JP3382424B2 - インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置の製造方法並びにインクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 - Google Patents
インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置の製造方法並びにインクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置Info
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- JP3382424B2 JP3382424B2 JP21887995A JP21887995A JP3382424B2 JP 3382424 B2 JP3382424 B2 JP 3382424B2 JP 21887995 A JP21887995 A JP 21887995A JP 21887995 A JP21887995 A JP 21887995A JP 3382424 B2 JP3382424 B2 JP 3382424B2
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインクジェットヘッ
ド、特に吐出エネルギー発生素子によりインク内に生ず
るバブルの成長、収縮により吐出口よりインクを吐出さ
せて記録を行うインクジェットヘッド用基板、インクジ
ェットヘッド、インクジェット装置の製造方法並びにイ
ンクジェット用基板、インクジェットヘッドおよびイン
クジェット装置に関する。
ド、特に吐出エネルギー発生素子によりインク内に生ず
るバブルの成長、収縮により吐出口よりインクを吐出さ
せて記録を行うインクジェットヘッド用基板、インクジ
ェットヘッド、インクジェット装置の製造方法並びにイ
ンクジェット用基板、インクジェットヘッドおよびイン
クジェット装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第４７２３１２９号、あるいは
米国特許第４７４０７９６号に記載されているインクジ
ェット記録方式は、高速高密度で高精度高画質の記録が
可能で、かつ、カラー化、コンパクト化に適しており近
年特に注目を集めている。この方式を用いる装置の代表
例においては、記録液体等（以下インクと称す）を熱エ
ネルギーを利用して吐出させるため、インクに熱を作用
させる熱作用部が存在する。すなわち、インク流路に対
応して、一対の配線電極と、これらの配線電極に接続さ
れ、配線電極間の領域に熱を発生するための発熱抵抗層
とを有する電気熱変換体を設け、この発熱抵抗体層から
発生した熱エネルギーを利用して熱作用面上のインクを
急激に加熱発泡させ、この発泡によって、インクを吐出
するものである。
米国特許第４７４０７９６号に記載されているインクジ
ェット記録方式は、高速高密度で高精度高画質の記録が
可能で、かつ、カラー化、コンパクト化に適しており近
年特に注目を集めている。この方式を用いる装置の代表
例においては、記録液体等（以下インクと称す）を熱エ
ネルギーを利用して吐出させるため、インクに熱を作用
させる熱作用部が存在する。すなわち、インク流路に対
応して、一対の配線電極と、これらの配線電極に接続さ
れ、配線電極間の領域に熱を発生するための発熱抵抗層
とを有する電気熱変換体を設け、この発熱抵抗体層から
発生した熱エネルギーを利用して熱作用面上のインクを
急激に加熱発泡させ、この発泡によって、インクを吐出
するものである。
【０００３】ところで、インクジェットヘッドの熱作用
面については、インクの発泡と消泡の繰り返しによるキ
ャビテーションがもたらす機械的衝撃、更にはエロージ
ョンにさらされるという点、また、０．１〜１０マイク
ロ秒という極めて短時間に１０００℃前後の温度の上昇
及び下降にさらされるといった点等のように厳しい環境
におかれるため、使用する環境から発熱抵抗体層を保護
するための保護膜が設けられている。この保護膜は耐熱
性、耐液性、液浸透防止性、酸化安定性、絶縁性、耐破
傷性、及び熱伝導性に優れていることが要求され、Ｓｉ
ＯあるいはＳｉＮ等の無機化合物が一般的に用いられて
いる。更に、単層の保護膜では、発熱抵抗体層の保護性
能としては不十分な場合もあり、保護膜上に、より耐キ
ャビテーション性の高いＴａ等の金属で構成することも
ある。
面については、インクの発泡と消泡の繰り返しによるキ
ャビテーションがもたらす機械的衝撃、更にはエロージ
ョンにさらされるという点、また、０．１〜１０マイク
ロ秒という極めて短時間に１０００℃前後の温度の上昇
及び下降にさらされるといった点等のように厳しい環境
におかれるため、使用する環境から発熱抵抗体層を保護
するための保護膜が設けられている。この保護膜は耐熱
性、耐液性、液浸透防止性、酸化安定性、絶縁性、耐破
傷性、及び熱伝導性に優れていることが要求され、Ｓｉ
ＯあるいはＳｉＮ等の無機化合物が一般的に用いられて
いる。更に、単層の保護膜では、発熱抵抗体層の保護性
能としては不十分な場合もあり、保護膜上に、より耐キ
ャビテーション性の高いＴａ等の金属で構成することも
ある。
【０００４】また上記構成は、発熱抵抗体部以外でも、
例えば発熱抵抗体と電気的接続をとる、配線パターン上
にも、ここではインクによって配線が腐食するのを防止
するために同様の構成がとられている。
例えば発熱抵抗体と電気的接続をとる、配線パターン上
にも、ここではインクによって配線が腐食するのを防止
するために同様の構成がとられている。
【０００５】図３は、このような従来のインクジェット
ヘッドの基板部分を示す模式的平面図であり、図４は図
３で示された基板をＸ−Ｘ’一点鎖線に沿って基板面に
垂直に切断したときの切断面部分図である。
ヘッドの基板部分を示す模式的平面図であり、図４は図
３で示された基板をＸ−Ｘ’一点鎖線に沿って基板面に
垂直に切断したときの切断面部分図である。
【０００６】図３，４において、１２０はＳｉ基板であ
り、Ｓｉ基板上には熱酸化等で形成されるＳｉＯ2 から
なる蓄熱層１０６が形成されている。蓄熱層１０６が形
成された基板１２０上にはインクに熱エネルギーを付与
するための発熱抵抗層１０７と該発熱抵抗層に電圧を印
加するための配線１０３，１０４とが形成されている。
そして、発熱抵抗層１０７のうち前記配線１０３及び１
０４から露出した部分が発熱部１０２となる。また、こ
の発熱抵抗層及び配線上には発熱抵抗層及び配線を保護
するための絶縁保護膜１０８が設けられている。更に該
絶縁保護膜１０８上には耐キャビテーション膜であるＴ
ａ膜１１０が設けられている。
り、Ｓｉ基板上には熱酸化等で形成されるＳｉＯ2 から
なる蓄熱層１０６が形成されている。蓄熱層１０６が形
成された基板１２０上にはインクに熱エネルギーを付与
するための発熱抵抗層１０７と該発熱抵抗層に電圧を印
加するための配線１０３，１０４とが形成されている。
そして、発熱抵抗層１０７のうち前記配線１０３及び１
０４から露出した部分が発熱部１０２となる。また、こ
の発熱抵抗層及び配線上には発熱抵抗層及び配線を保護
するための絶縁保護膜１０８が設けられている。更に該
絶縁保護膜１０８上には耐キャビテーション膜であるＴ
ａ膜１１０が設けられている。
