JP3427921B2 - Semiconductor device production clean room and semiconductor device production method - Google Patents
Semiconductor device production clean room and semiconductor device production methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を生産
するための半導体装置生産用クリーンルームおよび半導
体装置の生産方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing clean room and a semiconductor device manufacturing semiconductor device.
The present invention relates to a method for producing a body device .
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の微細化、集積化の高度な進
展に伴って清浄度が非常に高いクリーンルームが要求さ
れている。そして現在では、このような清浄な空間を作
り出すためのクリーンルーム方式として、特開平８−８
８１５５号公報にも開示されているような全面垂直層流
方式が広く採用されている。全面垂直層流方式のクリー
ンルームでは、図３に示すように、半導体装置を生産す
るための生産空間６１の天井側に例えばＨＥＰＡ（high
efficiency particulate air）フィルタ６２が設けら
れている。そして生産空間６１の天井側からＨＥＰＡフ
ィルタ６２を介してエアーを吹き出すとともに生産空間
６１の床６３に形成された通気部６４を介して床下６５
にエアーを戻し、このエアーと外部から取り込んで外気
処理した外気（フレッシュエアー）とを空調機６６によ
り混合して再び天井側から吹き出すようになっている。
すなわち、ＨＥＰＡフィルタ６２に通して生産空間６１
内のエアーを循環させることにより、生産空間６１内の
清浄度を保つように構成されている。2. Description of the Related Art With the progress of miniaturization and integration of semiconductor devices, a clean room with extremely high cleanliness is required. At present, as a clean room system for creating such a clean space, Japanese Patent Laid-Open No. 8-8
The whole-surface vertical laminar flow method as disclosed in Japanese Patent No. 8155 is widely adopted. In a clean room of a vertical laminar flow system, as shown in FIG. 3, for example, HEPA (high) is provided on the ceiling side of a production space 61 for producing semiconductor devices.
An efficiency particulate air) filter 62 is provided. Then, air is blown from the ceiling side of the production space 61 through the HEPA filter 62, and the underfloor 65 is provided through the ventilation part 64 formed in the floor 63 of the production space 61.
The air is returned to the air, and this air and the outside air (fresh air) that has been taken in from the outside and processed outside is mixed by the air conditioner 66 and blown out again from the ceiling side.
That is, the production space 61 is passed through the HEPA filter 62.
By circulating the air inside, the cleanliness of the production space 61 is maintained.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のクリーンルームでは、ＨＥＰＡフィルタを設け
てエアーから塵埃粒子を除去しているもののケミカル汚
染物質を除去する対策が図られておらず、しかも生産空
間内にエアーを循環させる構成となっている。このた
め、生産空間内にケミカル汚染発生源、例えば半導体装
置を生産するための製造装置や作業者、部材等が存在す
ると、これらから発生したケミカル汚染物質が生産空間
全体に拡がり、ウエハ表面等を汚染して半導体装置の生
産に悪影響を与えるといった不具合が発生する。However, in the above-mentioned conventional clean room, although the HEPA filter is provided to remove the dust particles from the air, no measure is taken to remove the chemical pollutants, and the production space is not provided. It is configured to circulate air inside. Therefore, if a chemical pollution source such as a manufacturing device, a worker, or a member for producing a semiconductor device exists in the production space, the chemical pollutants generated from these will spread to the entire production space, and the wafer surface, etc. Problems such as contamination and adversely affecting the production of semiconductor devices occur.
【０００４】例えばフッ酸を用いて処理を行う製造装置
からフッ酸のガスが漏洩した場合、循環するエアーとと
もにこのフッ酸がＨＥＰＡフィルタを通過する。その
際、フッ酸がＨＥＰＡフィルタのろ材であるホウ素ガラ
ス繊維からホウ素の揮発を促進し、揮発したホウ素がウ
エハ表面に吸着する。このウエハ表面に吸着したホウ素
は、後にウエハ表面に形成される半導体装置の動作不良
を引き起こしてしまうのである。また作業者等から発生
するアンモニア等のアルカリ性ガスがレジストの解像の
障害となって微細パターン形成に悪影響を及ぼし、また
微細パターン形成に用いる露光装置のレンズを曇らせる
等の障害を発生させる。For example, when a hydrofluoric acid gas leaks from a manufacturing apparatus that uses hydrofluoric acid, the hydrofluoric acid passes through a HEPA filter together with circulating air. At that time, hydrofluoric acid promotes volatilization of boron from the boron glass fiber which is the filter material of the HEPA filter, and the volatilized boron is adsorbed on the wafer surface. The boron adsorbed on the surface of the wafer causes malfunction of the semiconductor device formed on the surface of the wafer later. Further, an alkaline gas such as ammonia generated by an operator or the like becomes an obstacle to the resolution of the resist and adversely affects the fine pattern formation, and also causes an obstacle such as clouding of the lens of the exposure device used for the fine pattern formation.
【０００５】ケミカル汚染の対策としては、例えば生産
装置の天井側にＨＥＰＡフィルタとともに、ケミカル汚
染物質を吸着除去するケミカルフィルタを設けることが
考えられる。ところが、この場合には広い配置面積が必
要であるうえ、ケミカル汚染されたエアーを通過させる
ことからケミカルフィルタの寿命が短く、したがってイ
ニシャルコストおよびランニングコストが膨大になると
予想されるため、採用が難しいのが現状である。As a measure against chemical pollution, for example, a HEPA filter and a chemical filter for adsorbing and removing chemical pollutants may be provided on the ceiling side of a production apparatus. However, in this case, a wide arrangement area is required, and since the chemically contaminated air is passed, the life of the chemical filter is short, and it is expected that the initial cost and the running cost will be enormous, so that it is difficult to adopt. is the current situation.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するための第１の発明は、半導体装置を生産するための
生産装置が配置される生産空間と、生産空間に供給され
るエアーを清浄化するフィルタと、外部から取り込んだ
外気を処理するための外気処理部とを備えており、フィ
ルタを介して循環するエアーとともに、外気処理部によ
り処理された外気がフィルタを介して生産空間内に吹き
出されるように構成されたクリーンルームにおいて、生
産空間における生産装置の配置された領域には、循環す
るエアーとは異なる経路で、外気処理部により処理され
た外気の一部が供給され、この外気に基づく清浄なエア
ーが吹き出されることを特徴とする。Therefore, a first invention for solving the above-mentioned problems is to produce a semiconductor device.
