JP3429190B2 - Optical semiconductor device - Google Patents

Optical semiconductor device

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JP3429190B2
JP3429190B2 JP09916498A JP9916498A JP3429190B2 JP 3429190 B2 JP3429190 B2 JP 3429190B2 JP 09916498 A JP09916498 A JP 09916498A JP 9916498 A JP9916498 A JP 9916498A JP 3429190 B2 JP3429190 B2 JP 3429190B2
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optical
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laser
aspherical lens
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和之 福田
誠 嶋岡
正一 高橋
幸司 吉田
悟 菊池
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信の光
源に用いられ、レンズを介して半導体素子と光ファイバ
とを光学的に結合させる光半導体装置及びその製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device which is used, for example, as a light source for optical communication and optically couples a semiconductor element and an optical fiber via a lens, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の光半導体装置の構造に係
わる公知技術として、例えば、特開平5−37024号
公報、特開平4−261076号公報、特開平9−90
174号公報、及び特開平6−289256号公報があ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a known technique related to the structure of this type of optical semiconductor device, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 5-37024, 4-261076 and 9-90.
174 and JP-A-6-289256.

【0003】特開平5−37024号公報に記載の光半
導体装置は、半導体発光素子と光ファイバとの光結合を
球レンズを介して行うものである。すなわち、半導体発
光素子を固定するための位置合せパターンを付けた台形
溝、球レンズを固定するための十字状のV溝、及び光フ
ァイバを固定するためのV溝が、2枚の半導体ウェハか
らなる光結合用基板にそれぞれ形成されている。そし
て、それら台形溝及びV溝の深さは、半導体発光素子の
レーザ出射部と、球レンズの中心部、及び光ファイバの
コアの中心部が一致するように、個々の光デバイスの大
きさや形状に応じて設定されている。なお、球レンズの
位置調整は、傾き(水平断面内におけるレンズ光軸線と
のずれ、以下本明細書中において同様)・倒れ(鉛直断
面内におけるレンズ光軸線とのずれ、以下本明細書中に
おいて同様)が生じても無視でき光結合効率に影響はな
いため、半導体発光素子との距離及び高さを合わせるだ
けで足りる。なお、特開平4−261076号公報に
も、ほぼ同様の構成の光半導体装置が開示されている。
The optical semiconductor device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-37024 is for optically coupling a semiconductor light emitting element and an optical fiber through a spherical lens. That is, a trapezoidal groove with an alignment pattern for fixing a semiconductor light emitting element, a cross-shaped V groove for fixing a spherical lens, and a V groove for fixing an optical fiber are formed from two semiconductor wafers. Are formed on the respective optical coupling substrates. The depths of the trapezoidal groove and the V groove are such that the laser emitting portion of the semiconductor light emitting element, the central portion of the spherical lens, and the central portion of the core of the optical fiber coincide with each other in size and shape of each optical device. Is set according to. Note that the position adjustment of the spherical lens is performed by tilting (deviation from the lens optical axis in the horizontal cross section, the same in the following description) and tilting (deviation from the lens optical axis in the vertical cross section, in the following specification). The same) can be ignored and does not affect the optical coupling efficiency. Therefore, it suffices to match the distance and height with the semiconductor light emitting element. Incidentally, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-261076 discloses an optical semiconductor device having substantially the same configuration.

【0004】特開平9−90174号公報に記載の光半
導体装置は、半導体レーザと光ファイバとの光結合を第
1及び第2のレンズを備えた2レンズ系によって行うも
のである。第1のレンズは半導体レーザから出射したレ
ーザ光を平行光にする非球面レンズであり、第2のレン
ズは第1のレンズで平行光にされたレーザ光を集光し光
ファイバへ入射させる上下部分を削り出した球レンズで
ある。それらのうち、第1のレンズは、半導体レーザを
設置した金属材料からなるベースに溶接固定されたレン
ズホルダに保持されている。なお、非球面レンズである
第1のレンズは、上述した球面レンズと異なり、半導体
レーザとの距離や高さに加え、レンズの傾き・倒れを最
小限にしなければ、半導体レーザとの光軸がずれて高い
結合効率を得ることができなくなる。したがって、半導
体レーザを駆動させた状態で、第1のレンズを通ってき
たレーザ光が平行光となるように半導体レーザと第1の
レンズ間の距離・高さ及び第1レンズの傾き・倒れを調
整した後、ベースに溶接固定する。なお、特開平6−2
89256号公報にも、ほぼ同様の構成の光半導体装置
が開示されている。
The optical semiconductor device described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-90174 performs optical coupling between a semiconductor laser and an optical fiber by a two-lens system having first and second lenses. The first lens is an aspherical lens that collimates the laser light emitted from the semiconductor laser, and the second lens collects the laser light collimated by the first lens and makes it enter the optical fiber. It is a spherical lens with its part cut out. Among them, the first lens is held by a lens holder welded and fixed to a base made of a metal material on which a semiconductor laser is installed. The first lens, which is an aspherical lens, is different from the above-described spherical lens in that the optical axis with the semiconductor laser must be minimized in addition to the distance and height from the semiconductor laser and the tilt and tilt of the lens must be minimized. It becomes impossible to obtain high coupling efficiency due to the shift. Therefore, with the semiconductor laser being driven, the distance / height between the semiconductor laser and the first lens and the inclination / tilt of the first lens should be adjusted so that the laser light passing through the first lens becomes parallel light. After adjusting, weld and fix to the base. Incidentally, JP-A-6-2
Japanese Patent No. 89256 also discloses an optical semiconductor device having substantially the same configuration.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術には以下の課題が存在する。
However, the above-mentioned conventional techniques have the following problems.

【0006】すなわち、特開平5−37024号公報及
び特開平4−261076号公報に記載の光半導体装置
は、収差が大きい球レンズを使った光結合系となるた
め、レーザ光の集光性が悪くなる。その結果、半導体発
光素子と光ファイバの結合効率が低くなり、光ファイバ
からの出力光のレベルが低くなる。そのため、ファイバ
出力光のレベルを向上するためには、半導体発光素子か
ら出射するレーザ出力を高くするか、あるいは組立て精
度を高めて半導体発光素子と光ファイバの結合損失を最
小とする等の方法を取らざるを得ない。しかしながら、
前者は半導体発光素子の駆動電流を高くしなければなら
ず、消費電力・発熱量の増大及び半導体発光素子の寿命
低下という不都合が生じ、後者は部品コストや組立てコ
ストの低減が困難となる。
That is, since the optical semiconductor devices described in Japanese Patent Laid-Open Nos. 5-37024 and 4-261076 are optical coupling systems using spherical lenses with large aberrations, they have a converging property for laser light. become worse. As a result, the coupling efficiency between the semiconductor light emitting element and the optical fiber becomes low, and the level of the output light from the optical fiber becomes low. Therefore, in order to improve the level of the fiber output light, a method such as increasing the laser output emitted from the semiconductor light emitting element or improving the assembling accuracy to minimize the coupling loss between the semiconductor light emitting element and the optical fiber, etc. I have to take it. However,
The former needs to increase the drive current of the semiconductor light emitting element, which causes the disadvantages of increased power consumption and heat generation and shortened life of the semiconductor light emitting element, and the latter makes it difficult to reduce the component cost and the assembly cost.