【０００７】このようにして、インクジェットヘッドに
おいて、熱作用面である発熱基板が構成されており、上
記保護膜の構成が、インクジェットヘッドの性能、例え
ば消費電力、及び寿命を決定づける重要なファクターと
なっている。
おいて、熱作用面である発熱基板が構成されており、上
記保護膜の構成が、インクジェットヘッドの性能、例え
ば消費電力、及び寿命を決定づける重要なファクターと
なっている。
【０００８】しかしながら、従来の保護膜の構成では、
消費電力を下げることと、膜の信頼性を上げ寿命を伸ば
すことは相反する要求になってしまう。
消費電力を下げることと、膜の信頼性を上げ寿命を伸ば
すことは相反する要求になってしまう。
【０００９】例えば、発泡させるための消費電力は発熱
抵抗体と、インクに接する面の間の膜の厚さが薄いほ
ど、熱伝導率が大きいほど、インク側以外への熱の逃げ
が減るため少なくてすむ。すなわち、保護膜が薄いほど
エネルギー効率がよくなる。
抵抗体と、インクに接する面の間の膜の厚さが薄いほ
ど、熱伝導率が大きいほど、インク側以外への熱の逃げ
が減るため少なくてすむ。すなわち、保護膜が薄いほど
エネルギー効率がよくなる。
【００１０】ところが一方、保護膜が薄ければ、保護膜
にピンホールが開いたり、配線の段差部を十分にカバー
することができず、段差部の被覆不足が生じてしまう。
この結果、そこからインクが侵入し、配線の腐食、発熱
抵抗体の腐食を引き起こし、その結果、信頼性の低下、
寿命の低下が発生する。
にピンホールが開いたり、配線の段差部を十分にカバー
することができず、段差部の被覆不足が生じてしまう。
この結果、そこからインクが侵入し、配線の腐食、発熱
抵抗体の腐食を引き起こし、その結果、信頼性の低下、
寿命の低下が発生する。
【００１１】このような問題に対処したものとして保護
膜の発泡に関する部分のみ、薄くすることで、消費電力
を下げ、かつ、膜の信頼性を上げ寿命を伸ばすことを可
能とした構成が特開昭６２−１０３１１４８号公報に開
示されている。
膜の発泡に関する部分のみ、薄くすることで、消費電力
を下げ、かつ、膜の信頼性を上げ寿命を伸ばすことを可
能とした構成が特開昭６２−１０３１１４８号公報に開
示されている。
【００１２】しかしながら、この開示技術では保護膜を
薄くする手段としてドライエッチングを用いて、ハーフ
エッチングをすることによって膜薄部分を形成している
が、この方法では保護膜の膜薄部分の厚さの管理は主に
時間制御で行われるため、膜厚の制御が困難であった。
薄くする手段としてドライエッチングを用いて、ハーフ
エッチングをすることによって膜薄部分を形成している
が、この方法では保護膜の膜薄部分の厚さの管理は主に
時間制御で行われるため、膜厚の制御が困難であった。
【００１３】一方、インクジェットヘッドの発熱部上に
おいては保護膜は均一な厚さを要求される。これは、発
熱部上の保護膜の厚さが不均一であると発泡中心が発熱
抵抗体の中心からずれてしまったり、発泡特性が揃わず
に吐出特性が変わってしまうことがあるためである。
おいては保護膜は均一な厚さを要求される。これは、発
熱部上の保護膜の厚さが不均一であると発泡中心が発熱
抵抗体の中心からずれてしまったり、発泡特性が揃わず
に吐出特性が変わってしまうことがあるためである。
【００１４】したがって、上述の構成ではヘッド内の発
熱部上の保護膜の膜厚にばらつきが生じやすいため、各
吐出口ごとに均一な吐出特性が得られにくく、印字品位
が劣化することがあった。
熱部上の保護膜の膜厚にばらつきが生じやすいため、各
吐出口ごとに均一な吐出特性が得られにくく、印字品位
が劣化することがあった。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題に鑑みてなされた発明であって、膜厚の制御が容易
で、安定した吐出性能を有するインクジェットヘッドを
提供することを目的とするものである。更には、発泡の
ための消費電力が抑えられ、かつ、信頼性が上がり寿命
の長い、インクジェットヘッドを提供することを目的と
するものである。
題に鑑みてなされた発明であって、膜厚の制御が容易
で、安定した吐出性能を有するインクジェットヘッドを
提供することを目的とするものである。更には、発泡の
ための消費電力が抑えられ、かつ、信頼性が上がり寿命
の長い、インクジェットヘッドを提供することを目的と
するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。
によって達成される。
【００１７】すなわち、本発明はインクに熱を与えるた
めの複数の発熱抵抗体と該発熱抵抗体に電気的に接続さ
れた複数の配線と該配線より露出した前記発熱抵抗体で
形成される複数の発熱部とを有する基板を用意する工程
と、該基板の前記発熱抵抗体及び配線上に第１の絶縁保
護膜を被覆する工程と、該第１の絶縁保護膜の前記発熱
部上の部分をウエットエッチングにより除去する工程
と、該エッチングが施された第１の絶縁保護膜上に第２
の絶縁保護膜を被覆する工程と、を有するインクジェッ
トヘッド用基板の製造方法であって、前記第１の絶縁保
護膜の前記発熱部長手方向のエッチング部分は、発熱部
における配線端部より前記配線を被覆する第１及び第２
の絶縁保護膜の厚さの和の１／２以上内側に設けられる
ことを特徴とするインクジェット用基板の製造方法を提
案するものであり、前記第２の絶縁保護膜上に更に耐キ
ャビテーション膜を設ける工程を有すること、前記第１
の絶縁保護膜の発熱部配列方向のエッチング部分が発熱
抵抗体よりも外側まで延在していること、前記第２の絶
縁保護膜の膜厚は２０００〜７０００オングストローム
であること、前記基板は前記発熱部下に蓄熱層を有する
こと、前記第１の絶縁保護膜の発熱部配列方向のエッチ
ング部分が隣接する発熱部のエッチング部分と連続して
いること、前記耐キャビテーション膜がＴａであるこ
と、前記第１の絶縁保護膜がＰＳＧもしくはＳｉＯであ
ること、前記第２の絶縁保護膜がＳｉＮもしくはＳｉＯ
であることを含む。
めの複数の発熱抵抗体と該発熱抵抗体に電気的に接続さ
れた複数の配線と該配線より露出した前記発熱抵抗体で
形成される複数の発熱部とを有する基板を用意する工程
と、該基板の前記発熱抵抗体及び配線上に第１の絶縁保
護膜を被覆する工程と、該第１の絶縁保護膜の前記発熱
部上の部分をウエットエッチングにより除去する工程
と、該エッチングが施された第１の絶縁保護膜上に第２
の絶縁保護膜を被覆する工程と、を有するインクジェッ
トヘッド用基板の製造方法であって、前記第１の絶縁保
護膜の前記発熱部長手方向のエッチング部分は、発熱部
における配線端部より前記配線を被覆する第１及び第２
の絶縁保護膜の厚さの和の１／２以上内側に設けられる
ことを特徴とするインクジェット用基板の製造方法を提
案するものであり、前記第２の絶縁保護膜上に更に耐キ
ャビテーション膜を設ける工程を有すること、前記第１
の絶縁保護膜の発熱部配列方向のエッチング部分が発熱
抵抗体よりも外側まで延在していること、前記第２の絶
縁保護膜の膜厚は２０００〜７０００オングストローム
であること、前記基板は前記発熱部下に蓄熱層を有する
こと、前記第１の絶縁保護膜の発熱部配列方向のエッチ
ング部分が隣接する発熱部のエッチング部分と連続して
いること、前記耐キャビテーション膜がＴａであるこ
と、前記第１の絶縁保護膜がＰＳＧもしくはＳｉＯであ
