JP3422583B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP3422583B2
JP3422583B2 JP32932994A JP32932994A JP3422583B2 JP 3422583 B2 JP3422583 B2 JP 3422583B2 JP 32932994 A JP32932994 A JP 32932994A JP 32932994 A JP32932994 A JP 32932994A JP 3422583 B2 JP3422583 B2 JP 3422583B2
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JP
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Grant
Patent type
Prior art keywords
processing
non
gas
depositing
gas supply
Prior art date
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JP32932994A
Other languages
Japanese (ja)
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JPH07312348A (en )
Inventor
俊明 本郷
貴一 浜
次郎 畑
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、 例えば半導体ウエハ、 Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is, for example, a semiconductor wafer,
液晶ディスプレイ用ガラス基板などの被処理体を例えば成膜処理、エッチング処理するための処理装置に関する。 The object to be processed for example film forming process such as a glass substrate for a liquid crystal display, relates to processing apparatus for etching processes. 【0002】 【従来の技術】半導体素子の製造工程にあっては、気密な処理容器内において、被処理体、例えば半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用ガラス基板などが、プラズマを用いて成膜処理、エッチング処理される。 [0002] In the manufacturing process of a semiconductor device, in airtight processing chamber, the object to be processed, for example a semiconductor wafer, a glass substrate for liquid crystal displays, the film formation process using the plasma etching It is processed. 【0003】プラズマを生起する手段として誘導手段、 [0003] The induction means as a means to rise to plasma,
例えば平面状のコイルを用いることが、特開平2−23 For example, the use of planar coils, JP-2-23
5332号公報「プラズマ処理装置」、特開平3−79 5332 JP "plasma processing apparatus", Patent 3-79
025号公報「磁器結合された平面状のプラズマを生成するための装置並びにこのプラズマ物品を処理する方法及び装置」、特開平4−290428号公報「UHF/ 025 JP "porcelain bonded planar device for generating a plasma and a method and apparatus for processing this plasma article" JP-A 4-290428 discloses "UHF /
VHF共振アンテナ供給源を用いたプラズマリアクタ及びその方法」、特開平5−206072号公報「誘導R VHF resonance antenna source plasma reactor and method thereof using a ", JP 5-206072 discloses" induction R
F結合を用いたプラズマ加工装置とその方法」に開示されている。 The plasma processing apparatus using a F bond and is disclosed in the method. " 【0004】 【発明が解決しようとする課題】前記の様な誘導手段により、気密な処理容器内においてプラズマを生成させる為には、前記誘導手段に対向した前記処理容器の壁面の少なくとも一部を誘電体、例えば石英により構成することが必要となる。 The above such guide means [0004] that [SUMMARY OF THE INVENTION], in order to generate a plasma in the airtight processing chamber, at least a portion of a wall surface of the processing container opposed to the guide means dielectric, it is necessary to configure, for example, by a quartz. しかし、このように内壁面を誘電体により構成すると、プラズマ処理に伴う反応生成物が内壁面に付着し、前記誘導手段によるプラズマ生成の効率が低下するといった問題を生ずる。 However, configuring the inner wall surface of a dielectric Thus, adhering to the inner wall surface reaction products associated with the plasma treatment results in a problem that the efficiency of plasma generation is lowered by the guide means. 【0005】また、前記反応生成物が前記誘電体の内壁面へ付着することによって、前記誘導手段によるプラズマ生成の分布が、反応生成物が付着していない時に較べて変化し、その結果、前記処理容器内でプラズマ処理される被処理体の処理条件が、被処理体ごとに異なってしまい、均一な処理が行えなくなるという問題を起こす。 [0005] By the reaction products adhere to the inner wall surface of the dielectric, the distribution of the plasma generated by the induction means, changes compared to when the reaction product does not adhere, as a result, the processing condition of the object to be plasma processed in a processing vessel, it becomes different for each object to be processed, causing a problem that uniform processing can not be performed.
特にこれらの問題は、プラズマにより被処理体への半導体膜又は導電体膜の成膜処理を行う時に著しく発生していた。 In particular, these problems have been significantly generated when performing a film forming process of the semiconductor film or the conductive film to be processed by plasma. 【0006】本発明は、誘導手段によるプラズマ処理に伴う処理ガスや反応生成物が、処理容器の壁面に形成された誘電体面に付着することを防止できる処理装置を提供することを目的とする。 The present invention, process gases and reaction products due to plasma treatment by induction means, and an object thereof is to provide a can Ru processor prevented from adhering to the wall surface which is formed on dielectric surface of the processing chamber . 【0007】 【課題を解決するための手段】 上記課題を解決するため [0007] [Means for Solving the Problems] To solve the above problems
に、本発明のある観点によれば、気密な処理容器の壁面 , According to an aspect of the present invention, the wall surface of the airtight processing container
の少なくとも一部が誘電体面で形成され、該誘電体面の At least part of which is formed by dielectric surface, the dielectric body surface of
処理容器外方に配置された誘電手段に高周波電圧が印加 Frequency voltage applied to the placed dielectric means into the processing chamber outwardly
されることにより、処理容器内において処理ガス供給手 By being a processing gas supply hand in the processing vessel
段から供給された処理ガスがプラズマ化され、処理容器 Process gas supplied from the step is plasma processing chamber
内において載置台上に載置された被処理体が処理される Workpiece placed on the table at the inner is processed
誘導式の処理装置において、処理容器内の誘電体面と処 In the induction type processing apparatus, processing the dielectric surface in the processing chamber
理ガス供給手段との間には、矩形状に配管され複数の噴 Between the physical gas supply means, a plurality of injection plumbed in a rectangular shape
出孔が内側に穿設された非堆積性ガス供給管が配設され Deana is non-depositing gas supply pipe drilled is arranged inside
ており、非堆積性ガス供給管内には非堆積性ガスが供給 And which, in the non-depositing gas supply pipe supplying non-depositing gas
され、噴出孔から噴出された非堆積性ガスが処理容器内 Is, non-depositing gas ejected from the ejection hole processing vessel
に供給されることを特徴とする処理装置が提供される。 Processing apparatus characterized by being provided to is provided.
上記誘導手段は、被処理体に対向して配置されたコイル It said guide means includes a coil disposed to face the object to be processed
であってもよく、平面状の渦巻型であってもよい。 It may also be, or may be a planar spiral. 上記 the above
誘導手段には、1MHz〜200MHzの高周波電圧が印加 The guide means, a high frequency voltage of 1MHz~200MHz is applied
され、載置台には、1KHz〜500KHzの高周波電圧が Is, in the table, the high-frequency voltage of 1KHz~500KHz
印加されるようにしてもよい。 It may be applied. 【0008】 上記課題を解決するために、本発明の別の [0008] In order to solve the above problems, another invention
観点によれば、気密な処理容器の壁面の少なくとも一部 According to an aspect, at least a portion of a wall surface of the airtight processing container
が誘電体面で形成され、該誘電体面の処理容器外方に配 There are formed in the dielectric surface, distribution into the processing vessel outwardly of the dielectric body surface
置された誘電手段に高周波電圧が印加されることによ That a high frequency voltage is applied to the location by a dielectric means
り、処理容器内において処理ガス供給手段から供給され Ri, is supplied from the processing gas supply unit in the processing vessel
た処理ガスがプラズマ化され、処理容器内において載置 The processing gas is turned into plasma, placed in the processing vessel
台上に載置された被処理体が処理される誘導式の処理装 Workpiece placed on the table is processed inductive process instrumentation
置において、処理容器内の誘電体面と処理ガス供給手段 In location, dielectric surface of the processing container and the processing gas supply means
の間には、格子状に配管され複数の噴出孔が上側に穿設 Between, bored a plurality of ejection holes are pipes in a lattice shape on the upper side
された非堆積性ガス供給管が配設されており、非堆積性 Is disposed is non-depositing gas feed pipe which is, non-depositing
ガス供給管内には非堆積性ガスが供給され、該噴出孔か The gas supply pipe non-depositing gas is supplied, or該噴Deana
ら噴出された非堆積性ガスが処理容器内に供給されるこ This non-deposition gas is al ejected is supplied into the processing chamber
とを特徴とする処理装置が提供される。 Processing apparatus is provided, wherein the door. また上記誘導手 In addition the induction hand
段に高周波電圧が印加されることにより、処理容器内に By the high-frequency voltage is applied to the stage, into the processing chamber
おいて非堆積性ガスがプラズマ化されるようにしてもよ Oite non-depositing gas is also so as to be converted into a plasma
い。 There. またプラズマ化された非堆積性ガスにより、処理容 Also the non-depositing gas into a plasma, treatment volume
器内において処理ガス供給手段から供給された処理ガス Processing gas supplied from the processing gas supply means in the vessel
がプラズマ化されるようにしてもよい。 There may be the plasma. さらに上記被処 Furthermore, the above-mentioned object to be punished
理体の処理は、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン Process management body, an amorphous silicon film, a polysilicon
膜、酸化シリコン(SiO )膜、窒化シリコン(SiN Film, a silicon oxide (SiO 2) film, a silicon nitride (SiN
x)膜の何れかを成膜するようにしてもよい。 x) or it may be deposited in the membrane. 【0009】 上記課題を解決するために、本発明の別の [0009] In order to solve the above problems, another invention
