいは生成する場合には
絶縁性能が低下するため、金属異物を捕獲する金属異物
捕獲器を備えるような配慮がされている。図１４は従来
のガス絶縁母線内の金属異物を捕獲する金属異物捕獲器
を備えたガス絶縁母線の断面図である。これと同様な構
成は、例えば特開昭５５ー１３６８１０号公報及び実開
昭６１ー２０５２０６号公報に示されている。図１４に
示すように、金属製円筒容器１内に設けられた高電圧導
体２が課電されるとき、金属製円筒容器１内に存在する
金属異物３は、電荷を帯びて運動軌跡イで例示するよう
に浮上する。
万一金属異物が内部に混入、あるいは生成する場合には
絶縁性能が低下するため、金属異物を捕獲する金属異物
捕獲器を備えるような配慮がされている。図１４は従来
のガス絶縁母線内の金属異物を捕獲する金属異物捕獲器
を備えたガス絶縁母線の断面図である。これと同様な構
成は、例えば特開昭５５ー１３６８１０号公報及び実開
昭６１ー２０５２０６号公報に示されている。図１４に
示すように、金属製円筒容器１内に設けられた高電圧導
体２が課電されるとき、金属製円筒容器１内に存在する
金属異物３は、電荷を帯びて運動軌跡イで例示するよう
に浮上する。
【０００３】この場合、交流電圧が高電圧導体２に印加
されるときは、金属異物３が金属製円筒容器１の軸方向
に移動し、運動軌跡ロで例示するように金属製円筒容器
１の下部に設けられた第一のトラップ４とスリットを有
する第二のトラップ５とからなる金属異物捕獲器６に捕
獲される。これに対して、正極性直流高電圧が高電圧導
体２に印加されるときは、図１５の運動軌跡ハで例示す
るように金属異物３が金属製円筒容器１の軸方向に移動
し、運動軌跡ニで例示するように金属製円筒容器１の下
部に設けられた金属異物捕獲器６に捕獲される。しか
し、負極性直流高電圧が高電圧導体２に印加されるとき
は、図１６の運動軌跡ホで例示するように金属異物３が
浮上し、高電圧導体２の表面に沿って移動して金属異物
捕獲器６を飛び越えるため、金属異物３が捕獲されな
い。
されるときは、金属異物３が金属製円筒容器１の軸方向
に移動し、運動軌跡ロで例示するように金属製円筒容器
１の下部に設けられた第一のトラップ４とスリットを有
する第二のトラップ５とからなる金属異物捕獲器６に捕
獲される。これに対して、正極性直流高電圧が高電圧導
体２に印加されるときは、図１５の運動軌跡ハで例示す
るように金属異物３が金属製円筒容器１の軸方向に移動
し、運動軌跡ニで例示するように金属製円筒容器１の下
部に設けられた金属異物捕獲器６に捕獲される。しか
し、負極性直流高電圧が高電圧導体２に印加されるとき
は、図１６の運動軌跡ホで例示するように金属異物３が
浮上し、高電圧導体２の表面に沿って移動して金属異物
捕獲器６を飛び越えるため、金属異物３が捕獲されな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のガ
ス絶縁母線では、このように負極性直流高電圧が高電圧
導体２に印加された場合に、金属製円筒容器１内に存在
する金属異物３は、浮上と同時に高電圧導体２の表面に
沿って移動して金属異物捕獲器６を飛び越えるため、金
属異物３が捕獲されない。この状態で衝撃電圧等の過電
圧が侵入すると、金属異物３から金属製円筒容器１に放
電するために、直流ガス絶縁母線の絶縁性能が著しく低
下するという問題点があった。
ス絶縁母線では、このように負極性直流高電圧が高電圧
導体２に印加された場合に、金属製円筒容器１内に存在
する金属異物３は、浮上と同時に高電圧導体２の表面に
沿って移動して金属異物捕獲器６を飛び越えるため、金
属異物３が捕獲されない。この状態で衝撃電圧等の過電
圧が侵入すると、金属異物３から金属製円筒容器１に放
電するために、直流ガス絶縁母線の絶縁性能が著しく低
下するという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る直流ガス
絶縁母線においては、絶縁性ガスを封入した金属性円筒
容器、この金属性円筒容器の内側にその中心軸に沿うよ
うに設けられ上記金属円筒容器に対して負極性直流高電
圧が印加される高電圧導体、この高電圧導体の所定の箇
所に低電界を形成するように設けられた低電界部、この
低電界部の下方で上記金属性円筒容器に設けられ金属異
物を捕獲する金属異物捕獲器を備えたものである。
絶縁母線においては、絶縁性ガスを封入した金属性円筒
容器、この金属性円筒容器の内側にその中心軸に沿うよ
うに設けられ上記金属円筒容器に対して負極性直流高電
圧が印加される高電圧導体、この高電圧導体の所定の箇
所に低電界を形成するように設けられた低電界部、この
低電界部の下方で上記金属性円筒容器に設けられ金属異
物を捕獲する金属異物捕獲器を備えたものである。
【０００６】また、高電圧導体の下部に低電界を形成す
るように設けた開口部を備えたものである。
るように設けた開口部を備えたものである。
【０００７】また、高電圧導体は内部導体と着脱導体と
を有し低電界を形成するように着脱導体の外径を内部導
体の外径より大きくして低電界部を備えたものである。
を有し低電界を形成するように着脱導体の外径を内部導
体の外径より大きくして低電界部を備えたものである。
【０００８】また、内部導体の外径より大きい径を有す
る着脱導体の下部に低電界を形成するように設けた開口
部を備えたものである。
る着脱導体の下部に低電界を形成するように設けた開口
部を備えたものである。
【０００９】また、絶縁性ガスを封入した金属製円筒容
器、金属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、高電圧導体に接続する接続部を介し
て高電圧導体を金属製円筒容器に支持する絶縁スペー
サ、接続部及び接続部近傍の高電圧導体を覆い高電圧導
体との間に低電界部を形成する電界緩和シールド、電界
緩和シールドの低電界部の下方で金属製円筒容器に設け
られ金属異物を捕獲する金属異物捕獲器を備えたもので
ある。
器、金属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、高電圧導体に接続する接続部を介し
て高電圧導体を金属製円筒容器に支持する絶縁スペー
サ、接続部及び接続部近傍の高電圧導体を覆い高電圧導
体との間に低電界部を形成する電界緩和シールド、電界
緩和シールドの低電界部の下方で金属製円筒容器に設け
られ金属異物を捕獲する金属異物捕獲器を備えたもので
ある。
【００１０】また、絶縁性ガスを封入した金属製円筒容
器、金属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、高電圧導体に接続する接続部を介し
て高電圧導体を金属製円筒容器に支持する絶縁スペー
サ、接続部及び接続部近傍の高電圧導体を覆い高電圧導
体との間に低電界部を形成する電界緩和シールド、電界
緩和シールドの高電圧導体側の端部に高電圧導体の外周
に沿う導入口を有し金属異物を捕獲する第１の金属異物
捕獲器、電界緩和シールドの低電界部の下方で金属製円
筒容器に設けられ金属異物を捕獲する第２の金属異物捕
獲器を備えたものである。
器、金属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、高電圧導体に接続する接続部を介し
て高電圧導体を金属製円筒容器に支持する絶縁スペー
サ、接続部及び接続部近傍の高電圧導体を覆い高電圧導
体との間に低電界部を形成する電界緩和シールド、電界
緩和シールドの高電圧導体側の端部に高電圧導体の外周
に沿う導入口を有し金属異物を捕獲する第１の金属異物
捕獲器、電界緩和シールドの低電界部の下方で金属製円
筒容器に設けられ金属異物を捕獲する第２の金属異物捕
獲器を備えたものである。
【００１１】さらにまた、電界緩和シールドの下部に低
電界を形成するように設けた開口部を備えたものであ
る。
電界を形成するように設けた開口部を備えたものであ
る。
【００１２】
実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す直
流ガス絶縁母線の断面図である。図１において、７は
鉄、アルミニウムなどからなる金属製円筒容器で、内部
にＳＦ6ガスなどの絶縁性ガスを封入している。８は
銅、アルミニウムなどの導電材料からなる高電圧導体
で、金属製円筒容器７の内側にその中心軸に沿うように
設けられ、金属製円筒容器７に対して負極性直流高電
圧、例えば直流５００ｋVが印加される。９は高電圧導
体８の下部に形成した低電界部で、図２または図３に示
