JP3393305B2 - 記憶装置及び情報処理システム - Google Patents

記憶装置及び情報処理システム

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JP3393305B2
JP3393305B2 JP28002292A JP28002292A JP3393305B2 JP 3393305 B2 JP3393305 B2 JP 3393305B2 JP 28002292 A JP28002292 A JP 28002292A JP 28002292 A JP28002292 A JP 28002292A JP 3393305 B2 JP3393305 B2 JP 3393305B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子スチルカメラ等に用
いて有用なICメモリカードの如き記憶装置及び情報処
理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来からスチルカメラやVTR一体型の
カメラ等では撮像情報をカメラ内に実装したICメモリ
カードに格納する様に成されている。このICメモリカ
ードは半導体集積回路等のメモリ媒体を合成樹脂型外筐
体内に埋設した構造と成され、半導体集積回路としては
フラッシュEEPROM(電気的消去可能型プログラマ
ブルROM)等が用いられている。
【0003】この様な一括消去が可能なフラッシュEE
PROMとしてはNOR型フラッシュやNAND型EE
PROM等が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述の様にフラッシュ
EEPROMを用いたICメモリカードで書き換えを行
なう場合に、この不揮発性半導体メモリチップは消去依
存性及び使用回数の依存性が大きく、例えば書き込み回
数が多くなったり、消去回数が増加すると徐々に劣化し
書き込み時間や消去時間が長くなる欠点があった。この
為にICメモリカード全体の書き換え速度が遅くなる問
題があった。
【0005】この様な一括消去型のEEPROMを用い
たICメモリカードでは書き換え回数やチップの劣化状
態の管理が行なわれていないために、そのICメモリカ
ードがどの程度使用されているのか、或はチップ内に既
に欠陥セルがあって使用出来なくなっているのかは、実
際にICメモリカードに書き込みを行ってみなくては判
断出来ない問題があった。
【0006】又、ICメモリカードでは最も書き換え回
数やチップの劣化の激しいセクタによって寿命が制限さ
れ、ICメモリカード中に使用の少ないセクタがあって
充分に使用可能であっても利用されないまま廃棄されて
いた。
【0007】更に、実際にデータの書き込みを行なわな
くては外観をみただけでは新品なのか使用不可なのか解
らず重要なデータを保存しようとしても保存出来なかっ
たり、使えても書き込み速度が極度に遅い等の問題があ
った。
【0008】本発明は叙上の問題点を解消した記憶装置
及び情報処理システムを提供しようとするもので、その
目的とするところはICメモリカード等でメインメモリ
内のセクタ内のセルのすべての消去回数や劣化状態を管
理すると共に、これをICメモリカードの所定領域に記
憶し、且つICメモリカード外筐にも劣化状態等を表示
可能な表示手段を設けて、ICメモリカードの使用状態
や劣化状態を一目で解る様にしたものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に係わる本発明
はメモリ処理装置の挿入口に装着され、データが書込ま
れる記憶装置において、少なくとも1つのセクタを有す
る複数のブロックを有し、ブロック単位で消去可能な不
揮発性メモリから成る第1記憶手段と、この第1記憶手
段の各セクタの物理的位置を示す複数の物理セクタ番号
が順に並べられる物理番号列と、第1記憶手段のセクタ
にデータが記憶される場合はセクタに記憶されるデータ
の論理セクタ番号が書込まれ、セクタにデータが記憶さ
れない場合は所定値を保持する論理番号列と、第1記憶
手段の各セクタ毎に、各セクタのデータの書換え回数が