観点によれば、気密な処理容器の壁面の少なくとも一部 According to an aspect, at least a portion of a wall surface of the airtight processing container
が誘電体面で形成され、該誘電体面の処理容器外方に配 There are formed in the dielectric surface, distribution into the processing vessel outwardly of the dielectric body surface
置された誘電手段に高周波電圧が印加されることによ That a high frequency voltage is applied to the location by a dielectric means
り、処理容器内において処理ガス供給手段から供給され Ri, is supplied from the processing gas supply unit in the processing vessel
た処理ガスがプラズマ化され、処理容器内において載置 The processing gas is turned into plasma, placed in the processing vessel
台上に載置された被処理体が処理される誘導式の処理装 Workpiece placed on the table is processed inductive process instrumentation
置において、処理容器内の誘電体面と処理ガス供給手段 In location, dielectric surface of the processing container and the processing gas supply means
との間には、複数本並列に配管され複数の噴出孔が上側 The plurality of ejection holes are plumbed to plural parallel upper between
に穿設された非堆積性ガス供給管が配設されており、非 Is disposed non-depositing gas supply pipe which is formed in the non
堆積性ガス供給管内には非堆積性ガスが供給され、噴出 Non-depositing gas is supplied to the deposition gas supply tube, jet
孔から噴出された非堆積性ガスが処理容器内に供給され Non-depositing gas ejected from the hole is supplied into the processing chamber
ることを特徴とする処理装置が提供される。 Processing apparatus is provided, wherein Rukoto. また上記誘 The above-mentioned induction
導手段に高周波電圧が印加されることにより、処理容器 By the high-frequency voltage is applied to the conductive means, the processing chamber
内において非堆積性ガスがプラズマ化されるようにして Non-depositing gas in the inner is to be plasma
もよい。 It may be. またプラズマ化された非堆積性ガスにより、処 Also the non-depositing gas into a plasma, treatment
理容器内において処理ガス供給手段から供給された処理 Processing supplied from the processing gas supply unit in the hairdressing device
ガスがプラズマ化されるようにしてもよい。 Gas may be the plasma. さらに被処 In addition the processing
理体の処理は、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン Process management body, an amorphous silicon film, a polysilicon
膜、酸化シリコン(SiO )膜、窒化シリコン(SiN Film, a silicon oxide (SiO 2) film, a silicon nitride (SiN
x)膜の何れかを成膜するようにしてもよい。 x) or it may be deposited in the membrane. 上記課題 Above-mentioned problems
を解決するために、本発明の別の観点によれば、気密な To resolve, according to another aspect of the present invention, gas-tight
処理容器の壁面の少なくとも一部が誘電体面で形成さ At least a portion of formation in dielectric surface of the wall of the processing chamber
れ、該誘電体面の処理容器外方に配置された誘電手段に It is, the arranged dielectric means into the processing chamber outside of the dielectric body surface
高周波電圧が印加されることにより、処理容器内におい By the high-frequency voltage is applied, the processing vessel odor
て処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ The plasma processing gas supplied from the processing gas supply means Te is
化され、処理容器内において載置台上に載置された被処 Reduction is, the treatment that is mounted on the mounting table in the processing chamber
理体が処理される誘導式の処理装置において、誘電体面 In the induction type processing apparatus management body is processed, dielectric surface
と処理ガス供給手段の間に非堆積性ガスを供給する非堆 Non compost supplies non-depositing gas between the process gas supply means
積性ガス供給手段が、処理容器内に配設されており、誘 Product gas supply means are arranged in the processing vessel, induction
導手段は、被処理体に対向して配置された平面状の渦巻 Guiding means, planar spiral disposed opposite to an object to be processed
型コイルであることを特徴とする処理装置が提供され Processing device is provided, which is a type coil
る。 That. また上記誘導手段には、1MHz〜200MHzの高周 Also in the above guide means, high frequency of 1MHz~200MHz
波電圧が印加され、載置台には、1KHz〜500KHzの Wave voltage is applied, the table, the 1KHz~500KHz
高周波電圧が印加されるようにしてもよい。 It may be a high frequency voltage is applied. 【0010】 上記課題を解決するために、本発明の別の [0010] In order to solve the above problems, another invention
観点によれば、気密な処理容器と、処理容器内に設けら According to an aspect, the airtight processing container, et al provided in the processing vessel
れ、被処理体を載置する載置台と、処理容器内で載置台 Is a table that mounts the object, the mounting table in the process vessel
の上方に設けられ処理ガスを供給するシャワーヘッド Shower head for supplying a processing gas is provided above the
と、処理容器内で処理ガスを供給するシャワーヘッドの When, the shower head for supplying a processing gas in the processing vessel
上方に設けられ非堆積性ガスを供給するシャワーヘッド Shower head for supplying a non-depositing gas provided above
と、処理容器の上壁部を構成する誘電体と、処理容器外 When a dielectric which constitutes the upper wall portion of the processing chamber, the processing chamber outside
で載置台上の被処理体に対向して誘電体上に設けられ、 In opposite to the target object on the mounting table provided on the dielectric,
高周波電圧が印加されるコイルと、を設けたことを特徴 Characterized by providing a coil high-frequency voltage is applied, the
とする処理装置が提供される。 Processing apparatus is provided to. また上記コイルは、平面 Moreover the coil is planar
状であってもよく、渦巻型であってもよい。 It may be Jo, or may be a spiral. 【0011】 【作用】本発明によれば、非堆積性ガスが供給されることにより、被処理体の処理に伴って発生した反応生成物が誘電体面に付着することを防止できる。 [0011] According to the present invention, by non-depositing gas is supplied, it is possible to prevent the reaction product generated during processing of the object to be processed is attached to the dielectric surface. 従って、本発明によれば、誘導手段による前記処理容器内へのエネルギー導入が安定して行われ、効率の高い処理を維持できる。 Therefore, according to the present invention, the energy introduced into the processing vessel by the induction means is stably performed, it can be maintained high efficiency processing. 【0012】 【実施例】本願発明の処理装置の一実施例について、図面を用いて説明を行う。 [0012] An embodiment of the processing apparatus of the embodiment] The present invention will be described with reference to the drawings. 図1に、処理装置の縦断面図を示す。 Figure 1 shows a longitudinal sectional view of the processing apparatus. 処理容器1は、気密に構成される。 Processing container 1 is configured to hermetically. 処理容器1 The processing vessel 1
は、導電体、例えばアルミニウムにより構成され、電気的にシールドされる。 Is the conductor is constituted by, for example, aluminum, is electrically shielded. 前記処理容器1の少なくとも内壁面に絶縁膜、例えば酸化膜が形成され、前記処理容器1 The processing vessel 1 at least the inner wall surface in the insulating film, for example, an oxide film is formed, the processing vessel 1
内で行われる処理に際して、内壁面に、コンタミの原因となる、特に重金属による汚染物質が付着するのを防止している。 During processing performed by the inner, the inner wall surface, causing contamination, in particular prevented from adhering due to contaminants heavy metals. 前記処理容器1は、電気的な配線により直流電源へ接続される。 The processing vessel 1 is connected to the DC power source through electrical wiring. この直流電源電位を設定することにより、内部に形成されるプラズマの直流電圧成分の値が所定の値に安定される。 By setting the DC power source potential, the value of the DC voltage component of the plasma formed therein is stabilized to a predetermined value. 【0013】前記処理容器1の側壁には、被処理体2を搬入・搬出する為のゲートバルブ3'が設けられる。 [0013] sidewall of the processing vessel 1 is provided with a gate valve 3 'for loading and unloading the workpiece 2. このゲートバルブ3'の開閉により、前記処理容器1は、 By opening and closing of the gate valve 3 ', the processing vessel 1,
図示しない真空予備室、例えばロードロック室と連通可能に設けられている。 Lock chamber (not shown), for example provided to be the load lock chamber and communicating. このロードロック室内には、前記被処理体2を保持して搬送する図示しない搬送装置が設けられている。 The load lock chamber, the transport device is provided that the not shown holding and transporting the workpiece 2. 前記搬送装置は、前記処理容器1内に前記被処理体2を搬入し、載置台3の上に位置決めし、仮固定する。 The conveying device, the carries the workpiece 2 to the processing chamber 1, is positioned on the table 3, temporarily fixed. 【0014】この載置台3は、導電体、例えばアルミニウムにより形成され、載置台3は、電極として機能する。 [0014] The mounting table 3, the conductor, for example formed of aluminum, the mounting table 3 functions as an electrode. 前記載置台3の表面には、絶縁膜、例えば酸化膜のアルミナ膜(Al 23 )が形成され、前記被処理体2の反応処理から保護される。 On the surface of the mounting table 3, the insulating film, for example, an alumina film of oxide film (Al 2 O 3) is formed, it said protected from reaction treatment of the workpiece 2. 【0015】前記載置台3の内部には、載置した前記被処理体2の温度を調整するための、温度調整機構4が設けられている。 [0015] Inside the loading table 3, for adjusting the temperature of the workpiece 2 which is placed, the temperature adjustment mechanism 4 is provided. この温度調整機構4の具体的構成の一例は、前記被処理体2を加熱する場合は、前記載置台3と電気的に絶縁して設けられた図示しない電源と接続されるヒータを前記載置台3の内部に埋設した構成であり、 An example of a specific structure of the temperature adjustment mechanism 4, the case of heating the workpiece 2, heaters mounting stage being connected to the mounting table 3 and electrically insulated (not shown) provided power 3 is a configuration embedded in the inside of,