すように例えば高電圧導体８の外径の半分程度の開口径
Ａを有する開口部９ａ（高電圧導体８が中空形のと
き）、または開口径Ｂを有する凹部９ｂ（高電圧導体８
が中実形のとき）で形成される。
流ガス絶縁母線の断面図である。図１において、７は
鉄、アルミニウムなどからなる金属製円筒容器で、内部
にＳＦ6ガスなどの絶縁性ガスを封入している。８は
銅、アルミニウムなどの導電材料からなる高電圧導体
で、金属製円筒容器７の内側にその中心軸に沿うように
設けられ、金属製円筒容器７に対して負極性直流高電
圧、例えば直流５００ｋVが印加される。９は高電圧導
体８の下部に形成した低電界部で、図２または図３に示
すように例えば高電圧導体８の外径の半分程度の開口径
Ａを有する開口部９ａ（高電圧導体８が中空形のと
き）、または開口径Ｂを有する凹部９ｂ（高電圧導体８
が中実形のとき）で形成される。
【００１３】１０は低電界部９の下方で金属製円筒容器
７に設けた第一のトラップで、枝管１０ａと図示されな
いボルトで取り付けられるカバー１０ｂとで形成され
る。図１の要部を金属製円筒容器の内部より見た平面図
である図４のように、１１は複数個のスリット１１ａを
有する第二のトラップで、図示されないボルトでカバー
１０ｂに取り付けられる。尚、第一のトラップ１０と第
二のトラップ１１とで、金属異物捕獲器１２を構成して
いる。
７に設けた第一のトラップで、枝管１０ａと図示されな
いボルトで取り付けられるカバー１０ｂとで形成され
る。図１の要部を金属製円筒容器の内部より見た平面図
である図４のように、１１は複数個のスリット１１ａを
有する第二のトラップで、図示されないボルトでカバー
１０ｂに取り付けられる。尚、第一のトラップ１０と第
二のトラップ１１とで、金属異物捕獲器１２を構成して
いる。
【００１４】次に動作について説明する。図５及び図６
は負極性直流電圧下での金属異物の挙動を示す説明図で
ある。１３はアルミニウム、銅、銀メッキの破片などか
らなる金属異物で、製品を出荷する前に厳重に点検され
て除去される金属異物以外の、例えば、コンタクト摺動
部などで動作したときに発生したものである。
は負極性直流電圧下での金属異物の挙動を示す説明図で
ある。１３はアルミニウム、銅、銀メッキの破片などか
らなる金属異物で、製品を出荷する前に厳重に点検され
て除去される金属異物以外の、例えば、コンタクト摺動
部などで動作したときに発生したものである。
【００１５】高い負極性直流電圧、例えば直流５００ｋ
Vが高電圧導体８に印加された場合、接地されている金
属製円筒容器７に平伏している金属異物１３は、図５の
ａで例示するように、正極性の誘導電荷を帯び、高電圧
導体８の方向に向かうクーロン力を受けるため起立し、
図５のｂで例示するように、高電圧導体８の方向に向か
って浮上する。浮上した金属異物１３は、高電圧導体８
に到達し、図５のｃで例示するように、高電圧導体８か
ら電子を供給されて負極性となり、金属製円筒容器７側
の先端部が高電界となるため、この先端部から電子なだ
れ１４が発生する。
Vが高電圧導体８に印加された場合、接地されている金
属製円筒容器７に平伏している金属異物１３は、図５の
ａで例示するように、正極性の誘導電荷を帯び、高電圧
導体８の方向に向かうクーロン力を受けるため起立し、
図５のｂで例示するように、高電圧導体８の方向に向か
って浮上する。浮上した金属異物１３は、高電圧導体８
に到達し、図５のｃで例示するように、高電圧導体８か
ら電子を供給されて負極性となり、金属製円筒容器７側
の先端部が高電界となるため、この先端部から電子なだ
れ１４が発生する。
【００１６】負極性の誘導電荷を帯びた金属異物１３
は、図５のｄで例示するように、下方へのクーロン力を
受けて下降する。一方、電子なだれ１４が発生すると、
移動速度の小さい正イオンが、金属異物１３の先端部近
傍に停留し、正イオン雲１５が形成されており、この正
イオン雲１５内に下降してきた金属異物１３が侵入する
と、金属異物１３は正極性の真電荷を帯びる。正極性の
真電荷を帯びた金属異物１３は、図５のｅで例示するよ
うに、上方へのクーロン力を受けて再浮上する。その
後、金属異物１３は、図５のｂから図５のｅの運動軌跡
で例示するように、高電圧導体８近傍で充放電を繰り返
すことにより発光（ｆｉｒｅｆｌｙ）現象を生じ、微小
振動を伴いながら高電圧導体８上を、滑べるように移動
する。
は、図５のｄで例示するように、下方へのクーロン力を
受けて下降する。一方、電子なだれ１４が発生すると、
移動速度の小さい正イオンが、金属異物１３の先端部近
傍に停留し、正イオン雲１５が形成されており、この正
イオン雲１５内に下降してきた金属異物１３が侵入する
と、金属異物１３は正極性の真電荷を帯びる。正極性の
真電荷を帯びた金属異物１３は、図５のｅで例示するよ
うに、上方へのクーロン力を受けて再浮上する。その
後、金属異物１３は、図５のｂから図５のｅの運動軌跡
で例示するように、高電圧導体８近傍で充放電を繰り返
すことにより発光（ｆｉｒｅｆｌｙ）現象を生じ、微小
振動を伴いながら高電圧導体８上を、滑べるように移動
する。
【００１７】また、図５と同一の構造で高電圧導体８へ
の印加電圧が相対的に低くなり、これに対応して高電圧
導体８の表面の電界が、発光（ｆｉｒｅｆｌｙ）現象を
生じるしきい値（およそ１〜２ｋｖ／ｍｍ）以下となる
場合、接地されている金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図６のｆで例示するように、正極性の
誘導電荷を帯び、高電圧導体８の方向に向かうクーロン
力を受けるため起立し、図６のｈで例示するように、高
電圧導体８の方向に向かって浮上する。浮上した金属異
物１３は、高電圧導体８に到達し、図６のｉで例示する
ように、高電圧導体８から電子を供給されて負極性とな
り、電子なだれ１４が発生する。しかし、電界が低いた
め、金属製円筒容器７側の先端部が低電界となり、不十
分な量の電子なだれ１４が発生するため、金属異物１３
の先端部近傍に停留し、正イオン雲１５が形成される量
も不十分となる。このため、図６のｊで例示するよう
に、この正イオン雲１５内に下降してきた金属異物１３
が侵入したとき、金属異物１３は正極性の真電荷を帯び
ることができず、下方へのクーロン力を受けて下降す
る。
の印加電圧が相対的に低くなり、これに対応して高電圧
導体８の表面の電界が、発光（ｆｉｒｅｆｌｙ）現象を
生じるしきい値（およそ１〜２ｋｖ／ｍｍ）以下となる
場合、接地されている金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図６のｆで例示するように、正極性の
誘導電荷を帯び、高電圧導体８の方向に向かうクーロン
力を受けるため起立し、図６のｈで例示するように、高
電圧導体８の方向に向かって浮上する。浮上した金属異
物１３は、高電圧導体８に到達し、図６のｉで例示する
ように、高電圧導体８から電子を供給されて負極性とな
り、電子なだれ１４が発生する。しかし、電界が低いた
め、金属製円筒容器７側の先端部が低電界となり、不十
分な量の電子なだれ１４が発生するため、金属異物１３
の先端部近傍に停留し、正イオン雲１５が形成される量
も不十分となる。このため、図６のｊで例示するよう
に、この正イオン雲１５内に下降してきた金属異物１３
が侵入したとき、金属異物１３は正極性の真電荷を帯び
ることができず、下方へのクーロン力を受けて下降す
る。
【００１８】尚、高電圧導体８の表面では電位分布が一
定であるため、電界分布も一定であるのに対して、高電
圧導体８の低電界部９を形成している開口部９ａまたは
開口部９ｂの電位及び電界分布は、開口部９ａまたは開
口部９ｂの中央部で電位が最も低くなるため、中央部の
電界が最も低くなる。即ち、図１〜図３において、高電
圧導体８の表面では電位分布が一定であるが、開口部９
ａまたは開口部９ｂの端部からその中央部へいくほど電
界が低くなる。
定であるため、電界分布も一定であるのに対して、高電
圧導体８の低電界部９を形成している開口部９ａまたは
開口部９ｂの電位及び電界分布は、開口部９ａまたは開
口部９ｂの中央部で電位が最も低くなるため、中央部の
電界が最も低くなる。即ち、図１〜図３において、高電
圧導体８の表面では電位分布が一定であるが、開口部９
ａまたは開口部９ｂの端部からその中央部へいくほど電
界が低くなる。
【００１９】従って、負極性直流高電圧が高電圧導体８
に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している金
