JP3399179B2 - Wafer processing method - Google Patents
Wafer processing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハの加工方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ウェーハの加工方法として、ウェ
ーハの外周の欠けを防止するための面取り工程、ウェー
ハの厚さバラツキをなくすためのラッピング工程、破砕
層および汚染した部分をなくすためのエッチング工程、
ウェーハの面取り部および主面の研磨工程を順次に行う
ものが知られている。また、１９９４年２月２８日に日
刊工業新聞社から発行された「半導体材料基礎工学」に
記載の方法のように、前記方法において、ラッピング工
程と面取り工程とを逆にしたものも知られている。しか
し、後者の方法では、ラッピング時のウェーハの外周は
角のままとなっているため、ラッピング時にウェーハの
外周の欠けが生じ、Ｓｉ屑によりウェーハの主面が傷付
いてしまう危険性があった。そのため、現在では、前者
の方法のように、面取り工程の後にラッピング工程を行
うのが主流になっている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of processing a wafer, a chamfering process for preventing chipping of the outer periphery of the wafer, a lapping process for eliminating variation in thickness of the wafer, an etching process for eliminating crushed layers and contaminated parts. ,
It is known that a chamfered portion and a main surface of a wafer are sequentially polished. Further, there is also known a method in which the lapping step and the chamfering step are reversed in the above method, such as the method described in "Basic Engineering of Semiconductor Materials" published by Nikkan Kogyo Shimbun on February 28, 1994. There is. However, in the latter method, since the outer circumference of the wafer during lapping remains square, there is a risk that the outer circumference of the wafer will be chipped during lapping and the main surface of the wafer will be damaged by Si scraps. . Therefore, at present, the lapping process is performed after the chamfering process as in the former method.
【０００３】なお、前者の方法の変形として、前記面取
り工程において、粒度の大きな砥石（例えば８００番）
で研削をしてウェーハの外周を丸めて面取りした直後
に、粒度の小さな砥石（例えば１５００番）でもってそ
の面取り部を研削するものもあり、この方法では、後の
エッチング工程で面取り部の平滑度が多少劣化はするも
のの、粒度の大きな砥石だけの場合に比べて、エッチン
グ工程後の平滑度が高いため、後に行われる面取り部の
研磨工程での作業が容易となる。As a modification of the former method, a grindstone with a large grain size (for example, No. 800) is used in the chamfering step.
Immediately after chamfering by rounding the outer circumference of the wafer by grinding with, the chamfered part is ground with a grindstone with a small grain size (for example, No. 1500). In this method, the chamfered part is smoothed in the subsequent etching step. Although the degree is slightly deteriorated, the smoothness after the etching step is higher than in the case where only a grindstone having a large grain size is used. Therefore, the work in the polishing step of the chamfered portion, which is performed later, becomes easy.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ラッピング工程の直後
に行われるエッチング工程では、従来、フッ酸、硝酸お
よび酢酸の混合液にウェーハを浸す、いわゆる酸エッチ
ングが行われていたが、この酸エッチングでは、ラッピ
ング後のウェーハの平坦度保持が困難であること、使用
後のエッチング液の廃液処理にコストがかかることか
ら、最近では、酸エッチングに代わり、水酸化ナトリウ
ムあるいは水酸化カリウムの液にウェーハを浸す、いわ
ゆるアルカリエッチングが主流になってきている。しか
し、アルカリエッチングは異方性エッチングであり、等
方性エッチングである酸エッチングとは異なるので、ウ
ェーハの裏面や面取り部が荒れてその平滑度が劣化し、
裏面や面取り部の処理が必要となり、特に後者の面取り
部処理では、面の粗さを所定の粗さ以下にして目標の平
滑度とするための研磨時間が酸エッチングに比べて数倍
大きくなってしまうという問題があった。また、アルカ
リエッチングの場合、ウェーハの裏面の平滑度を向上す
るため、面研磨工程において、ウェーハをキャリアにセ
ットし、上下に配された定盤に張られたバフによってウ
ェーハの表裏面を同時に研磨することも行われている
が、このようにしてウェーハの表裏面を研磨すると、キ
ャリアの内壁によってウェーハの面取り部が削られ、面
取り部の断面形状の崩れが発生し、後のデバイス製造に
おけるフォトリソグラフィ工程でのレジストの切れが悪
くなったりし、高集積化の阻害原因となっていた。In the etching process which is carried out immediately after the lapping process, so-called acid etching has hitherto been carried out by immersing the wafer in a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid and acetic acid. However, it is difficult to maintain the flatness of the wafer after lapping, and it is costly to process the waste liquid of the etching liquid after use.Therefore, recently, instead of acid etching, the wafer is changed to a sodium hydroxide or potassium hydroxide liquid. So-called alkali etching is becoming the mainstream. However, alkali etching is anisotropic etching and is different from acid etching which is isotropic etching, so that the back surface and chamfered portion of the wafer are roughened and the smoothness thereof deteriorates.
