JP3378511B2 - 光検出器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は無線光通信方式にお
いて用いられる光検出器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信方式としては、光ファイバを用い
た有線光通信方式と、空間光伝搬を基本とする無線光通
信方式とがある。そして、無線光通信方式における比較
的長距離の空間光伝搬では、発信源から発信されたレー
ザ光は正確に光検出器の受信部で受信されることが必要
であり、発信源として空間的に光出力の拡がりが小さい
レーザ光が用いられるのが一般的である。

【０００３】そして、無線光通信方式において用いられ
る光検出器の受信部で受信された光信号がシングルモー
ドの場合、受信部での受光面積のサイズは５〜１０μｍ
□程度になる。このため、発信源から信号光であるレー
ザ光を受信部に正確にねらいを定めて発信することは困
難である。この困難さを解決する方法として有本らは多
数本の光ファイバを組み合わせた位置合わせ検出用トラ
ッキングセンサを有する光検出器を提案している（Y. A
rimoto et al., American Institute of Aeronautics a
nd Astronautics, pp162-169, 1998）。

【０００４】図４は有本らが提案した従来の位置合わせ
検出用トラッキングセンサを有する光検出器の一部を示
す概略斜視図、図５は図４に示した光検出器の受信部の
前面を示す図である。図に示すように、受信用光ファイ
バ１の周囲に位置検出用光ファイバ２が配置され、受信
用光ファイバ１および位置検出用光ファイバ２は匡体３
により固定されている。

【０００５】この光検出器においては、発信源から発信
されたレーザ光が受信用光ファイバ１の中心位置からは
ずれた場合には、周囲に配置された位置検出用光ファイ
バ２で受光することにより受光位置を検知し、位置検出
用光ファイバ２での受光信号でフィードバックをかける
ことにより受信部の位置を動かし、受信部の中心位置に
ある受信用光ファイバ１で信号検出を行なうことができ
るように位置合わせを行なうことができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような光
検出器においては、通常の受信用光ファイバ１はコア部
の面積に較べてクラッド部の面積が大きく、受信用光フ
ァイバ１のクラッド部に当たるレーザ光を検出すること
ができないから、確実に信号検出を行なうことができな
い。

【０００７】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、確実に信号検出を行なうことができる光検
出器を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、コア部とクラッド部とからなる
光導波路を用いた光検出器において、光入射端面の上記
コア部が位置する領域の中心部に主信号検出用光導波路
コア部を位置させ、上記主信号検出用光導波路コア部を
取り巻くように複数の位置検出用光導波路コア部を配置
し、前記主信号検出用光導波路コア部をシングルモード
導波路とし、かつ、前記位置検出用光導波路コア部をマ
ルチモード導波路とし、前記複数の位置検出用光導波路
コア間の距離を、前記主信号検出用光導波路コア幅より
も大きく、かつ前記位置検出用光導波路コア幅以下とす
る。

【０００９】

【００１０】この場合、上記光導波路として高分子材料
からなるものを用いる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る光検出器を示
す概略斜視図、図２は図１のＡ部詳細図である。図に示
すように、クラッド部１３に１本のシングルモード導波
路からなる主信号検出用光導波路コア部１１、４本のマ
ルチモード導波路からなる位置検出用光導波路コア部１
２が設けられ、光入射端面１６のコア部が位置する領域
の中心部に主信号検出用光導波路コア部１１が位置し、
主信号検出用光導波路コア部１１を取り巻くように位置
検出用光導波路コア部１２が配置され、位置検出用光導
波路コア部１２の断面積は主信号検出用光導波路コア部
１１の断面積よりも大きい。また、光入射端面１６とは
反対側の光出射端面では主信号検出用光導波路コア部１
１、位置検出用光導波路コア部１２が離れて設けられ、
光出射端面において主信号検出用光導波路コア部１１、
位置検出用光導波路コア部１２にコネクタ付きの光ファ
イバ１４が接続され、光ファイバ１４にフォトディテク
タであるフォトダイオード１５が接続されている。

【００１２】この光検出器においては、導波路構造であ
るから、フォトリソグラフィー技術のような転写技術を
利用して作製することができるので、平面内で自由なコ
ア部構造を比較的容易に実現できる。このため、主信号
検出用光導波路コア部１１、位置検出用光導波路コア部
１２の構造を任意に設計することができ、かつ作製でき
るから、光入射端面１６における主信号検出用光導波路
コア部１１と位置検出用光導波路コア部１２との間隔を
狭くすることができるので、発信源から発信されたレー
ザ光を主信号検出用光導波路コア部１１または位置検出
用光導波路コア部１２で確実に受光することができるた
め、確実に信号検出を行なうことができる。また、光出
射端面では主信号検出用光導波路コア部１１、位置検出
用光導波路コア部１２が離れて設けられているから、光
ファイバ１４を容易に接続することができる。