書込まれる書換え使用回数列とを有する物理セクタ管理
テーブルと、データの論理セクタ番号が順に並べられる
論理番号列と、各論理番号に対応する第1記憶手段の各
セクタの物理的位置を示す複数の物理セクタ番号が書込
まれる物理番号列とを有する論理セクタ管理テーブルと
を記憶する第2記憶手段と、第1記憶手段および第2記
憶手段を制御する制御部と、第1記憶手段、第2記憶手
段および制御部を内部に備え、帯状の接続端子が上面の
挿入方向前端部に並設される筺体とを有し、帯状の接続
端子は、挿入方向に平行に配置され、筺体内部の制御部
と接続されることを特徴とする記憶装置としたものであ
る。
【0010】請求項2に係わる本発明は(1)少なくと
も1つのセクタを有する複数のブロックを有し、ブロッ
ク単位で消去可能な不揮発性メモリから成る第1記憶手
段と、この第1記憶手段の各セクタの物理的位置を示す
複数の物理セクタ番号が順に並べられる物理番号列と、
第1記憶手段のセクタにデータが記憶される場合はセク
タに記憶されるデータの論理セクタ番号が書込まれ、セ
クタにデータが記憶されない場合は所定値を保持する論
理番号列と、第1記憶手段の各セクタ毎に、各セクタの
データの書換え回数が書込まれる書換え使用回数列とを
有する物理セクタ管理テーブルと、データの論理セクタ
番号が順に並べられる論理番号列と、各論理番号に対応
する第1記憶手段の各セクタの物理的位置を示す複数の
物理セクタ番号が書込まれる物理番号列とを有する論理
セクタ管理テーブルとを記憶する第2記憶手段と、第1
記憶手段および第2記憶手段を内部に備え、帯状の接続
端子が上面の挿入方向前端部に並設される筺体とを有す
る記憶装置と、(2)記憶装置に記憶される管理テーブ
ルを参照して、データの上記メインメモリエリア内への
書込み位置を制御する制御部を備えるメモリ処理装置と
を含むことを特徴とする情報処理システムとしたもので
ある。
【0011】
【0012】
【作用】請求項1及び請求項2に係わる本発明による
と、第1記憶手段の各セクタ毎に、各セクタのデータの
書換え回数が書込まれる書換え使用回数列を有する管理
テーブルを記憶した管理テーブルエリアを備えた第2記
憶装置を設けてデータの書き換え時に一部に偏らない様
に、不良又は欠陥セクタ等の劣化セクタは使用しない様
にしたので、ICメモリカード等の記憶装置内のすべて
のセクタを均等に利用出来る。更にICメモリセクタの
劣化状態を表示する様にしたので使用者がICメモリカ
ードのセクタの使用、不使用状態を一目で認識すること
が可能な記憶装置及び情報処理システムを得ることが出
来る。
【0013】
【0014】
【0015】
【実施例】以下、本発明の記憶装置及び情報処理システ
ムを図1乃至図7について詳記する。
【0016】先ず本例の記憶装置及び情報処理システム
として図5A,B及び図6A,BによってICメモリカ
ード及びカードライタ(カード記録/読み取り装置)に
ついて説明する。図5Aは例えばスチルカメラ等のカー
ドライタの全体的斜視図を、図5BはカードライタへI
Cメモリカードを挿入する状態を示す平面図、図6Aは
ICメモリカードの平面図、図6Bは表示部の表示状態
説明図である。
【0017】図5Aで102はカードライタであり、筐
体109の前面に形成された挿入孔110を介してIC
メモリカード101を挿脱自在に構成することで、カー
ドライタ102内でICメモリカード101へのデータ
書き込み読み出し及び一括消去等が行なわれる。
【0018】ICメモリカード101内には不揮発性の
フラッシュEEPROMとこれらEEPROMに記憶さ
れている情報を維持する電源と必要に応じてCPU等の
演算手段を含み、ICメモリカード101の一端部には
カードライタ102内に設けられた、例えば接栓座10
5とコネクされる接栓108を有し、更にカードの所
定位置にサーマルラベル107を貼着する。このサーマ
ルラベルに代わってサーマルインデックスペイントによ
って所定形状にマーキングを施す様にしてもよい。
【0019】このサーマルラベル107或はサーマルイ
ンデックスペイントは数十度乃至数百度の温度で不可逆
的な色変化、例えば白色から黒色に変化する様なもので
