JP3366175B2 - ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法 - Google Patents
ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法Info
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- JP3366175B2 JP3366175B2 JP03156096A JP3156096A JP3366175B2 JP 3366175 B2 JP3366175 B2 JP 3366175B2 JP 03156096 A JP03156096 A JP 03156096A JP 3156096 A JP3156096 A JP 3156096A JP 3366175 B2 JP3366175 B2 JP 3366175B2
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- Japan
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- cds
- copper
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ
太陽電池の製造方法に関するもので、特に、ＣｄＴｅの
電極であるカーボン膜の形成に関するものである。
太陽電池の製造方法に関するもので、特に、ＣｄＴｅの
電極であるカーボン膜の形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、炭酸ガスによる地球温暖化、オゾ
ン層の破壊等、地球環境問題がクローズアップされる
中、新エネルギー開発、とりわけ太陽電池の早期実用化
に対する期待はますます大きくなってきている。しかし
ながら、太陽電池の早期実用化のためにはまだまだ解決
しなければならない課題が多々残っている。特に、太陽
電池の変換効率の向上と低コスト化は避けては通れない
重要な課題である。
ン層の破壊等、地球環境問題がクローズアップされる
中、新エネルギー開発、とりわけ太陽電池の早期実用化
に対する期待はますます大きくなってきている。しかし
ながら、太陽電池の早期実用化のためにはまだまだ解決
しなければならない課題が多々残っている。特に、太陽
電池の変換効率の向上と低コスト化は避けては通れない
重要な課題である。
【０００３】そのような中で、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池は、光吸収層として最適な禁制帯幅に近い１．４ｅＶ
のＣｄＴｅを用いており、また使用する材料も安価なこ
とから、低コスト高効率太陽電池の本命の一つとして期
待されている。
池は、光吸収層として最適な禁制帯幅に近い１．４ｅＶ
のＣｄＴｅを用いており、また使用する材料も安価なこ
とから、低コスト高効率太陽電池の本命の一つとして期
待されている。
【０００４】ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の作製法には、
種々の方法が試みられているが、印刷・焼結法は使用す
る装置も安価であり、すでに同手法で製造された太陽電
池は電卓用などとして広く使用されている。
種々の方法が試みられているが、印刷・焼結法は使用す
る装置も安価であり、すでに同手法で製造された太陽電
池は電卓用などとして広く使用されている。
【０００５】以下に従来のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の
製造方法の代表例として、印刷・焼結法について説明す
る。
製造方法の代表例として、印刷・焼結法について説明す
る。
【０００６】太陽電池の構成は、例えば、バリウムホウ
珪酸ガラス等の基板にＣｄＳ膜、ＣｄＴｅ膜、カーボン
電極を順次形成させたものであり、各膜は以下の方法で
形成される。
珪酸ガラス等の基板にＣｄＳ膜、ＣｄＴｅ膜、カーボン
電極を順次形成させたものであり、各膜は以下の方法で
形成される。
【０００７】ＣｄＳ膜
粒径２μｍ〜３μｍの高純度（５Ｎ）の硫化カドミウム
（ＣｄＳ）の粉末に１２wt％の塩化カドミウム（ＣｄＣ
ｌ2）の粉末と適当量のプロピレングリコールを加え、
混練することによりＣｄＳペーストを作製する。次に、
このペーストをガラス基板上に印刷する。これを１２０
℃で１時間乾燥後、アルミナ製焼成ケースに入れ、小さ
な孔が多数開いている焼成用蓋を被せて、窒素雰囲気の
ベルト炉で６９０℃で９０分間焼成する。
（ＣｄＳ）の粉末に１２wt％の塩化カドミウム（ＣｄＣ
ｌ2）の粉末と適当量のプロピレングリコールを加え、
混練することによりＣｄＳペーストを作製する。次に、
このペーストをガラス基板上に印刷する。これを１２０
