JP3364055B2 - Substrate cooling device - Google Patents
Substrate cooling deviceInfo
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- JP3364055B2 JP3364055B2 JP15470195A JP15470195A JP3364055B2 JP 3364055 B2 JP3364055 B2 JP 3364055B2 JP 15470195 A JP15470195 A JP 15470195A JP 15470195 A JP15470195 A JP 15470195A JP 3364055 B2 JP3364055 B2 JP 3364055B2
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、加熱処理された半導体
基板や液晶用ガラス基板などの薄板状基板（以下、単に
「基板」という。）を冷却するための基板冷却装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cooling device for cooling a thin substrate (hereinafter simply referred to as "substrate") such as a heat-treated semiconductor substrate or a glass substrate for liquid crystal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、液晶基板製造におけるフォトリ
ソグラフィー工程においては、ガラス基板表面に塗布さ
れたレジストを乾燥するため、当該基板をホットプレー
トなどの発熱体を備えた加熱装置上に載置して加熱して
高温で熱処理し、その後常温に冷却する工程が含まれ
る。このような冷却工程においては、図３に示すような
基板冷却装置が用いられている。2. Description of the Related Art For example, in a photolithography process for manufacturing a liquid crystal substrate, a resist applied on the surface of a glass substrate is dried, so that the substrate is placed on a heating device having a heating element such as a hot plate. The process includes heating and heat treatment at a high temperature, and then cooling to normal temperature. In such a cooling process, a substrate cooling device as shown in FIG. 3 is used.
【０００３】図３は、従来の基板冷却装置を示す断面図
である。この基板冷却装置は、同図に示すように、アル
ミニウムなどの金属で形成された載置台（冷却プレー
ト）１と、その載置台１上に配置されて載置台１との間
で処理空間ＳＰを形成するユニットカバー２とを備えて
いる。この基板冷却装置では、高温の基板３を載置台１
に直接載置するとともに、その基板３を覆うようにユニ
ットカバー２を載置台１上に配置して処理空間ＳＰ内で
基板３の冷却処理を行う。具体的には、ペルチェ素子や
冷却水を利用して当該基板を高温から所定の温度、例え
ば１００℃から２３℃までに冷却する。FIG. 3 is a sectional view showing a conventional substrate cooling device. As shown in FIG. 1, the substrate cooling device includes a mounting table (cooling plate) 1 made of metal such as aluminum and a processing space SP between the mounting table 1 and the mounting table 1. And a unit cover 2 to be formed. In this substrate cooling device, the high-temperature substrate 3 is placed on the mounting table 1
The unit cover 2 is placed directly on the mounting table 1 so as to cover the substrate 3, and the substrate 3 is cooled in the processing space SP. Specifically, the Peltier element or cooling water is used to cool the substrate from a high temperature to a predetermined temperature, for example, 100 ° C. to 23 ° C.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
にして高温の基板３を冷却している間に、冷却処理中の
基板３からの輻射熱がユニットカバー２に蓄熱される。
このため、載置台１とユニットカバー２とで形成される
処理空間ＳＰの雰囲気温度が載置台１の設定温度よりも
高くなり、基板３の温調精度の悪化を招いたり、目的の
温度にまで基板３を冷却するのに要する処理時間が長く
なってスループットに対して悪影響を及ぼすなどの問題
が生じている。By the way, during the cooling of the high temperature substrate 3 as described above, the radiant heat from the substrate 3 during the cooling process is accumulated in the unit cover 2.
For this reason, the ambient temperature of the processing space SP formed by the mounting table 1 and the unit cover 2 becomes higher than the set temperature of the mounting table 1, and the temperature control accuracy of the substrate 3 is deteriorated, or even the target temperature is reached. There is a problem in that the processing time required to cool the substrate 3 becomes long and the throughput is adversely affected.
