JP3359049B2 - Apparatus for manufacturing porous pipe whose surface is selectively plasma-treated, and porous pipe manufactured by this manufacturing apparatus - Google Patents

Apparatus for manufacturing porous pipe whose surface is selectively plasma-treated, and porous pipe manufactured by this manufacturing apparatus

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JP3359049B2
JP3359049B2 JP06062992A JP6062992A JP3359049B2 JP 3359049 B2 JP3359049 B2 JP 3359049B2 JP 06062992 A JP06062992 A JP 06062992A JP 6062992 A JP6062992 A JP 6062992A JP 3359049 B2 JP3359049 B2 JP 3359049B2
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/006Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by plasma or corona discharge

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、真空容器内の気圧の分
布を変化させてポーラスパイプのプラズマ処理を行うこ
とにより、ポーラスパイプの表面を選択的にプラズマ処
理する方法及び装置、並びにこれにより製造されるポー
ラスパイプの発明に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for selectively plasma-treating the surface of a porous pipe by performing plasma processing on a porous pipe by changing the distribution of atmospheric pressure in a vacuum vessel. The present invention relates to an invention of a manufactured porous pipe.

【0002】[0002]

【従来の技術】複数種類の流体を混合してこれらの混合
物を得る混合装置のうちの有力なものとしては、多孔性
部材(ポーラス材)からなるポーラスパイプを使用した
混合装置が知られている。ポーラスパイプを使用した一
般的な混合装置の構成は図6に示されているとおりであ
り、不透性のケーシング13の内部にポーラスパイプ1
1が設置され、ポーラスパイプ11とケーシング13の
間に圧入室13aが形成されるようになっている。
2. Description of the Related Art As an effective mixing apparatus for obtaining a mixture of plural kinds of fluids, a mixing apparatus using a porous pipe made of a porous member (porous material) is known. . The configuration of a general mixing apparatus using a porous pipe is as shown in FIG.
1, a press-fitting chamber 13a is formed between the porous pipe 11 and the casing 13.

【0003】上記のような混合装置においては、圧入室
13aに外部から油が圧入されるようになっているが、
ポーラスパイプ11の内部は混合室とされており、ここ
にポンプ15によって水が導かれるようになっている。
原料の水はタンク17に貯留されており、ポンプ15に
よってタンク17中の水が混合室13bに導かれ、混合
室13bを透過した水は再びタンク17に戻されるよう
になっている。
In the above-described mixing apparatus, oil is press-fitted into the press-fitting chamber 13a from outside.
The inside of the porous pipe 11 is a mixing chamber, into which water is guided by a pump 15.
The raw material water is stored in the tank 17, and the water in the tank 17 is guided to the mixing chamber 13 b by the pump 15, and the water transmitted through the mixing chamber 13 b is returned to the tank 17 again.

【0004】このような混合装置においては、圧入室1
3aに圧入された油はポーラスパイプ11を浸透して混
合室13bに供給される。ここで、ポーラスパイプ11
のポーラス材は直径数ミクロンの微細孔を有しているた
めに、図7に示されるように、ポーラスパイプ11を浸
透してきた油は微細な粒子として混合室13b中の水に
供給されることになる。そして、この混合室13b内に
はポンプ15により所定の流れが形成されているため、
ポーラスパイプを浸透してきた油は直ちに水の中に分散
されることになる。このようにして、油を分散質とし、
水を分散媒とした混合物が形成されることになる。
In such a mixing apparatus, the press-fitting chamber 1
The oil pressurized into 3a penetrates the porous pipe 11 and is supplied to the mixing chamber 13b. Here, the porous pipe 11
Since the porous material has fine pores having a diameter of several microns, the oil permeating the porous pipe 11 is supplied as fine particles to the water in the mixing chamber 13b as shown in FIG. become. Since a predetermined flow is formed in the mixing chamber 13b by the pump 15,
The oil that has permeated the porous pipe will be immediately dispersed in the water. In this way, the oil becomes a dispersoid,
A mixture using water as a dispersion medium is formed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ポーラスパイプ11を用いた混合装置においては、混合
物中に形成される微粒子の特性(例えば、粒子の大き
さ)は、浸透してきた流体微粒子のポーラス材内壁から
の剥離のしやすさにも左右されるので、所望の特性を有
する混合物を得るために、ポーラスパイプ11の多くは
表面処理が施されている。
In a mixing apparatus using such a porous pipe 11, the characteristics (for example, the size of the particles) of the fine particles formed in the mixture are determined by the characteristics of the fluid fine particles that have permeated. Many of the porous pipes 11 have been subjected to a surface treatment in order to obtain a mixture having desired properties, since the porous pipes 11 are also affected by the ease of peeling from the inner wall of the porous material.

【0006】しかしながら、ポーラスパイプの表面は外
壁と内壁だけではなく、微細孔の表面(以下、孔壁とい
う)もポーラスパイプの表面であり、この孔壁表面の特
性も混合物中の微粒子の特性を決定する重要な要因とな
る。従って、ポーラスパイプの表面処理を行うにあたっ
ては、ポーラスパイプの外壁・内壁・孔壁の全ての表面
処理を行うことが必要となってくる。また、表面処理を
行うにあたっても、単に表面処理を行うだけでなく、ポ
ーラスパイプの表面に親水性あるいは疎水性の部分を自
由に形成しうることが必要である。
However, the surface of the porous pipe is not only the outer wall and the inner wall, but also the surface of the fine pores (hereinafter, referred to as the pore wall) is the surface of the porous pipe. It is an important factor to decide. Therefore, in performing the surface treatment of the porous pipe, it is necessary to perform all the surface treatments on the outer wall, the inner wall, and the hole wall of the porous pipe. Further, in performing the surface treatment, it is necessary not only to perform the surface treatment, but also to be able to freely form a hydrophilic or hydrophobic portion on the surface of the porous pipe.

