JP3370479B2 - Photomask pattern proximity effect correction method and apparatus - Google Patents
Photomask pattern proximity effect correction method and apparatusInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクパターン
（Ｘ線マスクパターンを含む。）の近接効果を補正する
フォトマスクパターン近接効果補正方法及び装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask pattern proximity effect correction method and apparatus for correcting the proximity effect of a photomask pattern (including an X-ray mask pattern).
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体回路の高集積化に伴い、隣接した
レジストパターンの間隔が露光波長程度になり、光（Ｘ
線を含む。）の回折及び干渉により、レジストパターン
が所望の形からずれるという近接効果が生ずる。図３
（Ａ）及び（Ｂ）の線状マスクパターン（ネガパター
ン）に対応したレジスト上の正規化光強度分布はそれぞ
れ、図４（Ａ）及び（Ｂ）に示す如くなる。従来では、
図４（Ｂ）の正規化光強度分布Ｉ（Ｘ）に対し、しきい
値Ｉ０を設定し、Ｉ（Ｘ）＝Ｉ０となる位置Ｘの間隔
を、レジストパターン幅とし、この幅が所望の値になる
ように、シミュレーション上でマスクパターン幅を変化
させていた。しきい値Ｉ０は、露光条件に応じて変化す
る。2. Description of the Related Art With the high integration of semiconductor circuits, the distance between adjacent resist patterns becomes about the exposure wavelength, and light (X
Including lines. 2) diffraction and interference cause a proximity effect that the resist pattern is displaced from a desired shape. Figure 3
The normalized light intensity distributions on the resist corresponding to the linear mask patterns (negative patterns) of (A) and (B) are as shown in FIGS. 4 (A) and (B), respectively. Traditionally,
A threshold value I0 is set for the normalized light intensity distribution I (X) in FIG. 4B, and the interval between positions X where I (X) = I0 is set as the resist pattern width, and this width is desired. The mask pattern width was changed on the simulation so as to obtain the value. The threshold value I0 changes according to the exposure conditions.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、経験的にしき
い値Ｉ０を決定していたので、露光条件が変わると、最
適なしきい値Ｉ０を決定することが容易でなく、人によ
りしきい値Ｉ０が異なり、近接効果補正が不正確になる
原因となっていた。本発明の目的は、このような問題点
に鑑み、露光条件が変わっても近接効果補正をより客観
的かつ正確に行うことが可能なフォトマスクパターン近
接効果補正方法及び装置を提供することにある。However, since the threshold value I0 is empirically determined, it is not easy to determine the optimum threshold value I0 when the exposure condition changes, and the threshold value I0 is determined by a person. , Which caused inaccurate proximity effect correction. In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a photomask pattern proximity effect correction method and apparatus that can perform the proximity effect correction more objectively and accurately even if the exposure conditions change. .
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段及びその作用効果】第１発
明では、第１マスクパターンに第２マスクパターンが隣
接している場合に、第２マスクパターンの第１マスクパ
ターンに対する近接効果の補正を行うフォトマスクパタ
ーン近接効果補正方法において、孤立した第１マスクパ
ターンのみによるレジスト位置での光強度分布Ｉrを算
出し、第２マスクパターン及びエッジの位置を補正した
第１マスクパターンの両方によるレジスト位置での光強
度分布Ｉiを算出し、ＩiとＩrとの差に対応した値ｈi
を、所定領域で実質的に積分して、積分値Ｈiを求め、
求めた積分値Ｈiのうちの最小値に対応した該補正を、
該第１マスクパターンに対し施す。According to the first invention, when the second mask pattern is adjacent to the first mask pattern, the proximity effect of the second mask pattern with respect to the first mask pattern is corrected. In the photomask pattern proximity effect correction method to be performed, the light intensity distribution Ir at the resist position only by the isolated first mask pattern is calculated, and the resist position by both the second mask pattern and the first mask pattern whose edge position is corrected is calculated. Of the light intensity distribution Ii at the value h i corresponding to the difference between Ii and Ir
Is substantially integrated in a predetermined area to obtain an integrated value Hi,
The correction corresponding to the minimum value of the obtained integrated value Hi is
This is applied to the first mask pattern.
【０００５】この第１発明によれば、孤立した第１マス
クパターンを基準にして非孤立の第１マスクパターンが
補正されるので、従来のような経験的で不確かな、人に
より異なるしきい値を用いる必要がなく、種々の露光条
件に対し近接効果補正をより正確かつ客観的に行うこと
が可能となる。第１発明の第１態様では、上記所定領域
は、上記エッジに対応した位置の付近の領域である。According to the first aspect of the present invention, the non-isolated first mask pattern is corrected with reference to the isolated first mask pattern. Therefore, it is possible to perform the proximity effect correction more accurately and objectively for various exposure conditions. In the first aspect of the first invention, the predetermined region is a region near a position corresponding to the edge.