The production space where the production equipment is located and the production space
A filter that cleans the air
The outside air processing unit for processing outside air is provided.
With the air circulated through the filter
The treated outside air is blown into the production space through the filter.
In a clean room configured to be delivered
In the area where the production equipment is arranged in the production space,
Is processed by the outside air processing unit through a different route from the
Part of the outside air is supplied, and clean air based on this outside air is supplied.
Is blown out .
【０００７】また、上記課題を解決するための第２の発
明は、フィルタを介して循環するエアーとともに、外気
処理部により処理された外気がフィルタを介して生産空
間内に吹き出されるように構成されたクリーンルームに
おける生産空間内に生産装置を配置して半導体装置を生
産する半導体装置の生産方法において、循環するエアー
とは異なる経路で、外気処理部により処理された外気の
一部が供給され、この外気に基づく清浄なエアーが吹き
出される領域に生産装置を配置して、半導体装置の生産
を行うことを特徴とする。A second aspect of the present invention for solving the above-mentioned problems is to use the air circulated through a filter as well as the outside air.
The outside air processed by the processing unit is emptied through the filter
In a clean room configured to blow out in the room
Place semiconductor devices in production space
Circulating air in the manufacturing method of semiconductor devices
Of the outside air processed by the outside air processing unit in a different route from
The semiconductor device is manufactured by arranging the production device in a region where a part of the air is supplied and the clean air based on the outside air is blown out.
【０００８】この発明では、生産装置の配置された領域
には、外気に基づく清浄なエアーが吹き出されることか
ら、生産装置の配置された領域には生産空間内を循環す
るエアーと混合されていない清浄なエアーが供給され、
生産空間内を循環するエアーが供給されない。このた
め、生産空間内の作業者、その他の要因から発生したケ
ミカル汚染物質が、生産空間内を循環するエアーととも
に生産空間内に吹き出され生産空間全体に拡がっても、
またケミカル汚染物質を除去するための処理材を設けな
くても生産装置の配置された領域は局所的にケミカル汚
染されていない清浄度の高い領域となる。According to the present invention, the area where the production apparatus is arranged
Since, clean air based on the outside air is blown out , clean air that is not mixed with air circulating in the production space is supplied to the area where the production device is arranged ,
The air circulating in the production space is not supplied. Therefore, even if the chemical pollutants generated from the workers in the production space and other factors are blown into the production space together with the air circulating in the production space and spread to the entire production space,
Further, even if the processing material for removing the chemical contaminants is not provided, the region where the production apparatus is arranged becomes a region of high cleanliness that is not locally contaminated with chemicals.
【０００９】なお清浄なエアーが、外気から汚染物質を
取り除くための第１の処理部を介して供給される場合に
は、第１の処理部を通過させる外気が生産空間内を循環
するエアーによってケミカル汚染されていないため、第
１処理材の寿命を長く保てる。When clean air is supplied through the first processing unit for removing pollutants from the outside air , the outside air passing through the first processing unit is generated by the air circulating in the production space. Since it is not chemically contaminated, the life of the first treated material can be maintained for a long time.
【００１０】
また、本発明の半導体装置の生産方法によ
れば、上記のようなクリーンルーム内で、外気に基づく
清浄なエアーが直接吹き出される領域に生産装置を配置
して、半導体装置の生産を行うことから、生産装置のケ
ミカル汚染を防止できるので、ケミカル汚染に起因する
半導体装置の動作不良の発生を防止することができる。 Further , according to the method for producing a semiconductor device of the present invention, the production device is arranged in a region where the clean air based on the outside air is directly blown out in the above clean room to produce the semiconductor device. Since it is possible to prevent chemical contamination of the production apparatus, it is possible to prevent malfunction of the semiconductor device due to chemical contamination.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る半導体装置
生産用クリーンルームの実施形態を図面に基づいて説明
する。図１は、この発明の半導体装置生産用クリーンル
ームの第１実施形態を示す概略構成図であり、クリーン
ルームの生産空間の図中ハッチングで示す領域（天井面
から床面までの領域）をケミカル汚染されていないゾー
ン（所定の領域）Ａとする場合を示している。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a clean room for semiconductor device production according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a clean room for semiconductor device production according to the present invention, in which a hatched area (area from the ceiling surface to the floor surface) of the production space of the clean room is chemically contaminated. The case where the zone (predetermined area) A is not set is shown.
【００１２】図１に示すようにこの半導体装置生産用ク
リーンルーム（以下、単にクリーンルームと記す）１は
全面垂直層流方式を採用しており、クリーンルーム１の
生産空間２の天井裏５からフィルタ６を介してゾーンＡ
以外の生産空間２内にエアーを吹き出すとともに、生産
空間２の床３に形成された通気部を介して床下４にエア
ーを戻し、このエアーと外部から取り込んだ外気（フレ
ッシュエアー）とを空調機９により混合して天井裏５に
供給して、再び生産空間２内を循環させるようになって
いる。また、外気に基づく清浄なエアーをその循環させ
る生産空間２内のエアーと混合することなくゾーンＡに
供給するフレッシュエアー供給手段２０を備えている。As shown in FIG. 1, this clean room for semiconductor device production (hereinafter, simply referred to as a clean room) 1 adopts a vertical laminar flow system over the entire surface, and a filter 6 is installed from a ceiling 5 of a production space 2 of the clean room 1. Through zone A
Other than the above, air is blown into the production space 2 and air is returned to the underfloor 4 through the ventilation part formed in the floor 3 of the production space 2, and this air and the outside air taken in from outside (flare
Fresh air ) is mixed by an air conditioner 9 and supplied to the ceiling 5 and is circulated in the production space 2 again. Further, there is provided a fresh air supply means 20 for supplying the clean air based on the outside air to the zone A without mixing with the air in the circulating production space 2.