℃で１時間乾燥後、アルミナ製焼成ケースに入れ、小さ
な孔が多数開いている焼成用蓋を被せて、窒素雰囲気の
ベルト炉で６９０℃で９０分間焼成する。
【０００８】ＣｄＴｅ膜
カドミウム（Ｃｄ）の粉末（５Ｎ）とテルル（Ｔｅ）の
粉末（６Ｎ）を等モル量ずつ加え、水とともにボールミ
ルで１μｍ以下の粒径になるまで粉砕する。乾燥後この
微粉末に、適量のＣｄＣｌ2を加え、プロピレングリコ
ールを粘結剤として混練し、ペーストを作製する。次に
ペーストをＣｄＳ膜上に印刷し、１２０℃で１時間乾燥
後、ＣｄＳ膜と同様に所定の容器を用いて６００℃〜７
００℃で１時間焼成し、テルル化カドミウム（ＣｄＴ
ｅ）の焼結膜を得る。
粉末（６Ｎ）を等モル量ずつ加え、水とともにボールミ
ルで１μｍ以下の粒径になるまで粉砕する。乾燥後この
微粉末に、適量のＣｄＣｌ2を加え、プロピレングリコ
ールを粘結剤として混練し、ペーストを作製する。次に
ペーストをＣｄＳ膜上に印刷し、１２０℃で１時間乾燥
後、ＣｄＳ膜と同様に所定の容器を用いて６００℃〜７
００℃で１時間焼成し、テルル化カドミウム（ＣｄＴ
ｅ）の焼結膜を得る。
【０００９】カーボン電極
ＣｄＴｅ側の電極の作製には、カーボンペーストを用い
る。このカーボンペーストは、カーボンブラックと黒鉛
質粉末に有機質粘結剤を加えて作製する。この中に微量
のＣｕ粉末を加えたものをＣｄＴｅ膜上に印刷後、１２
０℃で１時間乾燥し、窒素雰囲気中で３５０℃で熱処理
を行いカーボン電極を形成する。微量のＣｕはＣｄＴｅ
中へ拡散し、アクセプタとして働くとともに、カーボン
との接触面をｐ+−ＣｄＴｅ層とし、良好なオーミック
接触を可能にする。
る。このカーボンペーストは、カーボンブラックと黒鉛
質粉末に有機質粘結剤を加えて作製する。この中に微量
のＣｕ粉末を加えたものをＣｄＴｅ膜上に印刷後、１２
０℃で１時間乾燥し、窒素雰囲気中で３５０℃で熱処理
を行いカーボン電極を形成する。微量のＣｕはＣｄＴｅ
中へ拡散し、アクセプタとして働くとともに、カーボン
との接触面をｐ+−ＣｄＴｅ層とし、良好なオーミック
接触を可能にする。
【００１０】また、カーボンペースト中にＣｕイオンを
添加し、アクセプタとして作用させることについては、
特公昭５６−３３８７０号公報で提案されているがＣｕ
成分の具体的な方法に関しては記述されていない。
添加し、アクセプタとして作用させることについては、
特公昭５６−３３８７０号公報で提案されているがＣｕ
成分の具体的な方法に関しては記述されていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＣｄＴ
ｅ側の電極の作製には、一般的にＣｕの微粉末と導電材
としての炭素粉末を添加して分散させたカーボンペース
トが用いられている。この場合には、Ｃｕの微粉末をカ
ーボンペースト中に均一に分散させることは非常に難し
い。仮に均一に分散させたペーストを均一に塗布した膜
を形成した場合でも、膜中のＣｕ成分は通常、粒径０．
３μｍ程度のＣｕ粒として存在するため微視的にはＣｕ
成分が偏在することを回避出来ない。このため、Ｃｕ微
粉末をアクセプタのソースとした場合は均一にＣｄＴｅ
中へＣｕを拡散させることは不可能である。その結果、
ＣｄＴｅ中のアクセプターが不足な部分と、逆にアクセ
プターとして作用しない過剰のＣｕが存在する部分が生
じる。この過剰のＣｕはＣｄＴｅの結晶性を低下させ、
さらには、ＣｄＳ層にまで拡散して到達しＣｄＳ層の抵
抗を増大させる結果となる。その結果、太陽電池の高効
率化の大きな妨げとなっていた。
ｅ側の電極の作製には、一般的にＣｕの微粉末と導電材
としての炭素粉末を添加して分散させたカーボンペース
トが用いられている。この場合には、Ｃｕの微粉末をカ
ーボンペースト中に均一に分散させることは非常に難し
い。仮に均一に分散させたペーストを均一に塗布した膜
を形成した場合でも、膜中のＣｕ成分は通常、粒径０．
３μｍ程度のＣｕ粒として存在するため微視的にはＣｕ
成分が偏在することを回避出来ない。このため、Ｃｕ微
粉末をアクセプタのソースとした場合は均一にＣｄＴｅ
中へＣｕを拡散させることは不可能である。その結果、
ＣｄＴｅ中のアクセプターが不足な部分と、逆にアクセ
プターとして作用しない過剰のＣｕが存在する部分が生
じる。この過剰のＣｕはＣｄＴｅの結晶性を低下させ、
さらには、ＣｄＳ層にまで拡散して到達しＣｄＳ層の抵
抗を増大させる結果となる。その結果、太陽電池の高効
率化の大きな妨げとなっていた。
【００１２】本発明はこのような課題を解決するもの
で、Ｃｕを均一にＣｄＴｅ中へ拡散させることにより、
高効率なＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池が得られる製造方法
を提供するものである。
で、Ｃｕを均一にＣｄＴｅ中へ拡散させることにより、
