JP3419414B2 - Exhaust mechanism of sputtering equipment - Google Patents
Exhaust mechanism of sputtering equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング装置の排
気機構に関し、特に、真空度を改良したスパッタリング
装置の排気機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造用の基板の表面に膜
を形成する等の処理を行うための処理チャンバを備えた
スパッタリング装置では、処理チャンバの内部に所要真
空度の真空状態を形成する目的で排気が行われる。処理
チャンバにおけるこのような排気では、クライオポンプ
やターボモレキュラポンプの主ポンプが使用されてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のスパッタリング
装置の排気機構では次の問題が存在する。主ポンプとし
てクライオポンプを用いた排気機構では、原理的にＨ2
Ｏ（水分子）を排気する能力は高いが、スパッタリング
中に生成されるＨ2 ガスを排気する能力は非常に弱いと
いう欠点を有する。また主ポンプとしてターボモレキュ
ラポンプを用いた排気機構では、反対に、Ｈ2 ガスに対
する排気性能を示す圧縮比はクライオポンプに比較して
高いが、Ｈ2 Ｏに対する排気速度をクライオポンプほど
大きくとることができないという欠点を有する。
【０００４】従ってスパッタリング装置の処理チャンバ
において、Ｈ2 ＯおよびＨ2 ガスを良好に排気すること
が要求される場合には、２台の主ポンプを設けることが
望ましいが、構造が複雑になり、かつ装置が高価になる
ため実用的ではない。また処理チャンバの内部構造とい
う観点では、当該構造が複雑になり、加熱を均一に行う
ことができないという不具合を有する。
【０００５】本発明の目的は、特にＨ2 ＯおよびＨ2 ガ
スの排気性能を向上し、真空度を改善したスパッタリン
グ装置の排気機構を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング装置の排気機構は、クライオポンプまたはターボモ
レキュラポンプのいずれかである排気用主ポンプを備
え、処理チャンバ内を主ポンプで必要な真空度まで排気
するスパッタリング装置に適用され、処理チャンバに対
しその内部の１つの壁面に近い位置で当該壁面に沿って
かつ当該壁面を覆うように平板状の水分子（Ｈ 2 Ｏ）を
吸着するための冷却パネルを設け、処理チャンバの外部
であって冷却パネルに近い位置に冷却パネルを水分子の
吸着を可能にする所要の低温状態に保持する冷却装置を
設けると共に、非蒸発型ゲッターポンプを付設し、処理
チャンバの内部で基板処理に要する空間を広く確保しか
つ処理チャンバの内部空間全体に対向するよう冷却パネ
ルを配置すると共に、冷却パネルは処理チャンバの内部
空間全体に残留する水分子を吸着することにより内部空
間全体の水分子の残留状態を低下させかつ水分子の低い
残留状態を保持するように構成される。
【０００７】
【作用】本発明によるスパッタリング装置の排気機構で
は、冷却パネルとゲッターポンプを補助ポンプとして備
え、低温状態にある冷却パネルはその冷却作用により主
に水分子を吸着し、ゲッターポンプは主にＨ2 ガスを吸
着する。クライオポンプまたはターボモレキュラポンプ
の主ポンプに対して上記補助ポンプを備えることによ
り、高真空から超高真空の真空度を有する空間での残留
ガスの主成分である水分子、Ｈ2 ガスを効率よく排気
し、さらに高い真空度を達成する。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。
【０００９】図１は本発明に係るスパッタリング装置の
１つの処理チャンバを示す略図であり、排気機構のみを
示し、処理チャンバにおける処理に関与する構成部分、
例えば基板、基板支持機構、基板搬送機構、カソード、
反応ガス供給機構等の構成の図示は省略している。処理
に関与する構成部分には従来よく知られた装置が使用さ
れる。
【００１０】図１において、本実施例のスパッタリング
装置は複数の処理チャンバを備えるマルチチャンバ形式
の装置であるとする。１はセパレーションチャンバで、
その周囲に複数の処理チャンバを備える。複数の処理チ
ャンバに対してはそれぞれ予め定められた順序で被処理
基板が送られ、各処理チャンバで定められた処理が行わ
れるが、このとき各処理チャンバを完全に分離するため
にセパレーションチャンバ１が設けられる。被処理基板
は、各処理チャンバの内部に搬送されるときには、必ず
セパレーションチャンバ１を介在して当該チャンバに設
けられた搬送機構によって搬送される。２はセパレーシ
ョンチャンバ１に接続された１つの処理チャンバを示
す。セパレーションチャンバ１と処理チャンバ２との間
にはゲートバルブ３が設けられる。処理チャンバ２内で
は、反応ガスが導入され、電磁界等のエネルギが供給さ
れてプラズマ放電が発生し、スパッタリング処理が基板
に対して行われる。
【００１１】基板に対して前記スパッタリング処理を行
うに当たっては、所要の真空状態が処理チャンバ２内に
形成される必要がある。所要の真空状態は排気機構によ
って作られる。本実施例によるスパッタリング装置の処
理チャンバ２には、排気機構として、本来の主ポンプ４
と、補助ポンプとしての非蒸発型のゲッターポンプ５と
冷却パネル６が付設される。主ポンプ４としてはクライ
オポンプまたはターボモレキュラポンプが用いられる。
また冷却パネル６は処理チャンバ２内に配置され、外部
に冷却装置７を備える。冷却パネルは所要の低温状態に
保持される。
【００１２】次に図２を参照して上記排気機構による作
用について説明する。図２は残留ガスの残留状態を示す
４つのグラフ（Ａ）〜（Ｄ）を示し、各グラフの横軸は