【００１３】ここでは、ゾーンＡに生産空間２の床３上
に半導体装置を生産するための製造装置、測定装置等か
らなる生産装置３０が設置されている。また上記フィル
タ６は、例えばＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡ（ultra lo
w penetration air)フィルタ等の塵埃除去フィルタで構
成されており、このフィルタ６によって天井面が形成さ
れている。さらに例えばフィルタ６上には送風機が取り
付けられており、ゾーンＡの直上に位置するフィルタ６
以外のフィルタ６は、送風機によって天井裏５に供給さ
れたエアーが通過するようになっている。また床３は、
その床面に床下４に通じる貫通孔（通気部）３ａが多数
形成されたものからなっている。Here, in the zone A, a production apparatus 30 including a production apparatus for producing semiconductor devices, a measuring apparatus, etc. is installed on the floor 3 of the production space 2. The filter 6 may be, for example, a HEPA filter or ULPA (ultra lo).
It is composed of a dust removing filter such as a w penetration air) filter, and the ceiling surface is formed by this filter 6. Further, for example, a blower is attached on the filter 6, and the filter 6 located immediately above the zone A
The air supplied to the ceiling 5 by the blower passes through the other filters 6. Also, floor 3 is
A large number of through holes (ventilation parts) 3a communicating with the underfloor 4 are formed on the floor surface.
【００１４】また生産空間２の外部には、床下４の空間
に連続しかつ連通する空気調和部１０が設けられてお
り、空気調和部１０に空調機９が設置されている。この
空気調和部１０には、外部から外気を取り込むとともに
外気中の塵埃やイオン等を除去しかつ温湿度を調整する
等、いわゆる外気処理を行う外気処理部７が第１通風路
８を介して接続されている。さらに生産空間２の外部に
は、空調機９から吹き出されたエアーを天井裏５に送る
ための第２通風路１１が形成されている。Further, outside the production space 2, an air conditioner 10 which is continuous with and communicates with the space under the floor 4 is provided, and the air conditioner 9 is installed in the air conditioner 10. The air conditioner 10 takes in outside air from the outside and
An outside air processing unit 7 that performs so-called outside air processing such as removing dust and ions in the outside air and adjusting temperature and humidity is connected via a first ventilation path 8. Further, outside the production space 2, a second ventilation passage 11 is formed for sending the air blown out from the air conditioner 9 to the ceiling space 5.
【００１５】一方、フレッシュエアー供給手段２０は、
第１通風路８から分岐して天井裏５へと延び、さらにフ
ィルタ６側に延びてゾーンＡに向けて開口した第３通風
路２１と、第３通風路２１を仕切る状態で設けられた第
１の処理部（以下、第１処理材２２とする）とを備えて
構成されている。上記第３通風路２１は、その開口内に
ゾーンＡの直上に位置するフィルタ６が配置されるよう
に設けられている。よって、ゾーンＡの直上のフィルタ
６は、清浄なエアーの吹き出し側の面以外がその他のフ
ィルタ６から隔離されている。またゾーンＡの直上のフ
ィルタ６は、例えばフィルタ６上に配置された送風機に
よって、第３通風路２１内の外気に基づく清浄なエアー
が通過するようになっている。On the other hand, the fresh air supply means 20 is
A third air passage 21 which opens toward the first extends to the ceiling 5 branched from the air passage 8, further zone A extends to a filter 6 side, the provided while dividing the third ventilating passage 21
1 processing unit (hereinafter referred to as the first processing material 22) . The third ventilation passage 21 is provided so that the filter 6 located immediately above the zone A is arranged in the opening thereof. Therefore, the filter 6 immediately above the zone A is isolated from the other filters 6 except the surface on the side where the clean air is blown out. The filter 6 immediately above the zone A is configured such that clean air based on the outside air in the third ventilation passage 21 passes by, for example, a blower arranged on the filter 6.
【００１６】また第１処理材２２は、外気の外気処理の
程度により汚染種を除去するのに必要最低限の処理材、
例えばケミカル汚染物質を除去するケミカルフィルタ、
またはＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィルタ等の塵埃粒
子を除去するフィルタで構成されている。あるいはケミ
カルフィルタおよび塵埃粒子を除去するフィルタから構
成されている。ケミカルフィルタとしては、例えばイオ
ン交換繊維や活性炭素繊維を用いて構成されてエアー中
のケミカル汚染物質を吸着除去するものが挙げられる。[0016] The first processing member 22, the outside air of the outside air processing minimal processing material required to remove the contaminating species by the degree of,
For example, a chemical filter that removes chemical contaminants,
Alternatively, it is composed of a filter for removing dust particles such as a HEPA filter or a ULPA filter. Alternatively, it is composed of a chemical filter and a filter for removing dust particles. As the chemical filter, for example, a filter configured by using ion exchange fiber or activated carbon fiber to adsorb and remove chemical contaminants in the air can be mentioned.
【００１７】このフレッシュエアー供給手段２０では、
生産空間２のゾーンＡ内の圧力がそれ以外の領域に対し
て僅かに高い圧力となるように清浄なエアーの吹き出し
量が設定されている。また生産空間２のゾーンＡに設置
された生産装置３０の下部側には、ゾーンＡの生産装置
３０を通過したエアーを外部に排気するための排気手段
３１が接続されている。ここでは、排気手段３１は例え
ば排気ダクトからなり、生産装置３０の下部側から床下
４を通って外部へと延びて形成されている。さらにゾー
ンＡには、フィルタ６から吹き出された清浄なエアーの
流路に生産空間１２内を循環するエアーが流入するのを
防止するためのカーテン３２が、フィルタ６の吹き出し
側の面からゾーンＡの上部側を囲むように吊設されてい
る。このカーテン３２は、ケミカル汚染物質を発生せず
かつ発塵し難い材料、例えば塩化ビニール等で形成され
ている。In this fresh air supply means 20,
The amount of clean air blown out is set so that the pressure in the zone A of the production space 2 is slightly higher than the other regions. Further, on the lower side of the production apparatus 30 installed in the zone A of the production space 2, exhaust means 31 for exhausting the air passing through the production apparatus 30 of the zone A to the outside is connected. Here, the exhaust means 31 is composed of, for example, an exhaust duct, and is formed to extend from the lower side of the production apparatus 30 to the outside through the underfloor 4. Further, in the zone A, a curtain 32 for preventing the air circulating in the production space 12 from flowing into the flow path of the clean air blown from the filter 6 is provided from the surface of the filter 6 on the blowing side to the zone A. It is suspended so as to surround the upper part of the. The curtain 32 is made of a material that does not generate chemical pollutants and does not easily generate dust, such as vinyl chloride.
