JP3391010B2 - Proximity switch - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高周波発振形の近接ス
イッチに関し、特に発振回路として正帰還形のものを用
いた近接スイッチに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency oscillation type proximity switch, and more particularly to a proximity switch using a positive feedback type oscillation circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】図7は正帰還形発振回路を用いた近接ス
イッチの従来例を示す。図7において、定電流回路2か
ら所定の定電流がバイアス用ダイオード3のアノードに
出力される。このバイアス用ダイオード3のアノードは
発振用トランジスタ4のベースに接続され、そのカソー
ドは被検出体の接近によってそのインピーダンスが変化
する検出コイル1Aとコンデンサ1Bとが並列に接続さ
れた共振回路1に接続される。発振用トランジスタ4の
エミッタは抵抗5を介して負側電源端子15に接続さ
れ、コレクタはトランジスタ6Aのベースとコレクタに
接続され、このトランジスタ6Aを介して正側電源端子
14に接続されている。トランジスタ6Aはトランジス
タ6Bとともに電流ミラー回路6を形成し、発振用トラ
ンジスタ4のコレクタ電流にほぼ等しい電流が共振回路
1に正帰還される。発振用トランジスタ4のベースに、
被検出体が接近したか否かを検出するレベル弁別回路1
2の入力端子が接続され、このレベル弁別回路12の出
力端子は出力トランジスタ13のベースに接続され、こ
の出力トランジスタ13のエミッタは負側電源端子15
に、コレクタは信号端子16に接続される。2. Description of the Related Art FIG. 7 shows a conventional proximity switch using a positive feedback oscillator circuit. In FIG. 7, the constant current circuit 2 outputs a predetermined constant current to the anode of the biasing diode 3. The anode of the biasing diode 3 is connected to the base of the oscillating transistor 4, and the cathode thereof is connected to the resonance circuit 1 in which the detection coil 1A and the capacitor 1B whose impedance changes depending on the proximity of the object to be detected are connected in parallel. To be done. The emitter of the oscillation transistor 4 is connected to the negative power supply terminal 15 via the resistor 5, the collector is connected to the base and collector of the transistor 6A, and is connected to the positive power supply terminal 14 via the transistor 6A. The transistor 6A forms a current mirror circuit 6 together with the transistor 6B, and a current substantially equal to the collector current of the oscillation transistor 4 is positively fed back to the resonance circuit 1. At the base of the oscillation transistor 4,
Level discrimination circuit 1 for detecting whether or not a detected object approaches
2 input terminals are connected, the output terminal of the level discrimination circuit 12 is connected to the base of the output transistor 13, and the emitter of the output transistor 13 is the negative power supply terminal 15
The collector is connected to the signal terminal 16.
【0003】共振回路1は、その発振電圧が発振用トラ
ンジスタ4により電流に変換され、電流ミラー回路6を
介して正帰還されて発振を継続する。発振用トランジス
タ4のベースには、バイアス用ダイオード3により直流
バイアス電圧が印加され、この直流バイアス電圧を中心
に発振電圧が重畳される。検出コイル1Aに被検出体が
接近していないとき、検出コイル1Aのインピーダンス
は高く、発振用トランジスタ4のベースに印加される発
振電圧は高い。レベル弁別回路12はこの発振電圧が設
定レベルより高いことを弁別し、このときは信号を出力
せず出力トランジスタ13はオフとなっている。被検出
体が接近すると検出コイル1Aのインピーダンスは低下
し、発振用トランジスタ4のベースに印加される発振電
圧は低下する。レベル弁別回路12はこの電圧が設定レ
ベルより低いことを弁別して信号を出力し、出力トラン
ジスタ13はオンする。出力トランジスタ13のオフあ
るいはオンの信号は、信号端子16から被検出体の接近
を検出する検出信号として出力される。The oscillation voltage of the resonance circuit 1 is converted into a current by the oscillation transistor 4 and is positively fed back through the current mirror circuit 6 to continue oscillation. A DC bias voltage is applied to the base of the oscillation transistor 4 by the biasing diode 3, and the oscillation voltage is superimposed around this DC bias voltage. When the object to be detected is not close to the detection coil 1A, the impedance of the detection coil 1A is high and the oscillation voltage applied to the base of the oscillation transistor 4 is high. The level discriminating circuit 12 discriminates that the oscillation voltage is higher than the set level, and at this time, the signal is not output and the output transistor 13 is off. When the object to be detected approaches, the impedance of the detection coil 1A decreases, and the oscillation voltage applied to the base of the oscillation transistor 4 decreases. The level discrimination circuit 12 discriminates that this voltage is lower than the set level and outputs a signal, and the output transistor 13 is turned on. The off or on signal of the output transistor 13 is output from the signal terminal 16 as a detection signal for detecting the approach of the detected object.
