JP3421457B2 - Method and apparatus for dry treatment of metal surfaces - Google Patents

Method and apparatus for dry treatment of metal surfaces

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JP3421457B2
JP3421457B2 JP31093294A JP31093294A JP3421457B2 JP 3421457 B2 JP3421457 B2 JP 3421457B2 JP 31093294 A JP31093294 A JP 31093294A JP 31093294 A JP31093294 A JP 31093294A JP 3421457 B2 JP3421457 B2 JP 3421457B2
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ティエリー・サンザングル
ステファーヌ・ラビア
ダニエル・ゲラン
クリスチャン・ラルケ
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レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、平坦な生成物(シート
状金属) 、または中空体(ビン、バルブ等)の製造また
は処理のための方法において行われる、金属表面の製造
または処理のための工程に関する。
The invention relates to the production or treatment of metal surfaces, which is carried out in a method for the production or treatment of flat products (sheet metal) or hollow bodies (bottles, valves etc.). Regarding the process of.

【0002】[0002]

【従来の技術】生成物のための処理工程が行なわれる製
造ラインの部分に依存して、これらの準備工程は、しば
しば後のプロセスに先だって、表面の洗浄、脱脂、また
は活性化を備える。例えば、そのような準備工程は、ア
ニーリング;亜鉛、アルミニウム、スズまたはそれらの
合金の電気メッキ;ワニスまたは塗料のような有機被覆
の堆積;窒化物またはシリコンに基づく膜のような無機
被覆の堆積とすることができる。
Depending on the part of the production line where the processing steps for the product are carried out, these preparatory steps often comprise surface cleaning, degreasing or activation prior to the subsequent processes. For example, such preparatory steps include annealing; electroplating of zinc, aluminum, tin or their alloys; deposition of organic coatings such as varnishes or paints; deposition of inorganic coatings such as nitride or silicon based films. can do.

【0003】また、表面の準備のためのこのような工程
は、シート状金属が巻かれる直前のような、製造ライン
の最後に行なわれてもよい。
Such a step of preparing the surface may also be carried out at the end of the production line, such as immediately before the sheet metal is wound.

【0004】生成物は、問題の生成物の最終目的(例え
ば、自動車、家庭用電気器具、建造物、またはカンのよ
うな容器)に依存して、スチール、ステンレススチー
ル、銅、またはアルミニウムで製造することができる。
The product is made of steel, stainless steel, copper, or aluminum, depending on the ultimate purpose of the product in question (eg, automobile, household appliance, building, or container such as a can). can do.

【0005】表面の準備のためのこれらの操作を行なう
のに最も通常用いられる方法としては、まず液相方法が
挙げられる。
The most commonly used method for performing these operations for surface preparation is first the liquid phase method.

【0006】このカテゴリーの例は、塩素またはフッ素
を通常含有する溶媒(非常に厳密な制御に供される)に
よって行なわれる予備脱脂の場合、または、化学浴中
で、酸、アルカリ、または中性生成物を含有する水性媒
体により金属表面を脱脂することを具備する方法を含む
が、これらは、洗浄後に必要とされる廃水の後処理に関
連した欠点を有する。
Examples of this category are in the case of preliminary degreasing, which is carried out with solvents which normally contain chlorine or fluorine, which are subjected to very strict control, or in chemical baths, acids, alkalis or neutrals. Methods involving the degreasing of metal surfaces with an aqueous medium containing the product, which have the drawbacks associated with the wastewater work-up required after washing.

【0007】これに関連して、金属表面の処理または準
備のための方法の第2のカテゴリーが現れ、これは“乾
式方法”と呼ばれる。このカテゴリーの一例は、低圧の
下、電子放射を用いて気相プラズマによって表面を洗浄
することである。この方法は、環境へ大きな配慮を示し
ているので、一見すると非常に好ましいようである。そ
れは、電子放射の2つの別個の操作を合わせ持ち、1つ
は、イオン化された媒体によってある種の条件下で生じ
た強いイオン衝撃、すなわち、原子化による洗浄操作で
あり、もう1つは、シート状金属の表面に存在し、除去
される物質との揮発性化合物を作るために、プラズマ中
に存在する励起された原子および分子の高い反応性の使
用を得る方法、すなわち、本質的に有機性の物質の化学
作用である。電子放射の下での酸洗いのこの方法のため
に一般に好ましい気相雰囲気は、プラズマを発生するガ
スの品質を高めるため、およびこのガスの原子化を促進
するそのイオンの質量を増加させるために、パーセンテ
ージの高いアルゴンを含む。シート状金属の表面に存在
する有機物を、COx またはCHy タイプの軽質化合物
の形成により除去することによって、放電の化学作用の
一部を使用するために、それは酸素および水素に富むよ
うにされる。
In this connection, a second category of methods for the treatment or preparation of metal surfaces emerges, which is called the "dry method". An example of this category is cleaning the surface with a gas phase plasma using electron radiation under low pressure. This method seems to be very preferable at first glance because it shows great consideration for the environment. It combines two separate operations of electron emission, one is a strong ion bombardment produced under certain conditions by an ionized medium, a cleaning operation by atomization and the other is A method of obtaining the highly reactive use of excited atoms and molecules present in a plasma to make volatile compounds on the surface of sheet metals and with the substances to be removed, ie essentially organic. It is the chemical action of a sexual substance. The gas phase atmosphere generally preferred for this method of pickling under electron emission is to enhance the quality of the gas generating the plasma and to increase the mass of its ions which promote the atomization of this gas. , Containing a high percentage of argon. It is enriched with oxygen and hydrogen in order to use some of the chemistry of the discharge by removing the organics present on the surface of the sheet metal by forming light compounds of the CO x or CH y type. .

【0008】このプロセスの高い性能は、低圧の下、ま
たさらには真空中で行なわれるという事実に結び付いた
主な欠点を隠すことができない。それらは、広い金属表
面の処理、または高い生産速度(シート状金属の工業生
産の場合)とは比較的両立しないので、これらの圧力条
件は、紛れもなく、その発展を抑制する。
The high performance of this process cannot hide the main drawback associated with the fact that it is carried out under low pressure and even in vacuum. Since they are relatively incompatible with the treatment of large metal surfaces or high production rates (in the case of industrial production of sheet metal), these pressure conditions undoubtedly suppress their development.