【0007】また、特開平9−90174号公報及び特
開平6−289256号公報に記載の光半導体装置は、
2つのレンズのうちの第1のレンズとして、球レンズよ
りも収差が少ない非球面レンズを使った光結合系であ
る。そのため、上記公知例と異なりレーザ光の集光性が
良好となるので、半導体レーザと光ファイバの結合効率
を高くすることができる。しかしながら、非球面レンズ
である第1のレンズの組立時には、上記したように半導
体レーザを駆動させて非球面レンズを位置調整した後に
第1のレンズを溶接固定する方法であるため、第1のレ
ンズを通ってきたレーザ光をモニタしながら平行光とな
るようにレンズを調整するための特殊な設備が別途必要
となる。またこのとき、半導体レーザとレンズとの間の
距離・高さ及びレンズの傾き・倒れを調整するために多
大な時間が必要となる。さらに、半導体レーザを設置し
たベースに溶接固定した金属材料製のレンズホルダに第
1のレンズを保持する構造であるため、組立て作業が煩
雑となる。また、レンズホルダの分だけ部品コストが増
大し、さらに装置が大型化するという不都合もある。本
発明の目的は、特殊な設備を用いることなく、短時間か
つ容易な作業で非球面レンズの位置調整を行い、高い効
率で半導体素子と光ファイバとを光結合させることがで
きる光半導体装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
Further, the optical semiconductor devices described in JP-A-9-90174 and JP-A-6-289256,
The first lens of the two lenses is an optical coupling system using an aspherical lens having less aberration than a spherical lens. Therefore, unlike the above-mentioned known example, the converging property of the laser light is improved, and the coupling efficiency between the semiconductor laser and the optical fiber can be increased. However, when assembling the first lens, which is an aspherical lens, the method is such that the semiconductor laser is driven to adjust the position of the aspherical lens and then the first lens is welded and fixed as described above. Special equipment is required to adjust the lens so that the laser light that has passed through is parallelized while being monitored. At this time, a large amount of time is required to adjust the distance / height between the semiconductor laser and the lens and the inclination / tilt of the lens. Further, since the first lens is held by the lens holder made of a metal material, which is welded and fixed to the base on which the semiconductor laser is installed, the assembling work becomes complicated. Further, there is also a problem that the cost of parts is increased by the amount corresponding to the lens holder, and the device is increased in size. An object of the present invention is to provide an optical semiconductor device capable of adjusting a position of an aspherical lens in a short time and easily without using special equipment and optically coupling a semiconductor element and an optical fiber with high efficiency. It is to provide the manufacturing method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】(1)上記目的を達成す
るために、本発明は、半導体発光素子及び半導体受光素
子のうち少なくとも一方からなる半導体素子と、この半
導体素子を搭載する基板部材と、前記半導体素子と光学
的に結合されレーザ光を内部伝送する光ファイバと、前
記基板部材に搭載され、前記半導体素子と前記光ファイ
バとを光学的に結合させるレンズとを有する光半導体装
置において、前記基板部材は、軸線が半導体素子と前記
光ファイバとの間のレーザ光の光軸方向と略同じ方向で
ある溝部を備えており、前記レンズは、筒状部分を備え
ており、この筒状部分が、前記溝部に面接触するか又は
少なくとも2箇所で線接触するように前記溝部に直接固
定され、かつ、前記筒状部分のレンズ中心軸方向長さを
t、該レンズの外径をDとしたとき、(1/15)≦
(t/D)<1となるように構成されている。レンズが
基板部材に形成した溝部に直接固定されていることによ
り、溝を例えば異方性エッチング等によって所定の深さ
で精度良く形成することで半導体素子とレンズの高さ合
わせを無調整で行うことができる。また、溝部の軸線を
レーザ光の光軸方向と略平行な方向としておき、この溝
部に対し、レンズの筒状部分を、面接触させるか又は少
なくとも2箇所で線接触させる。これにより、その面接
触の2面(又はその延長面)のなす角を2等分する面
や、線接触の2線(又はその延長線)のなす角の2等分
線が、溝部の軸線方向と平行になるように予め設定する
ことで、レンズを溝部に設置するだけでレンズの傾きが
ゼロとなるようにすることができる。さらに、例えばレ
ーザ光の光軸方向に平行な2線で線接触させる等、面接
触の2面や線接触の2線の鉛直断面内でみた角度を適宜
設定することで、レンズを溝部に設置するだけでレンズ
の倒れがゼロとなるようにすることができる。以上によ
り、レンズの位置調整においては、レンズと半導体素子
との距離のみを合わせればよいので、例えば簡単なモニ
ター装置によってその距離をモニターしつつ調整すれば
足りる。したがって、半導体素子と光ファイバとの光結
合の高効率化を図るために非球面レンズを用いる場合
も、従来構造のように半導体素子を駆動させた状態で特
殊な設備を用いることなく、短時間かつ容易な作業でレ
ンズの位置調整を行うことができる。
(1) In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor element including at least one of a semiconductor light emitting element and a semiconductor light receiving element, and a substrate member on which the semiconductor element is mounted. An optical semiconductor device having an optical fiber optically coupled to the semiconductor element for internally transmitting a laser beam, and a lens mounted on the substrate member and optically coupling the semiconductor element and the optical fiber, The substrate member has a groove portion whose axis is substantially in the same direction as the optical axis direction of the laser light between the semiconductor element and the optical fiber, and the lens has a cylindrical portion. A portion is directly fixed to the groove portion so as to make surface contact with the groove portion or line contact at least at two points , and the length of the cylindrical portion in the lens center axis direction is
t, where D is the outer diameter of the lens, (1/15) ≦
(T / D) <1 . Since the lens is directly fixed to the groove formed on the substrate member, the groove can be accurately formed at a predetermined depth by, for example, anisotropic etching, and the height of the semiconductor element and the lens can be adjusted without adjustment. be able to. Further, the axis of the groove is set to be a direction substantially parallel to the optical axis direction of the laser beam, and the cylindrical portion of the lens is brought into surface contact or line contact at at least two positions with respect to the groove. As a result, the surface that bisects the angle formed by the two surfaces of the surface contact (or the extension surface thereof) and the bisector of the angle formed by the two lines of the line contact (or the extension line thereof) form the axis of the groove. By preliminarily setting the lens to be parallel to the direction, the inclination of the lens can be set to zero only by installing the lens in the groove. Further, the lens is installed in the groove by appropriately setting the angle seen in the vertical cross section of the two surfaces of the surface contact or the two wires of the line contact, for example, by making line contact with two lines parallel to the optical axis direction of the laser light. Just by doing so, the tilt of the lens can be made zero. As described above, in adjusting the position of the lens, only the distance between the lens and the semiconductor element needs to be adjusted, and therefore it is sufficient to adjust the position while monitoring the distance with a simple monitor device. Therefore, even when an aspherical lens is used in order to improve the efficiency of optical coupling between the semiconductor element and the optical fiber, the semiconductor element is driven as in the conventional structure without using special equipment and can be used for a short time. Moreover, the position of the lens can be adjusted by an easy operation.

【0009】[0009]

【0010】[0010]

【0011】[0011]

【0012】また、(t/D)≧(1/15)とするこ
とにより、レンズ外径に対する筒状部分の長さを十分大
きくとり、レンズの倒れを確実に防止することができ
る。また、(t/D)<1とすることにより、球面レン
ズのように収差が大きくなるのを防止してレーザ光の集
光性を確保し、結合効率を確実に高くすることができ
る。
Further, it can be prevented by a (t / D) ≧ (1/15 ), taking a sufficiently large length of the cylindrical portion to the outer diameter of the lens, to ensure the inclination of the lens. Further, by setting (t / D) <1, it is possible to prevent the aberration from increasing as in the case of the spherical lens, to secure the converging property of the laser light, and to surely increase the coupling efficiency.

【0013】(2)上記(1)において、好ましくは、
前記半導体素子から前記筒状部分までの距離をL、前記
レンズの焦点距離をfとしたとき、0.7×(1/2)
×D≦L≦fとなるように配置されている。0.7×
(1/2)×D≦Lとすることにより、半導体素子から
筒状部分までの距離が過小となり溝部の端部に筒状部分
が干渉するのを確実に防止することができる。また例え
ば、レンズを2つ用いて半導体素子と光ファイバとを結
合させる場合に、半導体素子側のレンズの反半導体素子
側はレーザ光を少なくとも平行方向に入出射しなければ
ならないが、L≦fとすることにより、半導体素子から
筒状部分までの距離が過大となりレーザ光が平行方向よ
りも広がってしまうのを確実に防止することができる。
(2) In the above (1), preferably,
When the distance from the semiconductor element to the cylindrical portion is L and the focal length of the lens is f, 0.7 × (1/2)
It is arranged so that × D ≦ L ≦ f. 0.7 x
By setting (1/2) × D ≦ L, it is possible to reliably prevent the distance from the semiconductor element to the tubular portion to be too small and the tubular portion to interfere with the end of the groove. Further, for example, in the case where a semiconductor element and an optical fiber are coupled by using two lenses, the laser light must enter and emit in the parallel direction at least on the side opposite to the semiconductor element side of the lens on the semiconductor element side. By so doing, it is possible to reliably prevent the distance from the semiconductor element to the cylindrical portion to become too large and the laser light to spread beyond the parallel direction.

【0014】(3)上記(1)において、また好ましく
は、前記レンズは、前記筒状部分の両側に位置し、レー
ザ入射側端部又は出射側端部となる2つの曲率部分を備
えており、一方の曲率部分の前端から他方の曲率部分の
後端までのレンズ厚さをT、該レンズの外径をDとした
とき、T<Dとなるように構成されている。組立時に、
光結合損失の発生を低減し光結合効率を向上するため筒
状部分を半導体素子に近づけようとしても、基板部材の
溝部の端部に干渉してある程度以上は近づけられない場
合があるが、レーザ入射側端部に曲率部分を備えている
ことにより、そのような場合もその曲率部分は干渉する
ことなく筒状部分よりもさらに半導体素子側に近づける
ことができる。したがって、組立時における光結合損失
の発生を最小限にすることができる。
(3) In the above (1), and preferably, the lens includes two curved portions located on both sides of the tubular portion and serving as a laser incident side end portion or a laser emitting side end portion. , T <D, where T 1 is the lens thickness from the front end of one curvature portion to the rear end of the other curvature portion and D is the outer diameter of the lens . During assembly,
Even if an attempt is made to bring the cylindrical portion closer to the semiconductor element in order to reduce the occurrence of optical coupling loss and improve the optical coupling efficiency, it may interfere with the end of the groove of the substrate member and cannot be brought closer to a certain extent. Since the incident side end portion is provided with the curved portion, even in such a case, the curved portion can be brought closer to the semiconductor element side than the tubular portion without interference. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of optical coupling loss during assembly.

