JP2013044044A - Array antenna type cvd plasma equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分をガラス基板等の基板の表面に付着させることにより、基板の表面に薄膜を成膜するアレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置に関する。 The present invention is an array antenna type in which a thin film is formed on the surface of a substrate by generating a plasma in a vacuum atmosphere and attaching a component of a material gas decomposed by the plasma to the surface of the substrate such as a glass substrate. The present invention relates to a CVD plasma apparatus.
近年、太陽電池等に用いられるガラス基板等の基板の大面積化（大型化）に伴い、大面積基板（大型基板）の成膜に適したアレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置について種々の開発がなされている（特許文献１から特許文献３参照）。そして、先行技術に係るアレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置の構成等に説明すると、次のようになる。 In recent years, with the increase in area (larger size) of substrates such as glass substrates used in solar cells and the like, various developments have been made on array antenna type CVD plasma devices suitable for film formation on large area substrates (large substrates). (See Patent Document 1 to Patent Document 3). The configuration of the array antenna type CVD plasma apparatus according to the prior art will be described as follows.
先行技術に係るアレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置は、真空チャンバーを具備しており、この真空チャンバーは、内部を真空状態に減圧可能である。また、真空チャンバーの外側の適宜位置には、真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給するガス供給源が設けられている。 The array antenna type CVD plasma apparatus according to the prior art includes a vacuum chamber, and the inside of the vacuum chamber can be decompressed to a vacuum state. In addition, a gas supply source for supplying a material gas to the inside of the vacuum chamber is provided at an appropriate position outside the vacuum chamber.
真空チャンバーの内部には、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナが予め設定した配設方向に間隔を置いて配設されている。また、各アレイアンテナは、垂直状態で同一平面上に前記配設方向に直交する方向に間隔を置いて配設された複数本のアンテナ素子を備えており、各アレイアンテナの両側には、垂直状態の基板をセット可能な基板エリアがそれぞれ形成されている。そして、真空チャンバーの外側の適宜位置には、各アレイアンテナに高周波電力を供給する高周波電源が配設されている。 Inside the vacuum chamber, a plurality of array antennas for generating plasma are arranged at intervals in a predetermined arrangement direction. Each array antenna is provided with a plurality of antenna elements arranged on the same plane in the vertical state at intervals in the direction orthogonal to the arrangement direction. Substrate areas in which a substrate in a state can be set are formed. A high-frequency power source that supplies high-frequency power to each array antenna is disposed at an appropriate position outside the vacuum chamber.
従って、各基板エリアに基板をセットした状態で、真空チャンバーの内部を真空状態に減圧すると共に、ガス供給源によって真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給する。そして、高周波電源によって各アレイアンテナに高周波波電力を供給することにより、各アレイアンテナの周辺にプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を各基板の表面に付着させる。これにより、各基板の表面に非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜を成膜（形成）することができる。 Therefore, with the substrate set in each substrate area, the inside of the vacuum chamber is depressurized to a vacuum state, and the material gas is supplied to the inside of the vacuum chamber by the gas supply source. Then, by supplying high-frequency wave power to each array antenna by a high-frequency power source, plasma is generated around each array antenna, and the component of the material gas decomposed by the plasma is attached to the surface of each substrate. Thereby, a thin film such as an amorphous silicon film or a microcrystalline silicon film can be formed (formed) on the surface of each substrate.
ところで、アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させるには、高周波電源から各アレイアンテナに供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高くする必要がある。一方、各アレイアンテナ周辺のプラズマ密度を高めると、成膜処理中に真空チャンバーの内部の温度が過度に上昇して、基板の表面温度を適正な温度（温度範囲）に保つことが困難になり、非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜の品質の低下を招くことになる。 By the way, in order to improve the productivity of the array antenna type CVD plasma apparatus to a high level, it is necessary to increase the high-frequency power supplied from the high-frequency power source to each array antenna to increase the plasma density around each array antenna. There is. On the other hand, when the plasma density around each array antenna is increased, the temperature inside the vacuum chamber rises excessively during the film formation process, making it difficult to maintain the substrate surface temperature at an appropriate temperature (temperature range). Therefore, the quality of a thin film such as an amorphous silicon film or a microcrystalline silicon film is deteriorated.
つまり、アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることは容易でないという問題がある。 That is, there is a problem that it is not easy to improve the quality of the thin film while improving the productivity of the array antenna type CVD plasma apparatus to a high level.
そこで、本発明は、前述の問題を解決することができる、新規な構成のアレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an array antenna type CVD plasma apparatus having a novel configuration that can solve the above-mentioned problems.