【００１３】図１、図２に示す光検出器を作製するに
は、基板上平面型光導波路を作製するいわゆる平面型光
波回路（ＰＬＣ）作製プロセスを繰り返し、積層導波路
構造にすることが考えられる。そして、平面型光波回路
作製プロセスには、シリカガラスを用いたものと高分子
材料（ポリマー）を用いたものとがあるが、マルチモー
ドとシングルモードとの両者の光導波路を積層して作製
する場合には、高分子材料を用いる方がはるかに作製プ
ロセスを容易にすることができる。

【００１４】つぎに、図１、図２に示した光検出器の作
製方法の概略について説明する。まず、シリコン等から
なる基板上に高分子材料を用いて下部の位置検出用光導
波路コア部１２を形成する。つぎに、高分子材料を用い
て主信号検出用光導波路コア部１１を形成する。つぎ
に、高分子材料を用いて上部の位置検出用光導波路コア
部１２を形成する。つぎに、基板を切断する。つぎに、
光ファイバ１４を光出射端面に接続する。

【００１５】（第１の作製方法）つぎに、図１、図２に
示した光検出器の作製方法の詳細について説明する。ま
ず、図３(ａ)に示すように、直径が４インチのシリコン
ウェハ２１上に液状の紫外線（ＵＶ）硬化型エポキシ樹
脂を３０μｍの厚さにスピンコートし、紫外線を６００
ｍＪ照射して硬化することによりクラッド部１３の一部
を形成する。つぎに、クラッド部１３上にクロロベンゼ
ン溶液に溶かした重水素化ポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）をスピンコート法とベーキングを繰り返す
ことにより重ね塗りし、３０μｍの厚さにする。その
後、シリコーン樹脂系のポジ型レジストを塗布し、下部
の位置検出用光導波路コア部１２のパタン作製用マスク
を用いて露光機により紫外線を照射し、現像することに
より、レジストをパターニングする。つぎに、酸素ガス
を用いた反応性イオンエッチングを行なったのち、レジ
ストを除去することにより、下部の位置検出用光導波路
コア部１２を形成する。つぎに、図３(ｂ)に示すよう
に、液状の紫外線硬化型エポキシ樹脂を下部の位置検出
用光導波路コア部１２の下面から３５μｍの厚さになる
ようにスピンコートし、紫外線を６００ｍＪ照射して硬
化することによりクラッド部１３の一部を形成する。こ
の場合、下部の位置検出用光導波路コア部１２の上面か
らのクラッド部１３の厚さは５μｍになる。つぎに、ク
ロロベンゼン溶液に溶かした重水素化ポリメチルメタク
リレートを５μｍの厚さにスピンコートし、シリコーン
樹脂系のポジ型レジストを塗布し、主信号検出用光導波
路コア部１１のパタン作製用マスクを用いて露光機によ
り紫外線を照射し、現像することにより、レジストをパ
ターニングする。つぎに、酸素ガスを用いた反応性イオ
ンエッチングを行なったのち、レジストを除去すること
により、主信号検出用光導波路コア部１１を形成する。
つぎに、図３(ｃ)に示すように、液状の紫外線硬化型エ
ポキシ樹脂を主信号検出用光導波路コア部１１の下面か
ら１０μｍの厚さになるようにスピンコートし、紫外線
を６００ｍＪ照射して硬化する。この場合、主信号検出
用光導波路コア部１１の上面からのクラッド部１３の厚
さは５μｍになる。つぎに、下部の位置検出用光導波路
コア部１２の作製プロセスと同様のプロセスを行なうこ
とにより、上部の位置検出用光導波路コア部１２を形成
する。つぎに、クラッド部１３の残りの部分を形成す
る。つぎに、シリコンウェハ２１を３cｍ×２．５cｍの
大きさにダイシングソーを用いて切断する。つぎに、シ
リコンウェハ２１に設けたＶ溝にシングルモードの光フ
ァイバ１４を１セット用意し、シリコンウェハ２１に設
けた２個のＶ溝に２本のマルチモードの光ファイバ１４
が固定されたものを２セット用意し、主信号検出用光導
波路コア部１１、位置検出用光導波路コア部１２の中心
に光ファイバ１４のコア中心を合わせて、主信号検出用
光導波路コア部１１、位置検出用光導波路コア部１２と
光ファイバ１４とを接着固定する。つぎに、光ファイバ
１４にフォトダイオード１５を接続する。