【0007】ところが、ポーラスパイプの外壁・内壁・
孔壁表面の全てにわたって、親水性部分あるいは疎水性
部分の分布を自由に制御して表面処理を行い、所望の特
性を有するポーラスパイプを得ることは困難であった。
However, the outer wall, inner wall,
It has been difficult to obtain a porous pipe having desired characteristics by performing surface treatment by freely controlling the distribution of a hydrophilic portion or a hydrophobic portion over the entire pore wall surface.

【0008】本発明は以上のような課題に鑑みてなされ
たものであり、その目的は所望の部分に疎水部分又は親
水部分を有するポーラスパイプを簡易に得ることができ
るポーラスパイプの製造装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a porous pipe manufacturing apparatus capable of easily obtaining a porous pipe having a hydrophobic portion or a hydrophilic portion in a desired portion. Is to do.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】以上のような課題を解決
するために本発明においては、少量の気体が導入された
真空容器内のポーラスパイプの内壁・孔壁・外壁付近で
の圧力を調節し、圧力が調節された状態で真空容器内に
プラズマを発生させることにより該ポーラスパイプの内
壁・孔壁・外壁の表面のそれぞれに選択的にプラズマを
発生させ、これによって施された選択的なプラズマ処理
によりポーラスパイプを形成することを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention regulates the pressure near the inner wall, hole wall and outer wall of a porous pipe in a vacuum vessel into which a small amount of gas has been introduced. Then, by generating plasma in the vacuum vessel in a state where the pressure is adjusted, plasma is selectively generated on each of the inner wall, the hole wall, and the outer wall surface of the porous pipe. A porous pipe is formed by plasma processing.

【0010】すなわち、本発明に係るポーラスパイプの
製造装置においては、一端が閉じられたポーラスパイプ
が収容される真空容器と、この真空容器内そしてポーラ
スパイプ内から気体を排出する排気手段と、前記ポーラ
スパイプの他端から該ポーラスパイプ内に気体を導く気
体導入手段と、前記ポーラスパイプ内外の圧力を調整す
る圧力調整手段と、前記真空容器内の気体をプラズマ状
態にするプラズマ発生手段とを有し、前記ポーラスパイ
プの内壁・孔壁・外壁付近での圧力を調節することによ
ってプラズマの発生箇所を調節し、該ポーラスパイプの
内壁・孔壁・外壁の表面をそれぞれ選択的にプラズマ処
理することを特徴とする。なお、本発明にとって特徴的
なこのプラズマ処理を選択的プラズマ処理と定義する。
That is, in the apparatus for manufacturing a porous pipe according to the present invention, a vacuum vessel accommodating a porous pipe having one end closed, exhaust means for discharging gas from the vacuum vessel and from the porous pipe, Gas inlet means for introducing gas into the porous pipe from the other end of the porous pipe, pressure adjusting means for adjusting the pressure inside and outside the porous pipe, and plasma generating means for bringing the gas in the vacuum vessel into a plasma state are provided. Then, by adjusting the pressure near the inner wall, the hole wall, and the outer wall of the porous pipe, the location where plasma is generated is adjusted, and the surfaces of the inner wall, the hole wall, and the outer wall of the porous pipe are selectively plasma-treated. It is characterized by. Note that this plasma processing characteristic of the present invention is defined as selective plasma processing.

【0011】また、真空容器内を排気するにあたって
は、上記のように真空容器内から直接的に気体を排出す
る一方で、ポーラスパイプ内からはポーラス壁を介して
間接的に気体を排出するのとは逆に、ポーラスパイプ内
から直接的に気体を排出して真空容器内からは間接的に
気体を排出するようにしてもよい。すなわち、一端が閉
じられたポーラスパイプが収容される真空容器と、該ポ
ーラスパイプ内そして真空容器内から気体を排出する排
気手段と、前記ポーラスパイプ外に気体を導く気体導入
手段と、前記ポーラスパイプ内外の圧力を調整する圧力
調整手段と、真空容器内の気体をプラズマ状態にするプ
ラズマ発生手段とを有し、前記ポーラスパイプの内壁・
孔壁・外壁付近での圧力を調節することによってプラズ
マの発生箇所を調節し、該ポーラスパイプの表面の選択
的プラズマ処理を行うことを特徴とする。
Further, when the inside of the vacuum vessel is evacuated, the gas is directly discharged from the inside of the vacuum vessel as described above, while the gas is indirectly discharged from the inside of the porous pipe through a porous wall. Conversely, the gas may be directly discharged from the porous pipe and the gas may be discharged indirectly from the vacuum vessel. That is, a vacuum vessel accommodating a porous pipe having one end closed, exhaust means for discharging gas from inside the porous pipe and from the vacuum vessel, gas introducing means for introducing gas out of the porous pipe, and the porous pipe Pressure adjusting means for adjusting the internal and external pressures, and plasma generating means for converting the gas in the vacuum vessel into a plasma state, the inner wall of the porous pipe
The plasma generation site is adjusted by adjusting the pressure near the hole wall and the outer wall, and the surface of the porous pipe is selectively subjected to plasma processing.