【００１８】このように構成されたクリーンルーム１で
は、天井裏５に送られたエアーがゾーンＡの直上に位置
するフィルタ６以外のフィルタ６を通ることで清浄化さ
れてゾーンＡ以外の生産空間２に吹き出され、床面の貫
通孔３ａを通過して床下４に流出され、さらに空気調和
部９の空調機８へ流れる。そして外気処理部７にて外気
処理された外気と混合されて第２通風路１１から天井裏
５に送られ、再び生産空間２内を循環する。In the clean room 1 constructed in this manner, the air sent to the ceiling 5 passes through the filters 6 other than the filter 6 located immediately above the zone A to be cleaned and the production space 2 other than the zone A. To the air conditioner 8 of the air conditioner 9. Then, it is mixed with the outside air processed by the outside air processing unit 7 and sent to the ceiling 5 from the second ventilation passage 11 and circulates in the production space 2 again.
【００１９】一方、フレッシュエアー供給手段２０によ
って、外気処理部７で外気処理された外気の一部が第３
通風路２１に流れ、第１処理材２２を介してゾーンＡの
直上のフィルタ６へと送られる。この際、外気は生産空
間２内を循環するエアーと混合されることなく直接フィ
ルタ６へと送られ、フィルタ６を介してゾーンＡに吹き
出される。また、外気処理された外気は第１処理材２２
を通過することでケミカル汚染物質や塵埃粒子が除去さ
れるとともに、フィルタ６を通過することでさらに塵埃
粒子が除去され、所望のレベルに清浄化された外気に基
づく清浄なエアーがゾーンＡに供給される。したがっ
て、ゾーンＡは、局所的にケミカル汚染されていない極
めて清浄度の高い領域となる。Meanwhile, the fresh air supply means 20, a portion of the outside air is ambient air processed by the outside air processing unit 7 3
It flows into the ventilation passage 21 and is sent to the filter 6 directly above the zone A via the first processing material 22. At this time, the outside air is directly sent to the filter 6 without being mixed with the air circulating in the production space 2, and is blown to the zone A through the filter 6. In addition , the outside air processed is the first processing material 22.
The chemical contaminants and dust particles are removed by passing through the filter, and the dust particles are further removed by passing through the filter 6, so that the ambient air cleaned to a desired level can be removed.
Then, clean air is supplied to the zone A. Therefore, the zone A is an area of extremely high cleanliness that is not locally contaminated with chemicals.
【００２０】なお、ゾーンＡを通過したエアーは、床面
の貫通孔３ａを通過して床下４に流出され、生産空間２
を循環するエアーとして処理される。すなわち、床下４
に流出された後、生産空間２を循環するエアーとともに
空気調和部９の空調機８により外気処理された外気と混
合されて第２通風路１１から天井裏１３に送られる。ま
たゾーンＡの生産装置３０を通過することにより得られ
た特にケミカル汚染の程度の大きいエアーは、排気手段
３１により外部へ排気される。The air that has passed through the zone A passes through the through holes 3a on the floor surface and flows out to the underfloor 4, where the production space 2
Is circulated as air. That is, under the floor 4
After being discharged to the ceiling, the air circulated in the production space 2 is mixed with the outside air processed by the air conditioner 8 of the air conditioner 9 and sent from the second ventilation passage 11 to the ceiling space 13. Further, the air having a particularly large degree of chemical contamination obtained by passing through the production apparatus 30 in the zone A is exhausted to the outside by the exhaust means 31.
【００２１】以上のように第１実施形態に係るクリーン
ルーム１によれば、生産空間２内のゾーンＡに、生産空
間２内を循環するエアーと混合されていない外気に基づ
く清浄なエアーを供給できる。よって、生産空間２内の
生産装置３０や作業者、その他の要因から発生したケミ
カル汚染物質が、生産空間２内を循環するエアーによっ
て生産空間２全体に拡がっても、ゾーンＡを局所的にケ
ミカル汚染されていない極めて清浄度の高い領域とする
ことができる。またフィルタ６の吹き出し側の面からゾ
ーンＡを囲むようにカーテン２３が設けられているとと
もに、ゾーンＡ内の圧力がそれ以外の領域に対して僅か
に高い圧力となるように設定されていることから、ゾー
ンＡへ生産空間２内を循環するエアーが流入し難く、ゾ
ーンＡにおいて清浄度の高い雰囲気を維持することがで
きる。As described above, according to the clean room 1 of the first embodiment, the zone A in the production space 2 is based on the outside air that is not mixed with the air circulating in the production space 2.
Can supply clean air . Therefore, even if the chemical pollutants generated by the production device 30 in the production space 2, workers, and other factors are spread to the entire production space 2 by the air circulating in the production space 2, the zone A is locally subjected to chemicals. It can be a very clean area that is not contaminated. Further, the curtain 23 is provided so as to surround the zone A from the surface of the filter 6 on the outlet side, and the pressure in the zone A is set to be slightly higher than the other regions. Therefore, it is difficult for the air circulating in the production space 2 to flow into the zone A, and it is possible to maintain a clean atmosphere in the zone A.
【００２２】また外気処理した外気が通る第３通風路２
１に第１処理材２２を設けて第１処理材２２を通過させ
るため、第１処理材２２の選択によってゾーンＡの清浄
化レベルを所望のレベルに容易に設定することができ
る。さらに第１処理材２２を通過させる外気処理した外
気は、生産空間２内を循環するエアーと混合されていな
いため、第１処理材２２の寿命を長く保つことができ
る。またゾーンＡ内の生産装置３０を通過したエアーの
ケミカル汚染の程度がたとえ大きくても、排気手段３１
によって外部に排気され、生産空間２を循環するエアー
に取り込まれるのを防止できるので、生産空間２内のケ
ミカル汚染の拡大を防止することができる。Further, the third ventilation passage 2 through which the outside air processed is passed.