【０００６】近接効果のレジストパターンに対する影響
は、レジストパターンのエッジ付近の光強度分布により
定り、その他の部分の光強度分布によらないと考えられ
るので、この第１態様によれば、近接効果に無関係な量
の積分値Ｈiへの寄与が低減され、近接効果補正をより
正確に行うことが可能となり、さらに、部分的に積分す
ればよいので、計算時間を短縮できる。The influence of the proximity effect on the resist pattern is determined by the light intensity distribution near the edge of the resist pattern, and it is considered that it does not depend on the light intensity distribution of other portions. Therefore, according to the first aspect, the proximity effect is obtained. The contribution to the integrated value Hi of an amount irrelevant to is reduced, the proximity effect correction can be performed more accurately, and since partial integration is sufficient, the calculation time can be shortened.
【０００７】第１発明の第２態様では、上記所定領域
は、上記レジストの深さ方向を含む。この第２態様によ
れば、近接効果補正をより正確に行うことが可能であ
る。第１発明の第３態様では、上記値ｈiは、｜Ｉi−Ｉ
r｜a であり、ａは定数である。この第３態様によれ
ば、ａの値により、｜Ｉi−Ｉr｜の大きさによる積分値
Ｈiへの寄与が異なり、適当なａの値を用いることによ
り、結果として、レジスト感度やレジスト塗布面の光反
射率等によるレジストパターンへの影響を考慮すること
が可能となり、ａ＝１に固定した場合よりも近接効果補
正をより正確に行うことが可能となる。In the second aspect of the first invention, the predetermined region includes the depth direction of the resist. According to the second aspect, it is possible to perform the proximity effect correction more accurately. In the third aspect of the first aspect of the invention, the value hi is | Ii-I
r | a , where a is a constant. According to this third aspect, the contribution of the magnitude of | Ii-Ir | to the integrated value Hi differs depending on the value of a, and by using an appropriate value of a, as a result, the resist sensitivity and the resist coating surface are It is possible to take into consideration the influence of the light reflectance and the like on the resist pattern, and the proximity effect correction can be performed more accurately than in the case where a = 1 is fixed.
【０００８】第１発明の第４態様では、上記第１マスク
パターン及び上記第２マスクパターンは、１図形を分割
したパターンである。この第４態様によれば、同一パタ
ーン内の近接効果補正を行うことができる。第１発明の
第５態様では、上記所定領域内で選定した複数の評価点
について、上記ｈiの総和を上記Ｈiとして求めることに
より、実質的に上記積分を行う。この第５態様によれ
ば、通常の積分計算をする場合よりも計算時間を短縮す
ることが可能となる。In the fourth aspect of the first invention, the first mask pattern and the second mask pattern are patterns obtained by dividing one figure. According to the fourth aspect, it is possible to perform proximity effect correction within the same pattern. In the fifth aspect of the first aspect of the present invention, the integration is substantially performed by obtaining the sum of the hi as the Hi for a plurality of evaluation points selected in the predetermined area. According to the fifth aspect, the calculation time can be shortened as compared with the case of performing the normal integral calculation.
【０００９】第２発明では、上記第１発明の処理を行う
計算機を有する。The second invention has a computer for performing the processing of the first invention.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
［第１実施例］図２は、フォトマスクパターンに対する
近接効果補正装置の概略構成を示す。未補正マスクパタ
ーンデータ２１に対する近接効果補正値の計算及び補正
は、計算機２０により、補正用パラメータ２２及び露光
用パラメータ２３を用いて行われる。フォトマスクが同
一であっても、レジスト上の光強度分布は、光源波長
λ、投影レンズ開口数ＮＡ及びコヒーレンス度σなどの
露光用パラメータ２３により異なるので、補正値は露光
用パラメータ２３に依存する。未補正マスクパターンデ
ータ２１に対し補正を施したパターンは、補正済マスク
パターンデータ２４として出力される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. [First Embodiment] FIG. 2 shows a schematic structure of a proximity effect correction device for a photomask pattern. The calculation and correction of the proximity effect correction value for the uncorrected mask pattern data 21 are performed by the computer 20 using the correction parameter 22 and the exposure parameter 23. Even if the photomask is the same, the light intensity distribution on the resist is different depending on the exposure parameter 23 such as the light source wavelength λ, the projection lens numerical aperture NA and the coherence degree σ, so the correction value depends on the exposure parameter 23. . A pattern obtained by correcting the uncorrected mask pattern data 21 is output as corrected mask pattern data 24.