【0012】更に、上記のような製造装置において、ポ
ーラスパイプ又はプラズマ発生手段を上下方向に移動さ
せる移動手段を含み、ポーラスパイプとプラズマ発生手
段とを上下方向に相対的に移動させながら該ポーラスパ
イプの表面全体を均一に選択的プラズマ処理することを
特徴とする。
Further, in the above-described manufacturing apparatus, a moving means for moving the porous pipe or the plasma generating means in the vertical direction is included, and the porous pipe and the plasma generating means are moved relatively in the vertical direction. Is characterized in that the entire surface is uniformly and selectively plasma-treated.

【0013】[0013]

【作用】以上のような構成を有する本発明のポーラスパ
イプの製造装置及び方法においては、ポーラスパイプの
内壁・孔壁・外壁付近での圧力が調節されることによっ
てプラズマの発生箇所を調節され、これによってポーラ
スパイプの内壁・孔壁・外壁の表面がそれぞれ選択的に
プラズマ処理されることとなる。このようにして、ポー
ラスパイプの内壁・孔壁・外壁にそれぞれ選択的にプラ
ズマ処理を施すことが可能となるので、内壁(又は孔
壁、外壁)部分のみがプラズマ処理されているポーラス
パイプ等を初めとして、内壁〜外壁にわたって所望のプ
ラズマ処理がされたポーラスパイプを製造することが可
能となる。
In the apparatus and method for manufacturing a porous pipe according to the present invention having the above-described structure, the plasma generation location is adjusted by adjusting the pressure near the inner wall, hole wall, and outer wall of the porous pipe. As a result, the surfaces of the inner wall, the hole wall, and the outer wall of the porous pipe are selectively plasma-treated. In this manner, it is possible to selectively perform the plasma processing on the inner wall, the hole wall, and the outer wall of the porous pipe, so that the porous pipe or the like in which only the inner wall (or the hole wall and the outer wall) is plasma-treated can be used. Initially, it is possible to manufacture a porous pipe that has been subjected to a desired plasma treatment from the inner wall to the outer wall.

【0014】ここで、プラズマ処理の際に使用される気
体の種類を変化させることによって、処理後のポーラス
パイプの壁面を親水性或いは疎水性(親油性)とするこ
とが可能となるので、親水性部分や疎水性部分が内壁〜
外壁にわたって所望の分布をしているポーラスパイプを
作成することが可能となる。また、ポーラスパイプとプ
ラズマ発生手段とを上下方向に相対的に移動させながら
選択的プラズマ処理を施すことによって、該ポーラスパ
イプの表面全体を均一に選択的プラズマ処理することが
できるようになる。
Here, by changing the type of gas used in the plasma processing, the wall surface of the porous pipe after the processing can be made hydrophilic or hydrophobic (lipophilic). The inner part is a hydrophobic part or a hydrophobic part.
It is possible to create a porous pipe having a desired distribution over the outer wall. In addition, by performing selective plasma processing while relatively moving the porous pipe and the plasma generating means in the vertical direction, it is possible to perform uniform plasma processing uniformly over the entire surface of the porous pipe.

【0015】親水性部分や疎水性部分が内壁〜外壁にわ
たって所望の分布をしているポーラスパイプは、分散質
を分散媒に良好に分散させることが可能となる。すなわ
ち、親水性の分散質が疎水性の分散質中に分散する場合
には、分散が起こる壁面が疎水性であるほうが分散質が
分散しやすくなる。逆に分散質が疎水性であった場合に
は、分散が起こる壁面が親水性であるほうが分散質が分
散質中に分散しやすくなる。
A porous pipe in which a hydrophilic portion or a hydrophobic portion has a desired distribution from the inner wall to the outer wall can satisfactorily disperse a dispersoid in a dispersion medium. That is, when a hydrophilic dispersoid is dispersed in a hydrophobic dispersoid, the dispersoid is more easily dispersed when the wall surface at which the dispersion occurs is hydrophobic. Conversely, when the dispersoid is hydrophobic, the dispersoid is more easily dispersed in the dispersoid if the wall surface on which the dispersion occurs is hydrophilic.

【0016】なお、内壁〜外壁にわたっての親水性部分
及び疎水性部分の分布状態を変化させることによって、
分散質の分散媒への分散のしやすさや、得られる混合物
の特性、すなわち分散質の粒径の大きさ、分散質の粒径
の大きさの揃い方などが調整されることとなる。
By changing the distribution of the hydrophilic portion and the hydrophobic portion over the inner wall to the outer wall,
The easiness of dispersion of the dispersoid in the dispersion medium and the characteristics of the resulting mixture, that is, the size of the particle size of the dispersoid, the manner of uniforming the particle size of the dispersoid, and the like are adjusted.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図に基
づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0018】図1は、本発明の好適な一実施例に係るポ
ーラスパイプの製造装置の構成を示す図である。
FIG. 1 is a view showing a configuration of an apparatus for manufacturing a porous pipe according to a preferred embodiment of the present invention.

【0019】本実施例に係るポーラスパイプ製造装置2
1には、真空容器23内にポーラスパイプ11が設置さ
れており、この真空容器23からは真空ポンプ25及び
27によって排気が行われるようになっている。ポーラ
スパイプ11は、上部固定部29によって上部が固定さ
れ、下部固定部31によって下部が固定されるようにな
っている。下部固定部31には、ポーラスパイプ11の
端部を閉じる調整栓33が設置されている。そして、こ
の調整栓33には弁が設置されており、ここに接続され
ているコントローラ49によってこの調整栓33の弁の
開閉状態が制御されるようになっている。
The porous pipe manufacturing apparatus 2 according to the present embodiment
1, a porous pipe 11 is installed in a vacuum vessel 23, and the vacuum vessel 23 is evacuated by vacuum pumps 25 and 27. The upper part of the porous pipe 11 is fixed by an upper fixing part 29, and the lower part is fixed by a lower fixing part 31. An adjusting plug 33 for closing the end of the porous pipe 11 is provided in the lower fixing portion 31. A valve is provided on the adjusting plug 33, and a controller 49 connected thereto controls the open / close state of the valve of the adjusting plug 33.