【0004】しかし、この近接スイッチは、被検出体が
磁性体であるか非磁性体であるかによって検出距離が変
化する問題がある。図8および図9は、被検出体が磁性
体の場合と非磁性体の場合について、検出コイルと被検
出体との距離に対する共振回路1の共振周波数およびイ
ンピーダンスを測定した一例を示す。図8において、共
振回路1の共振周波数は、被検出体が無い場合の共振周
波数F0 に対し、磁性体の被検出体が近づいてもその共
振周波数はほぼ一定の共振周波数F0 に維持されるが、
非磁性体の被検出体が近づくとその共振周波数は上昇す
る。また、共振回路1のインピーダンスは、図9に示す
ように被検出体が無い場合のインピーダンスZ0 に対
し、磁性体の被検出体が近づいたときはそのインピーダ
ンスは急速に減少するが、非磁性体の被検出体が近づい
たときは比較的緩やかに減少する。共振回路1のインピ
ーダンスの大きさは、発振用トランジスタのベースに印
加される発振電圧の大きさを定めるので、レベル弁別回
路の判別レベルに対応した共振回路1のインピーダンス
のレベルをZlとすれば、共振回路1のインピーダンス
がこのZlより低下すれば被検出体の接近を検出する検
出信号が出力される。すなわち、非磁性体の検出距離L
1 と磁性体の検出距離L2 とが異なり、非磁性体の場合
の検出距離L1 が磁性体の場合の検出距離L2 より短か
くなる。However, this proximity switch has a problem that the detection distance changes depending on whether the object to be detected is a magnetic material or a non-magnetic material. FIG. 8 and FIG. 9 show an example of measuring the resonance frequency and impedance of the resonance circuit 1 with respect to the distance between the detection coil and the detected body when the detected body is a magnetic body and a non-magnetic body. In FIG. 8, the resonance frequency of the resonance circuit 1 is maintained at a substantially constant resonance frequency F 0 with respect to the resonance frequency F 0 when there is no detection object, even when the magnetic detection object approaches. But
When the non-magnetic object to be detected approaches, its resonance frequency increases. Further, as shown in FIG. 9, the impedance of the resonance circuit 1 rapidly decreases when the magnetic object to be detected approaches the impedance Z 0 when the object to be detected does not exist, but is nonmagnetic. When the body to be detected approaches, it decreases relatively slowly. Since the magnitude of the impedance of the resonance circuit 1 determines the magnitude of the oscillation voltage applied to the base of the oscillating transistor, if the impedance level of the resonance circuit 1 corresponding to the discrimination level of the level discrimination circuit is Zl, If the impedance of the resonance circuit 1 is lower than Zl, a detection signal for detecting the approach of the object is output. That is, the detection distance L of the non-magnetic material
1 is different from the detection distance L 2 of the magnetic substance, and the detection distance L 1 in the case of a non-magnetic substance is shorter than the detection distance L 2 in the case of a magnetic substance.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】前述の近接スイッチで
は、被検出体が磁性体の場合と非磁性体の場合とによっ
て、検出距離に差を生じるので、例えば被検出体として
磁性体と非磁性体が混在する製造ラインなどでは問題を
生じることがある。本発明の目的は、被検出体が磁性体
の場合と非磁性体の場合とによって生じる検出距離の差
を低減することにある。In the proximity switch described above, there is a difference in detection distance depending on whether the object to be detected is a magnetic material or a non-magnetic material. This can cause problems in production lines with mixed bodies. An object of the present invention is to reduce the difference in the detection distance that occurs when the object to be detected is a magnetic material and a non-magnetic material.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明は被検出体の接近によりそのインピーダン