ある。
【0020】この様なサーマルラベル107を加熱する
ためにカードライタ102の挿入口110の上側、即
ち、筐体109の上面板の裏側に図5B図示の如くサー
マルヘッド104を並設する。
【0021】ICメモリカード101の接栓108がカ
ードライタ102内の接栓座105に嵌め合されて筐体
109のカードホルダ部103にICメモリカード10
1が全部或は一部挿入された時にカードライタ102側
に並設したサーマルヘッド104がICメモリカード1
01上に貼着させたサーマルラベル107上に対向する
様に成して、ICメモリカード101がカードライタ1
02の挿入孔110に挿入されて、データの書き込み或
は読み出し、消去等が行なわれる毎にICメモリカード
内のEEPROMには影響を与えない様にしつつサーマ
ルラベルを変色させる様に成す。
【0022】かくすれば図6Aの様にICメモリカード
101の表面に貼着したサーマルラベル107の上に例
えば使用中、劣化軽、劣化重、使用済等の表示文字10
6を設けておけば色の変化度合からICメモリカードの
劣化状態を一目で見分けることが可能と成る。
【0023】図6Aはサーマルラベル107の上部に表
示文字106を記入したラベルを貼着するか、表示文字
106を彫設した例であるが、図6Bの様に、サーマル
ラベル107が未使用状態であれば白色であったもの
が、使用されるとサーマルラベル107上に表示文字が
“使用中”の様に浮き出る様に構成させることも出来
る。
【0024】上述のICメモリカード101の劣化表示
方法としてはサーマルラベル107を用いたが図7の様
に箔状のヒューズ等を用いてもよい。
【0025】図7はICメモリカード101の表示部の
一部断面を示すもので、ICメモリカード101の上部
ケース301の一部に透明窓302を設け、ユーザが内
部を見ることが出来る様に構成する。透明窓302の下
端には箔状のヒューズ303を有し、このヒューズ30
3の両端は端子305に接続され、端子305はリード
線306に接続されている。このリード線306はカー
ドライタ102からの電流源に接続されている。ヒュー
ズ303の下端、即ちICメモリカード101の下部ケ
ース或は基板307上には“使用中”劣化軽等の文字表
示の成されたマーク304が設けられている。
【0026】この様なICメモリカード101をカード
ライタ102内に挿入すると初期状態ではヒューズ30
3で隠れていたマーク304はカードライタ102の電
流源から供給される電源がリード線306、端子305
を通じてヒューズ303に流れてヒューズ303を切断
すると、マーク304の例えば「使用中」の文字表示を
透明窓302を介してユーザは見ることが出来る。
【0027】上述の様にICメモリカード101の劣化
状態をICメモリカード101の表面に表示するために
は、ICメモリカードのメモリチップの劣化状態、例え
ば再書き込み回数及び消去時間等を判断し、この判断結
果に基づいてサーマルラベル107への加熱による変更
を行うと共にICメモリカード101の所定のアトリビ
ュートメモリの書き換えを行なう様にする。
【0028】この為にICメモリカード101内のアト
リビュートメモリにセクタ或はブロック毎の管理テーブ
ルを設けて書き換えを行なう。
【0029】この様な管理テーブルの一例を図1乃至図
4で説明する。図2はICメモリカード101内のメモ
リ配置例を示すもので、アトリビュートメモリ111、
メインメモリ112、CPU113、接栓108並に図
示しない表示部で構成されている。
【0030】図3A,B,Cは本例の管理テーブルエリ
アとメインテーブルエリアの一構成例を示すものであ
り、図3Aに示すものは論理セクタテーブルエリア1
を、図3Bは物理セクタ管理テーブルエリア2を図3C
はメインメモリエリア3を示している。
【0031】図3Aに示す論理セクタテーブルエリア1
は、論理セクタ番号から物理セクタ番号への変換テーブ
ルである。実際にメモリエリアとして使用するセクタ数
=Nの分のテーブルがある。この図3Aでは、N=12
8として説明すると論理セクタテーブルエリア1におい
て、例えば1番と2番の論理セクタはそのまま1、2番
