JP3368986B2 - Optical scanning recording device - Google Patents

Optical scanning recording device

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JP3368986B2
JP3368986B2 JP12104394A JP12104394A JP3368986B2 JP 3368986 B2 JP3368986 B2 JP 3368986B2 JP 12104394 A JP12104394 A JP 12104394A JP 12104394 A JP12104394 A JP 12104394A JP 3368986 B2 JP3368986 B2 JP 3368986B2
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喜一 加藤
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は光走査記録装置に関し、
特に詳細には、電気光学効果を有する光導波路に近接さ
せて電極が形成されてなり、この電極への電圧印加に応
じて導波光を変調する導波路型電気光学素子によって記
録光を変調するようにした光走査記録装置に関するもの
である。 【0002】 【従来の技術】従来より、光ビームを所与の記録信号に
基づいて変調するとともに、この変調された光ビームを
例えば感光記録材料上において走査させることにより、
上記信号が担持する画像や音声等を記録材料に記録する
光走査記録装置が公知となっている。 【0003】そしてこの種の光走査記録装置において、
光ビームの変調のために、例えば特開平2−931号公
報に示される導波路型電気光学素子を使用することも提
案されている。この導波路型電気光学素子は、電気光学
効果を有する光導波路と、その上に形成されて該光導波
路に電気光学的回折格子(Electro-Optic Grating )を
形成する格子状電極(以下EOG電極と称する)と、こ
のEOG電極に電圧を印加する駆動回路とからなり、上
記光導波路を導波する導波光を、EOG電極への電圧印
加状態に応じて選択的に回折させるようにしたものであ
る。 【0004】このような導波路型電気光学素子を用いれ
ば、回折光と非回折光(0次光)のいずれか一方を記録
光としたとき、その記録光を回折の有無あるいは程度に
応じて変調することができる。 【0005】さらに、例えばJAPANESE JOURNAL OF APPL
IED PHYSICS (ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス)Vol.20, No.4, April, 1981 p
p.733〜737 に示されるように、電気光学効果を有する
基板に方向性結合器を構成する2本のチャンネル光導波
路を形成し、各チャンネル光導波路の上に平板状電極を
配し、一方のチャンネル光導波路を導波する導波光を上
記電極への電圧印加状態に応じて選択的に他方のチャン
ネル光導波路に移行させるようにした導波路型電気光学
素子も知られている。 【0006】このような導波路型電気光学素子を用いれ
ば、上記他方のチャンネル光導波路から出射する光を記
録光として、その記録光を電極への電圧印加状態に基づ
いて変調することができる。 【0007】他方、記録光源としては従来より半導体レ
ーザが多く用いられている。この小型軽量の半導体レー
ザを上記導波路型電気光学素子と併せて用いれば、光走
査記録装置の小型軽量化の上で極めて有利となる。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した導
波路型電気光学素子においては、電極による光散乱や光
吸収を避けるために、電極と光導波路との間にSiO2
やAl2 3 などからなるバッファ層を形成する必要が
あるが、このバッファ層を設けた導波路型電気光学素子
においては、DCドリフトという現象が生じやすいこと
が認められている。このDCドリフトは、印加電圧V対
回折効率ηの特性が本来図7のaのようなものであるの
に、電極への電圧印加を続けるうちにこの特性が、同図
のbのように変動してしまう現象である。 【0009】例えば画像記録装置に適用された導波路型
電気光学素子においてこのようなDCドリフトが生じる
と、記録光量レベルの制御が困難となり、また十分な消
光比が確保できなくなるので、高品質の画像を記録する
ことは不可能となる。 【0010】このDCドリフトを抑える方法として、例
えば“Experimental 4×4 OpticalSwitchimg Network
”Electronics Letters Vol.12,No.22 1976 に示され
るように、電極に印加される電圧に高周波電圧を重畳さ
せる方法が知られている。 【0011】一方、記録光源として用いられる半導体レ
ーザには、周囲温度の変化等によって光量や発振波長が
変動する、いわゆるモードホッピングの問題がある。こ
のモードホッピング対策として、例えば特開昭59−9
086号公報に示されるように、半導体レーザを高周波
電流で駆動して、多重縦モード発振させることが考えら
れている。 【0012】ところが、光ビームの変調のために上記の
導波路型電気光学素子を用い、また記録光源として半導
体レーザを用いてなる光走査記録装置において、DCド
リフト対策として電極印加電圧に高周波電圧を重畳し、
またモードホッピング対策として半導体レーザを高周波