スが変化する検出コイルを含む第1の共振回路と、この
第1の共振回路の電圧を電流に変換する発振用トランジ
スタと、この発振用トランジスタに接続された第1のト
ランジスタと、この第1のトランジスタとともに電流ミ
ラー回路を形成し、前記第1のトランジスタに流れる前
記発振用トランジスタの出力電流を前記第1の共振回路
に正帰還する第2のトランジスタと、前記発振用トラン
ジスタと前記第1の共振回路との間に接続されたバイア
ス用ダイオードと、このバイアス用ダイオードに所定の
定電流を出力する定電流回路と、前記バイアス用ダイオ
ードと前記第1の共振回路とに並列に接続され、前記第
1の共振回路の共振周波数より低い共振周波数を有する
第2の共振回路とを備えるようにする。あるいは、被検
出体の接近によりそのインピーダンスが変化する検出コ
イルを含む第1の共振回路と、この第1の共振回路の電
圧を電流に変換する発振用トランジスタと、この発振用
トランジスタに接続された第1のトランジスタと、この
第1のトランジスタとともに電流ミラー回路を形成し、
前記第1のトランジスタに流れる前記発振用トランジス
タの出力電流を前記第1の共振回路に正帰還する第2の
トランジスタと、前記発振用トランジスタと前記第1の
共振回路との間に接続されたバイアス用ダイオードと、
このバイアス用ダイオードに所定の定電流を出力する定
電流回路と、前記バイアス用ダイオードと前記第1の共
振回路とに並列に接続され、被検出体の接近によりその
インピーダンスが変化する検出コイルを含む第2の共振
回路とを備え、前記第2の共振回路の検出コイルに磁性
体の被検出体と非磁性体の被検出体とが接近したとき
に、この検出コイルを含む第2の共振回路のインピーダ
ンスがそれぞれ等しくなる周波数に、前記第1の共振回
路の共振周波数を設定するようにする。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a first resonance circuit including a detection coil whose impedance changes as an object to be detected approaches, and a first resonance circuit of the first resonance circuit. An oscillating transistor for converting a voltage into a current, a first transistor connected to the oscillating transistor, a current mirror circuit together with the first transistor, and the oscillating transistor flowing through the first transistor. A second transistor that positively feeds back the output current to the first resonance circuit, a bias diode connected between the oscillation transistor and the first resonance circuit, and a predetermined constant for the bias diode. A constant current circuit that outputs a current, a biasing diode, and the first resonance circuit are connected in parallel, and both of the first resonance circuit and the first resonance circuit are connected. So that and a second resonant circuit having a resonance frequency lower than the frequency. Alternatively, a first resonance circuit including a detection coil whose impedance changes as an object to be detected approaches, an oscillation transistor that converts the voltage of the first resonance circuit into a current, and the oscillation circuit are connected to the oscillation transistor. Forming a current mirror circuit with the first transistor and the first transistor;
A second transistor that positively feeds back the output current of the oscillation transistor flowing in the first transistor to the first resonance circuit, and a bias connected between the oscillation transistor and the first resonance circuit. Diode for
A constant current circuit that outputs a predetermined constant current to the bias diode, and a detection coil that is connected in parallel with the bias diode and the first resonance circuit and that has an impedance that changes as an object to be detected approaches A second resonance circuit including a second resonance circuit, and including a detection coil of the second resonance circuit when a magnetic detection target and a non-magnetic detection target approach the detection coil of the second resonance circuit. Impeda
Nsu within equal frequency respectively, so as to set the resonance frequency of the first resonant circuit.