の物理セクタを使用しているが、3番の論理セクタは1
29番の物理セクタを使用していることを表している。
図3に示す物理セクタ管理テーブルエリア2は、実際
の物理セクタ1つずつの情報を管理するためのテーブル
である。図3Cに示すメインメモリエリア3は、実際の
データを記録する部分である。図3Cで1つのセクタ3
−1〜3−Mが書き込みの単位で、1つの消去ブロック
をいくつかのセクタに分けてもよいし、1セクタでもよ
い。メインメモリエリア3は、論理セクタの数N個より
多いか等しい数のM個のセクタから構成され、M−N個
のセクタが予備セクタ或は不使用セクタ、欠陥セクタで
ある。
【0032】物理セクタ管理テーブルエリア2の詳細例
を図1に示す。物理セクタ管理テーブルエリア2には、
物理セクタの数=M個分のテーブルが物理セクタの番号
順に並んでいて、その内容は、論理セクタ番号4、書き
換え使用回数(ユーザが書き込んだ回数)5、再書き込
み回数6、消去繰り返し回数(1つのブロック消去のた
めの繰り返し回数)7、使用状況フラグ8等が書き込ま
れる。
【0033】再書き込み回数は、1回の書き込みで支
障なく書ければ1、書き込みエラーで書き込みを繰り返
せばその回数を書けば良い。書き込み単位がセクタサイ
ズより小さい場合は、そのセクタ内で、最も多かった回
数にすれば良い。
【0034】使用状況フラグ8は、例えば、未使用:
0、使用中:1、一時使用中止:2、使用不可:255
等にしてセクタごとの管理を行なう。
【0035】書き換え使用回数5及び消去繰り返し回数
は書き換え及び消去回を累計して行けばよい。
【0036】スチルカメラ等の撮像データをICメモリ
カードに記憶させる場合では画像データはメモリエリア
の先頭から書くことがほとんどであると考えられるの
で、メモリエリアの先頭に近い部分程、劣化が早く、末
尾の方は使用頻度が少なくなることに成る。
【0037】図1では、例えば5番の物理セクタは、書
き換え使用が多く、再書き込み回数が規定の25回を越
えて欠陥セクタとなったため、交換されている。この時
は、論理セクタ番号4をNよりも大きい数にしておけば
良い。
【0038】8番の物理セクタは、書き換え使用が多
く、欠陥ではないが再書き込み回数が2になり、さらに
消去繰り返し回数も26と多くなったので、書き込み時
間が遅い。このように、遅いセクタが幾つもあるような
使用状態では、全体の書き込みスピードが非常に遅くな
ってしまい、例えばスチルカメラでの被写体を連続的に
撮影する連写性能が規格値よりも下がってしまう。そこ
で、130番の物理セクタと入れ換えて、書き込み性能
が下がらないようにすることが出来る。
【0039】図1では、131番からM番までが未使用
のセクタであるが、未使用セクタがなくなっても、まだ
実際の書き込みが行なわれていないセクタがあれば、遅
くなったセクタと入れ換えて、劣化がメインメモリエリ
ア全体に均等に進む様に出来る。これにより、メインメ
モリエリア全体の使用寿命を延ばすことが出来る。
【0040】欠陥セクタの数が多くなり、始めの論理セ
クタ数よりも使用できるセクタ数が少なくなった場合
は、論理セクタテーブル1のテーブル数を減らすことに
より、メモリ容量が減っても、残りのメモリエリアを同
じ様に使うことが出来る。
【0041】この様に管理テーブルに書かれた再書き込
み回数6、消去繰り返し回数7或は使用状況フラグ8を
CPU113がセクタ毎にみて書き込みや消去が遅いセ
クタを選択し、未使用のセクタ或は予備のセクタと交換
することでICメモリカードへの全体的書き込み速度の
低下を防ぐことが出来る。又、書き換えが一部のセクタ
に偏らないので全体のセクタを均等に使えるのでトータ
ルの書き換え回数を増やすことが可能と成る。
【0042】上記したICメモリカード101のサーマ
ルラベル107への書き込み判定条件の流れ図を図4で
説明する。フラッシュEEPROMの場合は書き換え可
能回数は1万回とか10万回とか云う保証が成される
か、使用環境によって劣化の状況は大きく変化し、消去
と再書き込み回数の依存性が大きいのでテレホンカード
の様に一定度数を計数して表示させる様なことが出来な