ること、前記第２の絶縁保護膜がＳｉＮもしくはＳｉＯ
であることを含む。
【００１８】また、本発明はインクに熱を与えるための
複数の発熱抵抗体と該発熱抵抗体に電気的に接続された
複数の配線と該配線より露出した前記発熱抵抗体で形成
される複数の発熱部とを有する基板を用意する工程と、
該基板の前記発熱抵抗体及び配線上に第１の絶縁保護膜
を被覆する工程と、該第１の絶縁保護膜の前記発熱部上
の部分をウエットエッチングにより除去する工程と、該
エッチングが施された第１の絶縁保護膜上に第２の絶縁
保護膜を被覆する工程と、前記基板上に前記発熱抵抗体
に対応したインク流路を形成する工程と、を有するイン
クジェットヘッドの製造方法であって、前記第１の絶縁
保護膜の前記発熱部長手方向のエッチング部分は、発熱
部における配線端部より前記配線を被覆する第１及び第
２の絶縁保護膜の厚さの和の１／２以上内側に設けられ
ることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法を
提案するものであり、該製造方法により製造されたイン
クジェットヘッドを具備させることを特徴とするインク
ジェット装置の製造方法を提供するものである。更に本
発明は、前記製造方法によって製造されたことを特徴と
するインクジェットヘッド用基板を提案するものであ
り、前記インクジェット用基板と前記発熱抵抗体に対応
したインク流路を有するインクジェットヘッド及び該イ
ンクジェットヘッドと該インクジェットヘッドを載置す
るための部材とを少なくとも具備することを特徴とする
記録装置を提案するものである。
複数の発熱抵抗体と該発熱抵抗体に電気的に接続された
複数の配線と該配線より露出した前記発熱抵抗体で形成
される複数の発熱部とを有する基板を用意する工程と、
該基板の前記発熱抵抗体及び配線上に第１の絶縁保護膜
を被覆する工程と、該第１の絶縁保護膜の前記発熱部上
の部分をウエットエッチングにより除去する工程と、該
エッチングが施された第１の絶縁保護膜上に第２の絶縁
保護膜を被覆する工程と、前記基板上に前記発熱抵抗体
に対応したインク流路を形成する工程と、を有するイン
クジェットヘッドの製造方法であって、前記第１の絶縁
保護膜の前記発熱部長手方向のエッチング部分は、発熱
部における配線端部より前記配線を被覆する第１及び第
２の絶縁保護膜の厚さの和の１／２以上内側に設けられ
ることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法を
提案するものであり、該製造方法により製造されたイン
クジェットヘッドを具備させることを特徴とするインク
ジェット装置の製造方法を提供するものである。更に本
発明は、前記製造方法によって製造されたことを特徴と
するインクジェットヘッド用基板を提案するものであ
り、前記インクジェット用基板と前記発熱抵抗体に対応
したインク流路を有するインクジェットヘッド及び該イ
ンクジェットヘッドと該インクジェットヘッドを載置す
るための部材とを少なくとも具備することを特徴とする
記録装置を提案するものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
【００２０】本発明は絶縁保護膜を２層化することによ
り異なる膜厚の構成をハーフエッチングをすることなし
に達成することができるため、膜薄部分の膜厚の管理が
確実に行え、発熱部上の保護膜の膜厚のばらつきがなく
なるものである。また、本発明の絶縁保護膜は保護膜の
多層化において従来の無機層と有機層の構成で見受けら
れたような膜の界面剥れを起こすものではなく、ヘッド
の信頼性を劣化させることなく消費電力を低下させるこ
とができるものである。
り異なる膜厚の構成をハーフエッチングをすることなし
に達成することができるため、膜薄部分の膜厚の管理が
確実に行え、発熱部上の保護膜の膜厚のばらつきがなく
なるものである。また、本発明の絶縁保護膜は保護膜の
多層化において従来の無機層と有機層の構成で見受けら
れたような膜の界面剥れを起こすものではなく、ヘッド
の信頼性を劣化させることなく消費電力を低下させるこ
とができるものである。
【００２１】ここで、第１の絶縁保護膜は半導体プロセ
スで一般的に用いられている材料のうち、ウエットエッ
チングレートの速い材料が選択されるものであり、この
ような材料として、例えばＰＳＧ，ＳｉＯ等を好ましい
材料として挙げることができる。
スで一般的に用いられている材料のうち、ウエットエッ
チングレートの速い材料が選択されるものであり、この
ような材料として、例えばＰＳＧ，ＳｉＯ等を好ましい
材料として挙げることができる。
【００２２】また、第２の絶縁保護膜は、膜厚が薄くて
もピンホールが少なく、絶縁性、熱伝導性及び耐インク
性に優れた材料が選択され、このような材料として、例
えばＳｉＮ，ＳｉＯ等を好ましい材料として挙げること
ができる。
もピンホールが少なく、絶縁性、熱伝導性及び耐インク
性に優れた材料が選択され、このような材料として、例
えばＳｉＮ，ＳｉＯ等を好ましい材料として挙げること
ができる。
【００２３】更に膜厚に関しては、少なくとも電極上に
関しては従来通り１μｍ程度の膜厚が必要であるが、発
熱部上においては少なくとも２０００オングストローム
以上、好ましくは３０００オングストローム以上の膜厚
があれば従来程度の耐久性が確保できる。これは電極で
あるＡｌに比べ発熱抵抗層であるＴａＮの表面が平滑で
あるため膜厚が薄くともピンホール発生が抑えられるた
めである。また、発熱部上の膜厚が７０００オングスト
ロームを越えたあたりから、消費電力の低下の効果があ
まり見られなくなる。従って、膜薄部の膜厚は２０００
〜７０００オングストロームの範囲で設定されることが
好ましい。
関しては従来通り１μｍ程度の膜厚が必要であるが、発
熱部上においては少なくとも２０００オングストローム
以上、好ましくは３０００オングストローム以上の膜厚
があれば従来程度の耐久性が確保できる。これは電極で
あるＡｌに比べ発熱抵抗層であるＴａＮの表面が平滑で
あるため膜厚が薄くともピンホール発生が抑えられるた
めである。また、発熱部上の膜厚が７０００オングスト
ロームを越えたあたりから、消費電力の低下の効果があ
まり見られなくなる。従って、膜薄部の膜厚は２０００
〜７０００オングストロームの範囲で設定されることが
好ましい。
【００２４】前記の第１の絶縁保護膜１０８ａの発熱部
長手方向のエッチング部分１１１は端部より第１及び第
２の絶縁保護膜１０８ａ，０８ｂの厚さの和の１／２以
上内側に設けられることが肝要である。
長手方向のエッチング部分１１１は端部より第１及び第
２の絶縁保護膜１０８ａ，０８ｂの厚さの和の１／２以
上内側に設けられることが肝要である。
【００２５】第１絶縁保護膜１０８ａの発熱部長手方向
のエッチング部分１１１が第１及び第２の絶縁保護膜１
０８ａ，１０８ｂの厚さの和の１／２未満内側に設けら
れる場合は電極の段差の影響が大となり、保護膜の被覆
不足によるインクの侵入や電気的なリークが生じ好まし
くない。
のエッチング部分１１１が第１及び第２の絶縁保護膜１
０８ａ，１０８ｂの厚さの和の１／２未満内側に設けら
れる場合は電極の段差の影響が大となり、保護膜の被覆
不足によるインクの侵入や電気的なリークが生じ好まし
くない。
【００２６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されること