高効率なＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池が得られる製造方法
を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ため、本発明は、ガラス基板上にＣｄＳ膜とＣｄＴｅ膜
とを積層して形成した後、炭素粉末とＣｕの有機化合
物、およびこのＣｕの有機化合物を可溶な粘結剤とを含
むカーボンペーストをＣｄＴｅ膜上に塗布し、粘結剤成
分を蒸発させて除去した後、熱処理することにより、Ｃ
ｕの有機化合物を熱分解し、分解して得られたＣｕをＣ
ｄＴｅ膜中へアクセプタ不純物として熱拡散させ、同時
にカーボン電極膜を形成することにより、Ｃｕイオンを
均一にＣｄＴｅ中へドーピングさせることができ、高効
率なＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池が得られる。
ため、本発明は、ガラス基板上にＣｄＳ膜とＣｄＴｅ膜
とを積層して形成した後、炭素粉末とＣｕの有機化合
物、およびこのＣｕの有機化合物を可溶な粘結剤とを含
むカーボンペーストをＣｄＴｅ膜上に塗布し、粘結剤成
分を蒸発させて除去した後、熱処理することにより、Ｃ
ｕの有機化合物を熱分解し、分解して得られたＣｕをＣ
ｄＴｅ膜中へアクセプタ不純物として熱拡散させ、同時
にカーボン電極膜を形成することにより、Ｃｕイオンを
均一にＣｄＴｅ中へドーピングさせることができ、高効
率なＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この手段によれば、Ｃｕの有機化
合物がカーボンペースト中の粘結剤に溶解するため、Ｃ
ｕの有機化合物をペースト中に均一な濃度で存在させる
ことができる。そしてこのペーストをＣｄＴｅ膜上に塗
布した後、粘結剤成分を蒸発させて除去して形成した塗
膜中にＣｕの有機化合物を均一に存在させることができ
る。次いで、熱処理を行ってこの膜中のＣｕの有機化合
物を熱分解することにより、均一な濃度分布でＣｕが生
成し、このＣｕがＣｄＴｅ中に拡散することによって、
ＣｄＴｅ中にＣｕを均一にドーピングすることが可能と
なる。そして、適正量のアクセプターが均一にドーピン
グできることにより、前記の従来の問題点を解決でき、
太陽電池の変換効率を大幅に向上させることができる。
合物がカーボンペースト中の粘結剤に溶解するため、Ｃ
ｕの有機化合物をペースト中に均一な濃度で存在させる
ことができる。そしてこのペーストをＣｄＴｅ膜上に塗
布した後、粘結剤成分を蒸発させて除去して形成した塗
膜中にＣｕの有機化合物を均一に存在させることができ
る。次いで、熱処理を行ってこの膜中のＣｕの有機化合
物を熱分解することにより、均一な濃度分布でＣｕが生
成し、このＣｕがＣｄＴｅ中に拡散することによって、
ＣｄＴｅ中にＣｕを均一にドーピングすることが可能と
なる。そして、適正量のアクセプターが均一にドーピン
グできることにより、前記の従来の問題点を解決でき、
太陽電池の変換効率を大幅に向上させることができる。
【００１５】さらに、カーボンペースト中の炭素粉末の
重量に対するＣｕ成分の含有量が４０ｐｐｍ以上、４０
０ｐｐｍ以下となるようにＣｕの有機化合物を添加して
調製したカーボンペーストを用いることにより、適正量
のＣｕをＣｄＴｅ中にアクセプターとして均一にドーピ
ングでき、ドーピング効果が大きくなる。
重量に対するＣｕ成分の含有量が４０ｐｐｍ以上、４０
０ｐｐｍ以下となるようにＣｕの有機化合物を添加して
調製したカーボンペーストを用いることにより、適正量
のＣｕをＣｄＴｅ中にアクセプターとして均一にドーピ
ングでき、ドーピング効果が大きくなる。
【００１６】また、Ｃｕの有機化合物としてはナフテン
酸銅を用いることが好ましく、この場合には３２５℃以
上、４５０℃以下の温度範囲で熱処理することにより、
変換効率がより優れた太陽電池が得られ、カーボンペー
ストの調製に用いる粘結剤としては、ナフテン酸銅を溶
解し、ペーストとしての塗行性を確保するための適度の
粘性を有するジエチレングリコールモノブチルエーテル
或いはテルピネオールを用いることが好ましい。
酸銅を用いることが好ましく、この場合には３２５℃以
上、４５０℃以下の温度範囲で熱処理することにより、
変換効率がより優れた太陽電池が得られ、カーボンペー
ストの調製に用いる粘結剤としては、ナフテン酸銅を溶
解し、ペーストとしての塗行性を確保するための適度の
粘性を有するジエチレングリコールモノブチルエーテル
或いはテルピネオールを用いることが好ましい。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００１８】実施例として作製した太陽電池の構造は図
１に示す様に、ガラス基板１の上にＣｄＳ膜２、ＣｄＴ