【０００５】本発明は、上述のような問題を解消して、
基板からの輻射熱により処理空間の雰囲気温度が上昇す
るのを防止して、短時間で、しかも優れた温調精度で基
板を冷却することができる基板冷却装置を提供すること
を目的とするものである。The present invention solves the above problems and
It is an object of the present invention to provide a substrate cooling device capable of preventing the ambient temperature of a processing space from rising due to radiant heat from a substrate and cooling the substrate in a short time and with excellent temperature control accuracy. is there.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、載置
台と、前記載置台の少なくとも上面を覆うように配置さ
れて前記載置台との間で処理空間を形成する第１カバー
手段とを備え、前記処理空間内で基板を前記載置台の前
記上面に直接もしくは所定の間隔をおいて載置して当該
基板を冷却する基板冷却装置であって、上記目的を達成
するため、前記処理空間に面する前記第１カバー手段の
内面に、熱の吸収率が前記第１カバー手段より高い物質
で構成された熱吸収層を形成し、前記第１カバー手段の
外面に冷却フィンを設けるとともに、前記第１カバー手
段の底部あるいは側面部から前記処理空間に向けて気体
を導入する一方、前記第１カバー手段の上面に設けられ
た排気口を介して前記処理空間内の気体を排気して、前
記処理空間内に下方から上方への気流を形成している。According to a first aspect of the present invention, there is provided a mounting table, and first cover means arranged to cover at least an upper surface of the mounting table to form a processing space between the mounting table and the mounting table. A substrate cooling device that cools the substrate by placing the substrate on the upper surface of the mounting table directly or at a predetermined interval in the processing space, wherein: A heat absorption layer made of a material having a higher heat absorption rate than the first cover means is formed on the inner surface of the first cover means facing the space, and cooling fins are provided on the outer surface of the first cover means. While introducing gas from the bottom or side surface of the first cover means toward the processing space, the gas in the processing space is exhausted through an exhaust port provided on the upper surface of the first cover means. , Below the processing space Forming an airflow upward from.
【０００７】請求項２の発明は、前記第１カバー手段お
よび前記冷却フィンを取り囲むように配置されて前記第
１カバー手段および前記冷却フィンとの間で気流経路を
形成する第２カバー手段と、前記気流経路に接続されて
当該気流経路内を強制的に排気する強制排気手段と、を
さらに備えている。According to a second aspect of the present invention, there is provided second cover means which is arranged so as to surround the first cover means and the cooling fin and forms an air flow path between the first cover means and the cooling fin. And a forced evacuation unit which is connected to the air flow path and forcibly exhausts the air flow path.
【０００８】[0008]
【作用】請求項１の発明では、熱の吸収率が高い物質か
らなる熱吸収層が、処理空間に面する第１カバー手段の
内面に形成されて、基板からの輻射熱を効率良く吸収す
る。しかも、こうして吸収された熱は、第１カバー手段
の外面および当該外面に取り付けられた冷却フィンによ
り効率良く処理空間外に放熱される。このため、処理空
間の雰囲気温度の上昇が抑えられる。According to the first aspect of the present invention, the heat absorption layer made of a substance having a high heat absorption rate is formed on the inner surface of the first cover means facing the processing space to efficiently absorb the radiant heat from the substrate. Moreover, the heat thus absorbed is efficiently radiated to the outside of the processing space by the outer surface of the first cover means and the cooling fins attached to the outer surface. Therefore, it is possible to suppress an increase in the ambient temperature of the processing space.
【０００９】また、基板表面近傍の雰囲気は比較的高温
となるが、処理空間内で下方から上方への気流を形成し
たことで、その気流に乗って高温雰囲気が第１カバー手
段の上面に設けられた排気口を介して外部に除去され
る。Further, the atmosphere near the surface of the substrate has a relatively high temperature, but since an air flow from the lower side to the upper side is formed in the processing space, the high temperature atmosphere is provided on the upper surface of the first cover means by riding on the air flow. It is removed to the outside through the provided exhaust port.