It is necessary to process the back surface and the chamfered portion, and particularly in the latter chamfered portion processing, the polishing time for making the surface roughness equal to or less than a predetermined roughness to achieve the target smoothness is several times longer than that of acid etching. There was a problem that it would end up. Also, in the case of alkaline etching, in order to improve the smoothness of the back surface of the wafer, in the surface polishing step, the wafer is set on the carrier and the front and back surfaces of the wafer are simultaneously polished by the buffs stretched on the surface plates arranged above and below. However, when the front and back surfaces of the wafer are polished in this way, the chamfered portion of the wafer is scraped by the inner wall of the carrier, the cross-sectional shape of the chamfered portion collapses, and the photolithography in later device manufacturing is performed. This often hinders the cutting of the resist in the lithography process, which is a cause of hindering high integration.
【０００５】本発明は、かかる点に鑑みなされたもので
あり、半導体デバイスの高集積化に対応でき、しかも、
面取り部の研磨を迅速に行うことができる半導体ウェー
ハの加工方法を提供することを主たる目的としている。The present invention has been made in view of the above points, and can cope with high integration of semiconductor devices, and
The main object of the present invention is to provide a method for processing a semiconductor wafer that can rapidly polish a chamfered portion.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の加工方法
は、インゴットをスライスして得られたウェーハの外周
を研削によって面取りし、前記ウェーハのラッピングを
行った後エッチングを行い、その後、前記ウェーハの面
取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工するホーニ
ングを施し、その後に、ウェーハの前記面取り部の全体
および表面の研磨を行うようにしたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing method, wherein an outer periphery of a wafer obtained by slicing an ingot is chamfered by grinding, the wafer is lapped and then etched, and then the wafer is etched. A horn that processes the entire chamfered part of a wafer by applying a predetermined load to a grindstone.
And then polishing the entire chamfered portion of the wafer and the surface thereof.
【０００７】請求項２記載の加工方法は、インゴットを
スライスして得られたウェーハの外周を研削によって面
取りし、前記ウェーハのラッピングを行った後アルカリ
エッチングを行い、その後、前記ウェーハの表裏面を同
時に研磨し、前記ウェーハの面取り部の全体を砥石に所
定荷重を加えて加工するホーニングを施し、その後に、
ウェーハの前記面取り部の全体および表面の研磨を行う
ようにしたものである。According to a second aspect of the present invention, a wafer obtained by slicing an ingot is chamfered on the outer periphery of the wafer by grinding, the wafer is lapped, and then alkali etching is performed. The front and back surfaces are simultaneously polished, and the entire chamfered portion of the wafer is subjected to honing by applying a predetermined load to a grindstone, and then,
The whole and the surface of the chamfered portion of the wafer is polished.
【０００８】請求項３記載の加工方法は、請求項１記載
のウェーハの加工方法において、前記エッチングをアル
カリエッチングとしたものである。[0008] processing method according to claim 3, wherein, in the processing method of the wafer according to claim 1, the etching is obtained by an alkaline etching.