前記被処理体2を冷却する場合は、所定の温度の媒体、 The case of cooling the workpiece 2 a predetermined temperature of the medium,
例えば5℃に温調されたクーラントが循環されるパイプを前記載置台3の内部に埋設した構成である。 For example coolant which is controlled at 5 ° C. is configured embedded in the inside of the mounting table 3 the pipe to be circulated. このように加熱と冷却の両方が行える前記温度調整機構4を設けることで、精度の高い温度制御ができるようになる。 The both heating and cooling as by providing the temperature adjusting mechanism 4 can be performed, so that it is high temperature control accuracy. 【0016】前記載置台3と前記処理容器1とは、絶縁台5を介して電気的に絶縁されている。 [0016] The mounting table 3 and the processing vessel 1 is electrically insulated via an insulating base 5. 前記載置台3には、前記被処理体2に対する処理の内容に応じて、高周波電圧、例えば1MHz〜200MHzの高周波電圧が印加される。 The mounting table 3, the depending on the content of processing for the workpiece 2, a high frequency voltage, for example 1MHz~200MHz high frequency voltage is applied. 前記被処理体2には、高周波電源6の一端がマッチング回路7を介して接続されている。 Wherein the workpiece 2, one end of the high-frequency power source 6 is connected via a matching circuit 7. 前記被処理体2の処理速度は調整可能であり、例えば速めたり、遅くしたりすることができる。 The processing speed of the workpiece 2 is adjustable, for example faster or, or can slow down. 前記高周波電源6の他端は、 The other end of the high frequency power source 6,
電気的に接地され、前記高周波の電圧の基準を前記処理容器1と同電位に設定することによって、処理容器1内で発生する処理、例えばプラズマによる処理の電気的基準としている。 Electrically grounded, by setting a reference of the high frequency voltage to the same potential as the process chamber 1, generated in the processing vessel 1 processing, for example, the electrical reference for processing by the plasma. 【0017】前記載置台3に位置決めされ、載置された前記被処理体2に対向する、前記処理容器1の壁面の少なくとも一部は、誘電体面8に形成される。 [0017] positioned on the mounting table 3, placed on said faces the workpiece 2, at least a portion of the processing container 1 wall is formed on the dielectric surface 8. 該誘電体面8は、例えば耐熱性、耐薬品性を有する石英により形成される。 Dielectric member surface 8, for example heat resistance, is made of quartz having a chemical resistance. この誘電体面8は、電磁場に対し、導電性金属の如くエネルギーの伝播を妨げたり、電磁場を歪めたりすることが無い。 The dielectric surface 8, to an electromagnetic field, or interfere with the propagation of energy as conductive metal, it is not to or distort the electromagnetic field. なお、この誘電体面8を形成する材料は、電磁場を通過させる材料であれば何れでもよい。 The material for forming the dielectric surface 8 may be any material which passes an electromagnetic field. 【0018】また、前記誘電体面8の処理容器1の外方には、予め定められたプラズマ生成領域に対して電磁場を供給伝播させる誘導手段9が、前記被処理体2に対向配置して設けられる。 [0018] wherein the outside of the processing chamber 1 of the dielectric surface 8, guide means 9 for supplying propagating electromagnetic field for a predetermined plasma generation region is provided in opposed said object to be processed 2 It is. この誘導手段9は、例えば平面状の渦巻型コイルが用いられる。 The guide means 9, for example, planar spiral coil is used. 渦巻型コイルは、導電性材料、例えばCu(銅)により形成され、前記被処理体2の被処理面よりも5〜50%面積が広く、被処理体2 Spiral coil, a conductive material, for example, is formed by Cu (copper), the 5-50% area wider than the processed surface of the workpiece 2, the workpiece 2
の上方全体を覆う様に配置される。 It is arranged to cover the entire upper. 前記誘導手段9には高周波電圧、例えば1MHz〜200MHzの高周波電圧が印加される。 A high frequency voltage, for example 1MHz~200MHz high frequency voltage is applied to said induction unit 9. 前記誘導手段9には、アンテナとして機能させる高周波電源10の一端がマッチング回路11を介して配線12より電気的に接続されている。 Wherein the guide means 9, one end of the high-frequency power source 10 function as an antenna is electrically connected from the wiring 12 through a matching circuit 11. なお、上記渦巻型コイルは平面状に限らず上下方向にスクリュー状に構成しても良く、また、ピッチを変化させるなど必要に応じて設計変更できる。 Incidentally, the spiral coil may be formed in a screw shape in the vertical direction is not limited to flat, also be designed changed as needed, such as to change the pitch. 前記高周波電源10の他端は、例えば電気的に接地され、前記誘導手段9に印加される高周波の振幅の中心は、前記処理容器1と共にグランドレベルとなるように設定される。 The other end of the high frequency power source 10, for example, electrically grounded, the amplitude center of the high frequency applied to the induction unit 9 is set to be the ground level along with the processing vessel 1. 勿論この結果は逆でもよく、複数の高周波、位相を変えるなど適宜変更される。 Of course, this result may be reversed, a plurality of high frequency, are appropriately changed such as changing the phase. これにより、前記誘導手段9によって生起されるプラズマの電位の基準が設定され、安定した処理が行われる。 Accordingly, the reference of the plasma potential is caused by inductive means 9 is set, stable treatment is performed. 【0019】前記処理容器1の内部において前記誘電体面8の近傍には、非堆積性ガスを供給する非堆積性ガス供給手段としての、シャワーヘッド50が設けられる。 [0019] in the vicinity of the dielectric surface 8 in the interior of the processing container 1, as non-depositing gas supply means for supplying a non-depositing gas, the showerhead 50 is provided.
この非堆積性ガスの種類については、後に説明する。 For this type of non-depositing gases it will be explained later. このシャワーヘッド50には、マスフローコントローラ1 The shower head 50, a mass flow controller 1
5とバルブ14を備える配管53を介して、非堆積性ガス供給源16から、非堆積性ガスが供給される。 5 and via a pipe 53 with a valve 14, a non-depositing gas source 16, non-depositing gas is supplied. このマスフローコントローラ15は、非堆積性ガスの供給量を、例えばガスを20SCCMだけ供給するといったように、自由に設定可能であり、このようにガスの供給量を調整することにより、処理容器1内で生起されるプラズマの密度が制御される。 The mass flow controller 15, the supply amount of the non-depositing gas, for example gas, as such only supplies 20 SCCM, is freely set, In this way, by adjusting the supply amount of gas, the processing chamber 1 in density of the occurrence is the plasma is controlled. このシャワーヘッド50は、誘電体、例えば石英からなる非堆積性ガス供給管51に複数の噴出孔52が穿設された構成を有する。 The shower head 50 has a dielectric, for example, a configuration in which a plurality of ejection holes 52 in the non-depositing gas supply pipe 51 made of quartz is bored. 前記シャワーヘッド50は、誘電体により構成されることで、前記誘導手段9による電磁場をみだすことなく、プラズマ生成の分布を歪めないといった利点を有する。 The shower head 50, by being constituted by a dielectric, has the advantage the guiding means without disturbing the electromagnetic field by 9, not distort the distribution of plasma generation. このシャワーヘッド50より供給される非堆積性ガスは、前記誘導手段9によってプラズマ化され、誘電体面8に、後述する処理ガスや反応生成物が付着することを防止する。 Non-depositing gas supplied from the shower head 50, the turned into plasma by inductive means 9, the dielectric surface 8, the process gas and reaction products to be described later is prevented from adhering. 【0020】次に図2〜4を用いて、シャワーヘッド5 [0020] Next, with reference to FIG. 2 to 4, the shower head 5
0の具体的な構造について説明を行う。 A description is given of the specific structure of the 0. 先ず、図2に示すシャワーヘッド50は、前記非堆積性ガス供給管51 First, the shower head 50 shown in FIG. 2, the non-depositing gas supply pipe 51
が前記処理容器1の内部において矩形状に配管され、前記複数の噴出孔52が非堆積性ガス供給管51の内側に穿設された構成を有する。 There has a configuration that is the pipe in a rectangular shape in the interior of the processing container 1, said plurality of ejection hole 52 is formed in the inside of the non-depositing gas supply pipe 51. 誘電体、例えば石英からなる前記非堆積性ガス供給管51の外径は、例えば1mm〜5 Dielectric, is the outer diameter of the non-depositing gas supply pipe 51 for example made of quartz, for example 1mm~5
mmであり、その内側表面に、複数の噴出孔52が略等間隔に開口する。 A mm, on its inner surface, a plurality of ejection hole 52 is opened at substantially regular intervals. 各噴出孔52の径は、0.1mm〜3.0mm Diameter of each ejection hole 52, 0.1 mm to 3.0 mm
程度のサイズ径より供給ガス量と、非堆積性ガスの種類に応じて選択的に決められる。 A supply gas amount than the size diameter of the extent, selectively determined according to the type of non-depositing gas. そして、この噴出孔52 Then, this ejection hole 52
全体は前記載置台3上に位置決めされた前記被処理体2 The whole was positioned on the mounting table 3 workpiece 2
を覆う様に配置される。 It is arranged so as to cover the. 【0021】次に、図3に示すシャワーヘッド50は、 Next, the shower head 50 shown in FIG. 3,
前記非堆積性ガス供給管51が前記処理容器1内において格子状に配管され、前記複数の噴出孔52は非堆積性ガス供給管51の上側に穿設されている構成を有する。 The non-depositing gas supply pipe 51 is a pipe in a grid pattern in the processing chamber 1, the plurality of ejection holes 52 has a configuration that is formed in the upper side of the non-depositing gas supply pipe 51.
図2のものと同様に、誘電体、例えば石英からなる前記非堆積性ガス供給管51の外径は、例えば1mm〜5mmである。 Similar to that of FIG. 2, the dielectric, it is the outer diameter of the non-depositing gas supply pipe 51 for example made of quartz, for example, 1 mm to 5 mm. 図示のものは、前記非堆積性ガス供給管51の交差点の上側に、前記各噴出孔52がそれぞれ開口する。 Those illustrated, the upper side of the intersection of the non-depositing gas supply pipe 51, the each ejection hole 52 is opened, respectively.