電流で駆動すると、記録画像の画質劣化や記録音声の音
質劣化等の問題が生じることがある。 【0013】本発明は、このような問題を防止すること
ができる光走査記録装置を提供することを目的とするも
のである。 【0014】 【課題を解決するための手段】本発明による光走査記録
装置は、電気光学効果を有する光導波路と、この光導波
路に光ビームを入射させる半導体レーザと、この半導体
レーザに周波数fl の高周波電流を供給する半導体レー
ザ駆動回路と、上記光導波路に近接させて形成された少
なくとも1対の電極と、これらの電極間に所与の記録信
号に基づいて振幅変調された電圧を印加して、光導波路
を伝搬する光ビームを変調する変調回路と、上記光導波
路から出射した光ビームを記録材料上において走査させ
る走査手段と、上記電極に印加される電圧に、fd <|
l −2fe |なる関係(ただしfdは上記記録信号の
帯域)を満たす周波数fe の高周波電圧を重畳させる手
段とからなることを特徴とするものである。 【0015】 【作用および発明の効果】本発明者等の研究によると、
先に説明したように半導体レーザを高周波電流で駆動す
る一方、導波路型電気光学素子を高周波重畳電圧で駆動
する際に生じる問題は、2つの高周波のビートに起因す
るものであることが判明した。以下、図6を参照してこ
のビートについて詳しく説明する。 【0016】半導体レーザの駆動電流Iが同図(1)に
示すような高周波電流であって、その周波数がfl であ
るとすると、その光強度Pl は同図(2)に示すように
駆動電流Iと同じ波形で、つまり周波数fl で周期的に
変化する。一方、前述のEOG電極を備えた導波路型電
気光学素子において、電極への印加電圧Vが同図(3)
に示すように、同図(7)の画像信号Dに基づいて振幅
変調された上で、そこに周波数fe の高周波電圧が重畳
されるものとする。その場合、もしEOG電極部分に入
射する導波光の強度が一定であるとすると、この電極部
分を通過した後の導波光の光強度Pe は同図(4)に示
すように、周波数2fe で周期的に変化する。 【0017】すなわち、印加電圧Vと回折効率ηとの関
係は、DCドリフトがなければ図7のaに示す通り、 η=sin2 AV (A:定数) であって、印加電圧Vが正のときも負のときも、電圧の
絶対値が等しければ同じ回折効率ηが得られるから、光
強度Pe の周波数は電圧周波数の2倍の2fe となる。 【0018】そこで、実際にEOG電極部分に入射する
導波光の強度が上述のように周波数fl で周期的に変化
していれば、この電極部分を通過した後の導波光には、
2つの周波数の差|fl −2fe |の周波数のビート成
分が生じる。もしこのビート周波数が記録信号の帯域f
d に入っていると、同図(6)に示すように記録光の光
強度Pがビート成分の影響によって変動して、記録信号
Dと対応しないものとなってしまう。 【0019】しかし本発明においては、ビート周波数|
l −2fe |が、記録信号Dの帯域fd よりも高くな
っているので、同図(5)に示す通りビート成分は記録
信号Dによる記録光の強度変化内に取り込まれ、ビート
成分の影響によって記録光強度Pと記録信号Dとの対応
が取れなくなることが防止される。 【0020】なお、上記のfd <|fl −2fe |なる
条件を満たす各周波数の大小関係を、fl >2fe の場
合を図4の(1)に、fl <2fe の場合を同図の
(2)に示す。 【0021】以上のようにして本発明によれば、DCド
リフト対策として電極印加電圧に高周波電圧を重畳し、
またモードホッピング対策として半導体レーザを高周波
電流で駆動しても、記録画像の画質劣化や記録音声の音
質劣化等の問題発生を防止できるものとなる。 【0022】 【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図1は本発明の一実施例による光走査
記録装置を示すものであり、図2および図3は、この光
走査記録装置において用いられた導波路型電気光学素子
1を示している。 【0023】図1に示されるように半導体レーザ19から
は、記録光となる光ビーム20が射出される。なおこの半
導体レーザ19は、先に述べたモードホッピングの発生を
防止するため、発振器18から発せられる高周波電流Iに
よって駆動され、多重縦モード発振する。発散光状態の
この光ビーム20は、コリメーターレンズ21によって平行
光とされた後、導波路型電気光学素子1において後述す
るようにして画像信号Dに基づいて変調される。 【0024】なお、半導体レーザ19を駆動する高周波電
流Iは図6の(1)に示す波形を有しており、導波路型
電気光学素子1に入射する前の光ビーム20の光強度Pl
は、同図(2)に示すように駆動電流Iと同じ波形で周
期的に変化している。 【0025】変調された光ビーム20Aは、主走査手段と
してのポリゴンミラー(回転多面鏡)22に入射して反射
偏向され、例えばfθレンズからなる走査レンズ23を通
過した後、円筒状プラテン24に保持された感光材料25上
で収束しつつ、そこを矢印X方向に主走査する。円筒状
プラテン24は、それとともに副走査手段を構成するモー
タ26により矢印Y方向に回転する。以上により感光材料
25は、変調された光ビーム20Aによって2次元的に走査
され、そこには画像信号Dが担持する連続調画像が記録
される。 【0026】次に、導波路型電気光学素子1による光ビ
ーム20Aの変調について、図2および図3を参照して詳
しく説明する。この導波路型電気光学素子は、MgOが
ドープされたLiNbO3 基板10上に形成された薄膜光
導波路11と、その上に形成されたSiO2 膜からなるバ