はなく、本発明の目的が達成され得るものであればよ
い。 （実施例１）図１は本発明の一実施例に係るインクジェ
ット記録ヘッドのインクを発泡させる、発熱部の基板の
平面図であり、図２は、図１で示された基板をＸ−Ｘ’
一点鎖線に沿って基板面に垂直に切断したときの切断面
部分図である。
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されること
はなく、本発明の目的が達成され得るものであればよ
い。 （実施例１）図１は本発明の一実施例に係るインクジェ
ット記録ヘッドのインクを発泡させる、発熱部の基板の
平面図であり、図２は、図１で示された基板をＸ−Ｘ’
一点鎖線に沿って基板面に垂直に切断したときの切断面
部分図である。
【００２７】本実施例による発熱部の基板の作成は、Ｓ
ｉ基板１２０あるいは既に駆動用のＩＣを作り込んだＳ
ｉ基板を用いる。Ｓｉ基板の場合は、熱酸化法、スパッ
タ法、ＣＶＤ法等によって発熱抵抗体の下部にＳｉＯ2
の蓄熱層を形成し、ＩＣを作り込んだ基板も同様にその
製造プロセス中で、ＳｉＯ2 の蓄熱層を２．９μｍの厚
さに形成しておく、図中では１０６がその部分に相当す
る。
ｉ基板１２０あるいは既に駆動用のＩＣを作り込んだＳ
ｉ基板を用いる。Ｓｉ基板の場合は、熱酸化法、スパッ
タ法、ＣＶＤ法等によって発熱抵抗体の下部にＳｉＯ2
の蓄熱層を形成し、ＩＣを作り込んだ基板も同様にその
製造プロセス中で、ＳｉＯ2 の蓄熱層を２．９μｍの厚
さに形成しておく、図中では１０６がその部分に相当す
る。
【００２８】次に反応性スパッタリングにより、発熱抵
抗体としてＴａＮ層１０７を約１０００オングストロー
ム、配線電極としてのＡｌ層１０３，１０４をスパッタ
リングにより６０００オングストロームの厚さに形成す
る。
抗体としてＴａＮ層１０７を約１０００オングストロー
ム、配線電極としてのＡｌ層１０３，１０４をスパッタ
リングにより６０００オングストロームの厚さに形成す
る。
【００２９】次に、フォトリソ法を用いて図１の配線パ
ターンを形成し、リアクティブイオンエッチング法で、
Ａｌ，ＴａＮと連続的にエッチングを行う。
ターンを形成し、リアクティブイオンエッチング法で、
Ａｌ，ＴａＮと連続的にエッチングを行う。
【００３０】再びフォトリソ法によって、図１及び図２
の１０２で示されるように発熱部を露出させるために、
ウエットエッチングによりＡｌを取り去る。この部分が
発熱抵抗体となる。なお、配線パターンの端部は、Ｓｉ
基板の場合はワイヤーボンディング用のパッドとなり、
ＩＣを作り込んだ基板の場合にはスルーホールを介し
て、下部の電極と接続される。
の１０２で示されるように発熱部を露出させるために、
ウエットエッチングによりＡｌを取り去る。この部分が
発熱抵抗体となる。なお、配線パターンの端部は、Ｓｉ
基板の場合はワイヤーボンディング用のパッドとなり、
ＩＣを作り込んだ基板の場合にはスルーホールを介し
て、下部の電極と接続される。
【００３１】次にＳｉ基板に第１の絶縁保護膜としての
ＰＳＧ層１０８ａをプラズマＣＶＤ法によって７０００
オングストロームの厚さに形成する。次に、図２の１０
８ａのように図１、図２の１０５に相当する発熱部の内
側部分にフォトリソ法により窓開けパターンをエッチン
グが第１の絶縁保護膜の電極の段差を被覆する部分に実
質的に及ばないように少なくとも０．５μｍ内側に形成
し、バッファード沸酸を用いてウエットエッチングを１
〜５分行い、ＰＳＧ層がエッチングされた時点でエッチ
ングを完了させた、この際バッファード沸酸はＰＳＧ層
のエッチングレートが２０００〜１００００オングスト
ローム／分のものを使用した。フォトリソ法による窓開
け範囲は下地が発熱抵抗体上であれば、発熱抵抗体であ
るＴａＮがエッチングストッパーとなるため特別な時間
制御を必要としないが、段差のステップカバレージの点
より窓開け部の長手方法、即ち、電極部端面（発熱部に
おける配線端部）から窓開け部分までの距離がそれを覆
う保護膜層の１／２以上離れた位置に設定されるのが好
ましい。本実施例では前述のようにＡｌ電極端面より
０．５μｍ離れた位置に窓開け範囲が設定されている。
次にこのようにパターニングされたＰＳＧ層を被覆する
ように第２の絶縁保護膜であるＳｉＮ層１０８ｂをプラ
ズマＣＶＤ法によって３０００オングストロームの厚さ
に形成する。このとき、ＰＳＧ層とＳｉＮ層とはいずれ
も３００℃以上の高温で形成されるため２層間の密着性
は極めて高く、無機膜と有機膜の２層膜の構成のように
膜の界面剥れを生じることは殆どない。このようにし
て、発熱部においては３０００オングストローム、その
他の部分においては１００００オングストロームの厚み
を有する無機絶縁膜が形成される。
ＰＳＧ層１０８ａをプラズマＣＶＤ法によって７０００
オングストロームの厚さに形成する。次に、図２の１０
８ａのように図１、図２の１０５に相当する発熱部の内
側部分にフォトリソ法により窓開けパターンをエッチン
グが第１の絶縁保護膜の電極の段差を被覆する部分に実
質的に及ばないように少なくとも０．５μｍ内側に形成
し、バッファード沸酸を用いてウエットエッチングを１
〜５分行い、ＰＳＧ層がエッチングされた時点でエッチ
ングを完了させた、この際バッファード沸酸はＰＳＧ層
のエッチングレートが２０００〜１００００オングスト
ローム／分のものを使用した。フォトリソ法による窓開
け範囲は下地が発熱抵抗体上であれば、発熱抵抗体であ
るＴａＮがエッチングストッパーとなるため特別な時間
制御を必要としないが、段差のステップカバレージの点
より窓開け部の長手方法、即ち、電極部端面（発熱部に
おける配線端部）から窓開け部分までの距離がそれを覆
う保護膜層の１／２以上離れた位置に設定されるのが好
ましい。本実施例では前述のようにＡｌ電極端面より
０．５μｍ離れた位置に窓開け範囲が設定されている。
次にこのようにパターニングされたＰＳＧ層を被覆する
ように第２の絶縁保護膜であるＳｉＮ層１０８ｂをプラ
ズマＣＶＤ法によって３０００オングストロームの厚さ
に形成する。このとき、ＰＳＧ層とＳｉＮ層とはいずれ
も３００℃以上の高温で形成されるため２層間の密着性
は極めて高く、無機膜と有機膜の２層膜の構成のように
膜の界面剥れを生じることは殆どない。このようにし
て、発熱部においては３０００オングストローム、その
他の部分においては１００００オングストロームの厚み
を有する無機絶縁膜が形成される。
【００３２】次に該無機絶縁膜上に耐キャビテーション
及び耐インク膜としてのＴａを図２の１１０のようにス
パッタリングによって約２５００オングストローム形成
する。最後にフォトリソ法によって、Ｔａ及びＰＳＧ，
ＳｉＮをリアクティブイオンエッチングによってワイヤ
ーボンディング用のパッドの窓開けを行って、インクジ
ェット記録ヘッドのインクを発泡させる発熱部の基板
（図２の１０１）を作成した。更にこの基板を用いて定
法によりインクジェットヘッドを作成した。
及び耐インク膜としてのＴａを図２の１１０のようにス
パッタリングによって約２５００オングストローム形成
する。最後にフォトリソ法によって、Ｔａ及びＰＳＧ，
ＳｉＮをリアクティブイオンエッチングによってワイヤ
ーボンディング用のパッドの窓開けを行って、インクジ
ェット記録ヘッドのインクを発泡させる発熱部の基板