【００１６】このように作製した光検出器を互いに直角
な３方向に微動する自動微動台にセットし、位置検出用
光導波路コア部１２に接続されたフォトダイオード１５
を自動微動台駆動用制御部に接続し、波長が１．３μｍ
のレーザ光を光入射端面１６に照射し、位置検出用光導
波路コア部１２に接続されたフォトダイオード１５の出
力信号をフィードバック信号とする自動微動台駆動用制
御部により自動微動台を駆動して、主信号検出用光導波
路コア部１１と接続された光ファイバ１４を通してフォ
トダイオード１５で光信号を検知した。この測定によ
り、光検出器が位置検出機能付き光検出器として機能し
ていることを確認した。つぎに、約１ｍ離れたところか
らレーザ光をクラッド部１３の位置検出用光導波路コア
部１２の間の部分にその中心が当たるように照射した
が、位置検出用光導波路コア部１２でレーザ光を検出す
ることができ、自動微動台が駆動して、主信号検出用光
導波路コア部１１と接続された光ファイバ１４を通して
フォトダイオード１５で光信号を検知した。

【００１７】（第２の作製方法）つぎに、図１、図２に
示した光検出器の他の作製方法の詳細について説明す
る。まず、図３(ａ)に示すように、直径が４インチのシ
リコンウェハ２１上に液状の紫外線硬化型エポキシ樹脂
を３０μｍの厚さにスピンコートし、紫外線を６００ｍ
Ｊ照射して硬化することによりクラッド部１３の一部を
形成する。つぎに、クラッド部１３上にクロロベンゼン
溶液に溶かしたポリメチルメタクリレートをスピンコー
ト法とベーキングを繰り返すことにより重ね塗りし、３
０μｍの厚さにする。その後、シリコーン樹脂系のポジ
型レジストを塗布し、下部の位置検出用光導波路コア部
１２のパタン作製用マスクを用いて露光機により紫外線
を照射し、現像することにより、レジストをパターニン
グする。つぎに、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチ
ングを行なったのち、レジストを除去することにより、
下部の位置検出用光導波路コア部１２を形成する。つぎ
に、図３(ｂ)に示すように、液状の紫外線硬化型エポキ
シ樹脂を下部の位置検出用光導波路コア部１２の下面か
ら３５μｍの厚さになるようにスピンコートし、紫外線
を６００ｍＪ照射して硬化することによりクラッド部１
３の一部を形成する。この場合、下部の位置検出用光導
波路コア部１２の上面からのクラッド部１３の厚さは５
μｍになる。つぎに、クロロベンゼン溶液に溶かしたポ
リメチルメタクリレートを５μｍの厚さにスピンコート
し、シリコーン樹脂系のポジ型レジストを塗布し、主信
号検出用光導波路コア部１１のパタン作製用マスクを用
いて露光機により紫外線を照射し、現像することによ
り、レジストをパターニングする。つぎに、酸素ガスを
用いた反応性イオンエッチングを行なったのち、レジス
トを除去することにより、主信号検出用光導波路コア部
１１を形成する。つぎに、図３(ｃ)に示すように、液状
の紫外線硬化型エポキシ樹脂を主信号検出用光導波路コ
ア部１１の下面から１０μｍの厚さになるようにスピン
コートし、紫外線を６００ｍＪ照射して硬化する。この
場合、主信号検出用光導波路コア部１１の上面からのク
ラッド部１３の厚さは５μｍになる。つぎに、下部の位
置検出用光導波路コア部１２の作製プロセスと同様のプ
ロセスを行なうことにより、上部の位置検出用光導波路
コア部１２を形成する。つぎに、クラッド部１３の残り
の部分を形成する。つぎに、シリコンウェハ２１を３c
ｍ×２．５cｍの大きさにダイシングソーを用いて切断
する。つぎに、シリコンウェハ２１に設けたＶ溝にシン
グルモードの光ファイバ１４を１セット用意し、シリコ
ンウェハ２１に設けた２個のＶ溝に２本のマルチモード
の光ファイバ１４が固定されたものを２セット用意し、
主信号検出用光導波路コア部１１、位置検出用光導波路
コア部１２の中心に光ファイバ１４のコア中心を合わせ
て、主信号検出用光導波路コア部１１、位置検出用光導
波路コア部１２と光ファイバ１４とを接着固定する。つ
ぎに、光ファイバ１４にフォトダイオード１５を接続す
る。