【００１１】なお、計算機２０で算出されたパターンと
補正値との関係をパターン／補正値テーブル２５として
出力しておき、パターン／補正値テーブル２５を参照し
て未補正マスクパターンデータ２１に対し補正を施し、
補正済マスクパターンデータ２４として出力してもよ
い。図１は、第１実施例のフォトマスクパターン近接効
果補正方法を示す。以下、括弧内の数値は図１中のステ
ップ識別番号を示す。説明の簡単化のために、図３に示
すような、線幅Ｗ０〜Ｗ３に比し充分長い線状マスクパ
ターンを考える。The relationship between the pattern calculated by the computer 20 and the correction value is output as a pattern / correction value table 25, and the pattern / correction value table 25 is referenced to correct the uncorrected mask pattern data 21. And
It may be output as the corrected mask pattern data 24. FIG. 1 shows a photomask pattern proximity effect correction method of the first embodiment. Hereinafter, the numerical value in the parentheses indicates the step identification number in FIG. For simplification of description, consider a linear mask pattern as shown in FIG. 3, which is sufficiently longer than the line widths W0 to W3.
【００１２】（３１）図３（Ａ）に示す孤立線パターン
１０に対応した、図４（Ａ）に示すような正規化光強度
分布Ｉr（Ｘ）を、露光用パラメータ２３を用いて算出
する。
（３２）ｉに０を初期設定する。
（３３）δi＝ｉ・Δ−ａを算出する。ここに、Δは線
幅Ｗに比し充分小さな定数であり、−ａはδiの最小値
（定数）である。(31) The normalized light intensity distribution Ir (X) as shown in FIG. 4A corresponding to the isolated line pattern 10 shown in FIG. 3A is calculated by using the exposure parameter 23. . (32) Initially set 0 to i. (33) δi = i · Δ-a is calculated. Here, Δ is a constant that is sufficiently smaller than the line width W, and −a is the minimum value (constant) of δi.
【００１３】（３４）例えば図３（Ｂ）に示すような非
孤立線状パターンに対応した、図４（Ｂ）に示すような
正規化光強度分布Ｉi（Ｘ）を、露光用パラメータ２３
を用いて上記ステップ３１と同様に算出する。この非孤
立線状パターンは、非孤立線パターン１１と非孤立線パ
ターン１２とが、隣接し且つＸ軸に直角な方向に延びて
いる。正規化光強度分布Ｉi（Ｘ）は、補正値δi、すな
わち線幅Ｗ＝Ｗ０＋δiのパターンに対するものであ
る。また、図３に示す如く、正規化光強度分布Ｉi
（Ｘ）に対応する孤立線パターン１０の中心線位置は、
正規化光強度分布Ｉr（Ｘ）に対応する非孤立線パター
ン１１の中心線位置と一致している。(34) For example, the normalized light intensity distribution Ii (X) shown in FIG. 4B corresponding to the non-isolated linear pattern shown in FIG.
Is calculated in the same manner as in step 31 above. In this non-isolated line pattern, a non-isolated line pattern 11 and a non-isolated line pattern 12 are adjacent to each other and extend in a direction perpendicular to the X axis. The normalized light intensity distribution Ii (X) is for a correction value δi, that is, a pattern having a line width W = W0 + δi. Further, as shown in FIG. 3, the normalized light intensity distribution Ii
The center line position of the isolated line pattern 10 corresponding to (X) is
It coincides with the center line position of the non-isolated line pattern 11 corresponding to the normalized light intensity distribution Ir (X).
【００１４】（３５）補正されたパターンの評価値Ｈi
を、
Ｈi＝ ｈi（Ｘ）ｄＸ ・・・（１）
として算出する。ここに、光強度差ｈi（Ｘ）は、
ｈi（Ｘ）＝ｗ（Ｘ）｜Ｉi（Ｘ）−Ｉr（Ｘ）｜a ・・・（２）
である。重み関数ｗ（Ｘ）は、図３（Ａ）の孤立線パタ
ーン１０のエッジを中心線とし幅がｄの範囲に対応す
る、図４中の幅Ｄの範囲内で１となり、他の部分で０と
なる。重み関数ｗ（Ｘ）を用いているので、式（１）の
積分範囲は、（−∞，＋∞）とすることができる。強調
因子ａは、レジスト感度やレジスト塗布面の光反射率等
によるレジストパターンへの影響を考慮するためのパラ
メータであり、ａの値により、｜Ｉi−Ｉr｜の大きさに
よる積分値Ｈiへの寄与が異なり、適当なａの値を用い
ることにより、結果として、ａ＝１に固定した場合より
も近接効果補正をより正確に行うことが可能となる。強
調因子ａは、経験上、０．５〜２．０の範囲内の値が好
ましい。(35) Evaluation value Hi of the corrected pattern
Is calculated as Hi = hi (X) dX (1). Here, the light intensity difference hi (X) is hi (X) = w (X) | Ii (X) -Ir (X) | a ... (2). The weighting function w (X) becomes 1 within the range of width D in FIG. 4 corresponding to the range of width d with the edge of the isolated line pattern 10 of FIG. It becomes 0. Since the weighting function w (X) is used, the integration range of Expression (1) can be set to (−∞, + ∞). The enhancement factor a is a parameter for considering the influence on the resist pattern due to the resist sensitivity and the light reflectance of the resist coated surface, and the value of a changes the integrated value Hi depending on the magnitude of | Ii-Ir | As a result, the contribution is different, and by using an appropriate value of a, it becomes possible to perform the proximity effect correction more accurately than in the case where a = 1 is fixed. Empirically, the emphasis factor a is preferably a value within the range of 0.5 to 2.0.