属異物１３は、図５で説明したとおり、図１の運動軌跡
ヘで例示するように、金属異物１３が浮上し、高電圧導
体８の表面に沿って移動して、図６で説明したとおり、
低電界部９のところで下降し、運動軌跡トで例示するよ
うに、金属異物捕獲器１２で捕獲することができる。
に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している金
属異物１３は、図５で説明したとおり、図１の運動軌跡
ヘで例示するように、金属異物１３が浮上し、高電圧導
体８の表面に沿って移動して、図６で説明したとおり、
低電界部９のところで下降し、運動軌跡トで例示するよ
うに、金属異物捕獲器１２で捕獲することができる。
【００２０】実施の形態２．図７はこの発明の実施の形
態２を示す直流ガス絶縁母線の断面図である。図７にお
いて、７，１０〜１３は上記実施の形態１と同様のもの
であるので、説明を省略する。１６は銅、アルミニウム
などの導電材料からなる内部導体で、金属製円筒容器７
の内側にその中心軸に沿うように設けられ、金属製円筒
容器７に対して負極性直流高電圧が印加される。１７は
アルミニウムなどの導電材料からなる着脱導体で、下部
に低電界を形成するように図２の開口部９ａと同様な開
口部１７ａを設けた低電界部を有し、内部導体１６，１
６間に着脱導体１７を接続するためのボルト１８取付用
の開口部１７ｂを上方に有する。尚、内部導体１６と着
脱導体１７とで高電圧導体１９を構成し、着脱導体１７
の下方には金属異物捕獲器１２が設けられる。２０は着
脱導体１７の上方に設けられたマンホールで、事故時に
着脱導体１７を取り外して内部導体１６を取り出せるよ
うにしている。
態２を示す直流ガス絶縁母線の断面図である。図７にお
いて、７，１０〜１３は上記実施の形態１と同様のもの
であるので、説明を省略する。１６は銅、アルミニウム
などの導電材料からなる内部導体で、金属製円筒容器７
の内側にその中心軸に沿うように設けられ、金属製円筒
容器７に対して負極性直流高電圧が印加される。１７は
アルミニウムなどの導電材料からなる着脱導体で、下部
に低電界を形成するように図２の開口部９ａと同様な開
口部１７ａを設けた低電界部を有し、内部導体１６，１
６間に着脱導体１７を接続するためのボルト１８取付用
の開口部１７ｂを上方に有する。尚、内部導体１６と着
脱導体１７とで高電圧導体１９を構成し、着脱導体１７
の下方には金属異物捕獲器１２が設けられる。２０は着
脱導体１７の上方に設けられたマンホールで、事故時に
着脱導体１７を取り外して内部導体１６を取り出せるよ
うにしている。
【００２１】次に動作について説明する。内部導体１６
の表面では電位分布が一定であるが、開口部１７ａの端
部から開口部１７ａの中央部へいくほど電界が低くな
る。従って、上記実施の形態１と同様に、負極性直流高
電圧が高電圧導体１９に印加された場合、金属製円筒容
器７に平伏している金属異物１３は、図７の運動軌跡チ
で例示するように、金属異物１３が浮上し、高電圧導体
１９の表面に沿って移動して開口部１７ａのところで下
降し、運動軌跡リで例示するように、金属異物捕獲器１
２で捕獲することができる。
の表面では電位分布が一定であるが、開口部１７ａの端
部から開口部１７ａの中央部へいくほど電界が低くな
る。従って、上記実施の形態１と同様に、負極性直流高
電圧が高電圧導体１９に印加された場合、金属製円筒容
器７に平伏している金属異物１３は、図７の運動軌跡チ
で例示するように、金属異物１３が浮上し、高電圧導体
１９の表面に沿って移動して開口部１７ａのところで下
降し、運動軌跡リで例示するように、金属異物捕獲器１
２で捕獲することができる。
【００２２】絶縁性ガスを封入した金属性円筒容器、こ
の金属性円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設け
られ上記金属円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、この高電圧導体の所定の箇所に低電
界を形成するように設けられた低電界部、この低電界部
の下方で上記金属性円筒容器に設けられ金属異物を捕獲
する金属異物捕獲器を備えたことにより、負極性直流高
電圧が高電圧導体に印加された場合、金属性円筒容器に
平伏している金属異物が浮上し、高電圧導体の表面に沿
って移動して低電界部のところで下降するので、金属異
物捕獲容器で金属異物を捕獲することができる。
の金属性円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設け
られ上記金属円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、この高電圧導体の所定の箇所に低電
界を形成するように設けられた低電界部、この低電界部
の下方で上記金属性円筒容器に設けられ金属異物を捕獲
する金属異物捕獲器を備えたことにより、負極性直流高
電圧が高電圧導体に印加された場合、金属性円筒容器に
平伏している金属異物が浮上し、高電圧導体の表面に沿
って移動して低電界部のところで下降するので、金属異
物捕獲容器で金属異物を捕獲することができる。
【００２３】次に動作について説明する。着脱導体２１
は内部導体１６の外径より大きい径を有しているため、
内部導体１６の表面では電位分布（等電位線）が一定で
あるが、着脱導体２１側にいくほど持ち上げられて疎な
状態となる。このため、内部導体１６の表面では電位分
布が一定であるが、着脱導体２１側にいくほど電界が低
くなる。特に、内部導体１６と着脱導体２１との接続近
傍部２３では、電位分布が最も疎な状態となるため、接
続近傍部２３に低電界部を形成する。
は内部導体１６の外径より大きい径を有しているため、
内部導体１６の表面では電位分布（等電位線）が一定で
あるが、着脱導体２１側にいくほど持ち上げられて疎な
状態となる。このため、内部導体１６の表面では電位分
布が一定であるが、着脱導体２１側にいくほど電界が低
くなる。特に、内部導体１６と着脱導体２１との接続近
傍部２３では、電位分布が最も疎な状態となるため、接
続近傍部２３に低電界部を形成する。
【００２４】従って、負極性直流高電圧が高電圧導体２
２に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図８の運動軌跡ヌで例示するように、
金属異物１３が浮上し、高電圧導体２２の表面に沿って
移動して接続近傍部２３のところで下降し、運動軌跡ル
で例示するように、金属異物捕獲器１２で捕獲すること
ができる。
２に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図８の運動軌跡ヌで例示するように、
金属異物１３が浮上し、高電圧導体２２の表面に沿って
移動して接続近傍部２３のところで下降し、運動軌跡ル
で例示するように、金属異物捕獲器１２で捕獲すること
ができる。
【００２５】実施の形態４．図９はこの発明の実施の形
態４を示す直流ガス絶縁母線の断面図である。図９にお
いて、７，１０〜１３，１６，１８，２０は上記実施の
形態２と同様のものであるので、説明を省略する。２４
はアルミニウムなどの導電材料からなる着脱導体で、低
電界を形成するように内部導体１６の外径より大きい径
を有し、さらに下部にも低電界を形成するように図２の
開口部９ａと同様な開口部２４ａを設けた低電界部を有
し、内部導体１６，１６間に着脱導体２４を接続するた
めのボルト１８取付用の開口部２４ｂを上方に有する。
尚、内部導体１６と着脱導体２４とで高電圧導体２５を
構成し、着脱導体２４の下方には金属異物捕獲器１２が
設けられる。
態４を示す直流ガス絶縁母線の断面図である。図９にお
いて、７，１０〜１３，１６，１８，２０は上記実施の
形態２と同様のものであるので、説明を省略する。２４
はアルミニウムなどの導電材料からなる着脱導体で、低
電界を形成するように内部導体１６の外径より大きい径
を有し、さらに下部にも低電界を形成するように図２の
開口部９ａと同様な開口部２４ａを設けた低電界部を有
し、内部導体１６，１６間に着脱導体２４を接続するた
めのボルト１８取付用の開口部２４ｂを上方に有する。
尚、内部導体１６と着脱導体２４とで高電圧導体２５を
構成し、着脱導体２４の下方には金属異物捕獲器１２が
設けられる。
【００２６】次に動作について説明する。着脱導体２４
は内部導体１６の外径より大きい径を有しているため、
