JP3380926B2 - Electron gun for cathode ray tube, method of manufacturing the same, and cathode ray tube - Google Patents

Electron gun for cathode ray tube, method of manufacturing the same, and cathode ray tube

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JP3380926B2 JP35013093A JP35013093A JP3380926B2 JP 3380926 B2 JP3380926 B2 JP 3380926B2 JP 35013093 A JP35013093 A JP 35013093A JP 35013093 A JP35013093 A JP 35013093A JP 3380926 B2 JP3380926 B2 JP 3380926B2
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/48Electron guns
    • H01J2229/4824Constructional arrangements of electrodes
    • H01J2229/4827Electrodes formed on surface of common cylindrical support

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばプロジェクタ
管、カラー受像管、インデックス管等に用いられる陰極
線管の電子銃に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron gun of a cathode ray tube used for, for example, a projector tube, a color picture tube, an index tube and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、陰極線管の電子銃としては、例え
ば図38に示すようなものが知られている。この電子銃
はユニポテンシャル型のものであり、電子を放出すべき
カソードKに対して、加速及び集束電極としての第1〜
第5グリッドが同軸(Z軸)上に配される。そして、カ
ソードKから放出される電子ビームは、第2及び第3グ
リッドG2 ,G3 によって形成されるプリフォーカスレ
ンズと、第3〜第5グリッドG3 〜G5 により形成され
る主レンズとの働きにより蛍光面上に集束される。これ
らカソードK及び第1〜第5グリッドG1 〜G5 はビー
デングガラスに融着によって固定され、一体的に組み立
てられる。また、第1〜第5グリッドG1〜G5 は、例
えばステンレス等の金属から構成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an electron gun for a cathode ray tube, for example, one shown in FIG. 38 has been known. This electron gun is of a unipotential type, and has a first to a first electrode as an accelerating and focusing electrode for the cathode K from which electrons are to be emitted.
The fifth grid is arranged coaxially (Z axis). Then, the electron beam emitted from the cathode K is emitted from the prefocus lens formed by the second and third grids G 2 and G 3 and the main lens formed by the third to fifth grids G 3 to G 5. Is focused on the fluorescent screen by the action of. These cathodes K and the first to fifth grids G 1 ~G 5 is fixed by welding to the Bee dengue glass are assembled integrally. Further, first to fifth grids G 1 ~G 5 is composed of a metal such as stainless steel.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来例にあっては、次のような問題が生じていた。すな
わち、上述した構成においては電極特に第3〜第5グリ
ッドG3 〜G5 間の同心度にずれが生じやすく、そのた
め電子ビームの離軸が起こってフォーカスぼけが発生し
ていた。また、電極間の電位差が段階状になるため、第
3〜第5グリッドG3 〜G5 間において放電が起こりや
すく、また、レンズ系の球面収差が大きくなってビーム
スポット径が大きくなっていた。
However, in such a conventional example, the following problems have occurred. That is, the electrode in particular third to fifth grids G 3 ~G the concentricity between 5 tends to occur deviation in the structure described above, defocusing has occurred happening away axis therefore electron beam. Further, since the potential difference between the electrodes is stepwise, third to fifth grids G 3 tends to occur discharge in between ~G 5, also, the beam spot diameter was larger by spherical aberration of the lens system becomes large .

【0004】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、主レンズ系の同心
度のずれを抑えて電子ビームの離軸を小さくしうるとと
もに、主レンズ用電極間の電位勾配を小さくして電極間
放電を防止し且つ主レンズの球面収差を小さくしうる陰
極線管の電子銃及びその製造方法並びに陰極線管を提供
することにある。
The present invention has been made in view of the above points of the prior art, and an object of the present invention is to suppress the deviation of the concentricity of the main lens system to reduce the off-axis of the electron beam and to make the main lens. An object of the present invention is to provide an electron gun for a cathode ray tube, a method of manufacturing the same, and a cathode ray tube which can reduce the potential gradient between the electrodes for use to prevent the discharge between the electrodes and reduce the spherical aberration of the main lens.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems] 本発明に係る陰極線管のOf the cathode ray tube according to the present invention
電子銃は、カソードと、同軸上に配置された第1電極、The electron gun has a cathode and a first electrode coaxially arranged,
第2電極及び主電子レンズを構成する複数の電極を有すHas a plurality of electrodes that form the second electrode and the main electron lens
る抵抗円筒体とを備え、抵抗円筒体は、絶縁円筒体の内And a resistance cylinder, which is a
面に軸方向に沿って複数の電極を被着形成し、電極のいMultiple electrodes are deposited on the surface along the axial direction, and
ずれにも重なるように、各電極間に対応した絶縁円筒体Insulating cylindrical body corresponding to each electrode so that it overlaps even if it is displaced
の内面にらせん状抵抗膜を形成した構成とする。A spiral resistance film is formed on the inner surface of the.

【0006】[0006] 本発明に係る陰極線管の電子銃は、カソーThe electron gun of the cathode ray tube according to the present invention is
ドと、同軸上に配置された第1電極、第2電極及び主電And a first electrode, a second electrode and a main electrode which are coaxially arranged.
子レンズを構成する複数の電極を有する抵抗円筒体とをAnd a resistance cylinder having a plurality of electrodes that form a child lens.
備え、抵抗円筒体は、高抵抗物質の円筒体の内面に軸方Equipped with a resistance cylinder axially on the inner surface of the cylinder of high resistance material
向に沿って複数の電極を被着形成し、この各電極間に対A plurality of electrodes are formed along each direction, and a pair of electrodes is
応した高抵抗物質の円筒体の内面に導電リングを形成しA conductive ring is formed on the inner surface of a cylindrical body of
た構成とする。It has a different configuration.

【0007】[0007] この場合の陰極線管の電子銃は、抵抗円筒The electron gun of the cathode ray tube in this case is a resistance cylinder.
体の外壁面に軸方向に沿って導電膜を形成し、導電膜とForm a conductive film along the axial direction on the outer wall surface of the body,
抵抗円筒体の両端部に形成された電極とを夫々ホルダーHolders for the electrodes formed on both ends of the resistor cylinder
により電気的に接続して構成することができる。Can be electrically connected by means of.

【0008】[0008] 上記陰極線管の電子銃は、上記抵抗円筒体The cathode ray tube electron gun is the resistance cylinder body.
の複数の電極のうち、抵抗円筒体の両端部間の中間に形Of the multiple electrodes of the
成された電極に電気的に接続された導電ピンを、抵抗円The conductive pin electrically connected to the electrode
筒体外に導出するように構成することができる。It can be configured to be led out of the cylindrical body.

【0009】[0009] 上記陰極線管の電子銃は、上記高抵抗物質The electron gun of the cathode ray tube is made of the high resistance material.
の円筒体としては3分割し、中間の高抵抗物質の円筒体Cylinder is divided into 3 parts, and the middle is made of high resistance material.
の表面抵抗値を、両端の高抵抗物質の円筒体の表面抵抗The surface resistance of the cylindrical body of high resistance material
値よりも大に設定して構成することができる。It can be configured to be greater than the value.

【0010】[0010] 上記陰極線管の電子銃は、上記高抵抗物質The electron gun of the cathode ray tube is made of the high resistance material.
の円筒体を3分割した第1の高抵抗物質円筒体と、このThe first high-resistance material cylindrical body obtained by dividing the cylindrical body of
第1の高抵抗物質円筒体を内収する第2の高抵抗物質円Second high-resistance substance circle containing the first high-resistance substance cylinder
筒体とからなり、第1の高抵抗物質円筒体のうちの中間The middle of the first high resistance material cylindrical body
の高抵抗物質円筒体の表面抵Surface resistance of the high resistance material cylinder 抗値を、両端の高抵抗物質Resistance value, high resistance material at both ends
円筒体の表面抵抗値よりも大に設定し、第2の高抵抗物The second high resistance material is set to a value larger than the surface resistance value of the cylindrical body.
質円筒体を、中間の高抵抗物質円筒体と同じ材料、またThe same material as the intermediate high resistance material cylinder, or
は第1の高抵抗物質円筒体と異なる材料で形成して構成Is made of a material different from that of the first high-resistance substance cylinder.
することができる。can do.

【0011】[0011] 本発明に係る陰極線管の電子銃の製造方法Method for manufacturing electron gun of cathode ray tube according to the present invention
は、絶縁円筒体の内面に軸方向に沿って主電子レンズをMounts the main electron lens along the axial direction on the inner surface of the insulating cylinder.
構成する複数の電極を形成する工程と、絶縁円筒体の内The process of forming the multiple electrodes that make up the
周面に、複数の電極のいずれにも重なるように抵抗ペーA resistance sheet should be placed on the peripheral surface so that it overlaps any of the electrodes.
ストによる抵抗膜を形成する工程と、抵抗膜の電極を除The process of forming the resistive film by the
く部分をらせん状にトリミングしてらせん状抵抗膜を形The spiral resistance film is formed by trimming the spiral part in a spiral shape.
成し、抵抗円筒体を作製する工程と、第1電極、第2電Forming the resistance cylinder, and the first electrode and the second electrode.
極及び抵抗円筒体を同軸上に配置すると共に、第1電極The pole and the resistance cylinder are arranged coaxially and the first electrode
に隣接してカソードを配置する工程とを有する。And arranging the cathode adjacent to.

【0012】[0012] 本発明に係る陰極線管の電子銃の製造方法Method for manufacturing electron gun of cathode ray tube according to the present invention
は、高抵抗物質の円筒体の内面に軸方向に沿って主電子Is the main electron along the axial direction on the inner surface of the cylinder of high resistance material.
レンズを構成する複数の電極を形成する工程と、各電極Process of forming a plurality of electrodes constituting a lens and each electrode
間に対応する高抵抗物質の円筒体内面に導電リングを形A conductive ring is formed on the inner surface of the cylinder of high resistance material corresponding to
成し、抵抗円筒体を作製する工程と、第1電極、第2電Forming the resistance cylinder, and the first electrode and the second electrode.
極及び抵抗円筒体を同軸上に配置すると共に、第1電極The pole and the resistance cylinder are arranged coaxially and the first electrode
に隣接してカソードを配置する工程とを有する。And arranging the cathode adjacent to.

【0013】[0013] 本発明に係る陰極線管は、カソードと、同The cathode ray tube according to the present invention is the same as the cathode.
軸上に配置された第1電極、第2電極及び主電子レンズA first electrode, a second electrode and a main electron lens arranged on the axis
を構成する複数の電極を有する抵抗円筒体とが設けらAnd a resistive cylinder having a plurality of electrodes forming
れ、抵抗円筒体が、絶縁円筒体の内面に軸方向に沿ってThe resistance cylinder along the axial direction on the inner surface of the insulation cylinder.
複数の電極を被着形成し、この複数の電極のいずれにもMultiple electrodes are deposited and formed on any of these electrodes.
重なるように、複数の電極間に対応した絶縁筒体の内面Inner surface of the insulating cylinder that corresponds to multiple electrodes so that they overlap
にらせん状抵抗膜を形成して構成された電子銃を備えてEquipped with an electron gun formed by forming a spiral resistance film
成る。Become.

【0014】[0014] 本発明に係る陰極線管は、カソードと、同The cathode ray tube according to the present invention is the same as the cathode.
軸上に配置された第1電極、第2電極及び主電子レンズA first electrode, a second electrode and a main electron lens arranged on the axis
を構成する複数の電極を有する抵抗円筒体とが設けらAnd a resistive cylinder having a plurality of electrodes forming
れ、抵抗円筒体が、高抵抗物質の円筒体の内面に軸方向And the resistance cylinder is axially aligned with the inner surface of the cylinder of high resistance material.
に沿って複数の電極を被着形成し、この複数の電極間にA plurality of electrodes are deposited along the
対応した高抵抗物質の円筒体の内面に導電リングを形成Conductive ring is formed on the inner surface of the corresponding cylinder of high resistance material
して構成された電子銃を備えて成る。And an electron gun configured as described above.

【0015】[0015] 上記陰極線管は、上記電子銃を構成する抵The cathode ray tube is a resistor that constitutes the electron gun.
抗円筒体の外壁面に軸方向に沿って導電膜を形成し、導A conductive film is formed along the axial direction on the outer wall surface of the anti-cylindrical body,
電膜と抵抗円筒体の両端部に形成された電極とが夫々ホThe electrolyte membrane and the electrodes formed on both ends of the resistor cylinder are respectively
ルダーにより電気的に接続した構成とすることができCan be configured to be electrically connected by a ruder
る。It

【0016】[0016] 上記陰極線管は、上記電子銃における抵抗The cathode ray tube has a resistance in the electron gun.
円筒体の複数の電極のうち、抵抗円筒体の両端部間の中Of the multiple electrodes of the cylinder, the middle between the two ends of the resistance cylinder.
間に形成された電極に電気的に接続された導電ピンを、The conductive pin electrically connected to the electrode formed between
抵抗円筒体外に導出した構成とすることができる。The configuration can be such that it is led out of the resistance cylinder.

【0017】[0017] 上記陰極線管は、上記電子銃における高抵The cathode ray tube has a high resistance in the electron gun.
抗物質の円筒体を3分割し、中間の高抵抗物質の円筒体Cylinder body of anti-substance is divided into 3 parts, cylinder body of high resistance substance in the middle
の表面抵抗値を、両端の高抵抗物質の円筒体の表面抵抗The surface resistance of the cylindrical body of high resistance material
値よりも大に設定した構成とすることができる。The configuration can be set larger than the value.

【0018】[0018] 上記陰極線管は、電子銃における上記高抵The cathode ray tube has the high resistance in the electron gun.
抗物質の円筒体を、3分割した第1の高抵抗物質円筒体A first high resistance material cylinder obtained by dividing the antibody cylinder into three parts.
と、この第1の高抵抗物質円筒体を内収する第2の高抵And a second high resistance material containing the first high-resistance material cylinder.
抗物質円筒体とから構成し、第1の高抵抗物質円筒体のOf the first high resistance material cylinder
うちの中間の高抵抗物質円筒体の表面抵抗値を、両端のThe surface resistance value of the middle high resistance material cylinder is
高抵抗物質円筒体の表面抵抗値よりも大に設定し、第2Set it to a value larger than the surface resistance of the high-resistance material cylinder,
の高抵抗物質円筒体を、中間の高抵抗物質円筒体と同じHigh resistance material cylinder is the same as the middle high resistance material cylinder
材料、または第1の高抵抗物質円筒体と異なる材料で形Made of material or material different from the first cylinder of high resistance material
成した構成とすることができる。It can be configured.

【0019】[0019]

【作用】 本発明の陰極線管の電子銃においては、電子
レンズを構成する複数の電極を有する抵抗円筒体を備え
るので、電子レンズ系の同心度のずれがほとんど生じな
い。また、主レンズを構成する複数の電極間にらせん抵
抗膜が形成されるので、これらの電極間の電位勾配が小
さくなり、このため主レンズ系の球面収差が小さくな
る。
In the cathode ray tube electron gun of the present invention , a resistance cylinder having a plurality of electrodes forming a main electron lens is provided.
Therefore , the deviation of the concentricity of the electron lens system hardly occurs. In addition, a spiral resistor is placed between the electrodes that make up the main lens.
Due to the formation of the anti-membrane, the potential gradient between these electrodes is small.
This reduces the spherical aberration of the main lens system.
It

【0020】[0020] 本発明の陰極線管の電子銃においては、主In the electron gun of the cathode ray tube of the present invention, the main
レンズを構成する複数の電極を有する抵抗円筒体を備Equipped with a resistive cylinder with multiple electrodes that make up the lens
え、その抵抗円筒体を高抵抗物質で形成することによBy forming the resistance cylinder with a high resistance material,
り、主レThe main ンズ系の同心度のずれがほとんど生じない。さAlmost no deviation of concentricity occurs. It
らに電極間にリング状の導電層を設けることにより、電In addition, by providing a ring-shaped conductive layer between the electrodes,
極間の電位勾配が小さくなり、このため主レンズの球面The potential gradient between the poles is reduced, which results in a spherical surface of the main lens.
収差が小さくなる。Aberration is reduced.