本発明の特徴は、真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板の表面に付着させることにより、基板の表面に薄膜を成膜（形成）するアレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置において、内部を真空状態に減圧可能な真空チャンバーと、前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給するガス供給源と、前記真空チャンバーの内部に予め設定した配設方向に間隔を置いて配設され、同一平面上に前記配設方向に直交する方向に間隔を置いて配設された複数本のアンテナ素子を備え、両側に基板をセット可能な基板エリアがそれぞれ形成され、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナと、各アレイアンテナ（各アレイアンテナにおける各アンテナ素子）に高周波電力を供給する高周波電源と、前記配設方向の一端部側の前記基板エリアと前記真空チャンバーの内壁面との間及び前記配設方向の他端部側の前記基板エリアと前記真空チャンバーの内壁面との間にそれぞれ配設され、片側（前記基板エリアに対向する側）に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面を有し、基板を冷却する冷却パネル（第１冷却パネル）と、隣接する前記基板エリア間に配設され、両側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面（中間吸収面）をそれぞれ有し、基板を冷却する中間冷却パネル（第２冷却パネル）と、を具備したことを要旨とする。 The feature of the present invention is an array antenna type in which a thin film is formed on the surface of a substrate by generating a plasma in a vacuum atmosphere and attaching a component of a material gas decomposed by the plasma to the surface of the substrate. In the CVD plasma apparatus, a vacuum chamber capable of depressurizing the inside to a vacuum state, a gas supply source for supplying a material gas to the inside of the vacuum chamber, and an interval in an arrangement direction set in advance in the vacuum chamber A plurality of antenna elements arranged at intervals in a direction perpendicular to the arrangement direction on the same plane, each of which has a substrate area on which a substrate can be set, and plasma A plurality of array antennas for generating a high-frequency power supply for supplying high-frequency power to each array antenna (each antenna element in each array antenna), Between the substrate area on one end side in the arrangement direction and the inner wall surface of the vacuum chamber and between the substrate area on the other end side in the arrangement direction and the inner wall surface of the vacuum chamber. And has an absorption surface capable of absorbing radiant heat from the substrate on one side (side facing the substrate area), and is disposed between the cooling panel (first cooling panel) for cooling the substrate and the adjacent substrate area. The present invention is summarized in that it has an absorption surface (intermediate absorption surface) capable of absorbing radiant heat from the substrate on both sides and an intermediate cooling panel (second cooling panel) for cooling the substrate.
なお、特許請求の範囲及び明細書において、「設けられ」とは、直接的に設けられたことの他に、別部材を介して間接的に設けられたことを含む意であって、「配設され」とは、直接的に配設されたことの他に、別部材を介して間接的に配設されたことを含む意である。また、「アンテナ素子」には、誘導結合型電極、容量結合型電極等が用いられる。 In the claims and specification, “provided” means not only directly provided but also indirectly provided through another member, and The term “provided” is intended to include being disposed directly via another member in addition to being disposed directly. Further, for the “antenna element”, an inductively coupled electrode, a capacitively coupled electrode, or the like is used.
本発明の特徴によると、各基板エリアに基板をセットした状態で、前記真空チャンバーの内部を真空状態に減圧すると共に、前記ガス供給源によって前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給する。そして、前記高周波電源によって各アレイアンテナに高周波波電力を供給することにより、各アレイアンテナの周辺にプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を各基板の表面に付着させる。これにより、各基板の表面に薄膜を成膜することができる。 According to the feature of the present invention, the inside of the vacuum chamber is decompressed to a vacuum state while the substrate is set in each substrate area, and the material gas is supplied to the inside of the vacuum chamber by the gas supply source. Then, by supplying high-frequency wave power to each array antenna by the high-frequency power source, plasma gas is generated around each array antenna, and the component of the material gas decomposed by the plasma is attached to the surface of each substrate. Thereby, a thin film can be formed on the surface of each substrate.
ここで、成膜処理中に、各冷却パネルを適宜に作動させることにより、前記配設方向の端部側（一端部側又は他端部側）の前記基板エリアにセットされた基板（端部側の基板）からの輻射熱を前記冷却パネルの前記吸収面によって吸収して、端部側の基板を冷却する。また、各中間冷却パネルを適宜に作動させることにより、前記配設方向の中間側の前記基板エリアにセットされた基板（中間側の基板）からの輻射熱を前記中間冷却パネルの前記吸収面によって吸収して、中間側の基板を冷却する。これにより、前記高周波電源から各アレイアンテナに供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高めても、各基板の表面温度が過度に上昇することを抑えて、各基板の表面温度を適正な温度（温度範囲）に保つことができる。 Here, the substrate (end portion) set in the substrate area on the end side (one end side or the other end side) in the arrangement direction by appropriately operating each cooling panel during the film forming process. Radiant heat from the side substrate) is absorbed by the absorption surface of the cooling panel to cool the end side substrate. Further, by appropriately operating each intermediate cooling panel, radiant heat from the substrate (intermediate substrate) set in the substrate area on the intermediate side in the arrangement direction is absorbed by the absorption surface of the intermediate cooling panel. Then, the substrate on the intermediate side is cooled. Thereby, even if the high frequency power supplied from the high frequency power supply to each array antenna is increased and the plasma density around each array antenna is increased, the surface temperature of each substrate is suppressed from excessively rising, The surface temperature of the substrate can be maintained at an appropriate temperature (temperature range).
本発明によれば、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高めても、各基板の表面温度を適正な温度に保つことができるため、前記アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることができる。 According to the present invention, even if the plasma density around each array antenna is increased, the surface temperature of each substrate can be maintained at an appropriate temperature, so that the productivity of the array antenna CVD plasma apparatus can be increased to a high level. The quality of the thin film can be improved while improving.
本発明の実施形態について図１から図５を参照して説明する。なお、図面中、「ＦＦ」は前方向、「ＦＲ」は後方向、「Ｌ」は左方向、「Ｒ」は右方向、「Ｕ」は上方向、「Ｄ」は下方向をそれぞれ指してある。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the drawings, “FF” indicates the forward direction, “FR” indicates the backward direction, “L” indicates the left direction, “R” indicates the right direction, “U” indicates the upward direction, and “D” indicates the downward direction. is there.
図１及び図２に示すように、本発明の実施形態に係るアレイアンテナ方式のＣＶＤプラズマ装置１は、真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板Ｗの表面に付着させることにより、基板Ｗの表面に非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜（図示省略）を成膜（形成）する装置である。 As shown in FIGS. 1 and 2, the array antenna type CVD plasma apparatus 1 according to the embodiment of the present invention generates a plasma in a vacuum atmosphere, and converts the component of the material gas decomposed by the plasma into the substrate W. This is an apparatus for forming (forming) a thin film (not shown) such as an amorphous silicon film or a microcrystalline silicon film on the surface of the substrate W by adhering to the surface.
アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置１は、箱型の真空チャンバー３を具備しており、この真空チャンバー３は、真空圧を発生させる真空ポンプ等の真空圧発生源５に接続されてあって、内部を真空状態に減圧可能である。また、真空チャンバー３は、箱型のチャンバー本体７の備えており、このチャンバー本体７は、正面側（前側）にフロント開口部７ａ、背面側（後側）にリア開口部７ｂ、両側面側（左側及び右側）にサイド開口部７ｃをそれぞれ有している。更に、チャンバー本体７の正面側には、フロント開口部７ａを開閉するフロント壁９が設けられており、チャンバー本体７の背面側には、リア開口部７ｂを開閉するリア壁１１が設けられている。そして、チャンバー本体７の両側面側には、サイド開口部７ｃを開閉するサイド壁（ゲートバルブを含む）１３がそれぞれ設けられており、チャンバー本体７の上側には、天井壁１５が設けられている。なお、フロント壁９の内壁面、リア壁１１の内壁面、サイド壁１３の内壁面、及び天井壁１５の内壁面は、それぞれ真空チャンバー３の内壁面に相当する。 The array antenna type CVD plasma apparatus 1 includes a box-shaped vacuum chamber 3, which is connected to a vacuum pressure generating source 5 such as a vacuum pump for generating a vacuum pressure, and has an internal structure. Can be reduced to a vacuum state. The vacuum chamber 3 includes a box-shaped chamber body 7. The chamber body 7 has a front opening 7a on the front side (front side), a rear opening 7b on the back side (rear side), and both side surfaces. Side openings 7c are respectively provided on the left side and the right side. Further, a front wall 9 for opening and closing the front opening 7 a is provided on the front side of the chamber body 7, and a rear wall 11 for opening and closing the rear opening 7 b is provided on the back side of the chamber body 7. Yes. Further, side walls (including gate valves) 13 for opening and closing the side openings 7 c are respectively provided on both side surfaces of the chamber body 7, and a ceiling wall 15 is provided on the upper side of the chamber body 7. Yes. The inner wall surface of the front wall 9, the inner wall surface of the rear wall 11, the inner wall surface of the side wall 13, and the inner wall surface of the ceiling wall 15 correspond to the inner wall surface of the vacuum chamber 3.
真空チャンバー３の外側の適宜位置には、真空チャンバー３の内部側へ材料ガスを供給するガス供給ポンプ等のガス供給源１７が配設されている。 A gas supply source 17 such as a gas supply pump for supplying a material gas to the inside of the vacuum chamber 3 is disposed at an appropriate position outside the vacuum chamber 3.
真空チャンバー３の内部には、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナ１９が予め設定した配設方向（本発明の実施形態にあっては、真空チャンバー３の奥行き方向（前後方向））に間隔を置いて配設されている。また、各アレイアンテナ１９は、垂直状態で同一平面上に前記配設方向に直交する方向（本発明の実施形態にあっては、真空チャンバー３の幅方向（左右方向））へ間隔を置いて配設された複数本のアンテナ素子としてのＵ字形状の複数本の誘導結合型電極２１を備えており、各アレイアンテナ１９の片側又は両側には、垂直状態の基板Ｗをセット可能な基板エリアＡが形成されている。そして、真空チャンバー３の外側の適宜位置には、各アレイアンテナ１９（各アレイアンテナ１９における各誘導結合型電極２１）に高周波電力を供給する高周波電源２３が配設されている。 Inside the vacuum chamber 3, a plurality of array antennas 19 that generate plasma are spaced in the predetermined arrangement direction (in the embodiment of the present invention, the depth direction (front-rear direction) of the vacuum chamber 3). Arranged. In addition, the array antennas 19 are spaced apart in the direction perpendicular to the arrangement direction on the same plane in the vertical state (in the embodiment of the present invention, the width direction (left-right direction) of the vacuum chamber 3). A plurality of U-shaped inductively coupled electrodes 21 serving as a plurality of antenna elements arranged, and a substrate area in which a vertical substrate W can be set on one side or both sides of each array antenna 19 A is formed. A high-frequency power source 23 that supplies high-frequency power to each array antenna 19 (each inductively coupled electrode 21 in each array antenna 19) is disposed at an appropriate position outside the vacuum chamber 3.
図２に示すように、各誘導結合型電極２１は、上端部が天井壁１５にコネクタ２５を介して着脱可能に連結されかつ高周波電源２３の供給側（非接地側）に電気的に接続された第１電極棒２７と、上端部が天井壁１５にコネクタ２９を介して着脱可能に連結されかつ第１電極棒２７に対して平行であってかつ高周波電源２３の接地側に電気的に接続された第２電極棒３１と、第１電極棒２７の下端部と第２電極棒３１の下端部との間に電気的に接続するように連結された接続金具３３とを備えている。また、各第１電極棒２７は、前述の特許文献１（特開２００４−１４３５９２号公報）に示すように、外側にセラミックス又は樹脂等の誘電体からなる外筒（図示省略）を有しており、各第２電極棒３１の内部は、ガス供給源１７に接続可能であって、各第２電極棒３１の外周面には、基板エリアＡに向かって材料ガスを噴出する複数の噴出孔（図示省略）が上下方向（第２電極棒３１の長手方向）に沿って形成されている。 As shown in FIG. 2, each inductively coupled electrode 21 has an upper end portion removably coupled to the ceiling wall 15 via a connector 25 and electrically connected to the supply side (non-grounded side) of the high-frequency power source 23. The first electrode rod 27 and the upper end of the first electrode rod 27 are detachably connected to the ceiling wall 15 via a connector 29 and are parallel to the first electrode rod 27 and electrically connected to the ground side of the high-frequency power source 23. The second electrode rod 31 and the connection fitting 33 connected to be electrically connected between the lower end portion of the first electrode rod 27 and the lower end portion of the second electrode rod 31 are provided. Further, each first electrode rod 27 has an outer cylinder (not shown) made of a dielectric material such as ceramics or resin on the outside as shown in the above-mentioned Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-143592). The inside of each second electrode rod 31 can be connected to the gas supply source 17, and a plurality of ejection holes for ejecting the material gas toward the substrate area A are formed on the outer peripheral surface of each second electrode rod 31. (Not shown) is formed along the vertical direction (longitudinal direction of the second electrode rod 31).