内部導体１６の表面では電位分布（等電位線）が一定で
あるが、着脱導体２４側にいくほど持ち上げられて疎な
状態となる。このため、内部導体１６の表面では電位分
布が一定であるが、着脱導体２４側にいくほど電界が低
くなる。特に、内部導体１６と着脱導体２４との接続近
傍部２６では、電位分布が最も疎な状態となるため、接
続近傍部２６に低電界部を形成する。さらに、開口部２
４ａの端部から開口部２４ａの中央部へいくほど電界が
低くなる。
は内部導体１６の外径より大きい径を有しているため、
内部導体１６の表面では電位分布（等電位線）が一定で
あるが、着脱導体２４側にいくほど持ち上げられて疎な
状態となる。このため、内部導体１６の表面では電位分
布が一定であるが、着脱導体２４側にいくほど電界が低
くなる。特に、内部導体１６と着脱導体２４との接続近
傍部２６では、電位分布が最も疎な状態となるため、接
続近傍部２６に低電界部を形成する。さらに、開口部２
４ａの端部から開口部２４ａの中央部へいくほど電界が
低くなる。
【００２７】従って、負極性直流高電圧が高電圧導体２
５に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図９の運動軌跡オで例示するように、
金属異物１３が浮上し、高電圧導体２５の表面に沿って
移動して接続近傍部２６のところで下降し、運動軌跡ワ
で例示するように、金属異物捕獲器１２で捕獲すること
ができる。さらに、高電圧導体２５の表面に沿って移動
してきた金属異物１３は加速されているので、金属異物
１３の一部が接続近傍部２６のところで下降せずに、着
脱導体２４の表面に沿って移動して開口部２４ａのとこ
ろで下降し、運動軌跡カで例示するように、金属異物捕
獲器１２で捕獲することができる。
５に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図９の運動軌跡オで例示するように、
金属異物１３が浮上し、高電圧導体２５の表面に沿って
移動して接続近傍部２６のところで下降し、運動軌跡ワ
で例示するように、金属異物捕獲器１２で捕獲すること
ができる。さらに、高電圧導体２５の表面に沿って移動
してきた金属異物１３は加速されているので、金属異物
１３の一部が接続近傍部２６のところで下降せずに、着
脱導体２４の表面に沿って移動して開口部２４ａのとこ
ろで下降し、運動軌跡カで例示するように、金属異物捕
獲器１２で捕獲することができる。
【００２８】実施の形態５．図１０はこの発明の実施の
形態５を示す直流ガス絶縁母線の断面図である。図１０
において、７，１０〜１３は上記実施の形態１の実施例
１と同様のものであるので、説明を省略する。２７は
銅、アルミニウムなどの導電材料からなる高電圧導体
で、金属製円筒容器７の内側にその中心軸に沿うように
設けられ、端部に後述の接続部材２８に係合する係合部
２７ａを有し、金属製円筒容器７に対して負極性直流高
電圧が印加される。２８は接続部材で、一方が高電圧導
体２７の係合部２７ａに接続され、他方が後述の絶縁ス
ペーサ２９の中心導体２９ａに接続される。２９は絶縁
スペーサで、高電圧導体２７を接続部材２８を介して中
心導体２９ａに接続して、高電圧導体２７を金属製円筒
容器７に支持し、金属製円筒容器７に図示されないボル
トで取り付けられる。
形態５を示す直流ガス絶縁母線の断面図である。図１０
において、７，１０〜１３は上記実施の形態１の実施例
１と同様のものであるので、説明を省略する。２７は
銅、アルミニウムなどの導電材料からなる高電圧導体
で、金属製円筒容器７の内側にその中心軸に沿うように
設けられ、端部に後述の接続部材２８に係合する係合部
２７ａを有し、金属製円筒容器７に対して負極性直流高
電圧が印加される。２８は接続部材で、一方が高電圧導
体２７の係合部２７ａに接続され、他方が後述の絶縁ス
ペーサ２９の中心導体２９ａに接続される。２９は絶縁
スペーサで、高電圧導体２７を接続部材２８を介して中
心導体２９ａに接続して、高電圧導体２７を金属製円筒
容器７に支持し、金属製円筒容器７に図示されないボル
トで取り付けられる。
【００２９】３０は高電圧導体２７の外径より大きい径
を有する電界緩和シールドで、接続部材２８及び接続部
材２８近傍の高電圧導体２７を覆い、一方が絶縁スペー
サ２９の中心導体２９ａに図示されないボルトで取り付
けられ、他方が高電圧導体２７との間に低電界を形成す
るように設けたシールド端部３０ａを有する。シールド
端部３０ａの下方には金属異物捕獲器１２が設けられ
る。
を有する電界緩和シールドで、接続部材２８及び接続部
材２８近傍の高電圧導体２７を覆い、一方が絶縁スペー
サ２９の中心導体２９ａに図示されないボルトで取り付
けられ、他方が高電圧導体２７との間に低電界を形成す
るように設けたシールド端部３０ａを有する。シールド
端部３０ａの下方には金属異物捕獲器１２が設けられ
る。
【００３０】次に動作について説明する。電界緩和シー
ルド３０は高電圧導体２７の外径より大きい径を有して
いるため、高電圧導体２７の表面では電位分布（等電位
線）が一定であるが、電界緩和シールド３０側にいくほ
ど持ち上げられて疎な状態となる。このため、高電圧導
体２７の表面では電位分布が一定であるが、電界緩和シ
ールド３０側にいくほど電界が低くなる。特に、高電圧
導体２７とシールド端部３０ａとの交差近傍部３１で
は、電位分布が最も疎な状態となるため、交差近傍部３
１に低電界部を形成する。
ルド３０は高電圧導体２７の外径より大きい径を有して
いるため、高電圧導体２７の表面では電位分布（等電位
線）が一定であるが、電界緩和シールド３０側にいくほ
ど持ち上げられて疎な状態となる。このため、高電圧導
体２７の表面では電位分布が一定であるが、電界緩和シ
ールド３０側にいくほど電界が低くなる。特に、高電圧
導体２７とシールド端部３０ａとの交差近傍部３１で
は、電位分布が最も疎な状態となるため、交差近傍部３
１に低電界部を形成する。
【００３１】従って、負極性直流高電圧が高電圧導体２
７に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図１０の運動軌跡ヨで例示するよう
に、金属異物１３が浮上し、高電圧導体２７の表面に沿
って移動して交差近傍部３１のところで下降し、運動軌
跡タで例示するように、金属異物捕獲器１２で捕獲する
ことができる。
７に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図１０の運動軌跡ヨで例示するよう
に、金属異物１３が浮上し、高電圧導体２７の表面に沿
って移動して交差近傍部３１のところで下降し、運動軌
跡タで例示するように、金属異物捕獲器１２で捕獲する
ことができる。
【００３２】実施の形態６．図１１はこの発明の実施の
形態６を拡大して示す直流ガス絶縁母線の断面図であ
る。図１１において、７，１０〜１３，２７〜２９は上
記実施の形態５と同様のものであるので、説明を省略す
る。３２は高電圧導体２７の外径より大きい径を有する
電界緩和シールドで、接続部材２８及び接続部材２８近
傍の高電圧導体２７を覆い、一方が絶縁スペーサ２９の
中心導体２９ａに図示されないボルトで取り付けられ、
他方が高電圧導体２７との間に低電界を形成するように
設けたシールド端部３２ａを有し、さらに下部に図２の
開口部９ａと同様な開口部３２ｂを設けた低電界部を有
する。シールド端部３２ａおよび開口部３２ｂの下方に
は金属異物捕獲器１２が設けられる。
形態６を拡大して示す直流ガス絶縁母線の断面図であ
る。図１１において、７，１０〜１３，２７〜２９は上
記実施の形態５と同様のものであるので、説明を省略す
る。３２は高電圧導体２７の外径より大きい径を有する
電界緩和シールドで、接続部材２８及び接続部材２８近
傍の高電圧導体２７を覆い、一方が絶縁スペーサ２９の
中心導体２９ａに図示されないボルトで取り付けられ、
他方が高電圧導体２７との間に低電界を形成するように
設けたシールド端部３２ａを有し、さらに下部に図２の
開口部９ａと同様な開口部３２ｂを設けた低電界部を有
する。シールド端部３２ａおよび開口部３２ｂの下方に
は金属異物捕獲器１２が設けられる。
【００３３】次に動作について説明する。電界緩和シー
ルド３２は高電圧導体２７の外径より大きい径を有して
いるため、高電圧導体２７の表面では電位分布（等電位
線）が一定であるが、電界緩和シールド３２側にいくほ
ど持ち上げられて疎な状態となる。このため、高電圧導
体２７の表面では電位分布が一定であるが、電界緩和シ