【0021】[0021] 上記電子銃においては、導電膜と抵抗円筒In the above electron gun, a conductive film and a resistance cylinder
体の両端部に形成された電極とを夫々ホルダーにより電The electrodes formed on both ends of the body are electrically charged by the holders.
気的に接続した構成によって、いわゆるユニポテンシャThe so-called unipotencia is possible because
ル型の主レンズを構成する両端の電極が等電位化され、The electrodes on both ends of the main lens of the Le type are made equipotential,
主レンズ系の同心ずれを抑えて電子ビームの軸ずれを小Minimizes the electron beam axis deviation by suppressing the concentric deviation of the main lens system.
さくすることができる。You can do it.

【0022】[0022] 上記電子銃においては、抵抗円筒体の所定In the above electron gun, the resistance cylinder
の位置から第4電極の導電端子を導出するように構成すIt is configured to lead out the conductive terminal of the fourth electrode from the position
ることにより、軸電位の微調整が可能になる。This enables fine adjustment of the shaft potential.

【0023】[0023] 上記電子銃においては、抵抗円筒体の複数In the above electron gun, a plurality of resistance cylinders are used.
の電極のうち、抵抗円筒体の両端部間に形成された電極Of the electrodes, the electrodes formed between both ends of the resistance cylinder
に電気的に接続された導電ピンを、抵抗円筒体外に導出Conductive pin electrically connected to the outside of the resistance cylinder
するので、抵抗分布をより傾斜させることができ、主電Therefore, the resistance distribution can be made more sloping and
子レンズ特性の向上を図ることができる。The child lens characteristics can be improved.

【0024】[0024] 上記電子銃においては、3分割の第1の高In the above electron gun, the first height of three divisions
抵抗物質の円筒体を内収する第2の高抵抗物質の円筒体A second cylinder of high-resistance material containing a cylinder of resistance material
を設けることにより、内側の第1の高抵抗物質の円筒体By providing an inner first cylindrical body of high resistance material
を保護することができる。Can be protected.

【0025】[0025] 本発明の陰極線管の電子銃の製造方法におIn the method of manufacturing an electron gun for a cathode ray tube according to the present invention,
いては、複数の電極のいずれにも重なるように抵抗ペーThe resistance page so that it overlaps any of the electrodes.
ストを使って抵抗膜を形成し、抵抗膜の電極を除く部分The part where the resistive film is formed by using a strike and the electrode of the resistive film is excluded
をらせん状にトリミングしてらせん状抵抗膜を形成し、Is spirally trimmed to form a spiral resistance film,
また、各電極間に対応する高抵抗物質の円筒体内面に導In addition, the inner surface of the cylinder of high resistance material corresponding to each electrode is guided.
電リングを形成し、抵抗円筒体を作れるので、上述の電Since a resistance ring can be made by forming an electric ring,
子銃を容易に製造することができる。The child gun can be easily manufactured.

【0026】[0026] 本発明の陰極線管の電子銃の製造方法におIn the method of manufacturing an electron gun for a cathode ray tube according to the present invention,
いては、高抵抗物質の円筒体の内面に軸方向に沿って主The inner surface of the cylinder of high resistance material along the axial direction.
電子レンズを構成する複数の電極を形成して、各電極間Between the electrodes by forming multiple electrodes that make up the electron lens
に対Against 応する高抵抗物質の円筒体内面に導電リングを形成A conductive ring is formed on the inner surface of a cylindrical body of high resistance material
し、抵抗円筒体を作製し、第1電極、第2電極及び抵抗Then, a resistance cylinder is prepared, and the first electrode, the second electrode and the resistor are formed.
円筒体を同軸上に配置すると共に、第1電極に隣接してThe cylindrical body is arranged coaxially and adjacent to the first electrode.
カソードを配置するので、上述の電子銃を容易に製造すSince the cathode is arranged, the above electron gun can be easily manufactured.
ることができる。You can

【0027】[0027] さらに、本発明の陰極線管においては、上Furthermore, in the cathode ray tube of the present invention,
述した電子銃を備えているので、レンズ径を大きくしSince it is equipped with the electron gun described above, increase the lens diameter
て、より一層のレンズ特性の向上が図られ、高画質化でThe lens characteristics are further improved and the image quality is improved.
きる。Wear.

【0028】[0028]

【実施例】以下、本発明に係る陰極線管の電子銃の実施
例について図1〜31を参照して説明する。図1に第1
実施例の全体構成を示す。本実施例の電子銃はユニポテ
ンシャル型のものである。同図に示すように、本実施例
においては、ネック管1のステム2の近傍に電子を放出
するためのカソードKが設けられ、このカソードKに隣
接して第1グリッドG1 、第2グリッドG2 及び第3グ
リッドG3 を構成するカップ部材G3Aが同軸上に配され
る。そして、カップ部材G3Aに隣接した位置に、主レン
ズを形成するための後述する絶縁管3が設けられる。さ
らに、この絶縁管3の上端部にはHVシールド4及びH
Vスプリング5が固定される。尚、ステム2には複数の
ステムピン6が埋め込まれている。
Embodiments of the electron gun for a cathode ray tube according to the present invention will be described below with reference to FIGS. First in FIG.
1 shows the overall configuration of the embodiment. The electron gun of this embodiment is of a unipotential type. As shown in the figure, in the present embodiment, a cathode K for emitting electrons is provided in the vicinity of the stem 2 of the neck tube 1, and the first grid G 1 and the second grid are adjacent to the cathode K. The cup member G 3A forming the G 2 and the third grid G 3 is coaxially arranged. Then, an insulating tube 3 described later for forming a main lens is provided at a position adjacent to the cup member G 3A . Further, the HV shield 4 and the H
The V spring 5 is fixed. A plurality of stem pins 6 are embedded in the stem 2.

【0029】第1グリッドG1 にはビーム量を制御する
ためのカットオフ電圧が印加される。一方、第1グリッ
ドG1 に隣接する第2グリッドG2 にはカソードKより
正に数百V程度高い電圧が印加される。そして、第1グ
リッドG1 、第2グリッドG2 及び第3グリッドG3
構成するカップ部材G3Aは、これらの両側に配された一
対のビードガラス7に融着によって固定され、トライオ
ードを構成する。
A cutoff voltage for controlling the beam amount is applied to the first grid G 1 . On the other hand, a voltage positively higher than the cathode K by about several hundreds V is applied to the second grid G 2 adjacent to the first grid G 1 . Then, the cup members G 3A forming the first grid G 1 , the second grid G 2, and the third grid G 3 are fixed to the pair of bead glasses 7 arranged on both sides thereof by fusion bonding to form a triode. To do.

【0030】また、第1グリッドG1 のリード線24及
び第2グリッドG2 のリード線25はそれぞれステムピ
ン6に接続され、これによりトライオードが固定され
る。絶縁管3は、例えば絶縁性セラミック(Al2 3
96%)又はガラスからなり、真円度の高い(例えば5
0m以下)円筒形状に形成される。この絶縁管3の両端
部及び中央部にはRuO2 −ガラスペーストからなるリ
ング状の電極膜8,9,10が塗布形成されている。こ
こで、電極膜8はカップ部材G3Aとともに第3グリッド
3 を構成し、電極膜9,10はそれぞれ第4グリッド
4 及び第5グリッドG5 の役割を果たす。そして、両
端部の電極膜8,10と一部重なるとともに中央部の電
極膜9には全部重なるように抵抗膜11が形成されてい
る。この抵抗膜11は、電極膜8,9及び電極膜9,1
0間においてらせん状(ヘリカル)に形成されている。
一方、絶縁管3の一方の外面には、その長手方向に延び
る導電膜17が形成されている。
The lead wire 24 of the first grid G 1 and the lead wire 25 of the second grid G 2 are connected to the stem pin 6, respectively, whereby the triode is fixed. The insulating tube 3 is made of, for example, an insulating ceramic (Al 2 O 3
96%) or glass and has a high roundness (for example, 5
(0 m or less) formed into a cylindrical shape. Ring-shaped electrode films 8, 9 and 10 made of RuO 2 -glass paste are applied and formed on both ends and the center of the insulating tube 3. Here, the electrode film 8 constitutes the third grid G 3 together with the cup member G 3A , and the electrode films 9 and 10 function as the fourth grid G 4 and the fifth grid G 5 , respectively. The resistance film 11 is formed so as to partially overlap the electrode films 8 and 10 at both ends and to entirely overlap the electrode film 9 at the central part. The resistance film 11 includes the electrode films 8 and 9 and the electrode films 9 and 1.
It is formed in a helical shape between 0s.
On the other hand, a conductive film 17 extending in the longitudinal direction is formed on one outer surface of the insulating tube 3.

【0031】絶縁管3の両端部には、電極膜8,10と
電気的に接続するための円筒ホルダー12(12a,1
2b)が固定されている。この円筒ホルダー12は、例
えばステンレス等の金属からなり、図2A〜Cに示すよ
うに、絶縁管3とはまり合うリング状のフランジ部13
を有している。そして、このフランジ部13の内周に
は、対向する一対の突起14が3個所に設けられ、これ
らの突起14のうち内側のものが絶縁管3の内面に形成
した電極膜10,12と接触するように構成される。ま
た、円筒ホルダー12aと円筒ホルダー12bとは、絶
縁管3の外面に形成した導電膜17を介して電気的に接
続される。
At both ends of the insulating tube 3, a cylindrical holder 12 (12a, 1a) for electrically connecting with the electrode films 8, 10 is formed.
2b) is fixed. The cylindrical holder 12 is made of metal such as stainless steel, and as shown in FIGS. 2A to 2C, a ring-shaped flange portion 13 that fits into the insulating pipe 3.
have. A pair of opposed projections 14 are provided at three locations on the inner circumference of the flange portion 13, and the inner one of these projections 14 contacts the electrode films 10 and 12 formed on the inner surface of the insulating tube 3. To be configured. Further, the cylindrical holder 12a and the cylindrical holder 12b are electrically connected via the conductive film 17 formed on the outer surface of the insulating tube 3.

【0032】図1に示すように、絶縁管3のほぼ中央部
にはG4 ピン15が設けられる。このG4 ピン15は絶
縁管3の膨張係数とほぼ等しい膨張係数を有するコバー
ル鉄又はTi合金で形成することが好ましい。そして、
このG4 ピン15は、絶縁管3に形成した孔16を介し
て電極膜9と接触するように取り付けられる。また、G
4 ピン15はリード線26が接続される。このリード線
26は、図示しないがステムピン6に固定される。
As shown in FIG. 1, a G 4 pin 15 is provided at a substantially central portion of the insulating tube 3. The G 4 pin 15 is preferably made of Kovar iron or Ti alloy having an expansion coefficient substantially equal to that of the insulating tube 3. And
The G 4 pin 15 is attached so as to come into contact with the electrode film 9 through the hole 16 formed in the insulating tube 3. Also, G
The lead wire 26 is connected to the 4- pin 15. Although not shown, the lead wire 26 is fixed to the stem pin 6.

【0033】図3に示すように、HVシールド4は例え
ばSUS304等からなる平板状の部材で、その中央部
には電子ビームを透過させるための孔18が設けられ
る。このHVシールド4は溶接によって円筒ホルダー1
2に固定される。
As shown in FIG. 3, the HV shield 4 is a flat plate member made of, for example, SUS304 or the like, and a hole 18 for allowing an electron beam to pass therethrough is provided at the center thereof. This HV shield 4 is welded to the cylindrical holder 1
Fixed to 2.

【0034】HVスプリング5は例えばインコネルから
なる。図1に示すように、HVスプリング5はHVシー
ルド4の両端部に溶接によって固定され、その先端部が
ネック管1の内面を押圧するように構成される。そし
て、このHVスプリング5はカーボン等からなる導電膜
を介して不図示のアノードボタンに電気的に接続され
る。
The HV spring 5 is made of Inconel, for example. As shown in FIG. 1, the HV spring 5 is fixed to both ends of the HV shield 4 by welding, and its tip end portion presses the inner surface of the neck tube 1. The HV spring 5 is electrically connected to an anode button (not shown) via a conductive film made of carbon or the like.

【0035】次に、本実施例の製造方法について図4及
び図5を用いて説明する。まず、絶縁管3にG4 ピン1
5を取り付けるための孔16を形成し(図4工程
(1)、図5A)、この絶縁管3を洗浄する(図4工程
(2))。そして、図6に示すようにこの孔16にG4
ピン15とフリットガラスgをセットする(図4工程
(3))。さらに、G4 ピン15を不図示の治具によっ
て固定し、その状態でフリット焼成を行う(図4工程
(4)、図5B)。
Next, the manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIGS. First, G 4 pin 1 to the insulating tube 3
A hole 16 for mounting the 5 is formed (FIG. 4 step (1), FIG. 5A), and the insulating pipe 3 is washed (FIG. 4 step (2)). Then, G 4 in the hole 16 as shown in FIG. 6
The pin 15 and the frit glass g are set (step (3) in FIG. 4). Further, the G 4 pin 15 is fixed by a jig (not shown), and frit firing is performed in this state (step (4) in FIG. 4, FIG. 5B).

【0036】次いで、絶縁管3の内面の両端部及び中央
部に電極膜8〜10を塗布形成する(図4工程(5)、
図5C)。この場合、導電ペーストとしては、例えばR
uO2 −ガラスペースト(商品名#9516、デュポン
社製等)を用い、膜厚が均一になるよう塗布を行う。
Next, electrode films 8 to 10 are formed by coating on both ends and the center of the inner surface of the insulating tube 3 (step (5) in FIG. 4,
FIG. 5C). In this case, as the conductive paste, for example, R
Using uO 2 -glass paste (trade name # 9516, manufactured by DuPont, etc.), coating is performed so that the film thickness is uniform.

【0037】さらに、図5Dに示すように、第3グリッ
ドG3 としての電極膜8と第5グリッドG5 としての電
極膜10を電気的に接続するため、絶縁管3のG4 ピン
15が設けられない側の外周に長手方向に上記導電ペー
ストを塗布し、導電膜17を形成する。そして、電極膜
8〜10及び導電膜17を平坦化するためレベリング乾
燥を行う(図4工程(6))。
Further, as shown in FIG. 5D, in order to electrically connect the electrode film 8 as the third grid G 3 and the electrode film 10 as the fifth grid G 5 , the G 4 pin 15 of the insulating tube 3 is The conductive paste is applied in the longitudinal direction on the outer periphery of the side not provided to form the conductive film 17. Then, leveling drying is performed to planarize the electrode films 8 to 10 and the conductive film 17 (step (6) in FIG. 4).

【0038】その後、図5Eに示すように、絶縁管3の
内面のほぼ全面に、即ち絶縁管3の両端部の電極膜8,
10が形成された部分を多少残して抵抗膜11を塗布形
成する(図5工程(7))。この場合、抵抗ペーストと
しては、例えばRuO2 −ガラスペースト(商品名#9
518、デュポン社製等)を用い、後述する方法によっ
て膜厚が均一になるように塗布を行う。
Thereafter, as shown in FIG. 5E, the electrode films 8 on the entire inner surface of the insulating tube 3, that is, at both ends of the insulating tube 3,
Resistive film 11 is formed by coating, leaving a portion where 10 is formed (step (7) in FIG. 5). In this case, the resistance paste is, for example, RuO 2 -glass paste (trade name # 9).
518, manufactured by DuPont Co., Ltd.) and applied so that the film thickness becomes uniform by the method described later.

【0039】図7は抵抗ペーストの塗布方法の例を示す
ものである。同図に示すように、Z軸即ち管軸方向を中
心にして絶縁管3を回転し、抵抗ペースト18のタンク
19に連結されたノズル20から絶縁管3の内面に一定
量の抵抗ペースト18を供給する。
FIG. 7 shows an example of the method of applying the resistance paste. As shown in the figure, the insulating tube 3 is rotated about the Z axis, that is, the tube axis direction, and a fixed amount of the resistance paste 18 is applied to the inner surface of the insulating tube 3 from the nozzle 20 connected to the tank 19 of the resistance paste 18. Supply.