【００１５】図５（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ、補正値
δが０及び０でないある値の場合の光強度差ｈ（Ｘ）を
示す。レジストパターン幅に対する近接効果の影響は、
レジストパターンのエッジ付近の光強度分布により定
り、その他の部分の光強度分布によらないと考えられる
ので、このような評価値Ｈiは、補正値評価用として好
ましいと言える。FIGS. 5B and 5C show the light intensity difference h (X) when the correction value δ is 0 and a certain value other than 0, respectively. The influence of the proximity effect on the resist pattern width is
Since it is considered that it is determined by the light intensity distribution near the edge of the resist pattern and not by the light intensity distribution of other portions, such an evaluation value Hi can be said to be preferable for correction value evaluation.
【００１６】（３６、３７）ｉ＝ｉ＋１とし、ｉ≠ｎで
あればステップ３３へ戻る。ｉ＝ｎとなれば次のステッ
プ３８へ進む。
（３８）上記ステップ３３〜３８の繰り返し処理で得ら
れたｎ＋１個の評価値Ｈ０〜Ｈｎの中から、最小値Ｈｓ
を探し出す。
（３９）線幅Ｗ０を、評価値Ｈｓに対応したδｓ＝ｓ・
Δ−ａだけ補正する。すなわち、線幅ＷをＷ＝Ｗ０＋δ
ｓとする。(36, 37) When i = i + 1, and i ≠ n, the process returns to step 33. If i = n, the process proceeds to the next step 38. (38) The minimum value Hs from the n + 1 evaluation values H0 to Hn obtained by the iterative process of steps 33 to 38.
Find out. (39) The line width W0 is represented by δs = s · corresponding to the evaluation value Hs.
Correct only Δ-a. That is, the line width W is W = W0 + δ
Let s.
【００１７】本第１実施例によれば、孤立線パターン１
０を基準にして非孤立線パターン１１が補正されるの
で、従来のような経験的で不確かな、人により異なるし
きい値を用いる必要がなく、種々の露光条件に対し近接
効果補正をより正確かつ客観的に行うことが可能とな
る。図１では、説明の簡単化のために、レジスト膜圧が
０であるというモデルを考えたが、レジスト膜圧を考慮
したモデルであってもよい。この場合、レジスト膜に直
角な軸をＺ軸とすると、上記ステップ３５の評価値Ｈi
の計算式を、次式で置き換えればよい。According to the first embodiment, the isolated line pattern 1
Since the non-isolated line pattern 11 is corrected with 0 as a reference, it is not necessary to use different thresholds that are empirical and uncertain, which differ from person to person, and the proximity effect correction is more accurate for various exposure conditions. And it becomes possible to perform it objectively. In FIG. 1, a model in which the resist film pressure is 0 is considered for simplification of description, but a model in consideration of the resist film pressure may be used. In this case, assuming that the axis perpendicular to the resist film is the Z axis, the evaluation value Hi in step 35 above
The calculation formula of may be replaced with the following formula.
【００１８】 Ｈi＝ ｈi（Ｘ，Ｚ）ｄＸｄＺ ・・・（３） ここに、光強度差ｈi（Ｘ，Ｚ）は、 ｈi（Ｘ，Ｚ）＝ｗ（Ｘ）｜Ｉi（Ｘ，Ｚ）−Ｉr（Ｘ，Ｚ）｜a ・・・（４） である。Hi = hi (X, Z) dXdZ (3) where the light intensity difference hi (X, Z) is hi (X, Z) = w (X) | Ii (X, Z) -Ir (X, Z) | a ... (4).
【００１９】簡単化のために、
Ｉi（Ｘ，Ｚ）＝ｕ（Ｚ）Ｉi（Ｘ） ・・・（５）
Ｉr（Ｘ，Ｚ）＝ｕ（Ｚ）Ｉr（Ｘ） ・・・（６）
とすれば、
Ｈi＝ ｕ（Ｚ） ｈi（Ｘ）ｄＸｄＺ ・・・（７）
となる。重み関数ｕ（Ｚ）は、例えば、
ｕ（Ｚ）＝ｅｘｐ（−β｜Ｚ−Ｚ０｜） ・・・（８）
とする。βは、補正用パラメータ２２の１つである。Ｚ
０は、例えば図６（Ａ）に示すように、半導体基板１６
上のレジスト膜１７のＺ方向中心点とする。式（３）及
び（７）のＺの積分範囲は、例えばレジスト膜１７の範
囲である。For simplification, Ii (X, Z) = u (Z) Ii (X) (5) Ir (X, Z) = u (Z) Ir (X) (6) ), Hi = u (Z) hi (X) dXdZ (7). The weighting function u (Z) is, for example, u (Z) = exp (−β | Z−Z0 |) (8). β is one of the correction parameters 22. Z
0 indicates the semiconductor substrate 16 as shown in FIG. 6 (A), for example.