ッファ層12と、このバッファ層12の上に形成されたEO
G電極13と、このEOG電極13を間において互いに離れ
る状態で光導波路11の表面に形成された光入力用線状回
折格子(Linear Grating Coupler :以下LGCと称す
る)14および光出力用LGC15と、上記EOG電極13に
電圧を印加する駆動回路16とを有している。 【0027】前記半導体レーザ19は、光ビーム20が基板
10の斜めにカットされた端面10aを通過し、光導波路11
を透過してLGC14の部分に入射するように配置されて
いる。それにより、光ビーム20はこのLGC14で回折し
て光導波路11内に入射し、該光導波路11を導波モードで
矢印A方向に進行する。 【0028】この光ビーム(導波光)20は、EOG電極
13に対応する部分を通って導波するが、EOG電極13に
電圧が印加されていない状態では、この導波光20は直進
する。一方、EOG電極13に駆動回路16から電圧が印加
されると、電気光学効果を有する光導波路11の屈折率が
変化して光導波路11に回折格子が形成され、導波光20は
その回折格子により回折する。以上のようにして回折し
た光ビーム20Aおよび回折しない光ビーム(0次光)20
Bは、LGC15において基板10側に回折し、この基板10
の斜めにカットされた端面10bから素子外に出射する。 【0029】上記回折の効率ηは、図7に示したよう
に、EOG電極13に印加される電圧Vの値に応じて変化
するので、素子外に出射した光ビーム20Aを、印加電圧
Vの値に応じて変調することができる。 【0030】画像信号Dに基づく印加電圧Vの制御は、
以下の通りである。電圧信号からなる画像信号Dは、例
えば図6の(7)に示すように1画素毎の値を取り、該
画像信号Dは図1のミキシング・アンプ17に入力され
る。このミキシング・アンプ17には発振器16から出力さ
れた周波数fe の高周波電圧VRFが入力され、この高周
波電圧VRFが上記画像信号Dに重畳されてなる電圧V
(その波形は、図6の(3)となる)がEOG電極13に
印加される。 【0031】その場合、もしEOG電極13に対面する部
分に入射する光ビーム(導波光)20の強度が一定である
ならば、この部分を通過した後の光ビーム20Aの光強度
eは図6の(4)に示すように、周波数2fe で周期
的に変化する。そこで、実際にEOG電極13に対面する
部分に入射する光ビーム20の強度Pl が、図6の(2)
に示すように高周波電流Iの周波数と等しい周波数fl
で周期的に変化していれば、この電極対面部分を通過し
た後の光ビーム20Aには、これら2つの周波数の差|f
l −2fe |の周波数のビート成分が生じる。 【0032】本実施例において、上記高周波電流Iの周
波数fl は500 MHz、また画像信号Dの帯域fd は50
MHzであり、それに対して高周波電圧VRFの周波数f
e は200 MHzとされている。このときビート周波数f
l −2fe =100 MHzであり、画像信号Dの帯域fd
を上回っているので、記録光である光ビーム20Aの光強
度Pがビートの影響で変動して、それと記録信号Dとの
対応が取れなくなることが防止される。その理由は、先
に詳しく説明した通りである。 【0033】なお上記のビートが発生すると、記録光で
ある光ビーム20Aを1画素について図5の(1)のよう
に照射すべきところ、ビート周波数が比較的低いと同図
の(2)のようになるが、ビート周波数が比較的高くな
るように周波数fl およびfe を設定しておけば、光ビ
ーム20Aは同図(3)のように照射され、記録材料上で
の積分効果が働いて、記録画像にはほとんどビートの影
響が出なくなる。 【0034】以上、フライングスポット型の画像記録装
置に適用された実施例について説明したが、本発明は画
像記録装置のみならず、光磁気ディスク等に音声信号や
各種データ等を記録する装置に対しても同様に適用可能
である。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical scanning recording apparatus,
More specifically, an electrode is formed close to an optical waveguide having an electro-optic effect, and the recording light is modulated by a waveguide-type electro-optic element that modulates the guided light according to the voltage applied to the electrode. The present invention relates to an optical scanning recording apparatus described above. 2. Description of the Related Art Conventionally, a light beam is modulated based on a given recording signal, and the modulated light beam is scanned on a photosensitive recording material, for example.