【００１０】請求項２の発明では、第２カバー手段が第
１カバー手段および冷却フィンを取り囲むように配置さ
れて第１カバー手段などとの間で気流経路を形成してい
る。そして、この気流経路に強制排気手段が接続されて
当該気流経路内を排気して気流経路内に空気の流れを形
成する。このため、第１カバー手段および冷却フィンに
よる放熱が促進されて処理空間の雰囲気温度の上昇をよ
り効果的に抑制することができる。According to the second aspect of the present invention, the second cover means is arranged so as to surround the first cover means and the cooling fins to form an air flow path with the first cover means and the like. Then, a forced exhaust means is connected to the airflow path to exhaust the airflow path to form an airflow in the airflow path. Therefore, the heat radiation by the first cover means and the cooling fins is promoted, and the increase in the ambient temperature of the processing space can be suppressed more effectively.
【００１１】また、気流に乗って除去された高温雰囲気
は気流経路に沿って第２カバー手段の外部に除去され
る。Further, the high temperature atmosphere removed along with the air flow is removed outside the second cover means along the air flow path.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明するが、これにより本発明の技術的範囲が制限さ
れるものではない。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings, but the technical scope of the present invention is not limited thereby.
【００１３】図１は、この発明にかかる基板冷却装置の
一実施例を示す断面図である。この基板冷却装置は、同
図に示すように、アルミニウムなどの金属で形成された
載置台（冷却プレート）１と、その載置台１を取り囲む
ように配置されて載置台１との間で処理空間ＳＰを形成
するユニットカバー（第１カバー手段）２と、さらにユ
ニットカバー２を取り囲むように配置されてユニットカ
バー２および冷却フィン５との間で気流経路７を形成す
る別のカバー（第２カバー手段）６と、この気流経路７
に接続されて当該気流経路７内を強制的に排気する排気
ユニット（図示省略）とを備えている。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a substrate cooling device according to the present invention. As shown in FIG. 1, the substrate cooling device includes a mounting table (cooling plate) 1 formed of a metal such as aluminum and a processing space between the mounting table 1 and the mounting table 1 so as to surround the mounting table 1. A unit cover (first cover means) 2 forming the SP, and another cover (second cover) which is arranged so as to surround the unit cover 2 and forms an airflow path 7 between the unit cover 2 and the cooling fins 5 (second cover). Means) 6 and this air flow path 7
And an exhaust unit (not shown) that is forcibly exhausted in the air flow path 7.
【００１４】この実施例にかかる基板冷却装置では、図
２に示すように、処理空間ＳＰに面するユニットカバー
２の内面２ａに熱吸収層４が形成されている。この実施
例では、ユニットカバー２はアルミニウムで形成されて
おり、特定の溶液（例えば硫酸溶液やしゅう酸溶液）中
での陽極電解によりユニットカバー２の内面２ａに黒色
酸化皮膜（通称：黒アルマイト皮膜）を形成し、これを
熱吸収層４としている。このようにして形成された熱吸
収層（黒色酸化皮膜）４はアルミニウムよりも大きな熱
の吸収率を有しており、基板３からの輻射熱を効率良く
吸収することができる。なお、ここで、「熱の吸収率」
とは、与えられた面に投射される熱放射のエネルギーの
うち、その面に吸収されて熱となるものの割合をいう。
なお、この実施例では、黒色酸化皮膜により熱吸収層４
を形成しているが、これ以外に黒鉛板材により構成した
り、ユニットカバー２の内面２ａを塗装する等により、
当該熱吸収層４の熱の吸収率をユニットカバー２のそれ
よりも大きくすることで、上記実施例と同様に、基板３
からの輻射熱を効率良く吸収することができる。In the substrate cooling apparatus according to this embodiment, as shown in FIG. 2, the heat absorption layer 4 is formed on the inner surface 2a of the unit cover 2 facing the processing space SP. In this embodiment, the unit cover 2 is made of aluminum, and a black oxide film (commonly called a black alumite film) is formed on the inner surface 2a of the unit cover 2 by anodic electrolysis in a specific solution (for example, sulfuric acid solution or oxalic acid solution). ) Is formed, and this is used as the heat absorption layer 4. The heat absorption layer (black oxide film) 4 thus formed has a higher heat absorption rate than aluminum, and can efficiently absorb the radiant heat from the substrate 3. Here, "heat absorption rate"
Is the proportion of the energy of the thermal radiation projected onto a given surface that is absorbed by that surface and becomes heat.