なお、アレイアンテナ１９に複数本のアンテナ素子としてＵ字形状の複数本の誘導結合型電極２１を用いる代わりに、Ｉ字形状の複数本の誘導結合型電極又は複数本の容量結合型電極等を用いても構わない。 Instead of using a plurality of U-shaped inductively coupled electrodes 21 as a plurality of antenna elements for the array antenna 19, a plurality of I-shaped inductively coupled electrodes or a plurality of capacitively coupled electrodes are used. You may use.
図１及び図２に示すように、真空チャンバー３の内部の床面には、左右方向へ延びた一対のガイドレール３５が設けられており、一対のガイドレール３５には、台車３７が左右方向へ移動可能に設けられている。換言すれば、真空チャンバー３の内部の床面には、台車３７が一対のガイドレール３５を介して左右方向へ移動可能に設けられている。また、台車３７は、チャンバー本体７のサイド開口部７ｃを介して真空チャンバー３の内部に送り出し及び引き出し可能である。そして、台車３７には、垂直状態の１枚又は２枚の基板Ｗを保持する枠状の複数の基板ホルダ３９が前後方向に間隔を置いて立設されてある。なお、台車３７を真空チャンバー３の内部における基準の台車送り出し位置（図２に示す位置）に送り出すことによって、各基板エリアＡに基板Ｗがセットされるようになっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of guide rails 35 extending in the left-right direction are provided on the floor inside the vacuum chamber 3, and a carriage 37 is disposed in the left-right direction on the pair of guide rails 35. It is provided to be movable. In other words, the carriage 37 is provided on the floor inside the vacuum chamber 3 so as to be movable in the left-right direction via the pair of guide rails 35. Further, the carriage 37 can be sent out and pulled out into the vacuum chamber 3 through the side opening 7 c of the chamber body 7. A plurality of frame-like substrate holders 39 holding one or two substrates W in a vertical state are erected on the carriage 37 at intervals in the front-rear direction. The substrate W is set in each substrate area A by sending the carriage 37 to a reference carriage delivery position (position shown in FIG. 2) inside the vacuum chamber 3.
図１及び図３に示すように、フロント壁９の内壁面及びリア壁１１の内壁面には、基板Ｗを冷却する矩形の冷却パネル（第１冷却パネル）４１がブラケット４３を介してそれぞれ垂直に配設されおり、換言すれば、前端部側（前記配設方向の一端部側）の基板エリアＡとフロント壁９の内壁面との間及び後端部側（前記配設方向の他端部側）の基板エリアＡとリア壁１１の内壁面との間には、冷却パネル４１がブラケット４３を介してそれぞれ垂直に配設されている。そして、各冷却パネル４１の具体的な構成は、次のようになる。 As shown in FIGS. 1 and 3, a rectangular cooling panel (first cooling panel) 41 for cooling the substrate W is vertically arranged on the inner wall surface of the front wall 9 and the rear wall 11 via a bracket 43. In other words, between the substrate area A on the front end side (one end side in the arrangement direction) and the inner wall surface of the front wall 9 and on the rear end side (the other end in the arrangement direction). The cooling panel 41 is vertically disposed via a bracket 43 between the substrate area A on the (part side) and the inner wall surface of the rear wall 11. And the concrete structure of each cooling panel 41 is as follows.
各冷却パネル４１は、フロント壁９の内壁面又はリア壁１１の内壁面にブラケット４３を介して設けられた矩形の冷却パネル本体（第１冷却パネル本体）４５を備えており、この冷却パネル本体４５は、アルミ等の金属により構成されている。また、冷却パネル本体４５は、片側（基板エリアＡに対向する側）に基板Ｗからの輻射熱を吸収可能な吸収面４５ｆを有してあって、冷却パネル本体４５の吸収面４５ｆには、アルミナ等のセラミックスのコーティング処理が施されている（図中において、コーティング処理を施した部位には、グレー着色を施してある）。更に、冷却パネル本体４５の内部には、温調した冷却油（冷熱媒の一例）を循環させるための蛇行状の循環流路（第１循環流路）４７が形成されており、冷却パネル本体４５の吸収面４５ｆは、冷却油の循環により温度制御可能になっている。そして、冷却パネル本体４５の左側上端部には、循環流路４７に冷却油を導入する導入管（第１導入管）４９が一体的に設けられており、この導入管４９は、フロント壁９の左部及びリア壁１１の左部を気密的に挿通してある。更に、冷却パネル本体４５の右側上端部には、循環流路４７から冷却油を導出する導出管（第１導出管）５１が設けられており、この導出管５１は、フロント壁９の右部及びリア壁１１の右部を気密的に挿通してある。 Each cooling panel 41 includes a rectangular cooling panel main body (first cooling panel main body) 45 provided on the inner wall surface of the front wall 9 or the inner wall surface of the rear wall 11 via a bracket 43. 45 is comprised with metals, such as aluminum. Further, the cooling panel main body 45 has an absorption surface 45f capable of absorbing radiant heat from the substrate W on one side (side facing the substrate area A), and the absorption surface 45f of the cooling panel main body 45 includes alumina. A ceramic coating such as the above is applied (in the drawing, the portion subjected to the coating treatment is colored in gray). Furthermore, a meandering circulation channel (first circulation channel) 47 for circulating temperature-controlled cooling oil (an example of a cooling medium) is formed inside the cooling panel body 45, and the cooling panel body The temperature of the absorption surface 45f of 45 can be controlled by circulating the cooling oil. An inlet pipe (first inlet pipe) 49 for introducing cooling oil into the circulation channel 47 is integrally provided at the upper left end of the cooling panel main body 45, and the inlet pipe 49 is connected to the front wall 9. And the left part of the rear wall 11 are hermetically inserted. Furthermore, an outlet pipe (first outlet pipe) 51 for leading the cooling oil from the circulation flow path 47 is provided at the upper right end of the cooling panel main body 45, and this outlet pipe 51 is connected to the right portion of the front wall 9. And the right part of the rear wall 11 is inserted airtightly.