【0009】さらにこのように低い圧力の使用は、かな
り付加的な費用を示す。
Moreover, the use of such low pressures represents a considerable additional cost.

【0010】No.2,697,456で発行されたフ
ランス特許出願において、はんだ付けまたはスズメッキ
前の金属表面のプラズマフラックス処理のための大気圧
下でのプロセスが提案されている。プラズマは、マイク
ロ波源、または、処理される部材の上方に位置する誘電
体に適切に配置されたポートを通して移動するコロナ放
電によって生じる。
No. In a French patent application issued 2,697,456, a process under atmospheric pressure is proposed for plasma flux treatment of metal surfaces before soldering or tin plating. The plasma is created by a corona discharge traveling through a microwave source or a port appropriately located in a dielectric located above the member to be treated.

【0011】この出願は、金属表面のフラックス処理の
問題に対する都合のよい解決策を与えるが、提案された
プロセスは、とりわけ以下のような点に関して解決でき
たはずであるという事実が示された。
Although this application provides a convenient solution to the problem of fluxing metal surfaces, it has been shown that the proposed process could have been solved, inter alia in the following points.

【0012】−その収率(プラズマを発生するために導
入される電力と、処理される支持体と実際に相互反応す
る製造された化学種の濃度との比)、または、得られる
エネルチー密度(コロナ放電の場合には、誘電体の単位
体積当たり、数Wにしか達しない)が増加するならば、
より短い処理時間を可能にする、−しかしながら、ま
た、“幾何学的”要因を制限する結果として、通常のコ
ロナ放電の場合には、電極と試料との距離が完全に決定
的となるので非常に小さく保たれなければならず、これ
は、平坦でない基体の場合に問題を引き起こす。マイク
ロ波放電の場合、それは、プラズマ源によって制限され
た所定寸法のプラズマを生成する場所の形成を生じさせ
る、−さらに、この開示中で定義によって生じるような
プラズマは、イオン性の化学種および電子(すなわち電
荷を有する化学種)を含み、これは、イオン衝撃、およ
び、ある場合には有害であることが証明された金属表面
の原子化(例えば、金属表面が被膜で覆われる場合に
は、変らないことが望ましい)を引き起こす。
The yield (ratio between the power introduced to generate the plasma and the concentration of the produced species which actually interacts with the substrate to be treated), or the energy density obtained ( In the case of corona discharge, which reaches only several W per unit volume of the dielectric),
A shorter treatment time is possible-but also as a result of limiting "geometric" factors, in the case of a normal corona discharge the distance between the electrode and the sample is completely definitive. Must be kept small, which causes problems in the case of uneven substrates. In the case of a microwave discharge, it results in the formation of places where a plasma of a defined size is confined by the plasma source-further, a plasma such as that produced by definition in this disclosure is a combination of ionic species and electrons. (I.e., charged species), which is ion bombarded and, in some cases, has been shown to be detrimental to atomization of metal surfaces (e.g., if the metal surface is covered by a coating). It should be unchanged).

【0013】これに平行して、No.2,692,73
0で発行されたフランス特許出願では、−この内容は本
明細書中に取り込まれていると仮定される−、実質的に
大気圧で作用する、励起されたまたは不安定なガス分子
の製造のためのデバイスが提案された。
In parallel with this, No. 2,692,73
In the French patent application issued at 0-this content is assumed to be incorporated herein-of the production of excited or labile gas molecules acting at substantially atmospheric pressure. A device for was proposed.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】これに関連して、この
発明の目的は、以下のことを可能にする、金属表面の乾
式処理のための改善されたプロセスを提供することにあ
る。
In this context, the object of the present invention is to provide an improved process for the dry treatment of metal surfaces, which enables:

【0015】すなわち、 −実質的に大気圧下で作用すること、 −処理される対象物と、この処理を行なうために用いら
れるデバイスとの距離についての高い融通性を得るこ
と、 −部材と、電荷を有する化学種との間の接触を避けるこ
と、および −高められた処理速度を与える改善されたエネルギー密
度を提供することである。
To operate substantially at atmospheric pressure, to obtain a high degree of flexibility in the distance between the object to be treated and the device used to carry out this treatment, Avoiding contact between charged species and-providing improved energy density giving increased processing rates.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段および作用】これを目的と
して、本発明の方法にかかる少なくとも1つの金属表面
部の表面を乾式処理のためのプロセスは、励起されたま
たは不安定な化学種を含み、かつ、電荷を有する化学種
が実質的に存在しない気相処理雰囲気によって、大気圧
に近い圧力において金属表面部を処理することを特徴と
する。
To this end, the process for the dry treatment of the surface of at least one metal surface part according to the method of the invention comprises an excited or labile species. In addition, the metal surface portion is treated at a pressure close to the atmospheric pressure by a gas phase treatment atmosphere in which charged species are substantially absent.

【0017】本発明において用いられる“金属表面”と
いう表現は、処理される金属表面部を含む部材の寸法お
よび厚さにかかわらず、任意のタイプの表面を表わし、
例えば、スチール、ステンレススチール、銅またはアル
ミニウムから作られてもよい。それらの最終的な産業用
途は、広く変えることができ、これらの金属表面は、例
えば、家庭用電気器具、自動車、市販のガスの分野にお
いて、または建築物若しくは容器産業において使用する
ことができる。
The expression "metal surface" as used in the present invention refers to any type of surface, regardless of the size and thickness of the member containing the metal surface portion to be treated,
For example, it may be made of steel, stainless steel, copper or aluminum. Their final industrial application can vary widely, and these metal surfaces can be used, for example, in the field of household appliances, automobiles, commercial gas, or in the building or container industry.