い。そこでICメモリカードのチップに劣化状態の判断
を予め管理テーブルに記憶して置いた再書き込み回数と
消去繰り返し回数等を基準に行なう様にする。図4の劣
化判断の流れ図で第1ステップST1 の書き込み処理S
1 は通常行なわれるデータの書き込みであり、この第
1ステップST1 には物理セクタ管理テーブルエリア2
内の使用状況フラグ8のサーチを行なった後に、最適な
フラグの選択を行ない、この使用状況フラグ8、書き換
え使用回数5、再書き込み回数6、消去繰り返し回数7
等の書き込みが行なわれる。
【0043】この様な第1ステップST1 での書き込み
中にメモリセル欠陥のためエラー(規定の回数の再書き
込みを行っても書けない)が起こったか否かを第2ステ
ップST2 で判断する。
【0044】第2ステップST2 で欠陥があるYESで
あれば第3ステップST3 に進めて図6Aに示すサーマ
ルラベル107の「使用済」部分をマーキングする様に
サーマルヘッド104を加熱して変色させユーザに使用
済ICメモリカードであることが一目で解る様にする。
【0045】次の第4ステップST4 でアトリビュート
メモリ111内の物理セクタ管理テーブルエリア2内に
使用不可255等を書き込んでこのICメモリカードが
間違って使用されない様にする。
【0046】第2ステップST2 で欠陥がないNOの場
合は、第5ステップST5 の書き込み速度判定処理に進
められる。この書き込み速度判定処理では再書き込み回
数6や消去繰り返し回数7を基にカードの劣化状態を判
断する。具体的な回数はICメモリカードに使用されて
いるチップの種類によって変わって来るので種類毎にデ
ータを判断する機能をカードライタ102に持つ必要が
ある。実用的には使用した時の書き込み回数、消去時間
を基準とすれば充分である。或はICカードメモリのア
トリビュートメモリ111に夫々の基準データをメーカ
側で予め書き込んでおいて、カードライタで読み取る様
にしても良い。
【0047】いずれにしろ、第6ステップST6 に示す
様にアトリビュートメモリ111内のデータを読み出し
て、ICメモリカード101のそれまでの状態のデータ
を読み取り、又サーマルラベル107がどの様に書かれ
ているかのデータと、書き込み速度判定の結果と比較
し、第7ステップST7 の様にサーマルラベル107に
書く必要があるか否かをCPU113で判断する。サー
マルラベル107に書込む必要がなければエンドに至る
が、必要があるYESの状態では第8ステップST8a
ST8b,ST8c‥‥に進んで夫々の判断結果に応じてサ
ーマルヘッド104を駆動し、例えば劣化:軽(S
8b)劣化:重(ST8c)等のサーマルラベルを変色さ
せる。又ICメモリカード101を始めて使用する場合
は使用中(ST 8a)のサーマルラベルを変色させて使用
の開始状態を示す。
【0048】次の第9ステップST9 では移行した新し
いサーマラベルのデータや書き込み、消去状況データ
をアトリビュートメモリ111に書き込んでエンドに至
ることに成る。
【0049】尚、上述の実施例ではICメモリカード内
にCPU113を持ったものについて説明したがメモリ
ライタ102側にCPU113を持たせてもよいことは
明らかである。
【0050】
【発明の効果】本発明は叙上の様に構成させたでICメ
モリカード101が新品か、使用開始されたか、性能が
低下したか、寿命切れで使用不能か等の区別がサーマル
ラベルの色や表示文字によってユーザが一目で解る様に
成り、重要データの保存に失敗したり、書き込みが遅れ
たりすることが無い。
【0051】又、ICメモリカードの書き換えが一部の
セクタ(或はブロック)に偏らないため、すべてのセク
タ(或はブロック)を最後まで使えるのでトータルの書
き換え使用回数を増加させることが出来る。更に書き込
みや消去の遅いセクタ(或はブロック)を未使用のセク
タ(或はブロック)に置き換えることが出来るので全体
として書き込み速度の低下を防ぐことの出来る記憶装置
及び情報処理システムが得られる。又、論理管理テーブ
ルは論理(番号)順に並んでいるのでデータの読み取り