In addition, in this embodiment, the heat absorbing layer 4 is formed by the black oxide film.
In addition to this, by using a graphite plate material or by coating the inner surface 2a of the unit cover 2,
By making the heat absorption rate of the heat absorption layer 4 larger than that of the unit cover 2, the substrate 3 can be formed in the same manner as in the above embodiment.
The radiant heat from can be efficiently absorbed.
【００１５】また、この実施例では、ユニットカバー２
の外面２ｂに冷却フィン５が取り付けられている。この
ように冷却フィン５を取り付けることで、放熱表面積が
大きくなり、ユニットカバー２から熱を効率良く処理空
間ＳＰの外側に放熱することができる。なお、冷却フィ
ン５の形状や枚数などは任意である。Also, in this embodiment, the unit cover 2
The cooling fins 5 are attached to the outer surface 2b of the. By mounting the cooling fins 5 in this way, the heat radiation surface area is increased, and heat can be efficiently radiated from the unit cover 2 to the outside of the processing space SP. The shape and number of the cooling fins 5 are arbitrary.
【００１６】また、ユニットカバー２の底部２ｃから窒
素ガス（Ｎ2）が処理空間ＳＰに導入されている。しか
も、ユニットカバー２の上面２ｄには複数の排気口８が
形成されているので、処理空間ＳＰ内に導入された窒素
ガスは排気口８に向けて流れ、その結果、処理空間ＳＰ
内に下方から上方への気流９が形成される。ここで、処
理空間ＳＰ内に気流が形成されていない場合には、冷却
中の基板３の表面近傍に形成される比較的高温の雰囲気
が基板表面近傍に残ったままとなり、冷却処理の妨げの
要因となる。これに対して、上記のようにして処理空間
ＳＰ内に下方から上方への気流９を形成することで、そ
の気流９に乗って高温雰囲気をユニットカバー２の上面
２ｄに形成された排気口８を介して処理空間ＳＰの外部
に除去することができ、基板３をより効率良く冷却する
ことができる。Further, nitrogen gas (N2) is introduced into the processing space SP from the bottom 2c of the unit cover 2. Moreover, since the plurality of exhaust ports 8 are formed on the upper surface 2d of the unit cover 2, the nitrogen gas introduced into the processing space SP flows toward the exhaust port 8 and, as a result, the processing space SP.
An airflow 9 is formed in the inside from below to above. Here, when the air flow is not formed in the processing space SP, the relatively high temperature atmosphere formed in the vicinity of the surface of the substrate 3 during cooling remains in the vicinity of the surface of the substrate, which hinders the cooling process. It becomes a factor. On the other hand, by forming the airflow 9 from the lower side to the upper side in the processing space SP as described above, the exhaust port 8 formed on the upper surface 2d of the unit cover 2 by riding on the airflow 9 has a high temperature atmosphere. Can be removed to the outside of the processing space SP via, and the substrate 3 can be cooled more efficiently.
【００１７】さらに、カバー６を配置することで、ユニ
ットカバー２および冷却フィン５との間で気流経路７を
形成しているので、この気流経路７に接続された排気ユ
ニットを作動させて、排気口８を介して除去された高温
雰囲気をさらにカバー６の上面に設けられた排気口１０
を介してカバー６外に排気除去することができる。ま
た、排気ユニットの作動により、気流経路７内において
も、排気口１０に向けての気流１１が形成され、ユニッ
トカバー２の外面２ｂおよび冷却フィン５に当たりなが
ら、排気ユニット側に排気される。このため、ユニット
カバー２の外面２ｂおよび冷却フィン５からの放熱をよ
り効果的に行うことができる。Furthermore, since the airflow path 7 is formed between the unit cover 2 and the cooling fins 5 by disposing the cover 6, the exhaust unit connected to this airflow path 7 is operated to exhaust the air. The high temperature atmosphere removed through the port 8 is further provided on the exhaust port 10 provided on the upper surface of the cover 6.