【0018】本発明において用いられる“表面処理”の
表現は、金属表面部の準備、洗浄、活性化または脱脂の
ための任意の段階を表わし、この段階は、この種の金属
表面を用いた生成物(それらが、シート状金属のような
平面、またはビンのような中空かどうかにかかわらな
い)のための製造ラインの異なる部分で行なうことがで
き、製造ラインの最後(例えば、このようなシート状金
属を巻く前)、または、アニーリング;亜鉛、アルミニ
ウム、スズ、またはそれらの合金の電気メッキのような
操作;ワニスまたは塗料等の有機被膜の堆積;窒化物ま
たはシリコンに基づくフィルム等の無機被膜の堆積のよ
うな引き続いて行なわれる工程の前に、製造の途中で行
なうことができる。
The expression "surface treatment" as used in the present invention refers to any stage for the preparation, cleaning, activation or degreasing of metal surface parts, which stage is the production using such a metal surface. Can be done at different parts of the manufacturing line for objects (whether they are flat, such as sheet metal, or hollow, such as bottles), at the end of the manufacturing line (eg, such sheets). Before winding) or annealing; operations such as electroplating of zinc, aluminum, tin, or alloys thereof; deposition of organic coatings such as varnishes or paints; inorganic coatings such as films based on nitrides or silicon Can be done during manufacturing, before any subsequent steps such as deposition of

【0019】それゆえ、本発明にかかる表面処理プロセ
スの適用の目的は、特に、後の工程の適用を促進するこ
と、例えば、塗料の被覆の接着を促進することにある。
The purpose of the application of the surface treatment process according to the invention is therefore, in particular, to facilitate the application of subsequent steps, for example to promote the adhesion of coatings of paint.

【0020】本発明の表面処理方法は、単独で、また
は、本発明の方法を適用する前後に行なわれるその他の
表面準備に加えて、適用することができる。
The surface treatment method of the present invention can be applied alone or in addition to other surface preparations performed before and after applying the method of the present invention.

【0021】本発明で用いられる“大気圧に近い圧力”
の表現は、0.1×105 Paないし3×105 Paの
範囲にある圧力を表わす。
"Pressure close to atmospheric pressure" used in the present invention
Represents the pressure in the range of 0.1 × 10 5 Pa to 3 × 10 5 Pa.

【0022】本発明の処理雰囲気は、電荷を有する化学
種、すなわちイオンまたは電子が実質的に存在しない点
において、通常のプラズマ雰囲気とは異なる。
The process atmosphere of the present invention differs from a normal plasma atmosphere in that it is substantially free of charged species, ie, ions or electrons.

【0023】気相処理雰囲気は、主気相混合物、必要な
らば近傍気相混合物から得ることができ、主気相混合物
は、励起されたまたは不安定な気相種の製造のための少
なくとも1つのデバイスのガス出口で得られる。そのデ
バイス内では、不活性ガスおよび/または還元ガスおよ
び/または酸化ガスを含有する初期ガス混合物が変換さ
れ、近傍混合物はデバイス内を通過しない。
The gas phase treatment atmosphere can be obtained from a main gas phase mixture, if necessary a neighboring gas phase mixture, the main gas phase mixture being at least 1 for the production of excited or labile gas phase species. Obtained at the gas outlet of one device. Within the device, an initial gas mixture containing an inert gas and / or a reducing gas and / or an oxidizing gas is converted and the adjoining mixture does not pass through the device.

【0024】本発明のデバイスは、不安定なまたは励起
された気相種を含むもう1つの気相混合物をデバイスの
ガス出口で得るために、初期気相混合物を“励起する”
任意の装置によって構成され、ガス出口での気相混合物
は、電荷を有する化学種を実質的に含まない。このよう
な励起は、例えば、コロナ放電タイプのような電子放射
によって生じさせることができる。
The device of the present invention "excites" the initial gas phase mixture to obtain another gas phase mixture containing unstable or excited gas phase species at the gas outlet of the device.
Configured by any device, the gas phase mixture at the gas outlet is substantially free of charged species. Such excitation can be caused by electron emission, for example of the corona discharge type.

【0025】励起されたまたは不安定な気相種を含む処
理雰囲気の主成分が、デバイスの出口で得られ、それに
よって、電荷を有する化学種をこの主成分中に実質的に
含まないことを確実にするので、この配置は、“後放
電”として表現することができる。デバイス内を通過し
ない処理雰囲気の近傍成分は、これらのフォーティオリ
(fortiori)を含まない。
A major component of the process atmosphere containing excited or unstable gas phase species is obtained at the exit of the device, so that it is substantially free of charged species. To assure, this arrangement can be described as "post-discharge". Components near the processing atmosphere that do not pass through the device do not include these fortiori.

【0026】さらに、この配置は、雰囲気の主成分が発
生する位置と、それが用いられる位置との間の明確な分
離を可能にし、このことは、デバイスの汚染の観点から
著しい利点を与える(表面処理操作に起因する種々の放
出物が、例えば、電極等のデバイスの内側を汚染するこ
とを避ける)。最終的に、デバイス内(例えば、電極間
での放電内)で処理されない部材は、上述の“距離”の
観点から、改善された融通性により利益を得る。
Furthermore, this arrangement allows a clear separation between where the main constituents of the atmosphere occur and where it is used, which offers significant advantages in terms of device contamination ( Avoid the various emissions resulting from surface treatment operations from contaminating the inside of the device, eg electrodes). Finally, components that are not treated within the device (eg, within the discharge between the electrodes) benefit from the improved flexibility in terms of "distance" discussed above.

【0027】不活性ガスは、例えば、窒素、アルゴン、
ヘリウム、またはこれらの不活性ガスの混合物を含有す
ることができる。還元ガスは、例えば、水素、CH4
天然ガス、プロパン、アンモニア、またはこれらの還元
ガスの混合物を含むことができる。その部分のための酸
化ガスは、例えば、酸素、CO2 、N2 O、H2 O、ま
たはこれらの酸化ガスの混合物を含むことができる。当
然ながら、列挙された各範疇のガスは一例にすぎず、何
等限定するものではない。
The inert gas is, for example, nitrogen, argon,
It may contain helium, or a mixture of these inert gases. The reducing gas is, for example, hydrogen, CH 4 ,
It can include natural gas, propane, ammonia, or mixtures of these reducing gases. The oxidizing gas for the portion can include, for example, oxygen, CO 2 , N 2 O, H 2 O, or a mixture of these oxidizing gases. Of course, the listed gases in each category are merely examples and are in no way limiting.

【0028】当業者に明らかとなるように、励起された
または不安定な気相種を含み、主気相混合物と呼ばれる
気相混合物をデバイスのガス出口で得るために、本発明
の初期ガス混合物は、励起されたまたは不安定な気相種
の製造のための少なくとも1つのデバイス内で処理また
は変換される。
As will be apparent to those skilled in the art, an initial gas mixture of the present invention is provided to obtain a gas phase mixture containing excited or labile gas phase species, called the main gas phase mixture, at the gas outlet of the device. Are processed or converted in at least one device for the production of excited or unstable gas phase species.