図2のものと同様に、前記各噴出孔52の径は、0.1m Similar to that of FIG. 2, the diameter of each ejection hole 52, 0.1 m
m〜3.0mm程度のサイズ径より供給ガス量と、非堆積性ガスの種類に応じて選択的に決められる。 A supply gas amount than the size diameter of about M~3.0Mm, selectively determined according to the type of non-depositing gas. また、この噴出孔52全体は載置台3上に位置決めされた前記被処理体2を覆う様に配置される。 Moreover, the entire ejection hole 52 is arranged to cover the sample 2 which is positioned on the mounting table 3. 【0022】次に、図4に示すシャワーヘッド50は、 [0022] Next, the shower head 50 shown in FIG. 4,
前記非堆積性ガス供給管51が前記処理容器1内において複数本並列に配管され、前記複数の噴出孔52は非堆積性ガス供給管51の上側に穿設されている構成を有する。 The non-depositing gas supply pipe 51 is piping to a plurality of parallel in the processing chamber 1, the plurality of ejection holes 52 has a configuration that is formed in the upper side of the non-depositing gas supply pipe 51. 先に説明した図2、3のものと同様に、誘電体、例えば石英からなる前記非堆積性ガス供給管51の外径は、例えば1mm〜5mmであり、その上側表面に、複数の前記噴出孔52が略等間隔に開口する。 Similar to that of Figure 2 and 3 described earlier, a dielectric, for example, the outer diameter of the non-depositing gas supply pipe 51 made of quartz, for example, 1 mm to 5 mm, on its upper surface, a plurality of the jet hole 52 is opened at substantially regular intervals. 前記各噴出孔5 Each ejection holes 5
2の径は、0.1mm〜3.0mm程度のサイズ径より供給ガス量と、非堆積性ガスの種類に応じて選択的に決められる。 2 of diameter, a feed gas amount than the size diameter of about 0.1 mm to 3.0 mm, selectively determined according to the type of non-depositing gas. また、この噴出孔52全体は前記載置台3上に位置決めされた前記被処理体2を覆う様に配置される。 Moreover, the entire ejection hole 52 is arranged to cover the sample 2 which is positioned on the mounting table 3. 【0023】但し、図2〜4の何れのシャワーヘッド5 [0023] However, any of the shower head of FIG. 2 to 4 5
0も、前記シャワーヘッド50を構成する前記非堆積性ガス供給管51の間が大きく、空間54が開いており、 0 also during said the non-depositing gas supply pipe 51 constituting the shower head 50 is large, the space 54 is open,
その空間54を介して、プラズマ化された非堆積性ガスが、前記被処理体2の方向に移動できる構造となっている。 Through the space 54, non-depositing gas into a plasma has structure that can move the direction of the workpiece 2. なお、前記シャワーヘッド50は、図2〜4に示す構成とするほか、円形の被処理体に対しては、前記シャワーヘッド50の外形を円形にすることも可能である。 Incidentally, the shower head 50, in addition to the configuration shown in FIGS. 2-4, for a circular workpiece, it is also possible to make the outer shape of the shower head 50 in a circular. 【0024】かくして、このシャワーヘッド50より前記処理容器1内に供給された非堆積性ガスは、前記誘導手段9により励起されてプラズマ化し、前記処理容器1 [0024] Thus, the non-depositing gas supplied into the processing container 1 from the shower head 50 is excited into plasma by the guiding means 9, the processing vessel 1
内の前記誘電体面8と前記被処理体2に挟まれた空間を中心に分布する。 Wherein said dielectric surface 8 of the inner is distributed around the space between the workpiece 2. この場合のプラズマは前記誘電体面8 Plasma in this case is the dielectric surface 8
の内表面のクリーニング効果および処理用プラズマの生成としての作用を奏する。 Performing an operation as a generator of the cleaning effect and process for plasma inner surface of. 一般にプラズマの分布は、誘導手段9の近く、即ち、処理容器1内において前記誘電体面8の近傍で密度が高く、ここから遠ざかるに従って、即ち前記被処理体2に近づくに従って密度が粗となる。 In general plasma distribution is close to the guiding means 9, i.e., in the processing vessel 1 wherein in the vicinity of the dielectric surface 8 denser, as the distance from here, the density becomes coarse accordance i.e. approaches the object to be processed 2. 【0025】また、前記誘導手段9を動作させない場合は、プラズマ化されていない非堆積性ガスが前記誘電体面8の内側に沿って供給されることにより、反応生成物などの付着を防止する効果を奏することができる。 Further, if not operating the induction means 9, by non-depositing gases which are not plasma is supplied along the inner side of the dielectric surface 8, to prevent adhesion of such reaction products effect it can be achieved. この場合は、前記誘電体面8に膜状のガスの流れを供給できるように、前記噴出孔52をスリット状に形成することも可能である。 In this case, the the dielectric surface 8 so that it can supply a flow of film-like gas, it is also possible to form the ejection hole 52 in a slit shape. その他、多数のノズルを配置することも可能である。 Other, it is also possible to arrange a plurality of nozzles. 【0026】前記処理容器1内の前記シャワーヘッド5 In one embodiment of the invention, the shower head of the processing vessel 1 5
0と前記被処理体2との間には、前記処理容器1内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段としてのシャワーヘッド22が、前記被処理体2に対向配置して設けられる。 0 and the between the workpiece 2, the shower head 22 serving as a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing container 1 is provided opposite disposed above the workpiece 2. 処理ガスの種類については、後に説明する。 The type of processing gas, described later. このシャワーヘッド22には、マスフローコントローラ25とバルブ24を備える配管40を介して、処理ガス供給源26から、処理ガスが供給される。 The shower head 22 through a pipe 40 with a mass flow controller 25 and valve 24, from the processing gas supply source 26, the process gas is supplied. このマスフローコントローラ25は、処理ガスの供給量を、例えば20SCCM The mass flow controller 25, the supply amount of the processing gas, for example 20SCCM
だけ供給するといったように、自由に設定可能である。 Only as such supply, it can be freely set.
この処理ガスの種類、流量、温度などは、被処理体2の被処内容に応じて、適宜選択する。 This type of process gas, flow rate, temperature, etc., depending on the processing contents of the object to be processed 2, is suitably selected. 【0027】先に説明した非堆積性ガス供給手段としてのシャワーヘッド50と同様に、このシャワーヘッド2 [0027] Similar to the shower head 50 serving as a non-depositing gas supply means previously described, the shower head 2
2は、誘電体、例えば石英からなる処理ガス供給管31 2, a dielectric, for example, a quartz process gas supply pipe 31
に複数の噴出孔23が穿設された構成を有する。 A plurality of injection holes 23 has a configuration which is formed in. 前記シャワーヘッド22は、誘電体により構成されることで、 The shower head 22, by being constituted by a dielectric,
前記誘導手段9による電磁場をみだすことなく、プラズマ生成の分布を歪めないといった利点を有する。 Without disturbing the electromagnetic field by the said induction unit 9, it has the advantage not distort the distribution of plasma generation. このシャワーヘッド22より供給される処理ガスは、前記処理容器1内において、前記プラズマ化された非堆積性ガスによりプラズマ化される。 Process gas supplied from the shower head 22 in the processing vessel 1, is a plasma by non-depositing gases which are the plasma. 【0028】次に、前記シャワーヘッド22の具体的な構造について説明を行う。 Next, a description is given of the specific structure of the shower head 22. 先ず、図5に示すシャワーヘッド22は、前記処理ガス供給管31が前記処理容器1 First, the shower head 22 shown in FIG. 5, the process gas supply pipe 31 is the processing vessel 1
内において格子状に配管され、前記複数の噴出孔23は処理ガス供給管31の下側に穿設されている構成を有する。 Plumbed in a grid pattern at the inner, the plurality of ejection holes 23 has a configuration that is formed in the lower side of the processing gas supply pipe 31. 誘電体、例えば石英からなる前記処理ガス供給管3 Dielectric, for example, the process gas supply pipe 3 made of quartz
1の外径は、例えば1mm〜5mmである。 The outer diameter of 1 is, for example, 1 mm to 5 mm. 図示のものは、 Those shown in the figure,
前記処理ガス供給管31のそれぞれの交差点の上側に、 Above the respective intersections of the process gas supply pipe 31,
前記各噴出孔23が開口する。 Each ejection hole 23 is opened. 前記各噴出孔23の径は、0.1mm〜3.0mm程度のサイズ径より供給ガス量と、処理ガスの種類に応じて選択的に決められる。 The diameter of each ejection hole 23 includes a supply gas amount than the size diameter of about 0.1 mm to 3.0 mm, selectively determined according to the type of the processing gas. また、この噴出孔23全体は前記載置台3上に位置決めされた被処理体2を覆う様に対向配置される。 Further, the entire injection holes 23 are opposed to cover the workpiece 2 which is positioned on the mounting table 3. 【0029】ここで、図5に示す如く、前記処理ガス供給管31を格子状に配管した前記シャワーヘッド22について、前記各噴出孔23から噴出されるガスの流量分布を調査した結果を示す。 [0029] Here, as shown in FIG. 5, for the shower head 22 to the processing gas supply pipe 31 and the pipe in a grid pattern, it shows the results of the examination of the distribution of the flow rate of the gas ejected from each ejection hole 23. 【0030】[計算の概要]計算の対象とする前記シャワーヘッド22(図5参照)は、1/4インチ(内径φ [0030] The shower head 22 to Calculated Summary in the computation (see FIG. 5) is 1/4 inch (inside diameter φ
4.2)の石英管(処理ガス供給管31)を格子状に組み合わせて構成した。 Quartz tube 4.2) to (processing gas supply pipe 31) was constructed by combining a grid. 各交差点上に、直径dの前記噴出孔23をx方向にI=7、y方向にJ=6、合計[I× On each intersection, J = 6 to I = 7, y-direction the jet holes 23 of diameter d in the x-direction, the total [I ×
J=]42個設けた。 J =] was 42 or provided. ガスは4ヶ所に接続した前記配管40より矢印方向に供給される。 Gas is fed in the arrow direction from the pipe 40 connected to the four locations. 本計算では、圧力P r ,温度T rの反応室内に置かれた前記シャワーヘッド22を想定した。 In this calculation, assuming the pressure P r, the shower head 22 placed in a reaction chamber temperature T r. 解析には熱流体解析ソフトウェアFL Thermal fluid analysis software FL for the analysis
UENTを使用したが、円管の組み合わせを定義することは困難であるため、各円管を流路断面積の1辺が4m While using UENT, since it is difficult to define a combination of the circular tube, each circular tube one side of the flow path cross-sectional area of ​​4m
mの正四角柱であるとした。 It was to be a square prism of m. そのため、流路断面積は実際よりも1.15倍大きい。 Therefore, the flow path cross-sectional area actually 1.15 times greater than. この流路断面積の増加は、 This increase in flow path cross-sectional area,
解析結果において吟味されなければならない。 It must be examined in the analysis result. また、F In addition, F
LUENTでは、流入するガスの流量を境界条件として規定することができないので、反応室内圧力P rとシャワーのガス導入口における圧力の差P s △P[=P s −P In LUENT, it is not possible to define the flow rate of the inflowing gas as a boundary condition, the difference in pressure in the gas inlet of the reaction chamber pressure P r and showers P s △ P [= P s -P
r ]を境界条件とし、得られた結果より流量を求めた。 r] were a boundary condition to determine the flow rate from the obtained results.
前記噴出孔23はシャワー全体に比べ非常に小さいため、計算格子数が多くなる。 The ejection hole 23 is very small compared to the entire shower, becomes large number of calculations grating. そこで、計算の負荷を減ずるため以下のようなモデル化を行った。 Therefore, it was conducted as follows modeling for reducing the computational load. (i)前記シャワー22の形状は(図5に示す)破線に対し対称なので、シャワー22全体の1/4に対し解析を行う。 The shape of (i) the shower 22 (shown in FIG. 5) so symmetric with respect to the broken lines, and analyzes to 1/4 of the entire shower 22. (ii)前記シャワー22の噴出孔23にはPorou (Ii) Porou the injection holes 23 of the shower 22
s Media modelを使用し、穴径に応じた圧力降下を発生させる。 Using the s Media model, to generate a pressure drop corresponding to the hole diameter. ここで、本計算に使用した条件を表1に示す。 Here, the conditions used in this calculation are shown in Table 1. 【0031】[結果と考察]各CASEの条件に対して得られた流量分布G ij /G mを図6〜8に、また、そのときの総流量Gおよび流量分布の均一性を表2に示す。 [0031] Results and Discussion] The flow distribution G ij / G m obtained for conditions of each CASE 6-8, also the uniformity of the total flow rate G and the flow rate distribution of the time shown in Table 2 show.