【０００９】上記した手段によれば、面取り部の研磨前
にウェーハの面取り部を軟研削するようにしているた
め、面取り部の研磨によって所望の粗さ以下の平滑度に
するまでの時間が著しく短縮化されることになり、か
つ、前工程で崩れた断面形状を修正できることになる。According to the above means, since the chamfered portion of the wafer is softly ground before the chamfered portion is polished, it takes a considerable time to polish the chamfered portion to a smoothness equal to or lower than a desired roughness. It will be shortened and the cross-sectional shape collapsed in the previous step can be corrected.
【００１０】[0010]
Ａ．実施例のウェーハの加工方法は、図１に示すよう
に、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、両
面研磨工程、面取り部軟研削・研磨工程および表面研磨
工程を順次に行うものである。A. As shown in FIG. 1, the wafer processing method according to the embodiment sequentially performs a chamfering step, a lapping step, an etching step, a double-sided polishing step, a chamfered portion soft grinding / polishing step, and a surface polishing step.
【００１１】（１）面取り工程
インゴットを内周刃あるいはワイヤソーでスライスして
得られたウェーハの外周を研削液を供給しつつ砥石によ
って丸く削り取る。ウェーハの外周が角のままだと工程
途中で欠けたりＳｉ屑が発生し、集積回路の不良の原因
となるからである。この面取りに使用される砥石の粒度
は特に制限はされないが３００〜８００番程度である。
また、この場合の砥石の結合剤としては特に制限はされ
ないがメタル・ボンドが用いられる。(1) Chamfering Step The outer periphery of a wafer obtained by slicing an ingot with an inner peripheral blade or a wire saw is ground with a grindstone while supplying a grinding liquid. This is because if the outer periphery of the wafer remains square, chips or Si scraps may be generated during the process, causing defects in the integrated circuit. The grain size of the grindstone used for this chamfering is not particularly limited, but is about 300 to 800.
The binder of the grindstone in this case is not particularly limited, but a metal bond is used.
【００１２】（２）ラッピング工程
面取り工程の終了したウェーハに圧力を加え、シリカ
（ＳｉＯ2 ）、ジルコニア（ＺｒＯ2 ）やアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）等の砥粒と脂肪酸塩等を添加物として加えたス
ラリーを用い、ウェーハの片面あるいは両面をラップす
る。内周刃あるいはワイヤソーでのインゴットの切断に
よって、ウェーハの厚さと平行度が決まるが、必ずばら
つきがあるので、それを補正するためである。(2) Lapping Process Pressure is applied to the wafer after the chamfering process to apply silica (SiO 2 ), zirconia (ZrO 2 ) or alumina (A).
One surface or both surfaces of the wafer is wrapped with a slurry containing abrasive grains such as l 2 O 3 ) and a fatty acid salt as an additive. The thickness and parallelism of the wafer are determined by cutting the ingot with the inner peripheral blade or the wire saw, but this is because there is always a variation, and this is to correct it.
【００１３】（３）エッチング工程
水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムの液にウェー
ハを浸すことによりウェーハの表面のエッチングを行
う。ラッピング工程等を経て得られたウェーハの表面に
は、破砕層（砕けて荒れた部分）や汚染した部分（砥粒
が食い込んだ部分）が存在するので、これらを除去する
ためである。(3) Etching Step The surface of the wafer is etched by immersing the wafer in a solution of sodium hydroxide or potassium hydroxide. The surface of the wafer obtained through the lapping process or the like has a crushed layer (a crushed and rough portion) and a contaminated portion (a portion in which the abrasive grains bite).
【００１４】（４）両面研磨工程
ウェーハをキャリアにセットし、上下に配された定盤に
張られたバフによって研磨液を供給しつつウェーハの表
裏面を同時に研磨する。この両面研磨を行うのは、ウェ
ーハの平坦度を大幅に向上させたり、裏面の平滑度を向
上させてＳｉ屑の発生を防止したりするためである。(4) Double-sided polishing step A wafer is set on a carrier, and a front surface and a back surface of the wafer are simultaneously polished while supplying a polishing liquid by a buff stretched on surface plates arranged above and below. This double-sided polishing is performed in order to significantly improve the flatness of the wafer and to improve the smoothness of the back surface to prevent the generation of Si scraps.