2. Description of the Related Art An optical scanning recording apparatus for recording, on a recording material, an image, a sound, and the like carried by the signal is known. [0003] In this type of optical scanning recording apparatus,
It has also been proposed to use a waveguide-type electro-optical element disclosed in, for example, JP-A-2-931 for modulating a light beam. This waveguide-type electro-optical element includes an optical waveguide having an electro-optical effect, and a grid electrode (hereinafter referred to as an EOG electrode) formed thereon to form an electro-optic grating on the optical waveguide. ) And a drive circuit for applying a voltage to the EOG electrode, wherein the guided light guided through the optical waveguide is selectively diffracted in accordance with the voltage application state to the EOG electrode. . When such a waveguide type electro-optical element is used, when one of the diffracted light and the undiffracted light (zero-order light) is used as the recording light, the recording light is used in accordance with the presence or absence or degree of diffraction. Can be modulated. Further, for example, JAPANESE JOURNAL OF APPL
IED PHYSICS (Japanese Journal of Applied Physics) Vol.20, No.4, April, 1981 p
As shown on pages 733 to 737, two channel optical waveguides forming a directional coupler are formed on a substrate having an electro-optical effect, and a plate-like electrode is arranged on each channel optical waveguide. There is also known a waveguide type electro-optical element in which guided light guided through a channel optical waveguide is selectively transferred to the other channel optical waveguide in accordance with a voltage application state to the electrode. With such a waveguide-type electro-optical element, light emitted from the other channel optical waveguide can be used as recording light, and the recording light can be modulated based on the voltage applied to the electrodes. On the other hand, as a recording light source, a semiconductor laser has been conventionally used in many cases. If this small and light semiconductor laser is used in combination with the above-mentioned waveguide type electro-optical element, it is extremely advantageous in reducing the size and weight of the optical scanning recording apparatus. By the way, in the above-mentioned waveguide type electro-optical element, in order to avoid light scattering and light absorption by the electrode, SiO 2 is provided between the electrode and the optical waveguide.