ールド３２側にいくほど電界が低くなる。特に、高電圧
導体２７とシールド端部３２ａとの交差近傍部３３で
は、電位分布が最も疎な状態となるため、交差近傍部３
３に低電界部を形成する。さらに、開口部３２ｂの端部
からその中央部へいくほど電界が低くなる。
ルド３２は高電圧導体２７の外径より大きい径を有して
いるため、高電圧導体２７の表面では電位分布（等電位
線）が一定であるが、電界緩和シールド３２側にいくほ
ど持ち上げられて疎な状態となる。このため、高電圧導
体２７の表面では電位分布が一定であるが、電界緩和シ
ールド３２側にいくほど電界が低くなる。特に、高電圧
導体２７とシールド端部３２ａとの交差近傍部３３で
は、電位分布が最も疎な状態となるため、交差近傍部３
３に低電界部を形成する。さらに、開口部３２ｂの端部
からその中央部へいくほど電界が低くなる。
【００３４】従って、負極性直流高電圧が高電圧導体２
７に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図１１の運動軌跡タで例示するよう
に、金属異物１３が浮上し、高電圧導体２７の表面に沿
って移動して交差近傍部３３のところで下降し、運動軌
跡レで例示するように、金属異物捕獲器１２で捕獲する
ことができる。さらに、高電圧導体２７の表面に沿って
移動してきた金属異物１３は加速されているので、金属
異物１３の一部が接続近傍部３３のところで下降せず
に、電界緩和シールド３２の表面に沿って移動して開口
部３２ｂのところで下降し、運動軌跡ソで例示するよう
に、金属異物捕獲器１２で捕獲することができる。
７に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図１１の運動軌跡タで例示するよう
に、金属異物１３が浮上し、高電圧導体２７の表面に沿
って移動して交差近傍部３３のところで下降し、運動軌
跡レで例示するように、金属異物捕獲器１２で捕獲する
ことができる。さらに、高電圧導体２７の表面に沿って
移動してきた金属異物１３は加速されているので、金属
異物１３の一部が接続近傍部３３のところで下降せず
に、電界緩和シールド３２の表面に沿って移動して開口
部３２ｂのところで下降し、運動軌跡ソで例示するよう
に、金属異物捕獲器１２で捕獲することができる。
【００３５】実施の形態７．図１２はこの発明の実施の
形態７を拡大して示す直流ガス絶縁母線の断面図であ
る。図１２において、７，１０，１１，１３，２７〜２
９は上記実施の形態５と同様のものであるので、説明を
省略する。３４は高電圧導体２７の外径より大きい径を
有する電界緩和シールドで、接続部材２８及び接続部材
２８近傍の高電圧導体２７を覆い、一方が絶縁スペーサ
２９の中心導体２９ａに図示されないボルトで取り付け
られ、他方が高電圧導体２７との間に低電界を形成する
ように設けたシールド端部３４ａを有し、このシールド
端部３４ａに高電圧導体２７の外周に沿う導入口３４ｂ
を有する。尚、導入口３４ｂ及び高電圧導体２７と電界
緩和シールド３４との間で第１の金属異物捕獲器３５を
構成している。シールド端部３４ａの下方には、第１の
トラップ１０と第２のトラップ１１とで構成している第
２の金属異物捕獲器３６が設けられる。
形態７を拡大して示す直流ガス絶縁母線の断面図であ
る。図１２において、７，１０，１１，１３，２７〜２
９は上記実施の形態５と同様のものであるので、説明を
省略する。３４は高電圧導体２７の外径より大きい径を
有する電界緩和シールドで、接続部材２８及び接続部材
２８近傍の高電圧導体２７を覆い、一方が絶縁スペーサ
２９の中心導体２９ａに図示されないボルトで取り付け
られ、他方が高電圧導体２７との間に低電界を形成する
ように設けたシールド端部３４ａを有し、このシールド
端部３４ａに高電圧導体２７の外周に沿う導入口３４ｂ
を有する。尚、導入口３４ｂ及び高電圧導体２７と電界
緩和シールド３４との間で第１の金属異物捕獲器３５を
構成している。シールド端部３４ａの下方には、第１の
トラップ１０と第２のトラップ１１とで構成している第
２の金属異物捕獲器３６が設けられる。
【００３６】次に動作について説明する。電界緩和シー
ルド３４は高電圧導体２７の外径より大きい径を有して
いるため、高電圧導体２７の表面では電位分布（等電位
線）が一定であるが、電界緩和シールド３４側にいくほ
ど持ち上げられて疎な状態となる。このため、高電圧導
体２７の表面では電位分布が一定であるが、電界緩和シ
ールド３４側にいくほど電界が低くなる。特に、高電圧
導体２７とシールド端部３４ａとの交差近傍部３７で
は、電位分布が最も疎な状態となるため、交差近傍部３
７に低電界部を形成する。
ルド３４は高電圧導体２７の外径より大きい径を有して
いるため、高電圧導体２７の表面では電位分布（等電位
線）が一定であるが、電界緩和シールド３４側にいくほ
ど持ち上げられて疎な状態となる。このため、高電圧導
体２７の表面では電位分布が一定であるが、電界緩和シ
ールド３４側にいくほど電界が低くなる。特に、高電圧
導体２７とシールド端部３４ａとの交差近傍部３７で
は、電位分布が最も疎な状態となるため、交差近傍部３
７に低電界部を形成する。
【００３７】従って、負極性直流高電圧が高電圧導体２
７に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図１２の運動軌跡ツで例示するよう
に、金属異物１３が浮上し、高電圧導体２７の表面に沿
って移動して交差近傍部３７のところで下降し、運動軌
跡ネで例示するように、第２の金属異物捕獲器３５で捕
獲することができる。さらに、高電圧導体２７の表面に
沿って移動してきた金属異物１３は加速されているの
で、金属異物１３の一部が交差近傍部３７のところで下
降せずに、運動軌跡ムで例示するように、高電圧導体２
７の表面に沿って移動して導入口３４ｂを通過して第１
の金属異物捕獲器３５で捕獲することができる。
７に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図１２の運動軌跡ツで例示するよう
に、金属異物１３が浮上し、高電圧導体２７の表面に沿
って移動して交差近傍部３７のところで下降し、運動軌
跡ネで例示するように、第２の金属異物捕獲器３５で捕
獲することができる。さらに、高電圧導体２７の表面に
沿って移動してきた金属異物１３は加速されているの
で、金属異物１３の一部が交差近傍部３７のところで下
降せずに、運動軌跡ムで例示するように、高電圧導体２
７の表面に沿って移動して導入口３４ｂを通過して第１
の金属異物捕獲器３５で捕獲することができる。
【００３８】尚、導入口３４ｂは高電圧導体２７の外周
の全周に設けるのではなく、下部の半周に設けるように
してもよい。
の全周に設けるのではなく、下部の半周に設けるように
してもよい。
【００３９】実施の形態８．図１３はこの発明の実施の
形態８を拡大して示す直流ガス絶縁母線の断面図であ
る。図１３において、７，１０，１１，１３，２７〜２
９は上記実施の形態５と同様のものであるので、説明を
省略する。３８は高電圧導体２７の外径より大きい径を
有する電界緩和シールドで、接続部材２８及び接続部材
２８近傍の高電圧導体２７を覆い、一方が絶縁スペーサ
２９の中心導体２９ａに図示されないボルトで取り付け
られ、他方が高電圧導体２７との間に低電界を形成する
ように設けたシールド端部３８ａを有し、このシールド
端部３８ａに高電圧導体２７の外周に沿う導入口３８ｂ
有し、さらに下部に図２の開口部９ａと同様な開口部３
８ｃを設けた低電界部を有する。尚、導入口３８ｂ及び
高電圧導体２７と電界緩和シールド３８との間で第１の
金属異物捕獲器３９を構成している。シールド端部３８
ａの下方には、第１のトラップ１０と第２のトラップ１
１とで構成している第２の金属異物捕獲器３６が設けら
れる。
形態８を拡大して示す直流ガス絶縁母線の断面図であ
る。図１３において、７，１０，１１，１３，２７〜２
９は上記実施の形態５と同様のものであるので、説明を
省略する。３８は高電圧導体２７の外径より大きい径を
有する電界緩和シールドで、接続部材２８及び接続部材
２８近傍の高電圧導体２７を覆い、一方が絶縁スペーサ
２９の中心導体２９ａに図示されないボルトで取り付け
られ、他方が高電圧導体２７との間に低電界を形成する
ように設けたシールド端部３８ａを有し、このシールド
端部３８ａに高電圧導体２７の外周に沿う導入口３８ｂ
有し、さらに下部に図２の開口部９ａと同様な開口部３