ただし、G ijは各噴出孔からの流量、G m [=G/(I However, G ij is the flow rate from the injection holes, G m [= G / ( I
・J)]は平均流量を表す。 · J)] represents the average flow rate. CASE−1と2の比較より、噴出孔23の直径dが小さいほど流量分布の均一性は良い。 CASE-1 and from the comparison of the 2, uniformity of as the flow rate distribution diameter d of the injection holes 23 is small is good. CASE−2と3の比較より、Gを増すことで更に均一性を良くすることができるが、流量分布の均一性向上には、Gよりもdの寄与が大きい。 From comparison of CASE-2 and 3, it can be improved further uniformity by increasing the G, to improving uniformity of flow distribution, a large contribution of d than G. すなわち、均一な流量分布を得るためには、dをできるだけ小さくすればよい。 In other words, in order to obtain a uniform flow distribution may be as small as possible d. しかしながら、dを小さくすることで、基板上に噴出孔の位置が転写されたように膜が堆積するという問題も起こり得る。 However, by reducing the d, it may occur a problem that the position of the injection holes on the substrate to film deposition as transcribed. その場合、シャワー22と基板間2の距離を増大させる等の対策が必要である。 In that case, it is necessary to take measures such as increasing the distance between the shower 22 and the substrate between the two. 【0032】その他、図9に示す前記シャワーヘッド2 [0032] Other, the shower head 2 shown in FIG. 9
2は、前記処理ガス供給管31が前記処理容器1内において複数本並列に配管され、前記複数の噴出孔23は処理ガス供給管31の下側に穿設されている構成を有する。 2, the process gas supply pipe 31 is piping to a plurality of parallel in the processing chamber 1, the plurality of ejection holes 23 has a configuration that is formed in the lower side of the processing gas supply pipe 31. 先に説明した図5のものと同様に、誘電体、例えば石英からなる前記処理ガス供給管31の外径は、例えば1mm〜5mmであり、その下側表面に、複数の前記噴出孔23が略等間隔に開口する。 Similar to that of FIG. 5 described above, a dielectric, for example, the outer diameter of the process gas supply pipe 31 made of quartz, for example, 1 mm to 5 mm, on its lower surface, a plurality of the injection holes 23 It opened at substantially regular intervals. 前記各噴出孔23の径は、 The diameter of each ejection hole 23,
0.1mm〜3.0mm程度のサイズ径より供給ガス量と、処理ガスの種類に応じて選択的に決められる。 A supply gas amount than the size diameter of about 0.1 mm to 3.0 mm, selectively determined according to the type of the processing gas. また、この噴出孔23全体は前記載置台3上に位置決めされた被処理体2を覆う様に配置される。 Further, the entire injection holes 23 are arranged to cover the sample 2 which is positioned on the mounting table 3. 【0033】但し、図5及び図9の何れのシャワーヘッド22も、前記シャワーヘッド22を構成する前記処理ガス供給管31同士の間が大きく、空間32が開いており、その空間32を介して、プラズマ化された非堆積性ガスが、前記被処理体2の方向に移動できる構造となっている。 [0033] However, any of the shower head 22 of FIG. 5 and also FIG. 9, the between between the process gas supply pipe 31 constituting the shower head 22 is large, the space 32 is open, via the space 32 , non-depositing gas into a plasma has structure that can move the direction of the workpiece 2. なお、このシャワーヘッド22も、前記シャワーヘッド50と同様に、円形の被処理体に対しては、前記シャワーヘッド22の外形を円形にすることも可能である。 Incidentally, the shower head 22, similarly to the shower head 50, relative to the circular workpiece, it is also possible to make the outer shape of the shower head 22 in a circular. 【0034】そして、前記シャワーヘッド50及び前記シャワーヘッド22において適宜選択された、非堆積性ガスの種類、流量、温度などの選択内容と、処理ガスの種類、流量、温度などの選択内容は、操作パネルに表示し、操作者が制御確認可能に構成できる。 [0034] Then, the are suitably selected in the shower head 50 and the shower head 22, the type of non-depositing gas, flow rate, and selection of such temperature, type of processing gas, the flow rate, selection of such temperature, displayed on the operation panel, the operator can control can check the configuration. 一実施例として、ガラス基板上に薄膜型トランジスター(Thin Film As an example, thin-film transistors on a glass substrate (Thin Film
Transistor)を形成して、このトランジスターの駆動により、画素電極と対向電極との間に封入された液晶をO Transistor) forming a by the drive of the transistor, a liquid crystal sealed between the pixel electrode and the counter electrode O
N/OFFして表示する液晶表示装置の前記薄膜型トランジスターの製造工程における成膜処理とその成膜の種類と処理ガスとの一覧表を表3に示す。 A list of the film forming process in the manufacturing process of the thin film transistor of the liquid crystal display device and its deposition type and process gas of displaying N / OFF to indicated in Table 3. 【0035】 【表3】 [0035] [Table 3] 【0036】又、前記液晶表示装置の前記薄膜型トランジスタの製造工程におけるエッチング処理の対象とその処理ガスの一覧表を表4に示す。 [0036] Also, showing the target list of the processing gas in etching in the manufacturing process of the thin film transistor of the liquid crystal display device in Table 4. 【0037】 【表4】 [0037] [Table 4] 【0038】次に、前記処理容器1の底面には排気口2 Next, on the bottom surface of the processing vessel 1 exhaust port 2
7が設けられ、この排気口27は、配管28により、開閉可能なバルブ29を介して、排気手段30へ接続される。 7 is provided, the exhaust port 27, by a pipe 28, through an openable valve 29, is connected to the exhaust unit 30. この排気手段30は、例えばロータリポンプにより、所定の真空圧力、例えば1×10 -3 Torrまでの粗排気を行い、それ以上の低い圧力領域を高真空ポンプに切り換えて、例えば1×10 -6 Torrまで排気する様に構成されている。 The exhaust means 30, for example by a rotary pump, a predetermined vacuum pressure, for example, performs a rough pumping up 1 × 10 -3 Torr, by switching more low pressure region to a high vacuum pump, for example, 1 × 10 -6 It is configured so as to be evacuated to Torr. 以上の様に、処理装置は構成されている。 As described above, the processing apparatus is constructed. 【0039】次に、この処理装置の動作について説明を行う。 Next, a description is given of the operation of the processing apparatus. 前記ゲートバルブ3'を介して隣接したロードロック室より搬入された被処理体2は、前記載置台3の上に位置決めされ、仮固定される。 Workpiece 2 which is carried from the load lock chamber adjacent via the gate valve 3 'is positioned on top of the mounting table 3 is temporarily fixed. 前記排気手段30により所定の圧力、例えば1×10 -3 Torrまで真空排気された処理容器1内へ、前記シャワーヘッド50により、非堆積性ガスが導入される。 The exhaust means 30 with a predetermined pressure, for example to 1 × 10 -3 Torr to vacuum evacuated processing chamber 1 by the shower head 50, non-depositing gas is introduced. 【0040】前記誘導手段9により、前記非堆積性ガスがプラズマ化されると、前記誘電体面8は、非堆積性ガス及びそのプラズマの阻止作用およびクリーニング作用によって、ほとんど成膜されることなく、したがって前記誘導手段9による処理容器1内へのエネルギーの導入(電磁波によるプラズマの生成)は、安定して行うことができる。 [0040] By the induction unit 9, when the non-depositing gas into plasma, the dielectric surface 8, by the blocking effect and cleaning action of the non-depositing gas and plasma, without being that little deposition, Thus the introduction of energy into the guiding means 9 according to the processing chamber 1 (electromagnetic wave by the plasma generation in) can be carried out stably. この安定によって、被処理体の同一条件による処理の継続、歩留りの向上を得ることができる。 This stability can be obtained continuation of treatment with the same condition of the workpiece, the improvement of the yield. 非堆積性ガスのプラズマにより、前記シャワーヘッド22を介して導入された処理ガスが活性化され、前記被処理体2の処理が行われる。 The plasma non-depositing gas, the introduced processing gas through the showerhead 22 is activated, the processing of the workpiece 2 is carried out. 前記シャワーヘッド22は、プラズマ化した非堆積性ガスが通過するのに十分な隙間を有しているので、前記シャワーヘッド22より供給された処理ガスの活性化の役割を円滑にはたすことが出来る。 The shower head 22, since non-depositing gas plasma has sufficient clearance to pass smoothly play is possible role of activation of the processing gas supplied into from the shower head 22 . 【0041】ここで、前記シャワーヘッド50より前記処理容器1内に供給される非堆積性ガスの種類と、前記シャワーヘッド22より処理容器1内に供給される処理ガスの種類は、例えば次のように選択される。 [0041] Here, the type of non-depositing gas supplied to the shower head 50 the processing container 1 from, the type of the processing gas supplied to the shower head 22 from the processing vessel 1, for example, the following It is selected to be. ・前記被処理体2にアモルファスシリコン膜を成膜する場合は、前記非堆積性ガスは、アルゴンガス、水素ガス、ヘリウムガスの何れかであり、処理ガスはシラン(SiH 4 )を用いる。 - The case of forming an amorphous silicon film on the target object 2, the non-depositing gas is in the argon gas, hydrogen gas, or helium gas, the process gas is a silane (SiH 4). ・前記被処理体2にポリシリコン膜、酸化シリコン(S - the workpiece 2 to the polysilicon film, a silicon oxide (S