分子量、縦軸は残留ガスの分圧の相対値を示す。残留ガ
スは４種類であり、分子量２のＨ2 、分子量１８のＨ2
Ｏ、分子量２８のＮ2 ＋ＣＯ、分子量４４のＣＯ2 であ
る。またグラフ（Ａ）は主ポンプ４のみで排気したとき
の残留ガスの残留状態、グラフ（Ｂ）は主ポンプ４と冷
却パネル６によって排気したときの残留ガスの残留状
態、グラフ（Ｃ）は主ポンプ４とゲッターポンプ５によ
って排気したときの残留ガスの残留状態、グラフ（Ｄ）
は主ポンプ４と冷却パネル６とゲッターポンプ５によっ
て排気したときの残留ガスの残留状態をそれぞれ示して
いる。
【００１３】図２のグラフ（Ａ）に示されるように、主
ポンプ４のみによる排気作用では、Ｈ2 ガスとＨ2 Ｏを
十分に排気することができない。これに対してグラフ
（Ｂ）に示されるように主ポンプ４に対して冷却パネル
６を併用して排気を行うと、冷却パネル６が水分子（Ｈ
2 Ｏ）を吸着するためにグラフ（Ａ）の場合に比較して
相対的にＨ2 Ｏの残留程度が低減する。冷却パネル６の
低温状態は冷却装置７によって実現されるが、この場合
に水分子を有効に補足できる程度の低温状態に制御され
ることが必要である。またグラフ（Ｃ）に示されるよう
に、主ポンプ４に対してゲッターポンプ５を併用して排
気を行うと、ゲッターポンプ５がＨ2 ガスを吸着するた
めにグラフ（Ａ）の場合に比較して相対的にＨ2 ガスの
残留程度が低減する。
【００１４】従って、クライオポンプまたはターボモレ
キュラポンプの主ポンプ４に対して冷却パネル６および
ゲッターポンプ５を補助ポンプとして併用すると、上記
のごとき冷却パネル６とゲッターポンプ５の排気作用に
基づき、高真空または超高真空中の残留ガスであるＨ2
Ｏ、Ｈ2 ガスを効率よく排気することができる。図２の
グラフ（Ｄ）は、冷却パネル６およびゲッターポンプ５
を補助ポンプとして併用したときの残留ガスの残留状態
を示しており、この図で明らかなように望ましい程度ま
でにＨ2 Ｏ、Ｈ2 ガスが排気されている。
【００１５】溜込み式のクライオポンプは本来的にＨ2
ガスに対して排気性能が低く、Ｈ2ガスが顕著になるス
パッタリングプロセス等では超高真空に至る排気時間が
長くなり不向きであると共に、Ｈ2 ガスを或る程度（５
〜１０ STD・ｌ）排気すると再生が必要となる不具合を
有していた。しかしながら、上記のごとき補助ポンプを
付設することによってかかる不具合が解消される。主ポ
ンプ４が掃出し式のターボモレキュラポンプである場合
にも、補助ポンプを付設することで上記に類似した問題
を同様に解消することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、スパッタリング装置の排気機構において主ポンプ
に対して冷却パネルおよびゲッターポンプを設けるよう
にしたため、高真空または超高真空におけるＨ2 Ｏおよ
びＨ2 ガスの残留ガスを効率よく排気し真空度を高める
ことができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust mechanism for a sputtering apparatus, and more particularly to an exhaust mechanism for a sputtering apparatus with an improved degree of vacuum. 2. Description of the Related Art In a sputtering apparatus provided with a processing chamber for performing processing such as forming a film on the surface of a substrate for manufacturing semiconductor devices, a vacuum state of a required degree of vacuum is formed inside the processing chamber. The exhaust is performed for the purpose. For such evacuation in the processing chamber, a main pump such as a cryopump or a turbomolecular pump has been used. [0003] The following problems exist with the exhaust mechanism of the above sputtering apparatus. In an exhaust mechanism using a cryopump as the main pump, H 2
Although the ability to exhaust O (water molecules) is high, it has the disadvantage that the ability to exhaust H 2 gas generated during sputtering is very weak. On the other hand, in the exhaust mechanism using a turbo molecular pump as the main pump, the compression ratio indicating the exhaust performance for H 2 gas is higher than that of the cryopump, but the exhaust speed for H 2 O is higher for the cryopump. It has the disadvantage of not being able to do so. Therefore, when it is required to