【0029】また、当業者に明らかとなるように、処理
される表面部を有する部材は、励起されたまたは不安定
な気相種の製造のための単一のデバイス、または部材の
幅にわたって平行に配置された複数のデバイスのガス出
口で得られた主気相混合物と接触する。または、部材
は、励起されたまたは不安定な気相種の製造のための直
列に配置されたいくつかのデバイスの出口で得られる主
気相混合物と、連続して接触する。
It will also be apparent to those skilled in the art that the member having the surface to be treated may be a single device for the production of excited or unstable gas phase species, or parallel across the width of the member. Contacting the main gas phase mixture obtained at the gas outlet of a plurality of devices arranged in. Alternatively, the member is in continuous contact with the main gas phase mixture obtained at the outlet of several devices arranged in series for the production of excited or unstable gas phase species.

【0030】本発明の方法は、被処理部材の一方の面の
みを処理する場合、および被処理部材の両方の面を処理
する場合のいずれにも、使用者の要求に応じて適用する
ことができる。後者の場合、必要なデバイスは、部材の
各面に対向して配置することが好ましい。
The method of the present invention can be applied according to the user's request both when treating only one side of a member to be treated and when treating both sides of the member being treated. it can. In the latter case, the required devices are preferably placed opposite each side of the member.

【0031】本発明によれば、近傍混合物は、任意のガ
スまたはガス混合物から構成することができ、必要なら
ば、部材の周囲の保護的な雰囲気を維持するのを可能と
するために、例えば、不活性ガスまたは不活性ガスの混
合物とすることができる。さらに、還元ガスまたは酸化
ガス、これらの3種類のカテゴリーの1つのガスの混合
物でもよい。
According to the invention, the near-field mixture can consist of any gas or gas mixture, for example, in order to make it possible to maintain a protective atmosphere around the component, for example , An inert gas or a mixture of inert gases. Further, it may be a reducing gas or an oxidizing gas, or a mixture of gases in one of these three categories.

【0032】本発明の特徴の1つによれば、近傍混合物
はシランSiH4 を含有する。シランを含むこの種の混
合物は、部材の表面に存在するある種の金属酸化物に対
するその還元作用のために好ましく使用されるが、ま
た、残留酸素レベルを最小にするために、部材の上方に
存在する雰囲気からの残留酸素との相互作用において、
酸素“スカベンジャー”またはトラッパーとして用いら
れる初期気相混合物に依存する。
According to one characteristic of the invention, the neighborhood mixture contains the silane SiH 4 . Mixtures of this type containing silane are preferably used due to their reducing action on certain metal oxides present on the surface of the component, but also above the component in order to minimize residual oxygen levels. In interaction with residual oxygen from the atmosphere present,
Oxygen depends on the initial gas phase mixture used as a "scavenger" or trapper.

【0033】本発明の態様の1つによれば、処理される
金属表面部分は、600℃を越えない温度に加熱され、
典型的には室温ないし600℃に加熱される。
According to one aspect of the invention, the metal surface portion to be treated is heated to a temperature not exceeding 600 ° C,
It is typically heated to room temperature to 600 ° C.

【0034】本発明の態様の1つによれば、処理される
部分を有する部材は、周囲の雰囲気から封鎖するための
トンネルまたはフードアセンブリーにより画定された内
部空間を横切る搬送システムによって、前記デバイスの
ガス出口に対向して移動し、必要ならば、部材の幅にわ
たって平行に配置された複数のデバイスのガス出口に対
向して、および/または、直列に配置された複数のデバ
イスのガス出口に対向して移動する。前記トンネルまた
はアセンブリーは、デバイスを密封するように、または
デバイスを含むように接続される。
In accordance with one aspect of the present invention, a member having a portion to be treated is provided with a delivery system that traverses the interior space defined by a tunnel or hood assembly for sealing from the ambient atmosphere. Of the plurality of devices arranged parallel to each other across the width of the member, and / or to the gas outlets of the plurality of devices arranged in series. Move to face each other. The tunnel or assembly is connected to seal the device or to contain the device.

【0035】上述の同様の見解は、両面処理に関しても
適用することができる(この場合は、デバイスは必要な
数とし、部材の各面に対向して配置する)。
Similar considerations as described above can be applied to double-sided processing (in this case, the required number of devices, placed opposite each side of the member).

【0036】該当する産業に応じて、本発明の搬送手段
は、例えば、ベルトとすることができ、シート状の金属
の場合には、ローラとすることができる。
Depending on the industry in question, the conveying means of the invention can be, for example, a belt or, in the case of sheet metal, a roller.

【0037】本発明の態様の1つによれば、前記初期気
相混合物が変換されるデバイスは、第1の電極と第2の
電極との間で発生する電子放射の場所であり、誘電体材
料の層が他方の電極に対向して、少なくとも1つの電極
表面に配置され、初期気相混合物は電極を横切って放電
する。
According to one aspect of the invention, the device in which the initial gas phase mixture is converted is the location of the electron emission generated between the first electrode and the second electrode, the dielectric A layer of material is disposed on the surface of at least one electrode, opposite the other electrode, and the initial gas phase mixture discharges across the electrode.

【0038】本発明の特徴の1つによれば、デバイス内
で用いられ、誘電体の単位面積について修正されたエネ
ルギーは、1W/cm2 を越えることが好ましく、10
W/cm2 を越えることがより好ましい。
According to one of the features of the invention, the energy used in the device, modified per unit area of the dielectric, preferably exceeds 1 W / cm 2.
More preferably, it exceeds W / cm 2 .

【0039】本発明の態様の1つによれば、搬送手段に
沿って被処理部材に連続的に対面する処理雰囲気は、以
下の領域に分けられる。
According to one aspect of the present invention, the processing atmosphere in which the member to be processed is continuously faced along the conveying means is divided into the following areas.