The exhaust can be removed to the outside of the cover 6 via the. Further, due to the operation of the exhaust unit, an air flow 11 toward the exhaust port 10 is also formed in the air flow path 7, and is exhausted to the exhaust unit side while hitting the outer surface 2b of the unit cover 2 and the cooling fins 5. Therefore, heat radiation from the outer surface 2b of the unit cover 2 and the cooling fins 5 can be performed more effectively.
【００１８】このように、この実施例にかかる基板冷却
装置によれば、ユニットカバー２の内面２ａに熱吸収層
４を形成して処理空間ＳＰ内の基板３からの輻射熱を効
率良く吸収するとともに、ユニットカバー２の外面２ｂ
および冷却フィン５から効率良く放熱するようにしてい
るのに加え、処理空間ＳＰ内に下方から上方への気流９
を形成して基板３の表面近傍の高温雰囲気を処理空間Ｓ
Ｐの外部に除去するので、基板３からの輻射熱を効率良
く処理空間ＳＰの外側に放熱することができ、処理空間
ＳＰ内の雰囲気温度の上昇を抑えることができる。その
結果、高温の基板３を短時間で、しかも優れた温調精度
で所定の目的温度に冷却することができる。As described above, according to the substrate cooling apparatus of this embodiment, the heat absorption layer 4 is formed on the inner surface 2a of the unit cover 2 to efficiently absorb the radiant heat from the substrate 3 in the processing space SP. , The outer surface 2b of the unit cover 2
In addition to efficiently radiating heat from the cooling fins 5, the airflow 9 from the lower side to the upper side in the processing space SP is also increased.
To form a high-temperature atmosphere near the surface of the substrate 3 in the processing space S
Since it is removed to the outside of P, the radiant heat from the substrate 3 can be efficiently radiated to the outside of the processing space SP, and the rise of the ambient temperature in the processing space SP can be suppressed. As a result, the high temperature substrate 3 can be cooled to a predetermined target temperature in a short time and with excellent temperature control accuracy.
【００１９】なお、上記実施例では、ユニットカバー２
および冷却フィン５を全体的に別のカバー６で覆って気
流経路７を形成するとともに、排気ユニットにより気流
経路７に沿って気流１１を形成しているが、これらの構
成は必須の構成要素というわけではない。ただし、放熱
効率を考慮した場合には、これらの構成を設けるのが好
適である。In the above embodiment, the unit cover 2
The cooling fin 5 is entirely covered with another cover 6 to form the air flow path 7, and the exhaust unit forms the air flow 11 along the air flow path 7. However, these configurations are essential components. Do not mean. However, it is preferable to provide these configurations in consideration of heat dissipation efficiency.
【００２０】また、上記実施例では、ユニットカバー２
がアルミニウムで形成されている場合について説明した
が、ステンレス鋼などの別の金属材料で形成されている
場合についても同様にユニットカバー２の内面２ａに熱
吸収層４を設ければ良く、同様の効果が得られる。Further, in the above embodiment, the unit cover 2
Although the case where the heat absorbing layer 4 is formed of aluminum has been described, the case where the heat absorbing layer 4 is formed on the inner surface 2a of the unit cover 2 similarly in the case where the metal is formed of another metal material such as stainless steel. The effect is obtained.
【００２１】また、上記実施例では、ユニットカバー２
の底部２ｃから窒素ガス（Ｎ2）を処理空間ＳＰに導入
しているが、導入位置はこれに限定されるものではな
く、例えばユニットカバー２の側面部に設けても良く、
また導入する気体についても窒素ガスに限定されるもの
ではなく、窒素ガスの代わりに、例えば空気や不活性ガ
スなどを導入して下方から上方への気流９を形成するよ
うにしてもよい。Further, in the above embodiment, the unit cover 2
Nitrogen gas (N2) is introduced into the processing space SP from the bottom 2c of the unit cover 2. However, the introduction position is not limited to this, and may be provided on the side surface of the unit cover 2, for example.