iO 2 )膜を成膜する場合は、前記非堆積性ガスは、酸素ガスであり、処理ガスはシラン(SiH 4 )ガスを用いる。 iO 2) When forming the film, the non-depositing gas is oxygen gas, the process gas is a silane (SiH 4) gas. ・前記被処理体2に窒化シリコン(SiNx)膜を成膜する場合は、前記非堆積性ガスは、窒素ガスであり、処理ガスはシラン(SiH 4 )ガスを用いる。 - the case of forming a silicon nitride (SiNx) film to be processed 2, the non-depositing gas is nitrogen gas, the process gas is a silane (SiH 4) gas. 【0042】かくして、前記シャワーヘッド22より供給された活性化された処理ガス及び反応生成物は、前記処理容器1内に一部は拡散してゆくが、大部分は前記排気口27を介して排気される。 [0042] Thus, the supplied activated process gas and reaction products from the shower head 22, a portion in the processing container 1 is slide into diffusion, but most via the exhaust port 27 It is exhausted. 仮に、これらの処理ガス又は反応生成物が、前記誘電体面8の内壁面に付着したとしても、非堆積性ガスのプラズマにより常時前記誘電体面8の内壁面はプラズマクリーニングされるので、前記誘導手段9により導入されるエネルギーは、コンスタントに所定値から低下することなく、処理を継続してゆくことが出来る。 If these process gases or reaction products, the even adhering to the inner wall surface of the dielectric surface 8, since the inner wall surface of the constant by the plasma of the non-depositing gas the dielectric surface 8 is plasma cleaning, the guide means energy introduced by 9, without lowering the predetermined value constantly, it is possible to slide into continue. 以上の様に処理装置は動作する。 Processing apparatus as described above to work. 【0043】この様な処理装置は、前記誘導手段9に対向配置した前記誘電体面8の内壁面に、処理の結果、導電性の膜又は半導体の膜が付着した場合に、前記誘導手段9によるエネルギー導入が低下して生成されるプラズマ密度が粗となってゆく問題が生じる。 [0043] Such a processing device may be, on the inner wall surface of the dielectric surface 8 that is arranged opposite to the guiding means 9, the result of the processing, when the conductive film or semiconductor film is deposited, by the guide means 9 problems plasma density energy input is generated by reduced day become coarse occurs. 又、前記誘電体面8の内壁面に付着する導電体膜、例えば金属膜や、半導体膜は、付着の仕方によってプラズマの生成分布を変える為、処理結果が被処理体2の被処理面で不均一になるという問題がある。 Further, the dielectric surface 8 conductive film adhering to the inner wall surface of, for example, a metal film, a semiconductor film, for changing the generation distribution of the plasma by way of deposition, processing results in the treatment surface of the workpiece 2 not there is a problem that becomes uniform. これらの問題を、図1に述べた構成と動作する処理装置では解決することが出来る。 These problems can be solved by processing device that operates with the configuration described in FIG. 【0044】以上の様な構成の処理装置において、前記被処理体2として、シリコンウエハ上に半導体を形成する工程中の成膜処理として、金属膜、例えばW(タングステン)膜や、TiN(チタンナイトライド)膜を成膜するプロセスを行うと、前記シャワーヘッド50により不活性ガスを前記誘電体面8に向けて供給することで、 [0044] In the processing apparatus of such a structure described above, the as workpiece 2, as a deposition process in the process of forming a semiconductor on a silicon wafer, or a metal film, for example, W (tungsten) film, TiN (titanium Doing process for forming a nitride) film, by the shower head 50 by supplying toward the inert gas to the dielectric surface 8,
これらの成膜が前記誘電体面8に付着することを防止し、前記誘導手段9による前記処理容器1内へのエネルギー導入が枚葉処理ごとに低下せず、成膜処理能力の維持を達成出来る。 To prevent these film adheres to the dielectric surface 8, it does not decrease for each energy introduced sheet processing to the guiding means 9 by the processing chamber 1 can achieve the maintenance of the film forming capacity . 更に、金属系膜や、半導体系膜の前記誘電体面8への付着は、処理ガスのプラズマ分布をしだいに変化させ、前記被処理体2の面内均一処理を困難にするので、前記不活性ガスの供給とプラズマ化により防止することが出来る。 Furthermore, metal film and the adhesion to the dielectric surface 8 of the semiconductor-based film, gradually alter the plasma distribution for a processing gas, since it difficult the plane uniform treatment of the workpiece 2, the inert it can be prevented by supplying the plasma gas. 上記実施例において、処理ガスとしてエッチングガス、スパッタガス、CVD等の成膜ガスを用いれば夫々の成膜が可能であるが、処理に限らず、イオン源、X線源、プラズマ源として用いてもよい。 In the above embodiments, the etching gas as a processing gas, the sputtering gas is susceptible to the formation of the respective Using the film-forming gas such as CVD, not only the process, the ion source, X-rays source, used as the plasma source it may be. 【0045】次に本願発明の処理装置及び処理方法をクラスターツール型処理システムに適用した好適な実施例について図面を用いて説明する。 [0045] Then the processing apparatus and processing method of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings preferred embodiment applied to a cluster tool type processing system. 図10は、クラスターツール型処理システムの断面模式図である。 Figure 10 is a cross-sectional schematic view of a cluster tool type processing system. 気密な共通搬送室100内、例えば真空圧力n×10 -3 Torr〜n× Airtight common transfer chamber 100, for example, a vacuum pressure n × 10 -3 Torr~n ×
10 -2 Torrの圧力に維持され、被処理体を図示しない静電チャックにより保持して搬送する搬送装置101が設けられている。 Is maintained at a pressure of 10 -2 Torr, the conveying device 101 is provided for conveying held by an electrostatic chuck (not shown) the object to be processed. 前記共通搬送室100の周囲には、側壁に設けられた複数のゲートバルブ、例えば3個のゲートバルブ102、103、104が開閉可能に設けられている。 Wherein the periphery of the common transfer chamber 100, a plurality of gate valves provided on the side wall, for example, three gate valves 102, 103, 104 is provided to be opened and closed. 更に各々のゲートバルブ102、103、104 Furthermore, each of the gate valve 102, 103, 104
には、気密な処理容器105、106、107が接続され、前記ゲートバルブ102、103、104の開口により前記共通搬送室100と前記処理容器105、10 , The airtight processing container 105, 106 is connected, the said and the common transfer chamber 100 by opening the gate valve 102, 103, 104 processing container 105,10
6、107が選択的に各々連通可能に設けられている。 6,107 is selectively provided to be respectively communicate. 【0046】これらの処理容器105、106、107 [0046] These processing container 105, 106, and 107
のうち少なくとも一つには、本願発明の処理装置を適用して構成することが出来る。 At least one of, it can be configured by applying the processing apparatus of the present invention. 従って、図10の処理容器105、106、107の各々の中央部には模式的に前記誘導手段108、109、110、例えば平面状の渦巻型コイルを図示している。 Therefore, the center portion of each of the processing container 105, 106, 107 of FIG. 10 illustrates the guiding means 108, 109 and 110, for example, planar spiral coil schematically. 又、前記処理容器105、 Further, the processing chamber 105,
106、107として従来多く用いられている平行平板型プラズマ処理装置や、熱CVD装置、ECR型プラズマ処理装置、スパッタリング装置、アッシング装置、エッチング装置等を目的とする処理内容に対応して組み込むことが出来ることは言うまでもない。 Many conventional parallel plate type plasma processing apparatus used as 106,107, thermal CVD apparatus, ECR plasma processing apparatus, a sputtering apparatus, ashing apparatus, be incorporated in response to processing content for the purpose of etching apparatus or the like it goes without saying you can. 【0047】更に、前記処理容器105、106、10 [0047] Further, the processing chamber 105,106,10
7と前記共通搬送室100との連通は、いずれか一つだけのゲートバルブしか同時に開口しない為、互いに処理内容が他の処理中の被処理体に前記共通搬送室を経由して、影響を及ぼさない様に制御されている。 Communication between the common transfer chamber 100 and 7, since no gate valve only opened simultaneously in only one either via the common transfer chamber processing content to be processed in other processing together, the effect It is controlled so as not to adversely. 更に、前記処理容器105、106、107の処理内容は、同じ処理の並列処理、すなわち複数の被処理体に対して同じ処理を行っても良いし、同一の被処理体に順次、例えば処理容器の順番を105、106、107と直列的につなげて処理していっても良い。 Further, the processing contents of the processing container 105, 106 and 107, parallel processing of the same process, that may be subjected to the same process for a plurality of the object sequentially in the same object to be processed, for example, the processing container turn may be performed by processing by connecting the 105, 106 and 107 and the series of. この直列処理の実施例としては、被処理体としてコーニング社製のガラス基板上に3層の成膜、a−Si膜(アモルファス・シリコン膜)、SiNx(窒化シリコン膜)、n+型a−Si膜を形成して薄膜型トランジスターを製造するプラズマCV The embodiment of this serial processing, the formation of the three layers Corning glass substrate as an object to be processed, a-Si film (amorphous silicon film), SiNx (silicon nitride film), n + -type a-Si plasma CV of manufacturing a thin-film transistor to form a film
D装置があげられ、このプラズマCVD装置のプラズマ源に誘導手段を用いることで、広い面積の被処理体に均一なプラズマ処理を実施できる。 D device and the like, by using a guiding means to the plasma source of the plasma CVD apparatus, capable of performing uniform plasma process on a target of large area. この際に用いられる誘電体のクリーニング手段に、前に述べた第一実施例及び第二実施例の不活性ガス又はそのプラズマを用いてクリーニングする手法を適用することが出来る。 A dielectric cleaning means used in this case can be applied a method of cleaning with an inert gas or a plasma of the first and second embodiments previously described. 【0048】前記共通搬送室100の側壁に更に設けられたゲートバルブ111を介して予備真空室112が設けられ、ゲートバルブ111の開口により連通可能に設けられている。 [0048] The preliminary vacuum chamber 112 via further gate valve 111 provided in the side wall of the common transfer chamber 100 is provided, it is provided to be communicated with the opening of the gate valve 111. この予備真空室112は、処理室での処理に先立って被処理体を所定の温度まで加熱する予備加熱処理や処理室で処理に伴って加熱された被処理体をカセットに収納したり、所定場所に載置する為に所定温度まで冷却する処理を行う。 The auxiliary vacuum chamber 112, or stored prior to processing in the processing chamber to be processed, which is heated with the processing in the preliminary heat treatment or treatment chamber for heating the object to be processed to a predetermined temperature in the cassette, the predetermined It performs a process of cooling to a predetermined temperature in order to put in place. 【0049】前記予備真空室112内は、所定の真空圧力、例えばn×10 -3 Torr〜n×10 -2 Torrの圧力に維持され予備加熱手段としては、被処理体の載置台に設けられた電気抵抗体による発熱を利用するものや、ランプによる被処理体の直接加熱等を利用するものがある。 [0049] The preliminary vacuum chamber 112, a predetermined vacuum pressure, as the preliminary heating means is maintained, for example, a pressure of n × 10 -3 Torr~n × 10 -2 Torr, provided in the mounting table of the workpiece and those utilizing heat generated by electrical resistance was, there is utilize direct heating or the like of the object to be processed by the lamp.