【００１５】（５）面取り部軟研削・研磨工程
ウェーハの面取り部の全体を研削液を供給しつつ砥石に
所定荷重を加えて加工する軟研削（ホーニング）を施
す。ラッピング、エッチング工程および両面研磨工程に
よって面取り部の平滑度および断面形状が損なわれるの
で、面取り部の平滑度および断面形状をある程度向上さ
せるためである。この場合の砥石の結合剤としては、特
に制限はされないが、窯業原料系のビトリファイド等の
結合剤や、メタル結合剤を用いる。この場合は、表面平
滑度向上に加えて、ラッピングおよびエッチングで崩れ
た面取り部断面形状の修正の能力が向上する。その後、
ウェーハの面取り部の全体を研磨液を供給しつつバフ等
によって研磨する。軟研削による極く表層の残留歪除去
と、平滑化によりデバイス工程途中のＳｉ屑やＳｉ微粉
の発生を防止し、かつ、レジストの切れ具合を向上する
ためである。(5) Soft Grinding / Polishing Process of Chamfering Part The entire chamfering part of the wafer is subjected to soft grinding (honing) in which a predetermined load is applied to the grindstone while supplying a grinding liquid. This is because the smoothness and the cross-sectional shape of the chamfered portion are impaired by the lapping, etching step and double-sided polishing step, so that the smoothness and the cross-sectional shape of the chamfered portion are improved to some extent. The binder for the grindstone in this case is not particularly limited, but a binder such as ceramic raw material vitrified or a metal binder is used. In this case, in addition to improving the surface smoothness, the ability to correct the cross-sectional shape of the chamfered portion destroyed by lapping and etching is improved. afterwards,
The entire chamfered portion of the wafer is polished by a buff or the like while supplying a polishing liquid. This is because the removal of residual strain in the very surface layer by soft grinding and the smoothing prevent the generation of Si scraps and Si fine powder during the device process, and improve the cutting quality of the resist.
【００１６】（６）表面研磨工程
ウェーハの表面を研磨液を供給しつつバフによって研磨
する。(6) Surface polishing step The surface of the wafer is polished by a buff while supplying a polishing liquid.
【００１７】Ｂ．面取り部加工装置
図２には面取り部の軟研削と研磨とを行う加工装置の一
例が示されている。この加工装置１は面取り部軟研削装
置２と面取り部研磨装置３とを備え、ノッチＮが形成さ
れたウェーハＷ（図３）やオリエンテーションフラット
（以下「オリフラ」という）Ｏが形成されたウェーハＷ
（図９）の面取り部の軟研削とその面取り部の研磨とを
連続的に行えるようになっている。B. Chamfer Processing Device FIG. 2 shows an example of a processing device that performs soft grinding and polishing of the chamfer. The processing apparatus 1 includes a chamfered portion soft grinding device 2 and a chamfered portion polishing device 3, and a wafer W (FIG. 3) having a notch N formed therein and a wafer W having an orientation flat (hereinafter referred to as “orifla”) O formed therein.
Soft grinding of the chamfered portion (FIG. 9) and polishing of the chamfered portion can be continuously performed.