【0007】[0007]
【作用】請求項1記載の発明では、バイアス用ダイオー
ドと第1の共振回路とに並列に接続され、検出コイルを
含む第1の共振回路の共振周波数より低い共振周波数を
有する第2の共振回路を設けたので、非磁性体の被検出
体が第1の共振回路の検出コイルに接近したとき、第1
の共振回路の共振周波数は上昇するので、第2の共振回
路のインピーダンスは低下する。この第2の共振回路の
インピーダンスの低下によって、発振用トランジスタの
ベースに印加される発振電圧が低下するので、検出距離
が長くなる。一方、磁性体の被検出体が接近しても第1
の共振回路の共振周波数は一定であるので、検出距離に
変化を生じないので、被検出体が磁性体と非磁性体の場
合でほぼ変化のない検出距離にすることができる。According to the first aspect of the invention, the second resonance circuit is connected in parallel with the biasing diode and the first resonance circuit and has a resonance frequency lower than the resonance frequency of the first resonance circuit including the detection coil. Since the non-magnetic object to be detected approaches the detection coil of the first resonance circuit,
Since the resonance frequency of the resonance circuit increases, the impedance of the second resonance circuit decreases. Since the impedance of the second resonance circuit is reduced, the oscillation voltage applied to the base of the oscillation transistor is reduced, so that the detection distance is increased. On the other hand, even if the magnetic object to be detected approaches, the first
Since the resonance frequency of the resonance circuit is constant, the detection distance does not change, so that the detection distance can be made substantially unchanged when the detection target is a magnetic substance or a non-magnetic substance.
【0008】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明で第1の共振回路は所定の共振周波数を有する共振回
路とし、第2の共振回路を検出コイルを含む共振回路と
したものであり、この共振回路の共振特性は、非磁性体
の被検出体が接近したときは共振周波数が高くなる方向
に変化し、磁性体の被検出体が接近したときは共振周波
数が低下する方向に変化するので、この両特性が交差す
る点の周波数では、磁性体の被検出体と非磁性体の被検
出体が接近したときの第2の共振回路のインピーダンス
が等しくなる。従って、この共振周波数に等しく第1の
共振回路の共振周波数を設定することにより、被検出体
が磁性体と非磁性体とで発振電圧が等しくなるので、ほ
ぼ変化のない検出距離にすることができる。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the first resonance circuit is a resonance circuit having a predetermined resonance frequency, and the second resonance circuit is a resonance circuit including a detection coil. The resonance characteristics of this resonance circuit change so that the resonance frequency increases when a non-magnetic object is approached, and the resonance frequency decreases when a magnetic object is approached. Because of the change, the impedance of the second resonance circuit becomes equal when the magnetic detection target and the non-magnetic detection target approach each other at the frequency at the point where these two characteristics intersect. Therefore, by setting the resonance frequency of the first resonance circuit to be equal to this resonance frequency, the oscillating voltages of the magnetic substance and the non-magnetic substance of the object to be detected become equal to each other, so that the detection distance can be made substantially unchanged. it can.
【0009】[0009]
【実施例】図1は本発明の近接スイッチの一実施例を示
す回路図である。図1に示す実施例が図7に示す従来例
と異なるところは、図7の従来例のダイオード3Aと共
振回路1(以下第1の共振回路1と称する)とに並列
に、この第1の共振回路1の共振周波数F0 より若干低
い共振周波数Fc を有する第2の共振回路9を接続した
点にある。1 is a circuit diagram showing an embodiment of a proximity switch according to the present invention. The embodiment shown in FIG. 1 differs from the conventional example shown in FIG. 7 in that the diode 3A and the resonance circuit 1 (hereinafter referred to as the first resonance circuit 1) of the conventional example shown in FIG. The point is that the second resonance circuit 9 having a resonance frequency F c slightly lower than the resonance frequency F 0 of the resonance circuit 1 is connected.