【0015】[0015]

【0016】[0016]

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照しつつ説明する。なお、各図においては、煩雑を避
けるために一部のメタライズ配線やワイヤボンディン
グ、接着剤及びレーザ溶接等の図示を適宜省略してい
る。本発明の第1の実施形態を図1〜図4により説明す
る。本実施形態による光半導体装置の全体構造を表す水
平断面図を図2に示す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each drawing, in order to avoid complication, a part of the metallized wiring, wire bonding, adhesive, laser welding and the like are omitted as appropriate. A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a horizontal sectional view showing the overall structure of the optical semiconductor device according to the present embodiment.

【0019】この図2において、光半導体装置は、半導
体発光素子としてのレーザダイオード1及び半導体受光
素子としてのフォトダイオード2と、これらレーザダイ
オード1及びフォトダイオード2を駆動制御する電子部
品素子(図示せず)と、レーザダイオード1及びフォト
ダイオード2及び電子部品素子を搭載するシリコン基板
4と、レーザダイオード1及びフォトダイオード2と光
学的に結合されレーザ光を内部伝送する光ファイバ(図
示せず、後述するフェルール9に内設)と、シリコン基
板4に搭載され、レーザダイオード1及びフォトダイオ
ード2と光ファイバとを光学的に結合させる非球面レン
ズ3と、レーザダイオード1及びフォトダイオード2を
装置外部に電気的に接続するためのメタライズ配線12
及びリード端子7と、シリコン基板4を収納するケース
6と、光ファイバを内設し、ケース6の一端に設けたパ
イプ8端に取り付けられたフェルール9とを有してお
り、レーザダイオード1及びフォトダイオード2と光フ
ァイバとの光結合を非球面レンズ3の単体で行うもので
ある。
In FIG. 2, an optical semiconductor device includes a laser diode 1 as a semiconductor light emitting element and a photodiode 2 as a semiconductor light receiving element, and electronic component elements (not shown) for driving and controlling the laser diode 1 and the photodiode 2. No.), a silicon substrate 4 on which the laser diode 1, the photodiode 2 and the electronic component element are mounted, and an optical fiber (not shown; (Inside the ferrule 9), an aspherical lens 3 mounted on the silicon substrate 4 for optically coupling the laser diode 1 and the photodiode 2 with the optical fiber, and the laser diode 1 and the photodiode 2 outside the device. Metallized wiring 12 for electrical connection
The laser diode 1 has a lead terminal 7, a case 6 for accommodating the silicon substrate 4, an optical fiber inside, and a ferrule 9 attached to an end of a pipe 8 provided at one end of the case 6. Optical coupling between the photodiode 2 and the optical fiber is performed by the aspherical lens 3 alone.

【0020】ケース6は、箱型形状を備えた例えばセラ
ミックス材で構成されており、リード端子7を両側に4
本づつ計8本備えている。このケース6の上面には、ケ
ース6内部を外部と遮断するためのキャップ(図示せ
ず)が接合されている。またこの箱型ケース6の寸法
は、例えば、高さ(図2中紙面に垂直方向)が4.6m
m、横幅(図2中上下方向)が7.4mm、長さ(図2
中横方向)が10.0mmとなっており、リード端子7
が例えば2.54mm間隔で設けられている。
The case 6 is made of, for example, a ceramic material having a box shape, and has lead terminals 7 on both sides thereof.
It has a total of eight books. A cap (not shown) for connecting the inside of the case 6 to the outside is joined to the upper surface of the case 6. The size of the box-shaped case 6 is, for example, 4.6 m in height (direction perpendicular to the paper surface in FIG. 2).
m, width (up and down direction in FIG. 2) is 7.4 mm, length (FIG. 2)
The horizontal direction) is 10.0 mm, and the lead terminal 7
Are provided at intervals of 2.54 mm, for example.

【0021】パイプ8は、金属部材であり、フェルール
9を取り付ける(後述)前に、あらかじめケース6に銀
ろう付け(図示せず)で固定されている。
The pipe 8 is a metal member and is fixed to the case 6 in advance by silver brazing (not shown) before attaching the ferrule 9 (described later).

【0022】フェルール9は、光ファイバの素線を内設
し固定しているジルコニア部材10と、光ファイバの被
覆を固定している金属部材11とから構成されている。
このフェルール9の取り付けの際は、非球面レンズ3か
ら通ってきたレーザ光を光ファイバに入射させ、そのと
きの光ファイバ出力が最大となるように位置を調整した
後、金属部材11をパイプ8端面にレーザ溶接(図示せ
ず)で固定している。ジルコニア部材10の先端に露出
した光ファイバの先端14は、レーザダイオード1から
発振したレーザ光が光ファイバ先端14で反射戻り光と
してレーザダイオード1に戻るのを防ぐために、図2に
示すように斜めに加工されている。そしてこのとき、こ
の斜め加工された光ファイバに対し効率良くレーザ光を
入射させるため、レーザダイオード1と非球面レンズ3
の光軸を相対的に数十μmずらしてレーザ光を斜めに出
射させるとともに、レーザダイオード1や非球面レンズ
3を搭載したシリコン基板4をケース6の中心からやや
図2中下側にずらして設置することにより、非球面レン
ズ3から通ってきたレーザ光が図2中右上がり方向に出
射させるようにしている。
The ferrule 9 is composed of a zirconia member 10 in which the strands of the optical fiber are internally fixed and a metal member 11 in which the coating of the optical fiber is fixed.
When the ferrule 9 is attached, the laser light that has passed through the aspherical lens 3 is made incident on the optical fiber, and the position is adjusted so that the optical fiber output at that time is maximized. It is fixed to the end face by laser welding (not shown). The tip 14 of the optical fiber exposed at the tip of the zirconia member 10 is slanted as shown in FIG. 2 in order to prevent the laser light oscillated from the laser diode 1 from returning to the laser diode 1 as reflected return light at the tip 14 of the optical fiber. Has been processed into. At this time, the laser diode 1 and the aspherical lens 3 are arranged so that the laser light is efficiently incident on the obliquely processed optical fiber.
The laser beam is obliquely emitted by relatively displacing the optical axis of the laser beam by several tens of μm, and the silicon substrate 4 on which the laser diode 1 and the aspherical lens 3 are mounted is slightly shifted from the center of the case 6 to the lower side in FIG. By installing the laser light, the laser light passing through the aspherical lens 3 is emitted in the upward right direction in FIG.

【0023】本実施形態の光半導体装置の特徴の1つで
あるレンズ搭載構造を表す斜視図を図1に、その縦断面
図及び側面図をそれぞれ図3(a)及び図3(b)に示
す。これら図1、図3(a)、及び図3(b)におい
て、レ−ザダイオ−ド1とフォトダイオ−ド2は、シリ
コン基板4の上面に形成したメタライズ配線12上のマ
ーカ(図示せず)を目印にそれぞれ所定位置に位置決め
して搭載されている。またこれらレ−ザダイオ−ド1及
びフォトダイオ−ド2は、ワイヤ−ボンディング13を
介し、シリコン基板4上面のメタライズ配線12にそれ
ぞれ電気的に接続されている。
FIG. 1 is a perspective view showing a lens mounting structure which is one of the features of the optical semiconductor device of this embodiment, and FIG. 3 (a) and FIG. 3 (b) are a longitudinal sectional view and a side view thereof, respectively. Show. In FIG. 1, FIG. 3A, and FIG. 3B, the laser diode 1 and the photodiode 2 are markers (not shown) on the metallized wiring 12 formed on the upper surface of the silicon substrate 4. ) Is used as a mark for positioning at predetermined positions. The laser diode 1 and the photo diode 2 are electrically connected to the metallized wiring 12 on the upper surface of the silicon substrate 4 via wire bonding 13.