なお、各冷却パネル４１がフロント壁９の内壁面又はリア壁１１の内壁面に垂直に配設される代わりに、一方のサイド壁１３の内壁面に垂直に配設されるようにしても構わない。 Each cooling panel 41 may be arranged vertically on the inner wall surface of one side wall 13 instead of being arranged perpendicular to the inner wall surface of the front wall 9 or the inner wall surface of the rear wall 11. Absent.
図１及び図４に示すように、天井壁１５の内壁面における各隣接する基板エリアＡ間には、基板Ｗを冷却する矩形の中間冷却パネル（第２冷却パネル）５３がブラケット５５を介して垂直に配設されている。そして、各中間冷却パネル５３の具体的な構成は、次のようになる。 As shown in FIGS. 1 and 4, a rectangular intermediate cooling panel (second cooling panel) 53 that cools the substrate W is interposed between the adjacent substrate areas A on the inner wall surface of the ceiling wall 15 via a bracket 55. It is arranged vertically. The specific configuration of each intermediate cooling panel 53 is as follows.
各中間冷却パネル５３は、天井壁１５の内壁面にブラケット５５を介して設けられた矩形の中間冷却パネル本体（第２冷却パネル本体）５７を備えており、この中間冷却パネル本体５７は、アルミ等の金属により構成されている。また、中間冷却パネル本体５７は、両側（前側及び後側）に基板Ｗからの輻射熱を吸収可能な吸収面５７ｆをそれぞれ有してあって、中間冷却パネル本体５７の各吸収面５７ｆには、アルミナ等のセラミックスのコーティング処理が施されている（図中において、コーティング処理を施した部位には、グレー着色を施してある）。更に、中間冷却パネル本体５７の内部には、温調した冷却油（冷熱媒の一例）を循環させるための蛇行状の中間循環流路（第２循環流路）５９が形成されており、中間冷却パネル本体５７の吸収面５７ｆは、冷却油の循環により温度制御可能になっている。そして、中間冷却パネル本体５７の左側上端部には、中間循環流路５９に冷却油を導入する中間導入管（第２導入管）６１が一体的に設けられており、この中間導入管６１は、天井壁１５の左部を気密的に挿通してある。更に、中間冷却パネル本体５７の右側上端部には、中間循環流路５９から冷却油を導出する中間導出管（第２導出管）６３が一体的に設けられており、この中間導出管６３は、天井壁１５の右部を気密的に挿通してある。 Each intermediate cooling panel 53 includes a rectangular intermediate cooling panel main body (second cooling panel main body) 57 provided on the inner wall surface of the ceiling wall 15 via a bracket 55. The intermediate cooling panel main body 57 is made of aluminum. It is comprised with metals, such as. The intermediate cooling panel main body 57 has absorption surfaces 57f that can absorb the radiant heat from the substrate W on both sides (front and rear sides), and each absorption surface 57f of the intermediate cooling panel main body 57 includes A ceramic coating such as alumina is applied (in the drawing, the portion subjected to the coating is gray-colored). Furthermore, a meandering intermediate circulation channel (second circulation channel) 59 for circulating a temperature-controlled cooling oil (an example of a cooling medium) is formed inside the intermediate cooling panel main body 57, The temperature of the absorption surface 57f of the cooling panel main body 57 can be controlled by circulating cooling oil. An intermediate introduction pipe (second introduction pipe) 61 that introduces cooling oil into the intermediate circulation flow path 59 is integrally provided at the upper left end of the intermediate cooling panel main body 57. The left part of the ceiling wall 15 is inserted in an airtight manner. Further, an intermediate outlet pipe (second outlet pipe) 63 for leading cooling oil from the intermediate circulation passage 59 is integrally provided at the upper right end of the intermediate cooling panel main body 57. The right part of the ceiling wall 15 is inserted in an airtight manner.
なお、各中間冷却パネル５３が天井壁１５の内壁面に垂直に配設される代わりに、一方のサイド壁１３の内壁面に垂直に配設されるようにしても構わない。 Each intermediate cooling panel 53 may be arranged perpendicular to the inner wall surface of one side wall 13 instead of being arranged perpendicular to the inner wall surface of the ceiling wall 15.