, Al 2 O 3, or the it is necessary to form a buffer layer made of, in the waveguide type electro-optical device having a buffer layer, a phenomenon that DC drift has been observed to be susceptible to occur. Although the characteristic of the applied voltage V versus the diffraction efficiency η is originally as shown in FIG. 7A, the DC drift changes as shown in FIG. 7B as the voltage is continuously applied to the electrodes. It is a phenomenon that does. For example, when such a DC drift occurs in a waveguide type electro-optical element applied to an image recording apparatus, it becomes difficult to control a recording light amount level and a sufficient extinction ratio cannot be secured. It becomes impossible to record images. As a method of suppressing the DC drift, for example, “Experimental 4 × 4 Optical Switchimg Network”
As shown in "Electronics Letters Vol. 12, No. 22 1976, a method of superimposing a high-frequency voltage on a voltage applied to an electrode is known. On the other hand, a semiconductor laser used as a recording light source is known. There is a problem of so-called mode hopping in which the amount of light and the oscillation wavelength fluctuate due to a change in ambient temperature, etc. As a countermeasure against this mode hopping, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 59-9 / 1984
As disclosed in Japanese Patent No. 086, it has been considered that a semiconductor laser is driven by a high-frequency current to oscillate in multiple longitudinal modes. However, in an optical scanning recording apparatus using the above-mentioned waveguide type electro-optical element for modulating a light beam and using a semiconductor laser as a recording light source, a high frequency voltage is applied to an electrode applied voltage as a measure against DC drift. Superimposed,
When the semiconductor laser is driven by a high-frequency current as a mode hopping countermeasure, problems such as deterioration of the image quality of a recorded image and sound quality of a recorded sound may occur. An object of the present invention is to provide an optical scanning recording apparatus capable of preventing such a problem. An optical scanning recording apparatus according to the present invention comprises: an optical waveguide having an electro-optic effect; a semiconductor laser for causing a light beam to enter the optical waveguide; and a frequency f l applied to the semiconductor laser. A semiconductor laser driving circuit for supplying a high-frequency current, at least one pair of electrodes formed close to the optical waveguide, and applying a voltage, which is amplitude-modulated based on a given recording signal, between these electrodes. A modulating circuit for modulating a light beam propagating through the optical waveguide, a scanning unit for scanning the light beam emitted from the optical waveguide on a recording material, and a voltage applied to the electrode, f d <|
f l -2f e | the relationship (where f d is the bandwidth of the recording signal) is characterized in that and means for superimposing a high frequency voltage of frequency f e satisfying. According to the study of the present inventors,
As described above, while the semiconductor laser is driven by the high-frequency current, the problem that occurs when the waveguide-type electro-optical element is driven by the high-frequency superimposed voltage has been found to be caused by two high-frequency beats. . Hereinafter, this beat will be described in detail with reference to FIG. The drive current I of the semiconductor laser is a high-frequency current as shown in FIG. (1), if the frequency is assumed to be f l, the light intensity P l as is shown in FIG. (2) in the same waveform as the drive current I, that is periodically changed at a frequency f l. On the other hand, in the above-described waveguide type electro-optical element having the EOG electrode, the voltage V applied to the electrode is as shown in FIG.
As shown in FIG. 7, it is assumed that the amplitude is modulated based on the image signal D in FIG. 7 (7), and a high-frequency voltage having a frequency f e is superimposed thereon. In that case, if the intensity of the guided light incident on the EOG electrode portion is constant, the light intensity P e of the guided light after passing through the electrode portion, as shown in FIG. 4, the frequency 2f e Changes periodically. That is, if there is no DC drift, the relationship between the applied voltage V and the diffraction efficiency η is η = sin 2 AV (A: constant) as shown in FIG. even when even a negative time, the same diffraction efficiency η equal absolute value of the voltage obtained, the frequency of the light intensity P e is twice the 2f e voltage frequency. [0018] Therefore, if the actual intensity of the guided light incident on the EOG electrode portion is periodically changed at a frequency f l, as described above, the guided light after passing through the electrode portion,
F l -2f e | | difference between the two frequencies of the beat component frequency occurs. If this beat frequency is the band f of the recording signal
If d is included, the light intensity P of the recording light fluctuates due to the influence of the beat component as shown in FIG. However, in the present invention, the beat frequency |
f l -2f e | is recorded so is higher than the bandwidth f d signal D, as a beat component shown in FIG. (5) are incorporated into the intensity of the recording light changes due to the recording signal D, beat components Prevents the recording light intensity P from being in correspondence with the recording signal D due to the influence of. [0020] The above f d <| f l -2f e | a becomes satisfying magnitude relation of the frequencies, f l> the case of 2f e to (1) in FIG. 4, the f l <2f e The case is shown in FIG. As described above, according to the present invention, as a countermeasure against DC drift, a high frequency voltage is superimposed on an electrode applied voltage,
Further, even if the semiconductor laser is driven by a high-frequency current as a mode hopping countermeasure, it is possible to prevent problems such as deterioration of the image quality of a recorded image and sound quality of a recorded sound. Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows an optical scanning recording apparatus according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2 and 3 show a waveguide type electro-optical element 1 used in the optical scanning recording apparatus. As shown in FIG. 1, a semiconductor laser 19 emits a light beam 20 serving as recording light. The semiconductor laser 19 is driven by the high-frequency current I emitted from the oscillator 18 and oscillates in multiple longitudinal modes in order to prevent the occurrence of the mode hopping described above. The light beam 20 in the divergent light state is converted into parallel light by the collimator lens 21 and then modulated based on the image signal D in the waveguide-type electro-optical element 1 as described later. The high-frequency current I for driving the semiconductor laser 19 has a waveform shown in FIG. 6A, and the light intensity P l of the light beam 20 before entering the waveguide type electro-optical element 1.