（図２の１０１）を作成した。更にこの基板を用いて定
法によりインクジェットヘッドを作成した。
【００３３】以上のように作成したインクジェットヘッ
ドを、電圧約２３Ｖ、パルス幅７μｓの条件で発泡電圧
の１．３倍のエネルギーを与え、３ｋＨｚの周波数でイ
ンクを吐出させたが、３×１０8 パルスまでに発熱抵抗
体の破壊による断線は見受けられず、通常の保護膜１μ
ｍの場合と同等の耐久実力があることが認められた。ま
た、発泡に必要な消費電力を確認したところ、通常の保
護膜が１μｍのものに対し、発熱抵抗体上の保護膜を３
０００オングストロームにしたものは約３０％の消費電
力の改善が見られた。
ドを、電圧約２３Ｖ、パルス幅７μｓの条件で発泡電圧
の１．３倍のエネルギーを与え、３ｋＨｚの周波数でイ
ンクを吐出させたが、３×１０8 パルスまでに発熱抵抗
体の破壊による断線は見受けられず、通常の保護膜１μ
ｍの場合と同等の耐久実力があることが認められた。ま
た、発泡に必要な消費電力を確認したところ、通常の保
護膜が１μｍのものに対し、発熱抵抗体上の保護膜を３
０００オングストロームにしたものは約３０％の消費電
力の改善が見られた。
【００３４】（実施例２）実施例１では第１の絶縁保護
膜の窓開けパターンは発熱抵抗体の内側に形成されてい
たが、この場合、発熱抵抗体の幅はパターンにより決ま
ることになる。しかしながら、特に高密度で発熱抵抗体
が配列される場合には窓開けのパターニングの精度が確
保できないことがあり、発熱抵抗体の幅が不均一とな
る。このように発熱部の幅が不均一となると、各吐出口
での吐出特性も不均一となって、印字品位が劣化するお
それがある。本実施例はこのような問題に鑑みて、第１
の絶縁保護膜の窓開けパターンの発熱抵抗体配列方向の
範囲を発熱抵抗体よりも大きくすることにより、発熱部
の幅は常に発熱抵抗体の幅となるため、高密度に発熱抵
抗体が配列される場合でも均一な吐出特性を持つインク
ジェットヘッドを提供できるものである。
膜の窓開けパターンは発熱抵抗体の内側に形成されてい
たが、この場合、発熱抵抗体の幅はパターンにより決ま
ることになる。しかしながら、特に高密度で発熱抵抗体
が配列される場合には窓開けのパターニングの精度が確
保できないことがあり、発熱抵抗体の幅が不均一とな
る。このように発熱部の幅が不均一となると、各吐出口
での吐出特性も不均一となって、印字品位が劣化するお
それがある。本実施例はこのような問題に鑑みて、第１
の絶縁保護膜の窓開けパターンの発熱抵抗体配列方向の
範囲を発熱抵抗体よりも大きくすることにより、発熱部
の幅は常に発熱抵抗体の幅となるため、高密度に発熱抵
抗体が配列される場合でも均一な吐出特性を持つインク
ジェットヘッドを提供できるものである。
【００３５】以下に本実施例の絶縁保護膜の製造方法に
ついて説明するが、その他の部分については実施例１と
同様にしてインクジェットヘッドを作成することができ
るものである。
ついて説明するが、その他の部分については実施例１と
同様にしてインクジェットヘッドを作成することができ
るものである。
【００３６】実施例１と同様にしてＳｉ基板上に蓄熱
層、発熱抵抗体及び電極を作成した後、該基板上に第１
の絶縁保護膜としてのＰＳＧ層をプラズマＣＶＤ法によ
って７０００オングストロームの厚さに形成する。次
に、該第１の絶縁保護膜の窓開けパターンをフォトリソ
法により形成するわけであるが、本実施例の窓開けパタ
ーンは、図５に示すように窓開け部の長手方法は電極端
面より０．５μｍ内側に設定し、窓開け部の発熱抵抗体
配列方向は発熱抵抗体の幅より４μｍずつ外側に設定さ
れている。このように発熱抵抗体配列方向の窓開けパタ
ーンを発熱抵抗体の幅より大きくすることにより、発熱
部の幅を均一に形成することができる。しかしながら、
発熱抵抗体配列方向の窓開けパターンの範囲を発熱抵抗
体の幅より大きくすることにより、今度は蓄熱層の一部
もエッチングされることになる。そこで蓄熱層と第１の
絶縁保護膜とのエッチング比を１：４とすることによ
り、たとえ蓄熱層がエッチングされたとしてもその深さ
は５００〜１５００オングストローム程度となり、この
部分での保護膜のステップカバレージが著しく劣化する
ことはない。ここで窓開け部のパターニングは、バッフ
ァード沸酸を用いてウエットエッチングを１〜５分行
い、ＰＳＧ層がエッチングされた時点でエッチングを完
了させるわけであるが、この際バッファード沸酸のエッ
チングレートはＰＳＧ層で２０００〜１００００オング
ストローム／分、蓄熱層であるＳｉＯ2 で５００〜２５
００オングストローム／分のものを使用した。
層、発熱抵抗体及び電極を作成した後、該基板上に第１
の絶縁保護膜としてのＰＳＧ層をプラズマＣＶＤ法によ
って７０００オングストロームの厚さに形成する。次
に、該第１の絶縁保護膜の窓開けパターンをフォトリソ
法により形成するわけであるが、本実施例の窓開けパタ
ーンは、図５に示すように窓開け部の長手方法は電極端
面より０．５μｍ内側に設定し、窓開け部の発熱抵抗体
配列方向は発熱抵抗体の幅より４μｍずつ外側に設定さ
れている。このように発熱抵抗体配列方向の窓開けパタ
ーンを発熱抵抗体の幅より大きくすることにより、発熱
部の幅を均一に形成することができる。しかしながら、
発熱抵抗体配列方向の窓開けパターンの範囲を発熱抵抗
体の幅より大きくすることにより、今度は蓄熱層の一部
もエッチングされることになる。そこで蓄熱層と第１の
絶縁保護膜とのエッチング比を１：４とすることによ
り、たとえ蓄熱層がエッチングされたとしてもその深さ
は５００〜１５００オングストローム程度となり、この
部分での保護膜のステップカバレージが著しく劣化する
ことはない。ここで窓開け部のパターニングは、バッフ
ァード沸酸を用いてウエットエッチングを１〜５分行
い、ＰＳＧ層がエッチングされた時点でエッチングを完
了させるわけであるが、この際バッファード沸酸のエッ
チングレートはＰＳＧ層で２０００〜１００００オング
ストローム／分、蓄熱層であるＳｉＯ2 で５００〜２５
００オングストローム／分のものを使用した。
【００３７】次にこのようにパターニングされたＰＳＧ
層を被覆するように第２の絶縁保護膜であるＳｉＮ層を
プラズマＣＶＤ法によって３０００オングストロームの
厚さに形成する。このとき、ＰＳＧ層とＳｉＮ層とはい
ずれも３００℃以上の高温で形成されるため２層間の密
着性は極めて高く、無機膜と有機膜の２層膜の構成のよ
うに膜の界面剥れを生じることは殆どない。このように
して、発熱部においては３０００オングストローム、そ
の他の部分においては１００００オングストロームの厚
みを有する無機絶縁膜が形成される。
層を被覆するように第２の絶縁保護膜であるＳｉＮ層を
プラズマＣＶＤ法によって３０００オングストロームの
厚さに形成する。このとき、ＰＳＧ層とＳｉＮ層とはい
ずれも３００℃以上の高温で形成されるため２層間の密
着性は極めて高く、無機膜と有機膜の２層膜の構成のよ
うに膜の界面剥れを生じることは殆どない。このように
して、発熱部においては３０００オングストローム、そ
の他の部分においては１００００オングストロームの厚
みを有する無機絶縁膜が形成される。
【００３８】このようにして形成された本実施例の基板
を用いたインクジェットヘッドを実施例１と同様の条件
で吐出耐久試験を行ったところ、実施例１と同様に３×
１０ 8 パルスまでに発熱抵抗体の破壊による断線は見受