図３及び図５に示すように、真空チャンバー３の外側には、各冷却パネル本体４５の循環流路４７及び各中間冷却パネル本体５７の中間循環流路５９に温調した冷却油を循環させるサーキュレータ（循環ユニット）６５が配設されている。そして、サーキュレータ６５の往き側は、各冷却パネル４１の導入管４９及び各中間冷却パネル５３の中間導入管６１に往き回路（往き配管）６７を介して接続されてあって、サーキュレータ６５の戻り側は、各冷却パネル４１の導出管５１及び各中間冷却パネル５３の中間導出管６３に戻り回路（戻り配管）６９を介して接続されている。また、サーキュレータ６５は、サーキュレータ６５の戻り側に配設されかつ冷却油と外気等とを熱交換する熱交換器７１と、サーキュレータ６５の往き側に配設されかつ冷却油を加熱するヒーター７３と、熱交換器７１とヒーター７３との間に配設されかつ冷却油を圧送するポンプ７５とを備えている。 As shown in FIGS. 3 and 5, outside the vacuum chamber 3, the temperature-controlled cooling oil is circulated in the circulation flow path 47 of each cooling panel main body 45 and the intermediate circulation flow path 59 of each intermediate cooling panel main body 57. A circulator (circulation unit) 65 is provided. The forward side of the circulator 65 is connected to the introduction pipe 49 of each cooling panel 41 and the intermediate introduction pipe 61 of each intermediate cooling panel 53 via a forward circuit (forward pipe) 67, and the return side of the circulator 65. Are connected to the outlet pipe 51 of each cooling panel 41 and the intermediate outlet pipe 63 of each intermediate cooling panel 53 via a return circuit (return pipe) 69. The circulator 65 includes a heat exchanger 71 disposed on the return side of the circulator 65 and exchanging heat between the cooling oil and the outside air, and a heater 73 disposed on the forward side of the circulator 65 and heating the cooling oil. And a pump 75 disposed between the heat exchanger 71 and the heater 73 and pumping the cooling oil.
本発明の実施形態の作用及び効果について説明する。 The operation and effect of the embodiment of the present invention will be described.
まず、サーキュレータ６５によって各冷却パネル本体４５の循環流路４７及び各中間冷却パネル本体５７の中間循環流路５９に温調した冷却油を循環させる（換言すれば、各冷却パネル４１及び各中間冷却パネル５３を適宜に作動させる）ことにより、真空チャンバー３の内部の温度を所定の温度（本発明の実施形態にあっては、例えば１００〜３００℃）まで昇温させる。次に、台車３７を真空チャンバー３の内部における基準の台車送り出し位置に送り出すことにより、各基板Ｗを対応する基板エリアＡにセットする。続いて、真空圧発生源５によって真空チャンバー３の内部へ真空状態に減圧する。また、ガス供給源１７によって真空チャンバー３の内部側へ材料ガスを供給することにより、各第２電極棒３１の各噴出孔から基板エリアＡに向かって材料ガスを噴射する。そして、高周波電源２３によって各アレイアンテナ１９に高周波波電力を供給することにより、各アレイアンテナ１９の周辺にプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を各基板Ｗの表面に付着させる。これにより、各基板Ｗの表面に非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜を成膜（形成）することができる。 First, the circulator 65 circulates the temperature-controlled cooling oil through the circulation passage 47 of each cooling panel body 45 and the intermediate circulation passage 59 of each intermediate cooling panel body 57 (in other words, each cooling panel 41 and each intermediate cooling passage). By appropriately operating the panel 53, the temperature inside the vacuum chamber 3 is raised to a predetermined temperature (for example, 100 to 300 ° C. in the embodiment of the present invention). Next, each substrate W is set in the corresponding substrate area A by sending the carriage 37 to a reference carriage delivery position inside the vacuum chamber 3. Subsequently, the inside of the vacuum chamber 3 is reduced to a vacuum state by the vacuum pressure generation source 5. Further, by supplying the material gas to the inside of the vacuum chamber 3 by the gas supply source 17, the material gas is ejected from each ejection hole of each second electrode rod 31 toward the substrate area A. Then, by supplying high-frequency wave power to each array antenna 19 from the high-frequency power source 23, plasma is generated around each array antenna 19 and the component of the material gas decomposed by the plasma is attached to the surface of each substrate W. Let Thereby, a thin film such as an amorphous silicon film or a microcrystalline silicon film can be formed (formed) on the surface of each substrate W.
ここで、成膜処理中に、サーキュレータ６５によって各冷却パネル本体４５の循環流路４７に温調した冷却油を循環させることにより、前側（前記配設方向の一端部側）及び後側（前記配設方向の他端部側）の基板エリアＡにセットされた基板（端部側の基板）Ｗからの輻射熱を冷却パネル本体４５の吸収面４５ｆによって吸収して、端部側の基板Ｗを冷却する。また、サーキュレータ６５によって各中間冷却パネル本体５７の中間循環流路５９に温調した冷却油を循環させることにより、中間側（前記配設方向の中間側）の基板エリアＡにセットされた基板（中間側の基板）Ｗからの輻射熱を中間冷却パネル本体５７の吸収面５７ｆによって吸収して、中間側の基板Ｗを冷却する。これにより、高周波電源２３から各アレイアンテナ１９に供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナ１９の周辺のプラズマ密度を高めても、各基板Ｗの表面温度が過度に上昇することを抑えて、各基板Ｗの表面温度を適正な温度範囲（本発明の実施形態にあっては、例えば１５０〜３００℃）に保つことができる。 Here, during the film forming process, the circulator 65 circulates the temperature-controlled cooling oil in the circulation flow path 47 of each cooling panel body 45, whereby the front side (one end side in the arrangement direction) and the rear side (the above-described side). Radiant heat from the substrate (substrate on the end portion side) W set in the substrate area A on the other end side in the arrangement direction is absorbed by the absorption surface 45f of the cooling panel body 45, and the substrate W on the end portion side is absorbed. Cooling. In addition, by circulating the cooling oil adjusted in temperature to the intermediate circulation passage 59 of each intermediate cooling panel main body 57 by the circulator 65, the substrate set in the substrate area A on the intermediate side (the intermediate side in the arrangement direction) ( Radiant heat from the intermediate substrate (W) is absorbed by the absorption surface 57f of the intermediate cooling panel body 57 to cool the intermediate substrate W. As a result, even if the high frequency power supplied from the high frequency power supply 23 to each array antenna 19 is increased and the plasma density around each array antenna 19 is increased, the surface temperature of each substrate W is prevented from excessively rising. Thus, the surface temperature of each substrate W can be maintained in an appropriate temperature range (for example, 150 to 300 ° C. in the embodiment of the present invention).