The center point of the upper resist film 17 in the Z direction is set. The integral range of Z in equations (3) and (7) is, for example, the range of the resist film 17.
【００２０】図７は、図３（Ｂ）の非孤立線パターン１
１の、ピッチＰに対する補正値δのシミュレーション結
果を示す。補正値δは、図１の方法で算出した値であ
る。ただし、レジスト膜圧を考慮したものは、式（７）
及び（８）を用いた。露光用パラメータ２３は、
光源波長λ＝０．３６５μｍ、投影レンズ開口数ＮＡ＝０．５７
コヒーレンス度σ＝０．６
であり、補正用パラメータ１１としての強調因子ａは
１．６である。FIG. 7 shows the non-isolated line pattern 1 of FIG.
The simulation result of the correction value δ with respect to the pitch P of 1 is shown. The correction value δ is a value calculated by the method of FIG. However, in consideration of the resist film pressure, equation (7)
And (8) were used. The exposure parameter 23 is a light source wavelength λ = 0.365 μm, the projection lens numerical aperture NA = 0.57, the coherence degree σ = 0.6, and the enhancement factor a as the correction parameter 11 is 1.6.
【００２１】図３（Ｃ）に示すような、３本の非孤立線
パターン１３〜１５の場合には、中央の非孤立線パター
ン１４と両端の非孤立線パターン１３及び１５とで、補
正値δが異なる。図７は、互いに平行で、ピッチＰ及び
補正前の線幅Ｗ０が一定のｎ本の線パターンのうち、最
も端のパターンｎＥ及び中央のパターンｎＣ、ｎ＝２、
３、４、９についての、ピッチＰに対する補正値δを示
す。補正値δは、図１の方法で算出した。In the case of the three non-isolated line patterns 13 to 15 as shown in FIG. 3 (C), the correction values of the central non-isolated line pattern 14 and the non-isolated line patterns 13 and 15 at both ends are corrected. δ is different. FIG. 7 shows that among n line patterns which are parallel to each other and have a constant pitch P and a constant line width W0 before correction, the endmost pattern nE and the central pattern nC, n = 2,
The correction value δ with respect to the pitch P for 3, 4, and 9 is shown. The correction value δ was calculated by the method shown in FIG.
【００２２】以上では、線パターンについて説明した
が、本第１実施例は任意のパターンに対し適用可能であ
る。例えば、図６（Ｂ）に示す如く、パターン１８にパ
ターン１９が隣接している場合、パターン１９の近接効
果補正は、図１に対応して次のように行う。ただし、図
１と同一の処理は説明を省略する。
（３１）パターン１９の周囲にパターンが存在しない場
合の、孤立パターン１９に対応した正規化光強度分布Ｉ
r（Ｘ，Ｙ）を、露光用パラメータ２３を用いて算出す
る。孤立パターン１９の光強度分布を基準として近接効
果補正をするので、孤立パターン１９は、この孤立パタ
ーン１９で所望のレジストパターンが得られるように補
正されているのが好ましい。Although the line pattern has been described above, the first embodiment can be applied to any pattern. For example, when the pattern 18 is adjacent to the pattern 18 as shown in FIG. 6B, the proximity effect correction of the pattern 19 is performed as follows corresponding to FIG. However, the description of the same processing as in FIG. 1 is omitted. (31) Normalized light intensity distribution I corresponding to the isolated pattern 19 when no pattern exists around the pattern 19
r (X, Y) is calculated using the exposure parameter 23. Since the proximity effect correction is performed based on the light intensity distribution of the isolated pattern 19, the isolated pattern 19 is preferably corrected so that a desired resist pattern can be obtained with this isolated pattern 19.
【００２３】（３４）非孤立パターン１９の辺ＡＢをδ
iだけ辺ＡＢに直角な方向Ｘへ移動（これに伴い、閉じ
た図形を形成するように辺ＡＧ及び辺ＢＣを伸縮）さ
せ、移動させた非孤立パターンに対応した正規化光強度
分布Ｉi（Ｘ，Ｙ）を、露光用パラメータ２３を用いて
算出する。
（３５）評価値Ｈiを、
Ｈi＝ ｈi（Ｘ，Ｙ）ｄＸｄＹ ・・・（９）
として算出する。ここに、光強度差ｈi（Ｘ）は、
ｈi（Ｘ，Ｙ）＝ｗ（Ｘ，Ｙ）｜Ｉi（Ｘ，Ｙ）−Ｉr（Ｘ，Ｙ）｜a
・・・（１０）
である。(34) Let δ be the side AB of the non-isolated pattern 19.