【0040】a)励起されたまたは不安定な気相種の製
造のための少なくとも1つのデバイスが、その前にトン
ネルまたはアセンブリ−内のデバイスによって変換され
る気相混合物とは異なる初期気相混合物を変換する領
域、および/または b)励起されたまたは不安定な気相種の製造のためのデ
バイスで用いられる近傍気相混合物が、その前にトンネ
ルまたはアセンブリー内のデバイスにおいて用いられる
気相混合物とは異なる領域 本発明の態様の1つによれば、工程a)およびb)は、
単一のデバイスで行なわれてもよい。
A) An initial gas phase mixture in which at least one device for the production of excited or unstable gas phase species is different from the gas phase mixture which was previously converted by the device in the tunnel or assembly. And / or b) the near gas phase mixture used in the device for the production of excited or unstable gas phase species, prior to the gas phase mixture used in the device in the tunnel or assembly. According to one of the aspects of the present invention, steps a) and b) are:
It may be done in a single device.

【0041】それゆえ、例えば、1つのデバイスから次
のデバイスへ、増加した還元力を有する混合物を使用す
ることが可能である。
It is therefore possible, for example, to use a mixture with increased reducing power from one device to the next.

【0042】また、本発明は、本発明の方法を行なうの
に適切な、少なくとも1つの金属表面部の乾式表面処理
のための装置に係り、前記装置は、処理される表面部を
有する部材のための搬送手段が横切る内部空間を画定す
るトンネルまたはフードアセンブリ−を具備し、前記ト
ンネルまたはフードアセンブリーは、周囲の雰囲気に関
して封鎖され、連続しておよび/または平行に配置さ
れ、励起されたまたは不安定な気相種の製造のための1
またはこれ以上のデバイスに密閉されるように、また
は、前記デバイスを含むように接続され、外部電極と内
部電極との間に形成された軸を有する少なくとも1つの
管状ガス流路を含み、少なくとも1つの電極は他の電極
に対向した誘電体被覆を有し、これらの電極は、高電圧
・高周波数の電源に接続され、外部電極は誘電体を包囲
し、かつ、初期ガスと称されるガスの入口と、主ガスと
称されるガスの出口とを有し、この入口および出口は、
軸に平行に延びて、実質的に直径上で他方に対向し、前
記ガス出口は、トンネルまたはアセンブリーの内側に向
かって開いており、トンネルまたはアセンブリーは、必
要ならば、前記デバイス内を通過しない近傍ガスと呼ば
れるガスの注入手段を少なくとも1つ具備し、装置は、
必要ならば、処理される部材を加熱するための加熱手段
をさらに有する。
The invention also relates to a device for the dry surface treatment of at least one metal surface, which is suitable for carrying out the method of the invention, said device of a member having a surface to be treated. A tunnel or hood assembly defining an interior space traversed by means for transporting said tunnel or hood assembly, said tunnel or hood assembly being closed with respect to the surrounding atmosphere, arranged in series and / or parallel, excited or For the production of unstable gas phase species 1
Or at least one tubular gas channel having a shaft formed between an external electrode and an internal electrode, which is hermetically connected to the device or further including the device, and at least 1 One electrode has a dielectric coating facing the other electrode, these electrodes are connected to a high voltage, high frequency power supply, the outer electrode surrounds the dielectric and is a gas called the initial gas. And an outlet for the gas called the main gas, which inlet and outlet are
Extending parallel to the axis and substantially diametrically opposite the other, the gas outlet is open towards the inside of the tunnel or assembly, which tunnel does not pass through the device if necessary The apparatus comprises at least one means for injecting a gas called a nearby gas,
If necessary, it further comprises heating means for heating the member to be treated.

【0043】この加熱手段は、トンネル内に存在する赤
外線ランプ、または対流加熱(トンネル内の壁を加熱す
る)によって構成することができ、加熱された基体キャ
リア上に部材を配置してもよい。
This heating means can be constituted by an infrared lamp existing in the tunnel or convection heating (heating the wall in the tunnel), and the member may be arranged on the heated substrate carrier.

【0044】本発明のその他の特徴および利点は、以下
の説明、および限定されない例によって与えられたいく
つかの態様から明らかになるであろう。
Other features and advantages of the present invention will be apparent from the following description and some aspects provided by non-limiting examples.

【0045】[0045]

【実施例】図1は、励起されたまたは不安定な気相種の
製造のためのデバイス4のガス出口に対向した搬送手段
2によって運ばれ、処理される金属表面部を有する部材
1を示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 shows a component 1 having a metal surface which is carried and treated by a transport means 2 facing the gas outlet of a device 4 for the production of excited or unstable gas phase species. .

【0046】搬送システム2は、密封されるようにデバ
イス4に都合よく接続されたトンネル3によって画定さ
れた内部空間31を横切る。
The transport system 2 traverses an interior space 31 defined by a tunnel 3 which is conveniently connected to the device 4 in a sealed manner.

【0047】デバイス4の出口6で得られる主気相混合
物は、模式的に8で示される。主気相混合物8は、その
ガス入口5においてデバイスに流入する初期気相混合物
7から得られる。
The main gas phase mixture obtained at the outlet 6 of the device 4 is shown schematically at 8. The main gas phase mixture 8 is obtained from the initial gas phase mixture 7 entering the device at its gas inlet 5.

【0048】また、図1に示した態様は、近傍気相混合
物9,10のための入口を示す。近傍気相混合物9,1
0を含む気相雰囲気および主気相混合物8は、本発明の
処理雰囲気30を構成する。
The embodiment shown in FIG. 1 also shows the inlet for the near gas phase mixtures 9, 10. Near gas phase mixture 9,1
The gas phase atmosphere including 0 and the main gas phase mixture 8 constitute the processing atmosphere 30 of the present invention.

【0049】図1に示した態様は、励起されたまたは不
安定な気相種(図示せず)の製造のための付加的なデバ
イスを11,12に示し、このデバイスは第1のデバイ
ス4と直列に配置され、連続的に部材1に対面する。
The embodiment shown in FIG. 1 shows at 11 and 12 an additional device for the production of excited or unstable gas phase species (not shown), which device is the first device 4. Is arranged in series and continuously faces the member 1.

【0050】それゆえ、装置は、13および29で示さ
れるような、近傍気相混合物のための他の入口を補足的
に具備してもよい。
The device may therefore additionally be provided with another inlet for the near gas phase mixture, as indicated at 13 and 29.