【0024】シリコン基板4には、横断面形状が有底の
略V字形状であるV溝5が異方性エッチングによって形
成され、このV溝5は、両側の斜面5a,5bと底面5
cとから構成されている(図3(b)参照)。また、V
溝5は、その軸線がレーザダイオード1及びフォトダイ
オード2と光ファイバとの間のレーザ光の光軸方向と略
平行な方向となっている。さらに、V溝5は、図3
(b)に示されるように側面形状及び横断面形状が逆等
脚台形となっており、しかもこのとき、底面5cの鉛直
方向高さは軸方向に一定(すなわち底面5cは水平面)
となっている。なお、このシリコン基板4は、例えば厚
さ(図3(a)中上下方向)が1.0mm、V溝5の深
さが0.78mmとなっている。
A V-shaped groove 5 having a substantially V-shaped cross section is formed on the silicon substrate 4 by anisotropic etching. The V-shaped groove 5 has slopes 5a and 5b on both sides and a bottom surface 5.
and c (see FIG. 3B). Also, V
The axis of the groove 5 is substantially parallel to the optical axis direction of the laser light between the laser diode 1 and the photodiode 2 and the optical fiber. In addition, the V groove 5 is shown in FIG.
As shown in (b), the side surface shape and the cross-sectional shape are inverted isosceles trapezoids, and at this time, the vertical height of the bottom surface 5c is constant in the axial direction (that is, the bottom surface 5c is a horizontal plane).
Has become. The silicon substrate 4 has, for example, a thickness (vertical direction in FIG. 3A) of 1.0 mm and a V groove 5 depth of 0.78 mm.

【0025】非球面レンズ3は、レーザダイオード1か
ら出射するレーザ光に対して入射端面と出射端面に曲率
を設けた略円柱状形状となっており、主にガラスモール
ドあるいはプレス成形によって形成されている。詳細に
は、非球面レンズ3は、略円筒形状である筒状部分3a
と、この筒状部分3aの両側に位置しレーザ入射側端部
又は出射側端部となる2つの曲率部分3b,3cとから
構成されており、筒状部分3aの外周面15がV溝5の
両斜面5a,5bに対し2箇所で線接触する(図3
(b)中の線接触部位16参照)ように、接着剤(図示
せず)で直接接合固定されている(後に詳述)。また、
レンズ3及びその周辺に関する各部寸法は、筒状部分3
aのレンズ中心軸方向長さt(図3(a)参照)、レン
ズ3の外径D(同)、一方の曲率部分3bの前端から他
方の曲率部分3cの後端までのレンズ厚さT、及びレー
ザダイオード1から筒状部分3bまでの距離Lが、 (1/15)≦(t/D)<1 0.7×(D/2)≦L≦1.0×(D/2) T<D となるように構成・配置されている。具体的には、例え
ば、D=1.5mm、t=0.2〜0.3mm、T=
0.8mm、L=0.53mmとなっている。また、非
球面レンズ3の開口数は0.55、焦点距離f=0.7
8mmとなっている。
The aspherical lens 3 has a substantially columnar shape with curvature on the incident end face and the emitting end face for the laser light emitted from the laser diode 1, and is mainly formed by glass molding or press molding. There is. Specifically, the aspherical lens 3 has a cylindrical portion 3a having a substantially cylindrical shape.
And two curvature portions 3b and 3c located on both sides of the tubular portion 3a and serving as a laser incident side end portion or a laser emitting side end portion, and the outer peripheral surface 15 of the tubular portion 3a is formed by the V groove 5. Line contact with both slopes 5a and 5b at two locations (Fig. 3
As shown in the line contact portion 16 in (b)), it is directly bonded and fixed with an adhesive (not shown) (detailed later). Also,
The dimensions of the lens 3 and its surroundings are the same as the cylindrical portion 3.
The lens center axial length t of a (see FIG. 3A), the outer diameter D of the lens 3 (same), and the lens thickness T from the front end of one curvature portion 3b to the rear end of the other curvature portion 3c. , And the distance L from the laser diode 1 to the cylindrical portion 3b is (1/15) ≦ (t / D) <1 0.7 × (D / 2) ≦ L ≦ 1.0 × (D / 2) It is constructed and arranged so that T <D. Specifically, for example, D = 1.5 mm, t = 0.2 to 0.3 mm, T =
It is 0.8 mm and L = 0.53 mm. The numerical aperture of the aspherical lens 3 is 0.55 and the focal length f = 0.7.
It is 8 mm.

【0026】次に、本実施形態のもう1つの特徴であ
る、シリコン基板4のV溝5へのレンズ固定方法を図4
を用いて説明する。
Next, another method of fixing the lens to the V groove 5 of the silicon substrate 4, which is another feature of this embodiment, will be described with reference to FIG.
Will be explained.

【0027】レンズ3を固定する際には、まず、非球面
レンズ3をレンズ保持パイプ21で真空吸着して搬送
し、レーザダイオード1とフォトダイオード2を搭載し
たシリコン基板4のV溝5に載置する。次に、レンズ3
を吸着させた状態のままレンズ保持パイプ21をV溝5
の軸方向に微小移動させ、シリコン基板4上のレーザダ
イオード1及びフォトダイオード2との距離が所定値に
なるように、V溝5内において非球面レンズ3の位置を
調整する。
When the lens 3 is fixed, first, the aspherical lens 3 is vacuum-sucked by the lens holding pipe 21 and conveyed, and mounted on the V groove 5 of the silicon substrate 4 on which the laser diode 1 and the photodiode 2 are mounted. Place. Next, lens 3
Lens holding pipe 21 with V groove 5
The position of the aspherical lens 3 in the V groove 5 is adjusted so that the distance between the laser diode 1 and the photodiode 2 on the silicon substrate 4 becomes a predetermined value by making a small movement in the axial direction.

【0028】調整によって距離が所定値となったら、そ
の状態で、ワイヤ保持具19に取り付けたワイヤ部材2
0を非球面レンズ3の外周面15に接触させ、さらにワ
イヤ保持具19を図4中矢印の方向に移動させ、非球面
レンズ3の外周面15にワイヤ部材20を沿わせた状態
で非球面レンズ3をV溝5に押し付け、非球面レンズ3
をその調整された位置に保持する。なお、非球面レンズ
3をワイヤ部材20で押し付けたときに、非球面レンズ
3が微妙に位置ずれする可能性も全くないとは言えない
が、その時の位置ずれ量は10μm以下、角度ずれ量は
2度以下であることを本願発明者等は確認した。この程
度の位置ずれ量及び角度ずれ量であれば、レーザダイオ
ード1と光ファイバの光結合効率が大きく低下すること
はなく、問題はないことがわかった。
When the distance reaches a predetermined value by adjustment, the wire member 2 attached to the wire holder 19 in that state.
0 is brought into contact with the outer peripheral surface 15 of the aspherical lens 3, the wire holder 19 is moved in the direction of the arrow in FIG. 4, and the aspherical surface is obtained with the wire member 20 along the outer peripheral surface 15 of the aspherical lens 3. The lens 3 is pressed against the V groove 5, and the aspherical lens 3
Hold it in its adjusted position. It should be noted that when the aspherical lens 3 is pressed by the wire member 20, there is no possibility that the aspherical lens 3 will be slightly deviated, but the amount of positional deviation at that time is 10 μm or less, and the amount of angular deviation is The inventors of the present application have confirmed that it is twice or less. It was found that if the positional shift amount and the angular shift amount are in this degree, the optical coupling efficiency between the laser diode 1 and the optical fiber does not significantly decrease, and there is no problem.

【0029】その後、非球面レンズ3をV溝5の所定位
置に保持した状態で、接着剤(図示せず)を非球面レン
ズ3とV溝5が接触している部分(すなわち図3(b)
の線接触部位16に相当)へ塗布して硬化させ、非球面
レンズ3をV溝5に固定する。なお、このときの接着材
としては、非球面レンズ3を保持した状態で短時間で硬
化できる紫外線硬化接着剤が好ましい。
Then, with the aspherical lens 3 held at a predetermined position in the V groove 5, a portion where the adhesive (not shown) is in contact with the aspherical lens 3 and the V groove 5 (that is, FIG. 3B). )
(Corresponding to the line contact portion 16 of FIG. 3) and cured to fix the aspherical lens 3 to the V groove 5. As the adhesive at this time, an ultraviolet curable adhesive that can be cured in a short time while holding the aspherical lens 3 is preferable.

【0030】このようにして非球面レンズ3を固定した
後、レンズ保持パイプ21及びワイヤ部材20をそれぞ
れ非球面レンズ3から取り外す。
After fixing the aspherical lens 3 in this manner, the lens holding pipe 21 and the wire member 20 are removed from the aspherical lens 3, respectively.

【0031】以上のように構成した本実施形態の作用効
果を以下に順次説明する。
The operation and effect of this embodiment having the above-described configuration will be sequentially described below.