【0010】この近接スイッチの動作を図3および図4
に示す特性図を参照して説明する。図3は第2の共振回
路9のインピーダンスを示し、第1の共振回路1の共振
周波数はF0 であり、第2の共振回路9の共振周波数F
c は第1の共振回路1の共振周波数F0 より若干低く、
この第2の共振回路9の共振時のインピーダンスはZ c
となっている。ここで、磁性体の被検出体が検出コイル
1Aに近づいたときは、第1の共振回路の共振周波数は
図4に示すように共振周波数F0 で殆んど変化しないの
で(図4は図8と同様の特性図である)、第2の共振回
路9のインピーダンスは一定のZ0 に維持されるが、非
磁性体の被検出体が検出コイル1Aに近づいたときは、
第1の共振回路1の共振周波数は図4に示すように上昇
し、例えば共振周波数Fd に上昇すると第2の共振回路
9のインピーダンスはZdに低下する。The operation of this proximity switch is shown in FIGS.
This will be described with reference to the characteristic diagram shown in FIG. Figure 3 shows the second resonance circuit
Resonance of the first resonant circuit 1 showing the impedance of the path 9
Frequency is F0And the resonance frequency F of the second resonance circuit 9
cIs the resonance frequency F of the first resonance circuit 1.0Slightly lower than
The impedance of the second resonance circuit 9 at the time of resonance is Z c
Has become. Here, the magnetic body to be detected is the detection coil
When approaching 1 A, the resonant frequency of the first resonant circuit is
As shown in FIG. 4, the resonance frequency F0And almost never changes
(FIG. 4 is a characteristic diagram similar to FIG. 8), the second resonance
The impedance of path 9 is constant Z0Maintained at, but non
When the magnetic object to be detected approaches the detection coil 1A,
The resonance frequency of the first resonance circuit 1 rises as shown in FIG.
For example, the resonance frequency FdSecond resonant circuit when rising to
The impedance of 9 drops to Zd.
【0011】ここで、第2の共振回路9はダイオード3
Aと第1の共振回路1とに並列に接続されているので、
非磁性体の被検出体の接近によって第2の共振回路9の
インピーダンスが低下すると、発振用トランジスタ4の
ベースに印加される発振電圧が低下し、検出距離が長く
なる。これに対し磁性体の被検出体が接近したときは、
第1の共振回路1のインピーダンスは一定に維持される
ので、検出距離に変化を生じない。従って図5において
(この図5は図9と同様の特性図である)、被検出体が
非磁性体の場合の検出距離L1 は長くなり、被検出体が
磁性体の場合の検出距離L2 に近づく。すなわち、被検
出体が磁性体の場合と非磁性体の場合との検出距離は合
致する方向に変化する。第1の共振回路1の共振周波数
F0 に対する第2の共振回路9の共振周波数Fc および
共振時のインピーダンスZc を好適に定めることによ
り、被検出体が磁性体のときと非磁性体のときでほぼ変
化のない検出距離にすることができる。Here, the second resonance circuit 9 includes the diode 3
Since A and the first resonance circuit 1 are connected in parallel,
When the impedance of the second resonance circuit 9 decreases due to the approach of the non-magnetic object to be detected, the oscillation voltage applied to the base of the oscillation transistor 4 decreases, and the detection distance increases. On the other hand, when the magnetic object to be detected approaches,
Since the impedance of the first resonance circuit 1 is maintained constant, the detection distance does not change. Therefore, in FIG. 5 (this FIG. 5 is a characteristic diagram similar to FIG. 9), the detection distance L 1 when the detection target is a non-magnetic material is long, and the detection distance L 1 when the detection target is a magnetic material. Approaching 2 That is, the detection distances when the object to be detected is a magnetic material and when it is a non-magnetic material are changed in the same direction. By appropriately determining the resonance frequency F c of the second resonance circuit 9 and the impedance Z c at resonance with respect to the resonance frequency F 0 of the first resonance circuit 1, it is possible to detect whether the detection target is a magnetic substance or a non-magnetic substance. It is possible to make the detection distance almost unchanged.