【0020】上部固定部29には移動回転軸34が設置
され、この移動回転軸34は駆動装置35に接続されて
いる。この駆動装置35内には、上下駆動機35a(図
示せず)と回転駆動機35b(図示せず)とが備えられ
ており、上下駆動機35aが駆動することによってポー
ラスパイプ11が上下方向に移動し、回転駆動機35b
が駆動することによってポーラスパイプ11が回転する
ようになっている。
A movable rotary shaft 34 is provided on the upper fixed portion 29, and the movable rotary shaft 34 is connected to a driving device 35. The driving device 35 includes an up-down driving device 35a (not shown) and a rotary driving device 35b (not shown). The driving of the up-down driving device 35a causes the porous pipe 11 to move in the up-down direction. Moving and rotating drive 35b
Is driven to rotate the porous pipe 11.

【0021】回転軸34の内部には流通管37が設置さ
れており、この流通管37によって、ポーラスパイプ1
1の内部からの排気と、ポーラスパイプ11内部への気
体の供給とが行えるようになっている。更には、真空容
器23には排気孔39と導入孔41とが設置されてお
り、真空ポンプ25及び27によって排気孔39から真
空容器23内の排気が行われるようになっており、一
方、導入孔41からは気体供給装置43によって所定の
種類の気体が供給されるようになっている。
A flow pipe 37 is provided inside the rotary shaft 34, and the flow pipe 37 allows the porous pipe 1 to be used.
1 and supply of gas into the porous pipe 11 can be performed. Further, the vacuum vessel 23 is provided with an exhaust hole 39 and an introduction hole 41, and the vacuum pumps 25 and 27 evacuate the vacuum vessel 23 from the exhaust hole 39. A predetermined kind of gas is supplied from the hole 41 by a gas supply device 43.

【0022】また、真空容器23には電極45が設置さ
れており、この電極45に接続されている電波発生供給
装置47から供給される電波によって真空容器23内に
プラズマが形成されるようになっている。
An electrode 45 is provided on the vacuum vessel 23, and a plasma is formed in the vacuum vessel 23 by a radio wave supplied from a radio wave generator 47 connected to the electrode 45. ing.

【0023】ここで、本装置には三方コック51が設置
されており、この三方コック51が図1に示されるよう
な状態である場合には、ポーラスパイプ11の内部に気
体が供給されると共に真空容器23内から排気が行わ
れ、これによりポーラス壁を介してポーラスパイプ11
内部から外部に気体が排気される。一方、三方コック5
1が51bのような状態にされた場合には、真空容器2
3内に気体が供給されると共にポーラスパイプ11の内
部から排気が行われ、これによりポーラス壁を介してポ
ーラスパイプ11の内部から真空容器23内の気体が排
気される。
Here, a three-way cock 51 is installed in the apparatus, and when the three-way cock 51 is in a state as shown in FIG. 1, gas is supplied into the porous pipe 11 and Evacuation is performed from the inside of the vacuum vessel 23, whereby the porous pipe 11 is
Gas is exhausted from inside to outside. On the other hand, three-way cock 5
When 1 is set to a state like 51b, the vacuum container 2
Gas is supplied to the inside of the porous pipe 3 and exhaust is performed from the inside of the porous pipe 11, whereby the gas in the vacuum vessel 23 is exhausted from the inside of the porous pipe 11 through the porous wall.

【0024】ところで、気体供給装置43から供給され
る気体がO2 やH2 OやNH3 などの親水性ガス或いは
空気などの親水性ガスの混合ガスである場合には、プラ
ズマ処理後のポーラスパイプ11の表面は親水性を有す
ることになる。一方、CH4やC2 6 などの親油性ガ
スや或いはこれらの混合ガスを真空容器23内に導いて
プラズマ処理を行った場合には、ポーラスパイプ11の
表面は疎水性を有することになる。
When the gas supplied from the gas supply device 43 is a hydrophilic gas such as O 2 , H 2 O or NH 3 or a mixed gas of hydrophilic gases such as air, the porous gas after the plasma treatment is used. The surface of the pipe 11 has hydrophilicity. On the other hand, when a lipophilic gas such as CH 4 or C 2 F 6 or a mixed gas thereof is introduced into the vacuum vessel 23 to perform plasma processing, the surface of the porous pipe 11 has hydrophobicity. .

【0025】しかしながら、この場合において適切にプ
ラズマ処理を行うためには、放電が行われた場合の気圧
が1〜10パスカルである必要がある。実験によれば、
このときの条件は、放電出力が100〜200Wで、放
電電圧は1000〜1600V、放電周波数は13.5
6MHzであり、放電時間は1分〜5分であった。しか
しながら、いずれにしても、放電圧力は1〜10パスカ
ルの間でないと、良好なプラズマ処理が行われなくなる
ことがわかっている。以下、この範囲を最適圧力範囲と
呼ぶことにする。
However, in this case, in order to properly perform the plasma processing, the pressure when the discharge is performed needs to be 1 to 10 Pascal. According to experiments,
The conditions at this time are a discharge output of 100 to 200 W, a discharge voltage of 1000 to 1600 V, and a discharge frequency of 13.5.
6 MHz, and the discharge time was 1 minute to 5 minutes. However, in any case, it is known that good plasma processing cannot be performed unless the discharge pressure is between 1 and 10 Pascal. Hereinafter, this range will be referred to as an optimum pressure range.