ｅ膜３、カーボン電極４を順次積層して形成したもので
あり、ＣｄＴｅ膜３の形成までのプロセスは（従来の技
術）の項で記載した方法と同様な方法で作製した。
１に示す様に、ガラス基板１の上にＣｄＳ膜２、ＣｄＴ
ｅ膜３、カーボン電極４を順次積層して形成したもので
あり、ＣｄＴｅ膜３の形成までのプロセスは（従来の技
術）の項で記載した方法と同様な方法で作製した。
【００１９】カーボン電極４の形成法に関しては、ま
ず、カーボンブラックと黒鉛粉末に第１の粘結剤として
のジエチレングリコールモノブチルエーテルを加えて練
合し、これにＣｕの有機化合物としてのナフテン酸銅を
第２の粘結剤としてのターミネオールに溶解させたもの
を添加して混合することにより、Ｃｕの有機化合物を均
一に分散させたカーボンペーストを調製した。このナフ
テン酸銅の分解温度は約２４０℃であった。カーボンペ
ースト中の炭素粉末（カーボンブラックと黒鉛粉末を
１：６の重量比で混合したもの）に対して、Ｃｕ成分の
含有量が２０、４０、８０、２００、４００、８００ｐ
ｐｍとなるようにナフテン酸銅の添加量を変えてカーボ
ンペーストを調製した。
ず、カーボンブラックと黒鉛粉末に第１の粘結剤として
のジエチレングリコールモノブチルエーテルを加えて練
合し、これにＣｕの有機化合物としてのナフテン酸銅を
第２の粘結剤としてのターミネオールに溶解させたもの
を添加して混合することにより、Ｃｕの有機化合物を均
一に分散させたカーボンペーストを調製した。このナフ
テン酸銅の分解温度は約２４０℃であった。カーボンペ
ースト中の炭素粉末（カーボンブラックと黒鉛粉末を
１：６の重量比で混合したもの）に対して、Ｃｕ成分の
含有量が２０、４０、８０、２００、４００、８００ｐ
ｐｍとなるようにナフテン酸銅の添加量を変えてカーボ
ンペーストを調製した。
【００２０】一方、比較例として前記の従来法により、
Ｃｕ微粉末（粒径０．３μｍ）を用いてＣｕの含有量が
炭素粉末の重量に対して、２００、４００、８００ｐｐ
ｍのカーボンペーストを作製した。
Ｃｕ微粉末（粒径０．３μｍ）を用いてＣｕの含有量が
炭素粉末の重量に対して、２００、４００、８００ｐｐ
ｍのカーボンペーストを作製した。
【００２１】これらの本発明法の実施例および従来法に
よる比較例ペーストをＣｄＴｅ膜３の上に印刷し、１２
０℃で１時間加熱して粘結剤を蒸発させて除去した後、
ベルト式電気炉で３００℃〜５００℃の範囲で温度を変
化させて、３０分間の熱処理を行った。その後、ＣｄＳ
のオーミック電極５としてＡｇＩｎ膜を形成し、太陽電
池を作製した。 次に作製した太陽電池の変換効率をソ
ーラシミュレータを用いて測定し，その結果として本実
施例を表１に、比較例を表２に示した。
よる比較例ペーストをＣｄＴｅ膜３の上に印刷し、１２
０℃で１時間加熱して粘結剤を蒸発させて除去した後、
ベルト式電気炉で３００℃〜５００℃の範囲で温度を変
化させて、３０分間の熱処理を行った。その後、ＣｄＳ
のオーミック電極５としてＡｇＩｎ膜を形成し、太陽電
池を作製した。 次に作製した太陽電池の変換効率をソ
ーラシミュレータを用いて測定し，その結果として本実
施例を表１に、比較例を表２に示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】表１、表２から明らかなように、Ｃｕの有
機化合物をアクセプタ源として使用した本発明の実施例
の場合、Ｃｕ微粉末を用いた比較例の場合よりも高い変
換効率が得られた。中でもＣｕ成分の含有量が４０ｐｐ
ｍから４００ｐｐｍ、熱処理温度が３２５℃から４５０
℃の場合に変換効率が高く、とりわけ、Ｃｕ成分の含有
量が８０ｐｐｍから２００ｐｐｍ、熱処理温度が３７５
℃から４２５℃に最適条件があり、１０％以上の変換効
率が得られた。尚、熱処理温度が５００℃ではカーボン
ブラックが焼失したために、ＣｄＴｅとの電気的接触が
得られず、３００℃ではＣｕ成分の拡散が不十分なため
十分なドーピング効果が得られず、変換効率が低くなる
ことがわかった。
機化合物をアクセプタ源として使用した本発明の実施例
の場合、Ｃｕ微粉末を用いた比較例の場合よりも高い変
換効率が得られた。中でもＣｕ成分の含有量が４０ｐｐ
ｍから４００ｐｐｍ、熱処理温度が３２５℃から４５０
℃の場合に変換効率が高く、とりわけ、Ｃｕ成分の含有
量が８０ｐｐｍから２００ｐｐｍ、熱処理温度が３７５
℃から４２５℃に最適条件があり、１０％以上の変換効
率が得られた。尚、熱処理温度が５００℃ではカーボン
ブラックが焼失したために、ＣｄＴｅとの電気的接触が
得られず、３００℃ではＣｕ成分の拡散が不十分なため
十分なドーピング効果が得られず、変換効率が低くなる
ことがわかった。
【００２５】尚、Ｃｕの有機化合物の一種であるナフテ
ン酸銅はナフテン酸の銅塩であり、ナフテン酸はシクロ
ペンタン環またはシクロヘキサン環のメチレン側鎖の末