８ｃを設けた低電界部を有する。尚、導入口３８ｂ及び
高電圧導体２７と電界緩和シールド３８との間で第１の
金属異物捕獲器３９を構成している。シールド端部３８
ａの下方には、第１のトラップ１０と第２のトラップ１
１とで構成している第２の金属異物捕獲器３６が設けら
れる。
【００４０】次に動作について説明する。電界緩和シー
ルド３８は高電圧導体２７の外径より大きい径を有して
いるため、高電圧導体２７の表面では電位分布（等電位
線）が一定であるが、電界緩和シールド３８側にいくほ
ど持ち上げられて疎な状態となる。このため、高電圧導
体２７の表面では電位分布が一定であるが、電界緩和シ
ールド３８側にいくほど電界が低くなる。特に、高電圧
導体２７とシールド端部３８ａとの交差近傍部４０で
は、電位分布が最も疎な状態となるため、交差近傍部４
０に低電界部を形成する。さらに、開口部３８ｃの端部
からその中央部へいくほど電界が低くなる。
ルド３８は高電圧導体２７の外径より大きい径を有して
いるため、高電圧導体２７の表面では電位分布（等電位
線）が一定であるが、電界緩和シールド３８側にいくほ
ど持ち上げられて疎な状態となる。このため、高電圧導
体２７の表面では電位分布が一定であるが、電界緩和シ
ールド３８側にいくほど電界が低くなる。特に、高電圧
導体２７とシールド端部３８ａとの交差近傍部４０で
は、電位分布が最も疎な状態となるため、交差近傍部４
０に低電界部を形成する。さらに、開口部３８ｃの端部
からその中央部へいくほど電界が低くなる。
【００４１】従って、負極性直流高電圧が高電圧導体２
７に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図１３の運動軌跡ウで例示するよう
に、金属異物１３が浮上し、高電圧導体２７の表面に沿
って移動して交差近傍部４０のところで下降し、運動軌
跡ノで例示するように、第２の金属異物捕獲器３６で捕
獲することができる。さらに、高電圧導体２７の表面に
沿って移動してきた金属異物１３は加速されているの
で、金属異物１３の一部が交差近傍部４０のところで下
降せずに、運動軌跡ヤで例示するように、高電圧導体２
７の表面に沿って移動し、導入口３８ｂを通過して第１
の金属異物捕獲器３９で捕獲することができる。さら
に、高電圧導体２７の表面に沿って移動してきた金属異
物１３は加速されているので、金属異物１３の一部が接
続近傍部４０のところで下降せずに、電界緩和シールド
３８の表面に沿って移動して開口部３８ｃのところで下
降し、運動軌跡マで例示するように、第２の金属異物捕
獲器３６で捕獲することができる。
７に印加された場合、金属製円筒容器７に平伏している
金属異物１３は、図１３の運動軌跡ウで例示するよう
に、金属異物１３が浮上し、高電圧導体２７の表面に沿
って移動して交差近傍部４０のところで下降し、運動軌
跡ノで例示するように、第２の金属異物捕獲器３６で捕
獲することができる。さらに、高電圧導体２７の表面に
沿って移動してきた金属異物１３は加速されているの
で、金属異物１３の一部が交差近傍部４０のところで下
降せずに、運動軌跡ヤで例示するように、高電圧導体２
７の表面に沿って移動し、導入口３８ｂを通過して第１
の金属異物捕獲器３９で捕獲することができる。さら
に、高電圧導体２７の表面に沿って移動してきた金属異
物１３は加速されているので、金属異物１３の一部が接
続近傍部４０のところで下降せずに、電界緩和シールド
３８の表面に沿って移動して開口部３８ｃのところで下
降し、運動軌跡マで例示するように、第２の金属異物捕
獲器３６で捕獲することができる。
【００４２】尚、導入口３８ｂは高電圧導体２７の外周
の全周に設けるのではなく、下部の半周に設けるように
してもよい。
の全周に設けるのではなく、下部の半周に設けるように
してもよい。
【００４３】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００４４】絶縁性ガスを封入した金属製円筒容器、金
属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設けられ
金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加される
高電圧導体、高電圧導体又はその外周に低電界を形成す
るように設けた低電界部、低電界部の下方で金属製円筒
容器に設けられ金属異物を捕獲する金属異物捕獲器を備
えたことにより、負極性直流高電圧が高電圧導体に印加
された場合、金属製円筒容器に平伏している金属異物が
浮上し、高電圧導体の表面に沿って移動して低電界部の
ところで下降するので、金属異物捕獲器で金属異物を捕
獲することができる。
属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設けられ
金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加される
高電圧導体、高電圧導体又はその外周に低電界を形成す
るように設けた低電界部、低電界部の下方で金属製円筒
容器に設けられ金属異物を捕獲する金属異物捕獲器を備
えたことにより、負極性直流高電圧が高電圧導体に印加
された場合、金属製円筒容器に平伏している金属異物が
浮上し、高電圧導体の表面に沿って移動して低電界部の
ところで下降するので、金属異物捕獲器で金属異物を捕
獲することができる。
【００４５】また、高電圧導体の下部に低電界を形成す
るように設けた開口部を備えたことにより、開口部の端
部から開口部の中央部へいくほど電界が低くなるので、
高電圧導体の表面に沿って移動してきた金属異物は開口
部のところで下降し、金属異物捕獲器で金属異物を捕獲
することができる。
るように設けた開口部を備えたことにより、開口部の端
部から開口部の中央部へいくほど電界が低くなるので、
高電圧導体の表面に沿って移動してきた金属異物は開口
部のところで下降し、金属異物捕獲器で金属異物を捕獲
することができる。
【００４６】また、高電圧導体は内部導体と着脱導体と
を有し低電界を形成するように着脱導体の外径を内部導
体の外径より大きくして低電界部を備えたことにより、
内部導体の表面では電位分布が一定であるが、着脱導体
側にいくほど電界が低くなる。特に、内部導体と着脱導
体との接続近傍部では、電位分布が最も疎な状態となる
ため、接続近傍部に低電界部を形成するので、負極性直
流高電圧が高電圧導体に印加された場合、金属製円筒容
器に平伏している金属異物が浮上し、高電圧導体の表面
に沿って移動して接続近傍部のところで下降し、金属異
物捕獲器で金属異物を捕獲することができる。
を有し低電界を形成するように着脱導体の外径を内部導
体の外径より大きくして低電界部を備えたことにより、
内部導体の表面では電位分布が一定であるが、着脱導体
側にいくほど電界が低くなる。特に、内部導体と着脱導
体との接続近傍部では、電位分布が最も疎な状態となる
ため、接続近傍部に低電界部を形成するので、負極性直
流高電圧が高電圧導体に印加された場合、金属製円筒容
器に平伏している金属異物が浮上し、高電圧導体の表面
に沿って移動して接続近傍部のところで下降し、金属異
物捕獲器で金属異物を捕獲することができる。
【００４７】また、高電圧導体は内部導体と着脱導体と
を有し低電界を形成するように着脱導体の外径を内部導
体の外径より大きくし、さらに着脱導体の下部に低電界
を形成するように設けた開口部を備えたて低電界部を備
えたことにより、内部導体の表面では電位分布が一定で
あるが、着脱導体側にいくほど電界が低くなる。特に、
内部導体と着脱導体との接続近傍部では、電位分布が最
も疎な状態となるため、接続近傍部に低電界部を形成
し、さらに、開口部の端部から開口部の中央部へいくほ
ど電界が低くなる。このため、負極性直流高電圧が高電
圧導体に印加された場合、金属製円筒容器に平伏してい
る金属異物が浮上し、高電圧導体の表面に沿って移動し
て接続近傍部のところで下降し、金属異物捕獲器で金属
異物を捕獲することができる。さらに、高電圧導体の表
面に沿って移動してきた金属異物は加速されているの
で、金属異物の一部が接続近傍部のところで下降せず
に、着脱導体の表面に沿って移動して開口部のところで
下降し、金属異物捕獲器で金属異物を捕獲することがで
きる。
を有し低電界を形成するように着脱導体の外径を内部導
体の外径より大きくし、さらに着脱導体の下部に低電界
を形成するように設けた開口部を備えたて低電界部を備