【0026】本実施例に係るポーラスパイプ製造装置に
おいて特徴的なことは、真空ポンプ25及び27の出力
と、気体供給装置43から供給される気体の量を制御す
ることによりポーラスパイプ11の所定の表面を最適圧
力範囲に保つことである。そして、真空容器23内にプ
ラズマを形成した場合には、この最適圧力範囲にあるポ
ーラスパイプ11表面が有効にプラズマ処理されること
となるので、上記最適圧力範囲の形成個所を制御するこ
とにより、ポーラスパイプ11の表面処理が行われる個
所を制御することができるようになることである。これ
を、本願においては、ポーラスパイプ11の選択的プラ
ズマ処理と定義する。
A characteristic of the porous pipe manufacturing apparatus according to the present embodiment is that a predetermined amount of the porous pipe 11 is controlled by controlling the outputs of the vacuum pumps 25 and 27 and the amount of gas supplied from the gas supply device 43. The goal is to keep the surface in the optimal pressure range. When plasma is formed in the vacuum vessel 23, the surface of the porous pipe 11 in this optimum pressure range is effectively subjected to plasma processing. The point where the surface treatment of the porous pipe 11 is performed can be controlled. This is defined as selective plasma treatment of the porous pipe 11 in the present application.

【0027】更に、本実施例に係るポーラスパイプ製造
装置においては、真空容器23内からの排気と真空容器
23内への気体の供給とを適切に制御してポーラスパイ
プ11内外に圧力の勾配を形成することによって、容易
に最適圧力範囲の形成個所を制御することが可能であ
る。すなわち、本願のポーラスパイプ製造装置において
は、容易にポーラスパイプ11の選択的プラズマ処理を
行うことができることを特徴とするものである。なお、
コントローラ49によって調整栓33の弁の開閉状態が
制御されることにより、ポーラスパイプ11内外に形成
される圧力勾配の微調整が行われるようになっている。
Further, in the porous pipe manufacturing apparatus according to the present embodiment, the pressure gradient inside and outside the porous pipe 11 is controlled by appropriately controlling the exhaust from the vacuum vessel 23 and the supply of gas into the vacuum vessel 23. By forming, it is possible to easily control the formation point of the optimum pressure range. That is, the porous pipe manufacturing apparatus of the present application is characterized in that the selective plasma processing of the porous pipe 11 can be easily performed. In addition,
By controlling the open / close state of the valve of the adjusting plug 33 by the controller 49, fine adjustment of the pressure gradient formed inside and outside the porous pipe 11 is performed.

【0028】図2(a)に示すグラフは、ポーラスパイ
プ11内に気体が供給され、真空容器23内から排気が
行われた時のポーラスパイプ11の内壁側と壁中と外壁
側の圧力の変化を示したグラフである。この場合におい
ては、外壁側から排気が行われ、内壁側からは気体の供
給が行われるため内壁側の方が外壁側よりも圧力が高く
なる。そして、ポーラスパイプの壁中には多数の微細孔
が存在するため、ポーラスパイプ11内部から気体が流
出し(図3(a))、内壁側から外壁側にわたって徐々
に圧力が低下するように、ポーラスパイプ11壁中に圧
力勾配が形成される。
The graph shown in FIG. 2 (a) shows the pressure of the inner wall side, the inside wall, and the outer wall side of the porous pipe 11 when gas is supplied into the porous pipe 11 and the gas is exhausted from the vacuum vessel 23. It is a graph which showed a change. In this case, exhaust is performed from the outer wall side, and gas is supplied from the inner wall side, so that the inner wall side has a higher pressure than the outer wall side. Since a large number of fine holes are present in the wall of the porous pipe, gas flows out from the inside of the porous pipe 11 (FIG. 3A), and the pressure gradually decreases from the inner wall side to the outer wall side. A pressure gradient is formed in the porous pipe 11 wall.

【0029】ここで、一点鎖線に囲まれている1〜10
パスカルの間が最適圧力範囲であるが、真空容器23内
にプラズマが形成されると、この最適圧力範囲内にある
壁面にプラズマ処理が施されることとなる。
Here, 1 to 10 surrounded by a chain line
The optimum pressure range is between Pascals, but when plasma is formed in the vacuum vessel 23, the plasma processing is performed on the wall surface within the optimum pressure range.

【0030】従って、図2(a)のグラフαのように、
内壁側の気圧を最適圧力範囲内に保てば内壁表面にプラ
ズマ処理が施され、その他の個所にはプラズマ処理が施
されないことになる。これに対してグラフβのように内
壁側の気圧を10パスカルより大きくして外壁側の気圧
を1パスカルより小さくし、壁中が最適圧力範囲内にな
るように制御を行えば、壁中の孔壁表面にプラズマ処理
が施されることになる。また、グラフγのように外壁側
の気圧が最適圧力範囲内になるように制御すれば、外壁
表面にプラズマ処理を施すことができるようになる。
Therefore, as shown in the graph α of FIG.
If the pressure on the inner wall side is kept within the optimum pressure range, the plasma processing is performed on the inner wall surface, and the plasma processing is not performed on other portions. On the other hand, if the pressure on the inner wall side is made larger than 10 Pascal and the air pressure on the outer wall side is made smaller than 1 Pascal and the inside of the wall is controlled within the optimum pressure range as shown in the graph β, The plasma treatment is performed on the hole wall surface. Further, if the pressure on the outer wall side is controlled to be within the optimum pressure range as shown in the graph γ, the outer wall surface can be subjected to the plasma processing.