【0040】そして、抵抗膜11に対してレベリング乾
燥を行った(図4工程(8))後に、図8に示す方法に
より抵抗膜のトリミング及び洗浄を行う(図4工程
(9))。
After the resistance film 11 is leveled and dried (step (8) in FIG. 4), the resistance film is trimmed and washed by the method shown in FIG. 8 (step (9) in FIG. 4).

【0041】図8はトリミング方法の1つの例を示すも
のである。すなわち、Z軸を中心にして絶縁管3を回転
しつつこれをX軸方向へ移動させ、けがき針21の先端
を抵抗膜11の表面に接触させることにより、抵抗膜1
1をらせん状にけがく。この場合、電極膜8〜10と重
なっていない部分のみけがくようにする。この工程によ
り、電極膜8,9及び電極膜9,10間において抵抗膜
11がらせん状に形成される(図5F)。尚、トリミン
グによって発生した切り屑はエアブロー等により絶縁管
から完全に除く(洗浄)。尚、けがき針21を移動させ
るようにしてもよい。
FIG. 8 shows an example of the trimming method. That is, while rotating the insulating tube 3 around the Z axis, the insulating tube 3 is moved in the X axis direction, and the tip of the scribing needle 21 is brought into contact with the surface of the resistive film 11.
Scribing 1 in a spiral shape. In this case, only the portion not overlapping with the electrode films 8 to 10 is marked. By this step, the resistance film 11 is spirally formed between the electrode films 8 and 9 and the electrode films 9 and 10 (FIG. 5F). Chips generated by trimming are completely removed (cleaned) from the insulating pipe by air blow or the like. The scribing needle 21 may be moved.

【0042】一方、このような方法によらなくとも、次
の方法により抵抗膜11をらせん状に形成してもよい。
すなわち、図4工程(6)のレベリング乾燥後、図9に
示すように、絶縁管3をZ軸を中心にして回転しつつこ
れをX軸方向へ移動させ、抵抗ペースト18のタンク1
9に連結されたディスペンサー22(注射針)から抵抗
ペースト18を供給することもできる。この場合、ディ
スペンサー22と絶縁管3との距離を一定に保つことが
好ましい。また、ディスペンサー22を移動させるよう
にしてもよい。
On the other hand, the resistance film 11 may be spirally formed by the following method instead of the above method.
That is, after the leveling drying in the step (6) of FIG. 4, as shown in FIG. 9, the insulating tube 3 is moved in the X axis direction while rotating around the Z axis, and the tank 1 of the resistance paste 18 is moved.
It is also possible to supply the resistance paste 18 from a dispenser 22 (injection needle) connected to 9. In this case, it is preferable to keep the distance between the dispenser 22 and the insulating tube 3 constant. Further, the dispenser 22 may be moved.

【0043】上述の工程によりらせん状の抵抗膜11を
形成した後、絶縁管3を例えば850℃の温度で10分
間焼成する(図4工程(10))。これにより電極膜8
〜10及び抵抗膜11が溶解して絶縁管3に固着し安定
化する。
After forming the spiral resistance film 11 by the above steps, the insulating tube 3 is baked at a temperature of 850 ° C. for 10 minutes (step (10) in FIG. 4). Thereby, the electrode film 8
10 and the resistance film 11 are melted and fixed to the insulating tube 3 to be stabilized.

【0044】そして、絶縁管3を洗浄乾燥(図4工程
(11))した後、位置決め治具で絶縁管3を芯出し、
垂直出しして円筒ホルダー12を絶縁管3にセットし
(図4工程(12))、図5Gに示すように円筒ホルダ
ー12と絶縁管3との連結部分にフリット23を配し、
焼成を行う(図4工程(13))。
After cleaning and drying the insulating tube 3 (step (11) in FIG. 4), the insulating tube 3 is centered by a positioning jig,
Vertically set and set the cylindrical holder 12 on the insulating tube 3 (step (12) in FIG. 4), and as shown in FIG. 5G, arrange the frit 23 at the connecting portion between the cylindrical holder 12 and the insulating tube 3,
Firing is performed (FIG. 4 step (13)).

【0045】その後、一方の円筒ホルダー12aに対し
位置出し治具を用いてHVシールド4及びHVスプリン
グ5を組立、溶接する。また、他方の円筒ホルダー12
bに対し、予め公知のビーディング法により組み立てた
トライオード(カソードK、第1グリッドG1 、第2グ
リッドG2 、カップ部材G3A)を、位置出し治具を用い
て組み立て、溶接する(図4工程(14))。
After that, the HV shield 4 and the HV spring 5 are assembled and welded to one of the cylindrical holders 12a using a positioning jig. Also, the other cylindrical holder 12
A triode (cathode K, first grid G 1 , second grid G 2 , cup member G 3A ) assembled in advance by a known beading method is assembled and welded to b using a positioning jig. 4 steps (14)).

【0046】さらに、第1及び第2グリッドG1 ,G2
のリード線24,25及びG4 ピン15のリード線26
を、ステム2に埋め込まれたステムピン6に接続するこ
とにより、図1に示すような電子銃が完成する。
Furthermore, the first and second grids G 1 , G 2
Lead wires 24 and 25 and lead wire 26 of G 4 pin 15
Is connected to the stem pin 6 embedded in the stem 2 to complete the electron gun as shown in FIG.

【0047】かかる構成を有する本実施例においては、
主レンズを形成するための第3〜第5グリッドG3 〜G
5 に相当する電極膜8〜10が、精度良く一体形成され
た絶縁管3に形成されていることから、これらの電極8
〜10間のZ軸に対する軸ずれが小さくなる。したがっ
て、本実施例によれば、電子ビームの離軸を小さく抑え
ることができる。
In this embodiment having such a configuration,
Third to fifth grids G 3 ~G for forming a main lens
Since the electrode films 8 to 10 corresponding to 5 are formed on the insulating tube 3 integrally formed with high accuracy,
The axis deviation between the Z axis and the Z axis becomes small. Therefore, according to this embodiment, the off axis of the electron beam can be suppressed small.

【0048】また、本実施例においては、電極膜8〜1
0の間にらせん状の抵抗膜11が形成されていることか
ら、電極膜8〜10の間の電位勾配(電界強度変化率)
が従来例に比べて小さくなり、その結果、電極8〜10
間の放電が起こりにくくなる。さらに、球面収差が小さ
くなることから、ビームスポット径を小さくすることが
でき、解像度を向上させることが可能になる。
In the present embodiment, the electrode films 8-1
Since the spiral resistance film 11 is formed between 0, the potential gradient between the electrode films 8 to 10 (electric field intensity change rate).
Becomes smaller than the conventional example, and as a result, the electrodes 8 to 10
Discharging during that time is less likely to occur. Further, since the spherical aberration is reduced, the beam spot diameter can be reduced and the resolution can be improved.

【0049】尚、上述の実施例においては、導電膜17
及び円筒ホルダー12a,12bを介して電極膜8,1
0を接続するようにしたが、本発明はこれに限られるこ
となく、例えば円筒ホルダー12a,12bをリード線
により接続するようにしてもよい。
In the above embodiment, the conductive film 17 is used.
And the electrode films 8 and 1 via the cylindrical holders 12a and 12b.
However, the present invention is not limited to this, and for example, the cylindrical holders 12a and 12b may be connected by lead wires.

【0050】また、上述の実施例においては、例えば図
5Gに示すようにフリットガラス23を用いて円筒ホル
ダー12a,12bを絶縁管3に固定するようにした
が、本発明はこれに限られるものではなく、例えば図1
0に示すように絶縁管3の外面に凹部3aを形成し、こ
の凹部3aと円筒ホルダー12の突起14とをはめ合わ
せるように構成することもできる。この場合、HVシー
ルド4と円筒ホルダー12とは予め溶接しておくとよ
い。また、HVシールド4とHVスプリング5について
も、溶接によらず、はめ込んで固定することもできる。
In the above embodiment, the frit glass 23 is used to fix the cylindrical holders 12a and 12b to the insulating tube 3 as shown in FIG. 5G, but the present invention is not limited to this. Instead of, for example, Figure 1
It is also possible to form a concave portion 3a on the outer surface of the insulating tube 3 as shown in FIG. 0 and to fit the concave portion 3a and the protrusion 14 of the cylindrical holder 12 together. In this case, the HV shield 4 and the cylindrical holder 12 may be welded in advance. Further, the HV shield 4 and the HV spring 5 can also be fitted and fixed without welding.

【0051】さらに、本発明は上述したユニポテンシャ
ル型の電子銃のみならずバイポテンシャル型の電子銃に
も適用することができる。この場合、図11に示す第2
実施例のように絶縁管30に上述した方法で電極膜31
(G4 )、32(G5 )を形成し、その上に抵抗膜33
を形成する。そして、抵抗膜33には複数のらせん状の
部分33a〜33eが上述した方法により形成される。
Furthermore, the present invention can be applied not only to the above-mentioned unipotential type electron gun but also to a bipotential type electron gun. In this case, the second shown in FIG.
The electrode film 31 is formed on the insulating tube 30 by the method described above as in the embodiment.
(G 4 ) and 32 (G 5 ) are formed, and the resistance film 33 is formed thereon.
To form. Then, a plurality of spiral portions 33a to 33e are formed on the resistance film 33 by the method described above.

【0052】加えて、円筒ホルダー12に設けた突起1
4の数についても、上記実施例に限られることなく、複
数であれば任意の数を選ぶことができる。
In addition, the projection 1 provided on the cylindrical holder 12
The number of 4 is not limited to the number in the above embodiment, and any number can be selected as long as it is plural.

【0053】さらにまた、上述の実施例においては第1
グリッドG1 、第2グリッドG2 及び第3グリッド部材
3Aのみビードガラス7で固定するようにしたが、本発
明はこれに限られるものではなく、例えばビードガラス
7を延長してHVシールド4を併せて固定することもで
きる。これにより一層強固に電子銃を組み立てることが
できる。尚、この場合、ビードガラスによる固定は電子
銃の組立の最後に行う。
Furthermore, in the above embodiment, the first
Only the grid G 1 , the second grid G 2 and the third grid member G 3A are fixed by the bead glass 7, but the present invention is not limited to this. For example, the bead glass 7 may be extended and the HV shield 4 may be extended. Can also be fixed together. Thereby, the electron gun can be assembled more firmly. In this case, the fixing with the bead glass is performed at the end of the assembly of the electron gun.

【0054】次に、本発明に係る陰極線管の電子銃の第
3実施例について図12〜図23を参照して説明する。
尚、上記第1実施例と対応する部分には同一符号を付
し、重複説明を省略する。図12に本実施例の全体構成
を示す。本実施例の電子銃はユニポテンシャル型のもの
である。同図に示すように、本実施例においては、ネッ
ク管1のステム2の近傍に電子を放出するためのカソー
ドKが設けられ、このカソードKに隣接して第1グリッ
ドG1 、第2グリッドG2 及び第3グリッドG3を構成
するカップ部材G3Aが同軸上に配される。そして、カッ
プ部材G3Aに隣接した位置に、主レンズを形成するため
の後述する高抵抗管3Aが設けられる。さらに、この高
抵抗管3Aの上端部にはHVシールド4及びHVスプリ
ング5が固定される。尚、ステム2には複数のステムピ
ン6が埋め込まれている。
Next, a third embodiment of the electron gun of the cathode ray tube according to the present invention will be described with reference to FIGS.
The parts corresponding to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicated description will be omitted. FIG. 12 shows the overall configuration of this embodiment. The electron gun of this embodiment is of a unipotential type. As shown in the figure, in the present embodiment, a cathode K for emitting electrons is provided in the vicinity of the stem 2 of the neck tube 1, and the first grid G 1 and the second grid are adjacent to the cathode K. The cup member G 3A forming the G 2 and the third grid G 3 is coaxially arranged. Then, a high resistance tube 3A, which will be described later, for forming a main lens is provided at a position adjacent to the cup member G3A . Further, the HV shield 4 and the HV spring 5 are fixed to the upper end of the high resistance tube 3A. A plurality of stem pins 6 are embedded in the stem 2.

【0055】第1グリッドG1 にはビーム量を制御する
ためのカットオフ電圧が印加される。一方、第1グリッ
ドG1 に隣接する第2グリッドG2 にはカソードKより
正に数百V程度高い電圧が印加される。そして、第1グ
リッドG1 、第2グリッドG2 及び第3グリッドG3
構成するカップ部材G3Aは、これらの両側に配された一
対のビードガラス7に融着によって固定され、トライオ
ードを構成する。
A cutoff voltage for controlling the beam amount is applied to the first grid G 1 . On the other hand, a voltage positively higher than the cathode K by about several hundreds V is applied to the second grid G 2 adjacent to the first grid G 1 . Then, the cup members G 3A forming the first grid G 1 , the second grid G 2, and the third grid G 3 are fixed to the pair of bead glasses 7 arranged on both sides thereof by fusion bonding to form a triode. To do.

【0056】また、第1グリッドG1 のリード線24及
び第2グリッドG2 のリード線25はそれぞれステムピ
ン6に接続され、これによりトライオードが固定され
る。
The lead wire 24 of the first grid G 1 and the lead wire 25 of the second grid G 2 are connected to the stem pin 6, respectively, whereby the triode is fixed.

【0057】高抵抗管3Aは、例えばアルミナ(Al2
3 )中にTi,W,Cu等の酸化物を混合し焼結させ
て導電性をもたせた物質や導電性をもたせたフェライ
ト、チタニア系セラミックス等からなり、高耐圧性を有
する絶縁物を主成分とする。
The high resistance tube 3A is made of, for example, alumina (Al 2
O 3 ) is mixed with oxides of Ti, W, Cu, etc. and sintered to obtain an electrically conductive material, or an electrically conductive material such as ferrite, titania-based ceramics, etc. The main component.

【0058】この高抵抗管3Aは、真円度の高い(例え
ば20m以下)円筒形状に形成され、その両端部及び中
央部には例えばRuO2 −ガラスペーストからなるリン
グ状の電極膜8,9,10が塗布形成されている。ここ
で、電極膜8はカップ部材G3Aとともに第3グリッドG
3 を構成し、電極膜9,10はそれぞれ第4グリッドG
4 及び第5グリッドG5 の役割を果す。一方、電極膜
8,9,10の間には例えば電極膜8〜10と同じ材料
からなる複数のリング状の部分(以下「導電リング」と
いう。)11Aが形成されている。ここで、電極膜8〜
10及び導電リング11Aは、ともに高抵抗管3の長手
方向即ち管軸(Z軸)方向と垂直方向に形成されてい
る。
The high resistance tube 3A is formed in a cylindrical shape having a high roundness (for example, 20 m or less), and the ring-shaped electrode films 8 and 9 made of, for example, RuO 2 -glass paste are formed at both end portions and the central portion thereof. , 10 are formed by coating. Here, the electrode film 8 is formed on the third grid G together with the cup member G 3A .
3 and the electrode films 9 and 10 are the fourth grid G, respectively.
Play the role of the 4th and 5th grid G 5 . On the other hand, a plurality of ring-shaped portions (hereinafter referred to as “conductive rings”) 11A made of the same material as the electrode films 8 to 10 are formed between the electrode films 8, 9 and 10. Here, the electrode films 8 to
10 and the conductive ring 11A are both formed in the longitudinal direction of the high resistance tube 3, that is, in the direction perpendicular to the tube axis (Z axis) direction.

【0059】高抵抗管3Aの抵抗値については、高抵抗
管3Aの直径と電極膜8,9及び9,10間の間隔をそ
れぞれ12mm程度とすると、各電極膜8,9及び9,
10間において100MΩ(メガオーム)〜10Ter
aΩ(テラオーム)となるように設定することが好まし
く、特に1Gル程度が好ましい。この値より小さいと発
熱しやすく、また、この値より大きいと帯電しやすくな
る。尚、かかる抵抗値を1GΩに設定した場合、高抵抗
管3Aの体積抵抗率は108 Ω・cmとなる。
Regarding the resistance value of the high resistance tube 3A, if the diameter of the high resistance tube 3A and the distance between the electrode films 8, 9 and 9, 10 are respectively about 12 mm, the electrode films 8, 9 and 9,
100 MΩ (mega ohm) to 10 Ter between 10
It is preferable to set it to be aΩ (teraohm), and it is particularly preferable to set it to about 1 Gl. When it is smaller than this value, heat is easily generated, and when it is larger than this value, charging is easy. When the resistance value is set to 1 GΩ, the volume resistivity of the high resistance tube 3A is 10 8 Ω · cm.