【００１８】このように作製した光検出器を互いに直角
な３方向に微動する自動微動台にセットし、位置検出用
光導波路コア部１２に接続されたフォトダイオード１５
を自動微動台駆動用制御部に接続し、波長が１．５５μ
ｍのレーザ光を光入射端面１６に照射し、位置検出用光
導波路コア部１２に接続されたフォトダイオード１５の
出力信号をフィードバック信号とする自動微動台駆動用
制御部により自動微動台を駆動して、主信号検出用光導
波路コア部１１と接続された光ファイバ１４を通してフ
ォトダイオード１５で光信号を検知した。この測定によ
り、光検出器が位置検出機能付き光検出器として機能し
ていることを確認した。つぎに、約１ｍ離れたところか
らレーザ光をクラッド部１３の位置検出用光導波路コア
部１２の間の部分にその中心が当たるように照射した
が、位置検出用光導波路コア部１２でレーザ光を検出す
ることができ、自動微動台が駆動して、主信号検出用光
導波路コア部１１と接続された光ファイバ１４を通して
フォトダイオード１５で光信号を検知した。

【００１９】（第３の作製方法）つぎに、図１、図２に
示した光検出器の他の作製方法の詳細について説明す
る。まず、図３(ａ)に示すように、直径が４インチのシ
リコンウェハ２１上に液状の紫外線硬化型エポキシ樹脂
を３０μｍの厚さにスピンコートし、紫外線を６００ｍ
Ｊ照射して硬化することによりクラッド部１３の一部を
形成する。つぎに、クラッド部１３上に液状の紫外線硬
化型エポキシ樹脂をスピンコート法と紫外線照射を繰り
返すことにより重ね塗りし、３０μｍの厚さにする。そ
の後、シリコーン樹脂系のポジ型レジストを塗布し、下
部の位置検出用光導波路コア部１２のパタン作製用マス
クを用いて露光機により紫外線を照射し、現像すること
により、レジストをパターニングする。つぎに、酸素ガ
スを用いた反応性イオンエッチングを行なったのち、レ
ジストを除去することにより、下部の位置検出用光導波
路コア部１２を形成する。つぎに、図３(ｂ)に示すよう
に、液状の紫外線硬化型エポキシ樹脂を下部の位置検出
用光導波路コア部１２の下面から３５μｍの厚さになる
ようにスピンコートし、紫外線を６００ｍＪ照射して硬
化することによりクラッド部１３の一部を形成する。こ
の場合、下部の位置検出用光導波路コア部１２の上面か
らのクラッド部１３の厚さは５μｍになる。つぎに、液
状の紫外線硬化型エポキシ樹脂を４μｍの厚さにスピン
コートし、シリコーン樹脂系のポジ型レジストを塗布
し、主信号検出用光導波路コア部１１のパタン作製用マ
スクを用いて露光機により紫外線を照射し、現像するこ
とにより、レジストをパターニングする。つぎに、酸素
ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なったのち、
レジストを除去することにより、主信号検出用光導波路
コア部１１を形成する。つぎに、図３(ｃ)に示すよう
に、液状の紫外線硬化型エポキシ樹脂を主信号検出用光
導波路コア部１１の下面から９μｍの厚さになるように
スピンコートし、紫外線を６００ｍＪ照射して硬化す
る。この場合、主信号検出用光導波路コア部１１の上面
からのクラッド部１３の厚さは５μｍになる。つぎに、
下部の位置検出用光導波路コア部１２の作製プロセスと
同様のプロセスを行なうことにより、上部の位置検出用
光導波路コア部１２を形成する。つぎに、クラッド部１
３の残りの部分を形成する。つぎに、シリコンウェハ２
１を３cｍ×２．５cｍの大きさにダイシングソーを用い
て切断する。つぎに、シリコンウェハ２１に設けたＶ溝
にシングルモードの光ファイバ１４を１セット用意し、
シリコンウェハ２１に設けた２個のＶ溝に２本のマルチ
モードの光ファイバ１４が固定されたものを２セット用
意し、主信号検出用光導波路コア部１１、位置検出用光
導波路コア部１２の中心に光ファイバ１４のコア中心を
合わせて、主信号検出用光導波路コア部１１、位置検出
用光導波路コア部１２と光ファイバ１４とを接着固定す
る。つぎに、光ファイバ１４にフォトダイオード１５を
接続する。