けられなかった。また、発泡に必要な消費電力を確認し
たところ、通常の保護膜が１μｍのものに対し、発熱抵
抗体上の保護膜を３０００オングストロームにしたもの
は約３０％の消費電力の改善が見られた。
を用いたインクジェットヘッドを実施例１と同様の条件
で吐出耐久試験を行ったところ、実施例１と同様に３×
１０ 8 パルスまでに発熱抵抗体の破壊による断線は見受
けられなかった。また、発泡に必要な消費電力を確認し
たところ、通常の保護膜が１μｍのものに対し、発熱抵
抗体上の保護膜を３０００オングストロームにしたもの
は約３０％の消費電力の改善が見られた。
【００３９】また前述の説明では各発熱部における第１
の絶縁保護膜のエッチング部分はそれぞれ独立している
が、発熱部が高密度に配列され、共通配線が下層に這い
回されるような場合には、もちろん、図６のように発熱
部配列方向のエッチング部分が隣接する発熱部のエッチ
ング部分と連続していても本願と同様の効果を奏するこ
とができるものである。
の絶縁保護膜のエッチング部分はそれぞれ独立している
が、発熱部が高密度に配列され、共通配線が下層に這い
回されるような場合には、もちろん、図６のように発熱
部配列方向のエッチング部分が隣接する発熱部のエッチ
ング部分と連続していても本願と同様の効果を奏するこ
とができるものである。
【００４０】（その他の実施例）以下に本発明のインク
ジェットヘッド用基板を適用可能なインクジェットヘッ
ド及びインクジェット装置について説明する。
ジェットヘッド用基板を適用可能なインクジェットヘッ
ド及びインクジェット装置について説明する。
【００４１】図７はこのようなインクジェットヘッドの
概略構成図であり、エッチング、蒸着スパッタリング等
の半導体プロセス工程を経て、基板１１０２上に成膜形
成された電気熱変換体１１０３、配線１１０４、液路壁
１１０５、天板１１０６から構成されているインクジェ
ットヘッドが示されている。
概略構成図であり、エッチング、蒸着スパッタリング等
の半導体プロセス工程を経て、基板１１０２上に成膜形
成された電気熱変換体１１０３、配線１１０４、液路壁
１１０５、天板１１０６から構成されているインクジェ
ットヘッドが示されている。
【００４２】記録用液体１１１２は図示していない液体
貯蔵室から液体供給管１１０７を通してヘッド１１０１
の共通液室１１０８内に供給される。
貯蔵室から液体供給管１１０７を通してヘッド１１０１
の共通液室１１０８内に供給される。
【００４３】図中１１０９は液体供給管用コネクタであ
る。共通液室１１０８内に供給された液体１１１２はい
わゆる毛管現象により液路１１１０内に供給され、液路
先端の吐出口面（オリフィス面）でメニスカスを形成す
ることにより安定に保持される。
る。共通液室１１０８内に供給された液体１１１２はい
わゆる毛管現象により液路１１１０内に供給され、液路
先端の吐出口面（オリフィス面）でメニスカスを形成す
ることにより安定に保持される。
【００４４】ここで電気熱変換体１１０３に通電するこ
とにより、電気熱変換体面上の液体が急峻に加熱され、
液路中に気泡が生起され、その気泡の膨張、収縮により
吐出口１１１１から液体を吐出し液滴が形成される。
とにより、電気熱変換体面上の液体が急峻に加熱され、
液路中に気泡が生起され、その気泡の膨張、収縮により
吐出口１１１１から液体を吐出し液滴が形成される。
【００４５】図８は本発明が適用されるインクジェット
装置の外観図で、駆動モータ５０１３の正逆回転に連動
して駆動力伝達ギア５０１１，５００９を介して回転す
るリードスクリュー５００４の螺旋溝５００５に対して
係合するキャリッジＨＣはピン（不図示）を有し、矢印
方向に往復移動される。５００２は紙押え板であり、キ
ャリッジ移動方向にわたって紙をプラテン５０００に対
して押圧する。５００７，５００８はフォトカプラでキ
ャリッジのレバー５００６のこの域での存在を確認して
モータ５０１３の回転方向切替等を行うためのホームポ
ジション検知手段である。５０１６は記録ヘッドの前面
をキャップするキャップ部材５０２２を支持する部材
で、５０１５はこのキャップ内を吸引する吸引手段でキ
ャップ内開口５０２３を介して記録ヘッドの吸引回復を
行う。５０１７はクリーニングブレードで、５０１９は
このブレードを前後方向に移動可能にする部材であり、
本体支持板５０１８にこれらは支持されている。ブレー
ドは、この形態でなく周知のクリーニングブレードが本
例に適用できることは言うまでもない。また、５０１２
は、吸引回復の吸引を開始するためのレバーで、キャリ
ッジと係合するカム５０２０の移動に伴って移動し、駆
動モータからの駆動力がクラッチ切替等の公知の伝達手
段で移動制御される。
装置の外観図で、駆動モータ５０１３の正逆回転に連動
して駆動力伝達ギア５０１１，５００９を介して回転す
るリードスクリュー５００４の螺旋溝５００５に対して
係合するキャリッジＨＣはピン（不図示）を有し、矢印
方向に往復移動される。５００２は紙押え板であり、キ
ャリッジ移動方向にわたって紙をプラテン５０００に対
して押圧する。５００７，５００８はフォトカプラでキ
ャリッジのレバー５００６のこの域での存在を確認して
モータ５０１３の回転方向切替等を行うためのホームポ
ジション検知手段である。５０１６は記録ヘッドの前面
をキャップするキャップ部材５０２２を支持する部材
で、５０１５はこのキャップ内を吸引する吸引手段でキ
ャップ内開口５０２３を介して記録ヘッドの吸引回復を
行う。５０１７はクリーニングブレードで、５０１９は
このブレードを前後方向に移動可能にする部材であり、
本体支持板５０１８にこれらは支持されている。ブレー
ドは、この形態でなく周知のクリーニングブレードが本
例に適用できることは言うまでもない。また、５０１２
は、吸引回復の吸引を開始するためのレバーで、キャリ
ッジと係合するカム５０２０の移動に伴って移動し、駆
動モータからの駆動力がクラッチ切替等の公知の伝達手
段で移動制御される。
【００４６】これらのキャッピング、クリーニング、吸
引回復は、キャリッジがホームポジション側領域にきた
ときにリードスクリュー５００４の作用によってそれら
の対応位置で所望の処理が行えるように構成されている
が、周知のタイミングで所望の作動を行うようにすれ
ば、本例にはいずれも適用できる。上述における各構成
は単独でも複合的に見ても優れた発明であり、本発明に
とって好ましい構成例を示している。なお、本装置はイ
ンク吐出圧発生素子を駆動するための駆動信号供給手段
を有している。
引回復は、キャリッジがホームポジション側領域にきた
ときにリードスクリュー５００４の作用によってそれら
の対応位置で所望の処理が行えるように構成されている
が、周知のタイミングで所望の作動を行うようにすれ
ば、本例にはいずれも適用できる。上述における各構成
は単独でも複合的に見ても優れた発明であり、本発明に
とって好ましい構成例を示している。なお、本装置はイ
ンク吐出圧発生素子を駆動するための駆動信号供給手段
を有している。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、発熱抵抗体及びそ
れを電気的に接続する配線パターンをインクから保護す
る保護膜が、表面を被覆するように形成されており、か
つ、発熱抵抗体と電気的接続部の内側に段差が入るよう
に、発熱抵抗体の上の保護膜を局部的に薄くすることに