【0012】図2は本発明の近接スイッチの異なる実施
例を示す回路図である。図2に示す実施例が図1に示す
実施例と異なるところは、図1に示すコイル9Aにコン
デンサ9Bが並列に接続された第2の共振回路に代え
て、コイル10Aとコンデンサ10Cとからなる直列回
路にコンデンサ10Bが並列に接続された第2の共振回
路10を設けた点にある。この実施例の動作は図1に示
す実施例の動作と同様であるが、コイル10Aに直列に
接続されたコンデンサ10Cを設けたことで、この第2
の共振回路10の共振周波数Fc および共振時のインピ
ーダンスZc の調整時において、調整要素が増加し微調
整が容易になる特徴がある。FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the proximity switch of the present invention. The embodiment shown in FIG. 2 is different from the embodiment shown in FIG. 1 in that a coil 10A and a capacitor 10C are used instead of the second resonance circuit in which the capacitor 9B is connected in parallel to the coil 9A shown in FIG. The second resonance circuit 10 in which the capacitor 10B is connected in parallel is provided in the series circuit. The operation of this embodiment is the same as the operation of the embodiment shown in FIG. 1, but the capacitor 10C connected in series to the coil 10A is provided.
When the resonance frequency F c of the resonance circuit 10 and the impedance Z c at resonance are adjusted, the number of adjustment elements is increased and fine adjustment is facilitated.
【0013】また、図1あるいは図2において、第1の
共振回路の検出コイル1Aに代えて第2の共振回路9の
コイル9A、あるいは第2の共振回路10のコイル10
Aを被検出体の接近によってそのインピーダンスが変化
する検出コイルとして用いることができる(この場合、
検出コイル1Aは被検出体の接近によってそのインピー
ダンスに変化は生じない)。Further, in FIG. 1 or 2, instead of the detection coil 1A of the first resonance circuit, the coil 9A of the second resonance circuit 9 or the coil 10 of the second resonance circuit 10 is used.
A can be used as a detection coil whose impedance changes with the approach of the object to be detected (in this case,
The impedance of the detection coil 1A does not change due to the approach of the object to be detected).
【0014】図6はこの場合の第2の共振回路の共振周
波数と、第2の共振回路のインピーダンスとの特性図を
示す。図6において第の共振回路9のコイル9A、ある
いは第2の共振回路10のコイル10A(この場合、検
出コイルとなる。以下検出コイル9Aあるいは10Aと
称する)に被検出体が接近していないときの特性をAと
し、この検出コイル10Aに非磁性体の被検出体が接近
すると、特性Bに示すように共振周波数が高くなる方向
に変化し、磁性体の被検出体が接近したときは特性Cに
示すように共振周波数が低下し、インピーダンスが低下
する方向に変化する。これら特性AとBとが交差する点
の周波数Feでは、磁性体と非磁性体の被検出体が接近
したときのインピーダンスがZeと等しくなる。従っ
て、この周波数Feに等しく第1の共振回路の共振周波
数F0を設定することにより、被検出体が磁性体と非磁
性体で発振電圧が等しくなるので、ほぼ変化のない検出
距離にすることができる。FIG. 6 shows a characteristic diagram of the resonance frequency of the second resonance circuit and the impedance of the second resonance circuit in this case. In FIG. 6, when the object to be detected is not close to the coil 9A of the second resonance circuit 9 or the coil 10A of the second resonance circuit 10 (in this case, the coil is a detection coil; hereinafter referred to as the detection coil 9A or 10A) When the non-magnetic object to be detected approaches the detection coil 10A, the resonance frequency changes in a direction in which the resonance frequency increases as shown in the characteristic B. When the magnetic object to be detected approaches, As shown in C, the resonance frequency decreases and the impedance changes in the direction of decreasing. At the frequency Fe at the point where these characteristics A and B intersect, the impedance when the magnetic substance and the non-magnetic substance to be detected approach each other becomes equal to Ze. Therefore, by setting the resonance frequency F 0 of the first resonance circuit to be equal to this frequency Fe, the oscillating voltages of the magnetic substance and the non-magnetic substance of the detected object become equal, so that the detection distance is substantially unchanged. You can