【００２０】このように作製した光検出器を互いに直角
な３方向に微動する自動微動台にセットし、位置検出用
光導波路コア部１２に接続されたフォトダイオード１５
を自動微動台駆動用制御部に接続し、波長が０．８５μ
ｍのレーザ光を光入射端面１６に照射し、位置検出用光
導波路コア部１２に接続されたフォトダイオード１５の
出力信号をフィードバック信号とする自動微動台駆動用
制御部により自動微動台を駆動して、主信号検出用光導
波路コア部１１と接続された光ファイバ１４を通してフ
ォトダイオード１５で光信号を検知した。この測定によ
り、光検出器が位置検出機能付き光検出器として機能し
ていることを確認した。つぎに、約２ｍ離れたところか
らレーザ光をクラッド部１３の位置検出用光導波路コア
部１２の間の部分にその中心が当たるように照射した
が、位置検出用光導波路コア部１２でレーザ光を検出す
ることができ、自動微動台が駆動して、主信号検出用光
導波路コア部１１と接続された光ファイバ１４を通して
フォトダイオード１５で光信号を検知した。

【００２１】（第４の作製方法）つぎに、図１、図２に
示した光検出器の他の作製方法の詳細について説明す
る。まず、図３(ａ)に示すように、直径が４インチのシ
リコンウェハ２１上に液状の紫外線硬化型エポキシ樹脂
を３０μｍの厚さにスピンコートし、紫外線を６００ｍ
Ｊ照射して硬化することによりクラッド部１３の一部を
形成する。つぎに、クラッド部１３上に液状の紫外線硬
化型エポキシ樹脂をスピンコート法と紫外線照射を繰り
返すことにより重ね塗りし、３０μｍの厚さにする。そ
の後、シリコーン樹脂系のポジ型レジストを塗布し、下
部の位置検出用光導波路コア部１２のパタン作製用マス
クを用いて露光機により紫外線を照射し、現像すること
により、レジストをパターニングする。つぎに、酸素ガ
スを用いた反応性イオンエッチングを行なったのち、レ
ジストを除去することにより、下部の位置検出用光導波
路コア部１２を形成する。つぎに、図３(ｂ)に示すよう
に、液状の紫外線硬化型エポキシ樹脂を下部の位置検出
用光導波路コア部１２の下面から３５μｍの厚さになる
ようにスピンコートし、紫外線を６００ｍＪ照射して硬
化することによりクラッド部１３の一部を形成する。こ
の場合、下部の位置検出用光導波路コア部１２の上面か
らのクラッド部１３の厚さは５μｍになる。つぎに、ジ
グライム溶液に溶かした熱架橋型シリコーン樹脂を５μ
ｍの厚さにスピンコートし、２００℃で２時間ベーキン
グして熱架橋を行なったのち、シリコーン樹脂系のポジ
型レジストを塗布し、主信号検出用光導波路コア部１１
のパタン作製用マスクを用いて露光機により紫外線を照
射し、現像することにより、レジストをパターニングす
る。つぎに、酸素ガスとＣＦ₄ガスとの混合ガスを用い
た反応性イオンエッチングを行なったのち、レジストを
除去することにより、主信号検出用光導波路コア部１１
を形成する。つぎに、図３(ｃ)に示すように、液状の紫
外線硬化型エポキシ樹脂を主信号検出用光導波路コア部
１１の下面から１０μｍの厚さになるようにスピンコー
トし、紫外線を６００ｍＪ照射して硬化する。この場
合、主信号検出用光導波路コア部１１の上面からのクラ
ッド部１３の厚さは５μｍになる。つぎに、下部の位置
検出用光導波路コア部１２の作製プロセスと同様のプロ
セスを行なうことにより、上部の位置検出用光導波路コ
ア部１２を形成する。つぎに、クラッド部１３の残りの
部分を形成する。つぎに、シリコンウェハ２１を３cｍ
×２．５cｍの大きさにダイシングソーを用いて切断す
る。つぎに、シリコンウェハ２１に設けたＶ溝にシング
ルモードの光ファイバ１４を１セット用意し、シリコン
ウェハ２１に設けた２個のＶ溝に２本のマルチモードの
光ファイバ１４が固定されたものを２セット用意し、主
信号検出用光導波路コア部１１、位置検出用光導波路コ
ア部１２の中心に光ファイバ１４のコア中心を合わせ
て、主信号検出用光導波路コア部１１、位置検出用光導
波路コア部１２と光ファイバ１４とを接着固定する。つ
ぎに、光ファイバ１４にフォトダイオード１５を接続す
る。