【0051】さらに、必要とあれば、部材1を加熱する
ための手段(図示せず)を装置に設けてもよい。この加
熱手段は、例えば、トンネル内の赤外線ランプ、または
対流加熱(トンネルの壁を加熱する)により構成するこ
とができる。または、加熱された基体キャリア上に部材
を設置してもよい。
Further, if necessary, the apparatus may be provided with means (not shown) for heating the member 1. This heating means can be constituted by, for example, an infrared lamp in the tunnel, or convection heating (heating the wall of the tunnel). Alternatively, the member may be placed on a heated substrate carrier.

【0052】図2に示す態様のように、この態様のため
のデバイスは円筒形状である。それは、例えば、金属ブ
ロック15の内壁面によって形成された第1の管状電極
14を具備し、その内側には、セラミックス等の誘電体
の管16を含むアセンブリーが同心円状に配置されてい
る。図2中には、管16の内壁面に、説明のために誇張
した厚さで第2の電極17が示されているが、これは電
気メッキにより堆積される。
As with the embodiment shown in FIG. 2, the device for this embodiment is cylindrical in shape. It comprises, for example, a first tubular electrode 14 formed by the inner wall surface of a metal block 15, inside of which an assembly containing a tube 16 of a dielectric such as ceramics is arranged concentrically. In FIG. 2, a second electrode 17 is shown on the inner wall surface of the tube 16 with an exaggerated thickness for illustration purposes, but this is deposited by electroplating.

【0053】それゆえ、誘電体16および第2の電極1
7を具備するアセンブリーは、第1の電極14とともに
管状のガス流路18を画定し、その内側には、冷却剤が
循環する内部体積19が存在する。冷却剤としては、電
気的に不活性な特徴からフレオンが好ましく、交換水で
もよい。内側のガス流路18は、1m未満、典型的には
50cm未満の軸方向の大きさと、3mmを越えない厚
さ、典型的には2.5mm未満の半径方向の厚さを有す
る。
Therefore, the dielectric 16 and the second electrode 1
The assembly comprising 7 defines with the first electrode 14 a tubular gas flow path 18 inside which there is an internal volume 19 in which the coolant circulates. Freon is preferable as the coolant because it is electrically inactive, and exchanged water may be used. The inner gas flow path 18 has an axial dimension of less than 1 m, typically less than 50 cm and a thickness not exceeding 3 mm, typically less than 2.5 mm radial thickness.

【0054】ブロック15は、2つの対向する長手方向
の細長い隙間20および21を有し、これらは、それぞ
れ励起される初期ガスの流路18内への入口、および励
起されたまたは不安定な気相種を含む主ガス流の出口を
形成する。
The block 15 has two opposing longitudinal elongate gaps 20 and 21, which are respectively the inlet of the excited initial gas into the flow path 18 and the excited or unstable gas. Form an outlet for the main gas stream containing the phase species.

【0055】細長い隙間20および21は、空洞部18
の軸方向の長さ全域にわたって延び、図示される態様に
おいては、厚さeを越えない高さを有し、典型的には実
質的に厚さと同等である。母材15は、好ましくは、第
1の電極14の周囲に水等の冷却剤の流路のための複数
の導管22を有する。ガス入口20は、ブロック15と
つながり、初期ガス源26から発生した初期ガスを0.
1×105 Pa〜3×105 Paの圧力で流入するため
の管25を有するハウジング24内に形成された均一化
チャンバーまたは高圧チャンバー23と連通する。電極
14および17は、好ましくは15kHzを越える周波
数で動作し、約10kWの電力を供給する高電圧および
高周波数の発電機27と接続されている。また、発電機
から供給されたこの電力は、誘電体表面領域について
(すなわち、誘電体電極の単位面積について)、それを
修正して表すことができる。
The elongated gaps 20 and 21 are formed in the cavity 18
Over its entire axial length, and in the illustrated embodiment has a height not exceeding the thickness e and is typically substantially equivalent to the thickness. The matrix 15 preferably has a plurality of conduits 22 around the first electrode 14 for the passage of a coolant such as water. The gas inlet 20 is connected to the block 15 so that the initial gas generated from the initial gas source 26 is discharged to 0.
It communicates with a homogenizing chamber or high pressure chamber 23 formed in a housing 24 having a tube 25 for inflowing at a pressure of 1 × 10 5 Pa to 3 × 10 5 Pa. Electrodes 14 and 17 are preferably operated at frequencies above 15 kHz and are connected to a high voltage and high frequency generator 27 which supplies about 10 kW of power. Also, this power delivered from the generator can be expressed as modified for the dielectric surface area (ie, for the unit area of the dielectric electrode).

【0056】励起された気相種を含有し、ガス出口21
で利用される気相流は、金属表面の処理のためのユーザ
ーステーション28に送られる。
Gas outlet 21 containing excited gas phase species
The vapor-phase flow utilized in is sent to a user station 28 for treatment of metal surfaces.

【0057】図1に関連して説明したような1つの装置
は、本発明の態様を実施するために使用される。
One device, such as that described in connection with FIG. 1, is used to implement aspects of the invention.

【0058】装置は、励起されたまたは不安定な気相種
を4において製造するための、図2に関連して説明した
ような単一のデバイスを具備する。この態様について、
0.2mmの厚さを有する冷間圧延低炭素鋼のシート状
金属を処理した。処理されたサンプルは、一辺が10c
mの正方形であった。
The apparatus comprises a single device as described in connection with FIG. 2 for producing excited or unstable gas phase species at 4. For this aspect,
A sheet metal of cold rolled low carbon steel having a thickness of 0.2 mm was treated. The processed sample is 10c on each side.
It was a square of m.

【0059】用いられた処理雰囲気は、窒素を含有する
近傍混合物、および窒素と40%の水素との初期混合物
から得られた主気相混合物の添加を含む。
The process atmosphere used included the addition of a near gas mixture containing nitrogen and a main gas phase mixture obtained from an initial mixture of nitrogen and 40% hydrogen.