【0015】[0015]
【発明の効果】本発明により、被検出体が磁性体の場合
と非磁性体の場合での検出距離差が低減されるので、実
用的効果が大きい。また、従来の近接スイッチに若干の
部品を追加するだけでよく低コストである。According to the present invention, the detection distance difference between the case where the object to be detected is a magnetic material and the case where the object is a nonmagnetic material is reduced, so that the practical effect is large. Further, the conventional proximity switch is low in cost because it only needs to add some components.
【図1】本発明の近接スイッチの一実施例を示す回路図FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a proximity switch of the present invention.
【図2】本発明の近接スイッチの異なる実施例を示す回
路図FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the proximity switch of the present invention.
【図3】図1に示す本発明の近接スイッチの動作を示す
特性図FIG. 3 is a characteristic diagram showing the operation of the proximity switch of the present invention shown in FIG.
【図4】図1に示す本発明の近接スイッチにおいて、検
出コイルに磁性体あるいは非磁性体の被検出体が近づい
たときの第1の共振回路の共振周波数の変化を示す特性
図FIG. 4 is a characteristic diagram showing changes in the resonance frequency of the first resonance circuit when the magnetic or non-magnetic substance to be detected approaches the detection coil in the proximity switch of the present invention shown in FIG.
【図5】図1に示す本発明の近接スイッチにおいて、検
出コイルに磁性体あるいは非磁性体の被検出体が近づい
たときの第1の共振回路のインピーダンスの変化を示す
特性図5 is a characteristic diagram showing changes in impedance of the first resonance circuit when a magnetic or non-magnetic object to be detected approaches the detection coil in the proximity switch of the present invention shown in FIG.
【図6】図1あるいは図2に示す本発明の近接スイッチ
において、第1の共振回路の検出コイルに代えて第2の
共振回路のコイルを検出コイルとして用いたときの動作
を示す特性図FIG. 6 is a characteristic diagram showing an operation when a coil of a second resonance circuit is used as a detection coil in place of the detection coil of the first resonance circuit in the proximity switch of the present invention shown in FIG. 1 or 2.
【図7】従来の近接スイッチの一例を示す回路図FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of a conventional proximity switch.
【図8】図7に示す従来の近接スイッチにおいて、検出
コイルに磁性体あるいは非磁性体の被検出体が近づいた
ときの共振回路の共振周波数の変化を示す特性図8 is a characteristic diagram showing a change in resonance frequency of a resonance circuit when a magnetic or non-magnetic object to be detected approaches the detection coil in the conventional proximity switch shown in FIG. 7.
【図9】図7に示す従来の近接スイッチにおいて、検出
コイルに磁性体あるいは非磁性体の被検出体が近づいた
ときの共振回路のインピーダンスの変化を示す特性図9 is a characteristic diagram showing changes in impedance of a resonance circuit when a magnetic or non-magnetic object to be detected approaches a detection coil in the conventional proximity switch shown in FIG. 7.