【0060】さらに、高抵抗管3Aの一方の外面には、
その長手方向に延びる導電膜17が形成されている。高
抵抗管3Aの両端部には、電極膜8,10を電気的に接
続するための円筒ホルダー12(12a,12b)が固
定されている。この円筒ホルダー12は、第1実施例と
同様の構成を有している。
Further, on one outer surface of the high resistance tube 3A,
A conductive film 17 extending in the longitudinal direction is formed. A cylindrical holder 12 (12a, 12b) for electrically connecting the electrode films 8 and 10 is fixed to both ends of the high resistance tube 3A. The cylindrical holder 12 has the same structure as that of the first embodiment.

【0061】次に、本実施例の製造方法について図13
及び図14を用いて説明する。まず、高抵抗管3AにG
4 ピン15を取り付けるための孔16を形成し(図13
工程(1)、図14A)、この高抵抗管3Aを洗浄し乾
燥する(図13工程(2))。
Next, the manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG.
And FIG. 14 will be described. First, G on the high resistance tube 3A
A hole 16 for mounting the 4- pin 15 is formed (see FIG. 13).
Step (1), FIG. 14A), this high resistance tube 3A is washed and dried (FIG. 13 step (2)).

【0062】次いで、高抵抗管3Aの内面に、以下の方
法により電極膜8〜10及び導電リング11Aを塗布形
成する(図13工程(3)、図14B)。この場合、導
電ペーストとしては、例えばRuO2 −ガラスペースト
(商品名#9516、デュポン社製等)を用い、膜厚が
均一になるよう塗布を行う。
Then, the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A are applied and formed on the inner surface of the high resistance tube 3A by the following method (FIG. 13 step (3), FIG. 14B). In this case, for example, RuO 2 -glass paste (trade name # 9516, manufactured by DuPont) is used as the conductive paste, and coating is performed so that the film thickness is uniform.

【0063】図15は電極膜8〜10及び導電リング1
1Aの形成方法の第1の例を示すものである。図15A
は導電ペーストの塗布方法を示すもので、高抵抗管3A
の内部に、高抵抗管3Aとほぼ同じ長さを有する回転自
在のゴムローラ68を配し、このゴムローラ68を一対
のばね69により高抵抗管3Aの内面に押し付けるよう
に構成する。この場合、図15Bに示すように、ゴムロ
ーラ68の長手方向に一定量の導電ペースト70を載せ
た後に図15Aに示すようにセットし、高抵抗管3Aを
回転軸O1 を中心として回転させる。これによりゴムロ
ーラ68も回転軸O2 を中心として回転し、導電ペース
ト70が高抵抗管3Aの内面前面に広がって塗布され
る。その後、ゴムローラ68を高抵抗管3Aから抜き、
高抵抗管3Aを回転しながら例えば温風で加熱すること
により乾燥させる。これは導電ペースト70がたれるこ
とを防ぐためである。
FIG. 15 shows the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 1.
1A shows a first example of a method for forming 1A. Figure 15A
Shows the method of applying the conductive paste. High resistance tube 3A
A rotatable rubber roller 68 having a length substantially the same as that of the high resistance tube 3A is arranged inside, and the rubber roller 68 is pressed against the inner surface of the high resistance tube 3A by a pair of springs 69. In this case, as shown in FIG. 15B, a certain amount of the conductive paste 70 is placed in the longitudinal direction of the rubber roller 68 and then set as shown in FIG. 15A, and the high resistance tube 3A is rotated about the rotation axis O 1 . As a result, the rubber roller 68 also rotates about the rotation axis O 2 , and the conductive paste 70 is spread and applied to the inner surface of the high resistance tube 3A. After that, pull out the rubber roller 68 from the high resistance tube 3A,
The high resistance tube 3A is dried, for example, by heating with hot air while rotating. This is to prevent the conductive paste 70 from dripping.

【0064】図15Cは導電ペースト70のトリミング
方法を示すものである。同図に示すように、支持棒71
の先端に超硬合金からなるけがき円板72が偏心するよ
うに取り付けられる一方、この支持棒71は、ばね73
によって長手方向と直交する方向に引張られるよう構成
される。そして、トリミング工程においては、高抵抗管
3Aを矢印a方向に回転させ、支持棒71を高抵抗管3
A内に配置する。そして、支持棒71を矢印b又はc方
向へ移動させ導電ペースト70の不要な位置に来たとき
にばね73を動作させてけがき円板72を導電ペースト
70に押し当て、トリミングを行う。一方、導電ペース
ト70が必要な部分については、ばね73を解除するこ
とにより導電ペースト70を残すようにする。尚、レー
ザー光を吸収させた熱により導電ペースト70を蒸発さ
せて除去するようにしてもよい。
FIG. 15C shows a method of trimming the conductive paste 70. As shown in FIG.
A scribe plate 72 made of cemented carbide is attached to the tip of the eccentric disc so as to be eccentric.
Is configured to be pulled in a direction orthogonal to the longitudinal direction. Then, in the trimming step, the high resistance tube 3A is rotated in the direction of the arrow a to move the support rod 71 to the high resistance tube 3A.
Place in A. Then, when the support rod 71 is moved in the direction of arrow b or c and the conductive paste 70 comes to an unnecessary position, the spring 73 is operated to press the scribe plate 72 against the conductive paste 70 to perform trimming. On the other hand, for the portion where the conductive paste 70 is required, the spring 73 is released to leave the conductive paste 70. The conductive paste 70 may be evaporated and removed by the heat of absorbing the laser light.

【0065】図16は電極膜8〜10及び導電リング1
1Aの形成方法の第2の例を示すものである。この方法
は、ネガタイプのレジスト材料(例えばPVA−ADC
等)を用いた露光法によるものである。
FIG. 16 shows the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 1.
It shows a second example of a method for forming 1A. This method is used for negative type resist materials (for example, PVA-ADC).
Etc.).

【0066】この方法の場合、まず、図16Aに示すよ
うに、高抵抗管3Aを回転させつつその内面にレジスト
材料80を塗布する。次いで、図16Bに示すように、
高抵抗管3A内にマスク81を挿入し、位置合せを行
う。このマスク81は、高抵抗管3Aの内径と等しい外
径を有する紫外線透過性ガラス(例えば石英)の外周に
電極膜8〜10及び導電リング11Aと同じパターン8
2を形成したものである。
In the case of this method, first, as shown in FIG. 16A, while rotating the high resistance tube 3A, the resist material 80 is applied to the inner surface thereof. Then, as shown in FIG. 16B,
The mask 81 is inserted into the high resistance tube 3A and the alignment is performed. This mask 81 has the same pattern 8 as the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A on the outer periphery of an ultraviolet-transparent glass (eg, quartz) having an outer diameter equal to the inner diameter of the high resistance tube 3A.
2 is formed.

【0067】そして、図16Cに示すように、マスク8
1の内側に紫外線照射ランプ83を配し、露光を行う。
さらに、高抵抗管3Aからマスク81を外して水を吹き
付けることにより現像を行い、図17Aに示すようにレ
ジスト84の電極パターンを作成する。
Then, as shown in FIG. 16C, the mask 8
An ultraviolet irradiation lamp 83 is arranged inside 1 to perform exposure.
Further, the mask 81 is removed from the high resistance tube 3A, and water is sprayed on the high resistance tube 3A to develop it, thereby forming an electrode pattern of the resist 84 as shown in FIG. 17A.

【0068】次に、図16Dに示すように、真空ポンプ
85内にこの高抵抗管3Aを配置し、例えばAl,Au
等の金属からなるワイヤー86をヒーター87によって
加熱することにより、高抵抗管3Aの内面に金属膜88
を蒸着させる(図17B)。さらに、H2 2 による反
転現像及びベーキング(430℃、30分)を行って図
17Cに示すように電極膜8〜10及び導電リング11
Aを形成する。
Next, as shown in FIG. 16D, the high resistance tube 3A is placed in the vacuum pump 85, and, for example, Al, Au is used.
By heating the wire 86 made of a metal such as a metal by the heater 87, the metal film 88 is formed on the inner surface of the high resistance tube 3A.
Is vapor-deposited (FIG. 17B). Further, reversal development with H 2 O 2 and baking (430 ° C., 30 minutes) are performed to perform electrode film 8-10 and conductive ring 11 as shown in FIG. 17C.
Form A.

【0069】図18は電極膜8〜10及び導電リング1
1Aの形成方法の第3の例(メタルマスク蒸着法)を示
すものである。この方法の場合、高抵抗管3Aの内面に
密着するように金属製のリング状のマスク88を挿入
し、真空ポンプに連結した容器89内にこの高抵抗管3
Aを配置する。そして、容器89内を真空にするととも
にヒーター89aによって上記蒸着用金属90を加熱し
て高抵抗管3Aの内面にこれを蒸着させる。
FIG. 18 shows the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 1.
3A shows a third example (metal mask vapor deposition method) of a method for forming 1A. In the case of this method, a metal ring-shaped mask 88 is inserted so as to be in close contact with the inner surface of the high resistance tube 3A, and the high resistance tube 3 is placed in a container 89 connected to a vacuum pump.
Place A. Then, the inside of the container 89 is evacuated, and the vapor deposition metal 90 is heated by the heater 89a to vapor deposit the vapor deposition metal 90 on the inner surface of the high resistance tube 3A.

【0070】図19は電極膜8〜10及び導電リング1
1Aの形成方法の第4の例を示すものである(熱転写
法)。この方法の場合、まず、ポリエステルからなる熱
転写用のベースフィルム91を円筒状に形成する(図1
9A)。そして、このベースフィルム91上に、剥離層
(図示せず)、導電層92、接着層(図示せず)の各層
を順に塗布形成して熱転写シート93を完成させる(図
19B)。次に、図19Cに示すように、この熱転写シ
ート93を位置出して高抵抗管3A内に挿入する。そし
て、空気圧によって熱転写シート92を高抵抗管3Aの
内面に密着させ、内部にヒーターを内蔵したシリコンロ
ーラ94でさらに加熱及び加圧を行う(図19D)。こ
れにより熱転写シート93上の導電層92が高抵抗管3
Aの内面に転写され、電極層8〜10及び導電リング1
1Aが形成される。その後、図19Eに示すようにベー
スフィルム91を剥離除去する。
FIG. 19 shows the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 1.
It shows a fourth example of the forming method of 1A (thermal transfer method). In the case of this method, first, a base film 91 for heat transfer made of polyester is formed into a cylindrical shape (see FIG. 1).
9A). Then, a release layer (not shown), a conductive layer 92, and an adhesive layer (not shown) are sequentially formed on the base film 91 by coating to complete the thermal transfer sheet 93 (FIG. 19B). Next, as shown in FIG. 19C, this thermal transfer sheet 93 is positioned and inserted into the high resistance tube 3A. Then, the thermal transfer sheet 92 is brought into close contact with the inner surface of the high resistance tube 3A by air pressure, and further heated and pressed by the silicon roller 94 having a heater built therein (FIG. 19D). As a result, the conductive layer 92 on the thermal transfer sheet 93 becomes the high resistance tube 3
Transferred to the inner surface of A, the electrode layers 8 to 10 and the conductive ring 1
1A is formed. After that, the base film 91 is peeled and removed as shown in FIG. 19E.

【0071】さらに、図20A,Bに示すように、予め
高抵抗管3Aの内壁に凹部3a,3bを形成し、上述し
た図15に示すゴムローラ68を用いてベタに導電ペー
スト70を塗布することにより、所定パターンの電極膜
8〜10及び導電リング11Aを形成することもでき
る。
Further, as shown in FIGS. 20A and 20B, the recesses 3a and 3b are formed in advance on the inner wall of the high resistance tube 3A, and the conductive paste 70 is applied to the solid surface by using the rubber roller 68 shown in FIG. Thus, the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A having a predetermined pattern can be formed.

【0072】図21は、電極膜8〜10及び導電リング
1Aの形成方法の第6の例を示すものである。本例は、
タコ印刷を応用したもので、まず、図21Aに示すよう
に、所定のパターン101が形成されたベース100の
端部に導電ペースト102を載せ、着肉ローラ103を
例えばパターン101と直交する方向へ転がすことによ
り、導電ペースト102をパターン101の間の凹部に
充填する。
FIG. 21 shows a sixth example of the method of forming the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 1A. In this example,
As shown in FIG. 21A, first, as shown in FIG. 21A, the conductive paste 102 is placed on the end portion of the base 100 on which a predetermined pattern 101 is formed, and the inking roller 103 is moved in a direction orthogonal to the pattern 101, for example. By rolling, the conductive paste 102 is filled in the recesses between the patterns 101.

【0073】そして、図21Bに示すように、第1の例
(図15A参照)で用いたものと同じローラ104を、
パターン101の長手方向へ転がすことにより、図21
Cに示すようにローラ104に導電ペースト102を付
着させる。
Then, as shown in FIG. 21B, the same roller 104 as that used in the first example (see FIG. 15A) is
By rolling in the longitudinal direction of the pattern 101, as shown in FIG.
As shown in C, the conductive paste 102 is attached to the roller 104.

【0074】さらに、図15Aに示すように、第1の例
と同様にローラ104を高抵抗管3Aの内面に押し付
け、高抵抗管3Aを回転させる。これにより、高抵抗管
3Aの内面に導電ペースト102が付着し、電極膜8〜
10及び導電リング11Aが形成される。
Further, as shown in FIG. 15A, similarly to the first example, the roller 104 is pressed against the inner surface of the high resistance tube 3A to rotate the high resistance tube 3A. Thereby, the conductive paste 102 adheres to the inner surface of the high resistance tube 3A, and the electrode films 8 to
10 and the conductive ring 11A are formed.

【0075】尚、その他にも、スクリーン印刷方式によ
ってベース上に所定のパターンを形成し、以下図21
B,C及び図15Aに示す方法と同様にして、高抵抗管
3Aの内面に電極膜8〜10及び導電リング11Aを形
成することもできる。
Besides, in addition to the above, a predetermined pattern is formed on the base by a screen printing method, and then, as shown in FIG.
The electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A can be formed on the inner surface of the high resistance tube 3A in the same manner as in the methods shown in FIGS.

【0076】また、上述の電極膜8〜10及び導電リン
グ11Aは、導電ペーストをインクジェット方式によっ
て高抵抗管3に吹き付けることにより形成することもで
きる。
The above-mentioned electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A can also be formed by spraying a conductive paste onto the high resistance tube 3 by an ink jet method.

【0077】さらに、本実施例の電極膜8〜10及び導
電リング11Aは、第1実施例のディスペンサーを用い
た方法(図9参照)によっても形成できる。この場合に
は、導電ペースト68を供給する際に高抵抗管3Aの移
動速度を遅くすることにより導電リング11Aを形成す
るための導電ペースト68をベタに塗布できる。そし
て、各導電リング11Aの最終端を塗布する際に高抵抗
管3Aの移動を止めると、その部分について高抵抗管3
Aの管軸と垂直方向に導電ペースト68を塗布すること
ができる。尚、高抵抗管3Aを移動する代わりにディス
ペンサー22を移動して同様の塗布を行うこともでき
る。
Further, the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A of this embodiment can be formed by the method using the dispenser of the first embodiment (see FIG. 9). In this case, the conductive paste 68 for forming the conductive ring 11A can be solidly applied by slowing down the moving speed of the high resistance tube 3A when supplying the conductive paste 68. When the movement of the high resistance tube 3A is stopped when the final end of each conductive ring 11A is applied, the high resistance tube 3A is stopped at that portion.
The conductive paste 68 can be applied in the direction perpendicular to the tube axis A. Incidentally, instead of moving the high resistance tube 3A, the dispenser 22 may be moved to perform the same coating.