evacuate H 2 O and H 2 gas satisfactorily in the processing chamber of the sputtering apparatus, it is desirable to provide two main pumps, but the structure becomes complicated. In addition, the apparatus is expensive and not practical. Further, from the viewpoint of the internal structure of the processing chamber, there is a problem that the structure becomes complicated and heating cannot be performed uniformly. An object of the present invention is to provide an exhaust mechanism for a sputtering apparatus which has improved exhaust performance particularly for H 2 O and H 2 gas and improved vacuum degree. [0006] The evacuation mechanism of the sputtering apparatus according to the present invention is a cryopump or a turbo motor.
Equipped with a main pump for exhaust, which is one of the recurring pumps, is applied to a sputtering apparatus that exhausts the inside of the processing chamber to a required vacuum degree by the main pump .
Along the wall at a position near one wall inside
And water molecules (H 2 O) in a plate shape so as to cover the wall surface.
A cooling panel for suction is provided, outside the processing chamber.
And place the cooling panel close to the cooling panel
A cooling device that maintains the required low temperature to enable adsorption
And a non-evaporable getter pump
Only wide space required for substrate processing can be secured inside the chamber
Cooling panel to face the entire internal space of the processing chamber.
The cooling panel is located inside the processing chamber
Adsorb water molecules remaining in the entire space to create internal space
Reduce the residual state of water molecules throughout
It is configured to keep the residual state . The evacuation mechanism of the sputtering apparatus according to the present invention has a cooling panel and a getter pump as auxiliary pumps. The cooling panel in a low temperature state mainly adsorbs water molecules by its cooling action, and the getter pump mainly operates as a pump. Adsorbs H 2 gas. By providing the auxiliary pump with respect to the main pump of a cryopump or a turbomolecular pump, water molecules and H 2 gas, which are main components of residual gas in a space having a degree of vacuum from a high vacuum to an ultrahigh vacuum, can be efficiently used. Exhaust well and achieve even higher vacuum. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic view showing one processing chamber of a sputtering apparatus according to the present invention, showing only an exhaust mechanism, and components related to processing in the processing chamber.