Also, the gas to be introduced is not limited to nitrogen gas, and instead of nitrogen gas, for example, air or an inert gas may be introduced to form the air flow 9 from the lower side to the upper side.
【００２２】また、この実施例では、ユニットカバー２
で載置台１全体を覆って処理空間ＳＰを形成している
が、載置台１の上面にユニットカバー２を配置して処理
空間ＳＰを形成するようにしてもよく、要は載置台１の
少なくとも上面を覆うようにユニットカバー２を配置し
て処理空間ＳＰを形成するようにすればよい。Further, in this embodiment, the unit cover 2
Although the processing space SP is formed by covering the entire mounting table 1 with the above, the unit cover 2 may be arranged on the upper surface of the mounting table 1 to form the processing space SP. The unit cover 2 may be arranged so as to cover the upper surface so as to form the processing space SP.
【００２３】さらに、本発明は、基板３を載置台１の載
置面に直接載置するタイプの基板冷却装置のみならず、
プロキシミティピンなどにより基板３を当該載置面から
少し離した状態で水平に保持して冷却する基板冷却装置
に対しても適用することができる。Further, the present invention is not limited to the type of substrate cooling device in which the substrate 3 is placed directly on the placing surface of the placing table 1,
The present invention can also be applied to a substrate cooling device that horizontally holds a substrate 3 slightly away from the mounting surface by a proximity pin or the like and cools it.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上述べたように、請求項１の発明によ
れば、熱の吸収率が高い物質からなる熱吸収層を、処理
空間に面する第１カバー手段の内面に形成して基板から
の輻射熱を効率良く吸収するとともに、吸収された熱を
第１カバー手段の外面および当該外面に取り付けられた
冷却フィンにより効率良く処理空間外に放熱するように
している。また、処理空間内で下方から上方への気流を
形成し、その気流に乗って高温雰囲気が第１カバー手段
の上面に設けられた排気口を介して外部に除去するよう
にしている。そのため、処理空間の雰囲気温度の上昇を
抑えることができ、その結果、高温の基板を短時間で、
しかも優れた温調精度で冷却することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the substrate is formed by forming the heat absorption layer made of a substance having a high heat absorption rate on the inner surface of the first cover means facing the processing space. The radiant heat from the is efficiently absorbed, and the absorbed heat is efficiently radiated to the outside of the processing space by the outer surface of the first cover means and the cooling fins attached to the outer surface. Further, an air flow is formed from the lower side to the upper side in the processing space, and the high temperature atmosphere is removed by the air flow through an exhaust port provided on the upper surface of the first cover means. Therefore, it is possible to suppress an increase in the atmospheric temperature of the processing space, and as a result, a high temperature substrate can be processed in a short time.
Moreover, it is possible to cool with excellent temperature control accuracy.
【００２５】請求項２の発明によれば、第２カバー手段
を第１カバー手段および冷却フィンを取り囲むように配
置して第１カバー手段などとの間で気流経路を形成する
とともに、この気流経路に強制排気手段を接続し、当該
気流経路内を排気して気流経路内に空気の流れを形成し
ているので、第１カバー手段の外面および冷却フィンに
よる放熱が促進されて処理空間の雰囲気温度の上昇をよ
り効果的に抑制することができる。その結果、請求項１
の発明の場合よりも、より短時間で、しかもより高精度
で基板を冷却することができる。According to the second aspect of the present invention, the second cover means is arranged so as to surround the first cover means and the cooling fins to form an air flow path with the first cover means and the like, and the air flow path is formed. Since the forced exhaust means is connected to and the air flow path is exhausted to form the air flow in the air flow path, heat dissipation by the outer surface of the first cover means and the cooling fins is promoted, and the ambient temperature of the processing space is increased. Can be suppressed more effectively. As a result, claim 1
It is possible to cool the substrate in a shorter time and with higher accuracy than in the case of the above invention.
【図１】この発明にかかる基板冷却装置の一実施例を示
す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a substrate cooling device according to the present invention.
【図２】図１の基板冷却装置の部分拡大断面図である。FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the substrate cooling device of FIG.
【図３】従来の基板冷却装置を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional substrate cooling device.