【0032】(1)レンズ搭載構造による作用効果 非球面レンズ3が異方性エッチングでシリコン基板4に
形成したV溝5に直接固定されていることにより、予め
V溝5を所定の深さで精度良く形成しておくことでレー
ザダイオード1のレーザ出射部及びフォトダイオード2
のレーザ入射部と非球面レンズ3の光軸の高さ合わせを
無調整で行うことができる。また、V溝5の軸線がレー
ザ光の光軸方向と略平行な方向であり、そしてこのV溝
5に対し非球面レンズ3の筒状部分3aの外周面15が
2箇所の線接触部位16で線接触していることにより、
非球面レンズ3をV溝5に設置するだけで非球面レンズ
3の傾きがゼロとなる(すなわち非球面レンズ3の中心
軸方向がレーザ光の光軸方向に一致する)。さらに、V
溝5は、側面形状及び横断面形状が逆等脚台形で、かつ
底面5cの鉛直方向高さが軸方向に一定となっているこ
とにより、非球面レンズ3の筒状部分3aをV溝5に設
置するだけで、非球面レンズ3の倒れがゼロとなる。こ
れらの結果、非球面レンズ3の位置調整においては、図
4を用いて上述したように、非球面レンズ3の前面とレ
ーザダイオード1のレーザ出射部又はフォトダイオード
2のレーザ入射部との間の距離合わせのみを行えばよい
ので、例えば簡単なモニター装置によってその距離を計
測しつつ調整すれば足りる。したがって、従来構造のよ
うに半導体素子を駆動させた状態で特殊な設備を用いる
ことなく、非球面レンズ3の位置調整を短時間かつ容易
な作業で行うことができる。また、従来構造のようにレ
ンズホルダを用いることなく非球面レンズ3をV溝5に
直接固定するので、部品点数減少及び作業工程低減によ
ってコストダウンを図ることができ、また装置の小型化
を図ることもできるのでプリント基板への両面実装を容
易に実現できるという効果もある。
(1) Function and effect of the lens mounting structure Since the aspherical lens 3 is directly fixed to the V groove 5 formed in the silicon substrate 4 by anisotropic etching, the V groove 5 is previously formed with a predetermined depth. The laser emitting portion of the laser diode 1 and the photodiode 2 can be formed by forming them with high precision.
The heights of the optical axes of the laser incident part and the aspherical lens 3 can be adjusted without adjustment. The axis of the V groove 5 is substantially parallel to the optical axis direction of the laser light, and the outer peripheral surface 15 of the cylindrical portion 3a of the aspherical lens 3 has two line contact portions 16 with respect to the V groove 5. The line contact at
The inclination of the aspherical lens 3 becomes zero only by installing the aspherical lens 3 in the V groove 5 (that is, the central axis direction of the aspherical lens 3 matches the optical axis direction of the laser light). Furthermore, V
The groove 5 has an inverted isosceles trapezoidal side surface shape and a lateral cross-sectional shape, and the vertical height of the bottom surface 5c is constant in the axial direction, so that the cylindrical portion 3a of the aspherical lens 3 is formed into the V groove 5. The tilt of the aspherical lens 3 can be reduced to zero by simply installing the lens in. As a result, in adjusting the position of the aspherical lens 3, as described above with reference to FIG. 4, the position between the front surface of the aspherical lens 3 and the laser emitting portion of the laser diode 1 or the laser incident portion of the photodiode 2 is adjusted. Since it is only necessary to adjust the distance, it is sufficient to adjust the distance while measuring it with a simple monitor device, for example. Therefore, the position adjustment of the aspherical lens 3 can be performed in a short time and with a simple operation without using special equipment while driving the semiconductor element as in the conventional structure. Further, since the aspherical lens 3 is directly fixed to the V groove 5 without using a lens holder as in the conventional structure, it is possible to reduce the cost by reducing the number of parts and the working process, and to downsize the device. It is also possible to realize double-sided mounting on a printed circuit board.

【0033】(2)レンズ固定方法による作用効果 シリコン基板4のV溝5へ非球面レンズ3を固定すると
き、弾性を備えたワイヤ部材20で非球面レンズ3をV
溝5に保持して固定することにより、レンズ外周面15
とV溝5の接触部分(線接触部位16)に余分な外力が
加わらず、レンズ外周面15がV溝5に自然に倣うよう
に搭載できる。したがって、非球面レンズ3を安定的に
位置決めし固定することができるので、上記(1)によ
る効果に加え、さらに確実に非球面レンズ3の傾き・倒
れを防止し、高い光結合効率を確保できる。特に、非球
面レンズ3が小径で肉厚が薄い場合に有効である。
(2) Function and effect of the lens fixing method When fixing the aspherical lens 3 to the V groove 5 of the silicon substrate 4, the aspherical lens 3 is fixed to the V groove 5 by the elastic wire member 20.
By holding and fixing in the groove 5, the lens outer peripheral surface 15
The lens outer peripheral surface 15 can be mounted so as to follow the V groove 5 naturally without applying an extra external force to the contact portion (line contact portion 16) of the V groove 5. Therefore, since the aspherical lens 3 can be stably positioned and fixed, in addition to the effect of the above (1), the inclination / tilt of the aspherical lens 3 can be prevented more reliably, and high optical coupling efficiency can be secured. . In particular, it is effective when the aspherical lens 3 has a small diameter and a thin wall thickness.

【0034】(3)t/Dの設定による作用効果 t/Dがあまり小さすぎると、レンズ外径に対する筒状
部分の長さが十分でなく、レンズの倒れを防止するのが
困難となる可能性がある(図3(a)参照)。本願発明
者等は、t/Dの値を種々変えて検討した結果、レンズ
の倒れを確実に防止できるt/Dの下限値としてt/D
=1/15が適当であると判断した。一方、t/D=1
となると実質的に球面レンズに近くなるため、収差が大
きくなってレーザ光の集光性が低下し、結合効率の向上
が困難となる。本実施形態においては、前述したよう
に、筒状部分3aのレンズ中心軸方向長さt及び非球面
レンズ3の外径Dが(1/15)≦(t/D)<1とな
っている。これにより、非球面レンズ3の倒れをさらに
確実に防止することができるとともに、結合効率を確実
に高く維持することができる。
(3) Effect of setting t / D If t / D is too small, the length of the tubular portion with respect to the lens outer diameter is not sufficient, and it may be difficult to prevent the lens from falling. (See FIG. 3A). The inventors of the present application have studied various values of t / D, and as a result, t / D is set as the lower limit of t / D that can surely prevent the lens from falling.
It was determined that = 1/15 was appropriate. On the other hand, t / D = 1
In that case, the lens becomes substantially closer to a spherical lens, so that the aberration becomes large and the condensing property of the laser light is deteriorated, so that it is difficult to improve the coupling efficiency. In the present embodiment, as described above, the length t of the cylindrical portion 3a in the central axis direction of the lens and the outer diameter D of the aspherical lens 3 are (1/15) ≦ (t / D) <1. . As a result, it is possible to more reliably prevent the aspherical lens 3 from collapsing, and it is possible to reliably maintain high coupling efficiency.

【0035】(4)Lの設定による作用効果 Lがあまり小さすぎると、レーザダイオード1から筒状
部分3aまでの距離が過小となりV溝5の端部に筒状部
分3aが干渉する可能性がある(図3(a)参照)。本
願発明者等は、特に異方性エッチングによるV溝5の端
部斜面形状を考慮しつつLやDの値を種々変えて検討し
た結果、上記干渉を確実に防止できるLの下限値として
0.7×(D/2)が適当であると判断した。一方、レ
ーザダイオード1から出射するレーザ光は通常30度前
後に広がり角を持っているが、Lがあまりに大きくなる
とその広がったレーザ光が十分に非球面レンズ3に入射
しなくなる可能性がある。本願発明者等は、LやDの値
を種々変えて検討した結果、レーザ光が十分に非球面レ
ンズ3に入射できるLの上限値として1.0×(D/
2)が適当であると判断した。なお、このLの範囲を実
現するための典型的な例としては、非球面レンズ3の開
口数を0.5〜0.6とし、また非球面レンズ3の焦点
距離を0.7〜0.9mmとすればよい。本実施形態に
おいては、前述したように、非球面レンズ3の開口数を
0.55、焦点距離を0.78mmとし、レーザダイオ
ード1から筒状部分3aまでの距離Lを0.7×(D/
2)≦L≦1.0×(D/2)を満足するように設定し
ている。これにより、V溝5の端部に筒状部分3aが干
渉するのを確実に防止できるとともに、レーザダイオー
ド1からのレーザ光を非球面レンズ3に確実に効率良く
入射させることができる。
(4) If the operational effect L due to the setting of L is too small, the distance from the laser diode 1 to the tubular portion 3a becomes too small, and the tubular portion 3a may interfere with the end of the V groove 5. Yes (see FIG. 3 (a)). The inventors of the present application conducted various examinations by changing the values of L and D in consideration of the end surface slope shape of the V groove 5 by anisotropic etching. As a result, the lower limit value of L that can reliably prevent the interference is 0. It was judged that 0.7 × (D / 2) was appropriate. On the other hand, the laser light emitted from the laser diode 1 usually has a divergence angle of about 30 degrees, but if L becomes too large, the diverged laser light may not sufficiently enter the aspherical lens 3. The inventors of the present application have studied various values of L and D, and as a result, as the upper limit value of L at which laser light can be sufficiently incident on the aspherical lens 3, 1.0 × (D /
2) was judged to be appropriate. As a typical example for realizing the range of L, the numerical aperture of the aspherical lens 3 is 0.5 to 0.6, and the focal length of the aspherical lens 3 is 0.7 to 0. It may be 9 mm. In the present embodiment, as described above, the numerical aperture of the aspherical lens 3 is 0.55, the focal length is 0.78 mm, and the distance L from the laser diode 1 to the tubular portion 3a is 0.7 × (D /
2) ≦ L ≦ 1.0 × (D / 2) is set. As a result, it is possible to reliably prevent the cylindrical portion 3a from interfering with the end portion of the V groove 5, and it is possible to reliably and efficiently make the laser light from the laser diode 1 enter the aspherical lens 3.