えたことにより、内部導体の表面では電位分布が一定で
あるが、着脱導体側にいくほど電界が低くなる。特に、
内部導体と着脱導体との接続近傍部では、電位分布が最
も疎な状態となるため、接続近傍部に低電界部を形成
し、さらに、開口部の端部から開口部の中央部へいくほ
ど電界が低くなる。このため、負極性直流高電圧が高電
圧導体に印加された場合、金属製円筒容器に平伏してい
る金属異物が浮上し、高電圧導体の表面に沿って移動し
て接続近傍部のところで下降し、金属異物捕獲器で金属
異物を捕獲することができる。さらに、高電圧導体の表
面に沿って移動してきた金属異物は加速されているの
で、金属異物の一部が接続近傍部のところで下降せず
に、着脱導体の表面に沿って移動して開口部のところで
下降し、金属異物捕獲器で金属異物を捕獲することがで
きる。
【００４８】また、絶縁性ガスを封入した金属製円筒容
器、金属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、高電圧導体に接続する接続部を介し
て高電圧導体を金属製円筒容器に支持する絶縁スペー
サ、接続部及び接続部近傍の高電圧導体を覆い高電圧導
体との間に低電界部を形成する電界緩和シールド、電界
緩和シールドの低電界部の下方で上記金属製円筒容器に
設けられ金属異物を捕獲する金属異物捕獲器を備えたこ
とにより、高電圧導体の表面では電位分布が一定である
が、電界緩和シールド側にいくほど電界が低くなる。特
に、高電圧導体と電界緩和シールドのシールド端部との
交差近傍部では、電位分布が最も疎な状態となるため、
交差近傍部に低電界部を形成する。このため、負極性直
流高電圧が高電圧導体に印加された場合、金属製円筒容
器に平伏している金属異物が浮上し、高電圧導体の表面
に沿って移動して交差近傍部のところで下降し、金属異
物捕獲器で金属異物を捕獲することができる。
器、金属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、高電圧導体に接続する接続部を介し
て高電圧導体を金属製円筒容器に支持する絶縁スペー
サ、接続部及び接続部近傍の高電圧導体を覆い高電圧導
体との間に低電界部を形成する電界緩和シールド、電界
緩和シールドの低電界部の下方で上記金属製円筒容器に
設けられ金属異物を捕獲する金属異物捕獲器を備えたこ
とにより、高電圧導体の表面では電位分布が一定である
が、電界緩和シールド側にいくほど電界が低くなる。特
に、高電圧導体と電界緩和シールドのシールド端部との
交差近傍部では、電位分布が最も疎な状態となるため、
交差近傍部に低電界部を形成する。このため、負極性直
流高電圧が高電圧導体に印加された場合、金属製円筒容
器に平伏している金属異物が浮上し、高電圧導体の表面
に沿って移動して交差近傍部のところで下降し、金属異
物捕獲器で金属異物を捕獲することができる。
【００４９】また、絶縁性ガスを封入した金属製円筒容
器、金属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、高電圧導体に接続する接続部を介し
て高電圧導体を金属製円筒容器に支持する絶縁スペー
サ、接続部及び接続部近傍の高電圧導体を覆い高電圧導
体との間に低電界部を形成する電界緩和シールド、電界
緩和シールドの高電圧導体側の端部に上記高電圧導体の
外周に沿う導入口を有し金属異物を捕獲する第１の金属
異物捕獲器、電界緩和シールドの低電界部の下方で金属
製円筒容器に設けられ金属異物を捕獲する第２の金属異
物捕獲器を備えたことにより、高電圧導体の表面では電
位分布が一定であるが、電界緩和シールド側にいくほど
電界が低くなる。特に、高電圧導体とシールド端部との
交差近傍部では、電位分布が最も疎な状態となるため、
交差近傍部に低電界部を形成する。 従って、負極性直
流高電圧が高電圧導体に印加された場合、金属製円筒容
器に平伏している金属異物が浮上し、高電圧導体の表面
に沿って移動して交差近傍部のところで下降し、第２の
金属異捕獲器で金属異物を捕獲することができる。さら
に、高電圧導体の表面に沿って移動してきた金属異物は
加速されているので、金属異物の一部が交差近傍部のと
ころで下降せずに、高電圧導体の表面に沿って移動して
導入口を通過して第１の金属異物捕獲器で金属異物を捕
獲することができる。
器、金属製円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ金属製円筒容器に対して負極性直流高電圧が印加
される高電圧導体、高電圧導体に接続する接続部を介し
て高電圧導体を金属製円筒容器に支持する絶縁スペー
サ、接続部及び接続部近傍の高電圧導体を覆い高電圧導
体との間に低電界部を形成する電界緩和シールド、電界
緩和シールドの高電圧導体側の端部に上記高電圧導体の
外周に沿う導入口を有し金属異物を捕獲する第１の金属
異物捕獲器、電界緩和シールドの低電界部の下方で金属
製円筒容器に設けられ金属異物を捕獲する第２の金属異
物捕獲器を備えたことにより、高電圧導体の表面では電
位分布が一定であるが、電界緩和シールド側にいくほど
電界が低くなる。特に、高電圧導体とシールド端部との
交差近傍部では、電位分布が最も疎な状態となるため、
交差近傍部に低電界部を形成する。 従って、負極性直
流高電圧が高電圧導体に印加された場合、金属製円筒容
器に平伏している金属異物が浮上し、高電圧導体の表面
に沿って移動して交差近傍部のところで下降し、第２の
金属異捕獲器で金属異物を捕獲することができる。さら
に、高電圧導体の表面に沿って移動してきた金属異物は
加速されているので、金属異物の一部が交差近傍部のと
ころで下降せずに、高電圧導体の表面に沿って移動して
導入口を通過して第１の金属異物捕獲器で金属異物を捕
獲することができる。
【００５０】さらにまた、電界緩和シールドの下部に低
電界を形成するように設けた開口部を備えたことによ
り、開口部の端部から開口部の中央部へいくほど電界が
低くなるので、電界緩和シールドの表面に沿って移動し
てきた金属異物は開口部のところで下降し、金属異物捕
獲器で金属異物を捕獲することができる。
電界を形成するように設けた開口部を備えたことによ
り、開口部の端部から開口部の中央部へいくほど電界が
低くなるので、電界緩和シールドの表面に沿って移動し
てきた金属異物は開口部のところで下降し、金属異物捕
獲器で金属異物を捕獲することができる。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す直流ガス絶縁
母線の断面図である。
母線の断面図である。
【図２】 図１の要部を示す断面図である。
【図３】 図１の要部を示す断面図である。
【図４】 図１の要部を金属製円筒容器の内部から見た
平面図である。
平面図である。
【図５】 図１の負極性直流高電圧下での金属異物の挙
動を示す要部の説明図である。
動を示す要部の説明図である。
【図６】 図１の負極性直流低電圧下での金属異物の挙
動を示す要部の説明図である。
動を示す要部の説明図である。
【図７】 この発明の実施の形態２を示す直流ガス絶縁
母線の断面図である。
母線の断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態３を示す直流ガス絶縁
母線の断面図である。
母線の断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態４を示す直流ガス絶縁
母線の断面図である。
母線の断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態５を示す直流ガス絶
縁母線の断面図である。
縁母線の断面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態６を拡大して示す直
流ガス絶縁母線の断面図である。
流ガス絶縁母線の断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態７を拡大して示す直
流ガス絶縁母線の断面図である。
流ガス絶縁母線の断面図である。
【図１３】 この発明の実施の形態８を拡大して示す直
流ガス絶縁母線の断面図である。
流ガス絶縁母線の断面図である。
【図１４】 従来のガス絶縁母線内の金属異物を捕獲す
る金属異物捕獲器を備えたガス絶縁母線の断面図であ
る。
る金属異物捕獲器を備えたガス絶縁母線の断面図であ
る。
【図１５】 従来のガス絶縁母線内の高電圧導体に正極
性直流高電圧が印加されたときの金属異物の挙動を示す