Only the i is moved in the direction X perpendicular to the side AB (with this, the sides AG and BC are expanded and contracted so as to form a closed figure), and the normalized light intensity distribution Ii (corresponding to the moved non-isolated pattern Ii ( X, Y) is calculated using the exposure parameter 23. (35) The evaluation value Hi is calculated as Hi = hi (X, Y) dXdY (9). Here, the light intensity difference hi (X) is hi (X, Y) = w (X, Y) | Ii (X, Y) -Ir (X, Y) | a ... (10).
【００２４】重み関数ｗ（Ｘ，Ｙ）は、近接効果補正前
のパターン１９の辺ＡＢを中心線とする幅ｄの矩形に対
応したレジスト上の領域で１になり、それ以外では０に
なる。「対応した」領域とは、好ましくは、所望のレジ
ストパターンの、辺ＡＢに対応したエッジを中心線とす
る幅Ｄの矩形領域であるが、パターン１９と幾何学的に
相似なレジストパターンの、辺ＡＢに対応したエッジを
中心線とする幅Ｄの矩形領域であってもよい。Ｄ／ｄは
レジストパターンとマスクパターンの相似比で定まる。The weighting function w (X, Y) becomes 1 in the area on the resist corresponding to the rectangle of width d with the side AB of the pattern 19 before the proximity effect correction as the center line, and becomes 0 otherwise. . The “corresponding” region is preferably a rectangular region having a width D with the edge corresponding to the side AB as the center line of the desired resist pattern, but of a resist pattern geometrically similar to the pattern 19. It may be a rectangular area having a width D with an edge corresponding to the side AB as a center line. D / d is determined by the similarity ratio between the resist pattern and the mask pattern.
【００２５】近接効果のレジストパターンに対する影響
は、レジストパターンのエッジ付近の光強度分布により
定り、その他の部分の光強度分布によらないと考えられ
るので、重み関数ｗ（Ｘ，Ｙ）を用いることにより、近
接効果に無関係な量の積分値Ｈiへの寄与が低減され、
近接効果補正をより正確に行うことが可能となり、さら
に、部分的に積分すればよいので、計算時間を短縮でき
る。幅Ｄは、このような観点から定められる。The influence of the proximity effect on the resist pattern is determined by the light intensity distribution near the edge of the resist pattern, and it is considered that it does not depend on the light intensity distribution of other portions. Therefore, the weighting function w (X, Y) is used. As a result, the contribution to the integrated value Hi of an amount unrelated to the proximity effect is reduced,
The proximity effect correction can be performed more accurately, and since partial integration is sufficient, the calculation time can be shortened. The width D is determined from such a viewpoint.
【００２６】パターン１９の他の辺についても、上記同
様にして補正値δを求める。レジスト膜圧を考慮する場
合は、上述と同様に計算式を拡張すればよい。より正確
に補正値を求めるには、パターン１９の各辺を分割し又
はパターン１８に隣接した辺ＡＢ及び辺ＢＣを分割し、
分割された線の各々について、上記同様にして補正値を
求める。For the other sides of the pattern 19, the correction value δ is obtained in the same manner as above. When considering the resist film pressure, the calculation formula may be expanded in the same manner as described above. In order to obtain the correction value more accurately, the sides of the pattern 19 are divided or the sides AB and BC adjacent to the pattern 18 are divided,
A correction value is obtained for each of the divided lines in the same manner as above.
【００２７】［第２実施例］上式（１）の計算におい
て、位置Ｘを非連続な数値の集合とし、すなわち通常の
数値積分の場合よりも位置Ｘの刻みを大きくし、通常の
積分の替わりに離散値の総和を求めることにより、計算
時間を短縮させてもよい。そこで、第２実施例のフォト
マスクパターン近接効果補正方法では、図９に示す処理
を行う。ステップ４２、４３、４６〜４９はそれぞれ、
図１のステップ３２、３３、３６〜３９と同一であるの
で、その他のステップのみを簡単に説明する。[Second Embodiment] In the calculation of the above equation (1), the position X is set as a discontinuous set of numerical values, that is, the step of the position X is made larger than in the case of normal numerical integration, and the normal integration is performed. Alternatively, the calculation time may be shortened by obtaining the sum of discrete values. Therefore, in the photomask pattern proximity effect correction method of the second embodiment, the processing shown in FIG. 9 is performed. Steps 42, 43, 46-49 are
Since it is the same as steps 32, 33, 36 to 39 in FIG. 1, only the other steps will be briefly described.
【００２８】（４０）Ｘ方向評価点Ｘ１、Ｘ２、・・・
Ｘｍを選定する。これらの点の間隔は、例えば一定であ
る。
（４１）孤立パターンの正規化光強度分布Ｉr（Ｘ
ｊ）、ｊ＝１〜ｍを算出する。
（４４）非孤立線状パターンの正規化光強度分布Ｉi
（Ｘｊ）、ｊ＝１〜ｍを算出する。(40) X-direction evaluation points X1, X2, ...
Select Xm. The distance between these points is constant, for example. (41) Normalized light intensity distribution Ir (X
j), j = 1 to m are calculated. (44) Normalized light intensity distribution Ii of non-isolated linear pattern
(Xj), j = 1 to m are calculated.