【0078】上述の方法により電極膜8〜10及び導電
リング11Aを形成した後、膜厚を均一に保つためにレ
ベリング乾燥を行い(図13工程(4))、その後、例
えば850℃の温度で10分間空気中において焼成し
(図13工程(5))、電極膜8〜10及び導電リング
11Aをセラミックスからなる高抵抗管3Aの内面に固
着させる。尚、上述の電極膜8〜10及び導電リング1
1Aの形成方法のうち、第3の方法(メタルマスク蒸着
法)を用いた場合には、このような焼成が不要となる。
After forming the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A by the method described above, leveling drying is performed to keep the film thickness uniform (step (4) in FIG. 13), and then at a temperature of 850 ° C., for example. Firing in air for 10 minutes (step (5) in FIG. 13), the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A are fixed to the inner surface of the high resistance tube 3A made of ceramics. Incidentally, the above-mentioned electrode films 8 to 10 and the conductive ring 1
When the third method (metal mask vapor deposition method) is used among the formation methods of 1A, such firing is unnecessary.

【0079】その後、図14Cに示すように、第3グリ
ッドG3 としての電極膜8と第5グリッドG5 としての
電極膜10を電気的に接続するため、高抵抗管3AのG
4 ピン15が設けられない側の外周の長手方向に上記導
電ペースト70を塗布し、導電膜17を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 14C, in order to electrically connect the electrode film 8 serving as the third grid G 3 and the electrode film 10 serving as the fifth grid G 5 , G of the high resistance tube 3A is connected.
The conductive paste 70 is applied in the longitudinal direction of the outer periphery on the side where the 4 pins 15 are not provided to form the conductive film 17.

【0080】そして、位置決め治具で高抵抗管3Aを芯
出し、垂直出しして円筒ホルダー12を高抵抗管3Aに
セットするとともに、孔16にG4 ピン15を取り付け
て治具によって固定し、それぞれ図14Dに示すように
フリットガラスgを配して例えば850℃の温度で10
分間焼成を行う(図13工程(6)(7))。
Then, the high resistance tube 3A is centered by a positioning jig and vertically aligned to set the cylindrical holder 12 on the high resistance tube 3A, and the G 4 pin 15 is attached to the hole 16 and fixed by the jig. As shown in FIG. 14D, a frit glass g is arranged, for example, at a temperature of 850 ° C.
Baking is performed for a minute (steps (6) and (7) in FIG. 13).

【0081】尚、電極膜8〜10及び導電リング11A
を形成した後、レベリング乾燥(工程(4))及び焼成
(工程(5))を行わず、円筒ホルダー12とG4 ピン
15をセットしてフリットガラスgを塗布し、一度に焼
成(工程(7))を行うこともできる。
The electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A.
After forming, the leveling drying (step (4)) and the firing (step (5)) are not performed, the cylindrical holder 12 and the G 4 pin 15 are set, the frit glass g is applied, and the firing is performed at once (step ( 7)) can also be performed.

【0082】その後、一方の円筒ホルダー12aに対し
位置出し治具を用いてHVシールド10及びHVスプリ
ング5を組立、溶接する。また、他方の円筒ホルダー1
2bに対し、公知のビーディング法により予め組み立て
たトライオード(カソードK、第1グリッドG1 、第2
グリッドG2 、カップ部材G3A)を、位置出し治具を用
いて組み立て、溶接する(図13工程(8))。
After that, the HV shield 10 and the HV spring 5 are assembled and welded to one of the cylindrical holders 12a by using a positioning jig. Also, the other cylindrical holder 1
2b, a triode (cathode K, first grid G 1 , second grid 2) preassembled by a known beading method.
The grid G 2 and the cup member G 3A ) are assembled using a positioning jig and welded (FIG. 13 step (8)).

【0083】さらに、第1及び第2グリッドG1 ,G2
のリード線24,25及びG4 ピン15のリード線16
を、ステム2に埋め込まれたステムピン6に接続するこ
とにより、図12に示すような電子銃が完成する(図1
3工程(9))。
Furthermore, the first and second grids G 1 , G 2
Lead wires 24 and 25 and lead wire 16 of G 4 pin 15
Is connected to the stem pin 6 embedded in the stem 2 to complete the electron gun as shown in FIG.
3 steps (9)).

【0084】ところで、上述の工程によって形成された
導電リング11Aは、次のような役割を果すものであ
る。すなわち、図22及び図23Aに示すように高抵抗
管3Aの内壁表面の抵抗は、その上側部分45aと下側
部分45bでばらつきを生ずるが、本実施例のように高
抵抗管3Aの長手方向(Z軸方向)と垂直方向(Y軸方
向)に導電リング11Aを設けることによりY軸方向の
等電位化がなされ、かかる抵抗のばらつきを抑えること
ができる。例えば図23Bに示すようにZ=0mmの場
所に電極膜8を設けるとともにZ=100mmの場所に
導電リング11Aを設けた場合、電極膜8〜10及び導
電リング11A間における上記抵抗のばらつきの値は、
導電リング11Aを設けた場合の方が小さくなる(R1
>R2 ,R4 >R5 )。そして、Z=50mmの場所に
も導電リング11Aを設けた場合には、図23Cに示す
ように、さらに上記抵抗のばらつきの値が小さくなる
(R2>R3 ,R5 >R6 =0)。この結果、本実施例
のように電極膜8〜10間に導電リング11Aを設けた
場合、電極膜8〜10によって形成される電子レンズ系
の球面収差を小さくすることができる。そして、この導
電リング11Aを精度良く多く設ければ設けるほど、従
来の装置において電子銃を構成する部材の真円度が小さ
くなった場合と同様の効果がある。
By the way, the conductive ring 11A formed by the above-mentioned steps plays the following role. That is, as shown in FIG. 22 and FIG. 23A, the resistance of the inner wall surface of the high resistance tube 3A varies between the upper portion 45a and the lower portion 45b thereof. By providing the conductive ring 11A in the direction (Y-axis direction) perpendicular to the (Z-axis direction), equipotentialization in the Y-axis direction is achieved, and variations in such resistance can be suppressed. For example, as shown in FIG. 23B, when the electrode film 8 is provided at the location of Z = 0 mm and the conductive ring 11A is provided at the location of Z = 100 mm, the value of the variation in the resistance between the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A. Is
It becomes smaller when the conductive ring 11A is provided (R 1
> R 2 , R 4 > R 5 ). When the conductive ring 11A is provided also at the position of Z = 50 mm, the value of the variation of the resistance is further reduced (R 2 > R 3 , R 5 > R 6 = 0) as shown in FIG. 23C. ). As a result, when the conductive ring 11A is provided between the electrode films 8 to 10 as in this embodiment, the spherical aberration of the electron lens system formed by the electrode films 8 to 10 can be reduced. The more accurately the conductive ring 11A is provided, the same effect as in the case where the roundness of the member forming the electron gun becomes smaller in the conventional device.

【0085】また、導電リング11Aのピッチや巾を変
えることにより、図23Dに示すように、電極間の電位
の微調整を行うことができ、その結果、球面収差のより
小さなレンズ系を設計することができる。かかる構成を
有する本実施例においては、主レンズを形成するための
第3〜第5グリッドG3 〜G5 に相当する電極膜8〜1
0が、精度良く一体形成された高抵抗管3Aに形成され
ていることから、これらの電極8〜10間のZ軸に対す
る軸ずれが小さくなる。したがって、本実施例によれ
ば、電子ビームの離軸を小さく抑えることができる。
By changing the pitch and width of the conductive ring 11A, the electric potential between the electrodes can be finely adjusted as shown in FIG. 23D, and as a result, a lens system with smaller spherical aberration can be designed. be able to. In the present embodiment having such a configuration, the electrode film 8-1 corresponding to the third to fifth grids G 3 ~G 5 for forming a main lens
Since 0 is formed in the high resistance tube 3A integrally formed with high precision, the misalignment between these electrodes 8 to 10 with respect to the Z axis becomes small. Therefore, according to this embodiment, the off axis of the electron beam can be suppressed small.

【0086】また、本実施例においては、電極膜8〜1
0の間に複数の導電リング11Aが形成されていること
から、図24に示すように電極膜8〜10の間の電位勾
配(電界強度変化率)が従来例に比べて小さくなり、そ
の結果、電極8〜10間の放電が起こりにくくなる。さ
らに、球面収差が小さくなることから、ビームスポット
径を小さくすることができ、解像度を向上させることが
可能になる。この場合、電極膜8〜10間は高抵抗の物
質が存在しているため、例えば低抵抗の絶縁管3に電極
膜8〜10を形成するとともに電極膜8〜10間にらせ
ん状の抵抗膜11を設けた場合に比べ、わずかな数の導
電リング11Aを設けるだけで所望の主レンズを形成す
る第3〜第5グリッドG3 〜G5 を得ることができ、こ
の結果、容易に電子銃を製造することができる。
In addition, in the present embodiment, the electrode films 8 to 1
Since the plurality of conductive rings 11A are formed between 0, the potential gradient (electric field intensity change rate) between the electrode films 8 to 10 is smaller than that in the conventional example as shown in FIG. The discharge between the electrodes 8 to 10 is less likely to occur. Further, since the spherical aberration is reduced, the beam spot diameter can be reduced and the resolution can be improved. In this case, since a substance having a high resistance exists between the electrode films 8 to 10, for example, the electrode films 8 to 10 are formed on the insulating tube 3 having a low resistance and the spiral resistance film is formed between the electrode films 8 to 10. Compared with the case where 11 is provided, the third to fifth grids G 3 to G 5 forming a desired main lens can be obtained by providing only a small number of conductive rings 11A, and as a result, the electron gun can be easily obtained. Can be manufactured.

【0087】また、本実施例における導電リング11A
はZ軸と垂直方向に形成されているため、電極膜8〜1
0間における電位を安定させることができる。そして、
本実施例の構成によれば、高抵抗管3A内において電流
がZ軸に平行に流れるので、管内における磁界発生がな
く、電子ビームの偏心を防止することができる。
The conductive ring 11A in this embodiment is also used.
Is formed in the direction perpendicular to the Z axis, the electrode films 8 to 1
The potential between 0 can be stabilized. And
According to the configuration of the present embodiment, since the current flows in the high resistance tube 3A in parallel with the Z axis, no magnetic field is generated in the tube and the eccentricity of the electron beam can be prevented.

【0088】尚、上述の実施例においては、例えば図5
Dに示すようにフリットガラスgを用いて円筒ホルダー
12a,12bを高抵抗管3Aに固定するようにした
が、本発明はこれに限られるものではなく、例えば図2
5に示すように高抵抗管3Aの外面に凹部3cを形成
し、この凹部3cと円筒ホルダー12の突起14とをは
め合わせるように構成することもできる。この場合、H
Vシールド4と円筒ホルダー12とは予め溶接しておく
とよい。また、HVシールド4とHVスプリング5につ
いても、溶接によらずはめ込んで固定することもでき
る。
In the above embodiment, for example, FIG.
As shown in D, the frit glass g is used to fix the cylindrical holders 12a and 12b to the high resistance tube 3A, but the present invention is not limited to this, and for example, FIG.
As shown in FIG. 5, a concave portion 3c may be formed on the outer surface of the high resistance tube 3A, and the concave portion 3c and the protrusion 14 of the cylindrical holder 12 may be fitted together. In this case, H
The V shield 4 and the cylindrical holder 12 may be welded in advance. Further, the HV shield 4 and the HV spring 5 can also be fitted and fixed without welding.

【0089】尚、ビードガラス7をHVシールド4まで
延長しなくとも、図26に示すように一対の帯状のバン
ドBで高抵抗管3Aを挟むとともに高抵抗管3Aの途中
までビードガラス7を延長し、このビードガラス7に対
してバンドBを融着することにより高抵抗管3Aとトラ
イオードとを固定するようにしてもよい。
Even if the bead glass 7 is not extended to the HV shield 4, as shown in FIG. 26, the high resistance tube 3A is sandwiched by a pair of band-shaped bands B and the bead glass 7 is extended partway along the high resistance tube 3A. However, the high resistance tube 3A and the triode may be fixed by fusing the band B to the bead glass 7.

【0090】また、本発明は上述したユニポテンシャル
型の電子銃のみならずバイポテンシャル型の電子銃にも
適用することができるものである。
Further, the present invention can be applied not only to the above-mentioned unipotential type electron gun but also to a bipotential type electron gun.

【0091】図27は本発明の第4実施例の要部を示す
ものである。以下上記実施例と対応する部分には同一の
符号を付して説明すると、本実施例の場合、高抵抗管3
Aと同じ材料からなる略長方形状の高抵抗セラミックス
部材46に赤、緑及び青色の電子ビーム透過用の孔47
〜49が形成される。そして、2つの高抵抗セラミック
ス部材46の間にこれらと同形状の金属部材50が重ね
て固定される。この場合、対応する各孔47〜49,5
1〜53の軸がずれないようにすることが好ましい。こ
の金属部材50は第4グリッドG4 の役割を果すもの
で、不図示のリード線が接続される。さらに、高抵抗セ
ラミックス部材46の上面及び下面には不図示の第3及
び第5グリッドG3 ,G5 が設けられる。これらの第3
及び第5グリッドG3 ,G5 は金属板又は平面導電膜か
ら構成される。また、高抵抗セラミックス部材46の各
孔47〜49の内面には上述の方法により導電リング1
1Aが形成される。その他の構成及び作用については上
記実施例と同一であるので詳細な説明を省略する。
FIG. 27 shows the essential parts of the fourth embodiment of the present invention. In the following description, parts corresponding to those in the above embodiment are designated by the same reference numerals. In the case of this embodiment, the high resistance tube 3
A substantially rectangular high-resistance ceramic member 46 made of the same material as A is provided with holes 47 for transmitting red, green, and blue electron beams.
~ 49 are formed. Then, a metal member 50 having the same shape as these is stacked and fixed between the two high resistance ceramic members 46. In this case, the corresponding holes 47-49, 5
It is preferable that the axes 1 to 53 are not displaced. The metal member 50 plays the role of the fourth grid G 4 , and a lead wire (not shown) is connected thereto. Further, third and fifth grids G 3 and G 5 ( not shown) are provided on the upper surface and the lower surface of the high resistance ceramic member 46. These third
The fifth grids G 3 and G 5 are composed of a metal plate or a plane conductive film. The conductive ring 1 is formed on the inner surface of each of the holes 47 to 49 of the high resistance ceramic member 46 by the above-described method.
1A is formed. Other configurations and operations are the same as those of the above-described embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

【0092】図28は本発明の第5実施例の要部を示す
ものである。本実施例にあっては、上述と同様の高抵抗
セラミックスからなるリング状の部材54を積層し、そ
の間に円板状の金属板55を挟んで構成される。ここ
で、金属板55には電子ビーム透過用の孔56〜58が
形成される。尚、本例は3ビームの電子銃の場合である
が、かかる構成は図1に示す単ビーム用の電子銃にも適
用可能である。
FIG. 28 shows the essential parts of the fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, a ring-shaped member 54 made of the same high-resistance ceramic as described above is laminated, and a disc-shaped metal plate 55 is sandwiched therebetween. Here, holes 56 to 58 for transmitting electron beams are formed in the metal plate 55. Although this example is for a three-beam electron gun, such a configuration is also applicable to the single-beam electron gun shown in FIG.

【0093】ところで、上述の実施例においては、高抵
抗セラミックスからなる高抵抗管3Aの電極膜8〜10
を形成する際に、導電ペースト70を塗布及び乾燥した
後、これを焼成する必要があるため、コスト高になるお
それがある。また、RuO2−ガラスペーストからなる
導電ペースト70がスパーキング時に損傷を受けること
により、レンズ特性が劣化するおそれがある。加えて、
さらなるレンズ特性の向上を図るためには抵抗分布をよ
り傾斜させる必要があるが、高抵抗管3A内は均一な抵
抗分布となっていることからこれには限界がある。そこ
で、本発明の第6実施例においては、以下のような構成
を採用している。
By the way, in the above-mentioned embodiment, the electrode films 8 to 10 of the high resistance tube 3A made of high resistance ceramics.
When forming, the conductive paste 70 needs to be applied and dried, and then baked, which may increase the cost. Further, the conductive paste 70 made of RuO 2 -glass paste may be damaged during sparking, which may deteriorate the lens characteristics. in addition,
To further improve the lens characteristics, it is necessary to make the resistance distribution more inclined, but this is a limitation because the resistance distribution inside the high resistance tube 3A is uniform. Therefore, in the sixth embodiment of the present invention, the following configuration is adopted.