【0031】また、グラフδのように圧力を制御する
と、壁中及び外壁が最適圧力範囲内に保たれ、内壁表面
にのみプラズマ処理が施されず、孔壁表面及び外壁表面
にプラズマ処理が施されることとなる。同様にして、内
壁と外壁の圧力差を適当に調整することによって、例え
ば孔壁表面を半分程度で内壁全面に亘ってプラズマ処理
が施されたポーラスパイプを得ることが可能となる。こ
のようにして、内壁と外壁の圧力差を適当に調整するこ
とによって、所望の位置にプラズマ処理が施されたポー
ラスパイプを製造することができるようになるものであ
る。なお、このときの微調整は調整栓33の弁の開閉を
制御することによって行う。
When the pressure is controlled as shown in the graph δ, the inside and the outer wall are kept within the optimum pressure range, and the plasma treatment is not performed only on the inner wall surface, but is performed on the hole wall surface and the outer wall surface. Will be done. Similarly, by appropriately adjusting the pressure difference between the inner wall and the outer wall, for example, it is possible to obtain a porous pipe in which the surface of the hole wall is about half and the entire inner wall is plasma-treated. By appropriately adjusting the pressure difference between the inner wall and the outer wall in this manner, a porous pipe having a desired position subjected to plasma processing can be manufactured. The fine adjustment at this time is performed by controlling the opening and closing of the valve of the adjusting plug 33.

【0032】ここで、図2(b)は、粘性の高い気体と
粘性の低い気体の圧力変化(壁中の圧力勾配)を示した
グラフである。このグラフにおいてグラフAは粘性の少
ない気体の変化を表し、壁中において急峻な変化が起こ
るようになっている。これに対して、グラフBは粘性が
比較的大きい気体の圧力変化を示したものであり、壁中
においてグラフAよりはなだらかな圧力変化を示すよう
になっている。
Here, FIG. 2 (b) is a graph showing the pressure change (pressure gradient in the wall) of the high viscosity gas and the low viscosity gas. In this graph, graph A represents a change in gas having a low viscosity, and a steep change occurs in the wall. On the other hand, the graph B shows the pressure change of the gas having a relatively large viscosity, and the pressure change in the wall is more gradual than the graph A.

【0033】図2(c)はポーラスパイプ11の内部か
ら排気がされ、真空容器23内に気体が供給される場合
の圧力変化を示した図である。この場合には、図3
(b)に示されるように、ポーラスパイプ11の外部か
ら気体がポーラスパイプ11の内部に流れるようになっ
ており、微細孔を介して壁中で徐々に圧力が変化するよ
うになっている。ここで、前記図2(a)のグラフαの
ように、外壁部分が最適圧力範囲内になるように制御す
れば、図3(b)に示す外壁部分57にプラズマ処理が
施されることになる。また、前記図2(a)のβのよう
に、壁中において最適圧力範囲内になるように制御を行
えば、孔壁58の表面にプラズマ処理が施されることに
なる。更に、前記図2(a)のγのように、内壁部分に
おいて最適圧力範囲内になるように制御を行えば、内壁
59の表面にプラズマ処理が施されるようになる。この
場合においても、内壁と外壁の圧力差を適度に調整する
ことにより、プラズマ処理を施したい表面の位置を適切
に調節することが可能となる。ここで、上記製造装置
は、図4に示されるような方法で動作する。
FIG. 2C is a diagram showing a pressure change when the gas is supplied from the inside of the porous pipe 11 to the vacuum vessel 23 when the gas is exhausted from the inside of the porous pipe 11. In this case, FIG.
As shown in (b), gas flows from the outside of the porous pipe 11 to the inside of the porous pipe 11, and the pressure gradually changes in the wall through the fine holes. Here, if the outer wall portion is controlled to be within the optimum pressure range as shown in the graph α of FIG. 2A, the outer wall portion 57 shown in FIG. Become. In addition, if the control is performed so as to be within the optimum pressure range in the wall as indicated by β in FIG. 2A, the surface of the hole wall 58 is subjected to the plasma processing. Furthermore, if the control is performed so that the inner wall portion is within the optimum pressure range as indicated by γ in FIG. 2A, the surface of the inner wall 59 is subjected to plasma processing. Also in this case, by appropriately adjusting the pressure difference between the inner wall and the outer wall, it is possible to appropriately adjust the position of the surface on which the plasma processing is to be performed. Here, the manufacturing apparatus operates in a method as shown in FIG.

【0034】まず、S101においてポーラスパイプが
設置されると、真空容器23内あるいはポーラスパイプ
11内から排気が行われる(S102)。そして、この
状態で親水性ガスあるいは親油性ガスが供給され(S1
03)、ポーラスパイプ11内外での圧力差が調整され
(S104)、この後に電極45に電圧がかけられてプ
ラズマ処理が行われることになる(S105)。ここ
で、S104における気圧の調整が本実施例において特
徴的な工程であり、このときの調整の手法によって、プ
ラズマ処理されるポーラスパイプ11表面が調整できる
ものである。なお、前述のごとく、コントローラ49は
調整栓33に設置されているバルブの開閉を制御するこ
とによって、ポーラスパイプ11内外の圧力差の微量調
整を行うようになっている。
First, when a porous pipe is installed in S101, exhaust is performed from the inside of the vacuum vessel 23 or the inside of the porous pipe 11 (S102). Then, in this state, a hydrophilic gas or a lipophilic gas is supplied (S1).
03), the pressure difference between the inside and outside of the porous pipe 11 is adjusted (S104), and after that, a voltage is applied to the electrode 45 to perform plasma processing (S105). Here, the adjustment of the atmospheric pressure in S104 is a characteristic step in the present embodiment, and the surface of the porous pipe 11 to be subjected to the plasma processing can be adjusted by the adjustment method at this time. As described above, the controller 49 controls the opening and closing of the valve provided in the adjusting plug 33 to perform a minute adjustment of the pressure difference between the inside and the outside of the porous pipe 11.