1 第1の共振回路 1A コイル,検出コイル 1B コンデンサ 2 定電流回路 3 バイアス用ダイオード 4 発振用トランジスタ 6 電流ミラー回路 9 第2の共振回路 9A コイル,検出コイル 10 第2の共振回路 10A コイル,検出コイル 1 First resonance circuit 1A coil, detection coil 1B capacitor 2 constant current circuit 3 Biasing diode Transistor for oscillation 6 Current mirror circuit 9 Second resonance circuit 9A coil, detection coil 10 Second resonance circuit 10A coil, detection coil
Claims (2)
が変化する検出コイルを含む第1の共振回路と、この第
1の共振回路の電圧を電流に変換する発振用トランジス
タと、この発振用トランジスタに接続された第1のトラ
ンジスタと、この第1のトランジスタとともに電流ミラ
ー回路を形成し、前記第1のトランジスタに流れる前記
発振用トランジスタの出力電流を前記第1の共振回路に
正帰還する第2のトランジスタと、前記発振用トランジ
スタと前記第1の共振回路との間に接続されたバイアス
用ダイオードと、このバイアス用ダイオードに所定の定
電流を出力する定電流回路と、前記バイアス用ダイオー
ドと前記第1の共振回路とに並列に接続され、前記第1
の共振回路の共振周波数より低い共振周波数を有する第
2の共振回路とを備えたことを特徴とする近接スイッ
チ。1. A first resonance circuit including a detection coil whose impedance changes as an object to be detected approaches, an oscillation transistor for converting the voltage of the first resonance circuit into a current, and an oscillation transistor for the oscillation transistor. A second mirror that forms a current mirror circuit with the connected first transistor and the first transistor, and positively feeds back the output current of the oscillation transistor flowing in the first transistor to the first resonance circuit. A transistor, a bias diode connected between the oscillation transistor and the first resonance circuit, a constant current circuit for outputting a predetermined constant current to the bias diode, the bias diode and the first diode. The first resonance circuit is connected in parallel with the first resonance circuit.
And a second resonance circuit having a resonance frequency lower than that of the resonance circuit.
が変化する検出コイルを含む第1の共振回路と、この第
1の共振回路の電圧を電流に変換する発振用トランジス
タと、この発振用トランジスタに接続された第1のトラ
ンジスタと、この第1のトランジスタとともに電流ミラ
ー回路を形成し、前記第1のトランジスタに流れる前記
発振用トランジスタの出力電流を前記第1の共振回路に
正帰還する第2のトランジスタと、前記発振用トランジ
スタと前記第1の共振回路との間に接続されたバイアス
用ダイオードと、このバイアス用ダイオードに所定の定
電流を出力する定電流回路と、前記バイアス用ダイオー
ドと前記第1の共振回路とに並列に接続され、被検出体
の接近によりそのインピーダンスが変化する検出コイル
を含む第2の共振回路とを備え、前記第2の共振回路の
検出コイルに磁性体の被検出体と非磁性体の被検出体と
が接近したときに、この検出コイルを含む第2の共振回
路のインピーダンスがそれぞれ等しくなる周波数に、前
記第1の共振回路の共振周波数を設定することを特徴と
する近接スイッチ。2. A first resonance circuit including a detection coil whose impedance changes when an object to be detected approaches, an oscillating transistor for converting the voltage of the first resonance circuit into a current, and the oscillating transistor. A second mirror that forms a current mirror circuit with the connected first transistor and the first transistor, and positively feeds back the output current of the oscillation transistor flowing in the first transistor to the first resonance circuit. A transistor, a bias diode connected between the oscillation transistor and the first resonance circuit, a constant current circuit for outputting a predetermined constant current to the bias diode, the bias diode and the first diode. A second resonance including a detection coil connected in parallel to the first resonance circuit and having its impedance changed by the approach of the object to be detected. And a road, when the second detected body of the detection object and the non-magnetic material of the magnetic substance in the detection coil of the resonant circuit approaches, the impedance of the second resonant circuit including the detection coil respectively A proximity switch, wherein the resonance frequency of the first resonance circuit is set to be equal.
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