【００２９】（４５）補正されたパターンの評価値Ｈi
を、
Ｈi＝Σｈi（Ｘｊ） ・・・（１１）
として算出する。ここに、Σはｊ＝１〜ｍについて総和
をとることを意味し、光強度差ｈi（Ｘｊ）は、
ｈi（Ｘｊ）＝｜Ｉi（Ｘｊ）−Ｉr（Ｘｊ）｜a ・・・（１２）
である。(45) Evaluation value Hi of the corrected pattern
Is calculated as Hi = Σhi (Xj) (11). Here, Σ means that the sum is taken for j = 1 to m, and the light intensity difference hi (Xj) is hi (Xj) = | Ii (Xj) -Ir (Xj) | a ... (12 ) Is.
【００３０】式（１１）は、実質的には積分の概念に含
まれる。Ｙ軸方向及びＺ軸方向への拡張は、上記第１実
施例での説明から容易に理解できるので、その説明を省
略する。図１０は、パターン１９の辺ＡＢの近接効果補
正計算における評価点をドットで示している。なお、本
発明には外にも種々の変形例が含まれる。Expression (11) is substantially included in the concept of integration. The expansion in the Y-axis direction and the Z-axis direction can be easily understood from the description of the first embodiment, and the description thereof will be omitted. In FIG. 10, the evaluation points in the proximity effect correction calculation of the side AB of the pattern 19 are shown by dots. In addition, the present invention includes various modifications.
【００３１】例えば、上記実施例では隣接パターンの近
接効果補正を説明したが、例えば図６（Ｂ）のパターン
１９を矩形ＡＢＦＧと矩形ＦＣＤＥとに分割して考える
ことにより、同一パターン内の近接効果補正を行っても
よい。また、式（１）中のｄＸに対応して、式（１１）
中の光強度差ｈi（Ｘｊ）に重みΔＸｊを乗じ、Ｘｊの
密度を、近接効果補正に寄与する程度に応じて変更する
構成、又は、重みΔＸｊを乗じることなく同様にＸｊの
密度を変更する構成であってもよく、これらは実質的に
は積分の概念に含まれるものとする。For example, although the proximity effect correction of the adjacent patterns has been described in the above embodiment, for example, by considering the pattern 19 of FIG. 6B into a rectangular ABFG and a rectangular FCDE, the proximity effect in the same pattern is considered. Correction may be performed. Also, in correspondence with dX in equation (1), equation (11)
The light intensity difference hi (Xj) in the middle is multiplied by the weight ΔXj, and the density of Xj is changed according to the degree of contribution to the proximity effect correction, or the density of Xj is similarly changed without being multiplied by the weight ΔXj. It may be configured, and these are substantially included in the concept of integration.
【図１】本発明の第１実施例のフォトマスクパターン近
接効果補正方法を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing a photomask pattern proximity effect correction method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】近接効果補正装置の概略ブロック図である。FIG. 2 is a schematic block diagram of a proximity effect correction device.
【図３】孤立及び非孤立の線状マスクパターンを示す図
である。FIG. 3 is a diagram showing isolated and non-isolated linear mask patterns.
【図４】図３（Ａ）及び（Ｂ）のフォトマスクパターン
に対応したレジスト上の正規化光強度分布を示す線図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing a normalized light intensity distribution on a resist corresponding to the photomask patterns of FIGS. 3 (A) and 3 (B).
【図５】重み関数及び光強度差分布を示す線図である。FIG. 5 is a diagram showing a weighting function and a light intensity difference distribution.
【図６】レジスト断面及び非線状マスクパターンを示す
図である。FIG. 6 is a diagram showing a resist cross section and a non-linear mask pattern.
【図７】図３（Ｂ）のパターンのピッチＰに対する補正
値δを示す線図である。7 is a diagram showing a correction value δ with respect to the pitch P of the pattern of FIG. 3 (B).
【図８】線パターン／補正値テーブルである。FIG. 8 is a line pattern / correction value table.
【図９】本発明の第２実施例のフォトマスクパターン近
接効果補正方法を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a photomask pattern proximity effect correction method according to a second embodiment of the present invention.
【図１０】マスクパターン上の辺ＡＢに関する評価点を
示す図である。FIG. 10 is a diagram showing evaluation points regarding a side AB on a mask pattern.