【0036】(5)その他 非球面レンズ3を組み立てる際、光結合損失の発生を低
減し光結合効率を向上するため筒状部分3aをレーザダ
イオード1に近づけようとしても、シリコン基板4のV
溝5の端部に干渉してある程度以上は近づけられない場
合があるが、本実施形態においては、非球面レンズ3の
レーザ入射側端部に曲率部分3bを備えていることによ
り、そのような場合もその曲率部分3bは干渉すること
なく筒状部分3aよりもさらにレーザダイオード1側に
近づけることができる。したがって、組立時における光
結合損失の発生を最小限にすることができる。
(5) Others When assembling the aspherical lens 3, even if the cylindrical portion 3a is brought closer to the laser diode 1 in order to reduce the generation of optical coupling loss and improve the optical coupling efficiency, V of the silicon substrate 4 will be used.
In some cases, the end of the groove 5 interferes with the groove 5 and cannot be brought closer to a certain extent. However, in the present embodiment, the aspherical lens 3 has a curved portion 3b at the end on the laser incident side. Also in this case, the curved portion 3b can be brought closer to the laser diode 1 side than the cylindrical portion 3a without interference. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of optical coupling loss during assembly.

【0037】なお、上記第1の実施形態においては、半
導体素子として、レーザダイオード1とフォトダイオー
ド2との両方を備えている光半導体装置を例にとって説
明したが、これに限られず、いずれか一方のみを備えて
いる光半導体装置にも適用でき、同様の効果を得る。
In the first embodiment, the optical semiconductor device having both the laser diode 1 and the photodiode 2 as the semiconductor element has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and either one of them is used. It can be applied to an optical semiconductor device including only the same, and the same effect can be obtained.

【0038】また、上記第1の実施形態においては、非
球面レンズ3とレーザダイオード1との距離方向の調整
は、モニター装置によってその距離を計測しつつ行った
が、これに限られず、あらかじめシリコン基板4に非球
面レンズ3を位置合せするための目印(図示せず)を設
けておき、これを目標に非球面レンズを搭載することで
所定距離とするようにしても良い。この場合も同様の効
果を得る。
In the first embodiment, the distance between the aspherical lens 3 and the laser diode 1 is adjusted while the distance is measured by the monitor device. A mark (not shown) for aligning the aspherical lens 3 may be provided on the substrate 4, and the aspherical lens may be mounted on the substrate 4 so as to be a predetermined distance. Also in this case, the same effect is obtained.

【0039】さらに、上記第1の実施の形態において
は、非球面レンズ3を固定するためにシリコン基板4に
V溝5を形成したが、これに限られるものではなく、例
えば横断面形状が略台形形状(等脚台形でないもの)や
略矩形形状の溝であってもよい。これらの場合も、同様
の効果を得る。
Further, in the first embodiment described above, the V groove 5 is formed in the silicon substrate 4 for fixing the aspherical lens 3, but the present invention is not limited to this, and, for example, the cross-sectional shape is substantially the same. It may be a trapezoidal shape (not an isosceles trapezoid) or a substantially rectangular groove. Similar effects are obtained in these cases as well.

【0040】また、上記第1の実施形態においては、非
球面レンズ3をV溝5に設置し押し付けた状態で線接触
部位16に接着材を塗布したが、これに限られず、V溝
5のうち非球面レンズ3が設置される部分にあらかじめ
接着剤を塗布しておいても良い。この場合も同様の効果
を得る。
Further, in the first embodiment, the adhesive is applied to the line contact portion 16 in a state where the aspherical lens 3 is installed in the V groove 5 and pressed, but the present invention is not limited to this, and the line contact portion 16 is not limited to this. Of these, an adhesive may be applied in advance to the portion where the aspherical lens 3 is installed. Also in this case, the same effect is obtained.

【0041】さらに、上記第1の実施形態においては、
非球面レンズ3を押し付ける部材としてワイヤ部材20
を使用したが、これに限られない。すなわち非球面レン
ズ3の外周面15がV溝5の面と線接触する際に余分な
外力が加わらないような弾性を備えた部材であれば足
り、テープ部材、バネ部材、衝撃吸収部材、及びこれら
の部材を備えた他の構成部材等を用いても良い。またこ
のとき、例えば先端形状がピン形状、フラット形状、及
びV字型形状等であっても良い。これらの場合も同様の
効果を得る。
Further, in the first embodiment,
A wire member 20 as a member for pressing the aspherical lens 3
Was used, but is not limited to this. That is, a member having elasticity such that an external force is not applied when the outer peripheral surface 15 of the aspherical lens 3 makes a line contact with the surface of the V groove 5, a tape member, a spring member, an impact absorbing member, and Other constituent members including these members may be used. At this time, for example, the tip shape may be a pin shape, a flat shape, a V-shape, or the like. Similar effects are obtained in these cases.

【0042】また、上記第1の実施形態においては、箱
型ケース6の寸法を、高さ4.6mm、横幅7.4m
m、長さ10.0mmとしているが、これらに限定され
るものではない。すなわち、プリント基板への両面実装
を可能にするには、ケース6の高さは少なくとも4.7
mm以下とすれば足りる。そして、ケース6の高さを
4.7mm以下とするためには、ケース6内に取り付け
る非球面レンズ3の外径D=2.0mm以下とすれば足
り、本実施形態のようにD=1.5mmに限られるもの
ではない。
In the first embodiment, the size of the box-shaped case 6 is 4.6 mm in height and 7.4 m in width.
However, the length is not limited to these. That is, in order to enable double-sided mounting on a printed circuit board, the height of the case 6 is at least 4.7.
It is sufficient if it is less than or equal to mm. In order to set the height of the case 6 to 4.7 mm or less, it is sufficient to set the outer diameter D of the aspherical lens 3 mounted in the case 6 to 2.0 mm or less, and D = 1 as in the present embodiment. It is not limited to 0.5 mm.