Since the first treatment material 22 is provided on the first substrate and the first treatment material 22 is passed through, the cleaning level of the zone A can be easily set to a desired level by selecting the first treatment material 22. Further, the outside treated with the outside air that passes through the first treatment material 22.
Since the air is not mixed with the air circulating in the production space 2, the life of the first processing material 22 can be kept long. Even if the degree of chemical contamination of the air passing through the production apparatus 30 in the zone A is large, the exhaust means 31
Since it can be prevented from being exhausted to the outside and taken into the air circulating in the production space 2, it is possible to prevent the chemical contamination in the production space 2 from expanding.
【００２３】したがって、このクリーンルーム１によれ
ば、ゾーンＡにおいてウエハ表面や生産装置３０のケミ
カル汚染を防止できるので、例えばレジストの解像の障
害や露光装置のレンズを曇らせる等の障害を防ぐことが
でき、またケミカル汚染に起因する半導体装置の動作不
良の発生を防止することができる。よって、このクリー
ンルーム１は高集積化されしかも信頼性が高い半導体装
置を歩留り良く生産するうえで非常に有効なものとな
る。また第１処理材２２の寿命を長く保つことができる
ので、フレッシュエアー供給手段２０の設置に伴うイニ
シャルコスト、ランニングコストを最低限に抑えること
ができ、ケミカル汚染防止に要するコストを低く抑える
ことができる。Therefore, according to this clean room 1, chemical contamination of the wafer surface and the production apparatus 30 can be prevented in the zone A, so that obstacles such as resist resolution and fog on the lens of the exposure apparatus can be prevented. In addition, it is possible to prevent malfunction of the semiconductor device due to chemical contamination. Therefore, this clean room 1 is very effective in producing highly integrated semiconductor devices with high yield and high yield. Further, since the life of the first treatment material 22 can be kept long, the initial cost and running cost associated with the installation of the fresh air supply means 20 can be minimized, and the cost required for preventing chemical contamination can be kept low. it can.
【００２４】なお、第１実施形態では、生産装置３０の
下部側に排気手段３１を接続した場合について述べた
が、ゾーンＡの生産装置３０を通過したエアーがほとん
ど汚染されず、生産空間２内にケミカル汚染物質が漏洩
する可能性がほとんどない場合には、排気手段３１を設
けずに構成することも可能である。また第３通風路２１
に第１処理材２２を設けたが、清浄なエアーに要求され
る清浄度のレベルによっては第１処理材２２を不要とす
ることもできる。この場合には、第１処理材２２の設置
等に伴うコストを削減できるので、ケミカル汚染防止に
要するコストをより低く抑えることができる。さらにゾ
ーンＡを一箇所のみ設定したが、複数箇所設定できるの
はもちろんである。In the first embodiment, the case where the exhaust means 31 is connected to the lower side of the production apparatus 30 has been described, but the air passing through the production apparatus 30 in the zone A is hardly contaminated, and the inside of the production space 2 is reduced. If there is almost no possibility of chemical contaminants leaking out, it is possible to configure without providing the exhaust means 31. Also, the third ventilation passage 21
Although the first treatment material 22 is provided in the above, the first treatment material 22 may be unnecessary depending on the level of cleanliness required for clean air . In this case, the cost associated with the installation of the first treatment material 22 can be reduced, so that the cost required to prevent chemical contamination can be further suppressed. Further, although only one zone A is set, it goes without saying that a plurality of zones can be set.
【００２５】次に、この発明の第２実施形態を図２に示
す概略構成図を用いて説明する。なお、図において第１
実施例と同一の形成要素には同一の符号を付して説明を
省略する。この実施形態において前述した第１実施形態
と相違するところは、生産空間２のケミカル汚染のない
領域とするゾーンＡが生産装置３０内の必要箇所、例え
ば特にウエハ処理に係わる露光装置の光学系やウエハ処
理部等である点にある。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the schematic block diagram shown in FIG. In the figure, the first
The same components as those in the embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. This embodiment is different from the first embodiment described above in that a zone A, which is a region where there is no chemical contamination in the production space 2, is a necessary portion in the production apparatus 30, for example, an optical system of an exposure apparatus related to wafer processing, It is a wafer processing unit.
【００２６】すなわちこのクリーンルーム４０では、生
産空間２の床３上に半導体装置を生産するための製造装
置、測定装置等からなる生産装置３０が複数設置されて
いる。またフレッシュエアー供給手段５０は、第１通風
路８から分岐して生産空間２のフィルタ６の下部側へと
延びた第４通風路５１と、第４通風路５１を仕切る状態
で設けられた第１処理材２２とを備えて構成されてい
る。第３通風路２１は、ケミカル汚染のない領域を設定
する各生産装置３０の上部側にそれぞれ接続されてい
る。That is, in this clean room 40, a plurality of production devices 30 including a production device for producing semiconductor devices and a measuring device are installed on the floor 3 of the production space 2. Further, the fresh air supply means 50 is provided in a state of partitioning the fourth ventilation passage 51 and a fourth ventilation passage 51 that branches from the first ventilation passage 8 and extends to the lower side of the filter 6 in the production space 2. 1 processing material 22 and it is comprised. The third ventilation passage 21 is connected to the upper side of each of the production devices 30 that set a region free from chemical pollution.
【００２７】また第４通風路５１が接続された生産装置
３０の上部側には、フレッシュエアー供給手段５０から
吹き出された清浄なエアーの流量を制御するためのダン
パ３３が設けられている。さらに生産装置３０の上部側
には、フレッシュエアー供給手段５０より吹き出された
清浄なエアーからさらに汚染物質を除去するための第２
の処理部（以下、第２処理材３４とする）が設けられて
いる。第２処理材３４は、生産装置３０に吹き出される
清浄なエアーの清浄度をさらに高めるためのもので、例
えばＨＥＰＡフィルタ等で構成されている。A damper 33 for controlling the flow rate of the clean air blown from the fresh air supply means 50 is provided on the upper side of the production apparatus 30 to which the fourth ventilation passage 51 is connected. Further, it was blown from the fresh air supply means 50 to the upper side of the production apparatus 30.