【0035】ところで、真空容器23に設置される電極
45は図1に示されるように、平行に巻くようにしても
よいが、この他にも例えば図5に示されるように、螺旋
状に巻くようにしても良好な結果を得ることができる。
The electrode 45 installed in the vacuum vessel 23 may be wound in parallel as shown in FIG. 1, but may be spirally wound as shown in FIG. 5, for example. Even so, good results can be obtained.

【0036】そして、駆動装置35内の上下駆動機35
aが駆動し、ポーラスパイプ11が上下方向に移動する
ことによって、均一な選択的プラズマ処理が行われるこ
とになる。従って、内壁部分全体と孔壁部分半分に疎水
性部分を形成するように最適圧力範囲の形成箇所を調整
した場合に、このポーラスパイプ11の上下方向の移動
を同時に行うことによって、ポーラスパイプ11の全体
にわたって均等に、内壁部分全体と孔壁部分半分に疎水
性部分が形成されることとなる。このようにして、ポー
ラスパイプ11が上下方向に移動することによって、均
一な選択的プラズマ処理が行われることになるが、同時
に当該ポーラスパイプ11を回転させることによって、
より均一に選択的プラズマ処理を行うことができるよう
になる。なお、上記のような均一な選択的プラズマ処理
を行うためには、上下駆動機35aによってポーラスパ
イプ11を上下方向に移動させるのではなく、プラズマ
を発生させる電極45を上下方向に移動させてもよい。
つまり、ポーラスパイプ11と電極45とをそれぞれ上
下方向に相対的に移動させれば、ポーラスパイプ11の
均一な選択的プラズマ処理を行うことが可能となる。
The vertical drive unit 35 in the drive unit 35
By driving a and moving the porous pipe 11 in the vertical direction, uniform selective plasma processing is performed. Therefore, when the formation position of the optimum pressure range is adjusted so as to form a hydrophobic portion in the entire inner wall portion and half of the hole wall portion, the porous pipe 11 is simultaneously moved in the vertical direction, whereby the porous pipe 11 A hydrophobic portion is formed evenly over the entire inner wall portion and half of the hole wall portion. By moving the porous pipe 11 in the vertical direction in this manner, uniform selective plasma processing is performed. At the same time, by rotating the porous pipe 11,
The selective plasma processing can be performed more uniformly. In order to perform the uniform selective plasma processing as described above, instead of moving the porous pipe 11 in the vertical direction by the vertical driving device 35a, the electrode 45 for generating plasma may be moved in the vertical direction. Good.
That is, if the porous pipe 11 and the electrode 45 are relatively moved in the vertical direction, uniform porous plasma processing of the porous pipe 11 can be performed.

【0037】また、上述のポーラスパイプ11は、種々
の多孔性の材料、例えばセラミックスや金属などを採用
することが可能であるが、このうちでも多孔質のシリカ
ガラスが最適である。そしてこの中でも、南九州におい
て豊富な火山噴出物(シラス)のシラスガラスを原料に
して生成したものが好適である。この多孔質シリカガラ
スは、まず石灰と硼酸とを加え1300℃で溶融して多
孔質ガラスの母体となる基礎ガラスを合成する。そし
て、これを素材として最終的な使用目的に合わせたパイ
プ用に成形した後、600〜700℃程度で熱処理しガ
ラスの組成を変化させて原料のCaOとB2 3 が遊離
する現象、すなわち分層を発生させる。そしてこの層は
酸に溶けやすいので、熱処理物を酸で処理すれば、これ
が溶出して微細な細胞を無数に有する多孔質ガラスを得
ることができる。このようにして得られた多孔質シリカ
ガラスは、その細孔等を処理において制御しやすいた
め、本発明に係るポーラスパイプを構成する原料として
非常に適している。このようにして形成されたポーラス
パイプ11は、これがガラス質であるため、親水性であ
り、親水性ガスでプラズマ処理することによってより親
水性が高まり、また親油性ガスでプラズマ処理すること
により所望の表面に疎水部分を形成することが可能とな
る。
The porous pipe 11 can be made of various porous materials, for example, ceramics and metal, and among them, porous silica glass is most suitable. Among them, those produced from shirasu glass, which is an abundant volcanic product (shirasu) in southern Kyushu, are preferred. This porous silica glass is first added with lime and boric acid and melted at 1300 ° C. to synthesize a base glass which is a base of the porous glass. Then, after forming this as a raw material for a pipe adapted to the final purpose of use, a heat treatment is performed at about 600 to 700 ° C. to change the composition of the glass to release the raw materials CaO and B 2 O 3 , that is, Generate a stratification. Since this layer is easily dissolved in an acid, if the heat-treated product is treated with an acid, it is eluted to obtain a porous glass having countless fine cells. The porous silica glass thus obtained is very suitable as a raw material for forming the porous pipe according to the present invention because its pores and the like can be easily controlled in the treatment. The porous pipe 11 formed in this manner is hydrophilic because it is glassy, and becomes more hydrophilic by plasma treatment with a hydrophilic gas. It is possible to form a hydrophobic portion on the surface.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上のようにして、本発明においては、
外壁・孔壁・内壁の所望の表面に所望の大きさの親水部
分及び疎水部分を全体にわたって均一に有するポーラス
パイプを容易に得ることが可能である。
As described above, in the present invention,
It is possible to easily obtain a porous pipe having a desired size of a hydrophilic portion and a hydrophobic portion uniformly on a desired surface of an outer wall, a hole wall, and an inner wall.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施例に係るポーラスパイプの製造装置の構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a porous pipe manufacturing apparatus according to an embodiment.