【0060】初期混合物は、窒素および水素の処理量を
それぞれ10m3 /hおよび7m3/hとして得た。処
理の間、スチール部材は、加熱基体キャリアによって1
50℃の温度にし、トンネルの内側の圧力は、実質的に
大気圧のレベルに維持した。誘電体の1平方cm当たり
に用いたエネルギー密度は、15W/cm2 であり、部
材とデバイスのガス出口との距離は、10mmであっ
た。
[0060] The initial mixture of nitrogen and hydrogen in the processing amount of each was obtained as 10 m 3 / h and 7m 3 / h. During processing, the steel member is
The temperature was 50 ° C. and the pressure inside the tunnel was maintained at substantially atmospheric pressure levels. The energy density used per square cm of the dielectric was 15 W / cm 2 , and the distance between the member and the gas outlet of the device was 10 mm.

【0061】それぞれのスチール部材は、搬送手段2の
作用によって通過する際に2mn内で処理された。この
方法で得られた表面洗浄の特性を、引き続いて行なわれ
るシリカの堆積により試験し、このように処理されたス
チール部材へのシリカの接着性を評価する。5000オ
ングストロームで堆積されたシリカのこの種のスチール
部材への接着性は、“スコッチ”法として知られる標準
的な試験方法によって評価した。
Each steel member was processed within 2 mn as it passed by the action of the transport means 2. The surface cleaning properties obtained in this way are tested by the subsequent deposition of silica to evaluate the adhesion of the silica to the steel parts thus treated. The adhesion of 5000 Å deposited silica to this type of steel member was evaluated by a standard test method known as the "Scotch" method.

【0062】この場合、スコッチ試験は以下のようにし
て適用した。
In this case, the Scotch test was applied as follows.

【0063】シリコンの堆積を行ない、スチールサンプ
ル(10cm×10cm)の1cm2 の表面領にわたっ
て、100個の正方形を得るための彫り込んだ。なお、
各正方形は、約1mm2 の表面領域を有する。堆積の
後、シート状のスチールサンプルの表面領域のこの面積
にわたって、粘着テープをしっかりと接着し、その後除
去した。試験は、除去されてテープの内面に付着した正
方形の計数により行なわれる。前述のような表面洗浄後
の態様において得られた結果は、各シート状の金属部材
の上に100%のシリカが残留したということを明らか
にし、これは、テープの内面に移動した正方形が0であ
ったことに対応する。この結果を、本発明の方法によっ
て処理せず、単にヘキサン等の溶媒で脱脂した場合の結
果と比較した。これは、未処理の金属部材の表面から1
00%の正方形が除去されるという結果をもたらし、金
属部材上にシリカの正方形が1つも残留しなかったこと
に相当する。
A silicon deposition was performed and engraved to obtain 100 squares over a 1 cm 2 surface area of a steel sample (10 cm × 10 cm). In addition,
Each square has a surface area of about 1 mm 2 . After deposition, the adhesive tape was firmly adhered over this area of the surface area of the sheet steel sample and then removed. The test is performed by counting the squares that have been removed and attached to the inside surface of the tape. The results obtained in the post surface cleaning embodiment as described above revealed that 100% of the silica remained on each sheet metal member, which means that the squares transferred to the inner surface of the tape were zero. It corresponds to what was. This result was compared with the result when degreasing was simply performed with a solvent such as hexane without treatment by the method of the present invention. This is 1 from the surface of the untreated metal member.
This resulted in the removal of 00% of the squares, corresponding to no silica squares remaining on the metal part.

【0064】以上、特定の態様に関して本発明を説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明
の範囲内で改良および変更を行い得ることが当業者には
明かである。
Although the present invention has been described with reference to particular embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited thereto and that modifications and changes can be made within the scope of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の方法を実施するための適切な装置の一
例を示す図。
1 shows an example of a suitable device for carrying out the method of the invention.

【図2】本発明の方法を実施するために適切な、励起さ
れたまたは不安定な気相種の製造のためのデバイスの一
例を示す断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a device for the production of excited or labile gas phase species suitable for carrying out the method of the invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…部材,2…搬送システム,3…トンネル,4…デバ
イス,5…ガス入口 6…ガス出口,7…初期気相混合物,8…主気相混合
物,9…近傍気相混合物 10…近傍気相混合物,11…付加的デバイス,12…
付加的デバイス 13…ガス入口,14…第1の電極,15…金属ブロッ
ク 16…セラミック管,17…第2の電極,18…ガス流
路,20…細長い隙間 21…細長い隙間,22…導管,23…チャンバー,2
4…ハウジング 25…管,26…初期ガス源,27…発電機,28…ユ
ーザーステーション 29…ガス入口,30…処理雰囲気,31…内部空間。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Member, 2 ... Conveying system, 3 ... Tunnel, 4 ... Device, 5 ... Gas inlet 6 ... Gas outlet, 7 ... Initial gas phase mixture, 8 ... Main gas phase mixture, 9 ... Neighboring gas phase mixture 10 ... Neighboring gas Phase mixture, 11 ... Additional device, 12 ...
Additional device 13 ... Gas inlet, 14 ... First electrode, 15 ... Metal block 16 ... Ceramic tube, 17 ... Second electrode, 18 ... Gas flow path, 20 ... Elongated gap 21 ... Elongated gap, 22 ... Conduit, 23 ... Chamber, 2
4 ... Housing 25 ... Tube, 26 ... Initial gas source, 27 ... Generator, 28 ... User station 29 ... Gas inlet, 30 ... Processing atmosphere, 31 ... Internal space.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティエリー・サンザングル フランス国、94230 カシャン、リュ・ デュ・ロアン 33 (72)発明者 ステファーヌ・ラビア フランス国、91190 ジフ・シュール・ イベット、アブニュ・ドゥ・ジェネラ ル・ルクレール 160、レジデンス・デ ュ・パルク・デュ・シャトー・ドゥ・ク ールセル 14 (72)発明者 ダニエル・ゲラン フランス国、 77500 シェル、リュ・ アレクサンドル・ビッカール バ・33、 レジデンス・デュ・バル・フルーリ (72)発明者 クリスチャン・ラルケ フランス国、78280 ギュイアンクール、 リュ・ブノワ・フラション 55 (56)参考文献 特開 平5−9768(JP,A) 特開 昭61−293583(JP,A) 特開 平3−143930(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23F 4/00 C23G 5/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Thierry Saint-Angle France, 94230 Cachan, Ryu du Rohan 33 (72) Inventor Stefane Lavia France, 90190 Zif Sur Ibet, Abnyu de Genera Le Leclerc 160, Residence du Parc du Château de Coursel 14 (72) Inventor Daniel Guerlain France, 77500 Shell, Rue Alexandre Biccardba 33, Residence du Barre Fleuri (72) Inventor Christian Larche France, 78280 Guyencourt, Ryu Benoit Frassion 55 (56) References JP-A-5-9768 (JP, A) JP-A-61-293583 (JP, A) Special Flat 3-143930 (JP, A) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) C23F 4/00 C23G 5/00