説明図である。
性直流高電圧が印加されたときの金属異物の挙動を示す
説明図である。
【図１６】 従来のガス絶縁母線内の高電圧導体に負極
性直流高電圧が印加されたときの金属異物の挙動を示す
説明図である。
性直流高電圧が印加されたときの金属異物の挙動を示す
説明図である。
７ 金属製円筒容器
８，１９，２２，２５，２７ 高電圧導体
９ 低電界部
９ａ，９ｂ，１７ａ，２４ａ，３２ｂ，３８ｃ 開口部
１２ 金属異物捕獲器
１６ 内部導体
２１，２４ 着脱導体
２３，２６ 接続近傍部
２９ 絶縁スペーサ
３０，３２，３４，３８ 電界緩和シールド
３１，３３，３７，４０ 交差近傍部
３４ｂ，３８ｂ 導入口
３５，３９ 第１の金属異物捕獲器
３６ 第２の金属異捕獲器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 竹内 博
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
三菱電機株式会社内
(72)発明者 羽馬 洋之
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
三菱電機株式会社内
(72)発明者 飯田 正宏
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
三菱電機株式会社内
(72)発明者 四方 学
大阪府大阪市北区中之島３丁目３番22号
関西電力株式会社内
(72)発明者 山地 幸司
香川県高松市丸の内２番５号 四国電力
株式会社内
(72)発明者 畑野 雅幸
東京都中央区銀座六丁目15番１号 電源
開発株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−31039（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−105505（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−121434（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−237517（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−136810（ＪＰ，Ａ)
実開 昭56−113413（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭63−149133（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭61−114912（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭61−205206（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭56−25926（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H02G 5/06 331
H02B 13/02
H02B 13/055
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性ガスを封入した金属性円筒容器、 この金属性円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ上記金属円筒容器に対して負極性直流高電圧が印
加される高電圧導体、 この高電圧導体の所定の箇所に低電界を形成するように
設けられた低電界部、 この低電界部の下方で上記金属性円筒容器に設けられ金
属異物を捕獲する金属異物捕獲器を備えた直流ガス絶縁
母線。 - 【請求項２】 高電圧導体の下部に低電界を形成するよ
うに設けた開口部を備えた請求項１記載の直流ガス絶縁
母線。 - 【請求項３】 高電圧導体は内部導体と着脱導体とを有
し、低電界を形成するように着脱導体の外径を内部導体
の外径より大きくして低電界部を備えた請求項１記載の
直流ガス絶縁母線。 - 【請求項４】 内部導体の外径より大きい径を有する着
脱導体の下部に低電界を形成するように設けた開口部を
備えた請求項３記載の直流ガス絶縁母線。 - 【請求項５】 絶縁性ガスを封入した金属性円筒容器、 この金属性円筒容器の内側にその中心軸に沿うように設
けられ上記金属円筒容器に対して負極性直流高電圧が印
加される高電圧導体、 この高電圧導体に接続する接続部を介して上記高電圧導
体を上記金属製円筒容器に支持する絶縁スペーサ、 上記接続部及びこの接続部近傍の上記高電圧導体を覆い
上記高電圧導体との間に低電界部を形成する電界緩和シ
ールドと、 この電界緩和シールドの低電界部の下方で上記金属製円
筒容器に設けられた金属異物を捕獲する金属異物捕獲容
器を備えた直流ガス絶縁母線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914796A JP3433004B2 (ja) | 1995-07-24 | 1996-06-11 | 直流ガス絶縁母線 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18726195 | 1995-07-24 | ||
| JP7-187261 | 1995-07-24 | ||
| JP14914796A JP3433004B2 (ja) | 1995-07-24 | 1996-06-11 | 直流ガス絶縁母線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0998526A JPH0998526A (ja) | 1997-04-08 |
| JP3433004B2 true JP3433004B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=26479132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14914796A Expired - Lifetime JP3433004B2 (ja) | 1995-07-24 | 1996-06-11 | 直流ガス絶縁母線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3433004B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4960132B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2012-06-27 | 株式会社東芝 | 直流ガス絶縁装置 |
| CN104707835A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-06-17 | 山东泰开高压开关有限公司 | 一种800kV封闭式组合电器母线设备金属微粒捕集与消除装置 |
| CN104917068B (zh) * | 2015-05-27 | 2017-11-03 | 河南省高压电器研究所 | 陷阱式微粒捕获装置和输变电设备 |
| WO2018042690A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社東芝 | ガス絶縁開閉装置およびガス絶縁開閉装置内の金属異物捕獲方法 |
| US9799472B1 (en) | 2017-01-20 | 2017-10-24 | General Electric Technology Gmbh | Gas insulated high voltage electrical device equipped with an enhanced particle trap |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP14914796A patent/JP3433004B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0998526A (ja) | 1997-04-08 |
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|---|---|---|---|
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