特に、各冷却パネル本体４５の吸収面４５ｆ及び各中間冷却パネル本体５７の吸収面５７ｆにセラミックスのコーティング処理が施されているため、各冷却パネル本体４５の吸収面４５ｆ及び各中間冷却パネル本体５７の吸収面５７ｆの熱吸収率を高めて、各基板Ｗの表面温度が過度に上昇することを十分かつ確実に抑えることができる。 Particularly, since the ceramic coating is applied to the absorption surface 45f of each cooling panel body 45 and the absorption surface 57f of each intermediate cooling panel body 57, the absorption surface 45f of each cooling panel body 45 and each intermediate cooling panel body 57 Thus, it is possible to sufficiently and reliably suppress the surface temperature of each substrate W from rising excessively.
従って、本発明の実施形態によれば、各アレイアンテナ１９の周辺のプラズマ密度を高めても、各基板Ｗの表面温度を適正な温度範囲に保つことができるため、アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置１の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることができる。 Therefore, according to the embodiment of the present invention, even if the plasma density around each array antenna 19 is increased, the surface temperature of each substrate W can be maintained in an appropriate temperature range. The quality of the thin film can be improved while improving the productivity of 1 to a high level.
なお、本発明は、前述の実施形態の説明に限るものでなく、次のように種々の態様で実施可能である。 In addition, this invention is not restricted to description of the above-mentioned embodiment, It can implement in a various aspect as follows.
即ち、各冷却パネル本体４５の吸収面４５ｆが冷却油の循環より温度制御可能にする代わりに、熱源（冷熱源）からの熱伝達又はヒートパイプによる熱伝達により温度制御可能にしても構わない。同様に、各中間冷却パネル本体５７の吸収面５７ｆを冷却油の循環により温度制御可能にする代わりに、熱源からの熱伝達又はヒートパイプによる熱伝達により温度制御可能にしても構わない。また、冷却油の代わりに、冷却水等の別の冷熱媒（熱媒）を各冷却パネル本体４５の循環流路４７及び各中間冷却パネル本体５７の中間循環流路５９に循環させるようにしても構わない。
複数のアレイアンテナ１９の前記配設方向を真空チャンバー３の奥行き方向（前後方向）とする代わりに、上下方向としても構わない。この場合には、各アレイアンテナ１９における複数本の誘導結合型電極２１は水平状態で同一平面上に前記配設方向に直交する方向（左右方向）へ間隔を置いて配設されると共に、各アレイアンテナ１９の片側又は両側に水平状態の基板Ｗをセット可能な基板エリア（図示省略）が形成されることになる。また、冷却パネル４１は前記配設方向の一端側の基板エリアと真空チャンバー３の内壁面との間及び前記配設方向の他端側の基板エリアと真空チャンバー３の内壁面との間にそれぞれ水平に配設されると共に、中間冷却パネル５３は各隣接する基板エリアの間に水平に配設されることになる。
In other words, the temperature of the absorption surface 45f of each cooling panel body 45 may be controlled by heat transfer from a heat source (cold heat source) or heat transfer by a heat pipe instead of enabling temperature control by circulation of cooling oil. Similarly, the temperature of the absorption surface 57f of each intermediate cooling panel main body 57 may be controlled by heat transfer from a heat source or heat transfer by a heat pipe instead of making the temperature control by circulation of cooling oil. Further, instead of the cooling oil, another cooling medium (heating medium) such as cooling water is circulated through the circulation passage 47 of each cooling panel body 45 and the intermediate circulation passage 59 of each intermediate cooling panel body 57. It doesn't matter.
The arrangement direction of the plurality of array antennas 19 may be the vertical direction instead of the depth direction (front-rear direction) of the vacuum chamber 3. In this case, the plurality of inductively coupled electrodes 21 in each array antenna 19 are arranged in the horizontal state on the same plane with a gap in the direction (left-right direction) perpendicular to the arrangement direction. A substrate area (not shown) in which a horizontal substrate W can be set is formed on one side or both sides of the array antenna 19. The cooling panel 41 is provided between the substrate area on one end side in the arrangement direction and the inner wall surface of the vacuum chamber 3 and between the substrate area on the other end side in the arrangement direction and the inner wall surface of the vacuum chamber 3. In addition to being horizontally disposed, the intermediate cooling panel 53 is horizontally disposed between the adjacent substrate areas.
そして、本発明に包含される権利範囲は、これらの実施形態に限定されないものである。 The scope of rights encompassed by the present invention is not limited to these embodiments.