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 部材の少なくとも1つの金属表面部分を
乾式処理する方法であって、前記金属表面部分は、大気
圧に近い圧力において気相処理雰囲気によって処理さ
れ、前記気相処理雰囲気は、励起されたまたは不安定な
化学種を含み、電荷を有する化学種を実質的に含まず、
主ガス混合物から得られ、前記主ガス混合物は、励起さ
れたまたは不安定な化学種の製造のための少なくとも1
つのデバイスのガス出口で得られ、前記デバイスは、 励起される初期ガス混合物の流路へのガス入口、および
前記ガス出口を形成する2つの対向する長手方向の細長
い隙間、ならびに円筒内部空間を有する金属ブロック
と、 前記金属ブロックの内壁面に配置された第1の電極と、 前記円筒状内部空間に同心円状に配置された誘電体から
なる管と、 前記管の内壁面に形成された第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極とによって画定され、
1m未満の軸方向の大きさと3mmを越えない半径方向
の厚さとを有するガス流路と、 前記ガス流路の内側に存在する内部体積と、 前記ガス入口を覆い、管を有するハウジングと、 前記ハウジング内に形成されたチャンバーと、 前記初期ガス混合物を発生する初期ガス源と、 前記第1の電極および前記第2の電極に接続された高電
圧・高周波数の発電機とを具備し、 前記初期ガス混合物を、0.1×10 5 Pa〜3×10 5
Paの圧力で前記初期ガス源から前記チャンバー内に導
入し、15kHzを越える周波数で前記発電機を動作し
て、10kWを越える電力を前記第1および第2の電極
に供給することにより、 前記デバイス内では、不活性ガ
スおよび/または還元ガスおよび/または酸化ガスを含
有する初期ガス混合物が変えられることを特徴とする方
法。
1. A method of dry treating at least one metal surface portion of a member, wherein the metal surface portion is treated with a gas phase treatment atmosphere at a pressure close to atmospheric pressure, the gas phase treatment atmosphere being excited. Volatile or unstable species, and substantially free of charged species,
Obtained from a main gas mixture, said main gas mixture comprising at least 1 for the production of excited or labile species.
Obtained at the gas outlet of one device, said device comprising a gas inlet to the flow path of the initial gas mixture to be excited, and
Two opposing longitudinal strips forming the gas outlet
Metal block with a large gap and a cylindrical inner space
And a first electrode arranged on the inner wall surface of the metal block and a dielectric material arranged concentrically in the cylindrical inner space.
And a second electrode formed on the inner wall surface of the tube, the first electrode and the second electrode,
Axial size less than 1 m and radial direction not exceeding 3 mm
A gas flow passage having a thickness, an internal volume existing inside the gas flow passage, a housing having a tube covering the gas inlet, a chamber formed in the housing, and the initial gas mixture. An initial gas source that is generated and a high electric current connected to the first electrode and the second electrode.
A high pressure and high frequency generator, and the initial gas mixture is 0.1 × 10 5 Pa to 3 × 10 5
The pressure of Pa is introduced from the initial gas source into the chamber.
Turn on and operate the generator at a frequency above 15 kHz
Power exceeding 10 kW is applied to the first and second electrodes.
The method comprises the step of changing the initial gas mixture containing an inert gas and / or a reducing gas and / or an oxidizing gas in the device by feeding
【請求項2】 気相処理雰囲気が、主ガス混合物と、前
記デバイス内を通過しない近傍ガス混合物とによって得
られる請求項1に記載の方法。
2. The method according to claim 1, wherein the gas phase treatment atmosphere is obtained with a main gas mixture and a neighboring gas mixture that does not pass through the device.
【請求項3】 近傍ガス混合物が、シランSiH4を含
有する請求項2に記載の方法。
3. The method of claim 2, wherein the near gas mixture contains silane SiH 4 .
【請求項4】 処理される金属表面部分を有する部材
が、600℃を越えない温度まで高められる請求項1な
いし3のいずれか1項に記載の方法。
4. The method according to claim 1, wherein the member having the metal surface portion to be treated is raised to a temperature not exceeding 600 ° C.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれか1項に記載
の方法を行なうために適切な、部材の少なくとも1つの
金属表面部分を乾式処理する装置であって、 励起される初期ガス混合物の流路へのガス入口、および
前記ガス出口を形成する2つの対向する長手方向の細長
い隙間、ならびに円筒内部空間を有する金属ブロック
と、 前記金属ブロックの内壁面に配置された第1の電極と、 前記円筒状内部空間に同心円状に配置された誘電体から
なる管と、 前記管の内壁面に形成された第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極とによって画定され、
1m未満の軸方向の大きさと3mmを越えない半径方向
の厚さとを有するガス流路と、 前記ガス流路の内側に存在する内部体積と、 前記ガス入口を覆い、管を有するハウジングと、 前記ハウジング内に形成されたチャンバーと、 前記初期ガス混合物を発生する初期ガス源と、 前記第1の電極および前記第2の電極に接続された高電
圧・高周波数の発電機とを具備することを特徴とする装
置。
5. The method according to any one of claims 1 to 4.
At least one member suitable for carrying out the method of
A device for dry treatment of a metal surface portion , the gas inlet to the flow path of the initial gas mixture being excited, and
Two opposing longitudinal strips forming the gas outlet
Metal block with a large gap and a cylindrical inner space
And a first electrode arranged on the inner wall surface of the metal block and a dielectric material arranged concentrically in the cylindrical inner space.
And a second electrode formed on the inner wall surface of the tube, the first electrode and the second electrode,
Axial size less than 1 m and radial direction not exceeding 3 mm
A gas flow passage having a thickness of , a housing having a tube that covers the gas inlet and an inner volume existing inside the gas flow passage, a chamber formed in the housing, and the initial gas mixture. An initial gas source that is generated and a high electric current connected to the first electrode and the second electrode.
And a high-frequency generator.
Place
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