【0094】図29は本実施例の要部構成を示すもので
ある。図29Aに示すように、本実施例に用いる高抵抗
管105においては、一体に形成された本体の両端に低
抵抗部106が形成され、その間に高抵抗部107が形
成されている。この場合、低抵抗部106の抵抗値は、
その表面の抵抗が10KΩ/□程度とすることが好まし
い。一方、高抵抗部107の抵抗値は、上記実施例と同
様に、100MΩ〜10TeraΩとすることが好まし
い。尚、高抵抗部107を低抵抗部106との境界にお
いて抵抗が連続的に変化するように構成することが好ま
しい。これにより電位勾配が更に小さくなる。
FIG. 29 shows the main structure of this embodiment. As shown in FIG. 29A, in the high resistance tube 105 used in this embodiment, the low resistance portions 106 are formed at both ends of the integrally formed main body, and the high resistance portions 107 are formed therebetween. In this case, the resistance value of the low resistance portion 106 is
The surface resistance is preferably about 10 KΩ / □. On the other hand, the resistance value of the high resistance portion 107 is preferably 100 MΩ to 10 TeraΩ, as in the above embodiment. The high resistance portion 107 is preferably configured so that the resistance continuously changes at the boundary with the low resistance portion 106. This further reduces the potential gradient.

【0095】本実施例の高抵抗管105は、例えば公知
の文献(Jady Chu, 石橋,林,武部,森永 SliP Castin
t of Continuous Funcfionally Gradient Material Jou
rnalof the Ceramic Society of Japan 101〔7〕841-8
44,1993)に記載されている。方法等により得られる。
すなわち、この方法は、導電物質(W,Ni−Cr等)
を混合したスラリーを用い、粒子の沈降速度の差を利用
して管軸方向に濃度差を与えることにより高抵抗管10
5の抵抗に勾配をつけるものである。
The high resistance tube 105 of this embodiment is, for example, a known document (Jady Chu, Ishibashi, Hayashi, Takebe, Morinaga SliP Castin).
t of Continuous Funcfionally Gradient Material Jou
rnalof the Ceramic Society of Japan 101 [7] 841-8
44, 1993). It can be obtained by a method or the like.
That is, this method is applicable to conductive materials (W, Ni-Cr, etc.)
The high resistance tube 10 is prepared by using a slurry in which the particles are mixed to give a concentration difference in the tube axis direction by utilizing the difference in the sedimentation velocity of particles.
The resistance of 5 is graded.

【0096】図29Bは、本実施例における高抵抗管1
08の他の例を示すものである。同図に示すように、こ
の例においては、図29Aに示す高抵抗管105の周囲
に第2の高抵抗部109が設けられる。この第2の高抵
抗部109は、低抵抗部106を保護すること等を目的
として設けられるもので、その材料としては、内側の高
抵抗部107と同じもの又は他の絶縁体を用いることが
できる。
FIG. 29B shows a high resistance tube 1 according to this embodiment.
08 shows another example of No. 08. As shown in the figure, in this example, the second high resistance portion 109 is provided around the high resistance tube 105 shown in FIG. 29A. The second high resistance portion 109 is provided for the purpose of protecting the low resistance portion 106 and the like, and as the material thereof, the same material as the inner high resistance portion 107 or another insulator may be used. it can.

【0097】また、一体のセラミックスからなる抵抗円
筒体(図示せず)の表面近傍のみを低抵抗化することも
できる。例えば、円筒体の生焼きのセラミックの両端部
内面に導電物質を塗布した後、そのセラミックを本焼き
することにより図29Bに示すものと同様の低抵抗部を
形成することができる。
Further, it is possible to reduce the resistance only in the vicinity of the surface of the resistance cylindrical body (not shown) made of integral ceramics. For example, a low resistance portion similar to that shown in FIG. 29B can be formed by applying a conductive material to the inner surfaces of both ends of the ceramic of the cylinder that has been fired and then firing the ceramic.

【0098】図30は本実施例の全体構成を示すもので
ある。同図に示すように、本実施例の場合、径の異なる
2つの上記高抵抗管105A,105Bを用い、第4グ
リッドG4 となる金属部材を各高抵抗管105A,10
5Bに挿入することによりこれらを固定する。そして、
各高抵抗管105A,105Bに第3グリッドG3 及び
第5グリッドG5 を取り付けておく。尚、各高抵抗管1
05A,105Bには上述の導電リング11Aを設けて
おく。さらに、第3及び第5グリッドG3 ,G5 をリー
ド線l1 によって接続するとともに、第4グリッドG4
とステムピン110とをリード線l2 を用いて接続す
る。尚、ステムピンと第3グリッドG3 との間には、カ
ソードK、第1及び第2グリッドG1 ,G2 が設けられ
る。
FIG. 30 shows the overall construction of this embodiment. As shown in the figure, in the case of the present embodiment, the two high resistance tubes 105A and 105B having different diameters are used, and the metal member forming the fourth grid G 4 is connected to the high resistance tubes 105A and 10B.
Fix these by inserting into 5B. And
The third grid G 3 and the fifth grid G 5 are attached to each of the high resistance tubes 105A and 105B. Each high resistance tube 1
The above-mentioned conductive ring 11A is provided on 05A and 105B. Furthermore, the third and fifth grids G 3 and G 5 are connected by a lead wire l 1 , and the fourth grid G 4 is connected.
And the stem pin 110 are connected using the lead wire l 2 . The cathode K and the first and second grids G 1 and G 2 are provided between the stem pin and the third grid G 3 .

【0099】以上の構成を有する本実施例によれば、抵
抗分布をより傾斜させることができ、その結果、放電が
起こりにくくなるとともに、より一層レンズ収差の小さ
いレンズ系を形成して高解像度の画面を実現することが
できる。
According to the present embodiment having the above-described structure, the resistance distribution can be made more inclined, and as a result, discharge is less likely to occur, and a lens system with even smaller lens aberration is formed to achieve high resolution. The screen can be realized.

【0100】また、本実施例によれば導電ペースト70
を塗布、乾燥及び焼成する工程が必要なくなるため、工
程の簡素化及びコストダウンが可能になる。
Further, according to this embodiment, the conductive paste 70 is used.
Since the process of coating, drying and baking is unnecessary, the process can be simplified and the cost can be reduced.

【0101】さらに、本実施例によれば、スパーキング
が起こり易くなるため、耐圧を向上させることができ
る。
Further, according to this embodiment, sparking is likely to occur, so that the breakdown voltage can be improved.

【0102】尚、上述の実施例においては高抵抗管10
5A,105Bを2つ組み合わせて第3〜第5グリッド
3 〜G5 を構成するようにしたが、本発明はこれに限
られるものではなく、1つの抵抗円筒体に第3〜第5グ
リッドG3 〜G5 に対応する低抵抗部を形成するように
してもよい。
In the above embodiment, the high resistance tube 10 is used.
5A, but so as to constitute the third to fifth grids G 3 ~G 5 in combination two 105B, the present invention is not limited thereto, third to fifth grids one resistor cylinders it may be a low resistance portion corresponding to G 3 ~G 5.

【0103】また、高抵抗管は円筒のものに限られず、
例えば断面が楕円又は方形の筒状体を用いることもでき
る。
The high resistance tube is not limited to the cylindrical one,
For example, a tubular body having an elliptical or rectangular cross section can be used.

【0104】さらに、本発明は主レンズ系のみならず、
プリフォーカスレンズ系にも適用することができる。こ
の場合、例えば図30に示すように、2つの高抵抗管1
05A,105Bを組み合わせ、一方の高抵抗管105
Aに2箇所の低抵抗部105Bを形成するとともに、図
31に示すように他方の高抵抗管105Bにプリフォー
カスレンズ系用の低抵抗部112を形成し、この高抵抗
管105Bの端部に第1及び第2グリッドG1 ,G2
取り付けるように構成する。尚、114はスペーサであ
る。
Further, the present invention is not limited to the main lens system,
It can also be applied to a prefocus lens system. In this case, for example, as shown in FIG. 30, two high resistance tubes 1
05A, 105B combined, one high resistance tube 105
A low resistance portion 105B is formed at two locations on A, and a low resistance portion 112 for a prefocus lens system is formed on the other high resistance tube 105B as shown in FIG. It is configured to attach the first and second grids G 1 and G 2 . Incidentally, 114 is a spacer.

【0105】かかる構成を有する第7実施例によれば、
第1、第2グリッドG1 ,G2 近傍の構成を簡素化する
ことができる。一方、高抵抗管105Bにプリフォーカ
スレンズ系用の低抵抗部112を形成せず、支持体とし
てのみ機能させることもできる。その場合には、放電防
止が容易になる。
According to the seventh embodiment having such a configuration,
The configuration near the first and second grids G 1 and G 2 can be simplified. On the other hand, the low resistance portion 112 for the prefocus lens system may not be formed on the high resistance tube 105B, and the high resistance tube 105B may function only as a support. In that case, discharge prevention becomes easy.

【0106】次に、本発明に係る陰極線管の実施例につ
いて説明する。電子銃によって構成されるレンズ系の球
面収差は、レンズ径が大きくなるほど小さくなるが、こ
のレンズ径は、上記実施例の高抵抗管3Aの内径より大
きくできない。したがって、図32に示すように、形成
しうる最大のレンズ径は、高抵抗管116の肉厚B及び
クリアランスCを考慮すると、A=D−C2−B2とな
る。そこで、本実施例においては、次のような構成によ
り、レンズ径を大きくするようにした。
Next, examples of the cathode ray tube according to the present invention will be described. The spherical aberration of the lens system constituted by the electron gun becomes smaller as the lens diameter becomes larger, but this lens diameter cannot be made larger than the inner diameter of the high resistance tube 3A in the above-mentioned embodiment. Therefore, as shown in FIG. 32, the maximum lens diameter that can be formed is A = D-C2-B2 in consideration of the wall thickness B and the clearance C of the high resistance tube 116. Therefore, in this embodiment, the lens diameter is increased by the following configuration.

【0107】図33は本実施例の原理を示すものであ
る。同図に示すように、本実施例の陰極線管において
は、ファンネル117の少なくともネック部116内壁
を高抵抗化し、そのネック部116内壁に主レンズを構
成する第3〜第5グリッドG3 〜G5 が設けられる。
FIG. 33 shows the principle of this embodiment. As shown in the drawing, in the cathode ray tube of the present embodiment, at least the inner wall of the neck portion 116 of the funnel 117 has a high resistance, and the inner wall of the neck portion 116 has the third to fifth grids G 3 to G that form the main lens. Five are provided.

【0108】図34は本実施例の具体的な要部構成を示
すものである。尚、この例はバイポテンシャルの電子銃
を構成したものである。本実施例のファンネル117は
後述するセラミックを主成分として構成され、図35に
示すように、ネック部116の外側に絶縁層116Aが
形成され、内側に高抵抗層116Bが形成される。そし
て、高抵抗層116B上には、上述の導電ペースト70
を塗布することにより第3及び第4グリッドを構成する
電極膜G3a,G4aが形成され、さらにこれらの間には導
電リング118が形成される。ここで、電極膜G4aは内
壁カーボン121に接続される。この場合、例えばHV
=32kV、第3グリッドG3 のフォーカス電位を6k
Vとすると、例えば電極膜G3a,G4a間の抵抗は上記実
施例と同様に100MΩ〜10TeraΩ程度が好まし
い。
FIG. 34 shows a specific essential structure of this embodiment. In this example, a bipotential electron gun is constructed. The funnel 117 of this embodiment is mainly composed of ceramics described later. As shown in FIG. 35, the insulating layer 116A is formed on the outer side of the neck portion 116 and the high resistance layer 116B is formed on the inner side thereof. Then, the conductive paste 70 described above is formed on the high resistance layer 116B.
Is applied to form electrode films G 3a and G 4a forming the third and fourth grids, and a conductive ring 118 is formed between them. Here, the electrode film G 4a is connected to the inner wall carbon 121. In this case, for example, HV
= 32 kV, the focus potential of the third grid G 3 is 6 k
When V is set, for example, the resistance between the electrode films G 3a and G 4a is preferably about 100 MΩ to 10 TeraΩ as in the above embodiment.

【0109】電極膜G3aには第3グリッドG3 が接続さ
れる。この場合、図37に示すように第3グリッドG3
には複数のリム部G3bが設けられ、これらのリム部G3b
を介して第3グリッドG3 と電極膜G3aとが接続され
る。この場合、図37Bに示すように、第3グリッドG
3 に複数のスプリングG3cを設けるようにしてもよい。
The third grid G 3 is connected to the electrode film G 3a . In this case, as shown in FIG. 37, the third grid G 3
The rim portion G 3b is provided with a plurality of rim portions G 3b.
The third grid G 3 and the electrode film G 3a are connected via the. In this case, as shown in FIG. 37B, the third grid G
A plurality of springs G 3c may be provided in 3 .

【0110】第3グリッドG3 は、ピン120によりビ
ードガラス119に取り付けられる。また、このビード
ガラス119には同様にピン120により第1及び第2
グリッドG1 ,G2 が取り付けられる。また、第1グリ
ッドG1 の近くには公知のカソードK及びヒーターHが
設けられる。
The third grid G 3 is attached to the bead glass 119 by the pin 120. Further, the bead glass 119 is similarly pinned to the first and second pins 120.
The grids G 1 and G 2 are attached. Further, a known cathode K and heater H are provided near the first grid G 1 .

【0111】図36は本実施例の製造工程を示すもので
ある。本実施例においては、絶縁層116Aを構成する
母材粉末として、パネルガラスの膨張係数と同等の膨張
係数(40〜400℃、=102106 1/℃)を有す
るセラミックスであるフォルステライト(主結晶2Mg
O・SiO2 )を用いる。一方、高抵抗層116Bを構
成する添加物粉末として、導電物質であるTiO2 ,M
nO2 ,SiC又はW,Cu金属若しくはその酸化物を
用いる。そして、これらのフォルステライト及び導電物
質を用い、公知の粉末成形法等により図35に示すよう
な構成の絶縁層116A及び高抵抗層116Bを有する
ファンネルを形成する(工程(1)(2))。
FIG . 36 shows the manufacturing process of this embodiment. In this embodiment, as the base material powder forming the insulating layer 116A, forsterite (main crystal) that is a ceramic having an expansion coefficient (40 to 400 ° C., = 10210 6 1 / ° C.) similar to that of the panel glass is used. 2Mg
O.SiO 2 ) is used. On the other hand, as the additive powder forming the high resistance layer 116B, TiO 2 , M, which is a conductive material, is used.
nO 2 , SiC or W, Cu metal or its oxide is used. Then, using these forsterites and conductive materials, a funnel having an insulating layer 116A and a high resistance layer 116B having a structure as shown in FIG. 35 is formed by a known powder molding method or the like (steps (1) and (2)). .

【0112】そして、ネック部116の内壁に上述した
導電ペーストを塗布し(工程(3))、乾燥及び焼成し
て電極膜G3a,G4a及び導電リング118を形成する
(工程(4)(5))。
Then, the above-mentioned conductive paste is applied to the inner wall of the neck portion 116 (step (3)), and dried and baked to form the electrode films G 3a and G 4a and the conductive ring 118 (step (4) ( 5)).

【0113】さらに、内装カーボン121を塗布した
(工程(6))後、パネル(図示せず)とファンネル1
17をフリットガラスを用いて気密封着する(工程
(7))。
Furthermore, after applying the interior carbon 121 (step (6)), the panel (not shown) and the funnel 1 are formed.
17 is hermetically sealed using frit glass (step (7)).

【0114】その後、ステムに取り付けられた電子銃の
部分をネック部116に気密封着する(工程(8))。
そして、排気(工程(9))を行った後、公知のゲッタ
フラッシュ、ノッキング、エージング(図示せず)の各
工程を行って陰極線管が完成する。
Then, the portion of the electron gun attached to the stem is hermetically sealed to the neck portion 116 (step (8)).
After exhausting (step (9)), known steps of getter flash, knocking, and aging (not shown) are performed to complete the cathode ray tube.