Second for further removing contaminants from clean air
The processing section (hereinafter, referred to as the second processing material 34) is provided. The second processing material 34 is blown out to the production device 30.
This is for further improving the cleanliness of clean air , and is composed of, for example, a HEPA filter.
【００２８】このフレッシュエアー供給手段５０では、
生産装置３０内が生産空間２の圧力に対して僅かに高い
圧力となるように清浄なエアーの吹き出し量が設定され
ている。またケミカル汚染のない領域を設定する各生産
装置３０の下部側には、生産装置３０を通過したエアー
を外部に排気するための排気ダクトからなる排気手段３
１が接続されている。In this fresh air supply means 50,
The amount of clean air blown is set so that the inside of the production apparatus 30 has a pressure slightly higher than the pressure in the production space 2. Exhaust means 3 including an exhaust duct for exhausting the air passing through the production device 30 to the outside is provided on the lower side of each production device 30 which sets a region free from chemical pollution.
1 is connected.
【００２９】このように構成されたクリーンルーム４０
では、天井裏５に送られたエアーがフィルタ６を通るこ
とで清浄化されて生産空間２に吹き出され、床面の貫通
孔３ａを通過して床下４に流出され、さらに空気調和部
９の空調機８へ流れる。そして外気処理部７にて外気処
理された外気と混合されて第２通風路１１から天井裏５
に送られ、再び生産空間２内を循環する。The clean room 40 constructed in this way
Then, the air sent to the ceiling space 5 is purified by passing through the filter 6, is blown out into the production space 2, passes through the through hole 3a on the floor surface, and flows out to the underfloor 4. It flows to the air conditioner 8. Then, it is mixed with the outside air that has been treated by the outside air processing unit 7, and is mixed from the second ventilation passage 11 to the ceiling 5
And is circulated in the production space 2 again.
【００３０】一方、フレッシュエアー供給手段５０によ
って、外気処理部７で外気処理された外気の一部が第４
通風路５１に流れ、生産空間２内を循環するエアーと混
合されることなく生産装置３０内に送られ、ダンパ３３
および第２処理材３４を介して生産装置３０内のゾーン
Ａに吹き出される。この際、外気処理された外気は第１
処理材２２を通過することでケミカル汚染物質や塵埃粒
子が除去されるとともに、第２処理材３４を通過するこ
とでさらに塵埃粒子等が除去され、ハイレベルに清浄化
された外気に基づく清浄なエアーがゾーンＡに供給され
る。したがって、ゾーンＡは、局所的にケミカル汚染さ
れていない極めて清浄度の高い領域となる。なお、生産
装置３０内のゾーンＡを通過したエアーは排気手段３１
により外部へ排気される。On the other hand, the fresh air supply means 50, a portion of the outside air is ambient air processed by the outside air processor 7 4
It flows into the ventilation passage 51 and is sent into the production device 30 without being mixed with the air circulating in the production space 2, and the damper 33
And it is blown out to the zone A in the production apparatus 30 via the second processing material 34. At this time, the outside air treated is the first
Chemical contaminants and dust particles are removed by passing through the treatment material 22, and dust particles and the like are further removed by passing through the second treatment material 34, so that cleanliness based on the outside air cleaned to a high level is obtained. Air is supplied to zone A. Therefore, the zone A is an area of extremely high cleanliness that is not locally contaminated with chemicals. The air that has passed through the zone A in the production apparatus 30 is exhausted by the exhaust means 31.
Is exhausted to the outside.
【００３１】以上のように第２実施形態に係るクリーン
ルーム４０によれば、生産装置３０内のゾーンＡに、生
産空間２内を循環するエアーと混合されていない外気に
基づく清浄なエアーを直接供給できる。よって、生産空
間２内のその他の生産装置３０や作業者、その他の要因
から発生したケミカル汚染物質が、生産空間２内を循環
するエアーによって生産空間２全体に拡がっても、生産
装置３０内のゾーンＡを局所的にケミカル汚染されてい
ない極めて清浄度の高い領域とすることができる。As described above, according to the clean room 40 of the second embodiment, in the zone A in the production apparatus 30, the outside air that is not mixed with the air circulating in the production space 2 is introduced.
Based on clean air can be supplied directly. Therefore, even if the chemical pollutants generated from other production devices 30 in the production space 2, workers, and other factors spread to the entire production space 2 by the air circulating in the production space 2, The zone A can be an extremely clean area which is not locally contaminated with chemicals.
【００３２】またこのクリーンルーム４０では、外気処
理部７と生産装置３０の上部側とを接続するフレッシュ
エアー供給手段５０の第４通風路５１と第１処理材２２
とを設けるだけで済み、生産装置３０の設置位置をその
ままとした状態で生産装置３０の所定の領域であるゾー
ンＡに清浄なエアーを供給することができる。このため
設備が大掛かりにならず、既存のクリーンルームに容易
に適用することができる。しかも、生産装置３０の特に
ケミカル汚染防止が要求される、ウエハ処理に係わるゾ
ーンＡに直接外気に基づく清浄なエアーを供給すること
ができるため、処理するウエハ表面や生産装置３０にお
けるゾーンＡのケミカル汚染を一層確実に防止すること
ができる。Further, in this clean room 40, the fourth ventilation passage 51 of the fresh air supply means 50 connecting the outside air processing section 7 and the upper side of the production apparatus 30 and the first processing material 22.
It suffices to provide and, and it is possible to supply clean air to the zone A, which is a predetermined region of the production apparatus 30, while keeping the installation position of the production apparatus 30 unchanged. Therefore, the equipment does not need to be large-scaled and can be easily applied to an existing clean room. Moreover, since clean air based on the outside air can be directly supplied to the zone A related to wafer processing, which is particularly required to prevent chemical contamination of the production apparatus 30, the surface of the wafer to be processed and the chemicals in the zone A of the production apparatus 30 are processed. Contamination can be prevented more reliably.