Ａ 基板エリア
Ｗ 基板
１ アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置
３ 真空チャンバー
５ 真空圧発生源
７ チャンバー本体
７ａ チャンバー本体のフロント開口部
７ｂ チャンバー本体のリア開口部
７ｃ チャンバー本体のサイド開口部
９ フロント壁
１１ リア壁
１３ サイド壁
１５ 天井壁
１７ ガス供給源
１９ アレイアンテナ
２１ 誘導結合型電極
２３ 高周波電源
２７ 第１電極棒
３１ 第２電極棒
３３ 接続金具
３５ ガイドレール
３７ 台車
３９ 基板ホルダ
４１ 冷却パネル
４３ ブラケット
４５ 冷却パネル本体
４５ｆ 冷却パネル本体の吸収面
４７ 循環流路
４９ 導入管
５１ 導出管
５３ 中間冷却パネル
５５ ブラケット
５７ 中間冷却パネル本体
５７ｆ 中間冷却パネル本体の吸収面
５９ 中間循環流路
６１ 中間導入管
６３ 中間導出管
６５ サーキュレータ
７１ 熱交換器
７３ ヒーター
７５ ポンプ
A Substrate area W Substrate 1 Array antenna type CVD plasma apparatus 3 Vacuum chamber 5 Vacuum pressure source 7 Chamber body 7a Front opening of chamber body 7b Rear opening of chamber body 7c Side opening of chamber body 9 Front wall 11 Rear Wall 13 Side wall 15 Ceiling wall 17 Gas supply source 19 Array antenna 21 Inductively coupled electrode 23 High frequency power supply 27 First electrode rod 31 Second electrode rod 33 Connecting bracket 35 Guide rail 37 Carriage 39 Substrate holder 41 Cooling panel 43 Bracket 45 Cooling Panel main body 45f Cooling panel main body absorption surface 47 Circulation flow path 49 Inlet pipe 51 Outlet pipe 53 Intermediate cooling panel 55 Bracket 57 Intermediate cooling panel main body 57f Absorption surface 59 of intermediate cooling panel main body Intermediate circulation flow path 61 Intermediate introduction pipe 63 Intermediate out Tube 65 circular Motor 71 heat exchanger 73 Heater 75 pump
Claims (4)
内部を真空状態に減圧可能な真空チャンバーと、
前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給するガス供給源と、
前記真空チャンバーの内部に予め設定した配設方向に間隔を置いて配設され、同一平面上に前記配設方向に直交する方向に間隔を置いて配列された複数本のアンテナ素子を備え、両側に基板をセット可能な基板エリアがそれぞれ形成され、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナと、
各アレイアンテナに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記配設方向の一端部側の前記基板エリアと前記真空チャンバーの内壁面との間及び前記配設方向の他端部側の前記基板エリアと前記真空チャンバーの内壁面との間にそれぞれ配設され、片側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面を有し、基板を冷却する冷却パネルと、
隣接する前記基板エリア間に配設され、両側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面をそれぞれ有し、基板を冷却する中間冷却パネルと、を具備したことを特徴とするアレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置。 In an array antenna type CVD plasma apparatus that forms a thin film on the surface of a substrate by attaching a component of a material gas decomposed by the plasma to the surface of the substrate while generating plasma in a vacuum atmosphere,
A vacuum chamber capable of depressurizing the inside to a vacuum state;
A gas supply source for supplying a material gas to the inside of the vacuum chamber;
Provided with a plurality of antenna elements arranged in the vacuum chamber at intervals in a predetermined arrangement direction and arranged at intervals in a direction perpendicular to the arrangement direction on the same plane. A plurality of array antennas each generating a substrate area on which a substrate can be set and generating plasma;
A high frequency power supply for supplying high frequency power to each array antenna; and
Arranged between the substrate area on one end side in the arrangement direction and the inner wall surface of the vacuum chamber, and between the substrate area on the other end side in the arrangement direction and the inner wall surface of the vacuum chamber, respectively. A cooling panel for cooling the substrate, having an absorption surface capable of absorbing radiant heat from the substrate on one side;
An array antenna type CVD comprising: an intermediate cooling panel disposed between adjacent substrate areas, each having an absorption surface capable of absorbing radiant heat from the substrate on both sides, and cooling the substrate. Plasma device.
Priority Applications (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015158156A (en) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 株式会社デンソー | Scroll compressor |
| US9153795B2 (en) | 2013-08-27 | 2015-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus manufacturing method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07216550A (en) * | 1994-02-07 | 1995-08-15 | Kokusai Electric Co Ltd | Device for cooling substrate |
| JPH097925A (en) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate cooling device |
| WO2001019144A1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-03-15 | Anelva Corporation | Inner-electrode plasma processing apparatus and method of plasma processing |
| JP2004143592A (en) * | 2002-10-04 | 2004-05-20 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Method and apparatus for depositing thin film, method and device for manufacturing solar battery, and solar battery |
| JP2007262541A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Ihi Corp | Method for forming microcrystalline silicon film and solar cell |
-
2011
- 2011-08-26 JP JP2011184517A patent/JP2013044044A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07216550A (en) * | 1994-02-07 | 1995-08-15 | Kokusai Electric Co Ltd | Device for cooling substrate |
| JPH097925A (en) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate cooling device |
| WO2001019144A1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-03-15 | Anelva Corporation | Inner-electrode plasma processing apparatus and method of plasma processing |
| JP2004143592A (en) * | 2002-10-04 | 2004-05-20 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Method and apparatus for depositing thin film, method and device for manufacturing solar battery, and solar battery |
| JP2007262541A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Ihi Corp | Method for forming microcrystalline silicon film and solar cell |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9153795B2 (en) | 2013-08-27 | 2015-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus manufacturing method |
| JP2015158156A (en) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 株式会社デンソー | Scroll compressor |
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