【0043】さらに、上記第1の実施形態においては、
図3(b)に示されるように、レンズ外周面15とV溝
5とは2つの線接触部位16,16で線接触したが、こ
れに限られず、3つ以上の箇所で線接触してもよい。例
えば底面5cの高さをもっと上に上げて、底面5cもレ
ンズ外周面15の最下部と線接触させる等が考えられ
る。これらの場合も、同様の効果を得る。さらに、線接
触にも限られず、V溝5と2面で面接触するようにして
もよい。この場合の変形例を図5により説明する。図5
は、この変形例におけるレンズ搭載構造を表す側面図で
あり、第1の実施形態の図3(b)にほぼ相当する図で
ある。この図5に示すように、この変形例では、非球面
レンズ3の筒状部分3aが略多角筒形状(正確には略十
二角筒形状)となっており、その外周部15のうち2つ
の面15a,15bが、V溝5の両斜面5a,5bとの
間に面接触部位22を形成している。すなわち、異方性
エッチングで形成されるV溝5の斜面5a,5bの角度
(例えば54.7°)に合わせて筒状部分3aの略多角
筒形状が予め形成されており、これによって2つの面1
5a,15bでの面接触を可能としている。略多角筒形
状の筒状部分3aを備えた非球面レンズ3は、第1の実
施形態同様、主にガラスモールドあるいはプレス成形に
よって、後加工の必要なく容易に形成することができ
る。なお、筒状部分3aの外周面15の多角形形状は正
多角形に限られるものではない。また、筒状部分3aは
略多角筒形状にも限られず、外周面15に曲面と平面と
が混在している筒形状でも良い。本変形例においては、
面接触であることから、第1の実施形態よりも、非球面
レンズ3をV溝5にさらに安定した状態で搭載できると
いう効果がある。
Further, in the first embodiment,
As shown in FIG. 3B, the lens outer peripheral surface 15 and the V groove 5 are in line contact with each other at the two line contact portions 16 and 16, but not limited to this, and the line contact is made at three or more places. Good. For example, it is conceivable that the height of the bottom surface 5c is further raised and the bottom surface 5c is also brought into line contact with the lowermost portion of the lens outer peripheral surface 15. Similar effects are obtained in these cases as well. Further, the contact is not limited to the line contact, and the V groove 5 may be in surface contact with two surfaces. A modified example in this case will be described with reference to FIG. Figure 5
[Fig. 3] is a side view showing a lens mounting structure in this modified example, which is substantially equivalent to Fig. 3 (b) of the first embodiment. As shown in FIG. 5, in this modified example, the tubular portion 3a of the aspherical lens 3 has a substantially polygonal tubular shape (to be exact, a dodecagonal tubular shape), and two of the outer peripheral portions 15 thereof are provided. The two surfaces 15a and 15b form a surface contact portion 22 between the two slopes 5a and 5b of the V groove 5. That is, the substantially polygonal tubular shape of the tubular portion 3a is formed in advance so as to match the angles (for example, 54.7 °) of the slopes 5a and 5b of the V groove 5 formed by anisotropic etching. Surface 1
Surface contact with 5a and 15b is possible. Similar to the first embodiment, the aspherical lens 3 having the substantially polygonal tubular portion 3a can be easily formed by mainly glass molding or press molding without the need for post-processing. The polygonal shape of the outer peripheral surface 15 of the tubular portion 3a is not limited to the regular polygon. Further, the tubular portion 3a is not limited to the substantially polygonal tubular shape, and may have a tubular shape in which the outer peripheral surface 15 has a mixture of a curved surface and a flat surface. In this modification,
Since they are in surface contact, there is an effect that the aspherical lens 3 can be mounted in the V groove 5 in a more stable state than in the first embodiment.

【0044】なお、2面による面接触に限られず、3面
以上で面接触させてもよいことは言うまでもない。
Needless to say, the surface contact is not limited to the two surfaces, and the surface contact may be made on three or more surfaces.

【0045】本発明の第2の実施形態を図6により説明
する。本実施形態による光半導体装置の全体構造を表す
水平断面図を図6に示す。
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a horizontal sectional view showing the overall structure of the optical semiconductor device according to the present embodiment.

【0046】この図6において、本実施形態による光半
導体装置は、第1の実施形態の光半導体装置に、反射防
止用の光アイソレータ17と、ケース6内の気密封止を
行うためのガラス板18をそれぞれ追加固定した構造で
ある。
In FIG. 6, the optical semiconductor device according to the present embodiment is the same as the optical semiconductor device of the first embodiment except that an optical isolator 17 for antireflection and a glass plate for hermetically sealing the case 6 are used. This is a structure in which 18 are additionally fixed.

【0047】光アイソレータ17は、例えば外径2.0
mm、長さ2.6mmであり、ジルコニア部材10の光
ファイバ先端14に位置するように、あらかじめ光アイ
ソレータ付きフェルール9の一部として組み込まれてい
る。このとき、光ファイバ先端14への光アイソレータ
17の固定は、レーザ光の透過率の高い接着剤(図示せ
ず)で空間が残らないように密着させて接合されてい
る。その接着剤としては、紫外線硬化接着剤や熱硬化性
接着剤がよく、紫外線硬化接着剤においても熱硬化併用
型の接着剤が望ましい。また光アイソレータ17は、こ
のような構造により、光アイソレータ17を単独で保持
固定するようなホルダ部材等を使用せず、位置調整もフ
ェルール9と一緒に行うことができる。すなわち、光ア
イソレータ17付きフェルール9をパイプ8端面に設置
し、非球面レンズ3を通ってきたレーザ光を光ファイバ
に入射させ、光ファイバ出力が最大になるようにフェル
ール9を位置調整した後、フェルール9の金属部材11
をパイプ8端面にレーザ溶接(図示せず)で固定する。
このように、第1の実施の形態で示した光ファイバの位
置調整方法とほぼ同様にして調整を行うことができる。
The optical isolator 17 has an outer diameter of 2.0, for example.
It has a length of 2.6 mm and a length of 2.6 mm, and is incorporated in advance as a part of the ferrule 9 with an optical isolator so as to be positioned at the optical fiber tip 14 of the zirconia member 10. At this time, the optical isolator 17 is fixed to the optical fiber tip 14 with an adhesive (not shown) having a high laser light transmittance so that the optical isolator 17 is closely adhered to the optical fiber tip 14 so that no space remains. As the adhesive, an ultraviolet curable adhesive or a thermosetting adhesive is preferable, and as the ultraviolet curable adhesive, a thermosetting combined type adhesive is desirable. Further, the optical isolator 17 having such a structure can perform position adjustment together with the ferrule 9 without using a holder member or the like for holding and fixing the optical isolator 17 alone. That is, the ferrule 9 with the optical isolator 17 is installed on the end face of the pipe 8, the laser light that has passed through the aspherical lens 3 is incident on the optical fiber, and the ferrule 9 is position-adjusted so that the optical fiber output is maximized. Metal member 11 of ferrule 9
Is fixed to the end surface of the pipe 8 by laser welding (not shown).
In this way, the adjustment can be performed in substantially the same manner as the optical fiber position adjusting method shown in the first embodiment.

【0048】ガラス板18は、非球面レンズ3と光アイ
ソレータ17間のケース6側壁部に設置されている。こ
のガラス板18は、ケース6の側壁に低融点ガラスある
いはAu80−Sn20共晶はんだで接合(図示せず)
されており、このとき、非球面レンズ3を通ってきたレ
ーザ光が反射戻り光としてレーザダイオード1に戻るの
を防ぐため図示のように斜めに取り付けられている。こ
のガラス板18の材質は例えばサファイアであり、レー
ザ光の入射面と出射面には反射防止用膜が多層膜形成さ
れている。
The glass plate 18 is installed on the side wall of the case 6 between the aspherical lens 3 and the optical isolator 17. The glass plate 18 is joined to the side wall of the case 6 with low melting point glass or Au80-Sn20 eutectic solder (not shown).
At this time, in order to prevent the laser light passing through the aspherical lens 3 from returning to the laser diode 1 as reflected return light, it is obliquely attached as shown in the figure. The material of the glass plate 18 is, for example, sapphire, and a multi-layer antireflection film is formed on the incident surface and the emission surface of the laser light.

【0049】その他の構造は、第1の実施形態とほぼ同
様である。
The other structure is almost the same as that of the first embodiment.

【0050】本実施の形態によれば、第1の実施形態と
同様の効果に加え、以下の効果がある。すなわち、光ア
イソレータ17を非球面レンズ3と光ファイバとの間に
設置することにより、光ファイバ先端14での反射やシ
ステム側からの反射でレーザダイオード1に返ってくる
戻り光をほとんど取り除き、低減することができる。し
たがって、第1の実施形態の光半導体装置よりも、さら
にレーザダイオード1を安定かつ高速動作させることが
可能で、伝送容量を高めた光半導体装置を実現すること
ができる。また、ケース6の側壁にガラス板18を取り
付け、かつケース6の上面にキャップ(図示せず)を取
り付けることで、ケース6内部を完全気密封止すること
ができるので、湿気の浸入によるレーザダイオード1の
不安定動作、寿命低下を防ぐことができ、信頼性を向上
することができる。
According to this embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, the following effects are obtained. That is, by installing the optical isolator 17 between the aspherical lens 3 and the optical fiber, most of the return light returned to the laser diode 1 due to reflection at the tip 14 of the optical fiber or reflection from the system side is eliminated and reduced. can do. Therefore, the laser diode 1 can be operated more stably and at a higher speed than in the optical semiconductor device of the first embodiment, and an optical semiconductor device with an increased transmission capacity can be realized. Further, since the glass plate 18 is attached to the side wall of the case 6 and the cap (not shown) is attached to the upper surface of the case 6, the inside of the case 6 can be completely hermetically sealed. It is possible to prevent the unstable operation and the shortening of the life of No. 1 and improve the reliability.