【００３３】また第１実施形態と同様、外気処理された
外気が通る第４通風路５１に第１処理材２２を設けて第
１処理材２２を通過させるため、第１処理材２２の選択
によってゾーンＡの清浄化レベルを所望のレベルに容易
に設定することができる。またこの実施形態では生産装
置３０の上部側にさらに第２処理材３４を設けているた
め、清浄度がよりハイレベルのゾーンＡを得ることがで
きる。また第１処理材２２、第２処理材３４を通過させ
る外気処理された外気が、生産空間２内を循環するエア
ーと混合されていないため、第１処理材２２、第２処理
材３４の寿命を長く保つことができる。Also, as in the first embodiment, the outside air is treated.
Since the first treatment material 22 is provided in the fourth ventilation passage 51 through which the outside air passes and the first treatment material 22 passes through, the cleaning level of the zone A can be easily set to a desired level by selecting the first treatment material 22. be able to. Further, in this embodiment, since the second processing material 34 is further provided on the upper side of the production apparatus 30, it is possible to obtain the zone A having a higher cleanliness level. In addition, since the outside air that has passed through the first treatment material 22 and the second treatment material 34 and has been treated with the outside air is not mixed with the air circulating in the production space 2, the lifetime of the first treatment material 22 and the second treatment material 34 Can be kept long.
【００３４】また生産装置３０を通過したエアーのケミ
カル汚染の程度がたとえ大きくても、排気手段３１によ
って外部に排気され、生産空間２を循環するエアーに取
り込まれるのを防止できるので、生産空間２内のケミカ
ル汚染の拡大を防止することができる。さらに生産装置
３０の上部側にダンパ３３が設けられているため、生産
装置３０内の圧力を自在に制御することができるととも
に、ゾーンＡが複数設定されている場合に、各ゾーンＡ
に均一に清浄なエアーを供給することができる。この結
果、いずれのゾーンＡも気流が安定したハイレベルの清
浄な領域とすることができる。Even if the degree of chemical contamination of the air passing through the production apparatus 30 is large, it can be prevented from being exhausted to the outside by the exhaust means 31 and taken into the air circulating in the production space 2. It is possible to prevent the spread of chemical contamination inside. Further, since the damper 33 is provided on the upper side of the production apparatus 30, the pressure inside the production apparatus 30 can be freely controlled, and when a plurality of zones A are set, each zone A
It is possible to uniformly supply clean air . As a result, any zone A can be a high-level clean area where the air flow is stable.
【００３５】したがって、このクリーンルーム４０によ
れば、ウエハ表面や生産装置のケミカル汚染を一層確実
に防止できるので、クリーンルーム４０を用いることに
より、高集積化されかつ信頼性の高い半導体装置を歩留
り良く製造することができる。また第１処理材２２や第
２処理材３４の寿命を長く保つことができ、設備が簡易
で済むため、ケミカル汚染を除去するためのイニシャル
コスト、ランニングコストをさらに低く抑えることがで
き、ケミカル汚染防止に要するコストをより低減するこ
とができる。Therefore, according to the clean room 40, the chemical contamination of the wafer surface and the production apparatus can be prevented more reliably. Therefore, by using the clean room 40, highly integrated semiconductor devices having high reliability can be manufactured with high yield. can do. In addition, since the life of the first treatment material 22 and the second treatment material 34 can be kept long and the equipment can be simplified, the initial cost and the running cost for removing chemical contamination can be further reduced, and the chemical contamination can be reduced. The cost required for prevention can be further reduced.
【００３６】なお、第２実施形態では、生産装置３０の
下部側に排気手段３１を接続したが、生産装置３０を通
過したエアーのケミカル汚染度が非常に低く、生産空間
２内にケミカル汚染物質が漏洩する可能性がほとんどな
い場合には、排気手段３１を設けずに構成することも可
能である。また第４通風路５１に第１処理材２２を設け
たが、清浄なエアーに要求される清浄度のレベルによっ
ては第１処理材２２を不要とすることもできる。同様
に、清浄なエアーに要求される清浄度のレベルによって
は生産装置３０の上部側に第２処理材３４を設けなくて
もよい。この場合には、ケミカル汚染防止に要するコス
トをより低く抑えることができる。Although the exhaust means 31 is connected to the lower side of the production apparatus 30 in the second embodiment, the chemical pollution degree of the air passing through the production apparatus 30 is very low, and the chemical pollutants in the production space 2 are reduced. When there is almost no possibility of leakage, it is possible to configure without providing the exhaust means 31. Although the first treatment material 22 is provided in the fourth ventilation passage 51, the first treatment material 22 may be unnecessary depending on the level of cleanliness required for clean air . Similarly, depending on the level of cleanliness required for clean air, the second processing material 34 may not be provided on the upper side of the production apparatus 30. In this case, the cost required for preventing chemical contamination can be further suppressed.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したようにこの発明に係る半導
体装置生産用クリーンルームおよび半導体装置の生産方
法によれば、生産装置の配置された領域には、外気に基
づく清浄なエアーが吹き出されることから、生産空間内
の作業者、その他の要因から発生したケミカル汚染物質
が生産空間全体に拡がっても、またケミカル汚染物質を
除去するための処理材を設けなくても生産空間内の生産
装置の配置された領域を局所的にケミカル汚染されてい
ない清浄度の高い領域とすることができる。また所定の
領域をより清浄度の高い領域とするために、外気から汚
染物質を取り除くための第１の処理部を備えている場合
にも、第１の処理部を通過させる外気が生産空間内を循
環するエアーによってケミカル汚染されていないため、
第１の処理部の寿命を長く保つことができる。したがっ
て、生産装置の配置された領域においてウエハ表面や生
産装置のケミカル汚染を防止でき、かつケミカル汚染防
止に要するコストを低く抑えることができる。As described above, the clean room for producing a semiconductor device and the method for producing a semiconductor device according to the present invention.
According to the law , the area where the production equipment is
In the production space, because clean air is blown out
The operator, and so the chemical pollutants generated from the source of spread to entire production space and chemical contaminants production process material to be produced in the space without providing for the removal of
The area where the device is arranged can be a highly clean area that is not locally contaminated with chemicals. In order to more highly clean area a predetermined area, dirty outside air
Even when the first processing unit for removing the dyeing substance is provided, since the outside air passing through the first processing unit is not chemically contaminated by the air circulating in the production space,
The life of the first processing unit can be kept long. Therefore, it is possible to prevent chemical contamination of the wafer surface and the production apparatus in the area where the production apparatus is arranged , and to keep the cost required for preventing chemical contamination low.