For example, substrate, substrate support mechanism, substrate transport mechanism, cathode,
The illustration of the configuration of the reaction gas supply mechanism and the like is omitted. Conventionally well-known devices are used for components involved in the processing. In FIG. 1, it is assumed that the sputtering apparatus of this embodiment is a multi-chamber type apparatus having a plurality of processing chambers. 1 is a separation chamber,
A plurality of processing chambers are provided therearound. The substrates to be processed are sent to the plurality of processing chambers in a predetermined order, and the processing specified in each processing chamber is performed. At this time, in order to completely separate each processing chamber, the separation chamber 1 is used. Is provided. When a substrate to be processed is transferred into each processing chamber, the substrate is always transferred by a transfer mechanism provided in the separation chamber 1 via the separation chamber 1. Reference numeral 2 denotes one processing chamber connected to the separation chamber 1. A gate valve 3 is provided between the separation chamber 1 and the processing chamber 2. In the processing chamber 2, a reaction gas is introduced, energy such as an electromagnetic field is supplied, plasma discharge occurs, and a sputtering process is performed on the substrate. In performing the sputtering process on the substrate, a required vacuum state needs to be formed in the processing chamber 2. The required vacuum is created by the evacuation mechanism. In the processing chamber 2 of the sputtering apparatus according to the present embodiment, an original main pump 4 is provided as an exhaust mechanism.
In addition, a non-evaporable getter pump 5 as an auxiliary pump and a cooling panel 6 are additionally provided. As the main pump 4, a cryopump or a turbo molecular pump is used.
The cooling panel 6 is disposed in the processing chamber 2 and has a cooling device 7 outside. The cooling panel is maintained at the required low temperature. Next, the operation of the exhaust mechanism will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows four graphs (A) to (D) showing the residual state of the residual gas. In each graph, the horizontal axis indicates the molecular weight, and the vertical axis indicates the relative value of the partial pressure of the residual gas. Residual gas is four, H 2 having a molecular weight of 2, H 2 having a molecular weight of 18
O, N 2 + CO having a molecular weight of 28, and CO 2 having a molecular weight of 44. Graph (A) shows the residual gas residual state when exhausted only by main pump 4, graph (B) shows residual gas residual state exhausted by main pump 4 and cooling panel 6, and graph (C) shows the residual gas residual state. Residual state of residual gas when exhausted by pump 4 and getter pump 5, graph (D)
Indicates the residual state of the residual gas when exhausted by the main pump 4, the cooling panel 6, and the getter pump 5, respectively. As shown in the graph (A) of FIG. 2, H 2 gas and H 2 O cannot be sufficiently exhausted by the exhaust operation using only the main pump 4. On the other hand, when the main pump 4 is evacuated together with the cooling panel 6 as shown in the graph (B), the cooling panel 6
2 O) is adsorbed, and the degree of residual H 2 O is relatively reduced as compared with the case of the graph (A). The low temperature state of the cooling panel 6 is realized by the cooling device 7, but in this case, it is necessary to control the cooling panel 6 to a low temperature state that can effectively capture water molecules. Further, as shown in the graph (C), when the main pump 4 is evacuated by using the getter pump 5 together, the getter pump 5 adsorbs H 2 gas, so that the exhaust gas is compared with the case of the graph (A). Accordingly, the degree of residual H 2 gas is relatively reduced. Therefore, when the cooling panel 6 and the getter pump 5 are used as auxiliary pumps in combination with the main pump 4 of the cryopump or the turbomolecular pump, the cooling panel 6 and the getter pump 5 have a high pumping action. H 2 as residual gas in vacuum or ultra-high vacuum
O and H 2 gases can be efficiently exhausted. The graph (D) in FIG. 2 shows the cooling panel 6 and the getter pump 5.