１０ 孤立線パターン １１〜１５ 非孤立線パターン １６ 半導体基板 １７ レジスト膜 １８、１９ パターン ２０ 計算機 ２１ 未補正マスクパターンデータ ２２ 補正用パラメータ ２３ 露光用パラメータ ２４ 補正済マスクパターンデータ ２５ パターン／補正値テーブル 10 isolated line pattern 11-15 Non-isolated line pattern 16 Semiconductor substrate 17 Resist film 18, 19 patterns 20 calculator 21 Uncorrected mask pattern data 22 Correction parameters 23 Exposure parameters 24 Corrected mask pattern data 25 patterns / correction value table
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−36549（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−39152（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−165194（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−19115（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−248614（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−76360（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−179952（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−120102（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/08 G03F 1/16 H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-3-36549 (JP, A) JP-A-2-39152 (JP, A) JP-A-5-165194 (JP, A) JP-A-6- 19115 (JP, A) JP 8-248614 (JP, A) JP 8-76360 (JP, A) JP 4-179952 (JP, A) JP 6-120102 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G03F 1/08 G03F 1/16 H01L 21/027
Claims (7)
ンが隣接している場合に、第２マスクパターンの第１マ
スクパターンに対する近接効果の補正を行うフォトマス
クパターン近接効果補正方法において、 孤立した第１マスクパターンのみによるレジスト位置で
の光強度分布Ｉrを算出し、 第２マスクパターン及びエッジの位置を補正した第１マ
スクパターンの両方によるレジスト位置での光強度分布
Ｉiを算出し、 ＩiとＩrとの差に対応した値ｈiを、所定領域で実質的
に積分して、積分値Ｈiを求め、 求めた積分値Ｈiのうちの最小値に対応した該補正を、
該第１マスクパターンに対し施すことを特徴とするフォ
トマスクパターン近接効果補正方法。1. A photomask pattern proximity effect correction method for correcting a proximity effect of a second mask pattern with respect to a first mask pattern when a second mask pattern is adjacent to the first mask pattern. The light intensity distribution Ir at the resist position by only one mask pattern is calculated, and the light intensity distribution Ii at the resist position by both the second mask pattern and the first mask pattern in which the position of the edge is corrected is calculated, and Ii and Ir The value hi corresponding to the difference between and is substantially integrated in a predetermined area to obtain an integrated value Hi, and the correction corresponding to the minimum value of the obtained integrated values Hi is
A method of correcting a photomask pattern proximity effect, which is performed on the first mask pattern.
位置の付近の領域であることを特徴とする請求項１記載
の方法。2. The method according to claim 1, wherein the predetermined area is an area near a position corresponding to the edge.
向を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の方法。3. The method according to claim 1, wherein the predetermined region includes a depth direction of the resist.
ａは定数であることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れか１つに記載の方法。4. The value hi is | Ii-Ir | a ,
4. The method according to claim 1, wherein a is a constant.
スクパターンは、１図形を分割したパターンであること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の方
法。5. The method according to claim 1, wherein the first mask pattern and the second mask pattern are patterns obtained by dividing one figure.
について、前記ｈiの総和を前記Ｈiとして求めることに
より、実質的に前記積分を行うことを特徴とする請求項
１乃至５のいずれか１つに記載の方法。6. The integration is substantially performed by obtaining a sum of the hi as the Hi for a plurality of evaluation points selected in the predetermined area. The method according to one.
ンが隣接している場合に、第２マスクパターンの第１マ
スクパターンに対する近接効果の補正を行うフォトマス
クパターン近接効果補正装置において、 孤立した第１マスクパターンのみによるレジスト位置で
の光強度分布Ｉrを算出し、 第２マスクパターン及びエッジの位置を補正した第１マ
スクパターンの両方によるレジスト位置での光強度分布
Ｉiを算出し、 ＩiとＩrとの差に対応した値ｈiを、所定領域で実質的
に積分して、積分値Ｈiを求め、 求めた積分値Ｈiのうちの最小値に対応した該補正を、
該第１マスクパターンに対し施す計算機を有することを
特徴とするフォトマスクパターン近接効果補正装置。7. A photomask pattern proximity effect correction device that corrects the proximity effect of a second mask pattern with respect to a first mask pattern when the second mask pattern is adjacent to the first mask pattern. The light intensity distribution Ir at the resist position by only one mask pattern is calculated, and the light intensity distribution Ii at the resist position by both the second mask pattern and the first mask pattern in which the position of the edge is corrected is calculated, and Ii and Ir The value hi corresponding to the difference between and is substantially integrated in a predetermined area to obtain an integrated value Hi, and the correction corresponding to the minimum value of the obtained integrated values Hi is
A photomask pattern proximity effect correction device, comprising a calculator for performing the first mask pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12164095A JP3370479B2 (en) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | Photomask pattern proximity effect correction method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12164095A JP3370479B2 (en) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | Photomask pattern proximity effect correction method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08314114A JPH08314114A (en) | 1996-11-29 |
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ID=14816266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP12164095A Expired - Lifetime JP3370479B2 (en) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | Photomask pattern proximity effect correction method and apparatus |
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|---|---|---|---|---|
| KR100483979B1 (en) | 2001-06-22 | 2005-04-18 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| TWI647528B (en) * | 2016-07-12 | 2019-01-11 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | Method and system for performance metrics of computational analysis of visual design layouts |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP12164095A patent/JP3370479B2/en not_active Expired - Lifetime
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