【0115】以上の構成を有する本実施例によれば、レ
ンズ径が大きくなることから、球面収差を小さくするこ
とができ、その結果、高解像度の画面を実現できる。
According to the present embodiment having the above-mentioned structure, since the lens diameter becomes large, spherical aberration can be made small, and as a result, a high resolution screen can be realized.

【0116】また、高圧(陽極)を取り込むに際しHV
スプリングを用いていないことから、HVスプリングと
内装カーボンとの接触によるカーボン落ちがなく、耐圧
特性を向上させることができる。
In addition, when taking in high voltage (anode), HV
Since no spring is used, carbon does not drop due to contact between the HV spring and the interior carbon, and the pressure resistance can be improved.

【0117】また、ビーディングガラス119の陽極電
圧に対する放電が、第3グリッドG3 と接続されている
電極膜G3aによって防止されることから、その点でも耐
圧特性を向上させることができる。このことは特にバイ
ポテンシャル型の電子銃を構成した場合に効果的であ
る。
Further, since the discharge of the beading glass 119 with respect to the anode voltage is prevented by the electrode film G 3a connected to the third grid G 3 , the withstand voltage characteristic can be improved in that respect as well. This is particularly effective when a bipotential type electron gun is constructed.

【0118】さらに、本実施例によればHVスプリン
グ、高抵抗管及びその接続部材、第4グリッド及びその
接続ピン等を省略することができるので、部品点数を削
減でき、その結果、コストダウンや信頼性の向上を図る
ことができる。
Further, according to this embodiment, the HV spring, the high resistance tube and its connecting member, the fourth grid and its connecting pin, etc. can be omitted, so that the number of parts can be reduced, resulting in cost reduction and It is possible to improve reliability.

【0119】上述したように上記実施例に係る電子銃に
よれば、電子レンズ構成部を抵抗筒体で形成したことか
ら、電子レンズ系の同心度のずれを抑えて電子ビームの
軸ずれを小さくでき、高画質の画像を実現できる。
た、電子ビームを集束するための主レンズを構成する電
極を有する抵抗円筒体を備えたことから、主レンズ系の
同心度のずれを抑えて電子ビームの軸ずれを小さくする
ことができる。 この場合、カソードレンズ及びプリフォ
ーカスレンズを構成する電極をビードガラスで一体的に
固定し、これらの電極を抵抗円筒体の他端部に固定する
ことにより、電子ビームの軸ずれを一層小さくすること
ができる。 主レンズを構成する電極管の電位勾配が小さ
くなるので、電極間の放電を防止することができる。加
えて、主レンズの球面収差を小さくすることができるの
で、ビームスポット径を小さくする解像度を向上させる
ことができる。 さらに、電子ビームを集束するための主
レンズを構成する電極を有する抵抗円筒体を高抵抗物質
で形成したことから、主レンズ系の同心度のずれを抑え
て電子ビームの軸ずれを小さくすることができる。ま
た、本発明によれば、主レンズを構成する電極間の電位
勾配が小さくなるので、電極間の放電を防止することが
できる。加えて、主レンズの球面収差を小さくすること
ができるので、ビームスポット径を小さくして解像度を
向上させることができる。 さらに、抵抗円筒体の所定の
位置から第4グリッドの導電端子を導出するように構成
することにより、軸電位の微調整が可能になり、一層主
レンズの球面収差を小さくすることができる。 一方、電
極を抵抗円筒体に一体的に形成することにより、導電ペ
ーストが不要となってコストダウンが図れるとともに、
スパーキングし難くなるため、耐圧が向上する。 この場
合、電極と高抵抗物質との境界の組成を連続的に変化さ
せることにより、電極間の電位勾配をより小さくしてレ
ンズ特性の向上を図ることができる。 そして、抵抗円筒
体の内表面のみに電極を形成すれば、電極が保護される
ので信頼性を高めることができる。 一方、電子レンズが
主レンズ又はプリフォーカスレンズとなるように構成す
れば、電子レンズ構成部が簡素化されコストダウンを図
ることができる。 さらに、抵抗円筒体が電子銃構成部材
の支持体を兼ねるようにすれば、放電防止が容易にな
り、信頼性が高まる。 また、本発明に係る陰極線管によ
れば、電子レンズ構成部を管体を構成する抵抗筒体で構
成することにより、レンズ径を大きくしてより一層のレ
ンズ特性の向上が図れ、高画質を実現できる。 そして、
本発明は、ローラ又はディスペンサーを用いて導電ペー
ストを抵抗筒体の内面に塗布することにより、さらに熱
転写又はタコ印刷により電子レンズ構成部を形成するこ
とにより、陰極線管及びその電子銃を容易に製造できる
ものである。
As described above, in the electron gun according to the above embodiment,
According to this, whether the electronic lens component is formed of a resistance cylinder
Of the electron beam by suppressing the deviation of the concentricity of the electron lens system.
A small amount of misalignment can be achieved, and high quality images can be realized. Well
In addition, the main lens for focusing the electron beam
Since it has a resistance cylinder with poles,
Minimize the deviation of the electron beam axis by suppressing the concentricity deviation
be able to. In this case, the cathode lens and the prefo
The electrodes that make up the lens are integrated with bead glass
Fix and fix these electrodes to the other end of the resistive cylinder
To further reduce the axis deviation of the electron beam.
You can The potential gradient of the electrode tube that constitutes the main lens is small
Therefore, the discharge between the electrodes can be prevented. Addition
Therefore, the spherical aberration of the main lens can be reduced.
To improve the resolution by reducing the beam spot diameter
be able to. In addition, the main focus for focusing the electron beam
A resistive cylinder having electrodes forming a lens is made of a high resistance material.
Since it is formed with, the deviation of the concentricity of the main lens system is suppressed.
As a result, the axis deviation of the electron beam can be reduced. Well
Further, according to the present invention, the potential between the electrodes forming the main lens is
Since the gradient is small, it is possible to prevent discharge between the electrodes.
it can. In addition, reduce spherical aberration of the main lens
Therefore, the beam spot diameter can be reduced to improve the resolution.
Can be improved. In addition, the resistance cylinder
Configured to derive the conductive terminal of the fourth grid from the position
By doing so, it becomes possible to finely adjust the shaft potential and
The spherical aberration of the lens can be reduced. On the other hand,
By forming the poles integrally with the resistance cylinder, the conductive pole
Cost is reduced by eliminating the need for a host,
Since it is difficult to spark, the pressure resistance is improved. This place
In this case, the composition of the boundary between the electrode and the high resistance material is continuously changed.
This reduces the potential gradient between the electrodes and
The characteristics of the lens can be improved. And the resistance cylinder
If the electrode is formed only on the inner surface of the body, the electrode is protected
Therefore, reliability can be increased. On the other hand, the electronic lens
It is configured to be a main lens or a prefocus lens.
If this is the case, the electronic lens component can be simplified and cost can be reduced.
You can Furthermore, the resistance cylinder is an electron gun constituent member.
If it doubles as a support, it will be easier to prevent discharge.
Reliability increases. In addition, the cathode ray tube according to the present invention
If this is the case, the electron lens component is made up of a resistance cylinder that constitutes the tube.
By increasing the lens diameter,
The image quality can be improved and high image quality can be realized. And
The present invention uses rollers or dispensers to make conductive paper.
By applying the strike to the inner surface of the resistance cylinder,
The electronic lens component can be formed by transfer or tacho printing.
By, the cathode ray tube and its electron gun can be easily manufactured.
It is a thing.

【0120】尚、本発明は上述の実施例に限られるもの
ではなく、図1〜図31にて説明した種々の構成を適用
することができる。例えばネック部に一体的に電極膜及
び導電リングを形成することもでき、その形成方法も上
述の種々の方法を採用することができる。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but various structures described in FIGS. 1 to 31 can be applied. For example, the electrode film and the conductive ring can be integrally formed on the neck portion, and the various methods described above can be adopted as the forming method.

【0121】[0121]

【発明の効果】本発明に係る陰極線管の電子銃によれ
ば、主電子レンズを構成するを主レンズを形成する複数
の電極を有する抵抗円筒体で形成するので、主電子レン
ズ系の同心度のずれを抑えて電子ビームの軸ずれを小さ
くでき、高画質の画像を実現できる。
According to the electron gun of the cathode ray tube of the present invention, a plurality of main electron lenses are formed to form a main electron lens.
Because it forms a resistor cylinder with the electrode, the main electron lens
It is possible to reduce the deviation of the electron beam axis by suppressing the deviation of the concentricity of the pixel system, and it is possible to realize a high-quality image.

【0122】さらに、抵抗円筒体を絶縁円筒体の内面に
電極と重なるようにらせん状抵抗膜を形成した構造、又
は高抵抗物質の円筒体で形成した構造とすることによ
り、主レンズを構成する電極間の電位勾配が小さくな
り、電極間の放電を防止することができる。加えて、主
レンズの球面収差を小さくすることができるので、ビー
ムスポット径を小さくする解像度を向上させることがで
きる。
Furthermore, the resistance cylinder is attached to the inner surface of the insulating cylinder.
A structure in which a spiral resistance film is formed so as to overlap the electrodes, or
Is a structure made of a cylinder of high resistance material.
As a result, the potential gradient between the electrodes forming the main lens becomes small, and the discharge between the electrodes can be prevented. In addition, since the spherical aberration of the main lens can be reduced, the resolution for reducing the beam spot diameter can be improved.

【0123】[0123] 抵抗円筒体の外壁面に軸方向に沿って導電Conductive along the axial direction on the outer wall surface of the resistance cylinder
膜を形成し導電膜と抵抗円筒体の両端部に形成された電A film is formed on the conductive film and the resistance cylinder.
極とを夫々ホルダーにより電気的に接続した構成によっWith the configuration in which the poles are electrically connected by the holders respectively
て、いわゆるユニポテンシャル型の主レンズを構成するConfigure a so-called unipotential type main lens
両端の電極が等電位化され、主レンズ系の同心ずれを抑The electrodes on both ends are made equipotential to suppress the concentric shift of the main lens system.
えて電子ビームの軸ずれを小さくすることができる。Therefore, the axis deviation of the electron beam can be reduced.

【0124】抵抗円筒体の中間の位置から中間に形成す
る電極、即ち第4グリッドの導電端子を導出するように
構成することにより、第4グリットへの電圧印加を容易
になり、且つ軸電位の微調整が可能になり、一層主レン
ズの球面収差を小さくすることができる。
Form the resistance cylinder from the middle position to the middle position.
It is easy to apply a voltage to the 4th grid by arranging the electrode that leads to the conductive terminal of the 4th grid.
In addition, the axial potential can be finely adjusted , and the spherical aberration of the main lens can be further reduced.

【0125】[0125] 抵抗円筒体を構成する高抵抗物円筒体を3The high resistance cylinder that constitutes the resistance cylinder is 3
分割し、中間の高抵抗物質円筒体の表面抵抗値を、両端Divide the surface resistance value of the intermediate high resistance material cylinder into
の高抵抗物質円筒体の表面抵抗値より大に設定するときWhen set to be higher than the surface resistance value of the high-resistance material cylinder of
は抵抗分布をより傾斜させることができ、主電子レンズCan make the resistance distribution more inclined, the main electron lens
特性の向上を図ることができる。It is possible to improve the characteristics. 3分割の第1の高抵抗1st high resistance of 3 divisions
物質の円筒体を内収する第2の高抵抗物質の円筒体を設A second cylinder of high resistance material is housed that contains the cylinder of material.
けることにより、内側の第1の高抵抗物質の円筒体を保The inner cylindrical body of the high resistance material by
護することができる。Can be protected.

【0126】[0126] 本発明に係る陰極線管の電子銃の製造方法Method for manufacturing electron gun of cathode ray tube according to the present invention
によれば、絶縁円筒体の内面に軸方向に沿って主電子レAccording to the method, the main electron record is formed along the axial direction on the inner surface of the insulating cylinder.
ンズを構成する複数の電極を形成して、絶縁円筒体の内The multiple electrodes that make up the
周面に、複数の電極のいずれにも重なるように抵抗ペーA resistance sheet should be placed on the peripheral surface so that it overlaps any of the electrodes.
ストを使って抵抗膜を形成して、抵抗膜の電極を除く部A part where the resistance film is formed using a strike and the electrodes of the resistance film are excluded
分をらせん状にトリミングしてらせん状抵抗膜を形成Form a spiral resistance film by trimming the part into a spiral shape
し、抵抗円筒体を作成する工程を有することにより、上And by having the process of making a resistance cylinder,
述の電子銃を容易に製造Easy to manufacture the above mentioned electron gun することができる。can do.

【0127】[0127] 本発明に係る陰極線管の電子銃の製造方法Method for manufacturing electron gun of cathode ray tube according to the present invention
によれば、高抵抗物質の円筒体の内面に軸方向に沿ってAccording to the axial direction along the inner surface of the cylinder of high resistance material
主電子レンズを構成する複数の電極を形成し、各電極間Form multiple electrodes that make up the main electron lens, and
に対応する高抵抗物質の円筒体内面に導電リングを形成A conductive ring is formed on the inner surface of the cylinder of high resistance material corresponding to
して、抵抗円筒体を作成する工程を有することにより、Then, by having the step of creating the resistance cylinder,
上述の電子銃を容易に製造することができる。The electron gun described above can be easily manufactured.

【0128】[0128] 本発明に係る陰極線管においては、上述しIn the cathode ray tube according to the present invention,
た電子銃を備えているので、レンズ径を大きくして、よSince it has an electron gun, you can increase the lens diameter.
り一層のレンズ特性の向上が図られ、高画質化できる。The lens characteristics can be further improved and the image quality can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例の全体構成を示す断面図で
ある。
FIG. 1 is a sectional view showing the overall configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】A同実施例の円筒ホルダーの正面図である。B
図2Aのa−0−a′線断面図である。C図2Aのb−
b′線断面図である。D図2Cのc−c′線断面図であ
る。
FIG. 2A is a front view of the cylindrical holder of the same embodiment. B
FIG. 2B is a sectional view taken along the line a-0-a ′ of FIG. 2A. C b- in FIG. 2A
It is a b'line sectional view. FIG. 3D is a sectional view taken along line cc ′ of FIG. 2C.

【図3】同実施例のHVシールドの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the HV shield of the same embodiment.

【図4】同実施例の製造工程を示すフローチャートであ
る。
FIG. 4 is a flowchart showing a manufacturing process of the embodiment.

【図5】同実施例の製造工程を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the manufacturing process of the example.

【図6】同実施例のG4 ピンの取付部分を示す断面図で
ある。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a mounting portion of a G 4 pin of the same embodiment.

【図7】同実施例における抵抗ペーストの塗布方法の例
を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an example of a method of applying a resistance paste in the example.

【図8】同実施例における抵抗膜のトリミング方法の例
を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of a method of trimming a resistance film in the example.

【図9】同実施例におけるらせん状抵抗膜の形成方法の
例を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an example of a method for forming a spiral resistance film in the same Example.

【図10】同実施例における円筒ホルダーの取付方法の
他の例を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing another example of the method of attaching the cylindrical holder according to the embodiment.

【図11】本発明の第2実施例の要部断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of essential parts of a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第3実施例の全体構成を示す断面図
である。
FIG. 12 is a sectional view showing the overall structure of a third embodiment of the present invention.

【図13】同実施例の製造工程を示すフローチャートで
ある。
FIG. 13 is a flow chart showing a manufacturing process of the embodiment.

【図14】同実施例の製造工程を示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram showing the manufacturing process of the example.

【図15】電極膜及び導電リングの形成方法の第1の例
を示す説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a first example of a method for forming an electrode film and a conductive ring.

【図16】電極膜及び導電リングの形成方法の第2の例
を示す説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing a second example of a method for forming an electrode film and a conductive ring.

【図17】同例に従って形成される電極膜及び導電リン
グの説明図である。
FIG. 17 is an explanatory diagram of an electrode film and a conductive ring formed according to the same example.

【図18】電極膜及び導電リングの形成方法の第3の例
を示す説明図である。
FIG. 18 is an explanatory diagram showing a third example of a method for forming an electrode film and a conductive ring.