Shows the residual state of the residual gas when is used as an auxiliary pump, and as is apparent from this figure, the H 2 O and H 2 gases are exhausted to a desirable extent. The storage type cryopump is essentially H 2
Low exhaust performance for gas, together with the with H 2 sputtering process gas becomes remarkable like is unsuitable a longer evacuation time to reach the ultra high vacuum, a degree of H 2 gas (5
L to 10 STD l) There was a problem that regeneration was required when exhausting. However, by attaching the auxiliary pump as described above, such a problem is solved. Even in the case where the main pump 4 is a sweeping-type turbomolecular pump, a similar problem can be solved similarly by providing an auxiliary pump. As is apparent from the above description, according to the present invention, a cooling panel and a getter pump are provided for a main pump in an exhaust mechanism of a sputtering apparatus. , The residual gas of H 2 O and H 2 gas can be efficiently exhausted to increase the degree of vacuum.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスパッタリング装置の１つの処理
チャンバの周辺構造を示す概略構成図である。
【図２】各種の組合せの排気機構で排気したときの処理
チャンバ内の残留ガスの残留状態を示すグラフである。
【符号の説明】
１ セパレーションチャンバ
２ 処理チャンバ
３ ゲートバルブ
４ 主ポンプ
５ ゲッターポンプ
６ 冷却パネル
７ 冷却装置BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a peripheral structure of one processing chamber of a sputtering apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a graph showing a residual state of a residual gas in a processing chamber when exhausted by various combinations of exhaust mechanisms. [Description of Signs] 1 Separation chamber 2 Processing chamber 3 Gate valve 4 Main pump 5 Getter pump 6 Cooling panel 7 Cooling device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−222876（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−67165（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−41368（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−7986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−117372（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/34 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-3-222876 (JP, A) JP-A-62-67165 (JP, A) JP-A-57-41368 (JP, A) JP-A-62-67 7986 (JP, A) JP-A-58-117372 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C23C 14/34
Claims (1)
な真空度まで排気するスパッタリング装置において、 前記排気用主ポンプにはクライオポンプまたはターボモ
レキュラポンプのいずれか１つが用いられ、 前記処理チャンバに対しその内部の１つの壁面に近い位
置で当該壁面に沿ってかつ当該壁面を覆うように平板状
の水分子（Ｈ2Ｏ）を吸着するための冷却パネルを設
け、前記処理チャンバの外部であって前記冷却パネルに
近い位置に前記冷却パネルを水分子の吸着を可能にする
所要の低温状態に保持する冷却装置を設けると共に、非
蒸発型ゲッターポンプを付設し、 前記処理チャンバの内部で基板処理に要する空間を広く
確保しかつ前記処理チャンバの内部空間全体に対向する
よう前記冷却パネルを配置すると共に、前記冷却パネル
は前記処理チャンバの内部空間全体に残留する水分子を
吸着することにより内部空間全体の水分子の残留状態を
低下させかつ水分子の低い残留状態を保持する ことを特
徴とするスパッタリング装置の排気機構。(57) [Claim 1] In a sputtering apparatus for exhausting the inside of a processing chamber to a required degree of vacuum by an exhaust main pump, a cryopump or a turbo motor is used as the exhaust main pump.
Any one of the recurring pumps is used, and the processing chamber is positioned close to one of the inner walls.
A flat plate along the wall and covering the wall
Setting a cooling panel for adsorption of water molecules (H 2 O)
Only, to the cooling panel A outside the processing chamber
Allows the cooling panel in close proximity to adsorb water molecules
Both the provision of cooling devices to hold the required low temperature, and attaching a non-evaporable getter pumps, wide space required for the substrate processing within the process chamber
And facing the entire internal space of the processing chamber
So as to dispose the cooling panel and the cooling panel
Removes water molecules remaining in the entire internal space of the processing chamber.
Adsorption reduces the residual state of water molecules in the entire internal space
An evacuation mechanism for a sputtering apparatus, wherein the evacuation mechanism lowers the water content and maintains a low residual state of water molecules .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12046993A JP3419414B2 (en) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Exhaust mechanism of sputtering equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP12046993A JP3419414B2 (en) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Exhaust mechanism of sputtering equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306601A JPH06306601A (en) | 1994-11-01 |
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| Country | Link |
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1993
- 1993-04-23 JP JP12046993A patent/JP3419414B2/en not_active Expired - Fee Related
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