【0051】なお、上記第1及び第2の実施形態におい
ては、レーザダイオード1及びフォトダイオード2と光
ファイバの光結合を1つの非球面レンズ3単体で行う光
半導体装置を例にとって説明したが、これに限られな
い。すなわち、少なくとも1つの非球面レンズを用いる
結合光学系であれば、そのうち非球面レンズ3の搭載構
造及び搭載方法について上記第1及び第2の実施形態と
同様の構成及び方法を適用することができるので、これ
らの場合も同様の効果を得ることができる。また、この
ように少なくとも1つの非球面レンズ3を含む複数のレ
ンズを用いて結合光学系を形成する場合は、上記第1の
実施形態における(4)で説明したLの設定の上限値は
もっと大きくても良い。すなわち、例えばレンズを2つ
用いてレーザダイオード1と光ファイバとを結合させる
場合で、レーザダイオード1側のレンズに非球面レンズ
3を用いるときは、その非球面レンズ3の後面側(反フ
ォトダイオード1側)はレーザ光を少なくとも平行方向
に出射すれば足りる。この場合、Lの値を焦点距離f以
下とすれば、レーザ光が平行方向よりも広がってしまう
のを確実に防止できるので、Lの上限値はfとすれば足
りる。すなわち、この場合のLの設定は、0.7×(D
/2)≦L≦fとなる。
In the above first and second embodiments, the optical semiconductor device in which the laser diode 1 and the photodiode 2 and the optical fiber are optically coupled by the single aspherical lens 3 has been described as an example. It is not limited to this. That is, as long as it is a coupling optical system using at least one aspherical lens, the same structure and method as those of the first and second embodiments can be applied to the mounting structure and mounting method of the aspherical lens 3. Therefore, similar effects can be obtained in these cases. Further, when forming a coupling optical system using a plurality of lenses including at least one aspherical lens 3 as described above, the upper limit of the setting of L described in (4) in the first embodiment is more It can be big. That is, for example, in the case where the laser diode 1 and the optical fiber are coupled by using two lenses and the aspherical lens 3 is used as the lens on the laser diode 1 side, the rear surface side of the aspherical lens 3 (anti-photodiode) is used. It is sufficient for the first side) to emit laser light at least in the parallel direction. In this case, if the value of L is equal to or less than the focal length f, it is possible to reliably prevent the laser light from spreading beyond the parallel direction. Therefore, the upper limit value of L is set to f. That is, the setting of L in this case is 0.7 × (D
/ 2) ≦ L ≦ f.

【0052】[0052]

【発明の効果】本発明によれば、特殊な設備を用いるこ
となく、短時間かつ容易な作業で非球面レンズの位置調
整を行い、高い効率で半導体素子と光ファイバとを光結
合させることができる。
According to the present invention, the position of the aspherical lens can be adjusted in a short time and with a simple operation without using special equipment, and the semiconductor element and the optical fiber can be optically coupled with high efficiency. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態による光半導体装置の
要部であるレンズ搭載構造を表す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a lens mounting structure which is a main part of an optical semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した光半導体装置の全体構造を表す水
平断面図である。
FIG. 2 is a horizontal sectional view showing the overall structure of the optical semiconductor device shown in FIG.

【図3】図1に示した構造の縦断面図及び側面図であ
る。
3 is a vertical sectional view and a side view of the structure shown in FIG.

【図4】シリコン基板V溝へのレンズ固定方法を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a method of fixing a lens to a V groove of a silicon substrate.

【図5】第1の実施形態の変形例におけるレンズ搭載構
造を表す側面図である。
FIG. 5 is a side view showing a lens mounting structure in a modified example of the first embodiment.

【図6】本発明の第2の実施形態による光半導体装置の
全体構造を表す水平断面図である。
FIG. 6 is a horizontal sectional view showing the overall structure of an optical semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザダイオード(半導体発光素子) 2 フォトダイオード(半導体受光素子) 3 非球面レンズ(レンズ) 4 シリコン基板(基板部材) 5 V溝(溝部) 6 ケース 7 リード端子 8 パイプ 9 フェルール 12 メタライズ配線 13 ワイヤボンディング 15 レンズ外周面 16 線接触部位 19 ワイヤ保持具 20 ワイヤ部材(保持部材) 21 レンズ保持パイプ(吸着部材) 22 面接触部位 1 Laser diode (semiconductor light emitting device) 2 Photodiode (semiconductor light receiving element) 3 Aspherical lens (lens) 4 Silicon substrate (substrate member) 5 V groove (groove part) 6 cases 7 Lead terminal 8 pipes 9 ferrules 12 Metallized wiring 13 wire bonding 15 Lens outer peripheral surface 16 line contact area 19 Wire holder 20 Wire member (holding member) 21 Lens holding pipe (adsorption member) 22 Contact area

フロントページの続き (72)発明者 吉田 幸司 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 菊池 悟 埼玉県入間郡毛呂山町旭台15番地 日立 東部セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 石川 忠明 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所 機械研究所内 (56)参考文献 特開 平7−199006(JP,A) 特開 平7−199007(JP,A) 特開 平7−120638(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/42 G02B 6/32 H01L 31/0232 H01L 33/00 Front page continuation (72) Inventor Koji Yoshida 1-280, Higashi Koikekubo, Kokubunji, Tokyo Inside Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. 72) Inventor Tadaaki Ishikawa 502 Jinrachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Machinery Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (56) Reference JP-A-7-199006 (JP, A) JP-A-7-199007 (JP, A) JP Flat 7-120638 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02B 6/42 G02B 6/32 H01L 31/0232 H01L 33/00

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体発光素子及び半導体受光素子のうち
少なくとも一方からなる半導体素子と、この半導体素子
を搭載する基板部材と、前記半導体素子と光学的に結合
されレーザ光を内部伝送する光ファイバと、前記基板部
材に搭載され、前記半導体素子と前記光ファイバとを光
学的に結合させるレンズとを有する光半導体装置におい
て、 前記基板部材は、軸線が半導体素子と前記光ファイバと
の間のレーザ光の光軸方向と略同じ方向である溝部を備
えており、 前記レンズは、筒状部分を備えており、この筒状部分
が、前記溝部に面接触するか又は少なくとも2箇所で線
接触するように前記溝部に直接固定され、かつ、前記筒
状部分のレンズ中心軸方向長さをt、該レンズの外径を
Dとしたとき、 (1/15)≦(t/D)<1 となるように構成され ていることを特徴とする光半導体
装置。
1. A semiconductor element comprising at least one of a semiconductor light emitting element and a semiconductor light receiving element, a substrate member on which the semiconductor element is mounted, and an optical fiber optically coupled to the semiconductor element for internally transmitting laser light. An optical semiconductor device mounted on the substrate member and having a lens for optically coupling the semiconductor element and the optical fiber, wherein the substrate member has a laser beam between the semiconductor element and the optical fiber. Is provided with a groove portion that is substantially in the same direction as the optical axis direction of the lens, and the lens has a cylindrical portion, and this cylindrical portion is in surface contact with the groove portion or in line contact with at least two locations. Is fixed directly to the groove portion , and
Let t be the length in the direction of the central axis of the lens, and let the outer diameter of the lens be
When the D, (1/15) ≦ (t / D) < optical semiconductor device characterized by being configured so that 1.
【請求項2】請求項記載の光半導体装置において、前
記半導体素子から前記筒状部分までの距離をL、前記レ
ンズの焦点距離をfとしたとき、 0.7×(D/2)≦L≦f となるように配置されていることを特徴とする光半導体
装置。
2. The optical semiconductor device according to claim 1 , wherein the distance from the semiconductor element to the cylindrical portion is L and the focal length of the lens is f, 0.7 × (D / 2) ≦ An optical semiconductor device, which is arranged so that L ≦ f.
【請求項3】請求項1記載の光半導体装置において、前
記レンズは、前記筒状部分の両側に位置し、レーザ入射
側端部又は出射側端部となる2つの曲率部分を備えてお
り、一方の曲率部分の前端から他方の曲率部分の後端ま
でのレンズ厚さをT、該レンズの外径をDとしたとき、 T<D となるように構成されていることを特徴とする光半導体
装置
3. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the lens has two curved portions located on both sides of the tubular portion and serving as a laser incident side end portion or a laser emitting side end portion, When the lens thickness from the front end of the one curvature portion to the rear end of the other curvature portion is T and the outer diameter of the lens is D , T <D Semiconductor device .
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US7275877B2 (en) 2003-04-30 2007-10-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module having individual housing for an optical processing unit and an optical sub-assembly
JP4659629B2 (en) * 2006-02-02 2011-03-30 富士通株式会社 Optical component manufacturing apparatus and method, and lens assembling apparatus for optical component
JP2012098756A (en) * 2012-02-07 2012-05-24 Kyocera Corp Optical path converting body and packaging structure thereof, and optical module with the same
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