１ 載置台 ２ ユニットカバー（第１カバー手段） ２ａ （ユニットカバーの）内面 ２ｂ （ユニットカバーの）外面 ２ｃ （ユニットカバーの）底部 ２ｄ （ユニットカバーの）上面 ３ 基板 ４ 熱吸収層 ５ 冷却フィン ６ カバー（第２カバー手段） ７ 気流経路 ８ 排気口 ９，１１ 気流 ＳＰ 処理空間 1 table 2 Unit cover (first cover means) 2a Inner surface (of unit cover) 2b Outer surface (of unit cover) 2c Bottom of unit cover 2d Upper surface (of unit cover) 3 substrates 4 Heat absorption layer 5 cooling fins 6 cover (second cover means) 7 Airflow path 8 exhaust port 9,11 air flow SP processing space
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福冨 義光 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西工場 内 (56)参考文献 特開 平７−216550（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−112116（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−267839（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142377（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−59915（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−296212（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 F25D 1/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Yoshimitsu Fukutomi Yoshimitsu Fukutomi, 322 Hazushishi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dai Nippon Screen Mfg. Co., Ltd. Rakusai Factory (56) Reference JP-A-7-216550 (JP, A) Special Kaihei 6-112116 (JP, A) JP 6-267839 (JP, A) JP 7-142377 (JP, A) JP 64-59915 (JP, A) JP 62-296212 ( (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 F25D 1/00
Claims (2)
を覆うように配置されて前記載置台との間で処理空間を
形成する第１カバー手段とを備え、前記処理空間内で基
板を前記載置台の前記上面に直接もしくは所定の間隔を
おいて載置して当該基板を冷却する基板冷却装置におい
て、 前記処理空間に面する前記第１カバー手段の内面に、熱
の吸収率が前記第１カバー手段より高い物質で構成され
た熱吸収層が形成され、 前記第１カバー手段の外面に冷却フィンが設けられると
ともに、 前記第１カバー手段の底部あるいは側面部から前記処理
空間に向けて気体を導入する一方、前記第１カバー手段
の上面に設けられた排気口を介して前記処理空間内の気
体を排気して、前記処理空間内に下方から上方への気流
が形成されたことを特徴とする基板冷却装置。1. A mounting table, and first cover means which is disposed so as to cover at least an upper surface of the mounting table and forms a processing space between the mounting table and the mounting table, and the substrate is placed in front of the processing space. In a substrate cooling device that cools the substrate by directly or at a predetermined interval placed on the upper surface of a mounting table, an inner surface of the first cover means facing the processing space has a heat absorption rate of the first A heat absorbing layer made of a material higher than that of the first cover means is formed, cooling fins are provided on the outer surface of the first cover means, and a gas flows from the bottom or side surface of the first cover means toward the processing space. On the other hand, the gas in the processing space is exhausted through an exhaust port provided on the upper surface of the first cover means to form an air flow from the lower side to the upper side in the processing space. Board to Cooling system.
ンを取り囲むように配置されて前記第１カバー手段およ
び前記冷却フィンとの間で気流経路を形成する第２カバ
ー手段と、 前記気流経路に接続されて当該気流経路内を強制的に排
気する強制排気手段と、をさらに備える請求項１記載の
基板冷却装置。2. A second cover means, which is arranged so as to surround the first cover means and the cooling fin and forms an air flow path between the first cover means and the cooling fin, and is connected to the air flow path. The substrate cooling device according to claim 1, further comprising a forced exhaust unit that is forcibly exhausted in the air flow path.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15470195A JP3364055B2 (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Substrate cooling device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15470195A JP3364055B2 (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Substrate cooling device |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH097925A JPH097925A (en) | 1997-01-10 |
| JP3364055B2 true JP3364055B2 (en) | 2003-01-08 |
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ID=15590066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP15470195A Expired - Fee Related JP3364055B2 (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Substrate cooling device |
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| JP (1) | JP3364055B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-06-21 JP JP15470195A patent/JP3364055B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH097925A (en) | 1997-01-10 |
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