又、冷却手段としては、被処理体の載置台の内部に冷媒例えばクーラントや、液体窒素を循環させることにより所定温度まで冷却可能である。 As the cooling means, and refrigerant example coolant inside of the mounting table of the workpiece, it is possible to cool to a predetermined temperature by circulating liquid nitrogen. 又、真空中での熱伝達には、Heガスによるバーククーリングガスが用いられる。 Further, the heat transfer in a vacuum, Burke cooling gas is used by the He gas. 更にこれらの予備加熱及び冷却を多層の段に組み入れて複数枚の被処理体を処理することも適宜可能である。 It is also possible properly to process a plurality of the object further incorporate these preliminary heating and cooling the multilayer stages. 【0050】前記共通搬送室100内に設けられた前記搬送載置101は、前記予備真空室112と前記複数の処理容器105、106、107との間の被処理体の搬送を行う。 [0050] The common transfer chamber said conveying placed 101 provided in the 100 to convey the workpiece between the preliminary vacuum chamber 112 and the plurality of process vessel 105, 106, and 107. 更に、前記予備真空室112の側壁には、ゲートバルブ113が、前記ゲートバルブ111と対向配置されている。 Furthermore, the sidewall of the preliminary vacuum chamber 112, gate valve 113 is the gate valve 111 disposed opposite. 前記ゲートバルブ113を介して、前記予備真空室112は、気密な第2の搬送室114と連通可能に設けられている。 Through the gate valve 113, the preliminary vacuum chamber 112 is provided so as to be communicated with the airtight second transport chamber 114. この第2の搬送室114内には、第2の搬送装置115が設けられている。 This second transfer chamber 114, a second transfer unit 115 is provided. 【0051】更に、この第2の搬送室114の前記ゲートバルブ113と対向位置にある側壁には、ゲートバルブ115が設けられている。 [0051] Further, the side wall in said gate valve 113 and a position facing the second transfer chamber 114, gate valve 115 is provided. このゲートバルブ115を介して、前記第2の搬送室114は、カセット室116 Through the gate valve 115, the second transfer chamber 114, cassette chambers 116
に連通可能に設けられている。 It is provided so as to be able to communicate in. このカセット室116内には、複数、例えば25枚の被処理体を水平位置に収納可能なカセット117を少なくとも1つ載置する図示しない載置手段が設けられている。 This cassette chamber 116, a plurality, placing means are provided (not shown) to at least one placing a retractable cassette 117 such as 25 sheets of the workpiece in a horizontal position. 前記カセット室116 The cassette chamber 116
の前記ゲートバルブの対向位置の側壁にはゲートバルブ118が設けられ、処理システムの外部と開口により連通可能に設けられている。 The gate valve 118 is provided on the side wall of the opposing position of the gate valve, it is provided to be communicated by the outside opening of the processing system. 【0052】以上の様に構成された処理システムの動作について説明する。 [0052] The operation of the configured processing system as described above will be described. 他の半導体製造工程からロボット(AGV)等の自動搬送システムによりカセットに収納された被処理体が、カセットごと前記ゲートバルブ11 Workpiece accommodated by other semiconductor manufacturing processes in the cassette by an automatic transport system such as a robot (AGV) is, for each cassette the gate valve 11
8を介して前記カセット室116内の所定位置に設けられている載置台上に載置される。 Is placed on the mounting table is disposed in a predetermined position of the cassette chamber 116 through the 8. 前記ゲートバルブ11 The gate valve 11
8が開口し前記カセット室116内が不活性ガス、例えばN 2により置換されると、前記ゲートバルブ115が開口し、隣室の前記第2搬送室114内の前記第2の搬送装置115により、前記カセット117内の被処理体が枚葉ごとに搬出され、予備真空室112内の予備加熱手段の所まで搬送される。 8 open the cassette chamber 116 is an inert gas, for example, is replaced by N 2, the gate valve 115 is opened, by the second conveying device 115 in said second transfer chamber 114 of the adjacent room, the object to be processed in the cassette 117 is unloaded per sheet is conveyed up to the preheating means prevacuum chamber 112. 【0053】次に前記ゲートバルブ113が閉じて、前記予備真空室112内が所定圧力まで排気され、被処理体の予備加熱が完了すれば、前記ゲートバルブ111が開口し、前記搬送装置101が前記予備真空室112内に進入して来て被処理体を受け取り、前記共通搬送室1 [0053] In next the gate valve 113 is closed, the preliminary vacuum chamber 112 is evacuated to a predetermined pressure, if completed preheating of the object to be processed, the gate valve 111 is opened, the conveying device 101 is receiving said workpiece come to enter the preliminary vacuum chamber 112, the common transfer chamber 1
00内へ搬送し、前記ゲートバルブ111が閉じる。 Transported to the 00, the gate valve 111 is closed. 【0054】次に前記共通搬送室101から、選択された前記処理容器105、106、107へ被処理体が前記搬送装置101により搬入され、所定の処理が順次実施される。 [0054] Next from the common transfer chamber 101, it is conveyed object to be processed into the processing container 105, 106 and 107 which are selected by the conveying apparatus 101, predetermined processing is performed sequentially. 次の処理の終了した前記被処理体は以上の逆のコースをたどって、前記カセット室116内の所定の前記カセット117内まで搬送され収納される。 The following is finished the workpiece processing following the reverse of the course described above, is conveyed accommodated to the predetermined inside the cassette 117 of the cassette chamber 116. 以上が一連の処理動作である。 Over a series of processing operations. 【0055】以上の様に構成され動作する処理システムにおいて、処理装置内の誘電体の窓への反応生成物等の付着に対するクリーニングの実施は、処理システム全体を停止したり、装置を分解したりすることが少なく、出来るだけ、処理と並行に実施されることが求められている。 [0055] In the processing system constructed and operative in as described above, the cleaning embodiments for attachment of such a reaction product in the window of the dielectric in the processing unit, or stop the entire process system, or to disassemble the device less likely to be, can only be performed in parallel with the processing has been required. 本願発明の処理方法をこの処理システムに適用することで、クラスター型処理システムの全体を停止しなくとも個々の処理装置内で、他の処理装置における被処理体の処理と並行してクリーニングを実施でき、生産効率の向上に多大な寄与をすることができる。 By applying the processing method of the present invention in the processing system, without stopping the entire cluster type processing system within an individual processing unit, a cleaning in parallel with the processing of the object to be processed in another processing apparatus can be, it can be a significant contribution to the improvement of production efficiency. 【0056】 【発明の効果】本発明によれば、不活性ガス又はそのプラズマによって、処理ガスや処理体の処理に伴って発生する反応生成物が処理容器の壁面を構成する誘電体面に付着することを防止できる。 [0056] According to the present invention, the inert gas or plasma thereof, the reaction products generated with the processing of the processing gas and processed from adhering to the dielectric surface which constitutes the wall surface of the processing vessel it can be prevented. 本発明によれば、誘導手段による前記誘電体面を介した前記処理容器内へのエネルギー供給が安定し、効率の高い処理を維持出来る。 According to the present invention, the energy supply to the over the dielectric surface by guide means the processing chamber has stabilized, highly efficient processing can be maintained.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の処理装置の実施例を示す概略断面図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a processing apparatus of the present invention. 【図2】非堆積性ガス供給管が矩形状に配管された、非堆積性ガスを供給するシャワーヘッドの平面図である。 [Figure 2] non-depositing gas supply pipe is a pipe in a rectangular shape, a plan view of a shower head for supplying a non-depositing gas. 【図3】非堆積性ガス供給管が前記処理容器内において格子状に配管された、非堆積性ガスを供給するシャワーヘッドの平面図である。 [3] non-depositing gas supply pipe is a pipe in a grid pattern in the processing vessel is a plan view of a shower head for supplying a non-depositing gas. 【図4】非堆積性ガス供給管が複数本並列に配管された、非堆積性ガスを供給するシャワーヘッドの平面図である。 [4] non-depositing gas supply tube is plumbed to plural parallel, a plan view of a shower head for supplying a non-depositing gas. 【図5】処理ガス供給管が前記処理容器内において格子状に配管された、処理ガスを供給するシャワーヘッドの平面図である。 [5] the process gas supply pipe is a pipe in a grid pattern in the processing vessel is a plan view of a shower head for supplying a processing gas. 【図6】処理ガス供給用のシャワーヘッドについて、ガスの流量分布を調査した結果を示すグラフ(CASE [6] The shower head for processing gas supply, a graph showing the results of the examination of the distribution of the flow rate of the gas (CASE
1)である。 1). 【図7】処理ガス供給用のシャワーヘッドについて、ガスの流量分布を調査した結果を示すグラフ(CASE [7] The shower head for processing gas supply, a graph showing the results of the examination of the distribution of the flow rate of the gas (CASE
2)である。 2). 【図8】処理ガス供給用のシャワーヘッドについて、ガスの流量分布を調査した結果を示すグラフ(CASE [8] The shower head for processing gas supply, a graph showing the results of the examination of the distribution of the flow rate of the gas (CASE
3)である。 3). 【図9】処理ガス供給管が複数本並列に配管された、処理ガスを供給するシャワーヘッドの平面図である。 [9] the process gas supply tube is plumbed to plural parallel, a plan view of a shower head for supplying a processing gas. 【図10】本発明の処理装置をクラスターツール型処理システムに適用した実施例の概略断面図である。 [10] The apparatus of the present invention is a schematic sectional view of an embodiment applied to a cluster tool type processing system. 【符号の説明】 1 処理容器2 被処理体3 載置台8 誘電体面9 誘導手段22 シャワーヘッド(処理ガス供給手段) 51 シャワーヘッド(非堆積性ガス供給手段) 【表1】 [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1 treatment container 2 target object 3 table 8 dielectric surface 9 directing means 22 showerhead (processing gas supply means) 51 showerhead (non-depositing gas supplying means) [Table 1] 【表2】 [Table 2]

フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI H01L 21/302 101C (56)参考文献 特開 昭63−166971(JP,A) 特開 平2−114530(JP,A) 特開 平7−76777(JP,A) 特開 平7−153595(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 21/205 C23C 16/44 H01L 21/3065 H01L 21/31 H05H 1/46 Front page continued (51) Int.Cl. 7 identifications FI H01L 21/302 101C (56) References Patent Sho 63-166971 (JP, A) Patent Rights 2-114530 (JP, A) Patent Rights 7-76777 (JP, a) JP flat 7-153595 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H01L 21/205 C23C 16/44 H01L 21/3065 H01L 21 / 31 H05H 1/46