端にカルボキシル基をもつ環状飽和脂肪酸を総称するも
のである。上記の実施例では分解温度が約２４０℃のも
のを用いたが、ナフテン酸の種類によりナフテン酸銅の
分解温度などの性質は若干異なるものもある。しかし、
これらも本実施例と同様の方法で本発明に適用して同様
の効果が得られる。また、本実施例では粘結剤としてジ
エチレングリコールモノブチルエーテルとテルピネオー
ルを併用して用いたが、何れにもナフテン酸銅が可溶性
なので、これらの溶剤を単独に粘結剤として用いること
もできる。
ン酸銅はナフテン酸の銅塩であり、ナフテン酸はシクロ
ペンタン環またはシクロヘキサン環のメチレン側鎖の末
端にカルボキシル基をもつ環状飽和脂肪酸を総称するも
のである。上記の実施例では分解温度が約２４０℃のも
のを用いたが、ナフテン酸の種類によりナフテン酸銅の
分解温度などの性質は若干異なるものもある。しかし、
これらも本実施例と同様の方法で本発明に適用して同様
の効果が得られる。また、本実施例では粘結剤としてジ
エチレングリコールモノブチルエーテルとテルピネオー
ルを併用して用いたが、何れにもナフテン酸銅が可溶性
なので、これらの溶剤を単独に粘結剤として用いること
もできる。
【００２６】Ｃｕの有機化合物としては、ナフテン酸銅
以外に銅アルコキサイトあるいはジケトネート類、銅カ
ルボン酸誘導体或いは有機塩類、有機銅化合物などに分
類される多くの化合物がある。これらの中から分解温度
や熱分解によるＣｕの生成の可能性、取扱い中の化学
的、熱的な安定性、有機性の粘結剤との相溶性などに配
慮して、本発明の実施に適用できる物質を検討して選択
すればよく、検討対象として、例えば、銅エチルアセト
アセテート（Ｃ12Ｈ18Ｏ6Ｃｕ）、銅ベンゾイルアセト
ネート（Ｃ20Ｈ18Ｏ4Ｃｕ）、さらに、銅 -2-エチルヘ
キサノエート（Ｃ6Ｈ30Ｏ4Ｃｕ）などが挙げられる。
以外に銅アルコキサイトあるいはジケトネート類、銅カ
ルボン酸誘導体或いは有機塩類、有機銅化合物などに分
類される多くの化合物がある。これらの中から分解温度
や熱分解によるＣｕの生成の可能性、取扱い中の化学
的、熱的な安定性、有機性の粘結剤との相溶性などに配
慮して、本発明の実施に適用できる物質を検討して選択
すればよく、検討対象として、例えば、銅エチルアセト
アセテート（Ｃ12Ｈ18Ｏ6Ｃｕ）、銅ベンゾイルアセト
ネート（Ｃ20Ｈ18Ｏ4Ｃｕ）、さらに、銅 -2-エチルヘ
キサノエート（Ｃ6Ｈ30Ｏ4Ｃｕ）などが挙げられる。
【００２７】また、粘結剤としては、上記以外にＣｕの
有機化合物を溶解しやすいが粘性が少ないエタノールや
メタノール、キシレン等の溶剤と前記のジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、テルピネオール、或いはプ
ロピレングリコールなどの粘性の溶剤を併用して粘結剤
として用い、カーボンペーストを調製することもでき
る。
有機化合物を溶解しやすいが粘性が少ないエタノールや
メタノール、キシレン等の溶剤と前記のジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、テルピネオール、或いはプ
ロピレングリコールなどの粘性の溶剤を併用して粘結剤
として用い、カーボンペーストを調製することもでき
る。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、ＣｄＳ／
ＣｄＴｅ太陽電池の製造において、ＣｄＴｅのアクセプ
タ源としてＣｕの有機化合物を用い、これを粘結剤に溶
解したカーボンペーストをＣｄＴｅ上に塗布、乾燥後、
熱処理してカーボン電極を形成し、同時にＣｄＴｅ中に
Ｃｕが均一に拡散させることにより、変換効率の高い太
陽電池を製造することができる。
ＣｄＴｅ太陽電池の製造において、ＣｄＴｅのアクセプ
タ源としてＣｕの有機化合物を用い、これを粘結剤に溶
解したカーボンペーストをＣｄＴｅ上に塗布、乾燥後、
熱処理してカーボン電極を形成し、同時にＣｄＴｅ中に
Ｃｕが均一に拡散させることにより、変換効率の高い太
陽電池を製造することができる。
【図１】本発明の一実施例によるＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽
電池の断面図
電池の断面図
１ ガラス基板
２ ＣｄＳ膜
３ ＣｄＴｅ膜
４ カーボン電極
５ ＡｇＩｎ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 室園 幹夫