【図2】最適圧力と圧力制御の関係を説明するためのグ
ラフである。
FIG. 2 is a graph for explaining the relationship between optimal pressure and pressure control.

【図3】ポーラスパイプと気体の流れの方向を説明する
図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a porous pipe and a flow direction of gas.

【図4】本発明に係るポーラスパイプの製造方法を示す
フローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing a porous pipe according to the present invention.

【図5】本実施例に係るポーラスパイプの製造装置の電
極の別の構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing another configuration of the electrode of the apparatus for manufacturing a porous pipe according to the present embodiment.

【図6】従来のポーラスパイプを用いた混合装置の構成
を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a mixing apparatus using a conventional porous pipe.

【図7】ポーラスパイプを用いた混合装置の動作を説明
するための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the mixing device using a porous pipe.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ポーラスパイプ 21 ポーラスパイプの製造装置 23 真空容器 25,27 真空ポンプ 33 調整栓 34 回転軸 35 駆動装置 37 流通管 39 排気孔 41 導入孔 43 気体供給装置 45 電極 47 電波発生供給装置 49 コントローラ 51 三方コック 57 外壁 58 孔壁 59 内壁 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Porous pipe 21 Porous pipe manufacturing device 23 Vacuum container 25, 27 Vacuum pump 33 Adjustment plug 34 Rotating shaft 35 Drive device 37 Flow pipe 39 Exhaust hole 41 Inlet hole 43 Gas supply device 45 Electrode 47 Electromagnetic wave generation device 49 Controller 51 Three-way Cock 57 Outer wall 58 Hole wall 59 Inner wall

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01J 19/08 C03C 23/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B01J 19/08 C03C 23/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】一端が閉じられたポーラスパイプが収容さ
れる真空容器と、 この真空容器内そしてポーラスパイプ内から気体を排出
する排気手段と、 前記ポーラスパイプの他端から該ポーラスパイプ内に気
体を導く気体導入手段と、 前記ポーラスパイプ内外の圧力を調整する圧力調整手段
と、 前記真空容器内の気体をプラズマ状態にするプラズマ発
生手段と、 を有し、 前記ポーラスパイプの内壁・孔壁・外壁付近での圧力を
調節することによってプラズマの発生箇所を調節し、該
ポーラスパイプの内壁・孔壁・外壁の表面をそれぞれ選
択的にプラズマ処理することを特徴とするポーラスパイ
プの製造装置。
A vacuum vessel for accommodating a porous pipe having one end closed; exhaust means for discharging gas from the vacuum vessel and from the inside of the porous pipe; and a gas from the other end of the porous pipe into the porous pipe. Gas introduction means, pressure adjustment means for adjusting the pressure inside and outside the porous pipe, and plasma generation means for bringing the gas in the vacuum vessel into a plasma state; and An apparatus for manufacturing a porous pipe, comprising: adjusting a pressure in the vicinity of an outer wall to adjust a plasma generation location; and selectively performing plasma processing on the surfaces of an inner wall, a hole wall, and an outer wall of the porous pipe.
【請求項2】一端が閉じられたポーラスパイプが収容さ
れる真空容器と、 該ポーラスパイプ内そして真空容器内から気体を排出す
る排気手段と、 前記ポーラスパイプ外に気体を導く気体導入手段と、 前記ポーラスパイプ内外の圧力を調整する圧力調整手段
と、 真空容器内の気体をプラズマ状態にするプラズマ発生手
段と、 を有し、 前記ポーラスパイプの内壁・孔壁・外壁付近での圧力を
調節することによってプラズマの発生箇所を調節し、該
ポーラスパイプの内壁・孔壁・外壁の表面をそれぞれ選
択的にプラズマ処理することを特徴とするポーラスパイ
プの製造装置。
2. A vacuum vessel accommodating a porous pipe having one end closed, exhaust means for discharging gas from the porous pipe and from the vacuum vessel, and gas introducing means for introducing gas out of the porous pipe. Pressure adjusting means for adjusting the pressure inside and outside the porous pipe; and plasma generating means for converting the gas in the vacuum vessel into a plasma state, wherein the pressure near the inner wall, hole wall, and outer wall of the porous pipe is adjusted. The apparatus for producing a porous pipe according to claim 1, wherein a plasma generating portion is adjusted by the above-described method, and the surfaces of the inner wall, the hole wall, and the outer wall of the porous pipe are selectively plasma-treated.
【請求項3】請求項1又は2の製造装置において、 前記ポーラスパイプ又はプラズマ発生手段を上下方向に
移動させる移動手段を含み、ポーラスパイプとプラズマ
発生手段とを上下方向に相対的に移動させながら該ポー
ラスパイプ表面全体にわたって均一な選択的プラズマ処
理をすることを特徴とするポーラスパイプの製造装置。
3. The manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a moving means for moving the porous pipe or the plasma generating means in a vertical direction, while relatively moving the porous pipe and the plasma generating means in a vertical direction. An apparatus for manufacturing a porous pipe, wherein uniform selective plasma processing is performed over the entire surface of the porous pipe.
【請求項4】請求項1又は2又は3のポーラスパイプの
製造装置により製造されたことを特徴とするポーラスパ
イプ。
4. A porous pipe manufactured by the apparatus for manufacturing a porous pipe according to claim 1, 2 or 3.
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