【図１】この発明に係る半導体装置生産用クリーンルー
ムの第１実施形態を示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a clean room for semiconductor device production according to the present invention.
【図２】この発明に係る半導体装置生産用クリーンルー
ムの第２実施形態を示す概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of a clean room for semiconductor device production according to the present invention.
【図３】従来のクリーンルームの一例を示す概略構成図
である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional clean room.
１、４０ クリーンルーム ２ 生産空間 ３ 床 ３ａ 貫通孔 ４ 床下 ６ フィルタ ２０、５０ フレッシュエアー供給手段 ２２ 第１処理材 ３０ 生産装置 ３１ 排気手段 ３２ カーテン ３３ ダンパ ３４ 第２処理材 Ａ ゾーン 1,40 clean room 2 production space 3 floors 3a through hole 4 under the floor 6 filters 20, 50 Fresh air supply means 22 First treated material 30 production equipment 31 Exhaust means 32 curtains 33 damper 34 Second treated material Zone A
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) F24F 7/04 - 7/06 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) F24F 7/ 04-7/06
Claims (14)
配置される生産空間と、当該生産空間に供給されるエア
ーを清浄化するフィルタと、外部から取り込んだ外気を
処理するための外気処理部とを備えており、前記フィル
タを介して循環するエアーとともに、前記外気処理部に
より処理された外気が当該フィルタを介して前記生産空
間内に吹き出されるように構成されたクリーンルームに
おいて、前記生産空間における前記生産装置の配置された領域に
は、前記循環するエアーとは異なる経路で、前記外気処
理部により処理された外気の一部が供給され、この 外気
に基づく清浄なエアーが吹き出されることを特徴とする
クリーンルーム。1. A and production space production apparatus for producing the semiconductor device Ru are arranged, air supplied to the production space
Filter and the outside air taken in from the outside.
And an outside air processing unit for processing the
Together with the air circulated through the
The outside air processed by
In a clean room configured to be blown into the space, in the area where the production device is arranged in the production space.
Is a route different from the circulating air, and
A clean room characterized in that part of the outside air processed by the processing unit is supplied and clean air is blown out based on this outside air.
され、床下から排気されることを特徴とする請求項１記
載のクリーンルーム。2. The clean room according to claim 1, wherein the circulating air is blown from the ceiling side and exhausted from under the floor.
域との間にはカーテンが設けられることを特徴とする請
求項１〜２のいずれか１つに記載のクリーンルーム。3. The clean room according to claim 1, wherein a curtain is provided between an area where the production apparatus is arranged and another area.
は、前記清浄なエアーを外部に排気する排気手段を有す
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載
のクリーンルーム。4. The clean room according to claim 1, further comprising an exhaust unit for exhausting the clean air to the outside, in a lower portion of a region where the production apparatus is arranged. .
取り除くための第１の処理部を介して供給されることを
特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のクリー
ンルーム。5. The clean room according to claim 1, wherein the clean air is supplied through a first processing unit for removing contaminants from the outside air.
ンパを介して前記生産装置の配置された領域に吹き出さ
れることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記
載のクリーンルーム。6. The clean room according to claim 1, wherein the clean air is blown to an area where the production apparatus is arranged via a damper that controls a flow rate. .
供給されるエアーに対する汚染物質を取り除くための第
２の処理部を介して前記生産装置の配置された領域に吹
き出されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１
つに記載のクリーンルーム。7. The clean air is blown to an area in which the production device is disposed via a second processing unit for removing contaminants from the air supplied from the first processing unit. Any one of claims 1 to 6 characterized in that
Clean room described in one.
に、外気処理部により処理された外気が当該フィルタを
介して生産空間内に吹き出されるように構成されたクリ
ーンルームにおける前記生産空間内に生産装置を配置し
て半導体装置を生産する半導体装置の生産方法におい
て、前記循環するエアーとは異なる経路で、前記外気処理部
により処理された外気の一部が供給され、この 外気に基
づく清浄なエアーが吹き出される領域に前記生産装置を
配置して、半導体装置の生産を行うことを特徴とする半
導体装置の生産方法。8. Air together with circulating through the filter
The outside air processed by the outside air processing unit
Through a chest configured to be blown into the production space through
The production equipment is arranged in the production space in the room.
In the method of manufacturing a semiconductor device , the outside air processing unit is provided in a route different from the circulating air.
A part of the outside air treated by the above is supplied, and the production device is arranged in a region where clean air based on the outside air is blown, and the semiconductor device is produced.
され、床下から排気されることを特徴とする請求項８記
載の半導体装置の生産方法。9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the circulating air is blown from the ceiling side and exhausted from under the floor.
と他の領域との間にはカーテンが設けられることを特徴
とする請求項８〜９のいずれか１つに記載の半導体装置
の生産方法。10. The method for producing a semiconductor device according to claim 8, wherein a curtain is provided between the area where the clean air is blown and another area. .
の下部には、前記清浄なエアーを外部に排気する排気手
段を有することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか
１つに記載の半導体装置の生産方法。11. The exhaust means for exhausting the clean air to the outside is provided in the lower part of the region where the clean air is blown out. Manufacturing method of semiconductor device.
を取り除くための第１の処理部を介して供給されること
を特徴とする請求項８〜１１のいずれか１つに記載の半
導体装置の生産方法。12. The semiconductor device according to claim 8, wherein the clean air is supplied through a first processing unit for removing contaminants from the outside air. Production method.
ダンパを介して吹き出されることを特徴とする請求項８
〜１２のいずれか１つに記載の半導体装置の生産方法。13. The clean air is blown out through a damper controlling a flow rate.
13. The method for producing a semiconductor device according to any one of items 1 to 12.
ら供給されるエアーに対する汚染物質を取り除くための
第２の処理部を介して吹き出されることを特徴とする請
求項８〜１３のいずれか１つに記載の半導体装置の生産
方法。14. The clean air is blown out through a second processing unit for removing contaminants from the air supplied from the first processing unit. The method for producing a semiconductor device according to any one of claims.
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