よって、消費電力が削減でき、かつ、保護膜を厚くした
ときと同様の信頼性と寿命を得ることができる。
れを電気的に接続する配線パターンをインクから保護す
る保護膜が、表面を被覆するように形成されており、か
つ、発熱抵抗体と電気的接続部の内側に段差が入るよう
に、発熱抵抗体の上の保護膜を局部的に薄くすることに
よって、消費電力が削減でき、かつ、保護膜を厚くした
ときと同様の信頼性と寿命を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係るインクジェットヘッ
ド用発熱基板の平面図である。
ド用発熱基板の平面図である。
【図２】図１をＸ−Ｘ’の一点鎖線で垂直に切断したと
きの発熱基板の断面図である。
きの発熱基板の断面図である。
【図３】従来のインクジェット記録ヘッドの発熱基板の
平面図である。
平面図である。
【図４】図３をＸ−Ｘ’の一点鎖線で垂直に切断したと
きの発熱基板の断面図である。
きの発熱基板の断面図である。
【図５】本発明の第２実施例に係るインクジェットヘッ
ド用発熱基板の平面図である。
ド用発熱基板の平面図である。
【図６】本発明の第２実施例の変形例を示すインクジェ
ットヘッド用発熱基板の平面図である。
ットヘッド用発熱基板の平面図である。
【図７】本発明のインクジェットヘッド用基板を適用可
能なインクジェットヘッドの模式的説明図である。
能なインクジェットヘッドの模式的説明図である。
【図８】本発明のインクジェットヘッド用基板を適用可
能なインクジェットヘッドを用いたインクジェット装置
を示す模式的斜視図である。
能なインクジェットヘッドを用いたインクジェット装置
を示す模式的斜視図である。
１０１ 発熱基板
１０２ 発熱部
１０３ Ａｌ電極配線
１０４ Ａｌ電極配線
１０５ 局部的に保護膜の薄い部分
１０６ 蓄熱層としてのＳｉＯ2 層
１０７ 発熱抵抗体としてのＴａＮ
１０８ ＳｉＮ保護層
１０８ａ 第１の絶縁保護膜
１０８ｂ 第２の絶縁保護膜
１１０ Ｔａ保護層（耐キャビテーション）
１１１ 薄い保護層
１１２ ＰＳＧ層
１１３ Ｔｉ層
１２０ Ｓｉ基板あるいはＩＣ作り込み済みのＳｉ基
板
板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 笠本 雅己
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(72)発明者 森 利浩
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(72)発明者 池田 雅実
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(56)参考文献 特開 昭62−103148（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−198889（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−330052（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B41J 2/05
B41J 2/16
Claims (14)
- 【請求項１】 インクに熱を与えるための複数の発熱抵
抗体と該発熱抵抗体に電気的に接続された複数の配線と
該配線より露出した前記発熱抵抗体で形成される複数の
発熱部とを有する基板を用意する工程と、該基板の前記
発熱抵抗体及び配線上に第１の絶縁保護膜を被覆する工
程と、該第１の絶縁保護膜の前記発熱部上の部分をウエ
ットエッチングにより除去する工程と、該エッチングが
施された第１の絶縁保護膜上に第２の絶縁保護膜を被覆
する工程と、を有するインクジェットヘッド用基板の製
造方法であって、 前記第１の絶縁保護膜の前記発熱部長手方向のエッチン
グ部分は、発熱部における配線端面から前記配線を被覆
する第１及び第２の絶縁保護膜の厚さの和の１／２以上
内側に設けられることを特徴とするインクジェットヘッ
ド用基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記第２の絶縁保護膜上に更に耐キャビ
テーション膜を設ける工程を有する請求項１に記載のイ
ンクジェットヘッド用基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の絶縁保護膜の発熱部配列方向
のエッチング部分が発熱抵抗体よりも外側まで延在して
いる請求項１に記載のインクジェットヘッド用基板の製
造方法。 - 【請求項４】 前記第２の絶縁保護膜の膜厚は２０００
〜７０００オングストロームである請求項１に記載のイ
ンクジェットヘッド用基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記基板は前記発熱部下に蓄熱層を有す
る請求項３に記載のインクジェットヘッド用基板の製造
方法。 - 【請求項６】 前記第１の絶縁保護膜の発熱部配列方向
のエッチング部分が隣接する発熱部のエッチング部分と
連続している請求項３に記載のインクジェットヘッド用
基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記耐キャビテーション膜がＴａである
請求項２に記載のインクジェットヘッド用基板の製造方
法。 - 【請求項８】 前記第１の絶縁保護膜がＰＳＧもしくは
ＳｉＯである請求項１に記載のインクジェットヘッド用
基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記第２の絶縁保護膜がＳｉＮもしくは
ＳｉＯである請求項１に記載のインクジェットヘッド用
基板の製造方法。 - 【請求項１０】 インクに熱を与えるための複数の発熱
抵抗体と該発熱抵抗体に電気的に接続された複数の配線
と該配線より露出した前記発熱抵抗体で形成される複数
の発熱部とを有する基板を用意する工程と、該基板の前
記発熱抵抗体及び配線上に第１の絶縁保護膜を被覆する
工程と、該第１の絶縁保護膜の前記発熱部上の部分をウ
エットエッチングにより除去する工程と、該エッチング
が施された第１の絶縁保護膜上に第２の絶縁保護膜を被
覆する工程と、前記基板上に前記発熱抵抗体に対応した
インク流路を形成する工程と、を有するインクジェット
ヘッドの製造方法であって、 前記第１の絶縁保護膜の前記発熱部長手方向のエッチン
グ部分は、発熱部における配線端部より前記配線を被覆
する第１及び第２の絶縁保護膜の厚さの和の１／２以上
内側に設けられることを特徴とするインクジェットヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至９のうちいずれか１項に
記載の製造方法により製造されたことを特徴とするイン
クジェット用基板。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のインクジェット用
基板と前記発熱抵抗体に対応したインク流路とを有する
ことを特徴とするインクジェットヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１０に記載の製造方法によって
製造されたインクジェットを具備させることを特徴とす