【００１８】このうち面取り部軟研削装置２は、ウェー
ハＷを収納したカセット４を取り付けるためのカセット
取付け部（イ）と、カセット４から取り出されたウェー
ハＷのセンタリングやオリフラ／ノッチ位置出しを行う
位置決め部（ロ）と、ウェーハＷのノッチＮを軟研削す
るためのノッチ軟研削部（ハ）と、ウェーハＷの外周
（ノッチＮを除く）を軟研削するための外周軟研削部
（ニ）とを有し、一方、面取り部研磨装置３は、ウェー
ハＷのノッチＮを研磨するためのノッチ研磨部（ホ）
と、ウェーハＷの外周（ノッチＮを除く）を研磨するた
めの外周研磨部（ヘ）と、ウェーハＷの洗浄部（ト）
と、ウェーハＷを収納するためのカセット４を取り付け
るためのカセット取付け部（チ）とを有している。そし
て、この加工装置１においては、カセット取付け部
（イ）にローダ２０が、位置決め部（ロ）には図示しな
い位置決め装置が、ノッチ軟研削部（ハ）にはノッチ軟
研削装置２１が、外周軟研削部（ニ）には外周軟研削装
置２２が、ノッチ研磨部（ホ）にはノッチ研磨装置３０
が、外周研磨部（ヘ）には外周研磨装置３１が、洗浄部
（ト）には図示しない洗浄装置が、カセット取付け部
（チ）にはアンローダ３２がそれぞれ設けられている。
また、この加工装置１においては、ローダ２０によって
位置決め部（ロ）に送られ、ここで位置決めされたウェ
ーハＷを、ノッチ軟研削部（ハ）、外周軟研削部
（ニ）、ノッチ研磨部（ホ）、外周研磨部（ヘ）および
洗浄部（ト）に搬送する搬送装置４０（図５参照）が設
けられている。Of these, the chamfering soft grinding apparatus 2 performs cassette centering (a) for mounting the cassette 4 containing the wafer W, centering of the wafer W taken out from the cassette 4, and orientation flat / notch positioning. A positioning part (b), a notch soft grinding part (c) for softly grinding the notch N of the wafer W, and an outer peripheral soft grinding part (d) for softly grinding the outer periphery (excluding the notch N) of the wafer W. On the other hand, the chamfer polishing unit 3 has a notch polishing unit (e) for polishing the notch N of the wafer W.
An outer peripheral polishing part (f) for polishing the outer periphery of the wafer W (excluding the notch N), and a cleaning part (g) for the wafer W
And a cassette mounting portion (h) for mounting the cassette 4 for housing the wafer W. In the processing device 1, the loader 20 is mounted on the cassette mounting part (a), the positioning device (not shown) is mounted on the positioning part (b), and the notch soft grinding device 21 is mounted on the notch soft grinding part (c). The soft grinding part (d) has an outer peripheral soft grinding device 22 and the notch polishing part (e) has a notch polishing device 30.
However, the outer peripheral polishing unit (f) is provided with an outer peripheral polishing device 31, the cleaning unit (g) is provided with a cleaning device (not shown), and the cassette attachment part (h) is provided with an unloader 32.
Further, in this processing apparatus 1, the wafer W sent to the positioning section (B) by the loader 20 and positioned there is processed by the notch soft grinding section (C), the outer peripheral soft grinding section (D), and the notch polishing section ( E), a transfer device 40 (see FIG. 5) for transferring to the outer periphery polishing section (F) and the cleaning section (G).
【００１９】ローダ２０は、図４に示すように、多数の
ウェーハＷを積層状態に保持可能なカセット４を昇降さ
せる昇降装置（図示せず）と、このカセット４からウェ
ーハＷを１枚ずつ取り出すベルトコンベア２０ａとを備
え、カセット４の下側に保持されているウェーハＷから
順にベルトコンベア２０ａによって１枚ずつウェーハＷ
を取り出し、位置決め部（ロ）に送れるようになってい
る。As shown in FIG. 4, the loader 20 includes an elevating device (not shown) for elevating the cassette 4 capable of holding a large number of wafers W in a stacked state, and taking out the wafers W one by one from the cassette 4. The wafer W, which is provided with the belt conveyor 20a, is held one by one by the belt conveyor 20a in order from the wafer W held under the cassette 4.
Can be taken out and sent to the positioning section (b).