【図19】電極膜及び導電リングの形成方法の第4の例
を示す説明図である。
FIG. 19 is an explanatory diagram showing a fourth example of a method for forming an electrode film and a conductive ring.

【図20】電極膜及び導電リングの形成方法の第5の例
を示す説明図である。
FIG. 20 is an explanatory diagram showing a fifth example of a method for forming an electrode film and a conductive ring.

【図21】電極膜及び導電リングの形成方法の第6の例
を示す説明図である。
FIG. 21 is an explanatory diagram showing a sixth example of a method for forming an electrode film and a conductive ring.

【図22】導電リングの役割の説明に供する説明図であ
る。
FIG. 22 is an explanatory diagram for explaining the role of the conductive ring.

【図23】導電リングの役割の説明に供するグラフであ
る。
FIG. 23 is a graph for explaining the role of a conductive ring.

【図24】第3実施例の効果の原理を示す説明図であ
る。
FIG. 24 is an explanatory diagram showing the principle of the effect of the third embodiment.

【図25】円筒ホルダーの取付方法の他の例を示す断面
図である。
FIG. 25 is a cross-sectional view showing another example of the method of attaching the cylindrical holder.

【図26】高抵抗管の固定方法の他の例を示す説明図で
ある。
FIG. 26 is an explanatory diagram showing another example of a method of fixing a high resistance tube.

【図27】本発明の第4実施例の要部を示す斜視図であ
る。
FIG. 27 is a perspective view showing a main part of a fourth embodiment of the present invention.

【図28】本発明の第5実施例の要部を示す断面図及び
平面図である。
28A and 28B are a sectional view and a plan view showing an essential part of the fifth embodiment of the present invention.

【図29】本発明の第6実施例を示す要部断面図であ
る。
FIG. 29 is a cross-sectional view of essential parts showing a sixth embodiment of the present invention.

【図30】同実施例の全体構成図である。FIG. 30 is an overall configuration diagram of the same embodiment.

【図31】本発明の第7実施例を示す要部断面図であ
る。
FIG. 31 is a sectional view of a key portion showing a seventh embodiment of the present invention.

【図32】レンズ径の説明に供する断面図である。FIG. 32 is a sectional view for explaining the lens diameter.

【図33】発明に係る陰極線管の実施例を示す原理図で
ある。
FIG. 33 is a principle view showing an embodiment of a cathode ray tube according to the invention.

【図34】同実施例の要部を示す断面図である。FIG. 34 is a cross-sectional view showing the main parts of the same embodiment.

【図35】同実施例の要部断面図及びその等価回路図で
ある。
FIG. 35 is a cross-sectional view of an essential part of the embodiment and its equivalent circuit diagram.

【図36】同実施例の製造工程を示すフローチャートで
ある。
FIG. 36 is a flowchart showing a manufacturing process of the example.

【図37】同実施例の第3グリッドを示す斜視図であ
る。
FIG. 37 is a perspective view showing a third grid of the same example.

【図38】従来例の概略構成を示す説明図である。FIG. 38 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ネック部 2 ステム 3 絶縁管 3A 高抵抗管 4 HVシールド 5 HVスプリング 6 ステムピン 7 ビードガラス 8,9,10 電極膜 11 抵抗膜 11A 導電リング 12(12a,12b) 円筒ホルダー 13 フランジ 14 突起 15G4 ピン 17 導電膜 G1 第1グリッド G2 第2グリッド G3a,G4a 電極膜 G3A カップ部材 G3 第3グリッド1 Neck 2 Stem 3 Insulation Tube 3A High Resistance Tube 4 HV Shield 5 HV Spring 6 Stem Pin 7 Bead Glass 8, 9, 10 Electrode Film 11 Resistance Film 11A Conductive Ring 12 (12a, 12b) Cylindrical Holder 13 Flange 14 Protrusion 15G 4 Pin 17 conductive film G 1 first grid G 2 second grid G 3a , G 4a electrode film G 3A cup member G 3 third grid

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−230935(JP,A) 特開 平1−225044(JP,A) 特開 平3−40343(JP,A) 特開 昭63−225464(JP,A) 実開 昭58−91845(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 29/48 H01J 9/14 Continuation of the front page (56) Reference JP-A-4-230935 (JP, A) JP-A1-225044 (JP, A) JP-A-3-40343 (JP, A) JP-A-63-225464 (JP , A) Actual development Sho 58-91845 (JP, U) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01J 29/48 H01J 9/14

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 カソードと、同軸上に配置された第1電
極、第2電極及び主電子レンズを構成する複数の電極を
有する抵抗円筒体とを備え、前記抵抗円筒体は、絶縁円筒体の内面に軸方向に沿って
前記複数の電極を被着形成し、電極のいずれにも重なる
ように、前記各電極間に対応した前記絶縁円筒体の内面
にらせん状抵抗膜を形成して成る ことを特徴とする陰極
線管の電子銃。
1. A cathode and a first electrode arranged coaxially with the cathode.
A resistance cylinder having a plurality of electrodes forming a pole, a second electrode and a main electron lens, wherein the resistance cylinder is axially formed on an inner surface of the insulating cylinder.
The plurality of electrodes are adhered and formed so as to overlap any of the electrodes.
The inner surface of the insulating cylindrical body corresponding to each of the electrodes
An electron gun for a cathode ray tube, which is characterized in that a spiral resistance film is formed .
【請求項2】 カソードと、同軸上に配置された第1電
極、第2電極及び主電子レンズを構成する複数の電極を
有する抵抗円筒体とを備え、前記抵抗円筒体は、高抵抗物質の円筒体の内面に軸方向
に沿って前記複数の電極を被着形成し、該各電極間に対
応した前記高抵抗物質の円筒体の内面に導電リングを形
成して成る ことを特徴とする陰極線管の電子銃。
2. A cathode and a first electrode coaxially arranged.
A resistance cylinder having a pole, a second electrode and a plurality of electrodes forming a main electron lens, wherein the resistance cylinder is axially formed on an inner surface of the cylinder made of a high resistance material.
A plurality of electrodes are deposited along the electrodes, and a pair of electrodes is provided between the electrodes.
A conductive ring is formed on the inner surface of the cylindrical body of the high resistance material.
An electron gun for a cathode ray tube, which is characterized by being formed .
【請求項3】 前記抵抗円筒体の外壁面に軸方向に沿っ
て導電膜が形成され、 前記導電膜と前記抵抗円筒体の両端部に形成された前記
電極とが夫々ホルダーにより電気的に接続されて成る
とを特徴とする請求項1又は2記載 の陰極線管の電子
銃。
3. An outer wall surface of the resistance cylinder along an axial direction.
A conductive film is formed on the opposite ends of the conductive film and the resistance cylinder.
This made the electrodes are electrically connected by each holder
An electron gun for a cathode ray tube according to claim 1, wherein:
【請求項4】 前記抵抗円筒体の複数の電極のうち、抵
抗円筒体の両端部間の中間に形成された電極に電気的に
接続された導電ピンが、前記抵抗円筒体外に導出されて
成ることを特徴とする請求項1又は2記載の陰極線管の
電子銃。
4. The resistance of the plurality of electrodes of the resistor cylinder is
Electrically connected to the electrode formed in the middle between the two ends of the anti-cylindrical body
The connected conductive pin is led out of the resistance cylinder.
An electron gun for a cathode ray tube according to claim 1 or 2, wherein
【請求項5】 前記高抵抗物質の円筒体が3分割され、 中間の高抵抗物質の円筒体の表面抵抗値が、両端の高抵
抗物質の円筒体の表面抵抗値よりも大に設定されて成る
ことを特徴とする請求項2記載の陰極線管の電子銃。
5. The cylindrical body of the high resistance material is divided into three , and the surface resistance value of the intermediate cylindrical body of the high resistance material is high.
The electron gun for a cathode ray tube according to claim 2, wherein the electron resistance is set to be larger than the surface resistance value of the cylindrical body of the anti-substance .
【請求項6】 前記高抵抗物質の円筒体が、3分割され
た第1の高抵抗物質円筒体と、該第1の高抵抗物質円筒
体を内収する第2の高抵抗物質円筒体とからなり 前記第1の高抵抗物質円筒体のうちの中間の高抵抗物質
円筒体の表面抵抗値が、両端の高抵抗物質円筒体の表面
抵抗値よりも大に設定され、 前記第2の高抵抗物質円筒体が、前記中間の高抵抗物質
円筒体と同じ材料、または前記第1の高抵抗物質円筒体
と異なる材料で形成されて成る ことを特徴とする請求項
2記載 の陰極線管の電子銃。
6. The cylindrical body of high resistance material is divided into three parts.
And a first high-resistance substance cylinder, and the first high-resistance substance cylinder
It becomes the body and a second high-resistance material cylinder which UchiOsamu, middle high-resistance material of said first high-resistance material cylinder
The surface resistance value of the cylinder is the surface of the high resistance material cylinder at both ends.
The second high resistance material cylinder is set to have a resistance value higher than that of the middle high resistance material.
The same material as the cylinder, or the first high resistance material cylinder
Claims, characterized in that formed by formed of a material different
2. An electron gun for a cathode ray tube as described in 2 .
【請求項7】 絶縁円筒体の内面に軸方向に沿って主電
子レンズを構成する複数の電極を形成する工程と、 前記絶縁円筒体の内周面に、前記複数の電極のいずれに
も重なるように抵抗ペーストによる抵抗膜を形成する工
程と、 前記抵抗膜の前記電極を除く部分をらせん状にトリミン
グしてらせん状抵抗膜を形成し、抵抗円筒体を作製する
工程と、 第1電極、第2電極及び前記抵抗円筒体を同軸上に配置
すると共に、前記第1電極に隣接してカソードを配置す
る工程とを有する ことを特徴とする陰極線管の電子銃の
製造方法。
7. The main electric power is applied to the inner surface of the insulating cylinder along the axial direction.
A step of forming a plurality of electrodes constituting a child lens, and any one of the plurality of electrodes on the inner peripheral surface of the insulating cylinder.
Process to form a resistance film with resistance paste so that it also overlaps
And a portion of the resistive film excluding the electrodes is spirally trimmed.
To form a spiral resistance film and make a resistance cylinder.
Arrangement of the process, the first electrode, the second electrode, and the resistance cylinder body coaxially
And dispose a cathode adjacent to the first electrode.
A method of manufacturing an electron gun for a cathode ray tube, comprising the steps of :
【請求項8】 高抵抗物質の円筒体の内面に軸方向に沿
って主電子レンズを構成する複数の電極を形成する工程
と、 前記各電極間に対応する前記高抵抗物質の円筒体内面に
導電リングを形成し、抵抗円筒体を作製する工程と、 第1電極、第2電極及び前記抵抗円筒体を同軸上に配置
すると共に、前記第1電極に隣接してカソードを配置す
る工程とを有する ことを特徴とする陰極線管の電子銃の
製造方法。
8. The inner surface of the cylindrical body made of a high resistance material is axially aligned.
To form a plurality of electrodes that form the main electron lens
And on the inner surface of the cylindrical body of the high resistance material corresponding to each of the electrodes.
A step of forming a conductive ring and producing a resistance cylinder, and arranging the first electrode, the second electrode and the resistance cylinder coaxially.
And dispose a cathode adjacent to the first electrode.
A method of manufacturing an electron gun for a cathode ray tube, comprising the steps of :
【請求項9】 カソードと、同軸上に配置された第1電
極、第2電極及び主電子レンズを構成する複数の電極を
有する抵抗円筒体とが設けられ、 前記抵抗円筒体が、絶縁円筒体の内面に軸方向に沿って
前記複数の電極を被着形成し、該複数の電極のいずれに
も重なるように、前記複数の電極間に対応した前記絶縁
筒体の内面にらせん状抵抗膜を形成して構成された電子
を備えて成る ことを特徴とする陰極線管。
9. A cathode and a first electrode coaxially arranged.
A plurality of electrodes that form the pole, the second electrode, and the main electron lens.
And a resistance cylinder having a resistance cylinder, the resistance cylinder being provided on the inner surface of the insulating cylinder along the axial direction.
The plurality of electrodes are adhered and formed on any of the plurality of electrodes.
The insulation corresponding to the plurality of electrodes so that
Electrons formed by forming a spiral resistance film on the inner surface of a cylinder
A cathode ray tube comprising a gun .
【請求項10】 カソードと、同軸上に配置された第1
電極、第2電極及び主電子レンズを構成する複数の電極
を有する抵抗円筒体とが設けられ、 前記抵抗円筒体が、高抵抗物質の円筒体の内面に軸方向
に沿って前記複数の電極を被着形成し、該複数の電極間
に対応した前記高抵抗物質の円筒体の内面に導電リング
を形成して構成された電子銃 を備えて成る ことを特徴と
する陰極線管。
10. A cathode and a first member arranged coaxially with the cathode.
A plurality of electrodes that form the electrode, the second electrode, and the main electron lens
And a resistance cylinder having a resistance cylinder, the resistance cylinder being axially formed on the inner surface of the cylinder of high resistance material.
A plurality of electrodes are formed along the line between the plurality of electrodes.
A conductive ring is formed on the inner surface of the cylinder of the high resistance material corresponding to
A cathode ray tube comprising an electron gun formed by forming a .
【請求項11】 前記電子銃を構成する前記抵抗円筒体
の外壁面に軸方向に沿って導電膜が形成され、 前記導電膜と前記抵抗円筒体の両端部に形成された前記
電極とが夫々ホルダーによる電気的に接続されて成る
とを特徴とする請求項9又は10記載 の陰極線管。
11. The resistance cylindrical body constituting the electron gun.
A conductive film is formed on the outer wall surface of the resistor along the axial direction, and the conductive film and the resistor cylinder are formed on both ends of the conductive film.
This made the electrodes are electrically connected by the respective holder
The cathode ray tube according to claim 9 or 10, characterized in that .
【請求項12】 前記電子銃における前記抵抗円筒体の
複数の電極のうち、抵抗円筒体の両端部間の中間に形成
された電極に電気的に接続された導電ピンが、前記抵抗
円筒体外に導出されて成る ことを特徴とする請求項9又
は10記載の陰極線管。
12. The resistance cylinder of the electron gun
Formed in the middle of both ends of the resistance cylinder among multiple electrodes
The conductive pin electrically connected to the
10. The structure of claim 9 which is led out of the cylindrical body.
Is a cathode ray tube according to item 10 .
【請求項13】 前記電子銃における前記高抵抗物質の
円筒体が3分割され、 中間の高抵抗物質の円筒体の表面抵抗値が、両端の高抵
抗物質の円筒体の表面抵抗値よりも大に設定されて成る
ことを特徴とする請求項10記載 の陰極線管。
13. The high resistance material of the electron gun
The cylinder is divided into three parts, and the surface resistance value of the middle cylinder of high resistance material is
Consists of greater than the surface resistance of the cylinder of anti-substance
The cathode ray tube according to claim 10, wherein
【請求項14】 前記電子銃における前記高抵抗物質の
円筒体が、3分割された第1の高抵抗物質円筒体と、該
第1の高抵抗物質円筒体を内収する第2の高抵抗物質円
筒体とからなり、 前記第1の高抵抗物質円筒体のうちの中間の高抵抗物質
円筒体の表面抵抗値が、両端の高抵抗物質円筒体の表面
抵抗値よりも大に設定され、 前記第2の高抵抗物質円筒体が、前記中間の高抵抗物質
円筒体と同じ材料、または前記第1の高抵抗物質円筒体
と異なる材料で形成されて成る ことを特徴とする請求項
10記載 の陰極線管。
14. The high resistance material of the electron gun
The cylindrical body is divided into three first high-resistance material cylindrical body;
Second high-resistance substance circle containing the first high-resistance substance cylinder
It consists of a cylindrical body, an intermediate high resistance material of said first high-resistance material cylinder
The surface resistance value of the cylinder is the surface of the high resistance material cylinder at both ends.
The second high resistance material cylinder is set to have a resistance value higher than that of the middle high resistance material.
The same material as the cylinder, or the first high resistance material cylinder
Claims, characterized in that formed by formed of a material different
10. The cathode ray tube according to item 10 .
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