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−347424（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−213975（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−213973（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−117287（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−102279（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−148596（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−148595（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス基板上にＣｄＳ膜とＣｄＴｅ膜と
を積層して形成した後、炭素粉末と銅の有機化合物と銅
の有機化合物を可溶な粘結剤を含有するカーボンペース
トをＣｄＴｅ膜上に塗布し、粘結剤成分を蒸発させたの
ち、熱処理することにより、銅の有機化合物を熱分解
し、分解して得られた銅をＣｄＴｅ膜中へアクセプタ不
純物として熱拡散させると同時に、ＣｄＴｅ膜上にカー
ボン電極膜を形成することを特徴とするＣｄＳ／ＣｄＴ
ｅ太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 銅の有機化合物中の銅成分が炭素粉末の
重量に対し、４０ｐｐｍ以上、４００ｐｐｍ以下の含有
量となるように調合したカーボンペーストを用いること
を特徴とする請求項１に記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池の製造方法。 - 【請求項３】 銅の有機化合物がナフテン酸銅であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽
電池の製造方法。 - 【請求項４】 熱処理温度が３２５℃以上、４５０℃以
下であることを特徴とする請求項３に記載のＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】 粘結剤としてジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、テルピネオールから選ばれた一種また
は二種を含むカーボンペーストを用いることを特徴とす
る請求項３に記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03156096A JP3366175B2 (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03156096A JP3366175B2 (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232607A JPH09232607A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3366175B2 true JP3366175B2 (ja) | 2003-01-14 |
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ID=12334569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03156096A Expired - Fee Related JP3366175B2 (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3366175B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100819121B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-04-03 | 한국전자통신연구원 | 화학조 침착법에 의한 황화카드뮴 박막 및 황화카드뮴다이오드의 제조방법 |
| CN116154033A (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-23 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 一种激活薄膜太阳能电池吸收层的方法 |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP03156096A patent/JP3366175B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH09232607A (ja) | 1997-09-05 |
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