るインクジェット装置の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１２に記載のインクジェットヘ
ッドと該インクジェットヘッドを載置するための部材と
を少なくとも具備することを特徴とする記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21887995A JP3382424B2 (ja) | 1994-08-26 | 1995-08-28 | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置の製造方法並びにインクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-201644 | 1994-08-26 | ||
| JP20164494 | 1994-08-26 | ||
| JP21887995A JP3382424B2 (ja) | 1994-08-26 | 1995-08-28 | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置の製造方法並びにインクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08112902A JPH08112902A (ja) | 1996-05-07 |
| JP3382424B2 true JP3382424B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=26512905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21887995A Expired - Fee Related JP3382424B2 (ja) | 1994-08-26 | 1995-08-28 | インクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置の製造方法並びにインクジェットヘッド用基板、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3382424B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1627743A1 (en) | 2004-08-16 | 2006-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit board for ink jet head, method of manufacturing the same, and ink jet head using the same |
| EP1627742A1 (en) | 2004-08-16 | 2006-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head circuit board, method of manufacturing the same, and ink jet head using the same |
| CN1592547B (zh) * | 2003-09-04 | 2011-05-18 | 佳能株式会社 | 电路基板、液体排出装置和电路基板的制造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6543884B1 (en) * | 1996-02-07 | 2003-04-08 | Hewlett-Packard Company | Fully integrated thermal inkjet printhead having etched back PSG layer |
| US6532027B2 (en) | 1997-12-18 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, substrate for this head, manufacturing method of this substrate and ink jet recording apparatus |
| US6357862B1 (en) | 1998-10-08 | 2002-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for ink jet recording head, ink jet recording head and method of manufacture therefor |
| JP4646602B2 (ja) | 2004-11-09 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド用基板の製造方法 |
| WO2007105801A1 (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | 液体吐出ヘッド基体、その基体を用いた液体吐出ヘッドおよびそれらの製造方法 |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP21887995A patent/JP3382424B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1592547B (zh) * | 2003-09-04 | 2011-05-18 | 佳能株式会社 | 电路基板、液体排出装置和电路基板的制造方法 |
| EP1627743A1 (en) | 2004-08-16 | 2006-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit board for ink jet head, method of manufacturing the same, and ink jet head using the same |
| EP1627742A1 (en) | 2004-08-16 | 2006-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head circuit board, method of manufacturing the same, and ink jet head using the same |
| US7641316B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head circuit board, method of manufacturing the same and ink jet head using the same |
| US7681993B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit board for ink jet head, method of manufacturing the same, and ink jet head using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08112902A (ja) | 1996-05-07 |
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