Changes periodically with the same waveform as the drive current I as shown in FIG. The modulated light beam 20A is incident on a polygon mirror (rotating polygon mirror) 22 serving as a main scanning means, is reflected and deflected, passes through a scanning lens 23 composed of, for example, an fθ lens, and then, reaches a cylindrical platen 24. While converging on the held photosensitive material 25, it is main-scanned in the direction of arrow X. The cylindrical platen 24 is rotated in the direction of the arrow Y by the motor 26 constituting the sub-scanning means together therewith. By the above, photosensitive material
25 is scanned two-dimensionally by the modulated light beam 20A, where a continuous tone image carried by the image signal D is recorded. Next, the modulation of the light beam 20A by the waveguide-type electro-optical element 1 will be described in detail with reference to FIGS. This waveguide-type electro-optical element includes a thin-film optical waveguide 11 formed on a LiNbO 3 substrate 10 doped with MgO, a buffer layer 12 made of an SiO 2 film formed thereon, EO formed on
A G electrode 13, a linear grating for light input (Linear Grating Coupler: hereinafter referred to as LGC) 14 and an LGC 15 for light output formed on the surface of the optical waveguide 11 with the EOG electrode 13 being separated from each other; And a drive circuit 16 for applying a voltage to the EOG electrode 13. The semiconductor laser 19 has a light beam 20
The optical waveguide 11 passes through the obliquely cut end face 10 a of the optical waveguide 11.
Is transmitted so as to be incident on the LGC14 portion. Accordingly, the light beam 20 is diffracted by the LGC 14 and enters the optical waveguide 11, and travels in the optical waveguide 11 in the direction of arrow A in the waveguide mode. This light beam (guided light) 20 is applied to an EOG electrode
Although guided through the portion corresponding to 13, the guided light 20 travels straight when no voltage is applied to the EOG electrode 13. On the other hand, when a voltage is applied to the EOG electrode 13 from the drive circuit 16, the refractive index of the optical waveguide 11 having an electro-optic effect changes, and a diffraction grating is formed in the optical waveguide 11, and the guided light 20 is converted by the diffraction grating. Diffracts. The light beam 20A diffracted as described above and the non-diffracted light beam (zero-order light) 20
B is diffracted toward the substrate 10 in the LGC 15 and this substrate 10
Out of the element from the obliquely cut end face 10b. Since the diffraction efficiency η changes according to the value of the voltage V applied to the EOG electrode 13 as shown in FIG. 7, the light beam 20A emitted out of the device is It can be modulated according to the value. The control of the applied voltage V based on the image signal D
It is as follows. The image signal D composed of a voltage signal takes a value for each pixel, for example, as shown in (7) of FIG. 6, and the image signal D is input to the mixing amplifier 17 of FIG. The high-frequency voltage V RF frequency f e output from the oscillator 16 is input to the mixing amplifier 17, the voltage V which the high-frequency voltage V RF is superimposed on the image signal D
(The waveform is (3) in FIG. 6) is applied to the EOG electrode 13. [0031] In this case, if it is if the intensity of the light beam (guided light) 20 which enters the portion facing the EOG electrode 13 is constant, the light intensity P e of the light beam 20A after passing through this portion FIG as shown in 6 (4), periodically changes at a frequency 2f e. Therefore, the light beam 20 incident on the portion that actually faces the EOG electrode 13 intensity P l is 6 (2)
The frequency f l equal to the frequency of the high-frequency current I as shown in FIG.