【００２０】搬送装置４０は、図５に示すように、アー
ム４０ａを備えており、このアーム４０ａは位置決め部
（ロ）、ノッチ軟研削部（ハ）、外周軟研削部（ニ）、
ノッチ研磨部（ホ）、外周研磨部（ヘ）および洗浄部
（ト）の配列方向に往復移動可能となっている。また、
アーム４０ａの先端部下側には吸着盤４０ｂが設けられ
ている。この吸着盤４０ｂは、図示しない空気管（図示
せず）を通じて、同じく図示しない吸引ポンプに連結さ
れている。また、吸着盤４０ｂはモータ４０ｃによって
回転できるようになっている。As shown in FIG. 5, the transfer device 40 is provided with an arm 40a. The arm 40a includes a positioning portion (b), a notch soft grinding portion (c), an outer circumference soft grinding portion (d),
The notch polishing part (e), the outer periphery polishing part (f), and the cleaning part (g) can be reciprocated in the arrangement direction. Also,
A suction plate 40b is provided below the tip of the arm 40a. The suction plate 40b is also connected to a suction pump (not shown) through an air pipe (not shown) which is not shown. The suction plate 40b can be rotated by a motor 40c.
【００２１】ノッチ軟研削装置２１は、図２に示すよう
に、円板状の軟砥石２１ａを備えており、この軟砥石２
１ａは一対のアーム２１ｂ，２１ｂにて支持されてい
る。そして、このノッチ軟研削装置２１では、軟砥石２
１ａは図示しないモータによって回転駆動されるように
なっており、軟砥石２１ａの外周をウェーハＷのノッチ
Ｎに押し当て、ウェーハＷを小角度往復回転させること
によって、ウェーハＷのノッチＮが軟研削される。この
軟研削を行うため、軟砥石２１ａはウェーハＷに対して
接近離反できるようにされ、軟研削中、所定の荷重でウ
ェーハＷのノッチＮに押し付けられている。As shown in FIG. 2, the notch soft-grinding device 21 is provided with a disc-shaped soft grindstone 21a.
1a is supported by a pair of arms 21b and 21b. Then, in this notch soft grinding device 21, the soft grindstone 2
1a is driven to rotate by a motor (not shown). By pressing the outer periphery of the soft grindstone 21a against the notch N of the wafer W and rotating the wafer W back and forth by a small angle, the notch N of the wafer W is soft-ground. To be done. In order to perform this soft grinding, the soft grindstone 21a is made to be able to move toward and away from the wafer W, and is pressed against the notch N of the wafer W with a predetermined load during the soft grinding.
【００２２】外周軟研削装置２２は、図６に示すよう
に、円筒状の軟砥石２２ａを２つ備えている。各軟砥石
２２ａの外周には、ウェーハＷの外周を受容する溝（総
形溝）２２ｂが設けられている。各軟砥石２２ａはモー
タ２２ｃによって回転駆動されるようになっている。こ
の外周軟研削装置２２では、両軟砥石２２ａの溝２２ｂ
の内面をウェーハＷの外周に所定荷重で押し当てること
によって、ウェーハＷの外周を軟研削するようになって
いる。なお、両軟砥石２２ａは互いに接近離反できるよ
うにされており、ウェーハＷを挟み込むことができるよ
うになっている。この外周軟研削装置２２では、オリフ
ラＯも軟研削される。As shown in FIG. 6, the outer peripheral soft grinding device 22 is provided with two cylindrical soft grindstones 22a. Grooves (formal grooves) 22b for receiving the outer periphery of the wafer W are provided on the outer periphery of each soft grindstone 22a. Each soft grindstone 22a is driven to rotate by a motor 22c. In this outer peripheral soft grinding device 22, the grooves 22b of both soft whetstones 22a are formed.
By pressing the inner surface of the wafer W against the outer circumference of the wafer W with a predetermined load, the outer circumference of the wafer W is softly ground. The two soft whetstones 22a can be moved toward and away from each other so that the wafer W can be held therebetween. In this outer peripheral soft grinding device 22, the orientation flat O is also soft ground.