或は書き込み時の速度を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の記憶装置に用いる物理セクタ管理テー
ブルエリアの詳細図である。
【図2】本発明の記憶装置のメモリ配置図である。
【図3】本発明の記憶装置の管理テーブルとメインメモ
リエリアの構成図である。
【図4】本発明の記憶装置又は情報処理システムによる
メモリの劣化判断を示す流れ図である。
【図5】本発明の記憶装置及び情報処理システムに用い
るメモリ媒体とメモリ処理装置の構成図である。
【図6】本発明の記憶装置の表示状態図である。
【図7】本発明の記憶装置のラベルの他の表示方法を示
す図である。
【符号の説明】 2 物理セクタ管理テーブルエリア 4 論理セクタ番号 5 書き換え使用回数 6 再書き込み回数 7 消去繰り返し回数 8 使用状況フラグ 101 ICメモリカード 102 カードライタ 104 サーマルヘッド 107 サーマルラベル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06K 19/00 G06K 17/00

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリ処理装置の挿入口に装着され、デ
    ータが書込まれる記憶装置において、 少なくとも1つのセクタを有する複数のブロックを有
    し、ブロック単位で消去可能な不揮発性メモリから成る
    第1記憶手段と、 上記第1記憶手段の各セクタの物理的位置を示す複数の
    物理セクタ番号が順に並べられる物理番号列と、 上記第1記憶手段のセクタにデータが記憶される場合は
    該セクタに記憶されるデータの論理セクタ番号が書込ま
    れ、セクタにデータが記憶されない場合は所定値を保持
    する論理番号列と、 上記第1記憶手段の各セクタ毎に、各セクタのデータの
    書換え回数が書込まれる書換え使用回数列とを有する物
    理セクタ管理テーブルと、データの論理セクタ番号が順に並べられる論理番号列
    と、各論理番号に対応する上記第1記憶手段の各セクタ
    の物理的位置を示す複数の物理セクタ番号が書込まれる
    物理番号列とを有する論理セクタ管理テーブルとを記憶
    する第2記憶手段と、 上記第1記憶手段および第2記憶手段を制御する制御部
    と、 上記第1記憶手段、第2記憶手段および制御部を内部に
    備え、帯状の接続端子が上面の挿入方向前端部に並設さ
    れる筺体とを有し、 上記帯状の接続端子は、挿入方向に平行に配置され、筺
    体内部の制御部と接続される ことを特徴とする記憶装
    置。
  2. 【請求項2】 (1)少なくとも1つのセクタを有する
    複数のブロックを有し、ブロック単位で消去可能な不揮
    発性メモリから成る第1記憶手段と、 上記第1記憶手段の各セクタの物理的位置を示す複数の
    物理セクタ番号が順に並べられる物理番号列と、上記
    1記憶手段のセクタにデータが記憶される場合は該セク
    タに記憶されるデータの論理セクタ番号が書込まれ、セ
    クタにデータが記憶されない場合は所定値を保持する論
    理番号列と、上記第1記憶手段の各セクタ毎に、各セク
    タのデータの書換え回数が書込まれる書換え使用回数列
    とを有する物理セクタ管理テーブルと、データの論理セ
    クタ番号が順に並べられる論理番 号列と、各論理番号に
    対応する上記第1記憶手段の各セクタの物理的位置を示
    す複数の物理セクタ番号が書込まれる物理番号列とを有
    する論理セクタ管理テーブルとを記憶する第2記憶手段
    と、 上記第1記憶手段および第2記憶手段を内部に備え、帯
    状の接続端子が上面の挿入方向前端部に並設される筺体
    とを有する記憶装置と、 (2)上記記憶装置に記憶される上記管理テーブルを参
    照して、データの上記メインメモリエリア内への書込み
    位置を制御する制御部を備えるメモリ処理装置とを含む
    ことを特徴とする情報処理システム。
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