【００２２】このように作製した光検出器を互いに直角
な３方向に微動する自動微動台にセットし、位置検出用
光導波路コア部１２に接続されたフォトダイオード１５
を自動微動台駆動用制御部に接続し、波長が１．５５μ
ｍのレーザ光を光入射端面１６に照射し、位置検出用光
導波路コア部１２に接続されたフォトダイオード１５の
出力信号をフィードバック信号とする自動微動台駆動用
制御部により自動微動台を駆動して、主信号検出用光導
波路コア部１１と接続された光ファイバ１４を通してフ
ォトダイオード１５で光信号を検知した。この測定によ
り、光検出器が位置検出機能付き光検出器として機能し
ていることを確認した。つぎに、約１ｍ離れたところか
らレーザ光をクラッド部１３の位置検出用光導波路コア
部１２の間の部分にその中心が当たるように照射した
が、位置検出用光導波路コア部１２でレーザ光を検出す
ることができ、自動微動台が駆動して、主信号検出用光
導波路コア部１１と接続された光ファイバ１４を通して
フォトダイオード１５で光信号を検知した。

【００２３】なお、上述実施の形態においては、フォト
ディテクタとしてフォトダイオード１５を用いたが、フ
ォトディテクタとしてファイバアンプ等を用いてもよ
い。また、上述実施の形態においては、高分子材料とし
てポリメチルメタクリレート、重水素化ポリメチルメタ
クリレート、熱架橋シリコーン樹脂、紫外線硬化型エポ
キシ樹脂を用いたが、透明性高分子材料としてはポリイ
ミド、ゼオネックス（商品名：日本ゼオン（株））、ア
ートン（商品名：ＪＳＲ（株））等も知られており、検
出すべき波長に対し透明性に優れている高分子材料なら
同等の効果が期待できる。

【００２４】

【発明の効果】本発明に係る光検出器においては、主信
号検出用光導波路コア部、位置検出用光導波路コア部の
構造を任意に設計することができるから、主信号検出用
光導波路コア部と位置検出用光導波路コア部との間隔を
狭くすることができるので、発信源から発信されたレー
ザ光を主信号検出用光導波路コア部または位置検出用光
導波路コア部で確実に受光することができるため、確実
に信号検出を行なうことができる。

【００２５】また、光導波路として高分子材料からなる
ものを用いたときには、作製プロセスを容易にすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光検出器を示す概略斜視図であ
る。

【図２】図１のＡ部詳細図である。

【図３】図１、図２に示した光検出器の作製方法の説明
図である。

【図４】従来の光検出器の一部を示す概略斜視図であ
る。

【図５】図４に示した光検出器の受信部の前面を示す図
である。

【符号の説明】

１１…主信号検出用光導波路コア部 １２…位置検出用光導波路コア部 １３…クラッド部 １６…光入射端面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 都丸 暁 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 今村 三郎 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 圓佛 晃次 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 田部井 久男 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロ ジ株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−66520（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−33707（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−23371（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−253336（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−299061（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−145735（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−197749（ＪＰ，Ａ) Ｙ．Ａｒｉｍｏｔｏ ｅｔ．ａｌ．, 17ｔｈ ＡＩＡＡ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ ｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｘｈ ｉｂｉｔ，23−27 Ｆｅｂｒｕａｒｙ 1998，Ｙｏｋｏｈａｍａ，Ｊａｐａｎ, ｐｐ．162−169 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14 G02B 6/42 - 6/43 H04B 10/00 - 10/28

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】コア部とクラッド部とからなる光導波路を
   用いた光検出器において、光入射端面の上記コア部が位
   置する領域の中心部に主信号検出用光導波路コア部を位
   置させ、上記主信号検出用光導波路コア部を取り巻くよ
   うに複数の位置検出用光導波路コア部を配置し、 前記主信号検出用光導波路コア部はシングルモード導波
   路であり、かつ、前記位置検出用光導波路コア部はマル
   チモード導波路を用い、 前記複数の位置検出用光導波路コア間の距離は、前記主
   信号検出用光導波路コア幅よりも大きく、かつ前記位置
   検出用光導波路コア幅以下である ことを特徴とする光検
   出器。
2. 【請求項２】上記光導波路として高分子材料からなるも
   のを用いたことを特徴とする請求項１に記載の光検出
   器。