, The light beam 20A after passing through the electrode facing portion has a difference | f between these two frequencies.
l -2f e | of the beat component of the frequency occurs. In the present embodiment, the band f d of a frequency f l is 500 MHz, also the image signal D of the high frequency current I 50
MHz, for which the frequency f of the high-frequency voltage V RF
e is assumed to be 200 MHz. At this time, the beat frequency f
l -2f e = a 100 MHz, the bandwidth f d of the image signal D
Therefore, it is possible to prevent the light intensity P of the light beam 20A, which is the recording light, from fluctuating due to the influence of the beat and fail to correspond to the recording signal D. The reason is as described in detail above. When the above-mentioned beat occurs, the light beam 20A, which is the recording light, should be irradiated to one pixel as shown in FIG. 5 (1). However, if the frequencies fl and fe are set so that the beat frequency becomes relatively high, the light beam 20A is irradiated as shown in FIG. 3 (3), and the integration effect on the recording material is reduced. Working, the recorded image has almost no beat effect. Although the embodiment applied to the flying spot type image recording apparatus has been described above, the present invention is applicable not only to an image recording apparatus but also to an apparatus for recording audio signals and various data on a magneto-optical disk or the like. However, the present invention can be similarly applied.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施例による光走査記録装置の概略
斜視図 【図2】上記光走査記録装置に用いられた導波路型電気
光学素子の平面図 【図3】上記導波路型電気光学素子の側面図 【図4】上記光走査記録装置における半導体レーザ駆動
電流周波数fl と、導波路型電気光学素子の駆動電圧周
波数fe と、画像信号帯域fd との関係を示す概略図 【図5】記録画像におけるビート成分の影響を説明する
概略図 【図6】上記光走査記録装置における各信号の波形を示
すグラフ 【図7】DCドリフトを説明する概略図 【符号の説明】 1 導波路型電気光学素子 10 MgOドープLiNbO3 基板 11 薄膜光導波路 12 バッファ層 13 EOG電極 16 発振器 17 ミキシング・アンプ 18 発振器 19 半導体レーザ 20 光ビーム 20A 回折した光ビーム 21 コリメーターレンズ 22 ポリゴンミラー 24 円筒状プラテン 25 感光材料
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic perspective view of an optical scanning recording apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of a waveguide type electro-optical element used in the optical scanning recording apparatus. 3 is a side view of the waveguide type electro-optical element. FIG. 4 is a semiconductor laser driving current frequency fl , a driving voltage frequency fe of the waveguide type electro-optical element, and an image signal band f d in the optical scanning recording apparatus. FIG. 5 is a schematic diagram illustrating the effect of a beat component on a recorded image. FIG. 6 is a graph illustrating waveforms of signals in the optical scanning recording apparatus. FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a DC drift. Figure [description of symbols] 1 waveguide type electro-optical element 10 MgO-doped LiNbO 3 substrate 11 thin-film optical waveguide 12 buffer layer 13 EOG electrodes 16 oscillator 17 mixing amplifier 18 the oscillator 19 semiconductor laser 20 light beam 20A diffracted light beam 21 Li Meter lens 22 a polygon mirror 24 cylindrical platen 25 photosensitive material

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 電気光学効果を有する光導波路と、 この光導波路に光ビームを入射させる半導体レーザと、 この半導体レーザに周波数fl の高周波電流を供給する
半導体レーザ駆動回路と、 前記光導波路に近接させて形成された少なくとも1対の
電極と、 これらの電極間に所与の記録信号に基づいて振幅変調さ
れた電圧を印加して、光導波路を伝搬する前記光ビーム
を変調する変調回路と、 前記光導波路から出射した光ビームを記録材料上におい
て走査させる走査手段と、 前記電極に印加される電圧に、fd <|fl −2fe
なる関係(ただしfdは前記記録信号の帯域)を満たす
周波数fe の高周波電圧を重畳させる手段とからなる光
走査記録装置。
(57) an optical waveguide having a [Claims 1 electro-optical effect, a semiconductor laser light is incident beam into the optical waveguide, the semiconductor supplying a high frequency current having a frequency f l to this laser diode A laser driving circuit; at least one pair of electrodes formed close to the optical waveguide; and applying an amplitude-modulated voltage between these electrodes based on a given recording signal to propagate the optical waveguide. a modulation circuit for modulating the light beam, scanning means for scanning the light beam emitted from the optical waveguide on the recording material, the voltage applied to the electrode, f d <| f l -2f e |
Means for superimposing a high-frequency voltage having a frequency f e that satisfies the following relationship (where f d is the band of the recording signal).
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