【００２３】ノッチ研磨装置３０は、図２に示すよう
に、円板状の発泡樹脂製のバフ３０ａを備えており、こ
のバフ３０ａは一対のアーム３０ｂ，３０ｂにて支持さ
れている。そして、このノッチ研磨装置３０では、バフ
３０ａは図示しないモータによって回転駆動されるよう
になっており、バフ３０ａの外周を所定の荷重でウェー
ハＷのノッチＮに押し当て、ウェーハＷを小角度往復回
転させることによって、ウェーハＷのノッチＮの全面が
研磨される。As shown in FIG. 2, the notch polishing apparatus 30 is provided with a disk-shaped foamed resin buff 30a, and the buff 30a is supported by a pair of arms 30b and 30b. In this notch polishing apparatus 30, the buff 30a is rotated by a motor (not shown), and the outer circumference of the buff 30a is pressed against the notch N of the wafer W with a predetermined load to reciprocate the wafer W by a small angle. By rotating, the entire surface of the notch N of the wafer W is polished.
【００２４】外周研磨装置３１は、図７に示すように、
円筒状のバフ３１ａを２つ備えている。各バフ３１ａの
外周には、ウェーハＷの外周を受容する溝（総形溝）３
１ｂが設けられている。各バフ３１ａはモータ３１ｃに
よって回転駆動されるようになっている。この外周研磨
装置３１では、両バフ３１ａの溝３１ｂの内面を所定の
荷重でウェーハＷの外周に押し当てることによって、ウ
ェーハＷの外周を研磨するようになっている。なお、両
バフ３１ａは互いに接近離反できるようにされており、
ウェーハＷを挟み込むことができるようになっている。As shown in FIG. 7, the outer peripheral polishing apparatus 31 is
It is provided with two cylindrical buffs 31a. A groove (formal groove) 3 for receiving the outer periphery of the wafer W is formed on the outer periphery of each buff 31a.
1b is provided. Each buff 31a is adapted to be rotationally driven by a motor 31c. In this outer periphery polishing apparatus 31, the inner periphery of the groove 31b of both buffs 31a is pressed against the outer periphery of the wafer W with a predetermined load to polish the outer periphery of the wafer W. Both buffs 31a are designed to be able to approach and separate from each other.
The wafer W can be sandwiched.
【００２５】アンローダ３２は、図８に示すように、多
数のウェーハＷを積層状態に保持可能なカセット４を昇
降させる昇降装置（図示せず）と、このカセット４にウ
ェーハＷを１枚ずつ収納するベルトコンベア３２ａとを
備え、カセット４の上側から順にウェーハＷをベルトコ
ンベア３２ａによって１枚ずつウェーハＷを収納するこ
とができるようになっている。As shown in FIG. 8, the unloader 32 includes an elevating device (not shown) for elevating the cassette 4 capable of holding a large number of wafers W in a stacked state, and the wafers W are housed in the cassette 4 one by one. The belt conveyor 32a is provided, and the wafers W can be stored one by one by the belt conveyor 32a from the upper side of the cassette 4.
【００２６】なお、面取り部の研磨が終了した後、洗浄
部（ト）に到達したウェーハＷは再度位置決めされるこ
とはない。After the polishing of the chamfered portion is completed, the wafer W reaching the cleaning portion (g) is not repositioned.
【００２７】以上に説明したウェーハの加工方法によれ
ば、面取り部の研磨前にウェーハの面取り部を軟研削す
るようにしているため、面取り部の研磨工程において所
望の粗さ以下の平滑度にするまでの時間が著しく短縮化
されることになり、かつ、前工程で崩れた断面形状を修
正できることになる。ちなみに、Ｐ−Ｖ値で５０ｎｍ程
度の粗さにするのに、軟研削を行わないものに比べて、
２０％程度の時間で済むことになった。According to the wafer processing method described above, since the chamfered portion of the wafer is soft-ground before the chamfered portion is polished, the smoothness of a desired roughness or less is obtained in the polishing process of the chamfered portion. This significantly shortens the time required to do so and can correct the cross-sectional shape that has collapsed in the previous step. By the way, in order to make the roughness of the P-V value about 50 nm, compared to the one without soft grinding,
It took about 20% of the time.