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 気密な処理容器の壁面の少なくとも一部が誘電体面で形成され、該誘電体面の前記処理容器外方に配置された誘電手段に高周波電圧が印加されることにより、前記処理容器内において処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ化され、前記処理容器内において載置台上に載置された被処理体が処理される誘導式の処理装置において、 前記処理容器内の前記誘電体面と前記処理ガス供給手段との間には、矩形状に配管され複数の噴出孔が内側に穿設された非堆積性ガス供給管が配設されており、 前記非堆積性ガス供給管内には非堆積性ガスが供給され、前記噴出孔から噴出された非堆積性ガスが前記処理容器内に供給されることを特徴とする処理装置。 (57) at least a portion of the wall surface of the Claims 1] airtight processing container is formed in dielectric surface, a high frequency voltage to the dielectric means disposed in the processing chamber outward of the dielectric body surface is by being applied, the processing gas supplied from the processing gas supply unit in the processing vessel into a plasma, the processing of the induction type workpiece placed on the mounting table in the processing chamber are processed in the device, between the dielectric surface and the process gas supply means in the processing chamber is non-depositing gas supply pipe having a plurality of ejection holes are pipes in a rectangular shape is formed in the inner side is arranged cage, wherein the non-depositing gas supply pipe is supplied with non-depositing gas, processing device non-depositing gas ejected from the ejection hole, characterized in that it is supplied into the processing chamber. 【請求項2】 前記誘導手段は、前記被処理体に対向して配置されたコイルであることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。 Wherein said directing means includes a processing unit according to claim 1, wherein a coil disposed to face the object to be processed. 【請求項3】 前記コイルは、平面状の渦巻型であることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。 Wherein the coil, the processing apparatus according to claim 2, characterized in that a planar spiral. 【請求項4】 前記誘導手段には、1MHz〜200MHz The method according to claim 4, wherein said guide means, 1MHz~200MHz
    の高周波電圧が印加され、 前記載置台には、1KHz〜500KHzの高周波電圧が印加されることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。 Of the high frequency voltage is applied, the mounting table, the processing apparatus according to claim 1, characterized in that the high-frequency voltage 1KHz~500KHz is applied. 【請求項5】 気密な処理容器の壁面の少なくとも一部が誘電体面で形成され、該誘電体面の前記処理容器外方に配置された誘電手段に高周波電圧が印加されることにより、前記処理容器内において処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ化され、前記処理容器内において載置台上に載置された被処理体が処理される誘導式の処理装置において、 前記処理容器内の前記誘電体面と前記処理ガス供給手段の間には、格子状に配管され複数の噴出孔が上側に穿設された非堆積性ガス供給管が配設されており、 前記非堆積性ガス供給管内には非堆積性ガスが供給され、該噴出孔から噴出された非堆積性ガスが前記処理容器内に供給されることを特徴とする処理装置。 5. At least a portion of the wall of the airtight processing container is formed in dielectric surface, by a high frequency voltage is applied to the arranged dielectric means into the processing chamber outward of the dielectric body surface, wherein the processing vessel processing gas supplied from the processing gas supply means in the inner is plasma, the processing for an induction type placed on the object to be processed is processed on the mounting table in the processing chamber, wherein in the processing chamber between dielectric surface and the treated gas supply means, non-depositing gas supply pipe having a plurality of ejection holes are pipes in a grid pattern is formed in the upper side is disposed, in the non-depositing gas supply pipe processing device is non-depositing gas is supplied, characterized in that the non-depositing gas ejected from 該噴 Deana is supplied into the processing chamber. 【請求項6】 前記誘導手段に高周波電圧が印加されることにより、前記処理容器内において非堆積性ガスがプラズマ化されることを特徴とする請求項5に記載の処理方法。 By the high-frequency voltage is applied to wherein said directing means, the processing method of claim 5, non-depositing gas in the processing vessel, characterized in that it is plasma. 【請求項7】 前記プラズマ化された非堆積性ガスにより、前記処理容器内において前記処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ化されることを特徴とする請求項6に記載の処理方法。 By 7. non-depositing gases which are the plasma processing method of claim 6, the process gas supplied from the process gas supply unit in the processing vessel, characterized in that it is plasma . 【請求項8】 前記被処理体の処理は、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜、酸化シリコン(SiO Process wherein said object to be processed is an amorphous silicon film, a polysilicon film, a silicon oxide (SiO 2)
    膜、窒化シリコン(SiNx)膜の何れかを成膜することを特徴とする請求項5に記載の処理方法。 Film processing method according to claim 5, characterized in that depositing either silicon nitride (SiNx) film. 【請求項9】 気密な処理容器の壁面の少なくとも一部が誘電体面で形成され、該誘電体面の前記処理容器外方に配置された誘電手段に高周波電圧が印加されることにより、前記処理容器内において処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ化され、前記処理容器内において載置台上に載置された被処理体が処理される誘導式の処理装置において、 前記処理容器内の前記誘電体面と前記処理ガス供給手段との間には、複数本並列に配管され複数の噴出孔が上側に穿設された非堆積性ガス供給管が配設されており、 前記非堆積性ガス供給管内には非堆積性ガスが供給され、前記噴出孔から噴出された非堆積性ガスが前記処理容器内に供給されることを特徴とする処理装置。 9. At least a portion of the wall of the airtight processing container is formed in dielectric surface, by a high frequency voltage is applied to the arranged dielectric means into the processing chamber outward of the dielectric body surface, wherein the processing vessel processing gas supplied from the processing gas supply means in the inner is plasma, the processing for an induction type placed on the object to be processed is processed on the mounting table in the processing chamber, wherein in the processing chamber between the dielectric surface and the process gas supply means, non-depositing gas supply pipe having a plurality of ejection holes are plumbed to plural parallel drilled in the upper side is disposed, the non-depositing gas supply pipe non-depositing gas is supplied to the processing device non-depositing gas ejected from the ejection hole, characterized in that it is supplied into the processing chamber. 【請求項10】 前記誘導手段に高周波電圧が印加されることにより、前記処理容器内において非堆積性ガスがプラズマ化されることを特徴とする請求項9に記載の処理方法。 By the high-frequency voltage is applied to the claim 10, wherein the directing means, the processing method according to claim 9, non-depositing gas in the processing vessel, characterized in that it is plasma. 【請求項11】 前記プラズマ化された非堆積性ガスにより、前記処理容器内において処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ化されることを特徴とする請求項10に記載の処理方法。 By 11. non-depositing gases which are the plasma processing method of claim 10 processing gas supplied from the processing gas supply unit in the processing vessel, characterized in that it is plasma. 【請求項12】 前記被処理体の処理は、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜、酸化シリコン(Si Process according to claim 12, wherein said object to be processed is an amorphous silicon film, a polysilicon film, a silicon oxide (Si
    )膜、窒化シリコン(SiNx)膜の何れかを成膜することを特徴とする請求項9に記載の処理方法。 O 2) film, the processing method according to claim 9, characterized by depositing either silicon nitride (SiNx) film. 【請求項13】 気密な処理容器の壁面の少なくとも一部が誘電体面で形成され、該誘電体面の前記処理容器外方に配置された誘電手段に高周波電圧が印加されることにより、前記処理容器内において処理ガス供給手段から供給された処理ガスがプラズマ化され、前記処理容器内において載置台上に載置された被処理体が処理される誘導式の処理装置において、 前記誘電体面と前記処理ガス供給手段の間に非堆積性ガスを供給する非堆積性ガス供給手段が、前記処理容器内に配設されており、 前記誘導手段は、前記被処理体に対向して配置された平面状の渦巻型コイルであることを特徴とする処理装置。 13. At least part of the wall surface of the airtight processing container is formed in dielectric surface, by a high frequency voltage is applied to the arranged dielectric means into the processing chamber outward of the dielectric body surface, wherein the processing vessel processing gas supplied from the processing gas supply means in the inner is plasma, the processing for an induction type workpiece placed on the mounting table in the processing chamber are processed, the processing and the dielectric surface non-depositing gas supply means for supplying a non-depositing gas between the gas supply means are disposed in the processing chamber, said induction means is a plan shape the disposed opposite to an object to be processed processing apparatus, characterized in that the a spiral coil. 【請求項14】 前記誘導手段には、1MHz〜200M The method according to claim 14, wherein said induction means, 1MHz~200M
    Hzの高周波電圧が印加され、 前記載置台には、1KHz〜500KHzの高周波電圧が印加される請求項13に記載の処理装置。 Hz of frequency voltage is applied, the mounting table, the processing apparatus according to claim 13, the high-frequency voltage of 1KHz~500KHz is applied. 【請求項15】 気密な処理容器と、 前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台と、 前記処理容器内で前記載置台の上方に設けられ処理ガスを供給するシャワーヘッドと、 前記処理容器内で処理ガスを供給する前記シャワーヘッドの上方に設けられ非堆積性ガスを供給するシャワーヘッドと、 前記処理容器の上壁部を構成する誘電体と、 前記処理容器外で前記載置台上の前記被処理体に対向して前記誘電体上に設けられ、高周波電圧が印加されるコイルと、 を設けたことを特徴とする処理装置。 15. A gas-tight processing container, wherein arranged in the processing vessel, the mounting table for mounting the object to be processed, a shower head for supplying a processing gas is provided above the mounting table in the processing chamber When, a showerhead for supplying a non-depositing gas provided above the shower head for supplying a processing gas in the processing container, and a dielectric constituting the upper wall of the processing container, outside the processing chamber is opposite the workpiece on the mounting table provided on the dielectric, processing apparatus characterized by comprising a coil high-frequency voltage is applied, the. 【請求項16】 前記コイルは、平面状であることを特徴とする、請求項15に記載の処理装置。 16. The coil is characterized by a planar, processing apparatus according to claim 15. 【請求項17】 前記コイルは、渦巻型であることを特徴とする、請求項15に記載の処理装置。 17. The coil is characterized in that a spiral, the processing apparatus according to claim 15.
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