【００２８】以上、本発明者によってなされた発明の実
施例について説明したが、本発明は、かかる実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々の変形が可能である。Although the embodiments of the invention made by the present inventor have been described above, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明の代表的なものの効果を説明すれ
ば、面取り部の研磨前にウェーハの面取り部を軟研削す
るようにしているため、面取り部の研磨工程において所
望の粗さ以下の平滑度にするまでの時間が著しく短縮化
されることになり、かつ、前工程で崩れた断面形状を修
正できることになる。To explain the effects of the typical ones of the present invention, since the chamfered portion of the wafer is soft-ground before the chamfered portion is polished, the roughness less than or equal to the desired roughness is obtained in the chamfered portion polishing step. The time until smoothness is remarkably shortened, and the cross-sectional shape broken in the previous step can be corrected.
【図１】本発明に係る加工方法の工程図である。FIG. 1 is a process drawing of a processing method according to the present invention.
【図２】加工装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a processing device.
【図３】ノッチ付きのウェーハの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a notched wafer.
【図４】ローダの側面図である。FIG. 4 is a side view of the loader.
【図５】搬送装置の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a transfer device.
【図６】外周軟研削装置の側面図である。FIG. 6 is a side view of an outer peripheral soft grinding device.
【図７】外周研磨装置の側面図である。FIG. 7 is a side view of an outer circumference polishing apparatus.
【図８】アンローダの側面図である。FIG. 8 is a side view of the unloader.
【図９】オリフラ付きのウェーハの平面図である。FIG. 9 is a plan view of a wafer with an orientation flat.
１ 加工装置 ２ 面取り部軟研削装置 ３ 面取り部研磨装置 Ｗ ウェーハ 1 Processing device 2 chamfering soft grinding machine 3 Chamfer polishing device W wafer
フロントページの続き (72)発明者 山田 正幸 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社 半導体 白河研究所内 (56)参考文献 特開 平５−13388（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−6881（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−236489（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 1/00 B24B 9/00 601 H01L 21/304 601 H01L 21/304 621 Front page continuation (72) Masayuki Yamada Masayuki Yamada, Daigo 150, Odaira, Saigo-mura, Nishishirakawa-gun, Fukushima Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor Shirakawa Research Laboratory (56) Reference JP-A-5-13388 (JP, A) JP-A 5-6881 (JP, A) JP-A-8-236489 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) B24B 1/00 B24B 9/00 601 H01L 21/304 601 H01L 21/304 621
Claims (3)
ーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラ
ッピングを行った後エッチングを行い、その後、前記ウ
ェーハの面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工
するホーニングを施し、その後に、ウェーハの前記面取
り部の全体および表面の研磨を行うようにしたことを特
徴とするウェーハの加工方法。1. A wafer obtained by slicing an ingot is chamfered by grinding, the wafer is lapped and then etched, and then the entire chamfered portion of the wafer is subjected to a predetermined load on a grindstone. A method of processing a wafer, comprising performing honing for processing, and then polishing the entire chamfered portion and the surface of the wafer.
ーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラ
ッピングを行った後アルカリエッチングを行い、その
後、前記ウェーハの表裏面を同時に研磨し、前記ウェー
ハの面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する
ホーニングを施し、その後に、ウェーハの前記面取り部
の全体および表面の研磨を行うようにしたことを特徴と
するウェーハの加工方法。2. A wafer obtained by slicing an ingot is chamfered by grinding, the wafer is lapped and then alkali- etched, and then the front and back surfaces of the wafer are simultaneously polished to remove the wafer. The entire chamfered part is processed by applying a predetermined load to the grindstone.
A method of processing a wafer, comprising performing honing , and then polishing the entire chamfered portion and the surface of the wafer.
あることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方
法。3. The wafer processing method according to claim 1 , wherein the etching is alkali etching.
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